JP2015220458A - マルチステーション基板堆積システムにおける一aldサイクルの厚さ制御 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2014年5月15日に出願され発明の名称を「SINGLE ALD CYCLE THICKNESS CONTROL IN MULTI−STATION PARALLEL SUBSTRATE DEPOSITION SYSTEMS(マルチステーション並列基板堆積システムにおける一ALDサイクルの厚さ制御)」とする米国仮特許出願第61/994,025号の優先権を主張する。該出願は、あらゆる目的のために、参照によって本明細書に組み込まれる。
Claims (42)
- マルチステーション処理チャンバにおいて複数の半導体基板上に材料の膜を堆積させる方法であって、
(a)1枚以上の基板の第1群の基板を前記処理チャンバ内の1つ以上のプロセスステーションの第1群のプロセスステーションに搭載することと、
(b)厳密にNサイクルの膜堆積を実施することによって、前記第1群のプロセスステーションにある前記第1群の基板上に膜材料を堆積させることと、
(c)(b)における堆積後、前記第1群の基板を前記第1群のプロセスステーションから、前記処理チャンバ内の1つ以上のプロセスステーションの第2群のプロセスステーションに、移送することと、
(d)1枚以上の基板の第2群の基板を前記処理チャンバ内の前記第1群のプロセスステーションに搭載することと、
(e)厳密にN’サイクルの膜堆積を実施することによって、前記第1群のプロセスステーションにある前記第2群の基板上に、および前記第2群のプロセスステーションにある前記第1群の基板上に、膜材料を堆積させることであって、N’は、Nに等しくない、ことと、
(f)(e)における堆積後、前記第1群の基板を前記処理チャンバから取り出すことと、
を備える方法。 - 請求項1に記載の方法であって、さらに、
(g)前記第2群の基板を、前記第1群のプロセスステーションから前記第2群のプロセスステーションに、移送することと、
(h)厳密にNサイクルの膜堆積を実施することによって、前記第2群のプロセスステーションにある前記第2群の基板上に膜材料を堆積させることと、
を備える方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
一サイクルの膜堆積は、
(i)膜前駆体を、膜前駆体が前記基板上に吸着制限層を形成するように、前記基板上に吸着させることと、
(ii)前記吸着された前駆体を取り巻く空間から、吸着されなかった膜前駆体の少なくとも一部を除去することと、
(iii)(ii)において、吸着されなかった前駆体を除去した後に、吸着された膜前駆体を反応させて、前記基板上に膜層を形成させることと、
(iv)前記吸着された前駆体を反応させた後に存在する脱離した膜前駆体および/または反応の副生成物を、前記膜層を取り巻く空間から除去することと、
を含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
NとN’は、1だけ異なる、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、さらに、
前記堆積される膜の目標厚さDを選択することと、
D/dに最も近い正の整数Mを奇数であると判定することであって、dは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、判定と、
NおよびN’をN+N’=Mで、かつ|N−N’|=1であるように選択することと、
を備える方法。 - 請求項1に記載の方法であって、さらに、
前記堆積される膜の目標厚さDを選択することと、
Nを(1/2)×(D/d)に最も近い正の整数であるように選択することであって、dは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、選択と、
N’をN−1またはN+1のいずれかであるように選択することと、
を備える方法。 - 請求項1ないし6のいずれか一項に記載の方法であって、
前記処理チャンバは、4つのプロセスステーションを収容し、前記第1群のプロセスステーションおよび前記第2群のプロセスステーションは、それぞれ2つのプロセスステーションからなる、方法。 - 請求項1ないし6のいずれか一項に記載の方法であって、
前記処理チャンバは、2つのプロセスステーションを収容し、前記第1群のプロセスステーションおよび前記第2群のプロセスステーションは、それぞれ1つのプロセスステーションからなる、方法。 - 請求項1ないし6のいずれか一項に記載の方法であって、
前記処理チャンバは、偶数Sのプロセスステーションを収容し、前記第1群のプロセスステーションおよび前記第2群のプロセスステーションは、それぞれS/2のプロセスステーションからなる、方法。 - 請求項1ないし6のいずれか一項に記載の方法であって、
前記堆積された膜材料は、誘電体を含む、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記誘電体は、1種以上のシリコン酸化物を含む、方法。 - 2つ以上のプロセスステーションを有する反応チャンバにおいて基板上に規定の厚さの膜を堆積させる方法であって、
(a)前記反応チャンバの第1のプロセスステーションに、少なくとも第1の基板を受け入れることと、
(b)厳密にNサイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、少なくとも前記第1の基板上に前記膜の厚みの一部を堆積させることと、
(c)少なくとも前記第1の基板を第2のプロセスステーションに移送することと、
(d)(c)後に、厳密にN’サイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、少なくとも前記第1の基板上に前記膜厚の別の一部を堆積させることであって、Nは、N’に等しくなく、NおよびN’は、前記規定の厚さを達成するように選択される、堆積と、
(e)少なくとも前記第1の基板を前記反応チャンバから取り出すことと、
を備える方法。 - 請求項12に記載の方法であって、
N’は、N−1またはN+1に等しい、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、
(a)は、前記反応チャンバ内の複数のプロセスステーションに、複数の基板を受け入れることを含む、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
(a)は、2枚の基板を受け入れることを含み、
前記方法は、さらに、
