JP2015159214A - Electromagnetic wave shield film, and flexible printed board - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: an electromagnetic wave shield film which is adaptive to the reduction in weight and thickness of an electronic component of a flexible printed board or the like, and which is superior in seaming resistance, and superior in shape followability and adhesion even when being stuck to the surface of an electronic component having concave and convex portions; and a flexible printed board.SOLUTION: An electromagnetic wave shield film comprises at least a base layer, and an electromagnetic wave cutoff layer, which are laminated in order. The electromagnetic wave cutoff layer is formed from a composition which has conductivity between opposing ends when the electromagnetic wave shield film is Z-folded.

Description

本発明は、電磁波シールドフィルム及びフレキシブルプリント基板に関する。より詳細に、本発明は、Ｚ折りを行ってもクラックが発生しない電磁波シールドフィルム、及びこの電磁波シールドフィルムを用いたフレキシブルプリント基板に関する。   The present invention relates to an electromagnetic wave shielding film and a flexible printed board. More specifically, the present invention relates to an electromagnetic wave shielding film in which no crack is generated even when Z-folding is performed, and a flexible printed board using the electromagnetic wave shielding film.

従来から、携帯電話、医療機器のように電磁波の影響を受けやすい電子部品や、半導体素子等の発熱性電子部品、さらにはコンデンサ一、コイル等の各種電子部品、またはこれらの電子部品を回路基板に実装された電子機器は、電磁波によるノイズの影響を軽減するためその表面に電磁波シールドフィルムが貼付されている。このような電磁波シールドフィルムとしては、特許文献１〜４に記載されている様な、絶縁性材料からなる基材層と基材層の一方または双方の面に積層した金属層とを有するものが使用されてきた。   Conventionally, electronic components that are easily affected by electromagnetic waves, such as mobile phones and medical devices, exothermic electronic components such as semiconductor elements, various electronic components such as capacitors and coils, or these electronic components are circuit boards. In order to reduce the influence of noise caused by electromagnetic waves, an electromagnetic shielding film is attached to the surface of the electronic device mounted on the surface. Such an electromagnetic wave shielding film has a base material layer made of an insulating material and a metal layer laminated on one or both surfaces of the base material layer as described in Patent Documents 1 to 4. Have been used.

しかしながら、こうした金属層を有する電磁波シールドフィルムを、上記の電子部品の表面に貼付した場合、近年要望が高まりつつある軽量化・薄型化に対応できないという問題があった。また、特に柔軟性が要求されるフレキシブルプリント基板の表面に従来の金属層を有する電磁波シールドフィルムを貼付すると、充分な柔軟性や屈曲性が得られないことがあり、小型携帯機器等の限られたスペース部分での配線に適用すると、耐ハゼ折り性が劣るために電磁波シールドフィルムの一部にクラックが発生する事があるという問題があった。さらに、凹凸を有する電子部品の表面に電磁波シールドフィルムを貼付すると、電磁波シールドフィルムが表面の凹凸に対して充分な形状追従性や密着性が得られないという問題があった。   However, when an electromagnetic wave shielding film having such a metal layer is attached to the surface of the electronic component, there has been a problem that it has not been possible to cope with the reduction in weight and thickness that has been increasingly demanded in recent years. In addition, if an electromagnetic wave shielding film having a conventional metal layer is pasted on the surface of a flexible printed circuit board that requires flexibility, sufficient flexibility and flexibility may not be obtained. When applied to a wiring in a large space, there is a problem that cracks may occur in a part of the electromagnetic wave shielding film due to inferior goby folding resistance. Furthermore, when an electromagnetic wave shielding film is affixed to the surface of the electronic component which has an unevenness | corrugation, there existed a problem that sufficient shape followability and adhesiveness with respect to the unevenness | corrugation of the surface of an electromagnetic wave shielding film were not acquired.

特開２００６−１５６９４６号公報JP 2006-156946 A 特開平０７−２９７５９２号公報JP 07-297592 A 特開平０６−２２４５８９号公報Japanese Patent Laid-Open No. 06-224589 特開平０６−１５２１８２号公報Japanese Patent Laid-Open No. 06-152182

本発明は、フレキシブルプリント基板等の電子部品の軽量化・薄型化に対応でき、耐ハゼ折り性に優れ、且つ凹凸を有する電子部品の表面に貼付しても優れた形状追従性と密着性を有する電磁波シールドフィルム、及びフレキシブルプリント基板を提供することを課題とする。   The present invention can cope with the weight reduction and thinning of electronic parts such as flexible printed circuit boards, has excellent resistance to goby folds, and has excellent shape followability and adhesion even when affixed to the surface of uneven electronic parts. It is an object to provide an electromagnetic wave shielding film and a flexible printed circuit board.

本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討した。その結果、少なくとも基材層と、電磁波遮断層とを順に積層し、電磁波遮断層は、Ｚ折りを行ったときにその両端間で導電性を有する組成物から形成される電磁波シールドフィルムが、上記の問題を解決することができることを見出した。本発明は、これらの知見に基づき、さらに検討を重ねた結果、完成するに至ったものである。   The present inventors have intensively studied to solve the above problems. As a result, at least a base material layer and an electromagnetic wave shielding layer are laminated in order, and the electromagnetic wave shielding layer is an electromagnetic wave shielding film formed from a composition having conductivity between both ends when Z-folding is performed. Found that the problem can be solved. As a result of further studies based on these findings, the present invention has been completed.

すなわち、本発明は以下の態様を包含するものである。
［１］ 電磁波シールドフィルムであって、少なくとも基材層と、電磁波遮断層とを順に積層し、電磁波遮断層は、Ｚ折りを行ったときにその両端間で導電性を有する組成物から形成されることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
［２］ 電磁波遮断層は、導電性組成物及びバインダーを含有し、バインダーが非晶質熱可塑性樹脂を主成分とすることを特徴とする［１］に記載の電磁波シールドフィルム。
［３］ バインダーが１５質量％以上５５質量％以下の配合量であることを特徴とする［１］または［２］に記載の電磁波シールドフィルム。
［４］ 非晶質熱可塑性樹脂が非晶質ポリエステル系樹脂であることを特徴とする［１］ないし［３］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
［５］ 基材層は、少なくとも２つの層が積層された積層体を備えることを特徴とする［１］ないし［４］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
［６］ 基材層は、第１の層と、第２の層と、第３の層とが順に積層された積層体であることを特徴とする［１］ないし［５］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
［７］ 第１の層の厚さＴ（Ａ）と第２の層の厚さＴ（Ｃ）と第３の層の厚さＴ（Ｂ）が下記式（１）を満たすことを特徴とする［１］ないし［６］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム．
０．０５＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜１０・・・（１）
［８］ さらに、絶縁層を基材層の表面あるいは電磁波遮断層の表面に積層することを特徴とする［１］ないし［７］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
［９］ 電子部品を搭載する基板であって、［１］ないし［８］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルムを基板上の凹凸の被覆部材として備え、凹凸は、１ｍｍ以上の段差を有することを特徴とする基板。
［１０］ ［１］ないし［８］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルムを電磁波遮蔽部材として備えることを特徴とするフレキシブルプリント基板。 That is, the present invention includes the following aspects.
[1] An electromagnetic wave shielding film in which at least a base material layer and an electromagnetic wave shielding layer are sequentially laminated, and the electromagnetic wave shielding layer is formed from a composition having conductivity between both ends when Z-folding is performed. An electromagnetic wave shielding film characterized by that.
[2] The electromagnetic wave shielding film according to [1], wherein the electromagnetic wave shielding layer contains a conductive composition and a binder, and the binder contains an amorphous thermoplastic resin as a main component.
[3] The electromagnetic wave shielding film according to [1] or [2], wherein the binder is blended in an amount of 15% by mass to 55% by mass.
[4] The electromagnetic wave shielding film as described in any one of [1] to [3], wherein the amorphous thermoplastic resin is an amorphous polyester resin.
[5] The electromagnetic wave shielding film according to any one of [1] to [4], wherein the base material layer includes a laminate in which at least two layers are laminated.
[6] The base material layer is a laminate in which a first layer, a second layer, and a third layer are sequentially laminated, and any one of [1] to [5] The electromagnetic wave shielding film of item.
[7] The thickness T (A) of the first layer, the thickness T (C) of the second layer, and the thickness T (B) of the third layer satisfy the following formula (1): The electromagnetic wave shielding film according to any one of [1] to [6].
0.05 <T (C) / (T (A) + T (B)) <10 (1)
[8] The electromagnetic wave shielding film according to any one of [1] to [7], wherein an insulating layer is further laminated on the surface of the base material layer or the surface of the electromagnetic wave shielding layer.
[9] A substrate on which an electronic component is mounted, comprising the electromagnetic wave shielding film according to any one of [1] to [8] as an uneven covering member on the substrate, wherein the unevenness has a step of 1 mm or more. A substrate comprising:
[10] A flexible printed board comprising the electromagnetic wave shielding film according to any one of [1] to [8] as an electromagnetic wave shielding member.

本発明の電磁波シールドフィルムは、電子部品の軽量化・薄型化に対応でき、耐ハゼ折り性に優れ、且つ凹凸を有する電子部品の表面に貼付しても優れた形状追従性と密着性を有する。また、本発明のフレキシブルプリント基板は、表面に本発明の電磁波シールドフィルムが電磁波遮蔽層として用いられているので、電子部品の軽量化・薄型化に対応でき、耐ハゼ折り性に優れ、且つ凹凸を有するフレキシブルプリント基板の表面と電磁波遮蔽層の密着性に優れる。   The electromagnetic wave shielding film of the present invention can cope with the reduction in weight and thickness of electronic components, has excellent resistance to goby folding, and has excellent shape followability and adhesion even when applied to the surface of an electronic component having irregularities. . Moreover, since the electromagnetic wave shielding film of the present invention is used as an electromagnetic wave shielding layer on the surface of the flexible printed board of the present invention, it can cope with the reduction in weight and thickness of electronic parts, has excellent goby folding resistance, and has unevenness. Excellent adhesion between the surface of the flexible printed circuit board and the electromagnetic shielding layer.

本発明の電磁波シールドフィルムの第１実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 1st Embodiment of the electromagnetic wave shield film of this invention. 本発明の電磁波シールドフィルムの第２実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 2nd Embodiment of the electromagnetic wave shield film of this invention. 本発明の電磁波シールドフィルムの第３実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 3rd Embodiment of the electromagnetic wave shield film of this invention. 本発明の電磁波シールドフィルムの第４実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 4th Embodiment of the electromagnetic wave shield film of this invention. 本発明の電磁波シールドフィルムの第５実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 5th Embodiment of the electromagnetic wave shield film of this invention. 本発明の電磁波シールドフィルムの第６実施形態を示す縦断面図であるIt is a longitudinal cross-sectional view which shows 6th Embodiment of the electromagnetic wave shield film of this invention. 図１〜６に示す電磁波シールドフィルムを用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the coating method of an electronic component using the electromagnetic wave shielding film shown in FIGS.

本発明の電磁波シールドフィルムは、少なくとも基材層と、電磁波遮断層とを順に積層し、電磁波遮断層は、Ｚ折りを行ったときにその両端間で導電性を有する組成物から形成されることを特徴とする。本発明において、基材層は、電磁波遮断層の保護フィルムとしての機能を有するとともに、図７に示される様に、凹凸を有する電子部品の表面に電磁波遮断層３が貼付する際に、電磁波遮断層３が良好な形状追従性と密着性を保持せしめる機能とを有する。基材層は、凹凸を有する電子部品の表面に電磁波遮断層が貼付された後、電磁波遮断層から剥離される。本発明において、電磁波遮断層は、凹凸を有する電子部品の表面に隙間なく密着されるので、電子部品の優れた電磁波シールド層として機能する。   The electromagnetic wave shielding film of the present invention is formed by laminating at least a base material layer and an electromagnetic wave shielding layer in order, and the electromagnetic wave shielding layer is formed from a composition having conductivity between both ends when Z-folding is performed. It is characterized by. In the present invention, the base material layer functions as a protective film for the electromagnetic wave shielding layer, and as shown in FIG. 7, when the electromagnetic wave shielding layer 3 is affixed to the surface of an uneven electronic component, the electromagnetic wave shielding layer 3 The layer 3 has a good shape followability and a function of maintaining adhesion. The base material layer is peeled off from the electromagnetic wave shielding layer after the electromagnetic wave shielding layer is attached to the surface of the electronic component having irregularities. In the present invention, the electromagnetic wave shielding layer is in close contact with the surface of the uneven electronic component without any gap, and thus functions as an excellent electromagnetic shielding layer for the electronic component.

本発明の電磁波シールドフィルムは、１．第１実施形態、２．第２実施形態、３．第３実施形態、４．第４実施形態、５．第５実施形態、６．第６実施形態、及び７．その他の実施形態、を包含する。
以下に、第１実施形態〜第６実施形態、及びその他の実施形態について詳細に説明する。また、７．その他の実施形態、及び８．電子部品の被覆方法についても説明する。 The electromagnetic wave shielding film of the present invention includes: First Embodiment, 2. Second embodiment, 3. Third embodiment, 4. 4. Fourth embodiment 5. a fifth embodiment; 6. Sixth embodiment, and Other embodiments are included.
Hereinafter, the first to sixth embodiments and other embodiments will be described in detail. In addition, 7. Other embodiments, and 8. An electronic component coating method will also be described.

１．第１実施形態
図１は、本発明の電磁波シールドフィルムの第１実施形態を示す縦断面図である。
なお、以下において、図１中の上側を上と呼び、下側を下と呼ぶことがある（以下、図２〜図７においても同様である）。 1. First Embodiment FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a first embodiment of an electromagnetic wave shielding film of the present invention.
In the following, the upper side in FIG. 1 may be referred to as the upper side, and the lower side may be referred to as the lower side (hereinafter, the same applies to FIGS. 2 to 7).

