JP2015128070A - Method for producing transparent conductive film - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress deterioration in appearance due to visual recognition of a pattern boundary of a patterned transparent conductive layer in a transparent conductive film, even when a thickness of a base material of the transparent conductive film is reduced down to 80 μm or less.SOLUTION: A production method of the present invention includes: a laminate preparation step of preparing a laminate including an un-patterned transparent conductive layer formed on a flexible transparent base material; a patterning step of removing a part of the transparent conductive layer to pattern a pattern formation part having the transparent conductive layer on the flexible transparent base material and a pattern opening part having no transparent conductive layer on the flexible transparent base material; and a heat treatment step of heating the laminate after the transparent conductive layer has been patterned. An absolute value of a difference H-Hbetween a dimensional change rate Hat the pattern formation part and a dimensional change rate Hat the pattern opening part during the heat treatment step is preferably less than 0.03%.

Description

本発明は、可撓性透明基材の一方の面に透明導電体層を有する透明導電性フィルムの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a transparent conductive film having a transparent conductor layer on one surface of a flexible transparent substrate.

従来、タッチパネル等に用いられる透明導電性フィルムとして、透明フィルム等の可撓性透明基材に、ＩＴＯ等の導電性金属酸化物からなる透明導電体層が積層されたものが知られている。近年、多点入力（マルチタッチ）が可能な投影型静電容量方式のタッチパネルや、マトリックス型の抵抗膜方式タッチパネルが脚光を浴びているが、これらのタッチパネルでは、透明導電性フィルムの透明導電体層が、所定形状（例えばストライプ状）にパターン化されている。このような透明導電性フィルムは、可撓性透明基材上に透明導電体層を有するパターン形成部と、可撓性透明基材上に透明導電体層を有していないパターン開口部とを有している。   2. Description of the Related Art Conventionally, a transparent conductive film used for a touch panel or the like is known in which a transparent conductive layer made of a conductive metal oxide such as ITO is laminated on a flexible transparent substrate such as a transparent film. In recent years, projected capacitive touch panels capable of multi-point input (multi-touch) and matrix resistive touch panels have attracted attention. In these touch panels, transparent conductors of transparent conductive films The layer is patterned in a predetermined shape (for example, a stripe shape). Such a transparent conductive film includes a pattern forming portion having a transparent conductor layer on a flexible transparent substrate, and a pattern opening having no transparent conductor layer on the flexible transparent substrate. Have.

透明導電体層がパターン化されている場合、透明導電体層が形成されている部分（パターン形成部）と透明導電体層が形成されていない（パターン開口部）との間の反射率差に起因して、パターンが視認され、表示素子としての見栄えが悪くなる場合がある。このような透明導電体層の有無による視認性の相違を抑制する観点から、フィルム基材と透明導電体層との間に複数の光学干渉層をアンダーコート層として設け、光学干渉層の屈折率等を所定範囲に調整することが提案されている（例えば、特許文献１〜４）。   If the transparent conductor layer is patterned, the difference in reflectance between the portion where the transparent conductor layer is formed (pattern forming portion) and the portion where the transparent conductor layer is not formed (pattern opening) As a result, the pattern is visually recognized, and the appearance as a display element may be deteriorated. From the viewpoint of suppressing the difference in visibility due to the presence or absence of such a transparent conductor layer, a plurality of optical interference layers are provided as an undercoat layer between the film substrate and the transparent conductor layer, and the refractive index of the optical interference layer Etc. have been proposed (for example, Patent Documents 1 to 4).

特開２０１０−１５８６１号公報JP 2010-15861 A 特開２００８−９８１６９号公報JP 2008-98169 A 特許第４３６４９３８号明細書Patent No. 4,364,938 特開２００９−７６４３２号公報JP 2009-76432 A

上記のように、透明導電体層がパターン化されている場合は、その境界が視認され難いことが求められるが、これに加えて、表示装置の軽量化や薄型化の観点から、タッチパネル等に用いられる透明導電性フィルムの薄型化が求められている。透明導電性フィルムの厚みを小さくするためには、その厚みの大部分を占めるフィルム基材の厚みを小さくすることが必要である。しかしながら、本発明者らが検討したところ、フィルム基材の厚みを小さくすると、基材と透明導電体層との間に光学干渉層が設けられていても、透明導電性フィルムをタッチパネルに組み込んだ際に、透明導電体層のパターン境界が視認され易く、見栄えが悪くなる場合があることが判明した。   As described above, when the transparent conductor layer is patterned, it is required that the boundary is difficult to be visually recognized. In addition to this, from the viewpoint of reducing the weight and thickness of the display device, the touch panel and the like are used. Thinning of the transparent conductive film used is required. In order to reduce the thickness of the transparent conductive film, it is necessary to reduce the thickness of the film substrate that occupies most of the thickness. However, when the present inventors examined, when the thickness of a film base material was made small, even if the optical interference layer was provided between the base material and the transparent conductor layer, the transparent conductive film was incorporated in the touch panel. At this time, it has been found that the pattern boundary of the transparent conductor layer is easy to be visually recognized and the appearance may be deteriorated.

上記に鑑みて、本発明は、基材の厚みが８０μｍ以下と小さい場合でも、タッチパネルに組み込んだ際に、透明導電体層のパターンが視認され難い透明導電性フィルムを提供することを目的とする。   In view of the above, an object of the present invention is to provide a transparent conductive film in which the pattern of the transparent conductor layer is hardly visible when incorporated in a touch panel even when the thickness of the substrate is as small as 80 μm or less. .

上記課題に鑑みて本発明者らが検討の結果、透明導電性フィルムの透明導電体層をパターン化した後におこなわれる熱処理工程において、パターン形成部とパターン開口部との寸法変化率の差を小さくすることによって、透明導電体層のパターンが視認され難くなることを見出し、本発明に至った。   As a result of the study by the present inventors in view of the above problems, in the heat treatment step performed after patterning the transparent conductor layer of the transparent conductive film, the difference in the dimensional change rate between the pattern forming portion and the pattern opening is reduced. As a result, it was found that the pattern of the transparent conductor layer is difficult to be visually recognized, and the present invention has been achieved.

本発明は、厚み８０μｍ以下の可撓性透明基材上にパターン化された透明導電体層を有する透明導電性フィルムの製造方法に関する。透明導電性フィルムは、可撓性透明基材上に透明導電体層を有するパターン形成部と、可撓性透明基材上に透明導電体層を有していないパターン開口部とを有する。本発明の製造方法は、透明フィルム基材を有する可撓性透明基材上にパターン化されていない透明導電体層が形成された積層体を準備する積層体準備工程、透明導電体層の一部を除去して可撓性透明基材上に透明導電体層を有するパターン形成部と可撓性透明基材上に透明導電体層を有していないパターン開口部とにパターン化するパターン化工程、および透明導電体層がパターン化された後の前記積層体を加熱する熱処理工程を有する。   The present invention relates to a method for producing a transparent conductive film having a transparent conductor layer patterned on a flexible transparent substrate having a thickness of 80 μm or less. A transparent conductive film has a pattern formation part which has a transparent conductor layer on a flexible transparent base material, and a pattern opening part which does not have a transparent conductor layer on a flexible transparent base material. The production method of the present invention includes a laminate preparation step of preparing a laminate in which a transparent conductor layer that is not patterned is formed on a flexible transparent substrate having a transparent film substrate, one of the transparent conductor layers Patterning to be patterned into a pattern forming portion having a transparent conductor layer on a flexible transparent substrate and a pattern opening having no transparent conductor layer on the flexible transparent substrate And a heat treatment step of heating the laminated body after the transparent conductor layer is patterned.

本発明においては、熱処理工程におけるパターン形成部の寸法変化率Ｈ１とパターン開口部の寸法変化率Ｈ２との差Ｈ１−Ｈ２の絶対値が小さいことが好ましい。具体的には、Ｈ１−Ｈ２が０．０３％未満であることが好ましく０．０２５％以下であることがより好ましく、０．０２％以下がさらに好ましく、０．０１５％以下が特に好ましい。 In the present invention, it is preferable absolute value of the difference H 1 -H 2 the dimensional change rate of H 2 dimensional change H 1 and the pattern opening of the pattern forming portion in the heat treatment step is small. Specifically, H 1 -H 2 is preferably less than 0.03%, more preferably 0.025% or less, further preferably 0.02% or less, and particularly preferably 0.015% or less. .

一実施形態において、透明導電体層がパターン化された後の前記積層体を加熱する熱処理工程での温度は１００℃未満であることが好ましい。   In one Embodiment, it is preferable that the temperature in the heat treatment process which heats the said laminated body after a transparent conductor layer is patterned is less than 100 degreeC.

本発明の一実施形態において、透明導電体層の一部の除去は、エッチャントを用いたウェットエッチングにより好適に行うことができる。この場合、熱処理工程では前記積層体を加熱乾燥することが好ましい。   In one embodiment of the present invention, the removal of a part of the transparent conductor layer can be suitably performed by wet etching using an etchant. In this case, it is preferable to heat dry the laminate in the heat treatment step.

本発明の一実施形態において、可撓性透明基材は、透明フィルム基材の透明導電体層形成面側にアンダーコート層が形成されたものである。また、透明導電体層はスズドープ酸化インジウムからなることが好ましく、可撓性透明基材は、透明フィルム基材としてポリエチレンテレフタレートフィルムを用いたものであることが好ましい。   In one embodiment of the present invention, the flexible transparent base material is one in which an undercoat layer is formed on the transparent conductor layer forming surface side of the transparent film base material. Moreover, it is preferable that a transparent conductor layer consists of tin dope indium oxide, and it is preferable that a flexible transparent base material uses a polyethylene terephthalate film as a transparent film base material.

本発明によれば、透明導電体層をパターン化した後の透明導電性フィルムにおいて、パターン形成部とパターン開口部の加熱時の寸法変化率の差が所定範囲内である。そのため、加熱後においても透明導電体層と可撓性透明基材の界面に生じる応力が小さく、フィルムにうねりが生じ難い。このようにして得られた透明導電性フィルムをガラス板等の剛性の基体と貼り合わせてタッチパネル等を形成した場合において、パターン境界での段差が低減され、パターン境界が視認されることによる見栄えの低下が抑止される。   According to the present invention, in the transparent conductive film after patterning the transparent conductor layer, the difference in the dimensional change rate during heating of the pattern forming portion and the pattern opening is within a predetermined range. Therefore, even after heating, the stress generated at the interface between the transparent conductor layer and the flexible transparent substrate is small, and the film is unlikely to swell. In the case where the transparent conductive film thus obtained is bonded to a rigid substrate such as a glass plate to form a touch panel or the like, the step at the pattern boundary is reduced and the appearance of the pattern boundary is visually recognized. Decline is suppressed.

透明導電体層がパターン化された透明導電性フィルムの模式的断面図である。It is typical sectional drawing of the transparent conductive film in which the transparent conductor layer was patterned. 粘着剤層付き透明導電性フィルムの一形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one form of the transparent conductive film with an adhesive layer. 透明導電性フィルムを他の基体と貼り合わせた形態を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows the form which bonded the transparent conductive film with the other base | substrate. 透明導電体層がパターン化された透明導電性フィルムの一形態を示す模式的平面図である。It is a typical top view showing one form of a transparent conductive film in which a transparent conductor layer was patterned. パターン境界における表面形状（段差）の測定結果の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the measurement result of the surface shape (step difference) in a pattern boundary. 透明導電性フィルムを基体と貼り合わせた際にパターン境界に段差が生じることを概念的に説明するための図である。It is a figure for demonstrating notionally that a level | step difference arises in a pattern boundary when a transparent conductive film is bonded together with a base | substrate. 実施例および比較例における、（Ｈ１−Ｈ２）の値とパターン境界における段差との関係をプロットしたものである。In Examples and Comparative Examples, it is obtained by plotting the relationship between the difference in level value and the pattern boundary (H 1 -H 2).

