JP2015149321A - Light-emitting device and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device capable of suppressing AG ion migration with a simple configuration and implementing LED chips mounting to a high density, and a method for manufacturing the same.SOLUTION: A light-emitting device 100 comprises: a substrate 101; a pattern part 112 formed on a surface of the substrate 101 and having conductivity; an LED (Light Emitting Diode) chip 110 mounted on a surface of the pattern part 112 and emitting the light from a light-emitting layer 110d from an emission surface. A first recess 112b having a first opening 112a which is slightly bigger than an emission surface 110a of the LED chip 110 is formed on the surface of the pattern part 112. The LED chip 110 is housed in the first recess 112b and bonded to a bottom surface of the first recess 112b via a die bond agent 116 containing at least a silver component.

Description

本発明は、紫外光照射装置等に搭載される発光装置とその製造方法に関し、特に、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の発光素子を用いた発光装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a light emitting device mounted on an ultraviolet light irradiation device or the like and a manufacturing method thereof, and more particularly to a light emitting device using a light emitting element such as an LED (Light Emitting Diode) and a manufacturing method thereof.

従来、ＦＰＤ（Flat Panel Display）周りの接着剤として用いられる紫外線硬化樹脂や、オフセット枚葉印刷用のインキとして用いられる紫外線硬化型インキを硬化させるために、紫外光照射装置が用いられている。   2. Description of the Related Art Conventionally, an ultraviolet light irradiation device is used to cure an ultraviolet curable resin used as an adhesive around an FPD (Flat Panel Display) and an ultraviolet curable ink used as an ink for offset sheet-fed printing.

紫外光照射装置としては、従来、高圧水銀ランプや水銀キセノンランプ等を光源とするランプ型照射装置が知られているが、近年、消費電力の削減、長寿命化、装置サイズのコンパクト化の要請から、従来の放電ランプに替えて、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）を光源として利用した紫外光照射装置が開発されている（例えば、特許文献１）。   As an ultraviolet light irradiation device, a lamp type irradiation device using a high-pressure mercury lamp, a mercury xenon lamp, or the like as a light source has been known in the past. However, in recent years, there has been a demand for reduction in power consumption, longer life, and downsizing of the device size. Therefore, in place of the conventional discharge lamp, an ultraviolet light irradiation device using an LED (Light Emitting Diode) as a light source has been developed (for example, Patent Document 1).

特許文献１に記載の紫外光照射装置は、ライン状に並べられた複数のＬＥＤモジュールを備えている。各ＬＥＤモジュールは、紫外領域にピーク波長を有するＬＥＤチップ（一般に、「ダイ」や「ＬＥＤ」と称呼される場合もある）、サブマウント基板、枠体等によって構成されており、ＬＥＤチップは、ダイボンド剤によってサブマウント基板上に接着固定されている。   The ultraviolet light irradiation device described in Patent Document 1 includes a plurality of LED modules arranged in a line. Each LED module includes an LED chip having a peak wavelength in the ultraviolet region (generally referred to as “die” or “LED”), a submount substrate, a frame, and the like. It is bonded and fixed on the submount substrate with a die bond agent.

ダイボンド剤は、ＬＥＤチップを基板等に固着化させるために使用される接合材料であり、一般に、シリコーン系のダイボンド剤、エポキシ系のダイボンド剤、金属接着剤、銀（Ａｇ）ペーストなどが用いられているが（例えば、特許文献２）、安価で、耐熱性・耐湿性が高く、ハンダよりも弾性率が低いなどの理由から、Ａｇエポキシ系、Ａｇポリイミド系の、いわゆるＡｇペーストが用いられることが多い。しかしながら、ＡｇペーストによってＬＥＤチップ等の光半導体素子を固着すると、いわゆるＡｇイオンマイグレーションによって信頼性が低下することが指摘されている（例えば、非特許文献１）。   The die bond agent is a bonding material used for fixing the LED chip to a substrate or the like, and generally, a silicone-based die bond agent, an epoxy-based die bond agent, a metal adhesive, a silver (Ag) paste, or the like is used. However, for example, it is inexpensive, has high heat resistance and moisture resistance, and has a lower elastic modulus than solder, so that an Ag epoxy type or Ag polyimide type so-called Ag paste is used. There are many. However, it has been pointed out that when an optical semiconductor element such as an LED chip is fixed with Ag paste, the reliability is lowered by so-called Ag ion migration (for example, Non-Patent Document 1).

非特許文献１に記載されているように、Ａｇイオンマイグレーションは、金属の電気化学的な移動現象の一種であり、電気分解作用によりＡｇがシミ状あるいは樹枝状に移動し成長する現象である。このようにＡｇがイオン化して成長すると、最終的にはＬＥＤチップの電極やボンディングワイヤと接触し、最悪の場合、ＬＥＤチップの電極間（つまり、アノードとカソード間）をショート（短絡）させることとなる。そして、ＬＥＤチップの電極間がショートすると、ＬＥＤチップが不点灯となったり、破壊することとなる。   As described in Non-Patent Document 1, Ag ion migration is a kind of electrochemical migration phenomenon of metal, and is a phenomenon in which Ag migrates and grows in the form of spots or dendrites due to electrolysis. When Ag is ionized and grows in this way, it finally comes into contact with the LED chip electrodes and bonding wires, and in the worst case, the LED chip electrodes (that is, between the anode and cathode) are short-circuited. It becomes. When the electrodes of the LED chips are short-circuited, the LED chips are not turned on or destroyed.

このように、ＡｇイオンマイグレーションはＡｇのイオン化に起因するところ、特に光を発するＬＥＤチップ等の光半導体素子においては、表面プラズモンによってＡｇがイオン化してしまうことが懸念される（例えば、特許文献３）。特許文献３に記載されているように、金属粒子に光が照射されると、表面プラズモンが発生し、その部分の電界強度が局所的に増え、金属粒子がイオン化する。つまり、ＬＥＤチップ等の光半導体素子をＡｇペーストによって固着する構成の場合、ＬＥＤチップからの光がＡｇペーストに入射することによって表面プラズモンが発生し、Ａｇペーストに含まれるＡｇがイオン化する。そして、Ａｇのイオン化によってＡｇがシミ状あるいは樹枝状に成長すると、最終的にはＬＥＤチップの電極間をショートさせ、ＬＥＤチップが不点灯となったり、破壊するといった問題が発生する。   As described above, Ag ion migration is caused by the ionization of Ag. In particular, in an optical semiconductor element such as an LED chip that emits light, there is a concern that Ag may be ionized by surface plasmons (for example, Patent Document 3). ). As described in Patent Document 3, when the metal particles are irradiated with light, surface plasmons are generated, the electric field strength of the portion is locally increased, and the metal particles are ionized. That is, in a configuration in which an optical semiconductor element such as an LED chip is fixed with Ag paste, surface plasmon is generated when light from the LED chip enters the Ag paste, and Ag contained in the Ag paste is ionized. Then, when Ag grows in a spot shape or a dendritic shape due to ionization of Ag, there is a problem that eventually the electrodes of the LED chip are short-circuited and the LED chip is not lit or destroyed.

特開２０１１−１４６６４６号公報JP 2011-146646 A 特開２０１３−２４３３１６号公報JP 2013-243316 A 特開２００８−０７０１８７号公報JP 2008-070187 A

「信頼性ハンドブック」、株式会社ルネサステクノロジ、Ｒｅｖ．１．０１、２００８年１１月２８日、ｐ．（４−２５）−（４−２７）"Reliability Handbook", Renesas Technology Corp., Rev. 1.01, November 28, 2008, p. (4-25)-(4-27)

このようなＡｇイオンマイグレーションの問題を解消するためには、予めＡｇイオンマイグレーションによるＡｇが発生した際のＡｇの移動距離を長く設定したり、パターン間の電界強度を下げることが有効であるため、一般に、Ａｇペーストと、それに近接するＬＥＤチップの各電極やボンディングワイヤとの間に十分な絶縁距離を確保するといった対策が採られる。しかしながら、特許文献１に記載の構成のように、ＬＥＤチップを高密度に並べるような構成（つまり、ＬＥＤモジュール）の場合には、配置上の制約から、十分な絶縁距離を確保することは難しい。   In order to solve such a problem of Ag ion migration, it is effective to set a long distance of movement of Ag when Ag is generated by Ag ion migration in advance or to reduce the electric field strength between patterns. In general, measures are taken such as securing a sufficient insulation distance between the Ag paste and each electrode or bonding wire of the LED chip adjacent thereto. However, in the case of a configuration in which LED chips are arranged at high density (that is, an LED module) as in the configuration described in Patent Document 1, it is difficult to ensure a sufficient insulation distance due to restrictions on arrangement. .

また、Ａｇイオンマイグレーションは、Ａｇペーストに含まれるＡｇがＬＥＤチップからの光によってイオン化することによって誘起されるため、ＬＥＤチップからの光がＡｇペーストに入射しないように（つまり、表面プラズモンの発生を抑制するために）、Ａｇペースト上にＬＥＤチップからの光を遮断するコーティング等を施すことも考えられるが、ＬＥＤチップを基板上に接着固定した後にコーティング等を施すことは極めて困難である。   In addition, Ag ion migration is induced when the Ag contained in the Ag paste is ionized by the light from the LED chip, so that the light from the LED chip does not enter the Ag paste (that is, the generation of surface plasmons). In order to suppress this, it may be possible to apply a coating or the like on the Ag paste that blocks light from the LED chip, but it is extremely difficult to apply the coating or the like after the LED chip is bonded and fixed on the substrate.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、Ａｇペースト上にコーティング等を施すことなく、簡単な構成でＡｇイオンマイグレーションを抑制すると共に、高密度に実装可能な発光装置及びその製造方法を提供することである。   The present invention has been made in view of such circumstances. The object of the present invention is to suppress Ag ion migration with a simple configuration without applying coating or the like on Ag paste, and at a high density. A light-emitting device that can be mounted and a method for manufacturing the same.

