JP2015099831A - 半導体基板の処理液、処理方法、これらを用いた半導体基板製品の製造方法 - Google Patents

半導体基板の処理液、処理方法、これらを用いた半導体基板製品の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015099831A
JP2015099831A JP2013238344A JP2013238344A JP2015099831A JP 2015099831 A JP2015099831 A JP 2015099831A JP 2013238344 A JP2013238344 A JP 2013238344A JP 2013238344 A JP2013238344 A JP 2013238344A JP 2015099831 A JP2015099831 A JP 2015099831A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
carbon atoms
semiconductor substrate
formula
atom
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013238344A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6200289B2 (ja
Inventor
上村　哲也
Tetsuya Kamimura
上村　　哲也
泰雄 杉島
Yasuo Sugishima
泰雄 杉島
篤史 水谷
Atsushi Mizutani
篤史 水谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2013238344A priority Critical patent/JP6200289B2/ja
Priority to CN201480062820.1A priority patent/CN105745739B/zh
Priority to KR1020167014337A priority patent/KR101798090B1/ko
Priority to PCT/JP2014/080223 priority patent/WO2015072552A1/ja
Priority to TW103139760A priority patent/TWI635162B/zh
Publication of JP2015099831A publication Critical patent/JP2015099831A/ja
Priority to US15/152,676 priority patent/US10199210B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6200289B2 publication Critical patent/JP6200289B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/041—Cleaning travelling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
    • C11D3/0073—Anticorrosion compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/37—Polymers
    • C11D3/3703—Macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C11D3/3719—Polyamides or polyimides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/37—Polymers
    • C11D3/3703—Macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C11D3/3723—Polyamines or polyalkyleneimines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/37—Polymers
    • C11D3/3746—Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C11D3/3769—(Co)polymerised monomers containing nitrogen, e.g. carbonamides, nitriles or amines
    • C11D3/3773—(Co)polymerised monomers containing nitrogen, e.g. carbonamides, nitriles or amines in liquid compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/37—Polymers
    • C11D3/3746—Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C11D3/3769—(Co)polymerised monomers containing nitrogen, e.g. carbonamides, nitriles or amines
    • C11D3/3776—Heterocyclic compounds, e.g. lactam
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/261—Alcohols; Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/267—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3245—Aminoacids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3263—Amides or imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3272—Urea, guanidine or derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3281—Heterocyclic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31058—After-treatment of organic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232—Field-effect technology
    • H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/8238—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
    • H01L21/823807—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the channel structures, e.g. channel implants, halo or pocket implants, or channel materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232—Field-effect technology
    • H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/8238—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
    • H01L21/823864—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the gate sidewall spacers, e.g. double spacers, particular spacer material or shape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232—Field-effect technology
    • H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/8238—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
    • H01L21/823814—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the source or drain structures, e.g. specific source or drain implants or silicided source or drain structures or raised source or drain structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232—Field-effect technology
    • H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/8238—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
    • H01L21/823857—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the gate insulating layers, e.g. different gate insulating layer thicknesses, particular gate insulator materials or particular gate insulator implants
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】ゲルマニウムを含む層を有する半導体基板に対して適用し、そのゲルマニウムの損傷を抑制ないし防止して、その上側の有機物の除去あるいは基板表面の洗浄を好適に行うことができる処理液、処理方法、これらを用いた半導体基板製品の製造方法を提供する。【解決手段】ゲルマニウム（Ｇｅ）を含むＧｅ含有層を有する半導体基板から上記半導体基板上側の有機物を除去する、あるいはその表面を洗浄する処理液であって、処理液をｐＨ５〜１６の範囲とする薬液成分と、Ｇｅ含有層を防食するための防食成分とを含む半導体基板の処理液。【選択図】なし

