JP2015119096A - Light-emitting device - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
Description
本発明は、LEDチップを利用した発光装置に係り、特に、その回線構造に関する。 The present invention relates to a light emitting device using an LED chip, and more particularly to a line structure thereof.
発光ダイオード(LED)を用いたLEDランプは、液晶ディスプレイ、携帯電話、情報端末などのバックライト、屋内外広告など、多方面への展開が飛躍的に進んでいる。さらに、LEDランプは、長寿命で信頼性が高く、また消費電力、耐衝撃性、高純度表示、軽薄短小化の実現などの特徴を有することから、産業用途のみならず、一般照明用途への適用も試みられている。 LED lamps using light-emitting diodes (LEDs) have been dramatically expanded in various fields such as backlights for liquid crystal displays, mobile phones, information terminals, and indoor / outdoor advertisements. Furthermore, LED lamps have features such as long life and high reliability, and features such as power consumption, impact resistance, high-purity display, lightness, thinness, and so on. Application is also being attempted.
このようなLEDを用いた発光装置の構造としては、実装基板上に複数のLEDチップを実装するCOB(Chip on Board)型の発光装置が知られている(例えば、特許文献1)。このCOB型の発光装置には、LEDチップの直列接続のためにワイヤを用いたものがある。このワイヤを用いたCOB型の発光装置は、実装基板上に、サファイヤ基板上に形成されたLEDチップを複数搭載し、各LEDチップの上面の正極及び負極パッドから金ワイヤなどで連続的に配線することで各LEDチップを電気的に接続し、これらのLEDチップを、蛍光体を含有する樹脂で封止して構成される。 As a structure of a light emitting device using such an LED, a COB (Chip on Board) type light emitting device in which a plurality of LED chips are mounted on a mounting substrate is known (for example, Patent Document 1). Some of these COB type light emitting devices use wires for serial connection of LED chips. In this COB type light emitting device using wires, a plurality of LED chips formed on a sapphire substrate are mounted on a mounting substrate, and are continuously wired with a gold wire or the like from the positive and negative pads on the upper surface of each LED chip. Thus, each LED chip is electrically connected, and these LED chips are sealed with a resin containing a phosphor.
このような発光装置の回路図を示すと、図11に示すようになる。すなわち、複数のLEDチップがワイヤで直列に接続されてLEDチップ列を形成し、このLEDチップ列が複数並列接続されて構成されている。 A circuit diagram of such a light emitting device is shown in FIG. That is, a plurality of LED chips are connected in series with a wire to form an LED chip array, and a plurality of LED chip arrays are connected in parallel.
上記のようなワイヤを用いたCOB型の発光装置は、ワイヤが邪魔になるため高密度化に限界がある。すなわち、隣接するLEDチップ同士をワイヤで繋ぐため、ワイヤ同士が接触すると短絡が発生したり、近すぎたりしてワイヤループが形成できない。これを防止するためには、LEDチップ同士を一定程度離して実装する必要があることから、高密度化には限界があった。 The COB type light emitting device using the wire as described above has a limit in increasing the density because the wire becomes an obstacle. That is, since adjacent LED chips are connected to each other by a wire, when the wires come into contact with each other, a short circuit occurs or the wire loop cannot be formed due to being too close. In order to prevent this, since it is necessary to mount the LED chips apart from each other by a certain distance, there is a limit to increasing the density.
また、実装基板とLEDチップとは絶縁されているため、LEDチップ間等の導通はワイヤに頼ることになる。LEDチップ及びワイヤは樹脂によって封止されているため、LEDチップが発した熱によって樹脂が膨張・収縮する。この樹脂の膨張・収縮によりワイヤにストレスがかかり、ワイヤがLEDチップや実装基板から剥がれて断線する恐れがある。 Further, since the mounting substrate and the LED chip are insulated, the conduction between the LED chips or the like depends on the wire. Since the LED chip and the wire are sealed with resin, the resin expands and contracts due to the heat generated by the LED chip. Due to the expansion / contraction of the resin, stress is applied to the wire, and the wire may be peeled off from the LED chip or the mounting substrate.
上記のように、LEDチップは複数直列に接続されているため、何れかのLEDチップに断線が生じると、そのチップを含む1列全てが不灯になり、点灯パターンに発光ムラが発生し光量が大きく低下してしまう。つまり、例えば、LEDチップ列が6列並列接続されている場合には、残りの5列に設定値を超える電流が流れることになり、信頼性を大きく損ねてしまう恐れがあった。 As described above, since a plurality of LED chips are connected in series, if any LED chip is disconnected, all the rows including that chip are turned off, causing uneven light emission in the lighting pattern. Will drop significantly. That is, for example, when six LED chip rows are connected in parallel, a current exceeding the set value flows in the remaining five rows, and there is a possibility that reliability may be greatly impaired.
一方、COB型の発光装置には、ワイヤを用いて導通を確保する方式の他に、フリップチップ実装方式が知れられている。このフリップチップ実装では、LEDチップの裏面に電極を形成し、実装基板上に配設した配線パターンにその電極を接続する形で導通を確保する。この実装方式によれば、ワイヤを用いることなく導通を確保することができるため、高密度に実装することが可能になる。 On the other hand, as a COB type light emitting device, a flip chip mounting method is known in addition to a method of ensuring conduction using a wire. In this flip chip mounting, an electrode is formed on the back surface of the LED chip, and conduction is ensured by connecting the electrode to a wiring pattern arranged on the mounting substrate. According to this mounting method, conduction can be ensured without using a wire, so that mounting can be performed at high density.