上記目的を達成するため、本発明の発光装置は、基板と、基板の表面に形成された導電性を有するパターン部と、パターン部の表面に載置され、発光層からの光を出射面から出射するＬＥＤチップと、を備え、パターン部の表面には、ＬＥＤチップの出射面よりも僅かに大きな第１の開口部を有する第１の凹部が形成されており、ＬＥＤチップは、第１の凹部内に収容され、少なくとも銀の成分を含むダイボンド剤を介して第１の凹部の底面に接合されている。   In order to achieve the above object, a light emitting device of the present invention includes a substrate, a conductive pattern portion formed on the surface of the substrate, and placed on the surface of the pattern portion to emit light from the light emitting layer from the emission surface. A first recessed portion having a first opening that is slightly larger than the emitting surface of the LED chip is formed on the surface of the pattern portion. It is accommodated in the recess and bonded to the bottom surface of the first recess via a die bond agent containing at least a silver component.

このような構成によれば、ＬＥＤチップから出射された紫外光の一部が戻り光として戻ってきたとしても、ＬＥＤチップの周囲及びダイボンド剤の周囲は、僅かに隙間を空けて設けられた第１の凹部の壁面によって取り囲まれているため、ダイボンド剤に到達する戻り光は殆どなく、Ａｇイオンマイグレーションの発生が抑制される。従って、Ａｇイオンマイグレーションの問題を解消するために、ダイボンド剤と、それに近接するＬＥＤチップの各電極やボンディングワイヤとの間に十分な絶縁距離を確保するといった対策を採る必要がなく、ＬＥＤチップを高密度に実装可能となる。   According to such a configuration, even if part of the ultraviolet light emitted from the LED chip returns as return light, the periphery of the LED chip and the periphery of the die bond agent are provided with a slight gap therebetween. Since it is surrounded by the wall surface of the concave portion 1, there is almost no return light reaching the die bond agent, and the occurrence of Ag ion migration is suppressed. Therefore, in order to solve the problem of Ag ion migration, it is not necessary to take measures such as securing a sufficient insulation distance between the die bond agent and each electrode or bonding wire of the LED chip adjacent to the die bond agent. High density mounting is possible.

また、ＬＥＤチップの出射面及び第１の開口部は、矩形状であり、第１の開口部の各辺は、ＬＥＤチップの出射面の各辺より５〜２０％大きく構成することが望ましい。   Moreover, it is desirable that the emission surface and the first opening of the LED chip have a rectangular shape, and each side of the first opening is configured to be 5 to 20% larger than each side of the emission surface of the LED chip.

また、第１の凹部の深さをｄとし、発光層から第１の凹部の底面までの距離をｔ１とし、ダイボンド剤の膜厚をｔ２としたとき、
ｔ２＜ｄ＜ｔ１
の関係を満たしていることが望ましい。 Further, when the depth of the first recess is d, the distance from the light emitting layer to the bottom surface of the first recess is t1, and the film thickness of the die bond agent is t2,
t2 <d <t1
It is desirable to satisfy the relationship.

また、基板の表面には、第１の開口部よりも僅かに大きな第２の開口部を有する第２の凹部が形成されており、第１の凹部が、第２の凹部の内部に形成されるように構成することができる。   In addition, a second recess having a second opening slightly larger than the first opening is formed on the surface of the substrate, and the first recess is formed inside the second recess. Can be configured.

また、第１の凹部とＬＥＤチップとの隙間に、少なくともＬＥＤチップから出射される光の波長域において透過率が低い遮光手段が設けられていることが望ましい。   Further, it is desirable that a light shielding unit having a low transmittance is provided in the gap between the first recess and the LED chip at least in the wavelength region of the light emitted from the LED chip.

また、第１の開口部の縁部からＬＥＤチップに向かって突出するように形成され、少なくとも光の波長域において光を遮光する遮光部材をさらに備える構成とすることもできる。また、この場合、遮光部材は、パターン部と一体的に形成されるように構成することができる。   Moreover, it can also be set as the structure further provided with the light-shielding member which is formed so that it may protrude toward the LED chip from the edge part of a 1st opening part, and light-shields at least in the wavelength region of light. In this case, the light shielding member can be configured to be formed integrally with the pattern portion.

また、第１の凹部の底面には、ＬＥＤチップの出射面よりも小さな第３の開口部を有する第３の凹部が形成されており、ダイボンド剤が、第３の凹部に収容される構成とすることができる。このような構成によれば、戻り光がダイボンド剤に到達することを確実に防止することができるため、Ａｇイオンマイグレーションの発生を確実に抑制することができる。   In addition, a third recess having a third opening smaller than the emission surface of the LED chip is formed on the bottom surface of the first recess, and the die bonding agent is accommodated in the third recess. can do. According to such a configuration, it is possible to reliably prevent the return light from reaching the die bond agent, and thus it is possible to reliably suppress the occurrence of Ag ion migration.

また、ＬＥＤチップは、出射面側にカソード端子及びアノード端子を有し、基板は、導電性を有する金属基板であり、パターン部が、金属基板と一体的に形成されるように構成することができる。   Further, the LED chip has a cathode terminal and an anode terminal on the emission surface side, the substrate is a conductive metal substrate, and the pattern portion can be formed integrally with the metal substrate. it can.

また、ＬＥＤチップは、出射面側にカソード端子及びアノード端子を有し、基板は、絶縁性を有するように構成することができる。   Further, the LED chip can be configured to have a cathode terminal and an anode terminal on the emission surface side, and the substrate to have an insulating property.

また、ＬＥＤチップは、出射面側にカソード端子又はアノード端子のいずれか一方を有し、第１の凹部の底面側にいずれか他方を有し、基板は、絶縁性を有するように構成することができる。   Further, the LED chip has either a cathode terminal or an anode terminal on the emission surface side, and has either the other on the bottom surface side of the first recess, and the substrate is configured to have insulating properties. Can do.

また、ＬＥＤチップは、出射面側にカソード端子又はアノード端子のいずれか一方を有し、第１の凹部の底面側にいずれか他方を有し、基板は、導電性を有する金属基板であり、金属基板は、パターン部との間を電気的に絶縁する絶縁層を備えるように構成することができる。   Further, the LED chip has either one of a cathode terminal or an anode terminal on the emission surface side, and has either the other on the bottom surface side of the first recess, and the substrate is a metal substrate having conductivity, The metal substrate can be configured to include an insulating layer that electrically insulates the pattern portion.

また、ＬＥＤチップから出射される光が、紫外線波長域の光を含むことが望ましい。   Moreover, it is desirable that the light emitted from the LED chip includes light in the ultraviolet wavelength region.

また、別の観点からは、本発明の発光装置は、基板と、基板の表面に形成された導電性を有するパターン部と、パターン部の表面に載置され、発光層からの光を出射面から出射するＬＥＤチップと、を備え、パターン部の表面には、ＬＥＤチップの出射面よりも小さな開口部を有する第１の凹部が形成されており、ＬＥＤチップは、第１の凹部内に充填された、少なくとも銀の成分を含むダイボンド剤を介してパターン部に接合されている。   From another point of view, the light-emitting device of the present invention is a substrate, a conductive pattern portion formed on the surface of the substrate, and a light-emitting surface that is placed on the surface of the pattern portion and emits light from the light-emitting layer. A first concave portion having an opening smaller than the emission surface of the LED chip is formed on the surface of the pattern portion, and the LED chip is filled in the first concave portion. Bonded to the pattern portion via a die bond agent containing at least a silver component.

このような構成によれば、ＬＥＤチップから出射された紫外光の一部が戻り光として戻ってきたとしても、ダイボンド剤に到達することはなく、Ａｇイオンマイグレーションの発生が確実に抑制される。   According to such a configuration, even if part of the ultraviolet light emitted from the LED chip returns as return light, it does not reach the die bond agent, and the occurrence of Ag ion migration is reliably suppressed.

また、さらに別の観点からは、本発明の発光装置の製造方法は、基板と、該基板上に載置され、発光層からの光を出射面から出射するＬＥＤチップとを備えた発光装置の製造方法であって、基板上に導電性のパターン部を生成する工程と、パターン部の表面に、ＬＥＤチップの出射面よりも僅かに大きな開口部を有する凹部を形成する工程と、凹部の底面に、少なくとも銀の成分を含むダイボンド剤を塗布する工程と、ＬＥＤチップを凹部内に収容し、ＬＥＤチップと凹部の底面とをダイボンド剤によって接合する工程とを含む。また、この場合、ＬＥＤチップは、出射面側に少なくとも１つの電極を備え、電極にワイヤーをボンディングする工程をさらに含むことができる。   From another point of view, a method for manufacturing a light emitting device according to the present invention includes a substrate and an LED chip that is mounted on the substrate and emits light from the light emitting layer from an emission surface. A method for producing a conductive pattern portion on a substrate, a step of forming a recess having an opening slightly larger than an emission surface of the LED chip on the surface of the pattern portion, and a bottom surface of the recess And a step of applying a die bond agent containing at least a silver component, and a step of housing the LED chip in the recess and bonding the LED chip and the bottom surface of the recess with the die bond agent. In this case, the LED chip may further include a step of providing at least one electrode on the light exit surface side and bonding a wire to the electrode.

以上のように、本発明によれば、Ａｇペースト上にコーティング等を施すことなく、簡単な構成でＡｇイオンマイグレーションを抑制すると共に、高密度に実装可能な発光装置及びその製造方法が実現される。   As described above, according to the present invention, a light emitting device that can suppress Ag ion migration with a simple configuration and can be mounted at a high density without applying a coating or the like on an Ag paste and a manufacturing method thereof are realized. .

本発明の第１の実施形態に係る発光装置の平面図である。1 is a plan view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention. 図１のＡ部の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the A section of FIG. 本発明の第１の実施形態に係る発光装置のＬＥＤチップと凹部との関係を説明する図である。It is a figure explaining the relationship between the LED chip and recessed part of the light-emitting device which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造工程を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the manufacturing process of the light-emitting device which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施形態に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施形態に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第５の実施形態に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device which concerns on the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第６の実施形態に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device which concerns on the 6th Embodiment of this invention. 本発明の第７の実施形態に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device which concerns on the 7th Embodiment of this invention. 本発明の第８の実施形態に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device which concerns on the 8th Embodiment of this invention. 本発明の第９の実施形態に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device which concerns on the 9th Embodiment of this invention. 本発明の第１０の実施形態に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device which concerns on the 10th Embodiment of this invention. 本発明の第１１の実施形態に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device which concerns on the 11th Embodiment of this invention. 本発明の第１２の実施形態に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device which concerns on the 12th Embodiment of this invention. 本発明の第１３の実施形態に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device which concerns on the 13th Embodiment of this invention.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、図中同一又は相当部分には同一の符号を付してその説明は繰り返さない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same or an equivalent part in a figure, and the description is not repeated.