Description

本発明は、リンス液、現像液、剥離液等の半導体基板の処理液、その処理方法、これらを用いた半導体基板製品の製造方法に関する。
半導体素子（半導体デバイス）の製造工程には、リソグラフィ工程、エッチング工程、イオン注入工程などの様々な工程が含まれている。そこでは、各工程の終了後、あるいは次の工程に移る前に、有機物を処理する工程が含まれることが一般的である。例えば、基板表面に残存したレジストを剥離・除去する処理が実施される（剥離処理）。あるいは、その除去や剥離の後に、さらに表面を浄化する処理を施すことがある（リンス処理）。また、現像工程ではレジストを所望の箇所でのみ正確に除去することが求められる（現像処理）。
従来の有機残渣の剥離処理方法として、濃硫酸と過酸化水素の混合溶液（ＳＰＭ：Ｓｕｌｆｕｒｉｃ Ａｃｉｄ Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｐｅｒｏｘｉｄｅ Ｍｉｘｔｕｒｅ）やアンモニアと過酸化水素の混合溶液（ＡＰＭ：Ａｍｍｏｎｉａ−ｐｅｒｏｘｉｄｅ ｍｉｘｔｕｒｅ）を用いるプロセスが利用されている（特許文献１〜３参照）。これにより、基板加工後のレジストを効果的に剥離することができる。一方、この方法ではレジストの剥離性には優れるものの、処理液の酸化力が強すぎるために基板を構成する材料に損傷を与えることがある。半導体デバイスの小型化および高集積化が進んでいる昨今の実情を考慮すれば、このような損傷はたとえ微小でも避けることが望まれる。また、ＳＰＭやＡＰＭを用いた方法では、薬品自体の危険性や、急激な温度上昇などが起こるといったことがあるため、安全性の観点からも必ずしも満足できる方法ではなかった。
そのため、ゲート絶縁膜や基板などへの影響が少なく、より安全性に優れた洗浄技術が求められており、その一つとして、例えば、炭酸ガスの発泡を利用した新たな処理方法が提案されている（特許文献４、５参照）。
特開２００５−２６８３０８号公報 特開２００５−１８９６６０号公報 特開２０１２−０４９３９１号公報 特開２０１２−０９４７０３号公報 特開２０１２−０９４７０２号公報 特開２００１−１１９０２６号公報 特開２００８−１６６８０９号公報
半導体基板材料として、従来、広くシリコン（Ｓｉ）が用いられてきた。一方、半導体素子に用いられる要求性能の益々の高まりを受け、ゲルマニウム（Ｇｅ）を用いる技術（特許文献６，７）が注目され、その実用化が試みられている。一方、ゲルマニウムはシリコンにくらべ、化学薬品に対する耐性が低く、その製造工程における各処理において損傷を受けることが懸念された。
そこで本発明は、ゲルマニウムを含む層を有する半導体基板に対して適用し、そのゲルマニウムの損傷を抑制ないし防止して、その上側の有機物の除去あるいは基板表面の洗浄を好適に行うことができる処理液、処理方法、これらを用いた半導体基板製品の製造方法の提供を目的とする。さらに具体的には、上記の処理としてリンス処理、現像処理、剥離処理に適合する処理液、処理方法、これらを用いた半導体基板製品の製造方法の提供を目的とする。
上記の課題は以下の手段により解決された。
〔１〕ゲルマニウム（Ｇｅ）を含むＧｅ含有層を有する半導体基板から上記半導体基板上側の有機物を除去する、あるいはその表面を洗浄する処理液であって、
処理液をｐＨ５〜１６の範囲とする薬液成分と、Ｇｅ含有層を防食するための防食成分とを含む半導体基板の処理液。
〔２〕上記防食成分の濃度が０．０１〜２０質量％である〔１〕に記載の処理液。
〔３〕上記防食成分が下記式（１）〜（６）、（１０）、（１１）のいずれかで表される化合物及び下記式（７）〜（９）のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物から選ばれる少なくとも１種である〔１〕または〔２〕に記載の処理液。
Figure 2015099831
 ［Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１〜Ｒ３４、Ｒ４１〜Ｒ４５、Ｒ５１〜Ｒ５６、Ｒ６１、Ｒ６２、Ｒ７１、Ｒ８１〜Ｒ８３、Ｒ９１、Ｒ９２、ＲＡ１、ＲＢ１、およびＲＢ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子、酸素原子、硫黄原子、または窒素原子を含む基を表す。Ｌａは連結基を表す。Ｍ１ −、Ｍ２ −、およびＭ３ −は対アニオンを表す。式（５）における破線は単結合及び二重結合のいずれかであることを表す。破線が二重結合のとき、Ｒ５２、Ｒ５４はないものとする。式（６）中の破線は、Ｒ６１が酸素原子もしくは硫黄原子になり、これが結合する炭素原子とともにカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）もしくはチオカルボニル基（Ｃ＝Ｓ）を構成していてもよいことを意味する。ＬＲは単結合または連結基を表す。］
〔４〕上記式（１）中、Ｒ１１〜Ｒ１４はそれぞれ独立に炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数２〜２４のアルケニル基、または炭素数６〜１４のアリール基を表し、その少なくとも１つは炭素数が２以上である；上記式（２）中、Ｒ２１およびＲ２２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜１２のアシル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、アミノカルボニル基、ヒドラジノ基、ヒドラジノカルボニル基、Ｃ（ＮＲＮ）ＮＲＮ ２（ＲＮは、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数６〜１４のアリール基である。）を表す；上記式（３）中、Ｒ３１〜Ｒ３４はそれぞれ独立にＲ２１およびＲ２２と同義である；上記式（４）中、Ｒ４１〜Ｒ４５はそれぞれ独立に水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、または炭素数６〜１４のアリール基を表す；上記式（５）中、Ｒ５１〜Ｒ５６はそれぞれ独立に水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、または炭素数６〜１４のアリール基を表す；上記式（６）中、Ｒ６１およびＲ６２はそれぞれ独立に水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数６〜１４のアリール基、またはカルボニル基をなす酸素原子を表す；上記式（７）中、Ｒ７１は水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、または炭素数６〜１４のアリール基を表し、Ｌａがメチレン基である；上記式（８）中、Ｒ８１およびＲ８２は水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、または炭素数６〜１４のアリール基を表し、ＬＲが単結合、炭素数１〜１２のアルキレン基、炭素数２〜１２のアルケニレン基、炭素数６〜１４のアリーレン基、または炭素数７〜１５のアラルキレン基を表し、Ｒ８３が水素原子またはメチル基を表す；上記式（９）中、Ｒ９１およびＲ９２は水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、または炭素数６〜１４のアリール基を表し、Ｌａがメチレン基である；上記（１０）中、ＲＡ１は炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数２〜２４のアルケニル基、または炭素数６〜１４のアリール基を表す；あるいは、上記式（１１）中、炭素数ＲＢ１およびＲＢ２はそれぞれ独立に炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、または炭素数６〜１４のアリール基、またはアミノ基である〔３〕に記載の剥離液。
〔５〕防食成分について、前記式（１）または（１０）で表される化合物および式（７）〜（９）で表される繰り返し単位を有する化合物から選ばれるものをインヒビター型の防食成分として用い、前記式（２）〜（６）および（１１）のいずれかで表される化合物を還元剤型の防食成分として用いる〔３〕または〔４〕に記載の処理液。
〔６〕半導体基板を洗浄するためのリンス液である〔１〕〜〔５〕のいずれか１つに記載の処理液。
〔７〕半導体基板上のレジストを現像するための現像液である〔１〕〜〔５〕のいずれか１つに記載の処理液。
〔８〕上記有機物が変性されたレジスト成分を含み、上記有機物を剥離する剥離液である〔１〕〜〔５〕のいずれか１つに記載の処理液。
〔９〕上記薬液成分が、処理液をリンス液とするとき水であり、処理液を現像液とするときアルカリ化合物であり、処理液を剥離液とするときアルコール化合物、非プロトン性溶媒、有機アミン化合物、またはそれらの組合せである〔１〕〜〔８〕のいずれか１つに記載の処理液。
〔１０〕上記アルコール化合物のＣＬｏｇＰ値が０以上である〔９〕に記載の処理液。
〔１１〕ゲルマニウム（Ｇｅ）を含むＧｅ含有層を有する半導体基板から、上記半導体基板上側の有機物を除去する、あるいはその表面を洗浄する処理液であって、薬液成分と、Ｇｅ含有層を防食するための防食成分とを含む半導体基板の処理液。
〔１２〕上記薬液成分が、処理液をリンス液とするとき水であり、処理液を現像液とするときアルカリ化合物であり、処理液を剥離液とするときアルコール化合物、非プロトン性溶媒、有機アミン化合物、またはそれらの組合せである〔１１〕に記載の処理液。
〔１３〕ゲルマニウム（Ｇｅ）を含むＧｅ含有層を有する半導体基板から上記半導体基板上側の有機物を処理液で除去する、あるいはその表面を洗浄する処理方法であって、
上記処理液が、上記処理液をｐＨ５〜１６の範囲とする薬液成分と、Ｇｅ含有層を防食するための防食成分とを含む半導体基板の処理方法。
〔１４〕上記防食成分が下記式（１）〜（６）、（１０）、（１１）のいずれかで表される化合物及び下記式（７）〜（９）のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物から選ばれる少なくとも１種である〔１３〕に記載の処理方法。
Figure 2015099831
 ［Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１〜Ｒ３４、Ｒ４１〜Ｒ４５、Ｒ５１〜Ｒ５６、Ｒ６１、Ｒ６２、Ｒ７１、Ｒ８１〜Ｒ８３、Ｒ９１、Ｒ９２、ＲＡ１、ＲＢ１、およびＲＢ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子、酸素原子、硫黄原子、または窒素原子を含む基を表す。Ｌａは連結基を表す。Ｍ１ −、Ｍ２ −、およびＭ３ −は対アニオンを表す。式（５）における破線は単結合及び二重結合のいずれかであることを表す。破線が二重結合のとき、Ｒ５２、Ｒ５４はないものとする。式（６）中の破線は、Ｒ６１が酸素原子もしくは硫黄原子になり、これが結合する炭素原子とともにカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）もしくはチオカルボニル基（Ｃ＝Ｓ）を構成していてもよいことを意味する。ＬＲは単結合または連結基を表す。］
〔１５〕上記薬液成分が、処理液をリンス液とするとき水であり、処理液を現像液とするときアルカリ成分であり、処理液を剥離液とするときアルコール化合物、非プロトン性溶媒、有機アミン化合物、またはそれらの組合せである〔１３〕または〔１４〕に記載の処理方法。
〔１６〕〔１３〕〜〔１５〕のいずれか１つに記載の処理方法により半導体基板を処理して半導体基板製品を得る、半導体基板製品の製造方法。
〔１７〕半導体基板に適用されるゲルマニウム（Ｇｅ）を含むＧｅ含有層の防食剤であって、下記式（１）〜（６）、（１０）、（１１）のいずれかで表される化合物あるいは下記式（７）〜（９）のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物からなる防食剤。
Figure 2015099831
 ［Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１〜Ｒ３４、Ｒ４１〜Ｒ４５、Ｒ５１〜Ｒ５６、Ｒ６１、Ｒ６２、Ｒ７１、Ｒ８１〜Ｒ８３、Ｒ９１、Ｒ９２、ＲＡ１、ＲＢ１、およびＲＢ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子、酸素原子、硫黄原子、または窒素原子を含む基を表す。Ｌａは連結基を表す。Ｍ１ −、Ｍ２ −、およびＭ３ −は対アニオンを表す。式（５）における破線は単結合及び二重結合のいずれかであることを表す。破線が二重結合のとき、Ｒ５２、Ｒ５４はないものとする。式（６）中の破線は、Ｒ６１が酸素原子もしくは硫黄原子になり、これが結合する炭素原子とともにカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）もしくはチオカルボニル基（Ｃ＝Ｓ）を構成していてもよいことを意味する。ＬＲは単結合または連結基を表す。］
本発明の処理液および処理方法によれば、ゲルマニウムを含む層を有する半導体基板に対して適用し、そのゲルマニウムの損傷を抑制ないし防止して、その上側の有機物の除去あるいは基板表面の洗浄を好適に行うことができる。さらに具体的には、上記の処理として、半導体製造工程における、リンス処理、現像処理、剥離処理に適合する。
本発明の半導体基板製品の製造方法によれば、上記の優れた製造適正を有する処理液および処理方法を適用することにより、製品品質に優れたＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）などの半導体基板製品を提供することができる。
本発明の一実施形態における半導体基板製品の製造工程の一部を模式的な断面図で示す工程説明図ある。 本発明の好ましい実施形態に係る処理装置の一部を示す装置構成図である。 本発明の一実施形態における半導体基板に対するノズルの移動軌跡線を模式的に示す平面図である。
［剥離処理］
まず、本発明の処理液の使用態様として、有機物の剥離処理について図１に基づき説明する。同図はＣＭＯＳを製造する工程を例に、変性レジスト（変性された有機物含有層）の剥離処理の過程を示している。図１（ａ）では準備された半導体基板にレジスト７が付与されている。ここでの半導体基板は、シリコン基板１にトランジスタが形成される領域としてゲルマニウムを含むウエル２、３が形成されている。各ウエルは、ヒ素やホウ素、リンなどをイオン注入することにより所望の半導体性（ｎ型、ｐ型）が付与されている。この状態で、本実施形態の半導体基板は、ウエル２側がその表面を露出した状態であり、ウエル３側はレジスト７で被覆された状態である。
次いで、図１（ｂ）ではウエル２にソース（２１、２２）とドレイン（２３、２４）とが形成されている。この形成方法は定法によればよいが、例えば以下のようなイオン注入とサリサイド工程による加工が挙げられる。まず、図１（ａ）の半導体基板のウエル２に対して、適切なレジストを施し、図１（ａ）のｓ領域に特定の導電型のイオンを注入する。これによりソースを構成する領域を形成する。一方、レジストの配置を変え、図１（ａ）のｄ領域に逆の導電型のイオンを注入しドレインを構成する領域を形成する。その後、上記ｓ領域およびｄ領域の基板表面を被覆するようにチタンやニッケル、ニッケルプラチナなどの金属層を形成する。これをアニールすることにより、ゲルマニウムシリサイド層２２、２４を形成する。これがソースおよびドレインにおいて高い導電性を示す電極部として機能する。このような工程を介して、ソース基部２１およびそのシリサイド層２２、ドレイン基部２３およびそのシリサイド層２４を有するソースおよびドレインをもつ基板構造が形成される。本実施形態においては、あらかじめゲート絶縁膜４およびゲート電極５を形成しておく例として示しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、ここにはダミーゲートを適用しておき、サリサイド工程の後にゲートを形成してもよい。
本発明においては、ゲルマニウムを含む層を広くゲルマニウム含有層（Ｇｅ含有層）と呼び、上記の例ではウエル２，３、ソース基部２１、ソースシリサイド部２２、ドレイン基部２３、ドレインシリサイド部２４がこれに含まれる。
本発明の好ましい実施形態で製造されるＣＭＯＳについてその構成材料の例を以下に示しておく。ただし、この例示により本発明が限定して解釈されるものではない。
１ シリコン基板： Ｓｉ
４ ゲート絶縁膜： ＨｆＯ２（Ｈｉｇｈ−ｋ）
５ ゲート電極： Ａｌ，Ｗ，ポリシリコン
２１ ソース基部： ＳｉＧｅ，Ｇｅ
２２ ソースシリサイド部： ＳｉＧｅシリサイド、Ｇｅシリサイド
２３ ドレイン基部： ＳｉＧｅ，Ｇｅ
２４ ドレインシリサイド部：ＳｉＧｅシリサイド、Ｇｅシリサイド
図示せず サイドウォール： ＳｉＯＣＮ，ＳｉＮ，ＳｉＯ２（ｌｏｗ−ｋ）
図示せず キャップ： ＴｉＮ
本実施形態においては、上記のようにソースおよびドレインを形成するためのイオン注入工程あるいはサリサイド工程が行われるため、その前に基板上に付与したレジスト７は、変性を受ける。図示した例では、変性レジスト７１が主にイオン注入の影響を受け、付与されたときとは異なる化学的に変化した状態とされている。このような変性を受けると、通常の樹脂とは異なり炭化して剥離されにくくなる。特に、本発明においては、上記イオン注入において、しばしばＨＤＩＳ（ＨＩＧＨ ＤＯＳＥ ＩＭＰＬＡＮＴＡＴＩＯＮ ＳＴＲＩＰ）と呼ばれる条件に適用されることが、その効果が顕著に現われるため好ましい。一般に、イオン注入される不純物のドーズ量が１×１０１４ｃｍ−２を超える場合を高ドーズ量とよび、レジストパターンはイオン衝撃を受け、炭化し、レジストパターンの表面の硬化が顕著となる。硬化層が形成されたレジストパターンは特に、除去が難しくなる。このような変性したレジストについても、本発明の好ましい実施形態によれば好適に対応することができる。
上記のような変性レジスト７１と非変性レジスト７２とを、後述する剥離液により剥離・除去したのが図１（ｄ）である。本発明の好ましい実施形態に係る剥離液によれば、ゲルマニウムを含むウエル２，３の表面の損傷を抑えた良好なレジスト剥離を実現することができる。特に本発明者らの確認により、ＨＤＩＳにおけるレジストの変性物には、不飽和結合（二重結合、三重結合）が生じており、このようなものを溶解しつつ除去するよう、処理液に適度な疎水性が付与されていることが好ましい。この観点から、防食成分は相応に炭素数のある化合物を適用することが好ましい。その詳細は後述する。
図１（ｃ）は上記とは別の実施形態として、プラズマアッシングと剥離液による処理との組合せに係る例を示している。この例では、図１（ｂ）のレジストが付与された基板に対し、プラズマを照射し、主に、上記の変性レジスト７１を除去する。変性レジスト７１は剥離液では剥離しがたい場合もあり、そのような場合に本例のようにプラズマアッシングと組み合せた処理が効果的である。一方、この処理により残されたプラズマ変性レジスト７３と、プラズマ非変性レジスト７４は、その変性の状態から上記とは別の剥離困難性をもつようになる。プラズマ処理により例えばその変性レジスト７３部分は灰化した状態になり、溶解されにくくなることがある。このようなプラズマ変性レジストに対しても本発明の好ましい実施形態に係る剥離液によれば、好適にそのレジストを剥離し除去することができる。
なお、ここでは変性レジストの剥離液とする実施態様について説明しているが、本発明においてそのエッチング液は、後述のように、リンス液や現像液として用いることもできる。
上述したプラズマアッシングは定法によればよいが、例えば、酸素プラズマアッシングを適用することできる。しかしながら、酸素プラズマは基板材料にダメージを与えることがあり、これを避けるために、下記のような改良されたプロセスを適用してもよい。特開２０１０−０９８２７９号公報では、水素、弱酸化剤、及びフッ素含有ガスを含むガスをプラズマ源内に導入することが提案されている。具体的には、元素水素、弱酸化剤、フッ素含有ガスを含むプラズマ活性ガスは、不活性ガスとともに、半導体基板へと流れ半導体基板の材料と反応させる。弱酸化剤の例として、二酸化炭素、一酸化炭素、二酸化窒素、酸化窒素、水、過酸化水素、及びこれらの組み合わせが挙げられる。フッ素含有ガスは、四フッ化炭素や、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、ハイドロフルオロカーボン、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、元素フッ素、三フッ化窒素、六フッ化硫黄、及びこれらの組み合わせが挙げられる。不活性ガスは、アルゴン、ヘリウム、窒素、及びこれらの組み合わせ等が挙げられる。
プラズマ源内に導入されるガスは、予め混合されていてもされていなくてもよく、０．１体積％以上１０体積％以下で導入することができる。不活性ガスは、例えば活性ガスの体積流量の約２倍の体積流量で導入される。プラズマは、例えば、３００Ｗ以上１０ＫＷ以下のＲＦ出力を用いてリモートプラズマとして生成させる。半導体基板の温度は、ガスにより接触されるとき、約１６０℃以上５００℃以下としてもよい。プロセス圧力は３００ｍＴｏｒｒ以上２Ｔｏｒｒ以下とすることができる。
なお、本明細書においては、上記のレジストおよび変性レジスト、非変性レジスト、さらには有機残渣を含めて有機物と呼び、これを含む層を有機物含有層と総称する。有機物ないしその含有層には、本発明の効果を奏する範囲で無機物が混入していてもよい。
［リンス処理］
本発明の処理液はリンス液として用いることも好ましい。リンス液とは、半導体基板を薬液、およびガス種による処理を行った後に、基板を洗浄する目的で提供される薬液を指す。一例として上述のようなレジスト剥離を済ませた後の基板表面に対して後処理として適用する処理液を意味する。すなわち、リンス処理の態様においては、有機物の除去のみならず、無機物の除去を含む表面洗浄を行うものである。このリンス液を適用することにより、基板上に残された若干の残渣を除去することができる。また、その添加成分によっては、基板表面の保護にも資するものである。本発明の好ましい実施形態に係るリンス液によれば、上記の微量有機残渣の除去を効果的に行うことができ、かつ、特に基板表面に露出したゲルマニウム含有層の保護に有用である。例えば、このリンス液を適用することにより、引き続く加工工程において表面のエロージョンやコロージョンなどの損傷を防ぐ効果が期待できる。
［現像処理］
本発明の処理液は現像液として用いることも好ましい。現像液は、レジストを基板表面に配設する際に、フォトマスクで露光した部分を溶解除去する態様（ポジ型）、逆に露光した部分を硬化して未露光部分を除去する態様（ネガ型）において利用される。現像液は、たとえばアルカリ成分を含んでおり、レジスト内に存在する酸性基（カルボキシル基等）やフェノール性水酸基等と反応させることで、樹脂を溶解し、その部分のレジストを取り去ることができる。かかる観点から、本発明の現像液もアルカリ成分を含有することが好ましい。その処方等の詳細は後述する。図１に示した例を用いてポジ型のレジストについて説明する。図１（ａ）の半導体基板を形成するために、基板全体にレジストを付与し、右側のウエル３の上方を覆うようにフォトマスクで遮光する形態が挙げられる。他方、左側のウエル２の上方は遮光されず、この部分のレジストが露光される。これによりレジスト７以外の部分が軟化（可溶化）する。次いで、上記現像液を基板全体に適用するとこで、未露光部のレジストが溶解除去され、所望の部分のレジストが残された状態が形成される。
本明細書において、半導体基板とは、ウェハのみではなくそこに回路構造が施された基板構造体全体を含む意味で用いる。半導体基板部材とは、上記で定義される半導体基板を構成する部材を指し１つの材料からなっていても複数の材料からなっていてもよい。なお、加工済みの半導体基板を半導体基板製品として区別して呼ぶことがあり、必要によってはさらに区別して、これに加工を加えダイシングして取り出したチップ及びその加工製品を半導体素子という。すなわち、広義には半導体素子は半導体基板製品に属するものである。半導体基板の方向は特に限定されないが、説明の便宜上、本明細書では、ゲート側を上方とし、シリコン基板側を下方とする。なお、添付の図面では、半導体基板ないしその部材の構造を簡略化して図示しており、必要に応じて必要な形態として解釈すればよい。
［処理液］
次に、本発明の処理液の好ましい実施形態について説明する。本実施形態の処理液は特定の薬液成分と、Ｇｅ含有層を防食するための防食成分とを含有する。このうち薬液成分については、各実施形態において異なるため、それぞれの項目でその好ましい化合物等を説明する。以下で、いずれの実施例においても共通する防食成分についてまず説明する。
（防食成分）
本発明の処理液に適用される防食成分は、含窒素有機化合物または含酸素有機化合物であることが好ましい。
含窒素有機化合物としては、アミノ基（ＮＲＮ ２）、イミノ基（ＮＲＮ）、アンモニウム基（ＮＲＭ ４ ＋）、ピリジニウム基（Ｃ５ＮＲＭ＋）、イミダゾリジニウム基（Ｃ３Ｎ２ＲＭ ２ ＋）を有する化合物などが挙げられる。ここでＲＮは、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基（炭素数１〜６が好ましく、１〜３がより好ましい）、炭素数２〜１２のアルケニル基（炭素数２〜６が好ましく、２〜３がより好ましい）、炭素数６〜１４のアリール基（炭素数６〜１０が好ましい）である。ＲＭは、炭素数１〜１２のアルキル基（炭素数１〜６が好ましく、１〜３がより好ましい）、炭素数２〜１２のアルケニル基（炭素数２〜６が好ましく、２〜３がより好ましい）、炭素数６〜１４のアリール基（炭素数６〜１０が好ましい）である。
含酸素有機化合物としては、ヒドロキシ基（ＯＨ）、カルボキシル基（ＣＯＯＨ）、カルボニル基（ＣＯ）、エーテル基（Ｏ）、またはそれらの組み合わせに係る基を有する化合物が挙げられる。
前記防食剤は下記式（１）〜（６）、（１０）、（１１）のいずれかで表される化合物あるいは下記式（７）〜（９）のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物からなることが好ましい。
Figure 2015099831
Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１〜Ｒ３４、Ｒ４１〜Ｒ４５、Ｒ５１〜Ｒ５６、Ｒ６１、Ｒ６２、Ｒ７１、Ｒ８１〜Ｒ８３、Ｒ９１、Ｒ９２、ＲＡ１、ＲＢ１、およびＲＢ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子、酸素原子、硫黄原子、または窒素原子を含む基を表す。
Ｌａは連結基を表す。その好ましいものは下記式（ａ−１）〜（ａ−８）で定義されるものと同義である。
Ｍ１ −、Ｍ２ −、Ｍ３ −は対アニオンを表す。たとえば、水酸化物イオン、ハロゲンアニオン等が挙げられる。
式（５）における破線は単結合又は二重結合のいずれかであることを表す。破線が二重結合のとき、Ｒ５２、Ｒ５４はないものとする。
式（６）中の破線は、Ｒ６１が酸素原子もしくは硫黄原子になり、これが結合する炭素原子とともにカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）もしくはチオカルボニル基（Ｃ＝Ｓ）を構成していてもよいことを意味する。
ＬＲは単結合または連結基を表し、好ましいものは後記Ｌｂと同じである。
隣接する置換基は連結して環を形成していてもよい。形成され環は特に限定されないが、４〜６員環であることが好ましく、４〜６員の複素脂肪族環もしくは炭化水素脂肪族環であることがより好ましい。例えば、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１とＲ２２、Ｒ３１とＲ３２、Ｒ３３とＲ３４、Ｒ４１〜Ｒ４５、Ｒ５１〜Ｒ５６、Ｒ６１とＲ６２、Ｒ８１とＲ８２、ＲＢ１とＲＢ２などが環を形成する例として挙げられる。
・式（１）
Ｒ１１〜Ｒ１４はそれぞれ独立に炭素数１〜２４のアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、さらに好ましくは炭素数１〜８）、炭素数２〜２４のアルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、さらに好ましくは炭素数２〜８）、または炭素数６〜１４のアリール基（好ましくは炭素数６〜１０）を表すことが好ましい。このとき、その少なくとも１つは炭素数が２以上であることが好ましい。式（１）の化合物は、水酸化テトラアルキルアンモニウムであるとき、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を含むが、上述のように、これよりも炭素数の大きい炭素数５以上の水酸化テトラアルキルアンモニウムであることが好ましく、炭素数８以上の水酸化テトラアルキルアンモニウムがより好ましく、炭素数１２以上の水酸化テトラアルキルアンモニウムがさらに好ましく、炭素数１６以上の水酸化テトラアルキルアンモニウムが特に好ましい。これは、変性レジストや残渣等の有機物含有層に含まれる成分との関係で、疎水的であることが好ましいためである。なお、後述する現像液では、アルカリ成分としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドも用いることがあるが、その場合には、防食成分がテトラメチルアンモニウムヒドロキシド以外のものとして定義することができる。
上記のアルキル基、アルケニル基、アリール基はさらに置換基を有していてもよく、その任意の置換基としては後記置換基Ｔの例が挙げられる。なかでも、置換基Ｔのなかで定義される、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルファニル基、アシル基、アルコキシ基、アミノ基が好ましい。このことは、以下の式（２）〜（１１）において同義である。
・式（２）
Ｒ２１およびＲ２２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数１〜６、より好ましくは炭素数１〜３）、炭素数２〜１２のアルケニル基（好ましくは炭素数２〜６、より好ましくは炭素数２〜３）、または炭素数６〜１４のアリール基（好ましくは炭素数６〜１０）、炭素数１〜１２のアシル基（好ましくは炭素数１〜６、より好ましくは炭素数１〜３）、炭素数１〜１２のアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜６、より好ましくは炭素数１〜３）、アミノカルボニル基（ＮＲＮ ２ＣＯ）、ヒドラジノ基（ＮＲＮ−ＮＲＮ ２）、ヒドラジノカルボニル基（ＣＯ−ＮＲＮ−ＮＲＮ ２）、Ｃ（ＮＲＮ）ＮＲＮ ２を表すことが好ましい。Ｒ２１およびＲ２２は上記のとおり連結して環を形成していてもよい。なかでも、環を形成するとき、下記式（２−１）で表される構造をとることが好ましい。
Figure 2015099831
 Ｒ２３〜Ｒ２６はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。置換基としては、炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数１〜６、より好ましくは炭素数１〜３）、炭素数２〜１２のアルケニル基（好ましくは炭素数２〜６、より好ましくは炭素数２〜３）、または炭素数６〜１４のアリール基（好ましくは炭素数６〜１０）が挙げられる。Ｒ２３〜Ｒ２６は互いに連結して環を形成していてもよい。例えば、ここでベンゼン環を形成してフタルイミド構造となっていることが好ましい。
・式（３）
Ｒ３１〜Ｒ３４はそれぞれ独立にＲ２１およびＲ２２と同義（水素原子または特定の置換基）であることが好ましい。式（３）は、下記式（３−１）で表されることが好ましい。
Figure 2015099831
式（３−１）において、置換基Ｔ１は式（Ｔ１）の置換基である。
式（Ｔ１）において、Ａは酸素原子（Ｏ）、硫黄原子（Ｓ）、イミノ基（ＮＲＮ）である。ｎ１は０または１である。ＬＴは炭素数１〜１２のアルキレン基（炭素数１〜６が好ましく、１〜３がより好ましい）、アルケニレン基（炭素数２〜６が好ましく、２〜３がより好ましい）、またはアルキニレン基（炭素数２〜６が好ましく、２〜３がより好ましい）である。
Ｒ３５はヒドロキシ基、カルボキシル基もしくはそのエステル（エステルのとき炭素数１〜６が好ましい）、スルファニル基、アルキル基（炭素数１〜２４が好ましく、１〜１２より好ましく、炭素数１〜６が特に好ましい）、アルケニル基（炭素数２〜２４が好ましく、２〜１２より好ましく、炭素数２〜６が特に好ましい）、アルキニル基（炭素数２〜２４が好ましく、２〜１２より好ましく、炭素数２〜６が特に好ましい）、アリール基（炭素数６〜２４が好ましく、６〜１４より好ましく、炭素数６〜１０が特に好ましい）、アルコキシ基（炭素数１〜２４が好ましく、１〜１２より好ましく、炭素数１〜６が特に好ましい）、アシル基（炭素数１〜２４が好ましく、１〜１２より好ましく、炭素数１〜６が特に好ましい）、アミノ基（ＮＲＮ ２）、ヒドラジノ基（ＮＲＮ−ＮＲＮ ２）、ヒドラジノカルボニル基（ＣＯ−ＮＲＮ−ＮＲＮ ２）が挙げられる。
・式（４）
Ｒ４１〜Ｒ４５はそれぞれ独立に水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数１〜６、より好ましくは炭素数１〜３）、炭素数２〜１２のアルケニル基（好ましくは炭素数２〜６、より好ましくは炭素数２〜３）、または炭素数６〜１４のアリール基（好ましくは炭素数６〜１０）を表すことが好ましい。カルボキシル基はそのエステル（エステルのとき炭素数１〜６が好ましい）であってもよい。なかでも、Ｒ４１〜Ｒ４５の少なくとも１つがカルボキシル基またはそのエステルであることが好ましい。さらに、Ｒ４１〜Ｒ４５の少なくとも１つがヒドロキシ基であることが好ましい。
・式（５）
Ｒ５１〜Ｒ５６はそれぞれ独立に水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数１〜６、より好ましくは炭素数１〜３）、炭素数２〜１２のアルケニル基（好ましくは炭素数２〜６、より好ましくは炭素数２〜３）、または炭素数６〜１４のアリール基（好ましくは炭素数６〜１０）を表すことが好ましい。カルボキシル基はそのエステル（エステルのとき炭素数１〜６が好ましい）であってもよい。式（５）はなかでも、下記式（５−１）で表されることが好ましい。
Figure 2015099831
式（５−１）において、Ｒ５７はヒドロキシ基を有するアルキル基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜６、さらに好ましくは炭素数１〜３）であることが好ましい。このヒドロキシ基はエステル化していてもよい。Ｒ５７の例としては−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２−Ｏ−Ｔ１の例が挙げられる。Ｔ１は前記式３−１と同義である。
・式（６）
Ｒ６１およびＲ６２はそれぞれ独立に水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数１〜６、より好ましくは炭素数１〜３）、炭素数２〜１２のアルケニル基（好ましくは炭素数２〜６、より好ましくは炭素数２〜３）、炭素数６〜１４のアリール基（好ましくは炭素数６〜１０）、またはカルボニル基をなす酸素原子を表すことが好ましい。式（６）はなかでも、下記式（６−１）で表されることが好ましい。
Figure 2015099831
 式（６−１）において、Ｒ６３は水素原子、ヒドロキシ基またはヒドロキシ基を有するアルキル基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜６、さらに好ましくは炭素数１〜３）であることが好ましい。
・式（７）
Ｒ７１は水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数１〜６、より好ましくは炭素数１〜３）、炭素数２〜１２のアルケニル基（好ましくは炭素数２〜６、より好ましくは炭素数２〜３）、または炭素数６〜１４のアリール基（好ましくは炭素数６〜１０）を表すことが好ましい。
・式（８）
Ｒ８１およびＲ８２は水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数１〜６、より好ましくは炭素数１〜３）、炭素数２〜１２のアルケニル基（好ましくは炭素数２〜６、より好ましくは炭素数２〜３）、または炭素数６〜１４のアリール基（好ましくは炭素数６〜１０）を表すことが好ましい。Ｒ８１およびＲ８２は互いに結合してまたは縮合して環を形成していてもよい。
Ｒ８３は水素原子、メチル基、エチル基、またはプロピル基であることが好ましい。
・式（９）
Ｒ９１およびＲ９２は水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数１〜６、より好ましくは炭素数１〜３）、炭素数２〜１２のアルケニル基（好ましくは炭素数２〜６、より好ましくは炭素数２〜３）、または炭素数６〜１４のアリール基（好ましくは炭素数６〜１０）を表すことが好ましい。
・式（１０）
ＲＡ１は、炭素数１〜２４のアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６）、炭素数２〜２４のアルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６）、または炭素数６〜１４のアリール基（好ましくは炭素数６〜１０）を表すことが好ましい。
・式（１１）
ＲＢ１およびＲＢ２はそれぞれ独立に炭素数１〜１２のアルキル基（炭素数１〜６が好ましく、１〜３がより好ましい）、炭素数２〜１２のアルケニル基（炭素数２〜６が好ましく、２〜３がより好ましい）、または炭素数６〜１４のアリール基（炭素数６〜１０が好ましい）、またはアミノ基（ＮＲＮ ２）であることが好ましい。
式（７）〜（９）の化合物は、式中の繰り返し単位のみからなるものであっても、他の繰り返し単位を有するものであってもよい。
式（７）〜（９）のいずれかで表される化合物は、下記式（ａ−１）〜（ａ−８）で表される繰り返し単位を有する化合物から選択されるものであることが好ましい。
Figure 2015099831
・Ｒａ
Ｒａは、水素原子、アルキル基（炭素数１〜１２が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜３が特に好ましい）、アルケニル基（炭素数２〜１２が好ましく、２〜６がより好ましい）、アリール基（炭素数６〜２２が好ましく、６〜１４がより好ましい）、またはヘテロ環基（炭素数２〜１２が好ましく、２〜６がより好ましい）を表す。なかでもＲａが水素原子またはメチル基であることが好ましい。なお、本明細書においてアルキル基はアラルキル基を含む意味である。
・Ｒｂ
Ｒｂは、アルキル基（炭素数１〜１２が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜３が特に好ましい）またはアルケニル基（炭素数２〜１２が好ましく、２〜６がより好ましい）を表す。なかでもＲｂがメチル基またはエチル基であることが好ましい。
・Ｌａ
Ｌａは、連結基を表す。Ｌａは、アルキレン基（炭素数１〜１２が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜３が特に好ましい）、カルボニル基、イミノ基（炭素数０〜６が好ましく、０〜３がより好ましい）、アリーレン基（炭素数６〜２２が好ましく、６〜１４がより好ましい）、ヘテロ環基（炭素数１〜１２が好ましく、２〜５がより好ましい）、またはそれらの組合せが好ましい。中でもアルキレン基またはカルボニル基が好ましく、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、またはカルボニル基が好ましく、メチレン基またはエチレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。
・Ｌｂ
Ｌｂは、単結合、アルキレン基（炭素数１〜１２が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜３が特に好ましい）、カルボニル基、イミノ基（ＮＲＮ）（炭素数０〜６が好ましく、０〜３がより好ましい）、アリーレン基（炭素数６〜２２が好ましく、６〜１４がより好ましい）、ヘテロ環基（炭素数１〜１２が好ましく、２〜５がより好ましい）、またはそれらの組合せを表す。なかでも、単結合、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、またはカルボニル基が好ましく、単結合、メチレン基、またはエチレン基が好ましい。
・Ｒｃ
Ｒｃは、水素原子またはアルキル基（炭素数１〜１２が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜３が特に好ましい）を表す。なかでもＲｃが水素原子またはメチル基であることが好ましい。
・ｎ
ｎは０以上の整数を表す。ｎの上限は各環状構造部の置換可能数である。例えば、下記式（５−１）〜（５−４）であれば４であり、式（６−５）、式（６−６）であれば３である。
・Ｍ１１ −
Ｍ１１ −は対アニオンであり、水酸化物イオン又はハロゲンアニオンが挙げられる。
環Ｑ１は含窒素複素環を表し、含窒素飽和複素環が好ましく、５員または６員環の含窒素飽和複素環が好ましい。その環構造として具体的には、下記式（５−１）〜（５−６）が好ましい。
環Ｑ２は含窒素複素環を表し、含窒素不飽和複素環が好ましく、５員または６員環の含窒素不飽和複素環が好ましく、ピロリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基（いずれもＣ位で結合）が好ましい。その環構造として具体的には、下記式（６−１）〜（６−１１）が好ましい。
環Ｑ３は含窒素複素環を表し、含窒素不飽和複素環が好ましく、５員環の含窒素不飽和複素環が好ましく、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基（いずれもＮ位で結合）が好ましい。その環構造として具体的には、下記式８−１〜８−３が好ましい。
式中＊は、結合位置を示す。
Figure 2015099831
 上記の環構造基はいずれも所定数の置換基Ｒａを伴っていてもよい。式中のオニウムは塩となっていてもよい意味である。また、式６−５〜６−１１はオニウムもしくはその塩となっていてもよい。
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｌａ、Ｌｂは分子内で複数あるとき、互いに同じであっても異なっていてもよい。複数のＲａ、Ｒｂ、およびＲｃは互いに結合して環を形成していてもよい。なお、すべてにおいて断らないが、隣接する置換基や連結基は、本発明の効果を損ねない範囲で、互いに結合して環を形成していてもよい。
さらに、前記含窒素有機化合物は下記式（ｂ）で表されるものであることも好ましい。
Ｒｃ ２Ｎ−［Ｌｄ−Ｎ（Ｒｃ）］ｍ−Ｌｄ−ＮＲｃ ２ （ｂ）
式中、Ｒｃは、前記と同様である。ｍは０以上の整数を表し、好ましくは１以上であり、より好ましくは２以上であり、さらに好ましくは３以上である。上限は特にないが、１０以下であることが実際的であり、６以下がより実際的である。
Ｌｄは、アルキレン基（炭素数１〜１２が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜３が特に好ましい）、カルボニル基、イミノ基（ＮＲＮ）（炭素数０〜６が好ましく、０〜３がより好ましい）、アリーレン基（炭素数６〜２２が好ましく、６〜１４がより好ましい）、ヘテロ環基（炭素数１〜１２が好ましく、２〜５がより好ましい）、またはそれらの組合せを表す。なかでもアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、プロピレン基が好ましい。
なお、複数のＲｃ、Ｌｄは、互いに同じで合っても異なっていてもよい。複数のＲｃ、Ｌｄは互いに結合して環を形成していてもよい。
前記含窒素有機化合物は下記の繰り返し単位を有する化合物または下記の式で表される化合物であることが好ましい。ただし、本発明がこれに限定して解釈されるものではない。なお、式中カチオン性基を有するものは、対アニオンを伴っていてもよい意味である。対アニオンとしては、前記Ｍ１１ −の例が挙げられる。
Figure 2015099831
 Ａ−１ ポリエチレンイミン
Ａ−２ ポリビニルアミン
Ａ−３ ポリアリルアミン
Ａ−４ ジメチルアミン・エピヒドリン系ポリマー
Ａ−５ ポリヘキサジメトリン
Ａ−６ ポリジメチルジアリルアンモニウム（塩）
Ａ−７ ポリ（４−ビニルピリジン）
Ａ−８ ポリオルニチン
Ａ−９ ポリリシン
Ａ−１０ ポリアルギニン
Ａ−１１ ポリヒスチジン
Ａ−１２ ポリビニルイミダゾール
Ａ−１３ ポリジアリルアミン
Ａ−１４ ポリメチルジアリルアミン
Ａ−１５ ジエチレントリアミン
Ａ−１６ トリエチレンテトラミン
Ａ−１７ テトラエチレンペンタミン
Ａ−１８ ペンタエチレンヘキサミン
前記防食成分の濃度は利用形態（剥離液、リンス液、現像液）に応じて適宜に設定すればよい。好ましい配合量は防食成分の作用によって異なり、後述するインヒビター型と還元剤型とで区別される。インヒビター型化合物の場合、処理液中、０．０１質量％以上であることが好ましく、０．０５質量％以上であることがより好ましく、０．１質量％以上であることが特に好ましい。上限としては、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、２質量％以下であることがさらに好ましく、１質量％以下であることが特に好ましい。このようにごく微量で防食効果を示すのがインヒビター型化合物に係る利点の１つでもある。還元剤型化合物の場合、処理液中、０．５質量％以上であることが好ましく、１質量％以上であることがより好ましく、２質量％以上であることが特に好ましい。上限としては、５０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以下であることが特に好ましい。
上記の防食成分は、１種を単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
防食成分がオリゴマーなしポリマーであるときその分子量は適宜調節することが好ましい。分子量は、例えば式（７）〜（９）の化合物において、５００以上であることが好ましく、１，０００以上であることがより好ましい。上限としては、１００，０００以下であることが好ましく、１０，０００以下であることがより好ましい。
高分子化合物については、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって標準ポリスチレン換算の重量平均分子量を計測する。測定法としては、基本として、カラムとしてはＴＯＳＯＨ ＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＡＷＭ−Ｈを３本つなげたカラムを用い、１０ｍＭＬｉＢｒ／Ｎ−メチルピロリドンを溶離液として用いるか、カラムとしてＴＯＳＯＨ ＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＨＺＭ−Ｈ、ＴＯＳＯＨ ＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＨＺ４０００、ＴＯＳＯＨ ＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＨＺ２０００をつないだカラムを用い、テトラヒドロフランを溶離液として用いる方法により測定する。ただし、ポリマー種によっては適宜適切な溶離液を選定して用いればよい。
防食成分は、その推定作用機構から２つに区分することができる。ゲルマニウムの層表面に吸着して防食作用を呈すると解されるインヒビター型と、ゲルマニウムの溶出を抑制する還元剤型である。還元剤型は、ゲルマニウムが酸化により溶出する性質を有することから、この影響を系内で押さえる機能を発揮していると解される。上記一般式（１）〜（１１）の区別に即して言うと、式（１）および（７）〜（１０）の化合物はインヒビター型として作用している可能性がある。一方、式（２）〜（６）、（１１）の化合物は還元剤型として作用している可能性がある。
インヒビター型の化合物はＮ（窒素）原子を含有し、これがＧｅの保護機能を発揮すると解される。そのことは、例えば、Ｇｅ表面に吸着させた試料を用いて、その表面をＥＳＣＡ測定で定量して確認することができる。このＮ／Ｇｅの比率を未処理時と処理後とで比較したときに、処理後のＮ／Ｇｅ比率の方が大きければ防食成分の吸着が確認される。その吸着量が大きい程、より多くのインヒビター型化合物（防食成分）が吸着していることを示し、Ｇｅ表面の保護においてより好ましいと解される。Ｎ／Ｇｅ比率が５０％以上増加することが好ましく、１００％以上増加することがさらに好ましく、２００％以上増加することがさらに好ましい。上限は特にないが１０００％以下であることが実際的である。
ゲルマニウムの溶出を抑制する還元剤型の化合物（防食成分）は、その添加に伴ってＧｅ表面の表面電位をプラス側に増加させると解される。その絶対値は環境条件に伴って変化するため、具体的電位範囲を規定することは難しいが、還元剤の添加に伴って電位が相応に変化していると推定される。そのことは、例えば、添加剤を併用した際のＧｅ表面の表面電位を測定した場合に、表面電位が処理前に比較してプラス側に増加することで確認することができる。よりプラス側に増加する程、Ｇｅは酸化されにくくなる（還元状態になる）と解される。好ましい実施態様として挙げると、表面電位が０．２ｍＶ以上増加することが好ましく、０．３ｍＶ以上増加することがさらに好ましく、０．５ｍＶ以上増加することがさらに好ましい。上限は特にないが１．５ｍＶ以下であることが実際的である。
（剥離液）
本発明の好ましい実施形態に係る剥離液は、薬液成分として、アルコール化合物、非プロトン性溶媒、有機アミン化合物、またはそれらの組合せを適用することが好ましい。さらに具体的には、アルコール化合物と有機アミン化合物との組合せ、または非プロトン性溶媒と有機アミン化合物との組合せが好ましい。
・アルコール化合物
アルコール化合物は、分子内に炭素と水素とを有しヒドロキシ基を１つ以上もつ化合物を広く含む。好ましくは炭素数１以上のアルコール化合物であり、炭素数２以上がより好ましく、炭素数３以上がさらに好ましく、炭素数４以上がさらに好ましく、炭素数５以上がさらに好ましく、炭素数６以上が特に好ましい。上限としては、炭素数２４以下が好ましく、炭素数１２以下がより好ましく、炭素数８以下が特に好ましい。例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、１−プロピルアルコール、２−プロピルアルコール、２−ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、１，６−ヘキサンジオール、シクロヘキサンジオール、ソルビトール、キシリトール、２−メチル−２，４−ペンタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、メチルペンタンジオール、シクロヘキサノール、エチルヘキサノール、ベンジルアルコール、フェニルエタノール等のエーテル基非含有アルコール化合物、アルキレングリコールアルキルエーテル（エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等）、フェノキシエタノール、メトキシメチルブタノールを含むエーテル基含有アルコール化合物が挙げられる。
アルコール化合物は中でも下記式（Ｏ−１）で表される化合物であることが好ましい。
ＲＯ１−（−Ｏ−ＲＯ２−）ｎ−ＯＨ ・・・ （Ｏ−１）
・ＲＯ１
ＲＯ１は水素原子又は炭素数１〜１２（好ましくは１〜６、より好ましくは１〜３）のアルキル基または炭素数６〜１４（好ましくは６〜１０）のアリール基である。
・ＲＯ２
ＲＯ２は直鎖状又は分岐状の炭素数１以上１２以下のアルキレン鎖である。複数のＲＯ２が存在するときそのそれぞれは異なっていてもよい。ＲＯ２は炭素数２〜１０が好ましく、炭素数２〜６がより好ましく、炭素数２〜４がさらに好ましい。
・ｎ
ｎは０以上６以下の整数である。ｎが２以上のとき複数のＲＯ２は互いに異なっていてもよい。ただし、ｎが０のとき、ＲＯ１が水素原子であることはない。
アルコール化合物は下記式（Ｏ−２）で表される化合物であることも好ましい。
ＲＯ３−ＬＯ１−ＲＯ４−ＯＨ ・・・ （Ｏ−２）
ＲＯ３は、置換基を有してもよい環状構造基である。環状構造基は、炭化水素芳香族基であっても、複素芳香族基であっても、環状脂肪族基であっても、環状複素脂肪族基であってもよい。炭化水素芳香族基としては、炭素数６〜１４のアリール基が挙げられる（炭素数６〜１０が好ましく、フェニル基がより好ましい）。環状脂肪族基としては、炭素数６〜１４の環状アルキル基が挙げられる（炭素数６〜１０が好ましく、シクロヘキシル基がより好ましい）。複素環は後記置換基Ｔの例が挙げられる。また、環状構造基が有してもよい置換基としては、後記置換基Ｔの例が挙げられる。
ＬＯ１は単結合、Ｏ、ＣＯ、ＮＲＮ、Ｓ、またはそれらの組合せである。なかでも、単結合、ＣＯ、Ｏが好ましく、単結合またはＯがより好ましい。
ＲＯ４はアルキレン基（炭素数１〜１２が好ましく、炭素数１〜６がより好ましく、炭素数１〜３が特に好ましい）、アリーレン基（炭素数６〜１４が好ましく、炭素数６〜１０がより好ましい）、またはアラルキレン基（炭素数７〜１５が好ましく、炭素数７〜１１がより好ましい）である。
アルコール化合物は、剥離液中、２０質量％以上含有させることが好ましく、３０質量％以上がより好ましく、４０質量％以上がさらに好ましい。上限としては、９０質量％以下含有させることが特に好ましく、８０質量％以下であることがより好ましく、７０質量％以下がさらに好ましい。上記の範囲とすることで、好適な防食効果と有機物含有層の剥離性が得られるため好ましい。
上記のアルコール化合物は、１種を単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
アルコール化合物はそのＣＬｏｇＰ値が−０．５以上であることが好ましく、０以上であることがより好ましく、０．３以上であることがより好ましく、０．５以上であることがさらに好ましい。上限はとくにないが、５以下であることが実際的である。以下にＣＬｏｇＰ値の例をいくつかの化合物について例示しておく。
２−メチル−２，４−ペンタンジオール ０．１７
ベンジルアルコール １．０６
２−フェニルエタノール １．５６
２−フェノキシエタノール １．１９
３−メトキシ−３−メチル−１−ブタノール ０．６３
２−エチルヘキサノール ２．８２
シクロヘキサノール １．４９
エチレングリコール −１．３６
プロピレングリコール −０．９２
オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）の測定は、一般にＪＩＳ日本工業規格Ｚ７２６０−１０７（２０００）に記載のフラスコ浸とう法により実施することができる。また、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）は実測に代わって、計算化学的手法あるいは経験的方法により見積もることも可能である。計算方法としては、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７））、Ｖｉｓｗａｎａｄｈａｎ’ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２９，１６３（１９８９））、Ｂｒｏｔｏ’ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｅｕｒ．Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．−Ｃｈｉｍ．Ｔｈｅｏｒ．，１９，７１（１９８４））などを用いることが知られている。本発明では、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７））を用いる。
ＣｌｏｇＰ値とは、１−オクタノールと水への分配係数Ｐの常用対数ｌｏｇＰを計算によって求めた値である。ＣｌｏｇＰ値の計算に用いる方法やソフトウェアについては公知の物を用いることができるが、特に断らない限り、本発明ではＤａｙｌｉｇｈｔ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍｓ社のシステム：ＰＣＭｏｄｅｌｓに組み込まれたＣｌｏｇＰプログラムを用いることとする。
・非プロトン性溶媒
非プロトン性溶剤としては、極性非プロトン性溶媒が好ましく、具体的には、ジメチルスルホキシド、スルホラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルなどが挙げられ、なかでもジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）が好ましい。
非プロトン性溶剤は、剥離液中、２０質量％以上含有させることが好ましく、３０質量％以上がより好ましく、４０質量％以上がさらに好ましい。上限としては、９０質量％以下含有させることが特に好ましく、８０質量％以下であることがより好ましく、７０質量％以下がさらに好ましい。上記の範囲とすることで、好適な防食効果と有機物含有層の剥離性が得られるため好ましい。
上記の非プロトン性溶媒は、１種を単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
・有機アミン化合物
有機アミン化合物は、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、もしくはその塩を含む意味である。そこには、カルバモイル基やその塩も含まれることとする。アンモニウム基は第四級アンモニウム基もしくはその塩を含む意味である。ここで、有機アミン化合物の有機基は炭化水素基であることが好ましく、アルカン残基（典型的にはアルキル基であるが、２価以上の基であってもよい意味。他の残基について同様。）、アルケン残基、アリール残基、またはそれらの組合せが挙げられる。当該有機基は炭素数１以上であるが、上限としては、炭素数１６以下が実際的である。有機アミン化合物は分子内にアミノ基とヒドロキシ基とを有するアミノアルコール化合物（好ましくは炭素数１〜１６、より好ましくは炭素数１〜１２、好ましくは炭素数１〜６）であることが好ましい。
有機アミン化合物としては、下記式（Ｐ−１）〜（Ｐ−３）のいずれかで表される化合物が挙げられる。
Figure 2015099831
式中、ＲＰ１〜ＲＰ６は、それぞれ独立に、アルキル基（炭素数１〜１２が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜３が特に好ましい）、アルケニル基（炭素数２〜１２が好ましく、２〜６がより好ましく、２〜３が特に好ましい）、アルキニル基（炭素数２〜１２が好ましく、２〜６がより好ましく、２〜３が特に好ましい）、アリール基（炭素数６〜１４が好ましく、６〜１０がより好ましい）。ただし、分子中のＲＰ１〜ＲＰ６のうち少なくとも１つはヒドロキシ基を有する。
上記のアルキル基、アルケニル基、アリール基はさらに置換基を有していてもよく、その任意の置換基としては後記置換基Ｔの例が挙げられる。なかでも、置換基Ｔのなかで定義される、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルファニル基、アシル基、アルコキシ基が好ましい。このことは前記と同義である。
本発明においては、中でも式（Ｐ−１）の第一級アミンを用いることが特に好ましい。
ＲＰ１〜ＲＰ６がアルキル基、アルケニル基、アルキニル基を有するとき、ヘテロ連結基（Ｌｙ：Ｓ，Ｏ，ＣＯ，ＮＲＮ等）を介在していてもよい。ヒドロキシ基を有するアルキル基またはアルケニル基においてヘテロ連結基を有するとき、具体的な構造としては、下記Ｐ−４の基が挙げられる。
ＯＨ−ＲＰ７−Ｌｙ−ＲＰ８−＊ 式（Ｐ−４）
ＲＰ７、ＲＰ８は、炭素数１〜１２のアルキレン基（炭素数１〜６が好ましく、１〜３がより好ましい）または炭素数２〜１２のアルケニレン基（炭素数２〜６が好ましく、２〜３がより好ましい）である。＊は結合手である。
有機アミン化合物は、モノエタノールアミン（２−アミノエタノール）（ＭＥＡ）、ジエタノールアミン（ＤＥＡ）、Ｎ−メチルエタノールアミン（ＮＭＥＡ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン（ＤＭＭＥＡ）、Ｎ−メチルジエタノールアミン（ＤＥＭＥＡ）、アミノエチルエタノールアミン（ＡＥＭＥＡ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルエタノールアミン（ＤＭＡＥＭＥＡ）、アミノエトキシエタノール（ＡＥＥ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエトキシエタノール（ＤＭＡＥＥ）、及びプロパノールアミン（ＭＰＡ）から選ばれることが好ましい。
有機アミン化合物は、剥離液中で、５質量％以上含有させることが好ましく、１０質量％以上がより好ましく、１５質量％以上がさらに好ましい。上限としては、９０質量％以下含有させることが好ましく、８０質量％以下であることが好ましく、７０質量％以下がさらに好ましい。上記の範囲とすることで、好適な防食効果と有機物含有層の剥離性が得られるため好ましい。
非プロトン性溶媒もしくはアルコール化合物との関係で示すと、非プロトン性溶媒もしくはアルコール化合物１００質量部に対して、１０質量部以上であることが好ましく、２０質量部以上であることがより好ましく、３０質量部以上であることが特に好ましい。上限としては、２００質量部以下であることが好ましく、１５０質量部以下であることがより好ましく、１３０質量部以下であることが特に好ましい。
上記の有機アミン化合物は、１種を単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（リンス液）
・水媒体
本発明の処理液をリンス液とするとき、薬液成分は水であることが好ましい。水（水媒体）としては、本発明の効果を損ねない範囲で溶解成分を含む水性媒体であってもよく、あるいは不可避的な微量混合成分を含んでいてもよい。なかでも、蒸留水やイオン交換水、あるいは超純水といった浄化処理を施された水が好ましく、半導体製造に使用される超純水を用いることが特に好ましい。
水の量は、リンス液中、７０質量％以上含有させることが好ましく、８０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上がさらに好ましい。上限としては、防食成分の添加を考慮して、１００質量％未満であることが好ましい。上記の範囲とすることで、好適なリンス効果が得られるため好ましい。
（現像液）
処理液を現像液とするときには、薬液成分がアルカリ成分であり、媒体として水を用いることが好ましい。
・アルカリ成分
アルカリ成分は水媒体の系内をアルカリ性にする物質であれば特に限定されない。アルカリの定義は最も広義に解されるべきであり、例えばアレニウスの定義による塩基と定義づけることができる。アルカリ化合物は有機塩基であっても無機塩基であってもよい。
無機塩基としては、下記式（Ｉ−１）の化合物が挙げられる。

Ｍ（ＯＨ）ｎＩ （Ｉ−１）
Ｍは、アルカリ金属（好ましくは、リチウム、ナトリウム、カリウム）、アルカリ土類金属（好ましくはマグネシウム、カルシウム）、ＮＨ４、ＮＲＮ ２（ＲＮは水素原子または炭素数１〜６のアルキル基）、遷移元素（好ましくは、マンガン、亜鉛、銅）、希土類元素（好ましくはランタン）である。ｎＩは整数であり、１〜３の整数のものが好ましい。なお、ｎＩはＭの元素または原子群によって自ずと決まるものであり、ＭがＮＨ４またはＮＲＮ ２のときは、ｎＩは１であり、それぞれ、水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）（実施例ではＮＨ３と表記）およびヒドロキシルアミン（ＮＨ２ＯＨ）となる。アルカリ金属のときｎＩは１となり、アルカリ土類金属のときｎＩは２となる。その他の遷移元素や希土類元素のときは、その元素の価数に応じて適宜定められればよい。無機塩基としてはさらにヒドラジンが挙げられるが、これは下記ヒドラジン類の式（Ｈ−１）で規定する。
無機塩基としては、中でも、アルカリ金属の塩（例えば、ＫＯＨ、ＬｉＯＨ、ＮａＯＨ等が挙げられる）、アルカリ土類金属の塩（例えば、Ｃａ（ＯＨ）２、Ｍｇ（ＯＨ）２等が挙げられる）、水酸化アンモニウム塩、下記ヒドラジン類、ヒドロキシルアミンなどが挙げられる。なお、ＭがＮＲＮ ２であるとき、ｎＩは１となるが、そのＯＨがエステル化しいていてもよい。例えば炭素数１〜６のアルキルエステルが挙げられ、ＲＮがメチル基であり、メチルエステルを形成している場合、Ｎ，Ｏ−ジメチルヒドロキシルアミンとなる。
有機塩基としては、有機アミン化合物や有機オニウム塩が挙げられる。有機アミン化合物としては、前記式（Ｐ−１）〜（Ｐ−３）のいずれかで表される化合物が挙げられる。
有機オニウム塩としては、含窒素オニウム塩（第四級アンモニウム塩等）、含リンオニウム塩（第四級ホスホニウム塩等）、含硫黄オニウム塩（例えばＳＲｙ３Ｍ：Ｒｙは炭素数１〜６のアルキル基、Ｍは対アニオン）が挙げられる。なかでも含窒素オニウム塩（第四級アンモニウム塩、ピリジニウム塩、ピラゾリウム塩、イミダゾリウム塩等）が好ましい。アルカリ成分は、なかでも第四級アンモニウム水酸化物であることが好ましい。
有機オニウム塩としては、下記式（Ｏ−４）または（Ｏ−５）で表される化合物が挙げられる。
Figure 2015099831
式（Ｏ−４）中、ＲＯ７〜ＲＯ１０はそれぞれ独立に炭素数１〜２０（好ましくは炭素数１〜８、より好ましくは１〜３）のアルキル基、炭素数２〜２０（好ましくは炭素数２〜８、より好ましくは２〜３）のアルケニル基、炭素数２〜２０（好ましくは炭素数２〜８、より好ましくは２〜３）のアルキニル基、炭素数６〜１４（好ましくは炭素数６〜１０）のアリール基、炭素数７〜１５（好ましくは炭素数７〜１１）のアラルキル基、下記式（ｙ）で表される基である。

Ｙ１−（Ｒｙ１−Ｙ２）ｍｙ−Ｒｙ２−＊ （ｙ）

Ｙ１は炭素数１〜１２（好ましくは炭素数１〜６、より好ましくは１〜３）のアルキル基、炭素数２〜１２（好ましくは炭素数２〜６、より好ましくは２〜３）のアルケニル基、炭素数２〜１２（好ましくは炭素数２〜６、より好ましくは２〜３）のアルキニル基、炭素数７〜１５（好ましくは炭素数７〜１１）のアラルキル基、炭素数６〜１４（好ましくは炭素数１６〜１０）のアリール基、ヒドロキシ基、または炭素数１〜４（好ましくは炭素数１〜６）のアルコキシ基を表す。Ｙ２は、Ｏ、Ｓ、ＣＯ、ＮＲＮ（ＲＮは水素原子または炭素数１〜６のアルキル基）、またはそれらの組合せを表す。Ｒｙ１およびＲｙ２はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数２〜６のアルケニレン基、炭素数２〜６のアルキニレン基、炭素数６〜１０のアリーレン基、またはそれらの組合せを表す。ｍｙは０〜６の整数を表す。ｍｙが２以上のとき複数のＲｙ１およびＹ２はそれぞれ異なっていてもよい。Ｒｙ１およびＲｙ２はさらに置換基Ｔを有していてもよい。＊は結合手である。
Ｍ１２ −、Ｍ１３ −は対イオンであり、水酸化物イオンなどを表す。
式（Ｏ−５）中、ＲＯ１１はＲＯ７と同義の基である。ＲＯ１２は任意の置換基Ｔであり、なかでも置換基ＲＮと同じであることが好ましい。ｍＯは０〜５の整数である。
具体的には、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド（好ましくは炭素数４〜２５）が好ましい。このとき、アルキル基には本発明の効果を損ねない範囲で任意の置換基（例えば、ヒドロキシル基、アリル基、アリール基）が置換していてもよい。また、アルキル基は直鎖でも分岐でもよく、環状でもよい。具体的には、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化テトラエチルアンモニウム（ＴＥＡＨ）、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、水酸化エチルトリメチルアンモニウム、水酸化２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウム、水酸化ベンジルトリエチルアンモニウム、水酸化ヘキサデシルトリメチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＨ）、水酸化テトラヘキシルアンモニウム（ＴＨＡＨ）、水酸化テトラプロピルアンモニウム（ＴＰＡＨ）、などが挙げられる。あるいは、ハロゲンアニオンを持つものとして、ベンザルコニウムクロリド、ベンゼトニウムクロリド、メチルベンゼトニウムクロリド、セチルピリジニウムクロリド、セトリモニウム、ドファニウムクロリド、テトラエチルアンモニウムブロミド、ジデシルジメチルアンモニウムクロリド、ドミフェンブロミドなどが挙げられる。
アルカリ化合物は下記の式（Ｈ−１）で表されるヒドラジン類であることも好ましい。

