JP2015149366A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】傾斜面を有する構造を備える半導体装置の製造方法において、歩留まりを向上し、製造コストを低減するのに有利な技術を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法であって、シリコン基板の上に、前記シリコン基板の上面の一部が露出面となるように開口が設けられた部材を形成する第1工程と、前記露出面および前記部材にXeF2を含むエッチングガスを供給することにより、前記露出面から離れるにつれて前記部材の厚さが大きくなるように前記部材をエッチングする第2工程と、を含む。
【選択図】図1
【解決手段】半導体装置の製造方法であって、シリコン基板の上に、前記シリコン基板の上面の一部が露出面となるように開口が設けられた部材を形成する第1工程と、前記露出面および前記部材にXeF2を含むエッチングガスを供給することにより、前記露出面から離れるにつれて前記部材の厚さが大きくなるように前記部材をエッチングする第2工程と、を含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
入射光のスペクトル解析を行うための半導体装置は、例えば、基板上に形成された撮像素子と、該撮像素子の上に形成された分光素子と、を備える。該分光素子は、入射光を分光するための構造を、その上面に有する。
特許文献1には、分光素子の一部を構成する、上面がステップ状の傾斜構造の形成方法が開示されている。特許文献1の方法によると、N回のエッチング工程で、2N段のステップ状の傾斜構造を形成している。このように特許文献1の方法は、何度もエッチング工程を行う必要があるため、歩留まりの低下や製造コストの増大をもたらしうる。
本発明の目的は、傾斜面を有する構造を備える半導体装置の製造方法において、歩留まりを向上し、製造コストを低減するのに有利な技術を提供することにある。
本発明の一つの側面は半導体装置の製造方法にかかり、前記半導体装置の製造方法は、シリコン基板の上に、前記シリコン基板の上面の一部が露出面となるように開口が設けられた部材を形成する第1工程と、前記露出面および前記部材にXeF2を含むエッチングガスを供給することにより、前記露出面から離れるにつれて前記部材の厚さが大きくなるように前記部材をエッチングする第2工程と、を含むことを特徴とする。
本発明によれば、歩留まりを向上し、製造コストを低減することができる。
(1. 第1実施形態)
以下、図1〜4を参照しながら、第1実施形態にかかる半導体装置100、及び、その製造方法を述べる。
以下、図1〜4を参照しながら、第1実施形態にかかる半導体装置100、及び、その製造方法を述べる。
(1.1 半導体装置の構成例)
図1を参照しながら、半導体装置100の構成例を述べる。半導体装置100は、シリコン基板10に形成された複数の撮像素子20(201、202、203等)と、複数の撮像素子20の上に形成された分光素子30と、を含みうる。複数の撮像素子20は、CCDイメージセンサやCMOSイメージセンサ等、光を検知するためのセンサである。
図1を参照しながら、半導体装置100の構成例を述べる。半導体装置100は、シリコン基板10に形成された複数の撮像素子20(201、202、203等)と、複数の撮像素子20の上に形成された分光素子30と、を含みうる。複数の撮像素子20は、CCDイメージセンサやCMOSイメージセンサ等、光を検知するためのセンサである。
分光素子30は、平坦化膜31、カラーフィルタ32、第1の反射膜331、構造34、および、第2の反射膜332を含みうる。平坦化膜31(平坦化層)は、基板10の上に配されており、基板10の上面の凹凸を平坦化する。カラーフィルタ32は、平坦化膜31の上に配されており、所定の色を有する有機材料で構成されうる。反射膜331は、カラーフィルタ32の上に配されている。構造34は、反射膜331の上に配されており、基板10の上面に対して傾斜した傾斜面Sを有する。反射膜332は、構造34の傾斜面Sの上に配されている。
反射膜331及び332は、ファブリー・ペロ干渉計のエタロンとして機能しうる。反射膜331及び332は、例えばハーフミラー(半透鏡)、誘電体ミラー又は空気界面で構成され得、ソリッドエタロンを形成してもよいし、エアギャップエタロンを形成してもよい。ハーフミラーには、光反射性を有する薄膜の部材(膜厚10〜50nm程度)が用いられ、例えばアルミニウム(Al)、銀(Ag)等の金属やこれらの化合物が用いられうる。誘電体ミラーは、金属よりも光学吸収率が小さく、光の反射率が大きい。例えば、反射膜331にハーフミラーを用い、反射膜332にハーフミラー、誘電体ミラーおよび空気界面のいずれかを用いてもよい。