規定の厚さDを決定することと、
D/dに最も近い正の整数MがXの倍数ではないと判定することであって、dは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、判定と、
NおよびN’を、N+N’=Mで、かつNがN’に等しくないように選択することと、
を備える方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
(a)は、4枚の基板を受け入れることを含み、
前記方法は、さらに、
規定の厚さDを決定することと、
Nを(1/4)×D/dに最も近い正の整数Mであるように選択することであって、dは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、選択と、
N’をN−1またはN+1のいずれかであるように選択することと、
を備える方法。 - 請求項12ないし16のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、(d)後で、かつ(e)前に、
(f)少なくとも前記第1の基板を前記反応チャンバ内の第3のプロセスステーションに移送することと、
(g)厳密にN”サイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、少なくとも前記第1の基板上に前記膜厚の尚も別の一部を堆積させることであって、N”は、Nに等しくまたは等しくなく、N、N’は、N”は、前記規定の厚さを実現するように選択される、ことと、
を備える方法。 - 請求項17に記載の方法であって、さらに、(g)後で、かつ(e)前に、
(h)少なくとも前記第1の基板を前記反応チャンバ内の第4のプロセスステーションに移送することと、
(i)厳密にN”’サイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、少なくとも前記第1の基板上に前記膜厚のさらなる一部を堆積させることであって、N”’は、Nに等しくまたは等しくなく、N、N’、N”およびN”’は、前記規定の厚さを実現するように選択される、ことと、
を備える方法。 - 請求項18に記載の方法であって、
前記反応チャンバ内の4つのプロセスステーションに、4枚の基板が受け入れられ、
前記方法は、さらに、
規定の厚さDを選択することと、
D/dに最も近い正の整数Mが4の倍数ではないと判定することであって、dは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、判定と、
NおよびN’をN+N’=Mで、かつNがN’に等しくないように選択することと、
を備える方法。 - 請求項12ないし16のいずれか一項に記載の方法であって、
(a)において、前記反応チャンバ内の複数のプロセスステーションに、複数の基板が受け入れられ、
(b)において、厳密にNサイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、前記複数の基板上に前記膜の厚みの一部が堆積され、
(c)において、前記反応チャンバ内の異なるプロセスステーションに、前記複数の基板が移送され、
(d)において、厳密にN’サイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、前記複数の基板上に前記膜厚の別の一部が堆積される、方法。 - 請求項20に記載の方法であって、
前記複数の基板は、少なくとも前記第1の基板と、第2の基板とを含み、(c)は、さらに、前記第2の基板を前記第2のプロセスステーションから前記第1のプロセスステーションに移送することを含む、方法。 - 請求項12ないし16のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、
(c)後で、かつ(d)前に、前記反応チャンバ内のプロセスステーションに、少なくとも1枚の追加の基板を受け入れることを備え、(d)は、さらに、前記少なくとも1枚の追加の基板上に前記膜厚の別の一部を堆積させることを含む、方法。 - 請求項22に記載の方法であって、
前記少なくとも1枚の追加の基板は、前記反応チャンバ内の前記第1のプロセスステーションに受け入れられる、方法。 - 複数の半導体基板上に材料の膜を堆積させるためのマルチステーション基板処理装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバに収容され、それぞれが基板ホルダを有する1つ以上のプロセスステーションの第1群のプロセスステーションと、
前記処理チャンバに収容され、それぞれが基板ホルダを有する1つ以上のプロセスステーションの第2群のプロセスステーションと、
前記プロセスステーションへの膜前駆体の流れを制御するための1つ以上の弁と、
前記処理チャンバに収容された前記プロセスステーションを取り巻く空間から膜前駆体を除去するための弁作動式真空源と、
基板を前記処理チャンバ内の前記プロセスステーションの1つ以上に搭載するための基板搭載機器と、
1枚以上の基板を、前記第1群のプロセスステーションから前記第2群のプロセスステーションに、移送するための基板移送機器と、
前記基板上に材料の膜を堆積させるために前記基板搭載機器、前記基板移送機器、前記1つ以上の弁、前記真空源を操作するための機械読み取り可能命令を含む1つ以上のコントローラであって、
(a)1枚以上の基板の第1群の基板を前記処理チャンバ内の前記第1群のプロセスステーションに搭載するための命令と、
(b)厳密にNサイクルの膜堆積を実施することによって、前記第1群のプロセスステーションにある前記第1群の基板上に膜材料を堆積させるための命令と、
(c)(b)における堆積後、前記第1群の基板を、前記第1群のプロセスステーションから前記第2群のプロセスステーションに、移送するための命令と、
(d)1枚以上の基板の第2群の基板を前記処理チャンバ内の前記第1群のプロセスステーションに搭載するための命令と、
(e)厳密にN’サイクルの膜堆積を実施することによって、前記第1群のプロセスステーションにある前記第2群の基板上に、および前記第2群のプロセスステーションにある前記第1群の基板上に、膜材料を堆積させるための命令であって、N’およびNは、規定の総膜厚を提供するように選択される、命令と、
(f)(e)における堆積後、前記第1群の基板を前記処理チャンバから取り出すための命令と、
を含む、コントローラと、
を備える装置。 - 請求項24に記載の装置であって、
前記1つ以上のコントローラは、さらに、
(g)前記第2群の基板を、前記第1群のプロセスステーションから前記第2群のプロセスステーションに、移送するための機械読み取り可能命令と、
