JP2015072945A - Method for manufacturing conductive mesh sheet, and photomask - Google Patents

Method for manufacturing conductive mesh sheet, and photomask Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a conductive mesh that has a fine shape and has connecting elements and a branch point between connecting elements, with high accuracy.SOLUTION: A method for manufacturing a conductive mesh sheet is provided, which includes steps of: providing a conductive metal film 15A on a transparent substrate 20; providing a resist pattern 30 on the conductive metal film 15A; and etching the film by using an etching solution on the resist pattern 30. A conductive mesh 15 having connecting elements 15a and a branch point 15d between the connecting elements 15a is obtained by etching. The resist pattern 30 has a connecting element part 30a corresponding to the connecting element 15a, and a pair of crossing belt-like gaps 30b formed in a part corresponding to the branch point 15d.

Description

本発明は、透明基材と当該透明基材上に設けられた導電性メッシュとを含む導電性メッシュシートの製造方法、および導電性メッシュの製造方法に用いられるフォトマスクに関する。   The present invention relates to a method for producing a conductive mesh sheet including a transparent substrate and a conductive mesh provided on the transparent substrate, and a photomask used in the method for producing a conductive mesh.

従来、透明基材と当該透明基材上に設けられた導電性メッシュとを含む導電性メッシュシートが、広く種々の分野にて使用されてきた。このような導電性メッシュシートの広く知られた用途として、特許文献１及び２に開示された電磁波遮蔽材（電磁波遮蔽シート）、タッチパネルセンサ、発熱体を例示することができる。このような用途において、導電性メッシュは、透明基材上で開口領域を画成するメッシュパターンを形成し、その材料特性、例えば導電性や熱伝導性に起因した種々の機能あるいは高い視認性機能を発揮することを期待されている。   Conventionally, a conductive mesh sheet including a transparent substrate and a conductive mesh provided on the transparent substrate has been widely used in various fields. As a widely known use of such a conductive mesh sheet, an electromagnetic wave shielding material (electromagnetic wave shielding sheet), a touch panel sensor, and a heating element disclosed in Patent Documents 1 and 2 can be exemplified. In such applications, the conductive mesh forms a mesh pattern that defines an open area on the transparent substrate, and various functions or high visibility functions due to its material properties, such as conductivity and thermal conductivity. Is expected to demonstrate.

このような導電性メッシュは、開口領域を画成する接続要素と、接続要素間の分岐点とを有するものがあり、近年導電性メッシュとして微細化されたものが求められている。   Such a conductive mesh has a connection element that defines an opening region and a branch point between the connection elements. In recent years, a conductive mesh that has been miniaturized has been demanded.

特開２００４−１９２０９３号公報JP 2004-192093 A 特開２００６−３４４１６３号公報JP 2006-344163 A

上述のように導電性メッシュの形状は、近年微細化したものが求められているが、この場合接続要素間の分岐点も微細化が求められている。   As described above, the shape of the conductive mesh is required to be fine in recent years. In this case, the branch point between the connecting elements is also required to be fine.

一般に導電性メッシュは導電性金属膜上にレジストパターンを形成し、レジストパターンを介してエッチング液を用いてエッチングを施すことにより形成されるが、接続要素間の分岐点を形成するため、レジストパターンはこの分岐点に対応した部分を含む必要がある。   In general, a conductive mesh is formed by forming a resist pattern on a conductive metal film and etching it with an etching solution through the resist pattern. However, in order to form a branch point between connecting elements, the resist pattern Must include a portion corresponding to this branch point.

ところで、レジストパターンを介してエッチング液を用いてエッチングする場合、エッチング液はレジストパターンの下方において水平方向にも進行して金属膜をエッチングするため、レジストパターンの線幅は一般に導電性メッシュの接続要素の線幅より大きくしている。また、このようにレジストパターンの線幅を大きくした場合、接続要素間の分岐点が拡大してしまい、外方からみた場合、導電性メッシュシートの視認性が劣化してしまうという問題がある。   By the way, when etching using an etching solution through a resist pattern, the etching solution also proceeds in the horizontal direction below the resist pattern to etch the metal film, so the line width of the resist pattern is generally connected to a conductive mesh. It is larger than the line width of the element. In addition, when the line width of the resist pattern is increased in this way, there is a problem that the branch point between the connecting elements is enlarged, and when viewed from the outside, the visibility of the conductive mesh sheet is deteriorated.

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、接続要素と、接続要素間の分岐点とを有するとともに、微細形状をもつ導電性メッシュを有し、優れた視認性をもつ導電性メッシュシートを精度良く作製することができる導電性メッシュシートの製造方法および導電性メッシュシートの製造方法に用いるフォトマスクを提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such points, and has a connection element, a branch point between the connection elements, a conductive mesh having a fine shape, and has excellent visibility. It aims at providing the photomask used for the manufacturing method of the electroconductive mesh sheet which can produce an electroconductive mesh sheet with a sufficient precision, and the manufacturing method of an electroconductive mesh sheet.

本発明は、透明基材と、透明基材上に設けられた導電性メッシュとを含む導電性メッシュシートの製造方法において、透明基材を準備する工程と、透明基材上に導電性金属膜を形成する工程と、導電性金属膜上にレジストパターンを設ける工程と、レジストパターン上からエッチング液を用いて、導電性金属膜をエッチングすることにより、接続要素と接続要素間の分岐点とを有する導電性メッシュを形成する工程とを備え、レジストパターンは接続要素に対応する接続要素部分を有するとともに、分岐点に対応する部分に帯状隙間が形成されていることを特徴とする導電性メッシュシートの製造方法である。   The present invention relates to a method for producing a conductive mesh sheet comprising a transparent substrate and a conductive mesh provided on the transparent substrate, a step of preparing the transparent substrate, and a conductive metal film on the transparent substrate. Forming a resist pattern on the conductive metal film, and etching the conductive metal film from above the resist pattern using an etching solution, thereby connecting the connection element and the branch point between the connection elements. A conductive mesh sheet, wherein the resist pattern has a connection element portion corresponding to the connection element, and a band-shaped gap is formed in the portion corresponding to the branch point. It is a manufacturing method.

