JP2015115355A - 振動ミラー素子 - Google Patents

Abstract

【課題】駆動電圧をより低電圧化することが可能な振動ミラー素子を提供する【解決手段】振動ミラー素子１００では、圧電膜を含む圧電素子２０ａ〜２０ｄと、圧電素子２０ａ〜２０ｄの振動で駆動されるミラー部１１とを備え、圧電膜は、ＰｂＴｉＯ３およびＰｂＺｒＯ３の固溶体Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３から構成されるＡＢＯ３構造の真性ペロブスカイト強誘電体と、ＡＢＯ３構造のＢサイトがアクセプター元素ＢＡおよびドナー元素ＢＤからなるＡ（ＢＡ，ＢＤ）Ｏ３のペロブスカイト強誘電体との固溶体Ａ（ＢＡ，ＢＤ）Ｏ３−ＡＢＯ３の薄膜から形成されている。【選択図】図１

Description

この発明は、振動ミラー素子に関し、特に、ぺロブスカイト構造を有する材料から形成された圧電膜を備える振動ミラー素子に関する。

従来、ぺロブスカイト構造を有する材料から形成された圧電膜を備える振動ミラー素子が知られている（たとえば特許文献１参照）。この特許文献１には、ぺロブスカイト構造を有する材料として、ニオブ酸化物系ぺロブスカイト構造を有する材料から形成される圧電薄膜（圧電膜）を備えた圧電薄膜素子（振動ミラー素子）が開示されている。

また、従来では、ぺロブスカイト構造を有する別な材料として、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３（ＰＺＴ））を用いた圧電薄膜を備えた振動ミラー素子が一般的に知られている。このチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）は、ＺｒとＴｉとを有する２元系真性ぺロブスカイト構造を有している。

また、真性ぺロブスカイト強誘電体（ＰＺＴ）からなる圧電膜の圧電特性を高めるために、バルク材料からなる真性ぺロブスカイト強誘電体（ＰＺＴ）のＡＢＯ_３構造のＢサイトにＺｒおよびＴｉをドナー原子Ｎｂ^５＋とアクセプター原子Ｍｎ^２＋とに置換することが行われている。

特開２０１２−１０２３８２号公報

しかしながら、従来のＰＺＴからなる２元系ぺロブスカイト構造を有する圧電薄膜では、より圧電係数（圧電特性）を大きくするには限界があった。このため、ＰＺＴからなる２元系ぺロブスカイト構造を有する圧電薄膜では、駆動電圧をより低電圧化することが困難であるという問題点があると考えられる。また、バルク材料からなる置換されたＰＺＴでは、バルク材料の結晶性が悪く、良質のぺロブスカイト構造を維持することが困難なため、圧電膜の圧電特性を十分に向上させることが困難であり、その結果、駆動電圧をより低電圧化することが困難であるという問題点があると考えられる。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、ＰＺＴ系の材料を用いて駆動電圧をより低電圧化することが可能な振動ミラー素子を提供することである。

上記目的を達成するために本願発明者が鋭意検討した結果、上記課題を解決するために以下のような構成を見出した、すなわち、この発明の一の局面による振動ミラー素子は、圧電膜を含む駆動部と、駆動部の振動で駆動されるミラー部とを備え、圧電膜は、ＰｂＴｉＯ_３、ＰｂＺｒＯ_３、および、ＰｂＴｉＯ_３およびＰｂＺｒＯ_３の固溶体Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３のうちいずれか１つから構成されるＡＢＯ_３構造の真性ペロブスカイト強誘電体と、ＡＢＯ_３構造のＢサイトがアクセプター元素Ｂ_Ａおよびドナー元素Ｂ_ＤからなるＡ（Ｂ_Ａ，Ｂ_Ｄ）Ｏ_３のペロブスカイト強誘電体との固溶体Ａ（Ｂ_Ａ，Ｂ_Ｄ）Ｏ_３−ＡＢＯ_３の薄膜から形成されている。

この発明の一の局面による振動ミラー素子では、上記のように、圧電膜を、ＰｂＴｉＯ_３、ＰｂＺｒＯ_３、および、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３のうちいずれか１つから構成されるＡＢＯ_３構造の真性ペロブスカイト強誘電体と、ＡＢＯ_３構造のＢサイトがアクセプター元素Ｂ_Ａおよびドナー元素Ｂ_ＤからなるＡ（Ｂ_Ａ，Ｂ_Ｄ）Ｏ_３のペロブスカイト強誘電体との固溶体Ａ（Ｂ_Ａ，Ｂ_Ｄ）Ｏ_３−ＡＢＯ_３の薄膜から形成する。これにより、固溶体Ａ（Ｂ_Ａ，Ｂ_Ｄ）Ｏ_３−ＡＢＯ_３の薄膜により圧電膜が形成されるので、薄膜ではないバルク構造の固溶体Ａ（Ｂ_Ａ，Ｂ_Ｄ）Ｏ_３−ＡＢＯ_３と比べて、良質のペロブスカイト構造を維持することができる。これにより、ＰＺＴ系の材料を用いて圧電係数（圧電特性）の大きな圧電膜を形成することができるので、駆動電圧を低電圧化することができる。なお、このことは、後述する本発明の効果を確認するために行った実験により確認済みである。また、「真性ぺロブスカイト構造体」とは、ＡＢＯ_３構造のＢサイトにＺｒおよびＴｉ以外の成分を添加しないぺロブスカイト構造を有する強誘電体のことを意味する。

上記一の局面による振動ミラー素子において、好ましくは、ペロブスカイト強誘電体は、ペロブスカイト強誘電体のＡサイトとしてＰｂを含み、アクセプター元素Ｂ_ＡとしてＭｎを含み、ドナー元素Ｂ_ＤとしてＮｂを含むＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３からなる。このように構成すれば、ＰＺＴ系の材料を用いて圧電係数の大きな圧電膜を容易に形成することができる。

この場合、好ましくは、真性ペロブスカイト強誘電体のＺｒ／Ｔｉ比率は、３０／７０から７０／３０までの範囲であり、圧電膜は、ペロブスカイト強誘電体のＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３と真性ペロブスカイト強誘電体のＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３との固溶体［ｘＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３］の薄膜により構成され、組成比率ｘが０％より大きく２５％以下である。このように構成すれば、Ｚｒ／Ｔｉ比率および組成比率xが好ましい範囲に設定されるので、ＰＺＴ系の材料を用いて駆動電圧をより低電圧化させることができる。なお、このことは、後述する本発明の効果を確認するために行った実験により確認済みである。

上記Ｚｒ／Ｔｉ比率が３０／７０から７０／３０までの範囲である構成において、好ましくは、真性ペロブスカイト強誘電体のＺｒ／Ｔｉ比率は、４０／６０から６０／４０までの範囲であり、圧電膜は、固溶体［ｘＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３］の薄膜により構成され、組成比率ｘが５％以上２０％以下である。このように構成すれば、Ｚｒ／Ｔｉ比率がよりＭＰＢ組成（結晶構造が変化する組成比率であって、圧電係数が大きくなる組成）に近い範囲に設定されるので、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３の圧電係数をより大きくすることができる。さらに、組成比率ｘがより好ましい範囲に設定されるので、駆動電圧を特に低電圧化させることができる。