図１は、パターン化された透明導電体層を有する透明導電性フィルムの一形態を示す模式的断面図である。図１に示す透明導電性フィルム１００は、可撓性透明基材１の一方の面に、パターン化された透明導電体層２を有している。可撓性透明基材は、透明フィルム基材１１の表面に、必要に応じてアンダーコート層１２等が形成されている。透明導電性フィルム１００は、透明導電体層２が形成されているパターン形成部Ｐと、透明導電体層が形成されていないパターン開口部Ｏとから構成されている。図２は、可撓性透明基材１の透明導電体層２が形成されていない側の面に粘着剤層３を有する粘着剤層付き透明導電性フィルムの一形態を示す模式的断面図である。図３は、この粘着剤層３を介して透明導電性フィルムがガラス等の剛性の基体５０に貼り合わせられている粘着剤層付き透明導電性フィルム１１０を示す模式的断面図である。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a transparent conductive film having a patterned transparent conductor layer. A transparent conductive film 100 shown in FIG. 1 has a patterned transparent conductor layer 2 on one surface of a flexible transparent substrate 1. As for the flexible transparent base material, the undercoat layer 12 grade | etc., Is formed in the surface of the transparent film base material 11 as needed. The transparent conductive film 100 includes a pattern forming portion P in which the transparent conductor layer 2 is formed and a pattern opening O in which the transparent conductor layer is not formed. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a transparent conductive film with an adhesive layer having an adhesive layer 3 on the surface of the flexible transparent substrate 1 where the transparent conductor layer 2 is not formed. is there. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the transparent conductive film 110 with the pressure-sensitive adhesive layer in which the transparent conductive film is bonded to a rigid substrate 50 such as glass via the pressure-sensitive adhesive layer 3.

まず、上記のような構成を有する透明導電性フィルムにおいて、可撓性透明基材１の厚みを小さくした場合に、透明導電体層２のパターン境界が視認され易くなる原因について検討した。厚み２３μｍのＰＥＴフィルム基材からなる可撓性透明基材１上にＩＴＯからなるパターン化された透明導電体層２が形成された透明導電性フィルム１００を粘着剤層３を介してガラス板５０に貼り合わせた場合の、透明導電体層側の表面形状プロファイルの一例を図５に示す。図５においては、透明導電体層が形成されているパターン形成部Ｐと、透明導電体層が形成されていないパターン開口部Ｏとの境界で、１５０ｎｍ以上の高低差（段差）が生じている。この例において、パターン境界における高低差は透明導電体層の厚み（２２ｎｍ）よりもはるかに大きく、この段差がパターン境界を視認され易くしている要因であると考えられた。   First, in the transparent conductive film having the above-described configuration, when the thickness of the flexible transparent substrate 1 was reduced, the cause of the pattern boundary of the transparent conductor layer 2 being easily visible was examined. A transparent conductive film 100 in which a patterned transparent conductor layer 2 made of ITO is formed on a flexible transparent substrate 1 made of a PET film substrate having a thickness of 23 μm is formed on a glass plate 50 through an adhesive layer 3. FIG. 5 shows an example of the surface shape profile on the transparent conductor layer side when bonded together. In FIG. 5, an elevation difference (step) of 150 nm or more occurs at the boundary between the pattern forming portion P where the transparent conductor layer is formed and the pattern opening O where the transparent conductor layer is not formed. . In this example, the difference in height at the pattern boundary is much larger than the thickness of the transparent conductor layer (22 nm), and this step was considered to be a factor that makes the pattern boundary easy to see.

このように、ガラス板に貼り合わせた透明導電性フィルムのパターン境界において大きな段差が生じる原因についてさらに検討したところ、ガラス板に貼り合わせる前の透明導電性フィルムには、図６（ａ）に概念的に示すように、パターン形成部Ｐの透明導電体層２形成面側を凸として波状のうねりが発生していた。このようにうねりが生じているフィルムが、粘着剤層を介して平坦なガラス板に貼り合わせられると、ガラス板の方がフィルムよりも剛性が大きいために、フィルムのうねり自体はほぼ解消されて平坦となる。一方で、透明導電性フィルムのうねりが解消されて平坦となる際には、凸状に湾曲していたパターン形成部Ｐの境界部にひずみが集中するために、図６（ｂ）に概念的に示すように、透明導電体層が端部の境界付近で盛り上がり、これが境界に段差を生じる原因であると推定される。なお、図３および図６（ｂ）においては、透明導電性フィルム１００の可撓性透明基材１側が粘着剤層３を介して剛性の基体と貼り合わせられた形態が図示されているが、透明導電体層２側が他の基体（例えばタッチパネルのウィンドウ層）と貼り合わせられた場合においても、フィルムのうねりが原因でパターン境界に段差が生じ、パターン境界が視認され易くなっているものと考えられる。   Thus, when the cause which a big level | step difference arises in the pattern boundary of the transparent conductive film bonded together to the glass plate was further examined, in the transparent conductive film before bonding to a glass plate, a concept is shown to Fig.6 (a). As shown specifically, the wavy undulation was generated with the transparent conductive layer 2 forming surface side of the pattern forming portion P being convex. When a film with undulations is bonded to a flat glass plate via an adhesive layer, the undulation of the film is almost eliminated because the glass plate is more rigid than the film. It becomes flat. On the other hand, when the undulation of the transparent conductive film is eliminated and the film becomes flat, the strain concentrates on the boundary portion of the pattern forming portion P that has been curved in a convex shape. It is estimated that the transparent conductor layer swells in the vicinity of the boundary at the end as shown in FIG. In FIG. 3 and FIG. 6 (b), a form in which the flexible transparent substrate 1 side of the transparent conductive film 100 is bonded to a rigid base via the adhesive layer 3 is illustrated. Even when the transparent conductor layer 2 side is bonded to another substrate (for example, a touch panel window layer), a step is generated at the pattern boundary due to the waviness of the film, and the pattern boundary is easily visible. It is done.

段差を解消して、パターン境界を視認され難くするためには、ガラス等の剛性基体に貼り合わせられる前の透明導電性フィルムのうねりを解消することが重要であると考えられた。さらに、透明導電性フィルムにうねりが生じる原因について考察したところ、透明導電体層をエッチング等によりパターン化した後、フィルムが加熱されると、うねりが生じやすいことが判明した。一般に、透明導電体層をウェットエッチングによりパターン化した後には、エッチャントが水洗され、その後に加熱乾燥が行われる。また、透明導電体層が非晶質である場合は、透明導電体層の加熱信頼性や透明性の向上、低抵抗化等を目的として酸素存在下で加熱することによって透明導電体層を結晶化する場合がある。さらには、透明導電性フィルム上にＩＣ等の制御手段と透明導電体層とを電気的に接続するためのパターン配線を形成する際やタッチパネルの組立加工時にも加熱が行われる。   In order to eliminate the step and make it difficult to visually recognize the pattern boundary, it was considered important to eliminate the undulation of the transparent conductive film before being bonded to a rigid substrate such as glass. Furthermore, when the cause which a wave | undulation produces in a transparent conductive film was considered, when the film was heated after patterning a transparent conductor layer by an etching etc., it turned out that a wave | undulation tends to arise. In general, after the transparent conductor layer is patterned by wet etching, the etchant is washed with water and then dried by heating. In addition, when the transparent conductor layer is amorphous, the transparent conductor layer is crystallized by heating in the presence of oxygen for the purpose of improving the heating reliability and transparency of the transparent conductor layer, reducing resistance, etc. There is a case. Furthermore, heating is also performed when forming a pattern wiring for electrically connecting a control means such as an IC and the transparent conductor layer on the transparent conductive film or when assembling the touch panel.

本発明は、透明導電体層をパターン化後の熱処理工程においてうねりが発生することを抑制すれば、ガラス板等の剛性基体に透明導電性フィルムが貼り合わせられた場合の段差が低減し、パターン境界が視認され難くなるとの推定原理に基づいてなされたものである。そして、さらに検討の結果、透明導電体層をパターン化後の加熱工程において、パターン形成部の寸法変化率Ｈ１とパターン開口部の寸法変化率Ｈ２が略同等であれば、うねりの発生が抑制され、ガラス等と貼り合わせた場合でも、パターン境界が視認され難くなることが見出された。 The present invention reduces the level difference when a transparent conductive film is bonded to a rigid substrate such as a glass plate by suppressing the occurrence of waviness in the heat treatment step after patterning the transparent conductor layer. This is based on the estimation principle that it is difficult to visually recognize the boundary. Then, further studies results, in the heating process after patterning the transparent conductor layer, if substantially equal to the dimensional change rate of H 2 dimensional change H 1 and the pattern opening of the pattern forming portion, undulation of occurrence It has been found that even when bonded to glass or the like, the pattern boundary is hardly visible.

以下に、本発明の実施形態を、図面を参照しながら説明する。図１は、一形態にかかる透明導電性フィルムの模式的断面図である。図１においては、可撓性透明基材１上に、透明導電体層２が形成された透明導電性フィルム１００が図示されている。図１においては、可撓性透明基材１としてフィルム基材１１上にアンダーコート層１２が形成されたものが図示されているが、可撓性透明基材１はアンダーコート層を有していなくともよい。また、フィルム基材１１の透明導電体層２が形成されていない側の面に、ハードコート層、ブロッキング防止層、反射防止層等の機能性層（不図示）が形成されていてもよい。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a transparent conductive film according to one embodiment. In FIG. 1, a transparent conductive film 100 in which a transparent conductor layer 2 is formed on a flexible transparent substrate 1 is illustrated. In FIG. 1, a flexible transparent substrate 1 in which an undercoat layer 12 is formed on a film substrate 11 is illustrated, but the flexible transparent substrate 1 has an undercoat layer. Not necessary. Moreover, functional layers (not shown), such as a hard-coat layer, an antiblocking layer, and an antireflection layer, may be formed on the surface of the film base 11 on which the transparent conductor layer 2 is not formed.

＜可撓性透明基材＞
（フィルム基材）
可撓性透明基材１を構成する透明フィルム基材１１としては、特に制限されないが、透明性を有する各種のプラスチックフィルムが用いられる。例えば、その材料として、ポリエステル系樹脂、アセテート系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリフェニレンサルファイド系樹脂等が挙げられる。これらの中で特に好ましいのは、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂である。なお、例えば図１において、符号「１」で示される部材（すなわち、可撓性透明基材）が透明フィルム基材１１のみで構成される場合も、当該部材を可撓性透明基材という。 <Flexible transparent substrate>
(Film substrate)
Although it does not restrict | limit especially as the transparent film base material 11 which comprises the flexible transparent base material 1, The various plastic film which has transparency is used. For example, the materials include polyester resins, acetate resins, polyethersulfone resins, polycarbonate resins, polyamide resins, polyimide resins, polyolefin resins, (meth) acrylic resins, polyvinyl chloride resins, poly Examples thereof include vinylidene chloride resins, polystyrene resins, polyvinyl alcohol resins, polyarylate resins, polyphenylene sulfide resins, and the like. Of these, polyester resins, polycarbonate resins, and polyolefin resins are particularly preferable. In addition, for example, in FIG. 1, when the member (namely, flexible transparent base material) shown with the code | symbol "1" is comprised only with the transparent film base material 11, the said member is called a flexible transparent base material.

透明導電性フィルムにうねりや段差を生じ難くする観点からは、基材フィルムの厚みを大きくして、剛性を高めることが好ましいが、薄型化の観点から、本発明における基材フィルムの厚みは８０μｍ以下である。なお、後述するようにフィルム基材１１上に光学干渉層やハードコート層等のアンダーコート層１２が形成されている場合は、これらも含めた可撓性透明基材としての厚みが８０μｍ以下であることが好ましい。   From the viewpoint of making it difficult to produce undulations or steps in the transparent conductive film, it is preferable to increase the thickness of the base film and increase the rigidity, but from the viewpoint of thinning, the thickness of the base film in the present invention is 80 μm. It is as follows. As will be described later, when an undercoat layer 12 such as an optical interference layer or a hard coat layer is formed on the film substrate 11, the thickness as a flexible transparent substrate including these is 80 μm or less. Preferably there is.

薄型化の観点からは、フィルム基材の厚みは小さいことが好ましいが、厚みが過度に小さいと、ハンドリング性に劣る等の問題を生じるため、フィルム基材の厚みは１０μｍ以上であることが好ましい。フィルム基材の厚みが、１０〜６０μｍ、さらには１０〜３０μｍの薄型の場合においても本発明は好適である。また、フィルム基材を上記範囲のように薄くすれば、透明導電性フィルムの総厚みが薄くなることに加え、例えば、透明導電体層をスパッタリング法等により形成する際、フィルム基材の内部から発生する揮発成分量が少なくなり、結果的に欠陥の少ない透明導電体層を形成することができる。   From the viewpoint of thinning, it is preferable that the thickness of the film substrate is small. However, if the thickness is excessively small, problems such as inferior handling properties occur. . The present invention is also suitable in the case where the thickness of the film substrate is 10 to 60 μm, and even 10 to 30 μm. In addition, if the film base is made thin as in the above range, the total thickness of the transparent conductive film becomes thin. For example, when the transparent conductor layer is formed by sputtering or the like, from the inside of the film base. The amount of generated volatile components is reduced, and as a result, a transparent conductor layer with few defects can be formed.

