JP2015149321A - Light-emitting device and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、紫外光照射装置等に搭載される発光装置とその製造方法に関し、特に、LED(Light Emitting Diode)等の発光素子を用いた発光装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a light emitting device mounted on an ultraviolet light irradiation device or the like and a manufacturing method thereof, and more particularly to a light emitting device using a light emitting element such as an LED (Light Emitting Diode) and a manufacturing method thereof.
従来、FPD(Flat Panel Display)周りの接着剤として用いられる紫外線硬化樹脂や、オフセット枚葉印刷用のインキとして用いられる紫外線硬化型インキを硬化させるために、紫外光照射装置が用いられている。 2. Description of the Related Art Conventionally, an ultraviolet light irradiation device is used to cure an ultraviolet curable resin used as an adhesive around an FPD (Flat Panel Display) and an ultraviolet curable ink used as an ink for offset sheet-fed printing.
紫外光照射装置としては、従来、高圧水銀ランプや水銀キセノンランプ等を光源とするランプ型照射装置が知られているが、近年、消費電力の削減、長寿命化、装置サイズのコンパクト化の要請から、従来の放電ランプに替えて、LED(Light Emitting Diode)を光源として利用した紫外光照射装置が開発されている(例えば、特許文献1)。 As an ultraviolet light irradiation device, a lamp type irradiation device using a high-pressure mercury lamp, a mercury xenon lamp, or the like as a light source has been known in the past. However, in recent years, there has been a demand for reduction in power consumption, longer life, and downsizing of the device size. Therefore, in place of the conventional discharge lamp, an ultraviolet light irradiation device using an LED (Light Emitting Diode) as a light source has been developed (for example, Patent Document 1).
特許文献1に記載の紫外光照射装置は、ライン状に並べられた複数のLEDモジュールを備えている。各LEDモジュールは、紫外領域にピーク波長を有するLEDチップ(一般に、「ダイ」や「LED」と称呼される場合もある)、サブマウント基板、枠体等によって構成されており、LEDチップは、ダイボンド剤によってサブマウント基板上に接着固定されている。 The ultraviolet light irradiation device described in Patent Document 1 includes a plurality of LED modules arranged in a line. Each LED module includes an LED chip having a peak wavelength in the ultraviolet region (generally referred to as “die” or “LED”), a submount substrate, a frame, and the like. It is bonded and fixed on the submount substrate with a die bond agent.
ダイボンド剤は、LEDチップを基板等に固着化させるために使用される接合材料であり、一般に、シリコーン系のダイボンド剤、エポキシ系のダイボンド剤、金属接着剤、銀(Ag)ペーストなどが用いられているが(例えば、特許文献2)、安価で、耐熱性・耐湿性が高く、ハンダよりも弾性率が低いなどの理由から、Agエポキシ系、Agポリイミド系の、いわゆるAgペーストが用いられることが多い。しかしながら、AgペーストによってLEDチップ等の光半導体素子を固着すると、いわゆるAgイオンマイグレーションによって信頼性が低下することが指摘されている(例えば、非特許文献1)。 The die bond agent is a bonding material used for fixing the LED chip to a substrate or the like, and generally, a silicone-based die bond agent, an epoxy-based die bond agent, a metal adhesive, a silver (Ag) paste, or the like is used. However, for example, it is inexpensive, has high heat resistance and moisture resistance, and has a lower elastic modulus than solder, so that an Ag epoxy type or Ag polyimide type so-called Ag paste is used. There are many. However, it has been pointed out that when an optical semiconductor element such as an LED chip is fixed with Ag paste, the reliability is lowered by so-called Ag ion migration (for example, Non-Patent Document 1).
非特許文献1に記載されているように、Agイオンマイグレーションは、金属の電気化学的な移動現象の一種であり、電気分解作用によりAgがシミ状あるいは樹枝状に移動し成長する現象である。このようにAgがイオン化して成長すると、最終的にはLEDチップの電極やボンディングワイヤと接触し、最悪の場合、LEDチップの電極間(つまり、アノードとカソード間)をショート(短絡)させることとなる。そして、LEDチップの電極間がショートすると、LEDチップが不点灯となったり、破壊することとなる。 As described in Non-Patent Document 1, Ag ion migration is a kind of electrochemical migration phenomenon of metal, and is a phenomenon in which Ag migrates and grows in the form of spots or dendrites due to electrolysis. When Ag is ionized and grows in this way, it finally comes into contact with the LED chip electrodes and bonding wires, and in the worst case, the LED chip electrodes (that is, between the anode and cathode) are short-circuited. It becomes. When the electrodes of the LED chips are short-circuited, the LED chips are not turned on or destroyed.
このように、AgイオンマイグレーションはAgのイオン化に起因するところ、特に光を発するLEDチップ等の光半導体素子においては、表面プラズモンによってAgがイオン化してしまうことが懸念される(例えば、特許文献3)。特許文献3に記載されているように、金属粒子に光が照射されると、表面プラズモンが発生し、その部分の電界強度が局所的に増え、金属粒子がイオン化する。つまり、LEDチップ等の光半導体素子をAgペーストによって固着する構成の場合、LEDチップからの光がAgペーストに入射することによって表面プラズモンが発生し、Agペーストに含まれるAgがイオン化する。そして、Agのイオン化によってAgがシミ状あるいは樹枝状に成長すると、最終的にはLEDチップの電極間をショートさせ、LEDチップが不点灯となったり、破壊するといった問題が発生する。 As described above, Ag ion migration is caused by the ionization of Ag. In particular, in an optical semiconductor element such as an LED chip that emits light, there is a concern that Ag may be ionized by surface plasmons (for example, Patent Document 3). ). As described in Patent Document 3, when the metal particles are irradiated with light, surface plasmons are generated, the electric field strength of the portion is locally increased, and the metal particles are ionized. That is, in a configuration in which an optical semiconductor element such as an LED chip is fixed with Ag paste, surface plasmon is generated when light from the LED chip enters the Ag paste, and Ag contained in the Ag paste is ionized. Then, when Ag grows in a spot shape or a dendritic shape due to ionization of Ag, there is a problem that eventually the electrodes of the LED chip are short-circuited and the LED chip is not lit or destroyed.