しかし、この実装方式によればLEDチップ列を構成するLEDチップ数を増大させることができ大光量の発光装置を得ることが可能であるが、このフリップチップ実装方式によっても、上記のような信頼性を大きく損ねる問題は解消しない。すなわち、フリップチップ実装方式であっても、上記のような複数のLEDチップを直列接続したLEDチップ列を複数並列接続する回路構成では、故障等により一つのLEDチップが断線した場合、そのLEDチップを含む1列全てが不灯になる。そのため、高密度実装が可能になった分だけ失われる光量も大幅に増大することになり、却って信頼性を大きく低下させる原因になっていた。 However, according to this mounting method, it is possible to increase the number of LED chips constituting the LED chip array and to obtain a light emitting device with a large amount of light. However, even with this flip chip mounting method, the above-described reliability is achieved. The problem that greatly impairs the performance is not solved. That is, even in the flip-chip mounting method, when one LED chip is disconnected due to a failure or the like in a circuit configuration in which a plurality of LED chip arrays in which a plurality of LED chips are connected in series as described above are connected in parallel, the LED chip All the rows that contain are unlit. For this reason, the amount of light lost as much as high-density mounting becomes possible increases significantly, which is a cause of greatly reducing reliability.
また、上記の点を解消しようとしても、直列回路及び並列回路の両方を配線パターンだけで実現しようとすると配線パターンの構造が複雑になってしまい、製造が困難なものになっていた。このように、高密度実装と信頼性の向上とを両立させて製造することは困難であった。 Moreover, even if it was going to eliminate said point, when it was going to implement | achieve both a serial circuit and a parallel circuit only with a wiring pattern, the structure of the wiring pattern became complicated and it was difficult to manufacture. Thus, it has been difficult to achieve both high-density mounting and improved reliability.
さらに、高密度実装するフリップチップ実装方式では、LEDチップ同士の短絡防止のため誤差の許容度が低い。すなわち、短絡するとその場所に電流が集中するため、LEDチップの不灯の一因となり、結果として上記のような大幅な光量低下に繋がる恐れがあった。 Further, in the flip chip mounting method in which high-density mounting is performed, the tolerance of error is low in order to prevent a short circuit between the LED chips. That is, when the short circuit occurs, the current concentrates in the place, which causes the LED chip to be unlit, and as a result, there is a fear that the light amount is significantly reduced as described above.
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、フリップチップ実装による高密度実装が可能で、光量の信頼性の高い発光装置を提供することにある。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a light-emitting device capable of high-density mounting by flip-chip mounting and having high light quantity reliability.
本発明のフリップチップ実装方式の発光装置は、次の構成(1)〜(5)を備えることを特徴とする。
(1)表面に配線パターンを有する実装基板。
(2)実装基板上に配置され、配線パターンに電気的に接続された複数の発光素子。
(3)配線パターンは、所定の間隔を保って平配置されたアノードパターン及びカソードパターンと、これらアノードパターンとカソードパターンの間に、両パターンとは所定の間隔を保って配置された並列接続用パターンとを有していること。
(4)アノードパターンと並列接続用パターンには、複数の発光素子が、各発光素子のアノード電極がアノードパターンに接続し、カソード電極が並列接続用パターンに接続するように実装され、並列接続用パターンとカソードパターンには、複数の発光素子が、各発光素子のアノード電極が並列接続用パターンに接続し、カソード電極がカソードパターンに接続するように実装されていること。
(5)各発光素子のそれぞれが、配線パターンによって隣接する他の発光素子と直列及び並列に接続されていること。
The flip-chip mounting type light emitting device of the present invention includes the following configurations (1) to (5).
(1) A mounting board having a wiring pattern on its surface.
(2) A plurality of light emitting elements arranged on the mounting substrate and electrically connected to the wiring pattern.
(3) The wiring pattern is an anode pattern and a cathode pattern arranged flat with a predetermined interval, and between the anode pattern and the cathode pattern, both patterns are for parallel connection arranged with a predetermined interval Having a pattern.
(4) In the anode pattern and the parallel connection pattern, a plurality of light emitting elements are mounted such that the anode electrode of each light emitting element is connected to the anode pattern and the cathode electrode is connected to the parallel connection pattern. In the pattern and the cathode pattern, a plurality of light emitting elements are mounted such that the anode electrode of each light emitting element is connected to the pattern for parallel connection and the cathode electrode is connected to the cathode pattern.
(5) Each light emitting element is connected in series and in parallel with other adjacent light emitting elements by a wiring pattern.
また、次の構成(6)〜(11)を備えるようにしても良い。
(6)並列接続用パターンは、アノードパターンとカソードパターンとの間に、所定の間隔を保って複数配置され、互いに隣接する並列接続用パターンには、複数の発光素子が、各発光素子のアノード電極が一方の並列接続用パターンに接続し、各発光素子のカソード電極が他方の並列接続用パターンに接続するように実装されていること。
Further, the following configurations (6) to (11) may be provided.
(6) A plurality of parallel connection patterns are arranged between the anode pattern and the cathode pattern at a predetermined interval, and a plurality of light emitting elements are connected to the parallel connection patterns adjacent to each other. It is mounted so that the electrode is connected to one parallel connection pattern and the cathode electrode of each light emitting element is connected to the other parallel connection pattern.
