JP2015153952A

JP2015153952A - Metalized film capacitor

Info

Publication number: JP2015153952A
Application number: JP2014027851A
Authority: JP
Inventors: 希山本; Mare Yamamoto
Original assignee: Kojima Press Industry Co Ltd
Current assignee: Kojima Industries Corp
Priority date: 2014-02-17
Filing date: 2014-02-17
Publication date: 2015-08-24

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To restrain electrostatic capacity of a metalized film capacitor from being lowered and to restrain a current from flowing from another metalized film into a place where dielectric breakdown occurs, even in the case where the dielectric breakdown occurs between vapor deposition electrodes.SOLUTION: The metalized film capacitor is formed by laminating a plurality of metalized films 30a and 30b. Each of the metalized films 30a and 30b includes a non-pattern vapor deposition electrode 32b, a pattern vapor deposition electrode 33a and a heavy edge 32a connected to a metallikon 52 or 54 in one end of a dielectric film 31. The pattern vapor deposition electrode 33a includes a plurality of segment electrodes 34 which are partitioned by slits 35, and a fuse part capable of conducting the neighboring segment electrodes 34 to each other. The pattern vapor deposition electrode 33a is disposed closer to the heavy edge 32a and connected to the heavy edge 32a.

Description

本発明は、金属化フィルムコンデンサに関する。 The present invention relates to a metallized film capacitor.

母材となる誘電体フィルム上に金属膜を蒸着することで金属化フィルムを形成し、正極の金属化フィルムと負極の金属化フィルムとを重ねて１セットとし、それを幾層に重ねることで、コンデンサとして電気を蓄えることができる金属化フィルムコンデンサが形成される。 A metallized film is formed by vapor-depositing a metal film on a dielectric film as a base material, and the metallized film for the positive electrode and the metallized film for the negative electrode are stacked into one set, and the layers are stacked in layers. As a capacitor, a metallized film capacitor capable of storing electricity is formed.

金属化フィルムコンデンサは、セルフヒーリングと呼ばれる自己回復機能を備えている。この自己回復機能は、絶縁欠陥部で短絡が生じた場合に、短絡のエネルギーで欠陥部周辺の蒸着電極（蒸着された金属膜で形成された電極）が蒸発・飛散して絶縁化し、コンデンサの機能が回復する機能である。 The metallized film capacitor has a self-healing function called self-healing. This self-healing function allows the vapor deposition electrodes (electrodes formed from the deposited metal film) around the defect to evaporate and scatter due to the short-circuit energy when a short circuit occurs in the insulation defect. This is a function that recovers.

さらに、金属化フィルムコンデンサは、保安機能を備えている場合がある（例えば特許文献１参照）。保安機能とは、ヒューズ機能によって絶縁欠陥部を切り離し、絶縁を回復する機能である。 Furthermore, the metallized film capacitor may have a security function (see, for example, Patent Document 1). The security function is a function of cutting off the insulation defect portion by the fuse function and recovering the insulation.

ところで、金属化フィルムコンデンサには、金属化フィルムを切断加工することで形成されるものがある。例えば、長尺状の金属化フィルムを切断し、切断された金属化フィルムを積層することで金属化フィルムコンデンサを形成することがある。または、複数の金属化フィルムが積層された長尺状の金属化フィルム積層体を切断することで、金属化フィルムコンデンサを形成することがある。このような切断加工を行う場合、切断面の絶縁を確保する必要がある。例えば、切断時に発生した熱で母材の誘電体フィルム（樹脂）を溶融することで絶縁層（溶融層）を設け、そのことによって絶縁を確保することがある。切断面において絶縁が確保されていない場合、絶縁破壊が発生するが、上記の保安機能が働くため、金属化フィルムコンデンサの絶縁破壊が回避される。 Incidentally, some metallized film capacitors are formed by cutting a metallized film. For example, a metallized film capacitor may be formed by cutting a long metallized film and laminating the cut metallized films. Alternatively, a metallized film capacitor may be formed by cutting a long metallized film laminate in which a plurality of metallized films are laminated. When performing such a cutting process, it is necessary to ensure insulation of a cut surface. For example, an insulating layer (melted layer) may be provided by melting a dielectric film (resin) as a base material with heat generated at the time of cutting, thereby ensuring insulation. When insulation is not ensured at the cut surface, dielectric breakdown occurs. However, since the above-described safety function works, dielectric breakdown of the metallized film capacitor is avoided.

ここで、図６から図９を参照して、保安機能を有する金属化フィルムコンデンサについて説明する。図６及び図７に、切断面から見た従来技術に係る金属化フィルムコンデンサの模式図を示す。図７は、図６の一部を示す図であり、説明の便宜上、メタリコン１２２，１２４は図示されておらず、一部の金属化フィルムが図示されている。金属化フィルムコンデンサ１００は、金属化フィルム１１０ａと金属化フィルム１１０ｂとが交互に互い違いに積層された積層体を有している。その積層体の一方の端面には、外部電極としてのメタリコン１２２が形成されており、他方の端面には、外部電極としてのメタリコン１２４が形成されている。 Here, a metallized film capacitor having a security function will be described with reference to FIGS. 6 and 7 are schematic views of a metallized film capacitor according to the prior art viewed from a cut surface. FIG. 7 is a diagram showing a part of FIG. 6. For convenience of explanation, the metallicons 122 and 124 are not shown, but a part of the metallized film is shown. The metallized film capacitor 100 has a laminate in which metallized films 110a and metallized films 110b are alternately laminated. A metallicon 122 as an external electrode is formed on one end face of the laminate, and a metallicon 124 as an external electrode is formed on the other end face.

図８に、従来技術に係る金属化フィルムを示す。図８は、従来技術に係る金属化フィルムの平面図である。図８（ａ）に示す金属化フィルム１１０ａは、正極の金属化フィルムであり、図８（ｂ）に示す金属化フィルム１１０ｂは、負極の金属化フィルムである。正極の金属化フィルム１１０ａは、正極のメタリコン１２２に電気的に接続されており、負極の金属化フィルム１１０ｂは、負極のメタリコン１２４に電気的に接続されている。 FIG. 8 shows a metallized film according to the prior art. FIG. 8 is a plan view of a metallized film according to the prior art. A metallized film 110a shown in FIG. 8A is a positive electrode metallized film, and a metallized film 110b shown in FIG. 8B is a negative electrode metallized film. The positive electrode metallized film 110 a is electrically connected to the positive metallized metal 122, and the negative electrode metallized film 110 b is electrically connected to the negative metallized metal 124.

