JP2015141172A - テラヘルツ波ガイド装置、及びテラヘルツ波装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合の発生を防止する。
【解決手段】テラヘルツ波ガイド装置は、例えばテラヘルツ波発生器101から出射されたテラヘルツ波、或いはテラヘルツ波検出器201において検出すべきテラヘルツ波を案内する案内部(411,412,412,414)と、案内部のテラヘルツ波が照射される面に設けられており、テラヘルツ波の少なくとも一部を吸収する吸収部(311,312)とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】テラヘルツ波ガイド装置は、例えばテラヘルツ波発生器101から出射されたテラヘルツ波、或いはテラヘルツ波検出器201において検出すべきテラヘルツ波を案内する案内部(411,412,412,414)と、案内部のテラヘルツ波が照射される面に設けられており、テラヘルツ波の少なくとも一部を吸収する吸収部(311,312)とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、例えば出射されたテラヘルツ波を案内するテラヘルツ波ガイド装置、及び該テラヘルツ波ガイド装置を備えるテラヘルツ波装置の技術分野に関する。
光学装置においては、光の意図せぬ反射に起因して不具合が生ずる場合があるため、反射防止用の部材が設けられることがある。例えば特許文献1では、黒色塗料を基材表面に塗布して形成される光吸収膜が提案されている。また特許文献2では、アルマイト処理により形成した反射防止用の被膜について記載されている。特許文献3では、A2000系アルミニウム合金のつや消し処理方法に関する技術が提案されている。
上述した特許文献1から3に記載されている技術は、一般的な光源(例えば、可視光線や紫外線、赤外線等)に対しては有効であると考えられる。しかしながら、比較的長い波長を有するテラヘルツ波に対しては、十分な吸収効果が得られないおそれがある。このため、テラヘルツ波を利用する装置においては、上述した各特許文献に記載された技術を利用しても、光が反射することに起因する不具合を防止できないという技術的問題点が生ずる。
本発明が解決しようとする課題には上記のようなものが一例として挙げられる。本発明は、反射を低減させた状態でテラヘルツ波の案内が可能なテラヘルツ波ガイド装置、及びテラヘルツ波装置を提供することを課題とする。
上記課題を解決するテラヘルツ波ガイド装置は、出射されたテラヘルツ波を案内する案内部と、前記案内部の前記テラヘルツ波が照射される面に設けられており、前記テラヘルツ波の少なくとも一部を吸収する吸収部とを備える。
上記課題を解決するテラヘルツ波装置は、上述したテラヘルツ波ガイド装置と、前記テラヘルツ波ガイド装置に前記テラヘルツ波を出射する出射手段、又は前記テラヘルツ波ガイド装置に案内されたテラヘルツ波を検出する検出手段とを備える。
<1>
本実施形態に係るテラヘルツ波ガイド装置は、出射されたテラヘルツ波を案内する案内部と、前記案内部の前記テラヘルツ波が照射される面に設けられており、前記テラヘルツ波の少なくとも一部を吸収する吸収部とを備える。
本実施形態に係るテラヘルツ波ガイド装置は、出射されたテラヘルツ波を案内する案内部と、前記案内部の前記テラヘルツ波が照射される面に設けられており、前記テラヘルツ波の少なくとも一部を吸収する吸収部とを備える。
本実施形態のテラヘルツ波ガイド装置によれば、例えばリレーレンズ等を含んで構成される案内部によってテラヘルツ波が案内される。ここで、テラヘルツ波とは、1テラヘルツ(1THz=1012Hz)前後の周波数領域(つまり、テラヘルツ領域)に属する電磁波である。テラヘルツ波は、例えば、光伝導アンテナ(PCA:Photo Conductive Antenna)や共鳴トンネルダイオード(RTD:Resonant Tunneling Diode)等として構成される発生素子を利用して発生させることができる。
本実施形態に係る案内部は、例えば筒状の構造を有しており、その内部にテラヘルツ波を通すことで所定の位置まで案内する。この際、案内部においてテラヘルツ波が意図せず反射されると、反射光による干渉等が発生し、案内すべきテラヘルツ波に悪影響を与えてしまうおそれがある。具体的には、テラヘルツ波の波面が乱れることにより集光ビームのパターンが歪んだり、集光ビームの周りに不要なパターンが生ずることがある。このようなパターン歪みや不要なパターンの発生は、例えばテラヘルツ波を利用してイメージング処理を行う装置において、イメージ画像の解像度悪化や像が2重になるゴーストの発生を招き、結果として画像品質を悪化させてしまう原因となる。
このため本実施形態に係るテラヘルツ波ガイド装置では、案内部におけるテラヘルツ波が照射される面に、テラヘルツ波の少なくとも一部を吸収する吸収部が設けられている。なお、ここでの「テラヘルツ波が照射される面」とは、案内すべきテラヘルツ波以外のテラヘルツ波が照射される面を意味しており、具体的には、仮にテラヘルツ波がその面で反射されると、上述した不具合が生じてしまうおそれのある面である。言い換えれば、案内部における案内すべきテラヘルツ波が照射される面には吸収部は設けられない。
本実施形態に係る吸収部は、例えば樹脂材料等のテラヘルツ波に対する吸収性能の高い材料を含んで構成されている。テラヘルツ波に対する高い材料の例としては、水分を含んだ材料や数mm程度の厚みを持った樹脂材料等が挙げられる。吸収部がテラヘルツ波の一部を吸収することで、案内部におけるテラヘルツ波の反射が低減される。従って、テラヘルツ波の反射に起因する不具合の発生を防止できる。言い換えれば、本実施形態に係る吸収部は、テラヘルツ波の反射に起因する不具合の発生を多少なりとも低減できる程度の吸収性能を有することが望まれる。
