JP2015101761A - 積層体製造方法、積層体製造装置および積層体 - Google Patents

Abstract

【課題】低いシート抵抗値を示す透明導電層を備えた積層体を提供する。【解決手段】一側透明導電層１７ａは、第１金属酸化物層１８ａと、第１金属酸化物層１８ａの面のうち基材フィルム１２から遠い側の面上に形成された第２金属酸化物層１９ａと、含む。第１金属酸化物層１８ａは、第１流量Ｆ１で酸素ガスが供給される第１成膜室３１において、スパッタリングによって形成される。第２金属酸化物層１９ａは、第２流量Ｆ２で酸素ガスが供給される第２成膜室３３において、スパッタリングによって形成される。ここで、第１流量Ｆ１は第２流量Ｆ２よりも大きくなっている。【選択図】図７

Description

本発明は、導電性を有する金属酸化物からなる複数の層を含む透明導電層を基材フィルムの少なくとも一方の側に形成する積層体製造方法および積層体製造装置に関する。また本発明は、基材フィルムと透明導電層とを備える積層体に関する。

今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、フィルムセンサ（タッチパネルセンサ）、フィルムセンサ上への接触位置を検出する制御回路、配線およびＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）を含んでいる。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の表示装置が組み込まれた種々の装置等（例えば、券売機、ＡＴＭ装置、携帯電話、ゲーム機）に対する入力手段として、表示装置とともに用いられている。このような装置においては、フィルムセンサが表示装置の表示面上に配置されており、これによって、表示装置に対する極めて直接的な入力が可能になっている。フィルムセンサのうち表示装置の表示領域に対面する領域は透明になっており、フィルムセンサのこの領域が、接触位置（接近位置）を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。

フィルムセンサなどの電子部品は一般に、光学的な特性を実現するための層や、電気的な特性を実現するための層など、複数の層から構成されている。このような電子部品を作製するための方法として、基材フィルムや透明導電層などを含む積層体をはじめに準備し、次に、この積層体の任意の層をフォトリソグラフィー法などによってパターニングするという方法が知られている。

積層体を製造する方法の１つとして、はじめに基材フィルムを準備し、次に、スパッタリング法やＥＢ蒸着法などの物理蒸着成膜法を用いて、基材フィルム上に透明導電層などを積層していく、という方法が知られている。例えば特許文献１において、スパッタリング法を用いてポリエステルフィルムの上に透明導電層などの複数の層を形成して、フィルムセンサを作製するための積層体を得ることが開示されている。

物理蒸着成膜法を用いて透明導電層を形成する場合、一般には、基材フィルムを搬送ドラムなどによって搬送しながら、基材フィルム上に透明導電層を形成していく。しかしながら、基材フィルムを搬送しながら成膜工程を実施する場合、１つのターゲットのみを用いた物理蒸着成膜によっては、所望の厚みを有する透明導電層を形成することが困難な場合がある。この場合、同一材料からなる複数のターゲットを基材フィルムの搬送方向に沿って順次配置し、これら複数のターゲットを用いて基材フィルム上に透明導電層を形成することが考えられる。例えば特許文献２，３において、２つのターゲットを用いることによってそれぞれ形成された第１の層および第２の層から透明導電層を構成することが開示されている。

特開平４−１６０６２４号公報 特開平５−２９０６３５号公報 特開２００５−１２２９４７号公報

積層体の透明導電層をパターニングすることによって得られる透明導電パターンの電気的特性を高めるためには、透明導電層のシート抵抗の値が低くなっていることが好ましい。ところで、スパッタリングによって透明導電層を形成する場合、透明導電層の抵抗値は、スパッタリングの際にターゲット周辺に供給される酸素ガスの分圧が所定の値のときに極小値を示し、その前後においては分圧の増大または減少とともに抵抗値が増大することが知られている（例えば特許文献２の図３参照）。従って、スパッタリングによって透明導電層を形成する場合、予め酸素ガスの分圧の最適値を調べておき、得られた最適値に基づいて成膜工程を実施することが好ましい。

しかしながら、本件発明者が鋭意研究を重ねた結果、単層で構成された透明導電層に関して得られた酸素ガスの分圧の最適値を、複数の層から構成された透明導電層の成膜工程に適用したとしても、透明導電層全体の抵抗値が極小値を示さないことが知見された。

本発明は、このような課題を効果的に解決し得る積層体製造方法、積層体製造装置および積層体を提供することを目的とする。

本発明は、基材フィルムの少なくとも一方の側に、金属酸化物から構成された透明導電層を形成する積層体製造方法において、前記透明導電層は、第１金属酸化物層と、前記第１金属酸化物層の面のうち前記基材フィルムから遠い側の面上に形成された第２金属酸化物層と、含み、前記積層体製造方法は、第１流量で酸素ガスが供給される第１成膜室において、スパッタリングによって前記第１金属酸化物層を形成する第１成膜工程と、第２流量で酸素ガスが供給される第２成膜室において、スパッタリングによって前記第２金属酸化物層を形成する第２成膜工程と、を備え、前記第１流量が、前記第２流量よりも大きい、積層体製造方法である。

本発明の積層体製造方法において、前記透明導電層と同一の厚みを有する金属酸化物からなる比較用透明導電層を前記第１成膜室におけるスパッタリングのみによって形成する際に前記比較用透明導電層のシート抵抗が極小値を示すよう調整された酸素ガスの流量を、単層用最適流量と称する場合、前記第１の流量は、前記単層用最適流量よりも大きくなっていてもよい。より具体的には、前記第１の流量は、前記単層用最適流量の１．１〜１．３倍の範囲内となっていてもよい。一方、前記第２の流量は、前記単層用最適流量の０．８〜１．０倍の範囲内となっていてもよい。

本発明の積層体製造方法において、前記透明導電層は、前記第２金属酸化物層の面のうち前記基材フィルムから遠い側の面上に形成された第３金属酸化物層をさらに含んでいてもよい。この場合、前記積層体製造方法は、第３流量で酸素ガスが供給される第３成膜室において、スパッタリングによって前記第３金属酸化物層を形成する第３成膜工程をさらに備えている。ここで、前記第３の流量は、前記単層用最適流量の０．８〜１．０倍の範囲内となっていてもよい。

本発明の積層体製造方法において、前記基材フィルムと前記透明導電層との間には、ＳｉＯ_ｘの組成を有する酸化珪素を含む酸化珪素層が配置されていてもよい。前記ＳｉＯ_ｘにおいて、ｘは好ましくは２よりも小さくなっている。また前記第１成膜工程においては、前記酸化珪素層の一方の側の面上に、前記第１金属酸化物層が形成される。

本発明は、基材フィルムの少なくとも一方の側に、金属酸化物から構成された透明導電層を形成する積層体製造装置において、前記透明導電層は、第１金属酸化物層と、前記第１金属酸化物層の一方の側の面上に形成された第２金属酸化物層と、含み、前記積層体製造装置は、第１流量で酸素ガスを供給して、スパッタリングによって前記第１金属酸化物層を形成する第１成膜室と、第２流量で酸素ガスを供給して、スパッタリングによって前記第２金属酸化物層を形成する第２成膜室と、を備え、前記第１流量が、前記第２流量よりも大きい、積層体製造装置である。

