JP2015214127A - Ink jet head, manufacturing method of the same, and ink jet printer - Google Patents

Ink jet head, manufacturing method of the same, and ink jet printer Download PDF

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陽介 中野
Yosuke Nakano
陽介 中野
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce discharge failure of an ink caused by air bubbles and foreign objects and inhibit a damper from being damaged by excessive ink variation during ink ejection.SOLUTION: An ink jet head 21 includes: a passage substrate 22 in which multiple pressure chambers 33 are formed; and a piezoelectric element 41 provided on the pressure chambers 33. The ink jet head 21 drives the piezoelectric element 41 to discharge an ink from the pressure chambers 33. Further, a common ink chamber 34 for supplying the ink to the pressure chambers 33 is formed in the passage substrate 22. A wall covering the common ink chamber 34 (a damper 23a) is displaced by pressure variation of the ink in the common ink chamber 34 when the ink is discharged from the pressure chambers 33 to an exterior part. A common ink chamber 34 side surface of the wall is a flat surface. A reinforcement film 42 which reinforces the damper 23a is formed on a surface of the wall which is opposite to the common ink chamber 34. The reinforcement film 42 is thicker than the piezoelectric element 41.

Description

本発明は、圧力室内のインクを外部に吐出させるインクジェットヘッドおよびその製造方法と、そのインクジェットヘッドを備えたインクジェットプリンタとに関するものである。   The present invention relates to an ink jet head that discharges ink in a pressure chamber to the outside, a manufacturing method thereof, and an ink jet printer that includes the ink jet head.

従来から、液体インクを吐出する複数のチャネルを有するインクジェットヘッドを備えたインクジェットプリンタが知られている。用紙や布などの記録メディアに対してインクジェットヘッドを相対的に移動させながら、インクの吐出を制御することにより、記録メディアに対して二次元の画像を出力することができる。インクの吐出は、圧力式のアクチュエータ(圧電式、静電式、熱変形など)を利用したり、熱によって管内のインクに気泡を発生させることで行うことができる。中でも、圧電式のアクチュエータは、出力が大きい、変調が可能、応答性が高い、インクを選ばない、などの利点を有しており、近年よく利用されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, an ink jet printer including an ink jet head having a plurality of channels for discharging liquid ink is known. By controlling the ejection of ink while moving the inkjet head relative to a recording medium such as paper or cloth, a two-dimensional image can be output to the recording medium. Ink can be ejected using a pressure actuator (piezoelectric, electrostatic, thermal deformation, etc.) or by generating bubbles in the ink in the tube by heat. Among them, the piezoelectric actuator has advantages such as high output, modulation, high responsiveness, and choice of ink, and has been frequently used in recent years.

圧電式のアクチュエータには、バルク状の圧電体を用いたものと、薄膜の圧電体(圧電薄膜)を用いたものとがある。前者は出力が大きいため、大きな液滴を吐出することができるが、大型でコストが高い。これに対して、後者は出力が小さいため、液滴量は大きくできないが、小型でコストが低い。高解像度(小液滴で良い)で小型、低コストのプリンタを実現するには、圧電薄膜を用いてアクチュエータを構成することが適していると言える。   Piezoelectric actuators include those using a bulk piezoelectric body and those using a thin film piezoelectric body (piezoelectric thin film). Since the former has a large output, large droplets can be discharged, but it is large and expensive. On the other hand, since the latter has a small output, the amount of droplets cannot be increased, but is small and low in cost. In order to realize a small, low-cost printer with high resolution (small droplets may be sufficient), it can be said that it is suitable to configure an actuator using a piezoelectric thin film.

アクチュエータに圧電薄膜を用いたインクジェットヘッドでは、厚さ数ミクロンのシリコン薄肉(振動板)上に、上部電極と下部電極とで圧電薄膜を挟んだ構造の圧電素子が形成される。この圧電素子にkHzオーダーの高周波の電界を印加し、圧電薄膜が逆圧電効果により振動板の面内方向に伸縮することで振動板が振動(変位)する。これにより、振動板に接する圧力室の容積が変化し、圧力室内のインクを吐出することが可能となる。   In an inkjet head using a piezoelectric thin film as an actuator, a piezoelectric element having a structure in which a piezoelectric thin film is sandwiched between an upper electrode and a lower electrode is formed on a thin silicon (vibrating plate) having a thickness of several microns. A high frequency electric field of the order of kHz is applied to the piezoelectric element, and the diaphragm is vibrated (displaced) by expanding and contracting in the in-plane direction of the diaphragm due to the inverse piezoelectric effect. As a result, the volume of the pressure chamber in contact with the diaphragm changes, and ink in the pressure chamber can be ejected.

上記の圧電薄膜は、シリコン基板上に、CVD(Chemical Vapor Deposition)法などの化学的成膜法、スパッタ法やイオンプレーティング法といった物理的な方法、ゾルゲル法などの液相成長、などの成膜プロセスを用いて形成される。圧電薄膜の材料としては、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)と呼ばれる鉛(Pb)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、酸素(O)からなるペロブスカイト構造の結晶を用いることが多い。   The above piezoelectric thin film is formed on a silicon substrate by chemical film-forming methods such as CVD (Chemical Vapor Deposition), physical methods such as sputtering and ion plating, and liquid phase growth such as sol-gel methods. It is formed using a film process. As a material of the piezoelectric thin film, a crystal having a perovskite structure made of lead (Pb), zirconium (Zr), titanium (Ti), and oxygen (O) called PZT (lead zirconate titanate) is often used.

アクチュエータにおけるシリコン基板の一方の面側には、圧電薄膜および電極(上部電極、下部電極)が形成され、他方の面側には、インク流路および圧力室などの機能部が形成される。これらは、フォトリソグラフィーなどの半導体プロセス技術を用いた高精度な加工プロセスによりそれぞれ形成される。シリコン基板において圧力室の上壁、すなわち、圧力室に対して圧電薄膜側の壁をなす部分が、上述した振動板を構成する。   A piezoelectric thin film and electrodes (upper electrode and lower electrode) are formed on one surface side of the silicon substrate in the actuator, and functional portions such as an ink flow path and a pressure chamber are formed on the other surface side. These are formed by a highly accurate processing process using a semiconductor process technology such as photolithography. In the silicon substrate, the upper wall of the pressure chamber, that is, the portion forming the wall on the piezoelectric thin film side with respect to the pressure chamber constitutes the above-described diaphragm.

このとき、直径6インチや直径8インチといった比較的大きなシリコンウェハ上に複数の圧電素子を高密度に配置し、複数のアクチュエータを一括して形成した後、シリコンウェハを分割して個片化すれば、アクチュエータを個別に製造する枚葉製造に比べて、コストを大幅に低減することができる。   At this time, a plurality of piezoelectric elements are arranged at a high density on a relatively large silicon wafer having a diameter of 6 inches or a diameter of 8 inches, a plurality of actuators are collectively formed, and then the silicon wafer is divided into pieces. For example, the cost can be significantly reduced as compared with single wafer manufacturing in which actuators are manufactured individually.

ところで、上述したアクチュエータを備えたインクジェットヘッドは、一般的に、流路基板、振動板、ノズル基板を備えている。流路基板には、インク液滴を吐出するための複数の圧力室と、各圧力室にインクを供給する共通インク室と、各圧力室と共通インク室とを個別に連通する細い個別流路などが設けられている。また、振動板の上には、駆動素子としての圧電素子が形成されており、ノズル板には、圧力室内のインクを外部に吐出するためのノズル孔が設けられている。   By the way, the ink jet head provided with the actuator described above generally includes a flow path substrate, a vibration plate, and a nozzle substrate. The flow path substrate includes a plurality of pressure chambers for ejecting ink droplets, a common ink chamber that supplies ink to each pressure chamber, and a narrow individual flow path that individually communicates each pressure chamber and the common ink chamber. Etc. are provided. In addition, a piezoelectric element as a drive element is formed on the vibration plate, and a nozzle hole for ejecting ink in the pressure chamber to the outside is provided in the nozzle plate.

このような構成において、各圧力室からノズル孔を介してインクが吐出されると、各圧力室には共通インク室から新しいインクが供給される。このとき、インクジェットヘッドのノズル孔の数(圧力室の数)が多くなると、インク吐出量が多くなるため、共通インク室から各圧力室に供給されるインク量も多くなる。その結果、共通インク室内でのインクの圧力変動(インク変動)が大きくなり、インク吐出が不安定になる。   In such a configuration, when ink is ejected from each pressure chamber via the nozzle hole, new ink is supplied to each pressure chamber from the common ink chamber. At this time, if the number of nozzle holes (the number of pressure chambers) of the ink jet head increases, the amount of ink discharged increases, so the amount of ink supplied from the common ink chamber to each pressure chamber also increases. As a result, ink pressure fluctuation (ink fluctuation) in the common ink chamber becomes large, and ink ejection becomes unstable.

そこで、共通インク室を形成する壁部材の一部を非常に薄く形成し、インク吐出時のインク変動を安定させる圧力緩衝機能(ダンパー機能)を備えたインクジェットヘッドが提案されている(特許文献1、2参照)。   In view of this, there has been proposed an ink jet head having a pressure buffering function (damper function) in which a part of the wall member forming the common ink chamber is formed very thin and the ink fluctuation during ink ejection is stabilized (Patent Document 1). 2).

図8は、特許文献1のインクジェットヘッド100の概略の構成を示す断面図である。このインクジェットヘッド100では、厚さ180μmのシリコンウェハをノズルプレート101として用いている。このノズルプレート101には、ノズル孔101aとダンパー101bとが形成されている。ダンパー101bは、ノズルプレート101の両面からハーフエッチングを行って、そのエッチング量を調整することで薄膜に形成されている。   FIG. 8 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the inkjet head 100 of Patent Document 1. As shown in FIG. In the inkjet head 100, a silicon wafer having a thickness of 180 μm is used as the nozzle plate 101. The nozzle plate 101 is formed with a nozzle hole 101a and a damper 101b. The damper 101b is formed in a thin film by performing half etching from both surfaces of the nozzle plate 101 and adjusting the etching amount.

このノズルプレート101にキャビティープレート102を重ね合わせることで、これらの間に、複数の圧力室103、共通インク室104、個別流路105が形成されている。共通インク室104は、インク供給口104aを介してインクタンク(図示せず)と連通している。個別流路105は、共通インク室104から各圧力室103にインクを供給するための流路である。また、個別電極106が形成されたガラス基板107が、キャビティープレート102と対峙して配置されている。   By overlapping the cavity plate 102 on the nozzle plate 101, a plurality of pressure chambers 103, a common ink chamber 104, and individual flow paths 105 are formed therebetween. The common ink chamber 104 communicates with an ink tank (not shown) through an ink supply port 104a. The individual flow path 105 is a flow path for supplying ink from the common ink chamber 104 to each pressure chamber 103. A glass substrate 107 on which the individual electrodes 106 are formed is disposed so as to face the cavity plate 102.

キャビティープレート102に形成した各圧力室103の底面を規定している振動板108は、共通電極として機能し、この共通電極と個別電極106の端子部との間には、ドライバ109が接続されている。ドライバ109によって個別電極106に電圧を印加すると、電圧が印加された個別電極106と対峙している振動板108が静電気力によって振動し、これに伴って圧力室103の圧力が変動し、圧力室103内のインクがノズル孔101aから吐出される。   The diaphragm 108 defining the bottom surface of each pressure chamber 103 formed in the cavity plate 102 functions as a common electrode, and a driver 109 is connected between the common electrode and the terminal portion of the individual electrode 106. ing. When a voltage is applied to the individual electrode 106 by the driver 109, the diaphragm 108 facing the individual electrode 106 to which the voltage is applied vibrates due to electrostatic force, and the pressure in the pressure chamber 103 fluctuates accordingly, and the pressure chamber The ink in 103 is ejected from the nozzle hole 101a.

インクを吐出させるために圧力室103に圧力変動を発生させると、その圧力は共通インク室104に伝達する。共通インク室104に圧力変動が生じると、この共通インク室104を介してインクノズル間で相互に圧力干渉を起こし、インク液滴の吐出量が変化する。しかし、ノズルプレート101にダンパー101bを設けることで、共通インク室104の圧力変動を緩衝させ、インクノズル間の圧力干渉を防止して、インク吐出を安定させるようにしている。   When a pressure fluctuation is generated in the pressure chamber 103 to eject ink, the pressure is transmitted to the common ink chamber 104. When pressure fluctuation occurs in the common ink chamber 104, pressure interference occurs between the ink nozzles via the common ink chamber 104, and the ejection amount of ink droplets changes. However, by providing the damper 101b on the nozzle plate 101, the pressure fluctuation in the common ink chamber 104 is buffered, pressure interference between the ink nozzles is prevented, and ink ejection is stabilized.

また、特許文献2では、ダイヤフラムプレート、チャンバープレート、ノズルプレートを個々に作製し、これらを陽極接合や接着剤などで接合してインクジェットヘッドを形成している。チャンバープレートには、圧力室、共通インク室およびこれらを連通する個別流路が形成されている。ダイヤフラムプレートには、圧力室の一側壁をなす振動板と、共通インク室内のインク変動を吸収するダンパーとが形成されている。振動板とダンパーとは、同じ厚み(例えば厚さ数μm)で形成されている。また、振動板上において、ダンパー以外の全面に補強用の接着剤を塗布し、硬化させることにより、振動板の強度を上げて、ダイヤフラムプレートと圧電素子とを接合する際の振動板の破損を防止するようにしている。   In Patent Document 2, a diaphragm plate, a chamber plate, and a nozzle plate are individually produced, and these are joined by anodic bonding or an adhesive to form an ink jet head. The chamber plate is formed with a pressure chamber, a common ink chamber, and individual channels that communicate these. The diaphragm plate is formed with a diaphragm that forms one side wall of the pressure chamber and a damper that absorbs ink fluctuations in the common ink chamber. The diaphragm and the damper are formed with the same thickness (for example, a thickness of several μm). Also, on the diaphragm, a reinforcing adhesive is applied to the entire surface other than the damper and cured to increase the strength of the diaphragm and damage the diaphragm when joining the diaphragm plate and the piezoelectric element. I try to prevent it.

