JP2015153927A - 被洗浄基板の洗浄方法及び洗浄装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被洗浄基板を保持し、該被洗浄基板上に洗浄液供給機構の吐出口から洗浄液を供給することで前記被洗浄基板を洗浄する洗浄方法であって、前記洗浄液供給機構の内部で、前記洗浄液に配管抵抗を加え、更に紫外線を発する光源を前記洗浄液に接触させて、前記洗浄液を加温しながら前記紫外線を照射することで、前記洗浄液内に活性種のOHラジカルを生成し、該OHラジカルを含んだ前記洗浄液を前記吐出口から供給することで前記被洗浄基板を洗浄することを特徴とする被洗浄基板の洗浄方法。
【選択図】 図1
Description
本発明の洗浄方法では、特にこれらの溶液を、洗浄液として使用することで、洗浄液中にOHラジカルを確実に生成でき被洗浄基板を効果的に洗浄できる。本発明の洗浄液は、OHラジカルの生成を促進させる溶液であることが好ましい。
このようにすれば、より効率よく十分なOHラジカルを生成でき、より確実に洗浄効果を高めることができる。
このようにすれば、生成したOHラジカルが自己消滅する前に被洗浄基板に洗浄液を供給することができ、より高い洗浄効果で確実に被洗浄基板を洗浄できる。
本発明の洗浄方法は、これらのような半導体デバイスの製造等に関係する精密基板を洗浄する際に、効果的な洗浄をすることができる。
このようなものを洗浄液として使用することで、洗浄液中にOHラジカルを確実に生成でき、被洗浄基板を効果的に洗浄できるものとなる。
このようなものであれば、より効率よく十分なOHラジカルを生成でき、より確実に洗浄効果を高めることができるものとなる。
このようなものであれば、生成されたOHラジカルが自己消滅する前に被洗浄基板に洗浄液を供給することができ、より高い洗浄効果で確実に被洗浄基板を洗浄できるものとなる。
上記のように、高温の強酸や強塩基等の洗浄液を使用せずに、オゾン水等を洗浄液として使用し、洗浄液中にOHラジカルを生成する洗浄方法では、OHラジカルの生成効率をより良くすることが要求されていた。
図1に示すように、本発明の被洗浄基板Wの洗浄装置1は、主に、被洗浄基板Wを支持し保持するテーブル2と、テーブル2で保持した被洗浄基板Wの洗浄する面に洗浄液4を供給する洗浄液供給機構3を備えている。テーブル2は、回転機構を具備することができ、これによって、保持された被洗浄基板Wを回転させながら洗浄することができる。
このようなものを洗浄液として使用することで、洗浄液中にOHラジカルを確実に生成でき、被洗浄基板を効果的に洗浄できるものとなる。もちろん、洗浄液はこれらに限定されず、OHラジカルを生成して洗浄するものであればいずれのものでもよく、必要に応じて強酸や強塩基等であっても適用可能である。
オゾン水は、単体としても有機物を除去するための酸化力が高く、更にオゾンの分解過程で発生する酸化力がより高いOHラジカルを生成して有機物の除去を行うことができる。
O3+OH− → HO2 −+O2 …(A)
上記(A)式のHO2 −は過酸化水素の解離成分である。過酸化水素は以下に示す一連の反応でオゾンを分解するとともにOHラジカル等を生成する。
O3+HO2 − → O3 −+HO2 …(B)
O3 −+H+ ⇔ HO3 …(C)
HO3 → OH+O2 …(D)
このように上記式(B)〜(D)の過程を経て、最終的にオゾンは酸素分子へ分解され、その過程でOHラジカルが生成される。ただし、これらのラジカルは直ちに反応又は自己消滅するので、溶液中に蓄積される事は無い。
具体的には、洗浄液を分解しOHラジカルを生成する手段である整流手段6と光源7を1つの洗浄液供給機構3に設置している。
このようなものであれば、後述する光源7による洗浄液4の熱分解及び光分解がより促進され、OHラジカルをより効率よく生成することができる。
このようなものであれば、より効率よく十分なOHラジカルを生成でき、より確実に洗浄効果を高めることができるものとなる。
このようなものであれば、生成されたOHラジカルが自己消滅する前に被洗浄基板に洗浄液を供給することができ、より高い洗浄効果で確実に被洗浄基板を洗浄できるものとなる。
まず、被洗浄基板Wをテーブル2上に保持する。
このとき保持する被洗浄基板Wを、フォトマスク基板、石英基板、Siウェーハ、Geウェーハ、GaAsウェーハ、SiCウェーハ、フラットパネル、多層セラミックの製造工程に使用される基板のいずれかとすることができる。
本発明の洗浄方法は、これらの基板に付着した有機物を除去する際に、効果的な洗浄をすることができるため好適である。
本発明の洗浄方法では、特にこれらの溶液を、洗浄液として使用することで、洗浄液中にOHラジカルを確実に生成でき被洗浄基板を効果的に洗浄できる。
このとき、照射する紫外線を、波長が200nm以上400nm以下の紫外線とすることが好ましい。特に分解効率を考慮すると、より好ましくは250nm〜300nmの波長を選択することが望ましい。
このようにすれば、より効率よく十分なOHラジカルを生成でき、より確実に洗浄効果を高めることができる。
この際、吐出口8と被洗浄基板Wの間の距離を5mm以内として、洗浄液4を供給すること好ましい。
このようにすれば、生成されたOHラジカルが自己消滅する前に被洗浄基板に洗浄液を供給することができ、より高い洗浄効果で確実に被洗浄基板を洗浄できる。
実施例では、図1に示すような、本発明の洗浄装置1を使用して、本発明の洗浄方法で150mm角のフォトマスク基板に化学増幅型の有機物成分のレジストを厚み4000nm塗布した基板のレジスト膜の剥離洗浄を実施した。実施例では、図3に示すように、基板の右上領域に洗浄液を供給して洗浄を行った。
このとき、洗浄液としては溶存オゾン水濃度60ppmのオゾン水、光源としては表面がガラス管で構成されている低圧水銀ランプを使用した。この低圧水銀ランプは紫外線領域となる主波長254nmで発光するものを選択して使用した。そして、洗浄後のレジスト剥離量を測定した。
このように、本発明の洗浄方法及び洗浄装置は、被洗浄基板上の有機物の分解効率を向上させ、洗浄効果を高めることが確認された。
4…洗浄液、 5…導入口、 6…整流手段、 7…光源、
8…吐出口、 9…駆動アーム、 10…流水経路、
W…被洗浄基板。
