JP2015170716A

JP2015170716A - 光電変換モジュール

Info

Publication number: JP2015170716A
Application number: JP2014044233A
Authority: JP
Inventors: 伸起堀内; Nobuoki Horiuchi; 宏治宮内; Koji Miyauchi
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2014-03-06
Filing date: 2014-03-06
Publication date: 2015-09-28

Abstract

【課題】大きな温度変化が生じても光電変換部と配線導体との電気的な接続を良好に維持することが可能な光電変換モジュールを提供する。
【解決手段】光電変換モジュール１００は、一主面を有する基板１と、上記一主面上に配置された光電変換部１１と、上記一主面上または光電変換部１１上に光電変換部１１と電気的に接続するように配置された、一方向に延びる帯状の出力電極８と、出力電極８に電気的に接続されており上記一方向に延びる帯状の配線導体９と、光電変換部１１および配線導体９を覆う封止材１２とを具備しており、配線導体９は、それぞれが上記一方向に延びる複数の帯状の短導体９Ａａ〜９Ａｅ、９Ｂａ〜９Ｂｅが互いの端部同士を固定せずに重ねるようにして上記一方向に沿って並んでいる。
【選択図】図２

Description

本発明は光電変換部で発電した電力を取り出すための配線導体を具備する光電変換モジュールに関する。

近年、エネルギー問題や環境問題の深刻化に伴い、光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽光発電が注目を集めている。

この太陽光発電に使用される光電変換モジュールでは、光電変換部から得られた電力を、リード線等の配線導体を介して外部に取り出している。このような光電変換モジュールでは、基板の表面の中央部に光電変換部が形成されており、その光電変換部の出力電極に配線導体が接続されている。そして、この光電変換部および配線導体が封止材（充填材）によって覆われている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１０−０５６２５１号公報

光電変換モジュールは、主として屋外に設置されることが多く、周囲の環境に影響を受けやすい。そのため、このような光電変換モジュールでは、大きな温度変化が生じる環境下において、配線導体と出力電極との接続部分に応力が集中しやすかった。これにより、配線導体が断線して電気抵抗が高くなり、光電変換部で生じた出力を十分に取り出すことが困難になる場合があった。

よって、本発明は、大きな温度変化が生じても光電変換部と配線導体との電気的な接続を良好に維持することが可能な光電変換モジュールを提供することにある。

本発明の一態様に係る光電変換モジュールは、一主面を有する基板と、前記一主面上に配置された光電変換部と、前記一主面上または前記光電変換部上に前記光電変換部と電気的に接続するように配置された、一方向に延びる帯状の出力電極と、該出力電極に電気的に接続されており前記一方向に延びる帯状の配線導体と、前記光電変換部および前記配線導体を覆う封止材とを具備しており、前記配線導体は、それぞれが前記一方向に延びる複数の帯状の短導体が互いの端部同士を固定せずに重ねるようにして前記一方向に沿って並んでいる。

本発明の一態様に係る光電変換モジュールによれば、大きな温度変化が生じても光電変換部で生じた出力を良好に取り出すことが可能な信頼性の高いものとなる。

第１実施形態の光電変換モジュ−ルの封止材および保護基板を設けていない状態の斜視図である。図１の光電変換モジュ−ルの平面図である。図１の光電変換モジュ−ルのＸＺ断面図である。図１の光電変換モジュールの要部拡大図である。図１の光電変換モジュールにおける配線導体の要部拡大図である。第１実施形態の光電変換モジュ−ルにおけるＹＺ断面の要部拡大図である。（ａ）第２実施形態の光電変換モジュールにおける短導体の端部同士を重ねる前の状態を示す平面図である。（ｂ）第２実施形態の光電変換モジュールにおける短導体の端部同士を重ねた後の状態を示す平面図である。（ａ）第３実施形態の光電変換モジュールにおける短導体の端部同士を重ねる前の状態を示す平面図である。（ｂ）第３実施形態の光電変換モジュールにおける短導体の端部同士を重ねた後の状態を示す平面図である。（ａ）第４実施形態の光電変換モジュールにおける短導体の端部同士を重ねる前の状態を示す平面図である。（ｂ）第４実施形態の光電変換モジュールにおける短導体の端部同士を重ねた後の状態を示す平面図である。（ａ）第５実施形態の光電変換モジュールにおけるＹＺ断面の要部拡大図である。

