JP2015170996A - power-on reset circuit - Google Patents
power-on reset circuit Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015170996A JP2015170996A JP2014044709A JP2014044709A JP2015170996A JP 2015170996 A JP2015170996 A JP 2015170996A JP 2014044709 A JP2014044709 A JP 2014044709A JP 2014044709 A JP2014044709 A JP 2014044709A JP 2015170996 A JP2015170996 A JP 2015170996A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- inverter
- output
- circuit
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Description
本発明は、パワーオンリセット回路に関する。 The present invention relates to a power-on reset circuit.
従来、電源電圧の立ち上がりが遅い場合に対応して正常なリセット信号を出力するパワーオンリセット回路が知られている(例えば、特許文献1参照)。
図5は、従来のパワーオンリセット回路100の回路構成を示す図である。パワーオンリセット回路100は、正電源端子110とノードNXとの間に接続されたMOS(Metal-Oxide-Semiconductor)容量102と、ノードNXにドレインが接続され、ゲート及びソースがグランドに接続されて常にオフ状態に設定されたN型MOSトランジスタ103と、正電源端子110に電源電圧が印加された後、ノードNXの電位が閾値電圧以下に低下したときにリセット信号PORを回路ブロック120に出力する、縦続接続されたインバータ104、105及び106とを備える。
Conventionally, a power-on reset circuit that outputs a normal reset signal corresponding to a case where the rise of the power supply voltage is slow is known (for example, see Patent Document 1).
FIG. 5 is a diagram showing a circuit configuration of a conventional power-on
このパワーオンリセット回路100では、正電源端子110に電源電圧が印加されると、正電源端子110の電位は、0Vから所定の電位になるまで上昇を開始する。ここで、N型MOSトランジスタ103は、常にオフ状態であることから、オフリーク電流以外は流れない。このため、ノードNXの電位は、電荷保存則により正電源端子110の電位と同じように上昇を開始し、インバータ104の入力側の電位が電源電圧にほぼ等しくなる。よって、インバータ104の出力信号は、“Lo”であり、インバータ106のリセット信号PORも“Lo”である。
In the power-on
その後、正電源端子110の電位が所定の電位まで上昇すると、ノードNXの電位も所定の電位とほぼ等しくなる。その後、ノードNXの電位は、N型MOSトランジスタ103のオフリーク抵抗とMOS容量102による時定数に従って指数関数的に低下する。ノードNXの電位が正電源端子110の電位の半分以下に低下すると、インバータ104の出力信号が“Lo”から“Hi”に変化し、インバータ106から出力されるリセット信号PORも“Lo”から“Hi”に変化する。
Thereafter, when the potential of the positive
パワーオンリセット回路100において、MOS容量102に保存された電荷の漏れは、常時オフ状態のN型MOSトランジスタのオフリーク電流によることから、非常に少ない。したがって、パワーオンリセット回路100は、電源電圧の立ち上がりが遅かったとしても、ノードNXの電位が正電源端子110の電位に追随して上昇するので、正常なリセット信号PORを出力することができる。
In the power-on
図6は、従来のパワーオンリセット回路200の回路構成を示す図である。パワーオンリセット回路200は、図5に示すパワーオンリセット回路100に対して、P型MOSトランジスタ107を設けた回路である。このP型MOSトランジスタ107は、ドレインがインバータ104の出力側に接続され、ゲートがインバータ105の出力側に接続され、ソースが正電源端子110に接続されており、リセット信号PORの出力部にヒステリシス特性を持たせている。これにより、パワーオンリセット回路200は、ノードNXの電位にノイズが含まれていてもリセット信号PORに対する影響を抑制することができる。
FIG. 6 is a diagram showing a circuit configuration of a conventional power-on
しかしながら、パワーオンリセット回路100及びパワーオンリセット回路200は、MOS容量102に保存された電荷の漏れが非常に少ないことから、電源電圧が印加されてからMOS容量102の一方の電位がインバータ104の出力信号が変化する電位まで低下するまでに時間がかかる。よって、電源電圧が印加されてから、回路ブロック120においてリセットが解除され所定の動作が開始されるまでの時間が掛かるという問題がある。
However, since the power-on
そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、電源電圧が印加されてからリセット信号の状態が変化するまでの時間を短くすることができるパワーオンリセット回路を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made in view of these points, and an object thereof is to provide a power-on reset circuit that can shorten the time from when a power supply voltage is applied until the state of a reset signal changes. And
本発明の第1の態様に係るパワーオンリセット回路は、正電源端子に接続された容量素子と、入力端子が前記容量素子を介して正電源端子に接続され、出力端子からリセット信号を出力する出力回路と、ゲートが前記出力回路の出力端子に接続され、ソースが負電源端子に接続され、ドレインが前記容量素子を介して前記正電源端子に接続されるとともに前記出力回路の入力端子に接続されたN型MOSトランジスタと、を備えることを特徴とする。また、前記出力回路はインバータにより構成されてもよい。 The power-on reset circuit according to the first aspect of the present invention includes a capacitive element connected to a positive power supply terminal, an input terminal connected to the positive power supply terminal via the capacitive element, and outputs a reset signal from the output terminal The output circuit and the gate are connected to the output terminal of the output circuit, the source is connected to the negative power supply terminal, the drain is connected to the positive power supply terminal via the capacitive element, and is connected to the input terminal of the output circuit And an N-type MOS transistor. Further, the output circuit may be constituted by an inverter.
