JP2015177311A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015177311A JP2015177311A JP2014051764A JP2014051764A JP2015177311A JP 2015177311 A JP2015177311 A JP 2015177311A JP 2014051764 A JP2014051764 A JP 2014051764A JP 2014051764 A JP2014051764 A JP 2014051764A JP 2015177311 A JP2015177311 A JP 2015177311A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- signal
- solid
- state imaging
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 31
- 230000010485 coping Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 14
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/74—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/779—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
【課題】画素数の増大に対応しつつ、駆動時間を短縮することが可能な固体撮像装置を提供する。【解決手段】光電変換した電荷を蓄積する画素PCがロウ方向およびカラム方向にマトリックス状に配置された画素アレイ部1と、画素PCを駆動するドライバBが各ロウに分散して設けられた垂直走査回路2とを備える。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、固体撮像装置に関する。
固体撮像装置では、高解像度化に伴って画素数が増大し、画素を駆動する配線が長距離化している。一方、画素を駆動するドライバは画素アレイ部の端部に配置されるため、ドライバにかかる負荷が増大し、駆動時間の増大を招いていた。
本発明の一つの実施形態は、画素数の増大に対応しつつ、駆動時間を短縮することが可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
本発明の一つの実施形態によれば、画素アレイ部と垂直走査回路とを備える。画素アレイ部は、光電変換した電荷を蓄積する画素が行方向および列方向にマトリックス状に配置されている。垂直走査回路は、前記画素を駆動するドライバが各行に分散して設けられている。
以下に添付図面を参照して、実施形態に係る固体撮像装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。
図1において、固体撮像装置には、画素アレイ部1が設けられている。画素アレイ部1には、光電変換した電荷を蓄積する画素PCがロウ方向RDおよびカラム方向CDにm(mは正の整数)行×n(nは正の整数)列分だけマトリックス状に配置されている。また、この画素アレイ部1において、ロウ方向RDには画素PCの駆動を行う水平駆動線Hlinが設けられ、カラム方向CDには画素PCから読み出された信号を伝送する垂直信号線Vlinが設けられている。
図1は、第1実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。
図1において、固体撮像装置には、画素アレイ部1が設けられている。画素アレイ部1には、光電変換した電荷を蓄積する画素PCがロウ方向RDおよびカラム方向CDにm(mは正の整数)行×n(nは正の整数)列分だけマトリックス状に配置されている。また、この画素アレイ部1において、ロウ方向RDには画素PCの駆動を行う水平駆動線Hlinが設けられ、カラム方向CDには画素PCから読み出された信号を伝送する垂直信号線Vlinが設けられている。
また、固体撮像装置には、読み出し対象となる画素PCを垂直方向に走査する垂直走査回路2、画素PCとの間でソースフォロア動作を行うことにより、画素PCから垂直信号線Vlinにカラムごとに画素信号を読み出す負荷回路3、各画素PCの信号成分をCDSにてカラムごとに検出するカラムADC回路4、読み出し対象となる画素PCを水平方向に走査する水平走査回路5、カラムADC回路4に基準電圧VREFを出力する基準電圧発生回路6および各画素PCの読み出しや蓄積のタイミングを制御するタイミング制御回路7が設けられている。ここで、垂直走査回路2は、画素PCを駆動するドライバBが各ロウに分散して設けられている。このドライバBは各水平駆動線Hlinに複数挿入することができる。この時、画素アレイ部1を垂直走査回路2上に積層することにより、画素アレイ部1下にドライバBを設けることができる。
