JP2015185686A - Light emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態は、発光装置に関する。 Embodiments described herein relate generally to a light emitting device.
例えば、青色光を発光する半導体発光素子と、光の波長を変換する蛍光体と、を組み合わせて白色光を発光する発光装置がある。このような発光装置において、発光の均一性を高めることが望まれる。 For example, there is a light emitting device that emits white light by combining a semiconductor light emitting element that emits blue light and a phosphor that converts the wavelength of light. In such a light emitting device, it is desired to improve the uniformity of light emission.
本発明の実施形態は、均一性を高めた発光装置を提供する。 Embodiments of the present invention provide a light emitting device with improved uniformity.
本発明の実施形態によれば、実装領域と、複数の半導体発光素子と、波長変換層と、を含む発光装置が提供される。前記実装領域は、中央部と、前記中央部の外側の外側部と、を含む実装領域を含む。前記複数の半導体発光素子は、前記実装領域上に設けられる。前記波長変換層は、前記複数の半導体発光素子を覆い前記複数の半導体発光素子から放出される光の波長を変換する。前記複数の半導体発光素子のうちの隣り合う２つの前記半導体発光素子の間の第１領域における前記波長変換層の上面と、前記実装領域と、の間の第１距離は、前記中央部よりも前記外側部で長い。 According to the embodiment of the present invention, a light emitting device including a mounting region, a plurality of semiconductor light emitting elements, and a wavelength conversion layer is provided. The mounting area includes a mounting area including a central portion and an outer portion outside the central portion. The plurality of semiconductor light emitting elements are provided on the mounting region. The wavelength conversion layer covers the plurality of semiconductor light emitting elements and converts the wavelength of light emitted from the plurality of semiconductor light emitting elements. The first distance between the upper surface of the wavelength conversion layer in the first region between the two adjacent semiconductor light emitting devices among the plurality of semiconductor light emitting devices and the mounting region is greater than the central portion. Long at the outer part.
本発明の実施形態によれば、均一性を高めた発光装置が提供される。 According to the embodiment of the present invention, a light emitting device with improved uniformity is provided.
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
The drawings are schematic or conceptual, and the relationship between the thickness and width of each part, the size ratio between the parts, and the like are not necessarily the same as actual ones. Further, even when the same part is represented, the dimensions and ratios may be represented differently depending on the drawings.
Note that, in the present specification and each drawing, the same elements as those described above with reference to the previous drawings are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted as appropriate.
（第１の実施形態）
図１（ａ）〜図１（ｃ）は、第１の実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式図である。
図１（ａ）は平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面の一部を例示す断面図である。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に表したように、本実施形態に係る発光装置１１０は、ベース部材７１と、グリス層５３と、金属板５１と、接合層５２と、実装基板部１５と、複数の半導体発光素子２０と、を含む。発光装置１１０は、例えば、照明装置２１０に用いられる。
(First embodiment)
FIG. 1A to FIG. 1C are schematic views illustrating the light emitting device and the lighting device according to the first embodiment.
FIG. 1A is a plan view. FIG. 1B is a cross-sectional view illustrating a part of a cross section taken along line A1-A2 of FIG.
As shown in FIGS. 1A and 1B, the light emitting device 110 according to this embodiment includes a base member 71, a grease layer 53, a metal plate 51, a bonding layer 52, and a mounting board portion. 15 and a plurality of semiconductor light emitting elements 20. The light emitting device 110 is used for the lighting device 210, for example.
ベース部材７１から実装基板部１５に向かう方向を積層方向（Ｚ軸方向）とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。 A direction from the base member 71 toward the mounting substrate unit 15 is defined as a stacking direction (Z-axis direction). One direction perpendicular to the Z-axis direction is taken as an X-axis direction. A direction perpendicular to the Z-axis direction and the X-axis direction is taken as a Y-axis direction.
ベース部材７１の上に、グリス層５３、金属板５１、接合層５２、実装基板部１５、及び、複数の半導体発光素子２０が、この順で配置される。 On the base member 71, the grease layer 53, the metal plate 51, the bonding layer 52, the mounting substrate unit 15, and the plurality of semiconductor light emitting elements 20 are arranged in this order.
すなわち、複数の半導体発光素子２０は、ベース部材７１と、Ｚ軸方向において離間する。実装基板部１５は、基板１０を含む。基板１０は、上面１０ｕｅを有する。基板１０には、例えば、セラミック、または、セラミックと樹脂の複合セラミックなどから形成される部材が用いられる。セラミックとしては、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、ステアタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ２）、ジルコン（ＺｒＳｉＯ４）、または、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）などが用いられる。基板１０は、ベース部材７１と複数の半導体発光素子との間に設けられる。金属板５１は、ベース部材７１と実装基板部１５との間に設けられる。 That is, the plurality of semiconductor light emitting elements 20 are separated from the base member 71 in the Z-axis direction. The mounting substrate unit 15 includes the substrate 10. The substrate 10 has an upper surface 10ue. For the substrate 10, for example, a member formed of ceramic or a composite ceramic of ceramic and resin is used. Examples of the ceramic include aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), beryllium oxide (BeO), steatite (MgO · SiO 2 ), zircon (ZrSiO 4 ), or silicon nitride (Si 3 N). 4 ) etc. are used. The substrate 10 is provided between the base member 71 and the plurality of semiconductor light emitting elements. The metal plate 51 is provided between the base member 71 and the mounting substrate unit 15.
図１（ｂ）に例示したように、接合層５２は、実装基板部１５と金属板５１との間に設けられる。接合層５２は、実装基板部１５と金属板５１とを接合する。 As illustrated in FIG. 1B, the bonding layer 52 is provided between the mounting substrate unit 15 and the metal plate 51. The bonding layer 52 bonds the mounting substrate unit 15 and the metal plate 51.
グリス層５３は、ベース部材７１と金属板５１との間に設けられる。グリス層５３は、金属板５１の熱をベース部材７１に伝達する。 The grease layer 53 is provided between the base member 71 and the metal plate 51. The grease layer 53 transmits the heat of the metal plate 51 to the base member 71.
以下、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示した発光装置１１０（及び照明装置２１０）の例について、説明する。 Hereinafter, an example of the light emitting device 110 (and the lighting device 210) illustrated in FIGS. 1A and 1B will be described.
発光装置１１０において、発光部４０が設けられる。金属板５１の上に、発光部４０が設けられる。金属板５１と発光部４０との間に、接合層５２が設けられる。 In the light emitting device 110, a light emitting unit 40 is provided. A light emitting unit 40 is provided on the metal plate 51. A bonding layer 52 is provided between the metal plate 51 and the light emitting unit 40.
本願明細書において、上に設けられる状態は、直接的に上に設けられる状態の他に、間に別の要素が挿入される状態も含む。 In the present specification, the state provided above includes not only the state provided directly above but also the state where another element is inserted therebetween.
金属板５１から発光部４０に向かう方向が積層方向に対応する。本願明細書において、積層される状態は、直接接して重ねられる状態の他に、間に別の要素が挿入されて重ねられる状態も含む。 The direction from the metal plate 51 toward the light emitting unit 40 corresponds to the stacking direction. In the present specification, the state of being stacked includes not only the state of being stacked in direct contact but also the state of being stacked with another element inserted therebetween.
金属板５１は、例えば板状である。金属板５１の主面は、例えば、Ｘ−Ｙ平面に対して実質的に平行である。金属板５１の平面形状は、例えば矩形である。金属板５１は、例えば、第１〜第４辺５５ａ〜５５ｄを有する。第２辺５５ｂは、第１辺５５ａから離間する。第３辺５５ｃは、第１辺５５ａの一端と、第２辺５５ｂの一端と、を接続する。第４辺５５ｄは、第３辺５５ｃと離間し、第１辺５５ａの他端と、第２辺５５ｂの他端と、を接続する。金属板５１の平面形状のコーナ部は、曲線状でも良い。金属板５１の平面形状は、矩形でなくても良く、任意である。 The metal plate 51 has a plate shape, for example. The main surface of the metal plate 51 is substantially parallel to the XY plane, for example. The planar shape of the metal plate 51 is, for example, a rectangle. The metal plate 51 has, for example, first to fourth sides 55a to 55d. The second side 55b is separated from the first side 55a. The third side 55c connects one end of the first side 55a and one end of the second side 55b. The fourth side 55d is separated from the third side 55c, and connects the other end of the first side 55a and the other end of the second side 55b. The planar corner portion of the metal plate 51 may be curved. The planar shape of the metal plate 51 does not have to be rectangular and is arbitrary.
金属板５１には、例えば、銅やアルミニウムなどの金属材や、金属とセラミックの複合材などの基板が用いられる。金属板５１の表面には、部材の酸化防止やはんだの濡れ性向上の観点から、Ｎｉめっきなどの別の金属層が形成されていても良い。 For the metal plate 51, for example, a substrate such as a metal material such as copper or aluminum or a composite material of metal and ceramic is used. On the surface of the metal plate 51, another metal layer such as Ni plating may be formed from the viewpoint of preventing the oxidation of the member and improving the wettability of the solder.
発光部４０は、光を放出する。それと同時に、発光部４０は熱を発生する。接合層５２は、発光部４０で発生した熱を、金属板５１に効率良く伝導する。接合層５２には、例えば、はんだなどが用いられる。すなわち、接合層５２は、はんだを含む。例えば、接合層５２には、錫をベースにし、金、銀、銅、ビスマス、ニッケル、インジウム、亜鉛、アンチモン、ゲルマニウム及びシリコンのいずれかを少なくとも１種類以上含むはんだを用いることができる。例えば、ＳｎＡｇＣｕ合金などが用いられる。 The light emitting unit 40 emits light. At the same time, the light emitting unit 40 generates heat. The bonding layer 52 efficiently conducts heat generated in the light emitting unit 40 to the metal plate 51. For the bonding layer 52, for example, solder or the like is used. That is, the bonding layer 52 includes solder. For example, the bonding layer 52 can be made of a solder based on tin and containing at least one of gold, silver, copper, bismuth, nickel, indium, zinc, antimony, germanium, and silicon. For example, a SnAgCu alloy is used.
発光部４０は、実装基板部１５と、発光素子部３５と、を含む。
実装基板部１５は、基板１０と、第１金属層１１と、第２金属層１２と、を含む。
The light emitting unit 40 includes a mounting substrate unit 15 and a light emitting element unit 35.
The mounting substrate unit 15 includes a substrate 10, a first metal layer 11, and a second metal layer 12.
基板１０は、第１主面１０ａと、第２主面１０ｂと、を有する。第２主面１０ｂは、第１主面１０ａとは反対側の面である。金属板５１は、基板１０の第２主面に対向している。換言すると、第２主面１０ｂは、金属板５１側の面である。すなわち、第２主面１０ｂは、接合層５２の側の面である。 The substrate 10 has a first main surface 10a and a second main surface 10b. The 2nd main surface 10b is a surface on the opposite side to the 1st main surface 10a. The metal plate 51 faces the second main surface of the substrate 10. In other words, the second main surface 10b is a surface on the metal plate 51 side. That is, the second major surface 10b is a surface on the bonding layer 52 side.
本願明細書において、対向している状態は、直接面している状態に加え、間に別の要素が挿入されている状態も含む。 In the present specification, the state of facing each other includes not only the state of directly facing but also the state of inserting another element therebetween.
第１主面１０ａは、実装領域１６を含む。例えば、実装領域１６は、第１主面１０ａの外縁１０ｒから離間している。この例では、実装領域１６は、第１主面１０ａの中央部分に設けられる。第１主面１０ａは、周辺領域１７をさらに含む。周辺領域１７は、実装領域１６の周りに設けられる。 The first major surface 10 a includes a mounting area 16. For example, the mounting region 16 is separated from the outer edge 10r of the first main surface 10a. In this example, the mounting region 16 is provided in the central portion of the first main surface 10a. The first major surface 10a further includes a peripheral region 17. The peripheral area 17 is provided around the mounting area 16.
基板１０は、例えば、アルミナを含む。基板１０には、例えば、アルミナを主成分とするセラミックが用いられる。高い熱伝導性と、高い絶縁性と、が得られる。高い信頼性が得られる。 The substrate 10 includes, for example, alumina. For the substrate 10, for example, a ceramic mainly composed of alumina is used. High thermal conductivity and high insulation can be obtained. High reliability is obtained.