特開平11−115179号公報(請求項1、段落〔0004〕、〔0009〕、〔0017〕〜〔0029〕、〔0031〕〜〔0042〕、図3等参照)JP-A-11-115179 (see claim 1, paragraphs [0004], [0009], [0017] to [0029], [0031] to [0042], FIG. 3 etc.) 特許第4631343号公報(請求項1、3、段落〔0011〕、〔0018〕、〔0021〕〜〔0038〕、〔0048〕、図1等参照)Japanese Patent No. 4631343 (refer to Claims 1 and 3, paragraphs [0011], [0018], [0021] to [0038], [0048], FIG. 1)

ところが、特許文献1では、ノズルプレート101の両面からハーフエッチングを行うことでダンパー101bが形成されているため、ノズルプレート101のインク流路側(圧力室103a側)の表面に段差(凹凸)が生じている。このため、インク吐出後にノズル孔101aから取り込まれる気泡、圧力室103a内のインクに内在している気泡や異物(パーティクル)が、上記の段差部分にトラップされてしまう。トラップされた気泡がある程度大きく成長し、再び流れてノズル孔101aまで行き着くと、突発的な吐出不良の原因となってしまう。また、上記の段差部分でトラップされた異物がノズル孔101aに詰まることによっても、インクの吐出不良が発生する。   However, in Patent Document 1, since the damper 101b is formed by half-etching from both sides of the nozzle plate 101, a step (unevenness) occurs on the surface of the nozzle plate 101 on the ink flow path side (pressure chamber 103a side). ing. For this reason, bubbles taken in from the nozzle hole 101a after ink ejection, bubbles or foreign matter (particles) contained in the ink in the pressure chamber 103a are trapped in the stepped portion. If the trapped bubbles grow to a certain extent and flow again to reach the nozzle hole 101a, a sudden discharge failure may occur. In addition, a foreign matter trapped at the stepped portion clogs the nozzle hole 101a, resulting in an ink ejection failure.

一方、特許文献2では、ダンパーは、ダイヤフラムプレートにおけるインク流路側(共通インク室側)とは反対側からハーフエッチングすることで形成されており、それゆえ、ダイヤフラムプレートのインク流路側には段差が生じていない。したがって、上記の気泡や異物に起因するインクの吐出不良を回避することはできる。しかし、振動板は接着剤の塗布、硬化によって補強されているものの、共通インク室上の薄膜部分、すなわち、インク吐出時の圧力変動によって変位する部分(ダンパー)は何ら補強されていないため、インク吐出時の過度のインク変動により、上記変位部分が破損するという問題が生ずる。   On the other hand, in Patent Document 2, the damper is formed by half-etching from the side opposite to the ink flow path side (common ink chamber side) of the diaphragm plate. Therefore, there is a step on the ink flow path side of the diaphragm plate. It has not occurred. Therefore, it is possible to avoid ink ejection failure due to the bubbles and foreign matters. However, although the vibration plate is reinforced by applying and curing the adhesive, the thin film portion on the common ink chamber, that is, the portion (damper) that is displaced by pressure fluctuation during ink discharge is not reinforced at all. There is a problem that the displacement portion is damaged due to excessive ink fluctuation during ejection.

本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、気泡や異物によるインクの吐出不良を低減するとともに、インク吐出時の圧力変動によって変位する部分(ダンパー)が過度の変動によって破損するのを低減することができるインクジェットヘッドおよびその製造方法と、インクジェットプリンタとを提供することにある。   The present invention has been made to solve the above-described problems. The object of the present invention is to reduce ink ejection failure due to air bubbles and foreign matters, and to excessively displace a portion (damper) that is displaced by pressure fluctuation during ink ejection. It is an object of the present invention to provide an ink jet head and a method for manufacturing the same, and an ink jet printer that can reduce damage due to fluctuations in the ink jet.

本発明の一側面に係るインクジェットヘッドは、複数の圧力室が形成される流路基板と、前記圧力室上に設けられる圧電素子とを有し、前記圧電素子を駆動することにより、前記圧力室からインクを吐出するインクジェットヘッドであって、前記流路基板には、前記圧力室にインクを供給する共通インク室がさらに形成されており、前記インクジェットヘッドにおいて、前記共通インク室を覆う壁は、前記圧力室からインクが外部に吐出するときの前記共通インク室内でのインクの圧力変動によって変位し、前記壁の前記共通インク室側の表面は、平坦面であり、前記壁における前記共通インク室とは反対側の表面に、前記壁を補強する補強膜が形成されており、前記補強膜の厚さは、前記圧電素子よりも厚い。   An inkjet head according to one aspect of the present invention includes a flow path substrate in which a plurality of pressure chambers are formed, and a piezoelectric element provided on the pressure chamber, and the pressure chamber is driven by driving the piezoelectric element. A common ink chamber for supplying ink to the pressure chamber is further formed in the flow path substrate, and a wall covering the common ink chamber in the inkjet head is formed by: The surface is displaced by ink pressure fluctuation in the common ink chamber when ink is ejected from the pressure chamber, and the surface of the wall on the common ink chamber side is a flat surface, and the common ink chamber in the wall is A reinforcing film that reinforces the wall is formed on the surface opposite to the surface, and the thickness of the reinforcing film is thicker than that of the piezoelectric element.

流路基板に形成される共通インク室を覆う壁は、圧力室からインクが外部に吐出するときの共通インク室内でのインクの圧力変動によって変位する。このような構成において、上記壁の共通インク室側の表面は平坦面であり、段差が生じていないため、圧力室内の気泡や異物がインク流路中の上記の段差によってトラップされるということがない。これにより、気泡や異物に起因するインクの吐出不良を低減することができる。   The wall covering the common ink chamber formed on the flow path substrate is displaced by the pressure variation of the ink in the common ink chamber when ink is ejected from the pressure chamber to the outside. In such a configuration, since the surface of the wall on the common ink chamber side is a flat surface and no step is generated, bubbles or foreign matters in the pressure chamber are trapped by the step in the ink flow path. Absent. Thereby, it is possible to reduce ink ejection defects caused by bubbles and foreign matters.

また、上記壁における共通インク室とは反対側の表面に、補強膜が形成されている。しかも、補強膜の厚さは圧電素子よりも厚い。これにより、上記壁が補強膜によって確実に補強されるため、圧電素子の駆動によるインク吐出時に過度のインク変動があった場合でも、上記壁が破損するのを低減することができる。   A reinforcing film is formed on the surface of the wall opposite to the common ink chamber. Moreover, the reinforcing film is thicker than the piezoelectric element. Accordingly, the wall is surely reinforced by the reinforcing film, so that the damage to the wall can be reduced even when there is an excessive ink fluctuation during ink ejection by driving the piezoelectric element.

上記のインクジェットヘッドは、前記圧電素子の駆動により振動して前記圧力室内のインクを外部に吐出させる振動板をさらに有し、前記振動板が、前記壁を構成していてもよい。振動板が上述した壁(共通インク室を覆う壁)を兼ねる場合において、上記の効果を得ることができる。   The ink jet head may further include a vibration plate that vibrates by driving the piezoelectric element and discharges ink in the pressure chamber to the outside, and the vibration plate may constitute the wall. In the case where the diaphragm also serves as the above-described wall (a wall covering the common ink chamber), the above-described effect can be obtained.

前記圧電素子は、圧電薄膜と、前記圧電薄膜を挟み込む下部電極および上部電極で構成されており、前記補強膜の厚さは、前記圧電薄膜の厚さ、前記下部電極の厚さ、前記上部電極の厚さの総和よりも大きくてもよい。このように、圧電素子が、下部電極、圧電薄膜、上部電極を順に積層して構成される場合でも、圧電素子の各層の厚さの総和よりも補強膜の厚さのほうが大きいので、過度のインク変動があった場合に上記壁の破損を低減することができる。   The piezoelectric element includes a piezoelectric thin film, and a lower electrode and an upper electrode sandwiching the piezoelectric thin film. The thickness of the reinforcing film is the thickness of the piezoelectric thin film, the thickness of the lower electrode, and the upper electrode. It may be larger than the sum of the thicknesses. Thus, even when the piezoelectric element is configured by sequentially laminating the lower electrode, the piezoelectric thin film, and the upper electrode, the thickness of the reinforcing film is larger than the total thickness of each layer of the piezoelectric element. When the ink fluctuates, the damage to the wall can be reduced.

前記補強膜は、感光性エポキシ系樹脂、酸化シリコンまたはアクリル樹脂を含んでいてもよい。これらの材料で補強膜を構成することにより、補強膜に上記壁を補強する機能を確実に持たせることができる。   The reinforcing film may contain a photosensitive epoxy resin, silicon oxide or acrylic resin. By constituting the reinforcing film with these materials, the reinforcing film can surely have a function of reinforcing the wall.

前記補強膜のガラス転移温度Tgは、120℃以上であることが望ましい。この場合、補強膜は耐熱性を有するため、補強膜の形成後に、高温が必要となる半導体プロセスを利用して、流路基板に圧力室等を微細加工することが可能となり、寸法精度の高いヘッドを実現することができる。   The glass transition temperature Tg of the reinforcing film is desirably 120 ° C. or higher. In this case, since the reinforcing film has heat resistance, it becomes possible to finely process a pressure chamber or the like in the flow path substrate by using a semiconductor process that requires high temperature after forming the reinforcing film, and has high dimensional accuracy. A head can be realized.

前記補強膜は、単層の膜で構成されていてもよい。この場合、単層の膜で補強膜を容易に実現することができる。   The reinforcing film may be composed of a single layer film. In this case, the reinforcing film can be easily realized by a single layer film.

前記補強膜は、複数の膜を積層した積層膜で構成されていてもよい。このような積層膜によっても、上記壁を補強する補強膜を実現することができる。   The reinforcing film may be composed of a laminated film in which a plurality of films are laminated. Also with such a laminated film, a reinforcing film for reinforcing the wall can be realized.

前記積層膜は、前記圧電素子の少なくとも一部と同じ層構成の膜を含んでいてもよい。圧電素子の少なくとも一部を共通インク室の上方まで引き出す構成においては、その引き出し部分の上に感光性エポキシ系樹脂等からなる膜を積層することで、補強膜が形成される。したがって、圧電素子の引き出し部分も、補強膜の一部として有効活用することができる。   The laminated film may include a film having the same layer configuration as at least a part of the piezoelectric element. In a configuration in which at least a part of the piezoelectric element is drawn out to above the common ink chamber, a reinforcing film is formed by laminating a film made of a photosensitive epoxy resin or the like on the drawn portion. Therefore, the lead-out portion of the piezoelectric element can also be effectively used as a part of the reinforcing film.

前記壁は、シリコン基板で構成されており、前記圧電素子の厚さは、7μm未満であり、前記壁の厚さは、3μm以上10μm以下であり、前記補強膜の厚さは、7μm以上37μm以下であり、前記壁の厚さと前記補強膜の厚さの総和は、40μm以下であってもよい。   The wall is made of a silicon substrate, the thickness of the piezoelectric element is less than 7 μm, the thickness of the wall is 3 μm or more and 10 μm or less, and the thickness of the reinforcing film is 7 μm or more and 37 μm. The total thickness of the wall and the reinforcing film may be 40 μm or less.

上記壁の材質がシリコンであり、圧電素子の厚さが7μm未満である場合、上記壁の厚さが3〜10μmと薄ければ、インク吐出時にインク変動があった場合でも、上記壁が良好に変位する。このような構成において、補強膜の厚さが7〜37μmであることにより、補強膜による補強を確実に行って、上記壁の耐圧性を向上させることができる。   When the wall material is silicon and the thickness of the piezoelectric element is less than 7 μm, if the wall thickness is as thin as 3 to 10 μm, the wall is good even when ink fluctuations occur during ink ejection. It is displaced to. In such a configuration, when the thickness of the reinforcing film is 7 to 37 μm, the reinforcing film can be reliably reinforced and the pressure resistance of the wall can be improved.

前記補強膜の表面と前記圧電素子の表面との段差は、35μm以下であることが望ましい。上記段差が35μmよりも大きいと、高温状態でのエッチングにより流路基板に圧力室等を形成する際に、基板面内で温度ムラが生じ、精度よく加工することができなくなる。したがって、上記段差が35μm以下であることにより、流路基板における圧力室等の寸法精度を良好に確保することができる。   The step between the surface of the reinforcing film and the surface of the piezoelectric element is desirably 35 μm or less. If the level difference is larger than 35 μm, when forming a pressure chamber or the like in the flow path substrate by etching at a high temperature, temperature unevenness occurs in the substrate surface, and it becomes impossible to process with high accuracy. Therefore, when the level difference is 35 μm or less, the dimensional accuracy of the pressure chamber or the like in the flow path substrate can be ensured satisfactorily.

本発明の他の側面に係るインクジェットヘッドは、複数の圧力室が形成される流路基板と、前記圧力室上に設けられる圧電素子とを有し、前記圧電素子を駆動することにより、前記圧力室からインクを吐出するインクジェットヘッドであって、前記流路基板には、前記圧力室にインクを供給する共通インク室がさらに形成されており、前記インクジェットヘッドにおいて、前記共通インク室を覆う壁の厚さは、3μm以上10μm以下であり、前記壁の前記共通インク室側の表面は、平坦面であり、前記壁において前記共通インク室とは反対側の面に、前記壁を補強する補強膜が形成されており、前記補強膜の厚さは、前記圧電素子よりも厚い。   An ink jet head according to another aspect of the present invention includes a flow path substrate in which a plurality of pressure chambers are formed, and a piezoelectric element provided on the pressure chamber. An ink jet head that discharges ink from a chamber, wherein the flow path substrate further includes a common ink chamber that supplies ink to the pressure chamber, and the ink jet head includes a wall that covers the common ink chamber. The thickness is 3 μm or more and 10 μm or less, the surface of the wall on the side of the common ink chamber is a flat surface, and the reinforcing film that reinforces the wall on the surface of the wall opposite to the common ink chamber The reinforcing film is thicker than the piezoelectric element.

流路基板に形成される共通インク室を覆う壁の厚さは、3〜10μmと薄いため、上記壁の少なくとも一部は、圧力室からインクが外部に吐出するときの共通インク室内でのインクの圧力変動によって変位する。このような構成において、上記壁の共通インク室側の表面は平坦面であり、段差が生じていないため、圧力室内の気泡や異物がインク流路中の上記の段差によってトラップされるということがない。これにより、気泡や異物に起因するインクの吐出不良を低減することができる。   Since the wall covering the common ink chamber formed on the flow path substrate is as thin as 3 to 10 μm, at least a part of the wall is ink in the common ink chamber when ink is ejected from the pressure chamber to the outside. Displacement due to pressure fluctuations. In such a configuration, since the surface of the wall on the common ink chamber side is a flat surface and no step is generated, bubbles or foreign matters in the pressure chamber are trapped by the step in the ink flow path. Absent. Thereby, it is possible to reduce ink ejection defects caused by bubbles and foreign matters.