本発明の積層体製造装置において、前記第１成膜室および前記第２成膜室は、アルゴンガスおよび水蒸気をさらに供給するよう構成されており、前記第１成膜室および前記第２成膜室の少なくとも一方において、アルゴンガスおよび水蒸気は、それぞれ別個の経路で供給されてもよい。

本発明の積層体製造装置において、前記第１成膜室および前記第２成膜室には、水蒸気を供給するための水蒸気供給口が設けられており、前記第１成膜室および前記第２成膜室の少なくとも一方において、前記水蒸気供給口は、スパッタリング用のターゲットと前記水蒸気供給口とを結ぶ線上に、前記ターゲットを収容する収容部が存在するよう、配置されていてもよい。

本発明によれば、第１金属酸化物層を形成する第１成膜工程における酸素ガスの第１流量が、第２金属酸化物層を形成する第２成膜工程における酸素ガスの第２流量よりも大きくなっている。このため、第１金属酸化物層および第２金属酸化物層を含む透明導電層のシート抵抗の値を、酸素ガスの流量に関して実現され得る極小値または極小値近傍の値にすることができる。

図１は、本発明の実施の形態における積層体製造装置を示す図。 図２は、図１に示す積層体製造装置の成膜装置を示す図。 図３は、図２に示す成膜装置の水蒸気供給部を示す図。 図４は、図２に示す成膜装置を用いることによって形成された透明導電層を含む積層体を示す断面図。 図５は、図４に示す積層体の変形例を示す断面図。 図６は、積層体の酸化珪素層を成膜する条件を説明するための図。 図７は、酸素ガスの流量と透明導電層のシート抵抗との関係を示す図。 図８は、図５に示す積層体をパターニングすることにより得られるタッチパネルセンサを示す平面図。 図９は、図８に示すタッチパネルセンサの線IX−IXに沿った断面図。

以下、図１乃至図９を参照して、本発明の実施の形態について説明する。はじめに図４を参照して、本実施の形態において製造される積層体１０について説明する。

積層体
図４は、積層体１０を示す断面図である。図４は、積層体１０を示す断面図である。図４に示すように、積層体１０は、基材フィルム１２と、基材フィルム１２の一方の側の面１２ａ上に順に設けられた一側ハードコート層１３ａ、一側高屈折率層１４ａ、一側低屈折率層１５ａおよび一側酸化珪素層１６ａと、一側酸化珪素層１６ａの一方の側の面上に設けられ、金属酸化物から構成された一側透明導電層１７ａと、を含んでいる。以下、基材フィルム１２、一側ハードコート層１３ａ、一側高屈折率層１４ａ、一側低屈折率層１５ａ、一側酸化珪素層１６ａおよび一側透明導電層１７ａについてそれぞれ説明する。
なお本実施の形態において、「ｘｘの一方の側」とは、ｘｘを基準とした場合の、ｘｘから所定の方向に向かう側を意味している。また図４および後述するその他の図においては、「一方」が上方向である例が示されている。従って、「基材フィルム１２の一方の側の面１２ａ上に設けられた一側ハードコート層１３ａ」という記載は、一側ハードコート層１３ａが、基材フィルム１２の面のうち図において上側に位置する面１２ａに設けられていることを意味している。また図４および後述するその他の図において、「他方」は、上方向の逆方向、すなわち下方向となっている。
また、基材フィルム１２の一方の側の面１２ａ上の空間において、「一方」とは、基材フィルム１２から遠ざかる方向を意味している。従って、例えば「一側酸化珪素層１６ａの一方の側の面上に設けられた一側透明導電層１７ａ」という記載は、一側透明導電層１７ａが、一側酸化珪素層１６ａの面のうち、基材フィルム１２から遠い側の面の上に設けられていることを意味している。言い換えると、一側透明導電層１７ａが、一側酸化珪素層１６ａの面のうち、基材フィルム１２側の面の逆側にある面の上に設けられていることを意味している。

（基材フィルム）
基材フィルム１２としては、十分な透光性を有するフィルムが用いられる。基材フィルム１２を構成する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、環状オレフィン・コポリマー（ＣＯＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、（ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などが挙げられる。基材フィルム１２の厚みは、例えば２５〜２００μｍの範囲内となっている。

（ハードコート層）
一側ハードコート層１３ａは、擦り傷を防止するという目的や、層間の界面に低分子重合体（オリゴマー）が析出して白く濁ってみえることを防ぐという目的のために設けられる層である。一側ハードコート層１３ａとしては、例えばアクリル樹脂などが用いられる。なお図４に示すように、一側ハードコート層１３ａと同一の材料から構成された他側ハードコート層１３ｂが、基材フィルム１２の他方の面１２ｂ上にさらに設けられていてもよい。ハードコート層１３ａ，１３ｂの厚みは、例えば０．１〜１０μｍの範囲内となっている。

（高屈折率層および低屈折率層）
一側高屈折率層１４ａは、基材フィルム１２を構成する材料（一側ハードコート層１３ａが設けられている場合は、一側ハードコート層１３ａを構成する材料）よりも高い屈折率を有する材料から構成される層である。一方、一側低屈折率層１５ａは、基材フィルム１２を構成する材料（一側ハードコート層１３ａが設けられている場合は、一側ハードコート層１３ａを構成する材料）よりも低い屈折率を有する材料から構成される層である。これら一側高屈折率層１４ａおよび一側低屈折率層１５ａは、積層体１０における光の透過率や反射率を調整するために基材フィルム１２と一側透明導電層１７ａとの間に任意に設けられるものである。一側高屈折率層１４ａおよび一側低屈折率層１５ａは、後述するように積層体１０の一側透明導電層１７ａがパターニングされてフィルムセンサの透明導電パターンとなる場合に、透明導電パターンが設けられている領域と設けられていない領域との間の光の透過率および反射率の差を小さくするためのインデックスマッチング層として機能することができる。

一側高屈折率層１４ａの材料としては、例えば酸化ニオブやジルコニウムなどの高屈折率材料が用いられる。高屈折率材料を用いて一側高屈折率層１４ａを構成する具体的な方法が特に限られることはない。例えば一側高屈折率層１４ａは、高屈折率材料単体によって構成される膜であってもよく、若しくは、有機樹脂と、有機樹脂内に分散された高屈折率材料の粒子と、から構成されていてもよい。

一側低屈折率層１５ａの材料としては、例えば酸化珪素やＭｇＦ（フッ化マグネシウム）などの低屈折率材料が用いられる。低屈折率材料を用いて一側低屈折率層１５ａを構成する具体的な方法が特に限られることはない。例えば一側低屈折率層１５ａは、低屈折率材料単体によって構成される膜であってもよく、若しくは、有機樹脂と、有機樹脂内に分散された低屈折率材料の粒子と、から構成されていてもよい。例えば、有機樹脂および低屈折率材料の粒子を含む塗布液を、コーターを用いてコーティングすることによって、一側低屈折率層１５ａを形成することができる。

