JP2015096647A - アルミニウムと希土類元素との合金ターゲット及びその製造方法 - Google Patents
アルミニウムと希土類元素との合金ターゲット及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015096647A JP2015096647A JP2014203569A JP2014203569A JP2015096647A JP 2015096647 A JP2015096647 A JP 2015096647A JP 2014203569 A JP2014203569 A JP 2014203569A JP 2014203569 A JP2014203569 A JP 2014203569A JP 2015096647 A JP2015096647 A JP 2015096647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- aluminum
- rare earth
- target
- alloy target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 154
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 154
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 57
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 57
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 53
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 15
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 abstract 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 22
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 22
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 19
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 5
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000542 Sc alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- LUKDNTKUBVKBMZ-UHFFFAOYSA-N aluminum scandium Chemical compound [Al].[Sc] LUKDNTKUBVKBMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 3
- BWHLPLXXIDYSNW-UHFFFAOYSA-N ketorolac tromethamine Chemical compound OCC(N)(CO)CO.OC(=O)C1CCN2C1=CC=C2C(=O)C1=CC=CC=C1 BWHLPLXXIDYSNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical group 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000011978 dissolution method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- -1 scandium aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明に係る合金ターゲットの製造方法は、アルミニウムと希土類元素との元素比は、合金ターゲットが二種の金属間化合物のみで構成される範囲にあり、該範囲で所定の元素比に調製した混合物、合金粉末、合金粒又は合金塊の少なくとも一種を原料として準備する工程と、不活性ガス雰囲気で、アトマイズ法によって、前記原料からアルミニウムと希土類元素との合金粉末を製造する工程と、前記アトマイズ法で得た合金粉末から、ホットプレス法又は放電プラズマ焼結法によって、真空雰囲気下で焼結体を得る工程と、を有する。
【選択図】図1
Description
この工程は、アトマイズ法を適用するための原料を準備する工程である。アトマイズ法で合金粉末を得るため、準備する原料は、(1)合金ターゲットの構成元素の単金属をそれぞれ準備し、これを混合して原料とする形態、(2)合金ターゲットと同じ組成の合金粉末を原料とする形態、(3)合金ターゲットと構成元素は同じ又は一部欠落していて、組成比が所望の組成比とはずれている合金粉末と、所望の組成に調整するために配合される単金属粉末とを混合して原料とする形態、が例示される。
この工程は、アルミニウムと希土類元素との合金粉末を製造する工程である。アトマイズ法を用いる理由は、製造される合金粉末が急冷されるためである。急冷された合金粉末は、金属間化合物の析出が溶解法のときと比較して抑えられる。ここで金属間化合物の析出が抑えられるということは、海島構造の島に相当する析出粒子径が小さくなることであり、合金粉体の段階において既にその状態が得られていることとなる。なお、その状態は、焼結した後であっても維持され、ターゲットを形成したときにおいても維持される。急冷された合金粉末の組成は、第1工程で準備した原料のアルミニウムと希土類元素との元素比となる。アトマイズ法による合金粉末製造の雰囲気は、不活性ガス雰囲気とし、例えば、Arガス雰囲気が好ましい。また、アトマイズの温度は「材料の融点+100℃」以上で行うことが好ましく、「作製する合金の融点+150〜250℃」がより好ましい。これは、温度が高すぎると造粒中の冷却が十分に行われず、粉末となりにくく、生産の効率が良くないためである。また、温度が低すぎると、噴射時のノズル詰まりが発生しやすくなる問題が生じやすい。
この工程は、アトマイズ法で得た合金粉末から、ターゲットとなる焼結体を得る工程である。ホットプレス法(以下、HPともいう。)又は放電プラズマ焼結法(以下、SPSともいう。)によって、真空雰囲気下で焼結を行う。ホットプレス法によって焼結体を得る場合、まず、アトマイズ法で得た合金粉末をホットプレス用金型に詰め、5〜10MPaで予備加圧することが好ましい。予備加圧された圧粉体は、金型とパンチで密閉されたまま、ホットプレスに移され、ホットプレスされることが好ましい。焼結温度を800〜1200℃とすることが好ましい。このときの加圧力は、30〜80MPaとすることが好ましい。焼結時の真空度は、1×10−3〜10Paとすることが好ましく、5×10−1Pa以下とすることがより好ましい。保持時間(焼結温度の最高温度の保持時間)は、1時間以下が好ましく、より好ましくは30分以下、さらに好ましくは保持時間なしが好ましい。