フィルム基材は、加熱時の寸法安定性が高いことが好ましい。一般にプラスチックフィルムは加熱時の膨張や収縮による寸法変化を生やすい。これに対して、金属酸化物からなる透明導電体層は寸法変化を生じ難いため、加熱時に基材フィルムに寸法変化が生じると、可撓性透明基材と透明導電体層との界面にひずみが生じ、これがうねりを発生させる原因となる。そのため、基材フィルムは熱変形温度が高いことが好ましい。   The film base material preferably has high dimensional stability during heating. In general, plastic films are likely to undergo dimensional changes due to expansion and contraction during heating. On the other hand, a transparent conductor layer made of a metal oxide is less likely to cause a dimensional change. Therefore, if a dimensional change occurs in the base film during heating, the interface between the flexible transparent base material and the transparent conductive layer is distorted. This causes swell. Therefore, it is preferable that the base film has a high heat distortion temperature.

透明フィルム基材は、表面に予めスパッタリング、コロナ放電、火炎、紫外線照射、電子線照射、化成、酸化などのエッチング処理や下塗り処理を施してもよい。これにより、この上に設けられる透明導電体層やアンダーコート層等の基材に対する密着性を向上させることができる。また、透明導電体層やアンダーコート層等を設ける前に、必要に応じてフィルム基材表面を溶剤洗浄や超音波洗浄などにより除塵、清浄化してもよい。   The transparent film base material may be subjected to etching treatment or undercoating treatment such as sputtering, corona discharge, flame, ultraviolet ray irradiation, electron beam irradiation, chemical conversion, oxidation, etc. on the surface in advance. Thereby, the adhesiveness with respect to base materials, such as a transparent conductor layer and an undercoat layer provided on this, can be improved. Moreover, before providing a transparent conductor layer, an undercoat layer, etc., you may remove and clean the film base-material surface by solvent washing | cleaning, ultrasonic washing, etc. as needed.

透明フィルム基材はそのまま可撓性透明基材１として用いることもできるが、図１に示すように、透明フィルム基材１１の透明導電体層２形成面側に、ハードコート層、ブロッキング防止層、光学干渉層等のアンダーコート層１２を設けたものであってもよい。   Although the transparent film substrate can be used as the flexible transparent substrate 1 as it is, as shown in FIG. 1, a hard coat layer and an anti-blocking layer are formed on the transparent conductor layer 2 forming surface side of the transparent film substrate 11. Alternatively, an undercoat layer 12 such as an optical interference layer may be provided.

（アンダーコート層）
一般に、ハードコート層は、フィルムに硬度を持たせてキズ付きを防止する目的で設けられ、アンチブロッキング層は、フィルム表面に凹凸を形成して滑り性や耐ブロッキング性を付与するために設けられる。また、光学干渉層は、透明導電体層をパターン形成部とパターン開口部とにパターン化した際に両者の反射率差を低減し、パターンが視認されることを抑止するために設けられる。 (Undercoat layer)
Generally, the hard coat layer is provided for the purpose of imparting hardness to the film to prevent scratches, and the anti-blocking layer is provided for forming unevenness on the film surface to impart slipperiness and blocking resistance. . The optical interference layer is provided in order to reduce the difference in reflectance between the transparent conductor layer when the transparent conductor layer is patterned into the pattern forming portion and the pattern opening portion, and to prevent the pattern from being visually recognized.

ハードコート層を形成する樹脂としては、熱硬化型樹脂、熱可塑型樹脂、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂、二液混合型樹脂などがあげられるが、これらのなかでも紫外線照射による硬化処理にて、簡単な加工操作にて効率よくハードコート層を形成することができる紫外線硬化型樹脂が好適である。紫外線硬化型樹脂としては、ポリエステル系、アクリル系、ウレタン系、アミド系、シリコーン系、エポキシ系等の各種のものがあげられ、紫外線硬化型のモノマー、オリゴマー、ポリマー等が含まれる。好ましく用いられる紫外線硬化型樹脂は、例えば紫外線重合性の官能基を有するもの、なかでも当該官能基を２個以上、特に３〜６個有するアクリル系のモノマーやオリゴマー成分を含むものがあげられる。また、紫外線硬化型樹脂には、紫外線重合開始剤が配合されている。   Examples of the resin for forming the hard coat layer include thermosetting resins, thermoplastic resins, ultraviolet curable resins, electron beam curable resins, and two-component mixed resins. Among these, curing by ultraviolet irradiation is possible. An ultraviolet curable resin capable of efficiently forming a hard coat layer by a simple processing operation is preferable. Examples of the ultraviolet curable resin include polyester-based, acrylic-based, urethane-based, amide-based, silicone-based, and epoxy-based resins, and include ultraviolet curable monomers, oligomers, polymers, and the like. Examples of the ultraviolet curable resin preferably used include those having an ultraviolet polymerizable functional group, particularly those containing an acrylic monomer or oligomer component having 2 or more, particularly 3 to 6 functional groups. Further, an ultraviolet polymerization initiator is blended in the ultraviolet curable resin.

ハードコート層の形成方法は特に制限されず、適宜な方式を採用することができる。たとえば、透明フィルム１１上にハードコート層を形成する樹脂組成物を塗工し、乾燥後、硬化処理する方法が採用される。樹脂組成物の塗工は、ファンテン、ダイコーター、キャスティング、スピンコート、ファンテンメタリング、グラビア等の適宜な方式で塗工される。なお、塗工にあたり、前記樹脂組成物は、トルエン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、イソプロピルアルコール、エチルアルコール等の一般的な溶剤で希釈して溶液としておくことが好ましい。   The formation method in particular of a hard-coat layer is not restrict | limited, A suitable system can be employ | adopted. For example, a method of applying a resin composition that forms a hard coat layer on the transparent film 11, drying, and curing is employed. The resin composition is applied by an appropriate method such as phantom, die coater, casting, spin coating, phanten metalling, and gravure. In the application, the resin composition is preferably diluted with a common solvent such as toluene, ethyl acetate, butyl acetate, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, isopropyl alcohol, ethyl alcohol, and the like to prepare a solution.

ハードコート層は、上記のように、フィルムに硬度を持たせてキズ付きを防止する目的で設けられるものであるが、本発明においては、可撓性透明基材の加熱寸法変化の抑制に寄与させることもできる。すなわち、ハードコート層は一般に架橋構造を有しているために、ポリマーフィルム基材に比して寸法変化を生じ難く、フィルム基材上にハードコート層が形成された可撓性透明基材は、フィルム基材単体の場合に比して加熱寸法変化が小さい。そのため、透明フィルム基材１１上にアンダーコート層１２としてハードコート層を設けることによって可撓性透明基材の寸法変化が抑制され、透明導電体層２がパターン化された透明導電性フィルムを加熱した場合のうねりの低減にも寄与し得る。   As described above, the hard coat layer is provided for the purpose of preventing the scratches by imparting hardness to the film, but in the present invention, it contributes to the suppression of the heating dimensional change of the flexible transparent substrate. It can also be made. That is, since the hard coat layer generally has a cross-linked structure, a dimensional change is less likely to occur compared to a polymer film substrate, and a flexible transparent substrate having a hard coat layer formed on a film substrate is The heating dimensional change is small compared to the case of the film base material alone. Therefore, by providing a hard coat layer as the undercoat layer 12 on the transparent film substrate 11, the dimensional change of the flexible transparent substrate is suppressed, and the transparent conductive film in which the transparent conductor layer 2 is patterned is heated. This can also contribute to the reduction of swells.

ハードコート層の厚みは、１〜７μｍが好ましく、２μｍ〜５μｍがより好ましい。ハードコート層の厚み小さいと、硬度が不足したり、上記のような寸法変化の抑制効果が十分に発揮されない場合がある。一方、厚みが過度に大きいと、可撓性透明基材や透明導電性フィルムにカールを生じたり、ハードコート層にクラックが発生する等の不具合を生じる場合がある。   1-7 micrometers is preferable and, as for the thickness of a hard-coat layer, 2 micrometers-5 micrometers are more preferable. If the thickness of the hard coat layer is small, the hardness may be insufficient or the effect of suppressing the dimensional change as described above may not be sufficiently exhibited. On the other hand, if the thickness is excessively large, problems such as curling of the flexible transparent substrate and the transparent conductive film and occurrence of cracks in the hard coat layer may occur.

上記のようなハードコート層は、ブロッキング防止層としての機能を有するものであってもよい。ハードコート層がブロッキング層としての機能を有する場合、表面の算術平均粗さＲａは５０ｎｍ以上であることが好ましい。算術平均粗さを前記範囲とすることで、透明導電性フィルムに良好な滑り性や耐ブロッキング性が付与される。   The hard coat layer as described above may have a function as an antiblocking layer. When the hard coat layer has a function as a blocking layer, the arithmetic average roughness Ra of the surface is preferably 50 nm or more. By setting the arithmetic average roughness within the above range, good slipperiness and blocking resistance are imparted to the transparent conductive film.

このようなブロッキング防止層としては、硬化型樹脂層中に微粒子を含有させたものや、硬化型樹脂組成物として相分離する２種以上の成分を含有するコーティング組成物を用いたもの、あるいはこれらを併用することによって、表面に凹凸が形成されたものが好適に用いられる。硬化型樹脂層の成分としては、ハードコート層の各成分として前記したものが好適に用いられる。また、相分離する２種以上の成分を含有するコーティング組成物としては、例えば国際公開ＷＯ２００５／０７３７６３号パンフレットに記載の組成物を好適に用いることができる。   Examples of such an anti-blocking layer include those containing fine particles in a curable resin layer, those using a coating composition containing two or more components that are phase-separated as a curable resin composition, or these By using together, those having irregularities formed on the surface are preferably used. As the components of the curable resin layer, those described above as the components of the hard coat layer are preferably used. Moreover, as a coating composition containing 2 or more types of components which phase-separate, the composition as described in international publication WO2005 / 073763 pamphlet, for example can be used conveniently.

光学干渉層は、透明導電体層が形成されているパターン形成部と透明導電体層が除去されたパターン開口部との光学厚み差を調整することによって、両者間の反射率差を低減し、パターンが視認され難くすることを目的として設けられる。   The optical interference layer reduces the reflectance difference between the two by adjusting the optical thickness difference between the pattern forming portion where the transparent conductor layer is formed and the pattern opening where the transparent conductor layer is removed, It is provided for the purpose of making the pattern difficult to be visually recognized.

光学干渉層は、無機物、有機物、又は、無機物と有機物との混合物により形成することができる。例えば、無機物として、ＮａＦ（１．３）、Ｎａ３ＡｌＦ６（１．３５）、ＬｉＦ（１．３６）、ＭｇＦ２（１．３８）、ＣａＦ２（１．４）、ＢａＦ２（１．３）、ＳｉＯ２（１．４６）、ＬａＦ３（１．５５）、ＣｅＦ３（１．６３）、Ａｌ２Ｏ３（１．６３）などの無機物〔上記各材料の括弧内の数値は屈折率である〕が挙げられる。これらのなかでも、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２、Ａｌ２Ｏ３などが好ましく用いられる。特に、ＳｉＯ２が好適である。上記の他、酸化インジウムに対して、酸化セリウムを１０〜４０重量部程度、酸化錫を０〜２０重量部程度含む複合酸化物を用いることができる。 The optical interference layer can be formed of an inorganic material, an organic material, or a mixture of an inorganic material and an organic material. For example, NaF (1.3), Na 3 AlF 6 (1.35), LiF (1.36), MgF 2 (1.38), CaF 2 (1.4), BaF 2 (1. 3), inorganic substances such as SiO 2 (1.46), LaF 3 (1.55), CeF 3 (1.63), Al 2 O 3 (1.63) It is a rate]. Of these, SiO 2 , MgF 2 , Al 2 O 3 and the like are preferably used. In particular, SiO 2 is suitable. In addition to the above, a composite oxide containing about 10 to 40 parts by weight of cerium oxide and about 0 to 20 parts by weight of tin oxide with respect to indium oxide can be used.