また、上記壁における共通インク室とは反対側の表面に、補強膜が形成されている。しかも、補強膜の厚さは圧電素子よりも厚い。これにより、上記壁が補強膜によって確実に補強されるため、圧電素子の駆動によるインク吐出時に過度のインク変動があった場合でも、上記壁が破損するのを低減することができる。   A reinforcing film is formed on the surface of the wall opposite to the common ink chamber. Moreover, the reinforcing film is thicker than the piezoelectric element. Accordingly, the wall is surely reinforced by the reinforcing film, so that the damage to the wall can be reduced even when there is an excessive ink fluctuation during ink ejection by driving the piezoelectric element.

本発明のさらに他の側面に係るインクジェットプリンタは、上述したインクジェットヘッドを備え、前記インクジェットヘッドから記録媒体に向けてインクを吐出させる。上記インクジェットヘッドの構成によれば、気泡や異物に起因するインクの吐出不良を低減できるとともに、インク吐出時の過度のインク変動による上記壁の破損を低減できるので、そのようなインクジェットヘッドを備えることにより、高品位な画像を形成することが可能となる。   An ink jet printer according to still another aspect of the present invention includes the ink jet head described above, and ejects ink from the ink jet head toward a recording medium. According to the configuration of the ink jet head, it is possible to reduce ink discharge failure due to bubbles and foreign matters, and to reduce damage to the wall due to excessive ink fluctuation during ink discharge. As a result, a high-quality image can be formed.

本発明のさらに他の側面に係るインクジェットヘッドの製造方法は、流路基板に、複数の圧力室を形成する工程と、前記流路基板に、前記圧力室にインクを供給する共通インク室を形成する工程と、前記圧力室および前記共通インク室を形成する前に、前記流路基板の一方の面側に、前記圧力室を駆動するための圧電素子を形成する工程と、前記圧力室および前記共通インク室を形成する前に、前記流路基板の前記一方の面側に、前記共通インク室を覆う壁となる部分を補強する補強膜を形成する工程とを有し、前記壁の少なくとも一部は、前記圧力室からインクが外部に吐出するときの前記共通インク室内でのインクの圧力変動によって変位し、前記壁の前記共通インク室側の表面は、平坦面であり、前記補強膜は、前記壁における前記共通インク室とは反対側の表面に形成されることにより、前記壁を補強し、前記補強膜の厚さは、前記圧電素子よりも厚い。   According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an ink-jet head, comprising: forming a plurality of pressure chambers on a flow path substrate; and forming a common ink chamber on the flow path substrate for supplying ink to the pressure chamber Before forming the pressure chamber and the common ink chamber, forming a piezoelectric element for driving the pressure chamber on one surface side of the flow path substrate, and the pressure chamber and the Before forming a common ink chamber, forming a reinforcing film on the one surface side of the flow path substrate to reinforce a portion serving as a wall covering the common ink chamber, and at least one of the walls The portion is displaced by the pressure variation of the ink in the common ink chamber when the ink is ejected from the pressure chamber to the outside, the surface of the wall on the common ink chamber side is a flat surface, and the reinforcing film is , The common in the wall By being formed on the surface opposite to the ink chamber, to reinforce the wall, the thickness of the reinforcing layer is thicker than the piezoelectric element.

流路基板に形成される共通インク室を覆う壁は、圧力室からインクが外部に吐出するときの共通インク室内でのインクの圧力変動によって変位する。このような構成において、上記壁の共通インク室側の表面は平坦面であり、段差が生じていないため、圧力室内の気泡や異物がインク流路中の上記の段差によってトラップされるということがない。これにより、気泡や異物に起因するインクの吐出不良を低減することができる。   The wall covering the common ink chamber formed on the flow path substrate is displaced by the pressure variation of the ink in the common ink chamber when ink is ejected from the pressure chamber to the outside. In such a configuration, since the surface of the wall on the common ink chamber side is a flat surface and no step is generated, bubbles or foreign matters in the pressure chamber are trapped by the step in the ink flow path. Absent. Thereby, it is possible to reduce ink ejection defects caused by bubbles and foreign matters.

また、上記壁における共通インク室とは反対側の表面に、補強膜が形成される。しかも、補強膜の厚さは圧電素子よりも厚い。これにより、上記壁が補強膜によって確実に補強されるため、圧電素子の駆動によるインク吐出時に過度のインク変動があった場合でも、上記壁が破損するのを低減することができる。   A reinforcing film is formed on the surface of the wall opposite to the common ink chamber. Moreover, the reinforcing film is thicker than the piezoelectric element. Accordingly, the wall is surely reinforced by the reinforcing film, so that the damage to the wall can be reduced even when there is an excessive ink fluctuation during ink ejection by driving the piezoelectric element.

また、流路基板に圧力室および共通インク室を形成する前に、共通インク室を覆う壁となる部分を補強する補強膜が形成される。したがって、補強膜で上記壁となる部分を補強した状態で、流路基板に圧力室および共通インク室を形成することができるため、共通インク室等の形成時に上記壁が破損するのを確実に低減することができる。   Further, before the pressure chamber and the common ink chamber are formed on the flow path substrate, a reinforcing film that reinforces a portion that becomes a wall covering the common ink chamber is formed. Therefore, since the pressure chamber and the common ink chamber can be formed on the flow path substrate in a state where the wall portion is reinforced with the reinforcing film, the wall can be surely damaged when the common ink chamber or the like is formed. Can be reduced.

上記の構成および製法によれば、気泡や異物によるインクの吐出不良を低減することができるとともに、共通インク室を覆う壁であって、インク吐出時の共通インク室内での圧力変動によって変位する部分が、過度のインク変動によって破損するのを低減することができる。   According to the above-described configuration and manufacturing method, it is possible to reduce ink ejection failure due to air bubbles and foreign matter, and a wall that covers the common ink chamber and is displaced by pressure fluctuations in the common ink chamber during ink ejection However, damage due to excessive ink fluctuation can be reduced.

本発明の実施の一形態に係るインクジェットプリンタの概略の構成を示す説明図である。1 is an explanatory diagram illustrating a schematic configuration of an inkjet printer according to an embodiment of the present invention. FIG. 上記インクジェットプリンタが備えるインクジェットヘッドの概略の構成を示す平面図、およびその平面図におけるA−A’線矢視断面図である。FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of an inkjet head included in the inkjet printer, and a cross-sectional view taken along line A-A ′ in the plan view. 上記インクジェットヘッドの他の構成を示す平面図、およびその平面図におけるA−A’線矢視断面図である。It is the top view which shows the other structure of the said inkjet head, and A-A 'arrow sectional drawing in the top view. 実施例1のインクジェットヘッドの製造工程の一部を示す断面図である。5 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the ink jet head of Example 1. FIG. 実施例1のインクジェットヘッドの製造工程の残りを示す断面図である。6 is a cross-sectional view showing the remainder of the manufacturing process of the ink jet head of Example 1. FIG. 実施例2のインクジェットヘッドの製造工程の一部を示す断面図である。6 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the ink jet head of Example 2. FIG. 実施例2のインクジェットヘッドの製造工程の残りを示す断面図である。6 is a cross-sectional view showing the remainder of the manufacturing process of the ink jet head of Example 2. FIG. 従来のインクジェットヘッドの概略の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the schematic structure of the conventional inkjet head.

本発明の実施の一形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本明細書において、数値範囲をA〜Bと表記した場合、その数値範囲に下限Aおよび上限Bの値は含まれるものとする。   An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the present specification, when the numerical range is expressed as A to B, the numerical value range includes the values of the lower limit A and the upper limit B.

〔インクジェットプリンタの構成〕
図1は、本実施形態のインクジェットプリンタ1の概略の構成を示す説明図である。インクジェットプリンタ1は、インクジェットヘッド部2において、インクジェットヘッド21が記録媒体の幅方向にライン状に設けられた、いわゆるラインヘッド方式のインクジェット記録装置である。
[Configuration of inkjet printer]
FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating a schematic configuration of an inkjet printer 1 according to the present embodiment. The ink jet printer 1 is a so-called line head type ink jet recording apparatus in which an ink jet head 21 is provided in a line shape in the width direction of a recording medium in the ink jet head unit 2.

インクジェットプリンタ1は、上記のインクジェットヘッド部2と、繰り出しロール3と、巻き取りロール4と、2つのバックロール5・5と、中間タンク6と、送液ポンプ7と、貯留タンク8と、定着機構9とを備えている。   The ink jet printer 1 includes an ink jet head unit 2, a feed roll 3, a take-up roll 4, two back rolls 5 and 5, an intermediate tank 6, a liquid feed pump 7, a storage tank 8, and a fixing tank. And a mechanism 9.

インクジェットヘッド部2は、インクジェットヘッド21から記録媒体Pに向けてインクを吐出させ、画像データに基づく画像形成(描画)を行うものであり、一方のバックロール5の近傍に配置されている。なお、インクジェットヘッド21の構成については後述する。   The ink jet head unit 2 ejects ink from the ink jet head 21 toward the recording medium P to perform image formation (drawing) based on image data, and is disposed in the vicinity of one back roll 5. The configuration of the inkjet head 21 will be described later.

繰り出しロール3、巻き取りロール4および各バックロール5は、軸回りに回転可能な円柱形状からなる部材である。繰り出しロール3は、周面に幾重にも亘って巻回された長尺状の記録媒体Pを、インクジェットヘッド部2との対向位置に向けて繰り出すロールである。この繰り出しロール3は、モータ等の図示しない駆動手段によって回転することで、記録媒体Pを図1のX方向へ繰り出して搬送する。   The feed roll 3, the take-up roll 4 and the back rolls 5 are members each having a cylindrical shape that can rotate about its axis. The feeding roll 3 is a roll that feeds the long recording medium P wound around the circumferential surface toward the position facing the inkjet head unit 2. The feeding roll 3 is rotated by driving means (not shown) such as a motor, thereby feeding the recording medium P in the X direction in FIG.

巻き取りロール4は、繰り出しロール3より繰り出されて、インクジェットヘッド部2によってインクが吐出された記録媒体Pを周面に巻き取る。   The take-up roll 4 is taken out from the take-out roll 3 and takes up the recording medium P on which the ink is ejected by the inkjet head unit 2 around the circumferential surface.

各バックロール5は、繰り出しロール3と巻き取りロール4との間に配設されている。記録媒体Pの搬送方向上流側に位置する一方のバックロール5は、繰り出しロール3によって繰り出された記録媒体Pを、周面の一部に巻き付けて支持しながら、インクジェットヘッド部2との対向位置に向けて搬送する。他方のバックロール5は、インクジェットヘッド部2との対向位置から巻き取りロール4に向けて、記録媒体Pを周面の一部に巻き付けて支持しながら搬送する。   Each back roll 5 is disposed between the feed roll 3 and the take-up roll 4. One back roll 5 located on the upstream side in the conveyance direction of the recording medium P is opposed to the inkjet head unit 2 while winding the recording medium P fed by the feeding roll 3 around and supporting the recording medium P. Transport toward The other back roll 5 conveys the recording medium P from a position facing the inkjet head unit 2 toward the take-up roll 4 while being wound around and supported by a part of the peripheral surface.

中間タンク6は、貯留タンク8より供給されるインクを一時的に貯留する。また、中間タンク6は、インクチューブ10と接続され、各インクジェットヘッド21におけるインクの背圧を調整して、各インクジェットヘッド21にインクを供給する。   The intermediate tank 6 temporarily stores the ink supplied from the storage tank 8. The intermediate tank 6 is connected to the ink tube 10, adjusts the back pressure of the ink in each inkjet head 21, and supplies the ink to each inkjet head 21.

送液ポンプ7は、貯留タンク8に貯留されたインクを中間タンク6に供給するものであり、供給管11の途中に配設されている。貯留タンク8に貯留されたインクは、送液ポンプ7によって汲み上げられ、供給管11を介して中間タンク6に供給される。   The liquid feed pump 7 supplies the ink stored in the storage tank 8 to the intermediate tank 6 and is disposed in the middle of the supply pipe 11. The ink stored in the storage tank 8 is pumped up by the liquid feed pump 7 and supplied to the intermediate tank 6 through the supply pipe 11.

定着機構9は、インクジェットヘッド部2によって記録媒体Pに吐出されたインクを当該記録媒体Pに定着させる。この定着機構9は、吐出されたインクを記録媒体Pに加熱定着するためのヒータや、吐出されたインクにUV(紫外線)を照射することによりインクを硬化させるためのUVランプ等で構成されている。   The fixing mechanism 9 fixes the ink ejected to the recording medium P by the inkjet head unit 2 on the recording medium P. The fixing mechanism 9 includes a heater for heat-fixing the discharged ink on the recording medium P, a UV lamp for curing the ink by irradiating the discharged ink with UV (ultraviolet light), and the like. Yes.

上記の構成において、繰り出しロール3から繰り出される記録媒体Pは、バックロール5により、インクジェットヘッド部2との対向位置に搬送され、インクジェットヘッド部2から記録媒体Pに対してインクが吐出される。その後、記録媒体Pに吐出されたインクは定着機構9によって定着され、インク定着後の記録媒体Pが巻き取りロール4によって巻き取られる。このようにラインヘッド方式のインクジェットプリンタ1では、インクジェットヘッド部2を静止させた状態で、記録媒体Pを搬送しながらインクが吐出され、記録媒体Pに画像が形成される。   In the above configuration, the recording medium P fed from the feeding roll 3 is transported to a position facing the inkjet head unit 2 by the back roll 5, and ink is ejected from the inkjet head unit 2 to the recording medium P. Thereafter, the ink ejected onto the recording medium P is fixed by the fixing mechanism 9, and the recording medium P after ink fixing is taken up by the take-up roll 4. As described above, in the line head type inkjet printer 1, ink is ejected while the recording medium P is conveyed while the inkjet head unit 2 is stationary, and an image is formed on the recording medium P.

