JP2015143846A - 表示装置および電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】折り曲げ可能であって、その取り扱い中に破損しにくい表示装置、照明装置、または電子機器を提供する。【解決手段】可撓性を有する二つの基板を有する表示装置、照明装置、または電子機器であって、可撓性を有する二つの基板のうち少なくとも一方の基板は、一の方向に沿って延在する複数のガラス繊維を含む。これにより、一の方向への可撓性が低く、その取り扱い中に破損しにくい表示装置、照明装置、または電子機器を提供することができる。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に、本発明の一態様は、発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、またはそれらの作製方法、使用方法、操作方法などに関する。特に、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）現象を利用した発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、またはそれらの作製方法、使用方法、操作方法などに関する。
近年、情報伝達手段に係る社会基盤が充実されており、多様で潤沢な情報を、職場や自宅だけではなく外出先でも情報処理装置を用いて取得、加工または発信できるようになっている。このような情報処理装置として、例えば、スマートフォン、タブレット、ファブレットなどが開発されている。
上記情報処理装置用途の表示装置では、携帯性の観点から、薄型であること、軽量であることなどが求められている。また、上記情報処理装置用途の表示装置では、より一層の携帯性の向上などを目的として、可撓性を有し、屈曲可能であることが求められている。
例えば、特許文献１では、ＥＬ素子を利用した表示パネルを二枚のフィルムにより覆い、炭素繊維を含む補強部材を取り付けることで、可撓性と実用強度を兼ね備えた表示装置が開示されている。
特開２０１１−７９８６号公報
屈曲可能な表示装置では、その取り扱い中に、ある特定の領域に大きな力が加わり、当該領域が動作不良となるおそれがある。例えば、ハンカチを折りたたむように、表示装置を縦方向と横方向とに屈曲させた場合に、縦方向への曲げ軸と横方向への曲げ軸とが交わる領域において、表示装置に大きな応力歪みが生じ、当該領域においてショートが発生するおそれがある。
本発明の一態様は、薄型化および軽量化を達成しながら、可撓性を有し、屈曲可能であり、信頼性が高い表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することを課題の一とする。
または、本発明の一態様は、繰り返し屈曲可能な表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することを課題の一とする。
または、本発明の一態様は、破損しにくい表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することを課題の一とする。
または、本発明の一態様は、収納が容易であり、携帯性に優れた表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することを課題の一とする。
または、本発明の一態様は、消費電力が低い表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することを課題の一とする。
または、本発明の一態様は、新規な表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様の表示装置は、表示素子を介して重なる可撓性を有する二つの基板を有し、可撓性を有する二つの基板のうち少なくとも一方の基板には、一の方向に沿って延在する複数のガラス繊維が含まれている。
本発明の一態様の表示装置は、可撓性を有する第１の基板と、可撓性を有する第２の基板と、表示素子とを有し、第１の基板と、第２の基板とは、表示素子を介して重なり、第１の基板は、複数のガラス繊維を含み、複数のガラス繊維のそれぞれは、一の方向に沿って延在し、一の方向への可撓性は、一の方向と交差する他の方向への可撓性よりも低い。
本発明の一態様の表示装置は、可撓性を有する第１の基板と、可撓性を有する第２の基板と、第３の基板と、第４の基板と、表示素子とを有し、第１の基板と、第２の基板とは、第３の基板と第４の基板とを介して重なり、第３の基板と、第４の基板とは、表示素子を介して重なり、第１の基板は、複数のガラス繊維を含み、複数のガラス繊維のそれぞれは、一の方向に沿って延在し、一の方向への可撓性は、一の方向と交差する他の方向への可撓性よりも低い。
また、上記に示す本発明の一態様の表示装置において、一の方向とは、表示装置の短手方向であり、他の方向とは、表示装置の長手方向である。
また、上記に示す本発明の一態様の表示装置において、ガラス繊維を含む第１の基板は、非表示面側に設けられている。
また、上記に示す本発明の一態様の表示装置において、第１の基板は、シリコーンゴムを含む。
また、上記に示す本発明の一態様の表示装置において、表示素子とは、発光素子であり、具体的には有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子などである。
本発明の一態様は、薄型化および軽量化を達成しながら、可撓性を有し、屈曲可能であり、信頼性が高い表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
または、本発明の一態様は、繰り返し屈曲可能な表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
または、本発明の一態様は、破損しにくい表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
または、本発明の一態様は、収納が容易であり、携帯性に優れた表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
または、本発明の一態様は、消費電力が低い表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
または、本発明の一態様は、新規な表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。例えば、本発明の一態様は、場合によっては、または、状況に応じて、これらの効果以外の効果を有する場合もある。または、例えば、本発明の一態様は、場合によっては、または、状況に応じて、これらの効果を有さない場合もある。
表示装置の一態様を説明する図。 表示装置の屈曲例を説明する断面図。 表示装置の一態様を説明する図。 表示装置の一態様を説明する断面図。 表示装置の一態様を説明する断面図。 表示装置の一態様を説明する図。 表示装置の一態様を説明する断面図。 表示装置の一態様を説明するブロック図および回路図。 表示装置の作製方法例を説明する断面図。 表示装置の作製方法例を説明する断面図。 表示装置の作製方法例を説明する断面図。 表示装置の作製方法例を説明する断面図。 表示装置の作製方法例を説明する断面図。 表示装置の作製方法例を説明する断面図。 表示装置の作製方法例を説明する断面図。 表示装置の作製方法例を説明する断面図。 発光素子の構成例を説明する図。 表示装置の一態様を説明する断面図。 表示装置の一態様を説明する断面図。 表示装置の一態様を説明する断面図。 表示装置の一態様を説明する断面図。 表示装置の一態様を説明する断面図。 表示装置の一態様を説明する断面図。 表示装置の一態様を説明する断面図。 表示装置の一態様を説明する断面図。 表示装置の一態様を説明する断面図。 表示装置の一態様を説明する図。 表示装置の一態様を説明する図。 表示装置の一態様を説明する断面図。 電子機器および照明装置の一例を説明する図。 電子機器の一例を説明する図。 電子機器の一例を説明する図。 照明装置の一態様を説明する断面図。 表示装置の一態様を説明する図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、発明を明瞭化するために誇張または省略されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。特に上面図（平面図）や斜視図において、図面をわかりやすくするため一部の構成要素の記載を省略する場合がある。
また、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、発明の理解を容易とするため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。例えば、実際の製造工程において、エッチングなどの処理によりレジストマスクなどが意図せずに目減りすることがあるが、理解を容易とするために省略して示すことがある。
なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、工程順または積層順など、なんらかの順番や順位を示すものではない。また、本明細書等において序数詞が付されていない用語であっても、構成要素の混同を避けるため、特許請求の範囲において序数詞を付す場合がある。
また、本明細書等において「電極」や「配線」の用語は、これらの構成要素を機能的に限定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり、その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「配線」が一体となって形成されている場合なども含む。
なお、本明細書等において「上」や「下」の用語は、構成要素の位置関係が直上または直下で、かつ、直接接していることを限定するものではない。例えば、「絶縁層Ａ上の電極Ｂ」の表現であれば、絶縁層Ａの上に電極Ｂが直接接して形成されている必要はなく、絶縁層Ａと電極Ｂとの間に他の構成要素を含むものを除外しない。
また、ソースおよびドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合など、動作条件などによって互いに入れ替わるため、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。このため、本明細書においては、ソースおよびドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。
また、本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。よって、「電気的に接続する」と表現される場合であっても、現実の回路においては、物理的な接続部分がなく、配線が延在しているだけの場合もある。
また、本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「垂直」および「直交」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「等しい」とは、最大で±５％の誤差が含まれる。
また、本明細書において、フォトリソグラフィ工程を行った後にエッチング工程を行う場合は、特段の説明がない限り、フォトリソグラフィ工程で形成したレジストマスクは、エッチング工程終了後に除去するものとする。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図１乃至図３を参照しながら説明する。本実施の形態においては、説明の便宜上、表示装置１００の長手方向をＸ方向、短手方向をＹ方向と呼ぶ。具体的には、図面において、Ｘで示される方向をＸ方向と呼び、Ｙで示される方向をＹ方向と呼び、Ｘ方向とＹ方向は交差している。
図１（Ａ）は、表示装置１００の上面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）中でＡ１−Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。また、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）中でＢ１−Ｂ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。また、図１（Ｄ）は、表示装置１００の構成要素の一つである基板１３７の上面図である。
図１（Ａ）に示す表示装置１００は、基板１１１、基板１２１、基板１３７、および基板１４７を有する。また、表示装置１００は、表示領域１３１、駆動回路１３２、駆動回路１３３、および外部電極１２４を有する。
図１（Ｂ）（Ｃ）に示すように、基板１１１と基板１２１とは互いに重なり、基板１３７と基板１４７とは、基板１１１と基板１２１とを介して、互いに重なっている。
図１（Ｄ）に示す基板１３７は、絶縁体１０２と複数のガラス繊維１０３を含んでいる。複数のガラス繊維１０３のそれぞれは、Ｙ方向に沿って延在している。このような基板１３７を表示装置１００に取り付けることにより、表示装置１００のＹ方向への屈曲に対する剛性を高めることができる。つまり、表示装置１００のＹ方向への可撓性を低くすることができる。一方で、ガラス繊維１０３はＹ方向に沿って延在しているため、表示装置１００のＸ方向への屈曲に対する剛性には影響を与えない。つまり、表示装置１００のＸ方向への可撓性には影響を与えない。したがって、基板１３７を表示装置１００に取り付けることにより、Ｘ方向へは容易に屈曲することができるが、Ｙ方向へは屈曲しにくい表示装置１００を実現することができる。
このように、図１（Ａ）に示す表示装置１００には、図１（Ｄ）に示す基板１３７が取り付けられているため、表示装置１００のＹ方向への可撓性は、Ｘ方向への可撓性よりも十分に低くなっている。このため、表示装置１００は、その取り扱い中に、Ｘ方向へは容易に屈曲するが、Ｙ方向へは容易に屈曲しないので、Ｘ方向への曲げ軸とＹ方向への曲げ軸が交わる領域が生じにくく、結果として、表示装置１００に大きな応力歪みが生じることを抑制することができる。
次に、図２（Ａ）乃至図２（Ｄ）を用いて、表示装置１００を屈曲させた状態について説明する。図２（Ａ）は、図１（Ｃ）に相当し、図２（Ｂ）乃至図２（Ｄ）は、図２（Ａ）に示す表示装置１００をＸ方向へと屈曲させた状態を例示している。具体的には、図２（Ｂ）は、表示装置１００をＸ方向へと折り曲げ、二つ折りにした状態を例示している。また、図２（Ｃ）は、表示装置１００をＸ方向へと折り曲げ、三つ折りにした状態を例示している。また、図２（Ｄ）は、表示装置１００をＸ方向へと折り曲げ、ロール状に巻いた状態を例示している。このように、表示装置１００は、Ｙ方向に沿って延在する複数のガラス繊維１０３を含む基板１３７が取り付けられているため、Ｙ方向へは屈曲しにくいが、Ｘ方向へは容易に屈曲することができる。
また、ガラス繊維１０３は復元性に優れているため、断線しにくく、表示装置１００のＹ方向への可撓性を制御する材料として好ましい。
また、ガラス繊維１０３は導電性を有さないため、表示装置１００が有する他の構成要素との間に不要な容量を生じることがなく、表示領域１３１の良好な表示を妨げない。
また、複数のガラス繊維１０３のそれぞれは糸状であり、その厚さあるいは幅に対してその長さが十分大きいものである。複数のガラス繊維１０３のそれぞれを、ビーズ状あるいは粉末状ではなく、糸状とすることで、表示装置１００のＹ方向への可撓性を低くすることを制御性よく行うことができる。
また、複数のガラス繊維１０３が延在する方向と、表示装置１００を構成する配線が延在する方向をそろえることにより、配線が断線することを防ぐことができる。具体的には、例えば、複数のガラス繊維１０３がＹ方向に沿って延在し、表示装置１００のＹ方向への可撓性が低くなっている場合に、表示装置１００を構成する走査線あるいは信号線をＹ方向に沿って延在させることによって、走査線あるいは信号線を断線しにくくすることができる。
このように、本発明の一態様によれば、可撓性を有し、屈曲可能であり、信頼性が高い表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
または、本発明の一態様によれば、繰り返し屈曲可能な表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
または、本発明の一態様によれば、破損しにくい表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
または、本発明の一態様よれば、収納が容易であり、携帯性に優れた表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
なお、本実施の形態の表示装置１００においては、Ｙ方向に沿って延在する複数のガラス繊維１０３を含む基板１３７により、表示装置１００のＸ方向への可撓性よりもＹ方向への可撓性を低くしているが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、Ｘ方向に沿って延在する複数のガラス繊維１０３を含む基板１３７により、表示装置１００のＹ方向への可撓性よりもＸ方向への可撓性を低くしてもよい。または、複数のガラス繊維１０３を斜め方向に沿って延在するようにしてもよい。その場合の例を、図３４（Ａ）に示す。
また、本実施の形態の表示装置１００においては、ガラス繊維１０３は、Ｙ方向に沿って、基板の一端から他端まで途切れることなく延在しているが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、ガラス繊維１０３は、Ｙ方向に沿って、基板の一端よりも内側から基板の他端の内側まで延在していてもよい。また、ガラス繊維１０３は、途切れて形成されていてもよい。その場合の例を、図３４（Ｂ）、図３４（Ｃ）、および、図３４（Ｄ）に示す。また、ガラス繊維１０３の厚さや密度を調整することによって、表示装置１００の可撓性の程度を適宜調整してもよい。