第１金属層１１は、第１主面１０ａ上に設けられる。第１金属層１１は、複数の実装パターン１１ｐを含む。複数の実装パターン１１ｐは、実装領域１６に設けられる。複数の実装パターン１１ｐの少なくともいずれか２つ以上は、互いに離間している。例えば、複数の実装パターン１１ｐの少なくともいずれかは、島状である。複数の実装パターン１１ｐの２つは、互いに独立している。複数の実装パターン１１ｐは、例えば、第１実装パターン１１ｐａ及び第２実装パターン１１ｐｂなどを含む。 The first metal layer 11 is provided on the first major surface 10a. The first metal layer 11 includes a plurality of mounting patterns 11p. The plurality of mounting patterns 11 p are provided in the mounting area 16. At least any two of the plurality of mounting patterns 11p are separated from each other. For example, at least one of the plurality of mounting patterns 11p has an island shape. Two of the plurality of mounting patterns 11p are independent of each other. The plurality of mounting patterns 11p include, for example, a first mounting pattern 11pa and a second mounting pattern 11pb.
複数の実装パターン１１ｐのそれぞれは、例えば、第１実装部分１１ａと、第２実装部分１１ｂと、を含む。この例では、実装パターン１１ｐは、第３実装部分１１ｃをさらに含む。第３実装部分１１ｃは、第１実装部分１１ａと第２実装部分１１ｂとの間に設けられ、第１実装部分１１ａと第２実装部分１１ｂとを繋ぐ。これらの実装部分の例については、後述する。 Each of the plurality of mounting patterns 11p includes, for example, a first mounting portion 11a and a second mounting portion 11b. In this example, the mounting pattern 11p further includes a third mounting portion 11c. The third mounting portion 11c is provided between the first mounting portion 11a and the second mounting portion 11b, and connects the first mounting portion 11a and the second mounting portion 11b. Examples of these mounting parts will be described later.
第１金属層１１は、複数の実装パターン１１ｐを互いに接続する接続部４４をさらに含んでも良い。この例では、第１金属層１１は、第１コネクタ用電極部４５ｅと第２コネクタ用電極部４６ｅとをさらに含む。第１コネクタ用電極部４５ｅは、複数の実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。第２コネクタ用電極部４６ｅは、複数の実装パターン１１ｐのその１つとは別の１つと電気的に接続される。例えば、１つの実装パターン１１ｐの一部の上に半導体発光素子２０が配置される。この半導体発光素子２０により、第１コネクタ用電極部４５ｅが、実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。さらに、別の１つの実装パターン１１ｐの一部の上に半導体発光素子２０が配置される。この半導体発光素子２０により、第２コネクタ用電極部４６ｅが、別の１つの実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。 The first metal layer 11 may further include a connection portion 44 that connects the plurality of mounting patterns 11p to each other. In this example, the first metal layer 11 further includes a first connector electrode portion 45e and a second connector electrode portion 46e. The first connector electrode portion 45e is electrically connected to one of the plurality of mounting patterns 11p. The second connector electrode portion 46e is electrically connected to one of the plurality of mounting patterns 11p other than the one. For example, the semiconductor light emitting element 20 is disposed on a part of one mounting pattern 11p. By this semiconductor light emitting element 20, the first connector electrode portion 45e is electrically connected to one of the mounting patterns 11p. Furthermore, the semiconductor light emitting element 20 is disposed on a part of another mounting pattern 11p. By this semiconductor light emitting element 20, the second connector electrode portion 46e is electrically connected to one of the other mounting patterns 11p.
この例では、発光部４０は、第１主面１０ａ上に設けられた第１コネクタ４５と、第２コネクタ４６と、をさらに含む。第１コネクタ４５は、第１コネクタ用電極部４５ｅと電気的に接続される。第２コネクタ４６は、第２コネクタ用電極部４６ｅと電気的に接続される。この例では、第１コネクタ用電極部４５ｅの上に、第１コネクタ４５が設けられている。第２コネクタ用電極部４６ｅの上に、第２コネクタ４６が設けられている。第１コネクタ４５と、第２コネクタ４６と、の間に発光素子部３５が配置される。これらのコネクタを介して、発光部４０に電力が供給される。 In this example, the light emitting unit 40 further includes a first connector 45 and a second connector 46 provided on the first main surface 10a. The first connector 45 is electrically connected to the first connector electrode portion 45e. The second connector 46 is electrically connected to the second connector electrode portion 46e. In this example, the first connector 45 is provided on the first connector electrode portion 45e. A second connector 46 is provided on the second connector electrode portion 46e. The light emitting element portion 35 is disposed between the first connector 45 and the second connector 46. Electric power is supplied to the light emitting unit 40 via these connectors.
第２金属層１２は、第２主面１０ｂ上に設けられる。第２金属層１２は、第１金属層１１と電気的に絶縁されている。第２金属層１２の少なくとも一部は、Ｘ−Ｙ平面（第１主面１０ａに対して平行な第１平面）に投影したときに、実装領域１６と重なる。 The second metal layer 12 is provided on the second major surface 10b. The second metal layer 12 is electrically insulated from the first metal layer 11. At least a part of the second metal layer 12 overlaps the mounting region 16 when projected onto the XY plane (a first plane parallel to the first major surface 10a).
図１（ｃ）は、発光装置１１０の一部を例示する透視平面図である。
第２金属層１２は、外縁１０ｒから離れている。第２金属層１２の平面形状は、例えば矩形である。第２金属層１２は、第１〜第４辺１２ｉ〜１２ｌを有する。第２辺１２ｊは、第１辺１２ｉから離間する。第３辺１２ｋは、第１辺１２ｉの一端と、第２辺１２ｊの一端と、を接続する。第４辺１２ｌは、第３辺１２ｋと離間し、第１辺１２ｉの他端と、第２辺１２ｊの他端と、を接続する。各辺の交点、すなわちコーナ部は、曲線状（アール形状）でも良い。第２金属層１２の平面形状は、矩形でなくても良く、任意である。
FIG. 1C is a perspective plan view illustrating a part of the light emitting device 110.
The second metal layer 12 is separated from the outer edge 10r. The planar shape of the second metal layer 12 is, for example, a rectangle. The second metal layer 12 has first to fourth sides 12i to 12l. The second side 12j is separated from the first side 12i. The third side 12k connects one end of the first side 12i and one end of the second side 12j. The fourth side 12l is separated from the third side 12k and connects the other end of the first side 12i and the other end of the second side 12j. The intersection of each side, that is, the corner portion may be curved (R shape). The planar shape of the second metal layer 12 does not have to be rectangular and is arbitrary.
このように、基板１０の上面（第１主面１０ａ）に第１金属層１１が設けられ、基板１０の下面（第２主面１０ｂ）に第２金属層１２が設けられる。 Thus, the first metal layer 11 is provided on the upper surface (first main surface 10a) of the substrate 10, and the second metal layer 12 is provided on the lower surface (second main surface 10b) of the substrate 10.
発光素子部３５は、基板１０の第１主面１０ａ上に設けられる。発光素子部３５は、複数の半導体発光素子２０と、波長変換層３１と、を含む。 The light emitting element portion 35 is provided on the first main surface 10 a of the substrate 10. The light emitting element unit 35 includes a plurality of semiconductor light emitting elements 20 and a wavelength conversion layer 31.
この例では、複数の半導体発光素子２０はアレイ状に配置される。半導体発光素子２０は、例えば、略円形状に配置される。例えば、半導体発光素子２０は、略等ピッチで配置される。 In this example, the plurality of semiconductor light emitting elements 20 are arranged in an array. The semiconductor light emitting element 20 is arranged in a substantially circular shape, for example. For example, the semiconductor light emitting elements 20 are arranged at a substantially equal pitch.
複数の半導体発光素子２０は、第１主面１０ａ上に設けられる。複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、光を放出する。半導体発光素子２０は、例えば窒化物半導体を含む。半導体発光素子２０は、例えば、ＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）を含む。ただし、実施形態において、半導体発光素子２０は任意である。 The plurality of semiconductor light emitting elements 20 are provided on the first major surface 10a. Each of the plurality of semiconductor light emitting elements 20 emits light. The semiconductor light emitting element 20 includes, for example, a nitride semiconductor. The semiconductor light emitting element 20 includes, for example, In y Al z Ga 1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, x + y ≦ 1). However, in the embodiment, the semiconductor light emitting element 20 is arbitrary.
複数の半導体発光素子２０は、例えば、第１半導体発光素子２０ａ及び第２半導体発光素子２０ｂなどを含む。 The plurality of semiconductor light emitting elements 20 include, for example, a first semiconductor light emitting element 20a and a second semiconductor light emitting element 20b.
複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、複数の実装パターン１１ｐのうちのいずれかの実装パターン１１ｐと、複数の実装パターン１１ｐのうちの上記のいずれかの隣の別の実装パターン１１ｐと、電気的に接続されている。 Each of the plurality of semiconductor light emitting elements 20 is electrically connected to any one of the plurality of mounting patterns 11p and another mounting pattern 11p adjacent to any one of the plurality of mounting patterns 11p. It is connected to the.
例えば、第１半導体発光素子２０ａは、複数の実装パターン１１ｐのうちの第１実装パターン１１ｐａと、第２実装パターン１１ｐｂと、電気的に接続されている。第２実装パターン１１ｐｂは、第１実装パターン１１ｐａの隣の別の実装パターン１１ｐに相当する。 For example, the first semiconductor light emitting element 20a is electrically connected to the first mounting pattern 11pa and the second mounting pattern 11pb among the plurality of mounting patterns 11p. The second mounting pattern 11pb corresponds to another mounting pattern 11p adjacent to the first mounting pattern 11pa.
例えば、複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、第１導電形の第１半導体層２１と、第２導電形の第２半導体層２２と、発光層２３と、を含む。例えば、第１導電形はｎ形であり、第２導電形はｐ形である。第１導電形がｐ形であり、第２導電形がｎ形でも良い。 For example, each of the plurality of semiconductor light emitting elements 20 includes a first semiconductor layer 21 of a first conductivity type, a second semiconductor layer 22 of a second conductivity type, and a light emitting layer 23. For example, the first conductivity type is n-type and the second conductivity type is p-type. The first conductivity type may be p-type and the second conductivity type may be n-type.
第１半導体層２１は、第１の部分（第１半導体部分２１ａ）と、第２の部分（第２半導体部分２１ｂ）と、を含む。第２半導体部分２１ｂは、積層方向（金属板５１から発光部４０に向かうＺ軸方向）に対して交差する方向（例えば、Ｘ軸方向）において、第１半導体部分２１ａと並ぶ。 The first semiconductor layer 21 includes a first portion (first semiconductor portion 21a) and a second portion (second semiconductor portion 21b). The second semiconductor portion 21b is aligned with the first semiconductor portion 21a in a direction (for example, the X-axis direction) intersecting with the stacking direction (Z-axis direction from the metal plate 51 toward the light emitting unit 40).
第２半導体層２２は、第２半導体部分２１ｂと実装基板部１５との間に設けられる。発光層２３は、第２半導体部分２１ｂと第２半導体層２２との間に設けられる。
半導体発光素子２０は、例えば、フリップチップ型のＬＥＤである。
The second semiconductor layer 22 is provided between the second semiconductor portion 21 b and the mounting substrate unit 15. The light emitting layer 23 is provided between the second semiconductor portion 21 b and the second semiconductor layer 22.
The semiconductor light emitting element 20 is, for example, a flip chip type LED.
例えば、第１半導体層２１の第１半導体部分２１ａが、実装パターン１１ｐの第１実装部分１１ａと対向している。第２半導体層２２が、実装パターン１１ｐの第２実装部分１１ｂと対向している。第１半導体層２１の第１半導体部分２１ａは、実装パターン１１ｐと電気的に接続される。第２半導体層２２は、別の実装パターン１１ｐと電気的に接続される。この接続には、例えば、電気伝導率及び熱伝導率が高いはんだや金バンプなどが用いられる。この接続は、例えば、金属溶融はんだ接合により行われる。または、この接続は、例えば、金バンプを用いた超音波熱圧着法により行われる。 For example, the first semiconductor portion 21a of the first semiconductor layer 21 faces the first mounting portion 11a of the mounting pattern 11p. The second semiconductor layer 22 faces the second mounting portion 11b of the mounting pattern 11p. The first semiconductor portion 21a of the first semiconductor layer 21 is electrically connected to the mounting pattern 11p. The second semiconductor layer 22 is electrically connected to another mounting pattern 11p. For this connection, for example, solder or gold bumps having high electrical conductivity and thermal conductivity are used. This connection is performed by, for example, metal fusion solder bonding. Alternatively, this connection is performed by, for example, an ultrasonic thermocompression method using gold bumps.