(7)配線パターンは、折り返し用パターンを更に有し、アノードパターン及びカソードパターンは、実装基板上の片側に所定の間隔を保って配置され、折り返し用パターンは、アノードパターン及びカソードパターンの位置とは反対側に、アノードパターン及びカソードパターンの両方と対向するように配置され、並列接続用パターンは、アノードパターンと折り返し用パターンとの間、及び、折り返し用パターンとカソードパターンとの間に、それぞれ所定の間隔を保って配置され、折り返し用パターンと隣接する2つの並列接続用パターンには、複数の発光素子が、各発光素子のアノード電極がその一方の並列接続用パターンに接続し、各発光素子のカソード電極が折り返し用パターンに接続するように実装され、他の複数の発光素子が、発光素子のアノード電極が折り返し用パターンに接続し、カソード電極が他方の並列接続用パターンに接続するように実装され、直列の接続が、折り返されて構成されていること。 (7) The wiring pattern further includes a folding pattern, and the anode pattern and the cathode pattern are arranged on one side of the mounting substrate at a predetermined interval, and the folding pattern includes the positions of the anode pattern and the cathode pattern. Are arranged on the opposite side so as to face both the anode pattern and the cathode pattern, and the parallel connection pattern is between the anode pattern and the folding pattern, and between the folding pattern and the cathode pattern, respectively. The two parallel connection patterns that are arranged at a predetermined interval and are adjacent to the folding pattern have a plurality of light emitting elements, and the anode electrode of each light emitting element is connected to one of the parallel connection patterns. A plurality of other light emitting elements mounted such that the cathode electrode of the element is connected to the folding pattern , Connected to the folded pattern has the anode electrode of the light emitting element, the cathode electrode is mounted so as to be connected to a parallel connection pattern of the other, that the series connection is configured by folding back.
(8)配線パターンに、各発光素子の位置決め手段を設けること。
(9)位置決め手段は、配線パターンに設けられた切欠き形状であること。
(10)実装基板がセラミック系基板又は金属基板であること。
(11)実装基板が窒化アルミニウム基板であること。
(8) Provide positioning means for each light emitting element in the wiring pattern.
(9) The positioning means has a notch shape provided in the wiring pattern.
(10) The mounting substrate is a ceramic substrate or a metal substrate.
(11) The mounting substrate is an aluminum nitride substrate.
本発明によれば、複数の発光素子のそれぞれが、配線パターンによって、他の隣接する発光素子と直列及び並列に接続されているため、1直列ごとに並列回路が構成されている。そのため、何れか一つの発光素子が剥がれる等の断線が発生しても、一つの発光素子のみの不灯で抑えることができる。従って、フリップチップ実装により高密度実装が可能で、光量の信頼性の高い発光装置を得ることができる。 According to the present invention, since each of the plurality of light emitting elements is connected in series and in parallel with other adjacent light emitting elements by the wiring pattern, a parallel circuit is formed for each series. Therefore, even if a disconnection occurs such that any one light-emitting element is peeled off, it can be suppressed by the non-lighting of only one light-emitting element. Therefore, high-density mounting is possible by flip chip mounting, and a light emitting device with high light quantity reliability can be obtained.
また、本発明によれば、発光素子に直列回路を構成させる構成であるので、配線パターンに直列回路用のパターンを設ける必要がなく、配線パターンの構造を極めて簡単にすることができる。そのため、高密度実装が可能で光量信頼性の高い発光装置を容易に製造することができる。 Further, according to the present invention, since the series circuit is configured in the light emitting element, it is not necessary to provide a pattern for the series circuit in the wiring pattern, and the structure of the wiring pattern can be extremely simplified. Therefore, a light emitting device capable of high-density mounting and having high light quantity reliability can be easily manufactured.
配線パターンに各発光素子の位置決め手段を設けた場合には、個々の発光素子に対して正確な位置決めが可能になるので、発光素子の短絡を防止しつつも高密度実装可能で光量の信頼性の高い発光装置を得ることができる。 When the wiring pattern is provided with positioning means for each light emitting element, it is possible to accurately position each light emitting element, so that high-density mounting is possible while preventing short-circuiting of the light emitting elements, and light quantity reliability Can be obtained.
以下、図面を参照して、本発明の実施形態の発光装置について説明する。 Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[1.第1実施形態]
[1−1.全体構成]