また、本実施の形態においては、表示装置１００の可撓性の評価として、例えば、ヤング率を一つの指標とすることができる。例えば、表示装置１００をＸ方向へと曲げた際のヤング率と、表示装置１００をＹ方向へと曲げた際のヤング率をそれぞれ測定し、両者のヤング率を比較することにより、表示装置１００のＸ方向への可撓性およびＹ方向への可撓性を評価することができる。Ｘ方向へと曲げた際のヤング率よりもＹ方向へと曲げた際のヤング率の方が高い場合には、表示装置１００のＹ方向への可撓性は、Ｘ方向への可撓性よりも低いと結論づけることができる。なお、ヤング率の測定は、ＩＳＯ５２７、ＪＩＳＫ７１６１、ＪＩＳＫ７１６２、ＪＩＳＫ７１２７、ＡＳＴＭＤ６３８、ＡＳＴＭＤ８８２などを参考にして行うことができる。
また、表示装置１００の可撓性の評価として、例えば、曲率半径を一つの指標とすることができる。例えば、あらかじめ設定した力で表示装置１００をＸ方向へと曲げ、その際の表示装置１００の曲率半径を測定する。次に、同じ力で表示装置１００をＹ方向へと曲げ、その際の表示装置１００の曲率半径を測定する。そして、両者の曲率半径を比較することにより、表示装置１００のＸ方向への可撓性およびＹ方向への可撓性を評価することができる。Ｘ方向へと曲げた際の曲率半径よりもＹ方向へと曲げた際の曲率半径の方が大きい場合には、表示装置１００のＹ方向への可撓性は、Ｘ方向への可撓性よりも低いと結論づけることができる。例えば、本実施の形態の表示装置１００においては、Ｘ方向へと曲げた際の曲率半径は２０ｍｍ以下とすることができ、Ｙ方向へと曲げた際の曲率半径は５０ｍｍ以下とすることが困難である。つまり、この場合、本実施の形態の表示装置１００においては、Ｙ方向へと曲げた際の曲率半径の最小値は５０ｍｍである。より好ましくは、例えば、本実施の形態の表示装置１００においては、Ｘ方向へと曲げた際の曲率半径は５ｍｍ以下とすることができ、Ｙ方向へと曲げた際の曲率半径は１００ｍｍ以下とすることが困難である。つまり、この場合、本実施の形態の表示装置１００においては、Ｙ方向へと曲げた際の曲率半径の最小値は１００ｍｍである。
次に、図３を用いて、表示装置１００の構成についてより詳細に説明する。図３（Ａ）は、表示装置１００の斜視図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）中でＣ１−Ｃ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。
＜表示装置の構成例＞
図３（Ａ）（Ｂ）に示す本実施の形態の表示装置１００は、表示領域１３１、駆動回路１３２、および駆動回路１３３を有する。また、表示装置１００は、電極１１５、ＥＬ層１１７、電極１１８を含む発光素子１２５と、端子電極２１６を有する。発光素子１２５は、表示領域１３１中に複数形成されている。また、各発光素子１２５には、発光素子１２５の発光量を制御するトランジスタ２３２が接続されている。
端子電極２１６は、開口１２２に形成された異方性導電接続層１２３を介して外部電極１２４と電気的に接続されている。また、端子電極２１６は、駆動回路１３２および駆動回路１３３に電気的に接続されている。なお、端子電極２１６は、表示領域１３１における構成要素と電気的に接続されていてもよい。
駆動回路１３２および駆動回路１３３は、複数のトランジスタ２５２により構成されている。駆動回路１３２および駆動回路１３３は、外部電極１２４から供給された信号を、表示領域１３１中のどの発光素子１２５に供給するかを決定する機能を有する。
トランジスタ２３２およびトランジスタ２５２は、ゲート電極２０６、ゲート絶縁層２０７、半導体層２０８、ソース電極２０９ａ、ドレイン電極２０９ｂを有する。また、ソース電極２０９ａ、およびドレイン電極２０９ｂと同一の膜を加工して得られた配線２１９が形成されている。また、トランジスタ２３２およびトランジスタ２５２上に絶縁層２１０が形成され、絶縁層２１０上に絶縁層２１１が形成されている。また、電極１１５が絶縁層２１１上に形成されている。電極１１５は、絶縁層２１０および絶縁層２１１に形成された開口を介してドレイン電極２０９ｂに電気的に接続されている。また、電極１１５上に隔壁１１４が形成され、電極１１５および隔壁１１４上に、ＥＬ層１１７および電極１１８が形成されている。
また、表示装置１００は、接着層１２０を介して基板１１１と基板１２１が貼り合わされた構造を有する。また、基板１１１の一方の面に、接着層１３８を介して基板１３７が設けられている。また、基板１２１の一方の面に、接着層１４８を介して基板１４７が設けられている。なお、基板１３７は、絶縁体１０２と複数のガラス繊維１０３を含んでおり、複数のガラス繊維１０３のそれぞれはＹ方向に沿って延在している。このとき、ガラス繊維１０３と同様に、ソース電極２０９ａ、およびドレイン電極２０９ｂと同一の膜を加工して得られる配線２１９をＹ方向に沿って延在させることにより、配線２１９を断線しにくくすることができる。また、ガラス繊維１０３と同様に、ゲート電極２０６と同一の膜を加工して得られる図示しない配線をＹ方向に沿って延在させて断線しにくくすることもできる。また、ガラス繊維１０３は導電性を有さないため、例えば、ガラス繊維１０３とゲート電極２０６との間に不要な容量は形成されない。これにより、表示領域１３１の良好な表示が保たれる。
また、基板１１１の他方の面には、接着層１１２を介して絶縁層２０５が形成されている。なお、絶縁層２０５は下地層として機能し、基板１１１や接着層１１２などから、トランジスタ２３２や発光素子１２５への水分や不純物元素の拡散を防止、または低減することができる。
また、基板１２１の他方の面には、接着層１４２を介して絶縁層１４５が形成され、絶縁層１４５を介して遮光層２６４が形成されている。また、基板１２１の他方の面には、絶縁層１４５を介して着色層２６６、オーバーコート層２６８が形成されている。なお、絶縁層１４５は下地層として機能し、基板１２１や接着層１４２などから、トランジスタ２３２や発光素子１２５への水分や不純物元素の拡散を防止、または低減することができる。
基板１１１および基板１２１としては、有機樹脂材料などの可撓性を有する材料などを用いることができる。基板１１１および基板１２１として用いる材料の機械的強度が低すぎる場合、表示装置１００の作製時に基板が変形しやすくなるため、歩留まりの低下など、生産性低下の一因となる。一方で、基板１１１および基板１２１として用いる材料の機械的強度が高すぎる場合は、表示装置が屈曲しにくくなってしまう。材料の機械的強度を表す指標の一つにヤング率がある。基板１１１および基板１２１に好適な材料のヤング率は、１ＧＰａ（１×１０９Ｐａ）以上１００ＧＰａ（１００×１０９Ｐａ）以下、好ましくは２ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下、より好ましくは２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下である。なお、ヤング率の測定は、ＩＳＯ５２７、ＪＩＳＫ７１６１、ＪＩＳＫ７１６２、ＪＩＳＫ７１２７、ＡＳＴＭＤ６３８、ＡＳＴＭＤ８８２などを参考にして行うことができる。
基板１１１および基板１２１の厚さは、５μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下がより好ましい。また、基板１１１または基板１２１の一方、もしくは両方を、複数の層を有する積層基板としてもよい。また、基板１１１および基板１２１は、その目的に応じて、材料および厚さを適宜選択すればよい。
また、基板１２１および基板１１１の熱膨張係数は、好ましくは３０ｐｐｍ／Ｋ以下、さらに好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以下とする。また、基板１２１および基板１１１の表面に、予め窒化シリコンや酸化窒化シリコン等の窒素と珪素を含む膜や窒化アルミニウム等の窒素とアルミニウムを含む膜のような透水性の低い保護膜を成膜しておいてもよい。
本実施の形態の表示装置１００は、光２３５が上面から射出する所謂トップエミッション構造（上面射出構造）であるため、基板１２１はＥＬ層１１７からの発光に対して透光性を有する材料を用いる。なお、表示装置１００を所謂ボトムエミッション構造（下面射出構造）の表示装置とする場合には、基板１１１にＥＬ層１１７からの発光に対して透光性を有する材料を用いる。また、表示装置１００を両面射出構造の表示装置とする場合には、基板１１１および基板１２１にＥＬ層１１７からの発光に対して透光性を有する材料を用いる。
基板１１１および基板１２１に用いることができる、可撓性および可視光に対する透光性を有する材料の一例としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、などがある。なお、光を透過させる必要がない場合には、非透光性の基板を用いてもよい。例えば、基板１２１または基板１１１として、アルミニウムなどを用いてもよい。
基板１３７として、絶縁体１０２中に複数のガラス繊維１０３を含ませたものを用いることができる。
絶縁体１０２の材料としては、例えば、シリコーンゴム、フッ素ゴムなどの粘弾性を有する高分子材料がある。例えば、複数のガラス繊維１０３を介して、シリコーンゴムからなる二枚のフィルムを貼り合わせることによって、基板１３７を形成してもよい。
ガラス繊維１０３としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。また、ガラス繊維１０３の厚さは、例えば、５μｍ以上１００μｍ以下とすることができる。なお、ガラス繊維１０３の断面は、円形でも楕円形でも矩形でもよい。
また、例えば、Ｘ方向へと曲げた際の基板１３７のヤング率は、０．００１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下であり、Ｙ方向へと曲げた際の基板１３７のヤング率は、Ｘ方向へと曲げた際の基板１３７のヤング率よりも高い。より好ましくは、Ｘ方向へと曲げた際の基板１３７のヤング率は０．０１ＧＰａ以上１ＧＰａ以下であり、Ｙ方向へと曲げた際の基板１３７のヤング率は５０ＧＰａ以上である。
また、ガラス繊維１０３は糸状であり、その厚さあるいは幅に対してその長さが十分大きいものである。ガラス繊維１０３を、ビーズ状あるいは粉末状ではなく、その厚さあるいは幅に対してその長さが十分大きな糸状とすることで、可撓性を低くしたい方向への表示装置１００の可撓性の制御を適切に行うことができる。
また、基板１３７として、複数のガラス繊維１０３に絶縁体１０２が含浸された構造物（所謂、プリプレグとも言う）を用いてもよい。プリプレグは、繊維体にマトリックス樹脂を有機溶剤で希釈したワニスを含浸させた後、乾燥して有機溶剤を揮発させてマトリックス樹脂を半硬化させたものである。この場合、絶縁体１０２としては、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂またはシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。また、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂またはフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いてもよい。
なお、本実施の形態の表示装置１００においては、ガラス繊維１０３を用いているが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、引張弾性率またはヤング率の高い繊維である高強度繊維を用いることができ、例として、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、または炭素繊維が挙げられる。また、高強度繊維は、一種類の上記高強度繊維で形成されてもよいし、複数の上記高強度繊維で形成されてもよい。
基板１３７の厚さは、基板１１１の２倍以上１００倍以下が好ましく、５倍以上５０倍以下がより好ましい。また、基板１４７の厚さは、基板１２１の２倍以上１００倍以下が好ましく、５倍以上５０倍以下がより好ましい。基板１３７を基板１１１よりも厚く、また、基板１４７を基板１２１よりも厚くすることで、応力緩和や緩衝材としての効果を良好なものとすることができる。
また、基板１３７または基板１４７の一方、もしくは両方を、複数の層を有する積層基板としてもよい。また、基板１３７および基板１４７は、その目的に応じて、材料および厚さを適宜選択すればよい。
本実施の形態の表示装置１００においては、光２３５が射出しない面側（非表示面側）に基板１３７が設けられ、光２３５が射出する面側（表示面側）に基板１４７が設けられている。これにより、基板１３７に含まれるガラス繊維１０３が光２３５と干渉することがないので、表示領域１３１の良好な表示を得ることができる。
なお、ガラス繊維１０３を含む基板１３７を光２３５が射出する面側（表示面側）に設け、基板１４７を光２３５が射出しない面側（非表示面側）に設けてもよい。ガラス繊維１０３は透光性に優れた材料であるため、ガラス繊維１０３の厚さ、密度などを調整することにより、表示領域１３１の良好な表示を保ちつつ、ガラス繊維１０３を含む基板１３７を光２３５が射出する面側（表示面側）に設けることができる。
また、基板１３７だけでなく基板１４７にもガラス繊維１０３を含ませてもよい。この場合、基板１３７に含まれるガラス繊維１０３と基板１４７に含まれるガラス繊維１０３の延在する方向をそろえることが好ましい。例えば、基板１３７に含まれる複数のガラス繊維１０３のそれぞれがＹ方向に沿って延在している場合には、基板１４７に含まれる複数のガラス繊維１０３のそれぞれもＹ方向に沿って延在していることが好ましい。これにより、表示装置１００のＹ方向への可撓性を十分に低くすることができる。
＜変形例＞
図４および図５に、表示装置１００の変形例を示す。図１（Ｃ）は、図１（Ａ）で示す表示装置１００のＢ１−Ｂ２の一点鎖線で示す部位の断面図であるが、本発明の一態様は、これに限定されない。図４（Ａ）乃至図４（Ｆ）は、図１（Ｃ）に示す表示装置１００の断面構造の変形例を示している。また、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）で示す表示装置１００のＣ１−Ｃ２の一点鎖線で示す部位の断面図であるが、本発明の一態様は、これに限定されない。図５は、図３（Ｂ）に示す表示装置１００の断面構造の変形例を示している。
図４（Ａ）（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）（Ｆ）に示すように、外部電極１２４を基板１１１に接続することにより、外部電極１２４を簡単に接着できる。図５に示すように、異方性導電接続層１２３を介して、基板１１１上に形成された端子電極２１６と外部電極１２４とを接続している。また、図４（Ｂ）（Ｃ）（Ｆ）に示すように、外部電極１２４を基板１４７で覆うことにより、外部電極１２４と基板１１１との接続部を保護することができる。なお、図４（Ｄ）（Ｅ）（Ｆ）では、半導体チップ９１０が、ＣＯＧなどにより、基板１１１上に設けられている場合を示している。図４（Ｅ）（Ｆ）に示すように、半導体チップ９１０を基板１４７で覆うことにより、半導体チップ９１０やその接続部を保護することができる。
＜変形例＞
図６に、表示装置１００と異なる構成を有する表示装置２００を示す。図６（Ａ）は、表示装置２００の上面図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）中でＡ３−Ａ４の一点鎖線で示す部位の断面図である。また、図６（Ｃ）は、図６（Ａ）中でＢ３−Ｂ４の一点鎖線で示す部位の断面図である。
表示装置２００は、基板１３７および基板１４７の少なくとも一部が基板１１１および基板１２１の端部を超えて延伸し、該延伸部において、基板１３７および基板１４７が接続している点が、表示装置１００と異なる。他の構成は表示装置１００と同様に形成することができる。なお、該延伸部における基板１３７および基板１４７は、接着層などを介して間接的に接続してもよいし、直接接続してもよい。
表示装置２００のような構成とすることで、基板１１１および基板１２１端部からの不純物が侵入しにくくなるため、表示装置の信頼性をさらに高めることができる。
＜変形例＞
図７に、表示装置２００の変形例を示す。図６（Ｃ）は、図６（Ａ）で示す表示装置２００のＢ３−Ｂ４の一点鎖線で示す部位の断面図であるが、本発明の一態様は、これに限定されない。図７（Ａ）乃至図７（Ｈ）は、図６（Ｃ）に示す表示装置２００の断面構造の変形例を示している。
図７（Ａ）（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）（Ｈ）に示すように、外部電極１２４を基板１１１に接続することにより、外部電極１２４を簡単に接着できる。また、図７（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）（Ｇ）（Ｈ）に示すように、外部電極１２４を基板１４７で覆うことにより、外部電極１２４との接続部を保護することができる。また、図７（Ｄ）（Ｈ）に示すように、外部電極１２４を基板１４７と基板１３７とで覆うことにより、外部電極１２４と外部電極１２４と接続する基板との接続部をより保護することができる。なお、図７（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）（Ｈ）では、半導体チップ９１０が、ＣＯＧなどにより、基板１１１上に設けられている場合を示している。また、図７（Ｆ）（Ｇ）（Ｈ）に示すように、半導体チップ９１０を基板１４７で覆うことにより、半導体チップ９１０やその接続部を保護することができる。
＜画素回路構成例＞