このようなAgイオンマイグレーションの問題を解消するためには、予めAgイオンマイグレーションによるAgが発生した際のAgの移動距離を長く設定したり、パターン間の電界強度を下げることが有効であるため、一般に、Agペーストと、それに近接するLEDチップの各電極やボンディングワイヤとの間に十分な絶縁距離を確保するといった対策が採られる。しかしながら、特許文献1に記載の構成のように、LEDチップを高密度に並べるような構成(つまり、LEDモジュール)の場合には、配置上の制約から、十分な絶縁距離を確保することは難しい。 In order to solve such a problem of Ag ion migration, it is effective to set a long distance of movement of Ag when Ag is generated by Ag ion migration in advance or to reduce the electric field strength between patterns. In general, measures are taken such as securing a sufficient insulation distance between the Ag paste and each electrode or bonding wire of the LED chip adjacent thereto. However, in the case of a configuration in which LED chips are arranged at high density (that is, an LED module) as in the configuration described in Patent Document 1, it is difficult to ensure a sufficient insulation distance due to restrictions on arrangement. .
また、Agイオンマイグレーションは、Agペーストに含まれるAgがLEDチップからの光によってイオン化することによって誘起されるため、LEDチップからの光がAgペーストに入射しないように(つまり、表面プラズモンの発生を抑制するために)、Agペースト上にLEDチップからの光を遮断するコーティング等を施すことも考えられるが、LEDチップを基板上に接着固定した後にコーティング等を施すことは極めて困難である。 In addition, Ag ion migration is induced when the Ag contained in the Ag paste is ionized by the light from the LED chip, so that the light from the LED chip does not enter the Ag paste (that is, the generation of surface plasmons). In order to suppress this, it may be possible to apply a coating or the like on the Ag paste that blocks light from the LED chip, but it is extremely difficult to apply the coating or the like after the LED chip is bonded and fixed on the substrate.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、Agペースト上にコーティング等を施すことなく、簡単な構成でAgイオンマイグレーションを抑制すると共に、高密度に実装可能な発光装置及びその製造方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such circumstances. The object of the present invention is to suppress Ag ion migration with a simple configuration without applying coating or the like on Ag paste, and at a high density. A light-emitting device that can be mounted and a method for manufacturing the same.
上記目的を達成するため、本発明の発光装置は、基板と、基板の表面に形成された導電性を有するパターン部と、パターン部の表面に載置され、発光層からの光を出射面から出射するLEDチップと、を備え、パターン部の表面には、LEDチップの出射面よりも僅かに大きな第1の開口部を有する第1の凹部が形成されており、LEDチップは、第1の凹部内に収容され、少なくとも銀の成分を含むダイボンド剤を介して第1の凹部の底面に接合されている。 In order to achieve the above object, a light emitting device of the present invention includes a substrate, a conductive pattern portion formed on the surface of the substrate, and placed on the surface of the pattern portion to emit light from the light emitting layer from the emission surface. A first recessed portion having a first opening that is slightly larger than the emitting surface of the LED chip is formed on the surface of the pattern portion. It is accommodated in the recess and bonded to the bottom surface of the first recess via a die bond agent containing at least a silver component.
このような構成によれば、LEDチップから出射された紫外光の一部が戻り光として戻ってきたとしても、LEDチップの周囲及びダイボンド剤の周囲は、僅かに隙間を空けて設けられた第1の凹部の壁面によって取り囲まれているため、ダイボンド剤に到達する戻り光は殆どなく、Agイオンマイグレーションの発生が抑制される。従って、Agイオンマイグレーションの問題を解消するために、ダイボンド剤と、それに近接するLEDチップの各電極やボンディングワイヤとの間に十分な絶縁距離を確保するといった対策を採る必要がなく、LEDチップを高密度に実装可能となる。 According to such a configuration, even if part of the ultraviolet light emitted from the LED chip returns as return light, the periphery of the LED chip and the periphery of the die bond agent are provided with a slight gap therebetween. Since it is surrounded by the wall surface of the concave portion 1, there is almost no return light reaching the die bond agent, and the occurrence of Ag ion migration is suppressed. Therefore, in order to solve the problem of Ag ion migration, it is not necessary to take measures such as securing a sufficient insulation distance between the die bond agent and each electrode or bonding wire of the LED chip adjacent to the die bond agent. High density mounting is possible.
また、LEDチップの出射面及び第1の開口部は、矩形状であり、第1の開口部の各辺は、LEDチップの出射面の各辺より5〜20%大きく構成することが望ましい。 Moreover, it is desirable that the emission surface and the first opening of the LED chip have a rectangular shape, and each side of the first opening is configured to be 5 to 20% larger than each side of the emission surface of the LED chip.
また、第1の凹部の深さをdとし、発光層から第1の凹部の底面までの距離をt1とし、ダイボンド剤の膜厚をt2としたとき、
t2<d<t1
の関係を満たしていることが望ましい。
Further, when the depth of the first recess is d, the distance from the light emitting layer to the bottom surface of the first recess is t1, and the film thickness of the die bond agent is t2,
t2 <d <t1
It is desirable to satisfy the relationship.
また、基板の表面には、第1の開口部よりも僅かに大きな第2の開口部を有する第2の凹部が形成されており、第1の凹部が、第2の凹部の内部に形成されるように構成することができる。 In addition, a second recess having a second opening slightly larger than the first opening is formed on the surface of the substrate, and the first recess is formed inside the second recess. Can be configured.
また、第1の凹部とLEDチップとの隙間に、少なくともLEDチップから出射される光の波長域において透過率が低い遮光手段が設けられていることが望ましい。 Further, it is desirable that a light shielding unit having a low transmittance is provided in the gap between the first recess and the LED chip at least in the wavelength region of the light emitted from the LED chip.
また、第1の開口部の縁部からLEDチップに向かって突出するように形成され、少なくとも光の波長域において光を遮光する遮光部材をさらに備える構成とすることもできる。また、この場合、遮光部材は、パターン部と一体的に形成されるように構成することができる。 Moreover, it can also be set as the structure further provided with the light-shielding member which is formed so that it may protrude toward the LED chip from the edge part of a 1st opening part, and light-shields at least in the wavelength region of light. In this case, the light shielding member can be configured to be formed integrally with the pattern portion.