本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、各図には、後述する光電変換セルの配列方向をＸ軸とする右手系のＸＹＺ座標を付している。

＜第１実施形態の光電変換モジュール＞
図１〜図４は、配線導体等の構成を見やすくするため、封止材１２と保護基板１３を除いた状態の第１実施形態の光電変換モジュール１００の構成を示している。図１は、光電変換モジュ−ル１００の斜視図であり、図２は、図１に示した光電変換モジュ−ル１００のＸＹ平面図である。また、図３は、図１に示した光電変換モジュ−ル１００のＸＺ断面図であり、図４は、図１に示した光電変換モジュ−ル１００の要部拡大図である。また、図５は、第１実施形態の光電変換モジュール１００における配線導体の要部拡大図である。また、図６は、封止材１２および保護基板１３を設けた状態の第１実施形態の光電変換モジュ−ルにおけるＹＺ断面の要部拡大図である。

光電変換モジュール１００は、基板１と、光電変換部１１と、出力電極８と、配線導体９と、封止材１２と、保護基板１３とを備えている。

基板１は、光電変換部１１を支持する機能を有している。また、基板１の材質としては、厚さ１〜３ｍｍ程度の青板ガラス（ソーダライムガラス）または硼珪酸ガラス等が挙げられる。なお、基板１の材質としてはこれに限定されず、他のガラス、セラミックス、樹脂または金属等が用いられてもよい。また、基板１の形状は、例えば矩形状、円形状等の平板状であればよい。

光電変換部１１は、基板１の一主面上に設けられている。光電変換部１１は、発電の出力を高めるという観点から、複数の光電変換セルが互いに電気的に接続され、基板１上で集積化されている。光電変換部１１の詳細については後述する。

出力電極８は、基板１の一主面上で、一対のものが光電変換部１１の一対の電極にそれぞれ電気的に接続されるように設けられている。図１〜図４の例では、出力電極８が、光電変換部１１の一方の電極に接続された出力電極８Ａと、光電変換部１１の他方の電極に接続された出力電極８Ｂとの一対を有する例を示している。

出力電極８は、光電変換部１１と電気的に接続するように配置されており、一方向（図１〜図４ではＹ方向）に延びる帯状の電極である。出力電極８は、図１〜図４に示すように基板１の一主面上に設けられていてもよく、あるいは光電変換部１１上に設けられてい
てもよい。出力電極８が基板１の一主面上に設けられている場合、例えば、図１〜図４のように光電変換セル１０の下部電極層２の一部が延伸されたものであってもよい。また、出力電極８が光電変換部１１上に設けられている場合、光電変換セル１０の上部電極層５の一部あるいは集電電極７の一部が出力電極８として用いられてもよい。

配線導体９は、出力電極８に電気的に接続されており、出力電極８の延伸方向と同じ一方向（Ｙ方向）に帯状に延びている。図１〜図４の例では、配線導体９が、出力電極８Ａに接続された配線導体９Ａと、出力電極８Ｂに接続された配線導体９Ｂとの一対を有する例を示している。

配線導体９Ａは、図２に示すように、複数の帯状の短導体９Ａa、９Ａｂ、９Ａｃ、９
Ａｄ、９Ａｅを有している。これらの短導体９Ａａ〜９Ａｅは、それぞれが一方向（Ｙ方向）に延びており、これらが一方向（Ｙ方向）に沿って並んでいる。また、配線導体９Ｂは、図２に示すように、複数の帯状の短導体９Ｂa、９Ｂｂ、９Ｂｃ、９Ｂｄ、９Ｂｅを
有している。これらの短導体９Ｂａ〜９Ｂｅは、それぞれが一方向（Ｙ方向）に延びており、これらが一方向（Ｙ方向）に沿って並んでいる。