次に、図８を用いて、表示装置１００のより具体的な構成例について説明する。図８（Ａ）は、表示装置１００の構成を説明するためのブロック図である。表示装置１００は、表示領域１３１、駆動回路１３２、および駆動回路１３３を有する。駆動回路１３２は、例えば走査線駆動回路として機能する。また、駆動回路１３３は、例えば信号線駆動回路として機能する。
また、表示装置１００は、各々が略平行に配設され、且つ、駆動回路１３２によって電位が制御されるｍ本の走査線１３５と、各々が略平行に配設され、且つ、駆動回路１３３によって電位が制御されるｎ本の信号線１３６と、を有する。このとき、走査線１３５あるいは信号線１３６が延在する方向とガラス繊維１０３が延在する方向をそろえることによって、表示装置１００の取り扱い時に、走査線１３５あるいは信号線１３６が断線してしまうことを防ぐことができる。さらに、表示領域１３１はマトリクス状に配設された複数の画素１３４を有する。また、駆動回路１３２および駆動回路１３３をまとめて駆動回路部という場合がある。
各走査線１３５は、表示領域１３１においてｍ行ｎ列に配設された画素１３４のうち、いずれかの行に配設されたｎ個の画素１３４と電気的に接続される。また、各信号線１３６は、ｍ行ｎ列に配設された画素１３４のうち、いずれかの列に配設されたｍ個の画素１３４に電気的に接続される。ｍ、ｎは、ともに１以上の整数である。
図８（Ｂ）および図８（Ｃ）は、図８（Ａ）に示す表示装置の画素１３４に用いることができる回路構成を示している。
〔発光表示装置用画素回路の一例〕
また、図８（Ｂ）に示す画素１３４は、トランジスタ４３１と、容量素子２３３と、トランジスタ２３２と、発光素子１２５と、を有する。
トランジスタ４３１のソース電極およびドレイン電極の一方は、データ信号が与えられる配線（以下、信号線ＤＬ＿ｎという）に電気的に接続される。さらに、トランジスタ４３１のゲート電極は、ゲート信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿ｍという）に電気的に接続される。
トランジスタ４３１は、オン状態またはオフ状態になることにより、データ信号のノード４３５への書き込みを制御する機能を有する。
容量素子２３３の一対の電極の一方は、ノード４３５に電気的に接続され、他方は、ノード４３７に電気的に接続される。また、トランジスタ４３１のソース電極およびドレイン電極の他方は、ノード４３５に電気的に接続される。
容量素子２３３は、ノード４３５に書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
トランジスタ２３２のソース電極およびドレイン電極の一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電気的に接続され、他方はノード４３７に電気的に接続される。さらに、トランジスタ２３２のゲート電極は、ノード４３５に電気的に接続される。
発光素子１２５のアノードおよびカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接続され、他方は、ノード４３７に電気的に接続される。
発光素子１２５としては、例えば有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子ともいう）などを用いることができる。ただし、発光素子１２５としては、これに限定されず、無機材料からなる無機ＥＬ素子を用いても良い。
なお、電位供給線ＶＬ＿ａおよび電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが与えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。
図８（Ｂ）の画素１３４を有する表示装置では、駆動回路１３２により各行の画素１３４を順次選択し、トランジスタ４３１をオン状態にしてデータ信号をノード４３５に書き込む。
ノード４３５にデータ信号が書き込まれた画素１３４は、トランジスタ４３１がオフ状態になることで保持状態になる。さらに、ノード４３５に書き込まれたデータの電位に応じてトランジスタ２３２のソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光素子１２５は、流れる電流量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
〔液晶表示装置用画素回路の一例〕
図８（Ｃ）に示す画素１３４は、液晶素子４３２と、トランジスタ４３１と、容量素子２３３と、を有する。
液晶素子４３２の一対の電極の一方の電位は、画素１３４の仕様に応じて適宜設定される。液晶素子４３２は、ノード４３６に書き込まれるデータにより配向状態が設定される。なお、複数の画素１３４のそれぞれが有する液晶素子４３２の一対の電極の一方に、共通の電位（コモン電位）を与えてもよい。また、各行の画素１３４毎の液晶素子４３２の一対の電極の一方に異なる電位を与えてもよい。
例えば、液晶素子４３２を備える表示装置の駆動方法としては、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＶＡモード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＭＶＡモード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード、またはＴＢＡ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ Ｂｅｎｄ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードなどを用いてもよい。また、表示装置の駆動方法としては、上述した駆動方法の他、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホストモードなどがある。ただし、これに限定されず、液晶素子およびその駆動方式として様々なものを用いることができる。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがある。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。
また、ブルー相（Ｂｌｕｅ Ｐｈａｓｅ）を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物により液晶素子４３２を構成してもよい。ブルー相を示す液晶は、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と短く、光学的等方性であるため、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。
なお、表示素子として、発光素子１２５および液晶素子４３２以外の表示素子を適用することも可能である。例えば、表示素子として、電気泳動素子、電子インク、エレクトロウェッティング素子、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、ＩＭＯＤ（インターフェアレンス・モジュレーション）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、などを用いることも可能である。
ｍ行ｎ列目の画素１３４において、トランジスタ４３１のソース電極およびドレイン電極の一方は、信号線ＤＬ＿ｎに電気的に接続され、他方はノード４３６に電気的に接続される。トランジスタ４３１のゲート電極は、走査線ＧＬ＿ｍに電気的に接続される。トランジスタ４３１は、オン状態またはオフ状態になることにより、ノード４３６へのデータ信号の書き込みを制御する機能を有する。
容量素子２３３の一対の電極の一方は、特定の電位が供給される配線（以下、容量線ＣＬ）に電気的に接続され、他方は、ノード４３６に電気的に接続される。また、液晶素子４３２の一対の電極の他方はノード４３６に電気的に接続される。なお、容量線ＣＬの電位の値は、画素１３４の仕様に応じて適宜設定される。容量素子２３３は、ノード４３６に書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
例えば、図８（Ｃ）の画素１３４を有する表示装置では、駆動回路１３２により各行の画素１３４を順次選択し、トランジスタ４３１をオン状態にしてノード４３６にデータ信号を書き込む。
ノード４３６にデータ信号が書き込まれた画素１３４は、トランジスタ４３１がオフ状態になることで保持状態になる。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
例えば、本明細書等において、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることができる。
アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いることができる。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、またはＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は、製造工程が少ないため、これらの素子を用いることで、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることができる。
アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、または歩留まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることができる。
なお、ここでは、表示装置を用いて、様々な表示を行う場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、情報を表示しないようにしてもよい。一例としては、表示装置のかわりに、照明装置として用いてもよい。照明装置に適用することにより、デザイン性に優れたインテリアとして、活用することができる。または、様々な方向を照らすことができる照明として活用することができる。または、表示装置のかわりに、バックライトやフロントライトなどの光源として用いてもよい。つまり、表示パネルのための照明装置として活用してもよい。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態２）
本実施の形態では、表示装置１００の作製方法の一例について、図９乃至図１６を用いて説明する。なお、図９乃至図１５は、図３（Ａ）中のＣ１−Ｃ２の一点鎖線で示す部位の断面に相当する。
＜表示装置の作製方法例＞
〔剥離層の形成〕
まず、素子形成基板１０１上に剥離層１１３を形成する（図９（Ａ）参照。）。なお、素子形成基板１０１としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよい。
また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられている。なお、酸化バリウム（ＢａＯ）を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガラスなどを用いることができる。
剥離層１１３は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、または前記元素を含む合金材料、または前記元素を含む化合物材料を用いて形成することができる。また、これらの材料を単層又は積層して形成することができる。なお、剥離層１１３の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。また、剥離層１１３を、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、またはＩｎＧａＺｎＯ（ＩＧＺＯ）等の金属酸化物を用いて形成することもできる。
剥離層１１３は、スパッタリング法やＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる。なお、塗布法はスピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
剥離層１１３を単層で形成する場合、タングステン、モリブデン、またはタングステンとモリブデンを含む合金材料を用いることが好ましい。または、剥離層１１３を単層で形成する場合、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物、またはタングステンとモリブデンを含む合金の酸化物若しくは酸化窒化物を用いることが好ましい。
また、剥離層１１３として、例えば、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層に接して酸化物絶縁層を形成することで、タングステンを含む層と酸化物絶縁層との界面に、酸化タングステンが形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。
本実施の形態では、素子形成基板１０１としてガラス基板を用いる。また、剥離層１１３として素子形成基板１０１上にスパッタリング法によりタングステンを形成する。
〔絶縁層の形成〕
次に、剥離層１１３上に下地層として絶縁層２０５を形成する（図９（Ａ）参照。）。絶縁層２０５は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウム等を、単層または多層で形成するのが好ましい。例えば、絶縁層２０５を、酸化シリコンと窒化シリコンを積層した二層構造としてもよいし、上記材料を組み合わせた五層構造としてもよい。絶縁層２０５は、スパッタリング法やＣＶＤ法、熱酸化法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能である。
絶縁層２０５の厚さは、３０ｎｍ以上１μｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下とすればよい。
絶縁層２０５は、素子形成基板１０１や剥離層１１３などからの不純物元素の拡散を防止、または低減することができる。また、素子形成基板１０１を基板１１１に換えた後も、基板１１１や接着層１１２などから発光素子１２５への不純物元素の拡散を防止、または低減することができる。本実施の形態では、絶縁層２０５としてプラズマＣＶＤ法により厚さ２００ｎｍの酸化窒化シリコンと厚さ５０ｎｍの窒化酸化シリコンの積層膜を用いる。
〔ゲート電極の形成〕
次に、絶縁層２０５上にゲート電極２０６を形成する（図９（Ａ）参照。）。ゲート電極２０６は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、マンガン、ジルコニウムのいずれか一または複数から選択された金属元素を用いてもよい。また、ゲート電極２０６は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウム、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。
また、ゲート電極２０６は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。
まず、絶縁層２０５上にスパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等により、ゲート電極２０６となる導電膜を積層し、該導電膜上にフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成する。次に、レジストマスクを用いてゲート電極２０６となる導電膜の一部をエッチングして、ゲート電極２０６を形成する。この時、他の配線および電極も同時に形成することができる。
導電膜のエッチングは、ドライエッチング法でもウエットエッチング法でもよく、両方を用いてもよい。なお、ドライエッチング法によりエッチングを行った場合、レジストマスクを除去する前にアッシング処理を行うと、剥離液を用いたレジストマスクの除去を容易とすることができる。
なお、ゲート電極２０６は、上記形成方法の代わりに、電解メッキ法、印刷法、インクジェット法等で形成してもよい。
ゲート電極２０６の厚さは、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
また、ゲート電極２０６を、遮光性を有する導電性材料を用いて形成することで、外部からの光が、ゲート電極２０６側から半導体層２０８に到達しにくくすることができる。その結果、光照射によるトランジスタの電気特性の変動を抑制することができる。
〔ゲート絶縁層の形成〕
次に、ゲート絶縁層２０７を形成する（図９（Ａ）参照。）。ゲート絶縁層２０７は、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化アルミニウムと酸化シリコンの混合物、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはＧａ−Ｚｎ系金属酸化物などを用いればよく、積層または単層で設ける。
また、ゲート絶縁層２０７として、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘ）、窒素が添加されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙＮｚ）、窒素が添加されたハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌｘＯｙＮｚ）、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどのｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることでトランジスタのゲートリークを低減できる。例えば、酸化窒化シリコンと酸化ハフニウムの積層としてもよい。