なお、インクジェットプリンタ1は、シリアルヘッド方式で記録媒体に画像を形成する構成であってもよい。シリアルヘッド方式とは、記録媒体を搬送しながら、その搬送方向と直交する方向(幅方向)にインクジェットヘッドを移動させてインクを吐出し、画像を形成する方式である。この場合、インクジェットヘッドは、キャリッジ等の構造体に支持された状態で、記録媒体の幅方向に移動する。   The ink jet printer 1 may be configured to form an image on a recording medium by a serial head method. The serial head method is a method of forming an image by ejecting ink by moving an inkjet head in a direction (width direction) orthogonal to the transport direction while transporting a recording medium. In this case, the ink jet head moves in the width direction of the recording medium while being supported by a structure such as a carriage.

〔インクジェットヘッドの構成〕
次に、上記したインクジェットヘッド21の構成について説明する。図2は、インクジェットヘッド21の概略の構成を示す平面図と、その平面図におけるA−A’線矢視断面図とを併せて示したものである。
[Configuration of inkjet head]
Next, the configuration of the inkjet head 21 will be described. FIG. 2 shows a plan view showing a schematic configuration of the inkjet head 21 and a cross-sectional view taken along line AA ′ in the plan view.

インクジェットヘッド21は、流路基板22と、振動板23と、ノズル基板24とを有しており、流路基板22が振動板23とノズル基板24とで挟み込まれた構成となっている。流路基板22、振動板23、ノズル基板24の厚さは、それぞれ一定である(詳細は後述する)。ノズル基板24には、後述する圧力室33内のインクを外部に吐出するためのノズル孔24aが形成されている。   The inkjet head 21 has a flow path substrate 22, a vibration plate 23, and a nozzle substrate 24, and the flow path substrate 22 is sandwiched between the vibration plate 23 and the nozzle substrate 24. The thicknesses of the flow path substrate 22, the diaphragm 23, and the nozzle substrate 24 are constant (details will be described later). The nozzle substrate 24 is formed with nozzle holes 24a for ejecting ink in a pressure chamber 33 described later to the outside.

流路基板22は、シリコン基板31と、酸化膜32とを積層して構成されており、振動板23は、シリコン基板で構成されている。このような流路基板22および振動板23は、酸化膜を介して2枚のシリコン基板を接合したSOI(Silicon on Insulator)基板で一体的に構成することができる。流路基板22の厚さは、例えば200μmであり、振動板23の厚さは、例えば5μmである。振動板23の厚さは、圧電薄膜52の厚さに基づく変位量に応じて適切に調整するとよい。本実施形態では、後述する圧電薄膜52の厚さが1〜6μmであるため、シリコンからなる振動板23の厚さとしては、3〜10μm確保されていればよく、4〜7μm確保されていることが望ましい。なお、流路基板22は、シリコン基板のみで構成されて、振動板23と一体的になっていてもよい(流路基板22と振動板23とは単一のシリコン基板で構成されていてもよい)。   The flow path substrate 22 is configured by laminating a silicon substrate 31 and an oxide film 32, and the diaphragm 23 is configured by a silicon substrate. Such a flow path substrate 22 and the diaphragm 23 can be integrally configured by an SOI (Silicon on Insulator) substrate in which two silicon substrates are bonded via an oxide film. The thickness of the flow path substrate 22 is, for example, 200 μm, and the thickness of the diaphragm 23 is, for example, 5 μm. The thickness of the diaphragm 23 may be appropriately adjusted according to the amount of displacement based on the thickness of the piezoelectric thin film 52. In this embodiment, since the thickness of the piezoelectric thin film 52 to be described later is 1 to 6 μm, the thickness of the vibration plate 23 made of silicon may be secured to 3 to 10 μm, and 4 to 7 μm is secured. It is desirable. The flow path substrate 22 may be formed of only a silicon substrate and may be integrated with the vibration plate 23 (the flow path substrate 22 and the vibration plate 23 may be formed of a single silicon substrate. Good).

流路基板22には、複数の圧力室33と、共通インク室34と、複数の個別流路35とが形成されている。流路基板22において、各圧力室33は平面視で2列に配置されているとともに、隣り合う各列同士で、列方向に半ピッチずつずれて配置されている。   A plurality of pressure chambers 33, a common ink chamber 34, and a plurality of individual channels 35 are formed on the channel substrate 22. In the flow path substrate 22, the pressure chambers 33 are arranged in two rows in a plan view, and are arranged at a half pitch in the column direction between adjacent rows.

共通インク室34は、2列に並んだ複数の圧力室33を両側から挟むように、各列に対応して2本設けられており、各圧力室33に供給するインクを収容している。一方の共通インク室34aは、一方の列に並ぶ複数の圧力室33に共通して設けられており、他方の共通インク室34bは、他方の列に並ぶ複数の圧力室33に共通して設けられている。共通インク室34と各圧力室33とは、個別流路35を介して個別に連通している。これにより、共通インク室34内のインクが、個別流路35を介して各圧力室33に供給される。   Two common ink chambers 34 are provided corresponding to each row so as to sandwich a plurality of pressure chambers 33 arranged in two rows from both sides, and contain ink to be supplied to each pressure chamber 33. One common ink chamber 34a is provided in common to the plurality of pressure chambers 33 arranged in one row, and the other common ink chamber 34b is provided in common to the plurality of pressure chambers 33 arranged in the other row. It has been. The common ink chamber 34 and each pressure chamber 33 are individually communicated with each other through individual flow paths 35. Thereby, the ink in the common ink chamber 34 is supplied to each pressure chamber 33 via the individual flow path 35.

また、各共通インク室34a・34bは、インク供給口36およびインク排出口37を介してインク収容部としての貯留タンク8(図1参照)とそれぞれ連通しており、各共通インク室34a・34bと貯留タンク8との間でインクが循環するようになっている。   Further, the common ink chambers 34a and 34b communicate with the storage tank 8 (see FIG. 1) as an ink storage portion via the ink supply port 36 and the ink discharge port 37, respectively, and the common ink chambers 34a and 34b. And the storage tank 8 circulates ink.

流路基板22において、複数の圧力室33、共通インク室34、および複数の個別流路35は、それぞれ流路基板22の厚み分だけ除去することによって形成されている。したがって、流路基板22だけを見れば、複数の圧力室33、共通インク室34、および複数の個別流路35は、流路基板22を貫通する開口を形成しているとも言える。   In the flow path substrate 22, the plurality of pressure chambers 33, the common ink chamber 34, and the plurality of individual flow paths 35 are each formed by removing the thickness of the flow path substrate 22. Accordingly, if only the flow path substrate 22 is viewed, it can be said that the plurality of pressure chambers 33, the common ink chamber 34, and the plurality of individual flow paths 35 form openings that penetrate the flow path substrate 22.

振動板23上で(流路基板22とは反対側の表面で)、圧力室33aの上方には、圧電素子41が形成されている。圧電素子41は、振動板23を振動させて圧力室33a内のインクに圧力を付与する駆動素子である。なお、振動板23上には、酸化膜などの絶縁膜が形成されていてもよく、圧電素子41は、上記絶縁膜や、その他部材を介して振動板23上に形成されていてもよい。   On the vibration plate 23 (on the surface opposite to the flow path substrate 22), the piezoelectric element 41 is formed above the pressure chamber 33a. The piezoelectric element 41 is a driving element that vibrates the diaphragm 23 and applies pressure to the ink in the pressure chamber 33a. Note that an insulating film such as an oxide film may be formed on the vibration plate 23, and the piezoelectric element 41 may be formed on the vibration plate 23 via the insulating film or other members.

圧電素子41は、振動板23側から順に、下部電極51と、圧電薄膜52と、上部電極53とを積層して構成されている。下部電極51および上部電極53は、駆動回路(図示せず)と接続されている。   The piezoelectric element 41 is configured by laminating a lower electrode 51, a piezoelectric thin film 52, and an upper electrode 53 in order from the diaphragm 23 side. The lower electrode 51 and the upper electrode 53 are connected to a drive circuit (not shown).

下部電極51は、例えばチタン(Ti)や酸化チタン(TiOx)などからなる密着層の上に、白金(Pt)からなる層を形成して構成されている。この下部電極51は、2本の共通インク室34a・34bの間の振動板23上に形成され、各圧力室33aに共通の電極となっている。密着層の厚さは例えば0.02μmであり、Ptの厚さは例えば0.1μmである。つまり、下部電極51の全体の厚みは、例えば0.12μmである。   The lower electrode 51 is configured by forming a layer made of platinum (Pt) on an adhesion layer made of titanium (Ti), titanium oxide (TiOx), or the like. The lower electrode 51 is formed on the diaphragm 23 between the two common ink chambers 34a and 34b, and is an electrode common to the pressure chambers 33a. The thickness of the adhesion layer is, for example, 0.02 μm, and the thickness of Pt is, for example, 0.1 μm. That is, the total thickness of the lower electrode 51 is, for example, 0.12 μm.

圧電薄膜52は、ABO3型のペロブスカイト誘電体薄膜で構成されており、本実施形態では、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)で構成されている。圧電薄膜52は、各圧力室33に対応して設けられている。圧電薄膜33の膜厚は、例えば1〜6μmである。 The piezoelectric thin film 52 is composed of an ABO 3 type perovskite dielectric thin film, and is composed of lead zirconate titanate (PZT) in this embodiment. The piezoelectric thin film 52 is provided corresponding to each pressure chamber 33. The film thickness of the piezoelectric thin film 33 is, for example, 1 to 6 μm.

上部電極53は、各圧力室33に対応して設けられる個別電極であり、例えばTiなどからなる密着層の上に、金(Au)やPtの層を形成して構成されている。密着層の厚さは例えば0.02μmであり、Auの厚さは例えば0.3μmである。つまり、上部電極53の全体の厚みは、例えば0.32μmである。   The upper electrode 53 is an individual electrode provided corresponding to each pressure chamber 33, and is configured by forming a gold (Au) or Pt layer on an adhesion layer made of, for example, Ti. The thickness of the adhesion layer is, for example, 0.02 μm, and the thickness of Au is, for example, 0.3 μm. That is, the total thickness of the upper electrode 53 is, for example, 0.32 μm.

したがって、圧電素子41の全体の厚さは、最大でも6.44μmであり、7μm未満となっている。   Therefore, the total thickness of the piezoelectric element 41 is 6.44 μm at the maximum and less than 7 μm.

また、振動板23において、共通インク室34を覆う壁は、ダンパー23aを構成している。このダンパー23aは、その少なくとも一部が、各圧力室33からインクが外部に吐出するときに変位して、共通インク室34内でのインクの圧力変動(インク変動)を吸収する圧力緩衝壁である。ダンパー23aの厚さは、振動板23の厚さそのもの(例えば5μm)である。   Further, in the diaphragm 23, a wall covering the common ink chamber 34 constitutes a damper 23a. The damper 23 a is a pressure buffer wall that is displaced at least partially when ink is ejected from each pressure chamber 33 to absorb ink pressure fluctuation (ink fluctuation) in the common ink chamber 34. is there. The thickness of the damper 23a is the thickness of the diaphragm 23 itself (for example, 5 μm).

流路基板22においては、圧力室33、共通インク室34、個別流路35からなるインクの流路が形成されるが、このうち、共通インク室34は、流路の最も広い流路となり、インク流量が大きい。このため、ダンパー23aは、最大流量時のインク圧力に耐えられる強度を有していることが必要となる。つまり、ダンパー23aは、少なくとも50kPa以上のインク圧力に耐えられることが必要であり、200kPa以上のインク圧力に耐えられることがより望ましい。   In the flow path substrate 22, an ink flow path including a pressure chamber 33, a common ink chamber 34, and an individual flow path 35 is formed. Of these, the common ink chamber 34 is the widest flow path, The ink flow rate is large. For this reason, the damper 23a needs to have a strength that can withstand the ink pressure at the maximum flow rate. That is, the damper 23a needs to be able to withstand an ink pressure of at least 50 kPa, and more preferably withstand an ink pressure of 200 kPa or more.

振動板23において、上記したダンパー23aの上には(ダンパー23aにおける共通インク室34とは反対側の表面には)、補強膜42が形成されている。補強膜42は、ダンパー23aを補強する膜であり、本実施形態では、単層の膜で構成されている。補強膜42を構成する材料としては、感光性エポキシ系樹脂、酸化シリコン、アクリル樹脂などを用いることができる。特に、インクジェットヘッド21の製造時の耐熱性を考慮すると、補強膜42の材料としては、ガラス転移温度Tgが120℃以上であるものを用いることが望ましく、具体的には、感光性エポキシ系樹脂(Tg=230℃)や酸化シリコン(Tg=1300℃)を用いることが望ましい。   In the diaphragm 23, a reinforcing film 42 is formed on the above-described damper 23a (on the surface of the damper 23a opposite to the common ink chamber 34). The reinforcing film 42 is a film that reinforces the damper 23a, and in the present embodiment, is constituted by a single layer film. As a material constituting the reinforcing film 42, a photosensitive epoxy resin, silicon oxide, acrylic resin, or the like can be used. In particular, considering the heat resistance during the manufacture of the inkjet head 21, it is desirable to use a material having a glass transition temperature Tg of 120 ° C. or higher as the material of the reinforcing film 42. Specifically, a photosensitive epoxy resin is used. It is desirable to use (Tg = 230 ° C.) or silicon oxide (Tg = 1300 ° C.).

補強膜42の厚さは、圧電素子41の厚さ、つまり、下部電極51の厚さ、圧電薄膜52の厚さ、上部電極53の厚さの総和よりも大きい。圧電素子41の厚さは、上述のように7μm未満であるので、補強膜42の厚さは7μm以上である。   The thickness of the reinforcing film 42 is larger than the total thickness of the piezoelectric element 41, that is, the thickness of the lower electrode 51, the thickness of the piezoelectric thin film 52, and the thickness of the upper electrode 53. Since the thickness of the piezoelectric element 41 is less than 7 μm as described above, the thickness of the reinforcing film 42 is 7 μm or more.

上記の構成において、駆動回路から下部電極51および上部電極53に電圧を印加すると、圧電薄膜52が、下部電極51と上部電極53との電位差に応じて、厚さ方向に垂直な方向(流路基板22の面に平行な方向)に伸縮する。すると、圧力室33の上方の振動板23に曲率が生じ、振動板23が厚さ方向に変位(湾曲、振動)する。   In the above configuration, when a voltage is applied from the drive circuit to the lower electrode 51 and the upper electrode 53, the piezoelectric thin film 52 is in a direction perpendicular to the thickness direction (flow path) according to the potential difference between the lower electrode 51 and the upper electrode 53. It expands and contracts in a direction parallel to the surface of the substrate 22. Then, a curvature is generated in the diaphragm 23 above the pressure chamber 33, and the diaphragm 23 is displaced (curved and vibrated) in the thickness direction.

