JP2015115180A - 透明導電体 - Google Patents

Abstract

【課題】耐湿性が高く、高いフレキシブル性を有し、かつ光透過性が高い透明導電体を提供する。
【解決手段】透明基板と、前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第一高屈折率層と、透明金属膜と、前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第二高屈折率層と、をこの順に含む透明導電体であって、前記第一高屈折率層または前記第二高屈折率層のうち、少なくとも一方の層がＺｎＳと、波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５以上であり、かつ酸化物、フッ化物、及び窒化物からなる群から選ばれる高屈折率化合物との混合物を含むアモルファス層である、透明導電体とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、透明金属膜を含む透明導電体に関する。

近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等の表示装置の電極材料、無機及び有機ＥＬ素子の電極材料、タッチパネル材料、太陽電池材料等の各種装置に透明導電膜が使用されている。

このような透明導電膜を構成する材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属やＩｎ_２Ｏ_３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ_２Ｏ_４、Ｃｄ_２ＳｎＯ_４、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等の酸化物半導体が知られている。

ここで、タッチパネル型の表示装置等では、表示素子の画像表示面上に、透明導電膜等からなる配線が配置される。したがって、透明導電膜には、光の透過性が高いことが求められる。このような各種表示装置には、光透過性の高いＩＴＯからなる透明導電膜が多用されている。

近年、静電容量方式のタッチパネル表示装置が開発され、透明導電膜の表面電気抵抗をさらに低くすることが求められている。しかし、従来のＩＴＯ膜では、表面電気抵抗を十分に下げられない、との問題があった。

そこで、Ａｇの蒸着膜を透明導電膜とすることが検討されている（特許文献１）。また、Ａｇ膜を高い屈折率の層で挟み込むと、透明導電体の表面反射が抑制されて、透明導電体の光透過性が高まる。そこで、Ａｇ膜を酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）や、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム、及び酸素からなる非晶質酸化物）等からなる膜で挟み込むことも提案されている（特許文献２〜４、及び非特許文献３）。また、高屈折率層の材料として、ＺｎＳや、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２等も提案されている（非特許文献１及び２、並びに特許文献５）。

特表２０１１−５０８４００号公報 特開２００６−１８４８４９号公報 特開２００２−１５６２３号公報 特開２００８−２２６５８１号公報 中国特許出願公開第１０２６７７０１２号明細書

Xuanjie Liu,et al, (2003). Thin Solid Films 441, 200-206 Optically transparent IR reflective heat mirror films of ZnS - Ag - ZnS, Bruce W. Smith, May 1989. Rochester Institute Of Technology Center For Imaging Science Transparent Conductive Film Nb2O5/Ag/IZO with an Anti-Reflection Design，Ywh-Tarng Leu, et al., SID 2012 DIGEST p.352-353

しかし、酸化ニオブやＩＴＯ等によってＡｇ膜が挟み込まれた透明導電体は、耐湿性が十分でなく、湿度環境下で透明導電体を使用すると、Ａｇ膜が腐食したり、Ａｇがマイグレーションする等の問題があった。

一方、Ａｇ層がＺｎＳ層に挟み込まれた透明導電体では、透明導電体の耐湿性が十分に高いものの、ＺｎＳ層のフレキシブル性が低い。そのため、透明導電体の用途が限定されるとの問題があった。また、Ａｇ層をＺｎＳ−ＳｉＯ_２で挟み込んだ透明導電体では、フレキシブル性が高いものの、透明導電体の光透過性が十分に高まらないとの問題があった。

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものである。本発明は、耐湿性が高く、高いフレキシブル性を有し、かつ光透過性が高い透明導電体を提供することを目的とする。

即ち、本発明は、以下の透明導電体に関する。
［１］透明基板と、前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第一高屈折率層と、透明金属膜と、前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第二高屈折率層と、をこの順に含む透明導電体であって、前記第一高屈折率層または前記第二高屈折率層のうち、少なくとも一方の層がＺｎＳと、波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５以上であり、かつ酸化物、フッ化物、及び窒化物からなる群から選ばれる高屈折率化合物との混合物を含むアモルファス層である、透明導電体。
［２］前記高屈折率化合物が、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、ＩＧＺＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、ＷＯ_３、ＨｆＯ_２、ａ−ＧＩＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＭＧＯからなる群から選ばれる１種以上の化合物である、［１］に記載の透明導電体。
［３］前記透明金属膜が、所定の形状にパターニングされた金属パターンである、［１］または［２］に記載の透明導電体。

本発明によれば、耐湿性が高く、フレキシブル性が高く、かつ光透過性が高い透明導電体が得られる。

本発明の透明導電体の層構成の一例を示す概略断面図である。 本発明の透明導電体の層構成の他の例を示す概略断面図である。 本発明の透明導電体の導通領域及び絶縁領域からなるパターンの一例を示す模式図である。 実施例１で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例２で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例３で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例４で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例５で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例６で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例７で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例８で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例９で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例１０で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例１１で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例１２で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例１３で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例１４で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例１５で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例１６で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例１７で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例１８で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例１９で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例２０で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例２１で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例２２で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例２３で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例２４で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 実施例２５で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 比較例１で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 比較例３で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 比較例４で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 比較例７で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。

本発明の透明導電体の層構成の例を図１及び図２に示す。図１及び図２に示されるように、本発明の透明導電体１００には、透明基板１／第一高屈折率層２／透明金属膜３／第二高屈折率層４が含まれる。そして、本発明の透明導電体１００では、当該第一高屈折率層２または第二高屈折率層４のいずれか一方、もしくは両方が、ＺｎＳと高屈折率化合物との混合物を含むアモルファス層である。

前述のように、第一高屈折率層または第二高屈折率層にＺｎＳが含まれると、耐湿性が高まり、透明金属膜が腐食し難くなる。しかし、ＺｎＳは結晶性が高く、柔軟性が低い。そのため、第一高屈折率層及び第二高屈折率層がＺｎＳのみからなると、透明導電体のフレキシブル性が低く、透明導電体の用途が限定されるとの問題があった。一方で、ＺｎＳと共にＳｉＯ_２が含まれると、透明導電体のフレキシブル性は高まるが、ＳｉＯ_２によって高屈折率層の屈折率が低下する。高屈折率層の屈折率が低下すると、長波長域の光の透過性が低くなりやすく、透明導電体の光透過性が不十分になりやすい等の問題があった。

これに対し、本願発明の第一高屈折率層または第二高屈折率層には、ＺｎＳと共に高屈折率化合物が含まれる。そのため、当該高屈折率層を含む透明導電体は、透過率が高く、さらに幅広い波長範囲の光の透過性が良好である。また、当該高屈折率層は、高屈折率化合物によってアモルファス化されているため、柔軟性が高い。したがって、得られる透明導電体は、各種装置に適用可能である。

本発明の透明導電体では、図１に示されるように、透明金属膜３が透明基板１の全面に積層されていてもよく、図２に示されるように、透明金属膜３が所望の形状にパターニングされていてもよい。本発明の透明導電体において、透明金属膜３が積層されている領域ａが、電気が導通する領域（以下、「導通領域」とも称する）である。一方、図２に示されるように、透明金属膜３が含まれない領域ｂが絶縁領域である。

導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンは、透明導電体１００の用途に応じて、適宜選択される。例えば透明導電体１００が静電方式のタッチパネルに適用される場合には、図３に示されるような、複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン等でありうる。絶縁領域ｂのラインの幅は５０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２０μｍ以下である。

また、本発明の透明導電体１００には、透明基板１、第一高屈折率層２、透明金属膜３、及び第二高屈折率層４以外の層が含まれてもよい。例えば透明金属膜３の成膜時に成長核になり得る下地層が、透明金属膜３と第一高屈折率層２との間に含まれてもよい。また、透明金属膜の硫化を防止するための層が、第一高屈折率層２と透明金属膜３との間、もしくは透明金属膜３と第二高屈折率層４との間に含まれてもよい。

第二高屈折率層４上に屈折率の低い低屈折率層がさらに含まれてもよく、低屈折率層上に高い屈折率を有する第三高屈折率層等がさらに含まれてもよい。ただし、本発明の透明導電体１００に含まれる層は、透明基板１を除いて、いずれも無機材料からなる層である。例えば第二高屈折率層４上に有機樹脂からなる接着層が積層されている場合等には、透明基板１から第二高屈折率層４までの積層体が、本発明の透明導電体１００である。

（１）透明基板
透明導電体１００に含まれる透明基板１は、各種表示デバイスの透明基板と同様でありうる。透明基板１は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えばパンライト、マルチロン（いずれも帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えばゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えばポリメチルメタクリレート、「アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムでありうる。透明基板１が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには２種以上の樹脂が含まれてもよい。