ゲート絶縁層２０７の厚さは、５ｎｍ以上４００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下とするとよい。
ゲート絶縁層２０７は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等で形成することができる。
ゲート絶縁層２０７として酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜を形成する場合、原料ガスとしては、シリコンを含む堆積性気体および酸化性気体を用いることが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラン、トリシラン、フッ化シラン等がある。酸化性気体としては、酸素、オゾン、一酸化二窒素、二酸化窒素等がある。
また、ゲート絶縁層２０７は、窒化物絶縁層と酸化物絶縁層をゲート電極２０６側から順に積層する積層構造としてもよい。ゲート電極２０６側に窒化物絶縁層を設けることで、ゲート電極２０６側から水素、窒素、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属等が半導体層２０８に移動することを防ぐことができる。なお、一般に、窒素、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属等は、半導体の不純物元素として機能する。また、水素は、酸化物半導体の不純物元素として機能する。よって、本明細書等における「不純物」には、水素、窒素、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属等が含まれるものとする。
また、半導体層２０８として酸化物半導体を用いる場合は、半導体層２０８側に酸化物絶縁層を設けることで、ゲート絶縁層２０７と半導体層２０８の界面における欠陥準位密度を低減することが可能である。この結果、電気特性の劣化の少ないトランジスタを得ることができる。なお、半導体層２０８として酸化物半導体を用いる場合は、酸化物絶縁層として、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁層を用いて形成すると、ゲート絶縁層２０７と半導体層２０８の界面における欠陥準位密度をさらに低減することが可能であるため好ましい。
また、ゲート絶縁層２０７を、上記のように窒化物絶縁層と酸化物絶縁層の積層とする場合、酸化物絶縁層よりも窒化物絶縁層を厚くすることが好ましい。
窒化物絶縁層は酸化物絶縁層よりも比誘電率が大きいため、ゲート絶縁層２０７の膜厚を厚くしても、ゲート電極２０６に生じる電界を効率よく半導体層２０８に伝えることができる。また、ゲート絶縁層２０７を厚くすることで、ゲート絶縁層２０７の絶縁耐圧を高めることができる。よって、表示装置の信頼性を高めることができる。
また、ゲート絶縁層２０７は、欠陥の少ない第１の窒化物絶縁層と、水素ブロッキング性の高い第２の窒化物絶縁層と、酸化物絶縁層とが、ゲート電極２０６側から順に積層される積層構造とすることができる。ゲート絶縁層２０７に、欠陥の少ない第１の窒化物絶縁層を用いることで、ゲート絶縁層２０７の絶縁耐圧を向上させることができる。特に、半導体層２０８として酸化物半導体を用いる場合は、ゲート絶縁層２０７に、水素ブロッキング性の高い第２の窒化物絶縁層を設けることで、ゲート電極２０６および第１の窒化物絶縁層に含まれる水素が半導体層２０８に移動することを防ぐことができる。
第１の窒化物絶縁層、第２の窒化物絶縁層の作製方法の一例を以下に示す。はじめに、シラン、窒素、およびアンモニアの混合ガスを原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法により、欠陥の少ない窒化シリコン膜を第１の窒化物絶縁層として形成する。次に、原料ガスを、シランおよび窒素の混合ガスに切り替えて、水素濃度が少なく、且つ水素をブロッキングすることが可能な窒化シリコン膜を第２の窒化物絶縁層として成膜する。このような形成方法により、欠陥が少なく、且つ水素のブロッキング性を有する窒化物絶縁層が積層されたゲート絶縁層２０７を形成することができる。
また、ゲート絶縁層２０７は、不純物のブロッキング性が高い第３の窒化物絶縁層と、欠陥の少ない第１の窒化物絶縁層と、水素ブロッキング性の高い第２の窒化物絶縁層と、酸化物絶縁層とが、ゲート電極２０６側から順に積層される積層構造とすることができる。ゲート絶縁層２０７に、不純物のブロッキング性が高い第３の窒化物絶縁層を設けることで、ゲート電極２０６から水素、窒素、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属等が半導体層２０８に移動することを防ぐことができる。
第１の窒化物絶縁層乃至第３の窒化物絶縁層の作製方法の一例を以下に示す。はじめに、シラン、窒素、およびアンモニアの混合ガスを原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法により、不純物のブロッキング性が高い窒化シリコン膜を第３の窒化物絶縁層として形成する。次に、アンモニアの流量を増加させることで、欠陥の少ない窒化シリコン膜を第１の窒化物絶縁層として形成する。次に、原料ガスを、シランおよび窒素の混合ガスに切り替えて、水素濃度が少なく、且つ水素をブロッキングすることが可能な窒化シリコン膜を第２の窒化物絶縁層として形成する。このような形成方法により、欠陥が少なく、且つ不純物のブロッキング性を有する窒化物絶縁層が積層されたゲート絶縁層２０７を形成することができる。
また、ゲート絶縁層２０７として酸化ガリウム膜を形成する場合、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成することができる。
なお、トランジスタのチャネルが形成される半導体層２０８と、酸化ハフニウムを含む絶縁層を、酸化物絶縁層を介して積層し、酸化ハフニウムを含む絶縁層に電子を注入することで、トランジスタのしきい値電圧を変化させることができる。
〔半導体層の形成〕
半導体層２０８は、非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体等を用いて形成することができる。例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶ゲルマニウム等を用いることができる。また、炭化シリコン、ガリウム砒素、酸化物半導体、窒化物半導体などの化合物半導体や、有機半導体等を用いることができる。酸化物半導体としては、非単結晶酸化物半導体、単結晶酸化物半導体などを用いることができる。非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物半導体、非晶質酸化物半導体などを用いることができる。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向した複数の結晶部を有する酸化物半導体の一つである。また、酸化物半導体は、代表的には、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆ）がある。とくに、酸化物半導体としては、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆ）を用いると好ましい。ただし、酸化物半導体は、インジウムを含む酸化物に限定されない。酸化物半導体は、例えば、Ｚｎ−Ｓｎ酸化物、Ｇａ−Ｓｎ酸化物であっても構わない。
半導体層２０８の厚さは、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは３ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする。本実施の形態では、半導体層２０８として、スパッタリング法により厚さ３０ｎｍの酸化物半導体膜を形成する。
続いて、酸化物半導体膜上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて酸化物半導体膜の一部を選択的にエッチングすることで、半導体層２０８を形成する。レジストマスクの形成は、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行うことができる。レジストマスクをインクジェット法で形成すると、フォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
酸化物半導体膜のエッチングは、ドライエッチング法でもウエットエッチング法でもよく、両方を用いてもよい。酸化物半導体膜のエッチング終了後、レジストマスクを除去する（図９（Ｂ）参照。）。
〔電極の形成〕
次に、ソース電極２０９ａ、ドレイン電極２０９ｂ、配線２１９、および端子電極２１６を形成する（図９（Ｃ）参照。）。まず、ゲート絶縁層２０７、半導体層２０８上に導電膜を形成する。
導電膜としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金で構成される単層構造または積層構造を用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造、タングステン膜上に銅膜を積層し、さらにその上にタングステン膜を形成する三層構造等がある。
なお、インジウム錫酸化物、亜鉛酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの酸素を含む導電性材料、窒化チタン、窒化タンタルなどの窒素を含む導電性材料を用いてもよい。また、前述した金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料を組み合わせた積層構造とすることもできる。また、前述した金属元素を含む材料と、窒素を含む導電性材料を組み合わせた積層構造とすることもできる。また、前述した金属元素を含む材料、酸素を含む導電性材料、および窒素を含む導電性材料を組み合わせた積層構造とすることもできる。
また、導電膜の厚さは、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。本実施の形態では、導電膜として厚さ３００ｎｍのタングステン膜を形成する。
次に、レジストマスクを用いて、導電膜の一部を選択的にエッチングし、ソース電極２０９ａ、ドレイン電極２０９ｂ、配線２１９、および端子電極２１６（これと同じ層で形成される他の電極または配線を含む）を形成する。レジストマスクの形成は、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行うことができる。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
導電膜のエッチングは、ドライエッチング法でもウエットエッチング法でもよく、両方を用いてもよい。なお、エッチング工程により、露出した半導体層２０８の一部が除去される場合がある。導電膜のエッチング終了後、レジストマスクを除去する。表示領域１３１にはトランジスタ２３２が形成され、駆動回路１３３にはトランジスタ２５２が形成される（図９（Ｃ）参照。）。
〔絶縁層の形成〕
次に、ソース電極２０９ａ、ドレイン電極２０９ｂ、配線２１９、および端子電極２１６上に、絶縁層２１０を形成する（図９（Ｄ）参照。）。絶縁層２１０は、絶縁層２０５と同様の材料および方法で形成することができる。
また、半導体層２０８に酸化物半導体を用いる場合は、少なくとも絶縁層２１０の半導体層２０８と接する領域に、酸素を含む絶縁層を用いることが好ましい。例えば、絶縁層２１０を複数層の積層とする場合、少なくとも半導体層２０８と接する層を酸化シリコンで形成すればよい。
〔開口の形成〕
次に、レジストマスクを用いて、絶縁層２１０の一部を選択的にエッチングし、開口１２８を形成する（図９（Ｄ）参照。）。この時、図示しない他の開口も同時に形成する。レジストマスクの形成は、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行うことができる。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
絶縁層２１０のエッチングは、ドライエッチング法でもウエットエッチング法でもよく、両方を用いてもよい。
開口１２８の形成により、ドレイン電極２０９ｂ、端子電極２１６の一部が露出する。開口１２８の形成後、レジストマスクを除去する。
〔平坦化膜の形成〕
次に、絶縁層２１０上に絶縁層２１１を形成する（図１０（Ａ）参照。）。絶縁層２１１は、絶縁層２０５と同様の材料および方法で形成することができる。
また、発光素子１２５の被形成面の表面凹凸を低減するために、絶縁層２１１に平坦化処理を行ってもよい。平坦化処理として特に限定はないが、研磨処理（例えば、化学的機械研磨法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ））、やドライエッチング処理により行うことができる。
また、平坦化機能を有する絶縁材料を用いて絶縁層２１１を形成することで、研磨処理を省略することもできる。平坦化機能を有する絶縁材料として、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁層を複数積層させることで、絶縁層２１１を形成してもよい。
また、開口１２８と重畳する領域の絶縁層２１１の一部を除去して、開口１２９を形成する。この時、図示しない他の開口部も同時に形成する。また、後に外部電極１２４が接続する領域の絶縁層２１１は除去する。なお、開口１２９等は、絶縁層２１１上にフォトリソグラフィ工程によるレジストマスクの形成を行い、絶縁層２１１のレジストマスクに覆われていない領域をエッチングすることで形成できる。開口１２９を形成することにより、ドレイン電極２０９ｂの表面を露出させる。
レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。また、絶縁層２１１に感光性を有する材料を用いることで、レジストマスクを用いることなく開口１２９を形成することができる。本実施の形態では、感光性のポリイミド樹脂を用いて絶縁層２１１および開口１２９を形成する。
〔陽極の形成〕
次に、絶縁層２１１上に電極１１５を形成する（図１０（Ｂ）参照。）。電極１１５は、後に形成されるＥＬ層１１７が発する光を効率よく反射する導電性材料を用いて形成することが好ましい。なお、電極１１５は単層に限らず、複数層の積層構造としてもよい。例えば、電極１１５を陽極として用いる場合、ＥＬ層１１７と接する層を、インジウム錫酸化物などのＥＬ層１１７よりも仕事関数が大きく透光性を有する層とし、その層に接して反射率の高い層（アルミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀など）を設けてもよい。
なお、本実施の形態では、トップエミッション構造（上面射出構造）の表示装置について例示するが、ボトムエミッション構造（下面射出構造）、またはデュアルエミッション構造（両面射出構造）の表示装置とすることもできる。
表示装置１００を、ボトムエミッション構造（下面射出構造）、またはデュアルエミッション構造（両面射出構造）の表示装置とする場合は、電極１１５に透光性を有する導電性材料を用いればよい。
電極１１５は、絶縁層２１１上に電極１１５となる導電膜を形成し、該導電膜上にレジストマスクを形成し、該導電膜のレジストマスクに覆われていない領域をエッチングすることで形成できる。該導電膜のエッチングは、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、または双方を組み合わせたエッチング法を用いることができる。レジストマスクの形成は、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行うことができる。レジストマスクをインクジェット法で形成すると、フォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。電極１１５の形成後、レジストマスクを除去する。
〔隔壁の形成〕
次に、隔壁１１４を形成する（図１０（Ｃ）参照。）。隔壁１１４は、隣接する画素の発光素子１２５が意図せず電気的に短絡し、誤発光することを防ぐために設ける。また、後述するＥＬ層１１７の形成にメタルマスクを用いる場合、メタルマスクが電極１１５に接触しないようにする機能も有する。隔壁１１４は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂などの有機樹脂材料や、酸化シリコンなどの無機材料で形成することができる。隔壁１１４は、その側壁がテーパーまたは連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。隔壁１１４の側壁をこのような形状とすることで、後に形成されるＥＬ層１１７や電極１１８の被覆性を良好なものとすることができる。
〔ＥＬ層の形成〕
ＥＬ層１１７は、少なくとも発光層を含んで形成されていればよく、発光層以外の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層以外の機能層としては、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、バイポーラ性（電子および正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層を用いることができる。具体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能層を適宜組み合わせて用いることができる。
〔陰極の形成〕