(h)Nサイクルの膜堆積を実施することによって、前記第2群のプロセスステーションにある前記第2群の基板上に膜材料を堆積させるための機械読み取り可能命令と、
を含む、装置。 - 請求項24に記載の装置であって、
一サイクルの膜堆積は、
(i)膜前駆体を、膜前駆体が前記基板上に吸着制限層を形成するように、前記基板上に吸着させることと、
(ii)前記吸着された前駆体を取り巻く空間から、吸着されなかった膜前駆体の少なくとも一部を除去することと、
(iii)(ii)において、吸着されなかった前駆体を除去した後に、吸着された膜前駆体を反応させて、前記基板上に膜層を形成させることと、
(iv)前記吸着された前駆体を反応させた後に存在する脱離した膜前駆体および/または反応の副生成物を、前記膜層を取り巻く空間から除去することと、
を含む、装置。 - 請求項24に記載の装置であって、
前記基板搭載機器は、1つ以上のプロセスステーションの前記基板ホルダ上に基板を載置するための基板取扱ロボットを含む、装置。 - 請求項24に記載の装置であって、
前記基板移送機器は、複数の前記基板の面に実質的に垂直で、かつ複数の前記基板に対して実質的に等間隔な中心軸を中心として、複数の前記基板を回転させることによって動作するカルーセルを含む、装置。 - 請求項24ないし28のいずれか一項に記載の装置であって、
前記処理チャンバは、4つのプロセスステーションを収容し、前記第1群のプロセスステーションおよび前記第2群のプロセスステーションは、それぞれ2つのプロセスステーションからなる、装置。 - 請求項24ないし28のいずれか一項に記載の装置であって、
前記1つ以上のコントローラは、さらに、
前記堆積される膜の目標厚さDを選択するための機械読み取り可能命令と、
Nを(1/2)×(D/d)に最も近い正の整数であるように選択するための機械読み取り可能命令であって、dは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、機械読み取り可能命令と、
N’をN−1またはN+1のいずれかであるように選択するための機械読み取り可能命令と、
を含む、装置。 - 請求項30に記載の装置であって、
前記1つ以上のコントローラは、さらに、
Δ=2×d×N−Dとして、|Δ|<d/2であるときに、N’をNであるように選択するための機械読み取り可能命令と、
Δ=2×d×N−Dとして、|Δ|>d/2で、かつΔ>0であるときに、N’をN−1であるように選択するための機械読み取り可能命令と、
Δ=2×d×N−Dとして、|Δ|>d/2で、かつΔ<0であるときに、N’をN+1であるように選択するための機械読み取り可能命令と、
を含む、装置。 - 複数の半導体基板上に材料の膜を堆積させるためのマルチステーション基板処理装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバに収容された第1のプロセスステーションと、
前記処理チャンバに収容された第2のプロセスステーションと、
前記複数のプロセスステーションへの膜前駆体の流れを制御するための1つ以上の弁と、
前記処理チャンバに収容された前記複数のプロセスステーションを取り巻く複数の空間から膜前駆体を除去するための弁作動式真空源と、
基板を処理チャンバ内の前記プロセスステーションの1つ以上に搭載するための基板搭載機器と、
1枚以上の基板を前記第1のプロセスステーションから前記第2のプロセスステーションに移送するための基板移送機器と、
前記基板上に材料の膜を堆積させるために前記基板搭載機器、前記基板移送機器、前記1つ以上の弁、および前記真空源を操作するための機械読み取り可能命令を含む1つ以上のコントローラであって、
(a)少なくとも第1の基板を処理チャンバ内の前記第1のプロセスステーションに搭載するための命令と、
(b)厳密にNサイクルの膜堆積を実施することによって、前記第1のプロセスステーションにある少なくとも前記第1の基板上に規定の膜厚の一部を堆積させるための命令と、
(c)少なくとも前記第1の基板を前記第2のプロセスステーションに移送するための命令と、
(d)(c)後に、厳密にN’サイクルの循環膜堆積を実施することによって、少なくとも前記第1の基板上に前記規定の膜厚の別の一部を堆積させるための命令であって、Nは、N’に等しくなく、NおよびN’は、前記規定の膜厚を実現するように選択される、命令と、
(e)少なくとも前記第1の基板を前記反応チャンバから取り出すための命令と、
を含む、1つ以上のコントローラと、
を備える装置。 - 請求項32に記載の装置であって、
前記1つ以上のコントローラは、さらに、
(a)において、複数のプロセスステーションに複数の基板を搭載するための機械読み取り可能命令と、
(b)において、厳密にNサイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、前記複数の基板上に前記規定の膜厚の一部を堆積させるための機械読み取り可能命令と、
(c)において、前記複数の基板を前記反応チャンバ内の異なるプロセスステーションに移送するための機械読み取り可能命令と、
(d)において、厳密にN’サイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、前記複数の基板上に前記規定の膜厚の別の一部を堆積させるための機械読み取り可能命令と、
を含む、装置。 - 請求項32に記載の装置であって、
前記1つ以上のコントローラは、さらに、(c)後で、かつ(d)前に、少なくとも1枚の追加の基板を前記反応チャンバ内のプロセスステーションに搭載するための機械読み取り可能命令を含み、(d)は、さらに、前記少なくとも1枚の追加の基板上に前記膜厚の別の一部を堆積させることを含む、装置。 - 請求項32に記載の装置であって、
一サイクルの膜堆積は、
(i)膜前駆体を、膜前駆体が前記基板上に吸着制限層を形成するように、前記基板上に吸着させることと、
(ii)前記吸着された前駆体を取り巻く空間から、吸着されなかった膜前駆体の少なくとも一部を除去することと、
(iii)(ii)において、吸着されなかった膜前駆体を除去した後に、吸着された膜前駆体を反応させて、前記基板上に膜層を形成させることと、
(iv)前記吸着された前駆体を反応させた後に存在する脱離した膜前駆体および/または反応の副生成物を、前記膜層を取り巻く空間から除去することと、
を含む、装置。 - 請求項32に記載の装置であって、
前記基板搭載機器は、前記プロセスステーションの少なくとも1つに基板を載置するための基板取扱ロボットを含む、装置。 - 請求項32に記載の装置であって、