本発明は、レジストパターンに少なくとも一対の帯状隙間が形成され、各帯状隙間は分岐点に対応する部分で交差することを特徴とする導電性メッシュシートの製造方法である。   The present invention is a method for producing a conductive mesh sheet, wherein at least a pair of band-shaped gaps are formed in a resist pattern, and each band-shaped gap intersects at a portion corresponding to a branch point.

本発明は、レジストパターンに形成された帯状隙間は、レジストパターンを貫通して延びることを特徴とする導電性メッシュの製造方法である。   The present invention is the method for producing a conductive mesh, wherein the strip-shaped gap formed in the resist pattern extends through the resist pattern.

本発明は、透明基材上の導電性金属膜に対してレジストパターンを介してエッチングを施すことにより、接続要素と接続要素間の分岐点とを有する導電性メッシュを形成する際用いられるレジストパターン作製用フォトマスクにおいて、レジストパターンは接続要素に対応する接続要素部分を有するとともに、分岐点に対応する部分に帯状隙間が形成され、フォトマスクはレジストパターンの接続要素部分に対応する開口が形成されたマスク部分を有することを特徴とするフォトマスクである。   The present invention relates to a resist pattern used for forming a conductive mesh having a connection element and a branch point between the connection elements by etching the conductive metal film on the transparent substrate through the resist pattern. In the photomask for manufacturing, the resist pattern has a connection element portion corresponding to the connection element, and a band-shaped gap is formed in the portion corresponding to the branch point, and the photomask has an opening corresponding to the connection element portion of the resist pattern. A photomask having a mask portion.

本発明は、透明基材上の導電性金属膜に対してレジストパターンを介してエッチングを施すことにより、接続要素と接続要素間の分岐点とを有する導電性メッシュを形成する際用いられるレジストパターン作製用フォトマスクにおいて、レジストパターンは接続要素に対応する接続要素部分を有するとともに、分岐点に対応する部分に帯状隙間が形成され、フォトマスクはレジストパターンの接続要素部分に対応する形状をもつマスク部分を有することを特徴とするフォトマスクである。   The present invention relates to a resist pattern used for forming a conductive mesh having a connection element and a branch point between the connection elements by etching the conductive metal film on the transparent substrate through the resist pattern. In the manufacturing photomask, the resist pattern has a connection element portion corresponding to the connection element, and a band-shaped gap is formed in the portion corresponding to the branch point, and the photomask has a shape corresponding to the connection element portion of the resist pattern. A photomask having a portion.

本発明は、レジストパターンに少なくとも一対の帯状隙間が形成され、各帯状隙間は分岐点に対応する部分で交差することを特徴とするフォトマスクである。   The present invention is a photomask characterized in that at least a pair of band gaps are formed in a resist pattern, and each band gap intersects at a portion corresponding to a branch point.

本発明は、レジストパターンに形成された帯状隙間は、レジストパターンを貫通して延びることを特徴とするフォトマスクである。   The present invention is the photomask characterized in that the strip-shaped gap formed in the resist pattern extends through the resist pattern.

以上のように本発明によれば、微細形状をもつ導電性メッシュを有し、視認性に優れた導電性メッシュシートを精度良く作製することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to accurately produce a conductive mesh sheet having a conductive mesh having a fine shape and excellent visibility.

図１（ａ）は、本発明の一実施の形態を説明するための図であって、導電性メッシュシートの製造方法を示す平面図であり、図１（ｂ）は本発明の変形例を示す平面図。Fig.1 (a) is a figure for demonstrating one embodiment of this invention, Comprising: It is a top view which shows the manufacturing method of an electroconductive mesh sheet, FIG.1 (b) is a modification of this invention. FIG. 図２（ａ）〜（ｆ）は、導電性メッシュシートの製造方法を示す断面図。2A to 2F are cross-sectional views showing a method for producing a conductive mesh sheet. 図３は、導電性メッシュシートを示す斜視図。FIG. 3 is a perspective view showing a conductive mesh sheet. 図４（ａ）（ｂ）は、フォトマスクを示す図。4A and 4B show a photomask. 図５（ａ）（ｂ）は、フォトマスクの変形例を示す図。FIGS. 5A and 5B are diagrams showing a modification of the photomask. 図６は導電性メッシュシートの比較例としての製造方法を示す図。FIG. 6 is a view showing a manufacturing method as a comparative example of the conductive mesh sheet.

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する写真以外の図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings other than the photographs attached to the present specification, for the sake of illustration and ease of understanding, the scale and the vertical / horizontal dimensional ratio are appropriately changed and exaggerated from those of the actual ones.

なお、本明細書において、「シート」、「板」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「シート」は板やフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念であり、呼称の違いのみにおいて区別され得ない。   In the present specification, the terms “sheet”, “plate”, and “film” are not distinguished from each other only based on the difference in names. For example, the “sheet” is a concept including a member that can be called a plate or a film, and cannot be distinguished only by a difference in name.

また、「シート面（板面、フィルム面）」とは、対象となるシート状（板状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となるシート状部材（板状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。本実施の形態においては、導電性フィルムシートのシート面、導電性フィルムシートに含まれる透明基材のシート面は、互いに平行となっている。   In addition, “sheet surface (plate surface, film surface)” means a target sheet-like member (plate-like) when the target sheet-like (plate-like, film-like) member is viewed as a whole and globally. It refers to the surface that coincides with the plane direction of the member or film-like member. In the present embodiment, the sheet surface of the conductive film sheet and the sheet surface of the transparent substrate included in the conductive film sheet are parallel to each other.

さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。   Furthermore, as used in this specification, the shape and geometric conditions and the degree thereof are specified. For example, terms such as “parallel”, “orthogonal”, “identical”, length and angle values, etc. Without being bound by meaning, it should be interpreted including the extent to which similar functions can be expected.

＜＜＜導電性メッシュシート＞＞＞
図３に示すように、導電性メッシュシート１０は、透明基材２０と、透明基材２０上に設けられた導電性メッシュ１５と、を有している。 <<< Conductive Mesh Sheet >>>
As shown in FIG. 3, the conductive mesh sheet 10 includes a transparent base material 20 and a conductive mesh 15 provided on the transparent base material 20.

このような導電性メッシュシート１０を導電性メッシュ１５の側から観察した場合、導電性メッシュ１５は、その構成材料に依存した金属色で観察される。   When such a conductive mesh sheet 10 is observed from the conductive mesh 15 side, the conductive mesh 15 is observed in a metal color depending on its constituent material.

以下、導電性メッシュシート１０の構成要素である透明基材２０及び導電性メッシュ１５について順に説明していく。   Hereinafter, the transparent base material 20 and the conductive mesh 15 which are components of the conductive mesh sheet 10 will be described in order.

なお、本件明細書において、「透明」とは、可視光透過率が（数値）％以上あることを意味している。また、本明細書で言及する可視光透過率は、測定対象となる部位をなすようになる材料を東洋紡績製ＰＥＴフィルム（品番:コスモシャインＡ４３００、厚さ１００μｍ)の上に膜厚１μｍで成膜し、分光光度計（（株）島津製作所製「ＵＶ−３１００ＰＣ」、ＪＩＳＫ０１１５準拠品）を用いて測定波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内で測定したときの、各波長における透過率の平均値として特定される。   In the present specification, “transparent” means that the visible light transmittance is (numerical value)% or more. The visible light transmittance referred to in this specification is a material having a thickness of 1 μm formed on a PET film (product number: Cosmo Shine A4300, thickness 100 μm) made by Toyobo Co., Ltd. Film is specified as an average value of transmittance at each wavelength when measured within a measurement wavelength range of 380 nm to 780 nm using a spectrophotometer (“UV-3100PC” manufactured by Shimadzu Corporation, JISK0115 compliant product) Is done.

＜＜透明基材＞＞
透明基材２０としては、既知の透明基材を適宜選択して用いることができ、特に限定されない。透明基材２０に用いられる材料としては、例えば、透明樹脂や透明無機材料を例示することができる。透明樹脂としては、例えば、トリアセチルセルロース等のアセチルセルロース系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリエチレンやポリメチルペンテン等のオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエーテルサルホンやポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、アクロニトリル、メタクリロニトリル、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマ一等を挙げることができる。一方、透明無機材料としては、例えばソーダ硝子、カリ硝子、鉛ガラス等の硝子、ＰＬＺＴ等のセラミックス、石英、蛍石等を例示することができる。 << Transparent substrate >>
As the transparent substrate 20, a known transparent substrate can be appropriately selected and used, and is not particularly limited. Examples of the material used for the transparent substrate 20 include a transparent resin and a transparent inorganic material. Examples of the transparent resin include acetyl cellulose resins such as triacetyl cellulose, polyester resins such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, olefin resins such as polyethylene and polymethylpentene, acrylic resins, polyurethane resins, and polyethers. Examples include sulfone, polycarbonate, polysulfone, polyether, polyetherketone, acrylonitrile, methacrylonitrile, cycloolefin polymer, and cycloolefin copolymer. On the other hand, examples of the transparent inorganic material include glass such as soda glass, potash glass, and lead glass, ceramics such as PLZT, quartz, and fluorite.

透明基材２０の厚みは、導電性メッシュシート１０の用途に応じて適宜設定することができ、特に限定されないが、通常２０〜５０００μｍであり、透明基材２０は、ロールの形で供給されるもの、巻き取れるほどには曲がらないが負荷をかけることによって湾曲するもの、完全に曲がらないもののいずれであってもよい。   Although the thickness of the transparent base material 20 can be suitably set according to the use of the electroconductive mesh sheet 10, it is not specifically limited, Usually, it is 20-5000 micrometers, and the transparent base material 20 is supplied with the form of a roll. It may be any of those that do not bend to the extent that they can be wound, but that can be bent by applying a load, or those that do not bend completely.

透明基材２０の構成は、単一の層からなる構成に限られるものではなく、複数の層が積層された構成を有していてもよい。複数の層が積層された構成を有する場合は、同一組成の層が積層されてもよく、また、異なった組成を有する複数の層が積層されてもよい。   The configuration of the transparent substrate 20 is not limited to a configuration composed of a single layer, and may have a configuration in which a plurality of layers are laminated. When it has the structure by which the several layer was laminated | stacked, the layer of the same composition may be laminated | stacked, and the several layer which has a different composition may be laminated | stacked.

＜＜導電性メッシュ＞＞
次に、導電性メッシュ１５について説明する。導電性メッシュ１５は、透明基材２０上に設けられている。図３に示す例において、導電性メッシュ１５は、透明基材２０上にパターニングされている。とりわけ、図３に示す例において、導電性メッシュ１５は、透明基材２０上において、開口領域１５ｃを画成するメッシュパターンを形成している。すなわち、導電性メッシュ１５は、分岐点１５ｄから延び出す多数の接続要素１５ａによって形成されている。そして、各開口領域１５ｃは、三以上の接続要素１５ａで取り囲まれることによって、画成されている。なお、図３に示す例において、導電性メッシュ１５は、正方配列となるメッシュパターンを形成している。また接続要素１５ａは互いに交差し、この交点に上述した分岐点１５ｄが位置している。 << Conductive mesh >>
Next, the conductive mesh 15 will be described. The conductive mesh 15 is provided on the transparent substrate 20. In the example shown in FIG. 3, the conductive mesh 15 is patterned on the transparent substrate 20. In particular, in the example shown in FIG. 3, the conductive mesh 15 forms a mesh pattern that defines the opening region 15 c on the transparent substrate 20. That is, the conductive mesh 15 is formed by a large number of connecting elements 15a extending from the branch point 15d. Each opening region 15c is defined by being surrounded by three or more connection elements 15a. In the example shown in FIG. 3, the conductive mesh 15 forms a mesh pattern having a square arrangement. The connecting elements 15a intersect each other, and the above-described branch point 15d is located at this intersection.