本発明の第2の態様に係るパワーオンリセット回路は、正電源端子に接続された容量素子と、入力端子が前記容量素子を介して正電源端子に接続され、出力端子から信号を出力する第1出力回路と、入力端子が前記第1出力回路の出力端子に接続され、出力端子からリセット信号を出力し、前記第1出力回路に比べてダイナミックレンジが狭い第2出力回路と、ゲートが前記第1出力回路の出力端子に接続され、ソースが負電源端子に接続され、ドレインが前記容量素子を介して前記正電源端子に接続されるとともに前記第1出力回路の入力端子に接続されたN型MOSトランジスタと、を備えることを特徴とする。 A power-on reset circuit according to a second aspect of the present invention includes a capacitive element connected to a positive power supply terminal, an input terminal connected to the positive power supply terminal via the capacitive element, and a signal output from an output terminal. A first output circuit; an input terminal connected to the output terminal of the first output circuit; a reset signal is output from the output terminal; a second output circuit having a narrow dynamic range compared to the first output circuit; N connected to the output terminal of the first output circuit, the source connected to the negative power supply terminal, the drain connected to the positive power supply terminal via the capacitive element, and connected to the input terminal of the first output circuit And a MOS transistor.
本発明によれば、電源電圧が印加されてからリセット信号の状態が変化するまでの時間を短くすることができるという効果を奏する。 According to the present invention, it is possible to shorten the time from when the power supply voltage is applied until the state of the reset signal changes.
<第1の実施形態>
[パワーオンリセット回路1の構成]
図1は、第1の実施形態に係るパワーオンリセット回路1の回路構成図である。
パワーオンリセット回路1は、容量素子としてのMOS容量2と、N型MOSトランジスタ3と、出力回路としてのインバータ4とを備え、リセット信号PORをリセット対象の回路ブロック20に出力する。
<First Embodiment>
[Configuration of Power-on Reset Circuit 1]
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a power-on
The power-on
MOS容量2は、ソース及びドレインが正電源端子10に接続されており、ゲートがN型MOSトランジスタ3のドレインに接続されている。なお、第1実施形態では、パワーオンリセット回路1は、MOS容量2を設けることとしたがこれに限らない。パワーオンリセット回路1は、MOS容量2の代わりに、例えばMIM(Metal-Insulator-Metal)容量等の他の容量素子を設けていてもよい。
The
N型MOSトランジスタ3は、ゲートがインバータ4の出力端子に接続され、ソースが負電源端子としてのグランドに接続され、ドレインがMOS容量2を介して正電源端子10に接続されるとともにインバータ4の入力端子に接続されている。
The N-
インバータ4は、入力端子が、MOS容量2を介して正電源端子10に接続されているとともにN型MOSトランジスタ3のドレインに接続されている。また、インバータ4は、出力端子が、N型MOSトランジスタ3のゲートに接続されているとともに、回路ブロック20に接続されており、出力端子から、回路ブロック20にリセット信号PORを出力する。なお、図示は省略するが、インバータ4の正電源端子は、正電源端子10に接続されており、電源電圧が供給される。また、インバータ4の負電源端子は、グランドに接続されている。ここで、正電源端子10の電位を電位VD、MOS容量2とN型MOSトランジスタ3との間のノードNAの電位を電位VAという。
The
[パワーオンリセット回路1の動作]
続いて、パワーオンリセット回路1の動作について説明する。図2は、第1の実施形態に係るパワーオンリセット回路1の動作波形を示す図である。図2において、縦軸はVD、VA及びリセット信号PORの電位、横軸は電源電圧が印加されてからの時間を示している。
正電源端子10に電源電圧が印加される前において、正電源端子10の電位VDは、0Vであるため、ノードNAの電位VAも0Vである。よって、MOS容量2には電荷が蓄積されず、MOS容量2の端子間電圧も0Vである。また、インバータ4の出力端子側の電位も0Vであるため、N型MOSトランジスタ3はオフ状態である。
[Operation of power-on reset circuit 1]
Subsequently, the operation of the power-on
Before the power supply voltage is applied to the positive
続いて、図2に示す時刻t0において正電源端子10に電源電圧が印加されると、正電源端子10の電位VDは上昇を開始する。このとき、ノードNAは、端子間電圧が0VのMOS容量2を介して正電源端子10に接続されていることから、ノードNAの電位VAは、電荷保存則により正電源端子10の電位VDの上昇と同じように上昇を開始する。このため、インバータ4の出力信号は、“Lo”を維持し、インバータ4の出力端子側の電位は、0Vから変化しない。よって、N型MOSトランジスタ3は、オフ状態を維持する。
