JP2015088541A - Light-emitting element lead frame substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素子を担持、搭載する発光素子リードフレーム基板に関する。 The present invention relates to a light-emitting element lead frame substrate that supports and mounts an LED (Light Emitting Diode) element.
従来、ＬＥＤ素子を担持・搭載する発光素子リードフレーム基板が知られている。発光素子リードフレーム基板は、ＬＥＤ発行素子を搭載する部位であるパッド部とＬＥＤ素子と電気的接続を行うための電気的接続エリアとを有するリードフレームと、ＬＥＤ素子からの発光を効率的に外部に放出するためのリフレクタ部と、を備える。 Conventionally, a light-emitting element lead frame substrate that carries and mounts an LED element is known. The light emitting element lead frame substrate has a lead frame having a pad portion, which is a part for mounting the LED issuing element, and an electrical connection area for electrical connection with the LED element, and efficiently emits light from the LED element to the outside. And a reflector part for discharging to the surface.
このような発光素子リードフレーム基板において、ＬＥＤ素子から発せられた光を外部に多く放出するべく、反射面に貴金属皮膜、特に可視光領域（４００ｎｍから７００ｎｍ）で高い反射率を有するＡｇ皮膜を形成することが行われている。 In such a light emitting element lead frame substrate, a noble metal film, particularly an Ag film having a high reflectance in the visible light region (400 nm to 700 nm) is formed on the reflecting surface in order to emit a large amount of light emitted from the LED element to the outside. To be done.
例えば、発光素子リードフレーム基板において、反射面にＡｇめっき皮膜を形成することが提案されている（特許文献１参照）。 For example, it has been proposed to form an Ag plating film on a reflective surface of a light emitting element lead frame substrate (see Patent Document 1).
例えば、ＡｇまたはＡｇ合金皮膜形成後に２００度以上で３０秒以上の熱処理を施し、当該皮膜の結晶粒径を０．５μｍ以上３０μｍ以下とすることが提案されている（特許文献２参照）。 For example, it has been proposed that after the formation of the Ag or Ag alloy film, heat treatment is performed at 200 ° C. or more for 30 seconds or more so that the crystal grain size of the film is 0.5 μm or more and 30 μm or less (see Patent Document 2).
しかしながら、Ａｇめっき皮膜や、ＡｇまたはＡｇ合金皮膜を形成しただけの場合、可視光領域の約４００ｎｍ付近から短波長側（３００ｎｍから４００ｎｍ）にかけて吸収が生じ、４００から５００ｎｍでの反射率の低下が避けられない。このため、短波長側の吸収を抑制したＡｇ皮膜を形成することが求められている。 However, when only an Ag plating film or an Ag or Ag alloy film is formed, absorption occurs from about 400 nm to the short wavelength side (300 nm to 400 nm) in the visible light region, and the reflectance decreases from 400 to 500 nm. Unavoidable. For this reason, it is required to form an Ag film that suppresses absorption on the short wavelength side.
例えば、Ａｇめっき皮膜形成後に圧延加工を加工率３７％以上６０％以下の範囲内で行うことにより、短波長側の吸収を抑制し、可視光領域での反射率を改善したＡｇ皮膜を形成することが提案されている（特許文献３参照）。 For example, after forming the Ag plating film, the rolling process is performed within a processing rate of 37% or more and 60% or less to form an Ag film that suppresses absorption on the short wavelength side and improves the reflectance in the visible light region. Has been proposed (see Patent Document 3).
しかしながら、Ａｇめっき皮膜形成後に圧延加工を行った場合、Ａｇめっき面への異物の付着による汚染、及び、製造工程の増加に伴う製造コストへの影響が懸念される。特に、リードフレームとＬＥＤ素子との電気的な接合を行うワイヤボンディングの形成工程において、Ａｇめっき以下の下地金属の拡散による汚染、Ａｇめっき面への異物の付着による汚染、などにより、ワイヤボンディングの接続不良が発生する恐れがある。よって、Ａｇめっき皮膜形成後に異物が付着するような後加工処理は望ましくない。 However, when the rolling process is performed after the Ag plating film is formed, there is a concern about the contamination due to the adhesion of foreign matter to the Ag plating surface and the influence on the manufacturing cost due to the increase in the manufacturing process. In particular, in the wire bonding forming process in which the lead frame and the LED element are electrically bonded, contamination due to diffusion of the base metal below the Ag plating, contamination due to adhesion of foreign matter to the Ag plating surface, etc. Connection failure may occur. Therefore, post-processing treatment in which foreign matter adheres after the formation of the Ag plating film is not desirable.
ＬＥＤ素子の発光波長領域は４５０ｎｍ近辺が主流であり、可視光領域、特に４００ｎｍから５００ｎｍでの反射率の向上はＬＥＤ基板の輝度向上に有効な手段となっている。このため、Ａｇめっき皮膜を反射率理論値（４５０ｎｍ近辺で反射率９８％程度）に限りなく近づけることが求められている。また、ＬＥＤ基板は低コスト化が求められており、可能な限りＡｇめっき皮膜形成後に後加工処理を行わないことが好ましい。 The emission wavelength region of the LED element is mainly around 450 nm, and the improvement of the reflectance in the visible light region, particularly from 400 nm to 500 nm, is an effective means for improving the luminance of the LED substrate. For this reason, it is required to make the Ag plating film as close as possible to the theoretical reflectance value (the reflectance is about 98% around 450 nm). In addition, the LED substrate is required to be reduced in cost, and it is preferable not to perform post-processing after forming the Ag plating film as much as possible.
ところが、「単純にめっきのみではどんなに光沢剤を使用しても容易に達成できない」（特許文献３［００２０］参照）との記載にもあるように、めっき工程のみで、高い反射率および光沢度を兼ね備えるめっき皮膜を形成するのは困難であった。 However, as described in the statement that “simply using a brightening agent cannot be achieved simply by plating alone” (see Patent Document 3 [0020]), high reflectance and glossiness can be achieved only by the plating process. It was difficult to form a plating film having both.
そこで、本発明は、めっき工程のみで高い反射率および光沢度を兼ね備えるめっき皮膜を形成可能な発光素子リードフレーム基板を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a light emitting element lead frame substrate capable of forming a plating film having both high reflectance and glossiness only by a plating process.
本発明者らは、鋭意検討の結果、めっき皮膜を形成するにあたり、下地となるＣｕめっき皮膜の膜厚・結晶粒径・表面粗さを一定の範囲内に制御することで、上層のＡｇめっき皮膜の膜厚・結晶粒径・表面粗さを一定の範囲内に収めつつ好適に形成できることを見出した。これにより、めっき工程のみで、可視光領域での反射率が９２％以上であり、光沢度１．４ＧＡＭ以上を有するめっき皮膜を得ることに成功し、本発明を完成させるに至った。 As a result of intensive studies, the inventors of the present invention, when forming a plating film, by controlling the film thickness, crystal grain size, and surface roughness of the Cu plating film as a base within a certain range, the upper layer Ag plating It has been found that the film can be suitably formed while keeping the film thickness, crystal grain size, and surface roughness within a certain range. Thereby, only in the plating process, the reflectance in the visible light region was 92% or more, and a plating film having a glossiness of 1.4 GAM or more was successfully obtained, and the present invention was completed.
［１］本発明の一実施形態は、ＬＥＤ素子を搭載するためのパッド部と、前記ＬＥＤ素子と電気的接続を行うための電気的接続エリアと、を有するリードフレームと、前記パッド部および前記電気的接続エリアを囲うように絶縁性樹脂で形成されたリフレクタ部と、を備え、前記パッド部及び前記電気的接続エリアには、めっき皮膜が形成されており、前記めっき皮膜は、Ｃｕめっき皮膜上にＡｇめっき皮膜が形成された多層のめっき皮膜であり、前記Ｃｕめっき皮膜の厚みは、０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内にあり、前記Ｃｕめっき皮膜の結晶粒径は、０．０１μｍ以上５．００μｍ以下の範囲内にあり、前記Ｃｕめっき皮膜の表面粗さは、光干渉式表面粗さ測定によるＲａが６０ｎｍ以上９０ｎｍ以下の範囲内にあることを特徴とする発光素子リードフレーム基板である。
［２］また、前記Ａｇめっき皮膜の厚みは、１．０μｍ以上６．０μｍ以下の範囲内にあり、前記Ａｇめっき皮膜の結晶粒径は、０．１μｍ以上６．０μｍ以下の範囲内にあり、前記Ａｇめっき皮膜の表面粗さは、光干渉式表面粗さ測定によるＲａが４０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましい。
［３］また、前記Ｃｕめっき皮膜の厚みは、０．５μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内にあり、前記Ｃｕめっき皮膜の結晶粒径は、０．０１μｍ以上５．００μｍ以下の範囲内にあり、前記Ｃｕめっき皮膜の表面粗さは、光干渉式表面粗さ測定によるＲａが６０ｎｍ以上９０ｎｍ以下の範囲内にあり、前記Ａｇめっき皮膜の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内にあり、前記Ａｇめっき皮膜の結晶粒径は、０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内にあり、前記Ａｇめっき皮膜の表面粗さは、光干渉式表面粗さ測定によるＲａが４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲内にあり、前記めっき皮膜は、可視光領域での反射率が９２％以上であり、光沢度１．４ＧＡＭ以上を有することが好ましい。
[1] An embodiment of the present invention is directed to a lead frame having a pad portion for mounting an LED element and an electrical connection area for electrical connection with the LED element, the pad portion, and the pad A reflector portion formed of an insulating resin so as to surround the electrical connection area, and a plating film is formed on the pad portion and the electrical connection area, and the plating film is a Cu plating film It is a multilayer plating film on which an Ag plating film is formed, and the thickness of the Cu plating film is in the range of 0.1 μm or more and 5.0 μm or less. The surface roughness of the Cu plating film is in the range of not less than 01 μm and not more than 5.00 μm, and Ra according to optical interference surface roughness measurement is in the range of not less than 60 nm and not more than 90 nm. That is a light-emitting element lead frame substrate.