（酸化珪素層）
一側酸化珪素層１６ａは、酸化珪素の膜として形成される層である。一側酸化珪素層１６ａに含まれる酸化珪素の組成が特に限られることはなく、ＳｉＯ_ｘ（ｘは任意の数）の組成を有する様々な酸化珪素が用いられるが、例えばｘは、化学量論的組成、すなわち２よりも小さくなっていてもよい。具体的には、ｘが約１．８となっていてもよい。ｘを２よりも小さくすることの利点としては、例えば、ＳｉＯ_ｘが有するバリア性が、ｘが２となっている場合よりも向上することが知られている。また、ＳｉＯ_ｘをスパッタリング法によって形成する場合、ｘを２よりも小さくすることにより、成膜速度が増大することも知られている。

一側酸化珪素層１６ａは、スパッタリング法や真空蒸着法などの物理的気相成長法によって形成される。このため、一側酸化珪素層１６ａの表面粗さは、コーティングによって形成される場合の一側低屈折率層１５ａの表面粗さよりも小さくなっている。従って、このような一側酸化珪素層１６ａを一側低屈折率層１５ａと一側透明導電層１７ａとの間に設けることにより、一側透明導電層１７ａをより安定に保持することができる。

一側酸化珪素層１６ａを構成する酸化珪素の屈折率は、ＰＥＴやＣＯＰから構成される基材フィルム１２の屈折率よりも低い。すなわち、一側酸化珪素層１６ａの屈折率は、一側低屈折率層１５ａと同様に、基材フィルム１２の屈折率よりも低くなっている。この場合、一側低屈折率層１５ａの屈折率と一側酸化珪素層１６ａの屈折率との間の差を十分に小さくすることにより、一側低屈折率層１５ａおよび一側酸化珪素層１６ａが、基材フィルム１２よりも低い屈折率を有する層として光学的に一体的に機能することができる。なお一側ハードコート層１３ａが設けられている場合、一側酸化珪素層１６ａの屈折率は、一側低屈折率層１５ａの場合と同様に、一側ハードコート層１３ａの屈折率よりも低くなっていてもよい。

なお本実施の形態においては、上述の一側高屈折率層１４ａ、一側低屈折率層１５ａおよび一側酸化珪素層１６ａが積層体１０に含まれている例について説明するが、しかしながら、一側高屈折率層１４ａ、一側低屈折率層１５ａおよび一側酸化珪素層１６ａは必ずしも設けられていなくてもよい。同様に、ハードコート層１３ａ，１３ｂも、必要に応じて任意に設けられる層である。従って、基材フィルム１２の一方の側の面１２ａや一側ハードコート層１３ａの一方の側の面に直接的に接するよう一側透明導電層１７ａが設けられることもある。

（透明導電層）
本実施の形態において、一側透明導電層１７ａは、複数の金属酸化物層から構成されている。例えば図４に示すように、一側透明導電層１７ａは、一側酸化珪素層１６ａの面のうち基材フィルム１２から遠い側の面上に設けられた第１金属酸化物層１８ａと、第１金属酸化物層１８ａの面のうち基材フィルム１２から遠い側の面上に形成された第２金属酸化物層１９ａと、含んでいる。後述するように、第１金属酸化物層１８ａおよび第２金属酸化物層１９ａは、スパッタリングによって各々を成膜する際に供給される酸素ガスの流量が異なるのみであり、第１金属酸化物層１８ａおよび第２金属酸化物層１９ａを構成する材料の種類は同一である。第１金属酸化物層１８ａおよび第２金属酸化物層１９ａを構成する材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの、導電性および透光性を有する金属酸化物が用いられる。

第１金属酸化物層１８ａおよび第２金属酸化物層１９ａから構成された一側透明導電層１７ａ全体の厚みは、積層体１０から作製される透明電極または透明導電パターンにおける電気抵抗の仕様などに応じて適宜設定されるが、例えば１８〜５０ｎｍの範囲内となっている。なお、一側透明導電層１７ａ全体の厚みが所望の範囲内となっている限りにおいて、第１金属酸化物層１８ａおよび第２金属酸化物層１９ａ各々の厚みが特に限られることはない。例えば、第１金属酸化物層１８ａの厚みと第２金属酸化物層１９ａの厚みとは、ほぼ同一になっていてもよく、若しくは異なっていてもよい。

後述するように、第１金属酸化物層１８ａを形成する第１成膜工程における酸素ガスの第１流量は、第２金属酸化物層１９ａを形成する第２成膜工程における酸素ガスの第２流量よりも大きくなっている。この結果として、第１金属酸化物層１８ａの酸素濃度が、第２金属酸化物層１９ａの酸素濃度よりも大きくなっていることもある。

〔積層体の変形例〕
なお図５に示すように、積層体１０は、他側ハードコート層１３ｂの他方の側に順に設けられた他側高屈折率層１４ｂ、他側低屈折率層１５ｂおよび他側酸化珪素層１６ｂと、金属酸化物から構成された他側透明導電層１７ｂと、をさらに含んでいてもよい。ここで他側透明導電層１７ｂは、一側透明導電層１７ａと同様に、他側酸化珪素層１６ｂの面のうち基材フィルム１２から遠い側の面上に設けられた第１金属酸化物層１８ｂと、第１金属酸化物層１８ｂの面のうち基材フィルム１２から遠い側の面上に設けられた第２金属酸化物層１９ｂと、を含んでいてもよい。他側高屈折率層１４ｂ、他側低屈折率層１５ｂ、他側酸化珪素層１６ｂ、第１金属酸化物層１８ｂおよび第２金属酸化物層１９ｂを構成する材料は、上述の一側高屈折率層１４ａ、一側低屈折率層１５ａ、一側酸化珪素層１６ａ、第１金属酸化物層１８ａおよび第２金属酸化物層１９ａを構成する材料と同一であるので、詳細な説明を省略する。

次に図１乃至図３を参照して、上述の一側透明導電層１７ａを備えた積層体１０を製造するための積層体製造装置１について説明する。はじめに図１を参照して、積層体製造装置１全体について説明する。なおここでは、中間積層体１１に対して成膜処理を実施することによって積層体１０を製造するための積層体製造装置１について説明する。中間積層体１１は、図４に示す積層体１０を製造する工程の途中で得られる中間生成物である。図４に示すように、中間積層体１１は、基材フィルム１２と、基材フィルム１２の一方の側の面１２ａ上に順に設けられた一側ハードコート層１３ａ、一側高屈折率層１４ａ、一側低屈折率層１５ａおよび一側酸化珪素層１６ａと、基材フィルム１２の他方の側の面１２ｂ上に設けられた他側ハードコート層１３ｂと、を含んでいる。

積層体製造装置
図１に示すように、積層体製造装置１は、中間積層体１１を巻き出す巻出装置２０と、中間積層体１１上に第１金属酸化物層１８ａおよび第２金属酸化物層１９ａを順次形成する設ける成膜装置３０と、第１金属酸化物層１８ａおよび第２金属酸化物層１９ａが設けられた中間積層体１１を巻き取る巻取装置５０と、を備えている。

（成膜装置）
成膜装置３０について説明する。成膜装置３０における成膜方法としては、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤやイオンプレーティングなど様々な方法が採用され得るが、ここでは、成膜方法としてスパッタリングが用いられる例について図２を参照して説明する。

図２に示すように、成膜装置３０は、成膜処理が実施される成膜室３６と、中間積層体１１が巻き付けられて搬送される成膜用搬送ドラム３８と、搬送される中間積層体１１を案内するガイドローラー３９と、成膜室３６の内部の気体を外部に排出する成膜用真空排気機構３７と、搬送されている中間積層体１１に対向するよう設けられ、中間積層体１１上に設けられる膜の原料となるターゲットと、を備えている。図２に示す例においては、ターゲットとして、第１金属酸化物層１８ａの原料となる第１ターゲット３２、および、第２金属酸化物層１９ａの原料となる第２ターゲット３４が設けられている。

図２に示すように、成膜装置３０の成膜室３６は、隔壁３６ａによって、第１ターゲット３２を含む第１成膜室３１と、第２ターゲット３４を含む第２成膜室３３と、その他の残余成膜室３５と、に区画されている。また図２に示すように、成膜用真空排気機構３７は、各成膜室３１，３３，３５にそれぞれ接続され、各成膜室３１，３３，３５の内部の気体を外部に排出する排気手段３１ａ，３３ａ，３５ａを含んでいる。またターゲット３２，３４の周囲にはそれぞれ、図２に示すように、アルゴンガスなどの不活性ガス、並びに、酸化導電物の原料となる酸素ガスを供給するガス供給管４４と、水蒸気を供給する水蒸気供給管４５とが設けられている。このような構成を採用することにより、成膜室３１，３３ごとに、真空度、酸素ガスの分圧、アルゴンガスの分圧、水蒸気の分圧などを調整することができる。

図３は、各成膜室３１，３３に水蒸気を供給するための水蒸気供給管４５の構成の一例を示す図である。図３に示すように、水蒸気供給管４５には、所定の蒸気圧で水蒸気が充填された供給タンク４６が、バルブ４７を介して接続されている。また水蒸気供給管４５には複数の水蒸気供給口４５ａが形成されており、この水蒸気供給口４５ａから、対応する成膜室３１，３３に対して、所定の蒸気圧で水蒸気が供給される。なお水蒸気供給管４５のうち水蒸気供給口４５ａが形成されている部分は、搬送ドラム３８の軸方向にほぼ平行に延びている。

なお図３に示すように、対応する成膜室３１，３３の内部に設けられ、水蒸気分圧を測定する測定部４９と、測定部４９によって得られた測定結果に基づいてバルブ４７を調整する制御部４８と、がさらに設けられていてもよい。

次に、各ターゲット３２，３４の周囲の構成要素について説明する。図２に示すように、各ターゲット３２，３４は、バッキングプレート４１に取り付けられている。バッキングプレート４１は放電装置に接続されており、このバッキングプレート４１を介して、放電装置からの放電電力がターゲット材３２，３４に印加される。バッキングプレート４１は、例えば銅などの導電性材料から構成されている。バッキングプレート４１およびバッキングプレート４１に取り付けられたターゲットによって、真空成膜の際にカソードとなるカソードユニットが構成されている。

また図２に示すように、バッキングプレート４１および対応するターゲット３２，３４は、真空成膜の際にアノードとなる、導電性を有する収容部４２の内部に収容されていてもよい。この場合、バッキングプレート４１と収容部４２との間の導通を防ぐための絶縁材４３が設けられている。

次に、各ターゲット３２，３４および収容部４２と、ガス供給管４４および水蒸気供給管４５との間の位置関係について説明する。

図２に示すように、ガス供給管４４は、好ましくは、搬送ドラム３８と各ターゲット３２，３４との間に配置されている。これによって、ターゲット３２，３４と中間積層体１１との間の空間に効率的に酸素ガスやアルゴンガスを供給することができ、このことによって、成膜を促進することができる。

一方、図２に示すように、水蒸気供給管４５は、水蒸気供給管４５の水蒸気供給口４５ａとターゲット３２，３４とを結ぶ線上に、ターゲット３２，３４を収容する収容部４２が存在するよう、配置されている。これによって、水蒸気供給管４５の水蒸気供給口４５ａから供給された水蒸気が過剰にターゲット３２，３４の周囲に供給されることを防ぐことができる。また、ターゲット３２，３４の周囲において水蒸気の濃度が局所的に高くなってしまうことを防ぐことができる。すなわち、各成膜室３１，３３における水蒸気の濃度分布を均一なものとすることができる。

以下、上述のように水蒸気を供給することの理由について説明する。従来から、ＩＴＯなどの金属酸化物の成膜工程においては、供給される水蒸気の分圧に応じて、得られる膜の結晶状態が変化することが知られている。例えば、水蒸気分圧が非常に小さい場合、微細な結晶粒からなる多結晶状態の膜が得られ、また、水蒸気分圧を大きくするにつれて、得られる結晶粒が大きくなることが知られている。また、このような結晶状態の相違に起因して、一般には、水蒸気分圧が高いほど、得られる膜の抵抗値が低くなることが知られている。

一方、本件発明者らが鋭意研究を重ねた結果、水蒸気分圧が高くなるにつれて、ターゲットの表面にノジュール（微細な突起物）が現れやすくなることを見出した。ノジュールは、スパッタリングの際にアークを発生させる原因となる。またアークが発生すると、ノジュールの破片などが成膜室の内部をパーティクルとして飛散し、これによって膜に欠陥が生じてしまうことがある。従って、欠陥の無い、または欠陥の少ない膜を得るためには、ノジュールの生成を抑制することが求められる。

また本件発明者らは、ターゲットと搬送ドラム３８との間に水蒸気供給管４５の水蒸気供給口４５ａが配置されている場合に、水蒸気供給口４５ａの近傍に位置するターゲットの表面にノジュールが現れやすいことを見出した。水蒸気供給口４５ａの近傍においては局所的に水蒸気分圧が高くなり、このために、水蒸気供給口４５ａの近傍に位置するターゲットの表面に多くのノジュールが現れていたと考えられる。ここで本実施の形態によれば、水蒸気供給管４５は、水蒸気供給管４５の水蒸気供給口４５ａとターゲット３２，３４とを結ぶ線上に、ターゲット３２，３４を収容する収容部４２が存在するよう、配置されている。この場合、水蒸気供給口４５ａから供給された水蒸気は、直線的にターゲット３２，３４に向かうのではなく、収容部４２に沿って迂回してからターゲット３２，３４に到達する。このため、ターゲット３２，３４の近傍に、十分に分散されて均一化された水蒸気の分布を形成することができる。すなわち、水蒸気供給口４５ａ近傍における、高濃度の水蒸気の分布が、ターゲット３２，３４の表面の近傍まで続いてしまうことを防ぐことができる。このことにより、ターゲット３２，３４の表面にノジュールが現れることを抑制することができ、これによって、欠陥の少ない膜を得ることができる。

ところで上述のように、水蒸気分圧が高いほど、得られる膜の抵抗値を一般に低くすることができる。しかしながら、水蒸気分圧が高くなることは、ターゲットの表面にノジュールが現れやすくなり、この結果、膜に欠陥が生じやすくなることを意味している。このように水蒸気分圧に関して、膜の抵抗値と膜の欠陥の少なさとは、トレードオフの関係にある。一方、膜の抵抗値を小さくするための手段としては、水蒸気分圧を高くするという手段のみではなく、その他の手段も存在している。例えば後述するように、本件発明者らは、第１金属酸化物層１８ａおよび第２金属酸化物層１９ａを成膜する際の酸素の流量をそれぞれ別個に最適化することにより、一側透明導電層１７ａの抵抗を低くすることができることを見出した。このように、水蒸気分圧を高くする手段とは別の手段を用いて膜の抵抗を低くすることができる場合、水蒸気分圧に関して、膜の抵抗値を低くすることよりも膜の欠陥を少なくするという点を優先して水蒸気分圧を設定することが可能になる。すなわち、膜の欠陥が十分に少なくなるよう、水蒸気分圧を低く設定することができる。以下、このような思想に基づいて一側透明導電層１７ａを作製し、これによって一側透明導電層１７ａを備えた積層体１０を製造する方法の一例について説明する。

ここでは、はじめに、上述の中間積層体１１を製造する方法の一例について説明する。次に、中間積層体１１を積層体製造装置１に供給して積層体１０を製造する方法について説明する。その後、積層体１０をパターニングすることにより得られるフィルムセンサ６０について説明する。

中間積層体の製造方法
はじめに基材フィルム１２を準備する。次に、アクリル樹脂を含む塗布液を、コーターを用いて基材フィルム１２の両側にコーティングする。これによって、基材フィルム１２の両側にハードコート層１３ａ，１３ｂが形成される。次に、有機樹脂および有機樹脂内に分散された高屈折率材料の粒子、例えばジルコニウムの粒子を含む塗布液を、コーターを用いて一側ハードコート層１３ａの一方の側の面上にコーティングする。これによって、一側ハードコート層１３ａ上に一側高屈折率層１４ａが形成される。その後、有機樹脂および有機樹脂内に分散された低屈折率材料の粒子、例えば酸化珪素の粒子を含む塗布液を、コーターを用いて一側高屈折率層１４ａの一方の側の面上にコーティングする。これによって、一側高屈折率層１４ａ上に一側低屈折率層１５ａが形成される。その後、スパッタリング法などの真空成膜法を用いて、一側低屈折率層１５ａ上に一側酸化珪素層１６ａを形成する。このようにして中間積層体１１を得ることができる。

以下、図６を参照して、スパッタリング法によって一側酸化珪素層１６ａを形成するための、酸素ガスの流量の設定方法の一例について説明する。図６は、スパッタリングの際の酸素ガスの流量とスパッタ電圧との関係の一例を示すグラフである。酸化珪素層を形成するためのスパッタリングにおいては、珪素からなるターゲットが用いられる。この場合、スパッタリングのモードが、図６に示すようにＭ１，Ｍ２またはＭ３の３つのモードに分類される。
Ｍ１で表されるモードは、酸素ガスの流量が低く、スパッタ電圧が高い場合に現れるモードである。このモードにおいては、主に珪素から構成された膜が得られる。ここではこのモードを金属モードＭ１と称する。
Ｍ２で表されるモードは、金属モードＭ１の場合よりも酸素ガスの流量が高く、スパッタ電圧が低い場合に現れるモードである。このモードにおいては、主に化学量論的組成の酸化珪素（ＳｉＯ_２）から構成された膜が得られる。ここではこのモードを酸化モードＭ２と称する。
Ｍ３で表されるモードは、金属モードＭ１と酸化モードＭ２との間に位置するモードである。このモードにおいては、主に化学量論的組成よりも酸素濃度が低い酸化珪素、すなわちＳｉＯ_ｘ（ｘが２よりも小さい）から構成された膜が得られる。ここではこのモードを遷移モードＭ３と称する。なお図６に示すように、遷移モードＭ３においては、符号Ｐ１で表されている、酸素ガス流量を増大させる場合の経路と、符号Ｐ２で表されている、酸素ガス流量を減少させる場合の経路とが別個のものとなっている。すなわち、ヒステリシスが存在している。

本実施の形態において、好ましくは一側酸化珪素層１６ａは、上述の遷移モードＭ３におけるスパッタリングによって得られた酸化珪素から構成されている。このため、化学量論的組成の酸化珪素（ＳｉＯ_２）から一側酸化珪素層１６ａが構成される場合に比べて、一側酸化珪素層１６ａのバリア性を高めることができる。また、一側酸化珪素層１６ａの成膜速度を増大させることができる。なお、遷移モードＭ３における成膜速度が、酸化モードＭ２の場合よりも大きくなることについては、様々な理由が考えられる。例えば、酸化モードＭ２においては、成膜工程の間に、酸化反応によって形成された酸化珪素がターゲットの表面に次第に存在するようになり、この結果、ターゲットから珪素が飛び出すことが阻害されるようになるが、遷移モードＭ３ではこのような阻害が生じにくい、という理由が考えられる。

遷移モードＭ３を利用した成膜工程を実現するための具体的な方法が特に限られることはない。例えば、スパッタ電圧をモニタしながら酸素ガスの流量を調整するというフィードバック制御が実施されてもよい。若しくは、形成される膜の発光スペクトルを測定し、そして、発光スペクトルが、ＳｉＯ_ｘ（ｘが２よりも小さい）に対応した発光スペクトルとなるよう酸素ガスの流量を調整するというフィードバック制御が実施されてもよい。

なお、一側酸化珪素層１６ａを形成するための真空成膜を実施するための装置は、上述の積層体製造装置１の中に、例えば上述の巻出装置２０と成膜装置３０との間に設けられたものであってもよく、または、積層体製造装置１からは分離されたものであってもよい。
積層体の製造方法

次に、積層体製造装置１を用いて中間積層体１１の一方の側に第１金属酸化物層１８ａおよび第２金属酸化物層１９ａを形成し、これによって図４に示す積層体１０を得る方法について説明する。

はじめに、巻出装置２０において、中間積層体１１が巻回されたシャフト２１を準備し、次に、成膜装置３０に向けて中間積層体１１を巻き出す。

（第１成膜工程）
次に、成膜装置３０の第１成膜室３１において、中間積層体１１の一側酸化珪素層１６ａの面のうち基材フィルム１２から遠い側の面上に第１金属酸化物層１８ａを形成する第１成膜工程を実施する。第１成膜工程においては、はじめに排気手段３１ａによって第１成膜室３１の内部の気体を外部に排出し、これによって、第１成膜室３１内を真空状態とする。次に、ガス供給管４４を介して第１成膜室３１内にアルゴンガスおよび酸素ガスを導入し、また水蒸気供給管４５を介して第１成膜室３１内に水蒸気を導入する。第１成膜室３１内の水蒸気分圧は、第１金属酸化物層１８ａの抵抗値を低くすることよりも第１金属酸化物層１８ａの欠陥を少なくするという点を優先して設定されてもよい。酸素ガスは、第１流量Ｆ１で第１成膜室３１に供給される。その後、放電装置によって第１ターゲット３２に放電電力を印加する。これによって生じるスパッタリング現象によって、ＩＴＯからなる厚みｔ１の第１金属酸化物層１８ａを得ることができる。