Subsequently, when a power supply voltage is applied to the positive
続いて、図2に示す時刻t1において正電源端子10の電位VDが所定の電位VDDまで上昇すると、ノードNAの電位VAも、所定の電位VDDとほぼ同じ電位まで上昇する。その後、ノードNAの電位VAは、N型MOSトランジスタ3のオフリーク抵抗と、MOS容量2とによる時定数に従って緩やかに低下する。
Subsequently, when the potential VD of the positive
その後、図2に示す時刻t2において、ノードNAの電位VAがインバータ4の入力ダイナミックレンジまで低下すると、インバータ4の出力端子側の電位が上昇を開始し、インバータ104の出力信号が“Lo”から“Hi”に変化する。また、N型MOSトランジスタ3のオフリーク抵抗が低下し始め、ノードNAの電位VAが急激に低下する。その後、インバータ4の出力端子側の電位がN型MOSトランジスタ3の閾値を超えると、N型MOSトランジスタ3はオン状態となり、ノードNAの電位VAがほぼ0Vとなる。
After that, when the potential VA of the node NA decreases to the input dynamic range of the
[第1の実施形態の効果]
以上、第1の実施形態のパワーオンリセット回路1は、正電源端子10に電源電圧が印加されてから、正電源端子10の電位VDが所定の電位VDDまで上昇し、さらにノードNAの電位VAがインバータ4の入力ダイナミックレンジまで低下するまで、N型MOSトランジスタ3がオフ状態を維持する。そして、ノードNAの電位VAがインバータ4の入力ダイナミックレンジまで低下すると、N型MOSトランジスタ3のオフ抵抗が小さくなり、最終的にオン状態に変化する。
[Effect of the first embodiment]
As described above, in the power-on
したがって、図5及び図6に示される、N型MOSトランジスタを常時オフに制御している従来のパワーオンリセット回路に比べて、電源電圧が印加されてからリセット信号PORの状態が“Lo”から“Hi”に変化するまでの時間を短くすることができる。これにより、回路ブロック20がリセット信号PORを受けて所定の動作を開始するまでの時間を短くすることができる。
Therefore, as compared with the conventional power-on reset circuit shown in FIGS. 5 and 6 in which the N-type MOS transistor is always turned off, the state of the reset signal POR is changed from “Lo” after the power supply voltage is applied. The time until changing to “Hi” can be shortened. As a result, the time until the
また、N型MOSトランジスタ3のゲートをインバータ4の出力端子と接続させることにより、正帰還がかかり結果としてヒステリシス特性を有する。具体的には、電源電圧が立ち上がる間に生じた電源ノイズにより電位VAが変動しても、リセット信号PORが“Hi”になった後にはN型MOSトランジスタ3がオフ状態になっているので、電位VAが所定の時間以上“Lo”を継続しなければ、リセット信号PORが“Hi”に維持される。したがって、ノードNAの電位VAにノイズが含まれていても、当該ノイズのリセット信号PORへの影響を抑制することができ、安定してリセット信号PORを出力することができる。
Further, by connecting the gate of the N-
また、パワーオンリセット回路1は、ヒステリシス特性を確保するために、図6に示すパワーオンリセット回路のように、ヒステリシス用のトランジスタを追加する必要がない。よって、パワーオンリセット回路1は、回路パターンの面積を小さくすることができる。
Further, the power-on
<第2の実施形態>
[インバータ4の入力ダイナミックレンジを広く設定する]
続いて、第2の実施形態について説明する。第2の実施形態のパワーオンリセット回路1は、第2出力回路としてのインバータ5及びインバータ6をさらに備え、第1出力回路としてのインバータ4の入力ダイナミックレンジが、第1の実施形態のインバータ4の入力ダイナミックレンジに比べて広く設定されている点で第1の実施形態と異なり、その他の点では同じである。
<Second Embodiment>
[Set wide input dynamic range of inverter 4]
Next, the second embodiment will be described. The power-on
図3は、第2の実施形態に係るパワーオンリセット回路1の回路構成図である。図3に示すように、インバータ5とインバータ6とは直列に接続されている。インバータ5の入力端子は、インバータ4の出力端子に接続され、インバータ6の出力端子は、回路ブロック20に接続されている。インバータ6は、回路ブロック20にリセット信号PORを出力する。
ここで、インバータ4は、第1の実施形態に係るインバータ4と比べて、回路利得が低く、入力ダイナミックレンジが広く設定されている。
また、インバータ5及びインバータ6は、インバータ4と比べて入力ダイナミックレンジが狭く設定されている。
FIG. 3 is a circuit configuration diagram of the power-on
Here, the
Further, the
[パワーオンリセット回路1の動作]
続いて、パワーオンリセット回路1の動作について説明する。図4は、第2の実施形態に係るパワーオンリセット回路1の動作波形を示す図である。図4において、縦軸は電位、横軸は時間を示している。
図4に示す時刻t1までのパワーオンリセット回路1の動作は、第1の実施形態と同様であるので説明を省略する。
[Operation of power-on reset circuit 1]
Subsequently, the operation of the power-on
Since the operation of the power-on
図4に示す時刻t1において、ノードNAの電位VAがほぼ所定の電位VDDまで上昇した後、ノードNAの電位VAは、N型MOSトランジスタ3のオフリーク抵抗と、MOS容量2とによる時定数に従って緩やかに低下する。
At time t1 shown in FIG. 4, after the potential VA of the node NA rises to almost the predetermined potential VDD, the potential VA of the node NA gradually decreases according to the time constant due to the off-leak resistance of the N-
続いて、図4に示す時刻t2’において、ノードNAの電位VAがインバータ4の入力ダイナミックレンジまで低下すると、インバータ4の出力端子側の電位V3が上昇を開始する。ここで、第2の実施形態のインバータ4は、第1の実施形態のインバータ4に比べて入力ダイナミックレンジが大きいことから、時刻t1から時刻t2’までの時間は、第1の実施形態に係る時刻t1から時刻t2までの時間よりも短くなる。
Subsequently, at time t <b> 2 ′ illustrated in FIG. 4, when the potential VA of the node NA decreases to the input dynamic range of the
続いて、インバータ4の出力端子側の電位V3が上昇したことに応じて、インバータ6の出力端子の電位も上昇を開始する。インバータ6の入力ダイナミックレンジは、第1の実施形態のインバータ4の入力ダイナミックレンジとほぼ同等であり、第1実施形態のリセット信号PORと同等の立ち上がりのリセット信号PORを出力する。これにより、第2の実施形態においてリセット信号PORの状態が“Lo”から“Hi”に変化するまでの時間は、第1実施形態の当該時間に比べて短くなる。
Subsequently, in response to the increase in the potential V3 on the output terminal side of the
[第2の実施形態の効果]
以上のとおり、第2の実施形態に係るパワーオンリセット回路1は、インバータ4の入力ダイナミックレンジが、第1の実施形態のインバータ4の入力ダイナミックレンジに比べて広く設定されているので、インバータ4の出力端子側の信号の立ち上がり時間を、第1の実施形態に比べて短くすることができる。
[Effects of Second Embodiment]
As described above, in the power-on
また、第2の実施形態に係るパワーオンリセット回路1は、インバータ5及びインバータ6を備えることで、リセット信号PORの状態が“Lo”から“Hi”に変化するまでの時間を、さらに短くすることができる。
Further, the power-on
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。そのような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。 As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.
例えば、第2の実施形態において、回路ブロック20が遅い立ち上がりのリセット信号を許容できる場合には、インバータ5及びインバータ6を設けずに、インバータ4から出力される信号をリセット信号PORとして回路ブロック20に出力するようにしてもよい。
For example, in the second embodiment, when the
1・・・パワーオンリセット回路、2・・・MOS容量、3・・・N型MOSトランジスタ、4、5、6・・・インバータ、10・・・正電源端子、20・・・回路ブロック、100、200・・・従来のパワーオンリセット回路、102・・・MOS容量、103・・・N型MOSトランジスタ、104、105、106・・・インバータ、107・・・P型MOSトランジスタ、120・・・回路ブロック
DESCRIPTION OF
Claims (3)
入力端子が前記容量素子を介して正電源端子に接続され、出力端子からリセット信号を出力する出力回路と、
ゲートが前記出力回路の出力端子に接続され、ソースが負電源端子に接続され、ドレインが前記容量素子を介して前記正電源端子に接続されるとともに前記出力回路の入力端子に接続されたN型MOSトランジスタと、
を備えるパワーオンリセット回路。 A capacitive element connected to the positive power supply terminal;
An output circuit in which an input terminal is connected to a positive power supply terminal via the capacitive element and outputs a reset signal from the output terminal;
An N-type having a gate connected to the output terminal of the output circuit, a source connected to a negative power supply terminal, a drain connected to the positive power supply terminal via the capacitive element, and connected to an input terminal of the output circuit A MOS transistor;
A power-on reset circuit comprising:
請求項1に記載のパワーオンリセット回路。 The output circuit comprises an inverter;
The power-on reset circuit according to claim 1.
入力端子が前記容量素子を介して正電源端子に接続され、出力端子から信号を出力する第1出力回路と、
入力端子が前記第1出力回路の出力端子に接続され、出力端子からリセット信号を出力し、前記第1出力回路に比べてダイナミックレンジが狭い第2出力回路と、
ゲートが前記第1出力回路の出力端子に接続され、ソースが負電源端子に接続され、ドレインが前記容量素子を介して前記正電源端子に接続されるとともに前記第1出力回路の入力端子に接続されたN型MOSトランジスタと、
を備えるパワーオンリセット回路。 A capacitive element connected to the positive power supply terminal;
A first output circuit having an input terminal connected to a positive power supply terminal via the capacitive element and outputting a signal from the output terminal;
A second output circuit having an input terminal connected to the output terminal of the first output circuit, outputting a reset signal from the output terminal, and having a dynamic range narrower than that of the first output circuit;
The gate is connected to the output terminal of the first output circuit, the source is connected to the negative power supply terminal, the drain is connected to the positive power supply terminal via the capacitive element, and is connected to the input terminal of the first output circuit An N-type MOS transistor,
A power-on reset circuit comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014044709A JP2015170996A (en) | 2014-03-07 | 2014-03-07 | power-on reset circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014044709A JP2015170996A (en) | 2014-03-07 | 2014-03-07 | power-on reset circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015170996A true JP2015170996A (en) | 2015-09-28 |
Family
ID=54203367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014044709A Pending JP2015170996A (en) | 2014-03-07 | 2014-03-07 | power-on reset circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015170996A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107196632A (en) * | 2017-05-07 | 2017-09-22 | 长沙方星腾电子科技有限公司 | A kind of electrification reset circuit |
CN112202433A (en) * | 2020-10-22 | 2021-01-08 | 联芸科技(杭州)有限公司 | Power-on reset circuit |
-
2014
- 2014-03-07 JP JP2014044709A patent/JP2015170996A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107196632A (en) * | 2017-05-07 | 2017-09-22 | 长沙方星腾电子科技有限公司 | A kind of electrification reset circuit |
CN112202433A (en) * | 2020-10-22 | 2021-01-08 | 联芸科技(杭州)有限公司 | Power-on reset circuit |
CN112202433B (en) * | 2020-10-22 | 2024-06-07 | 联芸科技(杭州)股份有限公司 | Power-on reset circuit |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8941421B2 (en) | Semiconductor device | |
US20110084740A1 (en) | Power-on reset circuit | |
TW201427279A (en) | Semiconductor device | |
US20170104483A1 (en) | Power-on reset circuit | |
JP2016058956A (en) | Semiconductor device for power and gate driver circuit | |
JP6292901B2 (en) | Reference voltage circuit | |
JP2015170996A (en) | power-on reset circuit | |
JP2013115601A (en) | Level shift circuit | |
TWI479803B (en) | Output stage circuit | |
JP2016187123A (en) | Comparator circuit | |
US8405428B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP2019140476A (en) | Level shift circuit | |
US10454458B2 (en) | Latch circuit and comparator circuit | |
US9369123B2 (en) | Power-on reset circuit | |
JP2012105007A (en) | Power-on reset circuit | |
JP2014085745A (en) | Reference voltage generation circuit | |
KR100933695B1 (en) | Semiconductor device | |
JP2015136003A (en) | Power-on reset circuit | |
JP2006108778A (en) | Output circuit | |
JP3134335U (en) | Delay circuit | |
US10868467B1 (en) | Pump circuit, pump device, and operation method of pump circuit | |
JP2017153095A (en) | Semiconductor circuit and semiconductor device | |
JP4471212B2 (en) | Withstand voltage input buffer circuit | |
US20100231273A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2023019228A (en) | Oscillation circuit |