[2] The thickness of the Ag plating film is in the range of 1.0 μm or more and 6.0 μm or less, and the crystal grain size of the Ag plating film is in the range of 0.1 μm or more and 6.0 μm or less. The surface roughness of the Ag plating film is preferably such that Ra by optical interference surface roughness measurement is in the range of 40 nm to 80 nm.
[3] The thickness of the Cu plating film is in the range of 0.5 μm to 3.0 μm, and the crystal grain size of the Cu plating film is in the range of 0.01 μm to 5.00 μm. The surface roughness of the Cu plating film is such that Ra by optical interference surface roughness measurement is in the range of 60 nm to 90 nm, and the thickness of the Ag plating film is in the range of 1.0 μm to 5.0 μm. The grain diameter of the Ag plating film is in the range of 0.1 μm or more and 5.0 μm or less, and the surface roughness of the Ag plating film is such that Ra by optical interference surface roughness measurement is 40 nm or more and 60 nm. Within the following range, the plating film preferably has a reflectance in the visible light region of 92% or more and a glossiness of 1.4 GAM or more.
本発明の発光素子リードフレーム基板は、下地となるＣｕめっき皮膜の膜厚・結晶粒径・表面粗さを一定の範囲内に制御することで、上層のＡｇめっき皮膜の膜厚・結晶粒径・表面粗さを一定の範囲内に収めつつ好適に形成できる。このため、可視光領域での反射率９２％以上であり、かつ、光沢度１．４ＧＡＭ以上のめっき皮膜を、めっき工程のみで、形成することが可能となる。よって、安価に高い反射率および高い信頼性を有する発光素子リードフレーム基板を製造することが出来る。 The light-emitting element lead frame substrate of the present invention controls the film thickness / crystal grain size of the upper Ag plating film by controlling the film thickness / crystal grain diameter / surface roughness of the underlying Cu plating film within a certain range. -It can form suitably, keeping surface roughness in a fixed range. For this reason, it becomes possible to form a plating film having a reflectance of 92% or more in the visible light region and a glossiness of 1.4 GAM or more only by the plating process. Therefore, a light emitting element lead frame substrate having high reflectance and high reliability can be manufactured at low cost.
本発明の発光素子リードフレーム基板は、リードフレームと絶縁性樹脂とが一体成形されており、リードフレームが絶縁性樹脂に覆われる構造となっている。ここで、パッド部と電気的接続エリアに相当する部位において、該絶縁性樹脂は開口しており、開口の側面部がリフレクタ部となる。 The light emitting element lead frame substrate of the present invention has a structure in which a lead frame and an insulating resin are integrally formed, and the lead frame is covered with the insulating resin. Here, in the part corresponding to the pad portion and the electrical connection area, the insulating resin is opened, and the side surface portion of the opening becomes the reflector portion.
（リードフレーム）
リードフレームは、ＬＥＤ素子を搭載するためのパッド部と、前記ＬＥＤ素子と電気的接続を行うための電気的接続エリアと、を有する。リードフレームは、リードフレーム基体に、加工（エッチング方法、プレス方法など）を行い所望の仕様・寸法のものを得ることが出来る。
(Lead frame)
The lead frame includes a pad portion for mounting the LED element and an electrical connection area for electrical connection with the LED element. A lead frame having a desired specification and size can be obtained by processing (such as an etching method or a pressing method) on the lead frame substrate.
リードフレーム基体は、所望するリードフレームの仕様・寸法、選択した加工方法などに応じて適宜公知の板状の材料を選択して用いてよい。例えば、銅、銅合金、鉄、鉄合金、などを用いてよい。ここで、銅合金としては、具体的には、銅―ニッケル―錫等の合金薄板、などが挙げられる。鉄合金としては、鉄―ニッケル等の合金薄板、などが挙げられる。 For the lead frame substrate, a known plate-like material may be appropriately selected and used according to the desired specification and dimensions of the lead frame, the selected processing method, and the like. For example, copper, copper alloy, iron, iron alloy, etc. may be used. Here, specific examples of the copper alloy include alloy thin plates such as copper-nickel-tin. Examples of the iron alloy include an iron-nickel alloy thin plate.
また、リードフレーム基体は、凹凸形状を設けたり、側面粗化が施されたり、していてもよい。これにより、絶縁性樹脂との設置面積を大きくすることが出来、絶縁性樹脂がリードフレームから剥落することを抑制することが出来る。 In addition, the lead frame substrate may be provided with a concavo-convex shape or subjected to side surface roughening. Thereby, an installation area with insulating resin can be enlarged and it can suppress that insulating resin peels from a lead frame.
（絶縁性樹脂）
絶縁性樹脂は、リードフレームと一体成型することにより、リードフレームにおいてパッド部と電気的接続エリアとの絶縁を行い、かつ、リードフレーム上のリフレクタ部を構成する。
(Insulating resin)
The insulating resin is integrally formed with the lead frame to insulate the pad portion from the electrical connection area in the lead frame and constitute a reflector portion on the lead frame.
絶縁性樹脂は、耐熱性及び適度な機械的強度を有し、ＬＥＤ素子の出射光や外光などが透過しにくい絶縁性の材料を適宜選択して用いてよい。例えば、（１）液晶ポリマー、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、などの熱可塑性樹脂、（２）エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、などの熱硬化性樹脂、などを用いてよい。特に、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂を用いることが好ましい。 As the insulating resin, an insulating material that has heat resistance and appropriate mechanical strength and is difficult to transmit light emitted from the LED element or external light may be appropriately selected and used. For example, (1) thermoplastic resin such as liquid crystal polymer, polyphthalamide resin, polybutylene terephthalate (PBT), (2) epoxy resin, modified epoxy resin, silicone resin, modified silicone resin, acrylate resin, urethane resin, etc. A thermosetting resin, etc. may be used. In particular, it is preferable to use an epoxy resin, a modified epoxy resin, a silicone resin, or a modified silicone resin.
また、絶縁性樹脂は、酸無水物、酸化防止剤、離型材、光反射部材、無機充填材、硬化触媒、光安定剤、滑剤、などの添加剤を添加してもよい。ここで、光反射部材としては、二酸化チタンを用いてもよい。光反射部材として二酸化チタンを用いた場合、二酸化チタンの含有量は、０．１ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下、より好ましくは１０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下程度の範囲が好ましい。ただし、二酸化チタンの含有量は上記範囲に限定されるものではない。 The insulating resin may contain additives such as acid anhydrides, antioxidants, mold release materials, light reflecting members, inorganic fillers, curing catalysts, light stabilizers, and lubricants. Here, titanium dioxide may be used as the light reflecting member. When titanium dioxide is used as the light reflecting member, the content of titanium dioxide is preferably in the range of about 0.1 wt% to 90 wt%, more preferably about 10 wt% to 60 wt%. However, the content of titanium dioxide is not limited to the above range.
絶縁性樹脂として、具体的な例としては、例えば、トリグリシジルイソシアヌレート、水素化ビスフェノールＡジグリシジルエーテル他よりなるエポキシ樹脂と、ヘキサヒドロ無水フタル酸、３−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸他よりなる酸無水物とを、エポキシ樹脂へ当量となるよう溶解混合した無色透明な混合物１００重量部へ、硬化促進剤としてＤＢＵ（１，８−Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ（５，４，０） ｕｎｄｅｃｅｎｅ−７）を０．５重量部、助触媒としてエチレングリコールを１重量部、酸化チタン顔料を１０重量部、ガラス繊維を５０重量部添加し、加熱により部分的に硬化反応させＢステージ化した固形状エポキシ樹脂組成物、が挙げられる。 Specific examples of the insulating resin include, for example, an epoxy resin composed of triglycidyl isocyanurate, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, etc., hexahydrophthalic anhydride, 3-methylhexahydrophthalic anhydride, 4-methyl DBU (1,8-Diazabicyclo (5,4,0) as a curing accelerator was added to 100 parts by weight of a colorless and transparent mixture obtained by dissolving and mixing an acid anhydride composed of hexahydrophthalic anhydride and the like in an epoxy resin in an equivalent amount. ) Add 0.5 parts by weight of undecene-7), 1 part by weight of ethylene glycol as a co-catalyst, 10 parts by weight of titanium oxide pigment, and 50 parts by weight of glass fiber. Solid epoxy resin composition.
（リフレクタ部）
リフレクタ部は、前記パッド部および前記電気的接続エリアを囲うように前記絶縁性樹脂で形成される。
(Reflector part)
The reflector portion is formed of the insulating resin so as to surround the pad portion and the electrical connection area.
リフレクタ部の形状は、用途に応じて適宜設定してよい。例えば、上面からみて、円形形状、楕円形形状、四角形形状、多角形形状、などであってもよい。また、リフレクタ部の形状は、下面から上面に向けて大径となるすり鉢状の形状になっていることが好ましい。また、リフレクタ部の表面状態は、平滑であってもよいし、ＬＥＤ素子より発せられる光を散乱させるように表面に凹凸を形成した形状であってもよい。 The shape of the reflector part may be appropriately set according to the application. For example, when viewed from the top, the shape may be a circular shape, an elliptical shape, a square shape, a polygonal shape, or the like. Moreover, it is preferable that the shape of a reflector part is a mortar shape which becomes a large diameter toward the upper surface from a lower surface. In addition, the surface state of the reflector portion may be smooth, or may have a shape in which irregularities are formed on the surface so as to scatter light emitted from the LED element.