複数の撮像素子20は、構造34の傾斜面Sの傾斜に沿ってライン状ないしアレイ状に配列されうる。分光素子30を通過して撮像素子20に入射する入射光は、各撮像素子間(図中の撮像素子201〜203間)で波長が異なる。例えば、撮像素子201には波長λ1の光が入射し、撮像素子202には波長λ2の光が入射し、撮像素子203には波長λ3の光が入射する。即ち、構造34は傾斜面を有するため入射光の光路長が各撮像素子間で異なっており、各撮像素子が受ける光の波長は互いにシフトされた関係になる。
反射膜331及び332の光の反射率を大きくし、透過率の波長依存性(透過率スペクトル)におけるFWHM(透過ピークの半値全幅)を小さくすると、高分解能のスペクトル解析ないし高精度の波長測定を行うことができる。
また、エタロンの波長分解能を高めるために、1次干渉ではなく2次や3次の高次の干渉次数が用いられうる。これにより、反射膜の反射率を維持しつつ、フィルタのFWHMを小さく(10nm程度)することができる。ただし、その場合、透過率スペクトルにおける所望の波長帯域の近傍には、不要な透過帯域が形成されうるため、カラーフィルタ32を、該帯域を除去するための色の材料で構成するとよい。カラーフィルタ32は、除去の対象の波長帯域に応じて、1色で構成されてもよいし、2色以上を組み合わせて構成されてもよい。例えば、赤色、緑色および青色のカラーフィルタの他、シアン色および黄色のカラーフィルタを組み合わせることにより、青色‐緑色間や緑色‐赤色間での帯域の境界が連続的なバンドパスフィルタを形成することも可能である。また、赤外光を通過させるIR用のカラーフィルタが用いられてもよい。カラーフィルタ32は、所望の色のレジスト剤を準備し、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて所望の位置に形成されればよい。
(1.2 半導体装置の製造方法の例)
図2および図3を参照しながら、半導体装置100の製造方法の例を述べる。
図2および図3を参照しながら、半導体装置100の製造方法の例を述べる。
まず、図2(a)の工程では、シリコン基板10に、例えば2つの撮像領域R(RA及びRB)を形成する。各撮像領域Rには、前述の複数の撮像素子20が形成される。次に、シリコン基板10の上に平坦化膜31、カラーフィルタ32、反射膜331を順に形成する(不図示)。その後、これらの上に、構造34を形成するための部材(「部材34i」とする)を形成する。本実施形態では、部材34iに窒化シリコンを用いるが、酸化シリコン、酸窒化シリコン等が用いられてもよい。
その後、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて、シリコン基板10の上面の一部が露出するように、平坦化膜31、カラーフィルタ32、反射膜331及び部材34iの一部を除去し、開口40を形成する。図2(a)では、基板10の露出面を「露出面50」と示す。なお、開口40及び露出面50は、平坦化膜31、カラーフィルタ32、反射膜331及び部材34iを形成する際、これらをシリコン基板10の一部の上に(露出面50以外の領域に)形成することによって、形成されてもよい。
次に、図2(b)の工程では、図2(a)の工程で得られた構造に対して、XeF2を含むエッチングガスを用いたエッチングを行う。この工程では、基板10(シリコン)がエッチングされると共に、露出面50近傍の部材34iがエッチングされる。
具体的には、上記エッチング工程での反応式は、
Si + 2XeF2 → SiF4 + 2Xe
である。
Si + 2XeF2 → SiF4 + 2Xe
である。
ここで、部材34i(ここでは窒化シリコン)は、その近傍にシリコンが存在するときにエッチングされうる。このことは、上記反応で生じた副生成物が、部材34iのエッチングに寄与することによる。したがって、XeF2を含むエッチングガスを、露出面50、および、部材34iに供給することにより、図2(b)に示されるように、部材34iには、露出面50から離れる方向に沿って傾斜した傾斜面Sが形成される。言い換えると、部材34iのシリコン基板10の露出面50に近い部分のエッチング量が、部材34iのシリコン基板10の露出面50から遠い部分のエッチング量よりも大きい。なお、「エッチング量」は、シリコン基板10の上面に対して垂直な方向におけるエッチング量を指す。
以上、図2(b)の工程では、シリコンが露出した部分が存在することにより、その近傍の部材34iがエッチングされ、その結果、部材34iが成形され、部材34iに傾斜面Sが形成される。
ここで、シリコンが露出した部分の近傍で部材34iがエッチングされるため、傾斜面Sの傾斜は、基板10の露出面50から離れる方向に沿って、部材34iの厚さが大きくなるように形成される。そのため、傾斜面Sを一方向に形成する場合には、露出面50を形成する開口40をスリット状ないし溝の形状にするとよい(平面視において外形が長方形形状)。他の例では、複数の開口40が列状に形成されてもよい。