ＲＨ１ ２Ｎ−ＮＲＨ２ ２ （Ｈ−１）

ＲＨ１、ＲＨ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７〜１５のアラルキル基を表す。具体的には、ヒドラジン、フェニルヒドラジン、メチルヒドラジン、１，２−ジメチルヒドラジン、１，１−ジメチルヒドラジンが好ましい。
アルカリ成分の濃度は、現像液中、０．１質量％以上であることが好ましく、０．５質量％以上がより好ましく、１質量％以上含有させることが特に好ましい。上限としては、３０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、５質量％以下が特に好ましい。アルカリ成分を上記の範囲とすることで、良好な現像性とゲルマニウムの保護性とを両立することができる。
上記のアルカリ成分は、１種を単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明の処理液においては、さらに水溶性有機溶媒を添加してもよい。水溶性有機溶媒は、水と任意の割合で混合できる有機溶媒が好ましい。
水溶性有機溶媒は、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、１−プロピルアルコール、２−プロピルアルコール、２−ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、１，６−ヘキサンジオール、シクロヘキサンジオール、ソルビトール、キシリトール、２−メチル−２，４−ペンタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール等のアルコール化合物溶媒、アルキレングリコールアルキルエーテル（エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等）を含むエーテル化合物溶媒が挙げられる。
これらの中で好ましくは炭素数２〜１５のアルコール化合物溶媒、炭素数２〜１５のヒドロキシ基含有エーテル化合物溶媒であり、更に好ましくは、炭素数２〜１０の複数のヒドロキシ基を有するアルコール化合物溶媒、炭素数２〜１０の複数のヒドロキシ基を有するヒドロキシ基含有エーテル化合物溶媒である。とくに好ましくは、炭素数３〜８のアルキレングリコールアルキルエーテルである。水溶性有機溶媒は単独でも２種類以上適宜組み合わせて用いてもよい。なお、本明細書においては、ヒドロキシ基（−ＯＨ）とエーテル基（−Ｏ−）とを分子内にもつ化合物は、原則的にはエーテル化合物に含まれるものとし（アルコール化合物とは称しない）、ヒドロキシ基とエーテル基との両者を有するものを特に区別して指すときにはヒドロキシ基含有エーテル化合物と称することがある。
この中でも特に、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールが好ましい。添加量は処理液全量に対して０．１〜７０質量％であることが好ましく、１０〜５０質量％であることがより好ましい。
前記水溶性有機溶媒は下記式（Ｑ−１）で表される化合物であることが好ましい。
ＲＱ１−（−Ｏ−ＲＱ３−）ｎ−Ｏ−ＲＱ２ ・・・ （Ｑ−１）
・ＲＱ１，ＲＱ２
ＲＱ１及びＲＱ２は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上５以下のアルキル基である。なかでも、それぞれ独立に、炭素数１以上５以下のアルキル基であることが好ましく、炭素数１以上３以下のアルキル基であることが更に好ましい。
・ＲＱ３
ＲＱ３は直鎖状又は分岐状の炭素数１以上４以下のアルキレン鎖である。複数のＲＱ３が存在するときそのそれぞれは異なっていてもよい。
・ｎ
ｎは１以上６以下の整数である。ｎが２以上のとき複数のＲ１３は互いに異なっていてもよい。
（ｐＨ調整剤）
本発明の処理液においては、ｐＨを所望の範囲にするために、ｐＨ調整剤を用いてもよい。ｐＨ調整剤としては、ｐＨを上げるためにテトラメチルアンモニウム、コリン等の四級アンモニウム塩、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ又はアルカリ土類塩、２−アミノエタノール、グアニジン等のアミノ化合物を用いることができる。ｐＨを下げるためには、炭酸、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸などの無機酸、又はギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２−メチル酪酸、ｎ−ヘキサン酸、３，３−ジメチル酪酸、２−エチル酪酸、４−メチルペンタン酸、ｎ−ヘプタン酸、２−メチルヘキサン酸、ｎ−オクタン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、乳酸等が挙げられる。
ｐＨ調整剤の使用量は特に限定されず、ｐＨを上記の範囲に調整するために必要な量で用いればよい。
上記ｐＨ調整剤は、１種を単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
本明細書において化合物の表示（例えば、化合物と末尾に付して呼ぶとき）については、その化合物そのもののほか、その塩、そのイオンを含む意味に用いる。また、所望の効果を奏する範囲で、エステル化したり置換基を導入するなど一部を変化させた誘導体を含む意味である。
本明細書において置換・無置換を明記していない置換基（連結基についても同様）については、その基に任意の置換基を有していてもよい意味である。これは置換・無置換を明記していない化合物についても同義である。好ましい置換基としては、下記置換基Ｔが挙げられる。
置換基Ｔとしては、下記のものが挙げられる。
アルキル基（好ましくは炭素原子数１〜２０のアルキル基、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘプチル、１−エチルペンチル、ベンジル、２−エトキシエチル、１−カルボキシメチル等）、アルケニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、オレイル等）、アルキニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０のアルキニル基、例えば、エチニル、ブタジイニル、フェニルエチニル等）、シクロアルキル基（好ましくは炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、４−メチルシクロヘキシル等）、アリール基（好ましくは炭素原子数６〜２６のアリール基、例えば、フェニル、１−ナフチル、４−メトキシフェニル、２−クロロフェニル、３−メチルフェニル等）、ヘテロ環基（好ましくは炭素原子数２〜２０のヘテロ環基、あるいは、好ましくは少なくとも１つの酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有する５または６員環のヘテロ環基、例えば、２−ピリジル、４−ピリジル、２−イミダゾリル、２−ベンゾイミダゾリル、２−チアゾリル、２−オキサゾリル等）、アルコキシ基（好ましくは炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロピルオキシ、ベンジルオキシ等）、アリールオキシ基（好ましくは炭素原子数６〜２６のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、１−ナフチルオキシ、３−メチルフェノキシ、４−メトキシフェノキシ等）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０のアルコキシカルボニル基、例えば、エトキシカルボニル、２−エチルヘキシルオキシカルボニル等）、アミノ基（好ましくは炭素原子数０〜２０のアミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基を含み、例えば、アミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ、Ｎ−エチルアミノ、アニリノ等）、スルファモイル基（好ましくは炭素原子数０〜２０のスルホンアミド基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−フェニルスルファモイル等）、アシル基（好ましくは炭素原子数１〜２０のアシル基、例えば、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ベンゾイル等）、アシルオキシ基（好ましくは炭素原子数１〜２０のアシルオキシ基、例えば、アセチルオキシ、ベンゾイルオキシ等）、カルバモイル基（好ましくは炭素原子数１〜２０のカルバモイル基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ−フェニルカルバモイル等）、アシルアミノ基（好ましくは炭素原子数１〜２０のアシルアミノ基、例えば、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等）、スルホンアミド基（好ましくは炭素原子数０〜２０のスルファモイル基、例えば、メタンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミド、Ｎ−メチルメタンスルホンアミド、Ｎ−エチルベンゼンスルホンアミド等）、アルキルチオ基（好ましくは炭素原子数１〜２０のアルキルチオ基、例えば、メチルチオ、エチルチオ、イソプロピルチオ、ベンジルチオ等）、アリールチオ基（好ましくは炭素原子数６〜２６のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ、１−ナフチルチオ、３−メチルフェニルチオ、４−メトキシフェニルチオ等）、アルキルもしくはアリールスルホニル基（好ましくは炭素原子数１〜２０のアルキルもしくはアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、ベンゼンスルホニル等）、ヒドロキシル基、スルファニル基、シアノ基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基、ヒドロキシル基またはハロゲン原子であり、特に好ましくはアルキル基、アルケニル基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基またはヒドロキシル基である。
また、これらの置換基Ｔで挙げた各基は、上記の置換基Ｔがさらに置換していてもよい。
化合物ないし置換基・連結基等がアルキル基・アルキレン基、アルケニル基・アルケニレン基、アルキニル基・アルキニレン基等を含むとき、これらは環状でも鎖状でもよく、また直鎖でも分岐していてもよく、上記のように置換されていても無置換でもよい。またアリール基、ヘテロ環基等を含むとき、それらは単環でも縮環でもよく、同様に置換されていても無置換でもよい。
本明細書において、化合物の置換基や連結基の選択肢を始め、温度、厚さといった各技術事項は、そのリストがそれぞれ独立に記載されていても、相互に組み合わせることができる。
（ｐＨ）
本発明においては、処理液のｐＨ（２５℃）を５以上１６以下とすることが好ましい。剥離液とするときには、ｐＨが７以上であることが好ましく、１０以上であることがより好ましい。上限としては、１５以下であることが好ましい。このようなｐＨの範囲とすることで、良好な剥離性とＧｅ含有層の保護とを好適に両立することができる。好ましい範囲は上記の実施形態ごとに異なり、下表のようにまとめることができる。各態様における好ましい薬液成分、防食成分と併せてまとめている。なお、ｐＨは特に断らない限り、後記実施例で測定した条件によるものとする。
Figure 2015099831
処理液の適用の仕方は特に限定されないが、処理液を流路に流通させ、処理液を吐出口から吐出ないし噴射し、半導体基板と接触させることが好ましい。これを、図２を用いて説明すると、調製された処理液が導入口Ａより導入され、吐出口１３に以降してそこから噴射され、処理容器（処理槽）１１内の半導体基板Ｓの上面に適用される。同図に示した実施形態では、処理液が流路ｆｃを介して吐出口１３に移行するようにされている。流路ｆｄは薬液を再利用するための返戻経路を示している。半導体基板Ｓは回転テーブル１２上にあり、回転駆動部Ｍによって回転テーブルとともに回転されることが好ましい。
なお、本発明の処理液は、その使用用途に鑑み、液中の不純物、例えば金属分などは少ないことが好ましい。特に、液中のＮａ、Ｋ、Ｃａイオン濃度が１ｐｐｔ〜１ｐｐｍ（質量基準）の範囲にあることが好ましい。また、処理液において、平均粒径０．５μｍ以上の粗大粒子数が１００個／ｃｍ３以下の範囲にあることが好ましく、５０個／ｃｍ３以下の範囲にあることが好ましい。
（容器）
本発明の処理液は、対腐食性等が問題とならない限り、任意の容器に充填して保管、運搬、そして使用することができる。また、半導体用途向けに、容器のクリーン度が高く、不純物の溶出が少ないものが好ましい。使用可能な容器としては、アイセロ化学（株）製の「クリーンボトル」シリーズ、コダマ樹脂工業（株）製の「ピュアボトル」などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
［処理条件］
本発明の処理方法においては、枚葉式装置を用いることが好ましい。具体的に枚葉式装置は、処理槽を有し、その処理槽で上記半導体基板を搬送もしくは回転させ、その処理槽内に上記処理液を付与（吐出、噴射、流下、滴下等）して、半導体基板に上記処理液を接触させるものであることが好ましい。
枚葉式装置のメリットとしては、（ｉ）常に新鮮な処理液が供給されるので、再現性がよい、（ｉｉ）面内の均一処理性が高いといったことが挙げられる。さらに、処理液を複数に分けたキットを利用しやすく、例えば、上記第１液と第２液をインラインで混合し、吐出する方法が好適に採用される。このとき、上記の第１液と第２液とを共に温度調節するか、どちらか一方だけ温調し、インラインで混合して吐出する方法が好ましい。なかでも、共に温調する実施態様がより好ましい。ラインの温度調節を行うときの管理温度は、後記処理温度と同じ範囲とすることが好ましい。
枚葉式装置はその処理槽にノズルを具備することが好ましく、このノズルを半導体基板の面方向にスイングさせて処理液を半導体基板に吐出する方法が好ましい。このようにすることにより、液の劣化が防止でき好ましい。また、キットにして２液以上に分けることで有害なガス等を発生させにくくすることができ好ましい。
処理温度は、各実施形態において異なり、その好ましい処理温度は、前記の表Ａにまとめて示している。なお、処理温度とは後記実施例で示す温度測定方法において基板に適用する温度を基礎とするが、保存温度あるいはバッチ処理で管理する場合にはそのタンク内の温度、循環系で管理する場合には循環流路内の温度で設定してもよい。
処理液の供給速度は特に限定されないが、０．０５〜５Ｌ／ｍｉｎとすることが好ましく、０．１〜３Ｌ／ｍｉｎとすることがより好ましい。上記下限値以上とすることにより、処理の面内の均一性を一層良好に確保することができ好ましい。上記上限値以下とすることにより、連続処理時に安定した性能を確保でき好ましい。半導体基板を回転させるときには、その大きさ等にもよるが、上記と同様の観点から、５０〜１０００ｒｐｍで回転させることが好ましい。
本発明の好ましい実施形態に係る枚葉式の処理においては、半導体基板を所定の方向に搬送もしくは回転させ、その空間に処理液を噴射して上記半導体基板に上記処理液を接触させることが好ましい。処理液の供給速度や基板の回転速度についてはすでに述べたことと同様である。
本発明の好ましい実施形態に係る枚葉式の装置構成においては、図３に示すように、吐出口（ノズル）を移動させながら、処理液を付与することが好ましい。具体的に、本実施形態においては、半導体基板Ｓに対して処理液を適用する際に、基板がｒ方向に回転させられている。他方、半導体基板の中心部から端部に延びる移動軌跡線ｔに沿って、吐出口が移動するようにされている。このように本実施形態においては、基板の回転方向と吐出口の移動方向とが異なる方向に設定されており、これにより両者が互いに相対運動するようにされている。その結果、半導体基板の全面にまんべんなく処理液を付与することができ、処理の均一性が好適に確保される構成とされている。
吐出口（ノズル）の移動速度は特に限定されないが、０．１ｃｍ／ｓ以上であることが好ましく、１ｃｍ／ｓ以上であることがより好ましい。一方、その上限としては、３０ｃｍ／ｓ以下であることが好ましく、１５ｃｍ／ｓ以下であることがより好ましい。移動軌跡線は直線でも曲線（例えば円弧状）でもよい。いずれの場合にも移動速度は実際の軌跡線の距離とその移動に費やされた時間から算出することができる。基板１枚の処理に要する時間は１０〜３００秒の範囲であることが好ましい。
ゲルマニウムを含む層（Ｇｅ含有層）ないしそのシリサイド層のエッチングレート［Ｒ１］は、特に限定されないが、処理液の付与により過度に除去されないことが好ましい。具体的には、２００Å／ｍｉｎ以下であることが好ましく、１００Å／ｍｉｎ以下であることがより好ましく、５０Å／ｍｉｎ以下であることがさらに好ましく、２０Å／ｍｉｎ以下であることがさらに好ましく、１０Å／ｍｉｎ以下であることが特に好ましい。下限は特にないが、測定限界を考慮すると０．１Å／ｍｉｎ以上であることが実際的である。
さらに、本発明の好ましい実施形態に係る処理液では、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｗ等の金属電極層、ＨｆＯｘ、ＨｆＳｉＯｘ、ＷＯｘ、ＡｌＯｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ等の絶縁膜層の損傷も好適に抑制できるため、これらを含む半導体基板に適用されることも好ましい。なお、本明細書において、金属化合物の組成をその元素の組合せにより表記した場合には、任意の組成のものを広く包含する意味である。例えば、ＳｉＯＣ（ＳｉＯＮ）とは、ＳｉとＯとＣ（Ｎ）とが共存することを意味し、その量の比率が１：１：１であることを意味するものではない。このことは、本明細書において共通し、別の金属化合物についても同様である。
［レジスト］
本発明に適用されるレジストは特に限定されず、公知のレジスト材料が使用される。例えば、ポジ型、ネガ型、およびポジ−ネガ兼用型のフォトレジストが挙げられる。ポジ型レジストの具体例は、ケイ皮酸ビニール系、環化ポリイソブチレン系、アゾ−ノボラック樹脂系、ジアゾケトン−ノボラック樹脂系などが挙げられる。また、ネガ型レジストの具体例は、アジド−環化ポリイソプレン系、アジド−フェノール樹脂系、クロロメチルポリスチレン系などが挙げられる。更に、ポジ−ネガ兼用型レジストの具体例は、ポリ（ｐ−ブトキシカルボニルオキシスチレン）系などが挙げられる。
本発明においては、なかでもポジ型レジストが好ましく、特に、ノボラック系樹脂及びポリヒドロキシスチレン系樹脂の少なくとも一方の樹脂を含むポジ型レジストの剥離に有効である。また、本発明の処理液は性能が良好であるため、特に、厚みが５〜５００μｍである厚膜のレジスト層の剥離に効果を発揮する。
ノボラック系樹脂及びポリヒドロキシスチレン系樹脂の少なくとも一方の樹脂を含むポジ型レジストとして、より具体的には、以下の式（Ｒ−１）及び（Ｒ−２）のいずれかで表される繰り返し単位を有する樹脂を含有するポジ型レジストが挙げられる。
Figure 2015099831
式中、ＲＲ１〜ＲＲ５はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基（炭素数１〜１２が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜３が特に好ましい）を示す。ｓは１〜３の整数を表す。ｔは１〜５の整数を表す。上記樹脂の分子量は特に限定されないが、ポリスチレン換算の重量平均分子量において、通常１０００〜１００万、好ましくは２０００〜１０万、より好ましくは３０００〜５万である。
レジストの露光は定法によればよいが、ｇ線、ｈ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー線、およびＡｒＦエキシマレーザー線から選ばれる活性エネルギー線の照射により行うことができる。上記露光は、その照度が５０００Ｗ／ｍ２〜１８０００Ｗ／ｍ２であることが好ましい。
［半導体基板製品の製造］
本発明に係る半導体素子の製造方法としては、まず、基板（例えば、イオン注入されたｎ型またはｐ型の基板）上にスパッタリング等の技術を用いて、高誘電率材料（例えば、ＨｆＳｉＯ４、ＺｉＯ２、ＺｉＳｉＯ４、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、Ｌａ２Ｏ３）などで構成されるゲート絶縁膜や、ポリシリコンなどで構成されるゲート電極層などを形成する（被エッチング層形成工程）。次に、形成されたゲート絶縁膜や、ゲート電極層上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィーにより、所定のパターンを形成する。パターン形成後に不要な部分のレジストを現像除去して（レジスト現像工程）、このレジストパターンをマスクとして非マスク領域をドライエッチングまたはウェットエッチングすることにより（エッチング工程）、ゲート絶縁膜やゲート電極層などを除去する。その後、イオン注入処理（イオン注入工程）において、イオン化したｐ型またはｎ型の不純物元素を基板に注入して、基板上にｐ型またはｎ型不純物注入領域（いわゆるソース／ドレイン領域）を形成する。その後、必要に応じて、アッシング処理（アッシング工程）が実施された後、基板上に残存したレジスト膜を剥離する処理が実施される。
本実施形態においては、さらに下記のようなサリサイド工程を介してもよい。具体的には、シリコンウエハ上に、基板の層と金属層とを形成した半導体基板とする工程と、上記半導体基板をアニールする工程、半導体基板に処理液を付与して処理する工程とを介して、所望の構造を有する半導体基板製品を製造することが好ましい。なお、上記の工程の順序は制限されて解釈されるものではなく、それぞれの工程間にさらに別の工程を含んでいてもよい。ウェハサイズは特に限定されないが、直径８インチ、直径１２インチ、または直径１４インチのものを好適に使用することができる（１インチ＝２５．４ｍｍ）。
なお、本明細書において「準備」というときには、特定の材料を合成ないし調合等して備えることのほか、購入等により所定の物を調達することを含む意味である。また、本明細書においては、半導体基板の各材料を処理するよう処理液を用いることを「適用」と称するが、その実施態様は特に限定されない。例えば、処理液と基板とを接触させることを広く含み、具体的には、バッチ式のもので浸漬して処理しても、枚葉式のもので吐出により処理してもよい。
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例中で処方や配合量として示した％および部は特に断らない限り質量基準である。
［実施例１・比較例１］
（試験基板の作製）
市販のシリコン基板（直径：１２インチ）上に、ＳｉＯｘ層を形成した。レジストは富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製ＫｒＦレジスト「ＧＫＲＳ−６９５３Ａ０１Ｇ」（ヒドロキシスチレン系樹脂含有）を用い、これをスピンコーターにより前記の基板上に製膜することにより行った。このときのレジストの厚さは、１０μｍであった。これに対し、任意のフォトマスクを利用して、露光処理を行った。現像処理（表２）はこの露光後のレジストに現像液を適用することにより行った。
ついで、上記のレジスト膜に対し、Ａｓ＋をイオン注入した。イオン注入後の変性レジストは硬化していることを確認した。このときのドーズ量は１×１０１４ｃｍ−２超となるように設定した。
（処理液の付与試験）
上記のブランクウェハおよび試験用基板に対して、枚葉式装置（ＳＰＳ−Ｅｕｒｏｐｅ Ｂ．Ｖ．社製、ＰＯＬＯＳ（商品名）））にて下記の条件で処理を行い、評価試験を実施した。これは、剥離処理、リンス処理、現像処理において同じである。
・処理温度 ：表中に記載
・吐出量 ：１Ｌ／ｍｉｎ．
・ウェハ回転数 ：５００ｒｐｍ
・ノズル移動速度 ：７ｃｍ／ｓ
なお、処理液の供給は図２の装置を用いて行った。処理液は、調整後５分以内に試験に適用した。
（処理温度の測定方法）
株式会社堀場製作所製の放射温度計ＩＴ−５５０Ｆ（商品名）を上記枚葉式装置内のウェハ上３０ｃｍの高さに固定した。ウェハ中心から２ｃｍ外側のウェハ表面上に温度計を向け、薬液を流しながら温度を計測した。温度は、放射温度計からデジタル出力し、パソコンで連続的に記録した。このうち温度が安定した１０秒間の温度を平均した値をウェハ上の温度とした。
（ｐＨ）
ｐＨは、室温（２５℃）においてＨＯＲＩＢＡ社製、Ｆ−５１（商品名）で測定した。
（エッチング速度）
ゲルマニウム含有層のエッチング速度（ＥＲ）については、エリプソメトリー（分光エリプソメーター、ジェー・エー・ウーラム・ジャパン株式会社 Ｖａｓｅを使用した）を用いてエッチング処理前後の膜厚を測定することにより算出した。５点の平均値を採用した（測定条件 測定範囲：１．２−２．５ｅＶ、測定角：７０，７５度）。
（リンス処理）
下記剥離処理後の基板に表１のリンス液を上記の条件で適用した。その後、２４時間、空気中に室温で静置した。このときに、基板表面に黒点が生じたものを「Ｂａｄ」とし、生じないものを「Ｇｏｏｄ」とした。
（現像処理）
前記露光後のレジストに上記の条件で表２の処理液を適用して現像性を確認した。この結果を表２に示した。結果は良好な現像が可能であったものを「Ｇｏｏｄ」とし、不可能であったものを「Ｂａｄ」とした。
（剥離処理）
前記プラズマアッシング後のレジストに上記の条件で表３の処理液を適用して剥離性を確認した。この結果を表３に示した。結果は良好な剥離が可能であったものを「Ｇｏｏｄ」とし、剥離残りが生じたものを「Ｂａｄ」とした。なお、上記処理の後の残渣の有無は走査型電子顕微鏡により観察して確認した。
（Ｎ／Ｇｅ）
上記リンス処理、現像処理、剥離処理のいずれかを行った基板について、Ｘ線光電子分光分析装置(ＵＬＶＡＣ製ＰＨＩ Ｑｕａｎｔｅｒａ ＩＩ)を用いて各基板上のＧｅ，Ｎ元素のピーク強度を検出し濃度換算した。その値を用いて濃度換算上のＮ／Ｇｅとした。この値を各表に示している。
（酸化還元電位［ＯＲＰ］）
上記リンス処理、現像処理、剥離処理のいずれかを行った基板について、電気化学測定装置(北斗電工製ＨＺ−３０００)を用いて各基板上の酸化還元電位（腐食電位）を評価した。この値を各表に示している。
Figure 2015099831
 ｐＨはＫＯＨまたはＨ２ＣＯ３を添加することで表中の値となるよう調整した。本発明の一実施形態においてはｐＨの範囲が５〜１６で規定される。
Figure 2015099831
Figure 2015099831
 ｐＨはＫＯＨまたはＨ２ＣＯ３を添加することで表中の値となるよう調整した。本発明の一実施形態においてはｐＨの範囲が５〜１６で規定される。
Figure 2015099831
 ｐＨはＫＯＨまたはＨ２ＣＯ３を添加することで表中の値となるよう調整した。本発明の一実施形態においてはｐＨの範囲が５〜１６で規定される。
Figure 2015099831
Figure 2015099831
 ｐＨはＫＯＨまたはＨ２ＣＯ３を添加することで表中の値となるよう調整した。本発明の一実施形態においてはｐＨの範囲が５〜１６で規定される。
＜表の注記＞
防食成分のうちポリマーに該当するものは重量平均分子量２０００のものを用いた。
ＴＭＡＨ：テトラアンモニウムヒドロキシド
ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド
１Å＝０．１ｎｍ
水洗浄：二次純水にて１０秒間洗浄したという意味である。
以上の結果より、本発明の処理液によれば、ゲルマニウムを含む層を有する半導体基板に対して、その上側にある有機物を好適に処理することができる。具体的には、半導体基板のリンス処理、現像処理、剥離処理のいずれにも適合して良好な性能を発揮することが分かる。
１ シリコン基板
２、３ ウエル
２１ ソース基部
２２ ソースシリサイド部
２３ ドレイン基部
２４ ドレインシリサイド部
４ ゲート絶縁膜
５ ゲート電極
６ 層間絶縁体
７ レジスト層
７１ 変性レジスト層
７２ 非変性レジスト層
７３ プラズマ変性レジスト層
７４ プラズマ非変性レジスト層
１１ 処理容器（処理槽）
１２ 回転テーブル
１３ 吐出口
Ａ 導入口
Ｓ 基板