Claims (9)
- 被洗浄基板を保持し、該被洗浄基板上に洗浄液供給機構の吐出口から洗浄液を供給することで前記被洗浄基板を洗浄する洗浄方法であって、
前記洗浄液供給機構の内部で、前記洗浄液に配管抵抗を加え、更に紫外線を発する光源を前記洗浄液に接触させて、前記洗浄液を加温しながら前記紫外線を照射することで、前記洗浄液内に活性種のOHラジカルを生成し、該OHラジカルを含んだ前記洗浄液を前記吐出口から供給することで前記被洗浄基板を洗浄することを特徴とする被洗浄基板の洗浄方法。 - 前記洗浄液を、超純水、無機酸、無機アルカリ、有機酸、有機アルカリ、オゾン水、電解水またはこれら2種類以上を混合した洗浄液とすることを特徴とする請求項1に記載の被洗浄基板の洗浄方法。
- 前記紫外線を、波長が200nm以上400nm以下の紫外線とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の被洗浄基板の洗浄方法。
- 前記吐出口と前記被洗浄基板の間の距離を5mm以内とすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の被洗浄基板の洗浄方法。
- 前記被洗浄基板を、フォトマスク基板、ガラス基板、Siウェーハ、Geウェーハ、GaAsウェーハ、SiCウェーハ、フラットパネル、多層セラミックの製造工程に使用される基板のいずれかとすることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の被洗浄基板の洗浄方法。
- 被洗浄基板を保持するテーブルと、洗浄液を導入口から導入し、導入した前記洗浄液を吐出口から前記被洗浄基板に供給する洗浄液供給機構を具備し、前記洗浄液で前記被洗浄基板を洗浄する洗浄装置であって、
前記洗浄液供給機構は内部に、前記導入口から導入された洗浄液に配管抵抗を加えるための整流手段と、前記洗浄液に接触して前記洗浄液を加温し、且つ前記洗浄液に紫外線を照射する光源を有し、前記整流手段と前記光源により前記洗浄液内に活性種のOHラジカルを生成し、該OHラジカルを含んだ前記洗浄液を前記吐出口から供給することで前記被洗浄基板を洗浄するものであることを特徴とする被洗浄基板の洗浄装置。 - 前記洗浄液は、超純水、無機酸、無機アルカリ、有機酸、有機アルカリ、オゾン水、電解水またはこれら2種類以上を混合した洗浄液であることを特徴とする請求項6に記載の被洗浄基板の洗浄装置。
- 前記紫外線は、波長が200nm以上400nm以下の紫外線であることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の被洗浄基板の洗浄装置。
- 前記吐出口と前記被洗浄基板の間の距離が5mm以内となるものであることを特徴とする請求項6から請求項8のいずれか1項に記載の被洗浄基板の洗浄装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024107450A1 (en) * | 2022-11-15 | 2024-05-23 | Applied Materials, Inc. | Ultraviolet and ozone cleaning apparatus and method of using |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002192089A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-10 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 洗浄方法 |
JP2004241726A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Sharp Corp | レジスト処理方法およびレジスト処理装置 |
JP2009131841A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-06-18 | Kurabo Ind Ltd | 洗浄方法および洗浄装置 |
JP2013510332A (ja) * | 2009-11-03 | 2013-03-21 | ズース マイクロテク フォトマスク エクイップメント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | 基板を処理するための方法及び装置 |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002192089A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-10 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 洗浄方法 |
JP2004241726A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Sharp Corp | レジスト処理方法およびレジスト処理装置 |
JP2009131841A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-06-18 | Kurabo Ind Ltd | 洗浄方法および洗浄装置 |
JP2013510332A (ja) * | 2009-11-03 | 2013-03-21 | ズース マイクロテク フォトマスク エクイップメント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | 基板を処理するための方法及び装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024107450A1 (en) * | 2022-11-15 | 2024-05-23 | Applied Materials, Inc. | Ultraviolet and ozone cleaning apparatus and method of using |
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