図2(b)の工程の後、傾斜面Sを覆うように反射膜332を形成し、チップ単位にダイシングすればよい。このようにして、撮像素子20と分光素子30とが一体に形成された半導体装置100が得られる。
なお、本実施形態では、単にシリコンで構成された基板10としたが、シリコンは、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンを含む。多結晶シリコンやアモルファスシリコンを用いる場合は、スパッタリングやCVD等の堆積法で基板上に形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすればよい。
図3は、図2(b)の工程後におけるウエハ上のレイアウトの一部を説明するための模式図である。基板10の露出面50(又は、前述の開口40)は、一対の撮像領域R(RA及びRB)の間に形成されている。図中において、撮像領域RBからRAの向きを第1方向DAとし、撮像領域RAからRBの向きを第2方向DBとする。撮像領域RAの上方の部材34iは、露出面50から方向DAに沿って、その厚さが大きくなるように傾斜した傾斜面Sを有するように成形される。撮像領域RBの上方の部材34iは、露出面50から方向DBに沿って、その厚さが大きくなるように傾斜した傾斜面Sを有するように成形される。
また、ウエハ上の、例えば隣接撮像領域RA間や隣接撮像領域RB間等、チップ領域の境界領域には、分光素子30と、それに対応する撮像素子20との特性を確認するためのTEGパターン60を形成するとよい。前述のエッチング工程で形成される構造34の寸法やその傾斜面Sの傾斜は、該エッチングの諸条件に依存する。そのため、実際に形成される構造34の寸法やその傾斜面Sの傾斜は、設計値ないし目標値からずれてしまう。そこで、このTEGパターン60を測定することにより、分光素子30の特性(構造34の傾斜面の各位置での分光特性ないし光学膜厚)を取得することができる。TEGパターン60は、分光素子30と同じ寸法で、かつ、露出面50との距離が分光素子30と露出面50との距離と等しくなるように形成されるとよい。
ここで、部材102のエッチング量は、エッチングガスXeF2の圧力、流量、温度等のエッチング条件の他、露出面50の面積等のウエハ上のレイアウトにも依存する。そのため、露出面50が複数ある場合には、ある露出面50が、他の露出面50の近傍の部材34iのエッチング量に影響をおよぼすこともある。そこで、前述のエッチング工程をウエハ全面に対して一度に行うのではなく、複数の露出面50のうちの一部(ないし1つ)を露出させるレジストパターンを形成して該一部に対してエッチングを行い、その後、他の一部についても同様にエッチングを行うとよい。
図4は、3つの露出面50(501〜503)と、各露出面50の両側に形成された一対の撮像領域R(RA及びRB)と、を示している。まず、図4(a)に示されるように、露出面503及び露出面503に対応する撮像領域R(の上の部材34i)が露出するようにレジストパターン703を形成する。即ち、露出面501及び502並びにそれらに対応する撮像領域R(の上の部材34i)を覆うようにレジストパターン703を形成する。その後、エッチングガスXeF2を用いたエッチングを行う。これにより、露出面503に対応する撮像領域Rの上方に、傾斜面Sを有する構造34が形成される。
次に、同様にして、図4(b)に示されるように、露出面502及び露出面502に対応する撮像領域R(の上の部材34i)が露出するようにレジストパターン702を形成し、エッチングを行う。さらに、その後、同様にして、露出面501及び露出面501に対応する撮像領域R(の上の部材34i)についてもエッチングを行う(不図示)。以上のようにして、エッチング対象の領域をいくつかの領域に分割し、該分割された領域を、該分割された領域以外を覆うレジストパターンを用いて、順にエッチングすればよい。
(1.3 実験結果の例)
以下、上記製造方法に基づいて為された実験結果を示す。
以下、上記製造方法に基づいて為された実験結果を示す。
複数の撮像素子20として、35mmフルサイズのCMOSイメージセンサを形成し、透過帯域を赤色光帯域とする分光素子30を形成した。カラーフィルタ32には、赤色のカラーフィルタを用いた。反射膜331及び332は、スパッタリング法で形成したAg化合物の膜(膜厚40nm)を用いた。部材34iには、PECVD法で形成した窒化シリコン(膜厚650nm)を用いた。分光素子30を形成するための基板10の露出面50は、部材34iに幅1.0mmのスリット状の開口40を設けることにより形成した。