ただし、金属層１５によってなされるパターンは、図２に示された例に限定されることはなく、積層材１０の用途に応じて適宜設定される。例えば、金属層１５が、不規則なメッシュパターンを形成するようにしてもよいし、或いは、メッシュ以外のパターンを形成するようにしてもよいし、或いは、ベタで設けられる、すなわち隙間無く面状の領域に設けられるようにしてもよい。   However, the pattern formed by the metal layer 15 is not limited to the example shown in FIG. 2 and is appropriately set according to the use of the laminated material 10. For example, the metal layer 15 may form an irregular mesh pattern, or may form a pattern other than a mesh, or may be provided with a solid shape, that is, a planar shape without a gap. It may be provided in this area.

なお、接続要素１５ａの幅をｗとした場合、ｗは後述のように極めて小さな値となっており、このことにより微細構造の導電性メッシュ１５を形成することができる（図１（ａ）（ｂ）参照）。   When the width of the connecting element 15a is w, w is an extremely small value as will be described later, and this makes it possible to form a conductive mesh 15 having a fine structure (FIG. 1A). b)).

このような導電性メッシュ１５は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の気相法（ドライプロセス）を用いて、導電性メッシュ１５となる金属材料１５Ａを、透明基材２０上に付着させることにより形成され得る。   Such a conductive mesh 15 is made of, for example, a metal material 15A that becomes the conductive mesh 15 by using a vapor phase method (dry process) such as a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or a CVD method. It can be formed by depositing on the substrate 20.

導電性メッシュ１５の成膜厚は、（数値）５０ｎｍ以上（数値）４０００ｎｍ以下とすることができる。   The film thickness of the conductive mesh 15 can be (numerical value) 50 nm or more (numerical value) 4000 nm or less.

導電性メッシュ１５をなすようになる金属材料として、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム、クロム、モリブデン、ニッケル、チタン、パラジウム、インジウム、及び、これらの合金の一以上を用いることができる。   As the metal material that forms the conductive mesh 15, for example, one or more of gold, silver, copper, platinum, aluminum, chromium, molybdenum, nickel, titanium, palladium, indium, and alloys thereof can be used. .

＜＜導電性メッシュシートの製造方法＞＞
次に導電性メッシュシートの製造方法について図１（ａ）および図２（ａ）〜（ｇ）により述べる。 << Method for Producing Conductive Mesh Sheet >>
Next, a method for producing a conductive mesh sheet will be described with reference to FIGS. 1 (a) and 2 (a) to (g).

この場合、導電性メッシュ１５のパターニングは、フォトリソグラフィ技術を用いて、次のように実施され得る。まず、図２（ａ）に示すように、透明基材２０を準備する。   In this case, the patterning of the conductive mesh 15 can be performed as follows using a photolithography technique. First, as shown to Fig.2 (a), the transparent base material 20 is prepared.

次に、導電性メッシュ１５となる導電性の金属膜１５Ａを、透明基材２０上に形成する。金属膜１５Ａの成膜は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の気相法(ドライプロセス)等の種々の方法を採用することができる。とりわけ真空蒸着法によれば、後述するように導電性メッシュシート１０をタッチパネルセンサや電磁波遮蔽材としての用いた場合に好適な厚みの金属膜１５Ａを、比較的に短時間で安価に製造することができる。また、別の方法として、スパッタリングと他の方法、例えばスパッタリングと電界めっきとを含む複数工程にて、金属膜１５Ａを成膜することも有効である。スパッタリングによれば、密着性に優れた下地層を形成することができ、且つ、その後の電界メッキによって、金属膜１５Ａの厚みを比較的迅速に所望の厚みまで増加させることができる。   Next, a conductive metal film 15 </ b> A that becomes the conductive mesh 15 is formed on the transparent substrate 20. The metal film 15A can be formed by various methods such as a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a vapor phase method (dry process) such as a CVD method. In particular, according to the vacuum deposition method, as will be described later, the metal film 15A having a thickness suitable for the case where the conductive mesh sheet 10 is used as a touch panel sensor or an electromagnetic shielding material is manufactured in a relatively short time and at a low cost. Can do. As another method, it is also effective to form the metal film 15A in a plurality of steps including sputtering and other methods, for example, sputtering and electroplating. Sputtering can form a base layer with excellent adhesion, and can increase the thickness of the metal film 15A to a desired thickness relatively quickly by subsequent electroplating.

その後、フォトリソグラフィ技術を用いて、透明基材２０上の金属膜１５Ａを所望のパターンにてパターニングする。具体的には、まず、金属膜１５Ａ上にレジスト膜３０Ａを設ける。レジスト膜の成膜は、例えば、ドライフィルムレジストの積層により行うことができる。   Thereafter, the metal film 15A on the transparent substrate 20 is patterned in a desired pattern by using a photolithography technique. Specifically, first, a resist film 30A is provided on the metal film 15A. The resist film can be formed, for example, by laminating a dry film resist.