すなわち、例えば、発光素子部３５は、第１接合金属部材２１ｅと、第２接合金属部材２２ｅと、をさらに含む。第１接合金属部材２１ｅは、第１半導体部分２１ａと、いずれかの実装パターン１１ｐ（例えば第１実装部分１１ａ）と、の間に設けられる。第２接合金属部材２２ｅは、第２半導体層２２と、別の実装パターン１１ｐ（例えば、第２実装パターン１１ｐｂ）と、の間に設けられる。第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅの少なくともいずれかは、はんだ、または、金バンプを含む。これにより、第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅのそれぞれの断面積（Ｘ−Ｙ平面で切断したときの断面積）を大きくできる。これにより、第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅを介して、熱を効率良く、実装基板部１５に伝えることができ、放熱性が高まる。 That is, for example, the light emitting element unit 35 further includes a first bonding metal member 21e and a second bonding metal member 22e. The first bonding metal member 21e is provided between the first semiconductor portion 21a and one of the mounting patterns 11p (for example, the first mounting portion 11a). The second bonding metal member 22e is provided between the second semiconductor layer 22 and another mounting pattern 11p (for example, the second mounting pattern 11pb). At least one of the first bonding metal member 21e and the second bonding metal member 22e includes solder or gold bumps. Thereby, each cross-sectional area (cross-sectional area when cut | disconnected by an XY plane) of the 1st joining metal member 21e and the 2nd joining metal member 22e can be enlarged. Thereby, heat can be efficiently transmitted to the mounting substrate portion 15 via the first bonding metal member 21e and the second bonding metal member 22e, and heat dissipation is improved.
例えば、半導体発光素子２０と実装基板部１５との間に、別の金属層を設けても良い。これにより、第１の金属層の酸化を抑制したり、はんだとの濡れ性を高めたりすることができる。この金属層は、半導体発光素子２０及び実装パターン１１ｐと電気的に接続されない。この金属層は回路に関係しない。 For example, another metal layer may be provided between the semiconductor light emitting element 20 and the mounting substrate unit 15. Thereby, the oxidation of a 1st metal layer can be suppressed or the wettability with a solder can be improved. This metal layer is not electrically connected to the semiconductor light emitting element 20 and the mounting pattern 11p. This metal layer is not related to the circuit.
波長変換層３１は、複数の半導体発光素子２０の少なくとも一部を覆う。波長変換層３１は、複数の半導体発光素子２０から放出される光（例えば第１光）の少なくとも一部を吸収し、第２光を放出する。第２光の波長（例えばピーク波長）は、第１光の波長（例えばピーク波長）とは、異なる。波長変換層３１には、例えば、蛍光体などの複数の波長変換粒子と、複数の波長変換粒子が分散された光透過性樹脂と、を含む。第１光は、例えば青色光を含む。第２光は、第１光よりも波長が長い光を含む。第２光は、例えば、黄色光及び赤色光の少なくともいずれかを含む。 The wavelength conversion layer 31 covers at least a part of the plurality of semiconductor light emitting elements 20. The wavelength conversion layer 31 absorbs at least part of light (for example, first light) emitted from the plurality of semiconductor light emitting elements 20 and emits second light. The wavelength (for example, peak wavelength) of the second light is different from the wavelength (for example, peak wavelength) of the first light. The wavelength conversion layer 31 includes, for example, a plurality of wavelength conversion particles such as a phosphor and a light transmissive resin in which the plurality of wavelength conversion particles are dispersed. The first light includes, for example, blue light. The second light includes light having a longer wavelength than the first light. The second light includes, for example, at least one of yellow light and red light.
この例では、発光素子部３５は、反射層３２をさらに含む。反射層３２は、Ｘ−Ｙ平面内で波長変換層３１を囲む。反射層３２には、例えば、金属酸化物などの複数の粒子と、その粒子が分散された光透過性樹脂と、を含む。金属酸化物などの粒子は、光反射性を有する。この金属酸化物などの粒子として、例えば、ＴｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３の少なくともいずれか用いることができる。反射層３２を設けることで、半導体発光素子２０から放出された光が、積層方向に沿った方向（例えば上方向）に沿って効率良く出射できる。 In this example, the light emitting element unit 35 further includes a reflective layer 32. The reflective layer 32 surrounds the wavelength conversion layer 31 in the XY plane. The reflective layer 32 includes, for example, a plurality of particles such as a metal oxide and a light transmissive resin in which the particles are dispersed. Particles such as metal oxides have light reflectivity. For example, at least one of TiO 2 and Al 2 O 3 can be used as the particles of the metal oxide. By providing the reflective layer 32, light emitted from the semiconductor light emitting element 20 can be efficiently emitted along a direction along the stacking direction (for example, upward).
発光部４０は、例えば、チップオンボード（ＣＯＢ）型のＬＥＤモジュールである。 The light emitting unit 40 is, for example, a chip on board (COB) type LED module.
本実施形態においては、発光素子部３５（複数の半導体発光素子２０）から放出される光の光束発散度は、１０ｌｍ／ｍｍ２（ルーメン/平方ミリメートル）以上、１００ｌｍ／ｍｍ２以下である。望ましくは、２０ｌｍ／ｍｍ２以上である。すなわち、本実施形態においては、発光素子部３５から放出される光の発光面積に対する比（光束発散度）が、非常に高い。本願明細書においては、発光面積は、実質的に実装領域１６の面積に対応する。 In the present embodiment, luminous emittance of the light emitted from the light emitting element portion 35 (a plurality of semiconductor light emitting elements 20), 10 lm / mm 2 (lumens / square millimeter) or more and 100lm / mm 2 or less. Desirably, it is 20 lm / mm 2 or more. That is, in this embodiment, the ratio (light flux divergence) of the light emitted from the light emitting element portion 35 to the light emitting area is very high. In the present specification, the light emitting area substantially corresponds to the area of the mounting region 16.
本実施形態に係る発光装置１１０は、例えば、投光器などの照明装置２１０に利用される。 The light emitting device 110 according to the present embodiment is used for an illumination device 210 such as a projector.
グリス層５３には、液体状または固体状の潤滑油（グリス）などが用いられる。グリス層５３には、例えば、絶縁性を有する潤滑油（絶縁性グリス）や、導電性を有する潤滑油（導電性グリス）などを用いても良い。絶縁性グリスは、例えば、シリコーンと、そのシリコーンに分散されたセラミック粒子と、を含む。導電性グリスは、例えば、シリコーンと、そのシリコーンに分散された金属粒子と、を含む。導電性グリスにおいては、例えば、絶縁性グリスよりも高い熱伝導率が得られる。例えば、発光素子部３５の熱は、グリス層５３により、ベース部材７１に伝導されて、放熱される。 For the grease layer 53, liquid or solid lubricating oil (grease) or the like is used. For the grease layer 53, for example, insulating lubricating oil (insulating grease), conductive lubricating oil (conductive grease), or the like may be used. The insulating grease includes, for example, silicone and ceramic particles dispersed in the silicone. The conductive grease includes, for example, silicone and metal particles dispersed in the silicone. In the conductive grease, for example, higher thermal conductivity is obtained than in the insulating grease. For example, the heat of the light emitting element portion 35 is conducted to the base member 71 by the grease layer 53 and is radiated.
本実施形態に係る発光装置１１０においては、例えば、金属板５１をＸ−Ｙ平面に投影したときに、金属板５１は、実装領域１６の面積の５倍以上の面積を有する。すなわち、本実施形態においては、実装領域１６の面積に対して、金属板５１の面積が非常に大きく設定されている。これにより、実装領域１６の上に設けられた発光素子部３５で生じる熱を、面積の大きい金属板５１により、面内方向（Ｘ−Ｙ面内方向）に広げる。そして、面内方向に拡がった熱が、例えば、ベース部材７１に向けて、伝達され、効率良く放熱される。 In the light emitting device 110 according to the present embodiment, for example, when the metal plate 51 is projected onto the XY plane, the metal plate 51 has an area that is five times or more the area of the mounting region 16. That is, in the present embodiment, the area of the metal plate 51 is set to be very large with respect to the area of the mounting region 16. Thereby, the heat generated in the light emitting element portion 35 provided on the mounting region 16 is spread in the in-plane direction (XY in-plane direction) by the metal plate 51 having a large area. Then, the heat spread in the in-plane direction is transmitted toward, for example, the base member 71 and efficiently radiated.
図２は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。
図２は、発光装置１１０のＹ軸に対して垂直な面における模式的断面図である。実装領域１６は、中央部１６ｃと外側部１６ｅとを含む。外側部１６ｅは、中央部１６ｃの外側に設けられる。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating the light emitting device according to the first embodiment.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view in a plane perpendicular to the Y axis of the light emitting device 110. The mounting region 16 includes a central portion 16c and an outer portion 16e. The outer portion 16e is provided outside the central portion 16c.
波長変換層３１は、上面（波長変換層上面３１ｕ）を有する。波長変換層上面３１ｕは、下に凹状である。すなわち、波長変換層上面３１ｕの中心部分と基板１０との間の距離は、波長変換層上面３１ｕの外側部分と基板１０との間の距離よりも短い。 The wavelength conversion layer 31 has an upper surface (wavelength conversion layer upper surface 31u). The wavelength conversion layer upper surface 31u is concave downward. That is, the distance between the central portion of the wavelength conversion layer upper surface 31 u and the substrate 10 is shorter than the distance between the outer portion of the wavelength conversion layer upper surface 31 u and the substrate 10.
外側部１６ｅにおいて、隣り合う半導体発光素子２０の間の領域において、波長変換層上面３１ｕから基板１０までの距離を距離Ｌ１ｅとする。
中央部１６ｃにおいて、隣り合う半導体発光素子２０の間の領域において、波長変換層上面３１ｕから基板１０までの距離を距離Ｌ１ｃとする。
外側部１６ｅにおいて、半導体発光素子２０の上の領域において、波長変換層上面３１ｕから基板１０までの距離を距離Ｌ２ｅとする。
中央部１６ｃにおいて、半導体発光素子２０の上の領域において、波長変換層上面３１ｕから基板１０までの距離を、距離Ｌ２ｃする。
In the outer portion 16e, in the region between the adjacent semiconductor light emitting elements 20, the distance from the wavelength conversion layer upper surface 31u to the substrate 10 is a distance L1e.
In the central portion 16c, in the region between the adjacent semiconductor light emitting elements 20, the distance from the wavelength conversion layer upper surface 31u to the substrate 10 is a distance L1c.
In the outer portion 16e, in the region above the semiconductor light emitting element 20, the distance from the wavelength conversion layer upper surface 31u to the substrate 10 is a distance L2e.
In the central portion 16c, in the region above the semiconductor light emitting element 20, the distance from the wavelength conversion layer upper surface 31u to the substrate 10 is a distance L2c.
図２に例示したように、距離Ｌ１ｃは、距離Ｌ１ｅよりも短い。すなわち、実装領域１６の中央部１６ｃに位置する半導体発光素子２０についての第１距離Ｌ１（すなわち距離Ｌ１ｃ）は、外側部１６ｅに位置する半導体発光素子２０についての第１距離Ｌ１（すなわち距離Ｌ１ｅ）よりも短い。また、距離Ｌ２ｃは、距離Ｌ２ｅよりも短い。このように、波長変換層上面３１ｕは、下に凹状である。 As illustrated in FIG. 2, the distance L1c is shorter than the distance L1e. That is, the first distance L1 (ie, distance L1c) for the semiconductor light emitting element 20 located in the central portion 16c of the mounting region 16 is equal to the first distance L1 (ie, distance L1e) for the semiconductor light emitting element 20 located in the outer portion 16e. Shorter than. The distance L2c is shorter than the distance L2e. Thus, the wavelength conversion layer upper surface 31u is concave downward.