そして、図５に示すように、隣接する短導体同士（図５では短導体９Ｂａおよび短導体９Ｂｂの構成を示しているが、配線導体９Ｂの他の隣接する短導体同士および配線導体９Ａの短導体同士も同様の構成とすることができる）は、互いの端部同士が固定されることなく重なっている。つまり、短導体９Ｂａおよび短導体９Ｂｂは、互いに重なっている部分が拘束し合うことなく単に接触しているだけの状態である。

このような構成によって、大きな温度変化が生じる環境下で光電変換モジュール１００を使用した場合でも、短導体同士の重なっている部分がずれることによって、配線導体と出力電極との接続部分に応力が集中するのを緩和することができる。また、短導体同士の重なっている部分は接触状態を維持することができるので、電気抵抗も低く維持することができる。その結果、光電変換部１１で生じた出力を良好に取り出し続けることが可能な信頼性の高いものとなる。

短導体９Ａａ〜９Ａｅ、９Ｂａ〜９Ｂｅは、それぞれ、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の導電体であり、表面に半田等が被覆されていてもよい。また、短導体９Ａａ〜９Ａｅ、９Ｂａ〜９Ｂｅのそれぞれは、Ｚ方向の厚みが０．１〜０．４ｍｍ程度、Ｘ方向の幅が１〜４ｍｍ程度の帯状である。また、短導体９Ａａ〜９Ａｅ、９Ｂａ〜９ＢｅのそれぞれのＹ方向の長さは、２０〜１００ｍｍ程度とすることができる。

短導体９Ａａ〜９Ａｅ、９Ｂａ〜９Ｂｅは、出力電極８Ａ、８Ｂに、半田付けや導電性接着剤による接着、溶接等によって固定されることによって電気的に接続されている。短導体９Ａａ〜９Ａｅ、９Ｂａ〜９Ｂｅのそれぞれは、出力電極８Ａ、８Ｂとの界面の全面が出力電極８Ａ、８Ｂに固定されていてもよく、部分的に固定され、それ以外の残部が接触しているだけでもよい。なお、本実施例において、短導体と出力電極とが固定されているというのは、短導体と出力電極とが、半田付けや導電性接着剤による接着、溶接等によって互いに固定されて拘束し合っていることをいう。また、短導体と出力電極とが接触しているというのは、短導体と出力電極との間で拘束力はなく、互いに固定されずに単に接触していることをいう。

配線導体９に加わる応力をより緩和するという観点からは、図５に示すように、短導体９Ｂａおよび第２短導体９Ｂｂは、互いに重なっている部分において出力電極８Ｂに固定されていなくてもよい。つまり、短導体９Ｂａおよび短導体９Ｂｂの重なっている部分において、短導体９Ｂａおよび第２短導体９Ｂｂは接触しているだけであり、さらに、短導
体９Ｂｂは出力電極８Ｂに固定されておらず接触しているだけある。このような構成であれば、短導体９Ｂａおよび第２短導体９Ｂｂの両方が動きやすくなるため、応力を緩和する効果がさらに向上する。なお、図５において、符号９ｃは、短導体９Ｂａ、９Ｂｂが出力電極９Ｂに固定されている固定部を示しており、固定部９ｃ以外の短導体９Ｂａ、９Ｂｂと出力電極８Ｂとの界面は単に接触しているだけの状態を示す。

このような隣接する短導体同士の重なっている部分は、この部分を覆う封止材１２によって出力電極８Ａ、８Ｂに押し付けられることで、互いの接触状態が維持されている。そのため、温度変化によって短導体同士の重なっている部分が多少ずれたとしても、これらは接触し続け、電気的な接続が良好に維持される。

封止材１２は基板１の一主面の全面を覆うように設けられており、封止材１２によって光電変換部１１、出力電極８および配線導体９が封止されている。このような封止材１２としては、例えば共重合したエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）を主成分とする樹脂やポリビニルブチラール（ＰＶＢ）を主成分とする樹脂等が挙げられる。