図７に示すように、金属化フィルム１１０ａ，１１０ｂは、誘電体フィルム３１上に金属膜が蒸着されることで形成される。図７及び図８に示すように、誘電体フィルム３１上において、一方の端部から中央部にかけて非パターン蒸着電極３２が形成されており、その中央部から他方の端部にかけてパターン蒸着電極３３が形成されている。その他方の端部には、金属膜が蒸着されていない絶縁マージン３９が形成されている。非パターン蒸着電極３２は、いわゆるベタの金属膜であり、非パターン蒸着電極３２の全領域に金属膜が蒸着されている。正極の金属化フィルム１１０ａにおいては、非パターン蒸着電極３２の一方の端部が、正極のメタリコン１２２に電気的に接続されている。負極の金属化フィルム１１０ｂにおいては、非パターン蒸着電極３２の一方の端部が、負極のメタリコン１２４に電気的に接続されている。また、非パターン蒸着電極３２とパターン蒸着電極３３とは、直線状のスリット３７によって区分けされている。スリット３７は、金属膜が無い溝であり、例えば、金属膜が蒸着されなかった領域や、蒸着された金属膜が取り除かれた領域である。スリット３７は、金属膜を蒸着させたヒューズ部３８によって一部が途切れており、そのヒューズ部３８を介して、非パターン蒸着電極３２とパターン蒸着電極３３とが電気的に接続されている。そして、パターン蒸着電極３３は、誘電体フィルム３１の中央部から絶縁マージン３９にかけて形成されている。 As shown in FIG. 7, the metallized films 110 a and 110 b are formed by depositing a metal film on the dielectric film 31. As shown in FIGS. 7 and 8, on the dielectric film 31, a non-pattern vapor deposition electrode 32 is formed from one end portion to the central portion, and the pattern vapor deposition electrode 33 is formed from the central portion to the other end portion. Is formed. An insulating margin 39 where no metal film is deposited is formed at the other end. The non-pattern vapor deposition electrode 32 is a so-called solid metal film, and the metal film is vapor-deposited on the entire area of the non-pattern vapor deposition electrode 32. In the positive electrode metallized film 110 a, one end of the non-patterned vapor deposition electrode 32 is electrically connected to the positive metallicon 122. In the negative electrode metallized film 110 b, one end of the non-patterned vapor deposition electrode 32 is electrically connected to the negative metallicon 124. Further, the non-pattern vapor deposition electrode 32 and the pattern vapor deposition electrode 33 are separated by a linear slit 37. The slit 37 is a groove without a metal film, and is, for example, a region where the metal film is not deposited or a region where the deposited metal film is removed. A part of the slit 37 is interrupted by a fuse portion 38 on which a metal film is vapor-deposited, and the non-pattern vapor deposition electrode 32 and the pattern vapor deposition electrode 33 are electrically connected via the fuse portion 38. The pattern vapor deposition electrode 33 is formed from the center of the dielectric film 31 to the insulation margin 39.

パターン蒸着電極３３は、金属膜が蒸着されて形成された蒸着電極と、この蒸着電極を複数のセグメント電極３４（分割電極）に区画するスリット３５と、によって形成されている。スリット３５は、金属膜が無い溝であり、例えば、金属膜が蒸着されなかった領域や、蒸着された金属膜が取り除かれた領域である。スリット３５は、金属膜が蒸着されたヒューズ部３６によって一部が途切れている。 The pattern vapor deposition electrode 33 is formed by a vapor deposition electrode formed by vapor deposition of a metal film and a slit 35 that partitions the vapor deposition electrode into a plurality of segment electrodes 34 (divided electrodes). The slit 35 is a groove without a metal film, and is, for example, a region where the metal film is not deposited or a region where the deposited metal film is removed. The slit 35 is partially broken by the fuse portion 36 on which a metal film is deposited.

図９を参照して、セグメント電極３４及びスリット３５の形状について説明する。スリット３５は、一例として曲線の波型形状を有しており、複数のスリット３５が、交互に反転しながら形成されている。複数のスリット３５によって区画されたセグメント電極３４は、略円形状又は略楕円形状となる。ヒューズ部３６は、スリット３５の一部を寸断するように形成された第１のヒューズ部３６ａと、２つのスリット３５の隙間（２つのスリット３５の距離が最も狭くなる領域）からなる第２のヒューズ部３６ｂとを含んで構成されている。このように、ヒューズ部３６によって、隣接するセグメント電極３４同士が電気的に接続され、互いに導通可能となっている。そして、絶縁破壊が発生した場合、短絡電流がヒューズ部３６（第１のヒューズ部３６ａ及び第２のヒューズ部３６ｂ）を溶断し、絶縁破壊が生じたセグメント電極３４を、隣接するセグメント電極３４から切り離す。これにより、金属化フィルムコンデンサ１００の絶縁が回復し、金属化フィルムコンデンサ１００の絶縁破壊が回避される。この機能が、保安機能である。 The shape of the segment electrode 34 and the slit 35 will be described with reference to FIG. The slit 35 has, for example, a curved corrugated shape, and a plurality of slits 35 are formed while being alternately inverted. The segment electrode 34 partitioned by the plurality of slits 35 has a substantially circular shape or a substantially elliptical shape. The fuse portion 36 includes a first fuse portion 36a formed so as to cut off a part of the slit 35, and a second gap formed by a gap between the two slits 35 (a region where the distance between the two slits 35 is the narrowest). And a fuse portion 36b. As described above, the adjacent segment electrodes 34 are electrically connected to each other by the fuse portion 36 and can be electrically connected to each other. When breakdown occurs, the short-circuit current blows the fuse portion 36 (the first fuse portion 36a and the second fuse portion 36b), and the segment electrode 34 in which the breakdown has occurred is separated from the adjacent segment electrode 34. Separate. Thereby, the insulation of the metallized film capacitor 100 is recovered, and the dielectric breakdown of the metallized film capacitor 100 is avoided. This function is a security function.

特開２０１２−９９７４７号公報JP 2012-99747 A

上記のように、金属化フィルムコンデンサの切断面の絶縁を確保するために、切断面に溶融層を設けることがあるが、溶融層の厚み不足等によって十分な絶縁が確保されていない場合、切断面で絶縁破壊が生じることがある。保安機能を備えた金属化フィルムコンデンサであれば、その保安機能によって絶縁が回復し、金属化フィルムコンデンサの絶縁破壊が回避される。 As mentioned above, in order to ensure the insulation of the cut surface of the metallized film capacitor, a melt layer may be provided on the cut surface, but if sufficient insulation is not ensured due to insufficient thickness of the melt layer, etc. Dielectric breakdown may occur on the surface. In the case of a metallized film capacitor having a security function, insulation is restored by the security function, and dielectric breakdown of the metallized film capacitor is avoided.

しかしながら、金属化フィルムコンデンサに印加する電圧を更に高めた場合、正極及び負極のベタ蒸着電極間で絶縁破壊が発生し、大電流が流れて金属化フィルムコンデンサの破壊に繋がるおそれがあるため、定格電圧を高くすることが困難となる。 However, if the voltage applied to the metallized film capacitor is further increased, dielectric breakdown may occur between the positive and negative electrode solid-deposited electrodes, and a large current may flow, leading to the destruction of the metallized film capacitor. It becomes difficult to increase the voltage.