本実施の形態では電極１１８を陰極として用いるため、電極１１８をＥＬ層１１７に電子を注入できる仕事関数の小さい材料を用いて形成することが好ましい。また、仕事関数の小さい金属単体ではなく、仕事関数の小さいアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を数ｎｍ形成した層を緩衝層として形成し、その上にアルミニウムなどの金属材料、インジウム錫酸化物等の導電性を有する酸化物材料、または半導体材料を用いて形成してもよい。また、緩衝層として、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、または、マグネシウム−銀等の合金を用いることもできる。
また、電極１１８を介して、ＥＬ層１１７が発する光を取り出す場合には、電極１１８は、可視光に対し透光性を有することが好ましい。電極１１５、ＥＬ層１１７、電極１１８により、発光素子１２５が形成される（図１０（Ｄ）参照。）。
〔対向素子形成基板の形成〕
遮光層２６４、着色層２６６、オーバーコート層２６８、絶縁層１４５、および剥離層１４３が形成された素子形成基板１４１を、接着層１２０を介して素子形成基板１０１上に形成する（図１１（Ａ）参照。）。なお、素子形成基板１４１は素子形成基板１０１と向かい合うように形成されるため、素子形成基板１４１を「対向素子形成基板」と呼ぶ場合がある。素子形成基板１４１（対向素子形成基板）の構成の詳細については、追って説明する。
素子形成基板１４１は、素子形成基板１０１上に、接着層１２０により固定される。接着層１２０としては、光硬化型の接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂等を用いることができる。トップエミッション構造（上面射出構造）の場合は接着層１２０に光の波長以下の大きさの乾燥剤（ゼオライト等）や、屈折率の大きいフィラー（酸化チタンや、ジルコニウム等）を混合すると、ＥＬ層１１７が発する光の取り出し効率が向上するため好適である。
〔素子形成基板の剥離〕
次に、剥離層１１３を介して絶縁層２０５と接する素子形成基板１０１を、絶縁層２０５から剥離する（図１１（Ｂ）参照。）。剥離方法としては、機械的な力を加えること（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理、超音波等）を用いて行えばよい。たとえば、剥離層１１３に鋭利な刃物またはレーザ光照射等で切り込みをいれ、その切り込みに水を注入する。または、その切り込みに霧状の水を吹き付ける。毛細管現象により水が剥離層１１３と絶縁層２０５の間にしみこむことにより、素子形成基板１０１を絶縁層２０５から容易に剥離することができる。
〔基板の貼り合わせ〕
次に、接着層１１２を介して基板１１１を絶縁層２０５に貼り合わせる（図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）参照。）。接着層１１２は、接着層１２０と同様の材料を用いることができる。本実施の形態では、基板１１１として、厚さ２０μｍ、ヤング率１０ＧＰａのアラミド（ポリアミド樹脂）を用いる。
〔素子形成基板の剥離〕
次に、剥離層１４３を介して絶縁層１４５と接する素子形成基板１４１を、絶縁層１４５から剥離する（図１３（Ａ）参照。）。素子形成基板１４１の剥離は、前述した素子形成基板１０１の剥離と同様の方法で行うことができる。
〔基板の貼り合わせ〕
次に、接着層１４２を介して基板１２１を絶縁層１４５に貼り合わせる（図１３（Ｂ）参照。）。接着層１４２は、接着層１２０と同様の材料を用いることができる。また、基板１２１は基板１１１と同様の材料を用いることができる。
〔開口の形成〕
次に、端子電極２１６および開口１２８と重畳する領域の、基板１２１、接着層１４２、絶縁層１４５、着色層２６６、オーバーコート層２６８、および接着層１２０を除去して、開口１２２を形成する（図１４（Ａ）参照。）。開口１２２を形成することにより、端子電極２１６の表面の一部が露出する。
〔外部電極の形成〕
次に、開口１２２に異方性導電接続層１２３を形成し、異方性導電接続層１２３上に、表示装置１００に電力や信号を入力するための外部電極１２４を形成する（図１４（Ｂ）参照）。端子電極２１６は、異方性導電接続層１２３を介して外部電極１２４と電気的に接続される。なお、外部電極１２４としては、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）を用いることができる。
異方性導電接続層１２３は、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いて形成することができる。
異方性導電接続層１２３は、熱硬化性、又は熱硬化性および光硬化性の樹脂に導電性粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の材料を硬化させたものである。異方性導電接続層１２３は、光照射や熱圧着によって異方性の導電性を示す材料となる。異方性導電接続層１２３に用いられる導電性粒子としては、例えば球状の有機樹脂を金やニッケル、コバルト等の薄膜状の金属で被覆した粒子を用いることができる。
〔基板の貼り合わせ〕
次に、基板１３７を、接着層１３８を介して基板１１１に貼り合わせる。また、基板１４７を、接着層１４８を介して基板１２１に貼り合わせる（図１５参照。）。接着層１３８および接着層１４８は、接着層１２０と同様の材料を用いることができる。
基板１３７として、絶縁体１０２中に複数のガラス繊維１０３を含ませたものを用いる。複数のガラス繊維１０３のそれぞれは、Ｙ方向に沿って延在している。また、複数のガラス繊維１０３のそれぞれは、互いに一定の間隔をあけて略平行に配置されている。
本実施の形態では、絶縁体１０２として、可視光に対して透光性を有する厚さ２００μｍ、ヤング率０．０３ＧＰａのシリコーンゴムを用いる。また、ガラス繊維１０３として、円形の断面を有し、直径が５０μｍのものを用いる。
また、本実施の形態では、基板１４７として、可視光に対して透光性を有する厚さ２００μｍ、ヤング率０．０３ＧＰａのシリコーンゴムを用いる。
〔対向素子形成基板に形成される構造物〕
次に、素子形成基板１４１に形成される遮光層２６４などの構造物について、図１６を用いて説明する。
まず、素子形成基板１４１を準備する。素子形成基板１４１としては、素子形成基板１０１と同様の材料を用いることができる。次に、素子形成基板１４１上に剥離層１４３と絶縁層１４５を形成する（図１６（Ａ）参照。）。剥離層１４３は、剥離層１１３と同様の材料および方法で形成することができる。また、絶縁層１４５は、絶縁層２０５と同様の材料および方法で形成することができる。
次に、絶縁層１４５上に、遮光層２６４を形成する（図１６（Ｂ）参照。）。その後、着色層２６６を形成する（図１６（Ｃ）参照。）。
遮光層２６４および着色層２６６は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いて、それぞれ所望の位置に形成する。
次に、遮光層２６４および着色層２６６上にオーバーコート層２６８を形成する（図１６（Ｄ）参照。）。
オーバーコート層２６８としては、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド等の有機絶縁層を用いることができる。オーバーコート層２６８を形成することによって、例えば、着色層２６６中に含まれる不純物等を発光素子１２５側に拡散することを抑制することができる。ただし、オーバーコート層２６８は、必ずしも設ける必要はなく、オーバーコート層２６８を形成しない構造としてもよい。
また、オーバーコート層２６８として透光性を有する導電膜を形成してもよい。オーバーコート層２６８として透光性を有する導電膜を設けることで、発光素子１２５から発せられた光２３５を透過し、かつ、イオン化した不純物の透過を防ぐことができる。
透光性を有する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、グラフェン等の他、透光性を有する程度に薄く形成された金属膜を用いてもよい。
以上の工程で素子形成基板１４１に遮光層２６４などの構造物を形成することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態３）
本実施の形態では、発光素子１２５に用いることができる発光素子の構成例について図１７を用いて説明する。
＜発光素子の構成＞
図１７（Ａ）に示す発光素子３３０は、一対の電極（電極３１８、電極３２２）間にＥＬ層３２０が挟まれた構造を有する。なお、以下の本実施の形態の説明においては、例として、電極３１８を陽極として用い、電極３２２を陰極として用いるものとする。
また、ＥＬ層３２０は、少なくとも発光層を含んで形成されていればよく、発光層以外の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層以外の機能層としては、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、バイポーラ性（電子および正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層を用いることができる。具体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能層を適宜組み合わせて用いることができる。
図１７（Ａ）に示す発光素子３３０は、電極３１８と電極３２２との間に生じた電位差により電流が流れ、ＥＬ層３２０において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまりＥＬ層３２０に発光領域が形成されるような構成となっている。
本発明において、発光素子３３０からの発光は、電極３１８、または電極３２２側から外部に取り出される。従って、電極３１８、または電極３２２のいずれか一方は透光性を有する物質で成る。
なお、ＥＬ層３２０は図１７（Ｂ）に示す発光素子３３１のように、電極３１８と電極３２２との間に複数積層されていても良い。ｎ層（ｎは２以上の自然数）の積層構造を有する場合には、ｍ番目（ｍは、１以上の自然数であり、ｍ＜ｎを満たす自然数）のＥＬ層３２０と、（ｍ＋１）番目のＥＬ層３２０との間には、それぞれ電荷発生層３２０ａを設けることが好ましい。
電荷発生層３２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料、金属酸化物、有機化合物とアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物との複合材料の他、これらを適宜組み合わせて形成することができる。有機化合物と金属酸化物の複合材料としては、例えば、有機化合物と酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステン等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素等の低分子化合物、または、それらの低分子化合物のオリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、電荷発生層３２０ａに用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、発光素子３３０の低電流駆動、および低電圧駆動を実現することができる。
なお、電荷発生層３２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料と他の材料とを組み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。
このような構成を有する発光素子３３１は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こりにくく、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方の発光層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。
なお、電荷発生層３２０ａとは、電極３１８と電極３２２に電圧を印加したときに、電荷発生層３２０ａに接して形成される一方のＥＬ層３２０に対して正孔を注入する機能を有し、他方のＥＬ層３２０に電子を注入する機能を有する。
図１７（Ｂ）に示す発光素子３３１は、ＥＬ層３２０に用いる発光物質の種類を変えることにより様々な発光色を得ることができる。また、発光物質として発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を得ることもできる。
図１７（Ｂ）に示す発光素子３３１を用いて、白色発光を得る場合、複数のＥＬ層の組み合わせとしては、赤、青および緑色の光を含んで白色に発光する構成であればよく、例えば、青色の蛍光材料を発光物質として含む発光層と、緑色と赤色の燐光材料を発光物質として含む発光層を有する構成が挙げられる。また、赤色の発光を示す発光層と、緑色の発光を示す発光層と、青色の発光を示す発光層とを有する構成とすることもできる。または、補色の関係にある光を発する発光層を有する構成であっても白色発光が得られる。発光層が二層積層された積層型素子において、第１の発光層から得られる発光の発光色と第２の発光層から得られる発光の発光色を補色の関係にする場合、補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色などが挙げられる。
なお、上述した積層型素子の構成において、積層される発光層の間に電荷発生層を配置することにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での発光が可能である。電流密度を低く保てるため、長寿命素子を実現することができる。また、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一な発光が可能となる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態４）
トップエミッション構造（上面射出構造）の表示装置１００の構成を変形して、ボトムエミッション構造（下面射出構造）の表示装置１５０を作製することができる。
図１８（Ａ）（Ｂ）に、ボトムエミッション構造（下面射出構造）の表示装置１５０の断面構造の例を示す。なお、図１８は、表示装置１００の斜視図である図３（Ａ）中でＣ１−Ｃ２の一点鎖線で示す部位と、同等の部位の断面図である。図１８に示すボトムエミッション構造（下面射出構造）の表示装置１５０は、遮光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８の形成位置が、表示装置１００と異なる。具体的には、表示装置１５０では、遮光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８が、基板１１１上に形成される。
また、表示装置１５０では、絶縁層１４５を基板１２１に直接形成して、接着層１２０を介して基板１１１と貼り合せることができる。すなわち、絶縁層１４５を素子形成基板１４１から転置する必要がないため、素子形成基板１４１、剥離層１４３、接着層１４２を不要とすることができる。よって、表示装置の生産性や歩留まりなどを向上することができる。
なお、表示装置１５０の他の構成は、表示装置１００と同様に形成することができる。
また、ボトムエミッション構造の表示装置１５０は、電極１１５を、透光性を有する導電性材料を用いて形成され、電極１１８を、ＥＬ層１１７が発する光を効率よく反射する導電性材料を用いて形成される。
表示装置１５０は、ＥＬ層１１７から発せられる光２３５を、着色層２６６を介して基板１１１側から射出することができる。
なお、図１８（Ｂ）に示す表示装置１５０では、駆動回路１３３を構成するトランジスタとして、トランジスタ２７２を用いる例を示している。トランジスタ２７２は、トランジスタ２５２と同様に形成することができるが、絶縁層２１０上の、半導体層２０８と重畳する領域に電極２６３を有する点が異なる。電極２６３は、ゲート電極２０６と同様の材料および方法により形成することができる。
電極２６３は、ゲート電極として機能させることができる。なお、ゲート電極２０６および電極２６３のどちらか一方を、単に「ゲート電極」という場合、他方を「バックゲート電極」という場合がある。また、ゲート電極２０６および電極２６３のどちらか一方を、「第１のゲート電極」といい、他方を「第２のゲート電極」という場合がある。
一般に、バックゲート電極は導電膜で形成され、ゲート電極とバックゲート電極で半導体層のチャネル形成領域を挟むように配置される。よって、バックゲート電極は、ゲート電極と同様に機能させることができる。バックゲート電極の電位は、ゲート電極と同電位としてもよく、ＧＮＤ電位や、任意の電位としてもよい。バックゲート電極の電位を変化させることで、トランジスタのしきい値電圧を変化させることができる。
また、ゲート電極とバックゲート電極は導電膜で形成されるため、トランジスタの外部で生じる電界が、チャネルが形成される半導体層に作用しないようにする機能（特に静電気に対する静電遮蔽機能）も有する。
また、バックゲート電極側から光が入射する場合に、バックゲート電極を、遮光性を有する導電膜で形成することで、バックゲート電極側から半導体層に光が入射することを防ぐことができる。よって、半導体層の光劣化を防ぎ、トランジスタのしきい値電圧がシフトするなどの電気特性の劣化を防ぐことができる。
半導体層２０８を挟んでゲート電極２０６および電極２６３を設けることで、更にはゲート電極２０６および電極２６３を同電位とすることで、半導体層２０８においてキャリアの流れる領域が膜厚方向においてより大きくなるため、キャリアの移動量が増加する。この結果、トランジスタのオン電流が大きくなると共に、電界効果移動度が高くなる。