保護基板１３は、図６に示すように、封止材１２を覆うように設けられており、光電変換部１１、出力電極８および配線導体９をさらに保護する機能を有する。保護基板１３としてはガラス等が用いられ得る。

封止材１２および保護基板１３を介して光電変換部１１に光が入射するように光電変換モジュール１００を用いる場合、封止材１２および保護基板１３は透光性のものが用いられる。基板１を介して光電変換部１１に光が入射するように光電変換モジュール１００を用いる場合、封止材１２および保護基板１３は透光性であってもよく、透光性でなくてもよい。また、封止材１２で光電変換部１１、出力電極８および配線導体９を十分に保護できる場合、保護基板１３は省略できる。

＜光電変換部＞
次に、光電変換部１１について説明する。図３は光電変換モジュ−ル１００のＹ方向の中央部における光電変換部１１を示す部分断面図であり、図４はその部位の要部斜視図である。なお、図３および図４の構成は、光電変換モジュール１００に用いられる光電変換部１１の一例を示すものであって、これに限定されるものではない。

光電変換部１１は、下部電極層２と、第１の半導体層３と、第１の半導体層３とは異なる導電型の第２の半導体層４と、上部電極層５と、集電電極６とを備えた光電変換セル１０が複数個、図３のＸ方向に直列接続されて成る。隣接する光電変換セル１０において、一方の光電変換セル１０の上部電極層５が集電電極６および接続導体７を介して隣接する他方の光電変換セル１０の下部電極層２に接続されている。そして、光電変換部１１の一方端部の外側に出力電極８Ａが形成されており、一方端部側の光電変換セル１０の下部電極層２に電気的に接続されている。また、その反対側の光電変換部１１の他方端部の外側にも出力電極８Ｂが形成されており、他方端部側の光電変換セル１０の上部電極層５に電気的に接続されている。

次に、光電変換部１１の各要素について説明する。

下部電極層２は、図３のＸ方向に互いに間隔をあけて基板１の一主面上に複数配置されている。なお、下部電極３の個数については、図３に示したものに限られない。このような下部電極層２は、モリブデン（Ｍｏ）やアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）等の金属、あるいは半導体等の導電材料が用いられる。下部電極層２は、例えば、基板１上にスパッタリング法または蒸着法等を利用して、厚さ０．２
〜１μｍ程度に形成すればよい。

第１の半導体層３は、下部電極層２上に配置されている。第１の半導体層３は、例えば、アモルファスシリコンや化合物半導体等が用いられる。化合物半導体としては、例えば、Ｉ−III−VI化合物やＩ−II−IV−VI族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等がある
。

I−III−VI化合物半導体とは、Ｉ−Ｂ族元素（１１族元素ともいう）、III−Ｂ族元素
（１３族元素ともいう）およびVI−Ｂ族元素（１６族元素ともいう）の化合物半導体である。そして、このようなI−III−VI化合物半導体は、カルコパイライト構造を有し、カルコパイライト系化合物半導体とも呼ばれる（ＣＩＳ系化合物半導体ともいう）。I−III−VI化合物半導体としては、例えば、二セレン化銅インジウム（ＣｕＩｎＳｅ_２）、二セレン化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ_２）、二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）_２）、二イオウ化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ_２）または薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜がある。

また、Ｉ−II−IV−VI族化合物半導体とは、Ｉ−Ｂ族元素、II−Ｂ族元素（１２族元素ともいう）、IV−Ｂ族元素（１４族元素ともいう）およびVI−Ｂ族元素の化合物半導体である。Ｉ−II−IV−VI族化合物としては、例えば、Ｃｕ_２ＺｎＳｎＳ_４等がある。

また、II−VI族化合物半導体とは、II−Ｂ族元素およびVI−Ｂ族元素の化合物半導体である。II−VI族化合物半導体としては、例えば、ＣｄＴｅ等がある。

第１の半導体層３は、例えばスパッタリング法、蒸着法等といった真空プロセスによって形成される。また、第１の半導体層３は、塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによっても形成される。塗布法あるいは印刷法では、例えば、第１の半導体層３に主として含まれる元素の錯体溶液が下部電極層２の上に塗布され、その後、乾燥および加熱処理が行われる。