上記有機物としてはアクリル樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、シロキサン系ポリマー、有機シラン縮合物などが挙げられる。これら有機物は、少なくとも１種が用いられる。特に、有機物としては、メラミン樹脂とアルキド樹脂と有機シラン縮合物の混合物からなる熱硬化型樹脂を使用するのが望ましい。   Examples of the organic substance include acrylic resin, urethane resin, melamine resin, alkyd resin, siloxane polymer, and organic silane condensate. At least one of these organic substances is used. In particular, as the organic substance, it is desirable to use a thermosetting resin made of a mixture of a melamine resin, an alkyd resin, and an organosilane condensate.

光学干渉層は、透明フィルム基材１１と透明導電体層２との間に設けることができ、導電層としての機能を有しないものである。すなわち、光学干渉層は、パターン化された透明導電体層２の間を絶縁する誘電体層として設けられる。従って、光学干渉層は、通常、表面抵抗が、１×１０６Ω／□以上であり、好ましくは１×１０７Ω／□以上、さらに好ましくは１×１０８Ω／□以上である。なお、光学干渉層の表面抵抗の上限に特に制限はない。一般的には、光学干渉層の表面抵抗の上限は測定限界である、１×１０１３Ω／□程度であるが、１×１０１３Ω／□を超えるものであってもよい。 An optical interference layer can be provided between the transparent film base material 11 and the transparent conductor layer 2, and does not have a function as a conductive layer. That is, the optical interference layer is provided as a dielectric layer that insulates between the patterned transparent conductor layers 2. Therefore, the optical interference layer usually has a surface resistance of 1 × 10 6 Ω / □ or more, preferably 1 × 10 7 Ω / □ or more, and more preferably 1 × 10 8 Ω / □ or more. There is no particular limitation on the upper limit of the surface resistance of the optical interference layer. In general, the upper limit of the surface resistance of the optical interference layer is about 1 × 10 13 Ω / □, which is the measurement limit, but may exceed 1 × 10 13 Ω / □.

光学干渉層の屈折率は、透明導電体層の屈折率との差が、０．１以上であることが好ましい。透明導電体層の屈折率と光学干渉層の屈折率の差は、０．１以上０．９以下、さらには０．１以上０．６以下であるのが好ましい。なお、光学干渉層の屈折率は、通常、１．３〜２．５、さらには１．３８〜２．３、さらには１．４〜２．３であるのが好ましい。このように光学干渉層の屈折率を制御することによって、パターン形成部とパターン開口部との反射率差を低減することができる。   The difference between the refractive index of the optical interference layer and the refractive index of the transparent conductor layer is preferably 0.1 or more. The difference between the refractive index of the transparent conductor layer and the refractive index of the optical interference layer is preferably 0.1 or more and 0.9 or less, and more preferably 0.1 or more and 0.6 or less. In addition, it is preferable that the refractive index of an optical interference layer is 1.3-2.5 normally, Furthermore, 1.38-2.3, Furthermore, it is preferable that it is 1.4-2.3. By controlling the refractive index of the optical interference layer in this way, the difference in reflectance between the pattern forming portion and the pattern opening can be reduced.

透明フィルム基材１１に最も近い光学干渉層は、有機物により形成されていることが、透明導電体層をエッチングによりパターン化する上で好ましい。そのため、光学干渉層が１層からなる場合には、光学干渉層は、有機物により形成するのが好ましい。   The optical interference layer closest to the transparent film substrate 11 is preferably formed of an organic material when patterning the transparent conductor layer by etching. Therefore, when the optical interference layer is composed of one layer, the optical interference layer is preferably formed of an organic material.

光学干渉層が、２層以上からなる場合には、少なくとも、透明フィルム基材から最も離れた光学干渉層は、無機物により形成されていることが、透明導電体層をエッチングによりパターン化する上で好ましい。光学干渉層が３層以上からなる場合には、フィルム基材から第二層目より上の光学干渉層についても無機物により形成されていることが好ましい。   When the optical interference layer is composed of two or more layers, at least the optical interference layer farthest from the transparent film base material is formed of an inorganic material. preferable. When the optical interference layer is composed of three or more layers, the optical interference layer above the second layer from the film substrate is preferably formed of an inorganic material.

無機物により形成された光学干渉層は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のドライプロセス、またはウェット法（塗工法）などにより形成できる。光学干渉層を形成する無機物としては、前述の通り、ＳｉＯ２が好ましい。ウェット法では、シリカゾル等を塗工することによりＳｉＯ２膜を形成することができる。 The optical interference layer formed of an inorganic material can be formed by a dry process such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method, or a wet method (coating method). As described above, SiO 2 is preferable as the inorganic substance forming the optical interference layer. In the wet method, a SiO 2 film can be formed by applying silica sol or the like.

以上から、光学干渉層を層設ける場合には、第一光学干渉層を有機物により形成し、第二光学干渉層を無機物により形成するのが好ましい。   From the above, when the optical interference layer is provided, it is preferable that the first optical interference layer is formed of an organic material and the second optical interference layer is formed of an inorganic material.

光学干渉層の厚みは、特に制限されるものではないが、光学設計や、透明フィルム基材からのオリゴマー発生防止効果の点から、通常、１〜３００ｎｍ程度であり、好ましくは５〜３００ｎｍである。なお、光学干渉層が２層以上からなる場合、各層の厚みは、５〜２５０ｎｍ程度であることが好ましく、１０〜２５０ｎｍであることがより好ましい。   The thickness of the optical interference layer is not particularly limited, but is usually about 1 to 300 nm, preferably 5 to 300 nm, from the viewpoint of optical design and the effect of preventing oligomer generation from the transparent film substrate. . In addition, when an optical interference layer consists of two or more layers, it is preferable that the thickness of each layer is about 5-250 nm, and it is more preferable that it is 10-250 nm.

このような光学干渉層は、基材フィルム上に直接設けることもできるし、前述のようなハードコート層やブロッキング防止層上に設けてもよい。光学干渉層も、上記のハードコート層と同様に可撓性透明基材の加熱寸法変化の抑制に寄与し得る。しかしながら、光学干渉層は、一般にハードコート層に比して厚みが小さいために、加熱寸法変化の抑制効果はハードコート層の方が優れている。そのため、透明フィルム基材上にハードコート層を設け、その上に光学干渉層を設けることで、可撓性透明基材の寸法変化を抑制しつつ、パターン形成部とパターン開口部との間の反射率差を抑制することもできる。   Such an optical interference layer may be provided directly on the base film, or may be provided on the hard coat layer or the anti-blocking layer as described above. The optical interference layer can also contribute to the suppression of the heating dimensional change of the flexible transparent substrate in the same manner as the hard coat layer. However, since the optical interference layer is generally smaller in thickness than the hard coat layer, the hard coat layer is superior in the effect of suppressing changes in heating dimensions. Therefore, a hard coat layer is provided on the transparent film substrate, and an optical interference layer is provided thereon, thereby suppressing the dimensional change of the flexible transparent substrate and between the pattern forming portion and the pattern opening portion. It is also possible to suppress the difference in reflectance.

＜透明導電体層＞
透明導電体層２は、導電性金属酸化物により形成される。透明導電体層を構成する導電性金属酸化物は特に限定されず、インジウム、スズ、亜鉛、ガリウム、アンチモン、チタン、珪素、ジルコニウム、マグネシウム、アルミニウム、金、銀、銅、パラジウム、タングステンからなる群より選択される少なくとも１種の金属の導電性金属酸化物が用いられる。当該金属酸化物には、必要に応じて、さらに上記群に示された金属原子を含んでいてもよい。例えばスズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）などが好ましく用いられる。中でも、ＩＴＯが最も好適である。また、可撓性透明基材の透明導電体層２側の面に光学干渉層が形成されている場合、透明導電体層は、光学干渉層との屈折率の差が０．１以上であることが好ましい。 <Transparent conductor layer>
The transparent conductor layer 2 is formed of a conductive metal oxide. The conductive metal oxide constituting the transparent conductor layer is not particularly limited, and is a group consisting of indium, tin, zinc, gallium, antimony, titanium, silicon, zirconium, magnesium, aluminum, gold, silver, copper, palladium, tungsten. A conductive metal oxide of at least one metal selected from the above is used. The metal oxide may further contain a metal atom shown in the above group, if necessary. For example, tin-doped indium oxide (ITO), antimony-doped tin oxide (ATO), or the like is preferably used. Of these, ITO is most preferable. Further, when the optical interference layer is formed on the surface of the flexible transparent substrate on the transparent conductor layer 2 side, the transparent conductor layer has a refractive index difference of 0.1 or more with respect to the optical interference layer. It is preferable.

透明導電体層の厚みは特に制限されないが、１０ｎｍ以上とするのが好ましく、１５〜４０ｎｍであることがより好ましく、２０〜３０ｎｍであることがさらに好ましい。透明導電体層の厚みが１５ｎｍ以上であると、表面抵抗が例えば１×１０3Ω／□以下の良好な連続被膜が得られ易い。また、透明導電体層２の厚みが４０ｎｍ以下であると、より透明性の高い層とすることができる。 The thickness of the transparent conductor layer is not particularly limited, but is preferably 10 nm or more, more preferably 15 to 40 nm, and still more preferably 20 to 30 nm. When the thickness of the transparent conductor layer is 15 nm or more, a good continuous film having a surface resistance of, for example, 1 × 10 3 Ω / □ or less is easily obtained. Moreover, it can be set as a layer with higher transparency as the thickness of the transparent conductor layer 2 is 40 nm or less.

透明導電体層の形成方法は特に限定されず、従来公知の方法を採用することができる。具体的には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法を例示できる。また、必要とする膜厚に応じて適宜の方法を採用することもできる。透明導電体層は、アモルファスであってもよく、結晶性のものであってもよい。結晶性の透明導電体層を形成する方法として、可撓性透明基材１上に高温で製膜を行うことによって、そのまま結晶性の膜を形成することもできる。しかしながら、基材の耐熱性等を考慮すると、結晶性の透明導電体層は、一旦基材上にアモルファス膜を形成した後、該アモルファス膜を可撓性透明基材とともに加熱・結晶化することによって形成することが好ましい。   The formation method of a transparent conductor layer is not specifically limited, A conventionally well-known method is employable. Specific examples include vacuum deposition, sputtering, and ion plating. In addition, an appropriate method can be adopted depending on the required film thickness. The transparent conductor layer may be amorphous or crystalline. As a method for forming a crystalline transparent conductor layer, a crystalline film can be formed as it is by forming a film on the flexible transparent substrate 1 at a high temperature. However, considering the heat resistance of the substrate, etc., the crystalline transparent conductor layer is formed by once forming an amorphous film on the substrate and then heating and crystallizing the amorphous film together with the flexible transparent substrate. It is preferable to form by.

透明導電体層の結晶化は、透明導電体層をパターン化する前後のいずれに行うこともできる。なお、ウェットエッチングにより透明導電体層をパターン化する場合、エッチングの前に透明導電体層の結晶化を行うと、エッチングが困難となる場合がある。そのため、透明導電体層の結晶化は、透明導電体層をパターン化した後に行うことが好ましい。透明導電体層のパターン化後に結晶化を行う場合は、後に詳述するように、パターン形成部の寸法変化率とパターン開口部の寸法変化率が小さくなるように加熱条件を設定することが好ましい。   Crystallization of the transparent conductor layer can be performed either before or after patterning the transparent conductor layer. In addition, when patterning a transparent conductor layer by wet etching, if the transparent conductor layer is crystallized before etching, etching may be difficult. Therefore, the crystallization of the transparent conductor layer is preferably performed after patterning the transparent conductor layer. When crystallization is performed after patterning of the transparent conductor layer, it is preferable to set the heating conditions so that the dimensional change rate of the pattern forming portion and the dimensional change rate of the pattern opening portion are small, as will be described in detail later. .

＜透明導電体層のパターン化＞
上記のようにして可撓性透明基材上に透明導電体層が形成された積層体は、透明導電体層の一部が除去されてパターン化される。透明導電体層がパターン化された透明導電性フィルムは、可撓性透明基材１上に透明導電体層２を有するパターン形成部Ｐと、可撓性透明基材１上に透明導電体層を有していないパターン開口部Ｏとを有する。パターンの形状は、透明導電性フィルムが適用される用途に応じて、各種形状を形成することができる。パターン形成部Ｐの形状としては、例えば、図４に示すストライプ状の他、スクエア状等が挙げられる。なお、図４では、パターン形成部Ｐの幅がパターン開口部Ｏの幅より大きく図示されているが、本発明は当該形態に制限されるものではない。 <Patterning of transparent conductor layer>
The laminate in which the transparent conductor layer is formed on the flexible transparent substrate as described above is patterned by removing a part of the transparent conductor layer. The transparent conductive film in which the transparent conductor layer is patterned includes a pattern forming portion P having the transparent conductor layer 2 on the flexible transparent substrate 1 and a transparent conductor layer on the flexible transparent substrate 1. Pattern opening O not having. Various shapes can be formed as the pattern according to the application to which the transparent conductive film is applied. Examples of the shape of the pattern forming portion P include a square shape in addition to the stripe shape shown in FIG. In FIG. 4, the width of the pattern forming portion P is shown larger than the width of the pattern opening O, but the present invention is not limited to this form.