また、ゲート電極２０６および電極２６３は、それぞれが外部からの電界を遮蔽する機能を有するため、ゲート電極２０６よりも下層、電極２６３よりも上層に存在する電荷が、半導体層２０８に影響することを抑制できる。この結果、ストレス試験（例えば、ゲートに負の電圧を印加する−ＧＢＴ（Ｇａｔｅ Ｂｉａｓ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ストレス試験）や、ゲートに正の電圧を印加する＋ＧＢＴストレス試験の前後におけるしきい値電圧の変動が小さい。また、異なるドレイン電圧におけるオン電流の立ち上がり電圧の変動を抑制することができる。
なお、ＢＴストレス試験は加速試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトランジスタの特性変化（即ち、経年変化）を、短時間で評価することができる。特に、ＢＴストレス試験前後におけるトランジスタのしきい値電圧の変動量は、信頼性を調べるための重要な指標となる。ＢＴストレス試験前後において、しきい値電圧の変動量が少ないほど、信頼性が高いトランジスタであるといえる。
また、ゲート電極２０６および電極２６３を有し、且つゲート電極２０６および電極２６３を同電位とすることで、しきい値電圧の変動量が低減される。このため、複数のトランジスタにおける電気特性のばらつきも同時に低減される。
なお、表示領域１３１中に形成されるトランジスタ２３２に、バックゲート電極を設けてもよい。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態５）
トップエミッション構造（上面射出構造）の表示装置１００の構成を変形して、遮光層２６４、着色層２６６、オーバーコート層２６８などを設けない表示装置１６０を作製することができる。
図１９（Ａ）に、表示装置１６０の断面構造の例を示す。なお、図１９は、表示装置１００の斜視図である図３（Ａ）中でＣ１−Ｃ２の一点鎖線で示す部位と、同等の部位の断面図である。表示装置１６０は、遮光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８を設けないかわりに、ＥＬ層１１７Ａ、ＥＬ層１１７Ｂ、ＥＬ層１１７Ｃ（図示せず）などを用いることによって、カラー表示を行うことが出来る。ＥＬ層１１７Ａ、ＥＬ層１１７Ｂなどは、それぞれ、赤、青、緑、などの異なる色で発光することができる。例えば、ＥＬ層１１７Ａからは赤色の波長を有する光２３５Ａが発せられ、ＥＬ層１１７Ｂからは青色の波長を有する光２３５Ｂが発せられ、ＥＬ層１１７Ｃからは緑色の波長を有する光２３５Ｃ（図示せず）が発せられる。
また、着色層２６６を用いないことによって、光２３５Ａ、光２３５Ｂ、および光２３５Ｃが着色層２６６を透過する際に生じる輝度の低下を無くすことが出来る。また、光２３５Ａ、光２３５Ｂ、および光２３５Ｃの波長に応じて、ＥＬ層１１７Ａ、ＥＬ層１１７Ｂ、およびＥＬ層１１７Ｃの厚さを調整することで、色純度を向上させることができる。
なお、表示装置１６０と同様に、ボトムエミッション構造（下面射出構造）の表示装置１５０の構成を変形して、遮光層２６４、着色層２６６、オーバーコート層２６８などを設けない表示装置１７０も作製することができる。図１９（Ｂ）に、表示装置１７０の断面構造の例を示す。
なお、図２０（Ａ）（Ｂ）に示すように、偏光板、位相差板、λ／４板などの光学フィルム９１１を追加で配置してもよい。光学フィルム９１１は、接着層１４８Ａを用いて、基板１１１あるいは基板１２１に接着されている。このような配置とすることにより、画面表面での反射を低減することができる。
なお、表示装置１６０および表示装置１７０の他の構成は、表示装置１００と同様に形成することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態６）
図２１（Ａ）に示すように、表示装置１００において、基板１４７の上に、タッチセンサを有する基板を設けてもよい。タッチセンサは、導電層９９１と導電層９９３などを用いて構成されている。また、それらの間には、絶縁層９９２が設けられている。
なお、導電層９９１および導電層９９３は、インジウム錫酸化物やインジウム亜鉛酸化物などの透明導電膜を用いることが望ましい。ただし、抵抗を下げるため、導電層９９１および導電層９９３の一部、または、全部に、低抵抗な材料を持つ層を用いてもよい。例えば、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造を用いることができる。または、導電層９９１および導電層９９３として、金属ナノワイヤを用いてもよい。その場合の金属としては、銀などが好適である。これにより、抵抗値を下げることができるため、センサの感度を向上させることができる。
絶縁層９９２は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウム等を、単層または多層で形成するのが好ましい。絶縁層９９２は、スパッタリング法やＣＶＤ法、熱酸化法、塗布法、印刷法等を用いて形成することができる。
なお、タッチセンサは、基板９９４の上に設けられているが、本発明の一態様は、これに限定されない。基板９９４の下（基板１２１と基板９９４との間）に設けられていてもよい。
また、図２１（Ｂ）に示すように、タッチセンサを有する基板を、表示装置１５０において、基板１４７の下側に設けてもよい。
また、図２２（Ａ）に示すように、タッチセンサを、基板１２１の上に、接着層１４８Ａを介して配置してもよい。また、図２２（Ｂ）に示すように、タッチセンサを、基板１１１の下に、接着層１４８Ａを介して配置してもよい。
なお、基板９９４として、光学フィルムの機能を持たせてもよい。つまり、基板９９４は、偏光板や位相差板などの機能を有していてもよい。
また、表示装置１００において、タッチセンサを基板１２１に形成してもよい。図２３（Ａ）は、基板１２１にタッチセンサを形成し、タッチセンサおよび接着層１４８を介して基板１４７を形成する例を示している。
また、表示装置１５０において、タッチセンサを基板１１１に形成してもよい。図２３（Ｂ）は、基板１１１にタッチセンサを形成し、タッチセンサおよび接着層１４８を介して基板１４７を形成する例を示している。
また、表示装置１６０において、タッチセンサを基板１２１に形成してもよい。図２４（Ａ）は、基板１２１にタッチセンサを形成し、タッチセンサおよび接着層１４８を介して基板１４７を形成する例を示している。
また、表示装置１７０において、タッチセンサを基板１１１に形成してもよい。図２４（Ｂ）は、基板１１１にタッチセンサを形成し、タッチセンサおよび接着層１４８を介して基板１４７を形成する例を示している。
なお、図２４（Ａ）に示す表示装置１６０および図２４（Ｂ）に示す表示装置１７０において、光学フィルム９１１を配置してもよい。その場合の例を図２５（Ａ）（Ｂ）に示す。光学フィルム９１１は、接着層１４８Ａを介して、基板１１１および基板１２１に接着されている。
なお、タッチセンサとして、静電容量式のタッチセンサや、ｐｎ型又はｐｉｎ型のフォトダイオードなどの受光素子を備えるタッチセンサを利用することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態７）
本実施の形態では、表示装置１００において、基板１１１および基板１２１を省略する場合について図２６を用いて説明する。図２６は、表示装置１００の斜視図である図３（Ａ）中でＣ１−Ｃ２の一点鎖線で示す部位と、同等の部位の断面図である。
図２６（Ａ）に示す表示装置１００は、図３（Ｂ）に示す表示装置１００と基板１１１を省略している点で異なる。
図２６（Ａ）に示す表示装置１００においては、基板１３７中に複数のガラス繊維１０３が含まれているので、基板１３７が高い機械的強度を有している。したがって、基板１１１を設けなくとも、表示装置１００の作製時に基板が変形することを防ぐことができる。また、基板１１１を設けなくとも、表示装置１００の取り扱い時における機械的強度を満足することができる。
また、基板１３７中に含まれるガラス繊維１０３の厚さを厚くする、あるいは密度を高くすることにより、基板１３７により高い機械的強度を持たせることができる。これにより、基板１１１を設けなくとも、表示装置１００の作製時に基板が変形することをより確実に防ぐことができる。また、基板１１１を設けなくとも、表示装置１００の取り扱い時における機械的強度をより満足することができる。
図２６（Ａ）に示す表示装置１００においては、基板１１１を省略することができるので、基板１１１を接着するための接着層１１２を省略することもできる。これにより、薄型化および軽量化を達成し、携帯性に優れた表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
また、表示装置１００の下側を、癖のつきやすい基板１１１を用いず、基板１３７のみによって構成することができる。これにより、表示装置１００を繰り返し屈曲させた場合であっても、表示装置１００に癖がつきにくい。この場合の癖とは、例えば、表示装置１００がＸ方向に勝手に曲がってしまうような癖や、表示装置１００をＸ方向に繰り返し屈曲させた後に生じる残留歪み、しわなどが挙げられる。したがって、その取り扱い中に癖をほとんどつけずに繰り返し屈曲可能な表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
図２６（Ｂ）に示す表示装置１００は、基板１１１に加えて、基板１２１も省略している。図２６（Ｂ）に示す表示装置１００は、図５に示す表示装置１００と、基板１１１および基板１２１を省略している点で異なる。表示装置１００の作製時に基板が変形しない程度に、基板１３７中に複数のガラス繊維１０３を含ませ、基板１３７に高い機械的強度を持たせることにより、基板１１１に加えて、基板１２１も省略することが可能である。
本実施の形態によれば、基板１１１および基板１２１を省略することができるので、基板１１１および基板１２１を接着するための接着層１１２および接着層１４２も省略することができる。これにより、さらなる薄型化および軽量化を達成し、携帯性に優れた表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
また、表示装置１００を構成する基板として、癖のつきやすい基板１１１および基板１２１を用いず、基板１４７および基板１３７のみを用いることができる。これにより、表示装置１００を繰り返し屈曲させた場合であっても、表示装置１００に癖がつきにくい。この場合の癖とは、例えば、表示装置１００がＸ方向に勝手に曲がってしまうような癖や、表示装置１００をＸ方向に繰り返し屈曲させた後に生じる残留歪み、しわなどが挙げられる。したがって、その取り扱い中に癖をほとんどつけずに繰り返し屈曲可能な表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態８）
本実施の形態では、表示装置１００において、光２３５が射出する面側（表示面側）に複数のガラス繊維１０３を配置する場合について図２７を用いて説明する。具体的には、光２３５が射出する面側（表示面側）に設けられた基板１４７中に、複数のガラス繊維１０３を含ませる場合について説明する。図２７（Ａ）は、表示装置１００の斜視図である図３（Ａ）中でＣ１−Ｃ２の一点鎖線で示す部位と、同等の部位の断面図である。
図２７（Ａ）に示す表示装置１００は、図３（Ｂ）に示す表示装置１００と基板１４７中に複数のガラス繊維１０３を含ませている点で異なる。
図２７（Ａ）に示す表示装置１００においては、基板１４７中に複数のガラス繊維１０３を含ませている。基板１４７は、基板１３７と同様の材料および方法で形成することができる。また、図２７（Ｂ）で示すように、基板１４７中の複数のガラス繊維１０３はＹ方向に沿って延在している。
基板１４７中に含まれる複数のガラス繊維１０３と、基板１３７中に含まれる複数のガラス繊維１０３の延在する方向をＹ方向でそろえることにより、表示装置１００のＹ方向への可撓性をより十分に低くすることができる。これにより、表示装置１００は、Ｘ方向へは容易に屈曲することができるが、Ｙ方向へはより屈曲しにくくなり、Ｘ方向への曲げ軸とＹ方向への曲げ軸とが交わる領域が生じにくく、その取り扱い中に、ある特定の領域に大きな力が加わり、当該領域において配線間ショートのような動作不良が発生することをより確実に防止することができる。
また、基板１４７中に含まれるガラス繊維１０３の密度は、その領域によって適宜変更することができる。具体的には、基板１４７中に含まれるガラス繊維１０３の密度を、表示領域１３１では低くすることが好ましい。
図２７（Ｂ）に本実施の形態における基板１４７を示す。なお、図２７（Ｂ）において、表示領域１３１に対応する領域を領域１３１ａ、駆動回路１３２に対応する領域を領域１３２ａ、駆動回路１３３に対応する領域を領域１３３ａとする。図２７（Ｂ）に示すように、基板１４７中のガラス繊維１０３の密度を、領域１３１ａでは低く、領域１３３ａでは高くすることができる。これにより、基板１４７中に含まれるガラス繊維１０３と光２３５との干渉を最小限とすることができ、表示装置１００の良好な表示を保つことができる。また、本実施の形態では、透光性に優れるガラス繊維１０３を用いているので、領域１３１ａに配置されたガラス繊維１０３が光２３５に与える影響を小さくすることができる。
本実施の形態の表示装置１００は、良好な表示を保ちつつ、Ｙ方向への可撓性がＸ方向への可撓性より十分に低くなっている。したがって、本実施の形態によれば、良好な表示を保ちつつ、その取り扱い中に破損することなく、繰り返し屈曲可能であり、信頼性が高い表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
なお、複数のガラス繊維１０３を有する基板１３７を、光２３５が射出する面側（表示面側）に設ける場合にも、上記と同様にガラス繊維１０３の密度を調整することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態９）
複数のガラス繊維１０３に加えて、基板１３７中に複数の繊維１０４を含ませる場合について図２８を用いて説明する。具体的には、基板１３７中に、ガラス繊維１０３と交差するように、ガラス繊維１０３よりも引張弾性率またはヤング率の低い繊維１０４を含ませる場合について説明する。図２８（Ａ）は、基板１３７の上面図である図１（Ｄ）と対応する。
図２８（Ａ）に示す基板１３７は、Ｙ方向に沿って延在する複数のガラス繊維１０３と、Ｘ方向に沿って延在する複数の繊維１０４を有する。この場合、繊維１０４は、ガラス繊維１０３よりもやわらかいもの、引張弾性率またはヤング率の低いものを用いることが好ましい。これより、Ｙ方向への可撓性がＸ方向への可撓性よりも低い状態を保ちつつ、基板１３７の機械的強度を高めることができる。
図２８（Ｂ）は、図２８（Ａ）中でＡ１−Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。また、図２８（Ｃ）は、図２８（Ａ）中でＢ１−Ｂ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。図２８（Ｂ）（Ｃ）で示すように、繊維１０４はガラス繊維１０３に編み込むように設けることができる。ただし、これに限定されず、繊維１０４を、ガラス繊維１０３の上あるいは下に設けて、積層構造としてもよい。また、例えば、ガラス繊維１０３を含んだ絶縁体１０２と、繊維１０４を含んだ絶縁体１０２の積層構造としてもよい。
本実施の形態によれば、基板１３７の機械的強度を高めることができるので、実施の形態７で説明したように、表示装置１００を構成する基板１１１および基板１２１を省略することができる。
また、本実施の形態の基板１３７に表示装置、照明装置、もしくは電子機器の光の拡散板としての機能を持たせることもできる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態１０）
表示装置を構成する発光素子１２５やトランジスタ２３２が中立面に位置するように基板の構成を調整する手段について、図２９を用いて説明する。なお、中立面とは、曲げなどの変形に対して引張応力や圧縮応力などの応力歪みが発生しない面（延び縮みしない面）を指す。
図２９（Ａ）に示す表示装置は、下側から、基板１３７、基板１１１、図示しない発光素子１２５やトランジスタ２３２など、基板１２１、基板１４７を有している。基板１１１および基板１２１は、同じ厚さで、同じ材料から形成されている。また、基板１３７および基板１４７は、同じ厚さで、同じ材料から形成されている。この場合、中立面は表示装置の厚さ方向における真ん中となり、具体的には、中立面は一点鎖線Ｄ１−Ｄ２で示す箇所に位置する。したがって、図２９（Ａ）に示す表示装置においては、発光素子１２５やトランジスタ２３２などは、中立面に位置している。
ここで、図２９（Ａ）に示す表示装置を構成する基板１３７中に複数のガラス繊維１０３を設けた場合、基板１３７のヤング率は基板１４７のヤング率より高くなり、中立面は表示装置の厚さ方向における真ん中よりも基板１３７側に移動する可能性がある。具体的には、中立面は、一点鎖線Ｄ１−Ｄ２で示す箇所よりも基板１３７側に移動する可能性がある。この場合、機械的強度が高くない発光素子１２５やトランジスタ２３２などは、中立面に位置していないため、表示装置の屈曲時に、応力歪みにより壊れてしまうおそれがある。
図２９（Ｂ）に示す表示装置は、下側から、絶縁体１０２とガラス繊維１０３とを含む基板１３７、基板１１１、図示しない発光素子１２５やトランジスタ２３２など、基板１２１、基板１４７を有している。基板１１１および基板１２１は、同じ厚さで、同じ材料から形成されている。また、基板１４７の厚さは基板１３７よりも厚くなっている。ガラス繊維１０３を含む基板１３７のヤング率はガラス繊維を含まない基板１４７のヤング率より高いため、中立面は表示装置の厚さ方向における真ん中よりも基板１３７側に移動するものの、基板１４７の厚さを基板１３７よりも厚くしているため、結果として、発光素子１２５やトランジスタ２３２は中立面に位置することができる。