このように、振動板23上に形成された圧電素子41を駆動して、振動板23を振動させることにより、圧力室33内のインクに圧力波が伝搬され、圧力室33内のインクがノズル孔24aを介して外部にインク滴として吐出される。   In this way, by driving the piezoelectric element 41 formed on the vibration plate 23 to vibrate the vibration plate 23, a pressure wave is propagated to the ink in the pressure chamber 33, and the ink in the pressure chamber 33 is transferred to the nozzles. The ink droplets are ejected to the outside through the holes 24a.

本実施形態では、流路基板22において、複数の圧力室33、共通インク室34、複数の個別流路35は、それぞれ流路基板22をその厚み分だけ除去して形成されているため、振動板23(ダンパー23a)におけるインク流路側の表面(圧力室33、共通インク室34、個別流路35の形成側の表面)は、図2の断面図で示すように面一(連続する平坦面)となり、表面に段差が生じない。また、ノズル基板24においても同様に、インク流路側の表面が面一となっている。したがって、圧力室33内の気泡や異物が上記の段差部分でトラップされるということがなく、気泡や異物に起因するインクの吐出不良を低減することができる。   In the present embodiment, in the flow path substrate 22, the plurality of pressure chambers 33, the common ink chamber 34, and the plurality of individual flow paths 35 are formed by removing the flow path substrate 22 by the thickness thereof, so that vibration The surface of the plate 23 (damper 23a) on the ink flow path side (the pressure chamber 33, the common ink chamber 34, and the surface on the formation side of the individual flow path 35) is flush (continuous flat surface) as shown in the sectional view of FIG. ) And there is no step on the surface. Similarly, the nozzle substrate 24 has a flush surface on the ink flow path side. Therefore, bubbles and foreign matters in the pressure chamber 33 are not trapped at the stepped portion, and ink ejection defects caused by the bubbles and foreign matters can be reduced.

また、振動板23において共通インク室34を覆うダンパー23aの上には、圧電素子41の厚さ(下部電極51、圧電薄膜52、上部電極43の各厚さの総和)よりも厚さの大きい補強膜42が形成されて、ダンパー23aを補強しているため、圧電素子41の駆動によるインク吐出時に過度のインク変動があった場合でも、ダンパー23aの破損を低減することができる。特に、補強膜42を、感光性エポキシ系樹脂、酸化シリコンまたはアクリル樹脂で構成することにより、ダンパー23aを確実に補強してその破損を確実に低減することができる。   In addition, the thickness of the piezoelectric element 41 (the sum of the thicknesses of the lower electrode 51, the piezoelectric thin film 52, and the upper electrode 43) is larger on the damper 23 a that covers the common ink chamber 34 in the vibration plate 23. Since the reinforcing film 42 is formed to reinforce the damper 23a, damage to the damper 23a can be reduced even when excessive ink fluctuation occurs during ink ejection by driving the piezoelectric element 41. In particular, when the reinforcing film 42 is made of a photosensitive epoxy resin, silicon oxide, or acrylic resin, the damper 23a can be reliably reinforced and the damage thereof can be reliably reduced.

また、本実施形態のように、小型化、低コスト化のために薄膜化された圧電体(圧電薄膜52)では、変位量が小さいため、振動板23(ダンパー23a)も撓みやすくするよう薄く形成される。したがって、ダンパー23aの破損防止に補強膜42を形成することが特に有効となる。   Further, as in the present embodiment, the piezoelectric body (piezoelectric thin film 52) thinned for miniaturization and cost reduction has a small amount of displacement, so that the diaphragm 23 (damper 23a) is thin so as to be easily bent. It is formed. Therefore, it is particularly effective to form the reinforcing film 42 for preventing the damper 23a from being damaged.

また、補強膜42が圧電素子41よりも大きい厚さのため、後述するインクジェットヘッド21の製造時に、補強膜42を成膜後、流路基板22に圧力室33等を形成すべく、流路基板22を圧電素子41とは反対側からエッチングによって掘り込む際に、補強膜42の部分で基板全体を支持しながらエッチングを行うことができる。したがって、そのエッチングの際に圧電素子41が外部と接触して破損する事態を低減できるというメリットもある。   Further, since the reinforcing film 42 is thicker than the piezoelectric element 41, the flow path is formed so that the pressure chamber 33 and the like are formed in the flow path substrate 22 after forming the reinforcing film 42 when the inkjet head 21 described later is formed. When the substrate 22 is dug from the side opposite to the piezoelectric element 41 by etching, the etching can be performed while supporting the entire substrate with the portion of the reinforcing film 42. Therefore, there is also an advantage that the situation in which the piezoelectric element 41 is damaged by contact with the outside during the etching can be reduced.

また、補強膜42は単層の膜であり、1種類の材料で補強膜42を実現できるため、その実現が容易である。中でも、感光性エポキシ系樹脂や酸化シリコンは、ガラス転移温度Tgが120℃以上であり、耐熱性を有するため、これらの材料で補強膜42を形成することにより、補強膜42の形成後に、高温が必要となる半導体プロセスを利用して、流路基板22に圧力室33a等を微細加工することが可能となる。したがって、圧力室33等の寸法精度の高いインクジェットヘッド21を実現することができる。   Further, the reinforcing film 42 is a single-layer film, and the reinforcing film 42 can be realized with one kind of material, so that the realization thereof is easy. Among these, photosensitive epoxy resins and silicon oxide have a glass transition temperature Tg of 120 ° C. or higher and have heat resistance. Therefore, by forming the reinforcing film 42 with these materials, the high temperature after forming the reinforcing film 42 is high. It is possible to finely process the pressure chamber 33a and the like in the flow path substrate 22 by using a semiconductor process that requires the above. Therefore, it is possible to realize the inkjet head 21 with high dimensional accuracy such as the pressure chamber 33.

また、流路基板22をドライエッチング等によって加工し、圧力室33a等の流路を形成する場合、補強膜42の表面と圧電素子41の表面(上部電極53の上面)との段差が大きいと、ウェハ面内に温度ムラが生じ、流路加工を精度良く行うことができない。レジストや粘着剤付き保護テープで段差を埋めることも可能であるが、補強膜42の表面と圧電素子41の表面との段差は、35μm以下であることが望ましい。つまり、上記段差が35μm以下であることにより、上記した温度ムラによる圧力室33等の加工精度の低下を回避して、圧力室33等の寸法精度を良好に確保することができる。   Further, when the flow path substrate 22 is processed by dry etching or the like to form a flow path such as the pressure chamber 33a, the step between the surface of the reinforcing film 42 and the surface of the piezoelectric element 41 (the upper surface of the upper electrode 53) is large. The temperature unevenness occurs in the wafer surface, and the flow path processing cannot be performed with high accuracy. Although the step can be filled with a resist or a protective tape with an adhesive, the step between the surface of the reinforcing film 42 and the surface of the piezoelectric element 41 is preferably 35 μm or less. That is, when the level difference is 35 μm or less, it is possible to avoid a decrease in the processing accuracy of the pressure chamber 33 and the like due to the above-described temperature unevenness and to ensure good dimensional accuracy of the pressure chamber 33 and the like.

〔インクジェットヘッドの他の構成〕
図3は、インクジェットヘッド21の他の構成を示す平面図と、その平面図におけるA−A’線矢視断面図とを併せて示したものである。同図に示すように、補強膜42は、複数の膜を積層した積層膜で構成されていてもよい。より具体的には、補強膜42は、圧電素子41の下部電極51および圧電薄膜52と同じ層構成の膜61と、上述の感光性エポキシ系樹脂等からなる膜62とを積層して構成されていてもよい。なお、補強膜42の厚さ(膜61の厚さと膜62の厚さとの総和)が圧電素子41の厚さよりも大きい点は、図2の構成と同じである。なお、膜61は、圧電素子41の下部電極51と同じ層のみで構成されていてもよいし、下部電極51、圧電薄膜52、上部電極53と同じ層構成で構成されていてもよい。
[Other configurations of inkjet head]
FIG. 3 shows a plan view showing another configuration of the inkjet head 21 and a cross-sectional view taken along the line AA ′ in the plan view. As shown in the figure, the reinforcing film 42 may be composed of a laminated film in which a plurality of films are laminated. More specifically, the reinforcing film 42 is formed by laminating a film 61 having the same layer structure as the lower electrode 51 and the piezoelectric thin film 52 of the piezoelectric element 41 and a film 62 made of the above-described photosensitive epoxy resin or the like. It may be. 2 is the same as the configuration of FIG. 2 in that the thickness of the reinforcing film 42 (the sum of the thickness of the film 61 and the thickness of the film 62) is larger than the thickness of the piezoelectric element 41. The film 61 may be composed of only the same layer as the lower electrode 51 of the piezoelectric element 41, or may be composed of the same layer structure as the lower electrode 51, the piezoelectric thin film 52, and the upper electrode 53.

インクジェットヘッド21においては、電極の取り出しのために、または、ヘッドの特性を安定させるために、圧電素子41の少なくとも一部(図3では下部電極51および圧電薄膜52)を、振動板23上において、圧力室33aの上方から共通インク室34の上方まで引き出して構成する場合がある。ダンパー23a上の補強膜42を積層膜とする場合、圧電素子41の引き出し部分(膜61)を、補強膜42の一部として活用することができ、膜61の上に膜62を付加するだけで、補強膜42を形成することができる。したがって、共通インク室34の上方の引き出し部分(膜61)をわざわざ除去して、補強膜42を一から形成しなくても済み、補強膜42の形成の手間が省ける。そして、圧電素子41の引き出し部分(膜61)を補強膜42に活用した構成で、ダンパー23aの補強を行うことができる。   In the inkjet head 21, at least a part of the piezoelectric element 41 (the lower electrode 51 and the piezoelectric thin film 52 in FIG. 3) is placed on the diaphragm 23 in order to take out the electrode or stabilize the characteristics of the head. In some cases, the pressure chamber 33a is drawn from above the common ink chamber 34. When the reinforcing film 42 on the damper 23a is a laminated film, the lead-out portion (film 61) of the piezoelectric element 41 can be used as a part of the reinforcing film 42, and only the film 62 is added on the film 61. Thus, the reinforcing film 42 can be formed. Therefore, the drawing portion (film 61) above the common ink chamber 34 is purposely removed and the reinforcing film 42 does not have to be formed from scratch, and the labor for forming the reinforcing film 42 can be saved. The damper 23a can be reinforced with a configuration in which the lead-out portion (film 61) of the piezoelectric element 41 is utilized as the reinforcing film 42.

本実施形態では、振動板23(ダンパー23a)と流路基板22とが、シリコン基板または2枚のシリコン基板を接合したSOI基板から製造されて一体的に構成されている例について説明したが、振動板23と流路基板22とが別体で構成されていてもよい。   In the present embodiment, the example in which the diaphragm 23 (damper 23a) and the flow path substrate 22 are manufactured from a silicon substrate or an SOI substrate obtained by bonding two silicon substrates and configured integrally is described. The diaphragm 23 and the flow path substrate 22 may be configured separately.

〔インクジェットヘッドの製造方法〕
次に、インクジェットヘッドの製造方法について説明する。なお、以下で示す厚さ等の数値は一例であり、この数値に限定されるわけではない。
[Inkjet head manufacturing method]
Next, a method for manufacturing the ink jet head will be described. In addition, the numerical values such as the thickness shown below are examples, and are not limited to these numerical values.

(実施例1)
まず、図2で示したインクジェットヘッド21の製造方法について、実施例1として説明する。図4および図5は、実施例1のインクジェットヘッド21の製造工程を示す断面図である。実施例1のインクジェットヘッド21は、以下の工程(1)〜(9)を順に経て製造される。
Example 1
First, a manufacturing method of the ink jet head 21 shown in FIG. 4 and 5 are cross-sectional views illustrating the manufacturing process of the inkjet head 21 of the first embodiment. The inkjet head 21 of Example 1 is manufactured through the following steps (1) to (9) in order.

(1)流路基板22および振動板23となる基板材料を用意する。基板材料は、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)に多く利用されている結晶シリコン(Si)であり、ここでは、酸化膜32を介して2枚のシリコン基板(シリコン基板31、振動板23)が接合されたSOI構造のものを用いる。シリコン基板の厚さは規格等で決められており、例えば直径6インチサイズの場合、厚さは600μm程度である。SOIウェハにおいて、振動板23となるSi薄膜層の厚さは5μmである。   (1) Prepare substrate materials for the flow path substrate 22 and the diaphragm 23. The substrate material is crystalline silicon (Si), which is widely used in MEMS (Micro Electro Mechanical Systems). Here, two silicon substrates (silicon substrate 31 and vibration plate 23) are bonded via an oxide film 32. The SOI structure having the above structure is used. The thickness of the silicon substrate is determined by a standard or the like. For example, in the case of a 6-inch diameter, the thickness is about 600 μm. In the SOI wafer, the thickness of the Si thin film layer serving as the vibration plate 23 is 5 μm.

(2)基板(振動板23)上に、下部電極51を構成する層51aとして、Ti層(厚さ0.02μm)、Pt層(厚さ0.1μm)をスパッタ法で順に成膜する。続けて、基板を600℃程度に再加熱し、層51a上に、圧電薄膜52を構成するPZTの層52a(厚さ5μm)をスパッタ法で成膜する。   (2) A Ti layer (thickness: 0.02 μm) and a Pt layer (thickness: 0.1 μm) are sequentially formed by sputtering on the substrate (vibrating plate 23) as the layer 51a constituting the lower electrode 51. Subsequently, the substrate is reheated to about 600 ° C., and a PZT layer 52 a (thickness 5 μm) constituting the piezoelectric thin film 52 is formed on the layer 51 a by sputtering.

(3)層52a上に、上部電極53を構成する層53aとして、Ti層(厚さ0.02μm)、Au層(厚さ0.3μm)をスパッタ法で順に成膜する。   (3) A Ti layer (thickness: 0.02 μm) and an Au layer (thickness: 0.3 μm) are sequentially formed on the layer 52a by sputtering as the layer 53a constituting the upper electrode 53.