なお、吸収部は、テラヘルツ波の反射を防止すべき全ての面に設けられずともよく、部分的に設けられることでも相応の効果を発揮し得る。また、特に反射を防止すべき面(即ち、不具合の原因となり易い箇所)においては、例えば部材の厚みを厚くする等して、吸収部の吸収性能を高めるとよい。
以上説明したように、本実施形態に係るテラヘルツ波ガイド装置によれば、反射を低減させた状態でテラヘルツ波を案内できる。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することが可能である。
<2>
本実施形態に係るテラヘルツ波ガイド装置の一態様では、前記吸収部は、樹脂材料を含んでいる。
本実施形態に係るテラヘルツ波ガイド装置の一態様では、前記吸収部は、樹脂材料を含んでいる。
この態様によれば、案内部に設けられた吸収部がテラヘルツ波に対する吸収性能の高い樹脂材料を含んでいるため、反射すべきでないテラヘルツ波が効率的に吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。
<3>
上述の如く吸収部が樹脂材料を含む態様では、前記吸収部は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の少なくとも一つを含んでいてもよい。
上述の如く吸収部が樹脂材料を含む態様では、前記吸収部は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の少なくとも一つを含んでいてもよい。
この場合、案内部に設けられた吸収部がテラヘルツ波に対する吸収性能の高いエポキシ樹脂又はフェノール樹脂を含んでいるため、反射すべきでないテラヘルツ波が効率的に吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。
<4>
本実施形態に係るテラヘルツ波ガイド装置の他の態様では、前記吸収部は、カーボンを含んだ導電性ゴム、スポンジ及び樹脂の少なくとも1つを含んでいる。
<4>
本実施形態に係るテラヘルツ波ガイド装置の他の態様では、前記吸収部は、カーボンを含んだ導電性ゴム、スポンジ及び樹脂の少なくとも1つを含んでいる。
この態様によれば、案内部に設けられた吸収部が、テラヘルツ波に対する吸収性能の高いカーボンを含んだ導電性ゴム(例えば、クロロプレンゴムやニトリルゴム等)、カーボンを含んだスポンジ、或いはカーボンを含んだ樹脂を含んでいるため、反射すべきでないテラヘルツ波が効率的に吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。
<5>
本実施形態に係るテラヘルツ波ガイド装置の他の態様では、前記案内部は、前記テラヘルツ波を導光するレンズを含んでいる。
本実施形態に係るテラヘルツ波ガイド装置の他の態様では、前記案内部は、前記テラヘルツ波を導光するレンズを含んでいる。
この態様によれば、出射されたテラヘルツ波は、案内部に含まれるレンズにより導光される。即ち、テラヘルツ波は、レンズに入射されることで案内される。なお、案内部はレンズを複数含んでいてもよい。
レンズに入射されたテラヘルツ波は集光又は拡散されることになるが、特にテラヘルツ波が拡散される場合には、その照射面が大きくなるため反射による不具合が発生し易い状況となる。しかるに本実施形態に係る案内部は、吸収部により反射すべきでないテラヘルツ波が吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。
<6>
上述の如く案内部がレンズを含む態様では、前記吸収部は、前記レンズを保持するレンズホルダを構成してもよい。
上述の如く案内部がレンズを含む態様では、前記吸収部は、前記レンズを保持するレンズホルダを構成してもよい。
この場合、レンズを保持するレンズホルダが吸収部により構成されている(言い換えれば、吸収性能の高い材料でレンズホルダが構成されている)ため、レンズに入射されずにレンズホルダに照射されるテラヘルツ波を効果的に吸収できる。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。
<7>
或いは案内部がレンズを含む態様では、前記レンズを保持する透過性のレンズホルダを更に備え、前記吸収部は、前記レンズホルダの外側の面を少なくとも部分的に覆うように設けられていてもよい。
或いは案内部がレンズを含む態様では、前記レンズを保持する透過性のレンズホルダを更に備え、前記吸収部は、前記レンズホルダの外側の面を少なくとも部分的に覆うように設けられていてもよい。
この場合、レンズに入射されずにレンズホルダに照射されるテラヘルツ波は、透過性のレンズホルダを透過して外側に向かい、レンズホルダの外側の面に設けられた吸収部によって吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。
<8>
上述の如くレンズを保持する透過性のレンズホルダを備える態様では、前記レンズホルダは、フッ素系樹脂、ポリアセタール樹脂、超高分子量ポリエチレン、PBT(ポリブチレンテレフタレート)樹脂、ABS(Acrylonitrile butadiene styrene)樹脂、PEEK(ポリエーテル・エーテル・ケトン)、MC(Mono Cast)ナイロン、PPS(ポリフェニレンサルファイド)樹脂及びユニレート(PET樹脂が主原料)の少なくとも一つを含んでいてもよい。
上述の如くレンズを保持する透過性のレンズホルダを備える態様では、前記レンズホルダは、フッ素系樹脂、ポリアセタール樹脂、超高分子量ポリエチレン、PBT(ポリブチレンテレフタレート)樹脂、ABS(Acrylonitrile butadiene styrene)樹脂、PEEK(ポリエーテル・エーテル・ケトン)、MC(Mono Cast)ナイロン、PPS(ポリフェニレンサルファイド)樹脂及びユニレート(PET樹脂が主原料)の少なくとも一つを含んでいてもよい。