前記基板移送機器は、複数の前記基板の面に実質的に垂直で、かつ複数の前記基板に対して実質的に等間隔な中心軸を中心として、複数の前記基板を回転させることによって動作するカルーセルを含む、装置。 - 請求項32ないし37のいずれか一項に記載の装置であって、
前記処理チャンバは、4つのプロセスステーションを収容する、装置。 - 請求項38に記載の装置であって、
前記1つ以上のコントローラは、さらに、
前記堆積される膜の目標厚さDを選択するための機械読み取り可能命令と、
Nを(1/4)×(D/d)に最も近い正の整数であるように選択するための機械読み取り可能命令であって、dは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、機械読み取り可能命令と、
N’をN−1またはN+1のいずれかであるように選択するための機械読み取り可能命令と、
を含む、装置。 - 請求項39に記載の装置であって、
前記1つ以上のコントローラは、さらに、
Δ=4×d×N−Dとして、|Δ|<d/2であるときに、N’をNであるように選択するための機械読み取り可能命令と、
Δ=4×d×N−Dとして、|Δ|>d/2で、かつΔ>0であるときに、N’をN−1であるように選択するための機械読み取り可能命令と、
Δ=4×d×N−Dとして、|Δ|>d/2で、かつΔ<0であるときに、N’をN+1であるように選択するための機械読み取り可能命令と、
を含む、装置。 - 機械読み取り可能媒体であって、
(a)1枚以上の基板の第1群の基板を処理チャンバ内の1つ以上のプロセスステーションの第1群のプロセスステーションに搭載するための機械読み取り可能命令と、
(b)Nサイクルの膜堆積を実施することによって、前記第1群のプロセスステーションにある前記第1群の基板上に膜材料を堆積させるための機械読み取り可能命令と、
(c)(b)における堆積後、前記第1群の基板を前記第1群のプロセスステーションから、前記処理チャンバ内の1つ以上のプロセスステーションの第2群のプロセスステーションに、移送するための機械読み取り可能命令と、
(d)1枚以上の基板の第2群の基板を前記処理チャンバ内の前記第1群のプロセスステーションに搭載するための機械読み取り可能命令と、
(e)N’サイクルの膜堆積を実施することによって、前記第1群のプロセスステーションにある前記第2群の基板上に、および前記第2群のプロセスステーションにある前記第1群の基板上に、膜材料を堆積させるための機械読み取り可能命令であって、N’は、Nに等しくない、機械読み取り可能命令と、
(f)(e)における堆積後、前記第1群の基板を前記処理チャンバから取り出すための機械読み取り可能命令と、
を有する機械読み取り可能媒体。 - 機械読み取り可能媒体であって、
(a)前記反応チャンバの第1のプロセスステーションに、少なくとも第1の基板を受け入れるための機械読み取り可能命令と、
(b)厳密にNサイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、少なくとも前記第1の基板上に前記膜の厚みの一部を堆積させるための機械読み取り可能命令と、
(c)少なくとも前記第1の基板を第2のプロセスステーションに移送するための機械読み取り可能命令と、
(d)(c)後に、厳密にN’サイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、少なくとも前記第1の基板上に前記膜の厚みの別の一部を堆積させるための機械読み取り可能命令であって、Nは、N’に等しくなく、NおよびN’は、前記規定の厚みを達成するように選択される、機械読み取り可能命令と、
(e)少なくとも前記第1の基板を前記反応チャンバから取り出すための機械読み取り可能命令と、
を有する機械読み取り可能媒体。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017199904A (ja) * | 2016-04-29 | 2017-11-02 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | マルチステーション型堆積システムにおける膜厚整合のための、サイクル及び時間が可変のrf活性化方法 |
JP2018026555A (ja) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 堆積期間にわたる基板温度を変化させることによる界面反応の抑制 |
US9966316B2 (en) | 2016-05-25 | 2018-05-08 | Toshiba Memory Corporation | Deposition supporting system, depositing apparatus and manufacturing method of a semiconductor device |
US10134587B1 (en) | 2017-07-11 | 2018-11-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device |
JP2019208066A (ja) * | 2019-08-06 | 2019-12-05 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP2021510237A (ja) * | 2018-01-10 | 2021-04-15 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 追加の回転軸を有する回転インデクサ |
US11286560B2 (en) | 2017-09-15 | 2022-03-29 | Lam Research Corporation | Thickness compensation by modulation of number of deposition cycles as a function of chamber accumulation for wafer to wafer film thickness matching |
WO2023059988A1 (en) * | 2021-10-07 | 2023-04-13 | Lam Research Corporation | Selective control of multi-station processing chamber components |
TWI851400B (zh) | 2016-04-29 | 2024-08-01 | 美商蘭姆研究公司 | 多站沉積系統中之膜厚度匹配用可變循環與時間射頻活化方法 |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9797042B2 (en) | 2014-05-15 | 2017-10-24 | Lam Research Corporation | Single ALD cycle thickness control in multi-station substrate deposition systems |
