JP2015232803A - 入力装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、支持基板の反りの方向を制御して、支持基板を上部基板に向かい凸に湾曲させることにより、耐環境性を向上させることが可能な入力装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の入力装置１０は、支持基板１５と、支持基板１５の上面側において間隔を設けて対向配置された上部基材３０と、支持基板１５の下面に設けられた反り制御用部材５０とを有し、上部基材３０の下面に上部導電層３１が形成され、上部導電層３１と対向して支持基板１５の上面側に下部導電層２１が形成されており、反り制御用部材５０は支持基板１５よりも小さい熱膨張係数を有し、支持基板１５は上部基材３０に向かい凸に湾曲していることを特徴とする。【選択図】図２

Description

本発明は、入力装置に関し、特に、支持基板と、支持基板に対して間隔を設けて対向配置された上部基材とを有する入力装置に関する。

下記特許文献１には、対向配置された上部基板と下部基板とを有する抵抗式の入力装置の発明が開示されている。図１２は、特許文献１に記載されている従来例の入力装置の部分拡大断面図を示す。

図１２に示すように、従来例の入力装置１１０は、支持基板１１５と、支持基板１１５の上面側に設けられた本体部１５５と、支持基板１１５の下面側に設けられた反り矯正部材１５０とを有して構成される。本体部１５５は、対向配置された上部基板１３０と下部基板１２０とを有しており、上部基板１３０と下部基板１２０との互いに対向する面には、それぞれ上部導電層１３１と、下部導電層１２１とが形成されている。反り矯正部材１５０は、基材１５１と、基材１５１の下面に設けられた第１の表面層１５２と、基材１５１の上面に設けられた第２の表面層１５３とを有する。

従来例の入力装置１１０において、第１の表面層１５２及び第２の表面層１５３は、熱収縮性または熱膨張性を備えており、反り矯正部材１５０は、本体部１５５の反り方向に対して逆方向の反り力を有している。これにより、本体部１５５の反りを効果的に抑制することが可能である。

再公表特許ＷＯ２０１１／０２１５７９号

しかしながら、図１２に示すように、入力装置１１０は、支持基板１１５、上部基板１３０、下部基板１２０、各層間の光学粘着層１４１〜１４４等を有する積層構造であり、それぞれ異なる材料、異なる熱収縮性または熱膨張性を有している。そのため、通常の環境において入力装置１１０の反りを抑制して、各基板を平坦に形成した場合であっても、使用環境の温度変化や、耐環境性試験（高温高湿試験、熱衝撃試験等）において高温環境下にさらされた場合に、各層の熱膨張が異なるため入力装置１１０の反りが発生する。この際、入力装置１１０の上面側に向かって凸に反りが発生するか、または凹に反りが発生するか、反りの方向を制御することが困難であった。

図１３は、従来例の入力装置１１０の課題を説明するための模式断面図である。図１３に示すように、使用環境の温度変化や耐環境性試験後において支持基板１１５が凹状に反った場合、上部基板１３０に十分な張力が加えられなくなるため、図１３の矢印１３４で示すように、上部基板１３０の一部が局所的に下方に撓む箇所が発生する。

上部基板１３０が局所的に撓む箇所では、上部導電層１３１と下部導電層１２１との間隔が狭くなり、上部導電層１３１と下部導電層１２１との間の静電容量が増大して電気的特性が劣化したり、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が発生し断線するおそれがある。

本発明は、上記課題を解決して、支持基板の反りの方向を制御して、支持基板を上部基材に向かい凸に湾曲させることにより、耐環境性を向上させることが可能な入力装置を提供することを目的とする。

本発明の入力装置は、支持基板と、前記支持基板の上面側において間隔を設けて対向配置された上部基材と、前記支持基板の下面に設けられた反り制御用部材とを有し、前記上部基材の下面に上部導電層が形成され、前記上部導電層と対向して前記支持基板の上面側に下部導電層が形成されており、前記反り制御用部材は前記支持基板よりも小さい線膨張係数を有し、前記支持基板は前記上部基材に向かい凸に湾曲していることを特徴とする。