(4)層53a上に、レジストとしての感光性樹脂材料をスピンコート法で塗布し、マスクを介して露光、エッチングを行い、レジストの不要な部分を除去することにより、上部電極53の形状を転写する(フォトリソグラフィー)。続けて、レジストをマスクとしてエッチングを行い、層53aの不要な部分を除去して上部電極53をパターニング形成する。このようなフォトリソグラフィーとエッチングとを繰り返し、圧電薄膜52、下部電極51をパターニング形成する。これにより、圧電素子41が形成される。   (4) A photosensitive resin material as a resist is applied onto the layer 53a by a spin coat method, and exposure and etching are performed through a mask to remove unnecessary portions of the resist, thereby forming the shape of the upper electrode 53. Transfer (photolithography). Subsequently, etching is performed using the resist as a mask to remove unnecessary portions of the layer 53a, and the upper electrode 53 is formed by patterning. Such photolithography and etching are repeated to form the piezoelectric thin film 52 and the lower electrode 51 by patterning. Thereby, the piezoelectric element 41 is formed.

なお、少なくとも上記した(2)〜(4)の工程は、流路基板22に圧力室33および共通インク室34を形成する前に、流路基板22の一方の面側に、圧力室33を駆動するための圧電素子41を形成する工程に対応する。   At least the steps (2) to (4) described above, the pressure chamber 33 is formed on one surface side of the flow path substrate 22 before the pressure chamber 33 and the common ink chamber 34 are formed on the flow path substrate 22. This corresponds to the step of forming the piezoelectric element 41 for driving.

(5)図5に示すように、振動板23上において、圧電素子41を覆うように、補強膜42を構成する層42a(厚さ25μm)を成膜する。層42aは、感光性永久膜(東京応化製 TMMR S2000、感光性エポキシ系樹脂、Tg=230℃)をスピンコート法で塗布することによって成膜される。   (5) As shown in FIG. 5, a layer 42 a (thickness 25 μm) constituting the reinforcing film 42 is formed on the diaphragm 23 so as to cover the piezoelectric element 41. The layer 42a is formed by applying a photosensitive permanent film (TMMR S2000, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., photosensitive epoxy resin, Tg = 230 ° C.) by spin coating.

(6)マスクを介して層42aを露光し、現像することにより、層42aの不要な部分を除去する。これにより、補強膜42の形状が転写される(フォトリソグラフィー)。なお、補強膜42が圧電素子41のパターンに重なってしまうと、圧電特性に影響が出てしまうため、補強膜42をパターニング形成する際には、半導体プロセスレベルの加工精度が必要となる。   (6) Unnecessary portions of the layer 42a are removed by exposing and developing the layer 42a through a mask. Thereby, the shape of the reinforcing film 42 is transferred (photolithography). If the reinforcing film 42 overlaps the pattern of the piezoelectric element 41, the piezoelectric characteristics are affected. Therefore, when the reinforcing film 42 is formed by patterning, processing accuracy at the semiconductor process level is required.

なお、上記した(5)〜(6)の工程は、流路基板22に圧力室33および共通インク室34を形成する前に、流路基板22の一方の面側に、共通インク室34を覆う壁(ダンパー23a)となる部分を補強する補強膜42を形成する工程に対応する。なお、補強膜42の厚さは25μmであり、圧電素子41(厚さ5.44μm)よりも厚い。   In the steps (5) to (6) described above, the common ink chamber 34 is formed on one surface side of the flow path substrate 22 before the pressure chamber 33 and the common ink chamber 34 are formed on the flow path substrate 22. This corresponds to the step of forming the reinforcing film 42 that reinforces the portion that becomes the covering wall (damper 23a). The reinforcing film 42 has a thickness of 25 μm, which is thicker than the piezoelectric element 41 (thickness 5.44 μm).

(7)流路基板22が所定の厚さ(例えば200μm)となるように、流路基板22の裏面側(流路基板22における圧電素子41の形成側とは反対側)の面を研削・研磨する。   (7) The surface of the back surface side of the flow path substrate 22 (the side opposite to the formation side of the piezoelectric element 41 in the flow path substrate 22) is ground and ground so that the flow path substrate 22 has a predetermined thickness (for example, 200 μm). Grind.

(8)流路基板22の裏面側に、感光性樹脂材料をスピンコート法で塗布し、マスクを介して露光、現像することにより、不要な部分を除去する。続けて、パターニングされた感光性樹脂材料をマスクとして、反応性イオンエッチング法を用いてSiの除去加工を行う。このとき、流路基板22をその厚み分だけ除去することにより、流路基板22に複数の圧力室33、共通インク室34、複数の個別流路35を同時に形成する。共通インク室34の形成により、振動板23において、共通インク室34を覆う部分がダンパー23aとなる。ダンパー23aの共通インク室34側の表面は、平坦面である。また、ダンパー23aにおける共通インク室34とは反対側の表面に補強膜42が形成されていることにより、ダンパー23aが補強される。   (8) A photosensitive resin material is applied to the back surface side of the flow path substrate 22 by spin coating, and unnecessary portions are removed by exposure and development through a mask. Subsequently, Si is removed using a reactive ion etching method using the patterned photosensitive resin material as a mask. At this time, a plurality of pressure chambers 33, a common ink chamber 34, and a plurality of individual channels 35 are simultaneously formed in the channel substrate 22 by removing the channel substrate 22 by the thickness. Due to the formation of the common ink chamber 34, a portion of the diaphragm 23 that covers the common ink chamber 34 becomes the damper 23a. The surface of the damper 23a on the common ink chamber 34 side is a flat surface. Further, the damper 23a is reinforced by forming the reinforcing film 42 on the surface of the damper 23a opposite to the common ink chamber 34.

なお、上記のイオンエッチング中は、ウェハが高温(例えば120℃)になるため、補強膜42には耐熱性が必要になるが、使用した感光性永久膜のTgは230℃であり、問題はない。   During the above ion etching, the wafer becomes high temperature (for example, 120 ° C.), and thus the reinforcing film 42 needs to have heat resistance, but the Tg of the used photosensitive permanent film is 230 ° C. Absent.

上記した(8)の工程は、流路基板22に、複数の圧力室33を形成する工程と、共通インク室34を形成する工程とに対応する。   The step (8) described above corresponds to the step of forming the plurality of pressure chambers 33 and the step of forming the common ink chamber 34 on the flow path substrate 22.

(9)流路基板22の裏面側に、ノズル孔24aを有するノズル基板24を接着剤等で貼り合わせることにより、インクジェットヘッド21が完成する。   (9) The ink jet head 21 is completed by bonding the nozzle substrate 24 having the nozzle holes 24a to the back surface side of the flow path substrate 22 with an adhesive or the like.

ヘッドに配列されるチャネル(インク吐出部)の数によって、ダンパー23aの必要な可撓性が変わってくるが、実施例1において、インク変動をダンパー23aで抑え、かつ、補強膜42でダンパー23aの破損を低減するための各部の寸法についてまとめると、以下のようになる。
圧力室直径:250μm
振動板厚み:5μm
圧電薄膜直径:180μm
圧電薄膜厚み:5μm
上部電極厚み:0.32μm
下部電極厚み:0.12μm
ダンパー厚み:5μm
補強膜(感光性永久膜)厚み:25μm
チャネル数:128個
流路基板厚み:200μm
The required flexibility of the damper 23a varies depending on the number of channels (ink ejection portions) arranged in the head. In the first embodiment, the ink fluctuation is suppressed by the damper 23a, and the damper 23a is formed by the reinforcing film 42. Summarizing the dimensions of each part for reducing the breakage of the sheet is as follows.
Pressure chamber diameter: 250 μm
Diaphragm thickness: 5 μm
Piezoelectric thin film diameter: 180 μm
Piezoelectric thin film thickness: 5μm
Upper electrode thickness: 0.32 μm
Lower electrode thickness: 0.12 μm
Damper thickness: 5μm
Reinforcing film (photosensitive permanent film) thickness: 25 μm
Number of channels: 128 Channel substrate thickness: 200 μm

(実施例2)
次に、図2で示したインクジェットヘッド21の他の製造方法について、実施例2として説明する。図6および図7は、実施例2のインクジェットヘッド21の製造工程を示す断面図である。実施例2のインクジェットヘッド21は、以下の工程(1)〜(10)を順に経て製造される。
(Example 2)
Next, another method for manufacturing the inkjet head 21 shown in FIG. 6 and 7 are cross-sectional views illustrating the manufacturing process of the inkjet head 21 of the second embodiment. The inkjet head 21 of Example 2 is manufactured through the following steps (1) to (10) in order.

(1)流路基板22および振動板23として、振動板23となるSi薄膜層の厚みが15μmのSOIウェハを使用する。   (1) As the flow path substrate 22 and the diaphragm 23, an SOI wafer having a Si thin film layer serving as the diaphragm 23 having a thickness of 15 μm is used.

(2)上記のSOIウェハを加熱炉に入れ、1500℃程度に所定時間保持して、Si薄膜層の表面に、補強膜42を構成する層42aを形成する。層42aは、SiO2からなる熱酸化膜であり、その厚さは10μmである。 (2) The above SOI wafer is put into a heating furnace and held at about 1500 ° C. for a predetermined time to form a layer 42a constituting the reinforcing film 42 on the surface of the Si thin film layer. The layer 42a is a thermal oxide film made of SiO 2 and has a thickness of 10 μm.

(3)層42aの上に、感光性樹脂材料をスピンコート法で塗布し、マスクを介して露光、現像して、不要な部分を除去することにより、補強膜42の形状を転写する(フォトリソグラフィー)。続けて、ウェットエッチングや反応性イオンエッチング法を用いて、層42aの不要な部分を除去する(エッチング)。これにより、補強膜42がパターニング形成される。   (3) A photosensitive resin material is applied onto the layer 42a by spin coating, exposed and developed through a mask, and unnecessary portions are removed to transfer the shape of the reinforcing film 42 (photo) Lithography). Subsequently, unnecessary portions of the layer 42a are removed (etching) using wet etching or reactive ion etching. Thereby, the reinforcing film 42 is formed by patterning.

なお、少なくとも上記した(2)〜(3)の工程は、流路基板22に圧力室33および共通インク室34を形成する前に、流路基板22の一方の面側に、共通インク室34を覆う壁(ダンパー23a)となる部分を補強する補強膜42を形成する工程に対応する。なお、補強膜42の厚さは10μmであり、後述の圧電素子41(厚さ5.44μm)よりも厚い。   Note that at least the steps (2) to (3) described above are performed on the common ink chamber 34 on one surface side of the flow path substrate 22 before the pressure chamber 33 and the common ink chamber 34 are formed on the flow path substrate 22. This corresponds to the step of forming the reinforcing film 42 that reinforces the portion that becomes the wall (damper 23a) that covers the wall. The reinforcing film 42 has a thickness of 10 μm, which is thicker than a piezoelectric element 41 (thickness 5.44 μm) described later.

(4)SOIウェハ上に、下部電極51を構成する層51aとして、Ti層(厚さ0.02μm)、Pt層(厚さ0.1μm)をスパッタ法で順に成膜する。続けて、基板を600℃程度に再加熱し、層51a上に、圧電薄膜52を構成するPZTの層52a(厚さ5μm)をスパッタ法で成膜する。   (4) A Ti layer (thickness: 0.02 μm) and a Pt layer (thickness: 0.1 μm) are sequentially formed on the SOI wafer by sputtering as the layer 51a constituting the lower electrode 51. Subsequently, the substrate is reheated to about 600 ° C., and a PZT layer 52 a (thickness 5 μm) constituting the piezoelectric thin film 52 is formed on the layer 51 a by sputtering.

(5)層52a上に、上部電極53を構成する層53aとして、Ti層(厚さ0.02μm)、Au層(厚さ0.3μm)をスパッタ法で順に成膜する。   (5) A Ti layer (thickness: 0.02 μm) and an Au layer (thickness: 0.3 μm) are sequentially formed on the layer 52a by sputtering as the layer 53a constituting the upper electrode 53.

(6)層53a上に、レジストとしての感光性樹脂材料をスピンコート法で塗布し、マスクを介して露光、エッチングを行い、レジストの不要な部分を除去することにより、上部電極53の形状を転写する(フォトリソグラフィー)。続けて、レジストをマスクとしてエッチングを行い、層53aの不要な部分を除去して上部電極53をパターニング形成する。このようなフォトリソグラフィーとエッチングとを繰り返し、圧電薄膜52をパターニング形成する。   (6) A photosensitive resin material as a resist is applied on the layer 53a by a spin coat method, exposed and etched through a mask, and unnecessary portions of the resist are removed, thereby forming the shape of the upper electrode 53. Transfer (photolithography). Subsequently, etching is performed using the resist as a mask to remove unnecessary portions of the layer 53a, and the upper electrode 53 is formed by patterning. Such photolithography and etching are repeated to form the piezoelectric thin film 52 by patterning.

(7)上記のフォトリソグラフィーとエッチングとを繰り返し、下部電極51をパターニング形成する。これにより、圧電素子41が形成される。   (7) The above photolithography and etching are repeated to form the lower electrode 51 by patterning. Thereby, the piezoelectric element 41 is formed.

なお、少なくとも上記した(4)〜(7)の工程は、流路基板22に圧力室33および共通インク室34を形成する前に、流路基板22の一方の面側に、圧力室33を駆動するための圧電素子41を形成する工程に対応する。   At least the steps (4) to (7) described above, the pressure chamber 33 is formed on one surface side of the flow path substrate 22 before the pressure chamber 33 and the common ink chamber 34 are formed on the flow path substrate 22. This corresponds to the step of forming the piezoelectric element 41 for driving.

(8)流路基板22が所定の厚さ(例えば200μm)となるように、流路基板22の裏面側(圧電素子41の形成側とは反対側)の面を研削・研磨する。   (8) The surface of the back surface side of the flow path substrate 22 (on the side opposite to the formation side of the piezoelectric element 41) is ground and polished so that the flow path substrate 22 has a predetermined thickness (for example, 200 μm).