（めっき皮膜）
めっき皮膜は、リードフレームの少なくともパッド部及び電気的接続エリアに形成される。また、本発明の発光素子リードフレーム基板において、めっき皮膜は、Ｃｕめっき皮膜上にＡｇめっき皮膜が形成された多層のめっき皮膜である。一般的なリードフレーム基体は、圧延加工を施された板状の材料であり、リードフレーム基体表面は圧延筋・圧延痕が形成され非常に荒い。下地となるＣｕめっき皮膜を形成することにより、圧延筋・圧延痕の影響を抑制することが可能となる。ここで、本発明者らは、下地となるＣｕめっき皮膜の膜厚・結晶粒径・表面粗さを一定の範囲内に制御することで、上層のＡｇめっき皮膜の膜厚・結晶粒径・表面粗さを一定の範囲内に収めつつ好適に形成できることを見出した。
(Plating film)
The plating film is formed on at least the pad portion and the electrical connection area of the lead frame. In the light emitting element lead frame substrate of the present invention, the plating film is a multilayer plating film in which an Ag plating film is formed on a Cu plating film. A general lead frame base is a plate-like material that has been subjected to a rolling process, and the surface of the lead frame base is extremely rough because of formation of rolling streaks and rolling marks. By forming a Cu plating film as a base, it is possible to suppress the influence of rolling bars and rolling marks. Here, the present inventors controlled the film thickness, crystal grain size, and surface roughness of the underlying Cu plating film within a certain range, so that the film thickness, crystal grain diameter, It has been found that it can be suitably formed while keeping the surface roughness within a certain range.
（Ｃｕめっき皮膜）
本発明の発光素子リードフレーム基板において、前記Ｃｕめっき皮膜の厚みは、０．５μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内にあり、前記Ｃｕめっき皮膜の結晶粒径は、０．０１μｍ以上５．００μｍ以下の範囲内にあり、前記Ｃｕめっき皮膜の表面粗さは、光干渉式表面粗さ測定によるＲａが６０ｎｍ以上９０ｎｍ以下の範囲内にある。
結晶粒径が、０．０１μｍ以上５．００μｍ以下の範囲内にあるＣｕめっき皮膜において、Ｃｕめっき皮膜の厚みが、０．５μｍより小さいと、リードフレーム基体の表面粗さの影響を受け、表面粗さＲａを９０ｎｍ以下の範囲内に加工をすることが困難である。また、Ｃｕめっき皮膜の厚みが、３．０μｍより大きいと、表面粗さＲａを６０ｎｍ以上の範囲内に加工をすることが困難であり、処理時間も長くなり、製造コストに影響を与えてしまう。
(Cu plating film)
In the light-emitting element lead frame substrate of the present invention, the thickness of the Cu plating film is in the range of 0.5 μm to 3.0 μm, and the crystal grain size of the Cu plating film is 0.01 μm to 5.00 μm. The surface roughness of the Cu plating film is in the range of Ra of 60 nm or more and 90 nm or less by optical interference type surface roughness measurement.
In a Cu plating film having a crystal grain size in the range of 0.01 μm or more and 5.00 μm or less, if the thickness of the Cu plating film is smaller than 0.5 μm, the surface is affected by the surface roughness of the lead frame substrate. It is difficult to process the roughness Ra within a range of 90 nm or less. Further, if the thickness of the Cu plating film is larger than 3.0 μm, it is difficult to process the surface roughness Ra within the range of 60 nm or more, and the processing time becomes longer, which affects the manufacturing cost. .
（Ａｇめっき皮膜）
上述に記載の膜厚・結晶粒径・表面粗さを一定の範囲内に収めたＣｕめっき皮膜を形成することにより、膜厚・結晶粒径・表面粗さを一定の範囲内（前記Ａｇめっき皮膜の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内にあり、前記Ａｇめっき皮膜の結晶粒径は、０．１μｍ以上２０．０μｍ以下の範囲内にあり、前記Ａｇめっき皮膜の表面粗さは、光干渉式表面粗さ測定によるＲａが４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲内にあること）に収めたＡｇめっき皮膜を好適に形成できる。
上述に記載の膜厚・結晶粒径・表面粗さを一定の範囲内に収めたＣｕめっき皮膜上に形成した、結晶粒径が０．１μｍ以上２０．０μｍ以下の範囲内にあるＡｇめっき皮膜において、Ａｇめっき皮膜の厚みが、１μｍより小さいと、表面粗さＲａを６０ｎｍ以下の範囲内に加工をすることが困難である。また、Ａｇめっき皮膜の厚みが、５．０μｍより大きいと、表面粗さＲａを４０ｎｍ以上の範囲内に加工をすることが困難であり、処理時間も長くなり、製造コストに影響を与えてしまう。
(Ag plating film)
By forming a Cu plating film in which the film thickness, crystal grain size, and surface roughness described above are contained within a certain range, the film thickness, crystal grain size, and surface roughness are within a certain range (the above Ag plating) The thickness of the film is in the range of 1.0 μm or more and 5.0 μm or less, the crystal grain size of the Ag plating film is in the range of 0.1 μm or more and 20.0 μm or less, and the surface roughness of the Ag plating film is In this case, it is possible to suitably form an Ag plating film in which Ra by optical interference type surface roughness measurement is in the range of 40 nm to 60 nm.
An Ag plating film having a crystal grain size in the range of 0.1 μm or more and 20.0 μm or less formed on the Cu plating film having the film thickness, crystal grain size, and surface roughness described above within a certain range. When the thickness of the Ag plating film is less than 1 μm, it is difficult to process the surface roughness Ra within the range of 60 nm or less. Further, if the thickness of the Ag plating film is larger than 5.0 μm, it is difficult to process the surface roughness Ra within the range of 40 nm or more, the processing time becomes long, and the manufacturing cost is affected. .
上述に記載の膜厚・結晶粒径・表面粗さを一定の範囲内に収めたＣｕめっき皮膜の上層に、上述に記載の膜厚・結晶粒径・表面粗さを一定の範囲内に収めたＡｇめっき皮膜を形成することにより、めっき皮膜は、可視光領域での反射率が９２％以上であり、光沢度１．４ＧＡＭ以上を有することが可能となる。つまり、従来不可能とされていた、めっき工程のみで高い反射率および光沢度を兼ね備えるめっき皮膜を形成することが可能となる。 The above-mentioned film thickness, crystal grain size, and surface roughness are kept within a certain range on the upper layer of the Cu plating film in which the above-mentioned film thickness, crystal grain size, and surface roughness are contained within a certain range. By forming the Ag plating film, the plating film has a reflectance in the visible light region of 92% or more and can have a glossiness of 1.4 GAM or more. That is, it is possible to form a plating film having high reflectance and glossiness only by a plating process, which has been impossible in the past.
図１に、本発明の発光素子リードフレーム基板におけるめっき皮膜の一例について、構成を概略断面図で示す。図１では、リードフレーム２の表裏の両面に２層のめっき皮膜が形成されており、リードフレーム２の表面側にＣｕめっき皮膜３、Ｃｕめっき皮膜３の上層にＡｇめっき皮膜４が形成されている。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of an example of a plating film on a light-emitting element lead frame substrate of the present invention. In FIG. 1, two layers of plating films are formed on both the front and back surfaces of the lead frame 2, a Cu plating film 3 is formed on the surface side of the lead frame 2, and an Ag plating film 4 is formed on the upper layer of the Cu plating film 3. Yes.
本発明の発光素子リードフレーム基板は、パッド部にＬＥＤ素子を配置し、該ＬＥＤ素子をボンティングワイヤーで電気的に接続し、封止樹脂を充填することにより、ＬＥＤ素子を実装する。 The LED element is mounted on the light emitting element lead frame substrate of the present invention by arranging the LED element on the pad portion, electrically connecting the LED element with a bonding wire, and filling a sealing resin.
ＬＥＤ素子は、用途に応じて適宜公知のＬＥＤ素子を選択して用いてよい。例えば、ＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として形成したものを用いてよい。また、発光ピーク波長が、（１）３６０ｎｍから５２０ｎｍ、（２）３５０ｎｍから８００ｎｍ、（３）４２０ｎｍから４８０ｎｍ、などを示すＬＥＤ素子を用いてよい。特に、本発明の発光素子リードフレーム基板は、可視光の短波長領域であっても高い反射率を示すことから、４２０ｎｍから４８０ｎｍの可視光の短波長領域に発光ピーク波長を有するＬＥＤ素子を好適に用いることが出来る。 As the LED element, a known LED element may be appropriately selected and used according to the application. For example, a semiconductor in which a semiconductor such as GaAlN, ZnS, SnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlN, InN, AlInGaP, InGaN, GaN, or AlInGaN is formed as a light emitting layer may be used. Alternatively, an LED element having an emission peak wavelength of (1) 360 nm to 520 nm, (2) 350 nm to 800 nm, (3) 420 nm to 480 nm, or the like may be used. In particular, since the light-emitting element lead frame substrate of the present invention exhibits high reflectance even in the short wavelength region of visible light, an LED element having a light emission peak wavelength in the short wavelength region of visible light from 420 nm to 480 nm is suitable. Can be used.