例えば、距離Ｌ１ｃは、０．５４ｍｍ以上０．６７ｍｍ以下である。距離Ｌ１ｅは０．７ｍｍ以上０．８ｍｍ以下である。距離Ｌ１ｃと距離Ｌ１ｅとの差の絶対値は、例えば距離Ｌ１ｃの０．３倍以上０．４５倍以下である。 For example, the distance L1c is not less than 0.54 mm and not more than 0.67 mm. The distance L1e is 0.7 mm or more and 0.8 mm or less. The absolute value of the difference between the distance L1c and the distance L1e is, for example, not less than 0.3 times and not more than 0.45 times the distance L1c.
例えば、距離Ｌ２ｃは、０．６ｍｍ以上０．７ｍｍ以下である。距離Ｌ２ｅは０．７５ｍｍ以上０．８５ｍｍ以下である。距離Ｌ２ｃと距離Ｌ２ｅとの差の絶対値は、例えば距離Ｌ２ｃの０．２倍以上０．２５倍以下である。 For example, the distance L2c is not less than 0.6 mm and not more than 0.7 mm. The distance L2e is 0.75 mm or more and 0.85 mm or less. The absolute value of the difference between the distance L2c and the distance L2e is, for example, not less than 0.2 times and not more than 0.25 times the distance L2c.
発光素子部３５で生じる熱の一部は、例えば、波長変換層３１に蓄積される。例えば、中央部１６ｃの上の領域における波長変換層３１において、熱が蓄積しやすい。本実施形態においては、中央部１６ｃの上の領域における波長変換層３１の高さ（距離Ｌ１ｃ）は、外側部１６ｅの上の領域における波長変換層３１の高さ（距離Ｌ２ｃ）よりも低い。そして、距離Ｌ２ｃは、距離Ｌ２ｅよりも短い。これにより、中央部１６ｃの上の領域における波長変換層３１への熱の蓄積を抑制することができる。例えば、中央部１６ｃの上の領域における半導体発光素子２０の温度と、外側部１６ｅの上の領域における半導体発光素子２０の温度との、差が小さくなる。温度の差が縮小することで、実装領域１６の中心部分と外側部分とにおいて、出射する光の均一性が向上する。本実施形態によれば、均一性を高めた発光装置が提供される。 A part of the heat generated in the light emitting element unit 35 is accumulated in, for example, the wavelength conversion layer 31. For example, heat easily accumulates in the wavelength conversion layer 31 in the region above the central portion 16c. In the present embodiment, the height (distance L1c) of the wavelength conversion layer 31 in the region above the central portion 16c is lower than the height (distance L2c) of the wavelength conversion layer 31 in the region above the outer portion 16e. The distance L2c is shorter than the distance L2e. Thereby, the accumulation | storage of the heat | fever to the wavelength conversion layer 31 in the area | region on the center part 16c can be suppressed. For example, the difference between the temperature of the semiconductor light emitting element 20 in the region above the central portion 16c and the temperature of the semiconductor light emitting element 20 in the region above the outer portion 16e is reduced. By reducing the temperature difference, the uniformity of the emitted light is improved in the central portion and the outer portion of the mounting region 16. According to this embodiment, a light emitting device with improved uniformity is provided.
この例では、複数の半導体発光素子２０の間の領域において、波長変換層上面３１ｕは凹状である。すなわち、距離Ｌ１ｃは、距離Ｌ２ｃよりも短い。そして、距離Ｌ１ｅは、距離Ｌ２ｅよりも短い。ただし、波長変換層上面３１ｕの凹状の凹みは必須ではなく、なくてもよい。 In this example, in the region between the plurality of semiconductor light emitting elements 20, the wavelength conversion layer upper surface 31u is concave. That is, the distance L1c is shorter than the distance L2c. The distance L1e is shorter than the distance L2e. However, the concave depression on the upper surface 31u of the wavelength conversion layer is not essential and may not be necessary.
半導体発光素子２０の上の領域における波長変換層上面３１ｕは、隣り合う半導体発光素子２０の間の領域における波長変換層上面３１ｕよりも上方に位置する。
例えば、複数の半導体発光素子２０のうちの隣り合う２つの半導体発光素子２０の間の領域を第１領域Ｒ１とする。隣り合う２つの半導体発光素子２０の上の領域を第２領域Ｒ２とする。
The wavelength conversion layer upper surface 31 u in the region above the semiconductor light emitting element 20 is located above the wavelength conversion layer upper surface 31 u in the region between the adjacent semiconductor light emitting elements 20.
For example, a region between two adjacent semiconductor light emitting elements 20 among the plurality of semiconductor light emitting elements 20 is defined as a first region R1. A region above the two adjacent semiconductor light emitting elements 20 is defined as a second region R2.
第１領域Ｒ１における波長変換層上面３１ｕと、基板１０と、の間の距離を第１距離とする。第２領域Ｒ２における波長変換層上面３１ｕと基板１０との間の距離を第２距離とする。実施形態においては、第１距離は、第２距離よりも短い。 A distance between the wavelength conversion layer upper surface 31u and the substrate 10 in the first region R1 is defined as a first distance. A distance between the wavelength conversion layer upper surface 31u and the substrate 10 in the second region R2 is a second distance. In the embodiment, the first distance is shorter than the second distance.
隣り合う半導体発光素子２０の間の第１領域Ｒ１における波長変換層３１の高さは、第１距離Ｌ１に対応する。半導体発光素子２０の上の第２領域における波長変換層３１の高さは、第２距離Ｌ２に対応する。例えば、複数の半導体発光素子２０は、Ｘ−Ｙ面内にアレイ状に設けられる。波長変換層３１の表面形状は、例えば鱗状に観察される場合もある。 The height of the wavelength conversion layer 31 in the first region R1 between the adjacent semiconductor light emitting elements 20 corresponds to the first distance L1. The height of the wavelength conversion layer 31 in the second region above the semiconductor light emitting element 20 corresponds to the second distance L2. For example, the plurality of semiconductor light emitting elements 20 are provided in an array in the XY plane. The surface shape of the wavelength conversion layer 31 may be observed in a scale shape, for example.
発光素子部３５で生じる熱の一部は、例えば、波長変換層３１に蓄積される。波長変換層３１に蓄積された熱は、例えば、半導体発光素子２０に伝達され、実装基板部１５へ向けて放熱される。例えば、半導体発光素子２０の間の領域における波長変換層３１において、熱が蓄積される。本実施形態では、半導体発光素子２０の間の領域における波長変換層３１の高さが低い。これにより、半導体発光素子２０の間の熱の蓄積を抑制することができ、放熱性を高めることができる。 A part of the heat generated in the light emitting element unit 35 is accumulated in, for example, the wavelength conversion layer 31. The heat accumulated in the wavelength conversion layer 31 is transmitted to, for example, the semiconductor light emitting element 20 and is radiated toward the mounting substrate unit 15. For example, heat is accumulated in the wavelength conversion layer 31 in the region between the semiconductor light emitting elements 20. In the present embodiment, the height of the wavelength conversion layer 31 in the region between the semiconductor light emitting elements 20 is low. Thereby, accumulation of heat between the semiconductor light emitting elements 20 can be suppressed, and heat dissipation can be improved.
（第２の実施形態）
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。
図３（ａ）は、発光装置の特性を示すグラフ図である。図３（ｂ）は、発光装置を例示する模式的平面図である。
(Second Embodiment)
FIG. 3A and FIG. 3B are schematic views illustrating the light emitting device according to the second embodiment.
FIG. 3A is a graph showing characteristics of the light emitting device. FIG. 3B is a schematic plan view illustrating the light emitting device.
図３（ｂ）に表したように、本実施形態に係る発光装置１１０ａにおいて、複数の半導体発光素子が、実装領域１６上に設けられる。複数の半導体発光素子は、例えば、素子２０ｃと、素子２０ｄと、素子２０ｅと、を含む。実装領域１６の中央部１６ｃには、素子２０ｃが設けられる。実装領域１６の外側部１６ｅには、素子２０ｅが設けられる。素子２０ｄは、素子２０ｃと、素子２０ｅと、の間に設けられる。この例では、素子２０ｃと、素子２０ｄと、素子２０ｅと、は、互いに特性が異なる。 As illustrated in FIG. 3B, in the light emitting device 110 a according to this embodiment, a plurality of semiconductor light emitting elements are provided on the mounting region 16. The plurality of semiconductor light emitting elements include, for example, an element 20c, an element 20d, and an element 20e. An element 20 c is provided in the central portion 16 c of the mounting region 16. An element 20 e is provided on the outer portion 16 e of the mounting region 16. The element 20d is provided between the element 20c and the element 20e. In this example, the element 20c, the element 20d, and the element 20e have different characteristics.
図３（ａ）は、これらの半導体発光素子の特性を例示している。横軸は、温度Ｔである。縦軸は、光出力Ｐｏである。図３（ａ）に表したように、素子２０ｃ、素子２０ｄ及び素子２０ｅは、互いに光出力Ｐｏが異なる。同じ温度Ｔにおいて、素子２０ｃの光出力Ｐｏは、素子２０ｅの光出力Ｐｏよりも高い。素子２０ｄの光出力Ｐｏは、素子２０ｃの光出力Ｐｏと素子２０ｅの光出力Ｐｏの間である。 FIG. 3A illustrates the characteristics of these semiconductor light emitting elements. The horizontal axis is the temperature T. The vertical axis represents the light output Po. As shown in FIG. 3A, the element 20c, the element 20d, and the element 20e have different optical outputs Po. At the same temperature T, the optical output Po of the element 20c is higher than the optical output Po of the element 20e. The optical output Po of the element 20d is between the optical output Po of the element 20c and the optical output Po of the element 20e.
図３（ｂ）に表したように、複数の半導体発光素子が発光したとき、複数の半導体発光素子の温度が互いに異なる。この例では、素子２０ｃの温度２０ｃｔは、素子２０ｅの温度２０ｅｔよりも高い。素子２０ｄの温度２０ｄｔは、温度２０ｃｔと温度２０ｅｔとの間である。半導体発光素子の温度の分布が補償されるように、光出力Ｐｏの温度特性が互いに異なる半導体発光素子が配置される。 As shown in FIG. 3B, when the plurality of semiconductor light emitting elements emit light, the temperatures of the plurality of semiconductor light emitting elements are different from each other. In this example, the temperature 20ct of the element 20c is higher than the temperature 20et of the element 20e. The temperature 20dt of the element 20d is between the temperature 20ct and the temperature 20et. Semiconductor light emitting elements having different temperature characteristics of the light output Po are arranged so that the temperature distribution of the semiconductor light emitting elements is compensated.
これにより、図３（ａ）に表したように、素子２０ｃの光出力２０ｃｐ、素子２０ｄの光出力２０ｄｐ及び素子２０ｅの光出力２０ｅｐにおいて、均一性が高まる。 As a result, as shown in FIG. 3A, uniformity is enhanced in the light output 20cp of the element 20c, the light output 20dp of the element 20d, and the light output 20ep of the element 20e.
例えば、外側部１６ｅにおける波長変換層３１の厚さが、中央部１６ｃにおける波長変換層３１の厚さよりも厚いと、外側部１６ｅにおける光の波長は、中央部１６ｃにおける光の波長よりも長くなる。これにより、色が不均一になる。本実施形態に係る発光装置１１０ａによれば、中央部１６ｃに設けられた素子の光出力は、外側部１６ｅに設けられた素子の光出力よりも高い。これにより、色の均一性が向上する。 For example, if the thickness of the wavelength conversion layer 31 in the outer portion 16e is thicker than the thickness of the wavelength conversion layer 31 in the central portion 16c, the wavelength of light in the outer portion 16e is longer than the wavelength of light in the central portion 16c. . This makes the color non-uniform. According to the light emitting device 110a according to the present embodiment, the light output of the element provided in the central portion 16c is higher than the light output of the element provided in the outer portion 16e. This improves color uniformity.
図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第２の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式図である。
図４（ａ）は、発光装置の特性を示すグラフ図である。図４（ｂ）は、発光装置を例示する模式的平面図である。
FIG. 4A and FIG. 4B are schematic views illustrating another light emitting device according to the second embodiment.
FIG. 4A is a graph showing characteristics of the light emitting device. FIG. 4B is a schematic plan view illustrating the light emitting device.