透明導電体層２のパターン化はウェットエッチングにより行なわれることが好ましい。透明導電体層２の一部をウェットエッチングにより除去してパターン化を行う場合、パターンを形成するためのマスクにより透明導電体層２の一部（パターン形成部）を覆って、透明導電体層のマスクにより覆われていない部分（パターン開口部）をエッチャントに曝すことによって除去する。前述のように透明導電体層２は、ＩＴＯやＡＴＯ等の導電性金属酸化物が用いられるため、エッチャントとしては、酸が好適に用いられる。酸としては、例えば、塩化水素、臭化水素、硫酸、硝酸、リン酸等の無機酸、酢酸等の有機酸、およびこれらの混合物、ならびにそれらの水溶液が挙げられる。   The patterning of the transparent conductor layer 2 is preferably performed by wet etching. When patterning is performed by removing a portion of the transparent conductor layer 2 by wet etching, a portion of the transparent conductor layer 2 (pattern forming portion) is covered with a mask for forming a pattern, and the transparent conductor layer The portion not covered with the mask (pattern opening) is removed by exposure to an etchant. As described above, since the transparent conductive layer 2 is made of a conductive metal oxide such as ITO or ATO, an acid is preferably used as the etchant. Examples of the acid include inorganic acids such as hydrogen chloride, hydrogen bromide, sulfuric acid, nitric acid and phosphoric acid, organic acids such as acetic acid, and mixtures thereof, and aqueous solutions thereof.

＜熱処理＞
上記のように透明導電体層がパターン化された後の透明導電性フィルムは、熱処理工程に供される。熱処理としては、パターン化に用いたエッチャントを水等の洗浄液を用いて洗浄した後の洗浄液を乾燥するための加熱、非晶質の透明導電体層を結晶化するための加熱、パターン化された透明導電体層をＩＣ等の制御手段と電気的に接続するためのパターン配線形成時に銀ペースト等を乾燥するための加熱、およびタッチパネルの組立加工時の加熱等が挙げられる。 <Heat treatment>
The transparent conductive film after the transparent conductor layer is patterned as described above is subjected to a heat treatment step. As the heat treatment, the etchant used for patterning was cleaned with a cleaning liquid such as water, and then the heating was performed for drying the cleaning liquid, the heating for crystallizing the amorphous transparent conductor layer, and the patterning. Heating for drying silver paste or the like at the time of forming a pattern wiring for electrically connecting the transparent conductor layer to a control means such as an IC, heating at the time of assembling the touch panel, and the like can be mentioned.

本発明においては、熱処理工程において、パターン形成部Ｐの寸法変化率Ｈ１とパターン開口部Ｏの寸法変化率Ｈ２との差Ｈ１−Ｈ２の絶対値が０．０３％未満であることが好ましい。熱処理工程におけるパターン形成部とパターン開口部の寸法変化率の差を小さくすることによって、透明導電性フィルムにおけるうねりの発生が抑制される。そのため、透明導電性フィルムをタッチパネル等に組み込んだ際に、パターン境界に大きな段差が生じることによる見栄えの低下が抑止される。うねりの発生を抑制して、パターン境界に生じる段差を小さくする観点からは、Ｈ１−Ｈ２の絶対値は０．０２５％以下であることがより好ましく、０．０２％以下であることがさらに好ましく、０．０１５％以下であることが特に好ましい。 In the present invention, in the heat treatment step, the absolute value of the difference H 1 -H 2 the dimensional change rate of H 2 dimensional change H 1 and the pattern opening portion O of the pattern forming portion P is less than 0.03% Is preferred. Generation | occurrence | production of the wave | undulation in a transparent conductive film is suppressed by making the difference of the dimensional change rate of the pattern formation part and pattern opening part in a heat treatment process small. Therefore, when a transparent conductive film is incorporated in a touch panel or the like, a decrease in appearance due to a large step occurring at the pattern boundary is suppressed. From the viewpoint of suppressing the occurrence of waviness and reducing the level difference generated at the pattern boundary, the absolute value of H 1 -H 2 is more preferably 0.025% or less, and 0.02% or less. More preferably, it is particularly preferably 0.015% or less.

寸法変化率（％）は、加熱処理前の２点間距離Ｌ０、および加熱処理後の２点間距離Ｌを用いて、１００×（Ｌ−Ｌ０）／Ｌ０で定義され、寸法変化率の符号が正である場合は膨張、負である場合は収縮を表す。したがって、Ｈ１−Ｈ２が負である場合は、透明導電体層が除去されているパターン開口部は、透明導電体層が形成されているパターン形成部に比して、熱処理後の寸法が小さくなる（熱収縮し易い）ことを意味する。熱処理工程における透明導電性フィルムの寸法変化率（熱収縮率）が方向によって異なる場合は、いずれか一方向の寸法変化率の差が前記範囲であることが好ましい。なお、図４に示すように、透明導電体層がストライプ状にパターン化されている場合は、パターン化方向（パターンが並んでいる方向）における寸法変化率の差が前記範囲であることが好ましい。 The dimensional change rate (%) is defined as 100 × (L−L 0 ) / L 0 using the distance L 0 between the two points before the heat treatment and the distance L between the two points after the heat treatment. If the rate sign is positive, it indicates expansion, and if it is negative, it indicates contraction. Therefore, when H 1 -H 2 is negative, the pattern opening from which the transparent conductor layer is removed has a dimension after the heat treatment as compared with the pattern formation portion where the transparent conductor layer is formed. It means that it becomes small (it is easy to heat shrink). When the dimensional change rate (thermal shrinkage rate) of the transparent conductive film in the heat treatment step varies depending on the direction, the difference in the dimensional change rate in any one direction is preferably within the above range. In addition, as shown in FIG. 4, when the transparent conductor layer is patterned in a stripe shape, it is preferable that the difference in the dimensional change rate in the patterning direction (direction in which the patterns are arranged) is in the above range. .

熱処理工程におけるパターン形成部とパターン開口部の寸法変化率の差が小さい場合にうねりが抑制される推定原理について以下に説明する。   An estimation principle for suppressing the swell when the difference in the dimensional change rate between the pattern forming portion and the pattern opening in the heat treatment step is small will be described below.

透明導電体層が除去されたパターン開口部において、可撓性透明基材１は、高温に加熱されると、基材フィルムの熱膨張や熱収縮によって寸法変化を生じ易い。例えば、透明フィルム基材として二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムが用いられている場合、透明導電性フィルムが１２０℃程度に加熱されると、パターン開口部の基材は熱収縮を生じ、寸法変化率Ｈ２は、一般に負の値となる。一方、金属酸化物からなる透明導電体層２は、基材フィルムに比して硬度が高く、加熱による寸法変化を生じ難い。そのため、可撓性透明基材１上に透明導電体層２が形成されたパターン形成部では、可撓性透明基材の寸法変化が透明導電体層によって抑制され、パターン形成部Ｐの寸法変化率Ｈ１の絶対値は、透明導電体層が除去されたパターン開口部Ｏの寸法変化率Ｈ２の絶対値に比して小さくなる傾向がある。 In the pattern opening from which the transparent conductor layer has been removed, when the flexible transparent substrate 1 is heated to a high temperature, a dimensional change is likely to occur due to thermal expansion and contraction of the substrate film. For example, when a biaxially stretched polyethylene terephthalate film is used as the transparent film substrate, when the transparent conductive film is heated to about 120 ° C., the substrate of the pattern opening undergoes thermal shrinkage, and the dimensional change rate H 2 is generally a negative value. On the other hand, the transparent conductor layer 2 made of a metal oxide has a hardness higher than that of the base film and hardly causes a dimensional change due to heating. Therefore, in the pattern formation part in which the transparent conductor layer 2 is formed on the flexible transparent substrate 1, the dimensional change of the flexible transparent substrate is suppressed by the transparent conductor layer, and the dimensional change of the pattern formation part P The absolute value of the rate H 1 tends to be smaller than the absolute value of the dimensional change rate H 2 of the pattern opening O from which the transparent conductor layer has been removed.

パターン形成部Ｐにおける寸法変化率Ｈ１の絶対値はＨ２に比して小さいが、透明導電体層によって基材の寸法変化が抑制されているために、可撓性透明基材１と透明導電体層２との界面に応力が生じる。一方で、透明導電体層が形成されていないパターン開口部では、このような界面での応力が生じない。そのため、透明導電体層がパターン化された透明導電性フィルムは、図７に概念的に示すように、パターン形成部Ｐの透明導電体層２側を凸として、フィルムに波状のうねりが生じるものと考えられる。なお、図７では可撓性透明基材が加熱により収縮する場合を示しているが、可撓性透明基材が加熱により膨張するものであれば、パターン形成部の透明導電体層２が形成されていない側を凸としてうねりが生じるものと考えられる。 Although the absolute value of the dimensional change H 1 in the pattern forming portion P is smaller than the H 2, for dimensional changes of the base material is suppressed by the transparent conductor layer, the flexible transparent substrate 1 and transparent Stress is generated at the interface with the conductor layer 2. On the other hand, in the pattern opening where the transparent conductor layer is not formed, such stress at the interface does not occur. Therefore, the transparent conductive film in which the transparent conductor layer is patterned is a film in which a wavy undulation occurs in the film with the pattern forming portion P projecting on the transparent conductor layer 2 side as conceptually shown in FIG. it is conceivable that. FIG. 7 shows the case where the flexible transparent base material contracts by heating. However, if the flexible transparent base material expands by heating, the transparent conductor layer 2 of the pattern forming portion is formed. It is thought that the undulation occurs with the side that is not made convex.

パターン形成部とパターン開口部の寸法変化率の差が小さいということは、前述のような可撓性透明基材と透明導電体層の界面に発生する応力が小さいことを意味するため、Ｈ１−Ｈ２の絶対値が小さいほど、うねりの発生が抑制されるものと考えられる。そして、透明導電性フィルムのうねりが小さければ、ガラス等の剛性基体と貼り合わせた場合における、パターン境界部の段差が小さくなり、パターン境界が視認され難くなるものと考えられる。 That the difference between the dimensional change rate of the pattern forming portion and the pattern opening is small, it means that the stress generated at the interface between the flexible transparent substrate and the transparent conductor layer, such as described above is small, H 1 as the absolute value of -H 2 is small, it is considered that the generation of waviness can be suppressed. If the waviness of the transparent conductive film is small, the step at the pattern boundary when bonded to a rigid substrate such as glass is reduced, and the pattern boundary is considered to be difficult to visually recognize.

以下、熱処理工程の具体例について説明する。透明導電性フィルムをパターン化した後の熱処理の典型例は、パターン化に用いたエッチャントを水等の洗浄液を用いて洗浄した後に、洗浄液を乾燥するための加熱である。一般に水を主成分とする液体が洗浄液として用いられるために、洗浄液を乾燥するための加熱は１００℃以上の高温で行われることが多い。一方で、透明導電体層をパターン化後の透明導電性フィルムがこのような高温での熱処理に曝されると、可撓性透明基材が寸法変化を生じ、パターン形成部とパターン開口部との寸法変化率差が大きくなる傾向がある。そのため、洗浄液の乾燥は、１００℃未満の低温で行われることが好ましい。乾燥時の加熱温度は、好ましくは９０℃以下、より好ましくは８０℃以下である。   Hereinafter, specific examples of the heat treatment step will be described. A typical example of the heat treatment after patterning the transparent conductive film is heating for drying the cleaning liquid after cleaning the etchant used for patterning with a cleaning liquid such as water. In general, since a liquid containing water as a main component is used as a cleaning liquid, heating for drying the cleaning liquid is often performed at a high temperature of 100 ° C. or higher. On the other hand, when the transparent conductive film after patterning the transparent conductor layer is exposed to heat treatment at such a high temperature, the flexible transparent substrate undergoes a dimensional change, and the pattern forming portion and the pattern opening portion There is a tendency that the dimensional change rate difference of becomes large. Therefore, the cleaning liquid is preferably dried at a low temperature of less than 100 ° C. The heating temperature during drying is preferably 90 ° C. or lower, more preferably 80 ° C. or lower.