また、ＬＥＤ素子をパッド部に配置するにあたり、ＬＥＤ素子の配置部位に接着ペーストを塗布してもよい。ここで接着ペーストとして、具体的には、例えば、Ａｕ−Ｓｎ合金等を用いた共晶接合ペースト、シリコンペースト、銀ペースト、樹脂ペースト、などを用いてよい。 Further, when the LED element is arranged on the pad portion, an adhesive paste may be applied to the arrangement part of the LED element. Here, specifically, for example, a eutectic bonding paste using an Au—Sn alloy or the like, a silicon paste, a silver paste, a resin paste, or the like may be used as the adhesive paste.
ボンディングワイヤーは、ＬＥＤ素子とパッド部および電気的接続エリアとの電気的接続を行うためにワイヤボンディングにより形成される。ボンディングワイヤーの材料は、用途に応じて適宜公知の材料から選択して用いてよい。例えば、金、銀、銅、金合金、銀合金、などを用いてよい。 The bonding wire is formed by wire bonding in order to electrically connect the LED element to the pad portion and the electrical connection area. The material of the bonding wire may be appropriately selected from known materials according to the use. For example, gold, silver, copper, a gold alloy, a silver alloy, or the like may be used.
封止樹脂は、ＬＥＤ素子を保護するため、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた硬質である樹脂を用いることが好ましい。このため、熱硬化性樹脂を好適に用いることが出来る。ここで、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、などを用いてよい。 In order to protect the LED element, the sealing resin is preferably a hard resin having excellent heat resistance, weather resistance, and light resistance. For this reason, a thermosetting resin can be used suitably. Here, as the thermosetting resin, an epoxy resin, a modified epoxy resin, a silicone resin, a modified silicone resin, an acrylate resin, a urethane resin, or the like may be used.
また、封止樹脂には、所定の機能を持たせるため、フィラー、光拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質からなる群から選択される少なくとも１種以上を混合してもよい。 In order to give the sealing resin a predetermined function, at least one selected from the group consisting of a filler, a light diffusing agent, a pigment, a fluorescent substance, and a reflective substance may be mixed.
封止樹脂に含有させる拡散剤としては、例えば、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素、などを用いてよい。 As the diffusing agent contained in the sealing resin, for example, barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide, silicon oxide, or the like may be used.
封止樹脂に含有させる顔料としては、例えば、有機や無機の着色染料や着色顔料、などを用いてよい。顔料を混合することにより、所望外の波長をカットすることが出来る。 As the pigment to be contained in the sealing resin, for example, organic or inorganic coloring dyes or coloring pigments may be used. By mixing the pigment, an undesired wavelength can be cut.
封止樹脂に含有させる蛍光物質としては、例えば、（１）Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体・サイアロン系蛍光体、（２）Ｅｕ等のランタノイド系蛍光体、（３）Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、（４）アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、（５）アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、（６）アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、（７）Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩、（８）希土類ケイ酸塩又はＥｕ等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体、などを用いてよい。ここで、蛍光物質は、用途に応じて複数の蛍光体を適宜組み合わせて使用して用いてよい。蛍光物質を含有することにより、ＬＥＤ素子からの光を吸収し、異なる波長の光に波長変換することが出来る。 Examples of the fluorescent substance to be included in the sealing resin include (1) nitride phosphors / oxynitride phosphors / sialon phosphors mainly activated by lanthanoid elements such as Eu and Ce, (2 ) A lanthanoid phosphor such as Eu, (3) an alkaline earth halogen apatite phosphor mainly activated by a transition metal element such as Mn, (4) an alkaline earth metal borate phosphor, (5) ) Alkaline earth metal aluminate phosphor, (6) Alkaline earth silicate, Alkaline earth sulfide, Alkaline earth thiogallate, Alkaline earth silicon nitride, Germanate, (7) Lanthanoids such as Ce Rare earth aluminates mainly activated by elements, (8) organic and organic complexes mainly activated by lanthanoid elements such as rare earth silicates or Eu may be used. Here, the fluorescent substance may be used by appropriately combining a plurality of phosphors depending on the application. By containing the fluorescent substance, it is possible to absorb light from the LED element and convert the light into light having a different wavelength.
図２に、ＬＥＤ素子を実装した本発明の発光素子リードフレーム基板の一例について概略上面図を示す。図２に示す、本発明の発光素子リードフレーム基板１は、リードフレーム２が絶縁性樹脂５に覆われた構造である。リードフレーム２は、ＬＥＤ素子６を配置するパッド部７と、ＬＥＤ素子６と電気的接続を行うための電気的接続エリア８と、を備え、パッド部７と電気的接続エリア８とは絶縁性樹脂５により絶縁されている。また、パッド部７および電気的接続エリア８の周囲にある絶縁性樹脂５は開口しており開口の側面部がリフレクタ部９となる。パッド部７に配置されたＬＥＤ素子６はボンディングワイヤー１０を介して、パッド部７と電気的接続エリア８とにそれぞれ結線されている。図２では、リフレクタ部９の上面形状は円形形状であり、かつ、下面から上面に向けて大径となるすり鉢状の形状であるため、上面からリフレクタ部９となる開口の側面が観察できる。 FIG. 2 shows a schematic top view of an example of the light-emitting element lead frame substrate of the present invention on which LED elements are mounted. The light emitting element lead frame substrate 1 of the present invention shown in FIG. 2 has a structure in which the lead frame 2 is covered with an insulating resin 5. The lead frame 2 includes a pad portion 7 on which the LED element 6 is disposed and an electrical connection area 8 for electrical connection with the LED element 6. The pad portion 7 and the electrical connection area 8 are insulative. Insulated by the resin 5. Further, the insulating resin 5 around the pad portion 7 and the electrical connection area 8 is opened, and the side surface portion of the opening becomes the reflector portion 9. The LED elements 6 arranged in the pad portion 7 are connected to the pad portion 7 and the electrical connection area 8 via bonding wires 10. In FIG. 2, the upper surface shape of the reflector portion 9 is a circular shape and is a mortar shape having a large diameter from the lower surface toward the upper surface, so that the side surface of the opening that becomes the reflector portion 9 can be observed from the upper surface.
図３に、図２に示す本発明の発光素子リードフレーム基板のＸ−Ｘ線における断面概略図を示す。図３では、ＬＥＤ素子６がパッド部７に配置され、該パッド部７を囲むようにリフレクタ部９が設けられている。リフレクタ部９に囲まれた部位には封止樹脂１１が充填され、ＬＥＤ素子５を封入固定している。リードフレームにおいてパッド部７の裏面部位はパッド電極１２となっており裏面からＬＥＤ素子６と電気的接続を行うことが出来る。 FIG. 3 is a schematic sectional view taken along line XX of the light-emitting element lead frame substrate of the present invention shown in FIG. In FIG. 3, the LED element 6 is disposed on the pad portion 7, and a reflector portion 9 is provided so as to surround the pad portion 7. A portion surrounded by the reflector portion 9 is filled with a sealing resin 11, and the LED element 5 is sealed and fixed. In the lead frame, the back surface portion of the pad portion 7 is a pad electrode 12 and can be electrically connected to the LED element 6 from the back surface.
図４に、図２に示す本発明の発光素子リードフレーム基板のＸ−Ｙ線における断面概略図を示す。図４では、ＬＥＤ素子６がパッド部７に配置され、該パッド部７を囲むようにリフレクタ部９が設けられている。リフレクタ部９に囲まれた部位には封止樹脂１１が充填され、ＬＥＤ素子５を封入固定している。リードフレーム２においてパッド部７の裏面部位はパッド電極１２となっており裏面からＬＥＤ素子６と電気的接続を行うことが出来る。リードフレーム２において電気的接続エリア８の裏面部位はリード電極１３となっており裏面からＬＥＤ素子６と電気的接続を行うことが出来る。パッド部７と電気的接続エリア８の間には絶縁性樹脂５が充填されている。ＬＥＤ素子６はボンディングワイヤー１０を介して、パッド部７および電気的接続エリア８に結線している。 FIG. 4 is a schematic sectional view taken along line XY of the light emitting element lead frame substrate of the present invention shown in FIG. In FIG. 4, the LED element 6 is disposed on the pad portion 7, and a reflector portion 9 is provided so as to surround the pad portion 7. A portion surrounded by the reflector portion 9 is filled with a sealing resin 11, and the LED element 5 is sealed and fixed. In the lead frame 2, the back surface portion of the pad portion 7 is a pad electrode 12 and can be electrically connected to the LED element 6 from the back surface. In the lead frame 2, the back surface portion of the electrical connection area 8 is a lead electrode 13, and the LED element 6 can be electrically connected from the back surface. An insulating resin 5 is filled between the pad portion 7 and the electrical connection area 8. The LED element 6 is connected to the pad portion 7 and the electrical connection area 8 via the bonding wire 10.
図５に、図２に示す本発明の発光素子リードフレーム基板の裏面について概略図を示す。図５では、パッド電極１２およびリード電極１３は、絶縁性樹脂５に囲われている。また、パッド電極１２およびリード電極１３は露出しており、裏面側から実装したＬＥＤ素子と導通をとることが出来る。 FIG. 5 is a schematic view showing the back surface of the light-emitting element lead frame substrate of the present invention shown in FIG. In FIG. 5, the pad electrode 12 and the lead electrode 13 are surrounded by the insulating resin 5. Further, the pad electrode 12 and the lead electrode 13 are exposed and can be electrically connected to the LED element mounted from the back side.
