JP2015095466A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1導電型の第1半導体領域と、第1半導体領域上に配置された第2導電型の第2半導体領域と、第2半導体領域の上面から延伸して第2半導体領域を貫通して第1半導体領域まで達する溝の底部及び内壁上に配置された絶縁膜と、絶縁膜を介して第2半導体領域と対向して溝の内部に配置され、上面が溝の側壁に接する部分から溝の中央部に向かって低くなるように傾斜している制御電極と、制御電極の上部と絶縁膜を介して対向する部分を有し、溝の側面の周囲に接して第2半導体領域の上面に配置された第1導電型の第3半導体領域と、制御電極上に配置された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に配置された主電極とを備える。
【選択図】図1
Description
ゲート電極50は、チャネルを形成するためには溝の側面においてベース領域20と対向していればよい。このため、図11に示すように、溝底部の中央部上にはゲート電極50を配置しないようにしてもよい。つまり、ゲート電極50の膜厚方向に切った断面の形状はL字形状である。
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
10…ドリフト領域、第1半導体領域
20…ベース領域、第2半導体領域
30…ソース領域、第3半導体領域
40…絶縁膜
50…ゲート電極、制御電極
60…コレクタ領域
65…フィールドストップ領域
70…層間絶縁膜
80…コレクタ電極
90…ソース電極
100…チャネル領域
200…溝
Claims (8)
- 第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域上に配置された第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域の上面から延伸して前記第2半導体領域を貫通して前記第1半導体領域まで達する溝の底部及び内壁上に配置された絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記第2半導体領域と対向して前記溝の内部に配置され、前記上面が前記溝の側壁に接する部分から前記溝の中央部に向かって低くなるように傾斜している制御電極と、
前記制御電極の上部と前記絶縁膜を介して対向する部分を有し、前記溝の側面の周囲に接して前記第2半導体領域の上面に配置された第1導電型の第3半導体領域と、
前記制御電極上に配置された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に配置された主電極と
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第3半導体領域が、
前記第2半導体領域の上面から前記溝の側面に接しながら膜厚方向に延伸する垂直部分と、
前記垂直部分と連結し、前記第2半導体領域の上面に沿って延伸する水平部分と
を有し、前記第2半導体領域の膜厚方向に沿った断面がL字形状であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記制御電極の上面が前記溝の開口部よりも下方に位置することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記主電極の底面の少なくとも一部が、前記溝の開口部の位置よりも低く前記溝の内部に入っていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 第1導電型の第1半導体領域上に第2導電型の第2半導体領域を形成するステップと、
前記第2半導体領域の上面から延伸して前記第2半導体領域を貫通して前記第1半導体領域まで達する溝を形成するステップと、
前記溝の内壁及び底部に絶縁膜を形成するステップと、
前記絶縁膜を介して前記第2半導体領域と対向して前記溝の内部に配置され、前記上面が前記溝の側壁に接する部分から前記溝の中央部に向かって低く傾斜するように制御電極を形成するステップと、
前記制御電極の上部と前記絶縁膜を介して対向する部分を有するように、前記溝の側面の周囲に接して前記第2半導体領域の上面に第1導電型の第3半導体領域を形成するステップと、
前記制御電極上に層間絶縁膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜上に主電極を形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第3半導体領域を形成するステップにおいて、
前記第2半導体領域の上面から前記溝の側面に接しながら膜厚方向に延伸する垂直部分と、
前記垂直部分と連結し、前記第2半導体領域の上面に沿って延伸する水平部分と
を有し、前記第2半導体領域の膜厚方向に沿った断面がL字形状であるように前記第3半導体領域を形成することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記制御電極の上面が前記溝の開口部より下方に位置し、
前記第3半導体領域を形成するステップが、
前記溝の開口部に向けて斜め上方から不純物を打ち込む段階と、
前記不純物を前記第2半導体領域中で拡散させる段階と
を含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記層間絶縁膜が熱処理によってだれて前記溝の開口部近傍で薄くなり、前記主電極の少なくとも一部が前記溝の内部に入っていることを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2018125326A (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-09 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
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2013
- 2013-11-08 JP JP2013231925A patent/JP2015095466A/ja active Pending
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