上記Ｚｒ／Ｔｉ比率が３０／７０から７０／３０までの範囲である構成において、好ましくは、圧電膜は、固溶体［ｘＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３］の薄膜により構成され、組成比率ｘが３％以上２５％以下である。このように構成すれば、組成比率ｘがより好ましい範囲に設定されるので、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３の圧電係数をより大きくすることができる。さらに、組成比率ｘが特に好ましい範囲に設定されるので、駆動電圧をさらに低電圧化させることができる。なお、このことは、後述する本発明の効果を確認するために行った実験により確認済みである。

上記組成比率ｘが３％以上２５％以下である構成において、好ましくは、組成比率ｘが１０％以上２２％以下である。このように構成すれば、組成比率ｘが最適な範囲に設定されるので、ＰＺＴ系の材料を用いて駆動電圧を特に低電圧化させることができる。なお、このことは、後述する本発明の効果を確認するために行った実験により確認済みである。

上記組成比率ｘが３％以上２５％以下である構成において、好ましくは、真性ペロブスカイト強誘電体のＺｒ／Ｔｉ比率は、５０／５０近傍である。このように構成すれば、Ｚｒ／Ｔｉ比率がＭＰＢ組成近傍の比率に設定されるので、駆動電圧を特に低電圧化させることができる。

上記Ｚｒ／Ｔｉ比率が３０／７０から７０／３０までの範囲である構成において、好ましくは、圧電膜は、固溶体［ｘＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３］の薄膜により構成され、組成比率ｘが１５％以上２５％以下であり、かつ、圧電膜への印加電界が２０ｋＶ／ｃｍ以上４０ｋＶ／ｃｍ以下である。このように構成すれば、印加電界が２０ｋＶ／ｃｍ以上４０ｋＶ／ｃｍ以下の範囲で、圧電膜の圧電係数を大きくすることができるとともに、圧電膜の駆動電圧に対する変位が飽和特性を示すので、駆動電圧が低電圧化した状態であっても、圧電膜を大きく変形させることができる。なお、このことは、後述する本発明の効果を確認するために行った実験により確認済みである。

上記一の局面による振動ミラー素子において、好ましくは、圧電膜は、ペロブスカイト強誘電体のＰｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３と真性ペロブスカイト強誘電体のＰｂＴｉＯ_３との固溶体［ｘＰｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）ＰｂＴｉＯ_３］の薄膜により構成され、組成比率ｘが１０％以上５０％以下である。このように構成すれば、固溶体［ｘＰｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）ＰｂＴｉＯ_３］の薄膜により圧電膜が形成されるので、良質のペロブスカイト構造を維持することができる。その結果、ＰＺＴ系の材料を用いて圧電係数（圧電特性）の大きな圧電膜を形成することができるので、駆動電圧を低電圧化することができる。また、圧電膜の電位に対する変位が飽和特性を示すので、駆動電圧が低電圧化した状態であっても、圧電膜を大きく変形させることができる。

上記一の局面による振動ミラー素子において、好ましくは、圧電膜の膜厚は、２μｍ以上１０μｍ以下である。このように構成すれば、圧電膜がバルク材料とは異なるペロブスカイト構造を維持しやすい最適な薄膜状に形成されるので、確実に駆動電圧を低電圧化することができる。また、膜厚を２μｍ以上とすることにより、圧電膜の両面に配置される電極が近接して配置されることがないので、両電極間で短絡が生じるのを抑制することができる。また、膜厚を１０μｍ以下とすることにより、基板から圧電膜が剥離するのを抑制することができる。

上記一の局面による振動ミラー素子において、好ましくは、駆動部は、圧電膜の一方表面上に形成された第１駆動電極と、他方表面上に形成された第２駆動電極とを含み、第１駆動電極および第２駆動電極のうち少なくとも一方と圧電膜との界面には、導電性の金属酸化膜が形成されている。このように構成すれば、圧電膜の耐電圧を高めることができるので、リーク電流が急増する駆動電圧を高めることができる。その結果、リーク電流の急増に伴う発熱により圧電膜が損傷するのを抑制することができ、圧電膜の寿命を伸長させることができる。なお、このことは、後述する本発明の効果を確認するために行った実験により確認済みである。

この場合、好ましくは、金属酸化膜は、酸化マンガン、酸化ルテニウム、酸化ニッケル、酸化白金、酸化イリジウム、酸化ストロンチウム・ルテニウムおよび酸化カルシウム・ルテニウムのうちの少なくとも１つから形成されている。このように構成すれば、圧電膜の耐電圧をより高めることができるので、圧電膜の寿命をより伸長させることができる。

上記金属酸化膜が形成されている構成において、好ましくは、金属酸化膜の膜厚は、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。このように構成すれば、金属酸化膜の表面を均一でかつ平坦な表面にすることができるとともに、振動（駆動）時に、圧電膜に歪が発生するのを抑制することができる。

本発明によれば、上記のように、駆動電圧をより低電圧化することが可能な振動ミラー素子を提供することができる。

本発明の第１実施形態による振動ミラー素子の構成を示す斜視図である。 本発明の第１実施形態による振動ミラー素子の構成を示す平面図である。 図２の１５０−１５０線に沿った断面図である。 本発明の第１実施形態による振動ミラー素子のミラー部が回動している状態を示すＹ方向に沿った模式的な断面図である。 本発明の第１実施形態による振動ミラー素子のミラー部が図４とは逆方向に回動している状態を示すＹ方向に沿った模式的な断面図である。 本発明の第１実施形態による振動ミラー素子の圧電膜の材料組成図である。 本発明の効果を確認するために行った第１実施例における本発明の圧電膜のＸ線回折測定の結果を示した図である。 本発明の効果を確認するために行った第１実施例における比較例の圧電膜のＸ線回折測定の結果を示した図である。 本発明の効果を確認するために行った第２実施例における圧電膜の変位測定に用いるカンチレバーを示した斜視図である。 本発明の効果を確認するために行った第２実施例における変位測定の結果を示したグラフである。 本発明の効果を確認するために行った第３実施例における駆動電圧測定の結果を示したグラフである。 本発明の効果を確認するために行った第４実施例における変位測定の結果を示したグラフである。 本発明の効果を確認するために行った第５実施例における圧電係数測定の結果を示したグラフである。 本発明の第３実施形態による振動ミラー素子の圧電膜の構成を示す断面図である。 本発明の効果を確認するために行った第６実施例におけるリーク電流測定の結果を示したグラフである。

以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて説明する。

（第１実施形態）
図１〜図６を参照して、本発明の第１実施形態による振動ミラー素子１００の構成について説明する。

本発明の第１実施形態による振動ミラー素子１００は、図１および図２に示すように、Ｓｉからなる基板１０と、４つの圧電素子２０ａ、２０ｂ、２０ｃおよび２０ｄとにより構成されている。なお、基板１０は、Ｓｉにより形成されている。また、圧電素子２０ａ〜２０ｄは、本発明の「駆動部」の一例である。