そして、垂直走査回路2にて画素PCが垂直方向に走査されることで、ロウ方向RDに画素PCが選択され、ドライバBを介して画素PCがロウごとに駆動される。そして、負荷回路3において、その画素PCとの間でソースフォロア動作が行われることにより、画素PCから読み出された画素信号が垂直信号線Vlinを介して伝送され、カラムADC回路4に送られる。また、基準電圧発生回路6において、基準電圧VREFとしてランプ波が設定され、カラムADC回路4に送られる。そして、カラムADC回路4において、画素PCから読み出された信号レベルとリセットレベルがランプ波のレベルに一致するまでクロックのカウント動作が行われ、その時の信号レベルとリセットレベルとの差分がとられることで各画素PCの信号成分がCDSにて検出され、出力信号S1として出力される。
図2は、図1の固体撮像装置の画素の構成例を示す回路図である。
図2において、各画素PCには、フォトダイオードPD、行選択トランジスタTa、増幅トランジスタTb、リセットトランジスタTrおよび読み出しトランジスタTdが設けられている。また、増幅トランジスタTbとリセットトランジスタTrと読み出しトランジスタTdとの接続点には検出ノードとしてフローティングディフュージョンFDが形成されている。
図2において、各画素PCには、フォトダイオードPD、行選択トランジスタTa、増幅トランジスタTb、リセットトランジスタTrおよび読み出しトランジスタTdが設けられている。また、増幅トランジスタTbとリセットトランジスタTrと読み出しトランジスタTdとの接続点には検出ノードとしてフローティングディフュージョンFDが形成されている。
そして、画素PCにおいて、読み出しトランジスタTdのソースは、フォトダイオードPDに接続され、読み出しトランジスタTdのゲートには、読み出し信号ΦDが入力される。また、リセットトランジスタTrのソースは、読み出しトランジスタTdのドレインに接続され、リセットトランジスタTrのゲートには、リセット信号ΦRが入力され、リセットトランジスタTrのドレインは、電源電位VDDに接続されている。また、行選択トランジスタTaのゲートには、行選択信号ΦAが入力され、行選択トランジスタTaのドレインは、電源電位VDDに接続されている。また、増幅トランジスタTbのソースは、垂直信号線Vlinに接続され、増幅トランジスタTbのゲートは、読み出しトランジスタTdのドレインに接続され、増幅トランジスタTbのドレインは、行選択トランジスタTaのソースに接続されている。なお、図1の水平駆動線Hlinは、読み出し信号ΦD、リセット信号ΦRおよび行選択信号ΦAをロウごとに画素PCに伝送することができる。図1の負荷回路3には定電流源GA1がカラムごとに設けられ、定電流源GA1は垂直信号線Vlinに接続されている。
図3は、図1の固体撮像装置の積層構造の一例を示す斜視図である。
図3において、半導体チップP1には、画素アレイ部1、負荷回路3、カラムADC回路4および水平走査回路5が設けられている。半導体チップP2には、垂直走査回路2、基準電圧発生回路6およびタイミング制御回路7が設けられている。半導体チップP1は半導体チップP2上に積層または載置されている。この時、半導体チップP1は半導体チップP2に貼り合わせることができる。また、画素アレイ部1は垂直走査回路2と重なるように配置することができる。また、半導体チップP1に貫通電極を形成することにより、画素アレイ部1と垂直走査回路2とを接続することができる。
図3において、半導体チップP1には、画素アレイ部1、負荷回路3、カラムADC回路4および水平走査回路5が設けられている。半導体チップP2には、垂直走査回路2、基準電圧発生回路6およびタイミング制御回路7が設けられている。半導体チップP1は半導体チップP2上に積層または載置されている。この時、半導体チップP1は半導体チップP2に貼り合わせることができる。また、画素アレイ部1は垂直走査回路2と重なるように配置することができる。また、半導体チップP1に貫通電極を形成することにより、画素アレイ部1と垂直走査回路2とを接続することができる。
なお、図3の例では、負荷回路3、カラムADC回路4および水平走査回路5を半導体チップP1に設けた構成について示したが、負荷回路3、カラムADC回路4および水平走査回路5を半導体チップP2に設けるようにしてもよい。
図4は、図1の画素の読み出し動作時の各部の電圧波形を示すタイミングチャートである。
図4において、行選択信号ΦAがロウレベルの場合、行選択トランジスタTaがオフ状態となりソースフォロワ動作しないため、垂直信号線Vlinに信号は出力されない。この時、読み出し信号ΦDとリセット信号ΦRがハイレベルになると、読み出しトランジスタTdがオンし、フォトダイオードPDに蓄積されていた電荷がフローティングディフュージョンFDに排出される。そして、リセットトランジスタTrを介して電源電位VDDに排出される。
図4において、行選択信号ΦAがロウレベルの場合、行選択トランジスタTaがオフ状態となりソースフォロワ動作しないため、垂直信号線Vlinに信号は出力されない。この時、読み出し信号ΦDとリセット信号ΦRがハイレベルになると、読み出しトランジスタTdがオンし、フォトダイオードPDに蓄積されていた電荷がフローティングディフュージョンFDに排出される。そして、リセットトランジスタTrを介して電源電位VDDに排出される。
フォトダイオードPDに蓄積されていた電荷が電源電位VDDに排出された後、読み出し信号ΦDがロウレベルになると、フォトダイオードPDでは、有効な信号電荷の蓄積が開始される。
次に、リセット信号ΦRが立ち上がると、リセットトランジスタTrがオンし、フローティングディフュージョンFDにリーク電流などで発生した余分な電荷がリセットされる。