透明性の観点から、透明基板１はガラス基板、もしくはセルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、またはスチレン系ブロックコポリマー樹脂からなるフィルムであることが好ましい。

また、透明基板１は、ハードコート層や平滑層を表面に含むものでもありうる。ハードコート層や平滑層が含まれると、透明基板１上に成膜される各層の平滑性が高まりやすく、特に透明金属膜３が平滑になりやすい。さらに、透明基板１から、第一高屈折層２側に不純物が析出し難くなり、透明導電体の擦り傷耐性が高まる、という効果も得られる。ハードコート層や平滑層は、樹脂からなる層でありうる。

透明基板１は、可視光に対する透明性が高いことが好ましく；波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。透明基板１の光の平均透過率が７０％以上であると、透明導電体１００の光透過性が高まりやすい。また、透明基板１の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。

上記平均透過率は、透明基板１の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の角度から光を入射させて、透明基板１の平均反射率を測定し；平均吸収率＝１００−（平均透過率＋平均反射率）として算出する。平均透過率及び平均反射率は分光光度計で測定される。

透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４０〜１．９５であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５であり、さらに好ましくは１．４５〜１．７０である。透明基板の屈折率は、通常、透明基板の材質によって定まる。透明基板１の屈折率は、エリプソメーターで測定される。

透明基板１のヘイズ値は０．０１〜２．５であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２である。透明基板のヘイズ値が２．５以下であると、透明導電体のヘイズ値が抑制される。ヘイズ値は、ヘイズメーターで測定される。

透明基板１の厚みは、１μｍ〜２０ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍである。透明基板の厚みが１μｍ以上であると、透明基板１の強度が高まり、第一高屈折率層２の作製時に割れたり、裂けたりし難くなる。一方、透明基板１の厚みが２０ｍｍ以下であれば、透明導電体１００のフレキシブル性が十分となる。さらに透明導電体１００を用いた機器の厚みを薄くできる。また、透明導電体１００を用いた機器を軽量化することもできる。

（２）第一高屈折率層
第一高屈折率層２は、透明導電体１００の導通領域ａに少なくとも形成される層である。透明導電体１００に第一高屈折率層２及び後述の第二高屈折率層４が含まれると、透明金属膜３が成膜されている領域の表面反射が抑制され、透明導電体１００の光の透過性が高まる。第一高屈折率層２は、透明導電体１００の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。

第一高屈折率層２には、前述の透明基板１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれる。当該誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第一高屈折率層２に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料または酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第一高屈折率層２によって、透明導電体１００の導通領域ａの光透過性が十分に調整される。なお、第一高屈折率層２の屈折率は、第一高屈折率層２に含まれる材料の屈折率や、第一高屈折率層２に含まれる材料の密度で調整される。

第一高屈折率層２に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料または酸化物半導体材料の例にはＺｎＳ、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛の酸化物）、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、ＷＯ_３、ＨｆＯ_２、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム、及び酸素からなる非晶質酸化物）等が含まれる。第一高屈折率層２には、誘電性材料または酸化物半導体材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。

ここで、第一高屈折率層２は、ＺｎＳと、波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５以上である高屈折率化合物との混合物を含むアモルファス層であることが好ましい。前述のように、第一高屈折率層２にＺｎＳが含まれると、透明基板１側から透明金属膜３に水分が透過し難くなり、透明金属膜３の腐食が抑制される。さらに、透明金属膜３がＡｇからなる場合、ＺｎＳとＡｇとの相互作用が強いため、透明金属膜３に含まれる金属のマイグレーションも抑制される。一方、第一高屈折率層２に高屈折率化合物が含まれると、第一高屈折率層２の屈折率が高まり、透明導電体１００の光透過性が高まる。さらに、第一高屈折率層２の柔軟性が高まり、透明導電体１００のフレキシブル性が高まる。

高屈折率化合物の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．８以上であることが好ましく、より好ましくは２．０以上である。高屈折率化合物は、酸化物、フッ化物、または窒化物でありうる。高屈折率化合物でありうる酸化物の例には、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、ＩＧＺＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、ＷＯ_３、ＨｆＯ_２、ａ−ＧＩＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＭｇＯ等の金属酸化物が含まれる。高屈折率化合物でありうるフッ化物の例には、ＬａＦ_３、ＣｅＦ_３、ＮｄＦ_３、ＹＦ_３等の金属フッ化物が含まれる。高屈折率化合物でありうる窒化物の例には、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ等の金属窒化物が含まれる。高屈折率化合物は、特に好ましくは金属酸化物である。高屈折率化合物は、アモルファス層に２種類以上含まれてもよい。

第一高屈折率層（アモルファス層）には、第一高屈折率層２を構成する材料の総質量に対して、ＺｎＳが０．１質量％以上９５質量％以下含まれることが好ましく、より好ましくは５０〜９０質量％であり、さらに好ましくは６０〜８５質量である。第一高屈折率層２に高屈折率化合物や低屈折率化合物が５質量％以上含まれると、第一高屈折率層２が非晶質になりやすく、第一高屈折率層２の柔軟性が高まりやすい。一方、ＺｎＳの比率が高いとスパッタ速度が速くなり、第一高屈折率層２の成膜速度が速くなる。さらに第一高屈折率層（アモルファス層）の、屈折率が高まりやすい。

また、第一高屈折率層（アモルファス層）には、波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満の低屈折率化合物が少量含まれてもよい。低屈折率化合物は、例えばＳｉＯ_２、ＢａＦ_２、ＡｌＦ_３、ＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ｎａ_５Ａｌ_３Ｆ_１４、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、Ｇａ_２Ｏ_３でありうる。低屈折率化合物は、第一高屈折率層（アモルファス層）に１０質量％以下含まれることが好ましく、より好ましくは５質量％以下であり、含まれないことが特に好ましい。

第一高屈折率層（アモルファス層）の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．１５以上であることが好ましく、より好ましくは２．２〜２．４である。第一高屈折率層２の屈折率が２．１５以上であると、透明導電体１００の波長４００ｎｍ〜１０００ｎｍの光の透過率が全領域で高まりやすくなる。第一高屈折率層の屈折率は、エリプソメーターで測定される。

第一高屈折率層２の厚みは、１５〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜８０ｎｍである。第一高屈折率層２の厚みが１５ｎｍ以上であると、第一高屈折率層２によって、透明導電体１００の光透過性が十分に高まる。また１５ｎｍ以上であれば湿度から透明金属膜３が十分に保護される。一方、第一高屈折率層２の厚みが１５０ｎｍ以下であれば、第一高屈折率層２が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第一高屈折率層２の厚みは、エリプソメーターで測定される。

第一高屈折率層２は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層でありうる。第一高屈折率層２の屈折率（密度）が高まり、かつ量産コストが低いとの観点から、第一高屈折率層２は、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、イオンプレーティング法、またはスパッタ法で成膜された層であることが好ましい。電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法の場合には、膜密度を高めるためにＩＡＤ（イオンアシスト）などのアシストがあることが望ましい。

ここで、第一高屈折率層２がＺｎＳと高屈折率化合物との混合物を含むアモルファス層である場合、ＺｎＳや高屈折率化合物、さらに必要に応じて低屈折率化合物を所望の比率で混合し、当該混合物を蒸着源やスパッタリングターゲットとしてもよい。また、ＺｎＳ及び高屈折率化合物等を共蒸着または共スパッタしてもよい。

また、第一高屈折率層２が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第一高屈折率層２は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく；例えばフォトリソグラフィー法等、公知のエッチング法によってパターニングされた膜であってもよい。フォトリソグラフィー法等でエッチングする場合、エッチング液は、無機酸または有機酸のいずれでもありうるが、シュウ酸、塩酸、塩化鉄、酢酸、またはリン酸、またはこれらの混合物であることがより好ましい。

（３）透明金属膜
透明金属膜３は、透明導電体１００において電気を導通させるための膜である。透明金属膜３は、前述のように、透明基板１の全面に形成されていてもよく、また所望の形状にパターニングされていてもよい。

透明金属膜３に含まれる金属は、導電性の高い金属であれば特に制限されず、例えば銀、銅、金、白金族、チタン、クロム等でありうる。透明金属膜３には、これらの金属が１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。導電性が高いとの観点から、透明金属膜は銀のみ、または銀と他の金属との合金であることが好ましい。

透明金属膜３が銀と他の金属との合金である場合、他の金属は、銀との合金としたときに、透明金属膜３の表面に局在しやすい金属、もしくは銀と硫黄との結合力より、銀との結合力が強い金属であることが好ましい。当該金属の例にはゲルマニウム、ビスマス、白金族、銅、金、モリブデン、亜鉛、ガリウム、スズ、インジウム、ネオジム、チタン、アルミニウム、タングステン、マンガン、鉄、ニッケル、イットリウム、及びマグネシウムが含まれ、好ましくは亜鉛、ゲルマニウム、ビスマス、パラジウム、銅、金、またはネオジムである。透明金属膜３には、これらの金属が一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。