なお、フィルム基材表面にハードコート層等のアンダーコート層が形成されたもののように、加熱寸法変化が抑制された可撓性透明基材が用いられる場合は、上記範囲より高い温度で加熱しても、Ｈ１−Ｈ２の絶対値を０．０３％未満として、うねりの発生を抑制できる場合がある。このような場合において、熱処理工程の加熱温度は、Ｈ１−Ｈ２の絶対値が０．０３％以上とならない範囲で、適宜に設定し得る。 In addition, when a flexible transparent substrate with suppressed heating dimensional change is used, such as a film substrate surface with an undercoat layer such as a hard coat layer, it is heated at a temperature higher than the above range. Even if the absolute value of H 1 -H 2 is less than 0.03%, the occurrence of swell may be suppressed. In such a case, the heating temperature in the heat treatment step can be appropriately set within a range where the absolute value of H 1 -H 2 does not become 0.03% or more.

その他の熱処理としては、非晶質の透明導電体層を結晶化するための加熱、パターン化された透明導電体層をＩＣ等の制御手段と電気的に接続するためのパターン配線形成時に銀ペースト等を乾燥するための加熱、およびタッチパネルの組立加工時の加熱等が挙げられる。これらの熱処理を行う場合においても、上記の洗浄液の乾燥と同様に、加熱温度を調整することによって、Ｈ１−Ｈ２の絶対値を０．０３％未満とすることができる。 Other heat treatments include heating to crystallize the amorphous transparent conductor layer, and silver paste at the time of pattern wiring formation for electrically connecting the patterned transparent conductor layer to a control means such as an IC. The heating for drying etc., the heating at the time of assembly processing of a touch panel, etc. are mentioned. Even when these heat treatments are performed, the absolute value of H 1 -H 2 can be made less than 0.03% by adjusting the heating temperature in the same manner as the drying of the cleaning liquid.

上記のように透明導電体層２がパターン化された透明導電性フィルムは、タッチパネル等に好適に用いられる。特に、透明導電体層がパターン化されて複数の透明電極を有することから、投影型静電容量方式のタッチパネルや、マトリックス型の抵抗膜方式タッチパネルに好適に用いられる。タッチパネル等への適用に際しては、図２に示すように、可撓性透明基材１の透明導電体層２が形成されていない側の面に粘着剤層３を有する粘着剤層付き透明導電性フィルムを形成してもよい。この粘着剤層付き透明導電性フィルムを、粘着剤層３を介して、例えば図３に示すように、基体５０に貼り合わせて用いることができる。この際、基体５０としてガラス板等の剛性の基体が用いられても、透明導電性フィルムのうねりが抑制されていれば、パターン境界での段差の発生が抑制され、視認性に優れるタッチパネルを形成することができる。また、透明導電体層２が設けられている側に粘着剤層を設けて、タッチパネルのウィンドウ層等の他の基体と貼り合わせた場合でも、同様にパターン境界での段差が抑制されるために、視認性に優れるタッチパネルを形成することができる。   The transparent conductive film in which the transparent conductor layer 2 is patterned as described above is suitably used for touch panels and the like. In particular, since the transparent conductor layer is patterned and has a plurality of transparent electrodes, it is suitably used for a projection capacitive touch panel and a matrix resistive touch panel. In application to a touch panel or the like, as shown in FIG. 2, the transparent conductive material with the adhesive layer having the adhesive layer 3 on the surface of the flexible transparent substrate 1 on which the transparent conductor layer 2 is not formed. A film may be formed. The transparent conductive film with the pressure-sensitive adhesive layer can be used by being bonded to the substrate 50 through the pressure-sensitive adhesive layer 3, for example, as shown in FIG. At this time, even if a rigid substrate such as a glass plate is used as the substrate 50, if the swell of the transparent conductive film is suppressed, the generation of a step at the pattern boundary is suppressed, and a touch panel with excellent visibility is formed. can do. In addition, even when a pressure-sensitive adhesive layer is provided on the side where the transparent conductor layer 2 is provided and bonded to another substrate such as a touch panel window layer, the step at the pattern boundary is similarly suppressed. A touch panel with excellent visibility can be formed.

粘着剤層３としては、透明性を有するものであれば特に制限なく使用できる。具体的には、例えば、アクリル系ポリマー、シリコーン系ポリマー、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリビニルエーテル、酢酸ビニル／塩化ビニルコポリマー、変性ポリオレフィン、エポキシ系、フッ素系、天然ゴム、合成ゴム等のゴム系などのポリマーをベースポリマーとするものを適宜に選択して用いることができる。特に、光学的透明性に優れ、適度な濡れ性、凝集性及び接着性等の粘着特性を示し、耐候性や耐熱性等にも優れるという点からは、アクリル系粘着剤が好ましく用いられる。   The pressure-sensitive adhesive layer 3 can be used without particular limitation as long as it has transparency. Specifically, for example, acrylic polymers, silicone polymers, polyesters, polyurethanes, polyamides, polyvinyl ethers, vinyl acetate / vinyl chloride copolymers, modified polyolefins, epoxy systems, fluorine systems, natural rubbers, rubbers such as synthetic rubbers, etc. Those having the above polymer as a base polymer can be appropriately selected and used. In particular, an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferably used from the viewpoint that it is excellent in optical transparency, exhibits adhesive properties such as appropriate wettability, cohesiveness and adhesiveness, and is excellent in weather resistance and heat resistance.

粘着剤層３の構成材料である粘着剤の種類によっては、適当な粘着用下塗り剤を用いることで基材との投錨力を向上させることが可能なものがある。従って、そのような粘着剤を用いる場合には、可撓性透明基材１に粘着用下塗り剤を用いることが好ましい。   Depending on the type of the pressure-sensitive adhesive that is a constituent material of the pressure-sensitive adhesive layer 3, there is one that can improve the anchoring force with the base material by using an appropriate pressure-sensitive adhesive primer. Therefore, when such an adhesive is used, it is preferable to use an adhesive primer for the flexible transparent substrate 1.

前記粘着剤層には、ベースポリマーに応じた架橋剤を含有させることができる。また、粘着剤層には必要に応じて例えば天然物や合成物の樹脂類、ガラス繊維やガラスビーズ、金属粉やその他の無機粉末等からなる充填剤、顔料、着色剤、酸化防止剤などの適宜な添加剤を配合することもできる。また透明微粒子を含有させて光拡散性が付与された粘着剤層３とすることもできる。   The pressure-sensitive adhesive layer can contain a crosslinking agent according to the base polymer. In addition, the pressure-sensitive adhesive layer may include, for example, natural and synthetic resins, glass fibers and glass beads, fillers made of metal powder and other inorganic powders, pigments, colorants, antioxidants and the like. Appropriate additives can also be blended. Moreover, it can also be set as the adhesive layer 3 which contained the transparent fine particle and was provided with the light diffusibility.

前記粘着剤層は、通常、ベースポリマー又はその組成物を溶剤に溶解又は分散させた固形分濃度が１０〜５０重量％程度の粘着剤溶液として用いられる。前記溶剤としては、トルエンや酢酸エチル等の有機溶剤や水等の粘着剤の種類に応じたものを適宜に選択して用いることができる。   The pressure-sensitive adhesive layer is usually used as a pressure-sensitive adhesive solution having a solid content concentration of about 10 to 50% by weight in which a base polymer or a composition thereof is dissolved or dispersed in a solvent. As the solvent, an organic solvent such as toluene or ethyl acetate or an adhesive such as water can be appropriately selected and used.

この粘着剤層は、例えば、ガラス等の剛性基体や他のプラスチックフィルム基体等とのの接着後に於いては、そのクッション効果により、基材１の一方の面に設けられた透明導電体層２の耐擦傷性やタッチパネル用としての打点特性、いわゆるペン入力耐久性および面圧耐久性を向上させる機能を有し得る。そのため、特にマトリックス型の抵抗膜方式のタッチパネルに用いる場合においては、粘着剤層にクッション効果を持たせることが好ましい。具体的には、粘着剤層３の弾性係数を１〜１００Ｎ／ｃｍ２の範囲、厚みを１μｍ以上、通常５〜１００μｍの範囲に設定するのが望ましい。粘着剤層の厚みが上記範囲であると、クッション効果が十分発揮され、かつ粘着剤層による密着力も十分となり得る。粘着剤層の厚みが上記範囲よりも薄いと上記耐久性や密着性が十分確保できず、また上記範囲よりも厚いと透明性などの外観に不具合が発生する場合がある。なお、透明導電性フィルムが静電容量方式のタッチパネルに用いられる場合には、上記のような粘着剤層によるクッション効果は必ずしも求められるものではないが、各種基体との密着性や、粘着剤層付き透明導電性フィルムのハンドリングを容易とする観点からは、粘着剤層３は上記と同様の厚みおよび弾性係数を有することが好ましい。 This adhesive layer is, for example, a transparent conductor layer 2 provided on one surface of the substrate 1 due to its cushioning effect after bonding to a rigid substrate such as glass or another plastic film substrate. It can have a function of improving the scratch resistance and the dot characteristics for touch panels, so-called pen input durability and surface pressure durability. Therefore, it is preferable to give a cushioning effect to the pressure-sensitive adhesive layer, particularly when used in a matrix-type resistive film type touch panel. Specifically, it is desirable to set the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer 3 in the range of 1 to 100 N / cm 2 and the thickness in the range of 1 μm or more, usually 5 to 100 μm. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is in the above range, the cushion effect can be sufficiently exhibited, and the adhesive force by the pressure-sensitive adhesive layer can be sufficient. If the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is thinner than the above range, the durability and adhesion cannot be ensured sufficiently, and if it is thicker than the above range, defects such as transparency may occur. In addition, when a transparent conductive film is used for a capacitive touch panel, the cushioning effect by the pressure-sensitive adhesive layer as described above is not necessarily required, but the adhesion to various substrates and the pressure-sensitive adhesive layer From the viewpoint of facilitating handling of the attached transparent conductive film, the pressure-sensitive adhesive layer 3 preferably has the same thickness and elastic modulus as described above.

以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。以下の実施例において、１μｍ以上の厚みを有するものに関しては、ミツトヨ製マイクロゲージ式厚み計にて測定を行った。アンダーコート層およびＩＴＯ膜の厚みは、大塚電子製の瞬間マルチ測光システム 型番「ＭＣＰＤ２０００」を用い、干渉スペクトルの波形を基に算出した。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail using an Example, this invention is not limited to a following example, unless the summary is exceeded. In the following examples, those having a thickness of 1 μm or more were measured with a Mitutoyo micro gauge thickness gauge. The thickness of the undercoat layer and the ITO film was calculated based on the waveform of the interference spectrum using an instantaneous multi-photometry system model number “MCPD2000” manufactured by Otsuka Electronics.

［実施例１］
（可撓性透明基材）
透明フィルム基材として、厚み２３μｍの二軸延伸ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（三菱樹脂製 商品名「ダイアホイル」、屈折率１．６５）を、そのまま可撓性透明基材として用いた。 [Example 1]
(Flexible transparent substrate)
As a transparent film substrate, a biaxially stretched polyethylene terephthalate (PET) film (trade name “Diafoil”, refractive index 1.65 manufactured by Mitsubishi Plastics) having a thickness of 23 μm was directly used as a flexible transparent substrate.

（ＩＴＯ膜の製膜）
ＤＣマグネトロンスパッタ装置に、ターゲット材料として、酸化インジウムと酸化スズとを９７：３の重量比で含有する焼結体を装着した。可撓性透明基材を搬送しながら、脱水、脱ガスを行った後、基材の加熱温度を１００℃とし、アルゴンガスおよび酸素ガスを導入して、放電出力６．３５ｍＷ／ｃｍ２でＤＣスパッタリング法により製膜を行い、基材上に厚み２２ｎｍのＩＴＯ膜を形成した。 (Deposition of ITO film)
A sintered body containing indium oxide and tin oxide at a weight ratio of 97: 3 as a target material was attached to a DC magnetron sputtering apparatus. After carrying out dehydration and degassing while conveying the flexible transparent substrate, the heating temperature of the substrate was set to 100 ° C., argon gas and oxygen gas were introduced, and DC was discharged at a discharge output of 6.35 mW / cm 2 . A film was formed by a sputtering method to form an ITO film having a thickness of 22 nm on the substrate.