また、本発明の発光素子リードフレーム基板は、パッド部を複数設けた、多面付けされた発光素子リードフレーム基板であってもよい。多面付けされた発光素子リードフレーム基板は、機械加工（ダイシングなど）で個別に個片化させることで、安価かつ大量にＬＥＤの製造を行うことが出来る。ここで、個片化は、リードフレームに絶縁性樹脂を成型した後であればよく、封止工程前に行っても、封止工程後に行ってもよいが、封止工程後に行うことが生産性の観点からみて好ましい。 In addition, the light emitting element lead frame substrate of the present invention may be a light emitting element lead frame substrate having a plurality of pads and having a plurality of pads. The light-emitting element lead frame substrates with multiple faces can be individually manufactured by machining (dicing or the like), so that LEDs can be manufactured in large quantities at low cost. Here, the singulation may be performed after the insulating resin is molded on the lead frame, and may be performed before or after the sealing process, but may be performed after the sealing process. From the viewpoint of sex.
図６に、多面付けされた本発明の発光素子リードフレーム基板１の一例を示す。図６に示す発光素子リードフレーム基板１では、パッド部７が複数設けられており、一度に多数のＬＥＤ素子を実装可能であり、省工程で大量にＬＥＤを製造することが出来る。 FIG. 6 shows an example of the light-emitting element lead frame substrate 1 of the present invention that is multifaceted. In the light-emitting element lead frame substrate 1 shown in FIG. 6, a plurality of pad portions 7 are provided, and a large number of LED elements can be mounted at a time, and a large number of LEDs can be manufactured in a small number of processes.
以下、本発明の発光素子リードフレーム基板の製造方法について、工程ごとに説明を行う。なお、本発明の発光素子リードフレーム基板は、下記製造方法にて製造された発光素子リードフレーム基板に限定されるものではない。 Hereinafter, the manufacturing method of the light emitting element lead frame substrate of the present invention will be described for each step. The light emitting element lead frame substrate of the present invention is not limited to the light emitting element lead frame substrate manufactured by the following manufacturing method.
また、本発明の発光素子リードフレーム基板の製造にあたり、＜めっき工程＞は、＜絶縁性樹脂成型工程＞の後に行ってもよいし、先に行ってもよい。具体的に例を挙げると、＜絶縁性樹脂成型工程＞の後に＜めっき工程＞を行う、後めっき工程の場合、リードフレーム形成工程／絶縁性樹脂成型工程／バリ取り工程／めっき工程、の順で行ってよい。＜絶縁性樹脂成型工程＞の前に＜めっき工程＞を行う、先めっき工程の場合、リードフレーム形成工程／めっき工程／絶縁性樹脂成型工程／バリ取り工程、の順で行ってよい。 In the production of the light emitting element lead frame substrate of the present invention, the <plating step> may be performed after the <insulating resin molding step> or may be performed first. Specifically, in the case of the post-plating process, the <plating process> is performed after the <insulating resin molding process>. In the case of the post-plating process, the order of lead frame forming process / insulating resin molding process / deburring process / plating process. You can go on. In the case of a pre-plating step in which the <plating step> is performed before the <insulating resin molding step>, the lead frame forming step / plating step / insulating resin molding step / deburring step may be performed in this order.
＜リードフレーム形成工程＞
リードフレーム基体に、加工を行い、所望の形状・寸法のリードフレームを得る。加工方法は、リードフレーム基体に選択した材料／所望の形状・寸法／加工難易度、に応じて適宜公知の加工方法から選択して用いてよい。例えば、エッチング方法、プレス方法、などを用いてよい。エッチング方法を選択した場合、エッチャントとして、塩化第二鉄、塩化第二銅、などを用いてよい。
<Lead frame formation process>
The lead frame substrate is processed to obtain a lead frame having a desired shape and size. The processing method may be appropriately selected from known processing methods according to the material selected for the lead frame substrate / desired shape / dimension / processing difficulty. For example, an etching method, a pressing method, or the like may be used. When an etching method is selected, ferric chloride, cupric chloride, or the like may be used as an etchant.
＜絶縁性樹脂成型工程＞
リードフレームに絶縁性樹脂を一体成形する。絶縁性樹脂の成形方法は金型を用いた充填方法が好ましい。用いた金型の形状によりリフレクタ部を同時に成型することが出来る。充填方法として、例えば、トランスファーモールド方法、コンプレッションモールド方法、インジェクションモールド方法、などを用いてよい。
<Insulating resin molding process>
An insulating resin is integrally formed on the lead frame. The molding method of the insulating resin is preferably a filling method using a mold. The reflector part can be molded at the same time depending on the shape of the mold used. As a filling method, for example, a transfer molding method, a compression molding method, an injection molding method, or the like may be used.
図７に、トランスファーモールド方法を用いた＜絶縁性樹脂成型工程＞の一例を示す。トランスファーモールド方法では、金型内部にリードフレームを配置し、金型を型締めし、金型に絶縁性樹脂を充填し、冷却し、型空けし、リフレクタ部とリードフレームが一体成型された発光素子リードフレーム基板を得る。図７に示す例では、金型２０は上金型２１と下金型２３からなる２枚構成の金型である。下金型２２にリードフレームを設置後、上金型２１を下金型２２と型締めし、金型２０内部の凹部２３にリードフレームを配置する。凹部２３にリードフレーム配置後、注入口２４から加熱溶融した絶縁性樹脂５を凹部に充填し、充填し、冷却し、型空けすることにより、絶縁性樹脂の成型を実施することが出来る。 FIG. 7 shows an example of <insulating resin molding step> using the transfer molding method. In the transfer molding method, a lead frame is placed inside the mold, the mold is clamped, the mold is filled with an insulating resin, cooled, and the mold is evacuated, and the reflector and the lead frame are integrally molded. An element lead frame substrate is obtained. In the example shown in FIG. 7, the mold 20 is a two-piece mold including an upper mold 21 and a lower mold 23. After installing the lead frame on the lower mold 22, the upper mold 21 is clamped with the lower mold 22, and the lead frame is placed in the recess 23 inside the mold 20. After the lead frame is disposed in the recess 23, the insulating resin 5 heated and melted from the injection port 24 is filled into the recess, filled, cooled, and mold-released, whereby the insulating resin can be molded.
＜バリ取り工程＞
絶縁性樹脂成型工程にて、リードフレームが絶縁性樹脂と一体成形されると、パッド部および電気的接続エリアに樹脂バリが形成される。樹脂バリは、（１）先めっき工程の場合、ワイヤボンディングの接続不良、（２）後めっき工程の場合、めっき皮膜の未着、残渣による影響によりめっきの表面粗さＲａの増大、などの原因となる。このため、樹脂バリの除去を行う。
<Deburring process>
When the lead frame is integrally formed with the insulating resin in the insulating resin molding step, a resin burr is formed in the pad portion and the electrical connection area. Resin burrs are caused by (1) poor bonding of wire bonding in the case of the pre-plating process, (2) non-deposition of the plating film, and increase in the surface roughness Ra of the plating due to the influence of residues in the post-plating process. It becomes. For this reason, the resin burr is removed.
バリ取りに用いる樹脂除去方法は、選択した絶縁性樹脂に応じて、適宜公知の方法から選択して用いてよい。例えば、アルカリ電解法、ウォータージェット法、などを用いてよい。また、複数の樹脂除去方法を組み合わせて行ってもよい。 The resin removal method used for deburring may be appropriately selected from known methods according to the selected insulating resin. For example, an alkaline electrolysis method, a water jet method, or the like may be used. Moreover, you may carry out combining the some resin removal method.
＜めっき工程＞
リードフレームに、電解めっき法にてＣｕめっき皮膜を形成する。Ｃｕめっき皮膜の形成にあたりＣｕめっき浴として、シアン化銅浴、硫酸銅浴、ピロリン酸銅浴、等を用いてよい。また、Ｃｕめっき浴には添加剤を添加してもよい。Ｃｕめっき浴に加える添加剤として、具体的には、例えば、ロッセル塩（ＮａＫＣ４Ｈ４Ｏ４）、亜セレン酸ナトリウム、チオシアン酸カリウム、酢酸鉛、ロダンカリ、キサントゲン酸塩、チオ硫酸塩、ポリエチルグリコール、ノニオン系界面活性剤、染料（ベイシックバイオレット、セトフラビンＴ等の有機化合物）、などが挙げられる。また、添加剤は複数種を適宜組み合わせて用いてもよい。当業者であれば、添加剤の組み合わせ、めっき時間、電流密度、などの条件適宜試行することにより、「前記Ｃｕめっき皮膜の厚みは、０．５μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内にあり、 前記Ｃｕめっき皮膜の結晶粒径は、０．０１μｍ以上５．００μｍ以下の範囲内にあり、前記Ｃｕめっき皮膜の表面粗さは、光干渉式表面粗さ測定によるＲａが６０ｎｍ以上９０ｎｍ以下の範囲内にあること」を満たすＣｕめっき皮膜を形成することが出来る。
<Plating process>
A Cu plating film is formed on the lead frame by electrolytic plating. In forming the Cu plating film, a copper cyanide bath, a copper sulfate bath, a copper pyrophosphate bath, or the like may be used as a Cu plating bath. Moreover, you may add an additive to Cu plating bath. Specific examples of additives that can be added to the Cu plating bath include, for example, Rossel salt (NaKC 4 H 4 O 4 ), sodium selenite, potassium thiocyanate, lead acetate, rhodium potassium, xanthate, thiosulfate, poly And ethyl glycol, nonionic surfactants, dyes (basic violet, organic compounds such as cetoflavin T), and the like. Moreover, you may use an additive combining multiple types suitably. If it is those skilled in the art, by suitably trying conditions, such as a combination of an additive, plating time, and current density, “the thickness of the Cu plating film is in the range of 0.5 μm to 3.0 μm, The crystal grain size of the Cu plating film is in the range of 0.01 μm or more and 5.00 μm or less, and the surface roughness of the Cu plating film is in the range of Ra of 60 nm or more and 90 nm or less by optical interference type surface roughness measurement. It is possible to form a Cu plating film that satisfies the “
また、リードフレームにＣｕめっき皮膜を形成するにあたり、リードフレームに、電解脱脂、酸処理、化学研磨、などの処理を行ってもよい。また、複数の処理方法を適宜組み合わせて実施してよい。 In forming the Cu plating film on the lead frame, the lead frame may be subjected to treatments such as electrolytic degreasing, acid treatment, and chemical polishing. In addition, a plurality of processing methods may be combined as appropriate.