次に、図２（ｂ）に示すように、レジスト膜３０Ａ上方にフォトマスク３５を配置した状態にて、レジスト膜３０Ａをパターン露光する。その後、図２（ｃ）に示すように、露光されたレジスト膜３０Ａを現像することにより、レジスト膜３０Ａをパターニングしてなるレジストパターン３０が金属膜１５Ａ上に得られる。   Next, as shown in FIG. 2B, the resist film 30A is subjected to pattern exposure in a state where the photomask 35 is disposed above the resist film 30A. Thereafter, as shown in FIG. 2C, by developing the exposed resist film 30A, a resist pattern 30 obtained by patterning the resist film 30A is obtained on the metal film 15A.

ところで、金属膜１５Ａ上に形成されたレジストパターン３０は、導電性メッシュの１５の接続要素１５ａに対応する接続要素部分３０ａを有するとともに、レジストパターン３０のうち分岐点１５ｄに対応する部分に一対の帯状隙間３０ｂが形成されている（図１（ａ）参照）。   By the way, the resist pattern 30 formed on the metal film 15A has a connection element portion 30a corresponding to the 15 connection elements 15a of the conductive mesh, and a pair of resist patterns 30 corresponding to the branch point 15d. A band-shaped gap 30b is formed (see FIG. 1A).

図１（ａ）に示すように、レジストパターン３０に形成された一対の帯状隙間３０ｂは分岐点１５ｄに対応する部分において交差し、各帯状隙間３０ｂはレジストパターン３０を貫通して延びている。   As shown in FIG. 1A, the pair of strip-shaped gaps 30b formed in the resist pattern 30 intersect at a portion corresponding to the branch point 15d, and each strip-shaped gap 30b extends through the resist pattern 30.

後述するエッチング工程においてエッチング液はレジストパターン３０の下方から更に水平方向に進んで金属膜１５Ａをエッチングするため、レジストパターン３０の接続要素部分３０ａは平面視において接続要素１５ａよりわずかに大きくなっている。またレジストパターン３０の一対の帯状隙間３０ｂは、分岐点１５ｄ上で互いに交差している。   In the etching process described later, the etching solution proceeds further in the horizontal direction from below the resist pattern 30 to etch the metal film 15A, so that the connection element portion 30a of the resist pattern 30 is slightly larger than the connection element 15a in plan view. . Further, the pair of strip-shaped gaps 30b of the resist pattern 30 intersect each other on the branch point 15d.

また金属膜１５Ａ上にレジストパターン３０を形成するためのフォトマスク３５は、ネガ型のレジスト膜３０Ａを用いる場合、レジストパターン３０の接続要素部分３０ａに対応する開口３５Ａを有するマスク部分３５Ｃからなっている（図４（ａ）参照）。図４（ａ）において、マスク部分３５Ｃには帯状隙間３０ｂに対応する形状３５Ｂが形成されている。   The photomask 35 for forming the resist pattern 30 on the metal film 15A includes a mask portion 35C having an opening 35A corresponding to the connection element portion 30a of the resist pattern 30 when the negative resist film 30A is used. (See FIG. 4A). In FIG. 4A, a shape 35B corresponding to the band-shaped gap 30b is formed in the mask portion 35C.

但し、ポジ型のレジスト膜３０Ａを用いる場合、フォトマスク３５Ａはレジストパターン３０の接続要素部分３０ａに対応する形状３５Ｄをもつマスク部分３５Ｃからなっている（図５（ａ）参照）。図５（ａ）において、マスク３５は、帯状隙間３０ｂに対応する開口３５Ｅを有する。   However, when the positive resist film 30A is used, the photomask 35A includes a mask portion 35C having a shape 35D corresponding to the connection element portion 30a of the resist pattern 30 (see FIG. 5A). In FIG. 5A, the mask 35 has an opening 35E corresponding to the band-shaped gap 30b.

次に、図２（ｄ）〜（ｆ）に示すように、パターニングされたレジストパターン３０をマスクとして、金属膜１５Ａをエッチング液によりエッチングする。これにより、金属膜１５Ａから導電性メッシュ１５が形成される。このようにして、透明基材２０上に、導電性メッシュ１５が、所望のパターンで形成される。その後、導電性メッシュ１５上のレジストパターン３０を除去することによって、導電性メッシュシート１０が得られる。   Next, as shown in FIGS. 2D to 2F, the metal film 15A is etched with an etchant using the patterned resist pattern 30 as a mask. Thereby, the conductive mesh 15 is formed from the metal film 15A. In this way, the conductive mesh 15 is formed in a desired pattern on the transparent substrate 20. Thereafter, the conductive mesh sheet 10 is obtained by removing the resist pattern 30 on the conductive mesh 15.

次に金属膜１５Ａに対するエッチング工程について、図１（ａ）および図２（ａ）〜（ｇ）を用いてより詳細に説明する。   Next, the etching process for the metal film 15A will be described in more detail with reference to FIGS. 1 (a) and 2 (a) to (g).

上述のようにエッチング工程において、エッチング液はレジストパターン３０の下方から更に水平方向に進んで金属膜１５Ａをエッチングする。このためレジストパターン３０の接続要素部分３０ａは接続要素１５ａよりわずかに大きくなっており、かつレジストパターン３０のうち分岐点１５ｄに対応する部分に一対の帯状隙間３０ｂが形成されている。   As described above, in the etching process, the etching solution further proceeds in the horizontal direction from below the resist pattern 30 to etch the metal film 15A. For this reason, the connecting element portion 30a of the resist pattern 30 is slightly larger than the connecting element 15a, and a pair of strip-shaped gaps 30b are formed in the resist pattern 30 corresponding to the branch point 15d.

また、本実施の形態によれば、導電性メッシュ１５は微細形状をもつため、導電性メッシュ１５の接続要素１５ａの線幅をｗとした場合、
３μｍ ≦ｗ≦ ３０μｍ
となっている。 Further, according to the present embodiment, since the conductive mesh 15 has a fine shape, when the line width of the connection element 15a of the conductive mesh 15 is w,
3μm ≦ w ≦ 30μm
It has become.