この点について、図７を参照して詳しく説明する。例えば、正極の金属化フィルム１１０ａの非パターン蒸着電極３２と、負極の金属化フィルム１１０ｂの非パターン蒸着電極３２と、の間で絶縁破壊が生じて、これら２つの非パターン蒸着電極３２がショートしたものとする（図７中に示す符号Ｘの箇所）。正極の複数の金属化フィルム１１０ａは、正極のメタリコン１２２を介して互いに電気的に接続されているため、ショートを起こした金属化フィルム１１０ａには、メタリコン１２２を介して他の金属化フィルム１１０ａから電荷が流れ込み（図７中の矢印Ａ）、更に、流れ込んだ電荷は、ショートを起こした金属化フィルム１１０ａを介して、絶縁破壊が発生した箇所に流れ込む。同様に、負極の複数の金属化フィルム１１０ｂは、負極のメタリコン１２４を介して互いに電気的に接続されているため、ショートを起こした金属化フィルム１１０ｂには、メタリコン１２４を介して他の金属化フィルム１１０ｂから電荷が流れ込み（図７中の矢印Ｂ）、更に、流れ込んだ電荷は、ショートを起こした金属化フィルム１１０ｂを介して、絶縁破壊が発生した箇所に流れ込む。このように、金属化フィルムコンデンサ１００の切断面にて絶縁破壊が発生すると、ショートした金属化フィルム１１０ａ，１１０ｂ以外の他の金属化フィルム１１０ａ，１１０ｂから、メタリコン１２２，１２４を介して、絶縁破壊が発生した箇所に電荷が回り込むので、より大きな電流が、絶縁破壊が発生した箇所に流れるおそれがある。 This point will be described in detail with reference to FIG. For example, a dielectric breakdown occurs between the non-pattern vapor deposition electrode 32 of the positive electrode metallized film 110a and the non-pattern vapor deposition electrode 32 of the negative electrode metallization film 110b, and the two non-pattern vapor deposition electrodes 32 are short-circuited. It shall be (the part of the code | symbol X shown in FIG. 7). Since the plurality of metallized films 110a of the positive electrode are electrically connected to each other via the metallicon 122 of the positive electrode, the metallized film 110a that has caused a short circuit is connected to another metallized film 110a via the metallicon 122. Charge flows in (arrow A in FIG. 7), and the flowed-in charge flows into the location where dielectric breakdown has occurred via the metallized film 110a that has caused a short circuit. Similarly, since the plurality of metallized films 110b of the negative electrode are electrically connected to each other via the metallicon 124 of the negative electrode, the metallized film 110b that has caused the short circuit is connected to another metallized film via the metallicon 124. Electric charge flows from the film 110b (arrow B in FIG. 7), and further, the electric charge that has flowed flows through the metallized film 110b that has caused a short circuit to a location where dielectric breakdown has occurred. As described above, when dielectric breakdown occurs at the cut surface of the metallized film capacitor 100, dielectric breakdown occurs from the metallized films 110a and 110b other than the shorted metallized films 110a and 110b through the metallicons 122 and 124. Since the electric charge goes around the place where the occurrence of the breakdown occurs, a larger current may flow to the place where the dielectric breakdown occurs.

上記の現象を回避するために、金属化フィルムコンデンサにおいて、非パターン蒸着電極（ベタ蒸着電極）を設けずに、すべての蒸着電極をパターン蒸着電極によって構成することで、耐電圧性能を高めることが考えられる。しかしながら、パターン蒸着電極の割合を多くするほど、蒸着電極中に静電容量の発現に寄与しないスリットの面積が多くなるので、非パターン蒸着電極が設けられた金属化フィルムコンデンサと比べて、蒸着電極の全体の面積が小さくなり、静電容量の低下や電気抵抗の増加等を引き起こしてしまう問題がある。 In order to avoid the above phenomenon, in a metallized film capacitor, withstand voltage performance can be enhanced by configuring all the vapor deposition electrodes with pattern vapor deposition electrodes without providing non-pattern vapor deposition electrodes (solid vapor deposition electrodes). Conceivable. However, as the ratio of the patterned vapor deposition electrode increases, the area of the slit that does not contribute to the development of the capacitance in the vapor deposition electrode increases, so compared with the metallized film capacitor provided with the non-pattern vapor deposition electrode There is a problem that the entire area of the substrate becomes small, causing a decrease in capacitance and an increase in electrical resistance.

本発明の目的は、金属化フィルムコンデンサの静電容量の低下を抑制するとともに、蒸着電極間で絶縁破壊が発生した場合であっても、他の金属化フィルムから絶縁破壊が発生した箇所への電流の流れ込みを抑制することである。 The purpose of the present invention is to suppress the decrease in the capacitance of the metallized film capacitor, and even when a dielectric breakdown occurs between the vapor deposition electrodes, it is possible to transfer from another metallized film to the location where the dielectric breakdown occurs. It is to suppress the flow of current.

請求項１に係る発明は、複数の金属化フィルムを重ねることで構成された金属化フィルム体と、前記金属化フィルム体の両端面に形成された外部電極と、を有する金属化フィルムコンデンサであって、前記複数の金属化フィルムのそれぞれは、誘電体フィルムと、前記誘電体フィルム上に蒸着された金属膜で構成された第１の非パターン蒸着電極と、前記誘電体フィルム上に蒸着された金属膜で構成され、前記第１の非パターン蒸着電極に接続されたパターン蒸着電極と、前記誘電体フィルムの一端に蒸着された金属膜で構成され、前記誘電体フィルムの一端において前記外部電極に接続された第２の非パターン蒸着電極と、を備え、前記パターン蒸着電極は、前記誘電体フィルム上に蒸着された金属膜で構成され、金属膜の無いスリットによって区画された複数のセグメント電極と、前記誘電体フィルム上に蒸着された金属膜で構成され、前記スリットの一部を途切れさせ、隣接するセグメント電極同士を導通可能にするヒューズ部と、を備え、前記第１の非パターン蒸着電極よりも前記第２の非パターン蒸着電極側に配置されて前記第２の非パターン蒸着電極に接続されている、ことを特徴とする金属化フィルムコンデンサである。 The invention according to claim 1 is a metallized film capacitor having a metallized film body formed by stacking a plurality of metallized films, and external electrodes formed on both end faces of the metallized film body. Each of the plurality of metallized films was deposited on the dielectric film, a first non-patterned deposition electrode composed of a metal film deposited on the dielectric film, and the dielectric film. It is composed of a metal film and is composed of a pattern vapor deposition electrode connected to the first non-pattern vapor deposition electrode and a metal film deposited on one end of the dielectric film, and is connected to the external electrode at one end of the dielectric film. A second non-pattern vapor deposition electrode connected to the slit, and the pattern vapor deposition electrode is made of a metal film deposited on the dielectric film, and has a slit without a metal film. A plurality of segment electrodes partitioned by each other, and a fuse portion that is composed of a metal film deposited on the dielectric film, interrupts a part of the slit, and allows conduction between adjacent segment electrodes. And a metallized film capacitor, wherein the metallized film capacitor is disposed closer to the second non-pattern vapor deposition electrode than the first non-pattern vapor deposition electrode and connected to the second non-pattern vapor deposition electrode. .