本実施形態に係る発光装置は、例えば、展示用照明、投光器、舞台のスポットライト等の高輝度大光量の用途に使用される。本発光装置の平面図を図1に示す。本発光装置は、複数のLEDチップ10と実装基板20とを備え、LEDチップ10が実装基板20にフリップチップ実装されている。すなわち、実装基板20上の配線パターン21に、複数のLEDチップ10がアレイ状に並べられて、金スズ等のはんだで電気的に接続されている。実装基板20上の配線パターン21は、図示しない外部電源装置と電気的に接続可能に構成されており、各LEDチップ10には、この外部電源装置から配線パターン21を介して電力が供給されるようになっている。
[1. First Embodiment]
[1-1. overall structure]
The light-emitting device according to the present embodiment is used for high-luminance and high-light-quantity applications such as exhibition lighting, projectors, stage spotlights, and the like. A plan view of the light emitting device is shown in FIG. The light emitting device includes a plurality of
本発光装置は、配線パターン21によって、各LEDチップ10がその隣接する他のLEDチップに対し、直列かつ並列に接続されている。図2は、本実施形態に係る発光装置の回路図である。図2に示すように、図2の横方向に複数のLEDチップ10が直列に接続されてLEDチップ列9を形成し、このLEDチップ列9が図2の縦方向に並列に接続されている。本発光装置は、多直列に構成されたLEDチップ列9が、1直列ごとに隣接する他のLEDチップ列9のLEDチップ10に並列に接続されている。なお、図1においては、11×11個のLEDチップ10を配置しているが、図2では簡単のため、LEDチップ10を6×11個の配置としている。
In the present light emitting device, each
以下、各部構成について詳細に説明し、各LEDチップ10が直並列に接続されていることを詳細に説明する。
Hereinafter, each part structure is demonstrated in detail and it demonstrates in detail that each
[1−2.各部構成]
(LEDチップ10)
LEDチップ10は、発光ダイオードであり、例えば主波長が420〜480nmの青色光を放射する。但し、特にこれに限定されず、緑色LEDチップ、赤色LEDチップ、近紫外LEDチップ等を用いることもできる。発光装置として白色光を得る場合には、例えば、青色、緑色、赤色のLEDチップを用いたマルチチップ方式で混色の原理により得るようにしても良いし、蛍光体を用いたシングルチップ方式により得るようにしても良い。LEDチップ10の数は、適宜変更可能である。
[1-2. Configuration of each part]
(LED chip 10)
The
図3(a)はLEDチップ10の斜視図であり、図3(b)はLEDチップ10の裏面の図である。LEDチップ10の形状は、図3(a)に示すように、ここでは矩形状である。これに限定されず、錐台形や円形等の形状でも良い。図3(b)に示すように、LEDチップ10は、その裏面に形成されたアノード電極11とカソード電極12とを有する。
FIG. 3A is a perspective view of the
アノード電極11及びカソード電極12は、メッキ、スパッタ、蒸着などにより形成された金属からなる導通部であり、実装基板20の配線パターン21と電気的に接続されている。本実施形態では、アノード電極11は細長く形成され、カソード電極12はアノード電極11より幅広に形成されている。また、アノード電極11とカソード電極12との間には、一方向に延びるギャップ13が形成されている。ギャップ13の幅は、例えば、アノード電極11の幅と同じ若しくは同程度である。これらの電極11、12は、ギャップ13により所定の間隔隔てられて絶縁されている。なお、特に図示しないが、アノード電極11及びカソード電極12と、配線パターン21の導通は、突起状の端子である導電性のバンプを介して行い、LEDチップ10と実装基板20との間を樹脂封入するようにしても良い。
The
(実装基板20)
図4は、実装基板20の平面図である。実装基板20は、窒化アルミニウム、アルミナ、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ホウ素などのセラミック系基板を用いることができる。実装基板20はセラミック系基板に限られず、他の材料からなる基板を用いても良い。例えば、アルミや銅などの金属基板、ガラスエポキシ系、シリコーン系などの樹脂系基板、ダイヤモンド、サファイヤ、窒化ガリウム、ZnO、酸化ガリウム等の絶縁性単結晶基板を用いても良い。セラミック系基板や金属基板は高い熱伝導性を有しており、LEDチップ10の熱の放熱性能が高いので好ましい。特に窒化アルミニウム基板が好ましい。この実装基板20上には、導電性の配線パターン21と、一方向に延び複数平行に並んだギャップ22と、所定の間隔で配置された複数の位置決めマーク23とが形成されている。
(Mounting board 20)
FIG. 4 is a plan view of the mounting
配線パターン21は、金属製の薄膜であり、メッキ加工により形成されている。配線パターン21は、ギャップ22及び位置決めマーク23を除いて、実装基板20の表面上のほぼ全面に形成されている。すなわち、エッチング処理等することにより、金属製薄膜に間隙又は切欠き部になったギャップ22及び位置決めマーク23が形成されている。なお、ギャップ22及び位置決めマーク23からは実装基板20の基板材料が露出している。
The
配線パターン21は、図4に示すように、それぞれ概略凹形状のアノードパターン21a及びカソードパターン21bと、概略I字形状の複数の並列接続用パターン21cとを有する。アノードパターン21a及びカソードパターン21bは、互いの両端部が所定の間隔を保って対向するように平行に配置されている。並列接続用パターン21cは、アノードパターン21a及びカソードパターン21bにより囲われた領域内に、所定の間隔を保って複数平行に配置されている。
As shown in FIG. 4, each
ギャップ22は、一方向に延び、複数平行に設けられている。本実施形態では、図4に示すように、I字形状の並列接続用パターン21cが延びる方向と同一方向(図4の縦方向)に延び、この方向と直交する方向(図4の横方向)に、各並列接続用パターン21c間、凹形状のアノードパターン21aとI字形状の並列接続用パターン21cとの間、及び、I字形状の並列接続用パターン21cと凹形状のカソードパターン21bとの間に、所定間隔で平行して複数設けられている。この間隔は、LEDチップ10の大きさに応じて適宜変更可能である。
The
ギャップ22の幅は、LEDチップ10裏面のギャップ13の幅と一致するか、若しくは略一致している。ギャップ22の形状は、LEDチップ10の電極11、12の形状による。
The width of the
位置決めマーク23は、配線パターン21に、各LEDチップ10に対して整列して設けられており、LEDチップ10を実装する際に、その実装位置を認識するためのガイドとして機能する。位置決めマーク23は、例えば、工作機械がそのアームや吸着ノズル等でLEDチップ10を実装する際にその機械にカメラを通じて認識させる場合や、作業員が手作業でLEDチップ10を実装する際に目視により認識する場合等に用いられる。
The
本実施形態では、LEDチップ10が矩形状であるため、位置決めマーク23はアレイ状に所定間隔を空けて、LEDチップ10の四隅に位置するように縦横に整列して設けられている。互いに隣接する4つの位置決めマーク23で囲われる領域が実装位置であり、この実装位置にLEDチップ10が実装されている。
In the present embodiment, since the
具体的に、本実施形態の位置決めマーク23は、図4に示すように、カソードパターン21bに形成された凸形状のマーク23aと、並列接続用パターン21cの中程に形成された凸形状のマーク23bと、並列接続用パターン21cの縁に形成された階段形状のマーク23c及び凹み形状のマーク23dとを有している。これらのマーク23a〜23dの形状は、LEDチップ10の形状に合わせて適宜変更可能である。LEDチップ10が矩形状であるため、マーク23a〜23cの凹みに、LEDチップ10の角を合わせてLEDチップ10が実装されている。