エッチング工程において、まず金属膜１５Ａ上に接続要素部分３０ａを有しかつ分岐点１５ｄに対応する部分に一対の帯状隙間３０ｂが形成されたレジストパターン３０を設ける（図１（ａ）および図２（ｃ））。   In the etching step, first, a resist pattern 30 having a connection element portion 30a on the metal film 15A and having a pair of band-shaped gaps 30b formed in a portion corresponding to the branch point 15d is provided (FIGS. 1A and 2). c)).

この状態でレジストパターン３０をマスクとしてエッチング液Ｅにより金属膜１５Ａをエッチングする（図１（ａ）および図２（ｄ））。このとき、エッチング液Ｅはレジストパターン３０の開口部分３０ｃから露出する金属膜１５Ａに達し、この金属膜１５Ａをエッチングする。   In this state, the metal film 15A is etched by the etching solution E using the resist pattern 30 as a mask (FIGS. 1A and 2D). At this time, the etching solution E reaches the metal film 15A exposed from the opening 30c of the resist pattern 30, and this metal film 15A is etched.

次にエッチング液Ｅは開口部分３０ｃからレジストパターン３０の下方を経て更に水平方向に進んで、レジストパターン３０の下方の金属膜１５Ａをエッチングする（図１（ａ）および図２（ｅ））。   Next, the etching solution E further proceeds in the horizontal direction from the opening 30c under the resist pattern 30 to etch the metal film 15A below the resist pattern 30 (FIGS. 1A and 2E).

その後エッチング液Ｅはレジストパターン３０の接続要素部分３０ａの下方に達し、金属膜１５Ａをエッチングすることにより、導電性メッシュ１５の接続要素１５ａを形成する。同時にエッチング液Ｅはレジストパターン３０の開口部分３０ｃから帯状隙間３０ｂを通って、金属膜１５Ａの分岐点１５ｂ側へ進んで金属膜１５Ａをエッチングする。このことによりエッチング液Ｅによって、導電性メッシュ１５の分岐点１５ｄを形成する。（図１（ａ）および図２（ｆ））。   Thereafter, the etching solution E reaches below the connection element portion 30a of the resist pattern 30 and etches the metal film 15A to form the connection element 15a of the conductive mesh 15. At the same time, the etchant E proceeds from the opening 30c of the resist pattern 30 through the strip-shaped gap 30b to the branch point 15b side of the metal film 15A and etches the metal film 15A. As a result, the branch point 15d of the conductive mesh 15 is formed by the etching solution E. (FIG. 1 (a) and FIG. 2 (f)).

このようにして導電性メッシュ１５を形成した後、導電性メッシュ１５上からレジストパターン３０が除去される。   After forming the conductive mesh 15 in this manner, the resist pattern 30 is removed from the conductive mesh 15.

上述のようにレジストパターン３０の接続要素部分３０ａによって導電性メッシュ１５の接続要素１５ａが形成され、またエッチング液Ｅがレジストパターン３０の開口部分３０ｃから帯状隙間３０ｂを通って金属膜１５Ａをエッチングすることにより、導電性メッシュ１５の分岐点１５ｄを形成する。また導電性メッシュ１５が微細構造を有する場合、この微細構造をもつ導電性メッシュ１５に対応して微細構造をもつレジストパターン３０を形成する必要があるが、レジストパターン３０は露光時の解像限界によりその形状の微細化には限度がある。とりわけ導電性メッシュ１５の接続要素１５ａの線幅ｗを小さくして、分岐点１５ｄの形状を微細化した場合、これに合わせてレジストパターン３０のうち分岐点１５ｄに対応する部分３０ｅを残すことも考えられる（図６参照）。   As described above, the connection element 15a of the conductive mesh 15 is formed by the connection element part 30a of the resist pattern 30, and the etching solution E etches the metal film 15A from the opening part 30c of the resist pattern 30 through the strip-shaped gap 30b. As a result, the branch point 15d of the conductive mesh 15 is formed. When the conductive mesh 15 has a fine structure, it is necessary to form a resist pattern 30 having a fine structure corresponding to the conductive mesh 15 having this fine structure. However, the resist pattern 30 has a resolution limit at the time of exposure. Therefore, there is a limit to refinement of the shape. In particular, when the line width w of the connecting element 15a of the conductive mesh 15 is reduced and the shape of the branch point 15d is made fine, the portion 30e corresponding to the branch point 15d may be left in the resist pattern 30 in accordance with this. Possible (see FIG. 6).

ここで導電性メッシュシートの比較例としての製造方法を図６に示す。   FIG. 6 shows a manufacturing method as a comparative example of the conductive mesh sheet.

図６に示すように、レジストパターン３０に導電性メッシュ１５の分岐点１５ｄに対応する微細な部分３０ｅを残した場合、エッチング液Ｅはレジストパターン３０の開口部分３０ｃから分岐点１５ｄ側へすることはむずかしく、その結果分岐点１５ｄの形状が拡大してしまう。   As shown in FIG. 6, when the fine portion 30e corresponding to the branch point 15d of the conductive mesh 15 is left in the resist pattern 30, the etching solution E is moved from the opening portion 30c of the resist pattern 30 to the branch point 15d side. As a result, the shape of the branch point 15d is enlarged.

このように導電性メッシュ１５の分岐点１５ｄの形状が拡大してしまうと、導電性メッシュシート１０を外方から観察した場合、この分岐点１５ｄが目出つことになり、結局導電性メッシュシート１０の透明性および視認性に問題が生じる。   Thus, if the shape of the branch point 15d of the conductive mesh 15 is enlarged, when the conductive mesh sheet 10 is observed from the outside, the branch point 15d becomes noticeable, and eventually the conductive mesh sheet. 10 transparency and visibility problems occur.