（第２成膜工程）
次に、成膜装置３０の第２成膜室３３において、第１金属酸化物層１８ａの面のうち基材フィルム１２から遠い側の面上に第２金属酸化物層１９ａを形成する第２成膜工程を実施する。第２成膜工程においては、はじめに排気手段３３ａによって第２成膜室３３の内部の気体を外部に排出し、これによって、第２成膜室３３内を真空状態とする。次に、ガス供給管４４を介して第２成膜室３３内にアルゴンガスおよび酸素ガスを導入し、また水蒸気供給管４５を介して第２成膜室３３内に水蒸気を導入する。第２成膜室３３内の水蒸気分圧は、第１金属酸化物層１８ａの抵抗値を低くすることよりも第２金属酸化物層１９ａの欠陥を少なくするという点を優先して設定されてもよい。酸素ガスは、第２流量Ｆ２で第２成膜室３３に供給される。その後、放電装置によって第２ターゲット３４に放電電力を印加する。これによって生じるスパッタリング現象によって、ＩＴＯからなる厚みｔ２の第２金属酸化物層１９ａを第１金属酸化物層１８ａ上に得ることができる。このようにして、第１金属酸化物層１８ａおよび第２金属酸化物層１９ａからなる、ｔ１＋ｔ２の厚みを有する一側透明導電層１７ａを得ることができる。

以下、第１成膜工程における酸素ガスの第１流量Ｆ１、および、第２成膜工程における酸素ガスの第２流量Ｆ２について、図７を参照して説明する。図７は、ｔ１＋ｔ２の厚みを有するＩＴＯからなる膜（以下、比較用透明導電層とも称する）を第１成膜室３１におけるスパッタリングのみによって形成する場合の、酸素ガスの流量と得られる膜のシート抵抗との関係を示す図である。図７に示すように、膜のシート抵抗の値は、酸素ガスの流量が所定の値のときに極小値になる。以下の説明において、比較用透明導電層のシート抵抗が極小値を示すよう調整された酸素ガスの流量を、単層用最適流量Ｆ０とも称する。なお比較用透明導電層の成膜工程においては、第１成膜室３１におけるスパッタリングのみによってｔ１＋ｔ２の厚みを実現するため、搬送ドラム３８の回転速度が本実施の形態の場合よりも小さくなっていてもよい。

本件発明者らが鋭意研究を重ねた結果、後述する実施例によって支持されるように、第１成膜工程における酸素ガスの第１流量Ｆ１を、第２成膜工程における酸素ガスの第２流量Ｆ２よりも大きくすることにより、一側透明導電層１７ａ全体のシート抵抗を低くすることができること見出した。より具体的には、図７に示すように、第１成膜工程における酸素ガスの第１流量Ｆ１を、単層用最適流量Ｆ０よりも大きくし、かつ第２成膜工程における酸素ガスの第２流量Ｆ２を単層用最適流量Ｆ０とほぼ同一にした場合に、第１流量Ｆ１および第２流量Ｆ２の両方を単層用最適流量Ｆ０とほぼ同一にした場合よりも、一側透明導電層１７ａ全体のシート抵抗を低くすることができること見出した。従来は、同一のターゲットを用いた成膜工程が複数の成膜室で実施される場合には各成膜室での成膜条件を同一に設定すること、例えば各成膜室での酸素ガスの流量を単層用最適流量Ｆ０に設定することが一般的であった。従って、本実施の形態による成膜工程は、従来技術からは容易に想到し得ないものであると言える。

第１流量Ｆ１を第２流量Ｆ２よりも大きくすることによって一側透明導電層１７ａ全体のシート抵抗が低減されることの理由としては、様々なことが考えられる。
例えば本実施の形態においては、上述のように、第１金属酸化物層１８ａの下側（他方の側）には、化学量論的組成よりも濃度が低い酸化珪素から構成された一側酸化珪素層１６ａが設けられている。この場合、酸化珪素の組成を化学量論的組成に近づけようとする駆動力に基づいて、積層体１０の製造工程の間に、またはその後に、第１金属酸化物層１８ａ中の酸素が一側酸化珪素層１６ａに移動することが考えられる。すなわち、第１金属酸化物層１８ａにおいては、酸素ガスの流量から推測される酸素濃度よりも、実際に得られる第１金属酸化物層１８ａの酸素濃度が低くなることが考えられる。一方、本実施の形態による第１成膜工程においては、このような酸素濃度の低下を想定し、酸素濃度の低下を補償する分だけ、第１成膜工程時の酸素ガスの流量が増大されている、と言うことができる。このため、第１金属酸化物層１８ａのシート抵抗の極小値、ひいては一側透明導電層１７ａ全体のシート抵抗の極小値を実現することができる。
なお、第１流量Ｆ１を第２流量Ｆ２よりも大きくすることによって一側透明導電層１７ａ全体のシート抵抗値が低減されることの理由が、上記の理由に限定されることはない。

好ましくは、第１成膜工程における酸素ガスの第１流量Ｆ１は、単層用最適流量Ｆ０の１．１〜１．３倍の範囲内に設定される。また、第２成膜工程における酸素ガスの第２流量Ｆ２は、単層用最適流量Ｆ０の０．８〜１．０倍の範囲内に設定される。これによって、一側透明導電層１７ａ全体のシート抵抗値をより効果的に低減することができる。

なお本実施の形態において、第１成膜室３１の体積と第２成膜室３３の体積とはほぼ同一になっている。従って、第１流量Ｆ１が第２流量Ｆ２よりも大きいということは、第１成膜室３１における酸素分圧が第２成膜室３３における酸素分圧よりも大きいということと同義である。

（巻取工程）
その後、巻取装置５０において、中間積層体１１と、中間積層体１１上に形成された一側透明導電層１７ａと、を含む積層体１０が、シャフト５１によって巻き取られる。これによって、積層体１０の巻回体が得られる

本実施の形態によれば、第１金属酸化物層１８ａを形成する第１成膜工程における酸素ガスの第１流量Ｆ１が、第２金属酸化物層１９ａを形成する第２成膜工程における酸素ガスの第２流量Ｆ２よりも大きくなっている。このため、第１金属酸化物層１８ａおよび第２金属酸化物層１９ａを含む一側透明導電層１７ａのシート抵抗の値を、酸素ガスの流量に関して実現され得る極小値または極小値近傍の値にすることができる。

また本実施の形態によれば、酸素ガスの流量を最適化することによって一側透明導電層１７ａのシート抵抗値を十分に小さくすることができるため、第１成膜工程および第２成膜工程における水蒸気分圧を従来よりも低くするという余裕が生じる。このため、第１ターゲット３２および第２ターゲット３４の表面にノジュールが現れることを抑制することができ、このことにより、第１金属酸化物層１８ａおよび第２金属酸化物層１９ａに欠陥が生じることを抑制することができる。このため本実施の形態によれば、欠陥が生じることを抑制しながら、低いシート抵抗値を有する第１金属酸化物層１８ａおよび第２金属酸化物層１９ａを得ることができる。

なお一側透明導電層１７ａの成膜工程の後、積層体１０が巻取装置５０によって巻き取られるまでの間に、積層体１０の一側透明導電層１７ａをアニールするアニール工程をさらに実施してもよい。

フィルムセンサの製造方法
次に、積層体１０の用途の一例として、積層体１０をパターニングすることにより得られるフィルムセンサ（タッチパネルセンサ）６０について説明する。フィルムセンサ６０は、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルなどの表示パネルの観察者側に設けられ、人体などの被検出体の接触位置を検出するための透明導電パターンなどを含むセンサである。フィルムセンサ６０としては、被検出体からの圧力に基づいてタッチ箇所を検出する抵抗膜方式のフィルムセンサや、人体などの被検出体からの静電気に基づいてタッチ箇所を検出する静電容量方式のフィルムセンサなど様々なタイプのものが知られているが、ここでは、積層体１０をパターニングすることによって静電容量方式のフィルムセンサ６０を形成する例について、図８および図９を参照して説明する。図８は、フィルムセンサ６０を示す平面図であり、図９は、図８に示すフィルムセンサ６０の線IX−IXに沿った断面図である。なお図８および図９においては、図５に示す、基材フィルム１２の一方の側および他方の側に配置された透明導電層１７ａ，１７ｂを含む積層体１０を用いることにより、フィルムセンサ６０が作製されている。

図８に示すように、フィルムセンサ６０は、指などの外部導体の接近に起因する静電容量の変化を検出するための透明導電パターン６２ａ，６２ｂを備えている。透明導電パターン６２ａ，６２ｂは、基材フィルム１２の一方の側に配置され、図６の横方向に延びる一側透明導電パターン６２ａと、基材フィルム１２の他方の側に配置され、図８の縦方向に延びる他側透明導電パターン６２ｂと、からなっている。

図９に示すように、透明導電パターン６２ａ，６２ｂは、積層体１０の透明導電層１７ａ、１７ｂをパターニングすることにより得られるものである。透明導電層１７ａ，１７ｂをパターニングする方法としては、例えばフォトリソグラフィー法が用いられる。なお図９に示すように、積層体１０の酸化珪素層１６ａ，１６ｂは、透明導電パターン６２ａ，６２ｂに対応したパターンを有するようパターニングされていてもよい。

またフィルムセンサ６０は、一側透明導電パターン６２ａに接続された一側取出パターン６４ａと、他側透明導電パターン６２ｂに接続された他側取出パターン６４ｂと、をさらに備えていてもよい。また、各取出パターン６４ａ，６４ｂに接続され、各透明導電パターン６２ａ，６２ｂからの信号を外部へ取り出すための端子部６５ａ，６５ｂがさらに設けられていてもよい。これら取出パターン６４ａ，６４ｂおよび端子部６５ａ，６５ｂは、タッチパネルセンサ６０のうち表示パネルからの映像光が通過しない領域、いわゆる額縁領域に配置されている。このため、取出パターン６４ａ，６４ｂおよび端子部６５ａ，６５ｂを構成する材料が透明性を有する必要はない。従って、取出パターン６４ａ，６４ｂおよび端子部６５ａ，６５ｂは一般に、透明導電パターン６２を構成する導電性酸化物よりも高い電気伝導率を有する金属層から構成される。

本実施の形態によれば、透明導電パターン６２ａ，６２ｂを構成する透明導電層１７ａ，１７ｂはそれぞれ、第１金属酸化物層１８ａ，１８ｂおよび第２金属酸化物層１９ａ，１９ｂを含んでいる。第１金属酸化物層１８ａ，１８ｂおよび第２金属酸化物層１９ａ，１９ｂは、透明導電層１７ａ，１７ｂ全体のシート抵抗が極小値または極小値近傍の値となるよう、成膜工程の際の酸素ガスの流量を個別に最適化することによって得られた層である。従って、透明導電パターン６２ａ，６２ｂの厚みを十分に確保し、かつ透明導電パターン６２ａ，６２ｂの比抵抗の値を低減することができる。

なお上述の本実施の形態においては、一側透明導電層１７ａが、第１金属酸化物層１８ａと、第１金属酸化物層１８ａの面のうち基材フィルム１２から遠い側の面上に形成された第２金属酸化物層１９ａと、を含む例を示した。しかしながら、一側透明導電層１７ａに含まれる金属酸化物層の層数が２に限られることはなく、層数は３またはそれ以上であってもよい。例えば、図示はしないが、一側透明導電層１７ａは、第２金属酸化物層１９ａの面のうち基材フィルム１２から遠い側の面上に形成された第３金属酸化物層をさらに含んでいてもよい。この場合、成膜装置３０は、第３金属酸化物層の原料となる第３ターゲットを含む第３成膜室をさらに備えていてもよい。また上述の積層体の製造方法は、第３流量で酸素ガスが供給される第３成膜室において、スパッタリングによって第３金属酸化物層を形成する第３成膜工程をさらに備えていてもよい。なお第３金属酸化物層およびそれ以降の第４金属酸化物層や第５金属酸化物層をスパッタリングによって形成する場合の酸素流量は、上述の第２成膜工程における酸素ガスの第２流量Ｆ２と同様に、第１成膜工程における酸素ガスの第１流量Ｆ１よりも小さく設定される。より好ましくは、第３金属酸化物層およびそれ以降の第４金属酸化物層や第５金属酸化物層をスパッタリングによって形成する場合の酸素流量は、上述の第２成膜工程における酸素ガスの第２流量Ｆ２と同様に、単層用最適流量Ｆ０の０．８〜１．０倍の範囲内に設定される。これによって、一側透明導電層１７ａ全体のシート抵抗を低くすることができる。

また上述の本実施の形態においては、膜の抵抗値を低くすることよりも膜の欠陥を少なくするという点を優先して水蒸気分圧が設定される例を示した。しかしながら、膜の抵抗値を低くすることを主眼において、水蒸気分圧を設定してもよい。例えば、膜の成膜速度を考慮して、成膜時の水蒸気分圧を設定してもよい。具体的には、ＩＴＯ成膜時の水蒸気分圧／成膜速度が、２．０ｘ１０^−６〜４．０ｘ１０^−５［Ｐａ・ｎｍ／ｍｉｎ］の範囲内となるよう設定されてもよい。その他にも、ＩＴＯ成膜時に基材フィルムから発生する水に起因する水蒸気分圧／成膜速度が、１．０ｘ１０^−７〜２．０ｘ１０^−５［Ｐａ・ｎｍ／ｍｉｎ］の範囲内となるよう設定されてもよい。

次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

（実施例１）
はじめに中間積層体１１を準備した。次に第１成膜室３１において、酸素ガスを６ｓｃｃｍで供給しながら、スパッタリングによって中間積層体１１上に、ＩＴＯからなる第１金属酸化物層１８ａを形成した。その後、第２成膜室３３において、酸素ガスを６ｓｃｃｍで供給しながら、スパッタリングによって第１金属酸化物層１８ａ上に、ＩＴＯからなる第２金属酸化物層１９ａを形成した。第１金属酸化物層１８ａおよび第２金属酸化物層１９ａを含む一側透明導電層１７ａの厚みは２３ｎｍであった。なお第１成膜室３１および第２成膜室３３における、酸素ガスの流量以外の主な成膜条件は以下の通りである。
・アルゴンガスの流量：５００ｓｃｃｍ
・成膜室の圧力：０．４Ｐａ
・放電電力：２Ｗ／ｃｍ^２
・ＭＲ温度：１６０度

〔評価方法〕
得られた一側透明導電層１７ａのシート抵抗を測定した。結果、シート抵抗は１４７Ω／□であった。

（実施例２）
第１成膜室３１および第２成膜室３３に供給される酸素ガスの流量をそれぞれ７ｓｃｃｍおよび７ｓｃｃｍに設定したこと以外は、実施例１と同様にして、第１金属酸化物層１８ａおよび第２金属酸化物層１９ａを含む一側透明導電層１７ａを中間積層体１１上に形成した。また、得られた一側透明導電層１７ａのシート抵抗を測定した。結果、シート抵抗は１４０Ω／□であった。