また、第1の凹部の底面には、LEDチップの出射面よりも小さな第3の開口部を有する第3の凹部が形成されており、ダイボンド剤が、第3の凹部に収容される構成とすることができる。このような構成によれば、戻り光がダイボンド剤に到達することを確実に防止することができるため、Agイオンマイグレーションの発生を確実に抑制することができる。 In addition, a third recess having a third opening smaller than the emission surface of the LED chip is formed on the bottom surface of the first recess, and the die bonding agent is accommodated in the third recess. can do. According to such a configuration, it is possible to reliably prevent the return light from reaching the die bond agent, and thus it is possible to reliably suppress the occurrence of Ag ion migration.
また、LEDチップは、出射面側にカソード端子及びアノード端子を有し、基板は、導電性を有する金属基板であり、パターン部が、金属基板と一体的に形成されるように構成することができる。 Further, the LED chip has a cathode terminal and an anode terminal on the emission surface side, the substrate is a conductive metal substrate, and the pattern portion can be formed integrally with the metal substrate. it can.
また、LEDチップは、出射面側にカソード端子及びアノード端子を有し、基板は、絶縁性を有するように構成することができる。 Further, the LED chip can be configured to have a cathode terminal and an anode terminal on the emission surface side, and the substrate to have an insulating property.
また、LEDチップは、出射面側にカソード端子又はアノード端子のいずれか一方を有し、第1の凹部の底面側にいずれか他方を有し、基板は、絶縁性を有するように構成することができる。 Further, the LED chip has either a cathode terminal or an anode terminal on the emission surface side, and has either the other on the bottom surface side of the first recess, and the substrate is configured to have insulating properties. Can do.
また、LEDチップは、出射面側にカソード端子又はアノード端子のいずれか一方を有し、第1の凹部の底面側にいずれか他方を有し、基板は、導電性を有する金属基板であり、金属基板は、パターン部との間を電気的に絶縁する絶縁層を備えるように構成することができる。 Further, the LED chip has either one of a cathode terminal or an anode terminal on the emission surface side, and has either the other on the bottom surface side of the first recess, and the substrate is a metal substrate having conductivity, The metal substrate can be configured to include an insulating layer that electrically insulates the pattern portion.
また、LEDチップから出射される光が、紫外線波長域の光を含むことが望ましい。 Moreover, it is desirable that the light emitted from the LED chip includes light in the ultraviolet wavelength region.
また、別の観点からは、本発明の発光装置は、基板と、基板の表面に形成された導電性を有するパターン部と、パターン部の表面に載置され、発光層からの光を出射面から出射するLEDチップと、を備え、パターン部の表面には、LEDチップの出射面よりも小さな開口部を有する第1の凹部が形成されており、LEDチップは、第1の凹部内に充填された、少なくとも銀の成分を含むダイボンド剤を介してパターン部に接合されている。 From another point of view, the light-emitting device of the present invention is a substrate, a conductive pattern portion formed on the surface of the substrate, and a light-emitting surface that is placed on the surface of the pattern portion and emits light from the light-emitting layer. A first concave portion having an opening smaller than the emission surface of the LED chip is formed on the surface of the pattern portion, and the LED chip is filled in the first concave portion. Bonded to the pattern portion via a die bond agent containing at least a silver component.
このような構成によれば、LEDチップから出射された紫外光の一部が戻り光として戻ってきたとしても、ダイボンド剤に到達することはなく、Agイオンマイグレーションの発生が確実に抑制される。 According to such a configuration, even if part of the ultraviolet light emitted from the LED chip returns as return light, it does not reach the die bond agent, and the occurrence of Ag ion migration is reliably suppressed.
また、さらに別の観点からは、本発明の発光装置の製造方法は、基板と、該基板上に載置され、発光層からの光を出射面から出射するLEDチップとを備えた発光装置の製造方法であって、基板上に導電性のパターン部を生成する工程と、パターン部の表面に、LEDチップの出射面よりも僅かに大きな開口部を有する凹部を形成する工程と、凹部の底面に、少なくとも銀の成分を含むダイボンド剤を塗布する工程と、LEDチップを凹部内に収容し、LEDチップと凹部の底面とをダイボンド剤によって接合する工程とを含む。また、この場合、LEDチップは、出射面側に少なくとも1つの電極を備え、電極にワイヤーをボンディングする工程をさらに含むことができる。 From another point of view, a method for manufacturing a light emitting device according to the present invention includes a substrate and an LED chip that is mounted on the substrate and emits light from the light emitting layer from an emission surface. A method for producing a conductive pattern portion on a substrate, a step of forming a recess having an opening slightly larger than an emission surface of the LED chip on the surface of the pattern portion, and a bottom surface of the recess And a step of applying a die bond agent containing at least a silver component, and a step of housing the LED chip in the recess and bonding the LED chip and the bottom surface of the recess with the die bond agent. In this case, the LED chip may further include a step of providing at least one electrode on the light exit surface side and bonding a wire to the electrode.
以上のように、本発明によれば、Agペースト上にコーティング等を施すことなく、簡単な構成でAgイオンマイグレーションを抑制すると共に、高密度に実装可能な発光装置及びその製造方法が実現される。 As described above, according to the present invention, a light emitting device that can suppress Ag ion migration with a simple configuration and can be mounted at a high density without applying a coating or the like on an Ag paste and a manufacturing method thereof are realized. .
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、図中同一又は相当部分には同一の符号を付してその説明は繰り返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same or an equivalent part in a figure, and the description is not repeated.
