JP2015099852A - Substrate cleaning device and substrate processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、気体と液体からなる二流体噴流をウェーハなどの基板に供給して基板を洗浄する基板洗浄装置に関し、特に研磨された基板の表面に二流体噴流を供給して該基板を洗浄する基板洗浄装置に関するものである。本発明の基板洗浄装置は、直径300mmのウェーハのみならず、直径450mmのウェーハの洗浄にも適用でき、さらにはフラットパネル製造工程やCMOSやCCDなどのイメージセンサー製造工程、MRAMの磁性膜製造工程などにも適用することが可能である。 The present invention relates to a substrate cleaning apparatus for cleaning a substrate by supplying a two-fluid jet composed of a gas and a liquid to a substrate such as a wafer, and in particular, cleaning the substrate by supplying the two-fluid jet to the surface of a polished substrate. The present invention relates to a substrate cleaning apparatus. The substrate cleaning apparatus of the present invention can be applied to cleaning not only a wafer having a diameter of 300 mm but also a wafer having a diameter of 450 mm, and further, a flat panel manufacturing process, an image sensor manufacturing process such as CMOS and CCD, and a magnetic film manufacturing process of MRAM. It is also possible to apply it.
近年の半導体デバイスの微細化に伴い、基板上に物性の異なる様々な材料膜を形成して、当該材料膜を加工することが行われている。特に、絶縁膜に形成した配線溝を金属で埋めるダマシン配線形成工程では、金属膜形成後に基板研磨装置によって余分な金属を研磨し、除去する。研磨後の基板表面には、金属膜、バリア膜、絶縁膜などの様々な膜が存在する。基板表面上に露出したこれらの膜には、研磨にて使用されたスラリや研磨屑など残渣物が存在している。このような残渣物を除去するために、研磨された基板は基板洗浄装置に搬送され、基板表面が洗浄される。 With the recent miniaturization of semiconductor devices, various material films having different physical properties are formed on a substrate and the material films are processed. In particular, in a damascene wiring formation process in which a wiring groove formed in an insulating film is filled with metal, excess metal is polished and removed by a substrate polishing apparatus after the metal film is formed. Various films such as a metal film, a barrier film, and an insulating film exist on the surface of the substrate after polishing. In these films exposed on the substrate surface, there are residues such as slurry and polishing debris used in polishing. In order to remove such residues, the polished substrate is transported to a substrate cleaning apparatus, and the substrate surface is cleaned.
基板表面が充分に洗浄されないと、残渣物に起因して電流リークが発生したり、密着性不良が発生するなど、信頼性の点で問題が発生する。そのため、半導体デバイスの製造において、基板の洗浄は、製品の歩留まりを向上させるために重要な工程となっている。 If the surface of the substrate is not sufficiently cleaned, problems such as current leakage due to residue and poor adhesion will occur. Therefore, in the manufacture of semiconductor devices, the cleaning of the substrate is an important process for improving the yield of products.
基板を洗浄するための装置として、気体と液体との混合流体からなる二流体噴流を基板の表面に供給する二流体洗浄装置が知られている。この二流体洗浄装置は、図15に示すように、二流体ノズル200を基板Wの表面と平行に移動させながら二流体ノズル200から二流体噴流を基板Wの表面に供給し、基板表面上に存在する砥粒や研磨屑などのパーティクルを除去する。
2. Description of the Related Art As a device for cleaning a substrate, a two-fluid cleaning device that supplies a two-fluid jet composed of a mixed fluid of gas and liquid to the surface of the substrate is known. As shown in FIG. 15, the two-fluid cleaning apparatus supplies a two-fluid jet from the two-
このような二流体洗浄装置は、ブラシやスポンジなどの洗浄具を基板Wに接触させないので、基板Wの逆汚染が起こらないという利点がある。しかしながら、二流体噴流のみを用いた洗浄では、基板Wの表面に付着しているパーティクルを十分に除去することが難しい。特に、二流体噴流は、基板表面上に形成された凹部(例えば、パターン段差やスクラッチ)内に存在する微小なパーティクルを除去することができなかった。 Such a two-fluid cleaning apparatus has an advantage that the substrate W is not back-contaminated because a cleaning tool such as a brush or sponge is not brought into contact with the substrate W. However, in the cleaning using only the two-fluid jet, it is difficult to sufficiently remove particles adhering to the surface of the substrate W. In particular, the two-fluid jet cannot remove minute particles present in a recess (for example, a pattern step or scratch) formed on the substrate surface.