第２の半導体層４は、第１の半導体層３の＋Ｚ側の主面の上に、例えば１０〜２００ｎｍの厚さで設けられており、第１の半導体層３の導電型とは異なる導電型を有する半導体を主に含む。なお、導電型が異なる半導体とは、伝導担体（キャリア）が異なる半導体である。例えば、第１の半導体層３がｐ型であれば、第２の半導体層４はｎ型であり、その逆であってもよい。また、第１の半導体層３と第２の半導体層４と界面に、ｉ型等の他の半導体層が介在していてもよい。

第２の半導体層４は、第１の半導体層３の表面部に他の元素がドープされて成るものであってもよく、第１の半導体層３とは異なる化合物がヘテロ接合されて成るものであってもよい。

上部電極層５は、第２の半導体層４の＋Ｚ側の主面の上に設けられており、例えば、第２の半導体層４と同じ導電型を有する透光性の導電層である。この上部電極層５は、第１の半導体層３および第２の半導体層４において生じたキャリアを取り出す電極として働く。上部電極層５は、第２の半導体層４よりも低い電気抵抗率を有する材料を主に含む。

上部電極層５は、禁制帯幅が広く且つ透光性で低電気抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化亜鉛の化合物、錫が含まれた酸化インジウム（ＩＴＯ）および酸化錫（ＳｎＯ_２）等の金属酸化物半導体等が挙げられる
。酸化亜鉛の化合物は、アルミニウム、ボロン、ガリウム、インジウムおよびフッ素のうちの何れか１つの元素等が含まれたものである。

上部電極層５は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等によって形成され得る。上部電極層５の厚さは、例えば、０．０５〜３．０μｍである。ここで、上部電極層５が、１Ω・ｃｍ未満の抵抗率と、５０Ω／□以下のシート抵抗とを有していれば、上部電極層５を介して第１の半導体層３および第２の半導体層４からキャリアが良好に取り出され得る。

上部電極層５は、その厚みが０．０５〜０．５μｍであれば、透光性導電層６における光透過性が高められると同時に、光電変換によって生じた電流が良好に伝送され得る。さらに、上部電極層５の絶対屈折率と第２の半導体層４の絶対屈折率とが略同一であれば、上部電極層５と第２の半導体層４との界面で光が反射することで生じる入射光のロスが低減され得る。

集電電極６は、上部電極層５の＋Ｚ側の一主面の上に、上部電極層５の端部から接続導体７にかけて線状に設けられている。そして、例えば、光電変換セル１０の上部電極層５によって集められたキャリアは、集電電極６によってさらに集められ、接続導体７を介して隣接する光電変換セル１０に伝達され得る。

この集電電極６が設けられることで、上部電極層５における導電性が補われるため、上部電極層５の薄層化が可能となる。これにより、キャリアの取り出し効率の確保と、上部電極層５における光透過性の向上とが両立し得る。なお、集電電極６が、例えば、銀等の導電性が優れた金属を主に含んでいれば、光電変換セル１０における変換効率が向上し得る。なお、集電電極６に含まれる金属としては、例えば銅、アルミニウムおよびニッケル等が挙げられる。

また、集電電極６の幅は、５０〜４００μｍであれば、隣接する光電変換セル１０間における良好な導電が確保されつつ、第１の半導体層３への光の入射量の低下が低減され得る。１つの光電変換セル１０に複数の集電電極６が設けられる場合、該複数の集電電極６の間隔は、例えば、２．５ｍｍ程度であればよい。

接続導体７は、第１の半導体層３および第２の半導体層４を分離する分離溝内に配置されている。この接続導体７は、集電電極６と電気的に接続している。また、接続導体７は、隣の光電変換セル１０から延伸されている下部電極層２に接続している。これにより接続導体７は、隣接する光電変換セル１０のうち、一方の光電変換セル１０の上部電極層５と、他方の光電変換セル１０の下部電極層２とを電気的に接続できる。