そして、行選択信号ΦAがハイレベルになると、画素PCの行選択トランジスタTaがオンし、増幅トランジスタTbのドレインに電源電位VDDが印加されることで、増幅トランジスタTbと定電流源GA1とでソースフォロアが構成される。そして、フローティングディフュージョンFDのリセットレベルRLに応じた電圧が増幅トランジスタTbのゲートにかかる。ここで、増幅トランジスタTbと定電流源GA1とでソースフォロアが構成されているので、増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧に垂直信号線Vlinの電圧が追従し、リセットレベルRLの画素信号Vsigが垂直信号線Vlinを介してカラムADC回路4に出力される。
この時、基準電圧VREFとしてランプ波WRが与えられ、リセットレベルRLの画素信号Vsigと基準電圧VREFとが比較される。そして、リセットレベルRLの画素信号Vsigが基準電圧VREFのレベルと一致するまでダウンカウントされることで、リセットレベルRLの画素信号Vsigがデジタル値DRに変換され保持される。
次に、読み出し信号ΦDが立ち上がると、読み出しトランジスタTdがオンし、フォトダイオードPDに蓄積されていた電荷がフローティングディフュージョンFDに転送され、フローティングディフュージョンFDの信号レベルSLに応じた電圧が増幅トランジスタTbのゲートにかかる。ここで、増幅トランジスタTbと定電流源GA1とでソースフォロアが構成されているので、増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧に垂直信号線Vlinの電圧が追従し、信号レベルSLの画素信号Vsigが垂直信号線Vlinを介してカラムADC回路4に出力される。
この時、基準電圧VREFとしてランプ波WSが与えられ、信号レベルSLの画素信号Vsigと基準電圧VREFとが比較される。そして、信号レベルSLの画素信号Vsigが基準電圧VREFのレベルと一致するまで今度はアップカウントされることで、信号レベルSLの画素信号Vsigがデジタル値DSに変換される。そして、リセットレベルRLの画素信号Vsigと信号レベルSLの画素信号Vsigとの差分DR−DSが保持され、出力信号S1として出力される。
この時、基準電圧VREFとしてランプ波WSが与えられ、信号レベルSLの画素信号Vsigと基準電圧VREFとが比較される。そして、信号レベルSLの画素信号Vsigが基準電圧VREFのレベルと一致するまで今度はアップカウントされることで、信号レベルSLの画素信号Vsigがデジタル値DSに変換される。そして、リセットレベルRLの画素信号Vsigと信号レベルSLの画素信号Vsigとの差分DR−DSが保持され、出力信号S1として出力される。
図5は、図1の固体撮像装置の1ライン分の画素アレイ部および垂直走査回路の積層構造の一例を示すブロック図である。
図5において、水平駆動線Hlinには、ロウごとにドライバB1〜B4が挿入されている。この時、画素アレイ部1は半導体チップP1に設けられている。水平駆動線HlinおよびドライバB1〜B4は半導体チップP2に設けられている。そして、半導体チップP1は半導体チップP2上に積層されている。
そして、読み出し信号ΦD、リセット信号ΦRおよび行選択信号ΦAは、水平駆動線Hlinによる伝送距離が長くなるに従ってドライバB1〜B4にて順次増幅され、各画素PCに供給される。このため、水平駆動線Hlinが長距離化した場合においても、ドライバB1〜B4にかかる負荷を低減することができ、駆動時間を短縮することができる。
図5において、水平駆動線Hlinには、ロウごとにドライバB1〜B4が挿入されている。この時、画素アレイ部1は半導体チップP1に設けられている。水平駆動線HlinおよびドライバB1〜B4は半導体チップP2に設けられている。そして、半導体チップP1は半導体チップP2上に積層されている。
そして、読み出し信号ΦD、リセット信号ΦRおよび行選択信号ΦAは、水平駆動線Hlinによる伝送距離が長くなるに従ってドライバB1〜B4にて順次増幅され、各画素PCに供給される。このため、水平駆動線Hlinが長距離化した場合においても、ドライバB1〜B4にかかる負荷を低減することができ、駆動時間を短縮することができる。
図6は、図5の積層構造の変形例を示すブロック図である。
図6において、半導体チップP1´には画素アレイ部1´が設けられている。そして、半導体チップP1´は半導体チップP2上に積層されている。ここで、画素アレイ部1´では、各ドライバB1〜B4の出力ごとに画素PC間の水平駆動線Hlinが分離されている。これにより、各ドライバB1〜B4の出力が干渉するのを防止することができる。
なお、図5および図6の例では、2個の画素PCごとにドライバB1〜B4を1個づつ水平駆動線Hlinに挿入した構成について説明したが、N(Nは正の整数)個の画素PCごとにドライバを1個づつ水平駆動線Hlinに挿入するようにしてもよい。
また、図5および図6の例では、画素アレイ部1、1´の1ライン分の構成について示したが、画素アレイ部1、1´の他のラインについても同様に構成することができる。