本発明は、上述した問題点を解決するためになされたものであり、二流体噴流を用いて基板の表面を高効率で洗浄することができる基板洗浄装置を提供することを目的とする。また、本発明は、そのような基板洗浄装置を備えた基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus that can clean the surface of a substrate with high efficiency using a two-fluid jet. Moreover, an object of this invention is to provide the substrate processing apparatus provided with such a substrate cleaning apparatus.
上述した目的を達成するために、本発明の一態様は、基板を保持して回転させる基板保持部と、前記基板の表面に二流体噴流を供給する二流体ノズルと、前記基板に接触して該基板を振動させる少なくとも1つの振動子とを備えたことを特徴とする基板洗浄装置である。 In order to achieve the above-described object, one embodiment of the present invention includes a substrate holding unit that holds and rotates a substrate, a two-fluid nozzle that supplies a two-fluid jet to the surface of the substrate, and a contact with the substrate. A substrate cleaning apparatus comprising: at least one vibrator that vibrates the substrate.
本発明の好ましい態様は、前記振動子は、前記基板とともに回転しながら前記基板を振動させることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記振動子は、圧電素子と、該圧電素子に取り付けられ、前記基板に接触する接触部材とを備えることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記振動子は、前記基板をその表面と垂直な方向に振動させることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記振動子は、前記基板をその表面と平行な方向に振動させることを特徴とする。
In a preferred aspect of the present invention, the vibrator vibrates the substrate while rotating together with the substrate.
In a preferred aspect of the present invention, the vibrator includes a piezoelectric element and a contact member attached to the piezoelectric element and contacting the substrate.
In a preferred aspect of the present invention, the vibrator vibrates the substrate in a direction perpendicular to the surface thereof.
In a preferred aspect of the present invention, the vibrator vibrates the substrate in a direction parallel to the surface thereof.
本発明の好ましい態様は、前記少なくとも1つの振動子は、前記基板をその表面と垂直な方向に振動させる少なくとも1つの第1の振動子と、前記基板をその表面と平行な方向に振動させる少なくとも1つの第2の振動子から構成されることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記少なくとも1つの振動子は、複数の振動子であり、前記複数の振動子のうちの少なくとも2つは、互いに異なる周波数および/または振幅で前記基板を振動させることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記基板の下面に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、前記洗浄液を振動させる超音波振動子とをさらに備えたことを特徴とする。
In a preferred aspect of the present invention, the at least one vibrator includes at least one first vibrator that vibrates the substrate in a direction perpendicular to the surface thereof, and at least vibrates the substrate in a direction parallel to the surface thereof. It is characterized by comprising one second vibrator.
In a preferred aspect of the present invention, the at least one vibrator is a plurality of vibrators, and at least two of the plurality of vibrators vibrate the substrate at different frequencies and / or amplitudes. Features.
A preferred aspect of the present invention is characterized by further comprising a cleaning liquid nozzle for supplying a cleaning liquid to the lower surface of the substrate, and an ultrasonic vibrator for vibrating the cleaning liquid.
本発明の他の態様は、基板を研磨する研磨ユニットと、前記研磨ユニットで研磨された基板を洗浄する上記基板洗浄装置とを備えたことを特徴とする基板処理装置である。 Another aspect of the present invention is a substrate processing apparatus comprising a polishing unit for polishing a substrate and the substrate cleaning apparatus for cleaning the substrate polished by the polishing unit.
振動を基板に加えることによりパーティクルが基板から離れやすくなる。この状態で、二流体噴流が基板に供給され、パーティクルを基板から除去する。このように、基板の振動と二流体噴流の衝撃との組み合わせにより、基板の洗浄効率を向上させることができる。 By applying vibration to the substrate, the particles are easily separated from the substrate. In this state, a two-fluid jet is supplied to the substrate to remove particles from the substrate. Thus, the cleaning efficiency of the substrate can be improved by the combination of the vibration of the substrate and the impact of the two-fluid jet.