（ＩＴＯ膜のパターン化）
このようにして得られた可撓性透明基材上に透明導電体層としてＩＴＯ膜が形成された積層体から、７ｃｍ四方の矩形の試験片を切り出し、ＩＴＯ膜の表面に幅２ｍｍのポリイミドテープを２ｍｍ間隔で複数貼り合わせた。この際、スパッタ製膜時の搬送方向（以下、「ＭＤ方向」）がパターン化方向となるように、ＭＤ方向と直交する方向（以下、「ＴＤ方向」）にテープを貼り合わせた。この試験片を５０℃に加温した５ｗｔ％塩酸水溶液に１０分間浸漬させ、非マスキング部（ポリイミドテープが貼り合わせられていない部分）の透明導電体層のエッチング処理を行った。透明導電体層を除去後の試料を、十分な量の純水に浸漬することによって水洗した後、ポリイミドテープをゆっくりと剥離した。 (Patterning of ITO film)
A 7 cm square rectangular test piece was cut out from the laminate in which the ITO film was formed as a transparent conductor layer on the flexible transparent substrate thus obtained, and a polyimide tape having a width of 2 mm was formed on the surface of the ITO film. A plurality of layers were bonded at intervals of 2 mm. At this time, the tape was bonded in a direction orthogonal to the MD direction (hereinafter referred to as “TD direction”) so that the transport direction (hereinafter referred to as “MD direction”) during sputtering film formation becomes the patterning direction. This test piece was immersed in a 5 wt% hydrochloric acid aqueous solution heated to 50 ° C. for 10 minutes, and the transparent conductor layer in the non-masking portion (portion where the polyimide tape was not bonded) was etched. The sample after removing the transparent conductor layer was washed with water by immersing it in a sufficient amount of pure water, and then the polyimide tape was slowly peeled off.

（加熱処理）
パターン化後の透明導電性フィルムを、７０℃のオーブン中で５分間加熱して、乾燥を行った。 (Heat treatment)
The patterned transparent conductive film was dried in a 70 ° C. oven for 5 minutes.

（段差の評価）
このようにして得られたＩＴＯ膜がパターン化された透明導電性フィルムを、ＩＴＯ膜面を上にした状態で、ハンドローラーを用いて、厚み２２μｍのアクリル系粘着剤層を介してガラス板に貼り合わせた。小坂研究所社製の微細形状測定機（型番「ＥＴ４０００」）を用いて、カットオフ値０．８ｍｍ、速度０．２ｍｍ／秒でＩＴＯ膜形成面側の試料表面を走査させ、透明導電体層が形成されているパターン形成部と透明導電体層が除去されたパターン開口部との境界における段差を計測した。また、目視にて、パターン形成部とパターン開口部との判別ができるか否かを評価した。目視距離は２０ｃｍ、目視角度はサンプル面から４０度とした。 (Evaluation of level difference)
The transparent conductive film patterned with the ITO film thus obtained was placed on a glass plate through an acrylic adhesive layer having a thickness of 22 μm using a hand roller with the ITO film surface facing upward. Pasted together. Using a fine shape measuring machine (model number “ET4000”) manufactured by Kosaka Laboratory Ltd., the sample surface on the ITO film forming side is scanned at a cut-off value of 0.8 mm and a speed of 0.2 mm / second to obtain a transparent conductor layer The level difference was measured at the boundary between the pattern forming portion on which the pattern was formed and the pattern opening from which the transparent conductor layer was removed. Further, it was evaluated whether or not the pattern forming portion and the pattern opening portion can be visually discriminated. The viewing distance was 20 cm, and the viewing angle was 40 degrees from the sample surface.

（熱処理時の寸法変化率の測定）
以下のように、透明導電体層が形成されている積層体をパターン形成部、透明導電体層をエッチングにより除去したものをパターン開口部とみなして、上記の加熱処理と同様の加熱を行った際のそれぞれの寸法変化率を測定した。
（１）パターン形成部の寸法変化率
可撓性透明基材上に透明導電体層としてＩＴＯ膜が形成された積層体から、７ｃｍ四方の矩形の試験片を切り出し、５０℃の純水に１０分間浸漬した。パターン化方向（ＭＤ方向）に約５０ｍｍの間隔で２点の標点（傷）を可撓性透明基材上に形成した後、上記の加熱処理と同様に７０℃で５分間の加熱をおこない、加熱前の標点間距離Ｌ０および、加熱後の標点間距離Ｌを、ＴＯＰＣＯＮ社製の表面座標測定機（型番「ＣＰ６００Ｓ」）により測定して、パターン形成部の寸法変化率Ｈ１＝１００×（Ｌ−Ｌ０）／Ｌ０（％）を求めた。
（２）パターン開口部の寸法変化率
可撓性透明基材上に透明導電体層としてＩＴＯ膜が形成された積層体から、７ｃｍ四方の矩形の試験片を切り出し、上記のＩＴＯ膜のパターン化の場合と同様に、５０℃に加温した５ｗｔ％塩酸水溶液に１０分間浸漬してＩＴＯ膜を除去した。その後、パターン形成部に関して上記したのと同様に熱処理を行い、加熱前後での寸法変化率Ｈ２を測定した。 (Measurement of dimensional change rate during heat treatment)
As described below, the laminated body on which the transparent conductor layer was formed was regarded as a pattern forming portion, and the transparent conductor layer removed by etching was regarded as a pattern opening portion, and heating similar to the above heat treatment was performed. Each dimensional change rate was measured.
(1) Dimensional change rate of pattern formation part A 7 cm square rectangular test piece was cut out from a laminate in which an ITO film was formed as a transparent conductor layer on a flexible transparent substrate, and 10% in 50 ° C. pure water. Immerse for a minute. Two mark points (scratches) are formed on the flexible transparent substrate at intervals of about 50 mm in the patterning direction (MD direction), and then heated at 70 ° C. for 5 minutes in the same manner as the above heat treatment. The distance L 0 between the gauge points before heating and the distance L between the gauge points after heating are measured by a surface coordinate measuring machine (model number “CP600S”) manufactured by TOPCON, and the dimensional change rate H 1 of the pattern forming portion is measured. = 100 × (L−L 0 ) / L 0 (%) was determined.
(2) Dimensional change rate of pattern opening A rectangular test piece of 7 cm square is cut out from a laminate in which an ITO film is formed as a transparent conductor layer on a flexible transparent substrate, and the above ITO film is patterned. Similarly to the above, the ITO film was removed by immersing in a 5 wt% hydrochloric acid aqueous solution heated to 50 ° C. for 10 minutes. Thereafter, a heat treatment in the same manner as described above with respect to the pattern forming unit, the dimensional change was measured of H 2 before and after heating.

［実施例２］
メラミン樹脂：アルキド樹脂：有機シラン縮合物を、固形分で２：２：１の重量比で含む熱硬化型樹脂組成物を、固形分濃度が８重量％となるようにメチルエチルケトンで希釈した。この溶液を、実施例１で用いたのと同様の厚み２３μｍのＰＥＴフィルムの一方の面に塗布し、１５０℃で２分間加熱硬化させ、膜厚３３ｎｍの光学干渉層（屈折率：１．５４）を形成した（この光学干渉層を「アンダーコート層Ａ」とする）。このアンダーコート層Ａが形成されたＰＥＴフィルムを可撓性透明基材として用い、アンダーコート層形成面側にＩＴＯ膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電性フィルムの作製および評価を行った。 [Example 2]
A thermosetting resin composition containing a melamine resin: alkyd resin: organosilane condensate in a weight ratio of 2: 2: 1 in terms of solid content was diluted with methyl ethyl ketone so that the solid content concentration was 8% by weight. This solution was applied to one surface of a 23 μm thick PET film similar to that used in Example 1 and cured by heating at 150 ° C. for 2 minutes to form a 33 nm thick optical interference layer (refractive index: 1.54). (This optical interference layer is referred to as “undercoat layer A”). Using the PET film with the undercoat layer A formed as a flexible transparent substrate, the transparent conductive film of the transparent conductive film was formed in the same manner as in Example 1 except that an ITO film was formed on the undercoat layer forming surface side. Fabrication and evaluation were performed.

［実施例３］
実施例１で用いたのと同様の厚み２３μｍのＰＥＴフィルムの一方の面に、ドライプロセスにより、厚み５０ｎｍ、屈折率１．６〜１．９のＳｉＯｘ（ｘは１．５以上２未満）からなる光学干渉層を形成した（この光学干渉層を「アンダーコート層Ｂ」とする）。このアンダーコート層Ｂが形成されたＰＥＴフィルムを可撓性透明基材として用い、アンダーコート層形成面側にＩＴＯ膜を形成したこと、および加熱処理工程における温度を１２０℃、加熱時間を５分間としたこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電性フィルムの作製および評価を行った。 [Example 3]
From one surface of a PET film having a thickness of 23 μm similar to that used in Example 1, by dry process, SiOx having a thickness of 50 nm and a refractive index of 1.6 to 1.9 (x is 1.5 or more and less than 2). An optical interference layer was formed (this optical interference layer is referred to as “undercoat layer B”). The PET film on which this undercoat layer B was formed was used as a flexible transparent substrate, an ITO film was formed on the undercoat layer forming surface side, and the temperature in the heat treatment step was 120 ° C., and the heating time was 5 minutes. A transparent conductive film was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that.

［実施例４］
アクリル・ウレタン系樹脂（ＤＩＣ製 商品名「ユニディック１７−８０６」）１００重量部に、光重合開始剤として、ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン（チバガイギー製 商品名「イルガキュア１８４」）５重量部を加え、トルエンで希釈して、固形分が３０重量％となるようにハードコート塗布溶液を調製した。この溶液を、実施例１で用いたのと同様の厚み２３μｍのＰＥＴフィルムの一方の面に塗布し、１００℃で３分間加熱乾燥した後、オゾンタイプ高圧水銀灯（エネルギー密度８０Ｗ／ｃｍ２、１５ｃｍ集光型）２灯で紫外線照射（積算光量３００ｍＪ／ｃｍ２）を行い、厚さ２μｍのハードコート層を形成した（このハードコート層を「アンダーコート層Ｃ」とする）。このアンダーコート層Ｃが形成されたＰＥＴフィルムを可撓性透明基材として用い、アンダーコート層形成面側にＩＴＯ膜を形成したこと、および加熱処理工程における温度を１６０℃、加熱時間を５分間としたこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電性フィルムの作製および評価を行った。 [Example 4]
5 parts by weight of hydroxycyclohexyl phenyl ketone (trade name “Irgacure 184” manufactured by Ciba Geigy) is added as a photopolymerization initiator to 100 parts by weight of acrylic / urethane resin (trade name “Unidic 17-806” manufactured by DIC). A hard coat coating solution was prepared by diluting with toluene to a solid content of 30% by weight. This solution was applied to one surface of a PET film having a thickness of 23 μm similar to that used in Example 1, dried by heating at 100 ° C. for 3 minutes, and then an ozone type high-pressure mercury lamp (energy density 80 W / cm 2 , 15 cm). (Condensing type) Two lamps were irradiated with ultraviolet rays (integrated light quantity 300 mJ / cm 2 ) to form a hard coat layer having a thickness of 2 μm (this hard coat layer is referred to as “undercoat layer C”). Using the PET film on which this undercoat layer C was formed as a flexible transparent substrate, an ITO film was formed on the undercoat layer forming surface side, and the temperature in the heat treatment step was 160 ° C., and the heating time was 5 minutes. A transparent conductive film was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that.

［実施例５］
厚み５０μｍの二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱樹脂製 商品名「ダイアホイル」、屈折率１．６５）の一方の面に、実施例２と同様にアンダーコート層Ａを形成した。このＰＥＴフィルムを可撓性透明基材として用い、アンダーコート層形成面側にＩＴＯ膜を形成したこと、および加熱処理工程における温度を１６０℃、加熱時間を５分間としたこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電性フィルムの作製および評価を行った。 [Example 5]
An undercoat layer A was formed in the same manner as in Example 2 on one surface of a biaxially stretched polyethylene terephthalate film (trade name “Diafoil”, refractive index 1.65, manufactured by Mitsubishi Plastics) having a thickness of 50 μm. Except that this PET film was used as a flexible transparent substrate, an ITO film was formed on the undercoat layer forming surface side, and the temperature in the heat treatment step was 160 ° C. and the heating time was 5 minutes. In the same manner as in No. 1, a transparent conductive film was produced and evaluated.