透明金属膜３が銀と他の金属との合金からなる場合、透明金属膜３の表面に他の金属の酸化皮膜が形成されて、銀の硫化が抑制される；もしくは銀と他の金属との結合力によって銀の硫化が抑制される。その結果、第一高屈折率層２や第二高屈折率層４にＺｎＳが含まれたとしても、透明金属膜３中の銀が硫化され難く、透明金属膜３が着色し難い。

透明金属膜３が銀と他の金属との合金である場合、銀以外の金属の量は、透明金属膜３を構成する全原子の量に対して、０．０１〜１０ａｔ％であることが好ましく、より好ましくは０．１〜５ａｔ％であり、さらに好ましくは０．２〜３ａｔ％である。透明金属膜３に他の金属が０．１ａｔ％以上含まれると、銀の硫化が抑制されやすい。一方、透明金属膜３に含まれる他の金属の量が１０ａｔ％以下であると、透明金属膜３の光透過性が高まりやすい。透明金属膜に含まれる各原子の種類や、その含有量は、例えばＸＰＳ法等で特定される。

透明金属膜３の厚みは好ましくは１０ｎｍ以下であり、好ましくは３〜９ｎｍであり、さらに好ましくは５〜８ｎｍである。本発明の透明導電体１００では、透明金属膜３の厚みが１０ｎｍ以下であると、透明金属膜３に金属本来の反射が生じ難い。さらに、透明金属膜３の厚みが１０ｎｍ以下であると、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４によって、透明導電体１００の表面反射が十分に抑制されやすく、導通領域ａ表面での光の反射が抑制されやすい。透明金属膜３の厚みは、エリプソメーターで測定される。

透明金属膜３は、いずれの成膜方法で成膜された膜でありうるが、透明金属膜の平均透過率を高めるためには、スパッタ法で成膜された膜；もしくは後述する下地層上に成膜された膜であることが好ましい。

スパッタ法では、成膜時に材料が被成膜体に高速で衝突するため、緻密かつ平滑な膜が得られやすく；透明金属膜３の光透過性が高まりやすい。また、透明金属膜３がスパッタ法により成膜された膜であると、透明金属膜３が高温かつ低湿度な環境においても腐食し難くなる。スパッタ法の種類は特に制限されず、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法、対向スパッタ法等でありうる。透明金属膜３は、特に対向スパッタ法で成膜された膜であることが好ましい。透明金属膜３が、対向スパッタ法で成膜された膜であると、透明金属膜３が緻密になり、表面平滑性が高まりやすい。また、対向スパッタ法では、材料が斜めに入射して成膜される。その結果、透明金属膜３の表面電気抵抗が低くなり、光の透過率も高まりやすい。

一方、後述する下地層上に透明金属膜３を成膜すると、透明金属膜３の成膜時に下地層が成長核となるため、透明金属膜３が平滑な膜になりやすい。その結果、透明金属膜３が薄くとも、プラズモン吸収が生じ難くなる。つまり光透過性の高い膜になる。この場合、透明金属膜３の成膜方法は特に制限されず、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法でありうる。

また、透明金属膜３が所望の形状にパターニングされた膜である場合、パターニング方法は特に制限されない。透明金属膜３は、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して成膜された膜であってもよく；例えばフォトリソグラフィー法等、公知のエッチング法によってパターニングされた膜であってもよい。フォトリソグラフィー法等でエッチングする場合、エッチング液は、無機酸または有機酸のいずれでもありうるが、シュウ酸、塩酸、塩化鉄、酢酸、またはリン酸、またはこれらの混合物であることがより好ましい。

（４）第二高屈折率層
第二高屈折率層４は、透明導電体１００の導通領域ａに少なくとも形成される層である。前述のように、透明導電体１００に第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４が含まれると、透明金属膜３が成膜されている導通領域ａにおける光の表面反射が抑制され、透明導電体１００の光透過性が高まる。第二高屈折率層４は、透明導電体１００の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。

第二高屈折率層４には前述の透明基板１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれる。当該誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第二高屈折率層４に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料または酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第二高屈折率層４によって、透明導電体１００の導通領域ａの光の表面反射が十分にされる。なお、第二高屈折率層４の屈折率は、第二高屈折率層４に含まれる材料の屈折率や、第二高屈折率層４に含まれる材料の密度で調整される。

第二高屈折率層４に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料または酸化物半導体材料は、第一高屈折率層に含まれる誘電性材料または酸化物材料と同様でありうる。第二高屈折率層４には、誘電性材料または酸化物材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。

ここで、第二高屈折率層４は、ＺｎＳと、波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５以上である高屈折率化合物との混合物を含むアモルファス層であることが好ましい。前述のように、第二高屈折率層４にＺｎＳが含まれると、第二高屈折率層４側から透明金属膜３に水分が透過し難くなり、透明金属膜３の腐食が抑制される。また、透明金属膜３がＡｇからなる場合、ＺｎＳとＡｇとの相互作用が強いため、透明金属膜３に含まれる金属のマイグレーションも抑制される。また、第二高屈折率層４に高屈折率材料が含まれると、第二高屈折率層４の屈折率が高まったり、第二高屈折率層４のフレキシブル性が高まりやすい。高屈折率化合物は、第一高屈折率層に含まれる高屈折率化合物と同様でありうる。

第二高屈折率層（アモルファス層）には、第二高屈折率層４を構成する材料の総質量に対して、ＺｎＳが０．１質量％以上９５質量％以下含まれることが好ましく、５０質量％以上９０質量％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは６０質量％以上８５質量％以下である。高屈折率化合物や低屈折率化合物が５質量％以上含まれると、第二高屈折率層４が非晶質になりやすく、第二高屈折率層４の柔軟性が高まりやすい。一方、ＺｎＳの比率が高いとスパッタ速度が速くなり、第二高屈折率層４の成膜速度が速くなる。

また、第二高屈折率層（アモルファス層）には、波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満の低屈折率化合物が少量含まれてもよい。第二高屈折率層４に含まれる低屈折率化合物は、第一高屈折率層２に含まれる低屈折率材料と同様でありうる。低屈折率化合物は、第二高屈折率層（アモルファス層）に１０質量％以下含まれることが好ましく、より好ましくは５質量％以下であり、含まれないことが特に好ましい。

第二高屈折率層（アモルファス層）の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．１５以上であることが好ましく、より好ましくは２．２〜２．４である。第二高屈折率層４の屈折率が２．１５以上であると、透明導電体１００の波長４００ｎｍ〜１０００ｎｍの光の透過率が全領域で高まりやすくなる。第二高屈折率層４の屈折率は、エリプソメーターで測定される。

第二高屈折率層４の厚みは、好ましくは１５〜１５０ｎｍであり、さらに好ましくは２０ｎｍ〜８０ｎｍである。第二高屈折率層４の厚みが１５ｎｍ以上であると、第二高屈折率層４によって、透明導電体１００の導通領域ａの光透過性が十分に調整される。一方、第二高屈折率層４の厚みが１５０ｎｍ以下であれば、第二高屈折率層４が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第二高屈折率層４の厚みは、エリプソメーターで測定される。

第二高屈折率層４の成膜方法は特に制限されず、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層であり得る。第二高屈折率層４の透湿性が低くなり、かつ量産コストが低いとの観点から、第二高屈折率層４は電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、イオンプレーティング法、またはスパッタ法で成膜された膜であることが特に好ましい。電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）などのアシストがあることが望ましい。

また、第二高屈折率層４がＺｎＳと高屈折率化合物との混合物を含むアモルファス層である場合、ＺｎＳや、高屈折率化合物、低屈折率化合物を所望の比率で混合し、当該混合物を、蒸着源やスパッタリングターゲットとしてもよい。また、ＺｎＳや高屈折率化合物等を共蒸着または共スパッタしてもよい。

また、第二高屈折率層４が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第二高屈折率層４は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよい。また、例えばフォトリソグラフィー法等、公知のエッチング法によってパターニングされた膜であってもよい。フォトリソグラフィー法等でエッチングする場合、エッチング液は、無機酸または有機酸のいずれでもありうるが、シュウ酸、塩酸、塩化鉄、酢酸、またはリン酸、またはこれらの混合物であることがより好ましい。

（５）下地層
前述のように、透明導電体１００には、透明金属膜３の成膜時に成長核となる下地層が含まれてもよい。下地層は、透明金属膜３より基板１側、かつ透明金属膜３に隣接して形成された層；つまり、第一高屈折率層２と透明金属膜３との間に成膜された層でありうる。下地層は、少なくとも透明導電体の導通領域ａに形成されていることが好ましく、透明導電体１００の絶縁領域ｂに成膜されていてもよい。