請求項２に係る発明は、請求項１に記載の金属化フィルムコンデンサにおいて、前記第１の非パターン蒸着電極は、複数のパターン蒸着電極の間に配置されている、ことを特徴とする金属化フィルムコンデンサである。 The invention according to claim 2 is the metallized film capacitor according to claim 1, wherein the first non-pattern vapor deposition electrode is disposed between the plurality of pattern vapor deposition electrodes. It is a film capacitor.

請求項３に係る発明は、請求項１又は請求項２に記載の金属化フィルムコンデンサにおいて、前記第１の非パターン蒸着電極の面積は、前記第２の非パターン蒸着電極の面積よりも大きい、ことを特徴とする金属化フィルムコンデンサである。 The invention according to claim 3 is the metallized film capacitor according to claim 1 or 2, wherein the area of the first non-pattern vapor deposition electrode is larger than the area of the second non-pattern vapor deposition electrode. This is a metallized film capacitor.

本発明によれば、第２の非パターン蒸着電極側（外部電極側）にパターン蒸着電極を配置することで、複数の金属化フィルムの第１の非パターン蒸着電極間で絶縁破壊が発生した場合であっても、他の金属化フィルムから絶縁破壊が発生した箇所への電流の流れこみを、パターン蒸着電極によって抑制することが可能となる。また、第１の非パターン蒸着電極（ベタ蒸着電極）を設けることで、すべての蒸着電極をパターン蒸着電極によって構成する場合と比べて、静電容量の低下が抑制される。 According to the present invention, when a dielectric breakdown occurs between the first non-pattern vapor deposition electrodes of a plurality of metallized films by arranging the pattern vapor deposition electrode on the second non-pattern vapor deposition electrode side (external electrode side) Even so, it is possible to suppress the flow of current from the other metallized film to the location where the dielectric breakdown has occurred by the pattern vapor deposition electrode. In addition, by providing the first non-pattern vapor deposition electrode (solid vapor deposition electrode), a decrease in capacitance is suppressed as compared with a case where all the vapor deposition electrodes are configured by pattern vapor deposition electrodes.

本発明の実施形態に係る金属化フィルムコンデンサの一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the metallized film capacitor which concerns on embodiment of this invention. 切断面から見た本実施形態に係る金属化フィルムコンデンサの模式図である。It is a mimetic diagram of a metallized film capacitor concerning this embodiment seen from a cut surface. 切断面から見た本実施形態に係る金属化フィルムコンデンサの一部を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows a part of metallized film capacitor which concerns on this embodiment seen from the cut surface. 本実施形態に係る金属化フィルムの一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the metallized film which concerns on this embodiment. 切断面から見た変形例に係る金属化フィルムコンデンサの一部を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows a part of metallized film capacitor | condenser which concerns on the modification seen from the cut surface. 切断面から見た従来技術に係る金属化フィルムコンデンサの模式図である。It is a schematic diagram of the metallized film capacitor which concerns on the prior art seen from the cut surface. 切断面から見た従来技術に係る金属化フィルムコンデンサの一部を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows a part of metallized film capacitor based on the prior art seen from the cut surface. 従来技術に係る金属化フィルムを示す平面図である。It is a top view which shows the metallized film which concerns on a prior art. セグメント電極及びスリットの拡大図である。It is an enlarged view of a segment electrode and a slit.

図１に、本実施形態に係る金属化フィルムコンデンサの一例を示す。本実施形態に係る金属化フィルムコンデンサ１０は、金属化フィルム積層体２０と、金属化フィルム積層体２０の一方の端面に形成されたメタリコン５２と、金属化フィルム積層体２０の他方の端面に形成されたメタリコン５４と、によって形成された素子である。メタリコン５２，５４は、金属化フィルム積層体２０内の蒸着電極と電気的に接続されており、当該蒸着金属は内部電極として機能し、メタリコン５２，５４は外部電極として機能する。金属化フィルム積層体２０は、複数の金属化フィルムが積層されたものである。 FIG. 1 shows an example of a metallized film capacitor according to this embodiment. The metallized film capacitor 10 according to the present embodiment is formed on the metallized film laminate 20, the metallicon 52 formed on one end surface of the metallized film laminate 20, and the other end surface of the metallized film laminate 20. This is an element formed by the formed metallicon 54. The metallicons 52 and 54 are electrically connected to the vapor deposition electrodes in the metallized film laminate 20, and the vapor deposition metal functions as an internal electrode, and the metallicons 52 and 54 function as external electrodes. The metallized film laminate 20 is obtained by laminating a plurality of metallized films.

金属化フィルムコンデンサ１０は、例えば、長尺状の金属化フィルムを切断し、切断された金属化フィルムを積層することで形成される。または、金属化フィルムコンデンサ１０は、複数の金属化フィルムが積層された長尺状の金属化フィルム積層体を切断することで形成されてもよい。このように、金属化フィルムコンデンサ１０が切断加工によって形成されると、メタリコン５２，５４が形成されていない側面に切断面６０が形成されることになる。 The metallized film capacitor 10 is formed, for example, by cutting a long metallized film and laminating the cut metallized films. Alternatively, the metallized film capacitor 10 may be formed by cutting a long metallized film laminate in which a plurality of metallized films are laminated. As described above, when the metallized film capacitor 10 is formed by cutting, the cut surface 60 is formed on the side surface where the metallicons 52 and 54 are not formed.

図２から図４を参照して、本実施形態に係る金属化フィルムについて説明する。図２は、切断面６０から見た金属化フィルムコンデンサ１０の模式図である。図３は、図２の一部を示す図であり、説明の便宜上、一部の金属化フィルムが図示されている。金属化フィルム積層体２０は、金属化フィルム３０ａと金属化フィルム３０ｂとが交互に互い違いに積層された積層体である。図４（ａ）に示す金属化フィルム３０ａは、正極の金属化フィルムであり、図４（ｂ）に示す金属化フィルム３０ｂは、負極の金属化フィルムである。金属化フィルム３０ａ，３０ｂは、同じ構成を有する。正極の金属化フィルム３０ａは、正極のメタリコン５２に電気的に接続されており、負極の金属化フィルム３０ｂは、負極のメタリコン５４に電気的に接続されている。 The metallized film according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a schematic view of the metallized film capacitor 10 viewed from the cut surface 60. FIG. 3 is a diagram showing a part of FIG. 2, and a part of the metallized film is shown for convenience of explanation. The metallized film laminate 20 is a laminate in which metallized films 30a and metallized films 30b are alternately laminated. A metallized film 30a shown in FIG. 4A is a positive electrode metallized film, and a metallized film 30b shown in FIG. 4B is a negative electrode metallized film. The metallized films 30a and 30b have the same configuration. The positive electrode metallized film 30 a is electrically connected to the positive metallized metal 52, and the negative electrode metallized film 30 b is electrically connected to the negative metallized metal 54.