(9)流路基板22の裏面側に、感光性樹脂材料をスピンコート法で塗布し、マスクを介して露光、現像することにより、不要な部分を除去する。その後、パターニングされた感光性樹脂材料をマスクとして、反応性イオンエッチング法を用いてSiの除去加工を行う。このとき、流路基板22をその厚み分だけ掘り込むことにより、流路基板22に圧力室33、共通インク室34、個別流路35を同時に形成する。共通インク室34の形成により、振動板23において、共通インク室34を覆う部分がダンパー23aとなる。ダンパー23aの共通インク室34側の表面は、平坦面である。また、ダンパー23aにおける共通インク室34とは反対側の表面に補強膜42が形成されていることにより、ダンパー23aが補強される。   (9) A photosensitive resin material is applied to the back surface side of the flow path substrate 22 by a spin coat method, and unnecessary portions are removed by exposure and development through a mask. Thereafter, Si is removed by reactive ion etching using the patterned photosensitive resin material as a mask. At this time, the pressure chamber 33, the common ink chamber 34, and the individual flow path 35 are simultaneously formed in the flow path substrate 22 by digging the flow path substrate 22 by the thickness. Due to the formation of the common ink chamber 34, a portion of the diaphragm 23 that covers the common ink chamber 34 becomes the damper 23a. The surface of the damper 23a on the common ink chamber 34 side is a flat surface. Further, the damper 23a is reinforced by forming the reinforcing film 42 on the surface of the damper 23a opposite to the common ink chamber 34.

なお、上記のイオンエッチング中は、ウェハが高温(例えば120℃)になるため、補強膜42には耐熱性が必要になるが、補強膜42となる熱酸化膜(SiO2)のTgは1300℃であり、問題はない。 Incidentally, in the above ion etching, since the wafer is a high temperature (e.g. 120 ° C.), it becomes necessary heat resistance to the reinforcing film 42, the Tg of the thermal oxidation film serving as a reinforcement film 42 (SiO 2) 1300 It is ℃ and there is no problem.

上記した(9)の工程は、流路基板22に、複数の圧力室33を形成する工程と、共通インク室34を形成する工程とに対応する。   The step (9) described above corresponds to the step of forming the plurality of pressure chambers 33 in the flow path substrate 22 and the step of forming the common ink chamber 34.

(10)流路基板22の裏面側に、ノズル孔24aを有するノズル基板24を接着剤等で貼り合わせることにより、インクジェットヘッド21が完成する。   (10) The ink jet head 21 is completed by bonding the nozzle substrate 24 having the nozzle holes 24a to the back surface side of the flow path substrate 22 with an adhesive or the like.

実施例2において、インク変動をダンパー23aで抑え、かつ、補強膜42でダンパー23aの破損を低減するための各部の寸法についてまとめると、以下のようになる。
圧力室直径:250μm
振動板厚み:5μm
圧電薄膜直径:180μm
圧電薄膜厚み:5μm
上部電極厚み:0.32μm
下部電極厚み:0.12μm
ダンパー厚み:5μm
補強膜(SiO2膜)厚み:10μm
チャネル数:128個
流路基板厚み:200μm
In Example 2, the dimensions of each part for suppressing ink fluctuation with the damper 23a and reducing the damage of the damper 23a with the reinforcing film 42 are summarized as follows.
Pressure chamber diameter: 250 μm
Diaphragm thickness: 5 μm
Piezoelectric thin film diameter: 180 μm
Piezoelectric thin film thickness: 5μm
Upper electrode thickness: 0.32 μm
Lower electrode thickness: 0.12 μm
Damper thickness: 5μm
Reinforcing film (SiO 2 film) thickness: 10 μm
Number of channels: 128 Channel substrate thickness: 200 μm

(実施例3)
次に、図3で示したインクジェットヘッド21の製造方法について、実施例3として説明する。実施例3では、実施例1の第1の工程において、圧電素子41のパターニング形状を変えて補強膜42を形成している。それ以外は、実施例1と同様である。以下、実施例1と異なる部分のみ説明する。
(Example 3)
Next, a method for manufacturing the inkjet head 21 shown in FIG. In the third embodiment, the reinforcing film 42 is formed by changing the patterning shape of the piezoelectric element 41 in the first step of the first embodiment. The rest is the same as in the first embodiment. Only the parts different from the first embodiment will be described below.

上部電極53を実施例1と同じ形状でパターニング形成した後、層52aにおける圧力室33(後の流路基板22のエッチングによって圧力室33となる部分)の上方の一部のみをエッチングして、圧電薄膜52をパターニング形成する。層51aについては、圧力室33の上方から共通インク室34(後の流路基板22のエッチングによって共通インク室34となる部分)の上方にかけて層51aが残るように、それ以外の層51aをエッチングして除去し、下部電極51を形成する。したがって、振動板23上において、共通インク室34の上方には、圧電薄膜52および下部電極51と同じ層構成の膜61が形成される。   After the upper electrode 53 is patterned and formed in the same shape as in the first embodiment, only a part of the layer 52a above the pressure chamber 33 (the portion that becomes the pressure chamber 33 by the subsequent etching of the flow path substrate 22) is etched, The piezoelectric thin film 52 is formed by patterning. As for the layer 51a, the other layers 51a are etched so that the layer 51a remains from above the pressure chamber 33 to above the common ink chamber 34 (the portion that becomes the common ink chamber 34 by the subsequent etching of the flow path substrate 22). And the lower electrode 51 is formed. Therefore, a film 61 having the same layer structure as the piezoelectric thin film 52 and the lower electrode 51 is formed on the vibration plate 23 above the common ink chamber 34.

その後、振動板23上に、感光性永久膜(東京応化製 TMMR S2000、感光性エポキシ系樹脂、Tg=230℃)をスピンコート法により、厚さ15μmで塗布する。続いて、マスクを介して露光し、現像することにより、感光性永久膜の不要な部分を除去する。これにより、膜61上に感光性永久膜からなる膜62が形成されて補強膜42となる。   Thereafter, a photosensitive permanent film (TMMR S2000, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., photosensitive epoxy resin, Tg = 230 ° C.) is applied on the vibration plate 23 by a spin coating method to a thickness of 15 μm. Subsequently, unnecessary portions of the photosensitive permanent film are removed by exposure through a mask and development. As a result, a film 62 made of a photosensitive permanent film is formed on the film 61 and becomes the reinforcing film 42.

実施例3において、インク変動をダンパー23aで抑え、かつ、補強膜42でダンパー23aの破損を低減するための各部の寸法についてまとめると、以下のようになる。
圧力室直径:250μm
振動板厚み:5μm
圧電薄膜直径:180μm
圧電薄膜厚み:5μm
上部電極厚み:0.32μm
下部電極厚み:0.12μm
ダンパー厚み:5μm
補強膜(感光性永久膜)厚み:15μm
チャネル数:128個
流路基板厚み:200μm
In Example 3, the dimensions of each part for suppressing ink fluctuation with the damper 23a and reducing the damage of the damper 23a with the reinforcing film 42 are summarized as follows.
Pressure chamber diameter: 250 μm
Diaphragm thickness: 5 μm
Piezoelectric thin film diameter: 180 μm
Piezoelectric thin film thickness: 5μm
Upper electrode thickness: 0.32 μm
Lower electrode thickness: 0.12 μm
Damper thickness: 5μm
Reinforcing film (photosensitive permanent film) thickness: 15 μm
Number of channels: 128 Channel substrate thickness: 200 μm

(実施例4)
実施例4では、補強膜42(感光性永久膜)を厚さ50μmで形成した以外は、実施例1と同様の方法でインクジェットヘッド21を製造した。
Example 4
In Example 4, the inkjet head 21 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the reinforcing film 42 (photosensitive permanent film) was formed with a thickness of 50 μm.

(実施例5)
実施例5では、補強膜42としてアクリル樹脂を用い、スプレー塗布により、補強膜42を厚さ15μmで成膜している。それ以外は、実施例1と同様の方法でインクジェットヘッド21を製造した。
(Example 5)
In Example 5, an acrylic resin is used as the reinforcing film 42, and the reinforcing film 42 is formed with a thickness of 15 μm by spray coating. Other than that, the inkjet head 21 was manufactured by the method similar to Example 1. FIG.

(比較例1)
比較例1では、補強膜42として、SiO2をスパッタ法により成膜した以外は、実施例1と同様の方法でインクジェットヘッド21を製造した。なお、スパッタ時の成膜レートは遅く、厚みの大きい補強膜42を成膜することは困難であるため、比較例1では、SiO2を厚さ2μmで成膜して補強膜42とした。
(Comparative Example 1)
In Comparative Example 1, the inkjet head 21 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that SiO 2 was formed as the reinforcing film 42 by sputtering. Since the deposition rate at the time of sputtering is slow and it is difficult to form the reinforcing film 42 having a large thickness, in Comparative Example 1, the reinforcing film 42 was formed by depositing SiO 2 with a thickness of 2 μm.

(評価について)
以上の実施例1〜5、比較例1で製造した各インクジェットヘッド21において、ダンパー23aの耐圧性および可撓性、補強膜42の耐熱性、加工精度について評価した。その結果を表1に示す。
(About evaluation)
In each of the inkjet heads 21 manufactured in Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 described above, the pressure resistance and flexibility of the damper 23a, the heat resistance of the reinforcing film 42, and the processing accuracy were evaluated. The results are shown in Table 1.

Figure 2015214127
Figure 2015214127

なお、耐圧性、可撓性、耐熱性、加工精度の各評価基準は、以下の通りである。
(耐圧性評価基準)
○:共通インク室内のインク圧力が200kPa以上でも、ダンパーが破損しなかった。
△:共通インク室内のインク圧力が50kPa以上200kPa未満で、ダンパーが破損した。
×:共通インク室内のインク圧力が50kPa未満で、ダンパーが破損した。
The evaluation criteria for pressure resistance, flexibility, heat resistance, and processing accuracy are as follows.
(Pressure resistance evaluation criteria)
A: The damper was not damaged even when the ink pressure in the common ink chamber was 200 kPa or more.
Δ: The ink pressure in the common ink chamber was 50 kPa or more and less than 200 kPa, and the damper was damaged.
X: The ink pressure in the common ink chamber was less than 50 kPa, and the damper was damaged.

(可撓性評価基準)
○:ダンパーが撓んだときの共通インク室の容積変化分と、インク吐出時の圧力室の容積変化分との比が1.2以上であり、ダンパーの可撓性が十分にあり、また、加工バラツキを考慮しても、ダンパーの可撓性を十分に確保できる。
△:上記の比が1以上1.2未満であり、ダンパーの可撓性が十分にある。
×:上記の比が1未満であり、ダンパーの可撓性が十分ではない。
(Flexibility evaluation criteria)
○: The ratio of the volume change of the common ink chamber when the damper is bent to the volume change of the pressure chamber during ink ejection is 1.2 or more, and the damper has sufficient flexibility. Even if processing variations are taken into account, the flexibility of the damper can be sufficiently secured.
(Triangle | delta): Said ratio is 1 or more and less than 1.2, and the flexibility of a damper is enough.
X: The above ratio is less than 1, and the flexibility of the damper is not sufficient.

(耐熱性評価基準)
○:Tgが120℃以上である。
×:Tgが120℃未満である。
(Heat resistance evaluation criteria)
○: Tg is 120 ° C. or higher.
X: Tg is less than 120 ° C.

(加工精度評価基準)
○:半導体プロセスによる微細加工ができる。
×:半導体プロセスによる微細加工が困難である。
(Processing accuracy evaluation criteria)
○: Fine processing by a semiconductor process is possible.
X: Fine processing by a semiconductor process is difficult.

表1より、実施例1〜5では、ダンパー23aの耐圧性が良好であるが、比較例1では、耐圧性が良好ではないことがわかる。これは、実施例1〜5では、ダンパー23a上に圧電素子41(厚さ7μm未満)よりも膜厚の厚い補強膜42が形成されている結果、ダンパー23aの補強が確実になされている一方、比較例1では、補強膜42の膜厚が2μmと圧電素子41の厚さよりも薄く、インク変動に耐え得る程度のダンパー23aの補強がなされていないためと考えられる。   From Table 1, it can be seen that in Examples 1 to 5, the pressure resistance of the damper 23a is good, but in Comparative Example 1, the pressure resistance is not good. This is because in Examples 1 to 5, the reinforcing film 42 thicker than the piezoelectric element 41 (thickness less than 7 μm) is formed on the damper 23a, so that the damper 23a is reliably reinforced. In Comparative Example 1, it is considered that the reinforcing film 42 has a thickness of 2 μm, which is thinner than the piezoelectric element 41, and the damper 23a is not reinforced enough to withstand ink fluctuations.

したがって、ダンパー23a上に、圧電素子41よりも厚さの大きい補強膜42が形成されることにより、ダンパー23aの耐圧性を十分に確保して、過度のインク変動(インク圧力の増大)によるダンパー23aの破損を低減できると言える。   Accordingly, the reinforcing film 42 having a thickness larger than that of the piezoelectric element 41 is formed on the damper 23a, thereby sufficiently ensuring the pressure resistance of the damper 23a, and the damper due to excessive ink fluctuation (increased ink pressure). It can be said that the damage of 23a can be reduced.

また、実施例1〜5のインクジェットヘッド21において、インク吐出特性を調べたところ、その吐出特性は安定していた。これは、上記のようにダンパー23aの耐圧性の確保によって、過度のインク変動によるダンパー23aの破損が低減されていることと、ダンパー23aの可撓性が良好(○)またはほぼ良好(△)であり、インクの吐出後、ダンパー23aの変形により、貯留タンク8から共通インク室34にインクが確実に供給されていることによるものと考えられる。   Further, when the ink discharge characteristics were examined in the inkjet heads 21 of Examples 1 to 5, the discharge characteristics were stable. This is because the damage of the damper 23a due to excessive ink fluctuation is reduced by securing the pressure resistance of the damper 23a as described above, and the flexibility of the damper 23a is good (◯) or almost good (Δ). It is considered that the ink is reliably supplied from the storage tank 8 to the common ink chamber 34 by the deformation of the damper 23a after the ink is discharged.

また、実施例4では、ダンパー23aの耐圧性は良好であるが、可撓性が少し低下している。これは、ダンパー23aの厚さ5μmに対して、補強膜42の厚さが50μmと厚いため、ダンパー23aを補強する効果は高まるものの、ダンパー23aが変形しにくくなっているためと考えられる。   In Example 4, the pressure resistance of the damper 23a is good, but the flexibility is slightly lowered. This is presumably because the thickness of the reinforcing film 42 is as thick as 50 μm with respect to the thickness of the damper 23 a being 50 μm, so that the effect of reinforcing the damper 23 a is enhanced, but the damper 23 a is not easily deformed.