この場合、レンズホルダが、テラヘルツ波に対する透過性の比較的高いフッ素系樹脂、超高分子量ポリエチレン、PBT樹脂、ABS樹脂、PEEK、MCナイロン、PPS樹脂、ユニレート及びポリアセタール樹脂のいずれか、或いはその組み合わせで構成される。このため、テラヘルツ波は、レンズホルダ自体で反射されることなく多くが外側に向かい、レンズホルダの外側の面に設けられた吸収部によって吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。
<9>
更に案内部がレンズを含む態様では、前記レンズを保持するレンズホルダを更に備え、前記吸収部は、前記レンズホルダの内側の面を少なくとも部分的に覆うように設けられていてもよい。
更に案内部がレンズを含む態様では、前記レンズを保持するレンズホルダを更に備え、前記吸収部は、前記レンズホルダの内側の面を少なくとも部分的に覆うように設けられていてもよい。
この場合、レンズに入射されずにレンズホルダに照射されるテラヘルツ波は、レンズホルダの内側の面に設けられた収部によって吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。
<10>
本実施形態に係るテラヘルツ波ガイド装置の他の態様では、前記案内部は、照射された前記テラヘルツ波を少なくとも部分的に通過させる通過部材を更に備え、前記吸収部は、前記通過部材における前記テラヘルツ波を通過させる部分以外の部分に設けられている。
本実施形態に係るテラヘルツ波ガイド装置の他の態様では、前記案内部は、照射された前記テラヘルツ波を少なくとも部分的に通過させる通過部材を更に備え、前記吸収部は、前記通過部材における前記テラヘルツ波を通過させる部分以外の部分に設けられている。
この態様によれば、出射されたテラヘルツ波は、その光路上に配置された通過部材に照射される。通過部材は、テラヘルツ波を少なくとも部分的に通過させる部材であり、例えばアパチャー、シャッター、波長板、偏光子等の光学部品や機構部品として構成される。
そして特に本態様では、吸収部が通過部材におけるテラヘルツ波を通過させる部分以外の部分に設けられている。このため、通過部材に照射されたテラヘルツ波のうち、通過させるべきでない(言い換えれば、案内すべきでない)テラヘルツ波を効果的に吸収できる。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。
<11>
本実施形態に係るテラヘルツ波装置は、上述したテラヘルツ波ガイド装置(但し、その各種態様を含む)と、前記テラヘルツ波ガイド装置に前記テラヘルツ波を出射する出射手段、又は前記テラヘルツ波ガイド装置に案内されたテラヘルツ波を検出する検出手段とを備える。
本実施形態に係るテラヘルツ波装置は、上述したテラヘルツ波ガイド装置(但し、その各種態様を含む)と、前記テラヘルツ波ガイド装置に前記テラヘルツ波を出射する出射手段、又は前記テラヘルツ波ガイド装置に案内されたテラヘルツ波を検出する検出手段とを備える。
本実施形態に係るテラヘルツ波装置によれば、上述したテラヘルツ波ガイド装置を備えるため、出射手段から出射されたテラヘルツ波は、反射を低減した状態で案内される。或いは、ガイド装置に入射されたテラヘルツ波は反射を低減した状態で検出手段まで案内される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。
以下では、図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明する。なお、以下では、本発明のテラヘルツ波ガイド装置が、テラヘルツ波を利用して測定対象物の画像を取得するテラヘルツ波計測装置に適用された場合について説明する。
<第1実施例>
初めに、図1を参照しながら、第1実施例に係るテラヘルツ波計測装置1の構成について説明する。ここに図1は、第1実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略図である。
初めに、図1を参照しながら、第1実施例に係るテラヘルツ波計測装置1の構成について説明する。ここに図1は、第1実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略図である。
図1において、第1実施例のテラヘルツ波計測装置1は、テラヘルツ波を測定対象物であるサンプル500に照射すると共に、サンプル500を透過したテラヘルツ波を検出する。
テラヘルツ波は、1テラヘルツ前後の周波数領域(つまり、テラヘルツ領域)に属する電磁波である。テラヘルツ領域は、光の直進性と電磁波の透過性を兼ね備えた周波数領域である。テラヘルツ領域は、様々な物質が固有の吸収スペクトルを有する周波数領域である。従って、テラヘルツ波計測装置1は、サンプル500を透過した照射されたテラヘルツ波を利用して、サンプル500のイメージング処理等を実行できる。
本実施例のテラヘルツ波計測装置1は、テラヘルツ波発生器101と、テラヘルツ波検出素子201と、レンズホルダ311及び312と、レンズ411、412、413及び414と、信号処理回路600とを備えて構成されている。
テラヘルツ波発生器101は、本発明の「出射手段」の一例であり、例えば光伝導アンテナ(PCA)や共鳴トンネルダイオード(RTD)等のテラヘルツ波発生素子と、該テラヘルツ波発生素子からのテラヘルツ波の取り出し効率を向上させる半球レンズ等を含んで構成されている。
テラヘルツ波検出器201は、本発明の「検出手段」の一例であり、テラヘルツ波発生器101と同様に、例えば光伝導アンテナや共鳴トンネルダイオードとして構成されるテラヘルツ波検出素子もしくはショットキーバリアダイオード等と、検出面でのスポットを縮小させて検出されるテラヘルツ波の強度を高める半球レンズ等を含んで構成される。テラヘルツ波検出器201は、検出したテラヘルツ波の強度に応じた検出信号を信号処理回路600に出力可能とされている。