図6において、半導体チップP1´には画素アレイ部1´が設けられている。そして、半導体チップP1´は半導体チップP2上に積層されている。ここで、画素アレイ部1´では、各ドライバB1〜B4の出力ごとに画素PC間の水平駆動線Hlinが分離されている。これにより、各ドライバB1〜B4の出力が干渉するのを防止することができる。
なお、図5および図6の例では、2個の画素PCごとにドライバB1〜B4を1個づつ水平駆動線Hlinに挿入した構成について説明したが、N(Nは正の整数)個の画素PCごとにドライバを1個づつ水平駆動線Hlinに挿入するようにしてもよい。
また、図5および図6の例では、画素アレイ部1、1´の1ライン分の構成について示したが、画素アレイ部1、1´の他のラインについても同様に構成することができる。
(第2実施形態)
図7は、第2実施形態に係る固体撮像装置の1ライン分の画素アレイ部および垂直走査回路の積層構造の一例を示すブロック図である。
図7において、この固体撮像装置では、図5の垂直走査回路2の代わりに垂直走査回路2´が設けられている。垂直走査回路2´には水平駆動線Hlin´が設けられ、水平駆動線Hlin´には、ロウごとにドライバB11〜B17が挿入されている。ここで、水平駆動線Hlin´は枝分かれするように構成され、水平駆動線Hlin´の分岐ごとにドライバB11〜B17が挿入されている。この時、画素アレイ部1は半導体チップP1に設けられている。水平駆動線Hlin´およびドライバB11〜B17は半導体チップP2´に設けられている。そして、半導体チップP1は半導体チップP2´上に積層されている。
そして、読み出し信号ΦD、リセット信号ΦRおよび行選択信号ΦAは、水平駆動線Hlin´が分岐するごとにドライバB11〜B17にて順次増幅され、各画素PCに供給される。このため、水平駆動線Hlin´が長距離化した場合においても、ドライバB11〜B17にかかる負荷を低減することができ、駆動時間を短縮することができる。また、水平駆動線Hlin´をツリー構造とすることにより、読み出し信号ΦD、リセット信号ΦRおよび行選択信号ΦAが各画素PCまでに到達するまでのドライバB11〜B17の段数を均一化することができ、図5の構成に比べて1ライン分の画素PCの駆動にかかる遅延時間を短くすることができる。
図7は、第2実施形態に係る固体撮像装置の1ライン分の画素アレイ部および垂直走査回路の積層構造の一例を示すブロック図である。
図7において、この固体撮像装置では、図5の垂直走査回路2の代わりに垂直走査回路2´が設けられている。垂直走査回路2´には水平駆動線Hlin´が設けられ、水平駆動線Hlin´には、ロウごとにドライバB11〜B17が挿入されている。ここで、水平駆動線Hlin´は枝分かれするように構成され、水平駆動線Hlin´の分岐ごとにドライバB11〜B17が挿入されている。この時、画素アレイ部1は半導体チップP1に設けられている。水平駆動線Hlin´およびドライバB11〜B17は半導体チップP2´に設けられている。そして、半導体チップP1は半導体チップP2´上に積層されている。
そして、読み出し信号ΦD、リセット信号ΦRおよび行選択信号ΦAは、水平駆動線Hlin´が分岐するごとにドライバB11〜B17にて順次増幅され、各画素PCに供給される。このため、水平駆動線Hlin´が長距離化した場合においても、ドライバB11〜B17にかかる負荷を低減することができ、駆動時間を短縮することができる。また、水平駆動線Hlin´をツリー構造とすることにより、読み出し信号ΦD、リセット信号ΦRおよび行選択信号ΦAが各画素PCまでに到達するまでのドライバB11〜B17の段数を均一化することができ、図5の構成に比べて1ライン分の画素PCの駆動にかかる遅延時間を短くすることができる。
図8は、図7の積層構造の変形例を示すブロック図である。
図8において、この固体撮像装置では、図7の半導体チップP1を図6の半導体チップP1´で置き換えた以外は、図7の構成と同様である。
なお、図7および図8の例では、画素アレイ部1、1´の1ライン分の構成について示したが、画素アレイ部1、1´の他のラインについても同様に構成することができる。
図8において、この固体撮像装置では、図7の半導体チップP1を図6の半導体チップP1´で置き換えた以外は、図7の構成と同様である。
なお、図7および図8の例では、画素アレイ部1、1´の1ライン分の構成について示したが、画素アレイ部1、1´の他のラインについても同様に構成することができる。
(第3実施形態)
図9は、第3実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。
図9において、この固体撮像装置では、図1の垂直走査回路2の代わりに垂直走査回路2A、2Bが設けられている。垂直走査回路2A、2Bには水平駆動線HlinA、HlinBがそれぞれ設けられている。垂直走査回路2A、2Bは画素アレイ部1の両側に配置されている。垂直走査回路2Aは画素アレイ部1の左側の画素PCを駆動することができる。垂直走査回路2Bは画素アレイ部1の右側の画素PCを駆動することができる。ここで、垂直走査回路2Aは、画素PCを駆動するドライバBAが各ロウに分散して設けられている。垂直走査回路2Bは、画素PCを駆動するドライバBBが各ロウに分散して設けられている。これらのドライバBA、BBは各水平駆動線HlinA、HlinBにそれぞれ複数挿入することができる。この時、画素アレイ部1を垂直走査回路2A、2Bに積層することにより、画素アレイ部1下にドライバBA、BBを設けることができる。