本実施形態に係る合金ターゲットは、アルミニウムと希土類元素との元素比は、合金ターゲットが二種の金属間化合物のみで構成される範囲にあり、二種の金属間化合物のうち、一方の金属間化合物が合金中で分散粒子を形成する。このとき、分散粒子の長径が、合金ターゲットの厚さ方向を通る断面において平均30μm以下であり、好ましくは、平均20μm以下である。さらに、分散粒子の長径が、合金ターゲットの厚さ方向を通る断面において、30μmを超える粒子を含まないことがより好ましい。ここで、溶解法で作製した合金ターゲットでは、分散粒子の長径が、合金ターゲットの厚さ方向を通る断面において、30μmを超える粒子を含むところ、本実施形態に係る合金ターゲットではこのような30μmを超える粒子を含まない。分散粒子の長径は、合金ターゲットの厚さ方向を通る断面の観察において、走査型電子顕微鏡等を用いて直接求める。走査型電子顕微鏡を用いた場合には、対象となる析出粒子が100個以上含まれるような観察倍率において、視野内に含まれる測長可能な全析出粒子の長径を測長し、その平均値を平均長径とした。分散粒子の長径が、合金ターゲットの厚さ方向を通る断面において平均30μm以下となっていることから、分散粒子に相当する析出相は、溶解法でターゲットを製造したときと比較して微細であり、スパッタしたときのターゲット面内での組成ムラが生じにくい。この合金ターゲットは、X線回折装置で測定したときに、メインピークを示す金属間化合物の組成について、第一ピークの強度に対する第二ピークの相対強度比が、理論値の±15%以内に含まれる。さらに、メインピークの結晶子サイズが500Å以下であることが好ましい。ここで、溶解法で作製した合金ターゲットでは、メインピークの結晶子サイズが500Åを超えるところ、本実施形態に係る合金ターゲットではメインピークの結晶子サイズが500Å以下となる。
アルミニウム塊189.49gと、スカンジウム塊210.51gとを真空アーク溶解炉(真空冶金社製、AME−300型)により溶解合金インゴット(原子パーセント比でAl:Sc=60:40)とした。次に、この合金塊をアトマイズ法による粉末製造装置(日新技研社製、NEV−GP5T型)に入れ、アルゴンガス雰囲気下にて、アルミニウム−スカンジウム合金粉末を作製した。この合金粉末は、150μm以下の粉末であり、SEMによる直接観察における平均粒子径は約20μmであった。次に、この合金粉末を黒鉛製金型に詰め、5MPaで予備加圧し圧粉体を作製した。この圧粉体を、金型とパンチで密閉されたまま、放電プラズマ焼結機(SPSシンテックス社製、SPS9.40MK−VIII型)に移し、放電プラズマ焼結を行った。焼結温度は950℃、加圧力は65MPa、焼結時の真空度は、5Pa以下とし、保持時間は無しとした。これにより、得られた焼結体の表面研摩を施して、合金ターゲットを得た。
アルミニウム塊22.88gと、スカンジウム塊25.42gとをそれぞれ秤量し、これを真空アーク溶解炉(真空冶金社製、AME−300型)に入れ、アルゴン雰囲気にて、溶解合金インゴット(原子パーセント比でAl:Sc=60:40)を得た。これを放電加工にて切り出し、表面を研摩して合金ターゲットを得た。
アルミニウム塊230.48gと、スカンジウム塊180.74gとを真空アーク溶解炉(真空冶金社製、AME−300型)により溶解合金インゴット(原子パーセント比でAl:Sc=68:32)とした。次に、この合金塊をアトマイズ法による粉末製造装置(日新技研社製、NEV−GP5T型)に入れ、アルゴンガス雰囲気下にて、アルミニウム−スカンジウム合金粉末を作製した。この合金粉末は、150μm以下の粉末であり、SEMによる直接観察における平均粒子径は約16μmであった。次に、この合金粉末を黒鉛製金型に詰め、5MPaで予備加圧し圧粉体を作製した。この圧粉体を、金型とパンチで密閉されたまま、放電プラズマ焼結機(SPSシンテックス社製、SPS9.40MK−VIII型)に移し、放電プラズマ焼結を行なった。焼結温度は1000℃、加圧力は65MPa、焼結時の真空度は、5Pa以下とし、保持時間は無しとした。これにより、得られた焼結体の表面研摩を施して、合金ターゲットを得た。
焼結温度を1200℃とした以外は実施例2と同様に行い、合金ターゲットを得た。
アルミニウム塊230.48gと、スカンジウム塊180.74gとを真空アーク溶解炉(真空冶金社製、AME−300型)により溶解合金インゴット(原子パーセント比でAl:Sc=68:32)とした。次に、この合金塊をアトマイズ法による粉末製造装置(日新技研社製、NEV−GP5T型)に入れ、アルゴンガス雰囲気下にて、アルミニウム−スカンジウム合金粉末を作製した。アトマイズ法で得た合金粉末のうち、SEMによる直接観察による平均粒径が約117μmの粉末を得た。次に、この合金粉末を黒鉛製金型に詰め、5MPaで予備加圧し圧粉体を作製した。この圧粉体を、金型とパンチで密閉されたまま、放電プラズマ焼結機(SPSシンテックス社製、SPS9.40MK−VIII型)に移し、放電プラズマ焼結を行なった。加圧力は65MPa、焼結時の真空度は、5Pa以下とし、焼結温度は1000℃で行い、保持時間は無しとした。これにより、得られた焼結体の表面研摩を施して、合金ターゲットを得た。
Claims (7)
- アルミニウムと希土類元素との合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法において、
アルミニウムと希土類元素との元素比は、合金ターゲットが二種の金属間化合物のみで構成される範囲にあり、該範囲で所定の元素比に調製した混合物、合金粉末、合金粒又は合金塊の少なくとも一種を原料として準備する工程と、
不活性ガス雰囲気で、アトマイズ法によって、前記原料からアルミニウムと希土類元素との合金粉末を製造する工程と、
前記アトマイズ法で得た合金粉末から、ホットプレス法又は放電プラズマ焼結法によって、真空雰囲気下で焼結体を得る工程と、
を有することを特徴とするアルミニウムと希土類元素との合金ターゲットの製造方法。 - 前記アトマイズ法で得た合金粉末は、SEMによる直接観察における平均粒子径が200μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のアルミニウムと希土類元素との合金ターゲットの製造方法。
- ホットプレス法又は放電プラズマ焼結法による焼結温度を800〜1200℃とすることを特徴とする請求項1又は2に記載のアルミニウムと希土類元素との合金ターゲットの製造方法。
- アルミニウムと希土類元素との合金からなるスパッタリングターゲットにおいて、
アルミニウムと希土類元素との元素比は、合金ターゲットが二種の金属間化合物のみで構成される範囲にあり、
前記二種の金属間化合物のうち、一方の金属間化合物が合金中で分散粒子を形成し、該分散粒子の長径が、合金ターゲットの厚さ方向を通る断面において平均30μm以下であることを特徴とするアルミニウムと希土類元素との合金ターゲット。 - 合金ターゲットの厚さ方向を通る断面において、前記分散粒子の長径が30μmを超える分散粒子を含まないことを特徴とする請求項4に記載のアルミニウムと希土類元素との合金ターゲット。
- アルミニウムと希土類元素との合金からなるスパッタリングターゲットにおいて、