［実施例６］
実施例１と同様にして、可撓性透明基材上にＩＴＯ膜が形成された積層体を作製した後、ＩＴＯ膜のパターン化において、ポリイミドテープを貼る方向を変えて、ＴＤ方向にパターン化を行った。また、寸法変化率はＴＤ方向について行った。それ以外は実施例１と同様にして、透明導電性フィルムの作製および評価を行った。 [Example 6]
In the same manner as in Example 1, after preparing a laminate in which an ITO film was formed on a flexible transparent substrate, in the patterning of the ITO film, the direction in which the polyimide tape was applied was changed to be patterned in the TD direction. Went. The dimensional change rate was performed in the TD direction. Other than that was carried out similarly to Example 1, and produced and evaluated the transparent conductive film.

［比較例１］
加熱処理工程における温度を１２０℃、加熱時間を５分間としたこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電性フィルムの作製および評価を行った。 [Comparative Example 1]
A transparent conductive film was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the temperature in the heat treatment step was 120 ° C. and the heating time was 5 minutes.

［比較例２］
加熱処理工程における温度を１６０℃、加熱時間を５分間としたこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電性フィルムの作製および評価を行った。 [Comparative Example 2]
A transparent conductive film was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the temperature in the heat treatment step was 160 ° C. and the heating time was 5 minutes.

［比較例３］
加熱処理工程における温度を１２０℃、加熱時間を５分間としたこと以外は、実施例２と同様にして、透明導電性フィルムの作製および評価を行った。 [Comparative Example 3]
A transparent conductive film was prepared and evaluated in the same manner as in Example 2 except that the temperature in the heat treatment step was 120 ° C. and the heating time was 5 minutes.

［比較例４］
加熱処理工程における温度を１６０℃、加熱時間を５分間としたこと以外は、実施例２と同様にして、透明導電性フィルムの作製および評価を行った。 [Comparative Example 4]
A transparent conductive film was produced and evaluated in the same manner as in Example 2 except that the temperature in the heat treatment step was 160 ° C. and the heating time was 5 minutes.

［比較例５］
加熱処理工程における温度を１６０℃、加熱時間を５分間としたこと以外は、実施例３と同様にして、透明導電性フィルムの作製および評価を行った。 [Comparative Example 5]
A transparent conductive film was produced and evaluated in the same manner as in Example 3 except that the temperature in the heat treatment step was 160 ° C. and the heating time was 5 minutes.

［比較例６］
加熱処理工程における温度を１６０℃、加熱時間を５分間としたこと以外は、実施例６と同様にして、透明導電性フィルムの作製および評価を行った。 [Comparative Example 6]
A transparent conductive film was produced and evaluated in the same manner as in Example 6 except that the temperature in the heat treatment step was 160 ° C. and the heating time was 5 minutes.

上記各実施例および比較例の透明導電性フィルムの作製条件および評価結果を表１に示す。なお、パターンの目視評価は下記の３段階で評価した結果を示している。
○：パターン形成部とパターン開口部の判別が困難である。
△：パターン形成部とパターン開口部とをわずかに判別できる。
×：パターン形成部とパターン開口部とをはっきりと判別できる。 Table 1 shows the production conditions and evaluation results of the transparent conductive films of the above Examples and Comparative Examples. In addition, visual evaluation of the pattern has shown the result evaluated in the following three steps.
○: It is difficult to distinguish between the pattern forming portion and the pattern opening.
(Triangle | delta): A pattern formation part and a pattern opening part can be discriminate | determined slightly.
X: A pattern formation part and a pattern opening part can be distinguished clearly.

Figure 2015128070
Figure 2015128070

表１から明らかなように、Ｈ１−Ｈ２の絶対値が０．０３％未満であると、パターン境界での段差が小さくなり、パターン境界が視認され難いことがわかる。また、実施例１、比較例１、および比較例２の対比、実施例２、比較例３、および比較例４の対比、ならびに実施例３と比較例５との対比から、基材が同一であれば、熱処理工程におけるＨ１−Ｈ２の絶対値が小さいほど、段差が抑制されていることがわかる。 As can be seen from Table 1, when the absolute value of H 1 -H 2 is less than 0.03%, the step at the pattern boundary becomes small and the pattern boundary is difficult to be visually recognized. Further, from the comparison between Example 1, Comparative Example 1 and Comparative Example 2, the comparison between Example 2, Comparative Example 3 and Comparative Example 4, and the comparison between Example 3 and Comparative Example 5, the base materials were the same. if, as the absolute value of H 1 -H 2 is small in the heat treatment step, it can be seen that a step is suppressed.

Figure 2015128070
Figure 2015128070

また、表２から明らかなように、熱処理工程における加熱温度が１００℃未満であると、Ｈ１−Ｈ２の絶対値が０．０３％未満に抑制され、パターン境界での段差が小さくなり、パターン境界が視認され難いことがわかる。また、実施例１、比較例１、および比較例２の対比、実施例２、比較例３、および比較例４の対比、ならびに実施例６と比較例６との対比から、基材が同一であれば、熱処理工程における加熱温度が低いほど、段差が抑制されていることがわかる。 Further, as is apparent from Table 2, when the heating temperature in the heat treatment step is less than 100 ° C., the absolute value of H 1 -H 2 is suppressed to less than 0.03%, and the step at the pattern boundary is reduced. It can be seen that the pattern boundary is hardly visible. Further, from the comparison between Example 1, Comparative Example 1 and Comparative Example 2, the comparison between Example 2, Comparative Example 3 and Comparative Example 4, and the comparison between Example 6 and Comparative Example 6, the base materials were the same. If it exists, it turns out that a level | step difference is suppressed, so that the heating temperature in a heat treatment process is low.

図７は、各実施例および比較例のＨ１−Ｈ２に対して、パターン境界の段差をプロットしたものである。図７によれば、Ｈ１−Ｈ２の絶対値が大きくなるにしたがって段差が大きくなり、基材の厚みやアンダーコート層の種類、および透明導電体層のパターン化方向に関わらず、Ｈ１−Ｈ２の値と段差とが高い相関を示していることがわかる。したがって、Ｈ１−Ｈ２を所定範囲とすることで、段差が低減され、パターン境界が視認され難くなることがわかる。 FIG. 7 is a plot of pattern boundary steps against H 1 -H 2 of each example and comparative example. According to FIG. 7, step becomes larger as the absolute value of H 1 -H 2 increases, regardless of the patterned direction of the base material of the type of thickness and the undercoat layer, and a transparent conductor layer, H 1 It can be seen that the value of −H 2 and the level difference show a high correlation. Therefore, it can be seen that by setting H 1 -H 2 within a predetermined range, the step is reduced and the pattern boundary is hardly visually recognized.

１ 可撓性透明基材
１１ 透明フィルム基材
１２ アンダーコート層
２ 透明導電体層
３ 粘着剤層
５０ 基体
１００ 透明導電性フィルム DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Flexible transparent base material 11 Transparent film base material 12 Undercoat layer 2 Transparent conductor layer 3 Adhesive layer 50 Base body 100 Transparent conductive film

Claims (7)

透明フィルム基材を有する可撓性透明基材の一方の面にパターン化された透明導電体層を有する透明導電性フィルムを製造する方法であって、該透明導電性フィルムは、可撓性透明基材上に透明導電体層を有するパターン形成部と、可撓性透明基材上に透明導電体層を有していないパターン開口部とを有し、可撓性透明基材の厚みは８０μｍ以下であり、
可撓性透明基材上にパターン化されていない透明導電体層が形成された積層体を準備する積層体準備工程、
前記透明導電体層の一部を除去して、可撓性透明基材上に透明導電体層を有するパターン形成部と、可撓性透明基材上に透明導電体層を有していないパターン開口部とにパターン化するパターン化工程、および
透明導電体層がパターン化された後の前記積層体を加熱する熱処理工程、を有し、
熱処理工程における、パターン形成部の寸法変化率Ｈ１とパターン開口部の寸法変化率Ｈ２との差Ｈ１−Ｈ２の絶対値が０．０３％未満である、透明導電性フィルムの製造方法。 A method for producing a transparent conductive film having a transparent conductor layer patterned on one surface of a flexible transparent substrate having a transparent film substrate, wherein the transparent conductive film is flexible and transparent It has a pattern forming part having a transparent conductor layer on the substrate, and a pattern opening having no transparent conductor layer on the flexible transparent substrate, and the thickness of the flexible transparent substrate is 80 μm. And
A laminate preparation step of preparing a laminate in which an unpatterned transparent conductor layer is formed on a flexible transparent substrate;
A pattern forming portion having a transparent conductor layer on a flexible transparent substrate by removing a part of the transparent conductor layer, and a pattern having no transparent conductor layer on a flexible transparent substrate A patterning step of patterning the opening, and a heat treatment step of heating the laminate after the transparent conductor layer is patterned,
In the heat treatment step, the absolute value of the difference H 1 -H 2 the dimensional change rate of H 2 dimensional change H 1 and the pattern opening of the pattern forming portion is less than 0.03%, the manufacturing method of the transparent conductive film . 透明フィルム基材を有する可撓性透明基材の一方の面にパターン化された透明導電体層を有する透明導電性フィルムを製造する方法であって、該透明導電性フィルムは、可撓性透明基材上に透明導電体層を有するパターン形成部と、可撓性透明基材上に透明導電体層を有していないパターン開口部とを有し、可撓性透明基材の厚みは８０μｍ以下であり、
可撓性透明基材上にパターン化されていない透明導電体層が形成された積層体を準備する積層体準備工程、
前記透明導電体層の一部を除去して、可撓性透明基材上に透明導電体層を有するパターン形成部と、可撓性透明基材上に透明導電体層を有していないパターン開口部とにパターン化するパターン化工程、および
透明導電体層がパターン化された後の前記積層体を加熱する熱処理工程、を有し、
前記熱処理工程における加熱温度が、１００℃未満である、透明導電性フィルムの製造方法。 A method for producing a transparent conductive film having a transparent conductor layer patterned on one surface of a flexible transparent substrate having a transparent film substrate, wherein the transparent conductive film is flexible and transparent It has a pattern forming part having a transparent conductor layer on the substrate, and a pattern opening having no transparent conductor layer on the flexible transparent substrate, and the thickness of the flexible transparent substrate is 80 μm. And
A laminate preparation step of preparing a laminate in which an unpatterned transparent conductor layer is formed on a flexible transparent substrate;
A pattern forming portion having a transparent conductor layer on a flexible transparent substrate by removing a part of the transparent conductor layer, and a pattern having no transparent conductor layer on a flexible transparent substrate A patterning step of patterning the opening, and a heat treatment step of heating the laminate after the transparent conductor layer is patterned,
The manufacturing method of the transparent conductive film whose heating temperature in the said heat processing process is less than 100 degreeC. 前記熱処理工程における、パターン形成部の寸法変化率Ｈ１とパターン開口部の寸法変化率Ｈ２との差Ｈ１−Ｈ２の絶対値が０．０３％未満である、請求項２に記載の透明導電性フィルムの製造方法。 In the heat treatment step, the absolute value of the difference H 1 -H 2 the dimensional change rate of H 2 dimensional change H 1 and the pattern opening of the pattern forming portion is less than 0.03%, according to claim 2 A method for producing a transparent conductive film. 前記透明導電体層の一部の除去を、エッチャントを用いたウェットエッチングにより行い、かつ、
前記熱処理工程では前記積層体を加熱乾燥する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。 Removing part of the transparent conductor layer by wet etching using an etchant; and
The manufacturing method of the transparent conductive film of any one of Claims 1-3 which heat-drys the said laminated body in the said heat processing process. 前記可撓性透明基材は、前記透明フィルム基材の透明導電体層形成面側にアンダーコート層が形成されたものである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。   The transparent conductive material according to any one of claims 1 to 4, wherein the flexible transparent substrate is formed by forming an undercoat layer on the transparent conductor layer forming surface side of the transparent film substrate. A method for producing a film. 前記透明導電体層はスズドープ酸化インジウムからなる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。   The said transparent conductor layer is a manufacturing method of the transparent conductive film of any one of Claims 1-5 which consists of tin dope indium oxide. 前記可撓性透明基材は、前記透明フィルム基材としてポリエチレンテレフタレートフィルムが用いられている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。   The said transparent transparent base material is a manufacturing method of the transparent conductive film of any one of Claims 1-6 in which the polyethylene terephthalate film is used as the said transparent film base material.
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