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明の実施形態に係る基板洗浄装置を備えた基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図1に示すように、基板処理装置は、略矩形状のハウジング10と、多数のウェーハ等の基板を収容する基板カセットが載置されるロードポート12を備えている。ロードポート12は、ハウジング10に隣接して配置されている。ロードポート12には、オープンカセット、SMIF(Standard Manufacturing Interface)ポッド、またはFOUP(Front Opening Unified Pod)を搭載することができる。SMIF、FOUPは、内部に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing an overall configuration of a substrate processing apparatus including a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus includes a substantially
ハウジング10の内部には、複数(この実施形態では4つ)の研磨ユニット14a〜14dと、研磨後の基板を洗浄する第1洗浄ユニット16及び第2洗浄ユニット18と、洗浄後の基板を乾燥させる乾燥ユニット20が収容されている。研磨ユニット14a〜14dは、基板処理装置の長手方向に沿って配列され、洗浄ユニット16,18及び乾燥ユニット20も基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。
Inside the
ロードポート12、研磨ユニット14a、及び乾燥ユニット20に囲まれた領域には、第1基板搬送ロボット22が配置され、また研磨ユニット14a〜14dと平行に、基板搬送ユニット24が配置されている。第1基板搬送ロボット22は、研磨前の基板をロードポート12から受け取って基板搬送ユニット24に渡すとともに、乾燥後の基板を乾燥ユニット20から受け取ってロードポート12に戻す。基板搬送ユニット24は、第1基板搬送ロボット22から受け取った基板を搬送して、各研磨ユニット14a〜14dとの間で基板の受け渡しを行う。各研磨ユニットは、研磨面に研磨液(スラリー)を供給しながら、ウェーハなどの基板を研磨面に摺接させることで、基板の表面を研磨する。
In a region surrounded by the
第1洗浄ユニット16と第2洗浄ユニット18の間に位置して、これらの洗浄ユニット16,18および基板搬送ユニット24の間で基板を搬送する第2基板搬送ロボット26が配置され、第2洗浄ユニット18と乾燥ユニット20との間に位置して、これらの各ユニット18,20の間で基板を搬送する第3基板搬送ロボット28が配置されている。更に、ハウジング10の内部に位置して、基板処理装置の各ユニットの動きを制御する動作制御部30が配置されている。
A second
第1洗浄ユニット16として、薬液の存在下で、基板の表裏両面にロールスポンジを擦り付けて基板を洗浄する基板洗浄装置が使用されている。第2洗浄ユニット18として、本発明の実施形態に係る二流体タイプの基板洗浄装置が使用されている。また、乾燥ユニット20として、基板を保持し、移動するノズルからIPA蒸気を噴出して基板を乾燥させ、更に高速で回転させることによって基板を乾燥させるスピン乾燥装置が使用されている。
As the
基板は、研磨ユニット14a〜14dの少なくとも1つにより研磨される。研磨された基板は、第1洗浄ユニット16と第2洗浄ユニット18により洗浄され、さらに洗浄された基板は乾燥ユニット20により乾燥される。
The substrate is polished by at least one of the polishing
図2は、第2洗浄ユニット18に使用されている本発明の実施形態に係る基板洗浄装置を示す斜視図である。図2に示すように、この基板洗浄装置は、基板の一例であるウェーハWを保持して回転させる基板保持部41と、ウェーハWの上面に二流体噴流を供給する二流体ノズル42と、この二流体ノズル42を保持するノズルアーム44とを備えている。
FIG. 2 is a perspective view showing the substrate cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention used in the
二流体ノズル42には、気体供給ライン55と、液体供給ライン57とが接続されている。気体および液体は、気体供給ライン55および液体供給ライン57を通じて二流体ノズル42に供給され、二流体ノズル42内で混合されて二流体を形成する。この二流体は二流体ノズル42からウェーハWの表面に噴射される。
A
基板保持部41は、ウェーハWの周縁部を保持する複数の(図2では6つの)チャック45と、チャック45に連結されたモータ48とを備えている。チャック45はウェーハWを保持し、この状態でウェーハWはその中心軸線まわりにモータ48によって回転される。
The
