JP2015188080A5 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 32
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 5
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- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (8)
- トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記酸化物半導体膜及び前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第３の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が有する第１の開口部と、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が有する第２の開口部と、
前記第１の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極と、
前記第２の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるドレイン電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸素を有し、
前記第２の絶縁膜は、水素を有し、
前記酸化物半導体膜は、
前記ゲート絶縁膜と接する第１の領域と、
前記第２の絶縁膜と接する第２の領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、
前記第１の領域と重なる第３の領域と、
前記第２の領域と重なる第４の領域と、を有し、
前記第４の領域は、前記第３の領域よりも不純物元素の濃度が高い、
ことを特徴とする半導体装置。 - トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
前記酸化物半導体膜及び前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第３の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が有する第１の開口部と、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が有する第２の開口部と、
前記第１の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極と、
前記第２の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるドレイン電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸素を有し、
前記第２の絶縁膜は、水素を有し、
前記酸化物半導体膜は、
前記ゲート絶縁膜と接する第１の領域と、
前記第２の絶縁膜と接する第２の領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、
前記第１の領域と重なる第３の領域と、
前記第２の領域と重なる第４の領域と、を有し、
前記第４の領域は、前記第３の領域よりも不純物元素の濃度が高い、
ことを特徴とする半導体装置。 - トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
前記酸化物半導体膜及び前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第３の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が有する第１の開口部と、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が有する第２の開口部と、
前記第１の絶縁膜及び前記前記ゲート絶縁膜が有する第３の開口部と、
前記第１の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極と、
前記第２の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるドレイン電極と、を有し、
前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極は、前記第３の開口部を介して電気的に接続され、
前記第１の絶縁膜は、酸素を有し、
前記第２の絶縁膜は、水素を有し、
前記酸化物半導体膜は、
前記ゲート絶縁膜と接する第１の領域と、
前記第２の絶縁膜と接する第２の領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、
前記第１の領域と重なる第３の領域と、
前記第２の領域と重なる第４の領域と、を有し、
前記第４の領域は、前記第３の領域よりも不純物元素の濃度が高い、
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一つにおいて、
前記不純物元素は、
水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、リン、硫黄、または希ガスの１以上を有する、
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一つにおいて、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも水素濃度が低い部分を有する、
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一つにおいて、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも結晶性が高い領域を有する、
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項６のいずれか一つにおいて、
前記酸化物半導体膜は、
酸素と、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆ）とを有する、
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項７のいずれか一つにおいて、
前記酸化物半導体膜は、
結晶部を含み、前記結晶部はｃ軸配向した結晶を有する、
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015048994A JP2015188080A (ja) | 2014-03-13 | 2015-03-12 | 半導体装置、該半導体装置を有する表示装置、該表示装置を有する表示モジュール、並びに該半導体装置、該表示装置、及び該表示モジュールを有する電子機器 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014049676 | 2014-03-13 | ||
| JP2014049676 | 2014-03-13 | ||
| JP2015048994A JP2015188080A (ja) | 2014-03-13 | 2015-03-12 | 半導体装置、該半導体装置を有する表示装置、該表示装置を有する表示モジュール、並びに該半導体装置、該表示装置、及び該表示モジュールを有する電子機器 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019160429A Division JP2020004995A (ja) | 2014-03-13 | 2019-09-03 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015188080A JP2015188080A (ja) | 2015-10-29 |
| JP2015188080A5 true JP2015188080A5 (ja) | 2018-04-19 |
Family
ID=54069860
Family Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015048994A Withdrawn JP2015188080A (ja) | 2014-03-13 | 2015-03-12 | 半導体装置、該半導体装置を有する表示装置、該表示装置を有する表示モジュール、並びに該半導体装置、該表示装置、及び該表示モジュールを有する電子機器 |
| JP2019160429A Withdrawn JP2020004995A (ja) | 2014-03-13 | 2019-09-03 | 半導体装置 |
| JP2021106319A Withdrawn JP2021158382A (ja) | 2014-03-13 | 2021-06-28 | 半導体装置 |
| JP2023084401A Pending JP2023106532A (ja) | 2014-03-13 | 2023-05-23 | 半導体装置 |
Family Applications After (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019160429A Withdrawn JP2020004995A (ja) | 2014-03-13 | 2019-09-03 | 半導体装置 |
| JP2021106319A Withdrawn JP2021158382A (ja) | 2014-03-13 | 2021-06-28 | 半導体装置 |