第１実施形態は、図１に示す様に、基材層１が第１の層１１、第２の層１３、及び第３の層１２の３層より成り、この３層がこの順に積層しており、第３の層１２の下面に電磁波遮断層３が接触して積層している形態である。さらに電磁波遮断層３の下面には、必要に応じて絶縁層２が積層していても良い。   In the first embodiment, as shown in FIG. 1, the base material layer 1 is composed of three layers of a first layer 11, a second layer 13, and a third layer 12, and these three layers are laminated in this order. The electromagnetic wave shielding layer 3 is in contact with and laminated on the lower surface of the third layer 12. Furthermore, an insulating layer 2 may be laminated on the lower surface of the electromagnetic wave shielding layer 3 as necessary.

＜基材層＞
まず、基材層１について説明する。
基材層１は、図７の電磁波シールドフィルムを電子部品に貼付する工程において、電磁波シールドフィルム１００を、基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３を押しみ被覆する際に、電磁波遮断層３が良好な形状追従性と密着性を保持せしめる機能とを有する。基材層１は、基板５上の凹凸６の表面に電磁波遮断層が貼付された後、電磁波遮断層から剥離される。 <Base material layer>
First, the base material layer 1 will be described.
In the step of attaching the electromagnetic wave shielding film of FIG. 7 to an electronic component, the base material layer 1 is formed by pressing the electromagnetic wave shielding layer 3 on the unevenness 6 on the substrate 5 to cover the electromagnetic wave shielding layer 3. Has a good shape followability and a function of maintaining adhesion. The base material layer 1 is peeled off from the electromagnetic wave shielding layer after the electromagnetic wave shielding layer is attached to the surface of the unevenness 6 on the substrate 5.

本発明において、基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率は２．０Ｅ＋０５Ｐａ以上５．０Ｅ＋０８Ｐａ以下が好ましく、１．０Ｅ＋０６Ｐａ以上３０Ｅ＋０８Ｐａ以下であるのがより好ましく、３．０Ｅ＋０６Ｐａ以上９．０Ｅ＋０７Ｐａ以下であるのがさらに好ましい。第１実施形態の場合、基材層１を構成する、第１の層１１、第２の層１３、及び第３の層１２の各層の平均線膨張係数を、適宜設定することで基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率を上記の範囲に容易に設定することができる。
基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率を上記の範囲にすることによって電磁波シールドフィルム１００を、基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３を押しみ被覆する際に、電磁波遮断層３が良好な形状追従性と密着性を保持せしめることができる。これによって、電磁波シールド（遮断）性が向上する。 In the present invention, the storage elastic modulus at 150 ° C. of the base material layer 1 is preferably 2.0E + 05 Pa or more and 5.0E + 08 Pa or less, more preferably 1.0E + 06 Pa or more and 30E + 08 Pa or less, and 3.0E + 06 Pa or more and 9.0E + 07 Pa or less. Is more preferable. In the case of the first embodiment, the base material layer is configured by appropriately setting the average linear expansion coefficient of each of the first layer 11, the second layer 13, and the third layer 12 constituting the base material layer 1. The storage elastic modulus at 1 at 150 ° C. can be easily set within the above range.
The electromagnetic wave shielding layer 3 is good when the electromagnetic wave shielding film 100 is pressed and covered with the unevenness 6 on the substrate 5 by setting the storage elastic modulus at 150 ° C. of the base material layer 1 to the above range. Can maintain a good shape following ability and adhesion. Thereby, the electromagnetic wave shielding (blocking) property is improved.

また、基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率を上記範囲とすることにより、基板５に設けられた凹凸６の段差が０．５ｍｍ以上、さらに１．０ｍｍないし３．０ｍｍ程度に大きい場合であっても、また凸部６１の離間距離が２００μｍ以下、さらに１００μｍないし１５０μｍ程度に短くても、電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応して良好な形状追従性と密着性を保持して、確実に押し込むことができる。   In addition, by setting the storage elastic modulus at 150 ° C. of the base material layer 1 within the above range, the step of the unevenness 6 provided on the substrate 5 is 0.5 mm or more, and is further about 1.0 mm to 3.0 mm. Even if the separation distance of the convex portion 61 is 200 μm or less, and even as short as about 100 μm to 150 μm, the electromagnetic wave shielding layer 3 can maintain good shape followability and adhesiveness corresponding to the shape of the unevenness 6. Can be pushed in reliably.

本発明において、基材層１の２５℃における貯蔵弾性率は１．０Ｅ＋０７Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０以下Ｐａが好ましく、５．０Ｅ＋０８Ｐａ以上５．０Ｅ＋０９Ｐａ以下であるのがより好ましい。上記範囲であれば基材層１は、電磁波シールドフィルム１００の加熱前には固形状であり、加熱時には半固形状とすることができる。これによって、電磁波シールドフィルム１００にシワ等を生じさせることなく貼付することができ、規定のサイズにカットする際の作業性も向上する事ができ、さらに電磁波遮断層３を凹凸６が有する凹部６２内に確実に押し込むことができる。第１実施形態において、貯蔵弾性率の範囲を有する基材層１は、少なくとも第１の層１１及び第３の層１２が熱可塑性樹脂で構成され、貼付工程で電磁波シールドフィルム１００が加熱された後においても、２５℃における貯蔵弾性率が上記範囲を維持していることが好ましい。こうする事によって、剥離工程において、電磁波遮断層３から基材層１を容易に剥離させることができる。   In the present invention, the storage elastic modulus at 25 ° C. of the base material layer 1 is preferably 1.0E + 07 Pa or more and 1.0E + 10 or less Pa, and more preferably 5.0E + 08 Pa or more and 5.0E + 09 Pa or less. If it is the said range, the base material layer 1 will be solid before heating the electromagnetic wave shielding film 100, and can be made into semi-solid at the time of heating. Accordingly, the electromagnetic wave shielding film 100 can be attached without causing wrinkles, the workability when cutting to a specified size can be improved, and the electromagnetic wave shielding layer 3 is provided with the concave portion 62 having the concave and convex portions 6. It can be pushed in securely. In the first embodiment, at least the first layer 11 and the third layer 12 of the base material layer 1 having a storage elastic modulus range are made of a thermoplastic resin, and the electromagnetic wave shielding film 100 is heated in the pasting step. Even later, it is preferable that the storage elastic modulus at 25 ° C. maintain the above range. By carrying out like this, the base material layer 1 can be easily peeled from the electromagnetic wave shielding layer 3 in the peeling step.

基材層１の１２０℃における貯蔵弾性率をＡＰａ、基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率をＢＰａとしたとき、０．０２≦Ａ／Ｂ≦１．００なる関係を満足するのが好ましく、０．０２≦Ａ／Ｂ≦０．５０なる関係を満足するのがより好ましい。この範囲において基材層１は、加熱時において、加熱時の温度変化に起因する基材層１の貯蔵弾性率の変化の幅は小さくでき、加熱時の温度条件を変化させても、温度変化に起因する基材層１の貯蔵弾性率の変化の幅を必要最小限に小さくとどめることができるため、電磁波遮断層３を凹部６２内に確実に押し込むことができる。   When the storage elastic modulus of the base material layer 1 at 120 ° C. is APa and the storage elastic modulus of the base material layer 1 at 150 ° C. is BPa, it is preferable that the relationship 0.02 ≦ A / B ≦ 1.00 is satisfied. More preferably, the relationship 0.02 ≦ A / B ≦ 0.50 is satisfied. In this range, the base material layer 1 can have a small change in the storage elastic modulus of the base material layer 1 due to the temperature change during the heating, and the temperature change even when the temperature condition during the heating is changed. Since the width of the change in the storage elastic modulus of the base material layer 1 due to the above can be kept as small as necessary, the electromagnetic wave shielding layer 3 can be reliably pushed into the recess 62.

基材層１の２５℃、１２０℃及び１５０℃における貯蔵弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツルメント社製、「ＤＭＳ６１００」）を用いて、２５〜２００℃までの貯蔵弾性率を、４９ｍＮの定荷重の引張モードで昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚで測定し、２５℃、１２０℃及び１５０℃での貯蔵弾性率を、読み取ることにより求めることができる。   The storage elastic modulus at 25 ° C., 120 ° C., and 150 ° C. of the base material layer 1 is, for example, stored at 25 to 200 ° C. using a dynamic viscoelasticity measuring device (“DMS6100” manufactured by Seiko Instruments Inc.). The elastic modulus can be determined by measuring the elastic modulus at 25 ° C., 120 ° C., and 150 ° C. by measuring the elastic modulus at a temperature rising rate of 5 ° C./min and a frequency of 1 Hz in a tensile mode of 49 mN constant load.

第１実施形態において、第１の層１１の厚さＴ（Ａ）と第２の層１３の厚さＴ（Ｃ）と第３の層１２の厚さＴ（Ｂ）は、次の関係式を満たすことが好ましく、
０．０５＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜１０ ・・・（１）
次の関係式を満たすことがより好ましく、
０．１４＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜４ ・・・（２）
さらに好ましくは次の関係式を満たすことである。
０．３＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜１．５ ・・・（３）
第１の層１１の厚みＴ（Ａ）と、第３の層１２の厚みＴ（Ｂ）と、第２の層１３の厚みＴ（Ｃ）とが、上記関係式を満たすことにより、形状追従性が特に向上する。 In the first embodiment, the thickness T (A) of the first layer 11, the thickness T (C) of the second layer 13, and the thickness T (B) of the third layer 12 are expressed by the following relational expression. Preferably satisfying
0.05 <T (C) / (T (A) + T (B)) <10 (1)
More preferably, the following relational expression is satisfied:
0.14 <T (C) / (T (A) + T (B)) <4 (2)
More preferably, the following relational expression is satisfied.
0.3 <T (C) / (T (A) + T (B)) <1.5 (3)
When the thickness T (A) of the first layer 11, the thickness T (B) of the third layer 12, and the thickness T (C) of the second layer 13 satisfy the above relational expression, the shape follows. Especially improved.

基材層１の全体の厚みＴ（Ｆ）は、特に限定されないが、２０μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましく、４０μｍ以上２２０μｍ以下であることがより好ましく、７０μｍ以上１６０μｍ以下であることがさらに好ましい。基材層１の全体の厚みＴ（Ｆ）が２０μｍよりも薄い場合には、第１の層１１が破断して基材層１の離型性が低下するという恐れがあり、３００μｍよりも厚い場合には、基材層１の形状追従性が低下して電磁波遮断層３の形状追従性が低下するという恐れがある。   The total thickness T (F) of the base material layer 1 is not particularly limited, but is preferably 20 μm or more and 300 μm or less, more preferably 40 μm or more and 220 μm or less, and further preferably 70 μm or more and 160 μm or less. . When the total thickness T (F) of the base material layer 1 is thinner than 20 μm, the first layer 11 may be broken and the releasability of the base material layer 1 may be lowered, and is thicker than 300 μm. In such a case, the shape followability of the base material layer 1 may be lowered, and the shape followability of the electromagnetic wave blocking layer 3 may be lowered.

＜第１の層＞
基材層１を構成する第１の層１１は、図７の電磁波シールドフィルムを電子部品に貼付る工程において、電子部品の基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３を、基材層１の上部から真空加圧式ラミネーター等を用いて押し込んだ後に、真空加圧式ラミネーター等の押圧部と基材層１が離型しやすくする層である。また、第２の層１３側に押圧部からの押圧力を伝播するためのものである。 <First layer>
The first layer 11 constituting the base material layer 1 is formed by applying the electromagnetic wave shielding layer 3 to the unevenness 6 on the substrate 5 of the electronic component in the step of attaching the electromagnetic wave shielding film of FIG. It is a layer that makes it easy to release the pressing portion such as the vacuum pressure laminator and the base material layer 1 after being pushed in from above using a vacuum pressure laminator or the like. Moreover, it is for propagating the pressing force from a pressing part to the 2nd layer 13 side.

第１の層１１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ボリメチルペンテン、ボリブチレンテレブタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーン等の樹脂が挙げられる。これらの中でも、シンジオタクチックポリスチレンが好ましい。シンジオタクチックポリスチレンは、結晶性を有しているので、第１の層１１と真空加圧式ラミネーター等の押圧部との離型性に優れており、耐熱性や形状追従性にも優れている。   The constituent material of the first layer 11 is not particularly limited, and examples thereof include resins such as syndiotactic polystyrene, polymethylpentene, boribylene terephthalate, polypropylene, cyclic olefin polymer, and silicone. Among these, syndiotactic polystyrene is preferable. Since syndiotactic polystyrene has crystallinity, it has excellent releasability between the first layer 11 and a pressing part such as a vacuum pressure laminator, and is also excellent in heat resistance and shape followability. .

第１の層１１にシンジオタクチックポリスチレンを用いる場合、その含有量は、特に制限されないが、６０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、８０質量％以上１００質量％以下であることがさらに好ましい。シンジオタクチックポリスチレンの含有量が６０質量％より少ないと第１の層１１の離型性が低下する恐れがある。   When syndiotactic polystyrene is used for the first layer 11, the content is not particularly limited, but is preferably 60% by mass or more, more preferably 70% by mass or more and 100% by mass or less, and 80 More preferably, it is at least 100% by mass. If the content of syndiotactic polystyrene is less than 60% by mass, the releasability of the first layer 11 may be lowered.

第１の層１１には、スチレン系エラストマ一、ポリエチレン、またはポリプロピレン等が含有していてもよい。   The first layer 11 may contain styrene-based elastomer, polyethylene, polypropylene, or the like.