Specifically, as shown in FIG. 4, the
なお、マーク23a〜23cは、LEDチップ10の四隅を合わせるために用いられるのに対し、マーク23dは、並列接続用パターン21cの縁において、LEDチップ10の実装位置間に位置する。そのため、LEDチップ10が図4の縦方向に正確に位置決めするために用いられるとともに、マーク23dがLED10に隠れず視認できることで正確な位置決めができていることの確認をすることにも用いられる。
The
以上のような各部構成を有する本実施形態において、複数のLEDチップ10は、図1、図2及び図4の横方向、すなわち各パターン21a〜21cが延びる方向と直交する方向に、ギャップ22を跨ぐように並べて直列接続されている。すなわち、図5の本実施形態に係る発光装置の断面図に示すように、複数のLEDチップ10は、アノード電極11がアノードパターン21a若しくは並列接続用パターン21cと重なるように配置され、ギャップ22を跨いで、カソード電極12が並列接続用パターン21c若しくはカソードパターン21bと重なるように配置されている。図1、図2、図4及び図5の右から左への方向が直列方向であり、この方向に電流が流れるようになっている。
In the present embodiment having each part configuration as described above, the plurality of
このように、所定間隔保って配置されたアノードパターン21a、並列接続用パターン21c、及びカソードパターン21bの隣接するパターン21a〜21cに対して、LEDチップ10を橋渡しするように配置することで、LEDチップ10自身が直列回路を構成している。
Thus, by arranging the
次に、並列回路について説明する。各パターン21a〜21cが一方向に真っ直ぐ延びるように設けられているので、この方向に沿って、LEDチップ10を実装可能になっている。
Next, the parallel circuit will be described. Since each
すなわち、複数のLEDチップ10は、そのアノード電極11がアノードパターン21a若しくは並列接続用パターン21cと重なるように配置され、カソード電極12が並列接続用パターン21c若しくはカソードパターン21bと重なるように配置されている。例えば、図1における最も右側の縦の列のLEDチップ10で説明すれば、LEDチップ10は、そのアノード電極11がアノードパターン21aと重なるように配置され、ギャップ22を跨ぎ、カソード電極12が並列接続用パターン21cと重なるように配置されている。アノードパターン21a、カソードパターン21b、及び並列接続用パターン21cは、それぞれが一方向に一続きになっているため、この方向に並べられたLEDチップ10に並列に電気が流れるようになっている。
That is, the plurality of
[1−3.作用・効果]
(1)本実施形態によれば、複数のLEDチップ10のそれぞれが、配線パターン21によって、他の隣接するLEDチップ10と直列及び並列に接続されているため、1直列ごとに並列回路が構成されている。そのため、何れか一つのLEDチップ10が剥がれる等の断線が発生しても、1チップのみの不灯で抑えることができる。すなわち、1箇所のLEDチップ10に対する異常の、他のLEDチップ10に対する影響が緩和される。従って、LEDチップ列9を構成するLEDチップ10数が多いほど、高密度化し、光量の信頼性が向上する。
[1-3. Action / Effect]
(1) According to this embodiment, since each of the plurality of
(2)アノードパターン21aとカソードパターン21bとの間に、複数の並列接続用パターン21cを配置して、隣接するパターン21a〜21cの一方に、複数のLEDチップ10のアノード電極11を配置させ、隣接するパターン21a〜21cの他方に、これらのLEDチップ10のカソード電極12を配置させるように実装したため、1直列ごとに並列回路を構成することができる。この構成によれば、LEDチップ10自身によって直列回路を構成させるため、配線パターン21に直列回路用のパターンが必要ない。そのため、複雑な配線パターン形状とせずとも極めて簡単な配線パターン構造で、高密度実装可能で信頼性の高い発光装置の製造を容易にすることができる。また、各パターン21a〜21cは一方向に並列回路を形成しているので、これらにおいてLEDチップ10への電圧は同電位となり、電流電圧特性のバラツキを抑えることができる。
(2) A plurality of
(3)実装基板20をセラミック系基板(特に窒化アルミニウム基板)又は金属基板とすることにより、LEDチップ10の熱の放熱性を高め、LEDチップ10の電圧特性バラツキに起因して順電圧VFの低いLEDチップ10が不灯になるのを抑制することができる。すなわち、多直列多並列の回路は、LEDチップ10の電圧特性のバラツキによって順電圧VFが低くなる箇所があるとそこに電流が集中する。これによってそのLEDチップ10が発熱し、その熱で順電圧VFが下がってさらに電流が流れ不灯になる場合がある。しかし、実装基板20に高熱伝導率のセラミック系基板(特に窒化アルミニウム基板)又は金属基板を用いることにより、LEDチップ10に多少の電圧特性のバラツキがあったとしても、熱が局所的に上昇することを緩和でき、LEDチップ10が不灯になるのを抑制することができる。
(3) By making the mounting substrate 20 a ceramic substrate (particularly an aluminum nitride substrate) or a metal substrate, the heat dissipation of the
(4)配線パターン21には、LEDチップ10のそれぞれに対して位置決めマーク23を設けるようにした。これにより、個々のLEDチップ10に対して正確な位置決めが可能になるので、LEDチップ10の短絡を防止しつつも高密度に実装することができる。
(4) The
すなわち、本実施形態では、実装基板20の配線パターン21に、LEDチップ10の実装位置のそれぞれに対してその実装位置に沿って位置決めする位置決めマーク23が設けられているので、直接的に位置決めが可能であり、位置決めの正確さがシビアに求められる場合でも正確に位置決めすることができる。
That is, in the present embodiment, the
(5)特に、位置決めマーク23は、配線パターン21に設けられた切欠き形状であるので、LEDチップ10を嵌め込んで位置決めする枠状体などを別途設ける必要がない。すなわち、別途枠状体を設けることは、枠状体自体や枠状体とLEDチップや配線パターンとの絶縁設計が別途必要であるなど、製造工程の増大、製造コストや手間の増大を招来する場合があるが、本実施形態では、配線パターン21にギャップ22を設ける際に、エッチング処理等により一緒に形成することができ製造工程を少なくできるとともに、別途の枠状体が必要ないので製造コストも低減させることができる。また、切欠き形状として設けるので、実装基板や配線パターンの外形に設ける場合に比べて、よりLEDチップ10の近くに位置決めマーク23を設けることが可能である。その結果、LEDチップ10の実装位置に沿って位置決めマーク23を設けることができる。
(5) In particular, since the
[2.第2実施形態]
第2実施形態について、図6〜図8を用いて説明する。第2実施形態は、第1実施形態と基本構成は同じである。第1実施形態と異なる点のみを説明し、第1実施形態と同じ部分については同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
[2. Second Embodiment]
A second embodiment will be described with reference to FIGS. The basic configuration of the second embodiment is the same as that of the first embodiment. Only differences from the first embodiment will be described, and the same parts as those in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.