図３に示すように、金属化フィルム３０ａ，３０ｂは、誘電体フィルム３１上に金属膜が蒸着されることで形成される。図３及び図４に示すように、誘電体フィルム３１上において、一方の端部には、ヘビーエッジ３２ａが形成され、他方の端部には、金属膜が蒸着されていない絶縁マージン３９が形成されている。ヘビーエッジ３２ａと絶縁マージン３９との間には、非パターン蒸着電極３２ｂとパターン蒸着電極３３ａ，３３ｂとが形成されている。一例として、金属化フィルム３０ａ，３０ｂの一方の端部から他方の端部にかけて、ヘビーエッジ３２ａ、パターン蒸着電極３３ａ、非パターン蒸着電極３２ｂ、パターン蒸着電極３３ｂ、及び、絶縁マージン３９が、その順番で配置されている。 As shown in FIG. 3, the metallized films 30 a and 30 b are formed by depositing a metal film on the dielectric film 31. As shown in FIGS. 3 and 4, on the dielectric film 31, a heavy edge 32a is formed at one end, and an insulating margin 39 on which no metal film is deposited is formed at the other end. Has been. Between the heavy edge 32a and the insulation margin 39, a non-pattern vapor deposition electrode 32b and pattern vapor deposition electrodes 33a and 33b are formed. As an example, a heavy edge 32a, a pattern deposition electrode 33a, a non-pattern deposition electrode 32b, a pattern deposition electrode 33b, and an insulation margin 39 are arranged in this order from one end of the metallized films 30a and 30b to the other end. Is arranged in.

正極の金属化フィルム３０ａにおいては、ヘビーエッジ３２ａが、正極のメタリコン５２に電気的に接続されている。一方、負極の金属化フィルム３０ｂにおいては、ヘビーエッジ３２ａが、負極のメタリコン５４に電気的に接続されている。 In the metallized film 30a of the positive electrode, the heavy edge 32a is electrically connected to the metallicon 52 of the positive electrode. On the other hand, in the metallized film 30b of the negative electrode, the heavy edge 32a is electrically connected to the metallicon 54 of the negative electrode.

ヘビーエッジ３２ａ及び非パターン蒸着電極３２ｂは、いわゆるベタの金属膜であり、ヘビーエッジ３２ａ及び非パターン蒸着電極３２ｂの全領域に金属膜が蒸着されている。本実施形態では、非パターン蒸着電極３２ｂの面積は、ヘビーエッジ３２ａの面積よりも大きい。ヘビーエッジ３２ａは、メタリコン５２，５４との接続性を良くするために設けられており、非パターン蒸着電極３２ｂは、静電容量の発現に寄与する電極であるため、非パターン蒸着電極３２ｂの面積をより大きくすることで、静電容量を増大させることができる。 The heavy edge 32a and the non-pattern vapor deposition electrode 32b are so-called solid metal films, and the metal film is vapor-deposited on the entire region of the heavy edge 32a and the non-pattern vapor deposition electrode 32b. In this embodiment, the area of the non-pattern vapor deposition electrode 32b is larger than the area of the heavy edge 32a. The heavy edge 32a is provided to improve the connectivity with the metallicons 52 and 54, and the non-patterned vapor deposition electrode 32b is an electrode that contributes to the development of capacitance, and therefore the area of the non-pattern vapor deposition electrode 32b. The capacitance can be increased by increasing the value of.

パターン蒸着電極３３ａの一端はヘビーエッジ３２ａに電気的に接続されており、パターン蒸着電極３３ａは、ヘビーエッジ３２ａから誘電体フィルム３１の中央部にかけて形成されている。ヘビーエッジ３２ａとパターン蒸着電極３３ａとは、直線状のスリット３７ａによって区分けされている。スリット３７ａは、金属膜が無い溝であり、例えば、金属膜が蒸着されなかった領域や、蒸着された金属膜が取り除かれた領域である。スリット３７ａは、金属膜を蒸着させたヒューズ部３８ａによって一部が途切れており、そのヒューズ部３８ａを介して、ヘビーエッジ３２ａとパターン蒸着電極３３ａとが電気的に接続されている。 One end of the pattern vapor deposition electrode 33 a is electrically connected to the heavy edge 32 a, and the pattern vapor deposition electrode 33 a is formed from the heavy edge 32 a to the center of the dielectric film 31. The heavy edge 32a and the pattern vapor deposition electrode 33a are separated by a linear slit 37a. The slit 37a is a groove without a metal film, and is, for example, a region where the metal film is not deposited or a region where the deposited metal film is removed. A part of the slit 37a is interrupted by a fuse portion 38a on which a metal film is deposited, and the heavy edge 32a and the pattern deposition electrode 33a are electrically connected via the fuse portion 38a.

また、パターン蒸着電極３３ａの他端は非パターン蒸着電極３２ｂの一端に電気的に接続されている。パターン蒸着電極３３ａと非パターン蒸着電極３２ｂとは、直線状のスリット３７ｂによって区分けされている。スリット３７ｂは、スリット３７ａと同様に、金属膜が無い溝である。スリット３７ｂは、金属膜を蒸着させたヒューズ部３８ｂによって一部が途切れており、そのヒューズ部３８ｂを介して、パターン蒸着電極３３ａと非パターン蒸着電極３２ｂとが電気的に接続されている。 The other end of the pattern deposition electrode 33a is electrically connected to one end of the non-pattern deposition electrode 32b. The pattern vapor deposition electrode 33a and the non-pattern vapor deposition electrode 32b are separated by a linear slit 37b. The slit 37b is a groove without a metal film, like the slit 37a. The slit 37b is partially interrupted by a fuse portion 38b on which a metal film is deposited, and the pattern deposition electrode 33a and the non-pattern deposition electrode 32b are electrically connected via the fuse portion 38b.

また、非パターン蒸着電極３２ｂの他端はパターン蒸着電極３３ｂに電気的に接続されている。非パターン蒸着電極３２ｂとパターン蒸着電極３３ｂとは、直線状のスリット３７ｃによって区分けされている。スリット３７ｃは、スリット３７ａと同様に、金属膜が無い溝である。スリット３７ｃは、金属膜を蒸着させたヒューズ部３８ｃによって一部が途切れており、そのヒューズ部３８ｃを介して、非パターン蒸着電極３２ｂとパターン蒸着電極３３ｂとが電気的に接続されている。パターン蒸着電極３３ｂは、非パターン蒸着電極３２ｂから絶縁マージン３９にかけて形成されている。 The other end of the non-pattern vapor deposition electrode 32b is electrically connected to the pattern vapor deposition electrode 33b. The non-pattern vapor deposition electrode 32b and the pattern vapor deposition electrode 33b are separated by a linear slit 37c. The slit 37c is a groove without a metal film, like the slit 37a. A part of the slit 37c is interrupted by a fuse portion 38c on which a metal film is deposited, and the non-pattern vapor deposition electrode 32b and the pattern vapor deposition electrode 33b are electrically connected via the fuse portion 38c. The pattern deposition electrode 33b is formed from the non-pattern deposition electrode 32b to the insulation margin 39.