二流体ノズル42はウェーハWの上方に配置されている。ノズルアーム44の一端に二流体ノズル42が取り付けられ、ノズルアーム44の他端には旋回軸50が連結されている。二流体ノズル42は、ノズルアーム44および旋回軸50を介してノズル移動機構51に連結されている。より具体的には、旋回軸50には、ノズルアーム44を旋回させるノズル移動機構51が連結されている。ノズル移動機構51は、旋回軸50を所定の角度だけ回転させることにより、ノズルアーム44をウェーハWと平行な平面内で旋回させるようになっている。ノズルアーム44の旋回により、これに支持された二流体ノズル42がウェーハWの半径方向に移動する。
The two-
図3は、チャック45の拡大断面図である。図3に示すように、チャック45には、ウェーハWの周縁部に接触しつつ、ウェーハWを振動させる振動子61が設けられている。振動子61は、ウェーハWの表面と平行な接触面62を有しており、この接触面62は、チャック45に支持されたウェーハWの周縁部の下面に接触する。すべてのチャック45には振動子61が設けられており、これら複数の振動子61は、ウェーハWの周縁部に沿って等間隔に配列されている。モータ48によりチャック45が回転されると、振動子61もチャック45とともに回転される。したがって、振動子61はウェーハWとともに回転しながら、ウェーハWを振動させる。
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the
図4は、振動子61の拡大図である。図4に示すように、振動子61は、圧電素子(ピエゾ素子)66と、圧電素子66に取り付けられた接触部材67とを備えている。振動子61は、その接触部材67がウェーハWの周縁部の下面に接触するようにチャック45に配置される。したがって、接触部材67の表面は、ウェーハWの周縁部の下面に接触する接触面62を構成する。
FIG. 4 is an enlarged view of the
接触部材67は、ウェーハWに供給される液体から圧電素子66を保護するため、および圧電素子66からウェーハWを保護するためのものである。例えば、接触部材67は、テフロン(登録商標)、PEEK樹脂(ポリエーテルエーテルケトン)、石英などからなるシート部材である。この接触部材67は省略してもよい。この場合は、ウェーハWの下面に接触する振動子61の上記接触面62は、圧電素子66自体の表面から構成される。
The
図3から分かるように、振動子61はウェーハWの下面に接触しているので、ウェーハWの表面と垂直な方向にウェーハWを振動させる。振動子61の振動周波数および振幅は、圧電素子66に印加される電圧に依存して変わりうる。それぞれのチャック45に設けられている振動子61の振動周波数および/または振幅は、同じであってもよく、または異なっていてもよい。
As can be seen from FIG. 3, since the
すべての振動子61のうちの少なくとも2つは、互いに異なる周波数および/または振幅で振動してもよい。例えば、図5に示す3つの振動子61−1,61−3,61−5からなる第1のグループは、数十〜数百kHzの振動周波数で振動し、第1のグループの振動子の間にある3つの振動子61−2,61−4,61−6からなる第2のグループは、1MHzの振動周波数で振動してもよい。第1のグループの振動子61−1,61−3,61−5の振幅は、第2のグループの振動子61−2,61−4,61−6の振幅と同じてあってもよく、または異なってもよい。
At least two of all the
ウェーハWは次のようにして洗浄される。基板保持部41は、ウェーハWをその中心軸線まわりに回転させ、さらに振動子61によりウェーハWを所定の周波数および所定の振幅で振動させる。この状態で、二流体ノズル42は、ウェーハWの上面に二流体噴流を供給し、さらにウェーハWの半径方向に移動する。ウェーハWの上面は、振動子61による振動と二流体噴流の衝撃との複合作用によって洗浄される。
The wafer W is cleaned as follows. The
図6は、振動子61がウェーハWに振動を与えている状態を示す模式図であり、図7は、振動子61がウェーハWに振動を与えつつ二流体噴流をウェーハWの表面に供給している状態を示す模式図である。図6に示すように、振動をウェーハWに加えることによりパーティクルがウェーハWから離れやすくなる。この状態で、ウェーハWには二流体噴流が供給され、パーティクルをウェーハWから除去する。このように、ウェーハWの振動と二流体噴流の衝撃との組み合わせにより、ウェーハWの洗浄効率を向上させることができる。
FIG. 6 is a schematic diagram showing a state in which the
振動子61は、チャック45を介して間接的にウェーハWを振動させるのではなく、その接触面62がウェーハWに接触した状態でウェーハWを直接振動させる。したがって、チャック45自体はほとんど振動せず、チャック45は安定してウェーハWを保持することができる。つまり、本実施形態の振動子61は、チャック45を振動させずにウェーハWのみを振動させることができる。
The
図8は、さらに他の実施形態を示す図である。この実施形態では、振動子61はウェーハWの外周面(すなわち最も外側の端面)に接触し、ウェーハWをその表面と平行な方向に振動させるように配置されている。この振動子61は、ウェーハWの外周面に接触する接触面62を有している。振動子61の構成は、図4に示す振動子61の構成と同じであるので、その重複する説明を省略する。本実施形態によれば、二流体噴流によるウェーハWの洗浄中、ウェーハWは振動子61によってウェーハWの表面と平行な方向に振動する。
FIG. 8 is a diagram showing still another embodiment. In this embodiment, the