次に、Ｃｕめっき皮膜上に、電解めっき法にてＡｇめっき皮膜を形成する。Ａｇめっき皮膜の形成にあたりＡｇめっき浴として、シアン化銀浴、等を用いてよい。また、Ａｇめっき浴には添加剤を添加してもよい。Ａｇめっき浴に加える添加剤として、具体的には、例えば、二酸化セレン、セレンシアン酸カリウム、硫酸タリウム、ギ酸タリウム、酒石酸アンチモニルカリウム、などが挙げられる。また、添加剤は複数種を適宜組み合わせて用いてもよい。当業者であれば、添加剤の組み合わせ、めっき時間、電流密度、などの条件適宜試行することにより、上述に記載のＣｕめっき皮膜の上層であれば、「前記Ａｇめっき皮膜の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内にあり、前記Ａｇめっき皮膜の結晶粒径は、０．１μｍ以上２０．０μｍ以下の範囲内にあり、前記Ａｇめっき皮膜の表面粗さは、光干渉式表面粗さ測定によるＲａが４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲内にあること」を満たすＡｇめっき皮膜を形成することが出来る。 Next, an Ag plating film is formed on the Cu plating film by an electrolytic plating method. In forming the Ag plating film, a silver cyanide bath or the like may be used as the Ag plating bath. An additive may be added to the Ag plating bath. Specific examples of additives to be added to the Ag plating bath include selenium dioxide, potassium selenocyanate, thallium sulfate, thallium formate, and antimonyl potassium tartrate. Moreover, you may use an additive combining multiple types suitably. If it is an expert, if it is an upper layer of the above-mentioned Cu plating film by trying suitably conditions, such as a combination of an additive, plating time, and current density, "The thickness of the said Ag plating film is 1 .. It is in the range of 0 μm or more and 5.0 μm or less, the crystal grain size of the Ag plating film is in the range of 0.1 μm or more and 20.0 μm or less, and the surface roughness of the Ag plating film is an optical interference surface. An Ag plating film satisfying that “Ra by roughness measurement is in a range of 40 nm or more and 60 nm or less” can be formed.
また、Ｃｕめっき皮膜上に、Ａｇめっき皮膜を形成するにあたり、Ｃｕめっき皮膜上にストライクめっき層を形成してもよい。ストライクめっき層の、種類、厚み、加工条件、などは、Ａｇめっき皮膜の結晶粒径・表面粗さに影響のない範囲で、適宜設定してよい。例えば、ストライクめっき層として、Ａｕストライクめっき層、Ａｇストライクめっき層、Ｃｕストライクめっき層、などを形成してよい。 In forming the Ag plating film on the Cu plating film, a strike plating layer may be formed on the Cu plating film. The type, thickness, processing conditions, and the like of the strike plating layer may be appropriately set within a range that does not affect the crystal grain size and surface roughness of the Ag plating film. For example, an Au strike plating layer, an Ag strike plating layer, a Cu strike plating layer, or the like may be formed as the strike plating layer.
＜実施例１〜実施例１５＞
実施例として、電気めっきを用いてリードフレームにめっき皮膜を形成し、本発明の発光素子用リードフレーム基板を製作した。また、使用したリードフレーム基体の種類、めっき皮膜の厚み、などの条件を変えて、複数製造した。実施例１〜実施例１５のめっき構成を表１に示す。なお、実施例１〜実施例１５にて製造された発光素子リードフレーム基板は、「前記Ｃｕめっき皮膜の厚みは、０．５μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内にあり、前記Ｃｕめっき皮膜の結晶粒径は、０．０１μｍ以上５．００μｍ以下の範囲内にあり、前記Ｃｕめっき皮膜の表面粗さは、光干渉式表面粗さ測定によるＲａが６０ｎｍ以上９０ｎｍ以下の範囲内にあること」を満たす範囲にある。また、表１に記載した実施例の製造条件について説明を以下に示す。
<Example 1 to Example 15>
As an example, a plating film was formed on a lead frame using electroplating, and a lead frame substrate for a light emitting device of the present invention was manufactured. Further, a plurality of products were manufactured by changing conditions such as the type of the lead frame substrate used and the thickness of the plating film. The plating configurations of Examples 1 to 15 are shown in Table 1. In addition, the light emitting element lead frame substrate manufactured in Example 1 to Example 15 is “the thickness of the Cu plating film is in the range of 0.5 μm or more and 3.0 μm or less, and the crystal of the Cu plating film is The particle size is in the range of 0.01 μm or more and 5.00 μm or less, and the surface roughness of the Cu plating film is Ra in the range of 60 nm or more and 90 nm or less by the optical interference surface roughness measurement ”. It is in the range to satisfy. Further, the production conditions of the examples described in Table 1 are described below.
（リードフレーム基体）
銅系基材：ＨＣＬ−１９４ 日立金属株式会社製
鉄系基材：ＹＥＦ４２Ｗ 日立金属株式会社製
（ＹＥＦ４２Ｗは、ニッケルを４２質量％含有し、残部が鉄と不可避不純物からなる合金である。表１では「４２アロイ」として記載する。）
(Lead frame base)
Copper base material: HCL-194 Iron base material manufactured by Hitachi Metals, Ltd .: YEF42W manufactured by Hitachi Metals, Ltd. (YEF42W is an alloy containing 42% by mass of nickel with the balance being iron and inevitable impurities. (Described as “42 alloy”.)
（前処理条件）
［陰極電解脱脂］
脱脂液：ＮａＯＨ５０ｇ／Ｌ
脱脂条件：３．０Ａ／ｄｍ２
温度：５５°Ｃ
処理時間：９０秒
［酸処理］
酸処理液：２０％硫酸
温度：４０°Ｃ
処理時間：３０秒
［Ａｇストライクめっき］
めっき液：ＫＡｇ（ＣＮ）２５ｇ／Ｌ
ＫＣＮ濃度：１００ｇ／Ｌ
処理条件：２．０Ａ／ｄｍ２
温度：２５°Ｃ
めっき時間：１５秒
(Pretreatment conditions)
[Cathode electrolytic degreasing]
Degreasing solution: NaOH 50 g / L
Degreasing conditions: 3.0 A / dm 2
Temperature: 55 ° C
Treatment time: 90 seconds [acid treatment]
Acid treatment solution: 20% sulfuric acid Temperature: 40 ° C
Processing time: 30 seconds [Ag strike plating]
Plating solution: KAg (CN) 25 g / L
KCN concentration: 100 g / L
Processing conditions: 2.0 A / dm 2
Temperature: 25 ° C
Plating time: 15 seconds
（めっき処理）
［硫酸銅浴１］
めっき液：ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ６０ｇ／Ｌ、Ｈ２ＳＯ４ ７０ｇ／Ｌ、 ＨＣＬイオン濃度 ４５ｇ／Ｌ
添加剤：一次添加剤 ０．５ｃｃ／Ｌ、二次添加剤 ０．４ｃｃ／Ｌ
処理条件：５．５Ａ／ｄｍ２
温度：２０°Ｃ
［シアン化銅浴１］
めっき液：Ｃｕ（ＣＮ）２ ２０ｇ／Ｌ
ＫＣＮ濃度：２０ｇ／Ｌ
添加剤：一次添加剤 ７５ｃｃ／Ｌ、二次添加剤 １０．５ｃｃ／Ｌ、三次添加剤 ７．５ｃｃ／Ｌ
処理条件：３．０Ａ／ｄｍ２
温度：５０°Ｃ
［Ａｇめっき浴］
めっき液：ＡｇＣＮ ３０ｇ／Ｌ、Ｋ２ＣＯ３：３０ｇ／Ｌ
ＫＣＮ濃度：１２０ｇ／Ｌ
添加剤：一次添加剤 ６ｃｃ／Ｌ
(Plating treatment)
[Copper sulfate bath 1]
Plating solution: CuSO 4 · 5H 2 O 60g / L, H 2 SO 4 70g / L, HCL ion concentration 45 g / L
Additive: Primary additive 0.5 cc / L, Secondary additive 0.4 cc / L
Processing conditions: 5.5 A / dm 2
Temperature: 20 ° C
[Copper cyanide bath 1]
Plating solution: Cu (CN) 2 20 g / L
KCN concentration: 20 g / L
Additives: primary additive 75cc / L, secondary additive 10.5cc / L, tertiary additive 7.5cc / L
Processing conditions: 3.0 A / dm 2
Temperature: 50 ° C
[Ag plating bath]
Plating solution: AgCN 30 g / L, K 2 CO 3 : 30 g / L
KCN concentration: 120 g / L
Additive: Primary additive 6cc / L
＜参考例１〜参考例８＞
実施例１〜実施例１５と同様に、発光素子リードフレーム基板を製造した。ただし、Ｃｕめっき皮膜の厚みを、０．５μｍ以上３．０μｍ以下の範囲から外れるものとした。表１に参考例１〜参考例７のめっき構成を示す。
<Reference Examples 1 to 8>
A light emitting element lead frame substrate was manufactured in the same manner as in Examples 1 to 15. However, the thickness of the Cu plating film deviated from the range of 0.5 μm or more and 3.0 μm or less. Table 1 shows the plating configurations of Reference Examples 1 to 7.