KR102323248B1 (ko) * | 2015-03-25 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
JP6541599B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2019-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム |
KR102052435B1 (ko) * | 2016-03-31 | 2019-12-05 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 장전 방법 및 기록 매체 |
US9738977B1 (en) * | 2016-06-17 | 2017-08-22 | Lam Research Corporation | Showerhead curtain gas method and system for film profile modulation |
US9698042B1 (en) | 2016-07-22 | 2017-07-04 | Lam Research Corporation | Wafer centering in pocket to improve azimuthal thickness uniformity at wafer edge |
US10553465B2 (en) * | 2016-07-25 | 2020-02-04 | Lam Research Corporation | Control of water bow in multiple stations |
US10128116B2 (en) * | 2016-10-17 | 2018-11-13 | Lam Research Corporation | Integrated direct dielectric and metal deposition |
KR20180061866A (ko) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 봉지 유닛 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
US10692724B2 (en) * | 2016-12-23 | 2020-06-23 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching methods and apparatus |
JP6714562B2 (ja) | 2017-09-20 | 2020-06-24 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
US20200066572A1 (en) * | 2017-10-27 | 2020-02-27 | Applied Materials, Inc. | Methods Of Operating A Spatial Deposition Tool |
TWI838222B (zh) | 2017-10-27 | 2024-04-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有空間分離的單個晶圓處理環境 |
US20200090978A1 (en) * | 2017-10-27 | 2020-03-19 | Applied Materials, Inc. | Methods Of Operating A Spatial Deposition Tool |
US11823909B2 (en) | 2018-01-16 | 2023-11-21 | Lam Research Corporation | Selective processing with etch residue-based inhibitors |
CN113166938A (zh) * | 2018-10-29 | 2021-07-23 | 应用材料公司 | 操作空间沉积工具的方法 |
KR20200108240A (ko) * | 2019-03-06 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 캐리어 장치, 기판 처리 장치, 및 서셉터의 온도 조절 방법 |
JP2022525086A (ja) * | 2019-03-12 | 2022-05-11 | ラム リサーチ コーポレーション | 独立して調節可能な台座を用いるマルチステーション半導体処理 |
TWI737996B (zh) * | 2019-05-16 | 2021-09-01 | 華景電通股份有限公司 | 晶圓載具監控系統及其監控方法 |
WO2020247966A1 (en) * | 2019-06-07 | 2020-12-10 | Lam Research Corporation | Independently adjustable flowpath conductance in multi-station semiconductor processing |
CN110421271A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-11-08 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 上下料方法 |
KR102618869B1 (ko) * | 2020-01-03 | 2023-12-27 | 램 리써치 코포레이션 | 배면 보우 보상 증착의 스테이션-대-스테이션 (station-to-station) 제어 |
CN115418629B (zh) * | 2022-08-17 | 2024-01-12 | 杭州富芯半导体有限公司 | 薄膜沉积的方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0349216A (ja) * | 1989-05-22 | 1991-03-04 | Asm Internatl Nv | 複合形単一ウエーハ用の高生産性形マルチステーシヨン方式処理装置 |