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る発光装置１００の平面図である。また、図２は、図１のＡ部の拡大断面図である。本実施形態の発光装置１００は、紫外光照射装置に搭載されて紫外光を発する装置であり、図１に示すように、基板１０１上に複数（図１においては１０個）のＬＥＤチップ１１０等を備えている。 (First embodiment)
FIG. 1 is a plan view of a light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a part A in FIG. The light emitting device 100 of this embodiment is a device that is mounted on an ultraviolet light irradiation device and emits ultraviolet light. As shown in FIG. 1, a plurality of (10 in FIG. 1) LED chips 110 and the like on a substrate 101. It has.

基板１０１は、絶縁性を有する基材（例えば、セラミック（窒化アルミ、アルミナ、窒化ケイ素、炭化ケイ素など））から構成された、いわゆる配線基板である。図１に示すように、基板１０１の表面には、導電性を有する金属材料（例えば、銅、アルミ）からなる１０個の矩形状のパターン部１１２と、１個の正極端子１０２と、１個の負極端子１０３とが形成されている。また、図２に示すように、本実施形態のパターン部１１２の表面中央部には、ＬＥＤチップ１１０の出射面１１０ａよりも僅かに大きな矩形状の開口部１１２ａ（第１の開口部）を有する凹部１１２ｂ（第１の凹部）が形成されており、凹部１１２ｂの周囲（つまり、パターン部１１２表面の外周縁部側）には、ボンディングワイヤ１１４を打つための平坦部１１２ｃが形成されている。   The substrate 101 is a so-called wiring substrate made of an insulating base material (for example, ceramic (aluminum nitride, alumina, silicon nitride, silicon carbide, etc.)). As shown in FIG. 1, on the surface of the substrate 101, ten rectangular pattern portions 112 made of a conductive metal material (for example, copper, aluminum), one positive terminal 102, and one Negative electrode terminal 103 is formed. In addition, as shown in FIG. 2, a rectangular opening 112a (first opening) slightly larger than the emission surface 110a of the LED chip 110 is provided at the center of the surface of the pattern portion 112 of the present embodiment. A concave portion 112b (first concave portion) is formed, and a flat portion 112c for hitting the bonding wire 114 is formed around the concave portion 112b (that is, on the outer peripheral edge side of the surface of the pattern portion 112).

ＬＥＤチップ１１０は、四角柱状の形状を呈しており、上面（つまり、出射面１１０ａ）にカソード端子１１０ｂを備え、下面にアノード端子１１０ｃを備えている。そして、アノード端子１１０ｃとカソード端子１１０ｂ間に電流を印加すると、発光層１１０ｄにおいて紫外光（例えば、波長３８５ｎｍの光）が発生し、出射面１１０ａから出射される。本実施形態においては、ＬＥＤチップ１１０は、凹部１１２ｂに収容され、凹部１１２ｂの底面とＬＥＤチップ１１０の下面（つまり、アノード端子１１０ｃ）とが、ダイボンド剤１１６を介して接合されている。   The LED chip 110 has a quadrangular prism shape, and includes a cathode terminal 110b on an upper surface (that is, an emission surface 110a) and an anode terminal 110c on a lower surface. When a current is applied between the anode terminal 110c and the cathode terminal 110b, ultraviolet light (for example, light having a wavelength of 385 nm) is generated in the light emitting layer 110d and emitted from the emission surface 110a. In the present embodiment, the LED chip 110 is accommodated in the recess 112b, and the bottom surface of the recess 112b and the lower surface of the LED chip 110 (that is, the anode terminal 110c) are bonded via the die bond agent 116.

ダイボンド剤１１６は、ＬＥＤチップ１１０とパターン部１１２とを機械的及び電気的に接合するための部材であり、本実施形態においては、導電性を有する銀（Ａｇ）ペーストが用いられている。   The die bond agent 116 is a member for mechanically and electrically joining the LED chip 110 and the pattern part 112, and in this embodiment, a conductive silver (Ag) paste is used.

各ＬＥＤチップ１１０のカソード端子１１０ｂは、ＬＥＤチップ１１０の一方側（図１及び図２において右側）に隣接するＬＥＤチップ１１０が接合されたパターン部１１２の平坦部１１２ｃとボンディングワイヤ１１４を介して接続されており、隣接するＬＥＤチップ１１０は、それぞれ直列接続されている。また、図１中、最も左側に位置するＬＥＤチップ１１０が接合されたパターン部１１２は、基板１０１に形成された正極端子１０２とボンディングワイヤ１１４を介して接続されており、最も右側に位置するＬＥＤチップ１１０のカソード端子１１０ｂは、基板１０１に形成された負極端子１０３とボンディングワイヤ１１４を介して接続されている。正極端子１０２及び負極端子１０３は、不図示の電源装置に接続されており、電源装置によって正極端子１０２と負極端子１０３との間に電流を印加することで、正極端子１０２と負極端子１０３との間に直列接続された複数のＬＥＤチップ１１０に電流が流れ、各ＬＥＤチップ１１０から紫外光が出射される。そして、各ＬＥＤチップ１１０から出射された紫外光は、ＬＥＤチップ１１０の上方（つまり、光路中）に配置された不図示のカバーガラスを通り、照射対象物（不図示）に向けて照射される。   The cathode terminal 110b of each LED chip 110 is connected via a bonding wire 114 to the flat portion 112c of the pattern portion 112 to which the LED chip 110 adjacent to one side (right side in FIGS. 1 and 2) of the LED chip 110 is bonded. The adjacent LED chips 110 are connected in series. Further, in FIG. 1, the pattern portion 112 to which the leftmost LED chip 110 is bonded is connected to the positive electrode terminal 102 formed on the substrate 101 via the bonding wire 114, and the rightmost LED is located. The cathode terminal 110 b of the chip 110 is connected to the negative terminal 103 formed on the substrate 101 via a bonding wire 114. The positive electrode terminal 102 and the negative electrode terminal 103 are connected to a power supply device (not shown). By applying a current between the positive electrode terminal 102 and the negative electrode terminal 103 by the power supply device, the positive electrode terminal 102 and the negative electrode terminal 103 are connected to each other. A current flows through the plurality of LED chips 110 connected in series therebetween, and ultraviolet light is emitted from each LED chip 110. And the ultraviolet light radiate | emitted from each LED chip 110 passes along the cover glass not shown arrange | positioned above LED chip 110 (namely, in an optical path), and is irradiated toward an irradiation target object (not shown). .

このように、本実施形態の各ＬＥＤチップ１１０から出射された紫外光は、カバーガラスを通って、照射対象物に到達するが、紫外光がカバーガラスを通るとき、その一部がカバーガラスの入射面及び出射面で反射され、ＬＥＤチップ１１０側に戻ってきてしまうといった問題がある。また、各ＬＥＤチップ１１０から出射された紫外光が照射対象物によって反射され、ＬＥＤチップ１１０側に戻ってきてしまうといった問題もある。このように、各ＬＥＤチップ１１０から出射された紫外光がＬＥＤチップ１１０側に戻ってきてしまうと（以下、ＬＥＤチップ１１０側に戻ってきた光を「戻り光」と称する。）、戻り光がダイボンド剤１１６に入射し、ダイボンド剤１１６に含まれるＡｇがイオン化し、Ａｇイオンマイグレーションが誘起されることとなる。そこで、本実施形態においては、戻り光がダイボンド剤１１６に入射することを抑制するため、ＬＥＤチップ１１０の周囲を取り囲むように凹部１１２ｂが形成されている。   As described above, the ultraviolet light emitted from each LED chip 110 of the present embodiment passes through the cover glass and reaches the irradiation target, but when the ultraviolet light passes through the cover glass, a part of the ultraviolet light passes through the cover glass. There is a problem that the light is reflected by the incident surface and the light exit surface and returns to the LED chip 110 side. Further, there is a problem that the ultraviolet light emitted from each LED chip 110 is reflected by the irradiation object and returns to the LED chip 110 side. Thus, when the ultraviolet light emitted from each LED chip 110 returns to the LED chip 110 side (hereinafter, the light returning to the LED chip 110 side is referred to as “return light”), the return light is returned. Incident to the die bond agent 116, Ag contained in the die bond agent 116 is ionized, and Ag ion migration is induced. Therefore, in this embodiment, in order to suppress the return light from entering the die bonding agent 116, the recess 112b is formed so as to surround the LED chip 110.

図３は、図２の部分拡大図であり、ＬＥＤチップ１１０と凹部１１２ｂとの関係を説明する図である。図３に示すように、本実施形態のＬＥＤチップ１１０の上面及び下面は、一辺の長さがａ１（例えば、約１，０００μｍ）の正方形の形状を呈しており、凹部１１２ｂの開口部１１２ｂは、一辺の長さがａ２の正方形の形状を呈している。そして、開口部１１２ｂの一辺の長さａ２は、ＬＥＤチップ１１０の一辺の長さａ１よりも僅かに大きく、本実施形態においては、ＬＥＤチップ１１０のサイズの公差を考慮し、ＬＥＤチップ１１０の一辺の長さａ１に対して５〜２０％大きくなるように設定されている。なお、ＬＥＤチップ１１０と凹部１１２ｂとの隙間を抜けてダイボンド剤１１６に向かう戻り光は、ＬＥＤチップ１１０と凹部１１２ｂとの隙間が狭ければ狭いほど減少するため、開口部１１２ｂの一辺の長さａ２は、ＬＥＤチップ１１０の一辺の長さａ１に対して５〜１０％大きくなるように設定されるのがさらに好ましい。   FIG. 3 is a partially enlarged view of FIG. 2 and is a diagram for explaining the relationship between the LED chip 110 and the recess 112b. As shown in FIG. 3, the upper surface and the lower surface of the LED chip 110 of the present embodiment have a square shape with a side length of a1 (for example, about 1,000 μm), and the opening 112b of the recess 112b is The shape of the square of one side is a2. The length a2 of one side of the opening 112b is slightly larger than the length a1 of one side of the LED chip 110. In this embodiment, the one side of the LED chip 110 is considered in consideration of the size tolerance of the LED chip 110. Is set to be 5 to 20% larger than the length a1. Note that the return light that passes through the gap between the LED chip 110 and the recess 112b and travels toward the die bond agent 116 decreases as the gap between the LED chip 110 and the recess 112b decreases, and thus the length of one side of the opening 112b. It is more preferable that a2 is set to be 5 to 10% larger than the length a1 of one side of the LED chip 110.