アルミニウムと希土類元素との元素比は、合金ターゲットが二種の金属間化合物のみで構成される範囲にあり、
前記スパッタリングターゲットをX線回折装置で測定したときに、メインピークを示す金属間化合物の組成について、第一ピークの強度に対する第二ピークの相対強度比が、理論値の±15%以内に含まれることを特徴とするアルミニウムと希土類元素との合金ターゲット。 - 前記メインピークの結晶子サイズが500Å以下であることを特徴とする請求項6に記載のアルミニウムと希土類元素との合金ターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014203569A JP6461543B2 (ja) | 2013-10-08 | 2014-10-02 | アルミニウムと希土類元素との合金ターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013211140 | 2013-10-08 | ||
JP2013211140 | 2013-10-08 | ||
JP2014203569A JP6461543B2 (ja) | 2013-10-08 | 2014-10-02 | アルミニウムと希土類元素との合金ターゲット及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015096647A true JP2015096647A (ja) | 2015-05-21 |
JP6461543B2 JP6461543B2 (ja) | 2019-01-30 |
Family
ID=53374060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014203569A Active JP6461543B2 (ja) | 2013-10-08 | 2014-10-02 | アルミニウムと希土類元素との合金ターゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6461543B2 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017213185A1 (ja) | 2016-06-07 | 2017-12-14 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び、その製造方法 |
JP2020514551A (ja) * | 2017-03-13 | 2020-05-21 | マテリオン コーポレイション | 高い均一性および元素含量を有するアルミニウム−スカンジウム合金ならびにその物品 |
JP2020521040A (ja) * | 2017-04-21 | 2020-07-16 | エーリコン・サーフェス・ソリューションズ・アーゲー・プフェフィコン | 超合金スパッタリングターゲット |
CN111485207A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-08-04 | 福建阿石创新材料股份有限公司 | 一种细晶粒均相高钪含量的铝钪合金烧结靶材及其制备方法和应用 |
CN111636054A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-09-08 | 福建阿石创新材料股份有限公司 | 一种铝钪合金溅射靶材的制备方法 |
CN111636055A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-09-08 | 福建阿石创新材料股份有限公司 | 一种成分均匀的铝钪合金溅射靶材及其制备方法 |
CN111647858A (zh) * | 2020-06-03 | 2020-09-11 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种铝钪合金靶材的制备方法 |
US10900102B2 (en) | 2016-09-30 | 2021-01-26 | Honeywell International Inc. | High strength aluminum alloy backing plate and methods of making |
WO2021019992A1 (ja) | 2019-07-31 | 2021-02-04 | 株式会社フルヤ金属 | スパッタリングターゲット |
JP2021107573A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-29 | 株式会社フルヤ金属 | スパッタリングターゲット |
JP2021107572A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-29 | 株式会社フルヤ金属 | スパッタリングターゲット |
WO2021247813A1 (en) * | 2020-06-05 | 2021-12-09 | Materion Corporation | Aluminum-scandium composite, aluminum-scandium composite sputtering target and methods of making |
US11359273B2 (en) | 2015-08-03 | 2022-06-14 | Honeywell International Inc. | Frictionless forged aluminum alloy sputtering target with improved properties |
CN114774865A (zh) * | 2022-04-15 | 2022-07-22 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种铝钪合金靶材及其制备方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0762529A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-07 | Kawasaki Steel Corp | スパッタリングターゲットの製造方法 |
JPH11293454A (ja) * | 1998-04-14 | 1999-10-26 | Hitachi Metals Ltd | Al系スパッタリング用ターゲット材及びその製造方法 |
JP2006111969A (ja) * | 1995-10-12 | 2006-04-27 | Toshiba Corp | スパッタターゲットの製造方法 |
JP2008179892A (ja) * | 2002-06-24 | 2008-08-07 | Nikko Kinzoku Kk | AlRuスパッタリングターゲットの製造方法 |
US20080253925A1 (en) * | 2007-04-11 | 2008-10-16 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd | Target material for electrode film, methods of manufacturing the target material and electrode film |