レンズホルダ311は、レンズ411及び412を保持する部材として構成されている。レンズ411は、テラヘルツ波発生器101から入射されたテラヘルツ波をコリメートする機能を有している。レンズ412は、レンズ411でコリメートされたテラヘルツ波を集光して、サンプル500に照射する機能を有している。
レンズホルダ312は、レンズ413及び414を保持する部材として構成されている。レンズ413は、サンプル500において透過されたテラヘルツ波をコリメートする機能を有している。レンズ414は、レンズ413でコリメートされたテラヘルツ波を集光して、テラヘルツ波検出器210に照射する機能を有している。
信号処理回路600は、テラヘルツ波検出器201において生成される検出信号を入力とし、入力された検出信号に対して各種処理を実行することで、テラヘルツ波が照射されたサンプル500のイメージング処理を実行する。なお、イメージング処理については、既知の方法を適宜利用することができるため、ここでの詳細な説明は省略する。
以上説明したように、本実施例に係るテラヘルツ波計測装置1は、サンプル500において透過されるテラヘルツ波を検出する、所謂透過型の計測装置である。ただし、テラヘルツ波計測装置1は、サンプル500において反射されたテラヘルツ波を検出する、所謂反射型の計測装置として構成されてもよい。また、テラヘルツ波発生器101からサンプル500の間に配置される光学部材と、サンプル500からテラヘルツ波検出器201の間に配置される光学部材が部分的に共有される構成であってもよい。
本実施形態に係るテラヘルツ波計測装置1では特に、上述したレンズホルダ311及び312が、テラヘルツ波の吸収性能が高い材料で構成されている。即ち、第1実施形態に係るレンズホルダ311及び312自体が、本発明の「吸収部」の一例として構成されている。
以下では、図2を参照しながら、材料毎のテラヘルツ波の吸収性能について具体的に説明する。ここに図2は、吸収部を構成する材料別にテラヘルツ波の減衰率を示す表である。なお、表中の減衰率は、厚さ10mmの材料に周波数270GHzのテラヘルツ波を照射した場合の実験値である。
図2において、本願発明者の研究するところによれば、テラヘルツ波の吸収性能は、その材料によって大きく異なることが判明している。具体的には、フッ素系樹脂による減衰率は、−0.6dBである。超高分子量ポリエチレンによる減衰率は、−5.7dBである。PBT(ポリブチレンテレフタレート)樹脂による減衰率は、−11.9dBである。ABS(Acrylonitrile butadiene styrene)樹脂による減衰率は、−15.3dBである。PEEK(ポリエーテル・エーテル・ケトン)による減衰率は、−15.6dBである。ポリアセタールによる減衰率は、−17.7dBである。MC(Mono Cast)ナイロンによる減衰率は、−17.9dBである。PPS(ポリフェニレンサルファイド)樹脂による減衰率は、−19.4dBである。ユニレート(PET樹脂が主原料)による減衰率は、−22.4dBである。布ベークによる減衰率は、−41.7dBである。紙ベークによる減衰率は、−41.7dBである。エポキシガラスによる減衰率は、−43.2dBである。導電性ゴム(クロロプレン)による減衰率は、<−50.0dBである。導電性ゴム(ニトリル)による減衰率は、<−50.0dBである。
以上のように、フッ素系樹脂がテラヘルツ波をほぼ透過させる性質を有しているのに対し、布ベーク、紙ベーク、エポキシガラス、及びカーボンを含む導電性ゴムは、テラヘルツ波をほぼ透過させない性質を有している。特に、エポキシガラスは減衰率が−43.2dB、カーボンを含む導電性ゴムは減衰率が<−50.0dBと、極めてテラヘルツ波に対する吸収性能が高い。よって、第1実施形態に係るレンズホルダ311及び312(即ち、吸収部)は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂(ベーク)或いはカーボンを含む導電性ゴムを含んで構成されることが好ましい。
図1に戻り、レンズホルダ311及び312が、テラヘルツ波に対する吸収性能の高い材料によって構成されると、テラヘルツ波発生器101から出射されたテラヘルツ波のうち、レンズホルダ311及び312の内壁面に照射されるテラヘルツ波が吸収される。即ち、レンズ411、412、413及び414に対して入射されないテラヘルツ波は、レンズホルダ311及び312で吸収される。
ここで仮に、レンズホルダ311及び312でテラヘルツ波が意図せず反射されると、反射光による干渉等が発生し、サンプル500に照射される、或いはサンプル500を透過したテラヘルツ波(即ち、検出すべきテラヘルツ波)に悪影響を与えてしまうおそれがある。具体的には、テラヘルツ波の波面が乱れることにより集光ビームのパターンが歪んだり、集光ビームの周りに不要なパターンが生ずることがある。このようなパターン歪みや不要なパターンの発生は、テラヘルツ波計測装置1において、イメージング画像の解像度悪化や像が2重になるゴーストの発生を招き、結果として画像品質を悪化させてしまう原因となる。
これに対し、本実施形態に係るテラヘルツ波計測装置1では、上述したようにレンズホルダ311及び312がテラヘルツ波に対する吸収性能の高い材料により構成されている。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することが可能である。
<第2実施例>
次に、図3を参照しながら、第2実施例に係るテラヘルツ波計測装置2の構成について説明する。ここに図3は、第2実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略図である。なお、第2実施例は、上述した第1実施例と比べて一部の構成が異なるのみであり、その他の点については概ね同様である。このため、以下では既に説明した第1実施例と異なる部分について詳細に説明し、他の重複する部分については適宜説明を省略するものとする。