エッチングガスXeF2を用いたエッチング工程は、Memsstar社のエッチング装置を用いて行った。エッチング条件は、基板10の温度を15℃とし、圧力を2Torrとし、キャリアガス(N2)流量を50sccmとし、エッチング時間を100秒とした。
以上のようにして形成された構造34は、波長600nmの光が通過する部分では膜厚395nm程度であり、波長800nmの光が通過する部分では膜厚550nm程度であった。
(2. 第2実施形態)
図5を参照しながら第2実施形態を説明する。
図5を参照しながら第2実施形態を説明する。
本実施形態は、主に、2つの部材を用いた転写方式によって傾斜面Sを有する構造34を形成する、という点で前述の第1実施形態と異なる。具体的には、構造34を形成する工程で、まず、構造34を形成するための第1の部材34i1を形成し、部材34i1の上にさらに第2の部材34i2を形成する。その後、図5(a)に例示されるように、部材34i2が傾斜面S’を形成するように部材34i2を成形し、さらに、図5(b)に例示されるように、成形された部材34i2の形状を部材34i1に転写する。
本実施形態によると、構造34を所望の寸法に調整し、その傾斜面Sの傾斜角を調整するのに有利である。
例えば、可視光の波長帯域を対象とする場合、部材34i1には、屈折率1.45程度の材料が用いられ、構造34は、斜面での膜厚差が数百nm程度になるように形成されうる。部材34i1には、例えば酸化シリコンまたは酸窒化シリコンが用いられ、部材34i2には、例えば窒化シリコンが用いられうる。本実施形態では、部材34i1と34i2とに互いに異なる材料を用いて、これらのエッチングレートの差を利用して、より大きな傾斜角の傾斜面Sを有する構造34を形成する。
傾斜面S’が形成された部材34i2の形状を、部材34i1に転写する方法の1つの例として、高周波プラズマエッチングを用いた方法が挙げられる。例えば、部材34i1と34i2とのエッチング選択比(エッチングレートの比)、プラズマ粒子の入射方向、プラズマパワー等を適切に調整することで、最終的な傾斜面Sが所望の傾斜角を形成するように構造34を形成することができる。その他のエッチング条件についても、適宜、選択ないし設定されればよい。
その後は、前述の第1実施形態と同様にして、傾斜面Sを覆うように反射膜332を形成し、チップ単位にダイシングすればよい。
以下、上記製造方法に基づいて為された実験結果を示す。
複数の撮像素子20として、35mmフルサイズのCMOSイメージセンサを形成し、透過帯域を緑色光帯域とする分光素子30を形成した。カラーフィルタ32には、緑色のカラーフィルタを用いた。反射膜331及び332は、スパッタリング法で形成したAg化合物の膜(膜厚40nm)を用いた。部材34i1には、PECVD法で形成した酸化シリコン(膜厚600nm)を用いた。部材34i2には、PECVD法で形成した窒化シリコン(膜厚650nm)を用いた。分光素子30を形成するための基板10の露出面50は、部材34i1及び34i2に幅1.0mmのスリット状の開口40を設けることにより形成した。
図5(a)の工程(部材34i2が傾斜面を形成するように部材34i2を成形する工程)は、前述の第1実施形態と同様にして為された。即ち、エッチングガスXeF2を用いたエッチング工程が、Memsstar社のエッチング装置を用いて為された。エッチング条件は、基板10の温度を15℃とし、圧力を2Torrとし、キャリアガス(N2)流量を50sccmとし、エッチング時間を100秒とした。
図5(b)の工程(成形された部材34i2の形状を部材34i1に転写する工程)は、図5(a)で得られた構造の上に上記成形された部材34i2を露出するレジストパターンを形成し、前述の高周波プラズマエッチングによって為された。
以上のようにして形成された構造34は、波長480nmの光が通過する部分では膜厚440nm程度であり、波長600nmの光が通過する部分では膜厚565nm程度であった。
(3. 第3実施形態)
図6を参照しながら第3実施形態を説明する。本実施形態は、主に、半導体装置100をガラス基板10a(その他の光透過性の基板)上に製造する、という点で前述の第1実施形態と異なる。よって、本実施形態では、部材34iを成形して構造34を形成する工程の前に、別途、シリコンが露出した部分をガラス基板10a上に形成する。
図6を参照しながら第3実施形態を説明する。本実施形態は、主に、半導体装置100をガラス基板10a(その他の光透過性の基板)上に製造する、という点で前述の第1実施形態と異なる。よって、本実施形態では、部材34iを成形して構造34を形成する工程の前に、別途、シリコンが露出した部分をガラス基板10a上に形成する。
図6(a)は、ガラス基板10a上に形成された部材34iを傾斜面Sが形成されるように成形した後の状態の断面構造を示す模式図である。図6(b)は、該構造の上面図を示している。