US20050031786A1 (en) * | 2001-05-22 | 2005-02-10 | Novellus Systems, Inc. | Method for reducing tungsten film roughness and improving step coverage |
US6860965B1 (en) * | 2000-06-23 | 2005-03-01 | Novellus Systems, Inc. | High throughput architecture for semiconductor processing |
JP2008513980A (ja) * | 2004-09-13 | 2008-05-01 | ジーナス インコーポレーテッド | マルチ−シングルウェハ処理装置 |
WO2011125471A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US8119527B1 (en) * | 2009-08-04 | 2012-02-21 | Novellus Systems, Inc. | Depositing tungsten into high aspect ratio features |
US20130196078A1 (en) * | 2012-01-31 | 2013-08-01 | Joseph Yudovsky | Multi-Chamber Substrate Processing System |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6143082A (en) * | 1998-10-08 | 2000-11-07 | Novellus Systems, Inc. | Isolation of incompatible processes in a multi-station processing chamber |
JP2004068091A (ja) | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 成膜処理装置および成膜処理方法 |
WO2004094695A2 (en) | 2003-04-23 | 2004-11-04 | Genus, Inc. | Transient enhanced atomic layer deposition |
US7387815B2 (en) | 2003-09-19 | 2008-06-17 | Akzo Nobel N.V. | Metallization of substrate(s) by a liquid/vapor deposition process |
US7459175B2 (en) | 2005-01-26 | 2008-12-02 | Tokyo Electron Limited | Method for monolayer deposition |
KR100715862B1 (ko) | 2005-07-27 | 2007-05-11 | 한국과학기술원 | 원자층증착법 시뮬레이션 방법 |
CN100590804C (zh) * | 2007-06-22 | 2010-02-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 原子层沉积方法以及形成的半导体器件 |
JP5023004B2 (ja) | 2008-06-30 | 2012-09-12 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
US8728956B2 (en) | 2010-04-15 | 2014-05-20 | Novellus Systems, Inc. | Plasma activated conformal film deposition |
US8956983B2 (en) | 2010-04-15 | 2015-02-17 | Novellus Systems, Inc. | Conformal doping via plasma activated atomic layer deposition and conformal film deposition |
US9076646B2 (en) | 2010-04-15 | 2015-07-07 | Lam Research Corporation | Plasma enhanced atomic layer deposition with pulsed plasma exposure |
US9611544B2 (en) | 2010-04-15 | 2017-04-04 | Novellus Systems, Inc. | Plasma activated conformal dielectric film deposition |
US8637411B2 (en) | 2010-04-15 | 2014-01-28 | Novellus Systems, Inc. | Plasma activated conformal dielectric film deposition |
US8524612B2 (en) * | 2010-09-23 | 2013-09-03 | Novellus Systems, Inc. | Plasma-activated deposition of conformal films |
US8647993B2 (en) * | 2011-04-11 | 2014-02-11 | Novellus Systems, Inc. | Methods for UV-assisted conformal film deposition |
US8728955B2 (en) * | 2012-02-14 | 2014-05-20 | Novellus Systems, Inc. | Method of plasma activated deposition of a conformal film on a substrate surface |
KR101340425B1 (ko) | 2012-05-15 | 2013-12-10 | (주)베오스솔루션 | 박막 증착 장치 및 방법 |
KR101358641B1 (ko) * | 2012-06-04 | 2014-02-10 | 주식회사 테스 | 박막형성방법 |
US20140030444A1 (en) | 2012-07-30 | 2014-01-30 | Novellus Systems, Inc. | High pressure, high power plasma activated conformal film deposition |
KR102207992B1 (ko) * | 2012-10-23 | 2021-01-26 | 램 리써치 코포레이션 | 서브-포화된 원자층 증착 및 등각막 증착 |