具体的には、図２９（Ｂ）に示す表示装置において、中立面は表示装置の厚さ方向における真ん中よりも基板１３７側である一点鎖線Ｅ１−Ｅ２で示す箇所に位置するが、基板１４７が基板１３７よりも厚いため、その中立面の位置は基板１１１と基板１２１との間に形成されている発光素子１２５やトランジスタ２３２の位置と一致している。したがって、表示装置の屈曲時に、発光素子１２５やトランジスタ２３２などが応力歪みにより壊れることを防止できる。
本実施の形態によれば、基板１３７にガラス繊維１０３を含ませつつ、発光素子１２５やトランジスタ２３２などが中立面に位置するようにできるので、その取り扱い中に破損することなく、繰り返し屈曲可能であり、信頼性が高い表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
本実施の形態では、基板１４７の厚さを基板１３７の厚さよりも厚くする手段を説明したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、基板１４７に別の基板を接着した積層構造としてもよい。また、基板１２１の厚さを基板１１１の厚さよりも厚くしてもよい。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態１１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置が適用された電子機器や照明装置の例について、図面を参照して説明する。
フレキシブルな形状を備える表示装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
また、表示装置を、家屋やビルの内壁または外壁や、自動車の内装または外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。
図３０（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、表示装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
図３０（Ａ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
また操作ボタン７４０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦや、表示部７４０２に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。
ここで、表示部７４０２には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したがって、湾曲した表示部を備え、繰り返し屈曲可能で且つ信頼性の高い携帯電話機とすることができる。
図３０（Ｂ）は、リストバンド型の表示装置の一例を示している。携帯表示装置７１００は、筐体７１０１、表示部７１０２、操作ボタン７１０３、および送受信装置７１０４を備える。
携帯表示装置７１００は、送受信装置７１０４によって映像信号を受信可能で、受信した映像を表示部７１０２に表示することができる。また、音声信号を他の受信機器に送信することもできる。
また、操作ボタン７１０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え、または音声のボリュームの調整などを行うことができる。
ここで、表示部７１０２には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したがって、湾曲した表示部を備え、繰り返し屈曲可能で且つ信頼性の高い携帯表示装置とすることができる。
図３０（Ｃ）乃至図３０（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７２００、照明装置７２１０、照明装置７２２０はそれぞれ、操作スイッチ７２０３を備える台部７２０１と、台部７２０１に支持される発光部を有する。
図３０（Ｃ）に示す照明装置７２００は、波状の発光面を有する発光部７２０２を備える。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
図３０（Ｄ）に示す照明装置７２１０の備える発光部７２１２は、凸状に湾曲した二つの発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７２１０を中心に全方位を照らすことができる。
図３０（Ｅ）に示す照明装置７２２０は、凹状に湾曲した発光部７２２２を備える。したがって、凹状に湾曲した発光部７２２２からの発光を、照明装置７２２０の前面に集光するため、特定の範囲を明るく照らす場合に適している。
また、照明装置７２００、照明装置７２１０および照明装置７２２０が備える各々の発光部はフレキシブル性を有しているため、当該発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成とすることができる。
ここで、照明装置７２００、照明装置７２１０および照明装置７２２０が備える各々の発光部には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したがって、発光部を破損させることなく湾曲可能であり、繰り返し屈曲可能で且つ信頼性の高い照明装置とすることができる。
ここで、照明装置の場合の断面図を図３３に示す。図３３に示す照明装置は、発光素子１２５、基板１１１、基板１２１、基板１３７、基板１４７などを有する点で図５に示す表示装置１００と共通しているものの、トランジスタなどを有していない点で表示装置１００とは異なる。また、基板１３７中にはＹ方向に沿って延在する複数のガラス繊維１０３が含まれており、照明装置のＹ方向への可撓性を低くすることができている。これより、発光部を破損させることなく湾曲可能であり、繰り返し屈曲可能で且つ信頼性の高い照明装置とすることができる。具体的には、図３０（Ｃ）乃至図３０（Ｅ）に示す照明装置において、湾曲させたい方向と交差する方向に沿って複数のガラス繊維１０３を延在させることにより、発光部を湾曲させる際に、発光部の一領域に大きな応力歪みが生じることを防ぐことができる。
図３１（Ａ）に、携帯型の表示装置の一例を示す。表示装置７３００は、筒状の筐体７３０１、表示部７３０２、操作ボタン７３０３、引き出し部材７３０４、制御部７３０５を備える。
表示装置７３００は、筒状の筐体７３０１内にロール状に巻かれたフレキシブルな表示部７３０２を備える。
また、表示装置７３００は制御部７３０５によって映像信号を受信可能で、受信した映像を表示部７３０２に表示することができる。また、制御部７３０５にはバッテリーを備える。また、制御部７３０５にコネクタを備え、映像信号や電力を直接供給する構成としてもよい。
また、操作ボタン７３０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え等を行うことができる。
図３１（Ｂ）に、表示部７３０２を引き出し部材７３０４により引き出した状態を示す。この状態で表示部７３０２に映像を表示することができる。また、筒状の筐体７３０１の表面に配置された操作ボタン７３０３によって、片手で容易に操作することができる。
なお、表示部７３０２を引き出した際に表示部７３０２が湾曲しないよう、表示部７３０２の端部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によって音声を出力する構成としてもよい。
表示部７３０２には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したがって、表示部７３０２を引き出した際に表示部７３０２が縦方向と横方向とに屈曲し、縦方向への曲げ軸と横方向への曲げ軸とが交わる領域において不良が発生してしまうというおそれがない。よって、表示装置７３００は軽量で、繰り返し屈曲可能で且つ信頼性の高い表示装置とすることができる。
図３２（Ａ）および図３２（Ｂ）は、二つ折り可能なタブレット型端末９６００を例示している。図３２（Ａ）は、タブレット型端末９６００を開いた状態であり、タブレット型端末９６００は、筐体９６３０、表示部９６３１、表示モード切り替えスイッチ９６２６、電源スイッチ９６２７、省電力モード切り替えスイッチ９６２５、留め具９６２９、操作スイッチ９６２８、を有する。
筐体９６３０は、筐体９６３０ａと筐体９６３０ｂを有し、筐体９６３０ａと筐体９６３０ｂは、ヒンジ部９６３９により結合されている。また、筐体９６３０は、ヒンジ部９６３９により二つ折り可能となっている。
また、表示部９６３１は、筐体９６３０ａ、筐体９６３０ｂ、およびヒンジ部９６３９上に形成されている。表示部９６３１に本明細書等に開示した表示装置を用いることにより、表示部９６３１の屈曲が繰り返し可能で、信頼性の高いタブレット型端末とすることが可能となる。
表示部９６３１は、一部をタッチパネルの領域９６３２とすることができ、表示された操作キー９６３８にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部９６３１は、例えば、半分の領域が表示のみの機能を有する構成とし、もう半分の領域をタッチパネルの機能を有する構成とすることができる。また、表示部９６３１全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部９６３１の全面にキーボードボタンを表示させて、データ入力端末とすることもできる。
また、表示モード切り替えスイッチ９６２６は、縦表示又は横表示などの表示の向きを切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えスイッチ９６２５は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光センサだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を内蔵させてもよい。
図３２（Ｂ）は、タブレット型端末９６００を閉じた状態であり、タブレット型端末９６００は、筐体９６３０、太陽電池９６３３、充放電制御回路９６３４を有する。なお、図３２（Ｂ）では充放電制御回路９６３４の一例としてバッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有する構成について示している。
表示部９６３１に本明細書等に開示した表示装置を用いることにより、表示部９６３１を折りたたむことができる。例えば、タブレット型端末９６００は二つ折り可能なため、未使用時に筐体９６３０を閉じた状態にすることができる。従って、可搬性に優れ、また、筐体９６３０を閉じることで表示部９６３１を保護できるため、耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末とすることができる。
また、この他にも図３２（Ａ）および図３２（Ｂ）に示したタブレット型端末は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有することができる。
タブレット型端末の表面に装着された太陽電池９６３３によって、電力をタッチパネル、表示部、又は映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池９６３３は、筐体９６３０の一面だけでなく二面に設けると、効率的にバッテリー９６３５の充電を行うことができるため好適である。なおバッテリー９６３５としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
また、図３２（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４の構成、および動作について図３２（Ｃ）にブロック図を示し説明する。図３２（Ｃ）には、太陽電池９６３３、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３、表示部９６３１について示しており、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３が、図３２（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４に対応する箇所となる。
まず外光により太陽電池９６３３により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための電圧となるようＤＣＤＣコンバータ９６３６で昇圧又は降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動作に太陽電池９６３３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバータ９６３７で表示部９６３１に必要な電圧に昇圧又は降圧をすることとなる。また、表示部９６３１での表示を行わない際には、ＳＷ１をオフにし、ＳＷ２をオンにしてバッテリー９６３５の充電を行う構成とすればよい。
なお太陽電池９６３３については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、圧電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電手段によるバッテリー９６３５の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線（非接触）で電力を送受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよい。
なお、本発明の一態様の表示装置を具備していれば、上記で示した電子機器や照明装置に特に限定されないことは言うまでもない。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
１００ 表示装置
１０１ 素子形成基板
１０２ 絶縁体
１０３ ガラス繊維
１０４ 繊維
１１１ 基板
１１２ 接着層
１１３ 剥離層
１１４ 隔壁
１１５ 電極
１１７ ＥＬ層
１１８ 電極
１２０ 接着層
１２１ 基板
１２２ 開口
１２３ 異方性導電接続層
１２４ 外部電極
１２５ 発光素子
１２８ 開口
１２９ 開口
１３１ 表示領域
１３２ 駆動回路
１３３ 駆動回路
１３４ 画素
１３５ 走査線
１３６ 信号線
１３７ 基板
１３８ 接着層
１４１ 素子形成基板
１４２ 接着層
１４３ 剥離層
１４５ 絶縁層
１４７ 基板
１４８ 接着層
１５０ 表示装置
１６０ 表示装置
１７０ 表示装置
２００ 表示装置
２０５ 絶縁層
２０６ ゲート電極
２０７ ゲート絶縁層
２０８ 半導体層
２１０ 絶縁層
２１１ 絶縁層
２１６ 端子電極
２１９ 配線
２３２ トランジスタ
２３３ 容量素子
２３５ 光
２５２ トランジスタ
２６３ 電極
２６４ 遮光層
２６６ 着色層
２６８ オーバーコート層
２７２ トランジスタ
３１８ 電極
３２０ ＥＬ層
３２２ 電極
３３０ 発光素子
３３１ 発光素子
４３１ トランジスタ
４３２ 液晶素子
４３５ ノード
４３６ ノード
４３７ ノード
９１０ 半導体チップ
９１１ 光学フィルム
９９１ 導電層
９９２ 絶縁層
９９３ 導電層
９９４ 基板
７１００ 携帯表示装置
７１０１ 筐体
７１０２ 表示部
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 送受信装置
７２００ 照明装置
７２０１ 台部
７２０２ 発光部
７２０３ 操作スイッチ
７２１０ 照明装置
７２１２ 発光部
７２２０ 照明装置
７２２２ 発光部
７３００ 表示装置
７３０１ 筐体
７３０２ 表示部
７３０３ 操作ボタン
７３０４ 引き出し部材
７３０５ 制御部
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
９６００ タブレット型端末
９６２５ 省電力モード切り替えスイッチ
９６２６ 表示モード切り替えスイッチ
９６２７ 電源スイッチ
９６２８ 操作スイッチ
９６２９ 留め具
９６３０ 筐体
９６３１ 表示部
９６３２ 領域
９６３３ 太陽電池
９６３４ 充放電制御回路
９６３５ バッテリー
９６３６ ＤＣＤＣコンバータ
９６３７ コンバータ
９６３８ 操作キー
９６３９ ヒンジ部
１１７Ａ ＥＬ層
１１７Ｂ ＥＬ層
１１７Ｃ ＥＬ層
１３１ａ 領域
１３２ａ 領域
１３３ａ 領域
１４８Ａ 接着層
２０９ａ ソース電極
２０９ｂ ドレイン電極
２３５Ａ 光
２３５Ｂ 光
２３５Ｃ 光
３２０ａ 電荷発生層
９６３０ａ 筐体
９６３０ｂ 筐体

Claims (9)

  1. 可撓性を有する第１の基板と、可撓性を有する第２の基板と、表示素子とを有し、
    前記可撓性を有する第１の基板と、前記可撓性を有する第２の基板とは、前記表示素子を介して重なり、
    前記可撓性を有する第１の基板は、複数のガラス繊維を含み、
    前記複数のガラス繊維のそれぞれは、一の方向に沿って延在し、
    前記一の方向への可撓性は、前記一の方向と交差する他の方向への可撓性よりも低いことを特徴とする表示装置。
  2. 可撓性を有する第１の基板と、可撓性を有する第２の基板と、第３の基板と、第４の基板と、表示素子とを有し、
    前記可撓性を有する第１の基板と、前記可撓性を有する第２の基板とは、前記第３の基板と前記第４の基板とを介して重なり、
    前記第３の基板と、前記第４の基板とは、前記表示素子を介して重なり、
    前記可撓性を有する第１の基板は、複数のガラス繊維を含み、
    前記複数のガラス繊維のそれぞれは、一の方向に沿って延在し、
    前記一の方向への可撓性は、前記一の方向と交差する他の方向への可撓性よりも低いことを特徴とする表示装置。
  3. 請求項１乃至請求項２のいずれか一において、