| JP2023084401A Pending JP2023106532A (ja) | 2014-03-13 | 2023-05-23 | 半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9640669B2 (ja) |
| JP (4) | JP2015188080A (ja) |
| KR (2) | KR102323203B1 (ja) |
Families Citing this family (95)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10002971B2 (en) | 2014-07-03 | 2018-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
| US10338446B2 (en) | 2014-12-16 | 2019-07-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having low resistance source and drain regions |
| US9837547B2 (en) | 2015-05-22 | 2017-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device |
| US11024725B2 (en) | 2015-07-24 | 2021-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including metal oxide film |
| CN106409919A (zh) | 2015-07-30 | 2017-02-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 |
| WO2017029576A1 (en) | 2015-08-19 | 2017-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2017041596A (ja) * | 2015-08-21 | 2017-02-23 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 薄膜トランジスタ、半導体装置および電子機器 |
| WO2017064590A1 (en) | 2015-10-12 | 2017-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN108292683A (zh) | 2015-11-20 | 2018-07-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置、包括该半导体装置的显示装置以及包括该半导体装置的电子设备 |
| KR102629293B1 (ko) | 2015-11-20 | 2024-01-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 이 반도체 장치의 제작 방법, 또는 이 반도체 장치를 가지는 표시 장치 |
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| US9965247B2 (en) | 2016-02-22 | 2018-05-08 | Sonos, Inc. | Voice controlled media playback system based on user profile |
| US9772817B2 (en) | 2016-02-22 | 2017-09-26 | Sonos, Inc. | Room-corrected voice detection |
| US9811314B2 (en) | 2016-02-22 | 2017-11-07 | Sonos, Inc. | Metadata exchange involving a networked playback system and a networked microphone system |
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| US10152969B2 (en) | 2016-07-15 | 2018-12-11 | Sonos, Inc. | Voice detection by multiple devices |
| US10115400B2 (en) | 2016-08-05 | 2018-10-30 | Sonos, Inc. | Multiple voice services |
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| US9743204B1 (en) | 2016-09-30 | 2017-08-22 | Sonos, Inc. | Multi-orientation playback device microphones |
| US10181323B2 (en) | 2016-10-19 | 2019-01-15 | Sonos, Inc. | Arbitration-based voice recognition |
| TWI715699B (zh) * | 2016-10-21 | 2021-01-11 | 日商半導體能源硏究所股份有限公司 | 複合氧化物及電晶體 |
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| US11183181B2 (en) | 2017-03-27 | 2021-11-23 | Sonos, Inc. | Systems and methods of multiple voice services |
| WO2018178806A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
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| US10048930B1 (en) | 2017-09-08 | 2018-08-14 | Sonos, Inc. | Dynamic computation of system response volume |
| US10446165B2 (en) | 2017-09-27 | 2019-10-15 | Sonos, Inc. | Robust short-time fourier transform acoustic echo cancellation during audio playback |
| US10051366B1 (en) | 2017-09-28 | 2018-08-14 | Sonos, Inc. | Three-dimensional beam forming with a microphone array |
| US10482868B2 (en) | 2017-09-28 | 2019-11-19 | Sonos, Inc. | Multi-channel acoustic echo cancellation |
| US10621981B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-04-14 | Sonos, Inc. | Tone interference cancellation |
| US10466962B2 (en) | 2017-09-29 | 2019-11-05 | Sonos, Inc. | Media playback system with voice assistance |
| US10880650B2 (en) | 2017-12-10 | 2020-12-29 | Sonos, Inc. | Network microphone devices with automatic do not disturb actuation capabilities |
| US10818290B2 (en) | 2017-12-11 | 2020-10-27 | Sonos, Inc. | Home graph |
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-
2015
- 2015-03-06 US US14/640,379 patent/US9640669B2/en active Active
- 2015-03-09 KR KR1020150032764A patent/KR102323203B1/ko active IP Right Grant
- 2015-03-12 JP JP2015048994A patent/JP2015188080A/ja not_active Withdrawn
-
2017
- 2017-04-03 US US15/477,646 patent/US9773815B2/en active Active
-
2019
- 2019-09-03 JP JP2019160429A patent/JP2020004995A/ja not_active Withdrawn
-
2021
- 2021-06-28 JP JP2021106319A patent/JP2021158382A/ja not_active Withdrawn
- 2021-11-01 KR KR1020210147858A patent/KR20210135180A/ko not_active Application Discontinuation
-
2023
- 2023-05-23 JP JP2023084401A patent/JP2023106532A/ja active Pending
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