次に、図3を参照しながら、第2実施例に係るテラヘルツ波計測装置2の構成について説明する。ここに図3は、第2実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略図である。なお、第2実施例は、上述した第1実施例と比べて一部の構成が異なるのみであり、その他の点については概ね同様である。このため、以下では既に説明した第1実施例と異なる部分について詳細に説明し、他の重複する部分については適宜説明を省略するものとする。
図3において、第2実施例に係るテラヘルツ波計測装置2では、レンズ411及び412が、フッ素系樹脂で構成されたレンズホルダ451に保持されている。また、レンズ413及び414も同様に、フッ素系樹脂で構成されたレンズホルダ452に保持されている。ここで、フッ素系樹脂は、図2を見ても分かるように、テラヘルツ波に対する吸収性能が低い(言い換えれば、テラヘルツ波の透過性が高い)材料である。よって、上述した第1実施例に係るレンズホルダ311及び312(図1参照)が、テラヘルツ波に対する吸収性能が高いものとして構成されていたのとは逆に、第2実施例に係るレンズホルダ451及び452は、テラヘルツ波の透過性が高いものとして構成されている。なお、レンズホルダ451及び452の材料としてのフッ素系樹脂はあくまで一例であり、テラヘルツ波の透過性が低過ぎない材料(言い換えれば、テラヘルツの減衰率が一定の基準よりも低い材料)であればよい。具体的には、フッ素系樹脂に代えてポリアセタール樹脂を用いてもよい。
また、第2実施例に係るテラヘルツ波計測装置2では特に、レンズホルダ451の外壁に吸収部材321が設けられている。同様に、レンズホルダ452の外壁に吸収部材322が設けられている。吸収部材321及び322は、本発明の「吸収部」の一例であり、テラヘルツ波の吸収性能が高い材料(例えば、エポキシ樹脂等)によって構成されている。
上述した構成によれば、レンズホルダ451及び452の内部に入射したテラヘルツ波のうち、レンズ411、412、413及び414に入射されずにレンズホルダ451及び452の内壁に照射されるテラヘルツ波は、透過性のレンズホルダ451及び452を透過して外側に向かう。そして、レンズホルダ451及び452を透過したテラヘルツ波は、レンズホルダ451及び452の外壁に設けられた吸収部材321及び322によって吸収される。
以上のように、第2実施例に係るテラヘルツ波計測装置2においても、第1実施例に係るテラヘルツ波計測装置1と同様に、検出すべきテラヘルツ波に悪影響を与えるおそれのあるテラヘルツ波が吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。
<第3実施例>
次に、図4を参照しながら、第3実施例に係るテラヘルツ波計測装置3の構成について説明する。ここに図4は、第3実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略図である。なお、第3実施例は、上述した第1及び第2実施例と比べて一部の構成が異なるのみであり、その他の点については概ね同様である。このため、以下では既に説明した第1及び第2実施例と異なる部分について詳細に説明し、他の重複する部分については適宜説明を省略するものとする。
次に、図4を参照しながら、第3実施例に係るテラヘルツ波計測装置3の構成について説明する。ここに図4は、第3実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略図である。なお、第3実施例は、上述した第1及び第2実施例と比べて一部の構成が異なるのみであり、その他の点については概ね同様である。このため、以下では既に説明した第1及び第2実施例と異なる部分について詳細に説明し、他の重複する部分については適宜説明を省略するものとする。
図4において、第3実施例に係るテラヘルツ波計測装置3では、レンズ411及び412が、金属で構成されたレンズホルダ451bに保持されている。また、レンズ413及び414も同様に、金属で構成された構成されたレンズホルダ452bに保持されている。即ち、第3実施例に係るレンズホルダ451b及び452bは、第2実施例に係るレンズホルダ451及び452(図3参照)のように、テラヘルツ波に対する透過性の高い材料で構成されてはいない。ただし、レンズホルダ451b及び452bを構成する材料は、特に限定されるものではない。
そして、第3実施例に係るテラヘルツ波計測装置2では特に、レンズホルダ451bの内壁に吸収部材331が設けられている。同様に、レンズホルダ452bの内壁に吸収部材332が設けられている。即ち、第3実施例に係る吸収部材331及び332は、第2実施例に係る吸収部材321及び322(図3参照)のように、レンズホルダ451及び452の外側に設けられるのではなく、レンズホルダ451b及び452bの内側に設けられている。
上述した構成によれば、レンズホルダ451b及び452bの内部に入射したテラヘルツ波のうち、レンズ411、412、413及び414に入射されずにレンズホルダ451b及び452bの内壁に照射されるテラヘルツ波は、レンズホルダ451b及び452bの外壁に設けられた吸収部材331及び332によって吸収される。
以上のように、第3実施例に係るテラヘルツ波計測装置3においても、第2実施例に係るテラヘルツ波計測装置2と同様に、検出すべきテラヘルツ波に悪影響を与えるおそれのあるテラヘルツ波が、吸収部材によって吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。
<第4実施例>