基板１０は、ミラー部１１と、ミラー部１１に接続された一対のトーションバー１２ａおよび１２ｂと、一対のトーションバー１２ａおよび１２ｂにそれぞれ接続された一対の可動部１３ａおよび１３ｂと、一対の可動部１３ａおよび１３ｂに接続された枠体１４とにより構成されている。

ミラー部１１は、圧電素子２０ａ〜２０ｄに周期的な電圧が印加されて可動部１３ａおよび１３ｂが振動した場合に、一対のトーションバー１２ａおよび１２ｂを回動軸として共振振動を行うように構成されている。

一対の可動部１３ａおよび１３ｂの上面（矢印Ｚ１方向側の面）には、図１〜図３に示すように、４つの圧電素子２０ａ〜２０ｄが設けられている。また、４つの圧電素子２０ａ〜２０ｄは、図３に示すように、それぞれ、下部駆動電極２１と、圧電膜２２と、上部駆動電極２３とが積層された構造を有している。圧電膜２２は、下部駆動電極２１および上部駆動電極２３に電圧が印加された場合に、Ｙ方向に伸縮するように構成されている。この圧電膜２２の膜厚は、約２μｍ以上１０μｍ以下に形成されている。また、下部駆動電極２１および上部駆動電極２３は、いずれもＰｔから形成されている。また、振動ミラー素子１００は、下部駆動電極２１および上部駆動電極２３に、約２０ｋＶ／ｃｍ以上約４０ｋＶ／ｃｍ以下の電界が印加されることにより、駆動するように構成されている。なお、下部駆動電極２１は、本発明の「第１駆動電極」の一例である。また、上部駆動電極２３は、本発明の「第２駆動電極」の一例である。

また、圧電素子２０ａ（２０ｃ）および圧電素子２０ｂ（２０ｄ）の上部駆動電極２３および下部駆動電極２１は、互いに逆位相の電圧が振動ミラー素子１００の共振周波数と略等しい周波数で印加されるように構成されている。その結果、図４および図５に示すように、ミラー部１１は、所定の回動角度により交互に共振振動するように構成されている。そして、振動ミラー素子１００は、ミラー部１１にレーザー光などが照射されると、ミラー部１１の回動角度に応じて反射光の反射角度を変更可能に構成されている。

次に、第１実施形態による圧電膜２２を形成する材料について説明する。

ここで、第１実施形態では、圧電膜２２は、ＰｂＴｉＯ_３およびＰｂＺｒＯ_３の固溶体Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３から構成されるＡＢＯ_３構造の真性ペロブスカイト強誘電体と、ＡＢＯ_３構造のＢサイトがアクセプター原子Ｍｎ^２＋およびドナー原子Ｎｂ^５＋からなるＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３のペロブスカイト強誘電体との固溶体［ｘＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３］（以下、ＰＭｎＮ−ＰＺＴと記す）の薄膜から形成されている。なお、真性ペロブスカイト強誘電体およびペロブスカイト強誘電体は、いずれもＡＢＯ_３構造のＡサイトがＰｂからなる。

要するに、第１実施形態の圧電膜２２は、ぺロブスカイト構造を維持することが困難な焼結によって形成されるバルク材料のＢサイトにドナー原子およびアクセプター原子を添加する構成ではない。第１実施形態の圧電膜２２は、ＡＢＯ_３構造のＢサイトにドナー原子Ｎｂ^５＋およびアクセプター原子Ｍｎ^２＋を添加するペロブスカイト強誘電体のＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３と、真性ペロブスカイト強誘電体（ＰＺＴ）とからなる、ＰＭｎＮ−ＰＺＴの薄膜から形成されている。

また、図６のａｂｃｄ領域に示すように、圧電膜２２を形成するペロブスカイト強誘電体（ＰＭｎＮ）および真性ペロブスカイト強誘電体（ＰＺＴ）に対する、ペロブスカイト強誘電体（ＰＭｎＮ）の組成比率ｘは、０％よりも大きく約２５％以下である。また、真性ペロブスカイト強誘電体を構成するＺｒおよびＴｉの比率は、Ｚｒが約３０％およびＴｉが約７０％（約３０／７０）から、Ｚｒが約７０％およびＴｉが約３０％（約７０／３０）までの範囲である。このような材料構成により、大きな圧電係数の圧電膜２２を得ることが可能である。

また、真性ペロブスカイト強誘電体は、ＺｒおよびＴｉの比率が５０／５０近傍でＭＰＢ（Ｍｏｒｐｈｏｔｒｏｐｉｃ Ｐｈａｓｅ Ｂｏｕｎｄａｒｙ）組成の近傍となる。また、一般的に、真性ペロブスカイト強誘電体のＰＺＴは、ＭＰＢ組成の近傍となる場合に、圧電係数が極めて大きくなる性質を有している。

ここで、圧電膜２２をバルク材料よりなる真性ペロブスカイト強誘電体のＰＺＴから形成する場合を想定する。この場合には、大きい圧電係数がＭＰＢ組成の近傍に限られるため、低い駆動電圧により大きな振動変位を得るためには、ＺｒおよびＴｉの比率がＭＰＢ組成の近傍に限定される。一方、圧電膜２２がＰＭｎＭ−ＰＺＴの薄膜からなる場合には、上記のように、ＭＰＢ組成の近傍に限られることはない。

また、図６のｅｆｇｈ領域に示すように、上記のＺｒおよびＴｉの比率を約３０／７０から約７０／３０までの範囲よりも、さらに限定してＭＰＢ組成に近い約４０／６０から約６０／４０までの範囲にするとともに、ペロブスカイト強誘電体の組成比率ｘを約５％よりも大きく約２０％以下とすると、より大きな圧電係数の圧電膜２２を得ることが可能である。

ここで、図６において、ｘＰＭｎＮ−（１−ｘ）ＰＺＴの薄膜の組成比率を０％、かつ、ＺｒおよびＴｉの比率を約５０／５０近傍（ＭＰＢ組成近傍）となる点ｏと比べて、点ｃ（２５％、７０／３０）および点ｄ（２５％、３０／７０）での駆動電圧は５Ｖ低下させることが可能である。また、点ｅ（５％、６０／４０）および点ｆ（５％、４０／６０）での駆動電圧は５Ｖ低下させることが可能である。また、点ｇ（２０％、６０／４０）および点ｈ（２０％、４０／６０）での駆動電圧は５Ｖ低下させることが可能である。

ここで、再び、圧電膜２２をバルク材料よりなる真性ペロブスカイト強誘電体のＰＺＴから形成する場合を想定する。この場合には、大きい圧電係数がＭＰＢ組成の近傍に限られるため、低い駆動電圧により大きな振動変位を得るためには、ＺｒおよびＴｉの比率がＭＰＢ組成の近傍に限定される。

また、ＰＭｎＮの組成比率ｘが約３％以上約２５％以下で、圧電膜２２は、所定駆動電圧に対して大きな振動変位を得られる。このような効果は、構成比率ｘが約１０％以上約２２％以下で顕著に得られる。

次に、第１実施形態による圧電膜２２の製造方法について説明する。

まず、基板１０の上面上（Ｚ１方向側）にスパッタリング法により、導電性のヘテロ構造（１１０）ＳＲＯ／（００１）Ｐｔ／Ｔｉ（ＳＲＯは導電性化合物のＳｒＲｕＯ_３（酸化ストロンチウム・ルテニウム）を指す）の下部駆動電極２１を形成する。この際、下部駆動電極２１は、基板１０の温度を約６５０℃に設定した状態で形成される。そして、下部駆動電極２１の上面上にＰＭｎＮ−ＰＺＴの薄膜をスパッタリング法により付着させ、圧電膜２２を形成する。この際、圧電膜２２は、基板１０の温度を約４５０℃から約６５０℃までの範囲に設定した状態で形成される。これにより、平滑な表面および高い結晶性を有する透明な圧電膜２２を得ることが可能となる。なお、圧電膜２２は、基板１０の温度を約５５０℃から約６００℃までの範囲に設定することにより、特に平滑な表面および高い結晶性を得ることが可能となる。

上記第１実施形態では、以下のような効果を得ることができる。

第１実施形態では、上記のように、圧電膜２２を、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３から構成されるＡＢＯ_３構造の真性ペロブスカイト強誘電体と、ＡＢＯ_３構造のＢサイトがアクセプター元素Ｍｎおよびドナー元素ＮｂからなるＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３のペロブスカイト強誘電体との固溶体Ｐｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３−Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３の薄膜から形成する。これにより、固溶体Ｐｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３−Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３の薄膜により圧電膜２２が形成されるので、薄膜ではないバルク構造のＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３−Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３と比べて、所定比率以上のペロブスカイト強誘電体が添加された場合においても良質のペロブスカイト構造を維持することができる。これにより、ＰＺＴ系の材料を用いて圧電係数の大きな圧電膜２２を形成することができるので、駆動電圧を低電圧化することができる。

また、第１実施形態では、ペロブスカイト強誘電体を、ペロブスカイト強誘電体のＡサイトをＰｂとし、アクセプター元素Ｂ_ＡをＭｎとするとともに、ドナー元素Ｂ_ＤをＮｂを含むＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３から構成する。これにより、ＰＺＴ系の材料を用いて圧電係数の大きな圧電膜２２を容易に形成することができる。

また、第１実施形態では、真性ペロブスカイト強誘電体のＺｒ／Ｔｉ比率は、約３０／７０から約７０／３０までの範囲として、圧電膜２２を、ペロブスカイト強誘電体のＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３と真性ペロブスカイト強誘電体のＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３との固溶体［ｘＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３］の薄膜により構成し、組成比率ｘを０％より大きく約２５％以下とする。これにより、Ｚｒ／Ｔｉ比率および組成比率ｘが好ましい範囲に設定されるので、ＰＺＴ系の材料を用いて駆動電圧をより低電圧化させることができる。

また、第１実施形態では、真性ペロブスカイト強誘電体のＺｒ／Ｔｉ比率を、約４０／６０から約６０／４０までの範囲とし、圧電膜２２を、固溶体［ｘＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３］の薄膜により構成し、組成比率ｘを約５％以上約２０％以下とする。これにより、Ｚｒ／Ｔｉ比率がよりＭＰＢ組成に近い範囲に設定されるので、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３の圧電係数をより大きくすることができる。さらに、組成比率ｘがより好ましい範囲に設定されるので、駆動電圧を特に低電圧化させることができる。

また、第１実施形態では、圧電膜２２を、固溶体［ｘＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３］の薄膜により構成し、組成比率ｘを約３％以上約２５％以下とする。これにより、組成比率ｘがより好ましい範囲に設定されるので、ＰＺＴ系の材料を用いて駆動電圧をさらに低電圧化させることができる。

また、第１実施形態では、組成比率ｘを約１０％以上約２２％以下とする。これにより、組成比率ｘが最適な範囲に設定されるので、駆動電圧を特に低電圧化させることができる。

また、第１実施形態では、真性ペロブスカイト強誘電体のＺｒ／Ｔｉ比率を、約５０／５０近傍とする。これにより、Ｚｒ／Ｔｉ比率がＭＰＢ組成近傍の比率に設定されるので、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３の圧電係数をより大きくすることができる。

また、第１実施形態では、圧電膜２２を、固溶体［ｘＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３］の薄膜により構成し、組成比率ｘを約１５％以上約２５％以下とし、かつ、圧電膜２２への印加電界を約２０ｋＶ／ｃｍ以上約４０ｋＶ／ｃｍ以下とする。これにより、印加電界が約２０ｋＶ／ｃｍ以上約４０ｋＶ／ｃｍ以下の範囲で、圧電膜２２の圧電係数を大きくすることができるとともに、圧電膜２２の駆動電圧に対する変位が飽和特性を示すので、駆動電圧が低電圧化した状態であっても、圧電膜２２を大きく変形させることができる。

また、第１実施形態では、圧電膜２２の膜厚を、約２μｍ以上約１０μｍ以下とする。これにより、圧電膜２２がバルク材料とは異なるペロブスカイト構造を維持しやすい最適な薄膜状に形成されるので、確実に駆動電圧を低電圧化することができる。また、膜厚を２μｍ以上とすることにより、圧電膜２２の両面に配置される下部駆動電極２１および上部駆動電極２３が近接して配置されることがないので、両電極間で短絡が生じるのを抑制することができる。また、膜厚を１０μｍ以下とすることにより、基板１０から圧電膜２２が剥離するのを抑制することができる。

次に、図７〜図１３を参照して、本発明の上記第１実施形態の効果を確認するために行った種々の測定について説明する。

（第１実験）
まず、図７および図８を参照して、Ｘ線回折（Ｘ―Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ、ＸＲＤ）装置により、圧電膜を形成する結晶の配向について測定を行った。

このＸ線回折測定では、実施例１として、ＰＭｎＮ−ＰＺＴの薄膜により形成された圧電膜を形成する結晶の配向について測定した。また、比較例１として、市販されている真性ペロブスカイト強誘電体のＰＺＴの薄膜についても測定を行った。

具体的には、ＰＺＴにおけるＺｒおよびＴｉの比率をＭＰＢ組成近傍の５０／５０とした。また、ＰＭｎＮ−ＰＺＴの薄膜の中でのペロブスカイト強誘電体のＰＭｎＮの組成比率を６％および真性ペロブスカイト強誘電体のＰＺＴの組成比率を９４％とした。

Ｘ線回折測定の結果としては、図７に示すように、実施例１においては、ミラー指数が（００１）面および（００２）面において強い配向を示した。すなわち、分極軸のＺ軸がほとんど単一の配向であった。一方、図８に示すように、比較例１においては、（００１）面および（００２）面に加えて（１０１）面などにおいても強い配向を示した。

上記のようなＸ線回折測定の結果から、実施例１の圧電膜は、（００１）面方向に規則的な結晶性を有することが判明した。このことから、実施例１の圧電膜は電圧印加時においては、（００１）面方向に特に伸縮し易いことが見出された。一方、比較例１の圧電膜は、実施例１と比べて、（００１）面方向に規則的な結晶性をあまり有していないため、特に（００１）面方向に伸縮し易いとは考えられない。

したがって、ＰＭｎＮ−ＰＺＴの薄膜により形成された圧電膜は、市販のＰＺＴの薄膜により形成された圧電膜よりも高い圧電特性を有していると考えられる。

（第２実験）
次に、図９および図１０を参照して、ＰＭｎＮ−ＰＺＴの薄膜により形成された圧電膜の変位を測定した。

この変位測定では、圧電膜のＰＭｎＮの組成比率ｘが異なる比較例２、実施例２、３および４とについて、ＰＭｎＮ−ＰＺＴの薄膜により形成された圧電膜を有するカンチレバーの変位を測定した。

具体的には、図９に示すように、壁面１０１に一方端が固定された矩形の平板状のカンチレバー１０２を作製した。このカンチレバー１０２は、基板１１０上に圧電膜１２２（ＰＭｎをｘ％添加したｘＰＭｎＮ−（１−ｘ）ＰＺＴの薄膜）を形成することにより作成した。また、図示しない駆動電極を、圧電膜１２２の両面上の全域に形成した。

ここで、カンチレバー１０２の長さＬは、２０００μｍとした。また、カンチレバー１０２の圧電膜１２２の厚さｔ１を３μｍとした。また、カンチレバー１０２の厚みｔ２を３０μｍとした。また、駆動電極に印加する電圧を３０Ｖとした。また、ＰＺＴのＺｒおよびＴｉの比率をＭＰＢ組成近傍の５０／５０とした。

ここで、比較例２では、ＰＭｎＮの組成比率ｘを０％（ＰＺＴの構成比率１００％）とした。また、実施例２では、ＰＭｎＮの組成比率ｘを１０％とした。また、実施例３では、ＰＭｎＮの組成比率ｘを２０％とした。また、実施例４では、ＰＭｎＮの組成比率ｘを２５％とした。そして、このような条件設定の下、カンチレバーの先端（自由端）における変位を測定した。

変位測定の結果としては、図１０に示すように、ＰＭｎＮの組成比率０％の比較例２においては、変位が１４μｍとなった。また、ＰＭｎＮの組成比率１０％の実施例２においては、変位が２０μｍとなった。また、ＰＭｎＮの組成比率２０％の実施例３においては、変位が１９μｍとなった。また、ＰＭｎＮの組成比率２５％の実施例４においては、変位が１２μｍとなった。

上記のような変位測定の結果から、ＰＭｎＮの組成比率ｘが０％から増加するにつれて、変位も増加することが判明した。そして、ＰＭｎＮの組成比率ｘの１５％（変位が約２１μｍ）辺りから変位が減少に転じて、少なくとも２５％まで減少し続けることが判明した。

また、ＰＭｎＮの組成比率ｘが２５％以下で十分な変位が得られた。さらに、ＰＭｎＮの組成比率ｘが３％以上２５％以下で大きな変位を得られることが判明した。したがって、ＰＭｎＮの組成比率ｘが３％以上２５％以下で振動ミラー素子を構成するのが好ましいことが判明した。また、その中でも、ＰＭｎＮの組成比率ｘが１０％以上２２％以下の範囲においては、ＰＭｎＮの添加の効果が、特に大きいと判明した。すなわち、ＰＭｎＮの組成比率ｘが１２％以上２０％以下の範囲では、約１８μｍを超える変位を得ることができるため、特に振動ミラー素子を構成するのに好ましいことが判明した。さらに、ＰＭｎＮの組成比率が１０％以上２０％以下では、約２０μｍを超える変位を得ることができるため、駆動電圧をより一層低電圧化させることが可能であると判明した。また、比較例２とＰＭｎＮの組成比率が１５％の場合との変位を比較することにより、ＰＭｎＮの添加によって圧電係数は最大で約１．５倍になることが判明した。

ここで、従来のバルク材料では、真性ペロブスカイト強誘電体のＰＺＴに新たな成分のＰＭｎＮを約１０％以上添加するとぺロブスカイト構造を維持することができなくなることが知られている。このため、ＰＭｎＮを約１０％以上添加することは、圧電特性の低下を引き起こす要因となる。一方、本発明の薄膜材料では、ＰＭｎＮを２５％付近まで添加したとしても大きい圧電特性を得られることが見い出された。

このような結果は、本発明の薄膜材料では、バルク材料と異なり、ＰＭｎＮを約１０％以上添加したとしても、良質のぺロブスカイト構造が維持されるという、バルク材料では想像もし得ない薄膜固有の現象によりもたらされている。このような現象は、バルク材料と、本発明の薄膜材料との圧電膜１２２の製造方法の違いに起因していると考えられる。すなわち、バルク材料では、粒径１μｍ程度の原料粉末の焼結により圧電膜１２２が形成されるのに対して、本発明の薄膜材料では、圧電膜１２２が化学反応（原子レベルでの焼結）により形成されているため、結晶の規則性に差が生じ、上記のような圧電膜１２２の構造の違いが発生したと考えられる。

（第３実験）
次に、図１１を参照して、ＰＭｎＮ−ＰＺＴの薄膜により形成された圧電膜を有する振動ミラー素子に照射されるレーザ光を所定の角度偏向させるために必要な駆動電圧を測定した。

この印加電圧測定では、圧電膜のＰＭｎＮの組成比率ｘが異なる比較例３と実施例５、６および７との振動ミラー素子について、駆動電圧を測定した。

具体的には、ミラー素子１００に対して、照射されるレーザ光を２０度偏向させるのに必要な駆動電圧を測定した。また、ＰＺＴのＺｒおよびＴｉの比率をＭＰＢ組成近傍の５０／５０とした。

ここで、比較例３では、ＰＭｎＮの組成比率ｘを０％とした。また、実施例５では、ＰＭｎＮの組成比率ｘを１０％とした。また、実施例６では、ＰＭｎＮの組成比率ｘを２０％とした。また、実施例７では、ＰＭｎＮの組成比率ｘを２５％とした。そして、このような条件設定の下、レーザ光を所定の角度２０度偏向させるのに必要な駆動電圧を測定した。なお、測定は、上記第２実験と同様のＰＭｎＮの組成比率０％、１０％、２０％および２５％について行った。

変位測定の結果としては、図１１に示すように、ＰＭｎＮの組成比率０％の比較例３においては、印加電圧が３０Ｖとなった。また、ＰＭｎＮの組成比率１０％の実施例５においては、駆動電圧が１５Ｖとなった。また、ＰＭｎＮの組成比率２０％の実施例６においては、駆動電圧が１２Ｖとなった。また、ＰＭｎＮの組成比率２５％の実施例７においては、駆動電圧が３０Ｖとなった。

上記のような駆動電圧測定の結果から、ＰＭｎＮの組成比率ｘが０％から増加するにつれて、駆動電圧は減少することが判明した。そして、ＰＭｎＮの組成比率ｘの１７％辺り（駆動電圧が約１０Ｖ辺り）から変位が増加することが判明した。

また、比較例３と比較した場合、ＰＭｎＮの組成比率ｘが３％以上２５％以下とすることにより、駆動電圧を約１５％から約６０％程度低下することが判明した。したがって、ＰＭｎＮの組成比率ｘを３％以上２５％以下として、振動ミラー素子の圧電膜を構成することが好ましいと判明した。

また、その中でも、ＰＭｎＮの組成比率ｘが１０％以上２２％以下の範囲においては、比較例３に対して、駆動電圧を約５０％から約６０％程度低下することが判明した。したがって、ＰＭｎＮの組成比率ｘを１０％以上２２％以下の範囲として、特に振動ミラー素子の圧電膜を構成することが好ましいと判明した。

また、ＰＭｎＮの組成比率ｘが２０％以上となる場合には、駆動電圧が急激に増加していくことが判明した。このことからも、ＰＭｎＮの組成比率ｘを１０％以上２０％以下の範囲として、振動ミラー素子の圧電膜を構成するのが特に好ましい。なお、本第３実験では、好ましいＰＭｎＮの組成比率ｘについて、上記第２実験の結果と概ね対応する結果が得られた。

（第４実験）
次に、図１２を参照して、ＰＭｎＮ−ＰＺＴの薄膜により形成された圧電膜１２２を用いて、駆動電圧に対する圧電膜１２２の変位を測定した。

この変位測定では、圧電膜１２２のＰＭｎＮの組成比率ｘが異なる比較例４と実施例８、９、１０および１１の振動ミラー素子について、駆動電圧を変えることにより、ＰＭｎＮ−ＰＺＴの薄膜により形成された圧電膜１２２を有するカンチレバー１０２の変位を測定した。なお、カンチレバー１０２の形状は、図９に示す上記第２実験と同一である。また、ＺｒおよびＴｉの比率をＭＰＢ組成近傍の５０／５０とした。

ここで、比較例４では、ＰＭｎＮの組成比率ｘを０％とした。また、実施例８では、ＰＭｎＮの組成比率ｘを１０％とした。また、実施例９では、ＰＭｎＮの組成比率ｘを１５％とした。また、実施例１０では、ＰＭｎＮの組成比率ｘを２０％とした。また、実施例１１では、ＰＭｎＮの組成比率ｘを２５％とした。

変位測定の結果としては、図１２に示すように、比較例４では、駆動電圧と変位との関係が２次曲線状となり、実施例８では、１次曲線状となり、実施例９、１０および１１では、飽和曲線状となった。つまり、実施例９〜１１では、駆動電圧が大きくなるに従い変位の変化量が小さくなった。

上記のような変位測定の結果から、ＰＭｎＮの組成比率が増加するにつれて、変位の変化量が大きくなることが判明した。また、ＰＭｎＮの組成比率が２０％付近で、駆動電圧に対する変位の変化量が徐々に変わらなくなることが判明した。また、ＰＭｎＮの添加量を異ならせることにより駆動電圧を制御可能であることが判明した。

（第５実験）
次に、図１３を参照して、圧電膜のＰＭｎＮの組成比率ｘを２０％として、飽和状態（上記第４実験の飽和曲線を描く状態）の圧電膜に加えられる印加電界に対する圧電係数（圧電応力係数、電界に対する応力値）を測定した。また、ＺｒおよびＴｉの比率をＭＰＢ組成近傍の５０／５０とした。

ここで、実施例１２では、印加電界を２０ｋＶ／ｃｍとした。また、実施例１３では、印加電界を４０ｋＶ／ｃｍとした。また、実施例１４では、印加電界を７０ｋＶ／ｃｍとした。また、実施例１５では、印加電界を１００ｋＶ／ｃｍとした。

圧電係数測定の結果としては、図１３に示すように、実施例１２および実施例１３では、圧電係数が−２８Ｃ／ｍ^２となった。また、実施例１４では、圧電係数が−２４Ｃ／ｍ^２となった。また、実施例１５では、圧電係数が−２０Ｃ／ｍ^２となった。

上記のような圧電係数測定の結果から、圧電係数は、低い印加電界で大きくなることが判明した。したがって、ＰＭｎＮの添加量を２０％に増加させた場合には、大きい圧電係数が小さい電圧（印加電界）で得られるため、駆動電圧をより低下させることが可能となることが判明した。また、本出願人は、鋭意検討した結果、駆動電圧を低下させるための最適化条件は、固溶体ＰＭｎＮ−ＰＺＴの薄膜において、ＰＭｎＮの組成比率ｘが１５％以上２５％以下（飽和特性）、ＰＺＴのＺｒとＴｉとの比率が３０／７０から７０／３０までの範囲、かつ、印加電界が２０ｋＶ／ｃｍ以上４０ｋＶ／ｃｍ以下であることを見い出した。また、第４実施例で用いた圧電膜では、圧電歪定数（電界に対する歪値）が、−２４８×１０^−１２Ｃ／Ｎになった。この値は、市販のＰＺＴ薄膜の圧電歪定数（−２００×１０^−１２Ｃ／Ｎ）よりも大きい。この結果、高温環境下であっても、安定して駆動させることが可能であると判明した。

（第２実施形態）
図３を参照して、本発明の第２実施形態による振動ミラー素子２００の構成について説明する。

この第２実施形態では、圧電膜２２を固溶体［ｘＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３］の薄膜から形成した上記第１実施形態とは異なり、圧電膜２２２を固溶体［ｘＰｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）ＰｂＴｉＯ_３］の薄膜から形成した例について説明する。

ここで、第２実施形態では、図３に示す圧電膜２２２は、ＰｂＴｉＯ_３から構成されるＡＢＯ_３構造の真性ペロブスカイト強誘電体と、ＡＢＯ_３構造のＢサイトがアクセプター原子Ｍｇおよびドナー原子ＮｂからなるＰｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３のペロブスカイト強誘電体との固溶体［ｘＰｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）ＰｂＴｉＯ_３］（以下、ＰＭｇＮ−ＰＴと記す）の薄膜から形成されている。なお、真性ペロブスカイト強誘電体およびペロブスカイト強誘電体はともに、ＡサイトがＰｂからなる。

また、圧電膜２２２を形成するペロブスカイト強誘電体および真性ペロブスカイト強誘電体に対する、ペロブスカイト強誘電体の組成比率ｘは、約１０％以上約５０％以下である。組成比率ｘを約１０％以上約５０％以下とすることにより、圧電膜２２２の駆動電圧に対する変位が飽和特性を示し、その結果、圧電膜２２２の圧電特性の向上を図ることが可能に構成である。なお、組成比率が約１０％未満となった場合には、振動ミラー素子２００の動作特性が不安定になる。

なお、第２実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。

上記第２実施形態では、以下のような効果を得ることができる。

第２実施形態では、上記のように、圧電膜２２２を、ＰｂＴｉＯ_３から構成されるＡＢＯ_３構造の真性ペロブスカイト強誘電体と、ＡＢＯ_３構造のＢサイトがアクセプター元素Ｍｇおよびドナー元素ＮｂからなるＰｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３のペロブスカイト強誘電体との固溶体Ｐｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３−ＰｂＴｉＯ_３の薄膜から形成する。これにより、駆動電圧を低電圧化することができる。

また、第２実施形態では、圧電膜２２２を、ペロブスカイト強誘電体のＰｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３と真性ペロブスカイト強誘電体のＰｂＴｉＯ_３との固溶体［ｘＰｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）ＰｂＴｉＯ_３］の薄膜により構成し、組成比率ｘを１０％以上５０％以下とする。これにより、固溶体［ｘＰｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）ＰｂＴｉＯ_３］の薄膜により圧電膜２２２が形成されるので、良質のペロブスカイト構造を維持することができる。その結果、ＰＺＴ系の材料を用いて圧電係数（圧電特性）の大きな圧電膜を形成することができるので、駆動電圧を低電圧化することができる。また、圧電膜２２２の駆動電圧に対する変位が飽和特性を示すので、駆動電圧が低電圧化した状態であっても、圧電膜２２２を大きく変形させることができる。

なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。

（第３実施形態）
図１４を参照して、本発明の第２実施形態による振動ミラー素子３００の構成について説明する。なお、図１４は、上記第１実施形態における図３に対応する部分の断面図である。

この第３実施形態では、圧電膜２２と下部駆動電極２１および上部駆動電極２３とが接するように形成される上記第１実施形態とは異なり、圧電膜２２と下部駆動電極２１および上部駆動電極２３との界面３２５に金属酸化膜３２４が形成される例について説明する。

圧電膜２２は、図１４に示すように、一方面側に形成された上部駆動電極２３との界面３２５に、導電性の金属酸化膜３２４が形成されている。また、圧電膜２２は、他方面側に形成された下部駆動電極２１との界面３２５に、導電性の金属酸化膜３２４が形成されている。

また、金属酸化膜３２４は、酸化マンガン、酸化ルテニウム、酸化ニッケル、酸化白金、酸化イリジウム、酸化ストロンチウム・ルテニウムおよび酸化カルシウム・ルテニウムのうちの少なくとも１つから形成されている。また、このような材料からなる金属酸化膜３２４が圧電膜２２と下部駆動電極２１および上部駆動電極２３との間に形成されることにより、圧電膜２２は、振動時における耐電圧を高めることが可能なように構成されている。その結果、振動ミラー素子３００の寿命を延ばすことが可能である。

また、金属酸化膜３２４は、膜厚が約５μｍ以上約２００μｍ以下の均質かつ平坦な表面に形成されている。これにより、金属酸化膜３２４は、上記の耐電圧を高める効果を発揮することが可能なように構成されている。

なお、第３実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。

上記第３実施形態では、以下のような効果を得ることができる。

第３実施形態では、上記のように、圧電膜２２を、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３から構成されるＡＢＯ_３構造の真性ペロブスカイト強誘電体と、ＡＢＯ_３構造のＢサイトがアクセプター元素Ｍｎおよびドナー元素ＮｂからなるＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３のペロブスカイト強誘電体との固溶体Ｐｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３−Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３の薄膜から形成する。これにより、駆動電圧を低電圧化することができる。

また、第３実施形態では、圧電素子２０ａ〜２０ｄに圧電膜２２の一方表面上に形成された下部駆動電極２１と、他方表面上に形成された上部駆動電極２３とを設け、下部駆動電極２１および上部駆動電極２３と圧電膜２２との界面に、導電性の金属酸化膜３２４を形成する。これにより、圧電膜２２の耐電圧を高めることができるので、リーク電流が急増する駆動電圧を高めることができる。その結果、リーク電流の急増に伴う発熱により圧電膜２２が損傷するのを抑制することができ、圧電膜２２の寿命を伸長させることができる。

また、第３実施形態では、金属酸化膜３２４を、酸化マンガン、酸化ルテニウム、酸化ニッケル、酸化白金、酸化イリジウム、酸化ストロンチウム・ルテニウムおよび酸化カルシウム・ルテニウムのうちの少なくとも１つから形成する。これにより、圧電膜２の耐電圧をより高めることができるので、圧電膜２２の寿命をより伸長させることができる。

また、第３実施形態では、金属酸化膜３２４の膜厚を、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下とする。これにより、金属酸化膜３２４の表面を均一でかつ平坦な表面にすることができるとともに、振動（駆動）時に、圧電膜２２に歪が発生するのを抑制することができる。

なお、第３実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。

（第６実験）
次に、図１５を参照して、上記した本発明の上記第３実施形態の効果を確認するために行ったリーク電流測定について説明する。

このリーク電流測定では、実施例１６、１７および１８として、下部駆動電極および下部駆動電極における単位面積あたりのリーク電流測定を行った。

ここで、実施例１６では、圧電膜と下部駆動電極および下部駆動電極との界面に金属酸化膜として酸化マンガンを形成した。また、実施例１７では、圧電膜と下部駆動電極および下部駆動電極との界面に金属酸化膜として酸化ストロンチウム・ルテニウムを形成した。実施例１８では、圧電膜と下部駆動電極および下部駆動電極との界面に金属酸化膜を形成しなかった。

そして、上記した実施例１６、１７および１８における下部駆動電極および下部駆動電極に、低電圧を印加することによりリーク電流の測定を行った。そして、電圧を徐々に増加させていき、リーク電圧が急に増大する結果が得られるまで測定を繰り返した。

リーク電流測定の結果としては、図１５に示すように、実施例１６においては、印加電圧が３５Ｖでリーク電流が急増した。また、実施例１７においては、印加電圧が４０Ｖでリーク電流が急増した。また、実施例１８においては、印加電圧が２４Ｖでリーク電流が急増した。

上記のようなリーク電流測定の結果から、金属酸化膜を圧電膜と電極との界面に形成した場合には、リーク電流が急増する印加（駆動）電圧が高くなることが判明した。すなわち、圧電膜の耐電圧が向上することが判明した。

なお、今回開示された実施形態および実験は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態および実験の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。

たとえば、上記第１および第３実施形態では、圧電膜の材料としてＰｂＴｉＯ_３およびＰｂＺｒＯ_３の固溶体Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３から構成される真性ペロブスカイト強誘電体を用い、上記第２実施形態では、圧電膜の材料としてＰｂＴｉＯ_３から構成される真性ペロブスカイト強誘電体を用いる例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、圧電膜の材料である真性ペロブスカイト強誘電体をＰｂＴｉＯ_３、ＰｂＺｒＯ_３、および、ＰｂＴｉＯ_３およびＰｂＺｒＯ_３の固溶体Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３のうちいずれか１つから構成すればよい。

また、上記第１および第３実施形態では、圧電膜の材料であるペロブスカイト強誘電体のＡ（Ｂ_Ａ，Ｂ_Ｄ）Ｏ_３のアクセプター元素Ｂ_ＡにＭｎを用い、上記第２実施形態では、アクセプター元素Ｂ_ＡにＭｇを用いる例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、たとえば、アクセプター元素Ｂ_Ａに価数が４よりも小さいＦｅ、Ｓｎ、Ａｌ、ＣｒおよびＮｉなどを用いてもよい。

また、上記第１〜第３実施形態では、圧電膜の材料であるペロブスカイト強誘電体のＡ（Ｂ_Ａ，Ｂ_Ｄ）Ｏ_３のドナー元素Ｂ_ＤにＮｂを用いる例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、たとえば、ドナー元素Ｂ_Ｄに価数が４よりも大きいＴａ、Ｗ、ＢｉおよびＬａなどを用いてもよい。

また、上記第１〜第３実施形態では、基板を、Ｓｉから形成する例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、たとえば、基板を、表面にＳｉ層が設けられたヘテロ構造のＳＯＩ基板から形成してもよい。また、サファイア、アルミナ、チタニア、マグネシアおよびジルコニアなどから形成してもよい。また、サファイア、アルミナ、チタニア、マグネシアおよびジルコニアなどの固溶体から形成してもよい。また、ＰＺＴ系の圧電薄膜の形成が可能なチタン金属板やステンレス金属板などの導電性金属材料から形成してもよい。なお、上記例示した中でも、ＳＯＩ基板およびサファイアは振動ミラー素子を集積化するのに特に有効である。また、チタンやステンレスなどの金属板により基板を形成した場合には、圧電薄膜の下部駆動電極が不要となるので、製造プロセスを簡素化させることができる。

また、上記第１〜第３実施形態では、圧電膜の膜厚を約２μｍ以上約１０μｍ以下とする例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、圧電膜の薄膜構造が保持される範囲で、膜厚を約２μｍ未満約１０μｍよりも大きくしてもよい。

また、上記第１および第３実施形態では、真性ペロブスカイト強誘電体のＺｒ／Ｔｉ比率が約３０／７０から約７０／３０までの範囲である例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、たとえば、真性ペロブスカイト強誘電体のＺｒ／Ｔｉ比率を約２５／７５としてもよい。

また、上記第１および第３実施形態では、固溶体［ｘＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３］の組成比率ｘが０％より大きく約２５％以下である例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、たとえば、組成比率ｘが約３０％であってもよい。

また、上記第３実施形態では、圧電膜と下部駆動電極および下部駆動電極との界面に金属酸化膜を形成する例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、たとえば、結晶性のよいぺロブスカイト構造の厚さ数ｎｍの薄膜を、圧電膜と電極との界面に挿入してもよい。

また、上記第３実施形態では、圧電膜の下部駆動電極側および下部駆動電極側のいずれにも金属酸化膜を形成する例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、たとえば、圧電膜の下部駆動電極側にのみ金属酸化膜を形成してもよい。

また、上記第３実施形態では、金属酸化膜の膜厚を約５ｎｍ以上約２００ｎｍとする例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、金属酸化膜の膜厚を約５ｎｍ未満約２００ｎｍよりも大きくしてもよい。

１１ ミラー部
２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ 圧電素子（駆動部）
２１ 下部駆動電極（第１駆動電極）
２２、２２２ 圧電膜
２３ 上部駆動電極（第２駆動電極）
１００、２００、３００ 振動ミラー素子
３２４ 金属酸化膜
３２５ 界面

Claims (13)

1. 圧電膜を含む駆動部と、
   前記駆動部の振動で駆動されるミラー部とを備え、
   前記圧電膜は、ＰｂＴｉＯ_３、ＰｂＺｒＯ_３、および、ＰｂＴｉＯ_３およびＰｂＺｒＯ_３の固溶体Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３のうちいずれか１つから構成されるＡＢＯ_３構造の真性ペロブスカイト強誘電体と、前記ＡＢＯ_３構造のＢサイトがアクセプター元素Ｂ_Ａおよびドナー元素Ｂ_ＤからなるＡ（Ｂ_Ａ，Ｂ_Ｄ）Ｏ_３のペロブスカイト強誘電体との固溶体Ａ（Ｂ_Ａ，Ｂ_Ｄ）Ｏ_３−ＡＢＯ_３の薄膜から形成されている、振動ミラー素子。
2. 前記ペロブスカイト強誘電体は、前記ペロブスカイト強誘電体のＡサイトとしてＰｂを含み、前記アクセプター元素Ｂ_ＡとしてＭｎを含み、前記ドナー元素Ｂ_ＤとしてＮｂを含むＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３からなる、請求項１に記載の振動ミラー素子。
3. 前記真性ペロブスカイト強誘電体のＺｒ／Ｔｉ比率は、３０／７０から７０／３０までの範囲であり、
   前記圧電膜は、前記ペロブスカイト強誘電体のＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３と前記真性ペロブスカイト強誘電体のＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３との固溶体［ｘＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３］の薄膜により構成され、組成比率ｘが０％より大きく２５％以下である、請求項２に記載の振動ミラー素子。
4. 前記真性ペロブスカイト強誘電体のＺｒ／Ｔｉ比率は、４０／６０から６０／４０までの範囲であり、
   前記圧電膜は、前記固溶体［ｘＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３］の薄膜により構成され、組成比率ｘが５％以上２０％以下である、請求項３に記載の振動ミラー素子。
5. 前記圧電膜は、前記固溶体［ｘＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３］の薄膜により構成され、組成比率ｘが３％以上２５％以下である、請求項３に記載の振動ミラー素子。
6. 組成比率ｘが１０％以上２２％以下である、請求項５に記載の振動ミラー素子。
7. 前記真性ペロブスカイト強誘電体のＺｒ／Ｔｉ比率は、５０／５０近傍である、請求項５または６に記載の振動ミラー素子。
8. 前記圧電膜は、固溶体［ｘＰｂ（Ｍｎ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３］の薄膜により構成され、組成比率ｘが１５％以上２５％以下であり、かつ、前記圧電膜への印加電界が２０ｋＶ／ｃｍ以上４０ｋＶ／ｃｍ以下である、請求項３に記載の振動ミラー素子。
9. 前記圧電膜は、前記ペロブスカイト強誘電体のＰｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３と前記真性ペロブスカイト強誘電体のＰｂＴｉＯ_３との固溶体［ｘＰｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３・（１−ｘ）ＰｂＴｉＯ_３］の薄膜により構成され、組成比率ｘが１０％以上５０％以下である、請求項１に記載の振動ミラー素子。
10. 前記圧電膜の膜厚は、２μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の振動ミラー素子。
11. 前記駆動部は、前記圧電膜の一方表面上に形成された第１駆動電極と、他方表面上に形成された第２駆動電極とを含み、
    前記第１駆動電極および前記第２駆動電極のうち少なくとも一方と前記圧電膜との界面には、導電性の金属酸化膜が形成されている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の振動ミラー素子。
12. 前記金属酸化膜は、酸化マンガン、酸化ルテニウム、酸化ニッケル、酸化白金、酸化イリジウム、酸化ストロンチウム・ルテニウムおよび酸化カルシウム・ルテニウムのうちの少なくとも１つから形成されている、請求項１１に記載の振動ミラー素子。
13. 前記金属酸化膜の膜厚は、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、請求項１１または１２に記載の振動ミラー素子。

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