接続導体７は、集電電極６と同様の材質、方法で作製してもよい。そのため、接続導体７は、集電電極６の形成と同時に行なってもよい。また、接続導体７は、上部電極層５を延伸したものであってもよい。

本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正及び変更を加えることができる。例えば、上記第１実施形態の光電変換モジュール１００では、配線導体９が、隣接する短導体のうちの一方の短導体９Ｂｂの端部全体の上に他方の短導体９Ｂａの端部全体が重なっている構成である例を示しているが、この配線導体９を以下のものに代えてもよい。すなわち、隣接する短導体のうち、一方を第１短導体とし、他方を第２短導体としたときに、第１短導体の端部の一部分が第２短導体の端部よりも上側に位置しているとともに、第１短導体の端部の他の部分が第２短導体の端部よりも下側に位置していてもよい。このような配線導体の種々の変形例を、第２実施形態〜第５実施形態
として以下に示す。

＜第２実施形態の光電変換モジュール＞
第２実施形態の光電変換モジュールは、第１実施形態の光電変換モジュール１００における配線導体９Ｂを、図７に示す配線導体２９Ｂに代えたものである。ここで図７（ａ）は短導体２９Ｂａの端部と短導体２９Ｂｂの端部とを重ねる前の状態であり、図７（ｂ）はこれらを重ねて配線導体２９Ｂとした状態である。配線導体２９Ｂにおいて、短導体２９Ｂａおよび短導体２９Ｂｂのそれぞれは、端部がＹ方向に沿って２分割されている。そして、短導体２９Ｂａの端部の２分割された一方の部位が短導体２９Ｂｂの上に位置するように重なっているとともに、短導体２９Ｂａの端部の２分割された他方の部位が短導体２９Ｂｂの下に位置するように重なっている。

このような構成であれば、隣接する短導体同士の重なっている部分がずれることによって応力を緩和することができるとともに、短導体同士の接触状態をより安定して維持することができる。その結果、光電変換部１１で生じた出力をより安定して取り出すことができる。

＜第３実施形態の光電変換モジュール＞
第３実施形態の光電変換モジュールは、第１実施形態の光電変換モジュール１００における配線導体９Ｂを、図８に示す配線導体３９Ｂに代えたものである。ここで図８（ａ）は短導体３９Ｂａの端部と短導体３９Ｂｂの端部とを重ねる前の状態であり、図８（ｂ）はこれらを重ねて配線導体３９Ｂとした状態である。配線導体３９Ｂにおいて、短導体３９Ｂａは端部に孔部が設けられており、短導体３９Ｂｂは先端が細くなっている。そして、短導体２９Ｂａの孔部に短導体３９Ｂｂの細い先端が挿入されている。なお、図８（ｂ）では、短導体３９Ｂａの先端が短導体３９Ｂｂの下に位置するように重なり、短導体３９Ｂｂの先端が短導体３９Ｂａの下に位置するように重なっているが、逆に、短導体３９Ｂａの先端が短導体３９Ｂｂの上に位置するように重なり、短導体３９Ｂｂの先端が短導体３９Ｂａの上に位置するように重なっていてもよい。

＜第４実施形態の光電変換モジュール＞
第４実施形態の光電変換モジュールは、第１実施形態の光電変換モジュール１００における配線導体９Ｂを、図９に示す配線導体４９Ｂに代えたものである。ここで図９（ａ）は短導体４９Ｂａの端部と短導体４９Ｂｂの端部とを重ねる前の状態であり、図９（ｂ）はこれらを重ねて配線導体４９Ｂとした状態である。配線導体４９Ｂにおいて、短導体４９Ｂａおよび短導体４９Ｂｂのそれぞれは、端部がＸ方向に沿って切り込みが入っている。そして、これらの切り込みを噛み合わせることによって、短導体４９Ｂａの先端が短導体４９Ｂｂの下に位置するように重なり、短導体４９Ｂｂの先端が短導体４９Ｂａの下に位置するように重なっている。なお、配線導体４９Ｂは、短導体４９Ｂａの先端が短導体４９Ｂｂの上に位置するように重なり、短導体４９Ｂｂの先端が短導体４９Ｂａの上に位置するように重なっていてもよい。