図４（ｂ）に表したように、発光装置１１０ｂにおいて、複数の半導体発光素子が実装領域１６の上に設けられる。複数の半導体発光素子は、素子２０ｆと、素子２０ｇと、を含む。実装領域１６の中央部１６ｃには、素子２０ｆが設けられる。実装領域１６の外側部１６ｅには、素子２０ｇが設けられる。素子２０ｆと、素子２０ｇと、は、互いに大きさ（面積）が異なる。 As illustrated in FIG. 4B, in the light emitting device 110 b, a plurality of semiconductor light emitting elements are provided on the mounting region 16. The plurality of semiconductor light emitting elements include an element 20f and an element 20g. An element 20 f is provided in the central portion 16 c of the mounting region 16. An element 20 g is provided on the outer portion 16 e of the mounting region 16. The element 20f and the element 20g have different sizes (areas).
図４（ａ）は、これらの半導体発光素子の特性を例示している。横軸は、温度Ｔである。縦軸は、光出力Ｐｏである。
図４（ａ）に表したように、素子２０ｆ及び素子２０ｇは、互いに光出力が異なる。同じ温度において、素子２０ｆの光出力Ｐｏは、素子２０ｇの光出力Ｐｏよりも高い。
FIG. 4A illustrates the characteristics of these semiconductor light emitting elements. The horizontal axis is the temperature T. The vertical axis represents the light output Po.
As shown in FIG. 4A, the element 20f and the element 20g have different light outputs. At the same temperature, the optical output Po of the element 20f is higher than the optical output Po of the element 20g.
図４（ｂ）に表したように、複数の半導体発光素子が発光したとき、複数の半導体発光素子の温度は、互いに異なる。素子２０ｆの温度２０ｆｔは、素子２０ｇの温度２０ｇｔよりも高い。半導体発光素子の温度の分布が補償されるように、面積が異なり光出力Ｐｏの温度特性が互いに異なる半導体発光素子が配置される。 As shown in FIG. 4B, when the plurality of semiconductor light emitting elements emit light, the temperatures of the plurality of semiconductor light emitting elements are different from each other. The temperature 20ft of the element 20f is higher than the temperature 20gt of the element 20g. Semiconductor light emitting elements having different areas and different temperature characteristics of the light output Po are arranged so as to compensate for the temperature distribution of the semiconductor light emitting elements.
図４（ａ）に表したように、素子２０ｆの光出力２０ｆｐ及び素子２０ｇの光出力２０ｇｐにおいて、均一性が高まる。 As shown in FIG. 4A, the uniformity is increased in the optical output 20fp of the element 20f and the optical output 20gp of the element 20g.
発光装置１１０ｂにおいても、中央部１６ｃに設けられた素子の光出力は、外側部１６ｅに設けられた素子の光出力よりも高い。これにより、色の均一性が高まる。 Also in the light emitting device 110b, the light output of the element provided in the central portion 16c is higher than the light output of the element provided in the outer portion 16e. This increases the color uniformity.
図５（ａ）〜図５（ｃ）は、第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。 図５（ａ）及び図５（ｃ）は、半導体発光素子の特性を示すグラフ図である。図５（ｃ）は、発光装置を例示する模式的平面図である。 FIG. 5A to FIG. 5C are schematic views illustrating the light emitting device according to the second embodiment. FIG. 5A and FIG. 5C are graphs showing characteristics of the semiconductor light emitting device. FIG. 5C is a schematic plan view illustrating the light emitting device.
図５（ｃ）に表したように、発光装置１１０ｃにおいて、複数の半導体発光素子が、実装領域１６の上に設けられる。実装領域１６は、３つの領域に分けられ、それぞれの領域の上に、複数の素子が設けられる。素子群２０ｃｇと実装領域１６の中心との間距離は、距離２０ｃｄ未満である。素子群２０ｄｇと実装領域１６の中心との間の距離は、距離２０ｃｄ以上距離２０ｄｄ未満である。素子群２０ｅｇと実装領域１６の中心との間の距離は、距離２０ｄｄ以上である。素子群２０ｃｇ、素子群２０ｃｇ、及び素子群２０ｅｇの特性は、互いに異なる。 As illustrated in FIG. 5C, in the light emitting device 110 c, a plurality of semiconductor light emitting elements are provided on the mounting region 16. The mounting region 16 is divided into three regions, and a plurality of elements are provided on each region. The distance between the element group 20cg and the center of the mounting region 16 is less than the distance 20cd. The distance between the element group 20dg and the center of the mounting region 16 is not less than the distance 20cd and less than the distance 20dd. The distance between the element group 20eg and the center of the mounting region 16 is not less than 20dd. The characteristics of the element group 20cg, the element group 20cg, and the element group 20eg are different from each other.
図５（ａ）は、これらの素子群の特性を例示している。横軸は、実装領域１６の中心からの距離ｄｓである。縦軸は、光出力Ｐｏである。図５（ａ）は、素子群の温度が同じときの特性を例示している。 FIG. 5A illustrates the characteristics of these element groups. The horizontal axis is the distance ds from the center of the mounting area 16. The vertical axis represents the light output Po. FIG. 5A illustrates characteristics when the temperature of the element group is the same.
図５（ａ）に表したように、温度が一定のとき、素子群２０ｃｇの光出力Ｐｏの平均２０ｃａは、素子群２０ｅｇの光出力Ｐｏの平均２０ｅａよりも高い。素子群２０ｄｇの光出力Ｐｏの平均２０ｄａは、素子群２０ｃｇの光出力Ｐｏの平均と、素子群２０ｅｇの光出力Ｐｏの平均２０ｅａと、の間である。 As shown in FIG. 5A, when the temperature is constant, the average 20ca of the light output Po of the element group 20cg is higher than the average 20ea of the light output Po of the element group 20eg. The average 20da of the light output Po of the element group 20dg is between the average of the light output Po of the element group 20cg and the average 20ea of the light output Po of the element group 20eg.
図５（ｃ）に表したように、実装領域１６の３つの領域において、特性の異なる素子群が配置されている。素子群２０ｃｇの温度は、素子群２０ｅｇよりも高い。素子群２０ｄｇの温度は、素子群２０ｃｇの温度と、素子群２０ｅｇの温度との間である。 As shown in FIG. 5C, element groups having different characteristics are arranged in the three regions of the mounting region 16. The temperature of the element group 20cg is higher than that of the element group 20eg. The temperature of the element group 20dg is between the temperature of the element group 20cg and the temperature of the element group 20eg.
図５（ｂ）は、半導体発光素子が発光しているときの特性を例示している。横軸は、実装領域１６の中心からの距離ｄｓである。図５（ｂ）の縦軸は、光束Ｌｆである。図５（ｂ）に表したように、素子群２０ｃｇの光束の平均２０ｃｖ、素子群２０ｄｇの光束の平均２０ｄｖ及び素子群２０ｅｇの光束の平均２０ｅｖにおいて、均一性が高まる。 FIG. 5B illustrates characteristics when the semiconductor light emitting element emits light. The horizontal axis is the distance ds from the center of the mounting area 16. The vertical axis in FIG. 5B is the light flux Lf. As shown in FIG. 5B, the uniformity is increased in the average 20 cv of the luminous flux of the element group 20 cg, the average 20 dv of the luminous flux of the element group 20 dg, and the average 20 ev of the luminous flux of the element group 20 eg.
発光装置１１０ｃにおいても、中央部１６ｃに設けられた素子の光出力は、外側部１６ｅに設けられた素子の光出力よりも大きい。これにより、色の均一性が高まる。さらに、半導体発光素子をその特性によって複数の領域に配置することで、製造が容易になる。 Also in the light emitting device 110c, the light output of the element provided in the central portion 16c is larger than the light output of the element provided in the outer portion 16e. This increases the color uniformity. Further, the semiconductor light emitting device is arranged in a plurality of regions depending on the characteristics, thereby facilitating manufacture.
実施形態に係る発光装置において、ＬＥＤチップが設けられた実装領域の中心から、同心円状に距離が遠くなるにつれて、配置されたチップの同一測定条件下での光出力Ｐｏが同等か、または、低い。配線基板上にチップを搭載し、光波長変換する蛍光体を含む透明樹脂で封止して形成された発光部において、発光部の中心から外周部に向けて距離が遠くなるにつれて、チップの光出力Ｐｏが低くなる。中央部で発光したチップの熱により低下した光出力Ｐｏと、中心部よりも外周にあり、低温で発光したチップのＰｏと、が同等となる。形成した発光面の位置による明るさの差が小さくなり、均一発光する。 In the light emitting device according to the embodiment, as the distance from the center of the mounting area where the LED chip is provided is concentrically increased, the light output Po of the arranged chip under the same measurement condition is equal or lower. . In a light emitting part formed by mounting a chip on a wiring board and encapsulating with a transparent resin containing a phosphor that converts light wavelength, the light of the chip increases as the distance increases from the center of the light emitting part to the outer peripheral part. The output Po is lowered. The light output Po that is reduced by the heat of the chip that emits light at the center is equal to the Po of the chip that is on the outer periphery of the center and emits light at a low temperature. The difference in brightness depending on the position of the formed light emitting surface is reduced, and uniform light emission is performed.
実施形態に係る発光装置は、ＬＥＤチップ実装領域の中心からの距離と同一条件下におけるチップの光出力Ｐｏの相関を求めた場合に、負の相関がある。例えば、光出力Ｐｏでランク分けされたチップを、領域分けして実装する。発光中心から外周方向に向けての光出力Ｐｏの差が小さくできる。発光面内の位置による明るさの差が抑制できる。 The light emitting device according to the embodiment has a negative correlation when the correlation of the light output Po of the chip under the same condition as the distance from the center of the LED chip mounting region is obtained. For example, chips ranked by light output Po are divided into areas and mounted. The difference in light output Po from the light emission center toward the outer peripheral direction can be reduced. The difference in brightness due to the position in the light emitting surface can be suppressed.
（第３の実施形態）
図６は、第３の実施形態に係る発光装置を例示する模式的平面図である。
図６に表したように、発光装置１１０ｄにおいて、実装領域１６の上に第３金属層１３（配線層、すなわち、第１金属層１１）が設けられ、第３金属層１３の上に、複数の半導体発光素子が設けられる。複数の半導体発光素子は、素子２０ｈと、素子２０ｉと、を含む。中央部１６ｃには、素子２０ｈが設けられる。外側部１６ｅには、素子２０ｉが設けられる。
(Third embodiment)
FIG. 6 is a schematic plan view illustrating the light emitting device according to the third embodiment.
As illustrated in FIG. 6, in the light emitting device 110 d, the third metal layer 13 (wiring layer, that is, the first metal layer 11) is provided on the mounting region 16, and a plurality of the third metal layer 13 is provided on the third metal layer 13. The semiconductor light emitting element is provided. The plurality of semiconductor light emitting elements include an element 20h and an element 20i. An element 20h is provided in the central portion 16c. The outer portion 16e is provided with an element 20i.
第３金属層１３は、第１回路パターン１３ｌａと、第２回路パターン１３ｌｂと、を含む。第２回路パターン１３ｌｂは、第１回路パターン１３ｌａと独立している。第１回路パターン１３ｌａは、中央部１６ｃの素子２０ｈと接続される。第２回路パターン１３ｌｂは、外側部１６ｅの素子２０ｉと接続される。 The third metal layer 13 includes a first circuit pattern 13la and a second circuit pattern 13lb. The second circuit pattern 13lb is independent of the first circuit pattern 13la. The first circuit pattern 13la is connected to the element 20h in the central portion 16c. The second circuit pattern 13lb is connected to the element 20i of the outer portion 16e.
第１回路パターン１３ｌａは、素子２０ｈに電流を供給する。第２回路パターン１３ｌｂは、素子２０ｉに電流を供給する。素子２０ｈには、電流Ｉｈが流れる。素子２０ｉには、電流Ｉｉが流れる。複数の素子２０ｈが直列に接続され、複数の素子２０ｈと、第１回路パターン１３ｌａと、を含む第１給電経路によって、素子２０ｈに電流が供給されてもよい。例えば、素子２０ｉと、第２回路パターン１３ｌｂと、を含む第２給電経路によって、電流が素子２０ｉに供給されてもよい。 The first circuit pattern 13la supplies current to the element 20h. The second circuit pattern 13lb supplies a current to the element 20i. A current Ih flows through the element 20h. A current Ii flows through the element 20i. A plurality of elements 20h may be connected in series, and current may be supplied to the element 20h through a first power supply path including the plurality of elements 20h and the first circuit pattern 13la. For example, the current may be supplied to the element 20i through a second power supply path including the element 20i and the second circuit pattern 13lb.
本実施形態においては、電流Ｉｈは、電流Ｉｉよりも大きく設定される。中央部１６ｃに設けられた半導体発光素子に流れる電流は、外側部１６ｅに設けられた半導体発光素子に流れる電流よりも大きい。これにより、色の均一性が高まる。すなわち、外側部１６ｅにおける波長変換層３１の厚さが、中央部１６ｃにおける波長変換層３１の厚さよりも厚いと、外側部１６ｅにおける光の波長は、中央部１６ｃにおける光の波長よりも長くなる。これにより、色むらが発生する。本実施形態に係る発光装置１１０ｄによれば、中央部１６ｃと外側部１６ｅとで電流を変えることにより、色の均一性が高まる。 In the present embodiment, the current Ih is set larger than the current Ii. The current flowing through the semiconductor light emitting element provided in the central portion 16c is larger than the current flowing through the semiconductor light emitting element provided in the outer portion 16e. This increases the color uniformity. That is, when the wavelength conversion layer 31 in the outer portion 16e is thicker than the wavelength conversion layer 31 in the central portion 16c, the wavelength of light in the outer portion 16e is longer than the wavelength of light in the central portion 16c. . As a result, color unevenness occurs. According to the light emitting device 110d according to the present embodiment, the color uniformity is improved by changing the current between the central portion 16c and the outer portion 16e.
実施形態に係る発光装置においては、複数の回路パターンのうちの、実装部材の中心部の回路パターンと、端部の回路パターンと、それぞれに投入する電流の差が、例えば５０％以上である。 In the light emitting device according to the embodiment, the difference in current applied to the circuit pattern at the center of the mounting member and the circuit pattern at the end of the plurality of circuit patterns is 50% or more, for example.
（第４の実施形態）
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第４の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。
図７（ａ）は、模式的平面図である。図７（ｂ）は、模式的断面図である。
(Fourth embodiment)
FIG. 7A and FIG. 7B are schematic views illustrating the light emitting device according to the fourth embodiment.
FIG. 7A is a schematic plan view. FIG. 7B is a schematic cross-sectional view.
図７（ａ）に表したように、発光装置１１０ｅにおいて、実装領域１６の上に複数の半導体発光素子が設けられる。複数の半導体発光素子は、素子２０ｊと、素子２０ｋと、を含む。実装領域１６の中央部１６ｃには、素子２０ｊが設けられる。実装領域１６の外側部１６ｅには、素子２０ｋが設けられる。 As shown in FIG. 7A, a plurality of semiconductor light emitting elements are provided on the mounting region 16 in the light emitting device 110 e. The plurality of semiconductor light emitting elements include an element 20j and an element 20k. An element 20 j is provided in the central portion 16 c of the mounting region 16. An element 20 k is provided on the outer portion 16 e of the mounting region 16.
図７（ｂ）に表したように、波長変換層３１と、反射層３２と、第４金属層１４（配線層、すなわち、第１金属層１１）と、が設けられる。素子２０ｊ及び素子２０ｋは、波長変換層３１に覆われている。反射層３２は、Ｘ−Ｙ平面内で波長変換層３１を囲む。第４金属層１４は、複数の実装パターンを含む。複数の素子のそれぞれは、複数の実装パターンの少なくともいずれかと電気的に接続されている。複数の実装パターンは、中央部実装パターン１４ａと、外側部実装パターン１４ｂと、を含む。 As shown in FIG. 7B, the wavelength conversion layer 31, the reflection layer 32, and the fourth metal layer 14 (wiring layer, that is, the first metal layer 11) are provided. The element 20j and the element 20k are covered with the wavelength conversion layer 31. The reflective layer 32 surrounds the wavelength conversion layer 31 in the XY plane. The fourth metal layer 14 includes a plurality of mounting patterns. Each of the plurality of elements is electrically connected to at least one of the plurality of mounting patterns. The plurality of mounting patterns include a central portion mounting pattern 14a and an outer portion mounting pattern 14b.
中央部実装パターン１４ａは、素子２０ｊと、実装領域１６と、の間に設けられる。外側部実装パターン１４ｂは、素子２０ｋと、実装領域１６と、の間に設けられる。外側部実装パターン１４ｂの厚さ１４ｂｔは、中央部実装パターン１４ａの厚さ１４ａｔよりも厚い。 The center portion mounting pattern 14 a is provided between the element 20 j and the mounting region 16. The outer portion mounting pattern 14 b is provided between the element 20 k and the mounting region 16. The thickness 14bt of the outer portion mounting pattern 14b is thicker than the thickness 14at of the central portion mounting pattern 14a.
発光装置１１０ｅにおいて、外側部１６ｅに設けられた実装パターンの厚さが、中央部１６ｃに設けられた実装パターンよりも厚いことで、例えば、波長変換層３１の厚さが調整される。これにより、色の均一性が高まる。 In the light emitting device 110e, the thickness of the mounting pattern provided on the outer portion 16e is thicker than the mounting pattern provided on the central portion 16c, so that, for example, the thickness of the wavelength conversion layer 31 is adjusted. This increases the color uniformity.
実施形態に係る発光装置は、ＬＥＤ実装基板と複数のＬＥＤチップとバンクと蛍光体配合封止樹脂とによって形成されるＣＯＢモジュールである。ＬＥＤ実装基板の配線パターンの厚さをＣＯＢ央部に比べて外周部で厚くする。複数のＬＥＤチップは、ＬＥＤ実装基板に実装され、ＬＥＤチップ実装領域を囲むように形成されたバンク内に蛍光体配合封止樹脂が充填される。蛍光体配合封止樹脂をバンク内に充填し硬化する際に、蛍光体配合封止樹脂はバンクにせり上がるように形成される。ＣＯＢ中央部に比べて外周部で、厚さが増す。これに対応するように、ＬＥＤ実装基板の配線パターンの厚さをＣＯＢ中央部に比べ外周部で厚くする。ＬＥＤチップから放射される励起光が透過する蛍光体配合封止樹脂の厚さが、発光面内において均一化される。これにより、色むらが軽減される。 The light emitting device according to the embodiment is a COB module formed by an LED mounting substrate, a plurality of LED chips, a bank, and a phosphor-containing sealing resin. The thickness of the wiring pattern of the LED mounting board is made thicker at the outer peripheral portion than at the central portion of the COB. The plurality of LED chips are mounted on the LED mounting substrate, and the phosphor compounding sealing resin is filled in a bank formed so as to surround the LED chip mounting region. When the phosphor-containing sealing resin is filled in the bank and cured, the phosphor-containing sealing resin is formed so as to rise up into the bank. The thickness is increased at the outer peripheral portion compared to the COB central portion. In order to correspond to this, the thickness of the wiring pattern of the LED mounting substrate is made thicker at the outer peripheral portion than at the COB central portion. The thickness of the phosphor-containing sealing resin through which the excitation light emitted from the LED chip is transmitted is made uniform in the light emitting surface. As a result, color unevenness is reduced.
（第５の実施形態）
図８は、第５の実施形態に係る発光装置を例示する模式的平面図である。
図８に表したように、本実施形態に係る発光装置１１０ｆにおいては、複数の半導体発光素子の密度が、中央部１６ｃと外側部１６ｅとで変更される。複数の半導体発光素子は、素子２０ｌと、素子２０ｍと、素子２０ｎと、素子２０ｏと、を含む。実装領域１６の中央部１６ｃには、素子２０ｌと、素子２０ｍと、が設けられる。素子２０ｌと素子２０ｍとは、最近接である。実装領域１６の外側部１６ｅには、素子２０ｎと、素子２０ｏと、が設けられる。素子２０ｎと、素子２０ｏと、は、最近接である。
(Fifth embodiment)
FIG. 8 is a schematic plan view illustrating the light emitting device according to the fifth embodiment.
As shown in FIG. 8, in the light emitting device 110f according to the present embodiment, the density of the plurality of semiconductor light emitting elements is changed between the central portion 16c and the outer portion 16e. The plurality of semiconductor light emitting elements include an element 20l, an element 20m, an element 20n, and an element 20o. An element 20l and an element 20m are provided in the central portion 16c of the mounting region 16. The element 20l and the element 20m are closest. An element 20n and an element 20o are provided on the outer portion 16e of the mounting region 16. The element 20n and the element 20o are closest.
この例では、複数の半導体発光素子のサイズが同じである。中央部１６ｃにおいて、素子２０ｌの中心と、素子２０ｍの中心と、の間の距離を距離２０ｌｍとする。外側部１６ｅにおいて、素子２０ｎの中心と、素子２０ｏの中心と、の間の距離を距離２０ｎｏとする。距離２０ｌｍは、距離２０ｎｏよりも長い。 In this example, the sizes of the plurality of semiconductor light emitting elements are the same. In the central portion 16c, the distance between the center of the element 20l and the center of the element 20m is a distance 20lm. In the outer portion 16e, the distance between the center of the element 20n and the center of the element 20o is a distance 20no. The distance 20lm is longer than the distance 20no.
例えば、中央部１６ｃにおいて、複数の半導体発光素子が設けられた領域の面積の、中央部１６ｃの面積に対する割合を第１割合とする。外側部１６ｅにおいて、複数の半導体発光素子が設けられている領域の面積の、外側部１６ｅの面積に対する割合を第２割合とする。第１割合は、第２割合よりも低い。 For example, in the central portion 16c, the ratio of the area of the region where the plurality of semiconductor light emitting elements are provided to the area of the central portion 16c is defined as the first ratio. In the outer portion 16e, the ratio of the area of the region where the plurality of semiconductor light emitting elements are provided to the area of the outer portion 16e is defined as a second ratio. The first ratio is lower than the second ratio.
中央部１６ｃにおける複数の半導体発光素子の密度は、外側部１６ｅにおける複数の半導体発光素子の密度よりも低い。 The density of the plurality of semiconductor light emitting elements in the central portion 16c is lower than the density of the plurality of semiconductor light emitting elements in the outer portion 16e.
図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第５の実施形態に係る発光装置を例示する模式的平面図である。
図９（ａ）に表したように、素子２０ｐａ、２０ｐｂ、２０ｐｃ及び２０ｐｄのそれぞれの間の距離は近い。このとき、これらの素子と波長変換層３１との組み合わせにおいて、第１の色が得られる。
FIG. 9A and FIG. 9B are schematic plan views illustrating the light emitting device according to the fifth embodiment.
As shown in FIG. 9A, the distances between the elements 20pa, 20pb, 20pc, and 20pd are close. At this time, the first color is obtained in the combination of these elements and the wavelength conversion layer 31.
図９（ｂ）に表したように、素子２０ｑａ、２０ｑｂ、２０ｑｃ及び２０ｑｄのそれぞれの間の距離は、図９（ｂ）の状態よりも遠い。このとき、これらの素子と波長変換層３１との組み合わせにおいて、第２の色が得られる。第２の色は、第１の色よりも長波長である。 As shown in FIG. 9B, the distance between each of the elements 20qa, 20qb, 20qc, and 20qd is farther than the state of FIG. 9B. At this time, the second color is obtained in the combination of these elements and the wavelength conversion layer 31. The second color has a longer wavelength than the first color.
本実施形態においては、中央部１６ｃにおいて素子が設けられない領域を、外側部１６ｅにおいて素子が設けられない領域よりも広くする。既に説明したように、外側部１６ｅにおける波長変換層３１の厚さが、中央部１６ｃにおける波長変換層３１の厚さよりも厚いと、外側部１６ｅにおける光の波長は、中央部１６ｃにおける光の波長よりも長くなる。これにより、色むらが発生する。 In the present embodiment, a region where no element is provided in the central portion 16c is made wider than a region where no element is provided in the outer portion 16e. As already described, when the thickness of the wavelength conversion layer 31 in the outer portion 16e is thicker than the thickness of the wavelength conversion layer 31 in the central portion 16c, the wavelength of light in the outer portion 16e is the wavelength of light in the central portion 16c. Longer than. As a result, color unevenness occurs.
このとき、本実施形態に係る発光装置１１０ｆによれば、中央部１６ｃと外側部１６ｅとで、素子が設けられない領域の割合を変更する。波長変換層３１の厚さの差異による色の不均一性が、素子が設けられない領域の割合により補償する。これにより、色の均一性が高まる。 At this time, according to the light emitting device 110f according to the present embodiment, the ratio of the region where no element is provided is changed between the central portion 16c and the outer portion 16e. The color non-uniformity due to the difference in thickness of the wavelength conversion layer 31 is compensated by the ratio of the region where no element is provided. This increases the color uniformity.
複数のＬＥＤチップを一括で蛍光体封止した光源と、光源とレンズとの距離を変化させることで光の照射範囲を変化させる機能を持った照明装置がある。このような照明装置において、照射面が光源の投影像となると、ＬＥＤチップがはっきりと見えてしまう。これを避けるために、完全に焦点を結ぶ位置からレンズをずらしたり、光源とレンズの間に拡散面を設けたりしている。しかしながら、ＬＥＤ光源の樹脂層の厚さが表面張力で壁付近で厚くなることが原因で、色むらが発生する。この色むらにおいては、照射面の中心から離れるほど長波長になるリング状のむらである。 There is a light source in which a plurality of LED chips are collectively sealed with a phosphor, and an illumination device having a function of changing a light irradiation range by changing a distance between the light source and the lens. In such an illuminating device, when the irradiation surface becomes a projection image of the light source, the LED chip can be clearly seen. In order to avoid this, the lens is shifted from a completely focused position, or a diffusion surface is provided between the light source and the lens. However, color unevenness occurs because the thickness of the resin layer of the LED light source becomes thick near the wall due to surface tension. This uneven color is a ring-shaped unevenness having a longer wavelength as the distance from the center of the irradiation surface increases.
実施形態に係る発光装置においては、ＬＥＤチップの配置間隔を光源の中心に近いほど広くする。これにより、上記の問題が抑制できる。 In the light emitting device according to the embodiment, the arrangement interval of the LED chips is increased as the distance from the center of the light source is closer. Thereby, said problem can be suppressed.
照射面に投影像が見える時には、ＬＥＤチップの直上は低波長になり、ＬＥＤチップが無い領域は長波長に見える。ＬＥＤチップの配置間隔を広くし、かつ、拡散面などでそれをぼかすと、ＬＥＤチップとその周囲とを合わせた領域が投影される照射面は、ＬＥＤチップ配置間隔が狭い時よりも長波長に見える。これを利用して樹脂層の厚さの違いによる色の違いを縮小し、照射面全体の色むらを小さくすることができる。 When the projected image is visible on the irradiation surface, the wavelength directly above the LED chip has a low wavelength, and the region without the LED chip appears to have a long wavelength. If the LED chip arrangement interval is widened and the diffusion surface is blurred, the irradiation surface on which the area of the LED chip and the surrounding area is projected has a longer wavelength than when the LED chip arrangement interval is narrow. appear. By utilizing this, the color difference due to the difference in the thickness of the resin layer can be reduced, and the color unevenness of the entire irradiated surface can be reduced.
実施形態に係る発光装置においては、ＬＥＤ光源と、レンズと、を含む照明装置である。このＬＥＤ光源においては、複数のＬＥＤチップを同一の基板上に配置し、ＬＥＤチップ全体を囲うように作製された壁と、壁の内部に充填された樹脂層と、が設けられる。樹脂層においては、ＬＥＤチップ波長よりも長波長の光を発光する蛍光体が封止されている。レンズは、ＬＥＤ光源の上方に配置される。ＬＥＤ光源とレンズとの距離を変化させることで、光の照射範囲を変化させる。ＬＥＤチップの配置間隔が、ＬＥＤ光源の中心に近いと広い。中心から遠いと、配置間隔が広い。光の照射面における色むらが抑制できる。 The light emitting device according to the embodiment is a lighting device including an LED light source and a lens. In this LED light source, a plurality of LED chips are arranged on the same substrate, and a wall manufactured so as to surround the entire LED chip and a resin layer filled in the wall are provided. In the resin layer, a phosphor that emits light having a wavelength longer than the LED chip wavelength is sealed. The lens is disposed above the LED light source. The light irradiation range is changed by changing the distance between the LED light source and the lens. When the arrangement interval of LED chips is close to the center of the LED light source, it is wide. The farther away from the center, the wider the spacing. Color unevenness on the light irradiation surface can be suppressed.
（第６の実施形態）
図１０（ａ）〜図１０（ｄ）は、第６の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。
図１０（ａ）、図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）は、模式的断面図である。図１０（ｂ）は、模式的平面図である。
(Sixth embodiment)
FIG. 10A to FIG. 10D are schematic views illustrating the light emitting device according to the sixth embodiment.
FIG. 10A, FIG. 10C, and FIG. 10D are schematic cross-sectional views. FIG. 10B is a schematic plan view.
図１０（ａ）に表したように、本実施形態に係る発光装置１１０ｇにおいて、実装領域１６の上に、複数の半導体発光素子が設けられる。複数の半導体発光素子は、素子２０ｒと、素子２０ｓと、を含む。実装領域１６の中央部１６ｃには、素子２０ｒが設けられる。実装領域１６の外側部１６ｅには、素子２０ｓが設けられる。 As shown in FIG. 10A, in the light emitting device 110 g according to this embodiment, a plurality of semiconductor light emitting elements are provided on the mounting region 16. The plurality of semiconductor light emitting elements include an element 20r and an element 20s. An element 20 r is provided in the central portion 16 c of the mounting region 16. An element 20 s is provided on the outer portion 16 e of the mounting region 16.
第５金属層１８（配線層、例えば第１金属層１１）は、複数の実装パターンを含む。複数の実装パターンのそれぞれは、表面に金（Ａｕ）を含む層が形成されている。例えば金メッキ層である。複数の実装パターンのそれぞれは、複数の素子のそれぞれと、実装領域１６と、の間に設けられる。複数の素子のそれぞれは、複数の実装パターンの少なくともいずれかと電気的に接続されている。複数の実装パターンは、中央部実装パターン１８ａと、外側部実装パターン１８ｂと、を含む。中央部実装パターン１８ａは、素子２０ｒと、実装領域１６と、の間に設けられる。外側部実装パターン１８ｂは、素子２０ｓと、実装領域１６と、の間に設けられる。 The fifth metal layer 18 (wiring layer, for example, the first metal layer 11) includes a plurality of mounting patterns. Each of the plurality of mounting patterns has a layer containing gold (Au) on the surface. For example, a gold plating layer. Each of the plurality of mounting patterns is provided between each of the plurality of elements and the mounting region 16. Each of the plurality of elements is electrically connected to at least one of the plurality of mounting patterns. The plurality of mounting patterns include a center portion mounting pattern 18a and an outer portion mounting pattern 18b. The center portion mounting pattern 18 a is provided between the element 20 r and the mounting region 16. The outer portion mounting pattern 18 b is provided between the element 20 s and the mounting region 16.
図１０（ｂ）に表したように、実装領域１６に投影したときに、中央部実装パターン１８ａは、半導体発光素子（素子２０ｒ）と重ならない部分１８ａｆを有する。一方、実装領域１６に投影したときに、外側部実装パターン１８ｂは、半導体発光素子（素子２０ｓ）と重ならない部分１８ｂｆを有する。この例では、中央部実装パターン１８ａの上記の部分１８ａｆの面積は、外側部実装パターン１８ｂの上記の部分１８ｂｆの面積よりも大きい。 As shown in FIG. 10B, the central mounting pattern 18a has a portion 18af that does not overlap the semiconductor light emitting element (element 20r) when projected onto the mounting region 16. On the other hand, when projected onto the mounting region 16, the outer portion mounting pattern 18b has a portion 18bf that does not overlap the semiconductor light emitting element (element 20s). In this example, the area of the portion 18af of the central portion mounting pattern 18a is larger than the area of the portion 18bf of the outer portion mounting pattern 18b.
図１０（ｃ）に表したように、中央部実装パターン１８ａは、素子２０ｒと重なる部分と、重なっていない部分１８ａｆと、を有する。図１０（ｄ）に表したように、外側部実装パターン１８ｂは、素子２０ｓと重なる部分と、重ならない部分１８ｂｆと、を有する。これらの図に示したように、部分１８ａｆの面積は、部分１８ｂｆの面積よりも大きい。 As shown in FIG. 10C, the central portion mounting pattern 18a has a portion that overlaps the element 20r and a portion 18af that does not overlap. As shown in FIG. 10D, the outer portion mounting pattern 18b has a portion that overlaps the element 20s and a portion 18bf that does not overlap. As shown in these drawings, the area of the portion 18af is larger than the area of the portion 18bf.
既に説明したように、外側部１６ｅにおける波長変換層３１の厚さが、中央部１６ｃにおける波長変換層３１の厚さよりも厚いと、外側部１６ｅにおける光の波長は、中央部１６ｃにおける光の波長よりも長くなる。これにより、色むらが発生する。 As already described, when the thickness of the wavelength conversion layer 31 in the outer portion 16e is thicker than the thickness of the wavelength conversion layer 31 in the central portion 16c, the wavelength of light in the outer portion 16e is the wavelength of light in the central portion 16c. Longer than. As a result, color unevenness occurs.
このとき、本実施形態においては、中央部１６ｃと外側部１６ｅとで、実装パターンのうちで素子と重ならない部分の面積を変更する。実装パターンは表面に金メッキ層が設けられており、中央部実装パターン１８ａは素子２０ｒと重ならない部分１８ａｆを有し、外側部実装パターン１８ｂは素子２０ｓと重なっているため、中央部実装パターン１８ａでは素子２０ｓから発生する光が金（Ａｕ）メッキで反射されて色温度が低い光が発生する。これにより、波長変換層３１の厚さの差異による色の不均一性が、実装パターンのうちで素子と重ならない部分の面積により補償される。これにより、色の均一性が高まる。 At this time, in the present embodiment, the area of the portion that does not overlap the element in the mounting pattern is changed between the central portion 16c and the outer portion 16e. Since the mounting pattern has a gold plating layer on the surface, the central mounting pattern 18a has a portion 18af that does not overlap the element 20r, and the outer mounting pattern 18b overlaps the element 20s. Light generated from the element 20s is reflected by gold (Au) plating, and light having a low color temperature is generated. Thereby, the color non-uniformity due to the difference in thickness of the wavelength conversion layer 31 is compensated by the area of the portion of the mounting pattern that does not overlap the element. This increases the color uniformity.
実施形態に係る発光装置は、において、ＤＰＣ基板（アルミナセラミック基板）に、フリップチップのＬＥＤチップが実装されるＣＯＢモジュールである。例えば、白色バンク樹脂が設けられる。白色バンク樹脂の外周の幅（例えば直径）は、例えば２５ｍｍ以上である。白色バンク樹脂の内部に、蛍光体入り封止樹脂が設けられる。ＤＰＣ基板においては、裏面にも電極が設けられている。ヒートスプレッダとして、銅、Ｃｕ−Ｍｏ、ＡｌＳｉＣ等の複合金属材料が用いられている。ＳｎＡｇ系の半田材を用いて、ＤＰＣ基板とヒートスプレッダとが金属接合している。 The light emitting device according to the embodiment is a COB module in which a flip-chip LED chip is mounted on a DPC substrate (alumina ceramic substrate). For example, a white bank resin is provided. The width (for example, diameter) of the outer periphery of the white bank resin is, for example, 25 mm or more. Inside the white bank resin, a phosphor-containing sealing resin is provided. In the DPC board, electrodes are also provided on the back surface. As the heat spreader, a composite metal material such as copper, Cu—Mo, or AlSiC is used. The DPC board and the heat spreader are metal-bonded using a SnAg solder material.
実施形態に係る発光装置（ＣＯＢモジュール）においては、セラミック基板の一方の面に、ＬＥＤチップと蛍光体封止樹脂と電子部品と配線部品と、が実装されるこの配線基板の他方の面に、金属板がろう付けされる。実装パターンが複数設けられている。複数の実装パターンの内の外側に位置する実装パターンの面積は、内側に位置する実装パターンの面積よりも小さい。内側のチップにおいては、実装パターンの反射の影響により、可視長波長の反射成分が多く、色温度が低くなる。内側のチップによる発光の色温度が、外側のチップによる発光の色温度に近くなる。 In the light emitting device (COB module) according to the embodiment, on one surface of the ceramic substrate, on the other surface of the wiring substrate on which the LED chip, the phosphor sealing resin, the electronic component, and the wiring component are mounted, A metal plate is brazed. A plurality of mounting patterns are provided. The area of the mounting pattern located outside the plurality of mounting patterns is smaller than the area of the mounting pattern located inside. In the inner chip, due to the influence of the reflection of the mounting pattern, there are many reflection components of visible long wavelength, and the color temperature is lowered. The color temperature of light emitted by the inner chip is close to the color temperature of light emitted by the outer chip.
本実施形態によれば、均一性を高めた発光装置が提供される。 According to this embodiment, a light emitting device with improved uniformity is provided.
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。 In the present specification, “vertical” and “parallel” include not only strictly vertical and strictly parallel, but also include, for example, variations in the manufacturing process, and may be substantially vertical and substantially parallel. It ’s fine.
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体発光素子、波長変換層及び基板などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
The embodiments of the present invention have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples. For example, regarding the specific configuration of each element such as a semiconductor light emitting element, a wavelength conversion layer, and a substrate, those skilled in the art can implement the present invention in a similar manner by appropriately selecting from a well-known range, and obtain the same effect. To the extent possible, they are included within the scope of the present invention.
Moreover, what combined any two or more elements of each specific example in the technically possible range is also included in the scope of the present invention as long as the gist of the present invention is included.
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。 In addition, in the category of the idea of the present invention, those skilled in the art can conceive of various changes and modifications, and it is understood that these changes and modifications also belong to the scope of the present invention. .
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.
１０…基板、 １０ａ…第１主面、 １０ｂ…第２主面、 １０ｒ…外縁、 １０ｕｅ…上面、 １１…第１金属層、 １１ａ…第１実装部分、 １１ｂ…第２実装部分、 １１ｃ…第３実装部分、 １１ｐ…実装パターン、 １１ｐａ…第１実装パターン、 １１ｐｂ…第２実装パターン、 １２…第２金属層、 １２ｉ〜１２ｌ…第１辺〜第４辺、 １３…第３金属層、 １３ｌａ…第１回路パターン、 １３ｌｂ…第２回路パターン、 １４…第４金属層、 １４ａ…中央部実装パターン、 １４ａｔ、１４ｂｔ…厚さ、 １４ｂ…外側部実装パターン、 １５…実装基板部、 １６…実装領域、 １６ｃ…中央部、 １６ｅ…外側部、 １７…周辺領域、 １８…第５金属層、 １８ａ…中央部実装パターン、 １８ａｆ、１８ｂｆ…部分、 １８ｂ…外側部実装パターン、 ２０…半導体発光素子、 ２０ａ…第１半導体発光素子、 ２０ｂ…第２半導体発光素子、 ２０ｃ〜２０ｓ、２０ｐａ〜２０ｐｄ、２０ｑａ〜２０ｑｄ…素子、 ２０ｃａ、２０ｄａ、２０ｅａ…光出力の平均、 ２０ｃｄ、２０ｄｄ…距離、 ２０ｃｇ、２０ｄｇ、２０ｅｇ…素子群、 ２０ｃｐ、２０ｄｐ、２０ｅｐ、２０ｆｐ、２０ｇｐ…光出力、 ２０ｃｔ、２０ｄｔ、２０ｅｔ、２０ｆｔ、２０ｇｔ…温度、 ２０ｃｖ、２０ｄｖ、２０ｅｖ…光束の平均、 ２０ｌｍ、２０ｎｏ…距離、 ２１…第１半導体層、 ２１ａ…第１半導体部分、 ２１ｂ…第２半導体部分、 ２１ｅ…第１接合金属部材、 ２２…第２半導体層、 ２２ｅ…第２接合金属部材、 ２３…発光層、 ３１…波長変換層、 ３１ｕ…波長変換層上面、 ３２…反射層、 ３５…発光素子部、 ４０…発光部、 ４４…接続部、 ４５…第１コネクタ、 ４５ｅ…第１コネクタ用電極部、 ４６…第２コネクタ、 ４６ｅ…第２コネクタ用電極部、 ５１…金属板、 ５２…接合層、 ５３…グリス層、 ５５ａ〜５５ｄ…第１辺〜第４辺、 ７１…ベース部材、 １１０…発光装置、 １１０ａ〜１１０ｇ…発光装置、 ２１０…照明装置、 Ｉｈ、Ｉｉ…電流、 Ｌ１…第１距離、 Ｌ２…第２距離、 Ｌ１ｃ、Ｌ１ｅ、Ｌ２ｃ、Ｌ２ｅ…距離、 Ｌｆ…光束、 Ｐｏ…光出力、 Ｒ１…第１領域、 Ｒ２…第２領域、 Ｔ…温度、 ｄｓ…距離 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Board | substrate, 10a ... 1st main surface, 10b ... 2nd main surface, 10r ... Outer edge, 10ue ... Upper surface, 11 ... 1st metal layer, 11a ... 1st mounting part, 11b ... 2nd mounting part, 11c ... 1st 3 mounting parts, 11p ... mounting pattern, 11pa ... 1st mounting pattern, 11pb ... 2nd mounting pattern, 12 ... 2nd metal layer, 12i-12l ... 1st side-4th side, 13 ... 3rd metal layer, 13la ... 1st circuit pattern, 13lb ... 2nd circuit pattern, 14 ... 4th metal layer, 14a ... Central part mounting pattern, 14at, 14bt ... Thickness, 14b ... Outer part mounting pattern, 15 ... Mounting board part, 16 ... Mounting Area, 16c ... center part, 16e ... outer part, 17 ... peripheral area, 18 ... fifth metal layer, 18a ... center part mounting pattern, 18af, 18bf ... part, 18b ... outside Side mounting pattern, 20 ... semiconductor light emitting element, 20a ... first semiconductor light emitting element, 20b ... second semiconductor light emitting element, 20c-20s, 20pa-20pd, 20qa-20qd ... element, 20ca, 20da, 20ea ... light output Average, 20 cd, 20 dd ... distance, 20 cg, 20 dg, 20 eg ... element group, 20 cp, 20 dp, 20 ep, 20 fp, 20 gp ... light output, 20 ct, 20 dt, 20 et, 20 ft, 20 gt ... temperature, 20 cv, 20 dv, 20 ev ... 20 lm, 20 no ... distance, 21 ... first semiconductor layer, 21a ... first semiconductor portion, 21b ... second semiconductor portion, 21e ... first junction metal member, 22 ... second semiconductor layer, 22e ... second junction metal Member, 23 ... light emitting layer, 31 ... wavelength conversion layer, 31u ... on wavelength conversion layer 32, reflective layer, 35 ... light emitting element, 40 ... light emitting part, 44 ... connecting part, 45 ... first connector, 45e ... first connector electrode part, 46 ... second connector, 46e ... for second connector Electrode part 51 ... Metal plate 52 ... Bonding layer 53 ... Grease layer 55a-55d ... 1st side-4th side 71 ... Base member 110 ... Light emitting device 110a-110g ... Light emitting device 210 ... Illumination Device, Ih, Ii ... current, L1 ... first distance, L2 ... second distance, L1c, L1e, L2c, L2e ... distance, Lf ... luminous flux, Po ... light output, R1 ... first area, R2 ... second area , T ... temperature, ds ... distance
Claims (6)
前記実装領域上に設けられた複数の半導体発光素子と、
前記複数の半導体発光素子を覆い前記複数の半導体発光素子から放出される光の波長を変換する波長変換層と、
を備え、
前記複数の半導体発光素子のうちの隣り合う２つの前記半導体発光素子の間の第１領域における前記波長変換層の上面と、前記実装領域と、の間の第１距離は、前記中央部よりも前記外側部で長い発光装置。 A mounting region including a mounting region including a central portion and an outer portion outside the central portion;
A plurality of semiconductor light emitting elements provided on the mounting region;
A wavelength conversion layer that covers the plurality of semiconductor light emitting elements and converts the wavelength of light emitted from the plurality of semiconductor light emitting elements;
With
The first distance between the upper surface of the wavelength conversion layer in the first region between the two adjacent semiconductor light emitting devices among the plurality of semiconductor light emitting devices and the mounting region is greater than the central portion. Long light emitting device at the outer part.
前記第１回路パターンと電気的に接続された前記複数の半導体発光素子のそれぞれは、前記第１回路パターンと電気的に接続された前記複数の半導体発光素子と前記第１回路パターンとを含む第１給電経路によって電流が供給され、
前記第２回路パターンと電気的に接続された前記複数の半導体発光素子のそれぞれは、前記第２回路パターンと電気的に接続された前記複数の半導体発光素子と前記第２回路パターンとを含む第２給電経路によって電流が供給され、
前記第１給電経路に流れる電流は、前記第２給電経路に流れる電流よりも大きい請求項１または２記載の発光装置。 A first circuit pattern provided in the mounting region and electrically connected to each of the plurality of semiconductor light emitting elements located in the central portion of the plurality of semiconductor light emitting elements, and of the plurality of semiconductor light emitting elements, A third metal layer including a second circuit pattern electrically connected to each of the plurality of semiconductor light emitting elements located on the outer side,
Each of the plurality of semiconductor light emitting elements electrically connected to the first circuit pattern includes the plurality of semiconductor light emitting elements electrically connected to the first circuit pattern and the first circuit pattern. Current is supplied by one feeding path,
Each of the plurality of semiconductor light emitting elements electrically connected to the second circuit pattern includes a plurality of semiconductor light emitting elements electrically connected to the second circuit pattern and the second circuit pattern. Current is supplied by two feeding paths,
The light emitting device according to claim 1, wherein a current flowing through the first power supply path is larger than a current flowing through the second power supply path.
前記複数の半導体発光素子のそれぞれは、前記複数の実装パターンの少なくともいずれかと電気的に接続され、
前記複数の半導体発光素子のうちで前記外側部に位置する前記半導体発光素子に接続された実装パターンの厚さは、前記複数の半導体発光素子のうちで前記中央部に位置する前記半導体発光素子に接続された実装パターンの厚さよりも厚い請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。 A fourth metal layer provided in the mounting region and including a plurality of mounting patterns;
Each of the plurality of semiconductor light emitting elements is electrically connected to at least one of the plurality of mounting patterns,
Among the plurality of semiconductor light emitting elements, the thickness of the mounting pattern connected to the semiconductor light emitting element located at the outer portion is equal to the thickness of the semiconductor light emitting element located at the central portion among the plurality of semiconductor light emitting elements. The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting device is thicker than a thickness of the connected mounting pattern.
前記複数の実装パターンのそれぞれは、表面に金を含む層が形成されているとともに、前記複数の半導体発光素子のそれぞれと前記実装領域との間に設けられ、
前記複数の半導体発光素子のそれぞれは、前記複数の実装パターンの少なくともいずれかと電気的に接続され、前記複数の半導体発光素子は、前記中央部に位置する中央部半導体発光素子を含み、前記複数の半導体発光素子は、前記外側部に位置する外側部半導体発光素子を含み、
前記複数の実装パターンは、中央部実装パターンと、外側部実装パターンと、を含み、
前記中央部実装パターンは、前記中央部前記半導体発光素子と、前記実装領域と、の間に配置され、
前記外側部実装パターンは、前記外側部半導体発光素子と前記実装領域との間に配置され、
前記実装領域の主面に投影したときに、前記内側部実装パターンの前記内側部半導体発光素子と重ならない部分の面積は、前記外側部実装パターンの前記外側部前記半導体発光素子と重ならない部分の面積よりも大きい請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光装置。 A fifth metal layer including a plurality of mounting patterns;
Each of the plurality of mounting patterns has a layer including gold formed on the surface, and is provided between each of the plurality of semiconductor light emitting elements and the mounting region,
Each of the plurality of semiconductor light emitting elements is electrically connected to at least one of the plurality of mounting patterns, and the plurality of semiconductor light emitting elements includes a central semiconductor light emitting element located in the central portion, The semiconductor light emitting element includes an outer side semiconductor light emitting element located on the outer side,
The plurality of mounting patterns include a central portion mounting pattern and an outer portion mounting pattern,
The central portion mounting pattern is disposed between the central portion of the semiconductor light emitting element and the mounting region,
The outer portion mounting pattern is disposed between the outer portion semiconductor light emitting element and the mounting region,
When projected onto the main surface of the mounting region, the area of the portion of the inner portion mounting pattern that does not overlap the inner portion semiconductor light emitting element is equal to the portion of the outer portion mounting pattern that does not overlap the outer portion of the semiconductor light emitting element. The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting device is larger than the area.
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