JP2015502065A - 向上した通過帯域特性を有する、横方向に結合されたバルク弾性波フィルタ - Google Patents
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Abstract
Description
を有する板波として伝搬することができる。このことを、TE1モード及びTS2モードについて図2に示す。横方向に有限サイズの共振器では、共振器の端からの反射によって、横方向の定在波モードが生じ得る。
を、周波数fに対して表す。例えば、BAW共振器の層スタックについて算出された分散図の一例を示す図3を参照されたい。BAW共振器の分散特性は、主に、薄膜層スタックにより決定される。図3には、二次の厚さ方向せん断TS2振動モード及びTE1振動モードのオンセット周波数(振動モードが最初に出現する周波数)が示されている。TE1モードでは、オンセット周波数は、横方向の波数
となる周波数と等しい。基本厚み共振は、k=0(横方向の波長が無限)に近づく。分散曲線は、横方向に伝搬する波(板波)の性質を周波数と共に表す。TS2モードがTE1モードよりも低い周波数で出現した場合、分散は、タイプ1であり、逆の場合は、タイプ2であると言える。
(R. M. Lakin, et al, “Thin film resonator technology”, in Proc. IEEE 41stAnnual Frequency Control Symposium, 1987, 371-381(非特許文献1)を参照のこと) 及び垂直方向に結合された結合共振器フィルタ (CRF)(G.G. Fattinger, et al, “Single-to-balanced Filters for Mobile Phones using Coupled Resonator BAW Technology”, Proc. IEEE Ultrasonics Symposium, 2004, pp. 416-419(非特許文献2)を参照のこと)に使用されている。SCFにおいては、2つの圧電層が中間電極により分離される。垂直方向に結合されたCRFにおいては、圧電層間の結合強度を修正するために結合層が使用される。CRFは、SMR又は膜技術のいずれかを用いて製造することができる。
バルク弾性波を伝送する圧電能動振動層と、
上記振動層に連結され、振動層に、第一周波数帯を持つ少なくとも1つの縦波モードと第二周波数帯を持つ1つのせん断波モードとを励起する電極手段であり、
フィルタ通過信号を検知するため、互いに横方向に音響結合され、上記振動層の上に配された第一電極手段及び第二電極手段、並びに、上記振動層の下側に連結された導電性の第三電極から成る電極手段と、
上記振動層と音響接続され、上記第一周波数帯において、上記第二周波数帯におけるよりも効果的に上記振動層をその外部から音響的に絶縁するように構成された音響反射器構造と
を有する。
・1つの振動層、
・上記振動層に結合され、互いに横方向に音響接続された第一電極及び第二電極、並びに
・上記振動層をその外部から音響的に絶縁するように構成された音響反射器構造
を有し、それにより、横方向のバルク弾性波フィルタを形成する、バルク弾性波共振器を設けるステップと、
フィルタリングされるRF信号を、上記第一電極に供給し、上記振動層に、第一周波数帯を持つ少なくとも1つの縦波モードと第二周波数帯を持つ1つのせん断波モードとを備えた音響波を励起するステップと、
前記音響波が少なくとも部分的に上記音響反射器構造を通過するようにして、上記第二周波数帯の上記せん断波モードを抑制するステップと、
上記音響波を上記音響反射器構造から反射させることによって、実質的に上記振動層(73)において、上記縦波モード及び上記せん断波モードを上記第一周波数帯に保つステップと、
上記第二電極を用いて上記フィルタ通過信号を読み取るステップと
を含む。
t=λ/4=vlongitudinal/(4f0)
ここで、動作周波数はf0、vlongitudinalは反射器の各材料の特性、そして、f0での縦バルク波速度はλ=vlongitudinal/f0によって求められる。
少なくとも2つの電極71及び72を形成するようにパターニングされた導電性の上部電極層と、
圧電能動層73と、
導電性の底部電極層74と、
反射器スタックであり、
・第一厚さを持つ低インピーダンスの第一層75a、
・第二厚さを持つ高インピーダンスの第二層75b、
・第三厚さを持つ低インピーダンスの第三層75c、
・第四厚さを持つ高インピーダンスの第四層75d、及び
・第五厚さを持つ低インピーダンスの第五層75e
を有する反射器スタックと、
フィルタ70全体を支持する基板層76と
を有する。
所望の動作周波数(例えば、フィルタ中心周波数)の4分の1波長反射器を、設計の起点と見なすことができる。すなわち、所望の動作周波数において、反射器層の厚さは、その周波数で材料に用いる音響波タイプ(例えば、縦バルク波)の音響波長の4分の1である。
用いる圧電材料及び振動モードに応じて、所望の分散特性が得られるように層の厚さを調節することが時に必要である。例えば、本質的にタイプ2の分散を持つ圧電AINを用いる場合、二次の厚さ方向せん断モード(TS2)の周波数がTE1モードより低くなる分散タイプを実現することが望ましいと言える。W/SiO2反射器の場合、典型的には、一番上にあるSiO2層の厚さを増加させることを意味する。
低損失を確実にするために、フィルタ通過帯域内でせん断波を反射することが望ましい。この目的のために、層(振動層及び電極層等)の厚さを調節することができる。これは、典型的には、反射器層の厚さをその4分の1波長値より減少させることを意味する。
不要な通過帯域応答を生じさせる不要な振動モード(例えば、TS2)の共振周波数又は周波数を規定した後、こうした周波数周辺での不要な振動に対する反射器の反射率は低下すると共に、フィルタ通過帯域での所望の分散タイプ及び低損失は維持されるように、層の厚さを調節する。この目的のために、共振器層(振動層及び電極)並びに共振器に最も近接する反射器層は、わずかに変更され、好適には、全く変更されない。必要であれば、それらを、不要な応答の周波数の4分の1波長値と重複はしないが近づくように変更する。これにより、フィルタ動作が最適な状態に近いまま保たれる。
最上の反射器層の下にある反射器層は、不要な応答の周波数の4分の1波長値に近づき、必要であれば、重複するように変形される。これにより、不要なせん断波周波数が確実に反射器を通過する。
・第一層75a(最上層)の厚さは大きい。
・第二層75bの厚さは小さい。
・第三層75cの厚さは大きい。
・第四層75dの厚さは大きい。
・第五層75eの厚さは大きい。
低インピーダンスの第一層:900〜1200、具体的には、950〜1050、
高インピーダンスの第二層:500〜700、具体的には、520〜580、
低インピーダンスの第三層:900〜1400、具体的には、1000〜1300、
高インピーダンスの第四層:750〜1000、具体的には、800〜900、及び
低インピーダンスの第五層:850〜1100、具体的には、900〜1000。
上部電極:Al、Mo
圧電能動層:AlN、ZnO、ScAlN、LiNbO3
底部電極:Mo、Al、Pt
低Z反射器材料:SiO2
高Z反射器材料:W、Mo、AlN、ZnO、Si3N4、Ta2O5
基板:Si、ガラス、石英、サファイア
反射器層については、TS2オンセット周波数(1800MHz)での、縦波の4分の1波長反射器の厚さも示す。
Claims (19)
- 横方向に結合されたバルク弾性波フィルタ(70)であって、
バルク弾性波を伝送する振動層(73)と、
互いに横方向に配置された第一電極(71)及び第二電極(72)を有する電極手段(71、72、74)であり、前記第一電極(71)は、前記振動層(73)に結合され、前記振動層(73)に、第一周波数帯を持つ少なくとも1つの縦波モード、及び第二周波数帯を持つ1つのせん断波モードを励起し、前記第二電極(72)は、前記振動層に結合され、フィルタ通過信号を検知する、電極手段(71、72、74)と、
前記振動層(73)と音響接続している音響反射器構造(75)と
を有し、
前記反射器構造(75)は、前記第一周波数帯において、前記第二周波数帯におけるよりも効果的に前記振動層(73)をその周囲から音響的に絶縁し、前記フィルタ通過信号に対する前記第二周波数帯の前記せん断波モードの作用を抑制するように構成されているバルク弾性波フィルタ。 - 請求項1記載のバルク弾性波フィルタにおいて、電気周波数応答では、前記第二周波数帯の挿入損失は、前記第一周波数帯の挿入損に比べ、少なくとも6dB、具体的には、少なくとも10dB抑制されるバルク弾性波フィルタ。
- 請求項1又は2のいずれか記載のバルク弾性波フィルタにおいて、前記反射器構造(75)は、層厚及び音響インピーダンスが、前記振動層(73)に近接する第一領域と前記振動層(73)から遠く離れた第二領域とで異なる音響特性を呈するように構成された非対称の多層構造(75a〜e)を有するバルク弾性波フィルタ。
- 請求項1〜3のいずれか記載のバルク弾性波フィルタにおいて、前記反射器構造(75)は、少なくとも4つの交互に配列された高低の音響インピーダンス層(75a〜e)のスタックを有し、各低音響インピーダンス層(75a、75c及び75e)の固有音響インピーダンスは、どの高音響インピーダンス層(75b及び75d)の固有音響インピーダンスよりも低いか又はそれと同じであるバルク弾性波フィルタ。
- 請求項4記載のバルク弾性波フィルタにおいて、
前記振動層(73)に最も近接する前記スタックの最上層(75a)の厚さは、反射率が前記第二周波数帯で最も高くなる縦4分の1波反射器構造の対応する層の計算上の層厚より大きく、
前記スタックの前記最上層(75a)の下にある層(75b〜e)のうち少なくとも1つの、好適には少なくとも半数の、そして典型的には全ての、厚さは、反射率が前記第二周波数帯で最も高くなる縦4分の1波反射器構造の対応する層の計算上の層厚より小さいバルク弾性波フィルタ。 - 請求項4又は5記載のバルク弾性波フィルタにおいて、前記スタックは、少なくとも2つの高音響インピーダンス層(75b及び75d)を有し、前記振動層(73)から遠く離れた高音響インピーダンス層(75d)の厚さは、前記振動層(73)に近接した高音響インピーダンス層(75b)の厚さよりも大きいバルク弾性波フィルタ。
- 請求項4〜6のいずれか記載のバルク弾性波フィルタにおいて、前記スタックは、少なくとも3つの低音響インピーダンス層(75a、75c及び75e)を有し、最外側の低音響インピーダンス層(75a及び75e)の厚さは、当該最外側の低音響インピーダンス層(75a及び75e)の間のどの低音響インピーダンス層(75c)の厚さよりも小さいか又はそれと同じであるバルク弾性波フィルタ。
- 請求項1〜7のいずれか記載のバルク弾性波フィルタにおいて、前記振動層(73)は圧電材料から作られ、前記第一電極(71)及び前記第二電極(72)は、前記振動層(73)の一方側に互いに横方向に配置されており、前記電極手段はさらに、前記振動層(73)の他方側に配置された第三平面電極(74)を有するバルク弾性波フィルタ。
- 請求項1〜7のいずれか記載のバルク弾性波フィルタにおいて、前記振動層(73)は圧電材料から作られ、前記第一電極(71)及び前記第二電極(72)は、前記振動層(73)の一方側に配置されており、前記電極手段はさらに、前記振動層(73)の他方側に互いに横方向に配置された第三電極及び第四電極を有するバルク弾性波フィルタ。
- 請求項1〜9のいずれか記載のバルク弾性波フィルタにおいて、前記電極手段は、前記振動層(73)の一方側又は両側にすだれ形状に配置された2つの分岐電極を有するバルク弾性波フィルタ。
- 請求項1〜10のいずれか記載のバルク弾性波フィルタにおいて、前記縦波モードは、一次の厚さ方向伸長(TE1)モードであり、前記せん断波モードは、二次の厚さ方向せん断モード(TS2)であるバルク弾性波フィルタ。
- 請求項1〜11のいずれか記載のバルク弾性波フィルタにおいて、前記せん断波モードの周波数は、前記縦波モードの周波数から、最大で15%逸脱しているバルク弾性波フィルタ。
- 請求項1〜12のいずれか記載のバルク弾性波フィルタにおいて、当該バルク弾性波フィルタは、上から下へ、中間層を除かずに、以下に挙げる
少なくとも2つの電極(71及び72)を形成するようにパターニングされた導電性の第一電極層と、
圧電能動層(73)と、
導電性の第二電極層(74)と、
第一厚さを持つ低インピーダンスの第一層(75a)と、
第二厚さを持つ高インピーダンスの第二層(75b)と、
第三厚さを持つ低インピーダンスの第三層(75c)と、
第四厚さを持つ高インピーダンスの第四層(75d)と、
第五厚さを持つ低インピーダンスの第五層(75e)と、
当該バルク弾性波フィルタ全体を支持する基板層(76)と
を有し、
前記各低インピーダンス層(75a、75c及び75e)の固有音響インピーダンスは、どの前記高インピーダンス層(75b及び75d)の固有音響インピーダンスよりも低いか又はそれと同じであるバルク弾性波フィルタ。 - 請求項13記載のバルク弾性波フィルタにおいて、前記各層の相対厚さは、前記圧電能動層の相対厚さを1800ユニット単位とすると、以下の範囲内、すなわち、
低インピーダンスの第一層(75a):900〜1200、具体的には、950〜1050、
高インピーダンスの第二層(75b):500〜700、具体的には、520〜580、
低インピーダンスの第三層(75c):900〜1400、具体的には、1000〜1300、
高インピーダンスの第四層(75d):750〜1000、具体的には、800〜900、及び
低インピーダンスの第五層(75e):850〜1100、具体的には、900〜1000
の範囲内にあるバルク弾性波フィルタ。 - 請求項14記載のバルク弾性波フィルタにおいて、前記振動層(73)の厚さは、500〜3000nm、具体的には、1500〜2000nmであるバルク弾性波フィルタ。
- 請求項1〜15のいずれか記載のバルク弾性波フィルタにおいて、前記第一周波数帯は、0.5〜5GHzであるバルク弾性波フィルタ。
- 請求項1〜16のいずれか記載のバルク弾性波フィルタにおいて、第一周波数帯及び第二周波数帯は部分的に重複しており、前記反射器構造(75)は、前記せん断波の作用の抑制を、実質的には前記第一周波数帯及び前記第二周波数帯の非重複帯域でのみ行うように構成されているバルク弾性波フィルタ。
- 請求項1〜17のいずれか記載のバルク弾性波フィルタにおいて、前記第二周波数帯では、せん断波が前記反射器構造(75)を通過し、前記第一周波数帯では、せん断波及び縦波の両方が前記反射器構造(75)から反射されるバルク弾性波フィルタ。
- 電気RF信号のフィルタリング方法であって、
請求項1〜18のいずれか記載の横方向のバルク弾性波フィルタ(70)を設けるステップと、
フィルタリングされる前記RF信号を、上記第一電極(71)に供給し、上記振動層(73)に、第一周波数帯を持つ少なくとも1つの縦波モードと第二周波数帯を持つ1つのせん断波モードとを備えた音響波を励起するステップと、
前記音響波が少なくとも部分的に前記音響反射器構造(75)を通過するようにして、前記第二周波数帯の前記せん断波モードを抑制するステップと、
前記音響波を上記音響反射器構造(75)から反射させることによって、実質的に前記振動層(73)において、前記縦波モード及び前記せん断波モードを前記第一周波数帯で保つステップと、
前記第二電極(72)を用いて前記フィルタ通過信号を読み取るステップと
を含む、電気RF信号のフィルタリング方法。
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