次に、図5を参照しながら、第4実施例に係るテラヘルツ波計測装置4の構成について説明する。ここに図5は、第4実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略図である。なお、第4実施例は、上述した第1から第3実施例と比べて一部の構成が異なるのみであり、その他の点については概ね同様である。このため、以下では既に説明した第1から第3実施例と異なる部分について詳細に説明し、他の重複する部分については適宜説明を省略するものとする。
次に、図5を参照しながら、第4実施例に係るテラヘルツ波計測装置4の構成について説明する。ここに図5は、第4実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略図である。なお、第4実施例は、上述した第1から第3実施例と比べて一部の構成が異なるのみであり、その他の点については概ね同様である。このため、以下では既に説明した第1から第3実施例と異なる部分について詳細に説明し、他の重複する部分については適宜説明を省略するものとする。
図5において、第4実施例に係るテラヘルツ波計測装置4では、レンズ412から出射されたテラヘルツ波の照射領域に、開口部を有するアパチャー700が配置されている。アパチャー700は、本発明の「通過部材」の一例であり開口部に照射されたテラヘルツ波を照射面とは反対側に出射する。
アパチャー700から出射されたテラヘルツ波の照射領域には、レンズ415及び416が配置されている。レンズ415及び416は、金属製のレンズホルダ453bに保持されている。なお、レンズホルダ453bの内部にも、他のレンズホルダ451b及び452bと同様に、テラヘルツ波の吸収性能が高い吸収部材333が設けられている。レンズ415に入射したテラヘルツ波は、コリメートされレンズ416に向けて出射される。レンズ416に入射したテラヘルツ波は、集光されてサンプル500に向けて出射される。
第4実施例に係るテラヘルツ波計測装置4では特に、上述したアパチャー400のテラヘルツ波が照射される面に、吸収部材350が設けられている。このような構成によれば、アパチャー700に照射されるテラヘルツ波のうち、開口部を通過しないテラヘルツ波(言い換えれば、サンプル500には照射されないテラヘルツ波)が、吸収部材350によって吸収される。
以上のように、第4実施例に係るテラヘルツ波計測装置3においては、レンズホルダ451b、452b、453bの内壁に設けられた吸収部材331、332及び333に加えて、アパチャー700に設けられた吸収部材350によっても、検出すべきテラヘルツ波に悪影響を与えるおそれのあるテラヘルツ波が吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。
なお、上述した実施例では、「通過部材」の例としてアパチャー400を挙げたが、アパチャー400に代えて或いは加えて、シャッター、波長板及び偏光子等の光学部品や機構部品が配置されてもよい。この場合においても、各部材におけるテラヘルツ波を通過させない部分に吸収部材350を設けることで、案内すべきでないテラヘルツ波を好適に吸収できる。
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うテラヘルツ波ガイド装置、及びテラヘルツ波装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
1,2,3,4 テラヘルツ波計測装置
101 テラヘルツ波発生器
201 テラヘルツ波検出器
311,312,451,452,453 レンズホルダ
321,322,331,332,333,350 吸収部材
411,412,413,414,415,416 レンズ
500 サンプル
600 信号処理回路
700 アパチャー
101 テラヘルツ波発生器
201 テラヘルツ波検出器
311,312,451,452,453 レンズホルダ
321,322,331,332,333,350 吸収部材
411,412,413,414,415,416 レンズ
500 サンプル
600 信号処理回路
700 アパチャー
Claims (11)
- 出射されたテラヘルツ波を案内する案内部と、
前記案内部の前記テラヘルツ波が照射される面に設けられており、前記テラヘルツ波の少なくとも一部を吸収する吸収部と
を備えることを特徴とするテラヘルツ波ガイド装置。 - 前記吸収部は、樹脂材料を含んでいることを特徴とする請求項1に記載のテラヘルツ波ガイド装置。
- 前記吸収部は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の少なくとも1つを含んでいることを特徴とする請求項2に記載のテラヘルツ波ガイド装置。
- 前記吸収部は、カーボンを含んだ導電性ゴム、スポンジ及び樹脂の少なくとも一つを含んでいることを特徴とする請求項1に記載のテラヘルツ波ガイド装置。
- 前記案内部は、前記テラヘルツ波を導光するレンズを含んでいることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のテラヘルツ波ガイド装置。
- 前記吸収部は、前記レンズを保持するレンズホルダを構成していることを特徴とする請求項5に記載のテラヘルツ波ガイド装置。
- 前記レンズを保持する透過性のレンズホルダを更に備え、
前記吸収部は、前記レンズホルダの外側の面を少なくとも部分的に覆うように設けられている
ことを特徴とする請求項5に記載のテラヘルツ波ガイド装置。 - 前記レンズホルダは、フッ素系樹脂、ポリアセタール樹脂、超高分子量ポリエチレン、PBT(ポリブチレンテレフタレート)樹脂、ABS(Acrylonitrile butadiene styrene)樹脂、PEEK(ポリエーテル・エーテル・ケトン)、MC(Mono Cast)ナイロン、PPS(ポリフェニレンサルファイド)樹脂及びユニレート(PET樹脂が主原料)の少なくとも一つを含んでいることを特徴とする請求項7に記載のテラヘルツ波ガイド装置。