第１の層１１の厚みＴ（Ａ）は、特に限定されないが、５μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上７０μｍ以下がより好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下がさらに好ましい。第１の層１１の厚みが５μｍより薄くなると第１の層１１が破断して離型性が低下する恐れがあり、１００μｍより厚くなると基材層１の形状追従性が低下して電磁波遮断層３の形状追従性が低下する恐れがある。上記の関係式（１）を満足できる範囲であることが好ましい。   The thickness T (A) of the first layer 11 is not particularly limited, but is preferably 5 μm to 100 μm, more preferably 10 μm to 70 μm, and still more preferably 20 μm to 50 μm. If the thickness of the first layer 11 is less than 5 μm, the first layer 11 may be broken and the releasability may be deteriorated. If the thickness is greater than 100 μm, the shape following property of the base material layer 1 is deteriorated and the electromagnetic wave blocking layer. There is a risk that the shape followability of No. 3 is lowered. It is preferable that the range satisfies the above relational expression (1).

第１の層１１の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、４０ｐｐｍ／℃以上１０００ｐｐｍ／℃以下であること好ましく、８０ｐｐｍ／℃以上７００ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。第１の層１１の２５〜１５０℃における平均線膨張係数を、かかる範囲に設定することにより、電磁波シールドフィルム１００の加熱時において、第１の層１１は優れた伸縮性を有するものとなり、電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。   The average linear expansion coefficient at 25 to 150 ° C. of the first layer 11 is preferably 40 ppm / ° C. or more and 1000 ppm / ° C. or less, and more preferably 80 ppm / ° C. or more and 700 ppm / ° C. or less. By setting the average linear expansion coefficient at 25 to 150 ° C. of the first layer 11 within such a range, the first layer 11 has excellent stretchability when the electromagnetic wave shielding film 100 is heated. The shape followability with respect to the unevenness 6 of the blocking layer 3 can be improved more reliably.

第１の層１１の表面張力は、２０ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下であるのが好ましく、２５ｍＮ／ｍ以上３５ｍＮ／ｍ以下であるのがより好ましい。第１の層１１の表面張力をかかる範囲に設定することにより、第１の層１１は離型性に優れた性能となるので、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、押圧部から第１の層１１を容易に剥離する事ができる。   The surface tension of the first layer 11 is preferably 20 mN / m or more and 40 mN / m or less, and more preferably 25 mN / m or more and 35 mN / m or less. By setting the surface tension of the first layer 11 within such a range, the first layer 11 has excellent releasability, so that after pressing using a vacuum pressure laminator or the like, 1 layer 11 can be easily peeled off.

＜第３の層＞
基材層１を構成する第３の層１２は、図７に示す様に、電磁波シールドフィルムを電子部品に貼付けた後に、電磁波遮断層３から基材層１を剥離する際に、基材層１と電磁波遮断層３の剥離性の機能を付与するためのものである。また、基板５上の凹凸形状に応じて、第３の層１２が追従する追従性を有する機能と、電磁波遮断層３側に押圧部からの押圧力を伝播する機能を併せ持つ。 <Third layer>
As shown in FIG. 7, the third layer 12 constituting the base material layer 1 is a base material layer when the base material layer 1 is peeled from the electromagnetic wave shielding layer 3 after the electromagnetic wave shielding film is attached to an electronic component. 1 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are provided with a peelable function. Moreover, according to the uneven | corrugated shape on the board | substrate 5, it has the function which has the tracking property which the 3rd layer 12 tracks, and the function which propagates the pressing force from a press part to the electromagnetic wave shielding layer 3 side.

第３の層１２の構成材料としては、特に限定されないが上記の第１の層１１の構成材料と同様の材料を用いることができる。第１の層１１と同様にシンジオタクチックポリスチレンが好ましい。シンジオタクチックポリスチレンは、結晶性を有しているので、第３の層１２と電磁波遮断層３との離型性に優れており、耐熱性や形状追従性にも優れている。第３の層１２は、第１の層１１を構成する樹脂と同じであっても良いし、異なっていても良い。   The constituent material of the third layer 12 is not particularly limited, but the same material as the constituent material of the first layer 11 can be used. As with the first layer 11, syndiotactic polystyrene is preferred. Since syndiotactic polystyrene has crystallinity, it has excellent releasability between the third layer 12 and the electromagnetic wave shielding layer 3, and is also excellent in heat resistance and shape followability. The third layer 12 may be the same as the resin constituting the first layer 11 or may be different.

第３の層１２の厚みＴ（Ｂ）は、特に限定されないが、５μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上７０μｍ以下がより好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下がさらに好ましい。第３の層１２の厚みが５μｍより薄くなると耐熱性が不足して、電磁波遮断層が変形するおそれがあり、１００μｍより厚くなると電磁波シールドフィルム全体の厚みが厚くなり、カット等の作業性が低下する恐れがあり、コスト面でも経済的ではない。
第３の層１２の厚みは、第１の層１１の厚みと同じであっても異なっていても良いが、上記の関係式（１）を満足できる範囲であることが好ましい。 The thickness T (B) of the third layer 12 is not particularly limited, but is preferably 5 μm to 100 μm, more preferably 10 μm to 70 μm, and still more preferably 20 μm to 50 μm. When the thickness of the third layer 12 is less than 5 μm, the heat resistance is insufficient and the electromagnetic wave shielding layer may be deformed. When the thickness is greater than 100 μm, the entire thickness of the electromagnetic wave shielding film is increased and workability such as cutting is reduced. It is not economical in terms of cost.
The thickness of the third layer 12 may be the same as or different from the thickness of the first layer 11, but is preferably in a range that satisfies the above-described relational expression (1).

第３の層１２の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、４０ｐｐｍ／℃以上１０００ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、８０ｐｐｍ／℃以上７００ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましい。第３の層１２の２５〜１５０℃における平均線膨張係数をかかる範囲に設定することにより、電磁波シールドフィルム１００の加熱時において、第３の層１２は優れた伸縮性を有するものとなり、第３の層１２の形状追従性や電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。   The average linear expansion coefficient of the third layer 12 at 25 to 150 ° C. is preferably 40 ppm / ° C. or more and 1000 ppm / ° C. or less, and more preferably 80 ppm / ° C. or more and 700 ppm / ° C. or less. By setting the average linear expansion coefficient of the third layer 12 at 25 to 150 ° C. within this range, the third layer 12 has excellent stretchability when the electromagnetic wave shielding film 100 is heated. The shape followability of the layer 12 and the shape followability of the electromagnetic wave shielding layer 3 with respect to the irregularities 6 can be improved more reliably.

第３の層１２の表面張力は、２０ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下であるのが好ましく、２５ｍＮ／ｍ以上３５ｍＮ／ｍ以下であるのがより好ましい。第３の層１２の表面張力をかかる範囲に設定することにより、第３の層１２は離型性に優れた性能となるので、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、基材層１と電磁波遮断層３を確実に剥離させることができる。   The surface tension of the third layer 12 is preferably 20 mN / m or more and 40 mN / m or less, and more preferably 25 mN / m or more and 35 mN / m or less. By setting the surface tension of the third layer 12 within such a range, the third layer 12 has excellent releasability, so that the base material layer 1 after indentation using a vacuum pressure laminator or the like. And the electromagnetic wave shielding layer 3 can be reliably peeled off.

＜第２の層＞
基材層１を構成する第２の層１３は、基材層１の上部から第３の層１２を介して電磁波遮断層３を凹凸６に押し込むためのクッションとしての機能と、電磁波遮断層３を凹凸６に均一に押し込む機能とを有するものである。第２の層１３によって、電磁波遮断層３と凹凸６との聞にボイドを発生させることなく、電磁波遮断層３を凹凸６に優れた密閉性をもって押し込むことができる。 <Second layer>
The second layer 13 constituting the base material layer 1 has a function as a cushion for pushing the electromagnetic wave shielding layer 3 into the unevenness 6 from above the base material layer 1 through the third layer 12, and the electromagnetic wave shielding layer 3. Has a function of uniformly pushing into the irregularities 6. By the second layer 13, the electromagnetic wave blocking layer 3 can be pushed into the unevenness 6 with an excellent hermeticity without generating a void between the electromagnetic wave blocking layer 3 and the unevenness 6.

第２の層１３の構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、ブロピレン、ブテン、ぺンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を含有するαオレフィン系共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルファイド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂等が挙げられ、これらを単独で使用しても良く、あるいは複数併用しでもよい。これらの樹脂のうち、αオレフィン系共重合体を用いることが好ましく、エチレン等のαオレフィンと、（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体、エチレンと（メタ）アクリル酸との共重合体（ＥＭＭＡ）、及びそれらの部分イオン架橋物等がより好ましい。αオレフィン系共重合体は、形状追従性に優れ、さらに、第３の層１２の構成材料と比較して柔軟性に優れるので、凹凸６に対して押し込むためのクッション機能を確実に付与することができる。   Examples of the constituent material of the second layer 13 include α-olefin polymers such as polyethylene and polypropylene, α-olefin copolymers containing ethylene, propylene, butene, pentene, hexene, methylpentene, and the like, polyethers Examples thereof include engineering plastics resins such as sulfone and polyphenylene sulfide, and these may be used alone or in combination. Of these resins, it is preferable to use an α-olefin copolymer, a copolymer of an α-olefin such as ethylene and a (meth) acrylic acid ester, a copolymer of ethylene and vinyl acetate, ethylene and ( More preferred are copolymers with (meth) acrylic acid (EMMA) and partially ionized cross-linked products thereof. The α-olefin copolymer is excellent in shape followability, and more flexible than the constituent material of the third layer 12, so that it surely provides a cushion function for pushing into the irregularities 6. Can do.

第２の層１３の厚みＴ（Ｃ）は、上記の関係式を満足できる範囲であることが好ましい。１０μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上８０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以上６０μｍ以下がさらに好ましい。第２の層１３の厚みが１０μｍより薄くなると第２の層１３の形状追従性が不足し、熱圧着工程で凹凸６への追従性が不足するという恐れがあり、１００μｍより厚くなると熱圧着工程において、第２の層１３を通して樹脂のシミ出しが多くなり、圧着装置の熱盤に付着し、作業性が低下するという恐れがあり、また、電磁波シールドフィルム全体の総厚みが厚くなり、カット等の作業性が低下する恐れがあり、さらにコスト面でも経済的ではない。   The thickness T (C) of the second layer 13 is preferably in a range that satisfies the above relational expression. 10 to 100 μm is preferable, 20 to 80 μm is more preferable, and 30 to 60 μm is more preferable. If the thickness of the second layer 13 is less than 10 μm, the shape followability of the second layer 13 is insufficient, and the followability to the irregularities 6 may be insufficient in the thermocompression bonding process. In this case, there is a risk that the resin stains through the second layer 13 increases, adheres to the hot platen of the crimping device, and the workability decreases, and the total thickness of the entire electromagnetic wave shielding film increases, and cuts, etc. Workability may be reduced, and the cost is not economical.

第２の層１３の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、４００ｐｐｍ／℃以上が好ましく、８００ｐｐｍ／℃以上がより好ましい。第２の層１３の平均線膨張係数をかかる範囲に設定することにより、電磁波シールドフィルム１００の加熱時において、第３の層１２よりも優れた伸縮性を有するものにすることができる。これによって、第２の層１３、さらには電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。   The average linear expansion coefficient at 25 to 150 ° C. of the second layer 13 is preferably 400 ppm / ° C. or more, and more preferably 800 ppm / ° C. or more. By setting the average linear expansion coefficient of the second layer 13 in such a range, the electromagnetic wave shielding film 100 can be stretched more excellently than the third layer 12 when heated. Thereby, the shape followability of the second layer 13 and the electromagnetic wave shielding layer 3 with respect to the irregularities 6 can be improved more reliably.

＜電磁波遮断層＞
電磁波遮断層３は、Ｚ折りを行ったときにその両端間で導電性を有する組成物から形成される。これによって凹凸を有する電子部品４の表面に隙間なく密着され、Ｚ折りしてもクラックの発生がなく、電子部品４の電磁波シールド層として優れた機能を発揮する。 <Electromagnetic wave blocking layer>
The electromagnetic wave shielding layer 3 is formed from a composition having conductivity between both ends when Z-folding is performed. As a result, the surface of the electronic component 4 having unevenness is closely adhered to the surface, and no cracks are generated even when Z-folded. Thus, an excellent function as an electromagnetic wave shielding layer of the electronic component 4 is exhibited.

本発明の電磁波シールドフィルムに用いられる電磁波遮断層３は導電性組成物及びバインダーを含有する。これによって、Ｚ折りを行ったときにその両端間で導電性を有する組成物とすることができる。本発明において、電磁波遮断層３は、導電性組成物及びバインダーを含有すること以外は特に限定されず、如何なる形態で電磁波を遮断するものであってもよい。例えば、電磁波遮断層３は電磁波遮断層３に入射した電磁波を反射させることにより遮断・遮蔽する反射層であっても良く、あるいは電磁波遮断層３に入射した電磁波を吸収することにより遮断・遮蔽する吸収層であっても良い。また、反射層と吸収層が積層された層であってもよく、反射層を構成する物質と吸収層を構成する物質の混合物から成る層でも良い。   The electromagnetic wave shielding layer 3 used for the electromagnetic wave shielding film of the present invention contains a conductive composition and a binder. Thereby, it can be set as the composition which has electroconductivity between the both ends, when Z-folding is performed. In the present invention, the electromagnetic wave blocking layer 3 is not particularly limited except that it contains a conductive composition and a binder, and may block electromagnetic waves in any form. For example, the electromagnetic wave shielding layer 3 may be a reflective layer that shields and shields the electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave shielding layer 3, or shields and shields the electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave shielding layer 3 by absorbing it. It may be an absorption layer. Alternatively, the reflective layer and the absorption layer may be laminated, or a layer made of a mixture of the substance constituting the reflection layer and the substance constituting the absorption layer.