    前記一の方向とは、前記表示装置の短手方向であり、
    前記他の方向とは、前記表示装置の長手方向であることを特徴とする表示装置。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記可撓性を有する第１の基板は、非表示面側に設けられていることを特徴とする表示装置。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
    前記可撓性を有する第１の基板は、シリコーンゴムを含むことを特徴とする表示装置。
  6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
    前記表示素子は、発光素子であることを特徴とする表示装置。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
    前記表示素子は、トランジスタと電気的に接続していることを特徴とする表示装置。
  8. 請求項７において、
    前記トランジスタは、酸化物半導体を含み、前記酸化物半導体はチャネル形成領域を含むことを特徴とする表示装置。
  9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載の表示装置と、
    筐体、操作ボタン、またはスピーカを有することを特徴とする電子機器。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018036475A (ja) * 2016-08-31 2018-03-08 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フレキシブル表示装置
WO2018179266A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 Ｅｌデバイスの製造方法及びｅｌデバイスの製造装置
KR20190015574A (ko) * 2016-08-24 2019-02-13 쿤산 뉴 플랫 패널 디스플레이 테크놀로지 센터 씨오., 엘티디. 플렉서블 표시 기판 및 그 제조 방법
WO2019116682A1 (ja) * 2017-12-15 2019-06-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2019528480A (ja) * 2016-08-23 2019-10-10 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 一般化された層の機械的適合性を有する折り畳み式ディスプレイ構成
JP2020042981A (ja) * 2018-09-11 2020-03-19 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置
JP2020067572A (ja) * 2018-10-25 2020-04-30 三菱電機株式会社 湾曲型表示装置
JP2020529047A (ja) * 2017-08-21 2020-10-01 深▲せん▼市華星光電半導体顕示技術有限公司Ｓｈｅｎｚｈｅｎ Ｃｈｉｎａ Ｓｔａｒ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． フレキシブルディスプレイパネルの製造方法及びフレキシブルディスプレイパネル
WO2022172458A1 (ja) * 2021-02-15 2022-08-18 シャープ株式会社 支持システム、支持システムを備える可撓性表示装置

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150021000A (ko) 2013-08-19 2015-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9229481B2 (en) 2013-12-20 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20150075367A (ko) * 2013-12-25 2015-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
CN106030451B (zh) 2014-02-28 2021-03-12 株式会社半导体能源研究所 电子设备
JP6515537B2 (ja) * 2014-04-08 2019-05-22 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器
US9769929B1 (en) * 2014-09-30 2017-09-19 Apple Inc. Interconnect structures for electronic devices with component arrays
KR102417119B1 (ko) * 2015-02-11 2022-07-06 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
KR102273053B1 (ko) 2015-02-16 2021-07-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US10001876B2 (en) * 2015-04-01 2018-06-19 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Touch display panel, and driving method and driving circuit for the same
US10204535B2 (en) * 2015-04-06 2019-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
KR101821782B1 (ko) * 2016-03-11 2018-01-25 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 제조방법 및 디스플레이 장치
KR102610769B1 (ko) * 2016-06-09 2023-12-07 삼성디스플레이 주식회사 박막태양전지를 구비한 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
JP6762167B2 (ja) * 2016-08-29 2020-09-30 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6556812B2 (ja) * 2017-11-28 2019-08-07 Ｎｉｓｓｈａ株式会社 ハードコート付フィルムタイプタッチセンサとこれを用いたフレキシブルディバイス
KR102429769B1 (ko) 2017-12-11 2022-08-04 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 롤러블 디스플레이 시스템
KR102547854B1 (ko) 2018-05-04 2023-06-26 삼성디스플레이 주식회사 폴더블 표시 장치 및 폴더블 표시 장치의 제조 방법
CN109345959A (zh) * 2018-10-12 2019-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性衬底、柔性显示面板、柔性显示装置和制作方法
US11793016B2 (en) 2019-03-29 2023-10-17 Huawei Technologies Co., Ltd. Symmetrically foldable display stack for electronic device
CN110544431B (zh) * 2019-07-25 2021-02-12 华为技术有限公司 一种复合结构、柔性屏组件及折叠显示终端

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007103671A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Katsuya Hiroshige 引き揃え線を用いた導電配線基板
JP2011007986A (ja) * 2009-06-25 2011-01-13 Seiko Epson Corp 電気光学装置、および電子機器
JP2013021357A (ja) * 2012-09-26 2013-01-31 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4934306A (en) * 1987-10-15 1990-06-19 Wilson Greatbatch Ltd. Anode coating for lithium cell
JP4059731B2 (ja) 2002-08-19 2008-03-12 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板および表示装置
JP2009087928A (ja) * 2007-09-13 2009-04-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP5358324B2 (ja) * 2008-07-10 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 電子ペーパー
JP2011003522A (ja) * 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
KR101938125B1 (ko) * 2008-12-17 2019-01-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
TWI607670B (zh) * 2009-01-08 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及電子裝置
TW201110802A (en) 2009-06-24 2011-03-16 Seiko Epson Corp Electro-optical device, electronic device, and illumination apparatus
JP2012230491A (ja) * 2011-04-25 2012-11-22 Nitto Denko Corp タッチパネル用透明導電性フィルムおよび画像表示装置
TWI681696B (zh) * 2013-03-07 2020-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
TWI611582B (zh) 2013-04-10 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR20140123420A (ko) 2013-04-12 2014-10-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102281568B1 (ko) * 2013-04-15 2021-07-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
WO2014175296A1 (en) 2013-04-24 2014-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20240014622A (ko) 2013-04-24 2024-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN103531724B (zh) * 2013-09-29 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置、柔性基板及其制作方法
KR20150075367A (ko) * 2013-12-25 2015-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007103671A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Katsuya Hiroshige 引き揃え線を用いた導電配線基板
JP2011007986A (ja) * 2009-06-25 2011-01-13 Seiko Epson Corp 電気光学装置、および電子機器
JP2013021357A (ja) * 2012-09-26 2013-01-31 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7228508B2 (ja) 2016-08-23 2023-02-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 一般化された層の機械的適合性を有する折り畳み式ディスプレイ構成
JP2019528480A (ja) * 2016-08-23 2019-10-10 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 一般化された層の機械的適合性を有する折り畳み式ディスプレイ構成
KR20190015574A (ko) * 2016-08-24 2019-02-13 쿤산 뉴 플랫 패널 디스플레이 테크놀로지 센터 씨오., 엘티디. 플렉서블 표시 기판 및 그 제조 방법
JP2019528467A (ja) * 2016-08-24 2019-10-10 昆山工研院新型平板顕示技術中心有限公司Ｋｕｎｓｈａｎ Ｎｅｗ Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｅｒ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． フレキシブル表示基板及びその製造方法
US11152401B2 (en) 2016-08-24 2021-10-19 Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co., Ltd. Flexible display substrate and preparation method thereof
KR102258467B1 (ko) 2016-08-24 2021-05-31 쿤산 뉴 플랫 패널 디스플레이 테크놀로지 센터 씨오., 엘티디. 플렉서블 표시 기판 및 그 제조 방법
KR20180025155A (ko) * 2016-08-31 2018-03-08 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치
KR101993341B1 (ko) * 2016-08-31 2019-06-26 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치
JP2018036475A (ja) * 2016-08-31 2018-03-08 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フレキシブル表示装置
US10431754B2 (en) 2016-08-31 2019-10-01 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device
WO2018179266A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 Ｅｌデバイスの製造方法及びｅｌデバイスの製造装置
JP2020529047A (ja) * 2017-08-21 2020-10-01 深▲せん▼市華星光電半導体顕示技術有限公司Ｓｈｅｎｚｈｅｎ Ｃｈｉｎａ Ｓｔａｒ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． フレキシブルディスプレイパネルの製造方法及びフレキシブルディスプレイパネル
JP7077001B2 (ja) 2017-12-15 2022-05-30 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2019109291A (ja) * 2017-12-15 2019-07-04 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2019116682A1 (ja) * 2017-12-15 2019-06-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2020042981A (ja) * 2018-09-11 2020-03-19 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置
JP7271114B2 (ja) 2018-09-11 2023-05-11 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置
JP2020067572A (ja) * 2018-10-25 2020-04-30 三菱電機株式会社 湾曲型表示装置
JP7178867B2 (ja) 2018-10-25 2022-11-28 三菱電機株式会社 湾曲型表示装置
WO2022172458A1 (ja) * 2021-02-15 2022-08-18 シャープ株式会社 支持システム、支持システムを備える可撓性表示装置

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