まず、複数のセンサ(不図示)が形成されたガラス基板10aの上に、前述の平坦化膜31、カラーフィルタ32、反射膜331を順に形成する(いずれも不図示)。なお、該複数のセンサは、アモルファスシリコン等で構成されうる。
次に、該ガラス基板10aの上に部材34iを形成し、部材34iの上にシリコンパターン50aを形成する。シリコンパターン50aは、部材34iの上にアモルファスシリコン部材を堆積法で形成した後、該部材をパターニングすることにより、上記複数のセンサで形成される2つの撮像領域R(RA及びRB)の間に形成される。
このようにして得られた構造に対して、前述のエッチング(エッチングガスXeF2を用いたエッチング)を行う。シリコンパターン50aが存在することにより、その近傍の部材34iがエッチングされ、その結果、部材34iが成形され、部材34iに傾斜面Sが形成される。
その後は、前述の第1実施形態と同様にして、傾斜面Sを覆うように反射膜332を形成し、チップ単位にダイシングすればよい。
上記製造方法に基づいて為された実験では、第1実施形態と同様の実験結果が得られた。なお、シリコンパターン50aは、部材34i上に形成されたアモルファスシリコン部材(膜厚4μm)を幅1.0mmのスリット状にパターニングすることによって得られ、その他の各工程は、前述の第1実施形態と同様にして為された。
(4. その他)
以上の3つの実施形態を述べたが、本発明はこれらに限られるものではなく、目的等に応じて、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その一部を変更してもよいし、各実施形態を組み合わせてもよい。例えば、ガラス基板10a上に構造34を形成する態様(第3実施形態)に、2つの部材34i1及び34i2を用いて構造34を形成する転写方式(第2実施形態)を適用してもよい。
以上の3つの実施形態を述べたが、本発明はこれらに限られるものではなく、目的等に応じて、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その一部を変更してもよいし、各実施形態を組み合わせてもよい。例えば、ガラス基板10a上に構造34を形成する態様(第3実施形態)に、2つの部材34i1及び34i2を用いて構造34を形成する転写方式(第2実施形態)を適用してもよい。
また、以上の各実施形態では分光素子と撮像素子とが一体に形成された半導体装置を例示したが、本発明の適用例は上記態様に限られるものではなく、その他の半導体装置にも適用可能である。例えば、半導体装置は、例えば、ガラス基板に形成される光学素子や、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)に用いられる素子を含む。なお、これらの各素子は、作製後においては必ずしも半導体を有していなくてもよいが、その製造中でシリコンを用いるという点で半導体装置の概念に含まれる。
Claims (18)
- 半導体装置の製造方法であって、
シリコン基板の上に、前記シリコン基板の上面の一部が露出面となるように開口が設けられた部材を形成する第1工程と、
前記露出面および前記部材にXeF2を含むエッチングガスを供給することにより、前記露出面から離れるにつれて前記部材の厚さが大きくなるように前記部材をエッチングする第2工程と、を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体装置の製造方法であって、
シリコン基板の上に、前記シリコン基板の上面の一部が露出面となるように開口が設けられた部材を形成する第1工程と、
前記露出面および前記部材にXeF2を含むエッチングガスを供給することにより、前記部材の第1の部分のエッチング量が、前記第1の部分よりも前記露出面から離れた位置の前記部材の第2の部分のエッチング量より大きくなるように、前記部材をエッチングする第2工程と、を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記開口は、前記シリコン基板の上面に対する平面視における外形が長方形形状の溝を含む
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1工程の前に、前記シリコン基板に撮像素子を形成する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記部材は、分光素子の少なくとも一部を構成する
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記分光素子は、前記部材の下に形成された光反射性の第1膜と、前記部材の上に形成された光反射性の第2膜と、を含む