電磁波遮断層３が反射層である場合には、導電性接着剤層を用いることが好ましい。導電性接着剤層は、その膜厚（厚み）を比較的薄く設定したとしても、優れた電磁波シールド性を発揮するため、反射層として好ましく用いられる。   When the electromagnetic wave shielding layer 3 is a reflective layer, it is preferable to use a conductive adhesive layer. The conductive adhesive layer is preferably used as a reflective layer because it exhibits excellent electromagnetic shielding properties even when its film thickness (thickness) is set to be relatively thin.

導電性接着剤層は、導電性組成物である金属粉とバインダーを含有する。金属粉は、例えば、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられる。これらの中でも、電磁波シールド性に優れているという理由から、銀を用いることが好ましい。   The conductive adhesive layer contains a metal powder that is a conductive composition and a binder. Examples of the metal powder include gold, silver, copper, silver-coated copper, and nickel. Among these, it is preferable to use silver because it has excellent electromagnetic shielding properties.

バインダーは、非晶質熱可塑性樹脂を主成分とすることが好ましい。非晶質熱可塑性樹脂としては、非晶質ポリエステル系樹脂；塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル等のビニル系樹脂；ポリメタクリル酸メチル等のアクリル系樹脂；ＧＰＰＳ等のポリスチレン系樹脂；ビスフェノールＡ型ポリカーボネート等のポリカーボネート系樹脂；等が例示できる。これらの非晶質熱可塑性樹脂のうち、層間の密着力の点から、非晶質ポリエステル系樹脂及びビニル系樹脂が好ましく、基材層及び電子部品との密着力、耐熱性、形状追従性、などのバランスに優れる点から、非晶質ポリエステル系樹脂が特に好ましい。非晶質ポリエステル系樹脂としては、実質的に非晶質であれば特に限定されず、ジカルボン酸成分とジオール成分とで構成される種々のポリエステルが挙げられる。   The binder is preferably composed mainly of an amorphous thermoplastic resin. Amorphous thermoplastic resins include amorphous polyester resins; vinyl resins such as vinyl chloride-vinyl acetate copolymers, polyvinyl acetate, and polyvinyl chloride; acrylic resins such as polymethyl methacrylate; GPPS, etc. And polystyrene resins; polycarbonate resins such as bisphenol A type polycarbonate; Of these amorphous thermoplastic resins, amorphous polyester resins and vinyl resins are preferred from the viewpoint of adhesion between layers, adhesion with the base material layer and electronic components, heat resistance, shape followability, Amorphous polyester resins are particularly preferable from the viewpoint of excellent balance. The amorphous polyester resin is not particularly limited as long as it is substantially amorphous, and includes various polyesters composed of a dicarboxylic acid component and a diol component.

ジカルボン酸成分としては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、フタル酸、５−ｔ−ブチルイソフタル酸、４，４’−ビフェニルジカルボン酸、トランス−３，３’−スチルベンジカルボン酸、トランス−４，４’−スチルベンジカルボン酸、４，４’−ジベンジルジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸、１，５−ナフタレンジカルボン酸、２，３−ナフタレンジカルボン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、２，７−ナフタレンジカルボン酸、２，２，６，６−テトラメチルビフェニル−４，４’−ジカルボン酸、１，１，３−トリメチル−３−フェニルインデン−４，５−ジカルボン酸、１，２−ジフェノキシエタン−４，４’−ジカルボン酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、及びこれらの置換体等の芳香族ジカルボン酸；シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、ヘプタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、イコサン二酸、ドコサン二酸、１，１２−ドデカンジオン酸、及びこれらの置換体等の脂肪族ジカルボン酸；１，４−デカヒドロナフタレンジカルボン酸、１，５−デカヒドロナフタレンジカルボン酸、２，６−デカヒドロナフタレンジカルボン酸、シス−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シクロヘキサンジカルボン酸、及びこれらの置換体等の脂環式ジカルボン酸などが挙げられる。これらのジカルボン酸成分は、単独でまたは２種以上組み合わせて使用できる。   Examples of the dicarboxylic acid component include terephthalic acid, isophthalic acid, phthalic acid, 5-t-butylisophthalic acid, 4,4′-biphenyldicarboxylic acid, trans-3,3′-stilbene dicarboxylic acid, and trans-4,4. '-Stilbene dicarboxylic acid, 4,4'-dibenzyldicarboxylic acid, 1,4-naphthalenedicarboxylic acid, 1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 2,3-naphthalenedicarboxylic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 2, 7-naphthalenedicarboxylic acid, 2,2,6,6-tetramethylbiphenyl-4,4′-dicarboxylic acid, 1,1,3-trimethyl-3-phenylindene-4,5-dicarboxylic acid, 1,2- Aromatic dicals such as diphenoxyethane-4,4′-dicarboxylic acid, diphenyl ether dicarboxylic acid, and substituted products thereof Acid; oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, undecanedioic acid, dodecanedioic acid, tridecanedioic acid, tetradecanedioic acid, pentadecanedioic acid, Aliphatic dicarboxylic acids such as heptadecanedioic acid, octadecanedioic acid, nonadecanedioic acid, icosanedioic acid, docosanedioic acid, 1,12-dodecanedioic acid, and their substitutions; 1,4-decahydronaphthalenedicarboxylic acid, 1,5-decahydronaphthalenedicarboxylic acid, 2,6-decahydronaphthalenedicarboxylic acid, cis-1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, trans-1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,3-cyclohexanedicarboxylic acid, and these And alicyclic dicarboxylic acids such as substitution products thereof. These dicarboxylic acid components can be used alone or in combination of two or more.

ジオール成分としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、１，６−ヘキサンジオール、２−エチル−２−メチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジエチル−１，３−プロパンジオール、１，８−オクタンジオール、２−エチル−２−ブチル−１，３−プロパンジオール、２−エチル−２，４−ジメチル−１，３−ヘキサンジオール、１，１０−デカンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の脂肪族ジオール；１，２−シクロヘキサンジメタノール、１，３−シクロヘキサンジメタノール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、２，２，４，４−テトラメチル−１，３−シクロブタンジオール等の脂環式ジオール；２，２−ビス（４’−β−ヒドロキシエトキシジフェニル）プロパン、ビス（４’−β−ヒドロキシエトキシフェニル）スルホン等のビスフェノール系化合物のエチレンオキシド付加物、キシリレングリコール等の芳香族ジオールなどが挙げられる。これらのジオール成分は単独でまたは２種以上を組み合わせて使用できる。   Examples of the diol component include ethylene glycol, diethylene glycol, 1,2-propanediol, 1,3-propanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, 2,2 -Dimethyl-1,3-propanediol, 1,6-hexanediol, 2-ethyl-2-methyl-1,3-propanediol, 2,2-diethyl-1,3-propanediol, 1,8-octane Aliphatic acids such as diol, 2-ethyl-2-butyl-1,3-propanediol, 2-ethyl-2,4-dimethyl-1,3-hexanediol, 1,10-decanediol, polyethylene glycol, polypropylene glycol Diol; 1,2-cyclohexanedimethanol, 1,3-cyclohexanedimethanol, 1,4 Cycloaliphatic diols such as cyclohexanedimethanol, 2,2,4,4-tetramethyl-1,3-cyclobutanediol; 2,2-bis (4′-β-hydroxyethoxydiphenyl) propane, bis (4′- Examples thereof include ethylene oxide adducts of bisphenol compounds such as β-hydroxyethoxyphenyl) sulfone and aromatic diols such as xylylene glycol. These diol components can be used alone or in combination of two or more.

非晶質ポリエステル系樹脂は、これ以外にも、ｐ−オキシ安息香酸、ｐ−オキシエトキシ安息香酸等のオキシカルボン酸；安息香酸、ベンゾイル安息香酸等のモノカルボン酸；トリメリット酸等の多価カルボン酸；ポリアルキレングリコールモノメチルエーテル等の１価アルコール；グリセリン、ペンタエリスリトール、トリメチロールプロパン等の多価アルコールなどの構成単位を含んでいてもよい。   In addition to this, amorphous polyester resins include oxycarboxylic acids such as p-oxybenzoic acid and p-oxyethoxybenzoic acid; monocarboxylic acids such as benzoic acid and benzoylbenzoic acid; and polyvalent acids such as trimellitic acid. It may contain structural units such as a carboxylic acid; a monohydric alcohol such as polyalkylene glycol monomethyl ether; a polyhydric alcohol such as glycerin, pentaerythritol, and trimethylolpropane.

本発明において、バインダーは、１５質量％以上５５質量％以下の配合量であることが好ましく、２０質量％以上５０質量％以下の配合量であることがより好ましい。バインダーの配合量が１５質量％よりも少ない場合には可撓性や電子機器部品との密着性が低下する恐れがあり、５５質量％よりも多い場合には電磁波シールド性が悪くなることがある。   In this invention, it is preferable that a binder is the compounding quantity of 15 mass% or more and 55 mass% or less, and it is more preferable that it is the compounding quantity of 20 mass% or more and 50 mass% or less. When the blending amount of the binder is less than 15% by mass, the flexibility and the adhesion to the electronic device component may be lowered. When it exceeds 55% by mass, the electromagnetic shielding property may be deteriorated. .

導電性接着剤層は、金属粉とバインダー樹脂との他に、さらに難燃剤、レベリング剤、粘度調整剤等を含有しでも良い。   In addition to the metal powder and the binder resin, the conductive adhesive layer may further contain a flame retardant, a leveling agent, a viscosity modifier and the like.

電磁波遮断層３が反射層である場合には、反射層の厚みＴ（Ｅ１）は、特に限定されないが、５μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、８μｍ以上５０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下がさらに好ましい。反射層の厚みが５μｍよりも薄い場合には、反射層の構成材料等によっては耐ハゼ折り性が不足し、搭載部品端部で破断する恐れがあり、１００μｍよりも厚い場合には反射層の構成材料等によっては形状追従性が不足する恐れがある。また、かかる範囲の厚みＴ（Ｅ１）としても、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、反射層の厚みＴ（Ｅ１）の薄膜化を実現すること、ひいては、電磁波遮断層３で被覆された電子部品４が搭載された基板５の軽量化を実現することができる。   When the electromagnetic wave shielding layer 3 is a reflective layer, the thickness T (E1) of the reflective layer is not particularly limited, but is preferably 5 μm to 100 μm, more preferably 8 μm to 50 μm, and even more preferably 10 μm to 30 μm. . If the thickness of the reflective layer is less than 5 μm, the material for the reflective layer may have insufficient gobbling resistance and may break at the end of the mounted component. If it is thicker than 100 μm, Depending on the constituent material, etc., shape followability may be insufficient. In addition, even if the thickness T (E1) is within this range, it is possible to exhibit excellent electromagnetic wave shielding properties, so that the thickness T (E1) of the reflective layer can be reduced, and the electromagnetic wave blocking layer 3 can be coated. It is possible to reduce the weight of the substrate 5 on which the electronic component 4 is mounted.

電磁波遮断層３が吸収層である場合、吸収層は吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することにより遮断するものである。電磁波遮断層３を構成する吸収層は、例えば、導電性組成物として金属粉または導電性高分子材料とバインダーを含有する導電吸収材料を主材料として構成される導電吸収層、導電性組成物として炭素系材料または導電性高分子材料とバインダーを含有する誘電吸収材料を主材料として構成される誘電吸収層、及び導電性組成物として軟磁性金属とバインダーを含有する磁性吸収材料を主材料として構成される磁性吸収層等が挙げられ、これらを単独あるいは併用しでもよい。   When the electromagnetic wave shielding layer 3 is an absorption layer, the absorption layer absorbs the electromagnetic wave incident on the absorption layer and converts it into thermal energy to block it. The absorbing layer constituting the electromagnetic wave shielding layer 3 is, for example, a conductive absorbing layer composed mainly of a conductive absorbing material containing metal powder or a conductive polymer material and a binder as a conductive composition, and a conductive composition. Consists of a dielectric material comprising a carbon material or a dielectric material containing a conductive polymer material and a binder as a main material, and a magnetic material containing a soft magnetic metal and a binder as a main material as a conductive composition. These may be used alone or in combination.

導電吸収層は、電界を印加した際に材料内部に流れる電流により、電磁エネルギーを熱エネルギーに変換することで電磁波を吸収し、誘電吸収層は、電磁波を誘電損失により熱エネルギーに変換することで電磁波を吸収し、磁性吸収層は、過電流損、ヒステレス損、磁気共鳴等の磁性損失により、電波のエネルギーを熱に変換して消費することで電磁波を吸収する。   The conductive absorption layer absorbs electromagnetic waves by converting electromagnetic energy into thermal energy by the current flowing inside the material when an electric field is applied, and the dielectric absorption layer converts electromagnetic waves into thermal energy by dielectric loss. The magnetic absorption layer absorbs electromagnetic waves by converting the energy of radio waves into heat and consuming them due to magnetic losses such as overcurrent loss, hysteresis loss, and magnetic resonance.

電磁波遮断層３を構成する吸収層は、導電吸収層、誘電吸収層、及び磁性吸収層のいずれでも用いることができる。導電吸収層、誘電吸収層、及び磁性吸収層は、その膜厚（厚み）を比較的薄く設定したとしても、特に優れた電磁波シールド性を発揮するため、吸収層として好ましく用いられる。また、その層中に含まれる材料の粒子径が小さいことやその添加量も少なくできることから、その膜厚を比較的容易に薄く設定することができ、また軽量化も可能である。   As the absorption layer constituting the electromagnetic wave shielding layer 3, any of a conductive absorption layer, a dielectric absorption layer, and a magnetic absorption layer can be used. The conductive absorption layer, the dielectric absorption layer, and the magnetic absorption layer are preferably used as the absorption layer because they exhibit particularly excellent electromagnetic shielding properties even when the film thickness (thickness) is set to be relatively thin. In addition, since the particle size of the material contained in the layer is small and the amount of addition can be reduced, the film thickness can be set relatively easily and the weight can be reduced.

導電吸収材料に用いられる導電性組成物としては、例えば、導電性高分子、ＡＴＯ等の金属酸化物、導電性セラミックス等が挙げられる。導電性高分子としては、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the conductive composition used for the conductive absorbing material include conductive polymers, metal oxides such as ATO, and conductive ceramics. Examples of the conductive polymer include polyacetylene, polypyrrole, PEDOT (poly-ethylenedioxythiophene), PEDOT / PSS, polythiophene, polyaniline, poly (p-phenylene), polyfluorene, polycarbazole, polysilane, and derivatives thereof. These can be used alone or in combination of two or more.

誘電吸収材料に用いられる導電性組成物としては、例えば、炭素系材料、導電性高分子等が挙げられる。炭素系材料としては、例えば、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢｃＮナノチューブ、ＢｃＮナノファイバー、グラフェン、カーボンマイクロコイル、カーボンナノコイル、カーボンナノホーン、カーボンナノボール等の炭素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。導電性高分子等としては、上記の導電性高分子を挙げることができる。   Examples of the conductive composition used for the dielectric absorbing material include a carbon-based material and a conductive polymer. Examples of carbon-based materials include carbon nanotubes such as single-walled carbon nanotubes and multi-walled carbon nanotubes, carbon nanofibers, CN nanotubes, CN nanofibers, BcN nanotubes, BcN nanofibers, graphene, carbon microcoils, carbon nanocoils, Examples thereof include carbons such as carbon nanohorns and carbon nanoballs, and one or more of these can be used in combination. Examples of the conductive polymer include the conductive polymers described above.

磁性吸収材料に用いられる導電性組成物としては、例えば、鉄、ケイ素鋼、磁性ステンレス（ＦｅＣｒＡ１Ｓｉ合金）、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ合金）、パーマロイ（ＦｅＮｉ合金）、ケイ素銅（ＦｅＣｕＳｉ合金）、ＦｅＳｉ合金、ＦｅＳｉＢ（ＣｕＮｂ）合金のような軟磁性金属、等を挙げることが出来る。   Examples of the conductive composition used for the magnetic absorbing material include iron, silicon steel, magnetic stainless steel (FeCrA1Si alloy), sendust (FeSiAl alloy), permalloy (FeNi alloy), silicon copper (FeCuSi alloy), FeSi alloy, and FeSiB. Examples thereof include soft magnetic metals such as (CuNb) alloys.

導電吸収材料、誘電吸収材料、及び磁性吸収材料に用いられるバインダーとしては、上記の非晶質熱
可塑性樹脂を主成分とすることが好ましく、非晶質熱可塑性樹脂が非晶質ポリエステル系樹脂であることがより好ましい。バインダーの配合量は、反射層で用いられるバインダーの配合量と同様である。 The binder used for the conductive absorbing material, dielectric absorbing material, and magnetic absorbing material is preferably based on the above amorphous thermoplastic resin, and the amorphous thermoplastic resin is an amorphous polyester resin. More preferably. The blending amount of the binder is the same as the blending amount of the binder used in the reflective layer.

吸収層の厚みＴ（Ｅ２）は、特に限定されないが、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、２μｍ以上８０μｍ以下がより好ましく、３μｍ以上５０μｍ以下がさらに好ましい。吸収層の厚みＴ（Ｅ２）が１μｍよりも薄い場合には、吸収層の構成材料等によっては基板搭載部品の端部で破断する恐れがあり、１００μｍよりも厚い場合には、吸収層の構成材料等によっては形状追従性が不足する恐れがある。かかる範囲の厚みＴ（Ｅ２）とすることによって、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、吸収層の厚みＴ（Ｅ２）の薄膜化を実現すること、ひいては、電磁波遮断層３で被覆された電子部品４が搭載された基板５の軽量化を実現することができる。   The thickness T (E2) of the absorbent layer is not particularly limited, but is preferably 1 μm or more and 100 μm or less, more preferably 2 μm or more and 80 μm or less, and further preferably 3 μm or more and 50 μm or less. If the thickness T (E2) of the absorbent layer is thinner than 1 μm, there is a risk of breaking at the end of the board-mounted component depending on the constituent material of the absorbent layer, and if thicker than 100 μm, the construction of the absorbent layer Depending on the material and the like, there is a risk that the shape followability is insufficient. By setting the thickness T (E2) in such a range, excellent electromagnetic shielding properties can be exhibited. Therefore, it is possible to reduce the thickness T (E2) of the absorption layer, and to cover with the electromagnetic wave blocking layer 3. It is possible to reduce the weight of the substrate 5 on which the electronic component 4 is mounted.

電磁波遮断層３の１５０℃における貯蔵弾性率は、１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋０９Ｐａ以下が好ましく、５．０Ｅ＋０５Ｐａ以上５．０Ｅ＋０８Ｐａ以下がより好ましい。１５０℃における貯蔵弾性率がかかる範囲に設定されることによって、貼付の工程において、電磁波シールドフィルム１００を加熱して、基材層１を押圧し基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３を押し込んで凹凸６を被覆する際に、電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させることができる。   The storage elastic modulus at 150 ° C. of the electromagnetic wave shielding layer 3 is preferably 1.0E + 05 Pa or more and 1.0E + 09 Pa or less, and more preferably 5.0E + 05 Pa or more and 5.0E + 08 Pa or less. By setting the storage elastic modulus at 150 ° C. in such a range, in the step of sticking, the electromagnetic wave shielding film 100 is heated, the base material layer 1 is pressed, and the electromagnetic wave shielding layer 3 is pushed into the irregularities 6 on the substrate 5. When covering the unevenness 6 with, the shape followability of the electromagnetic wave blocking layer 3 with respect to the unevenness 6 can be improved.

なお、上記のとおり、電磁波遮断層３は、反射層と吸収層とのいずれであってもよいが、ほぼ同じ電磁波シールド性を有する場合には、吸収層であるのが好ましい。吸収層では、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することで遮断するため、この吸収により電磁波が消滅することから、反射層のように反射した電磁波が、電磁波遮断層３で被覆されていない他の部材等に対して誤作動等の悪影響をおよぼしてしまう、といった欠点を確実に防止することができる。   As described above, the electromagnetic wave shielding layer 3 may be either a reflective layer or an absorbing layer. However, when the electromagnetic wave shielding layer 3 has substantially the same electromagnetic shielding properties, it is preferably an absorbing layer. In the absorption layer, the electromagnetic wave incident on the absorption layer is absorbed and blocked by converting it into thermal energy, and the electromagnetic wave disappears due to this absorption. It is possible to surely prevent such a disadvantage that an adverse effect such as a malfunction is exerted on other members not covered.

＜絶縁層＞
本発明の電磁波シールドフィルムは、必要に応じて絶縁層を基材層１の上面や下面、あるいは電磁波遮断層３の下面に積層することが出来る。図１は、絶縁層２が電磁波遮断層３の下面に積層され、基板５の凹凸６に接する場合の例である。電磁波シールドフィルムを構成する層に絶縁層２を積層することによって、基板５と反対側に位置する他の電子部品等の部材から絶縁する。絶縁層２は電子部品の角部で破れないこと、Ｚ折りを行ってもクラックが発生しないことが重要である。 <Insulating layer>
In the electromagnetic wave shielding film of the present invention, an insulating layer can be laminated on the upper surface and lower surface of the base material layer 1 or the lower surface of the electromagnetic wave shielding layer 3 as necessary. FIG. 1 shows an example in which the insulating layer 2 is laminated on the lower surface of the electromagnetic wave shielding layer 3 and is in contact with the unevenness 6 of the substrate 5. By laminating the insulating layer 2 on the layer constituting the electromagnetic wave shielding film, the insulating layer 2 is insulated from other members such as electronic components located on the opposite side of the substrate 5. It is important that the insulating layer 2 is not torn at the corners of the electronic component and that no cracks are generated even when Z-folding is performed.

絶縁層２は、熱硬化性絶縁樹脂でも熱可塑性絶縁樹脂でもどちらでもよいが、熱可塑性絶縁樹脂が好ましい。熱可塑性絶縁樹脂は、屈曲性に優れたフィルムとなることから、図１の例の場合の貼付工程において、絶縁層２を、凹凸６の形状に対応して確実に追従させることができる。また、熱可塑性絶縁樹脂は、その軟化点温度に加熱すると、接着対象の基板から再剥離することができるので、基板の修理の際には、特に有用である。   The insulating layer 2 may be either a thermosetting insulating resin or a thermoplastic insulating resin, but is preferably a thermoplastic insulating resin. Since the thermoplastic insulating resin becomes a film excellent in flexibility, the insulating layer 2 can be surely followed in accordance with the shape of the irregularities 6 in the attaching step in the example of FIG. Further, since the thermoplastic insulating resin can be peeled off again from the substrate to be bonded when heated to its softening point temperature, it is particularly useful when repairing the substrate.

熱可塑性絶縁樹脂としては、例えば、熱可塑性ポリエステル系樹脂、αオレフィン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリビニルアセタール系樹脂、エチレン酢酸ビニル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、セルロース系樹脂、等が挙げられる。これらの中でも基板との密着性、屈曲性、耐薬品性に優れるという理由から熱可塑性ポリエステル系樹脂やαオレフィン系樹脂を用いることが好ましい。   Examples of thermoplastic insulating resins include thermoplastic polyester resins, α-olefin resins, vinyl acetate resins, polyvinyl acetal resins, ethylene vinyl acetate resins, vinyl chloride resins, acrylic resins, polyamide resins, and cellulose. System resin, and the like. Among these, it is preferable to use a thermoplastic polyester resin or an α-olefin resin because it is excellent in adhesion to the substrate, flexibility, and chemical resistance.

さらに、絶縁層２には、耐熱性や耐屈曲性等の性能を損なわない範囲で、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ユリア系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂等を含有させることができる。また、熱可塑性絶縁樹脂には、接着性、耐ハンダリフロー性を劣化させない範囲で、シランカップリング剤、酸化防止剤、顔料、染料、粘着付与樹脂、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング調整剤、充填剤、難燃剤等を添加しでもよい。   Furthermore, the insulating layer 2 has a phenolic resin, a silicone resin, a urea resin, an acrylic resin, a polyester resin, a polyamide resin, and a polyimide resin as long as the performance such as heat resistance and bending resistance is not impaired. Etc. can be contained. In addition, the thermoplastic insulating resin has a silane coupling agent, an antioxidant, a pigment, a dye, a tackifier resin, a plasticizer, an ultraviolet absorber, an antifoaming agent, as long as the adhesiveness and solder reflow resistance are not deteriorated. Leveling regulators, fillers, flame retardants and the like may be added.

絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）は、特に限定されないが、３μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、４μｍ以上、３０μｍ以下がより好ましく、５μｍ以上２０μｍ以下がさらに好ましい。絶縁層２の厚みが５μｍより薄い場合には耐ハゼ折り性が不足し、凹凸６への熱圧着後に折り曲げ部にてクラックが発生したり、フィルム強度が低下し、電磁波遮断層３の絶縁性支持体としての役割を担うことが難しく、２０μｍよりも厚い場合には形状追従性が不足する恐れがある。すなわち、絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）を上記範囲に設定することにより、絶縁層２の屈曲性を優れたものとすることができ、貼付工程において、絶縁層２を、凹凸６の形状に対応してより確実に追従させることができる。   The thickness T (D) of the insulating layer 2 is not particularly limited, but is preferably 3 μm or more and 50 μm or less, more preferably 4 μm or more and 30 μm or less, and further preferably 5 μm or more and 20 μm or less. When the thickness of the insulating layer 2 is less than 5 μm, the resistance to goby folds is insufficient, cracks occur in the bent portion after thermocompression bonding to the projections and depressions 6, the film strength decreases, and the insulating property of the electromagnetic wave blocking layer 3 It is difficult to play a role as a support, and when the thickness is greater than 20 μm, shape followability may be insufficient. That is, by setting the thickness T (D) of the insulating layer 2 within the above range, the flexibility of the insulating layer 2 can be made excellent. Correspondingly, it can follow more reliably.

また、絶縁層２の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、５０ｐｐｍ／℃以上１０００ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１００ｐｐｍ／℃以上７００ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましい。絶縁層２の平均線膨張係数をかかる範囲に設定することにより、電磁波シールドフィルム１００の加熱時において、絶縁層２は、優れた伸縮性を有するものとなるため、絶縁層２及び電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。   Moreover, it is preferable that the average linear expansion coefficient in 25-150 degreeC of the insulating layer 2 is 50 ppm / degrees C or more and 1000 ppm / degrees C or less, and it is more preferable that they are 100 ppm / degrees C or more and 700 ppm / degrees C or less. By setting the average linear expansion coefficient of the insulating layer 2 in such a range, the insulating layer 2 has excellent stretchability when the electromagnetic wave shielding film 100 is heated. Therefore, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave blocking layer 3 The shape followability to the unevenness 6 can be improved more reliably.

なお、この絶縁層２は、図１の様に１層で構成される場合に限らない。上述した絶縁フィルムのうち異なるものを積層させた２層以上の積層体であってもよい。   The insulating layer 2 is not limited to a single layer as shown in FIG. It may be a laminate of two or more layers in which different ones of the above-described insulating films are laminated.

以上、絶縁層について説明したが、本発明の電磁波シールドフィルム１００は、絶縁層は必要に応じて設ければよく、なくても良い。以下の第２実施形態〜第６実施形態では、絶縁層は設けていない。   Although the insulating layer has been described above, in the electromagnetic wave shielding film 100 of the present invention, the insulating layer may or may not be provided as necessary. In the following second to sixth embodiments, no insulating layer is provided.

以上の如き構成の電磁波シールドフィルム１００は、凹凸６に温度１５０℃、圧力２ＭＰａ、時間５分の条件で熱圧着した際の形状追従性は、凹凸６の段差が０．５ｍｍ以上であることが好ましく、０．８ｍｍ以上であることがより好ましく、１．０ｍｍ以上であることがさらに好ましい。本発明の電磁波シールドフィルム１００は、このように凹凸６の段差が大きくても凹凸６に対して優れた形状追従性と密着性を有する。   The electromagnetic wave shielding film 100 having the above-described configuration is such that the step of the unevenness 6 is 0.5 mm or more in the shape followability when the unevenness 6 is thermocompression bonded to the unevenness 6 at a temperature of 150 ° C., a pressure of 2 MPa, and a time of 5 minutes. Preferably, it is 0.8 mm or more, more preferably 1.0 mm or more. The electromagnetic wave shielding film 100 of the present invention has excellent shape followability and adhesion to the unevenness 6 even when the unevenness 6 has a large step.

なお、形状追従性は、次のようにして評価することができる。まず、縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ×高さ２ｍｍのプリント配線板（マザーボード）に、幅０．２ｍｍ、間隔０．２ｍｍで必要高さの段差を有する溝を、碁盤目状に形成したプリント配線基板を作成する。このプリント配線基板に電磁波シールドフィルムを真空加圧式ラミネーターを用いて、１５０℃×２ＭＰａ×５分間の条件で圧着せしめ、プリント配線板に貼り付ける。貼付後、電磁波シールドフィルムから基材層を剥離し、プリント配線板に貼り付けた電磁波遮断層とプリント配線板上の溝との聞に空隙があるかどうかを判断する。空隙があるかどうかは、マイクロスコープや顕微鏡で観察する。   The shape following property can be evaluated as follows. First, a printed wiring board in which a groove having a height difference of 0.2 mm, an interval of 0.2 mm and a required height is formed in a grid pattern on a printed wiring board (motherboard) having a length of 100 mm × width of 100 mm × height of 2 mm. create. An electromagnetic wave shielding film is pressure-bonded to this printed wiring board using a vacuum pressurizing laminator under the conditions of 150 ° C. × 2 MPa × 5 minutes, and attached to the printed wiring board. After pasting, the base material layer is peeled off from the electromagnetic wave shielding film, and it is determined whether or not there is a gap between the electromagnetic wave shielding layer adhered to the printed wiring board and the groove on the printed wiring board. The presence of voids is observed with a microscope or microscope.

２．第２実施形態
以下に、本発明の電磁波シールドフィルムの第２実施形態について説明する。
図２に示す第２実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、基材層１が第２の層１３及び第３の層１２の２層から構成される。第１の層１１が含まないことを除いて、図１に示した第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様であるので、第１実施形態との相違点を中心に説明する。 2. Second Embodiment Hereinafter, a second embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention will be described.
In the electromagnetic wave shielding film 100 of the second embodiment shown in FIG. 2, the base material layer 1 is composed of two layers, a second layer 13 and a third layer 12. Since it is the same as that of the electromagnetic wave shielding film 100 of 1st Embodiment shown in FIG. 1 except not including the 1st layer 11, it demonstrates centering on difference with 1st Embodiment.

第２実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、凹凸６に電磁波遮断層３を押し込む際に用いられる真空加圧式ラミネーター等の押圧部が、第２の層１３との離型性を備えることにより第１の層１１の形成が省略できる。第２の層１３と真空加圧式ラミネーター等の押圧部が接触する接触面の離型性の程度は、接触面の表面張力で表すことができる。接触面の表面張力は、２０ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下であることが好ましく、２５ｍＮ／ｍ以上３５ｍＮ／ｍ以下であることがより好ましい。これにより真空加圧式ラミネーター等の押圧部によって電磁波シールドフィルム１００を押し込みの後に、第２の層１３から押圧部を確実に剥離させることができる。   In the electromagnetic wave shielding film 100 of the second embodiment, the pressing portion such as a vacuum pressurizing laminator used when the electromagnetic wave shielding layer 3 is pushed into the unevenness 6 has a releasability from the second layer 13 so that the first part is provided. The formation of the layer 11 can be omitted. The degree of releasability of the contact surface where the second layer 13 and the pressing portion such as a vacuum pressure laminator come into contact can be expressed by the surface tension of the contact surface. The surface tension of the contact surface is preferably 20 mN / m or more and 40 mN / m or less, and more preferably 25 mN / m or more and 35 mN / m or less. Thereby, after pushing in the electromagnetic wave shielding film 100 by pressing parts, such as a vacuum pressurization type laminator, a pressing part can be reliably peeled from the 2nd layer 13. FIG.

第２実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様にして使用することができ、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様の効果が得られる。   The electromagnetic shielding film 100 of 2nd Embodiment can be used like the electromagnetic shielding film 100 of 1st Embodiment, and the effect similar to the electromagnetic shielding film 100 of 1st Embodiment is acquired.

３．第３実施形態
以下に、本発明の電磁波シールドフィルムの第３実施形態について説明する。
図３に示す第３実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、基材層１が第１の層１１及び第２の層１３の２層から構成される。第３の層１２が含まないことを除いて、図１に示した第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様であるので、第１実施形態との相違点を中心に説明する。 3. 3rd Embodiment Below, 3rd Embodiment of the electromagnetic wave shield film of this invention is described.
In the electromagnetic wave shielding film 100 of the third embodiment shown in FIG. 3, the base material layer 1 is composed of two layers, a first layer 11 and a second layer 13. Since it is the same as that of the electromagnetic wave shielding film 100 of 1st Embodiment shown in FIG. 1 except that the 3rd layer 12 is not included, it demonstrates centering on difference with 1st Embodiment.

第３実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、基材層１を電磁波遮断層３から剥離する際に、第２の層１３と電磁波遮断層３との界面で基材層１が電磁波遮断層３から剥離される。このような剥離では、電磁波遮断層３が第２の層１３との離型性を備えることにより第３の層１２の形成が省略できる。電磁波遮断層３と第２の層１３が接触する接触面の離型性の程度は、接触面の表面張力で表すことができる。接触面の表面張力は、２０ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下であるのが好ましく、２５ｍＮ／ｍ以上３５ｍＮ／ｍ以下であるのがより好ましい。かかる範囲の表面張力を接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等の押圧部によって電磁波シールドフィルム１００を押し込みの後に、電磁波遮断層３から第２の層１３を確実に剥離することができる。   In the electromagnetic wave shielding film 100 of the third embodiment, when the base material layer 1 is peeled from the electromagnetic wave shielding layer 3, the base material layer 1 is separated from the electromagnetic wave shielding layer 3 at the interface between the second layer 13 and the electromagnetic wave shielding layer 3. It is peeled off. In such peeling, the formation of the third layer 12 can be omitted because the electromagnetic wave shielding layer 3 has releasability from the second layer 13. The degree of releasability of the contact surface where the electromagnetic wave shielding layer 3 and the second layer 13 are in contact can be expressed by the surface tension of the contact surface. The surface tension of the contact surface is preferably 20 mN / m or more and 40 mN / m or less, and more preferably 25 mN / m or more and 35 mN / m or less. When the contact surface has a surface tension in such a range, the second layer 13 can be reliably peeled from the electromagnetic wave shielding layer 3 after the electromagnetic wave shielding film 100 is pushed in by a pressing portion such as a vacuum pressure laminator.

第３実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様にして使用することができ、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様の効果が得られる。   The electromagnetic shielding film 100 of 3rd Embodiment can be used similarly to the electromagnetic shielding film 100 of 1st Embodiment, and the effect similar to the electromagnetic shielding film 100 of 1st Embodiment is acquired.

４．第４実施形態
以下に、本発明の電磁波シールドフィルムの第４実施形態について説明する。
図４に示す第４実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、基材層１が第１の層１１、第２の層１３、または第３の層１２から選ばれるいずれか１層で構成されている。この他は、第１実施形態、第２実施形態及び第３実施形態の電磁波シールドフィルム１００のいずれかと同様であるので、第１実施形態、第２実施形態、及び第３実施形態との相違点を中心に説明する。 4). 4th Embodiment Below, 4th Embodiment of the electromagnetic wave shield film of this invention is described.
In the electromagnetic wave shielding film 100 of the fourth embodiment shown in FIG. 4, the base material layer 1 is composed of any one layer selected from the first layer 11, the second layer 13, or the third layer 12. . Other than this, since it is the same as any one of the electromagnetic wave shielding films 100 of the first embodiment, the second embodiment, and the third embodiment, the difference from the first embodiment, the second embodiment, and the third embodiment. The explanation will be focused on.

第４実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、基材層１を構成する第１の層１１、第２の層１３、または第３の層１２のいずれか１層が、電磁波遮断層３から剥離される際に、電磁波遮断層３が基材層１との離型性を備えることにより他の２層が省略できる。また、第４実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、基材層１を構成する第１の層１１、第２の層１３、または第３の層１２のいずれか１層に対して、凹凸６に電磁波遮断層３を押し込む際に用いられる真空加圧式ラミネーター等の押圧部が離型性を備えることにより他の２層が省略できる。この場合電磁波遮断層３と、基材層１を構成する第１の層１１、第２の層１３、または第３の層１２のいずれか１層と接触する接触面の離型性の程度は、接触面の表面張力で表すことができる。接触面の表面張力は、２０ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下であるのが好ましく、２５ｍＮ／ｍ以上３５ｍＮ／ｍ以下であるのがより好ましい。かかる範囲の表面張力を接触面が有することにより、基材層１から押圧部を確実に剥離させることができると共に、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、電磁波遮断層３から基材層１を確実に剥離することができる。   In the electromagnetic wave shielding film 100 of the fourth embodiment, any one of the first layer 11, the second layer 13, or the third layer 12 constituting the base material layer 1 is peeled off from the electromagnetic wave shielding layer 3. When the electromagnetic wave shielding layer 3 has a releasability from the base material layer 1, the other two layers can be omitted. Moreover, the electromagnetic wave shielding film 100 of 4th Embodiment is uneven | corrugated 6 with respect to any one layer of the 1st layer 11, the 2nd layer 13, or the 3rd layer 12 which comprises the base material layer 1. FIG. The other two layers can be omitted by providing the pressing part such as a vacuum pressurizing laminator used when the electromagnetic wave shielding layer 3 is pushed in. In this case, the degree of releasability of the electromagnetic wave shielding layer 3 and the contact surface in contact with any one of the first layer 11, the second layer 13, or the third layer 12 constituting the base material layer 1 is It can be expressed by the surface tension of the contact surface. The surface tension of the contact surface is preferably 20 mN / m or more and 40 mN / m or less, and more preferably 25 mN / m or more and 35 mN / m or less. When the contact surface has a surface tension in such a range, the pressing portion can be reliably peeled off from the base material layer 1, and after pressing using a vacuum pressurization type laminator or the like, the electromagnetic wave shielding layer 3 to the base material layer 1 can be peeled off reliably.

第４実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様にして使用することができ、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様の効果が得られる。   The electromagnetic shielding film 100 of 4th Embodiment can be used similarly to the electromagnetic shielding film 100 of 1st Embodiment, and the effect similar to the electromagnetic shielding film 100 of 1st Embodiment is acquired.

５．第５実施形態
以下に、本発明の電磁波シールドフィルムの第５実施形態について説明する。
図５に示す第５実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、図１に示した第１実施形態の電磁波遮断層３が単層の構成であるのに対して、吸収層３１及び反射層３２の２層からなる積層体で構成されている。この他は、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様であるので、図１に示す第１実施形態との相違点を中心に説明する。第５実施形態の電磁波遮断層３は、基材層１の第３の層１２の下面に、吸収層３１及び反射層３２がこの順に積層され、反射層３２が凹凸６に密着する。
第５実施形態では、電磁波遮断層３が吸収層３１と、反射層３２とからなる積層体で構成されることによって、電磁波遮断層３による電磁波シールド性をより向上させることができる。 5. 5th Embodiment Below, 5th Embodiment of the electromagnetic wave shield film of this invention is described.
The electromagnetic wave shielding film 100 of the fifth embodiment shown in FIG. 5 is composed of the absorption layer 31 and the reflective layer 32, whereas the electromagnetic wave shielding layer 3 of the first embodiment shown in FIG. It is comprised with the laminated body which consists of layers. The rest is the same as that of the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment, and therefore the description will focus on the differences from the first embodiment shown in FIG. In the electromagnetic wave shielding layer 3 of the fifth embodiment, an absorption layer 31 and a reflective layer 32 are laminated in this order on the lower surface of the third layer 12 of the base material layer 1, and the reflective layer 32 is in close contact with the unevenness 6.
In 5th Embodiment, the electromagnetic wave shielding layer 3 is comprised by the laminated body which consists of the absorption layer 31 and the reflection layer 32, and can improve the electromagnetic wave shielding property by the electromagnetic wave shielding layer 3 more.

吸収層３１及び反射層３２の１５０℃における貯蔵弾性率は、いずれも１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ十０９Ｐａ以下であるのが好ましく、５．０Ｅ＋０５Ｐａ以上５．０Ｅ＋０８Ｐａ以下であるのがより好ましい。吸収層３１及び反射層３２における貯蔵弾性率を、上記範囲に設定することにより、基材層１からの押圧力に応じて、電磁波遮断層３の反射層３２を凹凸６の形状に対応してより確実に密着させることができる。   The storage elastic modulus at 150 ° C. of the absorbing layer 31 and the reflective layer 32 is preferably 1.0E + 05 Pa or more and 1.0E / 1009 Pa or less, and more preferably 5.0E + 05 Pa or more and 5.0E + 08 Pa or less. By setting the storage elastic modulus in the absorption layer 31 and the reflection layer 32 within the above range, the reflection layer 32 of the electromagnetic wave shielding layer 3 corresponds to the shape of the unevenness 6 according to the pressing force from the base material layer 1. It can make it adhere more reliably.

第５実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様にして使用することができ、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様の効果が得られる。   The electromagnetic shielding film 100 of 5th Embodiment can be used similarly to the electromagnetic shielding film 100 of 1st Embodiment, and the effect similar to the electromagnetic shielding film 100 of 1st Embodiment is acquired.

６．第６実施形態
以下に、本発明の電磁波シールドフィルムの第６実施形態について説明する。
図６に示す第６実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、第５実施形態の電磁波遮断層３を構成する吸収層３１及び反射層３２を逆に積層した他は、第５実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様であるので、第５実施形態との相違点を中心に説明する。第６実施形態の電磁波遮断層３は、基材層１の第３の層１２の下面に、反射層３２及び吸収層３１が、この順に積層され、吸収層３１が凹凸６に密着する。第６実施形態では、電磁波遮断層３が吸収層３１と、反射層３２とからなる積層体で構成されることによって、電磁波遮断層３による電磁波シールド性をより向上させることができる。 6). Sixth Embodiment Hereinafter, a sixth embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention will be described.
The electromagnetic wave shielding film 100 of the sixth embodiment shown in FIG. 6 is the electromagnetic wave shielding film of the fifth embodiment except that the absorption layer 31 and the reflective layer 32 constituting the electromagnetic wave shielding layer 3 of the fifth embodiment are laminated in reverse. Since it is the same as 100, the difference from the fifth embodiment will be mainly described. In the electromagnetic wave shielding layer 3 of the sixth embodiment, the reflective layer 32 and the absorbing layer 31 are laminated in this order on the lower surface of the third layer 12 of the base material layer 1, and the absorbing layer 31 is in close contact with the irregularities 6. In 6th Embodiment, the electromagnetic wave shielding layer 3 is comprised by the laminated body which consists of the absorption layer 31 and the reflection layer 32, and can improve the electromagnetic wave shielding property by the electromagnetic wave shielding layer 3 more.

電磁波遮断層３の吸収層３１及び反射層３２の１５０℃における貯蔵弾性率は、第５実施形態の場合と同様である。吸収層３１及び反射層３２における貯蔵弾性率を、上記範囲に設定することにより、基材層１からの押圧力に応じて、電磁波遮断層３の吸収層３１を凹凸６の形状に対応してより確実に密着させることができる。   The storage elastic modulus at 150 ° C. of the absorption layer 31 and the reflection layer 32 of the electromagnetic wave shielding layer 3 is the same as in the case of the fifth embodiment. By setting the storage elastic modulus in the absorption layer 31 and the reflection layer 32 within the above range, the absorption layer 31 of the electromagnetic wave blocking layer 3 corresponds to the shape of the unevenness 6 according to the pressing force from the base material layer 1. It can make it adhere more reliably.

第６実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様にして使用することができ、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様の効果が得られる。   The electromagnetic shielding film 100 of 6th Embodiment can be used similarly to the electromagnetic shielding film 100 of 1st Embodiment, and the effect similar to the electromagnetic shielding film 100 of 1st Embodiment is acquired.

第５実施形態と第６実施形態は類似するが、両者を比較した場合、反射層３２が電子部品の凹凸６に直接密着している第５実施形態の方が、電磁波遮断性は好ましい。   Although the fifth embodiment and the sixth embodiment are similar to each other, when the two are compared, the fifth embodiment in which the reflective layer 32 is in direct contact with the unevenness 6 of the electronic component has a better electromagnetic wave shielding property.

第５実施形態及び第６実施形態は、電磁波遮断層３が反射層３２と吸収層３１の２層よりなるが、さらに各種の反射層と各種の吸収層を有する多層構造とすることもできる。   In the fifth embodiment and the sixth embodiment, the electromagnetic wave shielding layer 3 is composed of two layers of the reflection layer 32 and the absorption layer 31, but it can also have a multilayer structure having various reflection layers and various absorption layers.

７．その他の実施形態
以上、本発明の電磁波シールドフィルムの第１実施形態〜第６実施形態について説明したが、本発明は、これ等に限定されるものではない。
例えば、本発明の電磁波シールドフィルムとしては、第１実施形態〜第６実施形態の他、基材層１を構成する第１の層、第２の層、または第３の層の各々がさらに２層以上の積層体である実施形態、電磁波遮断層が３層以上の積層体である実施形態、絶縁層が２層以上の積層体である実施形態、あるいはさらに他の任意の機能層が積層された実施形態、等多種多様な層の積層体を包含する。 7). Other Embodiments Although the first to sixth embodiments of the electromagnetic wave shielding film of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these.
For example, as the electromagnetic wave shielding film of the present invention, each of the first layer, the second layer, and the third layer constituting the base material layer 1 is further 2 in addition to the first to sixth embodiments. An embodiment in which the layer is a laminate of two or more layers, an embodiment in which the electromagnetic wave shielding layer is a laminate of three or more layers, an embodiment in which the insulating layer is a laminate of two or more layers, or any other functional layer is laminated. Embodiments of the present invention include a laminate of a wide variety of layers.

８．電子部品の被覆方法
図７は、図１〜図６に示す本発明の電磁波シールドフィルム１００を用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。本発明の第１実施形態〜第６実施形態の電磁波シールドフィルム１００を用いて、本発明のフレキシブルプリント基板を含む電子部品の被覆方法について説明する。 8). 7 is a longitudinal sectional view for explaining a method for coating an electronic component using the electromagnetic wave shielding film 100 of the present invention shown in FIGS. The coating method of the electronic component containing the flexible printed circuit board of this invention is demonstrated using the electromagnetic wave shield film 100 of 1st Embodiment-6th Embodiment of this invention.

電子部品の被覆方法は、少なくとも貼付工程、及び剥離工程の２つの工程を含む。貼付工程は、図７（ａ）に示すように、電子部品の基板５上に設けられた凹凸６に電磁波シールドフィルム１００を貼付する工程である。貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、真空圧空成形が挙げられる。剥離工程は、図７（ｂ）に示すように、貼付工程の後、基材層１を電磁波遮断層３から剥離する工程である。   The method for coating an electronic component includes at least two steps of a pasting step and a peeling step. The affixing step is a step of affixing the electromagnetic wave shielding film 100 to the unevenness 6 provided on the substrate 5 of the electronic component as shown in FIG. The method for attaching is not particularly limited, and examples thereof include vacuum / pressure forming. A peeling process is a process of peeling the base material layer 1 from the electromagnetic wave shielding layer 3 after a sticking process, as shown in FIG.7 (b).

貼付工程における真空圧空成形は、例えば、真空加圧式ラミネーター等によって、電磁波シールドフィルム１００を基板５上の凹凸６に被覆する方法である。まず、真空雰囲気下で基板５の凹凸６が形成されている面と電磁波遮断層３の面とを対向してセットし、電磁波シールドフィルム１００及び電子部品の全体を加熱して接近せしめ、真空雰囲気下のまま基材層１の上部から真空加圧式ラミネーターを用いて均一に加圧することにより実施される。加圧によって、基材層１及び電磁波遮断層３が凹凸６の形状に対応して形状追従して変形し、電磁波遮断層３が凹凸６の空間に押し込まれる状態で被覆される。
本発明では、基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率が２．０Ｅ＋０５Ｐａ以上２．０Ｅ＋０８Ｐａ以下の範囲にあるため、基材層１は凹凸６に対して優れた形状追従性を発揮する事が出来る。 The vacuum / pressure forming in the attaching step is a method in which the electromagnetic wave shielding film 100 is coated on the unevenness 6 on the substrate 5 with, for example, a vacuum pressure laminator. First, the surface of the substrate 5 where the irregularities 6 are formed and the surface of the electromagnetic wave shielding layer 3 are set facing each other in a vacuum atmosphere, and the electromagnetic wave shielding film 100 and the entire electronic component are heated and brought close to each other. The pressure is uniformly applied from above the base material layer 1 using a vacuum pressurizing laminator. By pressurization, the base material layer 1 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are deformed following the shape corresponding to the shape of the unevenness 6, and the electromagnetic wave shielding layer 3 is covered in a state of being pushed into the space of the unevenness 6.
In this invention, since the storage elastic modulus in 150 degreeC of the base material layer 1 exists in the range of 2.0E + 05Pa or more and 2.0E + 08Pa or less, the base material layer 1 may exhibit the shape followability excellent with respect to the unevenness | corrugation 6. I can do it.

加熱温度は、電磁波遮断層３が凹凸６に押し込まれ貼り付く温度であれば良く、１００℃以上２００℃以下であることが好ましく、１２０℃以上１８０℃以下であることがより好ましい。基材層１の上部から真空加圧式ラミネーターを用いて均一に加圧する圧力は、電磁波遮断層３が凹凸６に押し込まれ貼り付く圧力であれば良く、０．５ＭＰａ以上５．ＯＭＰａ以下であることが好ましく、１．ＯＭＰａ以上、３ＯＭＰａ以下であることがより好ましい。貼付する時間は、１分以上３０分以下であることが好ましく、５分以上１５分以下であることがより好ましい。   The heating temperature may be a temperature at which the electromagnetic wave shielding layer 3 is pushed into and stuck to the projections 6 and is preferably 100 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, more preferably 120 ° C. or higher and 180 ° C. or lower. The pressure for uniformly pressurizing from above the base material layer 1 using a vacuum pressurizing laminator may be any pressure at which the electromagnetic wave shielding layer 3 is pushed into and stuck to the projections 6 and is 0.5 MPa or more. It is preferable that it is below OMPa. More preferably, it is OMPa or more and 3 OMPa or less. The application time is preferably 1 minute or more and 30 minutes or less, and more preferably 5 minutes or more and 15 minutes or less.

貼付工程は、上記条件下で実施することにより、凹凸６に電磁波遮断層３を押し込んだ状態で確実に被覆することができる。また、凹凸６の形状に対応して電磁波シールドフィルム１００の形状を適宜設定することにより、凹凸６を選択的に電磁波遮断層３で被覆することができる。   By performing the pasting step under the above conditions, the electromagnetic wave blocking layer 3 can be reliably covered with the unevenness 6 while being pressed. Moreover, the unevenness | corrugation 6 can be selectively coat | covered with the electromagnetic wave shielding layer 3 by setting the shape of the electromagnetic wave shielding film 100 corresponding to the shape of the unevenness | corrugation 6 suitably.

剥離工程は、図７（ｂ）に示すように、貼付工程の後、電磁波遮断層３から基材層１を剥離する工程である。基材層１を剥離する方法は、電磁波シールドフィルム１００が高温の状態では手作業による剥離が好ましい。手作業による剥離では、まず基材層１の方の端部を把持し、この把持した端部から基材層１を電磁波遮断層３から引き剥がし、次いで、この端部から中央部へさらには他方の端部へと順次基材層１を引き剥がすことにより、電磁波遮断層３から基材層１を剥離することができる。剥離する時の温度は、１８０℃以下であることが好ましく、１５０℃以下であることがより好ましく、１００℃以下であることがさらに好ましい。   A peeling process is a process of peeling the base material layer 1 from the electromagnetic wave shielding layer 3 after a sticking process, as shown in FIG.7 (b). As a method of peeling the base material layer 1, manual peeling is preferable when the electromagnetic wave shielding film 100 is in a high temperature state. In the manual peeling, the end of the base material layer 1 is first gripped, the base material layer 1 is peeled off from the gripped end, and then from this end to the center. The base material layer 1 can be peeled from the electromagnetic wave shielding layer 3 by sequentially peeling the base material layer 1 to the other end. The temperature at the time of peeling is preferably 180 ° C. or less, more preferably 150 ° C. or less, and further preferably 100 ° C. or less.

貼付工程とその後の剥離工程によって、本発明の電磁波シールドフィルム１００を電子部品の凹凸６に貼り付けたのち、基材層１を電磁波遮断層３から剥離する事によって、電磁波遮断層３が隙間なく被覆した凹凸６を得ることが出来る。また、電子部品の被覆方法は、貼付工程及び剥離工程の他にさらに任意の工程を追加しても良い。   After pasting the electromagnetic wave shielding film 100 of the present invention on the unevenness 6 of the electronic component by the pasting step and the subsequent peeling step, the base layer 1 is peeled off from the electromagnetic wave blocking layer 3 so that the electromagnetic wave blocking layer 3 is free from gaps. The coated irregularities 6 can be obtained. Moreover, you may add arbitrary processes to the coating method of an electronic component other than a sticking process and a peeling process.

以上の様な工程を経ることにより、電子部品を搭載する基板、特に、１ｍｍ以上の段差を有する電子部品を搭載する基板に対して、電磁波シールドフィルムを被覆部材として備えることができる。また、フレキシブルプリント基板に対して、電磁波シールドフィルムを電磁波遮蔽部材として備えることができる。   By passing through the above processes, an electromagnetic wave shielding film can be provided as a covering member for a substrate on which an electronic component is mounted, particularly a substrate on which an electronic component having a step of 1 mm or more is mounted. Moreover, an electromagnetic wave shielding film can be provided as an electromagnetic wave shielding member with respect to a flexible printed circuit board.

以下に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施例により何ら制限されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited by the following examples.

本発明に関わる第１の層、第２の層、及び第３の層の線膨張係数、本発明に関わる基材層１の１５０℃における弾性率、及び本発明の電磁波シールドフィルムのＺ折り後の導電性、マイクロストリップライン法による電磁波シールド性、及びＫＥＣ法による電磁波シールド性は、下記の試験方法によって評価した。   The linear expansion coefficients of the first layer, the second layer, and the third layer according to the present invention, the elastic modulus at 150 ° C. of the base material layer 1 according to the present invention, and the Z-fold of the electromagnetic wave shielding film of the present invention The following test methods evaluated the electroconductivity, the electromagnetic wave shielding property by the microstrip line method, and the electromagnetic wave shielding property by the KEC method.

＜平均線膨張係数＞
平均線膨張係数の測定は、熱応力歪測定装置（ＥＸＳＴＡＲ ＴＭＡ／ＳＳ６０００、エスアイアイナノテクノロジー社製）を用いて行なった。該複合体をカットし、金属チャックを用いて装置内にセットし、荷重は５ｇにし、引張モードで測定を行った。窒素雰囲気下で、１分間に５℃の割合で温度を２５℃から２５０℃まで上昇させて１０分間保持し、その後、１分間に５℃の割合で２５０℃から０℃まで下降させた。測定によって得られた伸長から、降温時の２０〜３０℃、１９５〜２０５℃における平均線膨張係数を求め、それぞれその範囲の中間値における平均線膨張係数として表１に記載した。 <Average linear expansion coefficient>
The average linear expansion coefficient was measured using a thermal stress strain measuring device (EXSTAR TMA / SS6000, manufactured by SII Nano Technology). The composite was cut and set in an apparatus using a metal chuck, the load was 5 g, and measurement was performed in a tensile mode. Under a nitrogen atmosphere, the temperature was increased from 25 ° C. to 250 ° C. at a rate of 5 ° C. per minute and held for 10 minutes, and then decreased from 250 ° C. to 0 ° C. at a rate of 5 ° C. per minute. From the elongation obtained by the measurement, average linear expansion coefficients at 20 to 30 ° C. and 195 to 205 ° C. at the time of temperature decrease were obtained, and are listed in Table 1 as average linear expansion coefficients at intermediate values in the respective ranges.

＜１５０℃における弾性率＞
１５０℃における弾性率は、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツルメント社製、「ＤＭＳ６１００」）を用いて、測定すべき層の弾性率を、２５〜２００℃まで、４９ｍＮの定荷重の引張モードで昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚで測定し、１５０℃での貯蔵弾性率を読み取る。 <Elastic modulus at 150 ° C>
The elastic modulus at 150 ° C. is determined by using a dynamic viscoelasticity measuring device (“DMS6100” manufactured by Seiko Instruments Inc.), and measuring the elastic modulus of the layer to be measured from 25 to 200 ° C. with a constant load of 49 mN. The mode is measured at a heating rate of 5 ° C./min and a frequency of 1 Hz, and the storage elastic modulus at 150 ° C. is read.

＜Ｚ折り後の導電性＞
電磁波シールドフィルムを、屈曲性のある基板に貼り合せたものをＺ折りした後、端間で電流が流れるかを確認した。
○ ：電流が流れる。
× ：電流が流れない。 <Conductivity after Z-folding>
After Z-folding of the electromagnetic wave shielding film bonded to a flexible substrate, it was confirmed whether current flows between the ends.
○: Current flows.
X: No current flows.

＜マイクロストリップライン法による電磁波シールド性＞
ＩＥＣ規格６２３３３２に準拠して、周波数ｌＧＨｚ及び周波数３ＧＨｚにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。マイクロストリップライン法による電磁波シールド性は、吸収性により電磁波を遮断する程度を表す値として測定される。周波数ｌＧＨｚにおける、電磁波シールド性は、３ｄＢ以上であるのが好ましく、５ｄＢ以上であるのがより好ましく、７ｄＢ以上であるのがさらに好ましい。周波数３ＧＨｚにおける、電磁波シールド性は、５ｄＢ以上であるのが好ましく、１０ｄＢ以上であるのがより好ましく、２０ｄＢ以上であるのがさらに好ましい。 <Electromagnetic wave shielding by microstrip line method>
In accordance with IEC standard 623332, an electromagnetic shielding property for blocking electromagnetic waves at a frequency of 1 GHz and a frequency of 3 GHz was measured. The electromagnetic wave shielding property by the microstrip line method is measured as a value representing the degree to which electromagnetic waves are blocked by absorption. The electromagnetic wave shielding property at a frequency of 1 GHz is preferably 3 dB or more, more preferably 5 dB or more, and further preferably 7 dB or more. The electromagnetic wave shielding property at a frequency of 3 GHz is preferably 5 dB or more, more preferably 10 dB or more, and further preferably 20 dB or more.

＜ＫＥＣ法による電磁波シールド性＞
関西電子工業振興センターで開発されたＫＥＣ法を用いて周波数ｌＧＨｚにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。ＫＥＣ法による電磁波シールド性は、吸収性と反射性により電磁波を遮断する程度を表す値として測定される。ＫＥＣ法は、周波数１ＧＨｚにおける、電磁波シールド性（吸収性＋反射性）が１０ｄＢ以上であるのが好ましく、１５ｄＢ以上であるのがより好ましい。
○ ：１５ｄＢ以上
× ：１５ｄＢ未満 <Electromagnetic wave shielding by KEC method>
The electromagnetic shielding properties for blocking electromagnetic waves at a frequency of 1 GHz were measured using the KEC method developed at the Kansai Electronics Industry Promotion Center. The electromagnetic wave shielding property according to the KEC method is measured as a value representing the degree of shielding of electromagnetic waves by absorption and reflection. In the KEC method, the electromagnetic wave shielding property (absorbency + reflectivity) at a frequency of 1 GHz is preferably 10 dB or more, and more preferably 15 dB or more.
○: 15 dB or more ×: less than 15 dB

（実施例１）
第１の層としてシンジオタクチックポリスチレン（出光興産社製、商品名：ザレックＳ１０７）、第３の層として、シンジオタクチックポリスチレン（出光興産社製、商品名：ザレックＳ１０７）、及び第２の層としてエチレン−メチルアクリレート共重合体（住友化学社製、商品名：アクリフトＷＤ１０６）、をそれぞれ用いて、フィードブロック及びマルチマニホールドダイを用いて共押出し、表１に示す厚さを有する３層が順次積層して成る基材層を製造した。電磁波遮断層は、導電性組成物としてポリアニリン（レグルス社製）を用い、バインダーＡとして非晶質ポリエステル樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロン６３ＳＳ）を用い、バインダーＡの含有量が２０質量％となる様に混合した。基材層に電磁波遮断層をコーティングして本発明の電磁波シールドフィルムを製造した。この電磁波シールドフィルムのＺ折り後の導電性、マイクロストリップライン法による電磁波シールド性、及びＫＥＣ法による電磁波シールド性を評価した。評価結果を表１に示す。 Example 1
Syndiotactic polystyrene (trade name: Zalec S107, manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) as the first layer, syndiotactic polystyrene (trade name: Zalec S107, manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.), and the second layer as the third layer As an ethylene-methyl acrylate copolymer (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name: ACRIFT WD106), co-extruded using a feed block and a multi-manifold die, and three layers having thicknesses shown in Table 1 are sequentially formed. A base material layer formed by lamination was manufactured. The electromagnetic wave shielding layer uses polyaniline (manufactured by Regulus Co., Ltd.) as the conductive composition, uses an amorphous polyester resin (manufactured by Toyobo Co., Ltd., trade name: Byron 63SS) as the binder A, and the content of the binder A is 20% by mass. It mixed so that it might become. An electromagnetic wave shielding film of the present invention was produced by coating the base material layer with an electromagnetic wave shielding layer. The electromagnetic wave shielding film was evaluated for the conductivity after Z-folding, the electromagnetic wave shielding property by the microstrip line method, and the electromagnetic wave shielding property by the KEC method. The evaluation results are shown in Table 1.

（実施例２〜４）
電磁波遮断層３のバインダーＡの含有量がそれぞれ３０質量％、４０質量％及び５０質量％となる様に混合した他は、実施例１と同様の方法で電磁波シールドフィルムを製造し、評価した。評価結果を表１に示す。 (Examples 2 to 4)
An electromagnetic wave shielding film was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the content of the binder A in the electromagnetic wave shielding layer 3 was 30% by mass, 40% by mass, and 50% by mass, respectively. The evaluation results are shown in Table 1.

（比較例１、２）
電磁波遮断層３のバインダーＡの含有量がそれぞれ１０質量％及び６０質量％となる様に混合した他は、実施例１と同様の方法で電磁波シールドフィルムを製造し、評価した。評価結果を表１に示す。 (Comparative Examples 1 and 2)
An electromagnetic wave shielding film was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the content of the binder A in the electromagnetic wave shielding layer 3 was 10% by mass and 60% by mass, respectively. The evaluation results are shown in Table 1.

（比較例３〜５）
実施例１で用いたバインダーＡの代わりにバインダーＢとしてポリウレタン樹脂（ＤＩＣ社製、商品名：バーノック１６−４１１）を用い、バインダーＢの含有量がそれぞれ３０、４０、５０、及び６０質量％となる様に混合した他は、実施例１と同様の方法で電磁波シールドフィルムを製造し、評価した。評価結果を表１に示す。 (Comparative Examples 3-5)
Instead of the binder A used in Example 1, a polyurethane resin (manufactured by DIC, trade name: Burnock 16-411) was used as the binder B, and the content of the binder B was 30, 40, 50, and 60% by mass, respectively. An electromagnetic wave shielding film was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that mixing was performed. The evaluation results are shown in Table 1.

（比較例６）
実施例１で用いたバインダーＡの含有量を０とした他は、実施例１と同様の方法で電磁波シールドフィルムを製造し、評価した。評価結果を表１に示す。 (Comparative Example 6)
An electromagnetic wave shielding film was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the content of binder A used in Example 1 was 0. The evaluation results are shown in Table 1.

※導電性はＺ折り後に端間で電流が流れるかを確認した。（○流れる、×流れない）
※ＫＥＣ法で１５ｄＢ以上を○とした。

* Conductivity confirmed whether current flows between ends after Z-folding. (○ flows, × does not flow)
* A value of 15 dB or more was marked as ◯ in the KEC method.

１００ 電磁波シールドフィルム
１ 基材層
１１ 第１の層
１２ 第３の層
１３ 第２の層
２ 絶縁層
３ 電磁波遮断層
３１ 吸収層
３２ 反射層
４ 電子部品
５ 基板
６ 凹凸
６１ 凸部
６２ 凹部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Electromagnetic wave shielding film 1 Base material layer 11 1st layer 12 3rd layer 13 2nd layer 2 Insulating layer 3 Electromagnetic wave shielding layer 31 Absorbing layer 32 Reflecting layer 4 Electronic component 5 Substrate 6 Concavity and convexity 61 Convex part 62 Concave part

Claims (10)

電磁波シールドフィルムであって、
少なくとも基材層と、電磁波遮断層とを順に積層し、
前記電磁波遮断層は、Ｚ折りを行ったときにその両端間で導電性を有する組成物から形成されることを特徴とする電磁波シールドフィルム。 An electromagnetic shielding film,
Laminate at least a base material layer and an electromagnetic wave shielding layer in order,
The electromagnetic wave shielding film, wherein the electromagnetic wave shielding layer is formed from a composition having conductivity between both ends when Z-folding is performed. 前記電磁波遮断層は、導電性組成物及びバインダーを含有し、
前記バインダーが非晶質熱可塑性樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールドフィルム。 The electromagnetic wave shielding layer contains a conductive composition and a binder,
The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the binder contains an amorphous thermoplastic resin as a main component. 前記バインダーが１５質量％以上５５質量％以下の配合量であることを特徴とする請求項１または２に記載の電磁波シールドフィルム。   The electromagnetic wave shielding film according to claim 1 or 2, wherein the binder is blended in an amount of 15 mass% or more and 55 mass% or less. 前記非晶質熱可塑性樹脂が非晶質ポリエステル系樹脂であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。   The electromagnetic shielding film according to any one of claims 1 to 3, wherein the amorphous thermoplastic resin is an amorphous polyester resin. 前記基材層は、少なくとも２つの層が積層された積層体を備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。   The electromagnetic wave shielding film according to any one of claims 1 to 4, wherein the base material layer includes a laminate in which at least two layers are laminated. 前記基材層は、第１の層と、第２の層と、第３の層とが順に積層された積層体であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。   The said base material layer is a laminated body by which the 1st layer, the 2nd layer, and the 3rd layer were laminated | stacked in order, The any one of Claim 1 thru | or 5 characterized by the above-mentioned. Electromagnetic shielding film. 前記第１の層の厚さＴ（Ａ）と前記第２の層の厚さＴ（Ｃ）と前記第３の層の厚さＴ（Ｂ）が下記式（１）を満たすことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
０．０５＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜１０・・・（１） The thickness T (A) of the first layer, the thickness T (C) of the second layer, and the thickness T (B) of the third layer satisfy the following formula (1): The electromagnetic wave shielding film according to any one of claims 1 to 6.
0.05 <T (C) / (T (A) + T (B)) <10 (1) さらに、絶縁層を前記基材層の表面あるいは前記電磁波遮断層の表面に積層することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。   Furthermore, an insulating layer is laminated | stacked on the surface of the said base material layer, or the surface of the said electromagnetic wave shielding layer, The electromagnetic wave shielding film of any one of Claim 1 thru | or 7 characterized by the above-mentioned. 電子部品を搭載する基板であって、
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルムを基板上の凹凸の被覆部材として備え、
前記凹凸は、１ｍｍ以上の段差を有することを特徴とする基板。 A board on which electronic components are mounted,
The electromagnetic wave shielding film according to any one of claims 1 to 8 is provided as an uneven covering member on a substrate,
The unevenness has a step of 1 mm or more. 請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルムを電磁波遮蔽部材として備えることを特徴とするフレキシブルプリント基板。   A flexible printed circuit board comprising the electromagnetic wave shielding film according to claim 1 as an electromagnetic wave shielding member.

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