JP2015211058A - Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light emitting device having a wavelength conversion layer which has improved uniformity in chromaticity in different view angles.SOLUTION: A semiconductor light emitting device of the present embodiment comprises a semiconductor light emitting element and a wavelength conversion layer arranged on the semiconductor light emitting element. The wavelength conversion layer includes a phosphor particle layer having deposited phosphor particles and an encapsulation part for filling gaps among the phosphor particles. The encapsulation part has a peripheral region having an uneven surface which follows an upper surface shape of the phosphor particle layer and inside the peripheral region, the semiconductor light emitting device includes a transparent layer having a smooth surface on the phosphor particle layer.

Description

本発明は、半導体発光装置に関し、特に、波長変換層を備えた半導体発光装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor light emitting device, and more particularly to a semiconductor light emitting device including a wavelength conversion layer.

特許文献１には、半導体発光素子上面に平行な平坦面及び平坦面と素子上面の角部を連結する曲面を有する波長変換層を備えた半導体発光装置が記載されている。   Patent Document 1 describes a semiconductor light emitting device including a wavelength conversion layer having a flat surface parallel to the upper surface of the semiconductor light emitting element and a curved surface connecting the flat surface and a corner of the upper surface of the element.

特開２０１１−２２８７０３号公報JP 2011-228703 A

特許文献１のような半導体発光装置においては、波長変換層は、高濃度に蛍光体粒子を含有して粘性を高めた樹脂をディスペンシングすることにより素子上面に均一な厚さに形成している。ディスペンシングにおいては、ディスペンサを螺旋状やジグザグに移動してできる限り均一に塗布を行っている。   In the semiconductor light emitting device as in Patent Document 1, the wavelength conversion layer is formed to have a uniform thickness on the upper surface of the element by dispensing a resin containing phosphor particles at a high concentration and having increased viscosity. . In dispensing, application is performed as uniformly as possible by moving the dispenser in a spiral or zigzag manner.

しかし、特許文献１のような半導体発光装置においては、さらなる発光効率の向上が課題となっていた。
また、観視角度を変化させたときに色度が異なるという問題が生じており、異なる視野角における色度の均一性を向上することが課題となっていた。 However, in the semiconductor light emitting device as disclosed in Patent Document 1, further improvement in luminous efficiency has been a problem.
Further, there has been a problem that the chromaticity is different when the viewing angle is changed, and it has been a problem to improve the chromaticity uniformity at different viewing angles.

そこで、本発明は、上記課題を解決して、発光効率と異なる視野角における色度の均一性を向上した半導体発光装置を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device that solves the above problems and improves the uniformity of chromaticity at a viewing angle different from the luminous efficiency.

本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子と、半導体発光素子上に配置された波長変換層とを備える。波長変換層は、堆積した蛍光体粒子を有する蛍光体粒子層と蛍光体粒子層における前記蛍光体粒子間の間隙を充填する封止部とを備える。封止部は、蛍光体粒子層の上面形状に沿う凹凸表面を有する周縁領域を有し、、周縁領域の内側において、蛍光体粒子層上に表面が平坦な透明層を備えることを特徴とする。   A semiconductor light emitting device of the present invention includes a semiconductor light emitting element and a wavelength conversion layer disposed on the semiconductor light emitting element. The wavelength conversion layer includes a phosphor particle layer having deposited phosphor particles and a sealing portion that fills a gap between the phosphor particles in the phosphor particle layer. The sealing part has a peripheral region having a concavo-convex surface along the top surface shape of the phosphor particle layer, and includes a transparent layer having a flat surface on the phosphor particle layer inside the peripheral region. .

本発明の半導体発光装置の製造方法は、（ａ）素子基板と、素子基板上に形成された発光層を含む半導体層とを備えた半導体発光素子を準備する工程と、（ｂ）半導体発光素子の上方から蛍光体粒子を揮発性溶媒に分散した塗布液を塗布後乾燥をして、半導体発光素子の上面に蛍光体粒子の堆積した蛍光体粒子層を形成する工程と、（ｃ）半導体発光素子の上方から封止材料を揮発性溶媒に分散した塗布液を塗布後熱処理をして、蛍光体粒子間を充填する封止部を形成する工程と、を有する。そして、工程（ｃ）は、封止部が、周縁領域において、前記蛍光体粒子層の上面に沿う凹凸を有し、周縁領域の内側において、蛍光体粒子層上に表面が平坦な透明層を備えるよう形成されることを特徴とする。   The method for manufacturing a semiconductor light emitting device of the present invention includes: (a) preparing a semiconductor light emitting element including an element substrate and a semiconductor layer including a light emitting layer formed on the element substrate; and (b) a semiconductor light emitting element. Forming a phosphor particle layer in which phosphor particles are deposited on the upper surface of the semiconductor light emitting device by applying a coating liquid in which phosphor particles are dispersed in a volatile solvent from above, and drying; (c) semiconductor light emission And a step of forming a sealing portion for filling the space between the phosphor particles by applying a heat treatment after applying a coating liquid in which a sealing material is dispersed in a volatile solvent from above the element. Then, in the step (c), the sealing portion has an unevenness along the upper surface of the phosphor particle layer in the peripheral region, and a transparent layer having a flat surface on the phosphor particle layer is formed inside the peripheral region. It is formed so that it may be provided.

本発明の半導体発光装置および本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、封止部が、蛍光体粒子層上に表面が平坦な透明層を備えるため、異なる視野角における色度の均一性を向上することができる。   According to the semiconductor light-emitting device of the present invention and the method for manufacturing the semiconductor light-emitting device of the present invention, since the sealing portion includes the transparent layer having a flat surface on the phosphor particle layer, chromaticity uniformity at different viewing angles. Can be improved.

また、封止部は、周縁領域において前記蛍光体粒子層の上面に沿う凹凸を有するため、波長変換層からの光取出し効率を向上して、半導体発光装置の発光効率を向上することができる。
Moreover, since the sealing part has unevenness along the upper surface of the phosphor particle layer in the peripheral region, the light extraction efficiency from the wavelength conversion layer can be improved, and the light emission efficiency of the semiconductor light emitting device can be improved.

（ａ）本発明の実施例１の半導体発光装置の概略断面図である。（ｂ）図１（ａ）の周縁領域の拡大図である。（ｃ）本発明の実施例１の発光装置の概略上面図である。(A) It is a schematic sectional drawing of the semiconductor light-emitting device of Example 1 of this invention. (B) It is an enlarged view of the peripheral area | region of Fig.1 (a). (C) It is a schematic top view of the light-emitting device of Example 1 of this invention. 本発明の実施例１の半導体発光装置に関するサンプルＡの概略上面図である。It is a schematic top view of the sample A regarding the semiconductor light-emitting device of Example 1 of this invention. （ａ）比較サンプル１の概略断面図である。（ｂ）比較サンプル２の概略断面図である。(A) It is a schematic sectional drawing of the comparative sample 1. FIG. (B) It is a schematic sectional drawing of the comparative sample 2. FIG. サンプルＡと比較サンプル２の観視角度−７０°〜７０°における色度の観視角度０°における色度との差を示すグラフである。It is a graph which shows the difference with the chromaticity in the viewing angle 0 degree of the viewing angle -70 degree-70 degree of the sample A and the comparative sample 2 in the viewing angle. 本発明の実施例１の半導体発光装置の製造工程を示す説明図である。（ａ）半導体発光素子準備工程において半導体発光素子が基板上に搭載された状態、（ｂ−１）蛍光体粒子層形成工程における蛍光体粒子含有塗布液の噴霧工程、（ｂ−２）蛍光体粒子層形成工程において蛍光体粒子含有塗布体が形成された状態、（ｂ−３）蛍光体粒子層形成工程において蛍光体粒子層が完成した状態、（ｃ−１）封止部形成工程における封止材料含有塗布液の噴霧工程、（ｃ−２）封止部形成工程において封止材料含有塗布体が形成された状態、の各状態を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the manufacturing process of the semiconductor light-emitting device of Example 1 of this invention. (A) State in which semiconductor light emitting element is mounted on substrate in semiconductor light emitting element preparation step, (b-1) spraying step of phosphor particle-containing coating liquid in phosphor particle layer forming step, (b-2) phosphor A state in which the phosphor particle-containing coating is formed in the particle layer forming step, (b-3) a state in which the phosphor particle layer is completed in the phosphor particle layer forming step, and (c-1) sealing in the sealing portion forming step. It is explanatory drawing which shows typically each state of the spraying process of a sealing material containing coating liquid, and the state in which the sealing material containing application body was formed in the (c-2) sealing part formation process. （ａ）本発明の実施例２の半導体発光装置の概略断面図である。（ｂ）比較サンプル２の概略断面図である。(A) It is a schematic sectional drawing of the semiconductor light-emitting device of Example 2 of this invention. (B) It is a schematic sectional drawing of the comparative sample 2. FIG. サンプルＢと比較サンプル３の観視角度−７０°〜７０°における色度の観視角度０°における色度との差を示すグラフである。It is a graph which shows the difference with the chromaticity in the viewing angle of 0 degree of the viewing angle of sample B and the comparative sample 3 in -70 degree-70 degree.

以下、この発明の好適な実施形態を詳細に説明する。尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する記載がない限り、これらの実施形態に限られるものではない。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. The embodiments described below are preferable specific examples of the present invention, and thus various technically preferable limitations are given. However, the scope of the present invention particularly limits the present invention in the following description. As long as there is no description, it is not restricted to these embodiments.

以下に、本発明の実施例１に係る半導体発光装置１０について、図１〜図４を参照しつつ説明する。   A semiconductor light emitting device 10 according to Example 1 of the present invention will be described below with reference to FIGS.

図１（ａ）は、本発明の実施例１に係る半導体発光装置１０の概略断面図である。図１（ｂ）は、本発明の実施例１に係る半導体発光装置１０の周縁領域の概略断面図である。図１（ｃ）は、本発明の実施例１に係る発光装置１０の概略平面図である。   FIG. 1A is a schematic cross-sectional view of a semiconductor light emitting device 10 according to Example 1 of the present invention. FIG. 1B is a schematic cross-sectional view of the peripheral region of the semiconductor light emitting device 10 according to Example 1 of the present invention. FIG.1 (c) is a schematic plan view of the light-emitting device 10 which concerns on Example 1 of this invention.

図１（ａ）に示すように、実施例１に係る半導体発光装置１０は、基板５と、基板５上に搭載された半導体発光素子１であるＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ１の上面に形成された波長変換層４とから構成されている。波長変換層４は、蛍光体粒子２ａの堆積した蛍光体粒子層２と、蛍光体粒子２ａ間を充填する封止部３とから構成されている。封止部３は、周縁領域３Ａにおいて、蛍光体粒子層の上面に沿う凹凸表面３Ｃを有し、周縁領域３Ａの内側において蛍光体粒子層２上に表面が平坦な透明層３ｂを備える。   As shown in FIG. 1A, a semiconductor light emitting device 10 according to Example 1 is formed on a substrate 5, an LED chip 1 that is a semiconductor light emitting element 1 mounted on the substrate 5, and an upper surface of the LED chip 1. The wavelength conversion layer 4 is formed. The wavelength conversion layer 4 includes a phosphor particle layer 2 on which phosphor particles 2a are deposited and a sealing portion 3 that fills the space between the phosphor particles 2a. The sealing portion 3 has a concavo-convex surface 3C along the upper surface of the phosphor particle layer in the peripheral region 3A, and includes a transparent layer 3b having a flat surface on the phosphor particle layer 2 inside the peripheral region 3A.

本実施例において、基板５は、平板状のガラスエポキシ基板からなる。基板５は、ガラスエポキシ基板に限らず他の樹脂基板（シリコーン樹脂基板など）、セラミック基板、金属基板など適宜な材料から構成することができる。基板５上には、導電性材料からなる配線部６が形成されている。
配線部６は、ＬＥＤチップ１へ給電する一対の電極パターンを構成している。 In this embodiment, the substrate 5 is a flat glass epoxy substrate. The substrate 5 is not limited to a glass epoxy substrate, and can be made of an appropriate material such as another resin substrate (such as a silicone resin substrate), a ceramic substrate, or a metal substrate. A wiring portion 6 made of a conductive material is formed on the substrate 5.
The wiring portion 6 constitutes a pair of electrode patterns that supply power to the LED chip 1.

ＬＥＤチップ１は、配線部６上に接合材７を介して固定されるとともに、導電ワイヤ８６を介して配線部６と接続されており、配線部６と電気的に接続されている。
本実施例において、ＬＥＤチップ１は、素子基板１ａである不透光性のＧｅ基板上に金属層を介してＩｎＧａＮ系材料がエピタキシャル成長された半導体層１ｂが形成された青色発光ＬＥＤである。上面視において、半導体層１ｂおよび素子基板１ａは約１０００μｍ□の矩形状であり、半導体層１ｂは、素子基板より一回り小さく形成されている。ＬＥＤチップ１は、発光面の大きさが約９００μｍ□である。
本実施例において、ＬＥＤチップ３には、上面と下面に対となる素子電極（上部電極、下部電極）が形成されている。上部電極１ｄは、導電ワイヤ８が接続されるボンディングパッド部を備え、該ボンディングパッド部上には、導電ワイヤ８と接続されている。また、ＬＥＤチップの下部電極１ｃは、導電性の接合材７を介して基板上の配線６部と接合している。 The LED chip 1 is fixed on the wiring part 6 via the bonding material 7 and is connected to the wiring part 6 via the conductive wire 86 and is electrically connected to the wiring part 6.
In this embodiment, the LED chip 1 is a blue light emitting LED in which a semiconductor layer 1b obtained by epitaxially growing an InGaN-based material through a metal layer is formed on a light-transmitting Ge substrate that is an element substrate 1a. When viewed from above, the semiconductor layer 1b and the element substrate 1a have a rectangular shape of about 1000 μm □, and the semiconductor layer 1b is formed slightly smaller than the element substrate. The LED chip 1 has a light emitting surface with a size of about 900 μm □.
In this embodiment, the LED chip 3 has a pair of element electrodes (upper electrode and lower electrode) formed on the upper surface and the lower surface. The upper electrode 1d includes a bonding pad portion to which the conductive wire 8 is connected, and is connected to the conductive wire 8 on the bonding pad portion. Further, the lower electrode 1c of the LED chip is bonded to the wiring 6 portion on the substrate through the conductive bonding material 7.

導電ワイヤ８は、Ａｕ、Ａｌなどの金属からなり、その一端がＬＥＤチップ１上の上部電極１ｄと接続され、もう一端が配線部６と接続されている。   The conductive wire 8 is made of a metal such as Au or Al, and has one end connected to the upper electrode 1 d on the LED chip 1 and the other end connected to the wiring portion 6.

波長変換層４は、蛍光体粒子２ａの堆積した蛍光体粒子層２と、蛍光体粒子間を充填する封止部３を備える。
波長変換層４の端部は、素子基板１ａの端部と一致している。そのため素子基板１ａの側面は波長変換層４から露出している。 The wavelength conversion layer 4 includes a phosphor particle layer 2 on which phosphor particles 2a are deposited, and a sealing portion 3 that fills the space between the phosphor particles.
The end of the wavelength conversion layer 4 is coincident with the end of the element substrate 1a. Therefore, the side surface of the element substrate 1 a is exposed from the wavelength conversion layer 4.

蛍光体粒子層２において、蛍光体粒子２ａは、半導体発光素子１あるいは他の蛍光体粒子２ａに堆積した状態である。図１（ａ）および（ｂ）に示す断面図において、蛍光体粒子２ａは波長変換層４内に浮遊しているように見えるが、蛍光体粒子２ａは浮遊しておらず、他の断面において、半導体発光素子１あるいは他の蛍光体粒子２ａ上に接している。
蛍光体粒子２ａとしては、半導体発光素子１からの発光により励起され、励起光と異なる波長の光を放出する適宜な蛍光体粒子２ａを用いることができる。本実施例においては、黄色発光する平均粒径が約１５μｍのＣｅを付活したＹＡＧ蛍光体を用いた。これにより、ＬＥＤチップ３からの青色発光の一部を黄色光へ変換して、残りの青色光との混合光として白色発光を放出することができる。 In the phosphor particle layer 2, the phosphor particles 2a are in a state of being deposited on the semiconductor light emitting element 1 or other phosphor particles 2a. In the cross-sectional views shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), the phosphor particles 2a appear to float in the wavelength conversion layer 4, but the phosphor particles 2a do not float in other cross sections. In contact with the semiconductor light emitting device 1 or other phosphor particles 2a.
As the phosphor particles 2a, appropriate phosphor particles 2a that are excited by light emission from the semiconductor light emitting element 1 and emit light having a wavelength different from that of the excitation light can be used. In this example, a YAG phosphor activated with Ce having an average particle size of about 15 μm that emits yellow light was used. Thereby, a part of blue light emission from the LED chip 3 can be converted into yellow light, and white light emission can be emitted as mixed light with the remaining blue light.

蛍光体粒子層２には、光散乱粒子を含むことができる。光散乱粒子を備えることにより、異なる視野角における色度の均一性を向上することができる。
蛍光体粒子層２に光散乱粒子を含む場合においては、光散乱粒子は、蛍光体粒子２ａと共に分散するよりも、後述する実施例２のように、堆積した蛍光体粒子２ａ上に、光散乱粒子を堆積させることが好ましい。半導体発光素子１からの発光が蛍光体粒子２ａへ入射する前に、光散乱粒子へ入射して、半導体発光素子１側へ戻す光（後方散乱光）を抑制することができ、波長変換層からの光取出し効率の向上、ひいては半導体発光装置１０の発光効率向上に資するためである。 The phosphor particle layer 2 can contain light scattering particles. By providing the light scattering particles, chromaticity uniformity at different viewing angles can be improved.
In the case where the phosphor particle layer 2 contains light scattering particles, the light scattering particles are scattered on the deposited phosphor particles 2a as in Example 2 described later, rather than being dispersed together with the phosphor particles 2a. It is preferred to deposit the particles. Before the light emitted from the semiconductor light emitting element 1 enters the phosphor particles 2a, the light (back scattered light) that enters the light scattering particles and returns to the semiconductor light emitting element 1 side can be suppressed. This is to contribute to the improvement of the light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 10 and the improvement of the light emission efficiency of the semiconductor light emitting device 10.

蛍光体粒子層２には、バインダ粒子など、他の適宜な機能性粒子を含有することができる。機能性粒子は、実質的に光散乱が生じない程度に小さい大きさのものを使用することが好ましい。   The phosphor particle layer 2 can contain other appropriate functional particles such as binder particles. It is preferable to use functional particles having such a small size that substantially no light scattering occurs.

蛍光体粒子層２は、半導体発光素子１上において、中央より膜厚の薄い端部領域２Ａを有するが、この端部領域２Ａは比較的小さい。端部領域２Ａは、光照射側から見て、素子基板の端部から素子基板の一辺の１０％以下に形成される。つまり、一辺が１ｍｍの発光素子の上面において、端部領域は、端部から約１００μｍ幅以下に形成される。本実施例において、端部領域２Ａは、一辺が１ｍｍの発光素子の上面において、両端にそれぞれ約４０μｍ幅で形成された。
本実施例の蛍光体粒子層２の厚みは、中央において（すなわち端部領域２Ａを除いた領域において）、約３０μｍであり、３０〜６０μｍであることが好ましい。
蛍光体粒子層２の表面は、端部領域２Ａにおいて、傾斜面を備え、この傾斜面は、半導体発光素子１の表面に対する傾斜角度が約４５°以上に形成されている。 The phosphor particle layer 2 has an end region 2A having a thickness smaller than that of the center on the semiconductor light emitting element 1, but the end region 2A is relatively small. The end region 2A is formed at 10% or less of one side of the element substrate from the end of the element substrate when viewed from the light irradiation side. That is, the end region is formed to have a width of about 100 μm or less from the end portion on the upper surface of the light emitting element having a side of 1 mm. In the present example, the end region 2A was formed with a width of about 40 μm at both ends on the upper surface of the light emitting element having a side of 1 mm.
The thickness of the phosphor particle layer 2 of this example is about 30 μm at the center (that is, in the region excluding the end region 2A), and preferably 30 to 60 μm.
The surface of the phosphor particle layer 2 has an inclined surface in the end region 2 </ b> A, and the inclined surface is formed with an inclination angle of about 45 ° or more with respect to the surface of the semiconductor light emitting device 1.

封止部３は、樹脂やガラスなどの透光性材料から構成することができる。本実施例では、シリコーン樹脂から構成した。
封止部３の端部は、素子基板の端部と一致している。そのため素子基板の側面は波長変換層から露出している。
封止部３は、蛍光体粒子層２における蛍光体粒子２ａ間の間隙を充填している。 The sealing part 3 can be comprised from translucent materials, such as resin and glass. In this example, it was made of silicone resin.
The end portion of the sealing portion 3 coincides with the end portion of the element substrate. Therefore, the side surface of the element substrate is exposed from the wavelength conversion layer.
The sealing part 3 fills the gap between the phosphor particles 2 a in the phosphor particle layer 2.

封止部３は、周縁領域３Ａにおいては、蛍光体粒子層２の上面形状に沿った凹凸表面３Ｃを有している。つまり、周縁領域３Ａにおいては、凹凸表面３Ｃにおける凸部に対し、その表面直下に対応する蛍光体粒子２ａが存在している。
凹凸表面を有する周縁領域３Ａは、蛍光体粒子層２の端部領域２Ａ上を含み、該端部領域２Ａより大きい幅で形成されている。本実施例では、約１００μｍで形成された。
そして、封止部３の表面は、周縁領域において蛍光体粒子層２と同様、傾斜面（本願において第一の傾斜面３Ｄと呼称）を備える。第一の傾斜面３Ｄは、、蛍光体粒子層２の端部領域２Ａ上に形成される。この第一の傾斜面３Ｄは、半導体発光素子１の表面に対する傾斜角度が４５°以上に形成されており、凹凸表面３Ｃを有する。尚、図１（ｂ）において、凹凸表面３Ｃを平坦とみなして近似した傾斜面を点線で示した。
凹凸表面を備える周縁領域３Ａには、蛍光体粒子層２の端部領域２Ａ上より内側にも凹凸表面が形成されている。
封止部３は、蛍光体粒子層２の側面および上面を完全に被覆しているが、封止部３の側面において、蛍光体粒子層２が張り出すような形状に形成されている。 The sealing part 3 has an uneven surface 3C along the shape of the upper surface of the phosphor particle layer 2 in the peripheral region 3A. That is, in the peripheral region 3A, the phosphor particles 2a corresponding to the convex portions on the uneven surface 3C are present immediately below the surface.
The peripheral region 3A having an uneven surface includes the end region 2A of the phosphor particle layer 2 and is formed with a width larger than the end region 2A. In this example, the film was formed with a thickness of about 100 μm.
And the surface of the sealing part 3 is equipped with an inclined surface (referred to as the first inclined surface 3D in the present application) in the peripheral region, like the phosphor particle layer 2. The first inclined surface 3 </ b> D is formed on the end region 2 </ b> A of the phosphor particle layer 2. The first inclined surface 3D is formed with an inclination angle of 45 ° or more with respect to the surface of the semiconductor light emitting element 1, and has an uneven surface 3C. In FIG. 1B, an inclined surface approximated by assuming that the uneven surface 3C is flat is indicated by a dotted line.
In the peripheral region 3 </ b> A having the uneven surface, the uneven surface is also formed on the inner side of the end region 2 </ b> A of the phosphor particle layer 2.
The sealing portion 3 completely covers the side surface and the upper surface of the phosphor particle layer 2, but is formed in a shape such that the phosphor particle layer 2 protrudes on the side surface of the sealing portion 3.

周縁領域３Ａにおける凹凸表面３Ｃの起伏の深さは、蛍光体粒子の粒径の１／５以上であることが好ましい。本実施例においても、平均粒径が１５μｍ（後述する塗布液調整前、レーザ回折・散乱法により求めた粒度分布から算出した体積平均）の蛍光体粒子を用いて、約３μｍ以上の起伏の深さを有する凹凸表面が形成された。本実施例の凹凸表面３Ｃは、表面粗さＲａが４μｍであった。
周縁領域３Ａにおいて凹凸表面３Ｃが形成されることにより、凹凸表面３Ｃがない場合と比較して、光取出し効率を向上することができる。 The undulation depth of the uneven surface 3C in the peripheral region 3A is preferably 1/5 or more of the particle diameter of the phosphor particles. Also in this example, the undulation depth of about 3 μm or more was obtained using phosphor particles having an average particle diameter of 15 μm (volume average calculated from the particle size distribution obtained by the laser diffraction / scattering method before adjusting the coating solution described later). An uneven surface having a thickness was formed. The uneven surface 3C of this example had a surface roughness Ra of 4 μm.
By forming the uneven surface 3C in the peripheral region 3A, the light extraction efficiency can be improved as compared with the case where the uneven surface 3C is not provided.

封止部３は、周縁領域３Ａの内側（以下、内部領域３Ｂ）においては、蛍光体粒子層２上に所定厚みの透明層３ｂを備えている。
透明層３ｂは、２５〜６５μｍの厚みに形成されることが好ましく、本実施例では、５０μｍとした。 The sealing portion 3 includes a transparent layer 3b having a predetermined thickness on the phosphor particle layer 2 inside the peripheral region 3A (hereinafter referred to as an internal region 3B).
The transparent layer 3b is preferably formed to a thickness of 25 to 65 μm, and in this example, the thickness was 50 μm.

透明層３ｂの表面は半導体発光素子１の表面に対し略平行な平坦面を備える。また、透明層３ｂの表面は、平坦面から封止部３の周縁領域３Ａに連続する傾斜面３Ｅ（本願において第二の傾斜面３Ｅと呼称）を備える。
透明層３ｂの表面には、平坦面および傾斜面のいずれにおいても、蛍光体粒子層２の上面形状に沿う凹凸は形成されていない。つまり、封止部３において、内部領域３Ｂにおける表面は、周縁領域３Ａにおける表面より高い平坦性を有している。 The surface of the transparent layer 3 b has a flat surface substantially parallel to the surface of the semiconductor light emitting element 1. The surface of the transparent layer 3b includes an inclined surface 3E (referred to as a second inclined surface 3E in the present application) that continues from the flat surface to the peripheral area 3A of the sealing portion 3.
On the surface of the transparent layer 3b, irregularities along the top surface shape of the phosphor particle layer 2 are not formed on either the flat surface or the inclined surface. That is, in the sealing part 3, the surface in the internal region 3B has higher flatness than the surface in the peripheral region 3A.

透明層３ｂにおける第二の傾斜面３Ｅは、半導体発光素子１の表面に対する傾斜角度が２０°以上５０°以下に形成されており、第一の傾斜面３Ｄより半導体発光素子１の表面に対する傾斜角度が小さい。
また、封止部３には、第一の傾斜面３Ｄと第二の傾斜面３Ｅとの間に、凹凸表面を備えた半導体発光素子１表面に略平行な面が形成されている。つまり、封止部３の側面は、２段の階段上に形成され、その一段目に蛍光体粒子層２が張り出した形状となっている。 The second inclined surface 3E in the transparent layer 3b is formed so that the inclination angle with respect to the surface of the semiconductor light emitting element 1 is 20 ° or more and 50 ° or less, and the inclination angle with respect to the surface of the semiconductor light emitting element 1 from the first inclined surface 3D. Is small.
In addition, a surface substantially parallel to the surface of the semiconductor light emitting element 1 having an uneven surface is formed on the sealing portion 3 between the first inclined surface 3D and the second inclined surface 3E. That is, the side surface of the sealing portion 3 is formed on two steps, and the phosphor particle layer 2 is projected on the first step.

透明層３ｂがあることにより、透明層３ｂがないものと比較して、観視角度における色度の均一性を向上することができる。   Due to the presence of the transparent layer 3b, the uniformity of chromaticity at the viewing angle can be improved as compared with the case without the transparent layer 3b.

以下、本発明の半導体発光装置１０の光学特性について詳細に説明する。
本実施例に関するサンプルとして、図２に示すサンプルＡを作製した。４つの半導体発光素子１を１００μｍ間隔で配置したヘッドランプ等の車両用灯具の光源としてレンズ、リフレクタ、シェード等の適宜な投影光学系と組み合わせて用いるのに好適な構成となっている。各半導体発光素子１上に上述した蛍光体粒子層２、透明層３ｂを含む封止部３を備えている。
比較対象として、比較サンプル１、比較サンプル２を作製した。比較サンプル１、２もいずれも、サンプルＡと同じ半導体発光素子１を同じ個数用いて、同じ配置をした。 Hereinafter, the optical characteristics of the semiconductor light emitting device 10 of the present invention will be described in detail.
A sample A shown in FIG. 2 was produced as a sample relating to this example. As a light source of a vehicle lamp such as a headlamp in which four semiconductor light emitting elements 1 are arranged at intervals of 100 μm, the structure is suitable for use in combination with an appropriate projection optical system such as a lens, a reflector, and a shade. On each semiconductor light-emitting element 1, the sealing part 3 including the phosphor particle layer 2 and the transparent layer 3b described above is provided.
Comparative samples 1 and 2 were produced as comparative objects. Both Comparative Samples 1 and 2 were arranged in the same manner using the same number of semiconductor light emitting elements 1 as in Sample A.

比較サンプル１は、図３（ａ）に示すように、各半導体発光素子１上に、蛍光体粒子２ａを７０ｗｔ％混合したシリコーン樹脂１１を塗布して形成された波長変換層４を備える。波長変換層４の表面は、半導体発光素子１の中央部の上においては略平坦であり、端部においてなだらかに傾斜している。波長変換層４内において蛍光体粒子２ａは略均一に分散している。
比較サンプル２は、図３（ｂ）に示すように、サンプルＡと封止部の厚みのみが異なるものである。比較サンプル１は、封止部の厚みが約３０μｍであり、サンプルＡのような透明層３ｂを有さないとともに、封止部が全体に渡り凹凸表面を有する構成となっている。 As shown in FIG. 3A, the comparative sample 1 includes a wavelength conversion layer 4 formed by applying a silicone resin 11 in which 70 wt% of the phosphor particles 2 a are mixed on each semiconductor light emitting element 1. The surface of the wavelength conversion layer 4 is substantially flat on the central portion of the semiconductor light emitting element 1 and is gently inclined at the end. In the wavelength conversion layer 4, the phosphor particles 2a are dispersed substantially uniformly.
As shown in FIG. 3B, the comparative sample 2 is different from the sample A only in the thickness of the sealing portion. The comparative sample 1 has a configuration in which the sealing portion has a thickness of about 30 μm, does not have the transparent layer 3b as in the sample A, and the sealing portion has an uneven surface throughout.

サンプルＡと比較サンプル１との発光面内の色度分布を比較したところ、端部において中央部より青色みが強くなる領域が、サンプルＡの方が比較サンプル１より小さかった。つまり、サンプルＡの方が比較サンプル１より発光面内の色度分布の均一性が高かった。これは、膜厚が中央部より薄くなる領域が、サンプルＡの方が比較サンプル１より小さく形成することができたためと考えられる。サンプルＡの端部領域は、約４０μｍ幅であったのに対し、比較サンプル１の端部領域は、約１２０μｍ幅であった。   When the chromaticity distributions in the light emitting surface of Sample A and Comparative Sample 1 were compared, Sample A was smaller than Comparative Sample 1 in the region where the blueness was stronger at the end than at the center. That is, Sample A had higher uniformity of chromaticity distribution in the light emitting surface than Comparative Sample 1. This is presumably because the region where the film thickness is thinner than the central part can be formed smaller in the sample A than in the comparative sample 1. The end region of sample A was about 40 μm wide while the end region of comparative sample 1 was about 120 μm wide.

サンプルＡと比較サンプル１の輝度を比較したところ、サンプルＡの方が比較サンプル１より３％高かった。これは、サンプルＡは、封止部３に凹凸表面３Ｃを有することにより、波長変換層からの光取出し効率が比較サンプル１より高くなったためと考えられる。   When the luminances of sample A and comparative sample 1 were compared, sample A was 3% higher than comparative sample 1. This is considered because the light extraction efficiency from the wavelength conversion layer is higher in the sample A than the comparative sample 1 because the sealing portion 3 has the uneven surface 3C.

サンプルＡと比較サンプル２の視野角による色度変化を比較した。図４に各サンプルについて、半導体発光素子１の上面に垂直な軸を０°として、角度を−７０°から７０°まで１０°間隔で色度を測定し、０°における色度との差を算出したものを示す。具体的には、色度を色度座標（ＣＩＥ１９３１）上の座標値（ｘ、ｙ）で求め、図４において、観測角度を横軸とし、そのｘ座標値の差を縦軸に示した。
その結果、サンプルＡの方が比較サンプル２より、異なる視野角における色度の均一性が高かった。サンプルＡが蛍光体粒子層２上に上面が平坦な透明層３ｂを有することにより、異なる視野角における色度の均一性が向上したと考えられる。 The change in chromaticity depending on the viewing angle between sample A and comparative sample 2 was compared. For each sample in FIG. 4, chromaticity is measured at an interval of 10 ° from −70 ° to 70 ° with an axis perpendicular to the upper surface of the semiconductor light emitting element 1 being 0 °, and the difference from the chromaticity at 0 ° is measured. The calculated value is shown. Specifically, the chromaticity is determined by the coordinate values (x, y) on the chromaticity coordinates (CIE1931), and in FIG. 4, the observation angle is the horizontal axis, and the difference between the x coordinate values is shown on the vertical axis.
As a result, sample A was more uniform in chromaticity at different viewing angles than comparative sample 2. It is considered that the uniformity of chromaticity at different viewing angles is improved because the sample A has the transparent layer 3b having a flat upper surface on the phosphor particle layer 2.

［本発明の実施例１の製造方法］
次に、本発明の実施例１の半導体発光装置１０の製造方法について、図５を用いて説明する。
本発明の半導体発光装置の製造方法は、（ａ）素子基板と、素子基板上に形成された発光層を含む半導体層とを備えた発光素子を準備する工程と、（ｂ）発光素子の上方から蛍光体粒子を揮発性溶媒に分散した塗布液を塗布後乾燥をして、発光素子の上面に蛍光体粒子の堆積した蛍光体粒子層を形成する工程と、（ｃ）発光素子の上方から封止材料を揮発性溶媒に分散した塗布液を塗布後熱処理をして、蛍光体粒子間を充填する封止部を形成する工程と、を有する。
以下、各工程について説明する。 [Production Method of Example 1 of the Present Invention]
Next, a method for manufacturing the semiconductor light emitting device 10 of Example 1 of the present invention will be described with reference to FIG.
The method for manufacturing a semiconductor light emitting device of the present invention comprises: (a) preparing a light emitting element including an element substrate and a semiconductor layer including a light emitting layer formed on the element substrate; and (b) above the light emitting element. A step of applying a coating liquid in which phosphor particles are dispersed in a volatile solvent and then drying to form a phosphor particle layer in which phosphor particles are deposited on the upper surface of the light emitting element; and (c) from above the light emitting element. And a step of performing a heat treatment after applying a coating liquid in which a sealing material is dispersed in a volatile solvent to form a sealing portion that fills the space between the phosphor particles.
Hereinafter, each step will be described.

［（ａ）発光素子準備工程］
本工程では、素子基板１ａと素子基板１ａ上に形成された発光層を含む半導体層１ｂを備えた半導体発光素子１を準備する。
本実施例では、不透光性のＧｅからなる素子基板１ａ上に金属接合層を介してエピタキシャル成長した半導体層１ｂが配置され、上下に電極を有する青色発光素子を準備した。
配線部６を備えた基板５上に半導体発光素子１を導電性の接合材７を介して搭載後、上部電極１ｄと配線部６とをＡｕからなる導電ワイヤ８で結線した。 [(A) Light emitting element preparation step]
In this step, a semiconductor light emitting element 1 including an element substrate 1a and a semiconductor layer 1b including a light emitting layer formed on the element substrate 1a is prepared.
In this example, a blue light emitting device was prepared in which a semiconductor layer 1b epitaxially grown via a metal bonding layer is disposed on an element substrate 1a made of light-impermeable Ge, and electrodes are provided on the upper and lower sides.
After mounting the semiconductor light emitting element 1 on the substrate 5 provided with the wiring part 6 via the conductive bonding material 7, the upper electrode 1 d and the wiring part 6 were connected by a conductive wire 8 made of Au.

［（ｂ）蛍光体粒子層形成工程］
本工程では、発光素子の上方から蛍光体粒子２ａを揮発性溶媒に分散した塗布液１３を塗布後乾燥をして、発光素子の上面に蛍光体粒子２ａの堆積した蛍光体粒子層２を形成する。
本実施例では、揮発性溶媒に蛍光体粒子２ａを分散して調整した塗布液１３を調整し、スプレー塗布装置１２を用いて半導体発光素子１の上面に吹き付けた（図５（ｂ−１）参照）。 [(B) Phosphor particle layer forming step]
In this step, the coating liquid 13 in which the phosphor particles 2a are dispersed in a volatile solvent is applied from above the light emitting element and then dried to form the phosphor particle layer 2 on which the phosphor particles 2a are deposited on the upper surface of the light emitting element. To do.
In this example, a coating liquid 13 prepared by dispersing phosphor particles 2a in a volatile solvent was prepared and sprayed on the upper surface of the semiconductor light emitting device 1 using a spray coating device 12 (FIG. 5 (b-1)). reference).

塗布液１３は、蛍光体粒子２ａの他、蛍光体粒子２ａの沈降を抑制する沈降防止剤、蛍光体粒子２ａを半導体発光素子１上に結合させるためのバインダあるいはバインダの前駆体などを分散することもできる。
沈降防止材としては、層状ケイ酸塩鉱物を用いることができる。層状ケイ酸塩鉱物は、雲母構造、カオリナイト構造、スメクタイト構造等の構造を有する膨潤性粘土鉱物が好ましく、なかでも膨潤性に富むスメクタイト構造が特に好ましい。アルコール系溶剤との組み合わせにおいて、混合液の粘性を増加させる効果があり、蛍光体の沈降防止に好ましい。
バインダとしては、ＳｉｍＯｎ（ｍ、ｎはいずれも整数）、バインダ前駆体としては、反応により透明セラミックバインダとなる、ポリシロキサンやポリシラザンなどを用いることができる。本実施例では、バインダとして、粒径が１００ｎｍ以下のＳｉＯ２からなる超微粒子を用いた。
尚、本実施例においては、後工程に形成する封止部３により蛍光体粒子２ａを固定することができるため、バインダやバインダ前駆体は、封止部形成工程前までの仮固定ができる程度に添加されるものでよい。 In addition to the phosphor particles 2 a, the coating solution 13 disperses an anti-settling agent that suppresses sedimentation of the phosphor particles 2 a, a binder for binding the phosphor particles 2 a onto the semiconductor light emitting device 1, or a binder precursor. You can also.
A layered silicate mineral can be used as an anti-settling material. The layered silicate mineral is preferably a swellable clay mineral having a structure such as a mica structure, a kaolinite structure, or a smectite structure, and particularly preferably a smectite structure rich in swellability. In combination with an alcohol solvent, there is an effect of increasing the viscosity of the mixed solution, which is preferable for preventing sedimentation of the phosphor.
As the binder, SimOn (m and n are both integers), and as the binder precursor, polysiloxane, polysilazane, or the like that becomes a transparent ceramic binder by reaction can be used. In this example, ultrafine particles made of SiO2 having a particle size of 100 nm or less were used as the binder.
In the present embodiment, since the phosphor particles 2a can be fixed by the sealing portion 3 formed in a later step, the binder and the binder precursor can be temporarily fixed before the sealing portion forming step. It may be added to.

塗布液１３の溶媒としては、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール系溶液、キシレンなどの揮発性有機溶剤を用いることができる。また、粘度を調整するため、プロピレングリコール、ブタンジオール等の比較的高粘度のアルコール系溶剤と組み合わせた混合溶剤とすることができる。
適宜溶剤や混合物の種類や量を調整して、粘度を調整し、蛍光体粒子２ａの沈降を抑制したり、半導体発光素子１上面に形成される塗布体１４の形状を制御することができる。 As a solvent for the coating solution 13, an alcohol solution such as ethanol or isopropyl alcohol, or a volatile organic solvent such as xylene can be used. Moreover, in order to adjust a viscosity, it can be set as the mixed solvent combined with comparatively high viscosity alcoholic solvents, such as propylene glycol and butanediol.
By appropriately adjusting the type and amount of the solvent and the mixture, the viscosity can be adjusted, the sedimentation of the phosphor particles 2a can be suppressed, and the shape of the coated body 14 formed on the upper surface of the semiconductor light emitting element 1 can be controlled.

また、塗布液１３の溶媒には、チキソトロピー性（外力が付与されていない静止状態では高い粘度を有し、外力が付与されたときに粘度が低下する粘弾性挙動）を付与してもよい。そのため、揮発性溶媒１０には、チキソトロピー性付与のためにチキソトロピー性を発現する樹脂や無機酸化物などの粒子からなるチキソトロピー化剤を含有することができる。チキソトロピー性を付与することにより、塗布液１３における蛍光体の沈降防止に有利であるため好ましい。後述のスプレー塗布装置１２による塗布工程において、塗布液１３は、ＬＥＤチップ上へ供給されるまでは、動的であって比較的低い粘度を有し、ＬＥＤチップ３上へ供給後には静的となり粘度が上昇し塗布体を形成する過程で比較的高い粘度を有する。   Further, the solvent of the coating liquid 13 may be provided with thixotropic properties (viscoelastic behavior that has a high viscosity in a stationary state where no external force is applied and the viscosity decreases when an external force is applied). Therefore, the volatile solvent 10 can contain a thixotropic agent composed of particles such as a resin or an inorganic oxide that exhibits thixotropic properties for imparting thixotropic properties. It is preferable to impart thixotropic properties because it is advantageous in preventing sedimentation of the phosphor in the coating solution 13. In a coating process by a spray coating device 12 described later, the coating liquid 13 is dynamic and has a relatively low viscosity until it is supplied onto the LED chip, and becomes static after being supplied onto the LED chip 3. In the process of increasing the viscosity and forming the coated body, it has a relatively high viscosity.

本実施例では、エタノールを主としたチキソトロピー性を有する混合溶媒を揮発性溶媒とし、蛍光体粒子２ａの濃度を１０〜８０ｗｔ％、塗布液の粘度を２０〜５００ｍＰａ・Ｓの範囲として、半導体発光素子１表面上に均一な噴霧を行うことができた。
また、本実施例の塗布液１３は、蛍光体粒子２ａの沈降が抑制されているため、ポットライフを長寿命化することができた。従来技術のようなシリコーン樹脂に蛍光体粒子２ａを分散した塗布液を用いた場合と比較して、ポットライフを４倍長くすることができた。尚、本願におけるポットライフとは塗布液調整後から蛍光体粒子２ａの濃度変化なく使用可能な時間である。 In this example, a mixed solvent mainly composed of ethanol and having a thixotropic property was used as a volatile solvent, the concentration of the phosphor particles 2a was set to 10 to 80 wt%, and the viscosity of the coating solution was set to a range of 20 to 500 mPa · S. Uniform spraying could be performed on the surface of the element 1.
Moreover, since the coating liquid 13 of the present Example suppressed the sedimentation of the phosphor particles 2a, the pot life could be extended. Compared with the case of using a coating solution in which phosphor particles 2a are dispersed in a silicone resin as in the prior art, the pot life can be increased four times. In addition, the pot life in this application is time which can be used without the density | concentration change of the fluorescent substance particle 2a after coating liquid adjustment.

調整した塗布液１３をスプレー塗布装置１２を用いて所定の量を噴霧し、塗布体１４を形成する（図５（ｂ−２）参照）。この際、適宜マスクを配置することができる。ここで、スプレー塗布装置を用いた噴霧塗布することにより、ディスペンス法やポッティング法と比較して、膜厚の均一性の高い塗布体を形成することができる。特に、端部における厚みが薄くなるのを抑制することができる。
塗布体１４を形成後、乾燥することにより、揮発性溶剤を蒸発させて、蛍光体粒子２ａが堆積した蛍光体粒子層２が形成される（図５（ｂ−３）参照）。蛍光体粒子層２は、蛍光体粒子２ａ間に間隙を有し、この段階において、この間隙は空隙となっている。 A predetermined amount of the adjusted coating solution 13 is sprayed using the spray coating device 12 to form the coated body 14 (see FIG. 5B-2). At this time, a mask can be appropriately disposed. Here, by performing spray coating using a spray coating device, it is possible to form a coated body having a high film thickness uniformity as compared with the dispensing method and the potting method. In particular, it can suppress that the thickness in an edge part becomes thin.
After the application body 14 is formed, it is dried to evaporate the volatile solvent, thereby forming the phosphor particle layer 2 on which the phosphor particles 2a are deposited (see FIG. 5B-3). The phosphor particle layer 2 has a gap between the phosphor particles 2a. At this stage, the gap is a gap.

本工程は、複数回繰り返すこともできる。複数回の塗布工程により、色度を調整することができ、所望の色度を得ること、半導体発光装置１０間の色度ばらつきをなくすことができる。
また、このとき、蛍光体粒子層２の厚みや半導体発光装置１０の色度を測定する工程を挟み、測定結果に応じた量の塗布液１３を塗布することにより、所望の厚みや色度の半導体発光装置１０を得ることができる。 This step can be repeated a plurality of times. The chromaticity can be adjusted by a plurality of coating steps, and desired chromaticity can be obtained, and variations in chromaticity between the semiconductor light emitting devices 10 can be eliminated.
Further, at this time, by sandwiching a step of measuring the thickness of the phosphor particle layer 2 and the chromaticity of the semiconductor light emitting device 10, by applying an amount of the coating liquid 13 according to the measurement result, the desired thickness and chromaticity can be obtained. The semiconductor light emitting device 10 can be obtained.

［（ｃ）封止部形成工程］
本工程では、発光素子の上方から封止材料を揮発性溶媒に分散した塗布液１５を塗布後熱処理をして、蛍光体粒子２ａ間を充填する封止部３を形成する。
本実施例では、封止部３を構成するための塗布液１５として、アルコール系やキシレンなどの揮発性溶剤からなる溶媒にシリコーン樹脂を１：１で溶かし、粘度が３．０ｍＰａ・ｓの塗布液を調整した。塗布液は、蛍光体粒子層２における蛍光体粒子２ａ間の間隙を確実に浸透・充填するために、０．５〜３０ｍＰｓ・ｓの範囲とすることが好ましい。シリコーン樹脂の粘度を低下させる溶剤として、ヘキサメチルジシロキサンなどの有機ケイ素化合物からなる揮発性溶媒を使用することもできる。
尚、本発明において、塗布液１５は、封止材料として、シリコーン樹脂だけでなく、他の透光性樹脂材料、およびガラスなどを用いることもでき、溶媒としては、アルコール系溶液、キシレンなどの揮発性有機溶剤を用いることができる。 [(C) Sealing part forming step]
In this step, the sealing portion 3 that fills the space between the phosphor particles 2a is formed by applying a heat treatment after applying the coating liquid 15 in which the sealing material is dispersed in the volatile solvent from above the light emitting element.
In this embodiment, as a coating solution 15 for constituting the sealing portion 3, a silicone resin is dissolved 1: 1 in a solvent made of a volatile solvent such as alcohol or xylene, and the viscosity is 3.0 mPa · s. The liquid was adjusted. The coating liquid is preferably in the range of 0.5 to 30 mPs · s in order to reliably penetrate and fill the gaps between the phosphor particles 2 a in the phosphor particle layer 2. As a solvent for reducing the viscosity of the silicone resin, a volatile solvent composed of an organosilicon compound such as hexamethyldisiloxane may be used.
In the present invention, the coating liquid 15 can use not only a silicone resin but also other translucent resin materials and glass as a sealing material, and examples of the solvent include alcohol-based solutions and xylene. Volatile organic solvents can be used.

調整した塗布液を、スプレー塗布装置１２を用いて噴霧し（図５（ｃ−１）参照）、塗布体１６を形成する（図５（ｃ−２）参照）。
形成された塗布体１６において、蛍光体粒子層２における蛍光体粒子２ａ間の間隙に塗布液１５が充填されている。
塗布液１５は、素子基１ａ板の側面を覆うことなく、素子基板１ａの上面の縁でとまる。すなわち、塗布体１６の端部は素子基板１ａの上面の端部と一致する。
塗布体１５を形成後、熱処理を行うことにより、揮発性溶剤を蒸発させる乾燥を行うとともにシリコーン樹脂の硬化を行い封止部３が形成される。本実施例では、１５０℃で４時間の熱処理を行った。
尚、封止材料としてシリコーン樹脂ではなく、ガラスを用いた場合においては、塗布体は１５０℃で１時間の熱処理を行うことにより、乾燥とガラスの焼成を行うことができる。 The adjusted coating liquid is sprayed using the spray coating device 12 (see FIG. 5 (c-1)) to form the coated body 16 (see FIG. 5 (c-2)).
In the formed coated body 16, the coating liquid 15 is filled in the gaps between the phosphor particles 2 a in the phosphor particle layer 2.
The coating liquid 15 stops at the edge of the upper surface of the element substrate 1a without covering the side surface of the element base 1a plate. That is, the end of the application body 16 coincides with the end of the upper surface of the element substrate 1a.
After forming the coated body 15, heat treatment is performed to dry the volatile solvent to evaporate, and the silicone resin is cured to form the sealing portion 3. In this example, heat treatment was performed at 150 ° C. for 4 hours.
When glass is used instead of silicone resin as the sealing material, the coated body can be dried and fired by performing heat treatment at 150 ° C. for 1 hour.

封止部３は、蛍光体粒子層２の上面と側面を覆い、蛍光体粒子層２の上に透明層３ｂを備えるように形成される。また、封止部３は、周縁領域３Ａにおいて、蛍光体粒子層２の上面の形状に沿う凹凸表面が形成される。
封止部３において、蛍光体粒子層２の間隙を充填する領域と透明層３ｂとは一連一体に形成される。
封止部３が形成されることにより、蛍光体粒子層２と封止部３とが一体化した波長変換層４が完成する。 The sealing part 3 is formed so as to cover the upper surface and the side surface of the phosphor particle layer 2 and to have a transparent layer 3 b on the phosphor particle layer 2. Moreover, the uneven | corrugated surface which follows the shape of the upper surface of the fluorescent substance particle layer 2 is formed in the sealing part 3 in the peripheral region 3A.
In the sealing part 3, the region that fills the gap between the phosphor particle layers 2 and the transparent layer 3 b are integrally formed in series.
By forming the sealing part 3, the wavelength conversion layer 4 in which the phosphor particle layer 2 and the sealing part 3 are integrated is completed.

本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、蛍光体粒子層２の形成工程を封止部３の形成工程と別工程で行い、かつ、スプレー塗布装置による塗布をすることにより、膜厚の均一性の高い蛍光体粒子層２を形成することができる。特に、中央部より膜厚の少ない端部領域２Ａが形成される領域を小さくすることができる。
具体的には、中央部より膜厚の少ない端部領域２Ａが形成される領域を、素子基板の一辺に対し素子基板の端部から１０％以下とすることができる。これに対し、比較サンプル１のように、蛍光体粒子を分散した樹脂を塗布して波長変換層を形成する方法では、中央部より膜厚の少ない領域を素子基板の一辺に対し素子基板の端部から１０％以下に納めることは困難であった。 According to the method for manufacturing a semiconductor light emitting device of the present invention, the forming step of the phosphor particle layer 2 is performed as a separate step from the forming step of the sealing portion 3, and coating is performed by a spray coating device. A highly uniform phosphor particle layer 2 can be formed. In particular, the region where the end region 2A having a smaller film thickness than the central portion is formed can be reduced.
Specifically, the region where the end region 2A having a smaller film thickness than the central portion is formed can be 10% or less from the end portion of the element substrate with respect to one side of the element substrate. On the other hand, in the method of forming a wavelength conversion layer by applying a resin in which phosphor particles are dispersed as in Comparative Sample 1, a region having a smaller film thickness than the central portion is formed on the end of the element substrate with respect to one side of the element substrate. It was difficult to keep it within 10% from the department.

本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、封止部３の形成工程を、蛍光体粒子層２の形成工程とは別工程で、かつ、揮発性溶剤を含有する塗布液を用いてスプレー塗布装置により行うため、半導体発光素子１表面に平行で平坦な表面を有する透明層３ｂと、周縁領域３Ａにおいて蛍光体粒子層２の表面形状に沿った凹凸表面とを備える封止部３を容易に形成することができる。
スプレー塗布装置により揮発性溶剤を含有する塗布液を塗布することにより、噴霧中に３〜４割程度の溶剤が揮発して、蛍光体粒子２ａ上や半導体発光素子１表面上への着弾時には塗布液調整時より粘度が上昇するためである。また、着弾後には、時間の経過に伴う揮発性溶剤の揮発によりさらに粘度が上昇するためである。つまり、平坦な表面を有する透明層３ｂと蛍光体粒子層２の表面形状に沿った凹凸表面とを構成するのに適した粘度を形成することができるためである。
特に、全体的に曲面を有するドーム形状とはならずに、半導体発光素子１表面に平行で平坦な表面を有する透明層３ｂを形成することができる粘度範囲とすることができる。また、封止部３を構成する塗布液は、半導体発光素子１表面上を流動するが、流動しながら粘度が上昇するため素子基板側面へ流出することがない。そして、周縁領域３Ａに配置される塗布液の量は少ないため凹凸表面を形成することができる。
ここで、周縁領域３Ａに蛍光体粒子２ａの表面形状に沿った凹凸表面３Ｃを形成できることは、蛍光体粒子２ａ表面に対する表面張力も起因していると考える。 According to the method for manufacturing a semiconductor light emitting device of the present invention, the step of forming the sealing portion 3 is performed separately from the step of forming the phosphor particle layer 2 and sprayed using a coating liquid containing a volatile solvent. Since the application is performed by the coating apparatus, the sealing portion 3 including the transparent layer 3b having a flat surface parallel to the surface of the semiconductor light emitting element 1 and the uneven surface along the surface shape of the phosphor particle layer 2 in the peripheral region 3A is easily provided. Can be formed.
By applying a coating solution containing a volatile solvent with a spray coating device, about 30 to 40% of the solvent is volatilized during spraying, and is applied at the time of landing on the phosphor particles 2a or the surface of the semiconductor light emitting element 1. This is because the viscosity increases from the time of liquid adjustment. In addition, after landing, the viscosity further increases due to volatilization of the volatile solvent over time. That is, it is possible to form a viscosity suitable for forming the transparent layer 3b having a flat surface and the uneven surface along the surface shape of the phosphor particle layer 2.
In particular, the viscosity of the transparent layer 3b can be set so that the transparent layer 3b having a flat surface parallel to the surface of the semiconductor light emitting device 1 can be formed without forming a dome shape having a curved surface as a whole. In addition, the coating liquid constituting the sealing portion 3 flows on the surface of the semiconductor light emitting element 1, but does not flow out to the side surface of the element substrate because the viscosity increases while flowing. And since the quantity of the coating liquid arrange | positioned in 3 A of peripheral areas is small, an uneven | corrugated surface can be formed.
Here, it is considered that the uneven surface 3C along the surface shape of the phosphor particles 2a can be formed in the peripheral region 3A due to the surface tension with respect to the surfaces of the phosphor particles 2a.

以下に、本発明の実施例２に係る半導体発光装置２０について、図６を参照しつつ説明する。図６（ａ）は、実施例２に係る半導体発光装置２０の概略断面図である。
実施例２に係る半導体発光装置２０は、蛍光体粒子層２において光散乱粒子２ｂを有すること以外の構成については、実施例１の半導体発光装置１０とほぼ同様である。
実施例２に係る半導体発光装置２０の製造方法は、上述した（ｃ）封止部３形成工程において、塗布液に光散乱粒子２ｂを含有する。それ以外の工程については、実施例１の半導体発光装置１０の製造方法とほぼ同様である。そのため、光散乱粒子２ｂを含有する蛍光体粒子層２は、上述した（ｂ）工程および（ｃ）工程により形成される。 A semiconductor light emitting device 20 according to Example 2 of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 6A is a schematic cross-sectional view of the semiconductor light emitting device 20 according to the second embodiment.
The semiconductor light emitting device 20 according to the second embodiment is substantially the same as the semiconductor light emitting device 10 according to the first embodiment, except that the phosphor particle layer 2 includes the light scattering particles 2b.
The manufacturing method of the semiconductor light emitting device 20 according to Example 2 includes the light scattering particles 2b in the coating liquid in the above-described (c) sealing portion 3 forming step. Other steps are almost the same as the manufacturing method of the semiconductor light emitting device 10 of the first embodiment. Therefore, the phosphor particle layer 2 containing the light scattering particles 2b is formed by the steps (b) and (c) described above.

光散乱粒子２ｂは、蛍光体粒子２ａ上に堆積するように配置されている。そのため、光散乱粒子２ｂは半導体層上に直接配置されることはなく、光散乱粒子２ｂと半導体層との間には蛍光体粒子２ａが存在する。
光散乱粒子２ｂは、光散乱粒子２ｂを備える蛍光体粒子層２において、上半分の厚みの範囲内に配置されている。
蛍光体粒子層２が光散乱粒子２ｂを備えるため、封止部３の周縁領域３Ａにおける蛍光体粒子層２表面形状に沿った凹凸表面３Ｃの凸部の直下には、対応する光散乱粒子２ｂが存在している。 The light scattering particles 2b are arranged so as to be deposited on the phosphor particles 2a. Therefore, the light scattering particles 2b are not directly arranged on the semiconductor layer, and the phosphor particles 2a exist between the light scattering particles 2b and the semiconductor layer.
The light scattering particles 2b are arranged in the upper half thickness range in the phosphor particle layer 2 including the light scattering particles 2b.
Since the phosphor particle layer 2 includes the light scattering particles 2b, the corresponding light scattering particles 2b are located immediately below the protrusions of the uneven surface 3C along the surface shape of the phosphor particle layer 2 in the peripheral region 3A of the sealing portion 3. Is present.

本実施例では、二酸化チタンからなる光散乱粒子２ｂを５ｗｔ％含有した塗布液を調整した。光散乱粒子２ｂを１〜２０ｗｔ％シリコーン樹脂中に混合した後、揮発性有機溶剤に溶かして、粘度を３．０ｍＰａ・ｓとした。
光散乱粒子２ｂとしては、二酸化チタンのみならず、アルミナ等の他の光散乱粒子２ｂを用いることができる。 In this example, a coating solution containing 5 wt% of light scattering particles 2b made of titanium dioxide was prepared. After mixing the light scattering particles 2b in 1-20 wt% silicone resin, it was dissolved in a volatile organic solvent to give a viscosity of 3.0 mPa · s.
As the light scattering particles 2b, not only titanium dioxide but also other light scattering particles 2b such as alumina can be used.

以下、本実施例の半導体発光装置２０の光学特性について詳細に説明する。
本実施例に関するサンプルとして、サンプルＡと同じ半導体発光素子１を用いてサンプルＢを作製した。図２に示すサンプルＡと同様、４つの半導体発光素子１を１００μｍ間隔で配置した。
また、比較対象として、比較サンプル３を作製した。比較サンプル３は、図６（ｂ）に示すように、比較サンプル３は、蛍光体粒子２ａと光散乱粒子２ｂがシリコーン樹脂１１内に略均一に分散された波長変換層を有する。比較サンプル３は、蛍光体粒子２ａと光散乱粒子２ｂ（１０ｗｔ％）を分散したシリコーン樹脂を半導体発光素子１上に塗布して作製した。尚、比較サンプル３もサンプルＢと同じ半導体発光素子１を同じ個数用いて、同じ配置をした。 Hereinafter, the optical characteristics of the semiconductor light emitting device 20 of this example will be described in detail.
As a sample relating to this example, Sample B was manufactured using the same semiconductor light emitting device 1 as Sample A. Similar to the sample A shown in FIG. 2, four semiconductor light emitting elements 1 were arranged at intervals of 100 μm.
Moreover, the comparative sample 3 was produced as a comparison object. As shown in FIG. 6B, the comparative sample 3 has a wavelength conversion layer in which the phosphor particles 2 a and the light scattering particles 2 b are dispersed substantially uniformly in the silicone resin 11. Comparative sample 3 was prepared by applying a silicone resin in which phosphor particles 2 a and light scattering particles 2 b (10 wt%) were dispersed on semiconductor light emitting element 1. Comparative sample 3 was also arranged in the same manner using the same number of semiconductor light emitting elements 1 as in sample B.

サンプルＢとサンプルＡ、比較サンプル３の視野角による色度変化を比較した。図７にサンプルＢと比較サンプル３について、半導体発光素子１の上面に垂直な軸を０°として、角度を−７０°から７０°まで１０°間隔で色度を測定し、０°における色度との差を算出したものを示す。具体的には、色度を色度座標（ＣＩＥ１９３１）上の座標値（ｘ、ｙ）で求め、図７において、観測角度を横軸とし、そのｘ座標値の差を縦軸に示した。
その結果、サンプルＢはサンプルＡ（図３参照）および比較サンプル３より、異なる視野角における色度の均一性が高かった。サンプルＢとサンプルＡとの比較により、光散乱粒子２ｂを含有することにより異なる視野角における色度の均一性が向上することがわかった。ただし、光散乱粒子２ｂを単に含有した比較サンプル３では異なる視野角における色度の均一性は向上は見られなかった。 Sample B, sample A, and comparative sample 3 were compared in chromaticity change depending on the viewing angle. For sample B and comparative sample 3 in FIG. 7, chromaticity is measured at 10 ° intervals from −70 ° to 70 ° with the axis perpendicular to the top surface of the semiconductor light emitting element 1 being 0 °, and the chromaticity at 0 °. The difference is calculated. Specifically, the chromaticity is obtained from the coordinate values (x, y) on the chromaticity coordinates (CIE1931), and in FIG. 7, the observation angle is the horizontal axis, and the difference between the x coordinate values is shown on the vertical axis.
As a result, sample B had higher chromaticity uniformity at different viewing angles than sample A (see FIG. 3) and comparative sample 3. Comparison between sample B and sample A revealed that the inclusion of light scattering particles 2b improves chromaticity uniformity at different viewing angles. However, in the comparative sample 3 simply containing the light scattering particles 2b, the uniformity of chromaticity at different viewing angles was not improved.

サンプルＢとサンプルＡ、比較サンプル３の輝度を比較した。
その結果、サンプルＢは、サンプルＡよりも輝度が低く、比較サンプル３よりも輝度が高かった。サンプルＡと比較して、サンプルＢは４％、比較サンプル３は５％の輝度低下を示した。
つまり、サンプルＢは、比較サンプル３よりも、サンプルＡと比較した輝度低下が少なかった。このことは、サンプルＢにおいて、周縁領域３Ａにおいて前記蛍光体粒子層２の上面に沿う凹凸を有するため、波長変換層からの光取出し効率を向上できたものと考えられる。また、サンプルＢより比較サンプル３において、半導体発光素子１からの発光が蛍光体粒子２ａに入射する前に光散乱粒子２ｂで散乱して半導体発光素子１側へ向かう光が多く、波長変換層からの光取出し効率が低下したためと考えられる。そのため、光散乱粒子２ｂは、蛍光体粒子２ａより発光面側（半導体発光素子１とは反対側）に位置することが好ましい。 The brightness of Sample B, Sample A, and Comparative Sample 3 were compared.
As a result, the brightness of Sample B was lower than that of Sample A and higher than that of Comparative Sample 3. Compared to Sample A, Sample B showed a brightness decrease of 4% and Comparative Sample 3 of 5%.
That is, the sample B had less luminance reduction than the sample A compared to the sample A. This is considered to be because the sample B has unevenness along the upper surface of the phosphor particle layer 2 in the peripheral region 3A, and thus the light extraction efficiency from the wavelength conversion layer can be improved. Further, in the comparative sample 3 from the sample B, the light emitted from the semiconductor light emitting element 1 is scattered by the light scattering particles 2b before entering the phosphor particles 2a and more light is directed to the semiconductor light emitting element 1 side. This is thought to be due to the decrease in light extraction efficiency. Therefore, the light scattering particles 2b are preferably located on the light emitting surface side (the side opposite to the semiconductor light emitting element 1) from the phosphor particles 2a.

尚、本発明の半導体発光装置は、上記した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加えることは勿論である。   The semiconductor light-emitting device of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are of course made without departing from the scope of the present invention.

例えば、本発明の半導体発光装置において、半導体発光素子として、ＬＥＤチップに限定されることなく、ＬＤチップを用いることができる。また、半導体発光素子は一対の電極が、半導体素子の上面と下面に形成されているものだけでなく、上面のみに形成されているものを用いることもできる。   For example, in the semiconductor light emitting device of the present invention, an LD chip can be used as the semiconductor light emitting element without being limited to the LED chip. In addition, the semiconductor light emitting element may be one in which a pair of electrodes are formed not only on the upper and lower surfaces of the semiconductor element but also only on the upper surface.

例えば、上記実施例において、半導体発光素子は、配線部上に接合したが、基板上に接合してもよい。この場合において、配線部との電気的接合は、導電ワイヤで形成することができる。   For example, in the above embodiment, the semiconductor light emitting element is bonded on the wiring portion, but may be bonded on the substrate. In this case, the electrical connection with the wiring portion can be formed with a conductive wire.

例えば、上記実施例において、蛍光体粒子層工程および封止部の形成工程は、実装基板上に半導体発光素子を接合後に行ったが、半導体発光素子の実装前に行うこともできる。   For example, in the above embodiment, the phosphor particle layer step and the sealing portion forming step are performed after the semiconductor light emitting element is bonded on the mounting substrate, but may be performed before the semiconductor light emitting element is mounted.

例えば、上記実施例において、蛍光体としてＣｅを付活したＹＡＧを用いたが、Ｅｕを付活したオルトシリケート、他のガーネット蛍光体、サイアロンやカズンなどの窒化物蛍光体など適宜な蛍光体を使用、併用することができる。   For example, in the above embodiment, Ce-activated YAG is used as the phosphor. However, Eu-activated orthosilicate, other garnet phosphors, nitride phosphors such as sialon and casun, and other suitable phosphors may be used. Can be used and used together.

例えば、上記実施例において、蛍光体粒子層と封止部の形成工程は、スプレー塗布装置による塗布と熱処理により行ったが、他の方法により行ってもよい。   For example, in the above embodiment, the phosphor particle layer and the sealing portion are formed by application and heat treatment using a spray coating apparatus, but may be performed by other methods.

例えば、上記実施例２において、蛍光体粒子層における光散乱粒子は、工程（ｃ）において封止部を構成する塗布液に含有して塗布・形成を行ったが、これに限定されるものではない。工程（ｂ）において、蛍光体粒子を含有する塗布液を塗布・乾燥後に、光散乱粒子を含有する塗布液を塗布・乾燥する工程を追加して行うこともできる。
For example, in Example 2 above, the light scattering particles in the phosphor particle layer were coated and formed in the coating liquid constituting the sealing portion in the step (c). However, the present invention is not limited to this. Absent. In the step (b), a step of applying and drying the coating liquid containing the light scattering particles after applying and drying the coating liquid containing the phosphor particles may be additionally performed.

１：半導体発光素子
１ａ：素子基板
１ｂ：半導体層
１ｃ：下部電極
１ｄ：上部電極
２：蛍光体粒子層
２ａ：蛍光体粒子
２ｂ：光散乱粒子
２Ａ：端部領域
３：封止部
３ａ：蛍光体粒子間充填領域
３ｂ：透明層
３Ａ：周縁領域
３Ｂ：内部領域
３Ｃ：凹凸表面
３Ｄ：第一傾斜面
３Ｅ：第二傾斜面
４：波長変換層
５：基板
６：配線部
７：接合材
８：導電ワイヤ
１０、２０：半導体発光装置
１１：樹脂
１２：スプレー塗布装置
１３：蛍光体粒子含有塗布液
１４：蛍光体粒子含有塗布体
１５：封止材料含有塗布液
１６：封止材料含有塗布体 1: Semiconductor light emitting element 1a: Element substrate 1b: Semiconductor layer 1c: Lower electrode 1d: Upper electrode 2: Phosphor particle layer 2a: Phosphor particle 2b: Light scattering particle 2A: End region 3: Sealing portion 3a: Fluorescence Filling region 3b: transparent layer 3A: peripheral region 3B: inner region 3C: uneven surface 3D: first inclined surface 3E: second inclined surface 4: wavelength conversion layer 5: substrate 6: wiring portion 7: bonding material 8 : Conductive wire 10, 20: Semiconductor light emitting device 11: Resin 12: Spray coating device 13: Phosphor particle-containing coating solution 14: Phosphor particle-containing coating solution 15: Sealing material-containing coating solution 16: Sealing material-containing coating member

Claims (6)

半導体発光素子と、
前記半導体発光素子上に配置された波長変換層とを備え、
前記波長変換層は、堆積した蛍光体粒子を有する蛍光体粒子層と前記蛍光体粒子層における前記蛍光体粒子間の間隙を充填する封止部とを備え、
前記封止部は、前記蛍光体粒子層の上面形状に沿う凹凸表面を有する周縁領域を有し、
前記封止部は、前記周縁領域の内側において、前記蛍光体粒子層上に表面が平坦な透明層を備えることを特徴とする半導体発光装置。 A semiconductor light emitting device;
A wavelength conversion layer disposed on the semiconductor light emitting device,
The wavelength conversion layer includes a phosphor particle layer having deposited phosphor particles and a sealing portion that fills a gap between the phosphor particles in the phosphor particle layer,
The sealing portion has a peripheral region having an uneven surface along the shape of the upper surface of the phosphor particle layer,
The sealing part includes a transparent layer having a flat surface on the phosphor particle layer inside the peripheral region. 前記半導体発光素子は、
不透光性の素子基板と、
前記素子基板上に形成された活性層を含む半導体層とを備え、
前記波長変換層は、前記素子基板上に前記半導体層の上面および側面を覆うように形成され、
前記封止部の端部は、前記素子基板の端部と一致していることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。 The semiconductor light emitting element is
An opaque substrate,
A semiconductor layer including an active layer formed on the element substrate,
The wavelength conversion layer is formed on the element substrate so as to cover an upper surface and a side surface of the semiconductor layer,
The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein an end portion of the sealing portion coincides with an end portion of the element substrate. 前記封止部の表面は、前記周縁領域において、前記半導体発光素子の表面に対し傾斜した第一の傾斜面を有し、
前記透明層の表面は、前記半導体発光素子の表面に対し略平行な平坦面と、前記平坦面から前記周縁領域に連続する第二の傾斜面とを備え、
前記第一の傾斜面は前記第二の傾斜面と比較して、前記半導体発光素子の表面に対する傾斜角度が大きいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置。 The surface of the sealing portion has a first inclined surface inclined with respect to the surface of the semiconductor light emitting element in the peripheral region,
The surface of the transparent layer includes a flat surface substantially parallel to the surface of the semiconductor light emitting element, and a second inclined surface continuous from the flat surface to the peripheral region,
3. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the first inclined surface has a larger inclination angle with respect to the surface of the semiconductor light emitting element than the second inclined surface. 4. 前記蛍光体粒子層は、蛍光体粒子上に堆積した光散乱粒子を含み、
前記凹凸表面は、前記光散乱粒子の表面形状に沿うことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。 The phosphor particle layer includes light scattering particles deposited on the phosphor particles,
4. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the uneven surface conforms to a surface shape of the light scattering particles. 5. （ａ）素子基板と、前記素子基板上に形成された発光層を含む半導体層とを備えた半導体発光素子を準備する工程と、
（ｂ）前記半導体発光素子の上方から蛍光体粒子を揮発性溶媒に分散した塗布液を塗布後乾燥をして、前記半導体発光素子の上面に前記蛍光体粒子の堆積した蛍光体粒子層を形成する工程と、
（ｃ）前記半導体発光素子の上方から封止材料を揮発性溶媒に分散した塗布液を塗布後熱処理をして、前記蛍光体粒子間を充填する封止部を形成する工程と、を有し、
前記工程（ｃ）において、前記封止部は、周縁領域において前記蛍光体粒子層の上面に沿う凹凸を有し、前記周縁領域の内側において、前記蛍光体粒子層上に表面が平坦な透明層を備えることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 (A) preparing a semiconductor light emitting element comprising an element substrate and a semiconductor layer including a light emitting layer formed on the element substrate;
(B) A coating liquid in which phosphor particles are dispersed in a volatile solvent is applied from above the semiconductor light emitting device and then dried to form a phosphor particle layer in which the phosphor particles are deposited on the upper surface of the semiconductor light emitting device. And a process of
(C) forming a sealing portion that fills the space between the phosphor particles by applying a heat treatment after applying a coating liquid in which a sealing material is dispersed in a volatile solvent from above the semiconductor light emitting element. ,
In the step (c), the sealing portion has irregularities along the upper surface of the phosphor particle layer in the peripheral region, and a transparent layer having a flat surface on the phosphor particle layer inside the peripheral region. A method for manufacturing a semiconductor light-emitting device. 前記工程（ｂ）において、前記蛍光体粒子を分散した前記塗布液は、スプレー塗布装置により塗布され、
前記工程（ｃ）において、前記封止材料を分散した前記塗布液は、スプレー塗布装置により塗布されることを特徴とする請求項５に記載の半導体発光装置の製造方法。 In the step (b), the coating liquid in which the phosphor particles are dispersed is applied by a spray coating apparatus,
6. The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to claim 5, wherein in the step (c), the coating liquid in which the sealing material is dispersed is applied by a spray coating apparatus.
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