また、本実施形態においては、発光層１１０ｄからの紫外光がＬＥＤチップ１１０の側面から出射された場合に（いわゆる「側面発光」がある場合に）、当該紫外光が、ＬＥＤチップ１１０と凹部１１２ｂとの隙間に入り、ダイボンド剤１１６に入射することを抑制するため、平坦部１１２ｃが、ダイボンド剤１１６よりも高く、かつ発光層１１０ｄよりも低い位置に位置するように構成されている。つまり、凹部１１２ｂの深さをｄとし、ＬＥＤチップ１１０の発光層１１０ｄから凹部１１２ｂの底面までの距離をｔ１とし、ダイボンド剤１１６の厚さをｔ２としたとき、以下の条件式（１）を満たすように構成されている。
ｔ２＜ｄ＜ｔ１・・・（１） Further, in the present embodiment, when the ultraviolet light from the light emitting layer 110d is emitted from the side surface of the LED chip 110 (when there is so-called “side light emission”), the ultraviolet light is converted into the LED chip 110 and the recess 112b. The flat portion 112c is configured to be positioned higher than the die bond agent 116 and lower than the light emitting layer 110d in order to prevent the light from entering the die bond agent 116. That is, when the depth of the recess 112b is d, the distance from the light emitting layer 110d of the LED chip 110 to the bottom surface of the recess 112b is t1, and the thickness of the die bond agent 116 is t2, the following conditional expression (1) is satisfied. It is configured to meet.
t2 <d <t1 (1)

このように、条件式（１）を満たす場合、発光層１１０ｄが凹部１１２ｂの外側（つまり、平坦部１１２ｃよりも上側）に配置されるため、発光層１１０ｄで発光した紫外光のほぼ全部が、ＬＥＤチップ１１０の上方に配置された照射対象物（不図示）に向けて出射される。そして、ＬＥＤチップ１１０から出射された紫外光の一部は、上述したように、照射対象物等で反射して戻ってくるが、ＬＥＤチップ１１０の周囲及びダイボンド剤１１６の周囲は、僅かに隙間を空けて設けられた凹部１１２ｂの壁面によって取り囲まれているため、ＬＥＤチップ１１０と凹部１１２ｂとの隙間を抜けてダイボンド剤１１６に向かう戻り光は殆どなく、Ａｇイオンマイグレーションの発生が抑制されるようになっている。このように、本実施形態の凹部１１２ｂは、ダイボンド剤１１６に向かう戻り光を遮光する一種の遮光部材として機能し、これによってＡｇイオンマイグレーションの発生を抑制している。従って、本実施形態の構成によれば、従来のように、Ａｇイオンマイグレーションの問題を解消するために、ダイボンド剤１１６と、それに近接するＬＥＤチップの各電極（つまり、カソード端子１１０ｂ及びアノード端子１１０ｃ）やボンディングワイヤ１１４との間に十分な絶縁距離を確保するといった対策を採る必要がなく、ＬＥＤチップ１１０を基板１０１上に高密度に実装することが可能となる。   As described above, when the conditional expression (1) is satisfied, the light emitting layer 110d is disposed outside the concave portion 112b (that is, above the flat portion 112c). Therefore, almost all of the ultraviolet light emitted from the light emitting layer 110d is The light is emitted toward an irradiation object (not shown) arranged above the LED chip 110. As described above, a part of the ultraviolet light emitted from the LED chip 110 is reflected and returned by the irradiation object or the like, but there is a slight gap between the periphery of the LED chip 110 and the periphery of the die bond agent 116. Is surrounded by the wall surface of the recess 112b provided with a gap between the LED chip 110 and the recess 112b so that there is almost no return light toward the die bond agent 116, and the occurrence of Ag ion migration is suppressed. It has become. Thus, the recess 112b of this embodiment functions as a kind of light shielding member that shields the return light toward the die bond agent 116, thereby suppressing the occurrence of Ag ion migration. Therefore, according to the configuration of the present embodiment, in order to solve the problem of Ag ion migration as in the past, the die bond agent 116 and each electrode of the LED chip adjacent thereto (that is, the cathode terminal 110b and the anode terminal 110c). ) And the bonding wire 114 need not be taken, and the LED chip 110 can be mounted on the substrate 101 at a high density.

（発光装置１００の製造方法）
次に、本実施形態の発光装置１００の製造方法について説明する。図４は、本実施形態の発光装置１００の製造工程を説明するフローチャートである。 (Method for manufacturing light emitting device 100)
Next, a method for manufacturing the light emitting device 100 of this embodiment will be described. FIG. 4 is a flowchart for explaining a manufacturing process of the light emitting device 100 of the present embodiment.

（パターン部形成工程）
先ず、所定のサイズにカットされた基板１０１を用意し、その表面に周知のメッキ法、厚膜法、薄膜法、ＤＢＣ（Direct Bonded Copper）、ＡＭＣ（Active Metal Brazed Copper）によってパターン部１１２を形成する。パターン部１１２を形成する。 (Pattern formation process)
First, a substrate 101 cut to a predetermined size is prepared, and a pattern portion 112 is formed on the surface by a known plating method, thick film method, thin film method, DBC (Direct Bonded Copper), AMC (Active Metal Brazed Copper). To do. A pattern portion 112 is formed.

（凹部形成工程）
次に、パターン部１１２の表面中央部を、周知のエッチング、サンドブラスト、機械加工等によって削り、凹部１１２ｂを形成する。なお、別の実施形態としては、パターン部１１２の凹部１１２ｂの周囲（つまり、平坦部１１２ｃ）を周知のマスクメッキ、蒸着、スパッタ、スクリーン印刷等で成長させ、パターン部１１２の中央部に凹部１１２ｂを形成することもできる。 (Recess formation process)
Next, the central portion of the surface of the pattern portion 112 is cut by well-known etching, sand blasting, machining, or the like to form the concave portion 112b. In another embodiment, the periphery (that is, the flat portion 112c) of the pattern portion 112 is grown by well-known mask plating, vapor deposition, sputtering, screen printing, or the like, and the recess 112b is formed at the center of the pattern portion 112. Can also be formed.

（ダイボンド剤塗布工程）
次に、凹部１１２ｂの底面の略中心部に、ディスペンサーや転写ピンを使用して、所定量のダイボンド剤１１６を塗布する。 (Die bond agent coating process)
Next, a predetermined amount of die bond agent 116 is applied to a substantially central portion of the bottom surface of the recess 112b using a dispenser or a transfer pin.

（接合工程）
次に、ダイボンダーやマウンター等を使用して、ＬＥＤチップ１１０を凹部１１２ｂの略中心部に実装し、ＬＥＤチップ１１０の下面と凹部１１２ｂの底面とをダイボンド剤１１６によって接合する。 (Joining process)
Next, using a die bonder, a mounter, or the like, the LED chip 110 is mounted at a substantially central portion of the recess 112b, and the lower surface of the LED chip 110 and the bottom surface of the recess 112b are joined by the die bond agent 116.

（ワイヤーボンド工程）
そして、最後に、ワイヤーボンダー等を使用して、各ＬＥＤチップ１１０のカソード端子１１０ｂと、隣接するＬＥＤチップ１１０が接合されたパターン部１１２の平坦部１１２ｃとをボンディングワイヤ１１４で接続し、図１中、最も左側に位置するＬＥＤチップ１１０が接合されたパターン部１１２と、基板１０１に形成された正極端子１０２とをボンディングワイヤ１１４で接続し、最も右側に位置するＬＥＤチップ１１０のカソード端子１１０ｂと、基板１０１に形成された負極端子１０３とをボンディングワイヤ１１４で接続して、本実施形態の発光装置１００が完成する。 (Wire bonding process)
Finally, using a wire bonder or the like, the cathode terminal 110b of each LED chip 110 and the flat portion 112c of the pattern portion 112 to which the adjacent LED chip 110 is bonded are connected by the bonding wire 114, and FIG. Among them, the pattern portion 112 to which the LED chip 110 located on the leftmost side is bonded and the positive electrode terminal 102 formed on the substrate 101 are connected by a bonding wire 114, and the cathode terminal 110b of the LED chip 110 located on the rightmost side The negative electrode terminal 103 formed on the substrate 101 is connected by the bonding wire 114, and the light emitting device 100 of this embodiment is completed.

以上が本発明の実施形態の説明であるが、本発明は、上記の実施形態の構成に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で様々な変形が可能である。   The above is the description of the embodiment of the present invention. However, the present invention is not limited to the configuration of the above-described embodiment, and various modifications are possible within the scope of the technical idea.

例えば、本実施形態においては、ＬＥＤチップ１１０の上面及び下面は正方形状であり、また凹部１１２ｂの開口部１１２ｂも正方形状であるとしたが、凹部１１２ｂの開口部１１２ｂの形状が、ＬＥＤチップ１１０の上面及び下面と相似形であれば如何なる形状であってもよく、この場合も、凹部１１２ｂの開口部１１２ｂが、ＬＥＤチップ１１０の上面及び下面（つまり、外形）に対して５〜２０％、好ましくは５〜１０％大きくなるように設定されていることが望ましい。   For example, in the present embodiment, the upper surface and the lower surface of the LED chip 110 are square, and the opening 112b of the recess 112b is also square. However, the shape of the opening 112b of the recess 112b is the LED chip 110. Any shape may be used as long as it is similar to the upper and lower surfaces of the LED chip. In this case, the opening 112b of the recess 112b is 5 to 20% with respect to the upper and lower surfaces (that is, the outer shape) of the LED chip 110 Preferably, it is set to be 5 to 10% larger.