また、圧電薄膜52の厚さは1〜6μmの範囲で変動するが、下部電極51および上部電極53の厚さの総和は1μmにも満たないため、圧電素子41の厚さは最大でも7μmに届かない。上述の結果より、補強膜42は圧電素子41よりも厚さが大きいことが必要と考えられるため、補強膜42の膜厚は7μm以上であればよいと言える。   The thickness of the piezoelectric thin film 52 varies in the range of 1 to 6 μm. However, since the total thickness of the lower electrode 51 and the upper electrode 53 is less than 1 μm, the thickness of the piezoelectric element 41 is 7 μm at the maximum. Not reach. From the above results, it is considered that the reinforcing film 42 needs to be thicker than the piezoelectric element 41. Therefore, it can be said that the thickness of the reinforcing film 42 may be 7 μm or more.

また、振動板23がシリコンからなり、圧電素子41の厚さが7μm未満である場合、振動板23(ダンパー23a)の厚さが3〜10μmであれば、ダンパー23aが十分に薄いため、ダンパー機能を発揮する。ダンパー23aが良好に変形するためには、ダンパー23aと補強膜42の厚さの総和が40μm以下であることが望ましい。したがって、このような構成において、補強膜42を厚さ7〜37μmで形成することにより、補強膜42によってダンパー23aの耐圧性を向上させながら、同時に可撓性も満足して得ることができると言える。なお、ダンパー23aの厚さの下限値が3μmであるため、ダンパー23aと補強膜42の厚さの総和を40μm以下とした場合、補強膜42の厚さの上限値は37μmとなる。   Further, when the diaphragm 23 is made of silicon and the thickness of the piezoelectric element 41 is less than 7 μm, the damper 23 a is sufficiently thin if the thickness of the diaphragm 23 (damper 23 a) is 3 to 10 μm. Demonstrate the function. In order to deform the damper 23a satisfactorily, it is desirable that the total thickness of the damper 23a and the reinforcing film 42 is 40 μm or less. Therefore, in such a configuration, by forming the reinforcing film 42 with a thickness of 7 to 37 μm, the reinforcing film 42 can improve the pressure resistance of the damper 23a and at the same time satisfy the flexibility. I can say that. Since the lower limit value of the thickness of the damper 23a is 3 μm, when the total thickness of the damper 23a and the reinforcing film 42 is 40 μm or less, the upper limit value of the thickness of the reinforcing film 42 is 37 μm.

また、実施例5では、ダンパー23aの耐圧性は良好であるが、補強膜42の材料として、耐熱性の低いアクリル樹脂を用いているため、補強膜42の形成後に半導体プロセスによる圧力室等の微細加工ができず、加工精度が低下しているものと考えられる。したがって、補強膜42の材料としては、実施例1〜4のように、耐熱性の高い感光性エポキシ系樹脂やSiO2を用いることが望ましいと言える。 Further, in Example 5, the pressure resistance of the damper 23a is good, but since the acrylic film having low heat resistance is used as the material of the reinforcing film 42, a pressure chamber or the like by a semiconductor process is formed after the reinforcing film 42 is formed. It is considered that the fine processing cannot be performed and the processing accuracy is lowered. Therefore, it can be said that it is desirable to use a photosensitive epoxy resin having high heat resistance or SiO 2 as the material of the reinforcing film 42 as in Examples 1 to 4.

また、上記したインクジェットヘッド21の製造方法は、(a)流路基板22に、複数の圧力室33を形成する工程と、(b)流路基板22に、圧力室33にインクを供給する共通インク室34を形成する工程と、(c)圧力室33および共通インク室34を形成する前に、流路基板22の一方の面側に、圧力室33を駆動するための圧電素子41を形成する工程と、(d)圧力室33および共通インク室34を形成する前に、流路基板22の一方の面側に、共通インク室34を覆う壁(ダンパー23a)となる部分を補強する補強膜42を形成する工程とを有している。ここで、上記壁の少なくとも一部は、圧力室33からインクが外部に吐出するときの共通インク室34内でのインクの圧力変動によって変位し、上記壁の共通インク室34側の表面は、平坦面であり、補強膜42は、上記壁における共通インク室34とは反対側の表面に形成されることにより、上記壁を補強し、補強膜42の厚さは、圧電素子41よりも厚い。   In addition, the above-described method for manufacturing the inkjet head 21 includes (a) a step of forming a plurality of pressure chambers 33 on the flow path substrate 22 and (b) a common method of supplying ink to the pressure chambers 33 on the flow path substrate 22. A step of forming an ink chamber 34; and (c) a piezoelectric element 41 for driving the pressure chamber 33 is formed on one surface side of the flow path substrate 22 before the pressure chamber 33 and the common ink chamber 34 are formed. (D) Reinforcement that reinforces a portion serving as a wall (damper 23a) covering the common ink chamber 34 on one surface side of the flow path substrate 22 before forming the pressure chamber 33 and the common ink chamber 34. Forming a film 42. Here, at least a part of the wall is displaced by the pressure fluctuation of the ink in the common ink chamber 34 when the ink is ejected from the pressure chamber 33 to the outside, and the surface of the wall on the common ink chamber 34 side is The reinforcing film 42 is a flat surface and is formed on the surface of the wall opposite to the common ink chamber 34 to reinforce the wall. The reinforcing film 42 is thicker than the piezoelectric element 41. .

このように、流路基板22に圧力室33および共通インク室34を形成する前に、補強膜42が形成されるため、共通インク室34を覆う壁となる部分を補強膜42で補強した状態で、流路基板22に圧力室33および共通インク室34を形成することができる。これにより、共通インク室34等の形成時に上記壁が破損するのを確実に低減することができる。   As described above, since the reinforcing film 42 is formed before the pressure chamber 33 and the common ink chamber 34 are formed on the flow path substrate 22, the portion that becomes the wall covering the common ink chamber 34 is reinforced with the reinforcing film 42. Thus, the pressure chamber 33 and the common ink chamber 34 can be formed in the flow path substrate 22. As a result, it is possible to reliably reduce the damage of the wall during the formation of the common ink chamber 34 and the like.

本発明のインクジェットヘッドは、インクジェットプリンタに利用可能である。   The ink jet head of the present invention can be used in an ink jet printer.

1 インクジェットプリンタ
21 インクジェットヘッド
22 流路基板
23 振動板(シリコン基板、壁)
23a ダンパー(壁)
33 圧力室
34 共通インク室
41 圧電素子
42 補強膜
51 下部電極
52 圧電薄膜
53 上部電極
61 膜(積層膜)
62 膜(積層膜)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Inkjet printer 21 Inkjet head 22 Flow path board 23 Vibration board (silicon substrate, wall)
23a Damper (wall)
33 Pressure chamber 34 Common ink chamber 41 Piezoelectric element 42 Reinforcing film 51 Lower electrode 52 Piezoelectric thin film 53 Upper electrode 61 Film (laminated film)
62 Film (laminated film)

Claims (13)

複数の圧力室が形成される流路基板と、前記圧力室上に設けられる圧電素子とを有し、前記圧電素子を駆動することにより、前記圧力室からインクを吐出するインクジェットヘッドであって、
前記流路基板には、前記圧力室にインクを供給する共通インク室がさらに形成されており、
前記インクジェットヘッドにおいて、前記共通インク室を覆う壁の少なくとも一部は、前記圧力室からインクが外部に吐出するときの前記共通インク室内でのインクの圧力変動によって変位し、
前記壁の前記共通インク室側の表面は、平坦面であり、
前記壁における前記共通インク室とは反対側の表面に、前記壁を補強する補強膜が形成されており、
前記補強膜の厚さは、前記圧電素子よりも厚いことを特徴とするインクジェットヘッド。
An inkjet head having a flow path substrate in which a plurality of pressure chambers are formed and a piezoelectric element provided on the pressure chamber, and ejecting ink from the pressure chamber by driving the piezoelectric element,
The flow path substrate is further formed with a common ink chamber for supplying ink to the pressure chamber,
In the inkjet head, at least a part of the wall covering the common ink chamber is displaced by a pressure variation of the ink in the common ink chamber when the ink is ejected from the pressure chamber to the outside.
The surface of the wall on the common ink chamber side is a flat surface,
A reinforcing film for reinforcing the wall is formed on a surface of the wall opposite to the common ink chamber,
The inkjet head according to claim 1, wherein the reinforcing film is thicker than the piezoelectric element.
前記圧電素子の駆動により振動して前記圧力室内のインクを外部に吐出させる振動板をさらに有し、
前記振動板が、前記壁を構成していることを特徴とする請求項1に記載のインクジェットヘッド。
A vibration plate that vibrates by driving the piezoelectric element and discharges ink in the pressure chamber to the outside;
The inkjet head according to claim 1, wherein the diaphragm forms the wall.
前記圧電素子は、圧電薄膜と、前記圧電薄膜を挟み込む下部電極および上部電極で構成されており、
前記補強膜の厚さは、前記圧電薄膜の厚さ、前記下部電極の厚さ、前記上部電極の厚さの総和よりも大きいことを特徴とする請求項1または2に記載のインクジェットヘッド。
The piezoelectric element is composed of a piezoelectric thin film, a lower electrode and an upper electrode sandwiching the piezoelectric thin film,
3. The inkjet head according to claim 1, wherein a thickness of the reinforcing film is larger than a total sum of a thickness of the piezoelectric thin film, a thickness of the lower electrode, and a thickness of the upper electrode.
前記補強膜は、感光性エポキシ系樹脂、酸化シリコンまたはアクリル樹脂を含むことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のインクジェットヘッド。   The inkjet head according to claim 1, wherein the reinforcing film includes a photosensitive epoxy resin, silicon oxide, or acrylic resin. 前記補強膜のガラス転移温度Tgは、120℃以上であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のインクジェットヘッド。   5. The inkjet head according to claim 1, wherein the reinforcing film has a glass transition temperature Tg of 120 ° C. or higher. 前記補強膜は、単層の膜で構成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のインクジェットヘッド。   The inkjet head according to claim 1, wherein the reinforcing film is formed of a single layer film. 前記補強膜は、複数の膜を積層した積層膜で構成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のインクジェットヘッド。   The inkjet head according to claim 1, wherein the reinforcing film is configured by a laminated film in which a plurality of films are laminated. 前記積層膜は、前記圧電素子の少なくとも一部と同じ層構成の膜を含むことを特徴とする請求項7に記載のインクジェットヘッド。   The inkjet head according to claim 7, wherein the laminated film includes a film having the same layer configuration as at least a part of the piezoelectric element. 前記壁は、シリコン基板で構成されており、
前記圧電素子の厚さは、7μm未満であり、
前記壁の厚さは、3μm以上10μm以下であり、
前記補強膜の厚さは、7μm以上37μm以下であり、
前記壁の厚さと前記補強膜の厚さの総和は、40μm以下であることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載のインクジェットヘッド。
The wall is made of a silicon substrate;
The thickness of the piezoelectric element is less than 7 μm,
The wall thickness is 3 μm or more and 10 μm or less,
The thickness of the reinforcing film is 7 μm or more and 37 μm or less,
9. The ink jet head according to claim 1, wherein a total sum of the thickness of the wall and the thickness of the reinforcing film is 40 μm or less.
前記補強膜の表面と前記圧電素子の表面との段差は、35μm以下であることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載のインクジェットヘッド。   The inkjet head according to claim 1, wherein a step between the surface of the reinforcing film and the surface of the piezoelectric element is 35 μm or less. 複数の圧力室が形成される流路基板と、前記圧力室上に設けられる圧電素子とを有し、前記圧電素子を駆動することにより、前記圧力室からインクを吐出するインクジェットヘッドであって、
前記流路基板には、前記圧力室にインクを供給する共通インク室がさらに形成されており、
前記インクジェットヘッドにおいて、前記共通インク室を覆う壁の厚さは、3μm以上10μm以下であり、
前記壁の前記共通インク室側の表面は、平坦面であり、
前記壁において前記共通インク室とは反対側の面に、前記壁を補強する補強膜が形成されており、
前記補強膜の厚さは、前記圧電素子よりも厚いことを特徴とするインクジェットヘッド。
An inkjet head having a flow path substrate in which a plurality of pressure chambers are formed and a piezoelectric element provided on the pressure chamber, and ejecting ink from the pressure chamber by driving the piezoelectric element,
The flow path substrate is further formed with a common ink chamber for supplying ink to the pressure chamber,
In the inkjet head, the thickness of the wall covering the common ink chamber is 3 μm or more and 10 μm or less,
The surface of the wall on the common ink chamber side is a flat surface,
A reinforcing film for reinforcing the wall is formed on a surface of the wall opposite to the common ink chamber,
The inkjet head according to claim 1, wherein the reinforcing film is thicker than the piezoelectric element.
請求項1から11のいずれかに記載のインクジェットヘッドを備え、前記インクジェットヘッドから記録媒体に向けてインクを吐出させることを特徴とするインクジェットプリンタ。   An ink jet printer comprising the ink jet head according to claim 1, wherein ink is ejected from the ink jet head toward a recording medium. 流路基板に、複数の圧力室を形成する工程と、
前記流路基板に、前記圧力室にインクを供給する共通インク室を形成する工程と、
前記圧力室および前記共通インク室を形成する前に、前記流路基板の一方の面側に、前記圧力室を駆動するための圧電素子を形成する工程と、
前記圧力室および前記共通インク室を形成する前に、前記流路基板の前記一方の面側に、前記共通インク室を覆う壁となる部分を補強する補強膜を形成する工程とを有し、
前記壁の少なくとも一部は、前記圧力室からインクが外部に吐出するときの前記共通インク室内でのインクの圧力変動によって変位し、
前記壁の前記共通インク室側の表面は、平坦面であり、
前記補強膜は、前記壁における前記共通インク室とは反対側の表面に形成されることにより、前記壁を補強し、
前記補強膜の厚さは、前記圧電素子よりも厚いことを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
Forming a plurality of pressure chambers on the flow path substrate;
Forming a common ink chamber for supplying ink to the pressure chamber on the flow path substrate;
Forming a piezoelectric element for driving the pressure chamber on one surface side of the flow path substrate before forming the pressure chamber and the common ink chamber;
Before forming the pressure chamber and the common ink chamber, forming a reinforcing film on the one surface side of the flow path substrate to reinforce a portion serving as a wall covering the common ink chamber;
At least a part of the wall is displaced by a pressure variation of the ink in the common ink chamber when the ink is ejected from the pressure chamber to the outside,
The surface of the wall on the common ink chamber side is a flat surface,
The reinforcing film reinforces the wall by being formed on a surface of the wall opposite to the common ink chamber,
The method of manufacturing an ink-jet head, wherein the reinforcing film is thicker than the piezoelectric element.
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