（実施例３）
第１成膜室３１および第２成膜室３３に供給される酸素ガスの流量をそれぞれ８ｓｃｃｍおよび６ｓｃｃｍに設定したこと以外は、実施例１と同様にして、第１金属酸化物層１８ａおよび第２金属酸化物層１９ａを含む一側透明導電層１７ａを中間積層体１１上に形成した。また、得られた一側透明導電層１７ａのシート抵抗を測定した。結果、シート抵抗は１３５Ω／□であった。

（実施例４）
第１成膜室３１および第２成膜室３３に供給される酸素ガスの流量をそれぞれ８ｓｃｃｍおよび８ｓｃｃｍに設定したこと以外は、実施例１と同様にして、第１金属酸化物層１８ａおよび第２金属酸化物層１９ａを含む一側透明導電層１７ａを中間積層体１１上に形成した。また、得られた一側透明導電層１７ａのシート抵抗を測定した。結果、シート抵抗は１４１Ω／□であった。

（実施例５）
第１金属酸化物層１８ａおよび第２金属酸化物層１９ａを合計した厚みを有するＩＴＯからなる膜（上述の比較用透明導電層）を、第１成膜室３１におけるスパッタリングのみによって中間積層体１１上に形成した。この際、第１成膜室３１の酸素ガスの流量を様々に設定し、そして、各条件下で得られた比較用透明導電層のシート抵抗を測定した。結果、第１成膜室３１の酸素ガスの流量を７ｓｃｃｍにした場合に、比較用透明導電層のシート抵抗が極小値（１４０Ω／□）を示した。すなわち、上述の単層用最適流量は７ｓｃｃｍであった。

実施例３における一側透明導電層１７ａのシート抵抗の測定結果から分かるように、第１成膜室３１に供給される酸素ガスの流量を、第２成膜室３３に供給される酸素ガスの流量よりも大きくすることにより、一側透明導電層１７ａ全体としてのシート抵抗値を小さくすることができた。なお実施例３において、第１成膜室３１に供給される酸素ガスの流量は上述のとおり８ｓｃｃｍであり、この値は、単層用最適流量である７ｓｃｃｍの１．１４倍である。すなわち、なお実施例３において、第１成膜室３１に供給される酸素ガスの流量は、単層用最適流量よりも大きくなっていた。

１ 積層体製造装置
１０ 積層体
１１ 中間積層体
１２ 基材フィルム
１３ａ，１３ｂ ハードコート層
１４ａ，１４ｂ 高屈折率層
１５ａ，１５ｂ 低屈折率層
１６ａ，１６ｂ 酸化珪素層
１７ａ，１７ｂ 透明導電層
１８ａ，１８ｂ 第１金属酸化物層
１９ａ，１９ｂ 第２金属酸化物層
２０ 巻出装置
３０ 成膜装置
３１ 第１成膜室
３１ａ 排気手段
３２ 第１ターゲット
３３ 第２成膜室
３３ａ 排気手段
３４ 第２ターゲット
４１ バッキングプレート
４２ 収容部
４４ ガス供給管
４５ 水蒸気供給管
４５ａ 水蒸気供給口
５０ 巻取装置
６０ フィルムセンサ
６２ａ，６２ｂ 透明導電パターン
６４ａ，６４ｂ 取出パターン
６５ａ，６５ｂ 端子部

Claims (8)

1. 基材フィルムの少なくとも一方の側に、金属酸化物から構成された透明導電層を形成する積層体製造方法において、
   前記透明導電層は、第１金属酸化物層と、前記第１金属酸化物層の面のうち前記基材フィルムから遠い側の面上に形成された第２金属酸化物層と、含み、
   前記積層体製造方法は、
   第１流量で酸素ガスが供給される第１成膜室において、スパッタリングによって前記第１金属酸化物層を形成する第１成膜工程と、
   第２流量で酸素ガスが供給される第２成膜室において、スパッタリングによって前記第２金属酸化物層を形成する第２成膜工程と、を備え、
   前記第１流量が、前記第２流量よりも大きい、積層体製造方法。
2. 前記透明導電層と同一の厚みを有する金属酸化物からなる比較用透明導電層を前記第１成膜室におけるスパッタリングのみによって形成する際に前記比較用透明導電層のシート抵抗が極小値を示すよう調整された酸素ガスの流量を、単層用最適流量と称する場合、前記第１の流量は、前記単層用最適流量よりも大きい、請求項１に記載の積層体製造方法。
3. 前記第１の流量は、前記単層用最適流量の１．１〜１．３倍の範囲内となっており、
   前記第２の流量は、前記単層用最適流量の０．８〜１．０倍の範囲内となっている、請求項２に記載の積層体製造方法。
4. 前記透明導電層は、前記第２金属酸化物層の面のうち前記基材フィルムから遠い側の面上に形成された第３金属酸化物層をさらに含み、
   前記積層体製造方法は、第３流量で酸素ガスが供給される第３成膜室において、スパッタリングによって前記第３金属酸化物層を形成する第３成膜工程をさらに備え、
   前記第３の流量は、前記単層用最適流量の０．８〜１．０倍の範囲内となっている、請求項３に記載の積層体製造方法。
5. 前記基材フィルムと前記透明導電層との間には、ＳｉＯ_ｘの組成を有する酸化珪素を含む酸化珪素層が配置されており、
   前記ＳｉＯ_ｘにおいて、ｘは２よりも小さくなっており、
   前記第１成膜工程においては、前記酸化珪素層の一方の側の面上に、前記第１金属酸化物層が形成される、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の積層体製造方法。
6. 基材フィルムの少なくとも一方の側に、金属酸化物から構成された透明導電層を形成する積層体製造装置において、
   前記透明導電層は、第１金属酸化物層と、前記第１金属酸化物層の面のうち前記基材フィルムから遠い側の面上に形成された第２金属酸化物層と、含み、
   前記積層体製造装置は、
   第１流量で酸素ガスを供給して、スパッタリングによって前記第１金属酸化物層を形成する第１成膜室と、
   第２流量で酸素ガスを供給して、スパッタリングによって前記第２金属酸化物層を形成する第２成膜室と、を備え、
   前記第１流量が、前記第２流量よりも大きい、積層体製造装置。
7. 前記第１成膜室および前記第２成膜室は、アルゴンガスおよび水蒸気をさらに供給するよう構成されており、
   前記第１成膜室および前記第２成膜室の少なくとも一方において、アルゴンガスおよび水蒸気は、それぞれ別個の経路で供給される、請求項６に記載の積層体製造装置。
8. 前記第１成膜室および前記第２成膜室には、水蒸気を供給するための水蒸気供給口が設けられており、
   前記第１成膜室および前記第２成膜室の少なくとも一方において、前記水蒸気供給口は、スパッタリング用のターゲットと前記水蒸気供給口とを結ぶ線上に、前記ターゲットを収容する収容部が存在するよう、配置されている、請求項７に記載の積層体製造装置。

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