＜第５実施形態の光電変換モジュール＞
また、光電変換モジュールの他の変形例として、図１０に示すような、第５実施形態の光電変換モジュール５００でもよい。図１０は、第５実施形態の光電変換モジュール５００のＹＺ断面の要部拡大図である。第５実施形態の光電変換モジュール５００は、上記第１実施形態の光電変換モジュール１００における配線導体９Ｂとして、複数の導電体の積層体から成る配線導体５９Ｂを用いている点で異なっている。

配線導体５９Ｂは、隣接する短導体のうち、一方の短導体５９Ｂａは複数の第１導電体の積層体から成り、他方の短導体は複数の第２導電体の積層体から成り、複数の第１導電体の各端部と複数の第２導電体の各端部とが交互に互いに固定されずに重なっている。

このような構成であれば、隣接する短導体同士の重なっている部分がずれることによって応力を緩和することができるとともに、配線導体５９Ｂの電気抵抗をより低くすることができる。

なお、配線導体５９Ｂにおいて、短導体５９Ｂａは、隣接する短導体５９Ｂｂと重なっている部分以外の部位において、第１導電体の積層体がスポット溶接等によってまとめて出力電極８Ｂに接続されている。同様に、短導体５９Ｂｂは、隣接する短導体５９Ｂａと重なっている部分以外の部位において、第２導電体の積層体がまとめて出力電極８Ｂに接続されている。このような構成であれば、積層体構造の短導体５９Ｂａ、５９Ｂｂの出力電極８Ｂへの固定が容易になる。なお、図１０において、符号５９ｃは短導体５９Ｂａ、５９Ｂｂと出力電極８Ｂとの固定部を示す。

１００、５００：光電変換モジュ−ル
１：基板
１１：光電変換部
８、８Ａ、８Ｂ：出力電極
９、９Ａ、９Ｂ、２９Ｂ、３９Ｂ、４９Ｂ、５９Ｂ：配線導体
９Ａａ〜９Ａｅ、９Ｂａ〜９Ｂｅ、２９Ｂａ、２９Ｂｂ、３９Ｂａ、３９Ｂｂ、４９Ｂａ、４９Ｂｂ、５９Ｂａ、５９Ｂｂ：短導体
１２：封止材

Claims

一主面を有する基板と、
前記一主面上に配置された光電変換部と、
前記一主面上または前記光電変換部上に前記光電変換部と電気的に接続するように配置された、一方向に延びる帯状の出力電極と、
該出力電極に電気的に接続されており前記一方向に延びる帯状の配線導体と、
前記光電変換部および前記配線導体を覆う封止材と
を具備しており、
前記配線導体は、それぞれが前記一方向に延びる複数の帯状の短導体が互いの端部同士を固定せずに重ねるようにして前記一方向に沿って並んでいる光電変換モジュール。
前記複数の短導体のうち隣接するもの同士を第１短導体および第２短導体としたときに、前記第１短導体および前記第２短導体は互いに重なっている部分において前記出力電極に固定されていない、請求項１に記載の光電変換モジュール。
前記第１短導体の端部の一部分が前記第２短導体の端部よりも上側に位置しているとともに、前記第１短導体の端部の他の部分が前記第２短導体の端部よりも下側に位置している、請求項２に記載の光電変換モジュール。
前記複数の短導体のうち隣接するもの同士を第１短導体および第２短導体としたときに、前記第１短導体は複数の第１導電体の積層体から成り、前記第２短導体は複数の第２導電体の積層体から成り、前記複数の第１導電体の各端部と前記複数の第２導電体の各端部とが交互に互いに固定されずに重なっている、請求項１乃至３のいずれかに記載の光電変換モジュール。