Claims (17)

  1. ゲルマニウム（Ｇｅ）を含むＧｅ含有層を有する半導体基板から当該半導体基板上側の有機物を除去する、あるいはその表面を洗浄する処理液であって、
    処理液をｐＨ５〜１６の範囲とする薬液成分と、Ｇｅ含有層を防食するための防食成分とを含む半導体基板の処理液。
  2. 前記防食成分の濃度が０．０１〜２０質量％である請求項１に記載の処理液。
  3. 前記防食成分が下記式（１）〜（６）、（１０）、（１１）のいずれかで表される化合物及び下記式（７）〜（９）のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物から選ばれる少なくとも１種である請求項１または２に記載の処理液。
    Figure 2015099831
     ［Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１〜Ｒ３４、Ｒ４１〜Ｒ４５、Ｒ５１〜Ｒ５６、Ｒ６１、Ｒ６２、Ｒ７１、Ｒ８１〜Ｒ８３、Ｒ９１、Ｒ９２、ＲＡ１、ＲＢ１、およびＲＢ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子、酸素原子、硫黄原子、または窒素原子を含む基を表す。Ｌａは連結基を表す。Ｍ１ −、Ｍ２ −、およびＭ３ −は対アニオンを表す。式（５）における破線は単結合及び二重結合のいずれかであることを表す。破線が二重結合のとき、Ｒ５２、Ｒ５４はないものとする。式（６）中の破線は、Ｒ６１が酸素原子もしくは硫黄原子になり、これが結合する炭素原子とともにカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）もしくはチオカルボニル基（Ｃ＝Ｓ）を構成していてもよいことを意味する。ＬＲは単結合または連結基を表す。］
  4. 前記式（１）中、Ｒ１１〜Ｒ１４はそれぞれ独立に炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数２〜２４のアルケニル基、または炭素数６〜１４のアリール基を表し、その少なくとも１つは炭素数が２以上である；前記式（２）中、Ｒ２１およびＲ２２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜１２のアシル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、アミノカルボニル基、ヒドラジノ基、ヒドラジノカルボニル基、Ｃ（ＮＲＮ）ＮＲＮ ２（ＲＮは、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数６〜１４のアリール基である。）を表す；前記式（３）中、Ｒ３１〜Ｒ３４はそれぞれ独立にＲ２１およびＲ２２と同義である；前記式（４）中、Ｒ４１〜Ｒ４５はそれぞれ独立に水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、または炭素数６〜１４のアリール基を表す；前記式（５）中、Ｒ５１〜Ｒ５６はそれぞれ独立に水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、または炭素数６〜１４のアリール基を表す；前記式（６）中、Ｒ６１およびＲ６２はそれぞれ独立に水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数６〜１４のアリール基、またはカルボニル基をなす酸素原子を表す；前記式（７）中、Ｒ７１は水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、または炭素数６〜１４のアリール基を表し、Ｌａがメチレン基である；前記式（８）中、Ｒ８１およびＲ８２は水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、または炭素数６〜１４のアリール基を表し、ＬＲが単結合、炭素数１〜１２のアルキレン基、炭素数２〜１２のアルケニレン基、炭素数６〜１４のアリーレン基、または炭素数７〜１５のアラルキレン基を表し、Ｒ８３が水素原子またはメチル基を表す；前記式（９）中、Ｒ９１およびＲ９２は水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、または炭素数６〜１４のアリール基を表し、Ｌａがメチレン基である；前記（１０）中、ＲＡ１は炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数２〜２４のアルケニル基、または炭素数６〜１４のアリール基を表す；あるいは、前記式（１１）中、炭素数ＲＢ１およびＲＢ２はそれぞれ独立に炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、または炭素数６〜１４のアリール基、またはアミノ基である請求項３に記載の剥離液。
  5. 防食成分について、前記式（１）または（１０）で表される化合物および式（７）〜（９）で表される繰り返し単位を有する化合物から選ばれるものをインヒビター型の防食成分として用い、前記式（２）〜（６）および（１１）のいずれかで表される化合物を還元剤型の防食成分として用いる請求項３または４に記載の処理液。
  6. 半導体基板を洗浄するためのリンス液である請求項１〜５のいずれか１項に記載の処理液。
  7. 半導体基板上のレジストを現像するための現像液である請求項１〜５のいずれか１項に記載の処理液。
  8. 前記有機物が変性されたレジスト成分を含み、当該有機物を剥離する剥離液である請求項１〜５のいずれか１項に記載の処理液。
  9. 前記薬液成分が、処理液をリンス液とするとき水であり、処理液を現像液とするときアルカリ化合物であり、処理液を剥離液とするときアルコール化合物、非プロトン性溶媒、有機アミン化合物、またはそれらの組合せである請求項１〜８のいずれか１項に記載の処理液。
  10. 前記アルコール化合物のＣＬｏｇＰ値が０以上である請求項９に記載の処理液。
  11. ゲルマニウム（Ｇｅ）を含むＧｅ含有層を有する半導体基板から、当該半導体基板上側の有機物を除去する、あるいはその表面を洗浄する処理液であって、薬液成分と、Ｇｅ含有層を防食するための防食成分とを含む半導体基板の処理液。
  12. 前記薬液成分が、処理液をリンス液とするとき水であり、処理液を現像液とするときアルカリ化合物であり、処理液を剥離液とするときアルコール化合物、非プロトン性溶媒、有機アミン化合物、またはそれらの組合せである請求項１１に記載の処理液。
  13. ゲルマニウム（Ｇｅ）を含むＧｅ含有層を有する半導体基板から当該半導体基板上側の有機物を処理液で除去する、あるいはその表面を洗浄する処理方法であって、
    前記処理液が、当該処理液をｐＨ５〜１６の範囲とする薬液成分と、Ｇｅ含有層を防食するための防食成分とを含む半導体基板の処理方法。
  14. 上記防食成分が下記式（１）〜（６）、（１０）、（１１）のいずれかで表される化合物及び下記式（７）〜（９）のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物から選ばれる少なくとも１種である請求項１３に記載の処理方法。
    Figure 2015099831
     ［Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１〜Ｒ３４、Ｒ４１〜Ｒ４５、Ｒ５１〜Ｒ５６、Ｒ６１、Ｒ６２、Ｒ７１、Ｒ８１〜Ｒ８３、Ｒ９１、Ｒ９２、ＲＡ１、ＲＢ１、およびＲＢ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子、酸素原子、硫黄原子、または窒素原子を含む基を表す。Ｌａは連結基を表す。Ｍ１ −、Ｍ２ −、およびＭ３ −は対アニオンを表す。式（５）における破線は単結合及び二重結合のいずれかであることを表す。破線が二重結合のとき、Ｒ５２、Ｒ５４はないものとする。式（６）中の破線は、Ｒ６１が酸素原子もしくは硫黄原子になり、これが結合する炭素原子とともにカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）もしくはチオカルボニル基（Ｃ＝Ｓ）を構成していてもよいことを意味する。ＬＲは単結合または連結基を表す。］
  15. 前記薬液成分が、処理液をリンス液とするとき水であり、処理液を現像液とするときアルカリ成分であり、処理液を剥離液とするときアルコール化合物、非プロトン性溶媒、有機アミン化合物、またはそれらの組合せである請求項１３または１４に記載の処理方法。
  16. 請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の処理方法により半導体基板を処理して半導体基板製品を得る、半導体基板製品の製造方法。
  17. 半導体基板に適用されるゲルマニウム（Ｇｅ）を含むＧｅ含有層の防食剤であって、下記式（１）〜（６）、（１０）、（１１）のいずれかで表される化合物あるいは下記式（７）〜（９）のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物からなる防食剤。
    Figure 2015099831
     ［Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１〜Ｒ３４、Ｒ４１〜Ｒ４５、Ｒ５１〜Ｒ５６、Ｒ６１、Ｒ６２、Ｒ７１、Ｒ８１〜Ｒ８３、Ｒ９１、Ｒ９２、ＲＡ１、ＲＢ１、およびＲＢ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子、酸素原子、硫黄原子、または窒素原子を含む基を表す。Ｌａは連結基を表す。Ｍ１ −、Ｍ２ −、およびＭ３ −は対アニオンを表す。式（５）における破線は単結合及び二重結合のいずれかであることを表す。破線が二重結合のとき、Ｒ５２、Ｒ５４はないものとする。式（６）中の破線は、Ｒ６１が酸素原子もしくは硫黄原子になり、これが結合する炭素原子とともにカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）もしくはチオカルボニル基（Ｃ＝Ｓ）を構成していてもよいことを意味する。ＬＲは単結合または連結基を表す。］
JP2013238344A 2013-11-18 2013-11-18 半導体基板の処理液、処理方法、これらを用いた半導体基板製品の製造方法 Active JP6200289B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013238344A JP6200289B2 (ja) 2013-11-18 2013-11-18 半導体基板の処理液、処理方法、これらを用いた半導体基板製品の製造方法
CN201480062820.1A CN105745739B (zh) 2013-11-18 2014-11-14 半导体基板的处理液、处理方法、使用这些的半导体基板产品的制造方法
KR1020167014337A KR101798090B1 (ko) 2013-11-18 2014-11-14 반도체 기판의 처리액, 처리 방법, 이들을 이용한 반도체 기판 제품의 제조 방법
PCT/JP2014/080223 WO2015072552A1 (ja) 2013-11-18 2014-11-14 半導体基板の処理液、処理方法、これらを用いた半導体基板製品の製造方法
TW103139760A TWI635162B (zh) 2013-11-18 2014-11-17 半導體基板的處理液、處理方法、使用它們的半導體基板製品的製造方法
US15/152,676 US10199210B2 (en) 2013-11-18 2016-05-12 Semiconductor substrate treatment liquid, treatment method, and method for manufacturing semiconductor-substrate product using these

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013238344A JP6200289B2 (ja) 2013-11-18 2013-11-18 半導体基板の処理液、処理方法、これらを用いた半導体基板製品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015099831A true JP2015099831A (ja) 2015-05-28
JP6200289B2 JP6200289B2 (ja) 2017-09-20

Family

ID=53057486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013238344A Active JP6200289B2 (ja) 2013-11-18 2013-11-18 半導体基板の処理液、処理方法、これらを用いた半導体基板製品の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10199210B2 (ja)
JP (1) JP6200289B2 (ja)
KR (1) KR101798090B1 (ja)
CN (1) CN105745739B (ja)
TW (1) TWI635162B (ja)
WO (1) WO2015072552A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017195453A1 (ja) * 2016-05-13 2017-11-16 株式会社Ｊｃｕ レジストの剥離液
JPWO2019026885A1 (ja) * 2017-08-04 2020-06-18 Jsr株式会社 パターン形成方法及び処理液

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI642777B (zh) * 2013-11-08 2018-12-01 日商富士軟片和光純藥股份有限公司 半導體基板用洗淨劑及半導體基板表面之處理方法
WO2016142953A2 (en) 2015-03-10 2016-09-15 Praj Industries Limited Method for the purification of waxes
CN109074001A (zh) * 2016-03-31 2018-12-21 富士胶片株式会社 半导体制造用处理液、其制造方法、图案形成方法及电子器件的制造方法
WO2017175856A1 (ja) * 2016-04-08 2017-10-12 富士フイルム株式会社 処理液、その製造方法、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
WO2017208767A1 (ja) * 2016-06-03 2017-12-07 富士フイルム株式会社 処理液、基板洗浄方法およびレジストの除去方法
JP6818037B2 (ja) * 2016-09-30 2021-01-20 富士フイルム株式会社 半導体チップの製造方法、キット
JP7122258B2 (ja) * 2017-01-17 2022-08-19 株式会社ダイセル 半導体基板洗浄剤
JPWO2020013111A1 (ja) * 2018-07-11 2021-08-19 富士フイルム株式会社 薬液、薬液収容体
KR20230175315A (ko) * 2018-07-13 2023-12-29 후지필름 가부시키가이샤 약액, 키트, 패턴 형성 방법, 약액의 제조 방법 및 약액 수용체
US11091727B2 (en) * 2018-07-24 2021-08-17 Versum Materials Us, Llc Post etch residue cleaning compositions and methods of using the same
CN110767541A (zh) * 2019-10-28 2020-02-07 苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司 一种晶圆键合方法
US11378886B2 (en) * 2020-09-29 2022-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for removing resist layer, and method of manufacturing semiconductor

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004006819A (ja) * 2002-04-26 2004-01-08 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2009542849A (ja) * 2006-06-30 2009-12-03 フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド 表面上の残留物を除去するための洗浄調合物
JP2011517328A (ja) * 2008-03-07 2011-06-02 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 非選択性酸化物エッチング湿式洗浄組成物および使用方法
JP2013045961A (ja) * 2011-08-25 2013-03-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄液および基板処理装置
JP2013197214A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Fujifilm Corp 半導体基板製品の製造方法及びエッチング液
JP2013197213A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Fujifilm Corp 半導体基板製品の製造方法及びエッチング液

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100307635B1 (ko) 1999-09-27 2001-11-02 윤종용 ＳｉＧｅ 채널의 모스 트랜지스터 및 그 제조 방법
US6310019B1 (en) * 2000-07-05 2001-10-30 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Cleaning agent for a semi-conductor substrate
US8236485B2 (en) * 2002-12-20 2012-08-07 Advanced Technology Materials, Inc. Photoresist removal
JP4012866B2 (ja) * 2003-08-22 2007-11-21 多摩化学工業株式会社 第四アンモニウム塩基型半導体表面処理剤及びその製造方法
JP4379113B2 (ja) 2003-12-26 2009-12-09 東ソー株式会社 基板工程用レジスト剥離液
JP2005268308A (ja) 2004-03-16 2005-09-29 Sony Corp レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置
JP4463054B2 (ja) 2004-09-17 2010-05-12 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液およびこれを用いた基板の処理方法
JP2006106616A (ja) 2004-10-08 2006-04-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ホトレジスト除去用処理液および基板の処理方法
KR20080062764A (ko) 2006-12-29 2008-07-03 삼성전자주식회사 게르마늄실리사이드 형성방법 및 이를 적용하여 게르마늄실리사이드가 형성된 디바이스
WO2009058275A1 (en) * 2007-10-29 2009-05-07 Ekc Technology, Inc. Methods of post chemical mechanical polishing and wafer cleaning using amidoxime compositions
JP5508130B2 (ja) * 2010-05-14 2014-05-28 富士フイルム株式会社 洗浄組成物、半導体装置の製造方法及び洗浄方法
JP5668914B2 (ja) 2010-08-27 2015-02-12 栗田工業株式会社 洗浄方法および洗浄システム
JP5697945B2 (ja) 2010-10-27 2015-04-08 富士フイルム株式会社 多剤型半導体基板用洗浄剤、それを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法
JP5289411B2 (ja) 2010-10-27 2013-09-11 富士フイルム株式会社 多剤型半導体基板用洗浄剤、それを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法
JP6151484B2 (ja) * 2012-06-11 2017-06-21 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用洗浄液及び配線形成方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004006819A (ja) * 2002-04-26 2004-01-08 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2009542849A (ja) * 2006-06-30 2009-12-03 フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド 表面上の残留物を除去するための洗浄調合物
JP2011517328A (ja) * 2008-03-07 2011-06-02 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 非選択性酸化物エッチング湿式洗浄組成物および使用方法
JP2013045961A (ja) * 2011-08-25 2013-03-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄液および基板処理装置
JP2013197214A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Fujifilm Corp 半導体基板製品の製造方法及びエッチング液
JP2013197213A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Fujifilm Corp 半導体基板製品の製造方法及びエッチング液

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017195453A1 (ja) * 2016-05-13 2017-11-16 株式会社Ｊｃｕ レジストの剥離液
JPWO2017195453A1 (ja) * 2016-05-13 2019-04-04 株式会社Ｊｃｕ レジストの剥離液
JPWO2019026885A1 (ja) * 2017-08-04 2020-06-18 Jsr株式会社 パターン形成方法及び処理液
JP7022395B2 (ja) 2017-08-04 2022-02-18 Jsr株式会社 パターン形成方法及び処理液

Also Published As

Publication number Publication date
TW201522575A (zh) 2015-06-16
KR101798090B1 (ko) 2017-11-15
TWI635162B (zh) 2018-09-11
KR20160083025A (ko) 2016-07-11
WO2015072552A1 (ja) 2015-05-21
JP6200289B2 (ja) 2017-09-20
CN105745739A (zh) 2016-07-06
US20160254139A1 (en) 2016-09-01
US10199210B2 (en) 2019-02-05
CN105745739B (zh) 2019-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6200289B2 (ja) 半導体基板の処理液、処理方法、これらを用いた半導体基板製品の製造方法
JP6233779B2 (ja) 変性レジストの剥離方法、これに用いる変性レジストの剥離液および半導体基板製品の製造方法
WO2015072550A1 (ja) 変性レジストの剥離液、これを用いた変性レジストの剥離方法および半導体基板製品の製造方法
KR101912400B1 (ko) ＴｉＮ 하드 마스크 및 에치 잔류물 제거
TWI668305B (zh) 用來清洗半導體元件之包含鹼土金屬的清洗液及利用該清洗液的半導體元件之清洗方法
KR102283723B1 (ko) 표면 잔류물 제거용 세정 제형
US8835326B2 (en) Titanium-nitride removal
EP2437284B1 (en) Cleaning agent for semiconductor substrate, and method for producing semiconductor element
WO2014065138A1 (ja) エッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法
US20130200040A1 (en) Titanium nitride removal
EP3447792B1 (en) Etching solution for selectively removing tantalum nitride over titanium nitride during manufacture of a semiconductor device
TW201621088A (zh) 微影蝕刻用洗淨液、及基板之洗淨方法
TWI473877B (zh) Residual removal of liquid after the semiconductor dry process and the use of its residue removal method
TWI758342B (zh) 蝕刻組合物
JP2016061893A (ja) 剥離液、これを用いた剥離方法および半導体基板製品の製造方法
US8129322B2 (en) Photosensitive-resin remover composition and method of fabricating semiconductor device using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160913

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161104

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170321

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20170427

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170427

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20170427

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170801

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170825

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6200289

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250