＜参考例９〜参考例１０＞
実施例１〜実施例１５と同様に、発光素子リードフレーム基板を製造した。ただし、Ｃｕめっき浴にかえてスルファミン酸Ｎｉ浴を用いて、Ｎｉめっき皮膜を形成した。以下に、用いたＮｉめっき浴の条件を示す。また、表１に参考例９〜参考例１０のめっき構成を示す。
<Reference Example 9 to Reference Example 10>
A light emitting element lead frame substrate was manufactured in the same manner as in Examples 1 to 15. However, a Ni plating film was formed using a sulfamic acid Ni bath instead of the Cu plating bath. The conditions of the Ni plating bath used are shown below. Table 1 shows the plating configurations of Reference Examples 9 to 10.
［スルファミン酸Ｎｉ浴］
めっき液：Ｎｉ（ＳＯ３ＮＨ２）２・４Ｈ２Ｏ ４５０ｇ／Ｌ、ＮｉＣｌ２ １０ｇ／Ｌ、Ｈ３ＢＯ３ ３０ｇ／Ｌ
添加剤：一次添加剤 １０ｃｃ／Ｌ、二次添加剤 ５ｃｃ／Ｌ
処理条件：電流密度 ５Ａ／ｄｍ２、
温度：５０°Ｃ
[Nitrosulfuric acid bath]
Plating solution: Ni (SO 3 NH 2 ) 2 · 4H 2 O 450 g / L, NiCl 2 10 g / L, H 3 BO 3 30 g / L
Additive: Primary additive 10cc / L, Secondary additive 5cc / L
Processing conditions: current density 5 A / dm 2 ,
Temperature: 50 ° C
＜従来例１〜従来例４＞
実施例１〜実施例１５と同様に、発光素子リードフレーム基板を製造した。ただし、Ｃｕめっき浴に添加剤を添加せず、表面粗さを制御せずにＣｕめっき皮膜を形成した。以下に、用いたＣｕめっき浴の条件を示す。なお、従来例１〜従来例４で形成されたＣｕめっき皮膜の光干渉式表面粗さ測定によるＲａは９０ｎｍより大きい範囲であった。表１に従来例１〜従来例４のめっき構成を示す。
<Conventional Example 1 to Conventional Example 4>
A light emitting element lead frame substrate was manufactured in the same manner as in Examples 1 to 15. However, the Cu plating film was formed without adding an additive to the Cu plating bath and without controlling the surface roughness. The conditions of the Cu plating bath used are shown below. In addition, Ra by the optical interference type surface roughness measurement of the Cu plating film formed in the conventional examples 1 to 4 was in a range larger than 90 nm. Table 1 shows the plating configurations of Conventional Example 1 to Conventional Example 4.
［硫酸銅浴２］
めっき液：ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ６０ｇ／Ｌ、 Ｈ２ＳＯ２４ ７０ｇ／Ｌ、ＨＣＬイオン濃度 ４５ｇ／Ｌ
処理条件：５．５Ａ／ｄｍ２
温度：２０°Ｃ
［シアン化銅浴２］
めっき液：Ｃｕ（ＣＮ）２ ２０ｇ／Ｌ
ＫＣＮ濃度：２０ｇ／Ｌ
処理条件：３．０Ａ／ｄｍ２
温度：５０°Ｃ
[Copper sulfate bath 2]
Plating solution: CuSO 4 · 5H 2 O 60g / L, H 2 SO 24 70g / L, HCL ion concentration 45 g / L
Processing conditions: 5.5 A / dm 2
Temperature: 20 ° C
[Copper cyanide bath 2]
Plating solution: Cu (CN) 2 20 g / L
KCN concentration: 20 g / L
Processing conditions: 3.0 A / dm 2
Temperature: 50 ° C
＜評価＞
実施例１〜実施例１５、参考例１〜参考例８、従来例１〜従来例４、にて製造された発光素子リードフレーム基板の評価測定を行った。評価項目、測定条件を以下に示す。また、評価結果を表２にまとめて示す。
<Evaluation>
Evaluation evaluation of the light emitting element lead frame substrates manufactured in Examples 1 to 15, Reference Examples 1 to 8, and Conventional Examples 1 to 4 was performed. Evaluation items and measurement conditions are shown below. The evaluation results are summarized in Table 2.
（めっき表面粗さＲａ）
測定方式：光干渉式表面粗さ測定
装置：ＷＹＫＯ社製 ＮＴ３３００
測定範囲：９０×１０８μｍ
(Plating surface roughness Ra)
Measurement method: optical interference type surface roughness measurement Device: NT3300 manufactured by WYKO
Measurement range: 90 × 108μm
（結晶粒径観察）
装置：日立製 ＳＥＭ−ＥＤＸ Ｓ−４８００
ＳＥＭにて表面観察を行い、結晶粒径を測定。
(Crystal grain size observation)
Apparatus: Hitachi SEM-EDX S-4800
Observe the surface with SEM and measure the crystal grain size.
（反射率測定）
装置：日立製 分光光度計 Ｕ−４１００
(Reflectance measurement)
Apparatus: Hitachi spectrophotometer U-4100
（光沢度測定）
装置：日本電色工業（株）製 ＶＧ−７０００
(Glossiness measurement)
Apparatus: VG-7000 manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.
（耐熱性評価）
熱処理条件：大気中にてオーブンを用いて２００°Ｃで２ｈｒ加熱。
評価内容：熱処理の有無にてめっき表面の観察を行い、有無について○×で評価。
(Heat resistance evaluation)
Heat treatment conditions: Heated at 200 ° C. for 2 hours in the atmosphere using an oven.
Content of evaluation: The surface of the plating was observed with and without heat treatment, and the presence or absence was evaluated with ○ ×.
（ワイヤボンディング評価）
装置：ワイヤーボンダー：ＦＢ−７８０ カイジョー製
キャピラリ：ＳＢＮＺ１２０−３５ＦＧ−ＡＺＭ−１／１６ＸＬ
金線：ＦＡ ２５μｍ
ボンドテスター：Ｄａｇｅ製 ＢＴ−４０００
評価内容：２００°Ｃ×２ｈｒの熱処理後のサンプルにワイヤボンディングを実施し、２ｎｄ Ｂｏｎｄの強度を測定。５ｇｆ以上を合格とし、○×で評価。
(Wire bonding evaluation)
Equipment: Wire bonder: FB-780 Made by Kaijo Capillary: SBNZ120-35FG-AZM-1 / 16XL
Gold wire: FA 25μm
Bond tester: BT-4000 made by Dage
Details of evaluation: Wire bonding was performed on the sample after heat treatment at 200 ° C. × 2 hr, and the strength of 2nd Bond was measured. A value of 5 gf or more is regarded as acceptable, and the evaluation is ○ ×.
表２より、「前記Ｃｕめっき皮膜の厚みは、０．５μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内にあり、前記Ｃｕめっき皮膜の結晶粒径は、０．０１μｍ以上５．００μｍ以下の範囲内にあり、前記Ｃｕめっき皮膜の表面粗さは、光干渉式表面粗さ測定によるＲａが６０ｎｍ以上９０ｎｍ以下の範囲内にあること」を満たすＣｕめっき皮膜上に「前記Ａｇめっき皮膜の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内にあり、前記Ａｇめっき皮膜の結晶粒径は、０．１μｍ以上２０．０μｍ以下の範囲内にあり、前記Ａｇめっき皮膜の表面粗さは、光干渉式表面粗さ測定によるＲａが４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲内にあること」を満たすＡｇめっき皮膜を形成した実施例１〜実施例１５は、可視光領域の反射率が９２％以上で光沢度１．４ＧＡＭ以上を示した。これにより、めっき工程のみで、高い反射率および光沢度を兼ね備えるめっき皮膜を形成することが出来ることが示された。また、実施例１〜実施例１５は、ＬＥＤ素子の発光波長領域である４５０ｎｍではＡｇめっきの理論値である９８％に対し、限りなく近い値を示した。また、実施例１〜実施例１５のＡｇめっき皮膜は表面粗さＲａが４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲内であり、平滑なめっき面でありながら、ワイヤボンディング性の低下は確認されなかった。 From Table 2, “The thickness of the Cu plating film is in the range of 0.5 μm to 3.0 μm, and the crystal grain size of the Cu plating film is in the range of 0.01 μm to 5.00 μm. The surface roughness of the Cu plating film is "on the thickness of the Ag plating film is 1. on the Cu plating film satisfying that Ra by optical interference surface roughness measurement is in the range of 60 nm to 90 nm". It is in the range of 0 μm or more and 5.0 μm or less, the crystal grain size of the Ag plating film is in the range of 0.1 μm or more and 20.0 μm or less, and the surface roughness of the Ag plating film is an optical interference surface. In Examples 1 to 15 in which an Ag plating film satisfying that “Ra by roughness measurement is in the range of 40 nm to 60 nm” is satisfied, the reflectance in the visible light region is 92% or more and the glossiness is 1.4 GAM. Show above did. Thereby, it was shown that a plating film having high reflectance and glossiness can be formed only by the plating process. Moreover, Example 1-Example 15 showed the value near infinitely with respect to 98% which is the theoretical value of Ag plating in 450 nm which is the light emission wavelength range of an LED element. Further, the Ag plating films of Examples 1 to 15 had a surface roughness Ra in the range of 40 nm or more and 60 nm or less, and although the surface was a smooth plating surface, no decrease in wire bonding property was confirmed.