- 前記レンズを保持するレンズホルダを更に備え、
前記吸収部は、前記レンズホルダの内側の面を少なくとも部分的に覆うように設けられている
ことを特徴とする請求項5に記載のテラヘルツ波ガイド装置。 - 前記案内部は、照射された前記テラヘルツ波を少なくとも部分的に通過させる通過部材を更に備え、
前記吸収部は、前記通過部材における前記テラヘルツ波を通過させる部分以外の部分に設けられている
ことを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載のテラヘルツ波ガイド装置。 - 請求項1から10のいずれか一項に記載のテラヘルツ波ガイド装置と、
前記テラヘルツ波ガイド装置に前記テラヘルツ波を出射する出射手段、又は前記テラヘルツ波ガイド装置に案内されたテラヘルツ波を検出する検出手段と
を備えることを特徴とするテラヘルツ波装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018084355A1 (ko) * | 2016-11-01 | 2018-05-11 | 한국식품연구원 | 고분해능 테라헤르츠파 집광모듈, 산란광 검출모듈 및 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치 |
CN109891217A (zh) * | 2016-11-01 | 2019-06-14 | 韩国食品研究院 | 高分辨率太赫兹波聚光模块、散射光检测模块和采用太赫兹贝塞尔光束的高分辨率检查装置 |
CN110418566A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-11-05 | 上海亨临光电科技有限公司 | 一种用于毫米波或太赫兹成像***背景抑制的屏风/档板 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH035120U (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-18 | ||
JP2006133617A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射防止構造体を有する部材およびその製造方法 |
US20070217021A1 (en) * | 2004-04-02 | 2007-09-20 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Ghost image elimination in an image sensor employing a variable focus lens |
JP2010038809A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Murata Mfg Co Ltd | テラヘルツ分光装置 |
US20130076912A1 (en) * | 2010-06-04 | 2013-03-28 | National Institute Of Information And Communications Technology | Reflective imaging device and image acquisition method |
JP2013148844A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Asahi Glass Co Ltd | 光吸収体及びこれを用いた撮像装置 |
JP2013182264A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 透過型スクリーンの製造方法 |
WO2015001753A1 (ja) * | 2013-07-01 | 2015-01-08 | 日本電気株式会社 | コヒーレントテラヘルツ光用光学装置 |
-
2014
- 2014-01-30 JP JP2014015922A patent/JP2015141172A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH035120U (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-18 | ||
US20070217021A1 (en) * | 2004-04-02 | 2007-09-20 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Ghost image elimination in an image sensor employing a variable focus lens |
JP2007531051A (ja) * | 2004-04-02 | 2007-11-01 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 可変焦点レンズを用いた像センサでのゴースト像除去 |
JP2006133617A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射防止構造体を有する部材およびその製造方法 |
JP2010038809A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Murata Mfg Co Ltd | テラヘルツ分光装置 |
US20130076912A1 (en) * | 2010-06-04 | 2013-03-28 | National Institute Of Information And Communications Technology | Reflective imaging device and image acquisition method |