図9は、さらに他の実施形態を示す図である。この実施形態では、1つのチャック45に2つの振動子61A,61Bが設けられている。第1の振動子61Aは、図3に示す振動子61と同じ構成を有し、同じ位置に配置されている。すなわち、第1の振動子61Aは、ウェーハWの周縁部の下面に接触し、ウェーハWをその表面と垂直な方向に振動させる。第2の振動子61Bは、図8に示す振動子61と同じ構成を有し、同じ位置に配置されている。すなわち、第2の振動子61Bは、ウェーハWの外周面(すなわち最も外側の端面)に接触し、ウェーハWをその表面と平行な方向に振動させる。
FIG. 9 is a diagram showing still another embodiment. In this embodiment, one
本実施形態によれば、第1の振動子61AがウェーハWをその表面と垂直な方向に振動させるとともに、第2の振動子61BがウェーハWをその表面と平行な方向に振動させる。したがって、パーティクルは、よりウェーハWから離れやすくなる。この状態で、ウェーハWには二流体噴流が供給され、パーティクルをウェーハWから除去する。このように、ウェーハWの二方向の振動と二流体噴流の衝撃との組み合わせにより、ウェーハWの洗浄効率をさらに向上させることができる。第1の振動子61Aの振動周波数および/または振幅は、第2の振動子61Bの振動周波数および/または振幅と同じであってもよく、または異なってもよい。
According to the present embodiment, the
図10は、さらに他の実施形態を示す図である。図10には図示していないが、図10に示すチャック45には、図3に示す振動子61および/または図8に示す振動子61が設けられている。特に説明しない本実施形態の構成および動作は、図2に示す実施形態の構成および動作と同じであるので、その重複する説明を省略する。
FIG. 10 is a diagram showing still another embodiment. Although not shown in FIG. 10, the
この実施形態では、ウェーハWの下面に洗浄液を供給する洗浄液ノズル70が、基板保持部41に保持されたウェーハWの下方に配置されている。この洗浄液ノズル70は、支持軸75の上端に固定されており、支持軸75の下端には洗浄液供給ライン80が接続されている。チャック45とモータ48とを連結する回転軸81は中空軸から構成されており、支持軸75は回転軸81の内部を延びている。回転軸81およびチャック45はモータ48によって回転されるが、支持軸75および洗浄液ノズル70は回転しない。
In this embodiment, a cleaning
基板保持部41に保持されたウェーハWの周囲には、円筒状の液受けカップ83が配置されている。この液受けカップ83は、回転するウェーハWに供給された液体を受け、下方に流下させるために設けられている。この液受けカップ83は、図2に示す上述した実施形態の基板洗浄装置にも設けてもよい。
A cylindrical
支持軸75の内部には流路76が形成されており、洗浄液供給ライン80は支持軸75の流路76に洗浄液を供給する。洗浄液供給ライン80には洗浄液供給源86と気体混合装置87が設けられている。気体混合装置87は、洗浄液供給源86から供給された洗浄液に窒素や水素などの気体を混合させる装置である。溶存気体を含む洗浄液は、洗浄液供給ライン80および支持軸75を通って洗浄液ノズル70に供給される。洗浄液としては、純水を用いることができる。
A
図11は洗浄液ノズル70の平面図であり、図12は洗浄液ノズル70の斜視図であり、図13は洗浄液ノズル70の拡大断面図である。洗浄液ノズル70はウェーハWの直径方向に延びている。図13に示すように、洗浄液ノズル70は、複数の噴射口91と、これら噴射口91にそれぞれ連通する複数の流路92とを備えている。洗浄液ノズル70の内部には複数の超音波振動子95が埋設されており、それぞれの流路92を流れる洗浄液に接触して振動を与えるように配置されている。振動エネルギーが付与された洗浄液は、複数の流路92を通ってそれぞれの噴射口91からウェーハWの下面に供給される。噴射口91からウェーハWの下面までの距離は、10mm以下であることが好ましく、さらに好ましくは5mm以下である。
FIG. 11 is a plan view of the cleaning
各超音波振動子95は、各噴射口91の下方に配置されており、ウェーハWに供給される直前の洗浄液を振動させる。このように超音波振動子95が洗浄液を振動させると、洗浄液に溶存している気体が気泡となって出現し、洗浄液の洗浄効果を向上させることができる。
Each
ウェーハWの洗浄は次のようにして行われる。基板保持部41は、ウェーハWをその中心軸線まわりに回転させ、振動子61によりウェーハWを所定の周波数および所定の振幅で振動させる。さらに、洗浄液を超音波振動子95により振動させながら、洗浄液をウェーハWの下面に供給する。この状態で、二流体ノズル42は、ウェーハWの上面に二流体噴流を供給し、さらにウェーハWの半径方向に移動する。ウェーハWの上面は、振動子61による振動と二流体噴流の衝撃との複合作用によって洗浄され、ウェーハWの下面は振動エネルギーを付与された洗浄液によって洗浄される。
Cleaning of the wafer W is performed as follows. The