透明導電体１００に下地層が含まれると、透明金属膜３の厚みが薄くとも、透明金属膜３の表面の平滑性が高まる。その理由は以下の通りである。

一般的な気相成膜法で透明金属膜３の材料を、例えば第一高屈折率層２上に堆積させると、成膜初期には、第一高屈折率層２上に付着した原子がマイグレート（移動）し、原子が寄り集まって塊（島状構造）を形成する。そして、この塊にまとわりつきながら膜が成長する。そのため、成膜初期の膜では、塊同士の間に隙間があり、導通しない。この状態からさらに塊が成長すると、塊同士の一部が繋がり、かろうじて導通する。しかし、塊同士の間に未だ隙間があるため、プラズモン吸収が生じる。そして、さらに成膜が進むと、塊同士が完全に繋がって、プラズモン吸収が少なくなる。しかしその一方で、金属本来の反射が生じ、膜の光透過性が低下する。

これに対し、第一高屈折率層２上をマイグレートし難い金属からなる下地層が成膜されていると、当該下地層を成長核として、透明金属膜３が成長する。つまり、透明金属膜３の材料がマイグレートし難くなり、前述の島状構造を形成せずに膜が成長する。その結果、厚みが薄くとも平滑な透明金属膜３が得られやすくなる。

ここで、下地層には、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブまたはインジウム；あるいはこれらの金属と他の金属との合金や、これらの金属の酸化物や硫化物（例えばＺｎＳ）が含まれることが好ましい。下地層には、これらが一種のみ含まれてもよく、二種以上が含まれてもよい。

下地層に含まれるパラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブまたはインジウムの量は、下地層に含まれる全ての材料の総量に対して２０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上であり、さらに好ましくは６０質量％以上である。下地層に上記金属が２０質量％以上含まれると、下地層と透明金属膜３との親和性が高まり、下地層と透明金属膜３との密着性が高まりやすい。下地層にはパラジウムまたはモリブデンが含まれることが特に好ましい。

一方、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブまたはインジウムと合金を形成する金属は特に制限されないが、例えばパラジウム以外の白金族、金、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、クロム等でありうる。

下地層の厚みは、３ｎｍ以下であり、好ましくは０．５ｎｍ以下であり、より好ましくは単原子膜である。下地層は、透明基板１上に金属原子が互いに離間して付着している膜でもありうる。下地層の付着量が３ｎｍ以下であれば、下地層が透明導電体１００の光透過性に影響を及ぼし難い。下地層の有無はＩＣＰ−ＭＳ法で確認される。また、下地層の厚みは、成膜速度と成膜時間との積から算出される。

下地層は、スパッタ法または蒸着法で成膜された層でありうる。スパッタ法の例には、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法等が含まれる。下地層成膜時のスパッタ時間は、所望の下地層の平均厚み、及び成膜速度に合わせて適宜選択される。スパッタ成膜速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒である。

一方、蒸着法の例には、真空蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着時間は、所望の下地層の厚み、及び成膜速度に合わせて適宜選択される。蒸着速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒である。

下地層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。下地層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく；例えばフォトリソグラフィー法等、公知のエッチング法によってパターニングされた膜であってもよい。また特に、フォトリソグラフィー法等でエッチングする場合、エッチング液は、無機酸または有機酸のいずれでもありうるが、シュウ酸、塩酸、塩化鉄、酢酸、またはリン酸、またはこれらの混合物であることがより好ましい。

（６）硫化防止層
前述の第一高屈折率層２または第二高屈折率層４にＺｎＳが含まれる場合、第一高屈折率層２と透明金属膜３との間、もしくは透明金属膜３と第二高屈折率層４との間に、硫化防止層が含まれてもよい。硫黄を含む第一高屈折率層２上に透明金属膜３を直接成膜すると、透明金属膜３の成膜時に未反応の硫黄等が透明金属膜３の材料と反応することがある。一方、透明金属膜３上に硫黄を含む第二高屈折率層４を直接成膜すると、第二高屈折率層４の成膜雰囲気中に含まれる硫黄と透明金属膜３中の金属とが反応することがある。そして、透明金属膜３の金属が硫化されると、透明金属膜３が着色し、透明金属膜３の光透過性が低下しやすい。これに対し、第一高屈折率層２と透明金属膜３との間、もしくは透明金属膜３と第二高屈折率層４との間に硫化防止層が含まれると、透明金属膜３の硫化が抑制され、透明導電体１００の光透過性が高まりやすい。硫化防止層は、透明導電体１００の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。

硫化防止層は、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物等、またはＺｎを含む層でありうる。硫化防止層には、これらが一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。硫化防止層の材料は、硫黄と反応しにくい化合物であることが好ましい。硫化防止層が硫黄と反応可能な化合物からなる場合、当該化合物と硫黄との反応物は、可視光の透過性が高いことが好ましい。

金属酸化物の例には、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＷＯ_３、等が含まれる。

金属フッ化物の例には、ＬａＦ_３、ＢａＦ_２、Ｎａ_５Ａｌ_３Ｆ_１４、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、ＡｌＦ_３、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＣｅＦ_３、ＮｄＦ_３、ＹＦ_３等が含まれる。
金属窒化物の例には、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ等が含まれる。

ここで、硫化防止層の厚みは、第一高屈折率層２の表面、もしくは透明金属膜３の表面を保護可能な厚みであることが好ましい。一方で、第一高屈折率層２または第二高屈折率層４に含まれ得るＺｎＳは、透明金属膜３に含まれる金属との親和性が高い。そのため、硫化防止層の厚みが非常に薄く、第一高屈折率層２の一部が僅かに露出した状態で透明金属膜３を成膜すると、当該露出部分を中心に膜が成長し、透明金属膜３が緻密になりやすい。また、第一高屈折率層２と透明金属膜３との密着性が高まりやすい。同様に、硫化防止層の厚みが非常に薄く、透明金属膜３の一部が露出した状態で第二高屈折率層４を成膜すると、透明金属膜３と第二高屈折率層４との密着性が高まりやすい。具体的な硫化防止層の厚みは０．１ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５ｎｍ〜５ｎｍであり、さらに好ましくは１ｎｍ〜３ｎｍである。硫化防止層の厚みは、エリプソメーターで測定される。Ｚｎを用いる場合は1Å〜3ｎｍ以下であることが望ましい。Ｚｎからなる硫化防止層が３ｎｍであれば、硫化防止層が硫化されたとしても、透明になりやすい。硫化の進み具合は装置やスパッタパワーによって異なるので最適化される。

硫化防止層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層でありうる。

硫化防止層が、所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。硫化防止層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく；例えばフォトリソグラフィー法等、公知のエッチング法によってパターニングされた膜であってもよい。フォトリソグラフィー法等でエッチングする場合、エッチング液は、無機酸または有機酸のいずれでもありうるが、シュウ酸、塩酸、塩化鉄、酢酸、またはリン酸、またはこれらの混合物であることがより好ましい。

（７）低屈折率層
前述のように、本発明の透明導電体１００には、第二高屈折率層４上に、透明導電体の導通領域ａの光透過性を調整する低屈折率層（図示せず）が含まれてもよい。低屈折率層は、透明導電体１００の導通領域ａにのみ成膜されていてもよく、透明導電体１００の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に成膜されていてもよい。

低屈折率層には、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４に含まれる誘電性材料または酸化物半導材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が低い誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれる。低屈折率層に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４に含まれる上記材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、それぞれ０．２以上低いことが好ましく、０．４以上低いことがより好ましい。

低屈折率層に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．８未満であることが好ましく、より好ましくは１．３０〜１．６であり、特に好ましくは１．３５〜１．５である。なお、低屈折率層の屈折率は主に、低屈折率層に含まれる材料の屈折率や、低屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。

低屈折率層に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２、ＡｌＦ_３、ＣａＦ_２、ＣｅＦ_３、ＣｄＦ_３、ＬａＦ_３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＮｄＦ_３、ＹＦ_３、ＹｂＦ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、ＬａＡｌＯ_３、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、及びＴｈＯ_２等でありうる。誘電性材料または酸化物半導体材料は中でも、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２、ＣａＦ_２、ＣｅＦ_３、ＬａＦ_３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＮｄＦ_３、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、またはＴｈＯ_２であることが好ましく、屈折率が低いとの観点から、ＭｇＦ_２及びＳｉＯ_２が特に好ましい。低屈折率層には、これらの材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。

低屈折率層の厚みは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜１００ｎｍである。低屈折率層の厚みが１０ｎｍ以上であると、低屈折率層によって透明導電体１００の光の透過性が高まりやすい。一方、低屈折率層の厚みが１５０ｎｍ以下であれば、透明導電体の厚みが薄くなる。低屈折率層の厚みは、エリプソメーターで測定される。

低屈折率層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層であり得る。成膜の容易性等の観点から、低屈折率層は、電子ビーム蒸着法またはスパッタ法で成膜された層であることが好ましい。

また、低屈折率層がパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。低屈折率層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく；例えばフォトリソグラフィー法等、公知のエッチング法によってパターニングされた膜であってもよい。フォトリソグラフィー法等でエッチングする場合、エッチング液は、無機酸または有機酸のいずれでもありうるが、シュウ酸、塩酸、塩化鉄、酢酸、またはリン酸、またはこれらの混合物であることがより好ましい。

（８）第三高屈折率層
前述のように、本発明の透明導電体１００には、低屈折率層上にさらに、透明導電体の導通領域ａの光透過性を調整する第三高屈折率層が含まれてもよい。第三高屈折率層は、透明導電体１００の導通領域ａにのみ成膜されていてもよく、透明導電体１００の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に成膜されていてもよい。

第三高屈折率層には、前述の透明基板１の屈折率及び前記低屈折率層の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。
第三高屈折率層に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料または酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第三高屈折率層によって、透明導電体１００の導通領域ａの光透過性が十分に調整される。なお、第三高屈折率層の屈折率は、第三高屈折率層に含まれる材料の屈折率や、第三高屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。

第三高屈折率層に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料または酸化物半導体材料は、前述の第一高屈折率層２または第二高屈折率層４に含まれる材料と同様でありうる。

第三高屈折率層の厚みは特に制限されず、好ましくは１〜４０ｎｍであり、さらに好ましくは５〜２０ｎｍである。第三高屈折率層の厚みが上記範囲であると、透明導電体１００の導通領域ａの光透過性が十分に調整される。第三高屈折率層の厚みは、エリプソメーターで測定される。

第三高屈折率層の成膜方法は特に制限されず、第一高屈折率層２や第二高屈折率層４と同様の方法で成膜された層でありうる。
また、第三高屈折率層がパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第三高屈折率層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく；例えばフォトリソグラフィー法等、公知のエッチング法によってパターニングされた膜であってもよい。フォトリソグラフィー法等でエッチングする場合、エッチング液は、無機酸または有機酸のいずれでもありうるが、シュウ酸、塩酸、塩化鉄、酢酸、またはリン酸、またはこれらの混合物であることがより好ましい。

（９）透明導電体の物性について
本発明の透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても８３％以上であることが好ましく、より好ましくは８５％以上であり、さらに好ましくは８８％以上である。上記波長範囲における平均透過率が８３％以上であると、透明導電体を、可視光に対して高い透明性が要求される用途に適用することができる。

一方、透明導電体の波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても８０％以上であることが好ましく、より好ましくは８３％以上、さらに好ましくは８５％以上である。波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率が８０％以上であると、広い波長範囲の光に対して透明性が要求される用途、例えば太陽電池用の透明導電膜等にも透明導電体を適用することができる。

一方、透明導電体の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均吸収率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下であり、さらに好ましくは７％以下である。また、透明導電体の波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは９％以下である。一方、透明導電体の波長５００ｎｍ〜７００ｎｍの光の平均反射率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。透明導電体の平均吸収率及び平均反射率が低いほど、前述の平均透過率が高まる。

上記平均透過率、平均反射率、及び平均反射率は、透明導電体の使用環境下での平均透過率、平均反射率、及び平均反射率であることが好ましい。具体的には、透明導電体が有機樹脂と貼り合わせて使用される場合には、透明導電体上に有機樹脂からなる層をＯＣＡ（光学透明粘着シート）やマッチングオイルで接着して平均透過率及び平均反射率測定することが好ましい。一方、透明導電体が大気中で使用される場合には、大気中での平均透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。透過率及び反射率は、透明導電体の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定する。吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出される。

また透明導電体１００に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、導通領域ａの反射率及び絶縁領域ｂの反射率がそれぞれ近似することが好ましい。具体的には、導通領域ａの視感反射率と、絶縁領域ｂの視感反射率との差ΔＲが５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは１％以下であり、特に好ましくは０．３％以下である。一方、導通領域ａ及び絶縁領域ｂの視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは１％以下である。視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定されるＹ値である。反射率を近似させる方法としては、絶縁領域表面の光学アドミッタンスと、導通領域表面の光学アドミッタンスが近似するように、各層の厚みを調整する方法が挙げられる。

また透明導電体１００に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、いずれの領域においても、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は±３０以内であることが好ましく、より好ましくは±５以内であり、さらに好ましくは±３．０以内であり、特に好ましくは±２．０以内である。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値が±３０以内であれば、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれの領域も無色透明に観察される。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、分光光度計で測定される。

透明導電体の導通領域ａの表面電気抵抗は、５０Ω／□以下であることが好ましく、さらに好ましくは３０Ω／□以下である。導通領域の表面電気抵抗値が５０Ω／□以下である透明導電体は、静電容量方式のタッチパネル用の透明導電パネル等に適用できる。導通領域ａの表面電気抵抗値は、透明金属膜の厚み等によって調整される。導通領域ａの表面電気抵抗値は、例えばＪＩＳ Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。

（１０）透明導電体の用途
前述の透明導電体は、液晶、プラズマ、有機エレクトロルミネッセンス、フィールドエミッションなど各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。

このとき、透明導電体の表面（例えば、透明基板と反対側の表面）は、接着層等を介して、他の部材と貼り合わせられてもよい。

以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。しかしながら、本発明の範囲はこれによって何ら制限を受けない。

［実施例１］
シクロオレフィンポリマーからなるフィルム上に、下記の方法で、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＴｉＯ_２）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＴｉＯ_２）をこの順に、それぞれ下記の方法で積層した。その後、当該積層体を下記の方法でパターニングした。各層の厚みは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図４に示す。

（第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＴｉＯ_２））
前記透明基板上にシンクロン製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機にてＺｎＳとＴｉＯ_２とを共蒸着した。ＺｎＳを抵抗加熱、成膜レート１０Å／ｓで成膜した。同時にＴｉＯ_２をＥＢ蒸着、成膜レートは２Å／ｓで成膜した。ＺｎＳとＴｉＯ_２との比率（質量比）は、８０：２０であり、第一高屈折率層の屈折率は２．３７であった。得られた透明導電体の透過領域の分光特性を図４に示す。

（透明金属膜（Ａｇ））
前記第一高屈折率層上に、シンクロン製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて、抵抗加熱でＡｇを７．２ｎｍ成膜した。Ａｇは抵抗加熱、成膜レートは５Å／ｓとした。

（第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＴｉＯ_２））
前記透明基板上にシンクロン製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機にてＺｎＳとＴｉＯ_２とを共蒸着した。ＺｎＳを抵抗加熱、成膜レート１０Å／ｓで成膜した。同時にＴｉＯ_２をＥＢ蒸着、成膜レートは２Å／ｓで成膜した。ＺｎＳとＴｉＯ_２との比率（質量比）は、８０：２０であり、第一高屈折率層の屈折率は２．３７であった。

（積層体のパターニング）
得られた積層体上にレジスト層をパターン状に成膜し、第一高屈折率層、透明金属膜、及び第二高屈折率層を図３に示されるパターン（複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン）状にエッチング液（Ｃｌｅａｎ Ｅｔｃｈ １０２：林純薬製）でパターニングした。絶縁領域には、透明基板のみが含まれるものとした。また、ライン状の絶縁領域ｂの幅は１６μｍとした。

［実施例２］
コニカミノルタ製ＨＣ付きＴＡＣフィルム上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−Ｙ_２Ｏ_３）／透明金属膜（Ａｇ−Ｇｅ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−Ｙ_２Ｏ_３）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、以下のようにマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、Ａｇ−Ｇｅ合金（Ａｇ：Ｇｅ ９９ａｔ％：１ａｔ％）を以下のように、対向スパッタ装置で成膜した。
そして、得られた積層体をエッチング液（ＳＥＡ−５：関東化学社製）で４０℃にてパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図５に示す。

（第一高屈折率層及び第二高屈折率層（ＺｎＳ−Ｙ_２Ｏ_３））
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート３．０Å／ｓでＺｎＳ−Ｙ_２Ｏ_３をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。ＺｎＳとＹ_２Ｏ_３との比率（質量比）は、８０：２０とした。

（透明金属膜（Ａｇ−Ｇｅ合金）
ＦＴＳコーポレーション社の対向スパッタ機を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１３００Ｗで、Ａｇ−Ｇｅ合金を対向スパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。

［実施例３］
きもと製両面ＣＨＣ付きＰＥＴ（１２５μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−Ｎｂ_２Ｏ_５）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＳＲ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−Ｎｂ_２Ｏ_５）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、ターゲットをＺｎＳ−Ｎｂ_２Ｏ_５（質量比８０：２０）とした以外は、実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。 透明金属膜は、ターゲットをＡＰＣ−ＳＲ合金（フルヤ金属社製）とした以外は、以下のように、マグネトロンスパッタ装置で成膜した。
そして、得られた積層体をエッチング液（ｃｌｅａｎ ｅｔｃｈ １０２：林純薬社製）でパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図６に示す。

（透明金属膜（ＡＰＣ−ＳＲ合金））
前記第一高屈折率層上に、大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、ＡＰＣ−ＳＲ合金（フルヤ金属社製）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。

［実施例４］
ポリカーボネートからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＩＺＯ）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二高屈折率層（ＧＺＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層は、ターゲットを（ＺｎＳ−ＩＺＯ（８０：２０））に変更した以外は、実施例２の第一高屈折率層と同様に、マグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、実施例２と同様に対向スパッタ装置で成膜した。
第二高屈折率層は、ターゲットをＧＺＯとした以外は、実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
そして得られた積層体をエッチング液（ｐｕｒｅ ｅｔｃｈ １００：林純薬社製）でパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図７に示す。

［実施例５］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（透明基板）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＣｅＯ_２）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＩＧＺＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、それぞれターゲットをＺｎＳ−ＣｅＯ_２（質量比８０：２０）、及びＩＧＺＯとした以外は実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、ターゲットをＡｇとした以外は、実施例２と同様に対向スパッタ装置で成膜した。
そして得られた積層体をエッチング液（ＳＥＡ−５：関東化学社製）で４０℃にてパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図８に示す。

［実施例６］
シクロオレフィンポリマーからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＺｎＯ）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二高屈折率層（ＩＺＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、それぞれターゲットをＺｎＳ−ＺｎＯ（質量比８０：２０）、及びＩＺＯとした以外は、実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、実施例２と同様に対向スパッタ装置で成膜した。
そして得られた積層体をエッチング液（ＳＥＡ−５：関東化学社製）で４０℃にてパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図９に示す。

［実施例７］
薄ガラスからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２−ＧｅＯ_２）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＩＴＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、それぞれターゲットをＺｎＳ−ＳｉＯ_２−ＧｅＯ_２（質量比８０：５：１５）、及びＩＴＯとした以外は実施例３と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、ターゲットをＡｇとした以外は、実施例３と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
そして得られた積層体を、エッチング液（ＳＥＡ−５：関東化学社製）及びエッチング液（ｐｕｒｅ ｅｔｃｈ １００：林純薬社製）の混合液（質量比１：１）にて４０℃でエッチングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図１０に示す。

［実施例８］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（透明基板）上に、第一高屈折率層（Ｎｂ_２Ｏ_５）／下地層（Ｐｄ）／透明金属膜（Ａｇ−Ｂｉ−Ｇｅ−Ａｕ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｎＯ_２）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、それぞれターゲットをＮｂ_２Ｏ_５、及びＺｎＳ−ＳｎＯ_２（質量比８０：２０）とした以外は、実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
下地層は、以下の方法で成膜した。
透明金属膜は、ターゲットをＡｇ−Ｂｉ−Ｇｅ−Ａｕ合金（９８．３５ａｔ％：０．３５ａｔ％：０．３ａｔ％：１ａｔ％）とした以外は、実施例３と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
そして得られた積層体をエッチング液（ＳＥＡ−５：関東化学社製）で４０℃にてパターニングした。得られた透明導電体の透過領域の分光特性を図１１に示す。

（下地層（Ｐｄ））
真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）で、パラジウムを０．２秒間成膜し、平均厚み０．１ｎｍの下地層を形成した。下地層の平均厚みはスパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。

［実施例９］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＺｎＯ）／第一硫化防止層（ＺｎＯ）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二硫化防止層（ＺｎＯ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＺｎＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、ターゲットをそれぞれＺｎＳ−ＺｎＯ（質量比８０：２０）とした以外は、実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
第一硫化防止層及び第二硫化防止層は、以下のように、マグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、実施例２と同様に対向スパッタ装置で成膜した。

（第一硫化防止層及び第二硫化防止層（ＺｎＯ））
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．１Å／ｓでＺｎＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった
そして得られたエッチング液（ＳＥＡ−５：関東化学社製）で４０℃にてパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図１２に示す。

［実施例１０］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（透明基板）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＨｆＯ_２）／第一硫化防止層（ＳｉＯ_２）／透明金属膜（Ａｇ）／第二硫化防止層（ＳｉＯ_２）／第二高屈折率層（（ＺｎＳ−ＨｆＯ_２）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、以下のように、蒸着装置で成膜した。
透明金属膜は、実施例１と同様に蒸着装置で成膜した。
第一硫化防止層及び第二硫化防止層は、以下のように蒸着装置で成膜した。
そして得られた積層体をエッチング液（ＳＥＡ−５：関東化学社製）で４０℃にてパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図１３に示す。

（第一高屈折率層及び第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＨｆＯ_２））
シンクロン製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機にてＺｎＳとＨｆＯ_２を共蒸着した。ＺｎＳを抵抗加熱、成膜レート１０Å／ｓで成膜し、同時にＨｆＯ_２をＥＢ蒸着、成膜レート４Å／ｓで成膜した。
（第一硫化防止層及び第二硫化防止層（ＳｉＯ_２））
シンクロン製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機にて、ＳｉＯ_２をＥＢ蒸着した。成膜レートは０．３Å／ｓとした。

［実施例１１］
きもと製両面ＣＨＣ付きＰＥＴ（５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＧＺＯ）／第一硫化防止層（ＩＺＯ）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二硫化防止層（ＺｎＯ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＧＺＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、ターゲットをそれぞれＺｎＳ−ＧＺＯ（質量比８０：２０）とした以外は、実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
第一硫化防止層及び第二硫化防止層は、ターゲットをＩＺＯとした以外は、実施例９と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、実施例２と同様に対向スパッタ装置で成膜した。
そして得られた積層体をエッチング液（ｐｕｒｅ ｅｔｃｈ １００：林純薬社製）でパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図１４に示す。

［実施例１２］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（透明基板）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＩＴＯ）／第一硫化防止層（ＺｎＯ）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二硫化防止層（ＩＧＺＯ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＩＴＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、ターゲットをそれぞれＺｎＳ−ＩＴＯ（質量比９０：１０）とした以外は、実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
第一硫化防止層及び第二硫化防止層は、ターゲットをそれぞれ、ＺｎＯ、及びＩＧＺＯとした以外は、実施例９と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、ターゲットをＡＰＣ−ＴＲ合金（フルヤ金属社製）とした以外は、実施例３と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した
そして得られた積層体をエッチング液（Ｃｌｅａｎ Ｅｔｃｈ １０２：林純薬製）でパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図１５に示す。

［実施例１３］
薄ガラスからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＡＺＯ）／透明金属膜（ＡＰＣ合金）／第二硫化防止層（ＺｎＯ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＡＺＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、ターゲットをそれぞれＺｎＳ−ＡＺＯ（質量比８０：２０）とした以外は、実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
第二硫化防止層は、ターゲットをＺｎＯとした以外は、実施例９と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、ターゲットをＡＰＣ合金（フルヤ金属社製）とした以外は、実施例２と同様に対向スパッタ装置で成膜した。
そして得られた積層体をエッチング液（ｐｕｒｅ ｅｔｃｈ １００：林純薬社製）でパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図１６に示す。

［実施例１４］
シクロオレフィンポリマーからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＴｉＯ_２）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二硫化防止層（ＺｎＯ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＧＺＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、ターゲットをそれぞれＺｎＳ−ＴｉＯ_２（質量比８０：２０）、及びＺｎＳ−ＧＺＯ（質量比８０：２０）とした以外は、実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
第二硫化防止層は、実施例１３と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は実施例３と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
そして得られた積層体をエッチング液（ｐｕｒｅ ｅｔｃｈ １００：林純薬社製）でパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図１７に示す。

［実施例１５］
ポリカーボネートからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＩＺＯ）／透明金属膜（Ａｇ−Ｐｄ合金）／第二硫化防止層（ＡｌＮ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、ターゲットをそれぞれＺｎＳ−ＩＺＯ（質量比８０：２０）、及びＺｎＳ−ＳｉＯ_２（質量比８０：２０）とした以外は、実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
第二硫化防止層は、ターゲットをＡｌＮとした以外は、実施例９と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、ターゲットをＡｇ−Ｐｄ合金（９９ａｔ％：１ａｔ％）とした以外は、実施例３と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
そして得られた積層体をエッチング液（ＳＥＡ−５：関東化学社製）で４０℃にてパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図１８に示す。

［実施例１６］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＧＺＯ）／第一硫化防止層（Ｇａ_２Ｏ_３）／透明金属膜（Ａｇ−Ｂｉ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＧＺＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、ターゲットをそれぞれＺｎＳ−ＧＺＯ（質量比８０：２０）とした以外は、実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
第一硫化防止層は、ターゲットをＧａ_２Ｏ_３とした以外は、実施例９と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、ターゲットをＡｇ−Ｂｉ合金（９９ａｔ％：１ａｔ％）とした以外は、実施例２と同様に対向スパッタ装置で成膜した。
そして得られた積層体をエッチング液（ＳＥＡ−５：関東化学社製）で４０℃にてパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図１９に示す。

［実施例１７］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（透明基板）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＺｎＯ）／第一硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＺｎＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、ターゲットをそれぞれＺｎＳ−ＺｎＯ（質量比８０：２０）とした以外は、実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
第一硫化防止層は、ターゲットをＧＺＯとした以外は、実施例９と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、実施例２と同様に対向スパッタ装置で成膜した。
そして得られた積層体をエッチング液（ＳＥＡ−５：関東化学社製）で４０℃にてパターニングした。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図２０に示す。

［実施例１８］
シクロオレフィンポリマーからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−Ｔａ_２Ｏ_５）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、以下の方法により蒸着装置で成膜した。
透明金属膜は、実施例１と同様に蒸着装置で成膜した。得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図２１に示す。

（第一高屈折率層（ＺｎＳ−Ｔａ_２Ｏ_５））
第一高屈折率層は、シンクロン製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機にてＺｎＳ−Ｔａ_２Ｏ_５（質量比３０：７０）を共蒸着した。ＺｎＳを抵抗加熱、成膜レート１０Å／ｓで成膜し、同時にＴａ_２Ｏ_５をＥＢ蒸着で、成膜レートは３Å／ｓで成膜した。

（第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２））
第二高屈折率層は、シンクロン製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機にてＺｎＳ−ＳｉＯ_２（質量比８０：２０）を共蒸着した。ＺｎＳを抵抗加熱、成膜レート１０Å／ｓで成膜し、同時にＴｉＯ_２をＥＢ蒸着で、成膜レートは２Å／ｓで成膜した。

［実施例１９］
ポリカーボネートからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＩＺＯ）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＳＲ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＩＺＯ）／低屈折率層（ＳｉＯ_２）／第三高屈折率層（Ｂｉ_２Ｏ_３）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、ターゲットをそれぞれＺｎＳ−ＩＺＯ（質量比８０：２０）とした以外は、実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、実施例３と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
低屈折率層及び第三高屈折率層は、それぞれ以下のようにマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図２２に示す。

（低屈折率層（ＳｉＯ_２））
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート０．５Å／ｓでＳｉＯ_２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった

（第三高屈折率層（Ｂｉ_２Ｏ_３））
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００ＷをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった

［実施例２０］
薄ガラスからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＺｎＯ）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＺｎＯ）／低屈折率層（ＳｉＯ_２）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、ターゲットをそれぞれＺｎＳ−ＺｎＯ（質量比８０：２０）とした以外は、実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、実施例３と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
低屈折率層は、実施例１９と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図２３に示す。

［実施例２１］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＺｎＯ）／第一硫化防止層（ＺｎＯ）／透明金属膜（Ａｇ−Ｂｉ−Ｇｅ−Ａｕ合金）／第二硫化防止層（ＺｎＯ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＧＺＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、ターゲットをそれぞれＺｎＳ−ＺｎＯ（質量比８０：２０）とした以外は、実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
第一硫化防止層及び第二硫化防止層は、実施例９と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、ターゲットをＡｇ−Ｂｉ−Ｇｅ−Ａｕ合金（９８．３５ａｔ％：０．３５ａｔ％：０．３ａｔ％：１ａｔ％）とした以外は、実施例３と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図２４に示す。

［実施例２２］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＴｉＯ_２）／透明金属膜（Ａｇ）／第二硫化防止層（Ｇａ_２Ｏ_３）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＴｉＯ_２）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例１と同様に蒸着装置で成膜した。
第二硫化防止層は、以下の方法により、蒸着装置で成膜した。
透明金属膜は、実施例１と同様に蒸着装置で成膜した。
得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図２５に示す。

（第二硫化防止層（Ｇａ_２Ｏ_３））
前記透明基板上にシンクロン製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機にてＧａ_２Ｏ_３をＥＢ蒸着した。成膜レートは０．２Å／ｓとした。

［実施例２３］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（透明基板）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＺｎＯ）／第一硫化防止層（ＺｎＯ）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二高屈折率層（ＩＧＺＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、ターゲットをそれぞれＺｎＳ−ＺｎＯ（質量比８０：２０）、及びＩＧＺＯとした以外は、実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
第一硫化防止層は、実施例９と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、実施例２と同様に対向スパッタ装置で成膜した。
得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図２６に示す。

［実施例２４］
薄ガラスからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＧＺＯ）／第一硫化防止層（Ｇａ_２Ｏ_３）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二高屈折率層（ＩＺＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、ターゲットをそれぞれＺｎＳ−ＧＺＯ（質量比８０：２０）、及びＩＺＯとした以外は、実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
第一硫化防止層は、ターゲットをＧａ_２Ｏ_３とした以外は、実施例９と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、実施例３と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図２７に示す。

［実施例２５］
シクロオレフィンポリマーからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＡＺＯ）／第一硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二高屈折率層（ＧＺＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、ターゲットをそれぞれＺｎＳ−ＡＺＯ（質量比８０：２０）、及びＧＺＯとした以外は、実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
第一硫化防止層は、ターゲットをＧＺＯとした以外は、実施例９と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、実施例２と同様に対向スパッタ装置で成膜した。
得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図２８に示す。

［比較例１］
石英からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ）を順に積層した。
第一高屈折率層（ＺｎＳ）、透明金属膜（Ａｇ）、及び第二高屈折率層（ＺｎＳ）は、それぞれ下記の方法で成膜した。
得られた透明導電体の透過領域の分光特性を図２９に示す。

（第一高屈折率層及び第二高屈折率層（ＺｎＳ））
シンクロン製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて、抵抗加熱でＺｎＳからなる膜を成膜した。このときの投入電流値は２１０Ａ、成膜レートは５Å／ｓとした。

（透明金属膜の成膜方法）
第一高屈折率層上に、シンクロン製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて、抵抗加熱でＡｇを１２ｎｍ成膜した。このときの投入電流値は２１０Ａ、成膜レートは５Å／ｓとした。

［比較例２］
ＥＡＧＬＥ Ｇｌａｓｓからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ）を順に積層した。
第一高屈折率層、及び第二高屈折率層は、ターゲット材料をＺｎＳとした以外は、実施例２と同様にマグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、比較例１と同様に成膜した。

［比較例３］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（Ｎｂ_２Ｏ_５）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＩＺＯ）を順に積層した。
各層はそれぞれ下記の方法で成膜した。
得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図３０に示す。

（第一高屈折率層（Ｎｂ_２Ｏ_５））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート０．７４Å／ｓでＮｂ_２Ｏ_５をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。Ｎｂ_２Ｏ_５の波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．３１であるが、高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．３５とした。

（透明金属膜（Ａｇ））
日本真空技術株式会社の小型スパッタ装置（ＢＣ４２７９）でＤＣスパッタした。このとき、ターゲット側電力２００Ｗとした。

（第二高屈折率層（ＩＺＯ））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート２．２Å／ｓでＩＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ＩＺＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．０５であるが、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．９８とした。

［比較例４］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（透明基板）上に、第一高屈折率層（ＩＣＯ）／透明金属膜（ＮｉＣｒ／ＡｇＡｕ／ＮｉＣｒ）／第二高屈折率層（ＩＣＯ）／低屈折率層（ＳｉＯ_２）／フッ素系材料層（ＫＰ８０１Ｍ）を順に積層した。
低屈折率層（ＳｉＯ_２）は、実施例１９の低屈折率層と同様に成膜した。それ以外の各層は、それぞれ下記の方法で成膜した。
得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図３１に示す。

（第一高屈折率層及び第二高屈折率層（ＩＣＯ））
ターゲットをインジウム中にセリウムが１０原子％含まれる材料（ＩＣＯ）とした以外は、比較例３の第二高屈折率層と同様に成膜した。ＩＣＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．２であり、第一高屈折率層及び第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．２とした。

（透明金属膜（ＮｉＣｒ／ＡｇＡｕ／ＮｉＣｒ））
真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）で、ＮｉＣｒを成膜し、平均厚み０．８ｎｍのＮｉＣｒ層を形成した。続いて、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇ合金（Ａｇ中にＡｕが１．５原子％、Ｃｕが０．５原子％含まれる合金）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
さらに、真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）で、ＮｉＣｒを成膜し、平均厚み０．８ｎｍのＮｉＣｒ層を形成した。

（フッ素系材料層（ＫＰ８０１Ｍ））
Ｏｐｔｏｒｕｎ社のＧｅｎｅｒ １３００によって、１９０ｍＡ、成膜レート１０Å／ｓでフッ素系材料（信越化学工業社製：ＫＰ８０１Ｍ）を抵抗加熱蒸着した。

［比較例５］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＩＴＯ）／透明金属膜（ＡＰＣ）／第二高屈折率層（ＩＴＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層、及び第二高屈折率層は、ターゲット材料をＩＴＯとした以外は、実施例２と同様に、マグネトロンスパッタ装置で成膜した。
透明金属膜は、下記の方法で成膜した。
（透明金属膜）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇとＰｄとＣｕとの合金（Ａｇ：Ｐｄ：Ｃｕ＝９９：１：１（質量比））をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。

［比較例６］
コーニング社製ガラス基板（＃７０５９、厚み１．１ｍｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ａ−ＧＩＯ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ａ−ＧＩＯ）を順に積層した。
各層はそれぞれ下記の方法で成膜した。

（第一高屈折率層及び第二高屈折率層（ａ−ＧＩＯ））
Ｏ_２ガスを混入したＡｒガス０．６Ｐａの雰囲気中、２．２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度で、ＧａとＩｎの酸化物焼結体を直流スパッタした。導入するＯ_２ガスの割合は、８〜１２体積％とした。

（透明金属膜（Ａｇ））
Ａｒガス０．６Ｐａの雰囲気中、０．５５Ｗ／ｃｍ²の電力密度で純度４ＮのＡｇターゲットを直流スパッタした。

［比較例７］
Ｋ９ガラス基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）を順に積層した。
各層はそれぞれ下記の方法で成膜した。
得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図３２に示す。

（第一高屈折率層及び第二高屈折率層の成膜方法）
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、前述の特許文献５に記載の方法と同様に成膜した。具体的には、マグネトロンスパッタにより、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２をＲＦスパッタした。ＺｎＳとＳｉＯ_２との比率（質量比）は、８０：２０であり、第一高屈折率層の屈折率は２．１４であった。

（透明金属膜の成膜方法）
第一高屈折率層上に、前述の特許文献５に記載の方法と同様に、Ａｇターゲットを直流スパッタした。

［評価］
（腐食評価）
実施例及び比較例で得られた透明導電体の腐食耐性を評価した。腐食耐性は、実施例または比較例で得られた透明導電体を、２個ずつ、６５℃、９５％Ｒｈ中に１００時間保存した後の外観で評価した。評価は、以下の基準とした。
○：３０ｍｍ×３０ｍｍの領域において、サイズ２０μｍ以上の腐食箇所が０個
△：３０ｍｍ×３０ｍｍの領域において、サイズ２０μｍ以上の腐食箇所が１個以上１０個未満
×：３０ｍｍ×３０ｍｍの領域において、サイズ２０μｍ以上の腐食箇所が１０個以上

（フレキシブル性評価）
実施例及び比較例で得られた透明導電体を平板状の支持部材に載置し、一端を固定した。当該透明導電体をＵ字状に屈曲させた。屈曲部の曲率半径は５ｍｍとした。そして、支持部材と平行に配置した摺動板に、透明導電体の他端を固定した。摺動板と支持部材とを平行に保ったまま、透明導電体の長さ方向に摺動板を１０００回往復移動させた。その後、透明導電体の各層にクラック等が生じたかを目視で確認した。フレキシブル性は以下のように評価した。
○：屈曲部位を含む３０ｍｍ×３０ｍｍの領域に、クラックが一つも生じなかった
△：屈曲部位を含む３０ｍｍ×３０ｍｍの領域に、１個以上５０個以下のクラックが生じた
×：屈曲部位を含む３０ｍｍ×３０ｍｍの領域に、５０個超のクラックが生じた

（光の透過率、反射率、及び吸収率の測定）
実施例１〜１７、２２、及び２３の透明導電体表面については、以下のように光の透過率、反射率、及び吸収率を測定した。
各実施例で得られた透明導電体の第二高屈折率層上に、マッチングオイル（ニコン社製 屈折率＝１．５１５）を塗布した。そして、透明導電体とコーニング社製無アルカリガラス基板（ＥＡＧＬＥ ＸＧ（厚さ７ｍｍ×縦３０ｍｍ×横３０ｍｍ）とを貼り合わせた。そして、無アルカリガラス基板側から、透明導電体の透過率及び反射率を測定した。このとき、無アルカリガラス基板の表面の法線に対して、５°傾けた角度から、導通領域に測定光（例えば、波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光）を入射させ、日立株式会社製：分光光度計 Ｕ４１００にて、光の透過率及び反射率を測定した。そして、吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出した。

なお、反射率の測定値から、無アルカリガラス基板と大気との界面での反射（４％）、及び透明導電体の透明基板と大気との界面での反射（４％）を差し引いた値を、透明導電体の反射率とした。また、透過率についても、上記無アルカリガラス基板と大気との界面での反射、及び透明導電体の透明基板と大気との界面での反射を考慮し、透過率の測定値に８％足した値を透明導電体の透過率とした。

一方、実施例１８〜２１、２４、及び２５、並びに比較例１、３、及び７の透明導電体は、空気と接触して使用されるものとした。したがって、透明導電体上に、無アルカリガラス基板を貼り合わせずに、導通領域に測定光（例えば、波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光）を入射させ、日立株式会社製：分光光度計 Ｕ４１００にて、光の透過率及び反射率を測定した。そして、吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出した。なお、測定光は、第二高屈折率層側から入射させた。

なお、反射率の測定値から、透明導電体の透明基板と大気との界面での反射（４％）を差し引いた値を、透明導電体の反射率とした。また、透過率についても、上記透明導電体の透明基板と大気との界面での反射を考慮し、透過率の測定値に４％足した値を透明導電体の透過率とした。

表１〜表４、及び図４〜２８に示されるように、第一高屈折率層または第二高屈折率層が、ＺｎＳ及び高屈折率化合物の混合物からなるアモルファス層である実施例１〜２５では、いずれも波長４５０〜８００ｎｍの光の透過率が８６．９％以上であり、波長４００〜１０００ｎｍの光の透過率も８２．８％以上であった。これに対し、Ａｇ膜をＺｎＳのみ、もしくはＺｎＳ−ＳｉＯ_２で挟み込んだ透明導電体では、波長４５０〜８００ｎｍの光の透過率が８６．８％以下であり、波長４００〜１０００ｎｍの光の透過率は８０％未満であった（比較例１及び比較例７）。特にＡｇ膜をＺｎＳ−ＳｉＯ_２で挟み込んだ透明導電体（比較例７）では、図３２に示されるように、長波長側の光の透過率が低下しやすかった。

一方、第一高屈折率層または第二高屈折率層が上記アモルファス層であると、透明導電体のフレキシブル性が良好であり、腐食耐性も良好であった（実施例１〜２５）。これに対し、第一高屈折率層及び第二高屈折率層が、ＺｎＳのみであると、フレキシブル性が低かった（比較例１及び２）。なお、蒸着法で透明金属膜を作製した比較例２では、連続膜が得られず、電気が導通しなかった。
また、第二高屈折率層がＩＺＯやＩＣＯ、ＩＴＯ、ａ−ＧＩＯからなる膜では、透明金属膜が腐食した（比較例３〜６）。

本発明で得られる透明導電体は、湿熱環境下でも透明金属膜が腐食し難く、フレキシブル性が高く、さらに幅広い範囲の光の透過性が高い。したがって、各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスに好ましく用いられる。

１ 透明基板
２ 第一高屈折率層
３ 透明金属膜
４ 第二高屈折率層
１００ 透明導電体

Claims (3)

1. 透明基板と、
   前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第一高屈折率層と、
   透明金属膜と、
   前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第二高屈折率層と、
   をこの順に含む透明導電体であって、
   前記第一高屈折率層または前記第二高屈折率層のうち、少なくとも一方の層がＺｎＳと、波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５以上であり、かつ酸化物、フッ化物、及び窒化物からなる群から選ばれる高屈折率化合物との混合物を含むアモルファス層である、透明導電体。
2. 前記高屈折率化合物が、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、ＩＧＺＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、ＷＯ_３、ＨｆＯ_２、ａ−ＧＩＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＭＧＯからなる群から選ばれる１種以上の化合物である、請求項１に記載の透明導電体。
3. 前記透明金属膜が、所定の形状にパターニングされた金属パターンである、請求項１または２に記載の透明導電体。