これに対して本実施の形態によれば、微細構造をもつ接続要素１５ａおよび分岐点１５ｄをエッチングにより形成する場合、レジストパターン３０の接続要素部分３０ａにより接続要素１５ａを形成することができる。同時にエッチング液Ｅをレジストパターン３０の開口部分３０ｃから帯状隙間３０ｂを通して分岐点１５ｄ側へ進行させる。このことによりエッチング液Ｅにより金属膜１５Ａをエッチングして、微細構造をもち小さな面積の分岐点１５ｄを確実に形成することができる。   On the other hand, according to the present embodiment, when the connection element 15a having a fine structure and the branch point 15d are formed by etching, the connection element 15a can be formed by the connection element portion 30a of the resist pattern 30. At the same time, the etching solution E is advanced from the opening 30c of the resist pattern 30 to the branch point 15d side through the strip-shaped gap 30b. As a result, the metal film 15A is etched by the etching solution E, and the branch point 15d having a fine structure and a small area can be reliably formed.

この場合、接続要素１５ａが正方配列で配置されていると、接続要素１５ａの線幅ｗに対応する一辺を有する正方形状の分岐点１５ｄを形成することができる。   In this case, when the connection elements 15a are arranged in a square arrangement, a square branch point 15d having one side corresponding to the line width w of the connection elements 15a can be formed.

次にレジストパターン３０の変形例について説明する。上記実施の形態において、レジストパターン３０に一対の帯状隙間３０ｂを形成した例を示したが（図１（ａ）参照）、これに限らず金属膜１５Ａ上に形成されたレジストパターン３０として、図１（ｂ）に示すように、導電性メッシュ１５の接続要素１５ａに対応する接続要素部分３０ａを有するとともに、レジストパターン３０のうち分岐点１５ｄに対応する部分に一本の帯状隙間３０ｂが形成されているレジストパターン３０を用いてもよい。   Next, a modified example of the resist pattern 30 will be described. In the above embodiment, an example in which a pair of strip-shaped gaps 30b is formed in the resist pattern 30 is shown (see FIG. 1A). However, the present invention is not limited to this, and the resist pattern 30 formed on the metal film 15A As shown in FIG. 1 (b), it has a connection element portion 30a corresponding to the connection element 15a of the conductive mesh 15, and one strip-shaped gap 30b is formed in the portion corresponding to the branch point 15d in the resist pattern 30. The resist pattern 30 may be used.

図１（ｂ）に示すように、レジストパターン３０に形成された一本の帯状隙間３０ｂは分岐点１５ｄに対応する部分を通り、この帯状隙間３０ｂはレジストパターン３０を貫通して延びている。   As shown in FIG. 1B, one strip-shaped gap 30 b formed in the resist pattern 30 passes through a portion corresponding to the branch point 15 d, and the strip-shaped gap 30 b extends through the resist pattern 30.

後述するエッチング工程においてエッチング液はレジストパターン３０の下方から更に水平方向に進んで金属膜１５Ａをエッチングするため、レジストパターン３０の接続要素部分３０ａは平面視において接続要素１５ａよりわずかに大きくなっている。またレジストパターン３０の一本の帯状隙間３０ｂは、分岐点１５ｄ上を通る。   In the etching process described later, the etching solution proceeds further in the horizontal direction from below the resist pattern 30 to etch the metal film 15A, so that the connection element portion 30a of the resist pattern 30 is slightly larger than the connection element 15a in plan view. . One strip-shaped gap 30b of the resist pattern 30 passes over the branch point 15d.

次にレジストパターン３０を形成するためのフォトマスク３５について説明する。   Next, the photomask 35 for forming the resist pattern 30 will be described.

金属膜１５Ａ上にレジストパターン３０を形成するためのフォトマスク３５は、ネガ型のレジスト膜３０Ａを用いる場合、レジストパターン３０の接続要素部分３０ａに対応する開口３５Ａを有するマスク部分３５Ｃからなっている（図４（ｂ）参照）。図４（ｂ）において、マスク部分３５Ｃには帯状隙間３０ｂに対応する形状３５Ｂが形成されている。   The photomask 35 for forming the resist pattern 30 on the metal film 15A includes a mask portion 35C having an opening 35A corresponding to the connection element portion 30a of the resist pattern 30 when the negative resist film 30A is used. (See FIG. 4 (b)). In FIG. 4B, a shape 35B corresponding to the band-shaped gap 30b is formed in the mask portion 35C.

但し、ポジ型のレジスト膜３０Ａを用いる場合、フォトマスク３５はレジストパターン３０の接続要素部分３０ａに対応する形状３５Ｄをもつマスク部分３５Ｃからなっている（図５（ｂ）参照）。図５（ｂ）において、マスク３５は、帯状隙間３０ｂに対応する開口３５Ｅを有する。   However, when the positive resist film 30A is used, the photomask 35 includes a mask portion 35C having a shape 35D corresponding to the connection element portion 30a of the resist pattern 30 (see FIG. 5B). In FIG. 5B, the mask 35 has an opening 35E corresponding to the band-shaped gap 30b.

図１（ｂ）において、微細構造をもつ接続要素１５ａおよび分岐点１５ｄをエッチング液Ｅを用いてエッチングにより形成する場合、エッチング液Ｅは開口部分３０ｃからレジストパターン３０の接続要素部分３０ａの下方に通して金属膜１５Ａをエッチングし、このことにより接続要素１５ａを形成することができる。同時にエッチング液Ｅをレジストパターン３０の開口部分３０ｃから一本の帯状隙間３０ｂを通して分岐点１５ｄ側へ進行させる。このことによりエッチング液Ｅにより金属膜１５Ａをエッチングして、微細構造をもち小さな面積の分岐点１５ｄを確実に形成することができる。   In FIG. 1B, when the connection element 15a having a fine structure and the branch point 15d are formed by etching using the etching liquid E, the etching liquid E is located below the connection element part 30a of the resist pattern 30 from the opening 30c. Through this, the metal film 15A is etched, whereby the connection element 15a can be formed. At the same time, the etching solution E is advanced from the opening 30c of the resist pattern 30 to the branching point 15d side through one strip-shaped gap 30b. As a result, the metal film 15A is etched by the etching solution E, and the branch point 15d having a fine structure and a small area can be reliably formed.

この場合、とりわけ帯状隙間３０ｂが延びる方向（図１（ｂ）の上下方向）に沿って分岐点１５ｄの形状を小さく抑えることができる。   In this case, in particular, the shape of the branch point 15d can be kept small along the direction in which the belt-shaped gap 30b extends (the vertical direction in FIG. 1B).

１０ 導電性メッシュシート
１５ 導電性メッシュ
１５ａ 接続要素
１５ｃ 開口領域
１５ｄ 分岐点
２０ 透明基材
３０ レジストパターン
３０ａ 接続要素部分
３０ｂ 帯状隙間
３０ｃ 開口部分
３０Ａ レジスト膜
３５ フォトマスク
３５Ａ 開口
３５Ｂ 形状
３５Ｃ マスク部分 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Conductive mesh sheet 15 Conductive mesh 15a Connection element 15c Opening area 15d Branch point 20 Transparent base material 30 Resist pattern 30a Connection element part 30b Strip-like gap 30c Opening part 30A Resist film 35 Photomask 35A Opening 35B Shape 35C Mask part

Claims (7)

透明基材と、透明基材上に設けられた導電性メッシュとを含む導電性メッシュシートの製造方法において、
透明基材を準備する工程と、
透明基材上に導電性金属膜を形成する工程と、
導電性金属膜上にレジストパターンを設ける工程と、
レジストパターン上からエッチング液を用いて、導電性金属膜をエッチングすることにより、接続要素と接続要素間の分岐点とを有する導電性メッシュを形成する工程とを備え、
レジストパターンは接続要素に対応する接続要素部分を有するとともに、分岐点に対応する部分に帯状隙間が形成されていることを特徴とする導電性メッシュシートの製造方法。 In a method for producing a conductive mesh sheet comprising a transparent substrate and a conductive mesh provided on the transparent substrate,
Preparing a transparent substrate;
Forming a conductive metal film on a transparent substrate;
Providing a resist pattern on the conductive metal film;
Forming a conductive mesh having a connection element and a branch point between the connection elements by etching the conductive metal film from above the resist pattern using an etching solution;
The resist pattern has a connection element portion corresponding to the connection element, and a strip-shaped gap is formed in a portion corresponding to the branch point. レジストパターンに少なくとも一対の帯状隙間が形成され、各帯状隙間は分岐点に対応する部分で交差することを特徴とする請求項１記載の導電性メッシュシートの製造方法。   The method for producing a conductive mesh sheet according to claim 1, wherein at least a pair of band-shaped gaps are formed in the resist pattern, and each band-shaped gap intersects at a portion corresponding to a branch point. レジストパターンに形成された帯状隙間は、レジストパターンを貫通して延びることを特徴とする請求項１または２記載の導電性メッシュの製造方法。   The method for manufacturing a conductive mesh according to claim 1, wherein the strip-shaped gap formed in the resist pattern extends through the resist pattern. 透明基材上の導電性金属膜に対してレジストパターンを介してエッチングを施すことにより、接続要素と接続要素間の分岐点とを有する導電性メッシュを形成する際用いられるレジストパターン作製用フォトマスクにおいて、
レジストパターンは接続要素に対応する接続要素部分を有するとともに、分岐点に対応する部分に帯状隙間が形成され、
フォトマスクはレジストパターンの接続要素部分に対応する開口が形成されたマスク部分を有することを特徴とするフォトマスク。 Photomask for producing a resist pattern used in forming a conductive mesh having a connection element and a branch point between the connection elements by etching the conductive metal film on the transparent substrate through the resist pattern In
The resist pattern has a connection element portion corresponding to the connection element, and a band-shaped gap is formed in a portion corresponding to the branch point.
A photomask having a mask portion in which an opening corresponding to a connection element portion of a resist pattern is formed. 透明基材上の導電性金属膜に対してレジストパターンを介してエッチングを施すことにより、接続要素と接続要素間の分岐点とを有する導電性メッシュを形成する際用いられるレジストパターン作製用フォトマスクにおいて、
レジストパターンは接続要素に対応する接続要素部分を有するとともに、分岐点に対応する部分に帯状隙間が形成され、
フォトマスクはレジストパターンの接続要素部分に対応する形状をもつマスク部分を有することを特徴とするフォトマスク。 Photomask for producing a resist pattern used in forming a conductive mesh having a connection element and a branch point between the connection elements by etching the conductive metal film on the transparent substrate through the resist pattern In
The resist pattern has a connection element portion corresponding to the connection element, and a band-shaped gap is formed in a portion corresponding to the branch point.
A photomask comprising a mask portion having a shape corresponding to a connection element portion of a resist pattern. レジストパターンに少なくとも一対の帯状隙間が形成され、各帯状隙間は分岐点に対応する部分で交差することを特徴とする請求項４または５記載のフォトマスク。   6. The photomask according to claim 4, wherein at least a pair of band-shaped gaps are formed in the resist pattern, and each band-shaped gap intersects at a portion corresponding to a branch point. レジストパターンに形成された帯状隙間は、レジストパターンを貫通して延びることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか記載のフォトマスク。   7. The photomask according to claim 4, wherein the strip-shaped gap formed in the resist pattern extends through the resist pattern.
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