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る発光装置100の平面図である。また、図2は、図1のA部の拡大断面図である。本実施形態の発光装置100は、紫外光照射装置に搭載されて紫外光を発する装置であり、図1に示すように、基板101上に複数(図1においては10個)のLEDチップ110等を備えている。
(First embodiment)
FIG. 1 is a plan view of a
基板101は、絶縁性を有する基材(例えば、セラミック(窒化アルミ、アルミナ、窒化ケイ素、炭化ケイ素など))から構成された、いわゆる配線基板である。図1に示すように、基板101の表面には、導電性を有する金属材料(例えば、銅、アルミ)からなる10個の矩形状のパターン部112と、1個の正極端子102と、1個の負極端子103とが形成されている。また、図2に示すように、本実施形態のパターン部112の表面中央部には、LEDチップ110の出射面110aよりも僅かに大きな矩形状の開口部112a(第1の開口部)を有する凹部112b(第1の凹部)が形成されており、凹部112bの周囲(つまり、パターン部112表面の外周縁部側)には、ボンディングワイヤ114を打つための平坦部112cが形成されている。
The
LEDチップ110は、四角柱状の形状を呈しており、上面(つまり、出射面110a)にカソード端子110bを備え、下面にアノード端子110cを備えている。そして、アノード端子110cとカソード端子110b間に電流を印加すると、発光層110dにおいて紫外光(例えば、波長385nmの光)が発生し、出射面110aから出射される。本実施形態においては、LEDチップ110は、凹部112bに収容され、凹部112bの底面とLEDチップ110の下面(つまり、アノード端子110c)とが、ダイボンド剤116を介して接合されている。
The
ダイボンド剤116は、LEDチップ110とパターン部112とを機械的及び電気的に接合するための部材であり、本実施形態においては、導電性を有する銀(Ag)ペーストが用いられている。
The
各LEDチップ110のカソード端子110bは、LEDチップ110の一方側(図1及び図2において右側)に隣接するLEDチップ110が接合されたパターン部112の平坦部112cとボンディングワイヤ114を介して接続されており、隣接するLEDチップ110は、それぞれ直列接続されている。また、図1中、最も左側に位置するLEDチップ110が接合されたパターン部112は、基板101に形成された正極端子102とボンディングワイヤ114を介して接続されており、最も右側に位置するLEDチップ110のカソード端子110bは、基板101に形成された負極端子103とボンディングワイヤ114を介して接続されている。正極端子102及び負極端子103は、不図示の電源装置に接続されており、電源装置によって正極端子102と負極端子103との間に電流を印加することで、正極端子102と負極端子103との間に直列接続された複数のLEDチップ110に電流が流れ、各LEDチップ110から紫外光が出射される。そして、各LEDチップ110から出射された紫外光は、LEDチップ110の上方(つまり、光路中)に配置された不図示のカバーガラスを通り、照射対象物(不図示)に向けて照射される。
The
このように、本実施形態の各LEDチップ110から出射された紫外光は、カバーガラスを通って、照射対象物に到達するが、紫外光がカバーガラスを通るとき、その一部がカバーガラスの入射面及び出射面で反射され、LEDチップ110側に戻ってきてしまうといった問題がある。また、各LEDチップ110から出射された紫外光が照射対象物によって反射され、LEDチップ110側に戻ってきてしまうといった問題もある。このように、各LEDチップ110から出射された紫外光がLEDチップ110側に戻ってきてしまうと(以下、LEDチップ110側に戻ってきた光を「戻り光」と称する。)、戻り光がダイボンド剤116に入射し、ダイボンド剤116に含まれるAgがイオン化し、Agイオンマイグレーションが誘起されることとなる。そこで、本実施形態においては、戻り光がダイボンド剤116に入射することを抑制するため、LEDチップ110の周囲を取り囲むように凹部112bが形成されている。
As described above, the ultraviolet light emitted from each
図3は、図2の部分拡大図であり、LEDチップ110と凹部112bとの関係を説明する図である。図3に示すように、本実施形態のLEDチップ110の上面及び下面は、一辺の長さがa1(例えば、約1,000μm)の正方形の形状を呈しており、凹部112bの開口部112bは、一辺の長さがa2の正方形の形状を呈している。そして、開口部112bの一辺の長さa2は、LEDチップ110の一辺の長さa1よりも僅かに大きく、本実施形態においては、LEDチップ110のサイズの公差を考慮し、LEDチップ110の一辺の長さa1に対して5〜20%大きくなるように設定されている。なお、LEDチップ110と凹部112bとの隙間を抜けてダイボンド剤116に向かう戻り光は、LEDチップ110と凹部112bとの隙間が狭ければ狭いほど減少するため、開口部112bの一辺の長さa2は、LEDチップ110の一辺の長さa1に対して5〜10%大きくなるように設定されるのがさらに好ましい。
FIG. 3 is a partially enlarged view of FIG. 2 and is a diagram for explaining the relationship between the
また、本実施形態においては、発光層110dからの紫外光がLEDチップ110の側面から出射された場合に(いわゆる「側面発光」がある場合に)、当該紫外光が、LEDチップ110と凹部112bとの隙間に入り、ダイボンド剤116に入射することを抑制するため、平坦部112cが、ダイボンド剤116よりも高く、かつ発光層110dよりも低い位置に位置するように構成されている。つまり、凹部112bの深さをdとし、LEDチップ110の発光層110dから凹部112bの底面までの距離をt1とし、ダイボンド剤116の厚さをt2としたとき、以下の条件式(1)を満たすように構成されている。
t2<d<t1・・・(1)
Further, in the present embodiment, when the ultraviolet light from the
t2 <d <t1 (1)
このように、条件式(1)を満たす場合、発光層110dが凹部112bの外側(つまり、平坦部112cよりも上側)に配置されるため、発光層110dで発光した紫外光のほぼ全部が、LEDチップ110の上方に配置された照射対象物(不図示)に向けて出射される。そして、LEDチップ110から出射された紫外光の一部は、上述したように、照射対象物等で反射して戻ってくるが、LEDチップ110の周囲及びダイボンド剤116の周囲は、僅かに隙間を空けて設けられた凹部112bの壁面によって取り囲まれているため、LEDチップ110と凹部112bとの隙間を抜けてダイボンド剤116に向かう戻り光は殆どなく、Agイオンマイグレーションの発生が抑制されるようになっている。このように、本実施形態の凹部112bは、ダイボンド剤116に向かう戻り光を遮光する一種の遮光部材として機能し、これによってAgイオンマイグレーションの発生を抑制している。従って、本実施形態の構成によれば、従来のように、Agイオンマイグレーションの問題を解消するために、ダイボンド剤116と、それに近接するLEDチップの各電極(つまり、カソード端子110b及びアノード端子110c)やボンディングワイヤ114との間に十分な絶縁距離を確保するといった対策を採る必要がなく、LEDチップ110を基板101上に高密度に実装することが可能となる。
As described above, when the conditional expression (1) is satisfied, the
(発光装置100の製造方法)
次に、本実施形態の発光装置100の製造方法について説明する。図4は、本実施形態の発光装置100の製造工程を説明するフローチャートである。
(Method for manufacturing light emitting device 100)
Next, a method for manufacturing the
(パターン部形成工程)
先ず、所定のサイズにカットされた基板101を用意し、その表面に周知のメッキ法、厚膜法、薄膜法、DBC(Direct Bonded Copper)、AMC(Active Metal Brazed Copper)によってパターン部112を形成する。パターン部112を形成する。
(Pattern formation process)
First, a
(凹部形成工程)
次に、パターン部112の表面中央部を、周知のエッチング、サンドブラスト、機械加工等によって削り、凹部112bを形成する。なお、別の実施形態としては、パターン部112の凹部112bの周囲(つまり、平坦部112c)を周知のマスクメッキ、蒸着、スパッタ、スクリーン印刷等で成長させ、パターン部112の中央部に凹部112bを形成することもできる。
(Recess formation process)
Next, the central portion of the surface of the
(ダイボンド剤塗布工程)
次に、凹部112bの底面の略中心部に、ディスペンサーや転写ピンを使用して、所定量のダイボンド剤116を塗布する。
(Die bond agent coating process)
Next, a predetermined amount of
(接合工程)
次に、ダイボンダーやマウンター等を使用して、LEDチップ110を凹部112bの略中心部に実装し、LEDチップ110の下面と凹部112bの底面とをダイボンド剤116によって接合する。
(Joining process)
Next, using a die bonder, a mounter, or the like, the
(ワイヤーボンド工程)
そして、最後に、ワイヤーボンダー等を使用して、各LEDチップ110のカソード端子110bと、隣接するLEDチップ110が接合されたパターン部112の平坦部112cとをボンディングワイヤ114で接続し、図1中、最も左側に位置するLEDチップ110が接合されたパターン部112と、基板101に形成された正極端子102とをボンディングワイヤ114で接続し、最も右側に位置するLEDチップ110のカソード端子110bと、基板101に形成された負極端子103とをボンディングワイヤ114で接続して、本実施形態の発光装置100が完成する。
(Wire bonding process)
Finally, using a wire bonder or the like, the
以上が本発明の実施形態の説明であるが、本発明は、上記の実施形態の構成に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で様々な変形が可能である。 The above is the description of the embodiment of the present invention. However, the present invention is not limited to the configuration of the above-described embodiment, and various modifications are possible within the scope of the technical idea.
例えば、本実施形態においては、LEDチップ110の上面及び下面は正方形状であり、また凹部112bの開口部112bも正方形状であるとしたが、凹部112bの開口部112bの形状が、LEDチップ110の上面及び下面と相似形であれば如何なる形状であってもよく、この場合も、凹部112bの開口部112bが、LEDチップ110の上面及び下面(つまり、外形)に対して5〜20%、好ましくは5〜10%大きくなるように設定されていることが望ましい。
For example, in the present embodiment, the upper surface and the lower surface of the
また、本実施形態においては、LEDチップ110は、波長385nmの光を発するものとして説明したが、他の紫外域の波長の光を発するものであってもよく、可視域又は赤外域の波長の光を発するものであってもよい。
In the present embodiment, the
(第2の実施形態)
図5は、本発明の第2の実施形態に係る発光装置200の断面図である。本実施形態の発光装置200は、基板201が、導電性を有する基材(例えば銅やアルミ等のメタル基板)で構成されており、基板201の表面に(つまり、基板201とパターン部112との間に)絶縁性を有する絶縁層201aが形成されている点で、第1の実施形態の発光装置100と異なる。
(Second Embodiment)
FIG. 5 is a cross-sectional view of a
本実施形態の基板201としては、例えば銅やアルミ等のメタル基板を適用可能であり、絶縁層201aとしては、例えば、SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、ZnO2、Nb2O5、MgO、TaO2、HfO、Y2O3等の酸化物や、SiN、AlN、AlON等の窒化物、MgF2等のフッ化物を主成分とする薄膜や、セラミック、ガラスエポキシ、ポリイミド、PEEK(polyetheretherketone)、ユニレート等の樹脂を適用可能である。本実施形態の絶縁層201aは、パターン部形成工程に先だって、スパッタ法、蒸着法等によって成膜(形成)される。
As the
このように、基板201とパターン部112との間に絶縁性を有する絶縁層201aを形成すれば、導電性を有する基板201を本発明に適用することが可能となる。なお、LEDチップ110で発生する熱を効率よく基板201に伝導する観点から、絶縁層201aを熱伝導率の高い材料で構成したり、薄く構成したりする等、絶縁層201の熱抵抗を低くすることが好ましい。
In this manner, when the insulating
(第3の実施形態)
図6は、本発明の第3の実施形態に係る発光装置300の断面図である。本実施形態の発光装置300は、絶縁層201aが基板201の表面に部分的に(つまり、パターン部112の真下にのみ)形成されている点で、第2の実施形態の発光装置200と異なる。
(Third embodiment)
FIG. 6 is a cross-sectional view of a
このように、絶縁層201aをパターン部112の真下にのみ形成しても、第2の実施形態と同様、導電性を有する基板201を本発明に適用することが可能となる。
As described above, even when the insulating
(第4の実施形態)
図7は、本発明の第4の実施形態に係る発光装置400の断面図である。本実施形態の発光装置400は、基板401の表面に矩形状の凹部401b(第2の凹部)が形成されており、パターン部412が凹部401bを覆うように形成されている点で、第1の実施形態の発光装置100と異なる。
(Fourth embodiment)
FIG. 7 is a cross-sectional view of a
図7に示すように、本実施形態のパターン部412は、凹部412b(第1の凹部)における厚さと、平坦部412cにおける厚さとが略同一となるような薄膜で形成され、基板401の凹部401bは、パターン部412に形成される凹部412bの開口部412a(第1の開口部)よりも僅かに大きな開口部401a(第2の開口部)を有しており、凹部412bが凹部401bの内部に形成されている。なお、本実施形態の凹部401bは、パターン部形成工程に先だって、サンドブラスト、レーザ加工等によって形成される。また、別の実施形態としては、第2及び第3の実施形態のように、基板401を導電性を有する基材(例えば銅やアルミ等のメタル基板)で構成し、基板401とパターン部412との間に絶縁層を形成する構成とすることもできる。
As shown in FIG. 7, the
このように、基板401の表面とパターン部412の表面を両方凹ませる構成としても、上記の条件式(1)を満たす限り、第1の実施形態と同様、Agイオンマイグレーションの発生が抑制される
Thus, even when the surface of the
(第5の実施形態)
図8は、本発明の第5の実施形態に係る発光装置500の断面図である。本実施形態の発光装置500は、LEDチップ110と凹部112bとの隙間に、紫外光の透過率が低い遮光材料513(遮光手段)が充填されている点で第1の実施形態の発光装置100と異なる。
(Fifth embodiment)
FIG. 8 is a cross-sectional view of a
遮光材料513としては、流動性がある材料が適しており、例えば、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、UV硬化樹脂、ハンダ、アルミなどを用いることができる。また、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、UV硬化樹脂等に紫外光を吸収する添加物を含有したものや、紫外光を反射する添加物を含有したものを適用することもできる。なお、本実施形態の遮光材料513は、接合工程の後に、LEDチップ110と凹部112bとの隙間に充填される。
As the
このように、LEDチップ110と凹部112bとの隙間に遮光材料513を充填すると、遮光材料513によって戻り光が吸収されるため、ダイボンド剤116に到達する戻り光は殆どなくなり、Agイオンマイグレーションの発生が更に抑制される。
As described above, when the
(第6の実施形態)
図9は、本発明の第6の実施形態に係る発光装置600の断面図である。本実施形態の発光装置600は、LEDチップ110と凹部412bとの隙間に紫外光の透過率が低い遮光材料613(遮光手段)が充填されている点で第4の実施形態の発光装置400と異なる。
このように、第4の実施形態の発光装置400においても、第5の実施形態と同様、LEDチップ110と凹部412bとの隙間に遮光材料613を充填することで、Agイオンマイグレーションの発生を更に抑制することができる。
(Sixth embodiment)
FIG. 9 is a cross-sectional view of a
As described above, in the
(第7の実施形態)
図10は、本発明の第7の実施形態に係る発光装置700の断面図である。本実施形態の発光装置700は、パターン部112の平坦部112cからLEDチップ110に向かって延びる板状の遮光部材715(遮光手段)が設けられている点で第1の実施形態の発光装置100と異なる。
(Seventh embodiment)
FIG. 10 is a cross-sectional view of a
遮光部材715としては、耐UV性を有する材料が適しており、例えば、テフロン(登録商標)樹脂、ポリイミド、PEEK、紫外線カットガラス、NDフィルタなどの色付きガラス、板状の金属(例えば、アルミ、銅、ステンレス鋼)などを用いることができる。なお、本実施形態の遮光部材715は、接合工程の後に、LEDチップ110と凹部112b(つまり、開口部112a)との隙間を埋めるように配置され、ハンダ付けや耐熱性接着剤によって平坦部112c上に固着される。
As the
このように、LEDチップ110と凹部112bとの隙間を埋めるように遮光部材715を配置すると、第5及び第6の実施形態と同様、遮光部材715によって戻り光が遮光されるため、ダイボンド剤116に到達する戻り光は殆どなくなり、Agイオンマイグレーションの発生が更に抑制される。
As described above, when the
(第8の実施形態)
図11は、本発明の第8の実施形態に係る発光装置800の断面図である。本実施形態の発光装置800は、パターン部112の平坦部112cMがLEDチップ110に向かって突出するように(つまり、開口部112aMが窄まるように)凹部112bMが形成されている点で第1の実施形態の発光装置100と異なる。
(Eighth embodiment)
FIG. 11 is a cross-sectional view of a
このように、パターン部112の平坦部112cMがLEDチップ110に向かって突出するように(つまり、開口部112aMが窄まるように)構成すると、平坦部112cMが一種の遮光部材として機能するため、第7の実施形態と同様、ダイボンド剤116に到達する戻り光は殆どなくなり、Agイオンマイグレーションの発生が更に抑制される。
As described above, when the flat portion 112cM of the
(第9の実施形態)
図12は、本発明の第9の実施形態に係る発光装置900の断面図である。本実施形態の発光装置900は、基板901が導電性を有する基材(例えば銅やアルミ等のメタル基板)からなり、導電性を有するパターン部112が基板901と一体的に形成されている点で第1の実施形態の発光装置100と異なる。また、LEDチップ910が、上面(つまり、出射面910a)にカソード端子910b及びアノード端子910cを備えている点で第1の実施形態の発光装置100と異なる。
(Ninth embodiment)
FIG. 12 is a cross-sectional view of a
本実施形態のLEDチップ910は、紫外光を透過する絶縁性基板(例えば、サファイア基板)の表面にGaN等のエピタキシャル層を結晶成長して形成したLEDチップであり、LEDチップ910の上面には、カソード端子910b及びアノード端子910cが形成されている。また、LEDチップ910の下面は、絶縁性を有するサファイア基板となっている。各LEDチップ910のカソード端子910bは、LEDチップ910の一方側(図12において右側)に隣接するLEDチップ910のアノード端子910cとボンディングワイヤ114を介して接続されており、隣接するLEDチップ910は、それぞれ直列接続されている。
The
このように、導電性を有する基板901を用い、上面(つまり、出射面910a)にカソード端子910b及びアノード端子910cを備えたLEDチップ910を本発明に適用することもできる。なお、本実施形態においては、パターン部112にボンディングワイヤ114が接続されないため、パターン部112は電気的に浮いているが、パターン部112は基板901と一体的に形成されており、LEDチップ910で発生した熱を基板901に効率よく伝導する熱伝導部材として機能している。
As described above, the
(第10の実施形態)
図13は、本発明の第10の実施形態に係る発光装置1000の断面図である。本実施形態の発光装置1000は、基板1001が導電性を有する基材(例えば銅やアルミ等のメタル基板)からなり、基板1001がパターン部412を兼ねるように構成されている(つまり、基板1001がパターン部412と一体的に形成されている)点で第4の実施形態の発光装置400と異なる。また、第9の実施形態と同様、LEDチップ910が、上面(つまり、出射面910a)にカソード端子910b及びアノード端子910cを備えている点で第4の実施形態の発光装置400と異なる。
(Tenth embodiment)
FIG. 13 is a cross-sectional view of a
このように、パターン部412を兼ねるように構成された基板1001を用いることによっても、上面(つまり、出射面910a)にカソード端子910b及びアノード端子910cを備えたLEDチップ910を本発明に適用することができる。なお、本実施形態においても、第9の実施形態と同様、パターン部412(つまり、基板1001)にボンディングワイヤ114が接続されないため、パターン部412は電気的に浮いているが、パターン部412は基板1001と一体的に形成されているため、LEDチップ910で発生した熱を基板901に効率よく伝導することができる。
As described above, the
(第11の実施形態)
図14は、本発明の第11の実施形態に係る発光装置1100の断面図である。本実施形態の発光装置1100は、パターン部1112の凹部1112b(第1の凹部)の底面に、LEDチップ110の出射面110aよりも小さな矩形状の開口部1112c(第3の開口部)を有する凹部1112d(第3の凹部)が形成されており、ダイボンド剤116が凹部1112dに収容されている点で第1の実施形態の発光装置100と異なる。
(Eleventh embodiment)
FIG. 14 is a cross-sectional view of a
このような構成によれば、仮に戻り光がLEDチップ110と凹部112bとの隙間を通ったとしても、ダイボンド剤116に至ることはなく、Agイオンマイグレーションの発生を確実に抑制できる。なお、凹部1112dは、ダイボンド剤塗布工程に先立って、周知のエッチング、サンドブラスト、機械加工等を行うことによって形成することができる。
According to such a configuration, even if the return light passes through the gap between the
(第12の実施形態)
図15は、本発明の第12の実施形態に係る発光装置1200の断面図である。本実施形態の発光装置1200は、パターン部1212の矩形状の開口部1212a(第1の開口部)がLEDチップ110の出射面110aよりも小さく形成されている点で第1の実施形態の発光装置100と異なる。
(Twelfth embodiment)
FIG. 15 is a sectional view of a
図15に示すように、本実施形態においては、パターン部1212の矩形状の開口部1212a(第1の開口部)がLEDチップ110の出射面110aよりも小さく、凹部1212b(第1の凹部)がダイボンド剤116のみを収容し、LEDチップ110の下面が平坦部1212cに当接した状態で固着されている。
As shown in FIG. 15, in the present embodiment, the
このような構成によれば、第11の実施形態と同様、戻り光がダイボンド剤116に入射することを確実に防止できるため、Agイオンマイグレーションの発生を確実に抑制できる。
According to such a configuration, similarly to the eleventh embodiment, it is possible to reliably prevent the return light from entering the
(第13の実施形態)
図16は、本発明の第13の実施形態に係る発光装置1300の断面図である。本実施形態の発光装置1300は、基板1301の表面にLEDチップ110よりも僅かに大きな矩形状の開口部1301aを有する凹部1301bが形成されており、パターン部1312が凹部1301bの底面にのみ形成されている点で、第1の実施形態の発光装置100と異なる。また、基板1301には、基板1301の表面からパターン部1312まで基板1301の内部をL字状に延びる導体部1305が形成されている点で、第1の実施形態の発光装置100と異なる。
(13th Embodiment)
FIG. 16 is a sectional view of a
本実施形態の基板1301は、第1の実施形態と同様、絶縁性を有する配線基板であり、導体部1305は、基板1301の表面から凹部1301bの壁面までL字状に延びる穴を穿孔し、この穴にハンダ等の導電性材料を流し込むことによって形成される。そして、パターン部1312が、導体部1305と電気的に接続するように、マスクメッキ等によって凹部1301bの底面に形成される。なお、別の実施形態としては、導体部1305は、基板1301内にビアを挿入することによって形成してもよい。また、基板1301を多層積層基板で構成すれば、導体部1305は、多層積層基板の配線パターンとビアとの組み合わせによって形成することもできる。
As in the first embodiment, the
本実施形態においては、LEDチップ110は、凹部1301bに収容され、パターン部1312とLEDチップ110の下面(つまり、アノード端子110c)とが、ダイボンド剤116を介して接合されている。そして、各LEDチップ110のカソード端子110bは、LEDチップ110の一方側(図16において右側)に隣接するLEDチップ110が電気的に接続された導体部1305とボンディングワイヤ114を介して接続されており、第1の実施形態と同様、隣接するLEDチップ110は、それぞれ直列接続されている。
In the present embodiment, the
このように、本実施形態のLEDチップ110の周囲及びダイボンド剤116の周囲は、基板1301に設けられた凹部1301bの壁面によって取り囲まれている。このため、第1の実施形態と同様、LEDチップ110と凹部1301bとの隙間を抜けてダイボンド剤116に向かう戻り光は殆どなく、Agイオンマイグレーションの発生が抑制される。
As described above, the periphery of the
なお、今回開示された実施の形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300 発光装置
101、201、401、901、1001 基板
102 正極端子
103 負極端子
110、910 LEDチップ
110a、910a 出射面
110b、910b カソード端子
110c、910c アノード端子
110d 発光層
112、412、1112、1212、1312 パターン部
112a、412a、112aM、1112a、1212a、1301a 開口部(第1の開口部)
112b、412b、112bM、1112b、1212b、1301b 凹部(第1の凹部)
112c、412c、112cM、1212c 平坦部
114 ボンディングワイヤ
116 ダイボンド剤
201a 絶縁層
401a 開口部(第2の開口部)
401b 凹部(第2の凹部)
513、613 遮光材料
715 遮光部材
1112c 開口部(第3の開口部)
1112d 凹部(第3の凹部)
1305 導体部
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 1100, 1200, 1300
112b, 412b, 112bM, 1112b, 1212b, 1301b Recessed portion (first recessed portion)
112c, 412c, 112cM, 1212c
401b Concave portion (second concave portion)
513,613 Light-shielding
1112d recess (third recess)
1305 Conductor part
Claims (21)
前記基板の表面に形成された導電性を有するパターン部と、
前記パターン部の表面に載置され、発光層からの光を出射面から出射するLED(Light Emitting Diode)チップと、
を備え、
前記パターン部の表面には、前記LEDチップの出射面よりも僅かに大きな第1の開口部を有する第1の凹部が形成されており、
前記LEDチップは、前記第1の凹部内に収容され、少なくとも銀の成分を含むダイボンド剤を介して前記第1の凹部の底面に接合されている
ことを特徴とする発光装置。 A substrate,
A conductive pattern portion formed on the surface of the substrate;
An LED (Light Emitting Diode) chip mounted on the surface of the pattern portion and emitting light from the light emitting layer from the emission surface;
With
A first recess having a first opening slightly larger than the emission surface of the LED chip is formed on the surface of the pattern portion,
The LED chip is housed in the first recess, and is bonded to the bottom surface of the first recess via a die bond agent containing at least a silver component.
t2<d<t1
の関係を満たしていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光装置。 When the depth of the first recess is d, the distance from the light emitting layer to the bottom surface of the first recess is t1, and the film thickness of the die bond agent is t2,
t2 <d <t1
The light emitting device according to claim 1, wherein the relationship is satisfied.
前記第1の凹部が、前記第2の凹部の内部に形成されている
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の発光装置。 A second recess having a second opening slightly larger than the first opening is formed on the surface of the substrate,
4. The light emitting device according to claim 1, wherein the first recess is formed inside the second recess. 5.
前記ダイボンド剤が、前記第3の凹部に収容されていることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の発光装置。 A third recess having a third opening smaller than the emission surface of the LED chip is formed on the bottom surface of the first recess,
The light emitting device according to any one of claims 1 to 7, wherein the die bond agent is accommodated in the third recess.
前記基板は、導電性を有する金属基板であり、
前記パターン部が、前記金属基板と一体的に形成されていることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の発光装置。 The LED chip has a cathode terminal and an anode terminal on the emission surface side,
The substrate is a metal substrate having conductivity,
The light emitting device according to claim 1, wherein the pattern portion is formed integrally with the metal substrate.
前記基板は、絶縁性を有することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の発光装置。 The LED chip has a cathode terminal and an anode terminal on the emission surface side,
The light emitting device according to claim 1, wherein the substrate has an insulating property.
前記基板は、絶縁性を有することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の発光装置。 The LED chip has either a cathode terminal or an anode terminal on the emission surface side, and has either the other on the bottom surface side of the first recess,
The light emitting device according to claim 1, wherein the substrate has an insulating property.
前記基板は、導電性を有する金属基板であり、
前記金属基板は、前記パターン部との間を電気的に絶縁する絶縁層を備えることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の発光装置。 The LED chip has either a cathode terminal or an anode terminal on the emission surface side, and has either the other on the bottom surface side of the first recess,
The substrate is a metal substrate having conductivity,
The light emitting device according to claim 1, wherein the metal substrate includes an insulating layer that electrically insulates the pattern portion.
前記基板の表面に形成された導電性を有するパターン部と、
前記パターン部の表面に載置され、発光層からの光を出射面から出射するLED(Light Emitting Diode)チップと、
を備え、
前記パターン部の表面には、前記LEDチップの出射面よりも小さな開口部を有する第1の凹部が形成されており、
前記LEDチップは、前記第1の凹部内に充填された、少なくとも銀の成分を含むダイボンド剤を介して前記パターン部に接合されている
ことを特徴とする発光装置。 A substrate,
A conductive pattern portion formed on the surface of the substrate;
An LED (Light Emitting Diode) chip mounted on the surface of the pattern portion and emitting light from the light emitting layer from the emission surface;
With
On the surface of the pattern portion, a first recess having an opening smaller than the emission surface of the LED chip is formed,
The light emitting device, wherein the LED chip is bonded to the pattern portion via a die bonding agent filled in the first recess and containing at least a silver component.
前記基板は、導電性を有する金属基板であり、
前記パターン部が、前記金属基板と一体的に形成されていることを特徴とする請求項14に記載の発光装置。 The LED chip has a cathode terminal and an anode terminal on the emission surface side,
The substrate is a metal substrate having conductivity,
The light emitting device according to claim 14, wherein the pattern portion is formed integrally with the metal substrate.
前記基板は、絶縁性を有することを特徴とする請求項14に記載の発光装置。 The LED chip has a cathode terminal and an anode terminal on the emission surface side,
The light emitting device according to claim 14, wherein the substrate has an insulating property.
前記基板は、絶縁性を有することを特徴とする請求項14に記載の発光装置。 The LED chip has either a cathode terminal or an anode terminal on the emission surface side, and has either the other on the bottom surface side of the first recess,
The light emitting device according to claim 14, wherein the substrate has an insulating property.
前記基板は、導電性を有する金属基板であり、
前記金属基板は、前記パターン部との間を電気的に絶縁する絶縁層を備えることを特徴とする請求項14に記載の発光装置。 The LED chip has either a cathode terminal or an anode terminal on the emission surface side, and has either the other on the bottom surface side of the first recess,
The substrate is a metal substrate having conductivity,
The light emitting device according to claim 14, wherein the metal substrate includes an insulating layer that electrically insulates the pattern portion.
基板上に導電性のパターン部を生成する工程と、
前記パターン部の表面に、前記LEDチップの出射面よりも僅かに大きな開口部を有する凹部を形成する工程と、
前記凹部の底面に、少なくとも銀の成分を含むダイボンド剤を塗布する工程と、
前記LEDチップを前記凹部内に収容し、前記LEDチップと前記凹部の底面とを前記ダイボンド剤によって接合する工程と、
を含む発光装置の製造方法。 A method of manufacturing a light emitting device including a substrate and an LED (Light Emitting Diode) chip mounted on the substrate and emitting light from the light emitting layer from an emission surface,
Producing a conductive pattern on the substrate;
Forming a recess having an opening slightly larger than the emitting surface of the LED chip on the surface of the pattern portion; and
Applying a die bond agent containing at least a silver component to the bottom surface of the recess;
Storing the LED chip in the recess, and bonding the LED chip and the bottom surface of the recess with the die bonding agent;
A method for manufacturing a light-emitting device including:
前記発光装置の製造方法は、前記電極にワイヤーをボンディングする工程を含むことを特徴とする請求項20に記載の発光装置の製造方法。 The LED chip includes at least one electrode on the emission surface side,
The method for manufacturing a light emitting device according to claim 20, wherein the method for manufacturing the light emitting device includes a step of bonding a wire to the electrode.
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