JP2013148844A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Asahi Glass Co Ltd | 光吸収体及びこれを用いた撮像装置 |
JP2013182264A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 透過型スクリーンの製造方法 |
WO2015001753A1 (ja) * | 2013-07-01 | 2015-01-08 | 日本電気株式会社 | コヒーレントテラヘルツ光用光学装置 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020177030A (ja) * | 2016-11-01 | 2020-10-29 | コリア フード リサーチ インスティチュート | 散乱光検出モジュール、及びテラヘルツ波ベッセルビームを用いた高分解能検査装置 |
US10955293B2 (en) | 2016-11-01 | 2021-03-23 | Korea Food Research Institute | High-resolution terahertz wave concentration module, scattered light detection module, and high-resolution inspection apparatus using terahertz bessel beam |
CN109891217B (zh) * | 2016-11-01 | 2023-02-28 | 韩国食品研究院 | 高分辨率太赫兹波聚光模块、散射光检测模块和采用太赫兹贝塞尔光束的高分辨率检查装置 |
JP2019536061A (ja) * | 2016-11-01 | 2019-12-12 | コリア フード リサーチ インスティチュート | 高分解能テラヘルツ波集光モジュール、散乱光検出モジュール、及びテラヘルツ波ベッセルビームを用いた高分解能検査装置 |
US10648864B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-12 | Korea Food Research Institute | High-resolution terahertz wave concentration module, scattered light detection module, and high-resolution inspection apparatus using terahertz bessel beam |
US10768049B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-09-08 | Korea Research Institute | High-resolution terahertz wave concentration module, scattered light detection module, and high-resolution inspection apparatus using terahertz Bessel beam |
CN109891217A (zh) * | 2016-11-01 | 2019-06-14 | 韩国食品研究院 | 高分辨率太赫兹波聚光模块、散射光检测模块和采用太赫兹贝塞尔光束的高分辨率检查装置 |
JP2020193980A (ja) * | 2016-11-01 | 2020-12-03 | コリア フード リサーチ インスティチュート | テラヘルツ波ベッセルビームを用いた高分解能検査装置 |
WO2018084355A1 (ko) * | 2016-11-01 | 2018-05-11 | 한국식품연구원 | 고분해능 테라헤르츠파 집광모듈, 산란광 검출모듈 및 테라헤르츠파 베셀빔을 이용한 고분해능 검사 장치 |
CN113466171A (zh) * | 2016-11-01 | 2021-10-01 | 韩国食品研究院 | 利用贝塞尔光束的高分辨率检查装置 |
CN113504203A (zh) * | 2016-11-01 | 2021-10-15 | 韩国食品研究院 | 高分辨率太赫兹波聚光模块 |
US11248960B2 (en) | 2016-11-01 | 2022-02-15 | Korea Food Research Institute | High-resolution terahertz wave concentration module, scattered light detection module, and high-resolution inspection apparatus using terahertz bessel beam |
JP7092163B2 (ja) | 2016-11-01 | 2022-06-28 | コリア フード リサーチ インスティチュート | テラヘルツ波ベッセルビームを用いた高分解能検査装置 |
JP7092164B2 (ja) | 2016-11-01 | 2022-06-28 | コリア フード リサーチ インスティチュート | 散乱光検出モジュール、及びテラヘルツ波ベッセルビームを用いた高分解能検査装置 |
CN110418566A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-11-05 | 上海亨临光电科技有限公司 | 一种用于毫米波或太赫兹成像***背景抑制的屏风/档板 |
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