また、本実施形態においては、ＬＥＤチップ１１０は、波長３８５ｎｍの光を発するものとして説明したが、他の紫外域の波長の光を発するものであってもよく、可視域又は赤外域の波長の光を発するものであってもよい。   In the present embodiment, the LED chip 110 has been described as emitting light having a wavelength of 385 nm. However, the LED chip 110 may emit light having a wavelength in the other ultraviolet region, and may have a wavelength in the visible region or infrared region. It may emit light.

（第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態に係る発光装置２００の断面図である。本実施形態の発光装置２００は、基板２０１が、導電性を有する基材（例えば銅やアルミ等のメタル基板）で構成されており、基板２０１の表面に（つまり、基板２０１とパターン部１１２との間に）絶縁性を有する絶縁層２０１ａが形成されている点で、第１の実施形態の発光装置１００と異なる。 (Second Embodiment)
FIG. 5 is a cross-sectional view of a light emitting device 200 according to the second embodiment of the present invention. In the light emitting device 200 of the present embodiment, the substrate 201 is formed of a conductive base material (for example, a metal substrate such as copper or aluminum), and is formed on the surface of the substrate 201 (that is, the substrate 201 and the pattern unit 112). (1) is different from the light emitting device 100 of the first embodiment in that an insulating layer 201a having an insulating property is formed.

本実施形態の基板２０１としては、例えば銅やアルミ等のメタル基板を適用可能であり、絶縁層２０１ａとしては、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｇＯ、ＴａＯ２、ＨｆＯ、Ｙ２Ｏ３等の酸化物や、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ等の窒化物、ＭｇＦ２等のフッ化物を主成分とする薄膜や、セラミック、ガラスエポキシ、ポリイミド、ＰＥＥＫ（polyetheretherketone）、ユニレート等の樹脂を適用可能である。本実施形態の絶縁層２０１ａは、パターン部形成工程に先だって、スパッタ法、蒸着法等によって成膜（形成）される。 As the substrate 201 of the present embodiment is applicable to metal substrates such as, for example, copper or aluminum, as the insulating layer 201a, for example, SiO 2, Al 2 O 3 , TiO 2, ZrO 2, ZnO 2, Nb 2 O 5, MgO, TaO 2, HfO, or Y 2 O 3 oxide such, SiN, AlN, nitride such as AlON, thin and composed mainly of fluoride MgF 2 or the like, ceramics, glass epoxy, polyimide Resins such as PEEK (polyetheretherketone) and unilate are applicable. The insulating layer 201a of this embodiment is formed (formed) by a sputtering method, a vapor deposition method, or the like prior to the pattern portion forming step.

このように、基板２０１とパターン部１１２との間に絶縁性を有する絶縁層２０１ａを形成すれば、導電性を有する基板２０１を本発明に適用することが可能となる。なお、ＬＥＤチップ１１０で発生する熱を効率よく基板２０１に伝導する観点から、絶縁層２０１ａを熱伝導率の高い材料で構成したり、薄く構成したりする等、絶縁層２０１の熱抵抗を低くすることが好ましい。   In this manner, when the insulating layer 201a having an insulating property is formed between the substrate 201 and the pattern portion 112, the conductive substrate 201 can be applied to the present invention. In addition, from the viewpoint of efficiently conducting the heat generated in the LED chip 110 to the substrate 201, the insulating layer 201a is made of a material having high thermal conductivity or is made thin, so that the thermal resistance of the insulating layer 201 is lowered. It is preferable to do.

（第３の実施形態）
図６は、本発明の第３の実施形態に係る発光装置３００の断面図である。本実施形態の発光装置３００は、絶縁層２０１ａが基板２０１の表面に部分的に（つまり、パターン部１１２の真下にのみ）形成されている点で、第２の実施形態の発光装置２００と異なる。 (Third embodiment)
FIG. 6 is a cross-sectional view of a light emitting device 300 according to the third embodiment of the present invention. The light emitting device 300 of this embodiment is different from the light emitting device 200 of the second embodiment in that the insulating layer 201a is partially formed on the surface of the substrate 201 (that is, only directly below the pattern portion 112). .

このように、絶縁層２０１ａをパターン部１１２の真下にのみ形成しても、第２の実施形態と同様、導電性を有する基板２０１を本発明に適用することが可能となる。   As described above, even when the insulating layer 201a is formed only directly below the pattern portion 112, the conductive substrate 201 can be applied to the present invention as in the second embodiment.

（第４の実施形態）
図７は、本発明の第４の実施形態に係る発光装置４００の断面図である。本実施形態の発光装置４００は、基板４０１の表面に矩形状の凹部４０１ｂ（第２の凹部）が形成されており、パターン部４１２が凹部４０１ｂを覆うように形成されている点で、第１の実施形態の発光装置１００と異なる。 (Fourth embodiment)
FIG. 7 is a cross-sectional view of a light emitting device 400 according to the fourth embodiment of the present invention. The light emitting device 400 of the present embodiment has a rectangular recess 401b (second recess) formed on the surface of the substrate 401, and the pattern portion 412 is formed so as to cover the recess 401b. This is different from the light emitting device 100 of the embodiment.

図７に示すように、本実施形態のパターン部４１２は、凹部４１２ｂ（第１の凹部）における厚さと、平坦部４１２ｃにおける厚さとが略同一となるような薄膜で形成され、基板４０１の凹部４０１ｂは、パターン部４１２に形成される凹部４１２ｂの開口部４１２ａ（第１の開口部）よりも僅かに大きな開口部４０１ａ（第２の開口部）を有しており、凹部４１２ｂが凹部４０１ｂの内部に形成されている。なお、本実施形態の凹部４０１ｂは、パターン部形成工程に先だって、サンドブラスト、レーザ加工等によって形成される。また、別の実施形態としては、第２及び第３の実施形態のように、基板４０１を導電性を有する基材（例えば銅やアルミ等のメタル基板）で構成し、基板４０１とパターン部４１２との間に絶縁層を形成する構成とすることもできる。   As shown in FIG. 7, the pattern portion 412 of this embodiment is formed of a thin film such that the thickness in the recess 412 b (first recess) and the thickness in the flat portion 412 c are substantially the same. 401b has an opening 401a (second opening) that is slightly larger than the opening 412a (first opening) of the recess 412b formed in the pattern portion 412, and the recess 412b corresponds to the recess 401b. It is formed inside. In addition, the recessed part 401b of this embodiment is formed by sandblasting, laser processing, etc. prior to a pattern part formation process. As another embodiment, as in the second and third embodiments, the substrate 401 is formed of a conductive base material (for example, a metal substrate such as copper or aluminum), and the substrate 401 and the pattern portion 412 are formed. An insulating layer may be formed between the two.

このように、基板４０１の表面とパターン部４１２の表面を両方凹ませる構成としても、上記の条件式（１）を満たす限り、第１の実施形態と同様、Ａｇイオンマイグレーションの発生が抑制される   Thus, even when the surface of the substrate 401 and the surface of the pattern portion 412 are both recessed, as long as the conditional expression (1) is satisfied, the occurrence of Ag ion migration is suppressed as in the first embodiment.

（第５の実施形態）
図８は、本発明の第５の実施形態に係る発光装置５００の断面図である。本実施形態の発光装置５００は、ＬＥＤチップ１１０と凹部１１２ｂとの隙間に、紫外光の透過率が低い遮光材料５１３（遮光手段）が充填されている点で第１の実施形態の発光装置１００と異なる。 (Fifth embodiment)
FIG. 8 is a cross-sectional view of a light emitting device 500 according to the fifth embodiment of the present invention. The light emitting device 500 of the present embodiment is the light emitting device 100 of the first embodiment in that the gap between the LED chip 110 and the recess 112b is filled with a light shielding material 513 (light shielding means) having a low ultraviolet light transmittance. And different.

遮光材料５１３としては、流動性がある材料が適しており、例えば、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ＵＶ硬化樹脂、ハンダ、アルミなどを用いることができる。また、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ＵＶ硬化樹脂等に紫外光を吸収する添加物を含有したものや、紫外光を反射する添加物を含有したものを適用することもできる。なお、本実施形態の遮光材料５１３は、接合工程の後に、ＬＥＤチップ１１０と凹部１１２ｂとの隙間に充填される。   As the light shielding material 513, a material having fluidity is suitable, and for example, a fluorine resin, a silicone resin, a UV curable resin, solder, aluminum, or the like can be used. Moreover, what contained the additive which absorbs ultraviolet light in a fluororesin, a silicone resin, UV curable resin, etc., and the thing containing the additive which reflects an ultraviolet light are also applicable. In addition, the light shielding material 513 of this embodiment is filled in the clearance gap between the LED chip 110 and the recessed part 112b after a joining process.

このように、ＬＥＤチップ１１０と凹部１１２ｂとの隙間に遮光材料５１３を充填すると、遮光材料５１３によって戻り光が吸収されるため、ダイボンド剤１１６に到達する戻り光は殆どなくなり、Ａｇイオンマイグレーションの発生が更に抑制される。   As described above, when the light shielding material 513 is filled in the gap between the LED chip 110 and the recess 112b, the return light is absorbed by the light shielding material 513, so that almost no return light reaches the die bonding agent 116 and Ag ion migration occurs. Is further suppressed.

（第６の実施形態）
図９は、本発明の第６の実施形態に係る発光装置６００の断面図である。本実施形態の発光装置６００は、ＬＥＤチップ１１０と凹部４１２ｂとの隙間に紫外光の透過率が低い遮光材料６１３（遮光手段）が充填されている点で第４の実施形態の発光装置４００と異なる。
このように、第４の実施形態の発光装置４００においても、第５の実施形態と同様、ＬＥＤチップ１１０と凹部４１２ｂとの隙間に遮光材料６１３を充填することで、Ａｇイオンマイグレーションの発生を更に抑制することができる。 (Sixth embodiment)
FIG. 9 is a cross-sectional view of a light emitting device 600 according to the sixth embodiment of the present invention. The light emitting device 600 of this embodiment is different from the light emitting device 400 of the fourth embodiment in that a light shielding material 613 (light shielding means) having a low transmittance of ultraviolet light is filled in the gap between the LED chip 110 and the recess 412b. Different.
As described above, in the light emitting device 400 of the fourth embodiment as well, similarly to the fifth embodiment, the gap between the LED chip 110 and the recess 412b is filled with the light shielding material 613, thereby further generating Ag ion migration. Can be suppressed.

（第７の実施形態）
図１０は、本発明の第７の実施形態に係る発光装置７００の断面図である。本実施形態の発光装置７００は、パターン部１１２の平坦部１１２ｃからＬＥＤチップ１１０に向かって延びる板状の遮光部材７１５（遮光手段）が設けられている点で第１の実施形態の発光装置１００と異なる。 (Seventh embodiment)
FIG. 10 is a cross-sectional view of a light emitting device 700 according to the seventh embodiment of the present invention. The light emitting device 700 of the present embodiment is provided with a plate-shaped light shielding member 715 (light shielding means) extending from the flat portion 112c of the pattern portion 112 toward the LED chip 110, and the light emitting device 100 of the first embodiment. And different.

遮光部材７１５としては、耐ＵＶ性を有する材料が適しており、例えば、テフロン（登録商標）樹脂、ポリイミド、ＰＥＥＫ、紫外線カットガラス、ＮＤフィルタなどの色付きガラス、板状の金属（例えば、アルミ、銅、ステンレス鋼）などを用いることができる。なお、本実施形態の遮光部材７１５は、接合工程の後に、ＬＥＤチップ１１０と凹部１１２ｂ（つまり、開口部１１２ａ）との隙間を埋めるように配置され、ハンダ付けや耐熱性接着剤によって平坦部１１２ｃ上に固着される。   As the light shielding member 715, a material having UV resistance is suitable, for example, colored glass such as Teflon (registered trademark) resin, polyimide, PEEK, ultraviolet cut glass, ND filter, plate-like metal (for example, aluminum, Copper, stainless steel) or the like can be used. In addition, the light shielding member 715 of this embodiment is arrange | positioned so that the clearance gap between the LED chip 110 and the recessed part 112b (namely, opening part 112a) may be filled after a joining process, and the flat part 112c by soldering or a heat resistant adhesive agent Secured on top.

このように、ＬＥＤチップ１１０と凹部１１２ｂとの隙間を埋めるように遮光部材７１５を配置すると、第５及び第６の実施形態と同様、遮光部材７１５によって戻り光が遮光されるため、ダイボンド剤１１６に到達する戻り光は殆どなくなり、Ａｇイオンマイグレーションの発生が更に抑制される。   As described above, when the light shielding member 715 is disposed so as to fill the gap between the LED chip 110 and the recess 112b, the return light is shielded by the light shielding member 715 as in the fifth and sixth embodiments. The return light that reaches the point almost disappears, and the occurrence of Ag ion migration is further suppressed.

（第８の実施形態）
図１１は、本発明の第８の実施形態に係る発光装置８００の断面図である。本実施形態の発光装置８００は、パターン部１１２の平坦部１１２ｃＭがＬＥＤチップ１１０に向かって突出するように（つまり、開口部１１２ａＭが窄まるように）凹部１１２ｂＭが形成されている点で第１の実施形態の発光装置１００と異なる。 (Eighth embodiment)
FIG. 11 is a cross-sectional view of a light emitting device 800 according to the eighth embodiment of the present invention. The light emitting device 800 of the present embodiment is the first in that the concave portion 112bM is formed so that the flat portion 112cM of the pattern portion 112 protrudes toward the LED chip 110 (that is, the opening portion 112aM is narrowed). This is different from the light emitting device 100 of the embodiment.

このように、パターン部１１２の平坦部１１２ｃＭがＬＥＤチップ１１０に向かって突出するように（つまり、開口部１１２ａＭが窄まるように）構成すると、平坦部１１２ｃＭが一種の遮光部材として機能するため、第７の実施形態と同様、ダイボンド剤１１６に到達する戻り光は殆どなくなり、Ａｇイオンマイグレーションの発生が更に抑制される。   As described above, when the flat portion 112cM of the pattern portion 112 is configured to protrude toward the LED chip 110 (that is, the opening portion 112aM is narrowed), the flat portion 112cM functions as a kind of light shielding member. As in the seventh embodiment, almost no return light reaches the die bond agent 116, and the occurrence of Ag ion migration is further suppressed.

（第９の実施形態）
図１２は、本発明の第９の実施形態に係る発光装置９００の断面図である。本実施形態の発光装置９００は、基板９０１が導電性を有する基材（例えば銅やアルミ等のメタル基板）からなり、導電性を有するパターン部１１２が基板９０１と一体的に形成されている点で第１の実施形態の発光装置１００と異なる。また、ＬＥＤチップ９１０が、上面（つまり、出射面９１０ａ）にカソード端子９１０ｂ及びアノード端子９１０ｃを備えている点で第１の実施形態の発光装置１００と異なる。 (Ninth embodiment)
FIG. 12 is a cross-sectional view of a light emitting device 900 according to the ninth embodiment of the present invention. In the light emitting device 900 of this embodiment, the substrate 901 is made of a conductive base material (for example, a metal substrate such as copper or aluminum), and the conductive pattern portion 112 is formed integrally with the substrate 901. This is different from the light emitting device 100 of the first embodiment. The LED chip 910 is different from the light emitting device 100 of the first embodiment in that the LED chip 910 includes a cathode terminal 910b and an anode terminal 910c on the upper surface (that is, the emission surface 910a).

本実施形態のＬＥＤチップ９１０は、紫外光を透過する絶縁性基板（例えば、サファイア基板）の表面にＧａＮ等のエピタキシャル層を結晶成長して形成したＬＥＤチップであり、ＬＥＤチップ９１０の上面には、カソード端子９１０ｂ及びアノード端子９１０ｃが形成されている。また、ＬＥＤチップ９１０の下面は、絶縁性を有するサファイア基板となっている。各ＬＥＤチップ９１０のカソード端子９１０ｂは、ＬＥＤチップ９１０の一方側（図１２において右側）に隣接するＬＥＤチップ９１０のアノード端子９１０ｃとボンディングワイヤ１１４を介して接続されており、隣接するＬＥＤチップ９１０は、それぞれ直列接続されている。   The LED chip 910 of this embodiment is an LED chip formed by crystal growth of an epitaxial layer such as GaN on the surface of an insulating substrate (for example, a sapphire substrate) that transmits ultraviolet light. A cathode terminal 910b and an anode terminal 910c are formed. Further, the lower surface of the LED chip 910 is an insulating sapphire substrate. The cathode terminal 910b of each LED chip 910 is connected to the anode terminal 910c of the LED chip 910 adjacent to one side (right side in FIG. 12) of the LED chip 910 via the bonding wire 114, and the adjacent LED chip 910 is Are connected in series.

このように、導電性を有する基板９０１を用い、上面（つまり、出射面９１０ａ）にカソード端子９１０ｂ及びアノード端子９１０ｃを備えたＬＥＤチップ９１０を本発明に適用することもできる。なお、本実施形態においては、パターン部１１２にボンディングワイヤ１１４が接続されないため、パターン部１１２は電気的に浮いているが、パターン部１１２は基板９０１と一体的に形成されており、ＬＥＤチップ９１０で発生した熱を基板９０１に効率よく伝導する熱伝導部材として機能している。   As described above, the LED chip 910 using the conductive substrate 901 and having the cathode terminal 910b and the anode terminal 910c on the upper surface (that is, the emission surface 910a) can also be applied to the present invention. In this embodiment, since the bonding wire 114 is not connected to the pattern portion 112, the pattern portion 112 is electrically floating, but the pattern portion 112 is formed integrally with the substrate 901, and the LED chip 910 is formed. It functions as a heat conducting member that efficiently conducts the heat generated in step 1 to the substrate 901.

（第１０の実施形態）
図１３は、本発明の第１０の実施形態に係る発光装置１０００の断面図である。本実施形態の発光装置１０００は、基板１００１が導電性を有する基材（例えば銅やアルミ等のメタル基板）からなり、基板１００１がパターン部４１２を兼ねるように構成されている（つまり、基板１００１がパターン部４１２と一体的に形成されている）点で第４の実施形態の発光装置４００と異なる。また、第９の実施形態と同様、ＬＥＤチップ９１０が、上面（つまり、出射面９１０ａ）にカソード端子９１０ｂ及びアノード端子９１０ｃを備えている点で第４の実施形態の発光装置４００と異なる。 (Tenth embodiment)
FIG. 13 is a cross-sectional view of a light emitting device 1000 according to the tenth embodiment of the present invention. The light emitting device 1000 of the present embodiment is configured such that the substrate 1001 is made of a conductive base material (for example, a metal substrate such as copper or aluminum), and the substrate 1001 also serves as the pattern portion 412 (that is, the substrate 1001). Is integrally formed with the pattern portion 412), and is different from the light emitting device 400 of the fourth embodiment. Similarly to the ninth embodiment, the LED chip 910 is different from the light emitting device 400 of the fourth embodiment in that a cathode terminal 910b and an anode terminal 910c are provided on the upper surface (that is, the emission surface 910a).

このように、パターン部４１２を兼ねるように構成された基板１００１を用いることによっても、上面（つまり、出射面９１０ａ）にカソード端子９１０ｂ及びアノード端子９１０ｃを備えたＬＥＤチップ９１０を本発明に適用することができる。なお、本実施形態においても、第９の実施形態と同様、パターン部４１２（つまり、基板１００１）にボンディングワイヤ１１４が接続されないため、パターン部４１２は電気的に浮いているが、パターン部４１２は基板１００１と一体的に形成されているため、ＬＥＤチップ９１０で発生した熱を基板９０１に効率よく伝導することができる。   As described above, the LED chip 910 having the cathode terminal 910b and the anode terminal 910c on the upper surface (that is, the emission surface 910a) is also applied to the present invention by using the substrate 1001 configured to also serve as the pattern portion 412. be able to. Also in this embodiment, as in the ninth embodiment, since the bonding wire 114 is not connected to the pattern portion 412 (that is, the substrate 1001), the pattern portion 412 is electrically floating, but the pattern portion 412 is Since it is formed integrally with the substrate 1001, heat generated in the LED chip 910 can be efficiently conducted to the substrate 901.

（第１１の実施形態）
図１４は、本発明の第１１の実施形態に係る発光装置１１００の断面図である。本実施形態の発光装置１１００は、パターン部１１１２の凹部１１１２ｂ（第１の凹部）の底面に、ＬＥＤチップ１１０の出射面１１０ａよりも小さな矩形状の開口部１１１２ｃ（第３の開口部）を有する凹部１１１２ｄ（第３の凹部）が形成されており、ダイボンド剤１１６が凹部１１１２ｄに収容されている点で第１の実施形態の発光装置１００と異なる。 (Eleventh embodiment)
FIG. 14 is a cross-sectional view of a light emitting device 1100 according to the eleventh embodiment of the present invention. The light emitting device 1100 of the present embodiment has a rectangular opening 1112c (third opening) that is smaller than the emission surface 110a of the LED chip 110 on the bottom surface of the recess 1112b (first recess) of the pattern part 1112. A recess 1112d (third recess) is formed, and the die bond agent 116 is accommodated in the recess 1112d, which is different from the light emitting device 100 of the first embodiment.

このような構成によれば、仮に戻り光がＬＥＤチップ１１０と凹部１１２ｂとの隙間を通ったとしても、ダイボンド剤１１６に至ることはなく、Ａｇイオンマイグレーションの発生を確実に抑制できる。なお、凹部１１１２ｄは、ダイボンド剤塗布工程に先立って、周知のエッチング、サンドブラスト、機械加工等を行うことによって形成することができる。   According to such a configuration, even if the return light passes through the gap between the LED chip 110 and the recess 112b, it does not reach the die bond agent 116, and the generation of Ag ion migration can be reliably suppressed. Note that the recess 1112d can be formed by performing well-known etching, sand blasting, machining, or the like prior to the die bonding agent application step.

（第１２の実施形態）
図１５は、本発明の第１２の実施形態に係る発光装置１２００の断面図である。本実施形態の発光装置１２００は、パターン部１２１２の矩形状の開口部１２１２ａ（第１の開口部）がＬＥＤチップ１１０の出射面１１０ａよりも小さく形成されている点で第１の実施形態の発光装置１００と異なる。 (Twelfth embodiment)
FIG. 15 is a sectional view of a light emitting device 1200 according to the twelfth embodiment of the present invention. The light emitting device 1200 of the present embodiment is the light emitting device of the first embodiment in that the rectangular opening 1212a (first opening) of the pattern portion 1212 is formed smaller than the emission surface 110a of the LED chip 110. Different from the device 100.

図１５に示すように、本実施形態においては、パターン部１２１２の矩形状の開口部１２１２ａ（第１の開口部）がＬＥＤチップ１１０の出射面１１０ａよりも小さく、凹部１２１２ｂ（第１の凹部）がダイボンド剤１１６のみを収容し、ＬＥＤチップ１１０の下面が平坦部１２１２ｃに当接した状態で固着されている。   As shown in FIG. 15, in the present embodiment, the rectangular opening 1212a (first opening) of the pattern portion 1212 is smaller than the emission surface 110a of the LED chip 110, and the recess 1212b (first recess). Contains only the die bond agent 116 and is fixed in a state where the lower surface of the LED chip 110 is in contact with the flat portion 1212c.

このような構成によれば、第１１の実施形態と同様、戻り光がダイボンド剤１１６に入射することを確実に防止できるため、Ａｇイオンマイグレーションの発生を確実に抑制できる。   According to such a configuration, similarly to the eleventh embodiment, it is possible to reliably prevent the return light from entering the die bond agent 116, and thus it is possible to reliably suppress the occurrence of Ag ion migration.

（第１３の実施形態）
図１６は、本発明の第１３の実施形態に係る発光装置１３００の断面図である。本実施形態の発光装置１３００は、基板１３０１の表面にＬＥＤチップ１１０よりも僅かに大きな矩形状の開口部１３０１ａを有する凹部１３０１ｂが形成されており、パターン部１３１２が凹部１３０１ｂの底面にのみ形成されている点で、第１の実施形態の発光装置１００と異なる。また、基板１３０１には、基板１３０１の表面からパターン部１３１２まで基板１３０１の内部をＬ字状に延びる導体部１３０５が形成されている点で、第１の実施形態の発光装置１００と異なる。 (13th Embodiment)
FIG. 16 is a sectional view of a light emitting device 1300 according to the thirteenth embodiment of the present invention. In the light emitting device 1300 of the present embodiment, a recess 1301b having a rectangular opening 1301a slightly larger than the LED chip 110 is formed on the surface of the substrate 1301, and the pattern portion 1312 is formed only on the bottom surface of the recess 1301b. It differs from the light-emitting device 100 of 1st Embodiment by the point. The substrate 1301 is different from the light emitting device 100 of the first embodiment in that a conductor portion 1305 extending in an L shape from the surface of the substrate 1301 to the pattern portion 1312 is formed in the substrate 1301.

本実施形態の基板１３０１は、第１の実施形態と同様、絶縁性を有する配線基板であり、導体部１３０５は、基板１３０１の表面から凹部１３０１ｂの壁面までＬ字状に延びる穴を穿孔し、この穴にハンダ等の導電性材料を流し込むことによって形成される。そして、パターン部１３１２が、導体部１３０５と電気的に接続するように、マスクメッキ等によって凹部１３０１ｂの底面に形成される。なお、別の実施形態としては、導体部１３０５は、基板１３０１内にビアを挿入することによって形成してもよい。また、基板１３０１を多層積層基板で構成すれば、導体部１３０５は、多層積層基板の配線パターンとビアとの組み合わせによって形成することもできる。   As in the first embodiment, the substrate 1301 of this embodiment is an insulating wiring substrate, and the conductor portion 1305 has a hole extending in an L shape from the surface of the substrate 1301 to the wall surface of the recess 1301b. The hole is formed by pouring a conductive material such as solder into the hole. And the pattern part 1312 is formed in the bottom face of the recessed part 1301b by mask plating etc. so that it may electrically connect with the conductor part 1305. FIG. In another embodiment, the conductor portion 1305 may be formed by inserting a via into the substrate 1301. Further, when the substrate 1301 is formed of a multilayer laminated substrate, the conductor portion 1305 can be formed by a combination of a wiring pattern and vias of the multilayer laminated substrate.

本実施形態においては、ＬＥＤチップ１１０は、凹部１３０１ｂに収容され、パターン部１３１２とＬＥＤチップ１１０の下面（つまり、アノード端子１１０ｃ）とが、ダイボンド剤１１６を介して接合されている。そして、各ＬＥＤチップ１１０のカソード端子１１０ｂは、ＬＥＤチップ１１０の一方側（図１６において右側）に隣接するＬＥＤチップ１１０が電気的に接続された導体部１３０５とボンディングワイヤ１１４を介して接続されており、第１の実施形態と同様、隣接するＬＥＤチップ１１０は、それぞれ直列接続されている。   In the present embodiment, the LED chip 110 is accommodated in the recess 1301 b, and the pattern portion 1312 and the lower surface of the LED chip 110 (that is, the anode terminal 110 c) are bonded via the die bond agent 116. The cathode terminal 110b of each LED chip 110 is connected via a bonding wire 114 to a conductor portion 1305 to which the LED chip 110 adjacent to one side (right side in FIG. 16) of the LED chip 110 is electrically connected. As in the first embodiment, adjacent LED chips 110 are connected in series.

このように、本実施形態のＬＥＤチップ１１０の周囲及びダイボンド剤１１６の周囲は、基板１３０１に設けられた凹部１３０１ｂの壁面によって取り囲まれている。このため、第１の実施形態と同様、ＬＥＤチップ１１０と凹部１３０１ｂとの隙間を抜けてダイボンド剤１１６に向かう戻り光は殆どなく、Ａｇイオンマイグレーションの発生が抑制される。   As described above, the periphery of the LED chip 110 and the periphery of the die bond agent 116 of the present embodiment are surrounded by the wall surface of the recess 1301 b provided in the substrate 1301. For this reason, as in the first embodiment, there is almost no return light passing through the gap between the LED chip 110 and the recess 1301b and going to the die bond agent 116, and the occurrence of Ag ion migration is suppressed.

なお、今回開示された実施の形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、１１００、１２００、１３００ 発光装置
１０１、２０１、４０１、９０１、１００１ 基板
１０２ 正極端子
１０３ 負極端子
１１０、９１０ ＬＥＤチップ
１１０ａ、９１０ａ 出射面
１１０ｂ、９１０ｂ カソード端子
１１０ｃ、９１０ｃ アノード端子
１１０ｄ 発光層
１１２、４１２、１１１２、１２１２、１３１２ パターン部
１１２ａ、４１２ａ、１１２ａＭ、１１１２ａ、１２１２ａ、１３０１ａ 開口部（第１の開口部）
１１２ｂ、４１２ｂ、１１２ｂＭ、１１１２ｂ、１２１２ｂ、１３０１ｂ 凹部（第１の凹部）
１１２ｃ、４１２ｃ、１１２ｃＭ、１２１２ｃ 平坦部
１１４ ボンディングワイヤ
１１６ ダイボンド剤
２０１ａ 絶縁層
４０１ａ 開口部（第２の開口部）
４０１ｂ 凹部（第２の凹部）
５１３、６１３ 遮光材料
７１５ 遮光部材
１１１２ｃ 開口部（第３の開口部）
１１１２ｄ 凹部（第３の凹部）
１３０５ 導体部 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 1100, 1200, 1300 Light emitting device 101, 201, 401, 901, 1001 Substrate 102 Positive electrode terminal 103 Negative electrode terminal 110, 910 LED chip 110a, 910a Emitting surface 110b, 910b Cathode terminal 110c, 910c Anode terminal 110d Light emitting layer 112, 412, 1112, 1212, 1312 Pattern part 112a, 412a, 112aM, 1112a, 1212a, 1301a Opening part (first opening part)
112b, 412b, 112bM, 1112b, 1212b, 1301b Recessed portion (first recessed portion)
112c, 412c, 112cM, 1212c Flat part 114 Bonding wire 116 Die bond agent 201a Insulating layer 401a Opening (second opening)
401b Concave portion (second concave portion)
513,613 Light-shielding material 715 Light-shielding member 1112c Opening (third opening)
1112d recess (third recess)
1305 Conductor part

Claims (21)

基板と、
前記基板の表面に形成された導電性を有するパターン部と、
前記パターン部の表面に載置され、発光層からの光を出射面から出射するＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップと、
を備え、
前記パターン部の表面には、前記ＬＥＤチップの出射面よりも僅かに大きな第１の開口部を有する第１の凹部が形成されており、
前記ＬＥＤチップは、前記第１の凹部内に収容され、少なくとも銀の成分を含むダイボンド剤を介して前記第１の凹部の底面に接合されている
ことを特徴とする発光装置。 A substrate,
A conductive pattern portion formed on the surface of the substrate;
An LED (Light Emitting Diode) chip mounted on the surface of the pattern portion and emitting light from the light emitting layer from the emission surface;
With
A first recess having a first opening slightly larger than the emission surface of the LED chip is formed on the surface of the pattern portion,
The LED chip is housed in the first recess, and is bonded to the bottom surface of the first recess via a die bond agent containing at least a silver component. 前記ＬＥＤチップの出射面及び前記第１の開口部は、矩形状であり、 前記第１の開口部の各辺は、前記ＬＥＤチップの出射面の各辺より５〜２０％大きいことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。   The emitting surface of the LED chip and the first opening are rectangular, and each side of the first opening is 5 to 20% larger than each side of the emitting surface of the LED chip. The light emitting device according to claim 1. 前記第１の凹部の深さをｄとし、前記発光層から前記第１の凹部の底面までの距離をｔ１とし、前記ダイボンド剤の膜厚をｔ２としたとき、
ｔ２＜ｄ＜ｔ１
の関係を満たしていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。 When the depth of the first recess is d, the distance from the light emitting layer to the bottom surface of the first recess is t1, and the film thickness of the die bond agent is t2,
t2 <d <t1
The light emitting device according to claim 1, wherein the relationship is satisfied. 前記基板の表面には、前記第１の開口部よりも僅かに大きな第２の開口部を有する第２の凹部が形成されており、
前記第１の凹部が、前記第２の凹部の内部に形成されている
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。 A second recess having a second opening slightly larger than the first opening is formed on the surface of the substrate,
4. The light emitting device according to claim 1, wherein the first recess is formed inside the second recess. 5. 前記第１の凹部と前記ＬＥＤチップとの隙間に、少なくとも前記光の波長域において透過率が低い遮光手段が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の発光装置。   5. The light-shielding unit having a low transmittance at least in the wavelength region of the light is provided in a gap between the first concave portion and the LED chip. The light-emitting device of description. 前記第１の開口部の縁部から前記ＬＥＤチップに向かって突出するように形成され、少なくとも前記光の波長域において光を遮光する遮光部材をさらに備えることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の発光装置。   The light-shielding member which is formed so that it may protrude toward the said LED chip from the edge part of the said 1st opening part, and further light-shields light in the wavelength range of the said light is further provided. The light-emitting device according to claim 5. 前記遮光部材は、前記パターン部と一体的に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。   The light-emitting device according to claim 6, wherein the light shielding member is formed integrally with the pattern portion. 前記第１の凹部の底面には、前記ＬＥＤチップの出射面よりも小さな第３の開口部を有する第３の凹部が形成されており、
前記ダイボンド剤が、前記第３の凹部に収容されていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の発光装置。 A third recess having a third opening smaller than the emission surface of the LED chip is formed on the bottom surface of the first recess,
The light emitting device according to any one of claims 1 to 7, wherein the die bond agent is accommodated in the third recess. 前記ＬＥＤチップは、前記出射面側にカソード端子及びアノード端子を有し、
前記基板は、導電性を有する金属基板であり、
前記パターン部が、前記金属基板と一体的に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の発光装置。 The LED chip has a cathode terminal and an anode terminal on the emission surface side,
The substrate is a metal substrate having conductivity,
The light emitting device according to claim 1, wherein the pattern portion is formed integrally with the metal substrate. 前記ＬＥＤチップは、前記出射面側にカソード端子及びアノード端子を有し、
前記基板は、絶縁性を有することを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の発光装置。 The LED chip has a cathode terminal and an anode terminal on the emission surface side,
The light emitting device according to claim 1, wherein the substrate has an insulating property. 前記ＬＥＤチップは、前記出射面側にカソード端子又はアノード端子のいずれか一方を有し、前記第１の凹部の底面側にいずれか他方を有し、
前記基板は、絶縁性を有することを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の発光装置。 The LED chip has either a cathode terminal or an anode terminal on the emission surface side, and has either the other on the bottom surface side of the first recess,
The light emitting device according to claim 1, wherein the substrate has an insulating property. 前記ＬＥＤチップは、前記出射面側にカソード端子又はアノード端子のいずれか一方を有し、前記第１の凹部の底面側にいずれか他方を有し、
前記基板は、導電性を有する金属基板であり、
前記金属基板は、前記パターン部との間を電気的に絶縁する絶縁層を備えることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の発光装置。 The LED chip has either a cathode terminal or an anode terminal on the emission surface side, and has either the other on the bottom surface side of the first recess,
The substrate is a metal substrate having conductivity,
The light emitting device according to claim 1, wherein the metal substrate includes an insulating layer that electrically insulates the pattern portion. 前記ＬＥＤチップから出射される光が、紫外線波長域の光を含むことを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 12, wherein the light emitted from the LED chip includes light in an ultraviolet wavelength region. 基板と、
前記基板の表面に形成された導電性を有するパターン部と、
前記パターン部の表面に載置され、発光層からの光を出射面から出射するＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップと、
を備え、
前記パターン部の表面には、前記ＬＥＤチップの出射面よりも小さな開口部を有する第１の凹部が形成されており、
前記ＬＥＤチップは、前記第１の凹部内に充填された、少なくとも銀の成分を含むダイボンド剤を介して前記パターン部に接合されている
ことを特徴とする発光装置。 A substrate,
A conductive pattern portion formed on the surface of the substrate;
An LED (Light Emitting Diode) chip mounted on the surface of the pattern portion and emitting light from the light emitting layer from the emission surface;
With
On the surface of the pattern portion, a first recess having an opening smaller than the emission surface of the LED chip is formed,
The light emitting device, wherein the LED chip is bonded to the pattern portion via a die bonding agent filled in the first recess and containing at least a silver component. 前記ＬＥＤチップは、前記出射面側にカソード端子及びアノード端子を有し、
前記基板は、導電性を有する金属基板であり、
前記パターン部が、前記金属基板と一体的に形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の発光装置。 The LED chip has a cathode terminal and an anode terminal on the emission surface side,
The substrate is a metal substrate having conductivity,
The light emitting device according to claim 14, wherein the pattern portion is formed integrally with the metal substrate. 前記ＬＥＤチップは、前記出射面側にカソード端子及びアノード端子を有し、
前記基板は、絶縁性を有することを特徴とする請求項１４に記載の発光装置。 The LED chip has a cathode terminal and an anode terminal on the emission surface side,
The light emitting device according to claim 14, wherein the substrate has an insulating property. 前記ＬＥＤチップは、前記出射面側にカソード端子又はアノード端子のいずれか一方を有し、前記第１の凹部の底面側にいずれか他方を有し、
前記基板は、絶縁性を有することを特徴とする請求項１４に記載の発光装置。 The LED chip has either a cathode terminal or an anode terminal on the emission surface side, and has either the other on the bottom surface side of the first recess,
The light emitting device according to claim 14, wherein the substrate has an insulating property. 前記ＬＥＤチップは、前記出射面側にカソード端子又はアノード端子のいずれか一方を有し、前記第１の凹部の底面側にいずれか他方を有し、
前記基板は、導電性を有する金属基板であり、
前記金属基板は、前記パターン部との間を電気的に絶縁する絶縁層を備えることを特徴とする請求項１４に記載の発光装置。 The LED chip has either a cathode terminal or an anode terminal on the emission surface side, and has either the other on the bottom surface side of the first recess,
The substrate is a metal substrate having conductivity,
The light emitting device according to claim 14, wherein the metal substrate includes an insulating layer that electrically insulates the pattern portion. 前記ＬＥＤチップから出射される光が、紫外線波長域の光を含むことを特徴とする請求項１４から請求項１８のいずれか一項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 14 to 18, wherein the light emitted from the LED chip includes light in an ultraviolet wavelength region. 基板と、該基板上に載置され、発光層からの光を出射面から出射するＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップとを備えた発光装置の製造方法であって、
基板上に導電性のパターン部を生成する工程と、
前記パターン部の表面に、前記ＬＥＤチップの出射面よりも僅かに大きな開口部を有する凹部を形成する工程と、
前記凹部の底面に、少なくとも銀の成分を含むダイボンド剤を塗布する工程と、
前記ＬＥＤチップを前記凹部内に収容し、前記ＬＥＤチップと前記凹部の底面とを前記ダイボンド剤によって接合する工程と、
を含む発光装置の製造方法。 A method of manufacturing a light emitting device including a substrate and an LED (Light Emitting Diode) chip mounted on the substrate and emitting light from the light emitting layer from an emission surface,
Producing a conductive pattern on the substrate;
Forming a recess having an opening slightly larger than the emitting surface of the LED chip on the surface of the pattern portion; and
Applying a die bond agent containing at least a silver component to the bottom surface of the recess;
Storing the LED chip in the recess, and bonding the LED chip and the bottom surface of the recess with the die bonding agent;
A method for manufacturing a light-emitting device including: 前記ＬＥＤチップは、前記出射面側に少なくとも１つの電極を備え、
前記発光装置の製造方法は、前記電極にワイヤーをボンディングする工程を含むことを特徴とする請求項２０に記載の発光装置の製造方法。 The LED chip includes at least one electrode on the emission surface side,
The method for manufacturing a light emitting device according to claim 20, wherein the method for manufacturing the light emitting device includes a step of bonding a wire to the electrode.
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