図9は、第3実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。
図9において、この固体撮像装置では、図1の垂直走査回路2の代わりに垂直走査回路2A、2Bが設けられている。垂直走査回路2A、2Bには水平駆動線HlinA、HlinBがそれぞれ設けられている。垂直走査回路2A、2Bは画素アレイ部1の両側に配置されている。垂直走査回路2Aは画素アレイ部1の左側の画素PCを駆動することができる。垂直走査回路2Bは画素アレイ部1の右側の画素PCを駆動することができる。ここで、垂直走査回路2Aは、画素PCを駆動するドライバBAが各ロウに分散して設けられている。垂直走査回路2Bは、画素PCを駆動するドライバBBが各ロウに分散して設けられている。これらのドライバBA、BBは各水平駆動線HlinA、HlinBにそれぞれ複数挿入することができる。この時、画素アレイ部1を垂直走査回路2A、2Bに積層することにより、画素アレイ部1下にドライバBA、BBを設けることができる。
そして、垂直走査回路2A、2Bにて画素PCが垂直方向に同一タイミングで走査されることで、ロウ方向RDに画素PCが選択され、ドライバBA、BBをそれぞれ介して画素PCがロウごとに駆動される。そして、負荷回路3において、その画素PCとの間でソースフォロア動作が行われることにより、画素PCから読み出された画素信号が垂直信号線Vlinを介して伝送され、カラムADC回路4に送られる。また、基準電圧発生回路6において、基準電圧VREFとしてランプ波が設定され、カラムADC回路4に送られる。そして、カラムADC回路4において、画素PCから読み出された信号レベルとリセットレベルがランプ波のレベルに一致するまでクロックのカウント動作が行われ、その時の信号レベルとリセットレベルとの差分がとられることで各画素PCの信号成分がCDSにて検出され、出力信号S1として出力される。
図10は、図9の固体撮像装置の1ライン分の画素アレイ部および垂直走査回路の積層構造の一例を示すブロック図である。
図10において、水平駆動線HlinAには、ロウごとにドライバBA1、BA2が挿入されている。水平駆動線HlinBには、ロウごとにドライバBB1、BB2が挿入されている。この時、画素アレイ部1は半導体チップP1に設けられている。水平駆動線HlinA、HlinBおよびドライバBA1、BA2、BB1、BB2は半導体チップP2´´に設けられている。そして、半導体チップP1は半導体チップP2´´上に積層されている。
そして、読み出し信号ΦD、リセット信号ΦRおよび行選択信号ΦAは、水平駆動線HlinAによる伝送距離が長くなるに従ってドライバBA1、BA2にて順次増幅され、画素アレイ部1の左側の各画素PCに供給される。また、読み出し信号ΦD、リセット信号ΦRおよび行選択信号ΦAは、水平駆動線HlinBによる伝送距離が長くなるに従ってドライバBB1、BB2にて順次増幅され、画素アレイ部1の右側の各画素PCに供給される。このため、水平駆動線HlinA、HlinBが長距離化した場合においても、ドライバBA1、BA2、BB1、BB2にかかる負荷を低減することができ、駆動時間を短縮することができる。
図10において、水平駆動線HlinAには、ロウごとにドライバBA1、BA2が挿入されている。水平駆動線HlinBには、ロウごとにドライバBB1、BB2が挿入されている。この時、画素アレイ部1は半導体チップP1に設けられている。水平駆動線HlinA、HlinBおよびドライバBA1、BA2、BB1、BB2は半導体チップP2´´に設けられている。そして、半導体チップP1は半導体チップP2´´上に積層されている。
そして、読み出し信号ΦD、リセット信号ΦRおよび行選択信号ΦAは、水平駆動線HlinAによる伝送距離が長くなるに従ってドライバBA1、BA2にて順次増幅され、画素アレイ部1の左側の各画素PCに供給される。また、読み出し信号ΦD、リセット信号ΦRおよび行選択信号ΦAは、水平駆動線HlinBによる伝送距離が長くなるに従ってドライバBB1、BB2にて順次増幅され、画素アレイ部1の右側の各画素PCに供給される。このため、水平駆動線HlinA、HlinBが長距離化した場合においても、ドライバBA1、BA2、BB1、BB2にかかる負荷を低減することができ、駆動時間を短縮することができる。
図11は、図10の積層構造の変形例を示すブロック図である。
図11において、この固体撮像装置では、図10の半導体チップP1を図6の半導体チップP1´で置き換えた以外は、図10の構成と同様である。
なお、図10および図11の例では、2個の画素PCごとにドライバBA1、BA2、BB1、BB2を1個づつ水平駆動線HlinA、HlinBにそれぞれ挿入した構成について説明したが、N(Nは正の整数)個の画素PCごとにドライバを1個づつ水平駆動線HlinA、HlinBに挿入するようにしてもよい。
また、図10および図11の例では、画素アレイ部1、1´の1ライン分の構成について示したが、画素アレイ部1、1´の他のラインについても同様に構成することができる。
また、図10および図11の例では、ライン状の水平駆動線HlinA、HlinBにドライバBA1、BA2、BB1、BB2をそれぞれ挿入した構成について説明したが、各水平駆動線HlinA、HlinBをツリー状に構成し、その分岐ごとにドライバをそれぞれ挿入するようにしてもよい。
図11において、この固体撮像装置では、図10の半導体チップP1を図6の半導体チップP1´で置き換えた以外は、図10の構成と同様である。
なお、図10および図11の例では、2個の画素PCごとにドライバBA1、BA2、BB1、BB2を1個づつ水平駆動線HlinA、HlinBにそれぞれ挿入した構成について説明したが、N(Nは正の整数)個の画素PCごとにドライバを1個づつ水平駆動線HlinA、HlinBに挿入するようにしてもよい。
また、図10および図11の例では、画素アレイ部1、1´の1ライン分の構成について示したが、画素アレイ部1、1´の他のラインについても同様に構成することができる。
また、図10および図11の例では、ライン状の水平駆動線HlinA、HlinBにドライバBA1、BA2、BB1、BB2をそれぞれ挿入した構成について説明したが、各水平駆動線HlinA、HlinBをツリー状に構成し、その分岐ごとにドライバをそれぞれ挿入するようにしてもよい。
(第4実施形態)
図12は、第4実施形態に係る固体撮像装置が適用されたデジタルカメラの概略構成を示すブロック図である。
図12において、デジタルカメラ21は、カメラモジュール22および後段処理部23を有する。カメラモジュール22は、撮像光学系24および固体撮像装置25を有する。後段処理部23は、イメージシグナルプロセッサ(ISP)26、記憶部27及び表示部28を有する。なお、固体撮像装置25は、図1または図9の構成を用いることができる。また、ISP26の少なくとも一部の構成は固体撮像装置25とともに1チップ化するようにしてもよい。
図12は、第4実施形態に係る固体撮像装置が適用されたデジタルカメラの概略構成を示すブロック図である。
図12において、デジタルカメラ21は、カメラモジュール22および後段処理部23を有する。カメラモジュール22は、撮像光学系24および固体撮像装置25を有する。後段処理部23は、イメージシグナルプロセッサ(ISP)26、記憶部27及び表示部28を有する。なお、固体撮像装置25は、図1または図9の構成を用いることができる。また、ISP26の少なくとも一部の構成は固体撮像装置25とともに1チップ化するようにしてもよい。
撮像光学系24は、被写体からの光を取り込み、被写体像を結像させる。固体撮像装置25は、被写体像を撮像する。ISP26は、固体撮像装置25での撮像により得られた画像信号を信号処理する。記憶部27は、ISP26での信号処理を経た画像を格納する。記憶部27は、ユーザの操作等に応じて、表示部28へ画像信号を出力する。表示部28は、ISP26あるいは記憶部27から入力される画像信号に応じて、画像を表示する。表示部28は、例えば、液晶ディスプレイである。なお、カメラモジュール22は、デジタルカメラ21以外にも、例えばカメラ付き携帯電話やスマートフォン等の電子機器に適用するようにしてもよい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 画素アレイ部、2 垂直走査回路、3 負荷回路、4 カラムADC回路、5 水平走査回路、6 基準電圧発生回路、7 タイミング制御回路、PC 画素、Ta 行選択トランジスタ、Tb 増幅トランジスタ、Tr リセットトランジスタ、Td 読み出しトランジスタ、PD フォトダイオード、FD フローティングディフュージョン、Vlin 垂直信号線、Hlin 水平駆動線
Claims (4)
- 光電変換した電荷を蓄積する画素が行方向および列方向にマトリックス状に配置された画素アレイ部と、
前記画素を駆動するドライバが各行に分散して設けられた垂直走査回路とを備える固体撮像装置。 - 前記画素を前記行ごとに駆動する水平駆動線を備え、
前記ドライバは前記水平駆動線に挿入されている請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記水平駆動線は枝分かれするように構成され、前記水平駆動線の分岐ごとに前記ドライバが挿入されている請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記画素アレイ部は第1半導体チップに形成され、
前記垂直走査回路は第2半導体チップに形成され、
前記第1半導体チップは前記第2半導体チップ上に積層されている請求項1に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014051764A JP2015177311A (ja) | 2014-03-14 | 2014-03-14 | 固体撮像装置 |
US14/455,078 US20150264286A1 (en) | 2014-03-14 | 2014-08-08 | Solid-state imaging device |
KR1020140108762A KR20150107568A (ko) | 2014-03-14 | 2014-08-21 | 고체 촬상 장치 |
CN201410440356.7A CN104917981A (zh) | 2014-03-14 | 2014-09-01 | 固体摄像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014051764A JP2015177311A (ja) | 2014-03-14 | 2014-03-14 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015177311A true JP2015177311A (ja) | 2015-10-05 |
Family
ID=54070398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014051764A Pending JP2015177311A (ja) | 2014-03-14 | 2014-03-14 | 固体撮像装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150264286A1 (ja) |
JP (1) | JP2015177311A (ja) |
KR (1) | KR20150107568A (ja) |
CN (1) | CN104917981A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017022259A (ja) * | 2015-07-10 | 2017-01-26 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
WO2020026720A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2021069127A (ja) * | 2016-03-30 | 2021-04-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
WO2022097445A1 (ja) * | 2020-11-04 | 2022-05-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6789678B2 (ja) * | 2016-06-06 | 2020-11-25 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム |
CN106686326B (zh) * | 2016-12-27 | 2019-08-20 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种全画幅图像传感器*** |
US11108980B2 (en) * | 2019-02-04 | 2021-08-31 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor devices with single-photon avalanche diode pixels |
US11457166B1 (en) * | 2021-03-05 | 2022-09-27 | Semiconductor Components Industries, Llc | Methods and apparatus for an image sensor |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100517734B1 (ko) * | 2003-12-12 | 2005-09-29 | 삼성전자주식회사 | 감마보정 디지털 아날로그 변환기 및 그 변환방법과, 이를사용한 소스구동 집적회로 및 평판표시장치 |
JP4337779B2 (ja) * | 2004-07-01 | 2009-09-30 | ソニー株式会社 | 物理情報取得方法および物理情報取得装置並びに物理量分布検知の半導体装置 |
JP4524652B2 (ja) * | 2005-07-06 | 2010-08-18 | ソニー株式会社 | Ad変換装置並びに半導体装置 |
JP4226577B2 (ja) * | 2005-08-22 | 2009-02-18 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | 構造化遅延スキューを用いたバッファリング技術 |
US7903160B2 (en) * | 2007-05-10 | 2011-03-08 | Sony Corporation | Data transfer circuit, solid-state imaging device and camera |
US8976103B2 (en) * | 2007-06-29 | 2015-03-10 | Japan Display West Inc. | Display apparatus, driving method for display apparatus and electronic apparatus |
ATE543215T1 (de) * | 2009-03-24 | 2012-02-15 | Sony Corp | Festkörper-abbildungsvorrichtung, ansteuerverfahren für festkörper- abbildungsvorrichtung und elektronische vorrichtung |
-
2014
- 2014-03-14 JP JP2014051764A patent/JP2015177311A/ja active Pending
- 2014-08-08 US US14/455,078 patent/US20150264286A1/en not_active Abandoned
- 2014-08-21 KR KR1020140108762A patent/KR20150107568A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-09-01 CN CN201410440356.7A patent/CN104917981A/zh active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017022259A (ja) * | 2015-07-10 | 2017-01-26 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
JP2021069127A (ja) * | 2016-03-30 | 2021-04-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP7157944B2 (ja) | 2016-03-30 | 2022-10-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
WO2020026720A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
US11990486B2 (en) | 2018-07-31 | 2024-05-21 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device |
WO2022097445A1 (ja) * | 2020-11-04 | 2022-05-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104917981A (zh) | 2015-09-16 |
KR20150107568A (ko) | 2015-09-23 |
US20150264286A1 (en) | 2015-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2015177311A (ja) | 固体撮像装置 | |
US10404933B2 (en) | Solid-state imaging apparatus and imaging system | |
US9264637B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus | |
JP5958740B2 (ja) | 固体撮像素子および駆動方法、並びに、電子機器 | |
JP6743011B2 (ja) | 撮像装置、駆動方法、電子機器 | |
JP2008219391A (ja) | 光電変換装置およびそれを用いた撮像システム | |
US20150312491A1 (en) | Solid-state imaging device | |
US10368026B2 (en) | Solid-state image sensing apparatus, control method, and electronic device | |
US20150358562A1 (en) | Solid-state imaging device | |
US20130161487A1 (en) | Solid-state image pickup device, image pickup device, and signal reading method | |
JP2017147564A5 (ja) | ||
US9380240B2 (en) | Solid-state imaging device with redundant column ADC circuit | |
JP6153676B1 (ja) | 撮像素子および内視鏡 | |
JP2015126239A5 (ja) | ||
US20150264288A1 (en) | Solid-state imaging device | |
US9179084B2 (en) | Solid-state imaging device | |
JP2016171399A (ja) | 固体撮像装置 | |
KR101554095B1 (ko) | 고체 촬상 장치 | |
JP2013243456A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法、および撮像装置 | |
US20150334323A1 (en) | Solid-state imaging device | |
US8829411B2 (en) | Solid-state imaging device | |
JP2015173252A5 (ja) | ||
JP2016143958A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2011155498A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2016208460A (ja) | 昇圧回路および固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20151102 |