SG2013083241A (en) | 2012-11-08 | 2014-06-27 | Novellus Systems Inc | Conformal film deposition for gapfill |
US9677176B2 (en) | 2013-07-03 | 2017-06-13 | Novellus Systems, Inc. | Multi-plenum, dual-temperature showerhead |
US8940646B1 (en) | 2013-07-12 | 2015-01-27 | Lam Research Corporation | Sequential precursor dosing in an ALD multi-station/batch reactor |
US9797042B2 (en) | 2014-05-15 | 2017-10-24 | Lam Research Corporation | Single ALD cycle thickness control in multi-station substrate deposition systems |
US9263350B2 (en) | 2014-06-03 | 2016-02-16 | Lam Research Corporation | Multi-station plasma reactor with RF balancing |
US9502238B2 (en) | 2015-04-03 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch |
US10378107B2 (en) | 2015-05-22 | 2019-08-13 | Lam Research Corporation | Low volume showerhead with faceplate holes for improved flow uniformity |
US10023959B2 (en) | 2015-05-26 | 2018-07-17 | Lam Research Corporation | Anti-transient showerhead |
US20170029948A1 (en) | 2015-07-28 | 2017-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and apparatuses for temperature-indexed thin film deposition |
US11421321B2 (en) | 2015-07-28 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatuses for thin film deposition |
US20170314129A1 (en) | 2016-04-29 | 2017-11-02 | Lam Research Corporation | Variable cycle and time rf activation method for film thickness matching in a multi-station deposition system |
US10697059B2 (en) | 2017-09-15 | 2020-06-30 | Lam Research Corporation | Thickness compensation by modulation of number of deposition cycles as a function of chamber accumulation for wafer to wafer film thickness matching |
-
2014
- 2014-08-08 US US14/455,796 patent/US9797042B2/en active Active
-
2015
- 2015-04-27 SG SG10202002293XA patent/SG10202002293XA/en unknown
- 2015-04-27 SG SG10201503283SA patent/SG10201503283SA/en unknown
- 2015-05-08 JP JP2015095293A patent/JP6567864B2/ja active Active
- 2015-05-14 CN CN201510245528.XA patent/CN105088197B/zh active Active
- 2015-05-14 TW TW104115353A patent/TWI659454B/zh active
- 2015-05-15 KR KR1020150068349A patent/KR102385553B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-09-13 US US15/703,694 patent/US10577691B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0349216A (ja) * | 1989-05-22 | 1991-03-04 | Asm Internatl Nv | 複合形単一ウエーハ用の高生産性形マルチステーシヨン方式処理装置 |
US6860965B1 (en) * | 2000-06-23 | 2005-03-01 | Novellus Systems, Inc. | High throughput architecture for semiconductor processing |
US20050031786A1 (en) * | 2001-05-22 | 2005-02-10 | Novellus Systems, Inc. | Method for reducing tungsten film roughness and improving step coverage |
JP2008513980A (ja) * | 2004-09-13 | 2008-05-01 | ジーナス インコーポレーテッド | マルチ−シングルウェハ処理装置 |
US8119527B1 (en) * | 2009-08-04 | 2012-02-21 | Novellus Systems, Inc. | Depositing tungsten into high aspect ratio features |
