JP2015227797A - Dimension measuring device - Google Patents

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JP2015227797A JP2014113042A JP2014113042A JP2015227797A JP 2015227797 A JP2015227797 A JP 2015227797A JP 2014113042 A JP2014113042 A JP 2014113042A JP 2014113042 A JP2014113042 A JP 2014113042A JP 2015227797 A JP2015227797 A JP 2015227797A
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健一郎 安田
Kenichiro Yasuda
健一郎 安田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dimension measuring device capable of accurately measuring external dimensions of a semiconductor wafer, and reducing equipment investment cost.SOLUTION: A dimension measuring device 50 for measuring external dimensions of a semiconductor wafer 40 comprises: a first contact part 1 which can move along a first direction and comes into contact with a first side 40a of the semiconductor wafer 40; and a second contact part 2 which is provided on a movable shaft of the first contact part 1, can move along the first direction, and comes into contact with a second side 40b facing the first side 40a. The second contact part 2 is elastically deformable in a direction away from the second side 40b. The dimension measuring device further includes a first sensor part 21 which detects the amount of elastic deformation of the second contact part 2.

Description

本発明は、半導体ウエハの外形寸法を測定する寸法測定装置に関する。   The present invention relates to a dimension measuring apparatus for measuring an outer dimension of a semiconductor wafer.

半導体ウエハは、シリコンインゴットを切削することで製造される。シリコンインゴットの製造工程では、シリコンインゴットの表面が研削、研磨される。この加工工程にて半導体ウエハの外形寸法が決定されることとなるが、研削、研磨の精度が低い場合、半導体ウエハが所定の寸法の範囲（公差の範囲）に収まらないことがある。そのため、製造された半導体ウエハに対して、外形寸法の測定が行われる。   A semiconductor wafer is manufactured by cutting a silicon ingot. In the silicon ingot manufacturing process, the surface of the silicon ingot is ground and polished. In this processing step, the outer dimensions of the semiconductor wafer are determined. However, when the precision of grinding and polishing is low, the semiconductor wafer may not be within a predetermined dimension range (tolerance range). Therefore, the external dimensions are measured for the manufactured semiconductor wafer.

半導体ウエハの外形寸法の測定には、ＣＣＤカメラや画像処理装置を搭載した画像検査装置が用いられることがある（例えば、特許文献１を参照）。このような画像検査装置では、半導体ウエハの撮像画像に画像処理を施すことで、半導体ウエハのエッジ部分を検出し、外形寸法を測定、選別している。   An image inspection apparatus equipped with a CCD camera or an image processing apparatus may be used for measuring the external dimensions of a semiconductor wafer (see, for example, Patent Document 1). In such an image inspection apparatus, the edge portion of the semiconductor wafer is detected by performing image processing on the captured image of the semiconductor wafer, and the outer dimensions are measured and selected.

特開２０１１−１９６７０８号公報JP 2011-196708 A

上述したような画像検査装置を用いた外形寸法の測定において、より高精度に外形寸法の測定を実施する場合、ＣＣＤカメラに要求される画素数も高くなり、設備投資費用が増加してしまうという問題がある。   In the measurement of the outer dimensions using the image inspection apparatus as described above, when measuring the outer dimensions with higher accuracy, the number of pixels required for the CCD camera also increases, and the capital investment cost increases. There's a problem.

本発明は半導体ウエハが所定の外形寸法を有しているか否かを安価で簡易に測定することを目的とする。   An object of the present invention is to easily and inexpensively measure whether or not a semiconductor wafer has a predetermined outer dimension.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、半導体ウエハの外形寸法をより正確に測定でき、設備投資費用も抑えることのできる寸法測定装置を得ることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to obtain a dimension measuring apparatus capable of measuring the outer dimensions of a semiconductor wafer more accurately and suppressing the capital investment cost.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、半導体ウエハの外形寸法を測定する寸法測定装置であって、第１の方向に沿って移動可能とされ、半導体ウエハの第１の辺に当接する第１当接部と、第１当接部の移動軸上に設けられるとともに第１の方向に沿って移動可能とされ、第１の辺と対向する第２の辺に当接する第２当接部と、を備え、第２当接部は、第２の辺から離れる方向に弾性変形可能であり、第２当接部の弾性変形量を検出する第１センサ部をさらに備えることを特徴とする。   In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present invention is a dimension measuring apparatus for measuring the external dimension of a semiconductor wafer, which is movable along a first direction, and is a first semiconductor wafer. A first abutting portion that abuts on the side of the first abutting portion, and is provided on a moving axis of the first abutting portion, is movable along the first direction, and contacts the second side facing the first side. A second abutting portion that contacts the second abutting portion, the second abutting portion being elastically deformable in a direction away from the second side, and further comprising a first sensor portion that detects an elastic deformation amount of the second abutting portion. It is characterized by providing.

本発明にかかる寸法測定装置によれば、半導体ウエハの外形寸法をより正確に測定でき、設備投資費用も抑えることができるという効果を奏する。   According to the dimension measuring apparatus according to the present invention, it is possible to more accurately measure the outer dimension of the semiconductor wafer and to reduce the capital investment cost.

図１は、本発明の実施の形態１にかかる寸法測定装置の概略構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of the dimension measuring apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図２は、実施の形態１における半導体ウエハの外形寸法の測定手順を説明する図である。FIG. 2 is a diagram for explaining the procedure for measuring the external dimensions of the semiconductor wafer in the first embodiment. 図３は、実施の形態１における半導体ウエハの外形寸法の測定手順を説明する図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a procedure for measuring the outer dimensions of the semiconductor wafer in the first embodiment. 図４は、本発明の実施の形態２にかかる寸法測定装置の概略構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of the dimension measuring apparatus according to the second embodiment of the present invention. 図５は、実施の形態２における半導体ウエハの外形寸法の測定手順を説明する図である。FIG. 5 is a diagram for explaining the procedure for measuring the external dimensions of the semiconductor wafer in the second embodiment. 図６は、実施の形態２における半導体ウエハの外形寸法の測定手順を説明する図である。FIG. 6 is a diagram for explaining the procedure for measuring the external dimensions of the semiconductor wafer in the second embodiment. 図７は、本発明の実施の形態３にかかる寸法測定装置の概略構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a schematic configuration of the dimension measuring apparatus according to the third embodiment of the present invention. 図８は、実施の形態３における半導体ウエハの外形寸法の測定手順を説明する図である。FIG. 8 is a diagram for explaining the procedure for measuring the external dimensions of the semiconductor wafer in the third embodiment. 図９は、実施の形態３における半導体ウエハの外形寸法の測定手順を説明する図である。FIG. 9 is a diagram for explaining the procedure for measuring the external dimensions of the semiconductor wafer in the third embodiment. 図１０は、実施の形態３における半導体ウエハの外形寸法の測定手順を説明する図である。FIG. 10 is a diagram for explaining the procedure for measuring the external dimensions of the semiconductor wafer in the third embodiment. 図１１は、実施の形態３における半導体ウエハの外形寸法の測定手順を説明する図である。FIG. 11 is a diagram for explaining the procedure for measuring the external dimensions of the semiconductor wafer in the third embodiment.