図6は、第2実施形態に係る発光装置の平面図である。図7は、第2実施形態に係る発光装置の回路図である。図8は、第2実施形態に係る実装基板の平面図である。なお、図7は簡単な模式的回路図であり、図6のLEDチップ10の数と一致させていない。
FIG. 6 is a plan view of the light emitting device according to the second embodiment. FIG. 7 is a circuit diagram of the light emitting device according to the second embodiment. FIG. 8 is a plan view of the mounting board according to the second embodiment. FIG. 7 is a simple schematic circuit diagram and does not match the number of
第1実施形態では、直列方向が一方向であったが、本実施形態では、図7に示すように、直列方向が途中で折り返されて逆方向になっている。すなわち、図8に示すように、実装基板20上の配線パターン21も直列方向が途中で折り返される構造になっている。
In the first embodiment, the series direction is one direction, but in the present embodiment, as shown in FIG. 7, the series direction is folded halfway and is in the reverse direction. That is, as shown in FIG. 8, the
具体的には、配線パターン21は、実装基板20の片側に並べて配置された概略L字形状のアノードパターン21d及びカソードパターン21eと、これら両パターン21d、21eの位置とは反対側に配置された概略凹形状の折り返し用パターン21fと、複数のI字形状の並列接続用パターン21gとを有する。
Specifically, the
アノードパターン21dとカソードパターン21eは、互いの端部を所定の間隔を保って対向させ、これらのパターンによって概略凹形状(コの字形状)となるように配置されている。折り返し用パターン21fは、その凹形状の両端部がアノードパターン21dとカソードパターン21eの端部と所定の間隔を保って対向させて配置されている。これらのパターン21d、21e、21fにより、配線パターン21の外形が概略矩形状になっている。
The
並列接続用パターン21gは、平行に複数設けられたものを一組として、図8の下側、上側にそれぞれ一組ずつ計二組並べて設けられている。すなわち、並列接続用パターン21gは、アノードパターン21dと折り返し用パターン21fとの間、及び、折り返し用パターン21fとカソードパターン21eとの間に、それぞれ複数所定の間隔を保って平行に配置されている。
A plurality of
ギャップ22も、並列接続用パターン21gの配列と同様に、平行に複数設けられたものを一組として、二組並べて設けられている。
Similarly to the arrangement of the
本実施形態では、LEDチップ10の直列の接続が折り返し用パターン21fにより折り返されて構成されている。すなわち、折り返し用パターン21fと隣接する2つの並列接続用パターン21gには、複数のLEDチップ10が、LEDチップ10のアノード電極11がその一方の並列接続用パターン21g(図8の下側のもの)に接続し、カソード電極12が折り返し用パターン21fに接続するように実装されている。また、他の複数のLEDチップ10が、LEDチップ10のアノード電極11が折り返し用パターン21fに接続し、カソード電極12が他方の並列接続用パターン21g(図8の上側のもの)に接続するように実装されており、LEDチップ10が8×4×2個の回路となっている。
In the present embodiment, the serial connection of the LED chips 10 is configured to be folded back by a
本実施形態によっても、第1実施形態と同様の作用効果を得ることができる。さらに、直列方向が途中で折り返されていることにより、発光装置の正極と負極を片側に集めることができる。これにより、コネクタや外部電源との接続を容易にすることができるなど外的な設計変更にも容易に対応することができる。他の折り返す利点として、実装基板20の長さよりも長い直列回路を形成することができる、密集度を変えずに供給電圧に合わせることができる、直列数を増やすことで電流値を低減することができる、等が挙げられる。
Also according to this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Furthermore, since the series direction is folded in the middle, the positive electrode and the negative electrode of the light emitting device can be collected on one side. Thereby, it is possible to easily cope with an external design change such as easy connection with a connector or an external power source. As another advantage, a series circuit longer than the length of the mounting
[3.他の実施形態]
(1)第1及び第2実施形態では、配線パターン21をメッキ加工により形成されるとしたが、金属箔を実装基板20表面に導電性の接着剤により接着する構成にしても良く、その形成方法は特に限定されない。
[3. Other Embodiments]
(1) In the first and second embodiments, the
(2)第1及び第2実施形態では、配線パターン21において、アノードパターン21a、カソードパターン21b、及び並列接続用パターン21cを一方向に平行に配置するようにしたが、図9に示すように、これらの配線パターンを同心円状に設けることも本発明の範囲に含まれる。このような配線パターン21’としては、例えば、アノードパターンが円形状若しくは円環形状で中心に位置し、所定間隔を保って帯状リング形状の並列接続用パターンを一又は複数同心円状に配置し、その外側に所定間隔を保って帯状リング形状のカソードパターンを配置して構成することができる。ギャップ22’は、これらのパターン間に複数平行して設けられる。なお、配線パターン21’の構成は、上記と逆の関係、すなわちアノードパターンを最も外側に配置させ、カソードパターンを中心位置に配置させ、これらの間に並列接続用パターンを配置するようにしても良い。
(2) In the first and second embodiments, in the
第1及び第2実施形態と同様に、ギャップ22’を跨いで、隣接する帯状リングの配線パターン21’と電気的に接続し、LEDチップ10を直列に接続する。並列の接続は、帯状リングの配線パターン21’上にその円周方向に沿って複数のLEDチップ10を配置することで実現される。この実施形態によっても、第1及び第2実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、この実施形態によれば、LEDチップ10を同心円状に配置することができるので、対称性が良いため、より均一な照明光を得ることができる。
Similar to the first and second embodiments, the
(3)第1及び第2実施形態では、LEDチップ10を縦横に配列し、全体として発光面を四角になるようにしたが、発光面が円形になるように配置しても良い。この場合の配線パターンは、特に図示しないが、例えば、アノードパターンとカソードパターンを半円環状とし、互いの両端が所定間隔を保って対向させ、全体として概略円環状になるように配置する。そして、この内部に、弧状の並列接続用配線パターンを配置する。 (3) In the first and second embodiments, the LED chips 10 are arranged vertically and horizontally so that the light emitting surface is square as a whole, but the light emitting surface may be arranged to be circular. Although the wiring pattern in this case is not particularly illustrated, for example, the anode pattern and the cathode pattern are formed in a semicircular shape, and both ends thereof are opposed to each other with a predetermined interval, and are arranged so as to be a substantially circular shape as a whole. Then, an arc-shaped parallel connection wiring pattern is disposed inside.
(4)第2実施形態では、折り返し用パターン21fを一つだけ設けたが、これに限られず複数の折り返し用パターン21fを設けても良い。第2実施形態のように折り返し用パターン21fが奇数個の場合は奇数回の折り返しになり、第2実施形態のように片側配線が可能であり、折り返し用パターン21fが偶数個の場合は偶数回の折り返しになり、両側配線が可能である。例えば、折り返し用パターン21fが2個である場合、双方のパターン21fを一部互いに対向するように配置し、対向しない一方に対してアノードパターン21aを対向配置し、他方の対向しない部分に対してカソードパターン21bを対向配置する。折り返し用パターン21fの双方が対向する部分の間、双方が対向しない一方の部分とアノードパターン21aとの間、及び、双方が対向しない他方の部分とカソードパターン21bとの間に、並列接続用パターン21cを配置する。このようにすることで、第2実施形態と同様に、実装基板20の長さよりも長い直列回路を形成することができる、密集度を変えずに供給電圧に合わせることができる、直列数を増やすことで電流値を低減することができるといった効果を得ることができる。
(4) In the second embodiment, only one
(5)第1及び第2実施形態では、位置決めマーク23として、配線パターン21に切欠き部を設けたが、これに限定されない。すなわち、位置決めマーク23としては、各LEDチップ10に対して設けられていれば良く、種々の態様が考えられる。例えば、配線パターン21上に、LEDチップ10が嵌め込めるような枠状体を各LEDチップ10に対して設けるようにしても良いし、配線パターン21上に十字や点などの形状をプリントするようにしても良い。但し、これらの場合は、別途部材や別工程が必要になる。
(5) In the first and second embodiments, the
また、配線パターン21の一部を用いるようにしても良い。例えば、図10(a)に示すように、配線パターン21の片側の縁に凸部23’を複数形成しておく。凸部23’をLEDチップ10のアノード電極11と同一形状に形成しておき、アノード電極11がこの凸部23’と一致するように配置することで縦横2方向の位置決めが実現できる。また、図10(b)に示すように、アノードパターン、カソードパターン、及び並列接続用パターンの何れか二つの間に、位置決め用のパターン23’’を設けても良い。図10に示した何れの位置決めマークも、配線パターン21を形成する際のエッチング等の処理により配線パターン21と一緒に形成できるので、作業の効率化、製造コストの低減を図ることができる。
A part of the
また、特に図示しないが、第1及び第2実施形態では、位置決めマーク23として切欠き形状を設けることで実装基板20の基板基材を露出させるようにしたが、切欠き形状を設けた部分において、実装基板20自体を貫通させるようにしても良い。
Although not particularly illustrated, in the first and second embodiments, the substrate base material of the mounting
(6)第1及び第2実施形態では、位置決め手段として、凸形状や階段形状、凹形状の位置決めマーク23としたが、これらに限定されない。LEDチップ10が矩形状である場合には、十字形状やL字形状の位置決めマークを使用しても良い。これにより、LEDチップ10の四隅を十字形状およびL字形状の直角部分に当ててより正確に位置決めすることができる。
(6) In the first and second embodiments, the positioning means is the
(7)以上、本明細書においては、本発明に係る複数の実施形態及び変形例を説明したが、これらの実施形態の全て又は何れかを組み合わせたものも本発明の範囲に包含される。また、発明の範囲を逸脱しない範囲で、種々の省略や置き換え、変更を行うことができ、これらの実施形態や変形例も本発明の範囲に包含される。 (7) Although a plurality of embodiments and modifications according to the present invention have been described in the present specification, a combination of all or any of these embodiments is also included in the scope of the present invention. Various omissions, replacements, and modifications can be made without departing from the scope of the invention, and these embodiments and modifications are also included in the scope of the present invention.
9 LEDチップ列
10 LEDチップ
11 アノード電極
12 カソード電極
13 ギャップ
20 実装基板
21 配線パターン
21’ 配線パターン
21a アノードパターン
21b カソードパターン
21c 並列接続用パターン
21d アノードパターン
21e カソードパターン
21f 折り返し用パターン
21g 並列接続用パターン
22 ギャップ
22’ ギャップ
23 位置決めマーク
23a〜23d マーク
23’ 位置決めマーク
23’’ 位置決めマーク
9
Claims (7)
前記実装基板上に配置され、前記配線パターンに電気的に接続された複数の発光素子と、
を備えたフリップチップ実装方式の発光装置であって、
前記配線パターンは、所定の間隔を保って配置されたアノードパターンとカソードパターンと、これらアノードパターンとカソードパターンの間に、前記両パターンとは所定の間隔を保って配置された並列接続用パターンとを有し、
前記アノードパターンと並列接続用パターンには、複数の発光素子が、各発光素子のアノード電極がアノードパターンに接続し、前記各発光素子のカソード電極が並列接続用パターンに接続するように実装され、
前記並列接続用パターンとカソードパターンには、複数の発光素子が、各発光素子のアノード電極が並列接続用パターンに接続し、前記各発光素子のカソード電極がカソードパターンに接続するように実装され、
前記各発光素子のそれぞれが、前記配線パターンによって隣接する他の発光素子と直列及び並列に接続されていることを特徴とする発光装置。 A mounting board having a wiring pattern on the surface;
A plurality of light emitting elements disposed on the mounting substrate and electrically connected to the wiring pattern;
A flip chip mounting type light emitting device comprising:
The wiring pattern includes an anode pattern and a cathode pattern arranged at a predetermined interval, and a parallel connection pattern arranged between the anode pattern and the cathode pattern at a predetermined interval. Have
In the anode pattern and the parallel connection pattern, a plurality of light emitting elements are mounted such that the anode electrode of each light emitting element is connected to the anode pattern, and the cathode electrode of each light emitting element is connected to the parallel connection pattern,
In the parallel connection pattern and the cathode pattern, a plurality of light emitting elements are mounted such that the anode electrode of each light emitting element is connected to the parallel connection pattern, and the cathode electrode of each light emitting element is connected to the cathode pattern,
Each of the light emitting elements is connected in series and in parallel with other light emitting elements adjacent to each other by the wiring pattern.
互いに隣接する前記並列接続用パターンには、複数の発光素子が、各発光素子のアノード電極が一方の前記並列接続用パターンに接続し、前記各発光素子のカソード電極が他方の前記並列接続用パターンに接続するように実装されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 A plurality of the parallel connection patterns are arranged with a predetermined interval between the anode pattern and the cathode pattern,
In the parallel connection patterns adjacent to each other, a plurality of light emitting elements, the anode electrode of each light emitting element is connected to one of the parallel connection patterns, and the cathode electrode of each light emitting element is the other of the parallel connection patterns The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting device is mounted so as to be connected to the light emitting device.
前記アノードパターン及び前記カソードパターンは、前記実装基板上の片側に所定の間隔を保って配置され、
前記折り返し用パターンは、前記アノードパターン及び前記カソードパターンの位置とは反対側に、前記アノードパターン及び前記カソードパターンの両方と対向するように配置され、
前記並列接続用パターンは、前記アノードパターンと前記折り返し用パターンとの間、及び、前記折り返し用パターンと前記カソードパターンとの間に、それぞれ所定の間隔を保って配置され、
前記折り返し用パターンと隣接する2つの並列接続用パターンには、複数の発光素子が、各発光素子のアノード電極がその一方の並列接続用パターンに接続し、前記各発光素子のカソード電極が前記折り返し用パターンに接続するように実装され、他の複数の発光素子が、前記発光素子のアノード電極が前記折り返し用パターンに接続し、カソード電極が他方の並列接続用パターンに接続するように実装され、
前記直列の接続が、折り返されて構成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光装置。 The wiring pattern further has a folding pattern,
The anode pattern and the cathode pattern are arranged at a predetermined interval on one side on the mounting substrate,
The folding pattern is disposed on the side opposite to the position of the anode pattern and the cathode pattern so as to face both the anode pattern and the cathode pattern,
The parallel connection patterns are arranged at predetermined intervals between the anode pattern and the folding pattern and between the folding pattern and the cathode pattern, respectively.
In the two parallel connection patterns adjacent to the folding pattern, a plurality of light emitting elements, the anode electrode of each light emitting element is connected to one of the parallel connection patterns, and the cathode electrode of each light emitting element is the folded back A plurality of other light emitting elements are mounted such that the anode electrode of the light emitting element is connected to the folding pattern and the cathode electrode is connected to the other parallel connection pattern,
The light-emitting device according to claim 1, wherein the series connection is configured by being folded.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013262681A JP2015119096A (en) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | Light-emitting device |
PCT/JP2014/079632 WO2015093180A1 (en) | 2013-12-19 | 2014-11-07 | Light-emitting device |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013262681A Pending JP2015119096A (en) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | Light-emitting device |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015119096A (en) |
WO (1) | WO2015093180A1 (en) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180605 |