ウェーハWの下面側に配置された洗浄液ノズル70の噴射口91は、ウェーハWの上面側に配置された二流体ノズル42の移動軌跡に沿って配列されてもよい。例えば、図14に示すように、洗浄液ノズル70は、円弧状の二流体ノズル42の移動軌跡に沿って円弧状に延びてもよい。
The
図11乃至図14に示す実施形態では、二流体ノズル42を用いているが、二流体ノズル42に代えてペンスポンジを用いることも可能である。
Although the two-
上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。 The embodiment described above is described for the purpose of enabling the person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs to implement the present invention. Various modifications of the above embodiment can be naturally made by those skilled in the art, and the technical idea of the present invention can be applied to other embodiments. Accordingly, the present invention is not limited to the described embodiments, but is to be construed in the widest scope according to the technical idea defined by the claims.
10 ハウジング
12 ロードポート
14a〜14d 研磨ユニット
16 第1洗浄ユニット
18 第2洗浄ユニット
20 乾燥ユニット
22 第1基板搬送ロボット
24 基板搬送ユニット
26 第2基板搬送ロボット
28 第3基板搬送ロボット
30 動作制御部
41 基板保持部
42 二流体ノズル
44 ノズルアーム
45 チャック
48 モータ
50 旋回軸
51 ノズル移動機構
55 気体供給ライン
57 液体供給ライン
61,61A,61B 振動子
62 接触面
66 圧電素子
67 接触部材
70 洗浄液ノズル
75 支持軸
76 流路
80 洗浄液供給ライン
81 回転軸
83 液受けカップ
86 洗浄液供給源
87 気体混合装置
91 噴射口
92 流路
95 超音波振動子
10
Claims (9)
前記基板の表面に二流体噴流を供給する二流体ノズルと、
前記基板に接触して該基板を振動させる少なくとも1つの振動子とを備えたことを特徴とする基板洗浄装置。 A substrate holder for holding and rotating the substrate;
A two-fluid nozzle for supplying a two-fluid jet to the surface of the substrate;
A substrate cleaning apparatus comprising: at least one vibrator that vibrates the substrate in contact with the substrate.
前記複数の振動子のうちの少なくとも2つは、互いに異なる周波数および/または振幅で前記基板を振動させることを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄装置。 The at least one vibrator is a plurality of vibrators;
The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein at least two of the plurality of vibrators vibrate the substrate at different frequencies and / or amplitudes.
前記洗浄液を振動させる超音波振動子とをさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。 A cleaning liquid nozzle for supplying a cleaning liquid to the lower surface of the substrate;
The substrate cleaning apparatus according to claim 1, further comprising an ultrasonic vibrator that vibrates the cleaning liquid.
前記研磨ユニットで研磨された基板を洗浄する請求項1乃至8のいずれか一項に記載の基板洗浄装置とを備えたことを特徴とする基板処理装置。 A polishing unit for polishing a substrate;
A substrate processing apparatus comprising: the substrate cleaning apparatus according to claim 1, which cleans the substrate polished by the polishing unit.
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