WO2011125471A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US20130196078A1 (en) * | 2012-01-31 | 2013-08-01 | Joseph Yudovsky | Multi-Chamber Substrate Processing System |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7282130B2 (ja) | 2016-04-29 | 2023-05-26 | ラム リサーチ コーポレーション | マルチステーション型堆積システムにおける膜厚整合のための、サイクル及び時間が可変のrf活性化方法 |
TWI851400B (zh) | 2016-04-29 | 2024-08-01 | 美商蘭姆研究公司 | 多站沉積系統中之膜厚度匹配用可變循環與時間射頻活化方法 |
JP2017199904A (ja) * | 2016-04-29 | 2017-11-02 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | マルチステーション型堆積システムにおける膜厚整合のための、サイクル及び時間が可変のrf活性化方法 |
JP7540043B2 (ja) | 2016-04-29 | 2024-08-26 | ラム リサーチ コーポレーション | マルチステーション型堆積システムにおける膜厚整合のための、サイクル及び時間が可変のrf活性化方法 |
KR20210113585A (ko) * | 2016-04-29 | 2021-09-16 | 램 리써치 코포레이션 | 멀티-스테이션 증착 시스템에서 막 두께 매칭을 위한 가변 사이클 및 시간 rf 활성화 방법 |
JP2021158386A (ja) * | 2016-04-29 | 2021-10-07 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | マルチステーション型堆積システムにおける膜厚整合のための、サイクル及び時間が可変のrf活性化方法 |
KR102502272B1 (ko) | 2016-04-29 | 2023-02-20 | 램 리써치 코포레이션 | 멀티-스테이션 증착 시스템에서 막 두께 매칭을 위한 가변 사이클 및 시간 rf 활성화 방법 |
US9966316B2 (en) | 2016-05-25 | 2018-05-08 | Toshiba Memory Corporation | Deposition supporting system, depositing apparatus and manufacturing method of a semiconductor device |
JP7170386B2 (ja) | 2016-08-09 | 2022-11-14 | ラム リサーチ コーポレーション | 堆積期間にわたる基板温度を変化させることによる界面反応の抑制 |
JP2018026555A (ja) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 堆積期間にわたる基板温度を変化させることによる界面反応の抑制 |
JP2019021654A (ja) * | 2017-07-11 | 2019-02-07 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US10134587B1 (en) | 2017-07-11 | 2018-11-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device |
US11286560B2 (en) | 2017-09-15 | 2022-03-29 | Lam Research Corporation | Thickness compensation by modulation of number of deposition cycles as a function of chamber accumulation for wafer to wafer film thickness matching |
JP2022123004A (ja) * | 2018-01-10 | 2022-08-23 | ラム リサーチ コーポレーション | 追加の回転軸を有する回転インデクサ |
US11482436B2 (en) | 2018-01-10 | 2022-10-25 | Lam Research Corporation | Rotational indexer with additional rotational axes |
JP7096540B2 (ja) | 2018-01-10 | 2022-07-06 | ラム リサーチ コーポレーション | 追加の回転軸を有する回転インデクサ |
JP2021510237A (ja) * | 2018-01-10 | 2021-04-15 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 追加の回転軸を有する回転インデクサ |
JP7303926B2 (ja) | 2018-01-10 | 2023-07-05 | ラム リサーチ コーポレーション | 追加の回転軸を有する回転インデクサ |
US11699610B2 (en) | 2018-01-10 | 2023-07-11 | Lam Research Corporation | Rotational indexer with additional rotational axes |
JP2019208066A (ja) * | 2019-08-06 | 2019-12-05 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
WO2023059988A1 (en) * | 2021-10-07 | 2023-04-13 | Lam Research Corporation | Selective control of multi-station processing chamber components |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150133644A (ko) | 2015-11-30 |
US10577691B2 (en) | 2020-03-03 |
US20180010250A1 (en) | 2018-01-11 |
US9797042B2 (en) | 2017-10-24 |
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