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2工程の後に、前記シリコン基板をチップ単位にダイシングする工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記部材は、酸化シリコン、窒化シリコンおよび酸窒化シリコンの少なくともいずれか1つである
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体装置の製造方法であって、
シリコン基板の上に部材を形成し、前記部材の上に前記部材とは異なる第2の部材を形成する第1工程と、
前記シリコン基板の上面の一部が露出面となるように前記部材および前記第2の部材に開口を形成する第2工程と、
前記露出面および前記第2の部材にXeF2を含むエッチングガスを供給することにより、前記露出面から離れるにつれて前記第2の部材の厚さが大きくなるように前記第2の部材をエッチングする第3工程と、
前記第3工程の後、該第2の部材の形状を前記部材に転写する第4工程と、を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体装置の製造方法であって、
シリコン基板の上に部材を形成し、前記部材の上に前記部材とは異なる第2の部材を形成する第1工程と、
前記シリコン基板の上面の一部が露出面となるように前記部材および前記第2の部材に開口を形成する第2工程と、
前記露出面および前記第2の部材にXeF2を含むエッチングガスを供給することにより、前記第2の部材の第1の部分のエッチング量が、前記第1の部分よりも前記露出面から離れた位置の前記第2の部材の第2の部分のエッチング量より大きくなるように、前記第2の部材をエッチングする第3工程と、
前記第3工程の後、該第2の部材の形状を前記部材に転写する第4工程と、を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第4工程では、
前記第2の部材、および、前記部材をエッチングして、前記成形された前記第2の部材の形状を前記部材に転写し、
前記部材のエッチングレートは、前記第2の部材のエッチングレートよりも大きい
ことを特徴とする請求項9または請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記部材は、窒化シリコンで構成され、前記第2の部材は、酸化シリコンおよび酸窒化シリコンの少なくとも一方で構成されている
ことを特徴とする請求項9乃至請求項11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1工程は、前記シリコン基板の上にカラーフィルタを形成する工程と、該カラーフィルタの上に前記部材を形成する工程と、を含む
ことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1工程は、前記カラーフィルタを形成する工程の前に、前記シリコン基板の上面を平坦にする平坦化層を形成する工程をさらに含み、
前記カラーフィルタを形成する工程では、前記カラーフィルタは前記平坦化層の上に形成される
ことを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体装置の製造方法であって、
基板の上に部材を形成する第1工程と、
前記部材の上にシリコンパターンを形成する第2工程と、
前記シリコンパターンおよび前記部材にXeF2を含むエッチングガスを供給することにより、前記シリコンパターンから離れるにつれて前記部材の厚さが大きくなるように前記部材をエッチングする第3工程と、を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体装置の製造方法であって、
基板の上に部材を形成する第1工程と、
前記部材の上にシリコンパターンを形成する第2工程と、
前記シリコンパターンおよび前記部材にXeF2を含むエッチングガスを供給することにより、前記部材の第1の部分のエッチング量が、前記第1の部分よりも前記シリコンパターンから離れた位置の前記部材の第2の部分のエッチング量より大きくなるように、前記部材をエッチングする第3工程と、を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2工程では、アモルファスシリコンを用いて前記シリコンパターンを形成する
ことを特徴とする請求項15または請求項16に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記基板は、ガラス基板を含む
ことを特徴とする請求項15乃至請求項17のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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