JP2009293108A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Kobelco Kaken:Kk | Al基合金スパッタリングターゲット材の製造方法 |
JP2012012673A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-19 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | スカンジウムアルミニウム窒化物膜の製造方法 |
-
2014
- 2014-10-02 JP JP2014203569A patent/JP6461543B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0762529A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-07 | Kawasaki Steel Corp | スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2006111969A (ja) * | 1995-10-12 | 2006-04-27 | Toshiba Corp | スパッタターゲットの製造方法 |
JPH11293454A (ja) * | 1998-04-14 | 1999-10-26 | Hitachi Metals Ltd | Al系スパッタリング用ターゲット材及びその製造方法 |
JP2008179892A (ja) * | 2002-06-24 | 2008-08-07 | Nikko Kinzoku Kk | AlRuスパッタリングターゲットの製造方法 |
US20080253925A1 (en) * | 2007-04-11 | 2008-10-16 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd | Target material for electrode film, methods of manufacturing the target material and electrode film |
JP2009293108A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Kobelco Kaken:Kk | Al基合金スパッタリングターゲット材の製造方法 |
JP2012012673A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-19 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | スカンジウムアルミニウム窒化物膜の製造方法 |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11359273B2 (en) | 2015-08-03 | 2022-06-14 | Honeywell International Inc. | Frictionless forged aluminum alloy sputtering target with improved properties |
CN109312449A (zh) * | 2016-06-07 | 2019-02-05 | Jx金属株式会社 | 溅射靶及其制造方法 |
JPWO2017213185A1 (ja) * | 2016-06-07 | 2019-04-04 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び、その製造方法 |
EP3467142B1 (en) | 2016-06-07 | 2022-08-03 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and production method therefor |
US11236416B2 (en) * | 2016-06-07 | 2022-02-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and production method therefor |
WO2017213185A1 (ja) | 2016-06-07 | 2017-12-14 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び、その製造方法 |
US10900102B2 (en) | 2016-09-30 | 2021-01-26 | Honeywell International Inc. | High strength aluminum alloy backing plate and methods of making |
JP2020514551A (ja) * | 2017-03-13 | 2020-05-21 | マテリオン コーポレイション | 高い均一性および元素含量を有するアルミニウム−スカンジウム合金ならびにその物品 |
JP7060610B2 (ja) | 2017-03-13 | 2022-04-26 | マテリオン コーポレイション | 高い均一性および元素含量を有するアルミニウム-スカンジウム合金ならびにその物品 |
JP7357542B2 (ja) | 2017-04-21 | 2023-10-06 | エーリコン・サーフェス・ソリューションズ・アーゲー・プフェフィコン | 超合金スパッタリングターゲット |
JP2020521040A (ja) * | 2017-04-21 | 2020-07-16 | エーリコン・サーフェス・ソリューションズ・アーゲー・プフェフィコン | 超合金スパッタリングターゲット |
WO2021019992A1 (ja) | 2019-07-31 | 2021-02-04 | 株式会社フルヤ金属 | スパッタリングターゲット |
WO2021019991A1 (ja) | 2019-07-31 | 2021-02-04 | 株式会社フルヤ金属 | スパッタリングターゲット |
KR20220016977A (ko) | 2019-07-31 | 2022-02-10 | 가부시키가이샤 후루야긴조쿠 | 스퍼터링 타겟 |
KR20220018547A (ko) | 2019-07-31 | 2022-02-15 | 가부시키가이샤 후루야긴조쿠 | 스퍼터링 타겟 |
JP2021107573A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-29 | 株式会社フルヤ金属 | スパッタリングターゲット |
JP2021107572A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-29 | 株式会社フルヤ金属 | スパッタリングターゲット |