以下に、本発明の実施の形態にかかる寸法測定装置を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。   Hereinafter, a dimension measuring device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to the embodiments.

実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１にかかる寸法測定装置５０の概略構成を示す図である。寸法測定装置５０は、ステージ１１、第１当接部１、第２当接部２、第３当接部３、第４当接部４、第１センサ部２１、第２センサ部２２、制御部３０を備える。寸法測定装置５０は、ステージ１１上に載置された半導体ウエハ４０の外形寸法を測定する。半導体ウエハ４０は、平面視において四角形形状を呈する。以下の説明において、紙面上方となる１辺を第１の辺４０ａ、紙面下方となる１辺を第２の辺４０ｂ、紙面右方となる１辺を第３の辺４０ｃ、紙面左方となる１辺を第４の辺４０ｄとする。また、平面視において互いに直交するＸ軸とＹ軸とを設定する。 Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a dimension measuring apparatus 50 according to the first embodiment of the present invention. The dimension measuring device 50 includes a stage 11, a first contact portion 1, a second contact portion 2, a third contact portion 3, a fourth contact portion 4, a first sensor portion 21, a second sensor portion 22, and a control. The unit 30 is provided. The dimension measuring device 50 measures the outer dimension of the semiconductor wafer 40 placed on the stage 11. The semiconductor wafer 40 has a quadrangular shape in plan view. In the following description, the upper side of the paper is the first side 40a, the lower side of the paper is the second side 40b, the right side of the paper is the third side 40c, and the left side of the paper. One side is defined as a fourth side 40d. In addition, an X axis and a Y axis that are orthogonal to each other in plan view are set.

第１当接部１は、Ｘ軸に平行に移動可能とされる。第１当接部１は、半導体ウエハ４０方向に移動することで、半導体ウエハ４０の第１の辺４０ａに当接可能とされる。寸法測定装置５０には、２つの第１当接部１が設けられ、紙面左方に設けられた第１当接部１を左側第１当接部１ａとし、紙面右側に設けられた第１当接部１を右側第１当接部１ｂとする。   The first contact portion 1 is movable in parallel to the X axis. The first abutting portion 1 can be brought into contact with the first side 40 a of the semiconductor wafer 40 by moving in the direction of the semiconductor wafer 40. The dimension measuring device 50 is provided with two first abutting portions 1. The first abutting portion 1 provided on the left side of the paper is the left first abutting portion 1 a, and the first abutting portion 1 is provided on the right side of the paper. The contact portion 1 is referred to as a right first contact portion 1b.

第２当接部２は、第１当接部１の移動軸上に設けられて、Ｘ軸に平行に移動可能とされる。第２当接部２は、半導体ウエハ４０方向に移動することで、半導体ウエハ４０の第２の辺４０ｂに当接可能とされる。寸法測定装置５０には、２つの第２当接部２が設けられる。紙面左方に設けられた第２当接部２を、左側第１当接部１ａの移動軸上に設けられた左側第２当接部２ａとし、紙面右方に設けられた第２当接部２を、右側第１当接部１ｂの移動軸上に設けられた右側第２当接部２ｂとする。   The second contact portion 2 is provided on the movement axis of the first contact portion 1 and is movable in parallel to the X axis. The second abutting portion 2 can be brought into contact with the second side 40 b of the semiconductor wafer 40 by moving in the direction of the semiconductor wafer 40. The dimension measuring device 50 is provided with two second contact portions 2. The second abutting portion 2 provided on the left side of the paper is the left second abutting portion 2a provided on the moving shaft of the left first abutting portion 1a, and the second abutting portion provided on the right side of the paper. The portion 2 is a right second contact portion 2b provided on the movement axis of the right first contact portion 1b.

第２当接部２には、弾性体としてのばね５が設けられている。ばね５よりも半導体ウエハ４０側に設けられた部分が、ばね５の弾性力によって、半導体ウエハ４０の第２の辺４０ｂに向けて付勢されるとともに、半導体ウエハ４０の第２の辺４０ｂから離れる方向に弾性変形可能とされる。第２当接部２を移動させる場合には、ばね５に対して半導体ウエハ４０の反対側に設けられた可動部を移動させる。   The second contact portion 2 is provided with a spring 5 as an elastic body. A portion provided closer to the semiconductor wafer 40 than the spring 5 is urged toward the second side 40 b of the semiconductor wafer 40 by the elastic force of the spring 5, and from the second side 40 b of the semiconductor wafer 40. It can be elastically deformed in the direction of leaving. When moving the second contact portion 2, the movable portion provided on the opposite side of the semiconductor wafer 40 with respect to the spring 5 is moved.

第２当接部２には、第２当接部２の弾性変形量を検出する第１センサ部２１が設けられる。左側第２当接部２ａに設けられた第１センサ部２１を左側第１センサ部２１ａとし、右側第２当接部２ｂに設けられた第１センサ部２１を右側第１センサ部２１ｂとする。   The second contact portion 2 is provided with a first sensor portion 21 that detects the amount of elastic deformation of the second contact portion 2. The first sensor part 21 provided in the left second contact part 2a is referred to as the left first sensor part 21a, and the first sensor part 21 provided in the right second contact part 2b is referred to as the right first sensor part 21b. .

第３当接部３は、Ｙ軸に平行に移動可能とされる。第３当接部３は、半導体ウエハ４０方向に移動することで、半導体ウエハ４０の第３の辺４０ｃに当接可能とされる。寸法測定装置５０には、２つの第３当接部３が設けられ、紙面上方に設けられた第３当接部３を上側第３当接部３ａとし、紙面下側に設けられた第３当接部３を下側第３当接部３ｂとする。   The third contact portion 3 is movable in parallel with the Y axis. The third abutting portion 3 can be brought into contact with the third side 40 c of the semiconductor wafer 40 by moving in the direction of the semiconductor wafer 40. The dimension measuring device 50 is provided with two third abutting portions 3, and the third abutting portion 3 provided above the paper surface is defined as the upper third abutting portion 3 a, and the third abutting portion provided below the paper surface. The contact portion 3 is referred to as a lower third contact portion 3b.

第４当接部４は、第３当接部３の移動軸上に設けられて、Ｙ軸に平行に移動可能とされる。第４当接部４は、半導体ウエハ４０方向に移動することで、半導体ウエハ４０の第４の辺４０ｄに当接可能とされる。寸法測定装置５０には、２つの第４当接部４が設けられる。紙面上方に設けられた第４当接部４を、上側第３当接部３ａの移動軸上に設けられた上側第４当接部４ａとし、紙面下方に設けられた第４当接部４を、下側第３当接部３ｂの移動軸上に設けられた下側第４当接部４ｂとする。   The fourth contact portion 4 is provided on the movement axis of the third contact portion 3 and is movable in parallel with the Y axis. The fourth abutting portion 4 is movable toward the semiconductor wafer 40 so that it can abut on the fourth side 40 d of the semiconductor wafer 40. The dimension measuring device 50 is provided with two fourth contact portions 4. The fourth contact portion 4 provided above the paper surface is referred to as an upper fourth contact portion 4a provided on the moving axis of the upper third contact portion 3a, and the fourth contact portion 4 provided below the paper surface. Is the lower fourth contact portion 4b provided on the movement axis of the lower third contact portion 3b.

第４当接部４には、弾性体としてのばね５が設けられている。ばね５よりも半導体ウエハ４０側に設けられた部分が、ばね５の弾性力によって、半導体ウエハ４０の第４の辺４０ｄに向けて付勢されるとともに、半導体ウエハ４０の第４の辺４０ｄから離れる方向に弾性変形可能とされる。第４当接部４を移動させる場合には、ばね５に対して半導体ウエハ４０の反対側に設けられた可動部を移動させる。   The fourth contact portion 4 is provided with a spring 5 as an elastic body. A portion provided closer to the semiconductor wafer 40 than the spring 5 is urged toward the fourth side 40 d of the semiconductor wafer 40 by the elastic force of the spring 5, and from the fourth side 40 d of the semiconductor wafer 40. It can be elastically deformed in the direction of leaving. When moving the fourth contact portion 4, the movable portion provided on the opposite side of the semiconductor wafer 40 with respect to the spring 5 is moved.

第４当接部４には、第４当接部４の弾性変形量を検出する第２センサ部２２が設けられる。上側第４当接部４ａに設けられた第２センサ部２２を上側第２センサ部２２ａとし、下側第４当接部４ｂに設けられた第２センサ部２２を下側第２センサ部２２ｂとする。   The fourth contact portion 4 is provided with a second sensor portion 22 that detects the amount of elastic deformation of the fourth contact portion 4. The second sensor part 22 provided in the upper fourth contact part 4a is referred to as the upper second sensor part 22a, and the second sensor part 22 provided in the lower fourth contact part 4b is referred to as the lower second sensor part 22b. And

なお、各当接部１〜４のうち、半導体ウエハ４０と当接する先端部分には、Ｘ軸およびＹ軸に垂直な回転軸を中心に回転可能なローラ６が設けられている。   A roller 6 that can rotate around a rotation axis perpendicular to the X-axis and the Y-axis is provided at a tip portion of each contact portion 1 to 4 that contacts the semiconductor wafer 40.

制御部３０は、第１当接部１と第２当接部２との距離が予め定められた距離となるように、第１当接部１と第２当接部２とを移動させる位置制御を行う。なお、以下の説明において、予め定められた第１当接部１と第２当接部２との距離を、Ｘ軸側設定距離という。Ｘ軸側設定距離は、寸法測定装置５０を操作する操作者によって、入力部３１を介して入力される。   The control unit 30 moves the first contact unit 1 and the second contact unit 2 so that the distance between the first contact unit 1 and the second contact unit 2 is a predetermined distance. Take control. In the following description, a predetermined distance between the first contact portion 1 and the second contact portion 2 is referred to as an X-axis side set distance. The X-axis side set distance is input via the input unit 31 by an operator who operates the dimension measuring apparatus 50.

制御部３０は、第３当接部３と第４当接部４との距離が予め定められた距離となるように、第３当接部３と第４当接部４とを移動させる位置制御を行う。なお、以下の説明において、予め定められた第３当接部３と第４当接部４との距離を、Ｙ軸側設定距離という。Ｙ軸側設定距離は、寸法測定装置５０を操作する操作者によって、入力部３１を介して入力される。   The control unit 30 moves the third contact part 3 and the fourth contact part 4 so that the distance between the third contact part 3 and the fourth contact part 4 becomes a predetermined distance. Take control. In the following description, a predetermined distance between the third contact portion 3 and the fourth contact portion 4 is referred to as a Y-axis side set distance. The Y-axis side set distance is input via the input unit 31 by an operator who operates the dimension measuring device 50.

ここで、第１当接部１と第２当接部２との距離とは、第２当接部２が弾性変形していない状態での第１当接部１と第２当接部２との距離をいう。また、第３当接部３と第４当接部４との距離とは、第４当接部４が弾性変形していない状態での第３当接部３と第４当接部４との距離をいう。   Here, the distance between the first contact portion 1 and the second contact portion 2 is the first contact portion 1 and the second contact portion 2 in a state where the second contact portion 2 is not elastically deformed. And the distance. The distance between the third contact part 3 and the fourth contact part 4 is the distance between the third contact part 3 and the fourth contact part 4 when the fourth contact part 4 is not elastically deformed. The distance.

制御部３０は、Ｘ軸側設定距離、Ｙ軸側設定距離、第２当接部２の弾性変形量、第４当接部４の弾性変形量に基づいて、半導体ウエハ４０の外形寸法を算出する。制御部３０は、半導体ウエハ４０の外形寸法の算出結果を、例えば表示部３２に表示させる。半導体ウエハ４０の外形寸法の算出方法については、後に詳説する。   The control unit 30 calculates the outer dimensions of the semiconductor wafer 40 based on the set distance on the X-axis side, the set distance on the Y-axis side, the elastic deformation amount of the second contact portion 2, and the elastic deformation amount of the fourth contact portion 4. To do. The control unit 30 displays the calculation result of the outer dimension of the semiconductor wafer 40 on the display unit 32, for example. A method for calculating the outer dimension of the semiconductor wafer 40 will be described in detail later.

次に、半導体ウエハ４０の外形寸法の測定手順を説明する。図２，３は、実施の形態１における半導体ウエハ４０の外形寸法の測定手順を説明する図である。まずは、図１に示すように、測定対象となる半導体ウエハ４０をステージ１１上に載置する。この状態では、すべての当接部１〜４が半導体ウエハ４０から離間している。   Next, a procedure for measuring the external dimensions of the semiconductor wafer 40 will be described. 2 and 3 are diagrams for explaining the procedure for measuring the outer dimensions of the semiconductor wafer 40 according to the first embodiment. First, as shown in FIG. 1, a semiconductor wafer 40 to be measured is placed on the stage 11. In this state, all the contact portions 1 to 4 are separated from the semiconductor wafer 40.

次に、図２に示すように、第１当接部１と第３当接部３が、初期位置に移動されて、半導体ウエハ４０の第１の辺４０ａと第３の辺４０ｃに当接させる。初期位置において、左側第１当接部１ａと右側第１当接部１ｂとは、Ｘ軸方向に沿った位置が同じ位置となる。すなわち、左側第１当接部１ａと右側第１当接部１ｂとが第１の辺４０ａに当接した状態で、第１の辺４０ａはＹ軸と平行となる。   Next, as shown in FIG. 2, the first contact portion 1 and the third contact portion 3 are moved to the initial positions and contact the first side 40 a and the third side 40 c of the semiconductor wafer 40. Let In the initial position, the left first contact portion 1a and the right first contact portion 1b have the same position along the X-axis direction. That is, the first side 40a is parallel to the Y axis in a state where the left first contact portion 1a and the right first contact portion 1b are in contact with the first side 40a.

初期位置において、上側第３当接部３ａと下側第３当接部３ｂとが、Ｙ軸方向に沿った位置が同じ位置となる。すなわち、上側第３当接部３ａと下側第３当接部３ｂとが第３の辺４０ｃに当接した状態で、第３の辺４０ｃはＸ軸と平行となる。図２では、第１当接部１と第３当接部３を初期位置に移動させた状態で、第１当接部１と第３当接部３が半導体ウエハ４０の第１の辺４０ａと第３の辺４０ｃに当接しているが、必ずしもこの状態で第１当接部１と第３当接部３が第１の辺４０ａと第３の辺４０ｃに当接している必要はない。後の手順において移動される第２当接部２と第４当接部４とによって、半導体ウエハ４０が押し込まれることで、各当接部１〜４が半導体ウエハ４０の各辺４０ａ〜ｄに当接することになるからである。   In the initial position, the upper third contact portion 3a and the lower third contact portion 3b have the same position along the Y-axis direction. That is, in a state where the upper third contact portion 3a and the lower third contact portion 3b are in contact with the third side 40c, the third side 40c is parallel to the X axis. In FIG. 2, the first contact portion 1 and the third contact portion 3 are moved to the initial positions in the state where the first contact portion 1 and the third contact portion 3 are moved to the initial positions. In this state, the first contact portion 1 and the third contact portion 3 are not necessarily in contact with the first side 40a and the third side 40c. . When the semiconductor wafer 40 is pushed in by the second contact portion 2 and the fourth contact portion 4 that are moved in a later procedure, the contact portions 1 to 4 are brought into contact with the sides 40 a to d of the semiconductor wafer 40. This is because they come into contact.

次に、図３に示すように、第１当接部１と第２当接部２との距離がＸ軸側設定距離となる位置まで第２当接部２が移動される。また、第３当接部３と第４当接部４との距離がＹ軸側設定距離となる位置まで第４当接部４が移動される。   Next, as shown in FIG. 3, the second contact portion 2 is moved to a position where the distance between the first contact portion 1 and the second contact portion 2 becomes the X-axis side set distance. Further, the fourth contact portion 4 is moved to a position where the distance between the third contact portion 3 and the fourth contact portion 4 becomes the Y-axis side set distance.

ここで、Ｘ軸側設定距離とＹ軸側設定距離は、半導体ウエハ４０の外形寸法の設計寸法と想定される製造誤差に基づいて設定される。より具体的には、設計寸法よりも小さめに設定される。例えば、半導体ウエハ４０の外形寸法が１６０ｍｍ×１６０ｍｍであり、製造誤差が最大で±２ｍｍと想定される場合には、Ｘ軸側設定距離およびＹ軸側設定距離が１５７ｍｍに設定される。   Here, the set distance on the X-axis side and the set distance on the Y-axis side are set based on the design dimension of the outer dimensions of the semiconductor wafer 40 and the assumed manufacturing error. More specifically, it is set smaller than the design dimension. For example, when the outer dimension of the semiconductor wafer 40 is 160 mm × 160 mm and the manufacturing error is assumed to be ± 2 mm at the maximum, the X-axis side set distance and the Y-axis side set distance are set to 157 mm.

この場合、誤差の範囲内で最も小さくなった場合の外形寸法は、１５８ｍｍとなる。そして、Ｘ軸側設定距離およびＹ軸側設定距離が１５７ｍｍであれば、半導体ウエハ４０は、第１当接部１と第２当接部２との間および第３当接部３と第４当接部４との間に必ず挟持される。   In this case, the outer dimension when it becomes the smallest within the error range is 158 mm. If the X-axis side set distance and the Y-axis side set distance are 157 mm, the semiconductor wafer 40 is located between the first contact part 1 and the second contact part 2 and between the third contact part 3 and the fourth contact point. It is always sandwiched between the contact part 4.

そして、第２当接部２と第４当接部４は、半導体ウエハ４０の外形寸法に応じた量で弾性変形する。この弾性変形量は、第１センサ部２１と第２センサ部２２とに検出されて、制御部３０に送信される。   The second contact portion 2 and the fourth contact portion 4 are elastically deformed by an amount corresponding to the outer dimension of the semiconductor wafer 40. The elastic deformation amount is detected by the first sensor unit 21 and the second sensor unit 22 and transmitted to the control unit 30.

次に、制御部３０は、Ｘ軸側設定距離に対して第２当接部２の弾性変形量を加えることで、半導体ウエハ４０のＸ軸方向に沿った外形寸法を算出する。例えば、Ｘ軸側設定距離が１５７ｍｍで弾性変形量が２ｍｍであれば、１５７ｍｍ＋２ｍｍで外形寸法が１５９ｍｍであると算出される。また、制御部３０は、Ｙ軸側設定距離に対して第４当接部４の弾性変形量を加えることで、半導体ウエハ４０のＹ軸方向に沿った外形寸法を算出する。例えば、Ｙ軸側設定距離が１５７ｍｍで弾性変形量が４ｍｍであれば、１５７ｍｍ＋４ｍｍで外形寸法が１６１ｍｍであると算出される。   Next, the control unit 30 calculates the outer dimension along the X-axis direction of the semiconductor wafer 40 by adding the elastic deformation amount of the second contact portion 2 to the X-axis side set distance. For example, if the set distance on the X-axis side is 157 mm and the amount of elastic deformation is 2 mm, the outer dimension is calculated to be 157 mm + 2 mm and 159 mm. Further, the control unit 30 calculates the outer dimension along the Y-axis direction of the semiconductor wafer 40 by adding the elastic deformation amount of the fourth contact portion 4 to the Y-axis side set distance. For example, if the Y-axis side set distance is 157 mm and the elastic deformation is 4 mm, it is calculated that the outer dimension is 157 mm + 4 mm and 161 mm.

ここで、第１センサ部２１を構成する左側第１センサ部２１ａが検出した弾性変形量（左側第１当接部１ａの弾性変形量）と右側第１センサ部２１ｂが検出した弾性変形量（右側第１当接部１ｂの弾性変形量）とが異なる場合には、第１の辺４０ａと第２の辺４０ｂとが平行でないことを示している。また、左側第１当接部１ａの弾性変形量と右側第１当接部１ｂの弾性変形量との差の大きさ、左側第１当接部１ａと右側第１当接部１ｂとのＹ軸方向における距離に基づいて、第１の辺４０ａと第２の辺４０ｂとの平行度を求めることも可能となる。   Here, the amount of elastic deformation detected by the left first sensor portion 21a constituting the first sensor portion 21 (the amount of elastic deformation of the left first contact portion 1a) and the amount of elastic deformation detected by the right first sensor portion 21b ( When the amount of elastic deformation of the right first contact portion 1b is different, it indicates that the first side 40a and the second side 40b are not parallel. Further, the magnitude of the difference between the elastic deformation amount of the left first contact portion 1a and the elastic deformation amount of the right first contact portion 1b, Y between the left first contact portion 1a and the right first contact portion 1b. Based on the distance in the axial direction, the parallelism between the first side 40a and the second side 40b can be obtained.

以上説明した寸法測定装置５０によれば、半導体ウエハ４０の外形寸法の測定にＣＣＤカメラ等を設けずに済むため、設備投資費用を抑えることができる。また、第２当接部２と第４当接部４が半導体ウエハ４０に当接してからさらに押し込まれた場合であっても、弾性変形することで半導体ウエハ４０に余計な負荷が加わることを抑えることができる。これにより、寸法測定時の半導体ウエハ４０の破損を抑えることができ、歩留まりの向上を図ることができる。   According to the dimension measuring apparatus 50 described above, it is not necessary to provide a CCD camera or the like for the measurement of the outer dimension of the semiconductor wafer 40, so that the capital investment cost can be reduced. Further, even when the second contact portion 2 and the fourth contact portion 4 are pressed further after contacting the semiconductor wafer 40, an extra load is applied to the semiconductor wafer 40 due to elastic deformation. Can be suppressed. Thereby, damage to the semiconductor wafer 40 at the time of dimension measurement can be suppressed, and the yield can be improved.

また、各当接部１〜４の先端に、Ｘ軸およびＹ軸に垂直な回転軸を中心に回転可能なローラ６が設けられているため、ローラ６の回転によって半導体ウエハ４０の移動の円滑化が図られる。例えば、第１当接部１と第２当接部２とに半導体ウエハ４０が挟持された状態で、第３当接部３によってＹ軸に沿った負の方向に半導体ウエハ４０が押し込まれた場合であっても、ローラ６が回転することで、半導体ウエハ４０がＹ軸に沿った負の方向に円滑に移動可能となる。したがって、半導体ウエハ４０に余計な負荷が加わることを抑えることができる。これにより、寸法測定時の半導体ウエハ４０の破損を抑えることができ、歩留まりの向上を図ることができる。   In addition, since the roller 6 that can rotate around the rotation axis perpendicular to the X axis and the Y axis is provided at the tip of each contact portion 1 to 4, the movement of the semiconductor wafer 40 is smoothly performed by the rotation of the roller 6. Is achieved. For example, the semiconductor wafer 40 is pushed in the negative direction along the Y axis by the third contact portion 3 in a state where the semiconductor wafer 40 is sandwiched between the first contact portion 1 and the second contact portion 2. Even in this case, the rotation of the roller 6 allows the semiconductor wafer 40 to move smoothly in the negative direction along the Y axis. Therefore, it is possible to suppress an extra load from being applied to the semiconductor wafer 40. Thereby, damage to the semiconductor wafer 40 at the time of dimension measurement can be suppressed, and the yield can be improved.

実施の形態２．
図４は、本発明の実施の形態２にかかる寸法測定装置１５０の概略構成を示す図である。なお、上記実施の形態１と同様の構成については、同様の符号を付して詳細な説明を省略する。本実施の形態２では、Ｙ軸方向における下側第３当接部３ｂの位置を検出する位置センサ２５が設けられている。 Embodiment 2. FIG.
FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of the dimension measuring apparatus 150 according to the second embodiment of the present invention. In addition, about the structure similar to the said Embodiment 1, the same code | symbol is attached | subjected and detailed description is abbreviate | omitted. In the second embodiment, a position sensor 25 that detects the position of the lower third contact portion 3b in the Y-axis direction is provided.

位置センサ２５を備える寸法測定装置１５０によれば、図４に示すような第１の辺４０ａと第３の辺４０ｃとが直角となっていない半導体ウエハ４０の外形寸法を測定することができる。   According to the dimension measuring apparatus 150 including the position sensor 25, the outer dimension of the semiconductor wafer 40 in which the first side 40a and the third side 40c are not perpendicular to each other as shown in FIG. 4 can be measured.

次に、寸法測定装置１５０を用いた半導体ウエハ４０の外形寸法の測定手順を説明する。図５，６は、実施の形態２における半導体ウエハ４０の外形寸法の測定手順を説明する図である。まず、図５に示すように、下側第３当接部３ｂ以外の各当接部１〜４を、上記実施の形態１で説明した手順と同様の手順で半導体ウエハ４０の各辺４０ａ〜４０ｄに当接させる。   Next, a procedure for measuring the external dimensions of the semiconductor wafer 40 using the dimension measuring apparatus 150 will be described. 5 and 6 are diagrams for explaining the procedure for measuring the outer dimensions of the semiconductor wafer 40 in the second embodiment. First, as shown in FIG. 5, the contact portions 1 to 4 other than the lower third contact portion 3 b are connected to the sides 40 a to 40 a of the semiconductor wafer 40 in the same procedure as described in the first embodiment. It is made to contact 40d.

そして、図６に示すように、下側第３当接部３ｂを半導体ウエハ４０の第３の辺４０ｃに当接させる。ここで、下側第３当接部３ｂは、上側第３当接部３ａの位置とは関係なく、第３の辺４０ｃに当接するまで移動される。下側第３当接部３ｂは、半導体ウエハ４０への当接を検知するセンサ（図示せず）を備えており、半導体ウエハ４０に当接したタイミングで下側第３当接部３ｂの移動は停止される。位置センサ２５は、第３の辺４０ｃに当接している状態での下側第３当接部３ｂの位置を制御部３０に送信する。   Then, as shown in FIG. 6, the lower third contact portion 3 b is brought into contact with the third side 40 c of the semiconductor wafer 40. Here, the lower third contact portion 3b is moved until it comes into contact with the third side 40c regardless of the position of the upper third contact portion 3a. The lower third contact portion 3b includes a sensor (not shown) that detects contact with the semiconductor wafer 40, and the lower third contact portion 3b moves at the timing of contact with the semiconductor wafer 40. Is stopped. The position sensor 25 transmits the position of the lower third contact portion 3b to the control unit 30 in a state where the position sensor 25 is in contact with the third side 40c.

制御部３０は、上側第３当接部３ａの初期位置と、位置センサ２５から送信された下側第３当接部３ｂの位置情報と、上側第３当接部３ａと下側第３当接部３ｂとのＸ軸方向における距離とから、第１の辺４０ａと第３の辺４０ｃとの直角度が算出される。また、上側第３当接部３ａと下側第３当接部３ｂとを、Ｙ軸方向に対する位置が異なる位置で第３の辺４０ｃに当接させることができるので、第１の辺４０ａと第３の辺４０ｃとが直角とならない半導体ウエハ４０の外形寸法を測定することができる。   The control unit 30 includes an initial position of the upper third contact portion 3a, position information of the lower third contact portion 3b transmitted from the position sensor 25, and the upper third contact portion 3a and the lower third contact. The perpendicularity between the first side 40a and the third side 40c is calculated from the distance in the X-axis direction with the contact part 3b. Further, since the upper third contact portion 3a and the lower third contact portion 3b can be brought into contact with the third side 40c at positions different from each other in the Y-axis direction, the first side 40a It is possible to measure the external dimensions of the semiconductor wafer 40 that is not perpendicular to the third side 40c.

また、上記実施の形態１と同様に、設備投資費用の抑制や歩留まりの向上を図り、半導体ウエハ４０の各辺４０ａ〜ｄの平行度の測定も可能となる。   Further, similarly to the first embodiment, it is possible to reduce the capital investment cost and improve the yield, and to measure the parallelism of each side 40a to 40d of the semiconductor wafer 40.

実施の形態３．
図７は、本発明の実施の形態３にかかる寸法測定装置２５０の概略構成を示す図である。なお、上記実施の形態１と同様の構成については、同様の符号を付して詳細な説明を省略する。本実施の形態３では、上側第３当接部３ａにも、ばね５が設けられており、半導体ウエハ４０の第３の辺４０ｃから離れる方向に弾性変形可能とされる。また、上側第３当接部３ａの弾性変形量を検出する第３センサ部２３が設けられている。 Embodiment 3 FIG.
FIG. 7 is a diagram showing a schematic configuration of a dimension measuring apparatus 250 according to the third embodiment of the present invention. In addition, about the structure similar to the said Embodiment 1, the same code | symbol is attached | subjected and detailed description is abbreviate | omitted. In the third embodiment, the upper third contact portion 3 a is also provided with the spring 5 and can be elastically deformed in the direction away from the third side 40 c of the semiconductor wafer 40. Moreover, the 3rd sensor part 23 which detects the elastic deformation amount of the upper side 3rd contact part 3a is provided.

次に、寸法測定装置２５０を用いた半導体ウエハ４０の外形寸法の測定手順を説明する。以下の説明において、左側第１当接部１ａと右側第１当接部１ｂとのＹ軸方向における距離を距離ＹＡＢとし、上側第３当接部３ａと下側第３当接部３ｂとのＸ軸方向における距離を距離ＸＣＤとする。なお、距離ＹＡＢは、左側第２当接部２ａと右側第２当接部２ｂとのＹ軸方向における距離と等しい。また、距離ＸＣＤは、上側第４当接部４ａと下側第４当接部４ｂとのＸ軸方向における距離と等しい。   Next, a procedure for measuring the external dimensions of the semiconductor wafer 40 using the dimension measuring apparatus 250 will be described. In the following description, the distance between the left first contact portion 1a and the right first contact portion 1b in the Y-axis direction is defined as a distance YAB, and the upper third contact portion 3a and the lower third contact portion 3b. A distance in the X-axis direction is a distance XCD. The distance YAB is equal to the distance between the left second contact portion 2a and the right second contact portion 2b in the Y-axis direction. The distance XCD is equal to the distance between the upper fourth contact portion 4a and the lower fourth contact portion 4b in the X-axis direction.

図８〜１１は、実施の形態３における半導体ウエハ４０の外形寸法の測定手順を説明する図である。まず、図８に示すように、第１当接部１を初期位置に移動させ、第１当接部１との間にＸ軸側設定距離を空ける位置まで第２当接部２を移動させる。これにより、半導体ウエハ４０の第１の辺４０ａと第２の辺４０ｂとに第１，２当接部１，２が当接され、Ｘ軸方向に対して半導体ウエハ４０が位置決めされる。   FIGS. 8-11 is a figure explaining the measurement procedure of the external dimension of the semiconductor wafer 40 in Embodiment 3. FIGS. First, as shown in FIG. 8, the first contact portion 1 is moved to the initial position, and the second contact portion 2 is moved to a position where a set distance on the X-axis side is separated from the first contact portion 1. . Thus, the first and second contact portions 1 and 2 are brought into contact with the first side 40a and the second side 40b of the semiconductor wafer 40, and the semiconductor wafer 40 is positioned with respect to the X-axis direction.

次に、図９に示すように、下側第３当接部３ｂを初期位置に移動させ、下側第３当接部３ｂとの間にＹ軸側設定距離を空ける位置まで下側第４当接部４ｂを移動させる。これにより、半導体ウエハ４０の第３の辺４０ｃと第４の辺４０ｄとに下側第３当接部３ｂと下側第４当接部４ｂが当接され、Ｙ軸方向に対して半導体ウエハ４０が位置決めされる。   Next, as shown in FIG. 9, the lower third contact portion 3b is moved to the initial position, and the lower fourth contact is moved to a position where a Y-axis side set distance is provided between the lower third contact portion 3b and the lower third contact portion 3b. The contact part 4b is moved. As a result, the lower third contact portion 3b and the lower fourth contact portion 4b are in contact with the third side 40c and the fourth side 40d of the semiconductor wafer 40, and the semiconductor wafer with respect to the Y-axis direction. 40 is positioned.

次に、図１０に示すように、Ｙ軸方向に対して下側第４当接部４ｂと同じ位置まで上側第４当接部４ａを移動させて、半導体ウエハ４０の第４の辺４０ｄに当接させる。次に、図１１に示すように、上側第４当接部４ａとの間にＹ軸側設定距離を空けた位置からさらに規定量押し込んだ位置まで上側第３当接部３ａを移動させる。Ｙ軸側設定距離を空けた位置からさらに規定量押し込むことで、図１０に示した状態とは逆に、上側第３当接部３ａと第３の辺４０ｃとが当接する位置が、補助線ＬＤよりも第４当接部４側になった場合であっても、上側第３当接部３ａと第３の辺４０ｃとを確実に当接させることができる。   Next, as shown in FIG. 10, the upper fourth contact portion 4 a is moved to the same position as the lower fourth contact portion 4 b with respect to the Y-axis direction to move to the fourth side 40 d of the semiconductor wafer 40. Make contact. Next, as shown in FIG. 11, the upper third abutting portion 3a is moved from a position where a Y-axis side set distance is left between the upper fourth abutting portion 4a to a position where a specified amount is further pushed. The position where the upper third abutting portion 3a and the third side 40c abut against the state shown in FIG. 10 by pressing further a prescribed amount from the position at which the set distance on the Y-axis side is spaced is the auxiliary line. Even when it is closer to the fourth contact portion 4 than the LD, the upper third contact portion 3a and the third side 40c can be reliably contacted.

この状態において、Ｘ軸側設定距離、Ｙ軸側設定距離、各当接部２〜４の弾性変形量に基づいて、距離ＸＦ，ＸＥ，ＹＧが算出される。ここで、Ｘ軸に平行であって、下側第３当接部３ｂが半導体ウエハ４０の第３の辺４０ｃに当接する部分を通過する補助線ＬＤを仮定する。そして、上側第４当接部４ａが第４の辺４０ｄに当接する部分と補助線ＬＤとの距離ＹＨが算出される。具体的には、Ｙ軸側設定距離から上側第４当接部４ａの弾性変形量を差し引くことで算出される。   In this state, distances XF, XE, and YG are calculated based on the X-axis side set distance, the Y-axis side set distance, and the elastic deformation amounts of the contact portions 2 to 4. Here, it is assumed that the auxiliary line LD is parallel to the X axis and passes through a portion where the lower third contact portion 3 b contacts the third side 40 c of the semiconductor wafer 40. Then, the distance YH between the portion where the upper fourth contact portion 4a contacts the fourth side 40d and the auxiliary line LD is calculated. Specifically, it is calculated by subtracting the elastic deformation amount of the upper fourth contact portion 4a from the Y-axis side set distance.

次に、上側第３当接部３ａが第３の辺４０ｃに当接する部分と補助線ＬＤとの距離ＹＣが算出される。具体的には、上側第３当接部３ａの弾性変形量から規定量を差し引くことで算出される。ＹＨ＋ＹＣを距離ＹＣＨとする。   Next, the distance YC between the portion where the upper third contact portion 3a contacts the third side 40c and the auxiliary line LD is calculated. Specifically, it is calculated by subtracting a specified amount from the elastic deformation amount of the upper third contact portion 3a. Let YH + YC be the distance YCH.

半導体ウエハ４０のＸ軸方向の寸法は、（ＸＥ＋ＸＦ）／２で求められる。半導体ウエハ４０のＹ軸方向の平均寸法は、（ＹＧ＋ＹＣＨ）／２で求められる。半導体ウエハ４０の第１の辺４０ａと第２の辺４０ｂの平行度は、ＴＡＮ−１｛（ＸＦ−ＸＥ）／ＹＡＢ｝で求められる。両辺が平行である場合、ＸＦ＝ＸＥであるので角度は０°となる。 The dimension in the X-axis direction of the semiconductor wafer 40 is obtained by (XE + XF) / 2. The average dimension in the Y-axis direction of the semiconductor wafer 40 is obtained by (YG + YCH) / 2. The parallelism between the first side 40a and the second side 40b of the semiconductor wafer 40 is obtained by TAN −1 {(XF−XE) / YAB}. When both sides are parallel, since XF = XE, the angle is 0 °.

半導体ウエハ４０の第３の辺４０ｃと第４の辺４０ｄの平行度は、ＴＡＮ−１｛（ＹＣＨ−ＹＨ）／ＸＣＤ｝で求められる。両辺が平行である場合、ＹＣＨ＝ＹＨであるので角度は０°となる。 The parallelism between the third side 40c and the fourth side 40d of the semiconductor wafer 40 is obtained by TAN -1 {(YCH-YH) / XCD}. When both sides are parallel, since YCH = YH, the angle is 0 °.

半導体ウエハ４０の第１の辺４０ａと第３の辺４０ｃとがなす角度は、｛９０°＋ＴＡＮ−１（ＹＣ／ＸＣＤ）｝で求められる。両辺が垂直である場合、ＹＣ＝０であるので角度は９０°となる。 The angle formed by the first side 40a and the third side 40c of the semiconductor wafer 40 is obtained by {90 ° + TAN −1 (YC / XCD)}. If both sides are vertical, YC = 0, so the angle is 90 °.

ここで、互いに対向する当接部は、同じ移動軸上に設けられるので、半導体ウエハ４０を挟んだ際に、半導体ウエハ４０に回転力を与えることなく固定することが出来る。また、上述した実施の形態と同様に、設備投資費用の抑制や歩留まりの向上を図ることができる。   Here, since the abutting portions facing each other are provided on the same movement axis, the semiconductor wafer 40 can be fixed without applying a rotational force when the semiconductor wafer 40 is sandwiched. Further, similarly to the above-described embodiment, it is possible to suppress the capital investment cost and improve the yield.

なお、上述したすべての実施の形態において、半導体ウエハの１つの辺に当接する当接部が２つである例を挙げて説明したが、１つの辺に当接する当接部は、３つ以上であっても構わない。   In all the embodiments described above, the example in which there are two abutting portions that abut on one side of the semiconductor wafer has been described. However, the number of abutting portions that abut on one side is three or more. It does not matter.