図９に、実施例７と従来例１の吸収スペクトルを比較したグラフを示す。従来例１と比較して実施例７の吸収スペクトルは、可視光領域（４００ｎｍから７００ｎｍ）の全域において低い吸収率を示し、高い反射率が見込まれる。特に、可視光領域外の短波長側（３００ｎｍから４００ｎｍ）の領域において、従来例１は吸収が生じており、４００ｎｍから５００ｎｍの領域において反射率の低下が見込まれる。これに対し、実施例７は、短波長側の領域においても吸収の抑制が可能となり、可視光領域にて高い反射率を得ることが可能となる。また、実施例７は、反射率理論値（４５０ｎｍ近辺で反射率９８％程度）に極めて近しい値を示した。 In FIG. 9, the graph which compared the absorption spectrum of Example 7 and the prior art example 1 is shown. Compared to Conventional Example 1, the absorption spectrum of Example 7 shows a low absorptance in the entire visible light region (400 nm to 700 nm), and a high reflectance is expected. In particular, absorption occurs in the conventional example 1 in the short wavelength region (300 nm to 400 nm) outside the visible light region, and the reflectance is expected to decrease in the 400 nm to 500 nm region. On the other hand, in Example 7, it is possible to suppress the absorption even in the short wavelength region, and it is possible to obtain a high reflectance in the visible light region. In addition, Example 7 showed a value very close to the theoretical reflectance value (about 98% reflectance around 450 nm).
＜ＬＥＤ素子実装後評価＞
実施例１〜実施例１５、参考例１〜参考例８、従来例１〜従来例４、にて製造された発光素子リードフレーム基板にＬＥＤ素子の実装加工を行い、加速劣化試験（８５°Ｃ８５％ＨＨＢＴ試験）を行った。８５°Ｃ８５％ＨＨＢＴ試験の試験条件を以下に示す。また、結果を表３に示す。
<Evaluation after mounting LED elements>
LED elements were mounted on the light-emitting element lead frame substrates manufactured in Examples 1 to 15, Reference Examples 1 to 8, Conventional Examples 1 to 4, and accelerated deterioration test (85 ° C. 85 % HHBT test). Test conditions for the 85 ° C. 85% HHBT test are shown below. The results are shown in Table 3.
（８５°Ｃ８５％ＨＨＢＴ試験）
試験環境：８５°Ｃ８５％Ｒｈ
搭載ＬＥＤ素子：Ｇｅｎｅｌｉｔｅ製 Ｂ２４２４ＤＣ１０ 投入電流値：１６０ｍＡ
光束測定：Ｌａｂｓｐｈｅｒｅ ｉｎｃ．製 積分球ＬＭＳ−２００、分光器ＣＤＳ６１０
めっき変色については、発生の有無を○、×にて記載し、光束については初期値を基準として記載。
(85 ° C 85% HHBT test)
Test environment: 85 ° C 85% Rh
Mounted LED element: B2424DC10 manufactured by Genelite Input current value: 160 mA
Luminous flux measurement: Labsphere Inc. Integrating sphere LMS-200, spectrometer CDS610
For plating discoloration, the presence / absence of occurrence is indicated by ○ and ×, and the luminous flux is described based on the initial value.
表３より、Ｎｉめっき皮膜を形成した参考例９および参考例１０は、Ａｇめっきと封止樹脂の境界部で変色を呈し、試験後の光束の低下も著しかった。これに対し、Ｃｕ／Ａｇめっきを形成した実施例１〜実施例１５では、変色が確認できなかった。また、実施例１〜実施例１５は、８５°Ｃ８５％ＨＨＢＴ試験で２０００ｈｒ経過後であっても、初期光束に対し約９０％程度の光束の維持をしており、高い信頼性を有することが示された。 From Table 3, Reference Example 9 and Reference Example 10 in which the Ni plating film was formed exhibited discoloration at the boundary between the Ag plating and the sealing resin, and the decrease in luminous flux after the test was also remarkable. On the other hand, discoloration could not be confirmed in Examples 1 to 15 in which Cu / Ag plating was formed. In addition, Example 1 to Example 15 maintain high luminous flux of about 90% with respect to the initial luminous flux even after 2000 hours in the 85 ° C 85% HHBT test, and have high reliability. Indicated.
以上より、実施例１〜実施例１５にて示された本発明の発光素子リードフレーム基板は、高い反射率、光沢度および高い信頼性を兼ね備えていることが示された。 From the above, it was shown that the light-emitting element lead frame substrates of the present invention shown in Examples 1 to 15 have high reflectance, glossiness, and high reliability.
１……発光素子リードフレーム基板
２……リードフレーム
３……Ｃｕめっき皮膜
４……Ａｇめっき皮膜
５……絶縁性樹脂
６……ＬＥＤ素子
７……パッド部
８……電気的接続エリア
９……リフレクタ部
１０……ボンディングワイヤー
１１……封止樹脂
１２……パッド電極
１３……リード電極
２０……金型
２１……上金型
２２……下金型
２３……凹部
２４……注入口
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Light emitting element lead frame board | substrate 2 ... Lead frame 3 ... Cu plating film 4 ... Ag plating film 5 ... Insulating resin 6 ... LED element 7 ... Pad part 8 ... Electrical connection area 9 ... ... Reflector part 10 ... Bonding wire 11 ... Sealing resin 12 ... Pad electrode 13 ... Lead electrode 20 ... Mold 21 ... Upper mold 22 ... Lower mold 23 ... Recess 24 ... Injection port
Claims (3)
前記パッド部および前記電気的接続エリアを囲うように絶縁性樹脂で形成されたリフレクタ部と、を備え、
前記パッド部及び前記電気的接続エリアには、めっき皮膜が形成されており、
前記めっき皮膜は、Ｃｕめっき皮膜上にＡｇめっき皮膜が形成された多層のめっき皮膜であり、
前記Ｃｕめっき皮膜の厚みは、０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内にあり、
前記Ｃｕめっき皮膜の結晶粒径は、０．０１μｍ以上５．００μｍ以下の範囲内にあり、
前記Ｃｕめっき皮膜の表面粗さは、光干渉式表面粗さ測定によるＲａが６０ｎｍ以上９０ｎｍ以下の範囲内にあること
を特徴とする発光素子リードフレーム基板。 A lead frame having a pad portion for mounting the LED element and an electrical connection area for electrical connection with the LED element;
A reflector portion formed of an insulating resin so as to surround the pad portion and the electrical connection area;
A plating film is formed on the pad portion and the electrical connection area,
The plating film is a multilayer plating film in which an Ag plating film is formed on a Cu plating film,
The thickness of the Cu plating film is in the range of 0.1 μm to 5.0 μm,
The crystal grain size of the Cu plating film is in the range of 0.01 μm or more and 5.00 μm or less,
The surface roughness of the Cu plating film is such that Ra by optical interference surface roughness measurement is in the range of 60 nm to 90 nm.
前記Ａｇめっき皮膜の結晶粒径は、０．１μｍ以上６．０μｍ以下の範囲内にあり、
前記Ａｇめっき皮膜の表面粗さは、光干渉式表面粗さ測定によるＲａが４０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内にあること
を特徴とする請求項１に記載の発光素子リードフレーム基板。 The thickness of the Ag plating film is in the range of 1.0 μm or more and 6.0 μm or less,
The crystal grain size of the Ag plating film is in the range of 0.1 μm to 6.0 μm,
2. The light-emitting element lead frame substrate according to claim 1, wherein the surface roughness of the Ag plating film is such that Ra by optical interference surface roughness measurement is in a range of 40 nm to 80 nm.
前記パッド部および前記電気的接続エリアを囲うように絶縁性樹脂で形成されたリフレクタ部と、を備え、
前記パッド部及び前記電気的接続エリアには、めっき皮膜が形成されており、
前記めっき皮膜は、Ｃｕめっき皮膜上にＡｇめっき皮膜が形成された多層のめっき皮膜であり、
前記Ｃｕめっき皮膜の厚みは、０．５μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内にあり、
前記Ｃｕめっき皮膜の結晶粒径は、０．０１μｍ以上５．００μｍ以下の範囲内にあり、
前記Ｃｕめっき皮膜の表面粗さは、光干渉式表面粗さ測定によるＲａが６０ｎｍ以上９０ｎｍ以下の範囲内にあり、
前記Ａｇめっき皮膜の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内にあり、
前記Ａｇめっき皮膜の結晶粒径は、０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内にあり、
前記Ａｇめっき皮膜の表面粗さは、光干渉式表面粗さ測定によるＲａが４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲内にあり、
前記めっき皮膜は、可視光領域での反射率が９２％以上であり、光沢度１．４ＧＡＭ以上を有すること
を特徴とする発光素子リードフレーム基板。 A lead frame having a pad portion for mounting the LED element and an electrical connection area for electrical connection with the LED element;
A reflector portion formed of an insulating resin so as to surround the pad portion and the electrical connection area;
A plating film is formed on the pad portion and the electrical connection area,
The plating film is a multilayer plating film in which an Ag plating film is formed on a Cu plating film,
The thickness of the Cu plating film is in the range of 0.5 μm to 3.0 μm,
The crystal grain size of the Cu plating film is in the range of 0.01 μm or more and 5.00 μm or less,
The surface roughness of the Cu plating film is such that Ra by optical interference surface roughness measurement is in the range of 60 nm to 90 nm,
The thickness of the Ag plating film is in the range of 1.0 μm or more and 5.0 μm or less,
The crystal grain size of the Ag plating film is in the range of 0.1 μm or more and 5.0 μm or less,
The surface roughness of the Ag plating film is such that Ra by optical interference surface roughness measurement is in the range of 40 nm to 60 nm,
The light-emitting element lead frame substrate, wherein the plating film has a reflectance in a visible light region of 92% or more and a glossiness of 1.4 GAM or more.
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