このように、パターン蒸着電極３３ａが、非パターン蒸着電極３２ｂよりも、ヘビーエッジ３２ａ（メタリコン５２又はメタリコン５４に接続される電極）側に配置されている。すなわち、非パターン蒸着電極３２ｂは、メタリコン５２又はメタリコン５４に直接接続されておらず、パターン蒸着電極３３ａを介してヘビーエッジ３２ａに接続されている。また、別のパターン蒸着電極３３ｂが、ヘビーエッジ３２ａとは反対側の端部（絶縁マージン３９側）に配置されている。これにより、非パターン蒸着電極３２ｂは、パターン蒸着電極３３ａ，３３ｂの間に配置されて囲まれた状態となる。 Thus, the pattern vapor deposition electrode 33a is arrange | positioned rather than the non-pattern vapor deposition electrode 32b at the heavy edge 32a (electrode connected to the metallicon 52 or the metallicon 54) side. That is, the non-pattern vapor deposition electrode 32b is not directly connected to the metallicon 52 or the metallicon 54, but is connected to the heavy edge 32a via the pattern vapor deposition electrode 33a. Further, another pattern vapor deposition electrode 33b is disposed at the end (insulation margin 39 side) opposite to the heavy edge 32a. Thereby, the non-pattern vapor deposition electrode 32b will be arrange | positioned and surrounded between the pattern vapor deposition electrodes 33a and 33b.

パターン蒸着電極３３ａ，３３ｂは、金属膜が蒸着されて形成された蒸着電極と、この蒸着電極を複数のセグメント電極３４（分割電極）に区画するスリット３５と、によって形成されている。スリット３５は、金属膜が無い溝であり、例えば、金属膜が蒸着されなかった領域や、蒸着された金属膜が取り除かれた領域である。スリット３５は、金属膜を蒸着させたヒューズ部３６によって一部が途切れている。セグメント電極３４及びスリット３５の詳細な形状を、図９に示す。図９を参照して説明したように、ヒューズ部３６は、スリット３５の一部を寸断するように形成された第１のヒューズ部３６ａと、２つのスリット３５の隙間からなる第２のヒューズ部３６ｂとを含んで構成されている。このように、ヒューズ部３６によって、隣接するセグメント電極３４同士が電気的に接続され、互いに導通可能となっている。これにより、金属化フィルムコンデンサ１０の保安機能が実現され、金属化フィルムコンデンサの絶縁破壊が回避される。 The pattern vapor deposition electrodes 33a and 33b are formed by vapor deposition electrodes formed by vapor deposition of metal films and slits 35 that partition the vapor deposition electrodes into a plurality of segment electrodes 34 (divided electrodes). The slit 35 is a groove without a metal film, and is, for example, a region where the metal film is not deposited or a region where the deposited metal film is removed. A part of the slit 35 is interrupted by a fuse portion 36 on which a metal film is deposited. The detailed shapes of the segment electrode 34 and the slit 35 are shown in FIG. As described with reference to FIG. 9, the fuse portion 36 includes a first fuse portion 36 a formed so as to cut off a part of the slit 35 and a second fuse portion formed by a gap between the two slits 35. 36b. As described above, the adjacent segment electrodes 34 are electrically connected to each other by the fuse portion 36 and can be electrically connected to each other. Thereby, the security function of the metallized film capacitor 10 is realized, and the dielectric breakdown of the metallized film capacitor is avoided.

なお、誘電体フィルム３１は、絶縁性の樹脂によって構成され、例えば、ポリエチレンテレフタラートやポリプロピレン等によって構成される。金属膜は、例えば、アルミニウム、亜鉛、又は、その合金等によって構成される。誘電体フィルム３１への金属膜の形成は、蒸着やスパッタリング等の公知の蒸着技術が用いられる。一例として、アルミニウムを誘電体フィルム３１上に蒸着することで、蒸着膜抵抗が６〜４０Ω／□のアルミニウム膜を形成する。また、ヘビーエッジ３２ａは、アルミニウム膜上に亜鉛（蒸着膜抵抗が２〜１０Ω／□）が蒸着されることで形成される。 The dielectric film 31 is made of an insulating resin, such as polyethylene terephthalate or polypropylene. The metal film is made of, for example, aluminum, zinc, or an alloy thereof. The metal film is formed on the dielectric film 31 using a known vapor deposition technique such as vapor deposition or sputtering. As an example, by depositing aluminum on the dielectric film 31, an aluminum film having a deposited film resistance of 6 to 40Ω / □ is formed. The heavy edge 32a is formed by depositing zinc (deposition film resistance is 2 to 10Ω / □) on an aluminum film.

以上のように、パターン蒸着電極３３ａを、非パターン蒸着電極３２ｂよりもヘビーエッジ３２ａ側に配置したことで、仮に、正極の金属化フィルム３０ａの非パターン蒸着電極３２ｂと、負極の金属化フィルム３０ｂの非パターン蒸着電極３２ｂと、の間で絶縁破壊が生じて、これら２つの非パターン蒸着電極３２ｂがショートした場合であっても、他の金属化フィルム３０ａ，３０ｂから絶縁破壊が発生した箇所への電流の流れ込みを抑制することが可能となる。 As described above, the pattern vapor deposition electrode 33a is arranged on the heavy edge 32a side with respect to the non-pattern vapor deposition electrode 32b, so that the non-pattern vapor deposition electrode 32b of the positive electrode metallized film 30a and the metallized film 30b of the negative electrode are assumed. Even when the dielectric breakdown occurs between the two non-patterned vapor deposition electrodes 32b and the two non-pattern vapor deposition electrodes 32b are short-circuited, the other metallized films 30a and 30b go to the locations where dielectric breakdown has occurred. Current flow can be suppressed.

この点について、図３を参照して詳しく説明する。正極の複数の金属化フィルム３０ａは、正極のメタリコン５２を介して互いに電気的に接続されているため、ショートを起こした金属化フィルム３０ａには、メタリコン５２を介して他の金属化フィルム３０ａから電荷が流れ込む。本実施形態では、メタリコン５２に電気的に接続されているヘビーエッジ３２ａには、非パターン蒸着電極３２ｂが直接接続されておらず、そのヘビーエッジ３２ａには、パターン蒸着電極３３ａが接続されている。そのため、他の金属化フィルム３０ａからショートを起こした金属化フィルム３０ａに流れ込んだ電荷は、ヘビーエッジ３２ａを介してパターン蒸着電極３３ａに流れ込み、そのパターン蒸着電極３３ａの保安機能によって減少するので、パターン蒸着電極３３ａに接続された非パターン蒸着電極３２ｂへの電荷の流れ込みを抑制することができる。その結果、絶縁破壊が発生した箇所への電流の流れ込みを抑制することができる。このように、非パターン蒸着電極３２ｂは、パターン蒸着電極３３ａを介してヘビーエッジ３２ａに接続されているため、絶縁破壊時に他の金属化フィルム３０ａからショートを起こした金属化フィルム３０ａの非パターン蒸着電極３２ｂへの電流の流れ込みを抑制することができ、その結果、絶縁破壊が発生した箇所への電流の流れ込みを抑制することが可能となる。 This point will be described in detail with reference to FIG. Since the plurality of metallized films 30a of the positive electrode are electrically connected to each other via the metallicon 52 of the positive electrode, the metallized film 30a that has caused a short circuit is connected to the metallized film 30a via the metallicon 52. Charge flows in. In the present embodiment, the non-pattern vapor deposition electrode 32b is not directly connected to the heavy edge 32a electrically connected to the metallicon 52, and the pattern vapor deposition electrode 33a is connected to the heavy edge 32a. . Therefore, the electric charge that has flowed into the metallized film 30a that has caused the short circuit from the other metallized film 30a flows into the pattern vapor deposition electrode 33a through the heavy edge 32a and is reduced by the security function of the pattern vapor deposition electrode 33a. It is possible to suppress the flow of electric charge into the non-pattern vapor deposition electrode 32b connected to the vapor deposition electrode 33a. As a result, it is possible to suppress the flow of current into the location where the dielectric breakdown has occurred. Thus, since the non-pattern vapor deposition electrode 32b is connected to the heavy edge 32a via the pattern vapor deposition electrode 33a, the non-pattern vapor deposition of the metallized film 30a which caused a short circuit from the other metallized film 30a at the time of dielectric breakdown. It is possible to suppress the flow of current to the electrode 32b, and as a result, it is possible to suppress the flow of current to a location where dielectric breakdown has occurred.

負極についても同様である。負極の複数の金属化フィルム３０ｂは、負極のメタリコン５４を介して互いに電気的に接続されているため、ショートを起こした金属化フィルム３０ｂには、メタリコン５４を介して他の金属化フィルム３０ｂから電荷が流れ込む。この場合も正極と同様に、ショートを起こした金属化フィルム３０ｂに流れ込んだ電荷は、ヘビーエッジ３２ａを介してパターン蒸着電極３３ａに流れ込み、そのパターン蒸着電極３３ａの保安機能によって減少するので、非パターン蒸着電極３２ｂへの電荷の流れ込みを抑制することができる。その結果、絶縁破壊が発生した箇所への電流の流れ込みを抑制することができる。 The same applies to the negative electrode. Since the plurality of metallized films 30b of the negative electrode are electrically connected to each other via the metallicon 54 of the negative electrode, the metallized film 30b that has caused the short circuit is connected to another metallized film 30b via the metallicon 54. Charge flows in. In this case as well as the positive electrode, the electric charge flowing into the short-circuited metallized film 30b flows into the pattern deposition electrode 33a through the heavy edge 32a and is reduced by the security function of the pattern deposition electrode 33a. The flow of electric charge into the vapor deposition electrode 32b can be suppressed. As a result, it is possible to suppress the flow of current into the location where the dielectric breakdown has occurred.

以上のように、金属化フィルムコンデンサ１０の切断面にて絶縁破壊が発生した場合であっても、ショートした金属化フィルム３０ａ，３０ｂ以外の他の金属化フィルム３０ａ，３０ｂから、メタリコン５２，５４を介して、絶縁破壊が発生した箇所への電荷の回り込みを抑制することができるので、絶縁破壊が発生した箇所への大電流の流れ込みを抑制することが可能となる。 As described above, even if dielectric breakdown occurs on the cut surface of the metallized film capacitor 10, the metallized films 52a and 54b are obtained from the metallized films 30a and 30b other than the shorted metallized films 30a and 30b. Since it is possible to suppress the flow of electric charge to the location where the dielectric breakdown has occurred, it is possible to suppress the flow of a large current to the location where the dielectric breakdown has occurred.

また、非パターン蒸着電極３２ｂは、パターン蒸着電極３３ａ，３３ｂによって囲まれているため、そのことによっても、非パターン蒸着電極３２ｂ及び絶縁破壊が発生した箇所への電流の流れ込みを抑制することが可能となる。 Moreover, since the non-pattern vapor deposition electrode 32b is surrounded by the pattern vapor deposition electrodes 33a and 33b, it is also possible to suppress the flow of current into the non-pattern vapor deposition electrode 32b and the location where the dielectric breakdown has occurred. It becomes.

また、本実施形態では、非パターン蒸着電極３２ｂ（ベタ蒸着電極）が設けられているので、すべての蒸着電極をパターン蒸着電極によって構成する場合と比べて、静電容量の発現に寄与する蒸着電極の面積が多くなり、静電容量の低下が抑制される。 Moreover, in this embodiment, since the non-pattern vapor deposition electrode 32b (solid vapor deposition electrode) is provided, the vapor deposition electrode which contributes to expression of an electrostatic capacitance compared with the case where all the vapor deposition electrodes are comprised with a pattern vapor deposition electrode. The area is increased, and the decrease in capacitance is suppressed.

以上のように、本実施形態に係る金属化フィルムコンデンサ１０によると、静電容量の低下を抑制するとともに、ショートを起こした金属化フィルム３０ａ，３０ｂ以外の他の金属化フィルム３０ａ，３０ｂから絶縁破壊が発生した箇所への電流の流れ込みを抑制することが可能となる。 As described above, according to the metallized film capacitor 10 according to the present embodiment, it is possible to suppress a decrease in capacitance and to insulate from other metallized films 30a and 30b other than the metallized films 30a and 30b that cause a short circuit. It is possible to suppress the flow of current to the location where the breakdown has occurred.

次に、図５を参照して変形例について説明する。図５は、切断面から見た変形例に係る金属化フィルムコンデンサの模式図である。図５には、説明の便宜上、一部の金属化フィルムが図示されている。変形例に係る金属化フィルムコンデンサは、図３に示す金属化フィルム積層体２０の代わりに、金属化フィルム積層体２０ａを備えている。変形例においては、非パターン蒸着電極及びパターン蒸着電極が、図２から図４に示す金属化フィルムコンデンサ１０よりも細かく区分けされている。例えば、変形例に係る金属化フィルム３０ａ，３０ｂにおいては、一方の端部から他方の端部にかけて、ヘビーエッジ３２ａ、パターン蒸着電極３３ａ、非パターン蒸着電極３２ｂ、パターン蒸着電極３３ｂ、非パターン蒸着電極３２ｃ、パターン蒸着電極３３ｃ、及び、絶縁マージン３９が、その順番で配置されており、これらはスリット３７によって区分けされている。 Next, a modification will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a schematic view of a metallized film capacitor according to a modification as viewed from the cut surface. FIG. 5 shows some metallized films for convenience of explanation. The metallized film capacitor according to the modification includes a metallized film laminate 20a instead of the metallized film laminate 20 shown in FIG. In the modification, the non-pattern vapor deposition electrode and the pattern vapor deposition electrode are divided more finely than the metallized film capacitor 10 shown in FIGS. For example, in the metallized films 30a and 30b according to the modification, from one end to the other end, a heavy edge 32a, a pattern deposition electrode 33a, a non-pattern deposition electrode 32b, a pattern deposition electrode 33b, and a non-pattern deposition electrode 32c, pattern vapor deposition electrode 33c, and insulation margin 39 are arranged in that order, and these are separated by slits 37.

この変形例においても、パターン蒸着電極３３ａが、非パターン蒸着電極３２ｂ，３２ｃよりもヘビーエッジ３２ａ側に配置されている。そのため、変形例に係る金属化フィルムコンデンサの切断面にて絶縁破壊が発生した場合であっても、ショートを起こした金属化フィルム３０ａ，３０ｂ以外の他の金属化フィルム３０ａ，３０ｂから、メタリコン５２，５４を介して、非パターン蒸着電極３２ｂ，３２ｃ及び絶縁破壊が発生した箇所への電荷の回り込みを抑制することができ、絶縁破壊が発生した箇所への大電流の流れ込みを抑制することが可能となる。また、非パターン蒸着電極３２ｂ，３２ｃは、それぞれ、パターン蒸着電極３３ａ，３３ｂ，３３ｃによって囲まれているため、そのことによっても、非パターン蒸着電極３２ｂ，３２ｃ及び絶縁破壊が発生した箇所への電流の流れ込みを抑制することが可能となる。また、非パターン蒸着電極３２ｂ，３２ｃが設けられているため、すべての蒸着電極をパターン蒸着電極によって構成する場合と比べて、静電容量の発現に寄与する蒸着電極の面積が多くなり、静電容量の低下が抑制される。 Also in this modification, the pattern vapor deposition electrode 33a is arrange | positioned rather than the non-pattern vapor deposition electrodes 32b and 32c at the heavy edge 32a side. Therefore, even if dielectric breakdown occurs in the cut surface of the metallized film capacitor according to the modification, the metallized 52 is removed from the metallized films 30a and 30b other than the metallized films 30a and 30b that cause the short circuit. , 54, it is possible to suppress the flow of electric charges to the non-patterned deposition electrodes 32 b and 32 c and the places where the dielectric breakdown has occurred, and to suppress the flow of a large current to the places where the dielectric breakdown has occurred. It becomes. Further, since the non-pattern vapor deposition electrodes 32b and 32c are surrounded by the pattern vapor deposition electrodes 33a, 33b and 33c, respectively, the current to the non-pattern vapor deposition electrodes 32b and 32c and the location where the dielectric breakdown has occurred It is possible to suppress the inflow of. In addition, since the non-pattern vapor deposition electrodes 32b and 32c are provided, the area of the vapor deposition electrodes contributing to the development of the capacitance is increased as compared with the case where all the vapor deposition electrodes are configured by the pattern vapor deposition electrodes. A decrease in capacity is suppressed.

なお、本実施形態及び変形例に係る金属化フィルムコンデンサのセグメント電極３４の形状は一例であり、上述した例に限定されるものではない。例えば、蒸着電極を、格子状のセグメント電極に区画してもよいし、千鳥状のセグメント電極に区画してもよい。 In addition, the shape of the segment electrode 34 of the metallized film capacitor which concerns on this embodiment and a modification is an example, and is not limited to the example mentioned above. For example, the vapor deposition electrode may be partitioned into lattice segment electrodes or may be partitioned into staggered segment electrodes.

１０金属化フィルムコンデンサ、２０，２０ａ金属化フィルム積層体、３０ａ，３０ｂ金属化フィルム、３１誘電体フィルム、３２ａヘビーエッジ、３２ｂ，３２ｃ非パターン蒸着電極、３３ａ，３３ｂ，３３ｃパターン蒸着電極、３４セグメント電極、３５，３７，３７ａ，３７ｂ，３７ｃスリット、３６，３８ａ，３８ｂ，３８ｃヒューズ部、３９絶縁マージン、５２，５４メタリコン、６０切断面。 10 metalized film capacitor, 20, 20a metallized film laminate, 30a, 30b metallized film, 31 dielectric film, 32a heavy edge, 32b, 32c non-patterned deposition electrode, 33a, 33b, 33c patterned deposition electrode, 34 segment Electrode, 35, 37, 37a, 37b, 37c Slit, 36, 38a, 38b, 38c Fuse part, 39 Insulation margin, 52, 54 Metallicon, 60 Cut surface.

Claims

複数の金属化フィルムを重ねることで構成された金属化フィルム体と、
前記金属化フィルム体の両端面に形成された外部電極と、
を有する金属化フィルムコンデンサであって、
前記複数の金属化フィルムのそれぞれは、
誘電体フィルムと、
前記誘電体フィルム上に蒸着された金属膜で構成された第１の非パターン蒸着電極と、
前記誘電体フィルム上に蒸着された金属膜で構成され、前記第１の非パターン蒸着電極に接続されたパターン蒸着電極と、
前記誘電体フィルムの一端に蒸着された金属膜で構成され、前記誘電体フィルムの一端において前記外部電極に接続された第２の非パターン蒸着電極と、
を備え、
前記パターン蒸着電極は、
前記誘電体フィルム上に蒸着された金属膜で構成され、金属膜の無いスリットによって区画された複数のセグメント電極と、
前記誘電体フィルム上に蒸着された金属膜で構成され、前記スリットの一部を途切れさせ、隣接するセグメント電極同士を導通可能にするヒューズ部と、
を備え、前記第１の非パターン蒸着電極よりも前記第２の非パターン蒸着電極側に配置されて前記第２の非パターン蒸着電極に接続されている、
ことを特徴とする金属化フィルムコンデンサ。 A metallized film body configured by stacking a plurality of metallized films;
External electrodes formed on both end faces of the metallized film body,
A metallized film capacitor having
Each of the plurality of metallized films is
A dielectric film;
A first non-patterned electrode composed of a metal film deposited on the dielectric film;
A pattern deposition electrode composed of a metal film deposited on the dielectric film and connected to the first non-pattern deposition electrode;
A second non-patterned electrode composed of a metal film deposited on one end of the dielectric film and connected to the external electrode at one end of the dielectric film;
With
The pattern deposition electrode is:
A plurality of segment electrodes composed of a metal film deposited on the dielectric film and defined by slits without the metal film;
A fuse part that is composed of a metal film deposited on the dielectric film, interrupts a part of the slit, and allows conduction between adjacent segment electrodes;
Is arranged on the second non-pattern vapor deposition electrode side than the first non-pattern vapor deposition electrode, and is connected to the second non-pattern vapor deposition electrode,
A metallized film capacitor.

請求項１に記載の金属化フィルムコンデンサにおいて、
前記第１の非パターン蒸着電極は、複数のパターン蒸着電極の間に配置されている、
ことを特徴とする金属化フィルムコンデンサ。 The metallized film capacitor of claim 1,
The first non-pattern vapor deposition electrode is disposed between a plurality of pattern vapor deposition electrodes,
A metallized film capacitor.

請求項１又は請求項２に記載の金属化フィルムコンデンサにおいて、
前記第１の非パターン蒸着電極の面積は、前記第２の非パターン蒸着電極の面積よりも大きい、
ことを特徴とする金属化フィルムコンデンサ。 In the metallized film capacitor according to claim 1 or 2,
The area of the first non-pattern vapor deposition electrode is larger than the area of the second non-pattern vapor deposition electrode,
A metallized film capacitor.