また、Ｘ軸側設定距離およびＹ軸側設定距離を予め設定してから外形寸法の測定を行う例を示しているが、例えば、標準寸法の校正用基板の外形寸法を測定した場合の弾性変形量を測定しておき、その時の変位量と、半導体ウエハを挟んだときの変位量の差から、半導体ウエハの外形寸法を算出することも可能である。   Further, an example is shown in which the external dimensions are measured after the X-axis side set distance and the Y-axis side set distance are set in advance. For example, elastic deformation when measuring the external dimensions of a standard calibration board It is also possible to calculate the external dimensions of the semiconductor wafer from the difference between the displacement amount at that time and the displacement amount when the semiconductor wafer is sandwiched.

以上のように、本発明にかかる寸法測定装置は、半導体ウエハの外形寸法の測定に有用である。   As described above, the dimension measuring apparatus according to the present invention is useful for measuring the outer dimension of a semiconductor wafer.

１ 第１当接部、１ａ 左側第１当接部、１ｂ 右側第１当接部、２ 第２当接部、２ａ 左側第２当接部、２ｂ 右側第２当接部、３ 第３当接部、３ａ 上側第３当接部、３ｂ 下側第３当接部、４ 第４当接部、４ａ 上側第４当接部、４ｂ 下側第４当接部、５ ばね、６ ローラ、１１ ステージ、２１ 第１センサ部、２１ａ 左側第１センサ部、２１ｂ 右側第１センサ部、２２ 第２センサ部、２２ａ 上側第２センサ部、２２ｂ 下側第２センサ部、２３ 第３センサ部、２５ 位置センサ、３０ 制御部、３１ 入力部、３２ 表示部、４０ 半導体ウエハ、４０ａ 第１の辺、４０ｂ 第２の辺、４０ｃ 第３の辺、４０ｄ 第４の辺、５０，１５０，２５０ 寸法測定装置。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st contact part, 1a 1st left side contact part, 1b 1st right side contact part, 2nd 2nd contact part, 2a 2nd left side contact part, 2b 2nd right side contact part, 3rd contact Contact part, 3a upper third contact part, 3b lower third contact part, 4th contact part, 4a upper fourth contact part, 4b lower fourth contact part, 5 spring, 6 roller, 11 stage, 21 first sensor unit, 21a left first sensor unit, 21b right first sensor unit, 22 second sensor unit, 22a upper second sensor unit, 22b lower second sensor unit, 23 third sensor unit, 25 position sensor, 30 control unit, 31 input unit, 32 display unit, 40 semiconductor wafer, 40a first side, 40b second side, 40c third side, 40d fourth side, 50, 150, 250 Dimensions measuring device.

Claims (6)

半導体ウエハの外形寸法を測定する寸法測定装置であって、
第１の方向に沿って移動可能とされ、前記半導体ウエハの第１の辺に当接する第１当接部と、
前記第１当接部の移動軸上に設けられるとともに前記第１の方向に沿って移動可能とされ、前記第１の辺と対向する第２の辺に当接する第２当接部と、を備え、
前記第２当接部は、前記第２の辺から離れる方向に弾性変形可能であり、
前記第２当接部の弾性変形量を検出する第１センサ部をさらに備えることを特徴とする寸法測定装置。 A dimension measuring device for measuring an outer dimension of a semiconductor wafer,
A first abutting portion that is movable along a first direction and abuts on a first side of the semiconductor wafer;
A second abutting portion provided on a moving axis of the first abutting portion and movable along the first direction and abutting on a second side facing the first side; Prepared,
The second contact portion is elastically deformable in a direction away from the second side,
The dimension measuring apparatus further comprising a first sensor unit for detecting an elastic deformation amount of the second contact part. 前記半導体ウエハは、平面視において四角形形状を呈し、
平面視において前記第１の方向と垂直となる第２の方向に沿って移動可能とされ、前記第１の辺と前記第２の辺とに隣接する第３の辺に当接する第３当接部と、
前記第３当接部の移動軸上に設けられるとともに前記第２の方向に沿って移動可能とされ、前記第３の辺と対向する第４の辺に当接する第４当接部と、をさらに備え、
前記第４当接部は、前記第４の辺から離れる方向に弾性変形可能であり、
前記第４当接部の弾性変形量を検出する第２センサ部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の寸法測定装置。 The semiconductor wafer has a rectangular shape in plan view,
Third contact that is movable along a second direction perpendicular to the first direction in plan view and that contacts the third side adjacent to the first side and the second side. And
A fourth abutting portion provided on the movement axis of the third abutting portion and movable along the second direction and abutting a fourth side facing the third side; In addition,
The fourth contact portion is elastically deformable in a direction away from the fourth side,
The dimension measuring apparatus according to claim 1, further comprising a second sensor unit that detects an elastic deformation amount of the fourth abutting unit. 前記第１当接部、前記第２当接部、前記第３当接部および前記第４当接部は、２つ以上設けられることを特徴とする請求項２に記載の寸法測定装置。   The dimension measuring device according to claim 2, wherein two or more of the first contact portion, the second contact portion, the third contact portion, and the fourth contact portion are provided. 前記第３当接部の少なくとも１つの位置を検出する位置センサをさらに備えることを特徴とする請求項３に記載の寸法測定装置。   The dimension measuring apparatus according to claim 3, further comprising a position sensor that detects at least one position of the third contact portion. 前記第３当接部の少なくとも１つは、前記第３の辺から離れる方向に弾性変形可能であり、
前記第３当接部の弾性変形量を検出する第３センサ部をさらに備えることを特徴とする請求項３または４に記載の寸法測定装置。 At least one of the third contact portions is elastically deformable in a direction away from the third side,
The dimension measuring apparatus according to claim 3, further comprising a third sensor unit that detects an elastic deformation amount of the third contact part. 前記第１当接部、前記第２当接部、前記第３当接部および前記第４当接部には、平面視において当接方向と垂直な方向に前記半導体ウエハを移動可能とするローラが設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載の寸法測定装置。   The first contact portion, the second contact portion, the third contact portion, and the fourth contact portion are rollers that allow the semiconductor wafer to move in a direction perpendicular to the contact direction in plan view. The dimension measuring device according to any one of claims 1 to 5, wherein the dimension measuring device is provided.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101714427B1 (en) * 2016-11-02 2017-03-09 주식회사 새광이엔지 A device for measuring the length and width
CN107192323A (en) * 2017-05-23 2017-09-22 山西吉利汽车部件有限公司 A kind of vehicle ejector pin of die set detection means

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