これによれば、反り制御用部材は、前記支持基板よりも小さい線膨張係数を有しているため、反り制御用部材は支持基板に対して熱膨張量が小さくなり、支持基板は上面側に凸に湾曲する。耐環境試験を行った場合等、高温の環境に置かれた場合であっても、支持基板は凸に湾曲した状態を維持して、上部基材に対して十分な張力が加えられる。よって、上部導電層と下部導電層との間隔が局所的に狭くなることを防止でき、耐環境性を向上させることができる。したがって、本発明の入力装置によれば、支持基板の反りの方向を制御して、支持基板を上部基材に向かい凸に湾曲させることにより、耐環境性を向上させることが可能である。

前記反り制御用部材は、基材と、前記基材の上面及び下面に設けられた表面層とを有し、前記基材は、前記支持基板よりも小さい線膨張係数を有することが好ましい。これによれば、表面層が基材の両面に設けられているため、基材の上面側と下面側との線膨張係数の差を小さく抑制できる。よって、高温環境下に置かれた場合であっても、反り制御用部材が過剰に変形することを抑制して、支持基板の反りの方向や反り量を安定して制御することができる。

前記表面層は、ハードコート層であることが好ましい。これによれば、支持基板の下面に傷や汚れが付着することを防止するとともに、支持基板の反りの方向を制御して耐環境性を向上させることができる。

前記支持基板の上面に下部基材が貼り合わされており、前記下部基材の前記上部基材と対向する面に前記下部導電層が形成されており、前記反り制御用部材は、前記下部基材よりも小さい線膨張係数を有することが好ましい。これによれば、支持基板の上下面で異なる線膨張係数を有し、支持基板の下面側に設けられた反り制御用部材が下部基材よりも小さい線膨張係数を有するため、確実に支持基板の反りの方向を制御して支持基板を上面側に向かい凸に湾曲させることができる。

前記下部基材の線膨張係数は、前記支持基板の線膨張係数と略等しいことが好ましい。これによれば、支持基板と下部基材との線膨張係数の差に起因する反りの発生が抑制されるため、反り制御用部材を設けることにより容易に反りの方向を制御することができる。

本発明の入力装置によれば、支持基板の反りの方向を制御して、支持基板を上面側に向かい凸に湾曲させることにより、耐環境性を向上させることが可能である。

本発明の実施形態における入力装置の斜視図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線で切断して矢印方向から見たときの入力装置の断面図である。 入力装置を構成する下部基材の平面図である。 入力装置を構成する上部基材の平面図である。 入力装置の検出動作を説明するための模式図である。 変形例の入力装置の断面図である。 本実施形態の入力装置の製造方法を説明するための工程図である。 図７の続きを示す工程図である。 比較例の入力装置の断面図である。 実施例の入力装置のＴＳＴ試験後における平面度の測定結果である。 比較例の入力装置のＴＳＴ試験後における平面度の測定結果である。 従来例の入力装置の断面図である。 従来例の入力装置の課題を説明するための模式断面図である。

以下、図面を参照して、具体的な実施形態の入力装置について説明をする。なお、各図面の寸法は、適宜変更して示している。

＜入力装置＞
図１は、実施形態における入力装置の斜視図である。また、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線で切断して矢印方向から見たときの入力装置の断面図である。

図１に示すように本実施形態の入力装置１０は、支持基板１５と、支持基板１５の上面側に設けられた上部基材３０及び下部基材２０と、支持基板１５の下面に設けられた反り制御用部材５０とを有して構成される。また、上部基材３０の表面には加飾フィルム６０が貼り合わされている。図１に示すように、入力装置１０は、入力領域１７と、入力領域１７の外側の非入力領域１８を有している。操作者は、加飾フィルム６０の表面の入力領域１７を押圧することにより入力操作を行うことができる。また、入力装置１０には外部のフレキシブルプリント基板６３が接続されており、これにより入力位置情報が外部に出力される。

図２に示すように、支持基板１５の上面に光学粘着層４３を介して下部基材２０貼り合わされており、下部基材２０の表面に下部導電層２１が形成されている。また、下部導電層２１の上面には、非入力領域１８において下部引出配線２２が形成されている。

図２に示すように、下部基材２０の上面側において下部基材２０と所定の間隔を有して上部基材３０が設けられており、上部基材３０の下面には、下部導電層２１と対向して上部導電層３１が形成されている。また、上部導電層３１の表面には、非入力領域１８において上部引出配線３２が形成されている。下部基材２０と上部基材３０とは、非入力領域１８に設けられた光学粘着層４１を介して貼り合わされている。

図３は下部基材２０の平面図である。また、図４は上部基材３０の平面図である。いずれも入力装置１０の上面側から見たときの平面図を示しており、図４に示す上部引出配線３２等は、上部基材３０の下面に形成されているが、見やすくするために実線で示している。

図２及び図３に示すように、下部導電層２１は、下部基材２０の入力領域１７及び非入力領域１８に亘って全面に形成されており、下部導電層２１の表面に下部引出配線２２が形成されている。図３に示すように、下部引出配線２２は、入力領域１７を囲んで非入力領域１８に形成されている。Ｙ１側に形成されたＹ１側引出配線２２ａは、Ｘ１−Ｘ２方向に延在し、下部導電層２１と電気的に接続されるとともに、接続配線２２ｅと電気的に接続される。また、Ｙ２側に形成されたＹ２側引出配線２２ｂは、Ｘ１−Ｘ２方向に延在し、下部導電層２１と電気的に接続されている。そして、Ｙ２側引出配線２２ｂは、Ｘ２側引出配線２２ｃを介して接続配線２２ｅと電気的に接続される。なお、Ｘ１側の非入力領域１８にはダミー配線２２ｄが形成されている。Ｙ１側引出配線２２ａとＹ２側引出配線２２ｂとの間で、下部導電層２１のＹ１−Ｙ２方向に電圧が印加される。

なお、下部導電層２１の表面には、図示しないドットスペーサが形成されており、これにより、下部基材２０と上部基材３０との貼りつきが防止される。

同様に、図２及び図４に示すように、上部導電層３１は、上部基材３０の入力領域１７及び非入力領域１８に亘って全面に形成されており、上部導電層３１の表面に上部引出配線３２が形成されている。図４に示すように、上部引出配線３２は入力領域１７を囲んで非入力領域１８に形成されており、Ｘ１側引出配線３２ａとＸ２側引出配線３２ｂとの間で、上部導電層３１のＸ１−Ｘ２方向に電圧が印加される。また、接続配線２２ｅ及び接続配線３２ｅは、外部のフレキシブルプリント基板６３（図示しない）と接続される。

上部基材３０及び下部基材２０は、透光性の樹脂材料が用いられており、例えば、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ樹脂）やポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ樹脂）、ポリエチレンナフタレート樹脂（ＰＥＮ樹脂）、環状ポリオレフィン（ＣＯＰ樹脂）、ポリメタクリル酸メチル樹脂（アクリル）（ＰＭＭＡ）等の材料を用いることができる。下部基材２０及び上部基材３０は、可撓性を有するフィルム状の材料が用いられ、厚みが５０μｍ〜３００μｍ程度で形成される。

上部導電層３１及び下部導電層２１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ等の透明導電材料を用いて、スパッタや蒸着等の薄膜法により形成される。あるいは、有機透明導電材料として、カーボンナノチューブやポリチオフィン、ポリピロール等の有機導電性ポリマーをコーティングしたものであっても良い。

上部引出配線３２及び下部引出配線２２は、Ｃｕ、Ａｇ等の良好な導電性を有する金属材料を用いて形成される。またはＣｕＮｉ等の合金材料を用いることもできる。

上部基材３０及び下部基材２０を支持する支持基板１５は、剛性を有する透明な樹脂板であり、０．５ｍｍ〜２ｍｍ程度の厚さで形成される。支持基板１５として、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ樹脂）、環状ポリオレフィン（ＣＯＰ樹脂）、ポリメタクリル酸メチル樹脂（アクリル）（ＰＭＭＡ）等の樹脂材料を用いることができる。

また、上部基材３０の表面に貼り合わされた加飾フィルム６０は、上部基材３０と同様の材料を用いて、可撓性を有するフィルム状の透明樹脂材料により形成される。そして、図２に示すように、加飾フィルム６０の非入力領域１８に、着色された加飾層６１が形成されている。これにより、上部引出配線３２及び下部引出配線２２が操作者から視認されることを防止できる。

図５は、入力装置の検出動作を説明するための模式図である。操作者が指やペンで入力領域１７を下方向へ押圧すると、上部基材３０が下方向へ撓み、上部導電層３１と下部導電層２１とが当接する。このとき、図５のＰ点で上部導電層３１と下部導電層２１とが接触すると、下部導電層２１をＹ方向に分割した抵抗値に対応する電圧が上部引出配線３２ａ、３２ｂから得られ、上部導電層３１をＸ方向に分割した抵抗値に対応する電圧が下部引出配線２２ａ、２２ｂから得られる。そして得られた各電圧をＡ／Ｄ変換することにより、Ｐ点のＸ−Ｙ座標上の位置を検出できる。

本実施形態の入力装置１０は、図２に示すように、支持基板１５の下面に反り制御用部材５０が設けられている。反り制御用部材５０は、支持基板１５の下面の全面に光学粘着層４４を介して貼り合わされる。

図２に示すように反り制御用部材５０は、基材５１と、基材５１の上面に形成された第１の表面層５２と、基材５１の下面に形成された第２の表面層５３とを有して構成される。基材５１は、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ樹脂）を用いて形成される。また、第１の表面層５２及び第２の表面層５３は、ウレタンアクリレート樹脂を用いて形成され、ハードコート層としての機能を有する。これにより、支持基板１５の下面側に傷や汚れが付着することを防止することができる。

反り制御用部材５０は支持基板１５よりも小さい線膨張係数を有している。例えば、反り制御用部材５０の基材５１としてＰＥＴ樹脂を用いたときの線膨張係数は１．２×１０^−５／℃であり、支持基板１５としてＣＯＰ樹脂を用いたときの線膨張係数は、７×１０^−５／℃である。

本実施形態において、反り制御用部材５０が、支持基板１５よりも小さい線膨張係数を有しているため、高温の環境に置かれた場合に反り制御用部材５０の熱膨張量は支持基板１５に対して小さくなる。したがって、入力装置１０の製造工程において加熱処理を行うことにより、図２に示すように支持基板１５を上部基材３０に向かい凸に湾曲させることができる。

加熱処理は、例えば部材間を接合する光学粘着層４１〜４４内部や界面に気泡が発生することを抑制するために加圧しながら行われる。また、下部導電層２１の表面に形成されるドットスペーサ（図示しない）を硬化・乾燥させる際にも加熱処理が行われる。加熱処理温度は、４０℃〜１００℃程度である。

以上のように、支持基板１５よりも小さい線膨張係数を有する反り制御用部材５０を設け、支持基板１５を上部基材３０に向かい凸に湾曲させることができる。使用温度が変化した場合や耐環境性試験を行った場合等、入力装置１０が高温の環境に置かれた場合であっても、支持基板１５の形状を凸に湾曲した状態に維持することができる。よって、上部基材３０に対して十分な張力が加えられ、上部導電層３１と下部導電層２１との間隔が局所的に狭くなることを防止でき、耐環境性を向上させることができる。したがって、本実施形態の入力装置１０によれば、支持基板１５の反りの方向を制御して支持基板１５を上部基材３０に向かい凸に湾曲させることにより、耐環境性を向上させることが可能である。

図２に示す反り制御用部材５０の構成とは異なり、基材５１の下面にのみ第２の表面層５３を設け、基材５１の上面に第１の表面層５２を設けない場合であっても、支持基板１５の下面側を保護するハードコート層としての機能を発揮することができる。しかし、基材５１の片面のみの第１の表面層５２または第２の表面層５３を設けた場合には、基材５１の上下面の線膨張係数の差が大きくなる。このため、高温環境下に置かれた場合の基材５１の変形量が大きくなり、室温に戻ったときに元の形状に戻ろうとする変形量も大きくなるため熱収縮が増大する。このため、温度変化に対する基材５１及び支持基板１５の変形・歪みが大きくなるため、安定して支持基板１５の反りを制御することが困難となるおそれがある。

本実施形態において、反り制御用部材５０は、基材５１の両面に第１の表面層５２及び第２の表面層５３がそれぞれ設けられた構成となっている。このため、基材５１の上面側と下面側との線膨張係数の差を小さく抑制でき、加熱処理工程や高温環境下に置かれた場合であっても、反り制御用部材５０が過剰に変形することを抑制することができる。したがって、反り制御用部材５０により、支持基板１５の反りの方向や反り量を安定して制御することができる。

また、図２に示すように、支持基板１５の上面に下部基材２０が貼り合わされており、反り制御用部材５０は、下部基材２０よりも小さい線膨張係数を有する。例えば、下部基材２０としてポリカーボネート樹脂（ＰＣ樹脂）を用いた場合の線膨張係数は７×１０^−５／℃であり、反り制御用部材５０の基材５１としてＰＥＴ樹脂を用いた場合の線膨張係数は１．２×１０^−５／℃である。こうすれば、支持基板１５の上下面で線膨張係数を異ならせて、支持基板１５の下面側に設けられた反り制御用部材５０が小さい線膨張係数を有するため、確実に支持基板１５の反りの方向を制御して、支持基板１５を上部基材３０に向かい凸に湾曲させることができる。

さらに、下部基材２０の線膨張係数と、支持基板１５の線膨張係数とを略等しくすることが好ましい。例えば、上述のように、支持基板１５としてＣＯＰ樹脂を用いた場合と、下部基材２０としてＰＣ樹脂を用いた場合の線膨張係数はいずれも７×１０^−５／℃であり、支持基板１５と下部基材２０との線膨張係数を等しくすることができる。こうすれば、支持基板１５と下部基材２０との線膨張係数の差に起因する反りの発生が抑制されるため、反り制御用部材５０を設けることにより容易に反りの方向を制御することができる。

なお、反り制御用部材５０の第１の表面層５２及び第２の表面層５３は、ハードコート層に限定されず、他の機能を有する場合であっても良く、例えば、反射防止層等を設けることもできる。また、図２では、第１の表面層５２と第２の表面層５３を同じ厚さで示しているが、これに限定されず、適宜厚さを異ならせても良い。

図６は、本実施形態における変形例の入力装置の断面図である。本変形例の入力装置１１は、支持基板１５の上面に下部基材２０が設けられていない点が異なる。図６に示すように、上部基材３０は、支持基板１５と間隔を有して対向配置されており、下部導電層２１は、上部導電層３１と対向して支持基板１５の上面に形成されている。

本変形例においても、下部導電層２１は、ＩＴＯ等の透明導電材料を用いて薄膜形成することができる。若しくは、あらかじめＩＴＯ等の透明導電膜が形成された転写用フィルムを用意して、支持基板１５の表面に透明導電膜を転写する転写法により下部導電層２１を形成することも可能である。

このような態様であっても、支持基板１５の下面に、支持基板１５よりも小さい線膨張係数を有する反り制御用部材５０を設けることにより、支持基板１５を上部基材３０に向かい凸に湾曲させることができ、入力装置１１の耐環境性を向上させることができる。

＜入力装置の製造方法＞
図７各図は、本実施形態の入力装置の製造方法を説明するための工程図である。また、図８各図は、図７の続きの工程図である。図７（ａ）の工程では、まず支持基板１５を用意する。支持基板１５は、上述の透明樹脂材料を用いて樹脂成形されたものを用いる。なお、図７（ａ）では、支持基板１５は平坦に形成されているが、わずかに上面側に凸に湾曲させたものを用いても良い。

図７（ｂ）の工程では、支持基板１５の上面に光学粘着層４３を介して下部基材２０を貼り合わせる。下部基材２０の上面に、あらかじめ下部導電層２１が形成されているものが用いられる。図７（ｂ）の工程において、下部基材２０を貼り合わせる際に加えられる荷重により、支持基板１５は、凹状に湾曲する。

次に、図７（ｃ）の工程では、支持基板１５の下面に光学粘着層４４を介して反り制御用部材５０を貼り合わせる。この際、図７（ｂ）の工程とは逆向きに荷重が加えられるため、図７（ｃ）に示すように、支持基板１５は上面側に向かい凸に湾曲する。その後、光学粘着層４３、４４の内部や界面に気泡が発生することを抑制するために加熱処理が施される。反り制御用部材５０は支持基板１５よりも小さい線膨張係数を有するため、この加熱処理工程において支持基板１５の伸び量は反り制御用部材５０の伸び量よりも大きくなる。したがって、支持基板１５は凹状に変形することなく、確実に支持基板１５を上面側に向かい凸状に湾曲させることができる。

図８（ａ）の工程では、下部導電層２１の上面にドットスペーサ７０を形成する。ドットスペーサ７０は、アクリル系の透明樹脂材料を用いて印刷形成された後にＵＶ硬化される。この際、同時に加熱され、支持基板１５は安定して凸状に湾曲した形状を維持する。

次に、図８（ｂ）の工程で、下部基材２０の上面に、光学粘着層４３を介して上部基材３０を貼り合わせる。上部基材３０と加飾フィルム６０とをあらかじめ貼り合わせた積層体を貼り合わせることで、支持基板１５に対する貼り合わせ工程を少なくすることができる。このようにして、図８（ｂ）示す入力装置１０が得られる。図８（ｂ）の工程では、支持基板１５の上面側から下面側に向かい荷重が加えられるが、図７（ｃ）〜図８（ａ）の工程において、支持基板１５は安定して凸状に湾曲した形状となっているため、図８（ｂ）の工程の後においても凸状に湾曲した形状が維持される。

以上の工程により、支持基板１５の反りの方向を制御して、支持基板１５が凸に湾曲した入力装置１０を製造することができる。これにより、例えば耐環境性試験等を行い高温環境下に置かれた場合であっても、支持基板１５が凸に湾曲した状態が維持されるため、上部基材３０に対して十分な張力が加えられる。したがって、上部導電層３１と下部導電層２１との間隔が局所的に狭くなることを防止でき、耐環境性を向上させることができる。

＜実施例＞
図１０及び図１１は、実施例の入力装置及び比較例の入力装置について、ＴＳＴ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｓｈｏｃｋ Ｔｅｓｔ）試験後の入力装置の平面度を測定した結果である。

実施例の入力装置は、図１〜図４に示す実施形態の入力装置１０と同様の構成であり、支持基板１５としてＣＯＰ樹脂を、下部基材２０はＰＣ樹脂を、反り制御用部材５０の基材５１はＰＥＴ樹脂を用いている。実施例の入力装置は、図２に示すように、反り制御用部材５０の基材５１の上面に第１の表面層５２が形成され、下面に第２の表面層５３が形成されている。

図９は比較例の入力装置を示す断面図である。図９に示すように、比較例の入力装置２１０は、反り制御用部材２５０の下面のみに表面層２５２が形成されている点が異なる。その他の構成は、実施例の入力装置と同じである。

図１０は、実施例の入力装置について、ＴＳＴ試験後の平面度を測定した結果を示し、図１０（ａ）は、支持基板１５の平面度を、図１０（ｂ）は、下部基材２０と上部基材３０との間隔を、図１０（ｃ）は、上部基材３０の表面の平面度を示している。図１０（ｄ）は、実施例の入力装置の模式断面図であり、図１０（ａ）〜図１０（ｃ）の測定箇所をそれぞれ矢印Ａ、Ｂ、Ｃで示している。また、図１１は、比較例の入力装置について、ＴＳＴ試験後の平面度を測定した結果を示し、図１１（ａ）〜図１１（ｃ）はそれぞれ、図１０（ａ）〜図１０（ｃ）と同じ箇所を測定した結果を示す。

図１０（ａ）に示すように、実施例の入力装置は、ＴＳＴ試験後においても支持基板１５が上面側に向かい凸に湾曲している。本実施例では、最大０．１６ｍｍ凸に湾曲している。また、図１０（ｃ）に示すように、上部基材３０についても上面側に向かい膨らんだ形状を維持しており、図１０（ｂ）に示すように、下部基材２０と上部基材３０との間隔も中央部が大きくなっており、局所的に間隔が狭くなっている箇所は発生していない。以上のように、実施例の入力装置は、ＴＳＴ試験後においても、支持基板１５が凸に湾曲した形状に維持されており、優れた耐環境性を有することが示された。

図１１（ａ）に示すように、比較例の入力装置は、実施例の入力装置とは逆にＴＳＴ試験後において支持基板２１５が凹状に湾曲している。図１１（ａ）では、最大で０．１３ｍｍ凹んだ形状となっている。また。図１１（ｃ）に示すように、上部基材３０の中央部は凸に膨らんでいるが、その周囲で凹んだ部分が発生している。図１１（ａ）に示すように、支持基板１５も凹状に湾曲して変形しているため、図１１（ｂ）に示すように下部基材２０と上部基材３０との間隔は、図１０（ｂ）に示す実施例と同程度に維持されている。しかし、図１１（ｃ）に示すように上部基材３０に十分な張力が与えられておらず、上部基材３０の歪み、変形が局所的に大きくなる箇所が発生していることから、電気的特性の劣化や、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）の発生等の不具合が生じるおそれがある。

比較例の入力装置は、図９に示すように、反り制御用部材２５０の片面のみに表面層２５２が設けられていることから、反り制御用部材２５０の変形が大きくなり、高温状態では実施例の入力装置よりも大きく凸に変形するが、室温に戻った際に元の形状に戻ろうとする収縮量も大きくなり、凸に湾曲した状態を維持できないためである。

以上の結果から、反り制御用部材５０の基材５１の上下面に第１の表面層５２と第２の表面層５３とをそれぞれ設けることにより、ＴＳＴ試験後においても支持基板１５を凸に湾曲した形状に維持することが可能であることが示された。

１０、１１ 入力装置
１５ 支持基板
１７ 入力領域
１８ 非入力領域
２０ 下部基材
２１ 下部導電層
２２ 下部引出配線
２２ａ Ｙ１側引出配線、 ２２ｂ Ｙ２側引出配線
３０ 上部基材
３１ 上部導電層
３２ 上部引出配線
３２ａ Ｘ１側引出配線、 ３２ｂ Ｘ２側引出配線
４１、４２、４３、４４ 光学粘着層
５０ 反り制御用部材
５１ 基材
５２ 第１の表面層
５３ 第２の表面層
６０ 加飾フィルム
７０ ドットスペーサ

Claims (5)

1. 支持基板と、前記支持基板の上面側において間隔を設けて対向配置された上部基材と、前記支持基板の下面に設けられた反り制御用部材とを有し、
   前記上部基材の下面に上部導電層が形成され、前記上部導電層と対向して前記支持基板の上面側に下部導電層が形成されており、
   前記反り制御用部材は前記支持基板よりも小さい線膨張係数を有し、前記支持基板は前記上部基材に向かい凸に湾曲していることを特徴とする入力装置。
2. 前記反り制御用部材は、基材と、前記基材の上面及び下面に設けられた表面層とを有し、前記基材は、前記支持基板よりも小さい線膨張係数を有することを特徴とする請求項１に記載の入力装置。
3. 前記表面層は、ハードコート層であることを特徴とする請求項２に記載の入力装置。
4. 前記支持基板の上面に下部基材が貼り合わされており、前記下部基材の前記上部基材と対向する面に前記下部導電層が形成されており、前記反り制御用部材は、前記下部基材よりも小さい線膨張係数を有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の入力装置。
5. 前記下部基材の線膨張係数は、前記支持基板の線膨張係数と略等しいことを特徴とする請求項４に記載の入力装置。