JP7203064B2 (ja) | 2019-12-27 | 2023-01-12 | 株式会社フルヤ金属 | スパッタリングターゲット |
JP7203065B2 (ja) | 2019-12-27 | 2023-01-12 | 株式会社フルヤ金属 | スパッタリングターゲット |
CN111647858A (zh) * | 2020-06-03 | 2020-09-11 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种铝钪合金靶材的制备方法 |
WO2021247813A1 (en) * | 2020-06-05 | 2021-12-09 | Materion Corporation | Aluminum-scandium composite, aluminum-scandium composite sputtering target and methods of making |
CN115698349A (zh) * | 2020-06-05 | 2023-02-03 | 万腾荣公司 | 铝-钪复合材料、铝-钪复合材料溅射靶及制备方法 |
CN115698349B (zh) * | 2020-06-05 | 2024-03-08 | 万腾荣公司 | 铝-钪复合材料、铝-钪复合材料溅射靶及制备方法 |
CN111636055A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-09-08 | 福建阿石创新材料股份有限公司 | 一种成分均匀的铝钪合金溅射靶材及其制备方法 |
CN111636054A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-09-08 | 福建阿石创新材料股份有限公司 | 一种铝钪合金溅射靶材的制备方法 |
CN111485207A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-08-04 | 福建阿石创新材料股份有限公司 | 一种细晶粒均相高钪含量的铝钪合金烧结靶材及其制备方法和应用 |
CN114774865A (zh) * | 2022-04-15 | 2022-07-22 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种铝钪合金靶材及其制备方法 |
CN114774865B (zh) * | 2022-04-15 | 2023-09-08 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种铝钪合金靶材及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6461543B2 (ja) | 2019-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6461543B2 (ja) | アルミニウムと希土類元素との合金ターゲット及びその製造方法 | |
JP4388263B2 (ja) | 珪化鉄スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP6254823B2 (ja) | ニッケルシリサイドスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP4860685B2 (ja) | 高融点金属からなる焼結体スパッタリングターゲット | |
JP2009074127A (ja) | 焼結スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
JP5952891B2 (ja) | 酸化物焼結体、およびスパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP2018162493A (ja) | タングステンシリサイドターゲット及びその製造方法 | |
JP2013082998A (ja) | MoTiターゲット材およびその製造方法 | |
JP6144858B1 (ja) | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにそれらの製造方法 | |
JP5988140B2 (ja) | MoTiターゲット材の製造方法およびMoTiターゲット材 | |
WO2021019991A1 (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP6415361B2 (ja) | 粗粒であり、かつ、均粒、球状のチタンシリサイド粉末およびその製造方法 | |
TW201739723A (zh) | 氧化物燒結體及濺鍍靶材以及它們的製造方法 | |
JP4921653B2 (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP6007840B2 (ja) | Cu−Gaスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
TWI821015B (zh) | 濺射靶及其製造方法 | |
TWI615482B (zh) | 鉑合金靶 | |
WO2021241522A1 (ja) | 金属-Si系粉末、その製造方法、並びに金属-Si系焼結体、スパッタリングターゲット及び金属-Si系薄膜の製造方法 | |
WO2022004355A1 (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
WO2022004354A1 (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP7203065B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP7203064B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP2022044768A (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP2021152203A (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP2017019668A (ja) | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにそれらの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170919 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180515 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180713 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6461543 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |