JP2015070045A - Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and program - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、マイクロ波を用いて主に基板を加熱する基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムに関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that mainly heats a substrate using a microwave, a method for manufacturing a semiconductor device, and a program.
半導体集積回路の高集積化、高速化のため、ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタの縮小化が行われている。 In order to increase the integration density and speed of semiconductor integrated circuits, MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistors are being reduced.
このＭＯＳトランジスタの縮小化に対応すべくゲート絶縁膜としてのシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ膜）の厚さを小さくすることが検討されている。しかしながら、シリコン酸化膜の厚さが２ｎｍ以下となると、ゲート電極とシリコン基板との間に流れるトンネル電流が増大し、ゲートリーク電流が大きくなってしまうという問題がある。 In order to cope with the reduction in the size of MOS transistors, it has been studied to reduce the thickness of a silicon oxide film (SiOx film) as a gate insulating film. However, when the thickness of the silicon oxide film is 2 nm or less, there is a problem that the tunnel current flowing between the gate electrode and the silicon substrate increases, and the gate leakage current increases.
このゲートリーク電流の増大への対策として、酸化シリコンの誘電率より高い誘電率を有する、例えば、酸化ハフニウム（ＨｆＯ）等の高誘電率絶縁体をゲート絶縁膜に用い、等価酸化シリコン膜厚（ＥＯＴ：Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｏｘｉｄｅ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）を抑制しつつ、物理的にゲート絶縁膜厚を大きくする構成が用いられている。酸化シリコンの誘電率のｋ倍の誘電率を有する高誘電率絶縁体であれば、厚さをｋ倍にしてもＥＯＴは同じ値となり、ゲート電極の制御性が保たれ、リーク電流を抑制することができる。そこで、ＭＯＳトランジスタは、シリコン酸化膜の上に高誘電率絶縁膜（例えばＨｆＯ膜）を堆積し、その後、上部電極として一般的にチタンアルミニウム窒化膜（ＴｉＡｌＮ膜）やチタニウム窒化膜（ＴｉＮ膜）が堆積され形成されている。 As a countermeasure against the increase in the gate leakage current, a high dielectric constant insulator such as hafnium oxide (HfO) having a dielectric constant higher than that of silicon oxide is used for the gate insulating film, and an equivalent silicon oxide film thickness ( A configuration is used in which the gate insulating film thickness is physically increased while suppressing EOT (Equivalent Oxide Thickness). In the case of a high dielectric constant insulator having a dielectric constant k times the dielectric constant of silicon oxide, the EOT becomes the same value even when the thickness is multiplied by k, and the controllability of the gate electrode is maintained and the leakage current is suppressed. be able to. Therefore, in a MOS transistor, a high dielectric constant insulating film (for example, an HfO film) is deposited on a silicon oxide film, and then a titanium aluminum nitride film (TiAlN film) or a titanium nitride film (TiN film) is generally used as an upper electrode. Are deposited and formed.
しかしながら、このようなトランジスタを形成する方法においては、ＨｆＯ堆積の際、下地となるシリコン膜若しくはシリコン基板表面が酸化することによりシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ膜）が生成される。このＳｉＯｘ膜は、ゲートのキャパシタンス（誘電率）を低下させる働きがあり、ゲートの動作速度の低下があるため、ＳｉＯｘ膜の薄膜化が進められている。しかしながら、この薄膜化には限界があった。例えば、ＨｆＯ膜を後で熱処理した際に、下地のシリコン膜やシリコン基板が加熱され、ＨｆＯ膜と反応することによりＳｉＯｘ膜が形成されるという課題がある。 However, in such a method for forming a transistor, a silicon oxide film (SiOx film) is generated by oxidizing the underlying silicon film or silicon substrate surface during HfO deposition. The SiOx film has a function of reducing the capacitance (dielectric constant) of the gate, and the operation speed of the gate is lowered. Therefore, the SiOx film is being made thinner. However, this thinning has a limit. For example, when the HfO film is later heat-treated, the underlying silicon film or silicon substrate is heated and reacts with the HfO film to form a SiOx film.
そこで、基板をマイクロ波で加熱することにより、絶縁膜のみを加熱する技術が開発されている。例えば、下記特許文献に記載されている。しかしながら、マイクロ波で加熱した場合に、基板上に形成された金属膜（電極膜）が異常に加熱され、基板上に形成されたデバイスに不良を生じさせるという課題がある。 Thus, a technique for heating only the insulating film by heating the substrate with microwaves has been developed. For example, it is described in the following patent document. However, when heated by microwaves, there is a problem that the metal film (electrode film) formed on the substrate is abnormally heated, causing a defect in the device formed on the substrate.
本発明は、マイクロ波加熱する際に基板上のデバイスの不良や性能低下を抑える、基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムを提供することを目的とする。 It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus, a method for manufacturing a semiconductor device, and a program that suppress device defects and performance degradation on the substrate during microwave heating.
第１の態様とするところは、
基板を収容する処理室と、
基板に所定の電力で電磁波を照射する電磁波照射部と、
前記電力の最大電力を制限する電磁波電力制限部と、
前記基板の温度を測定する温度測定部と、
前記基板を処理する際に、前記温度測定部で測定された基板の温度に基づいて前記電力と前記最大電力とを調整するコントローラと、
を有する基板処理装置にある。
The first aspect is
A processing chamber for accommodating the substrate;
An electromagnetic wave irradiation unit that irradiates the substrate with an electromagnetic wave with a predetermined power;
An electromagnetic wave power limiter for limiting the maximum power of the power;
A temperature measuring unit for measuring the temperature of the substrate;
A controller that adjusts the power and the maximum power based on the temperature of the substrate measured by the temperature measurement unit when processing the substrate;
A substrate processing apparatus having
第２の態様とするところは、
処理室に収容された基板に電磁波を照射する電磁波照射工程と、
前記基板の温度を測定する温度測定工程と、
前記基板の温度に基づいて前記基板に供給される電磁波の電力と最大電力を調整する電力調整工程と、
を有する半導体装置の製造方法にある。
The second aspect is
An electromagnetic wave irradiation step of irradiating the substrate accommodated in the processing chamber with an electromagnetic wave;
A temperature measuring step for measuring the temperature of the substrate;
A power adjustment step of adjusting the power and maximum power of the electromagnetic wave supplied to the substrate based on the temperature of the substrate;
A method of manufacturing a semiconductor device having
第３の態様とするところは、
処理室に収容された基板に電磁波を照射する電磁波照射手順と、
前記基板の温度を測定する温度測定手順と、
前記基板の温度に基づいて前記基板に供給される電磁波の電力と最大電力を調整する電力調整手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムにある。
The third aspect is
An electromagnetic wave irradiation procedure for irradiating the substrate accommodated in the processing chamber with an electromagnetic wave;
A temperature measurement procedure for measuring the temperature of the substrate;
A power adjustment procedure for adjusting the power and maximum power of the electromagnetic wave supplied to the substrate based on the temperature of the substrate;
Is in a program that causes a computer to execute.
本発明によれば、基板処理中の温度は所定の温度以下に制御しつつ、基板昇温過程でも過大なマイクロ波出力を印加しないことにより、基板上のデバイス不良や性能低下を発生させることなく基板処理を行う、基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムを提供することができる。 According to the present invention, the temperature during the substrate processing is controlled to a predetermined temperature or lower, and an excessive microwave output is not applied even during the substrate temperature rising process, thereby causing no device failure or performance degradation on the substrate. A substrate processing apparatus, a method for manufacturing a semiconductor device, and a program for performing substrate processing can be provided.
本発明の実施形態に係る基板処理装置の構成について、図１を用いて説明する。図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の垂直断面図である。基板処理装置１００は、処理室１０と搬送室（不図示）とマイクロ波供給部１９とを備える。処理室１０は、基板としてのウェハ１１を処理する。マイクロ波供給部１９は、導波路２１と導波口２２とを備える。なお、マイクロ波供給部１９にマイクロ波発生部２０を設けても良い。 A configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a vertical sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 100 includes a processing chamber 10, a transfer chamber (not shown), and a microwave supply unit 19. The processing chamber 10 processes a wafer 11 as a substrate. The microwave supply unit 19 includes a waveguide 21 and a waveguide port 22. The microwave generator 20 may be provided in the microwave supply unit 19.
マイクロ波発生部２０は、例えば、固定周波数マイクロ波又は可変周波数マイクロ波を発生する。マイクロ波発生部２０としては、例えばマイクロトロン、クライストロン、ジャイロトロン等が用いられる。マイクロ波発生部２０で発生したマイクロ波は、導波路２１を介して、処理室１０内に連通する導波口２２から処理室１０内に輻射される。これにより、誘電加熱の効率をあげることができる。導波路２１には、導波路２１内部の反射電力を少なくするマッチング機構２６が設けられる。 The microwave generation unit 20 generates, for example, a fixed frequency microwave or a variable frequency microwave. As the microwave generation unit 20, for example, a microtron, a klystron, a gyrotron, or the like is used. The microwave generated by the microwave generation unit 20 is radiated into the processing chamber 10 through the waveguide 21 from the waveguide port 22 communicating with the processing chamber 10. Thereby, the efficiency of dielectric heating can be raised. The waveguide 21 is provided with a matching mechanism 26 that reduces the reflected power inside the waveguide 21.
マイクロ波発生部２０、導波路２１、導波口２２、及びマッチング機構２６でマイクロ波供給部１９が構成される。 A microwave supply unit 19 is configured by the microwave generation unit 20, the waveguide 21, the waveguide port 22, and the matching mechanism 26.
処理室１０を形成する処理容器１８は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）など金属材料により構成されており、処理室１０と外部とをマイクロ波的に遮蔽する構造となっている。 The processing container 18 forming the processing chamber 10 is made of, for example, a metal material such as aluminum (Al) or stainless steel (SUS), and has a structure that shields the processing chamber 10 from the outside in a microwave.
処理室１０内には、ウェハ１１をその上端１３ａで支持する基板支持機構としての基板支持ピン１３が設けられる。 In the processing chamber 10, substrate support pins 13 are provided as a substrate support mechanism for supporting the wafer 11 with its upper end 13 a.
基板支持ピン１３は、例えば石英やセラミックス、サファイア、又はテフロン（登録商標）等、伝熱性が低く、電気的に絶縁性が良好な材質で形成される。このような材質とすることで、基板支持ピン１３そのものが加熱されることを抑制し、更にはウェハ１１から基板支持ピン１３への熱逃げを抑制することができる。熱逃げを抑制することができるため、ウェハ面内を均一に加熱することが可能となる。また、基板支持ピン１３の加熱を防ぐことで、基板支持ピン１３の熱変形を防ぐことができ、結果熱変形によるウェハ高さを一定にすることができるので、１スロット辺りのウェハ加熱を再現性良く加熱することが可能となる。また、基板支持ピン１３は、複数（本実施形態においては３本）で構成される。 The substrate support pins 13 are made of a material having low heat conductivity and good electrical insulation, such as quartz, ceramics, sapphire, or Teflon (registered trademark). By setting it as such a material, it can suppress that the board | substrate support pin 13 itself is heated, and also can suppress the thermal escape from the wafer 11 to the board | substrate support pin 13. FIG. Since heat escape can be suppressed, the wafer surface can be heated uniformly. Further, by preventing the substrate support pins 13 from being heated, the substrate support pins 13 can be prevented from being thermally deformed, and as a result, the wafer height can be made constant due to the heat deformation, so that the wafer heating around one slot is reproduced. It becomes possible to heat with good performance. The substrate support pins 13 are composed of a plurality (three in this embodiment).
処理室１０の側壁には、例えば窒素（Ｎ２）等のガスを供給するガス供給管５２が設けられている。ガス供給管５２には、上流から順に、ガス供給源５５、ガス流量を調整する流量制御装置５４、ガス流路を開閉する開閉バルブ５３が設けられており、この開閉バルブ５３を開閉することで、処理室１０内にガス供給管５２からガスが供給、又は供給停止される。ガス供給管５２から供給されるガスは、処理室１０内の酸素濃度を低酸素濃度にしたり、ウェハ１１を冷却したり、パージガスとして処理室１０内のガスや雰囲気を押し出したりするのに用いられる。 A gas supply pipe 52 for supplying a gas such as nitrogen (N 2 ) is provided on the side wall of the processing chamber 10. The gas supply pipe 52 is provided with a gas supply source 55, a flow rate control device 54 that adjusts the gas flow rate, and an opening / closing valve 53 that opens and closes the gas flow path in order from the upstream side. The gas is supplied from the gas supply pipe 52 into the processing chamber 10 or the supply is stopped. The gas supplied from the gas supply pipe 52 is used to lower the oxygen concentration in the processing chamber 10, cool the wafer 11, or push out the gas or atmosphere in the processing chamber 10 as a purge gas. .
ガス供給管５２、開閉バルブ５３、流量制御装置５４及びガス供給源５５でガス供給部５０が構成される。流量制御装置５４と開閉バルブ５３は、制御部８０と電気的に接続されており、制御部８０により制御される。 A gas supply unit 50 is configured by the gas supply pipe 52, the opening / closing valve 53, the flow rate control device 54, and the gas supply source 55. The flow control device 54 and the opening / closing valve 53 are electrically connected to the control unit 80 and controlled by the control unit 80.
図１に示すように、例えば直方体である処理容器１８の下部であって処理室１０の側壁には、処理室１０内のガスを排気するガス排出管６２が設けられている。ガス排出管６２には、上流から順に、排気装置としての真空ポンプ６４と、圧力調整バルブ６３が設けられており、この圧力調整バルブ６３の開度を調整することで、処理室１０内の圧力が所定の値に調整される。 As shown in FIG. 1, for example, a gas discharge pipe 62 for exhausting the gas in the processing chamber 10 is provided on the side wall of the processing chamber 10 below the processing container 18 that is a rectangular parallelepiped. The gas discharge pipe 62 is provided with a vacuum pump 64 as an exhaust device and a pressure adjusting valve 63 in order from the upstream side. By adjusting the opening of the pressure adjusting valve 63, the pressure in the processing chamber 10 is adjusted. Is adjusted to a predetermined value.
ガス排出管６２、圧力調整バルブ６３及び真空ポンプ６４でガス排出部６０が構成される。圧力調整バルブ６３は、制御部８０と電気的に接続されており、制御部８０により圧力調整制御される。 The gas exhaust pipe 62, the pressure adjustment valve 63 and the vacuum pump 64 constitute a gas exhaust unit 60. The pressure adjustment valve 63 is electrically connected to the control unit 80, and pressure adjustment control is performed by the control unit 80.
図１に示すように、処理容器１８の一側面には、処理室１０の内外にウェハ１１を搬送するためのウェハ搬送口７１が設けられている。ウェハ搬送口７１には、ゲートバルブ７２が設けられており、ゲートバルブ駆動部７３によりゲートバルブ７２を開けることにより、処理室１０内と搬送室内とが連通するように構成されている。ウェハ搬送口７１、ゲートバルブ７２、ゲートバルブ駆動部７３でウェハ搬送部が構成される。搬送室内には、ウェハ１１を搬送する搬送ロボット（不図示）が設けられている。搬送ロボットには、ウェハ１１を搬送する際にウェハ１１を支持する搬送アームが備えられている。ゲートバルブ７２を開くことによって、搬送ロボットにより処理室１０内と搬送室内との間で、ウェハ１１を搬送することが可能なように構成されている。 As shown in FIG. 1, a wafer transfer port 71 for transferring the wafer 11 into and out of the processing chamber 10 is provided on one side surface of the processing container 18. A gate valve 72 is provided at the wafer transfer port 71, and the gate valve 72 is opened by the gate valve driving unit 73 so that the processing chamber 10 and the transfer chamber communicate with each other. The wafer transfer port 71, the gate valve 72, and the gate valve drive unit 73 constitute a wafer transfer unit. A transfer robot (not shown) for transferring the wafer 11 is provided in the transfer chamber. The transfer robot is provided with a transfer arm that supports the wafer 11 when the wafer 11 is transferred. By opening the gate valve 72, the wafer 11 can be transferred between the processing chamber 10 and the transfer chamber by the transfer robot.
図２は、制御部８０のハードウェア構成を示すブロック図である。なお、本発明においては、制御部８０をコントローラ８０と呼ぶこともある。
制御部８０には、演算装置１０２、記憶装置１０４、入出力部としてのＩ／Ｏポート１０６が内部バス１０８を介して、それぞれ互いにデータ交換可能なように設けられている。
FIG. 2 is a block diagram illustrating a hardware configuration of the control unit 80. In the present invention, the controller 80 may be referred to as a controller 80.
The control unit 80 is provided with an arithmetic device 102, a storage device 104, and an I / O port 106 as an input / output unit so as to exchange data with each other via an internal bus 108.
演算装置１０２として、ＣＰＵ又は専用の演算回路等が用いられる。 As the arithmetic unit 102, a CPU or a dedicated arithmetic circuit is used.
記憶装置１０４は、内部記録媒体１０５を有している。内部記録媒体１０５内には、基板処理装置１００の動作を制御する制御プログラムや後述する基板処理工程や条件などを含むプロセスレシピ等が読み出し可能に格納されている。 The storage device 104 has an internal recording medium 105. In the internal recording medium 105, a control program for controlling the operation of the substrate processing apparatus 100, a process recipe including substrate processing steps and conditions described later, and the like are stored in a readable manner.
なお、プロセスレシピは、基板処理工程における各ステップを制御部８０に実行させ、所定の結果が得ることがでるように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して単にプログラムともいう。ここで、本明細書においてプログラムとした場合にはプロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、またはその両方を含む場合がある。 The process recipe is a combination of the steps so that a predetermined result can be obtained by causing the control unit 80 to execute each step in the substrate processing process, and functions as a program. These process recipes, control programs, and the like are collectively referred to simply as programs. Here, when a program is used in this specification, it may include only a process recipe alone, may include only a control program alone, or may include both.
Ｉ／Ｏポート１０６には、マイクロ波発生部２０、開閉バルブ５３、流量制御装置５４、圧力調整バルブ６３、真空ポンプ６４、ゲートバルブ駆動部７３、搬送ロボット等がバス１０７を介して接続されている。 The I / O port 106 is connected to the microwave generation unit 20, the open / close valve 53, the flow rate control device 54, the pressure adjustment valve 63, the vacuum pump 64, the gate valve drive unit 73, the transfer robot, and the like via the bus 107. Yes.
また、制御部８０はネットワーク１１０に接続されている。ネットワーク１１０は、半導体製造工場内に設けられたネットワークやインターネット等で構成される。 The control unit 80 is connected to the network 110. The network 110 is configured by a network provided in a semiconductor manufacturing factory, the Internet, or the like.
また、制御部８０には、入出力装置２０４と外部記憶装置２０６が内部バス１０８を介して接続されている。ここで、入出力装置２０４は制御部８０と一体の構成としてもよい。入出力装置２０４として、ディスプレイ、タッチパネル、操作端末、キーボード、マウス等が用いられる。外部記憶装置２０６は、外部記録媒体２０７を有している。外部記録媒体２０７内には、基板処理装置１００の動作を制御する制御プログラムや後述する基板処理工程や条件などを含むプロセスレシピ等が読み出し可能に格納されている。 Further, the input / output device 204 and the external storage device 206 are connected to the control unit 80 via the internal bus 108. Here, the input / output device 204 may be integrated with the control unit 80. As the input / output device 204, a display, a touch panel, an operation terminal, a keyboard, a mouse, or the like is used. The external storage device 206 has an external recording medium 207. In the external recording medium 207, a control program for controlling the operation of the substrate processing apparatus 100, a process recipe including substrate processing steps and conditions described later, and the like are readable.
つまり、制御部８０は、演算装置１０２が、記憶装置１０４の内部記録媒体１０５に記憶されたプログラムを実行することにより、Ｉ／Ｏポート１０６を介してマイクロ波発生部２０、開閉バルブ５３、流量制御装置５４、圧力調整バルブ６３、真空ポンプ６４、ゲートバルブ駆動部７３、温度測定器７４等の各構成部の動作を制御する。なお、プログラムは、制御部８０の外部に設けられた外部記憶装置２０６に格納するようにし、外部記憶装置２０６から読み出して実行しても良く、外部記憶装置２０６に記録されたプログラムを内部記録媒体１０５へ移動させ、内部記録媒体１０５から読み出して実行するようにしても良い。また、プログラムは、制御部８０に接続されたネットワーク１１０から内部記録媒体１０５に記憶させてから実行するようにしてもよい。 In other words, the control unit 80 causes the arithmetic unit 102 to execute the program stored in the internal recording medium 105 of the storage device 104, thereby causing the microwave generation unit 20, the opening / closing valve 53, the flow rate to flow through the I / O port 106. The operation of each component such as the control device 54, the pressure adjusting valve 63, the vacuum pump 64, the gate valve driving unit 73, and the temperature measuring device 74 is controlled. The program may be stored in an external storage device 206 provided outside the control unit 80, and may be read out and executed from the external storage device 206. The program recorded in the external storage device 206 is stored in the internal recording medium. The program may be moved to 105, read from the internal recording medium 105, and executed. The program may be executed after being stored in the internal recording medium 105 from the network 110 connected to the control unit 80.
ここで、内部記録媒体１０５として、例えばハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、フラッシュメモリ等が用いられる。また、外部記録媒体２０７として、例えばフロッピー（登録商標）ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＯ、フラッシュメモリ等が用いられる。 Here, as the internal recording medium 105, for example, a hard disk, a CD-ROM, a flash memory, or the like is used. As the external recording medium 207, for example, a floppy (registered trademark) disk, CD-ROM, MO, flash memory, or the like is used.
以下に、本発明のマイクロ波で基板処理装置内の基板を加熱する際の制御について説明する。
基板処理装置１００は、制御部８０内の記憶装置１０４に設定記憶されたマイクロ波出力設定値に従って、マイクロ波の出力値を制御する。
マイクロ波による基板１１を加熱する場合では、処理室１０内に投入したマイクロ波エネルギーが基板１１に吸収され基板１１が加熱される。
基板温度は、マイクロ波のパワーが小さければ温度が低く、パワーが大きければ温度が高くなる。図５にシリコン基板にマイクロ波を照射したときのマイクロ波出力と１０分後の基板温度の相関データを示す。基板温度は処理室の大きさ、形状、マイクロ波の導入位置、基板位置によって変わるものであり、ここにあげるデータの基板温度は一例である。しかしながら、マイクロ波出力を大きくすると、基板温度が高くなるという関係は変わらない。
Below, the control at the time of heating the board | substrate in a substrate processing apparatus with the microwave of this invention is demonstrated.
The substrate processing apparatus 100 controls the microwave output value in accordance with the microwave output setting value set and stored in the storage device 104 in the control unit 80.
In the case where the substrate 11 is heated by microwaves, the microwave energy input into the processing chamber 10 is absorbed by the substrate 11 and the substrate 11 is heated.
The substrate temperature is low when the microwave power is low, and high when the power is high. FIG. 5 shows correlation data between the microwave output when the silicon substrate is irradiated with microwaves and the substrate temperature after 10 minutes. The substrate temperature varies depending on the size, shape, microwave introduction position, and substrate position of the processing chamber, and the substrate temperature of the data given here is an example. However, the relationship that the substrate temperature increases when the microwave output is increased does not change.
基板の熱処理では、基板の温度を上げずに、基板の膜の改質をしたいと言うニーズがある。膜の改質については、マイクロ波エネルギーが膜の改質に寄与しており、多くのエネルギーを投入することで、所定の膜質を得ることが出来る。
しかし前述のようにマイクロ波出力を大きくすると、基板は発熱し温度上昇してしまう。この相反する問題に対応するため、適切な温度制御を行うマイクロ波加熱制御を行った。
In the heat treatment of the substrate, there is a need to modify the film of the substrate without raising the temperature of the substrate. With respect to film modification, microwave energy contributes to film modification, and a predetermined film quality can be obtained by applying a large amount of energy.
However, when the microwave output is increased as described above, the substrate generates heat and the temperature rises. In order to cope with this conflicting problem, microwave heating control for performing appropriate temperature control was performed.
処理室１０の処理容器１８には温度測定器７４が設置されており、処理している基板の温度（処理室１０内の雰囲気温度でも良い）を測定できる。この温度測定器で測定された温度情報に基づき、制御部８０がマイクロ波出力値を設定制御するようにした。 A temperature measuring device 74 is installed in the processing container 18 of the processing chamber 10 and can measure the temperature of the substrate being processed (or the ambient temperature in the processing chamber 10). Based on the temperature information measured by the temperature measuring device, the control unit 80 sets and controls the microwave output value.
しかしながら、この方法で半導体デバイス基板を処理したところ、デバイス不良が発生することがわかった。これは、基板温度は所定の温度以下になっているが、温度制御初期の昇温時（図３中の破線楕円部分）に、マイクロ波出力値がマイクロ波電源の最大電力値まで出力され、このときに基板上のデバイスが破壊されたと推察される。 However, it has been found that when a semiconductor device substrate is processed by this method, a device failure occurs. This is because the substrate temperature is equal to or lower than the predetermined temperature, but at the time of the temperature rise in the initial stage of temperature control (the dashed oval part in FIG. 3), the microwave output value is output up to the maximum power value of the microwave power source, It is presumed that the device on the substrate was destroyed at this time.
そこで、このような問題点を解決する、基板の温度を所定の温度に制御しつつ、過大なマイクロ波出力を印加しないように制御するマイクロ波加熱による基板処理装置を説明する。 In view of this, a substrate processing apparatus using microwave heating for controlling such that the temperature of the substrate is controlled to a predetermined temperature and not applying an excessive microwave output will be described.
図６に本発明に係る、制御部８０の記憶装置１０４に記憶されたレシピの例を示す。図４には、図６のレシピにて基板を処理した場合の基板温度（処理室内温度）とマイクロ波出力の例を示す図である。 FIG. 6 shows an example of a recipe stored in the storage device 104 of the control unit 80 according to the present invention. FIG. 4 is a diagram showing an example of the substrate temperature (processing chamber temperature) and the microwave output when the substrate is processed by the recipe of FIG.
本発明の一実施形態に係る装置では、最大出力２０００Ｗのマイクロ波電源を使っている。またマイクロ波電源の仕様で「最低出力」が決まっているマイクロ波電源もある。ここではその最低出力を５００Ｗのマイクロ波電源を使用している。
図６に示すレシピを実行したときの動きを以下に説明する。
Ｓｔｅｐ１では「設定温度４００℃、温度ランプレート６０℃／ｓｅｃ」で昇温させる。
The apparatus according to an embodiment of the present invention uses a microwave power source with a maximum output of 2000 W. There is also a microwave power supply whose “minimum output” is determined by the specifications of the microwave power supply. Here, a microwave power source with a minimum output of 500 W is used.
The movement when the recipe shown in FIG. 6 is executed will be described below.
In Step 1, the temperature is raised at “set temperature 400 ° C., temperature ramp rate 60 ° C./sec”.
従来の方法では、設定温度と実際の基板温度に差が生じるので、制御部における温度制御はその差を無くすためにマイクロ波出力値をどんどん上げ、最終的にはマイクロ波電源最大出力２０００Ｗまで上げるが、本発明のＳｔｅｐ１の場合では、レシピで「マイクロ波出力値８００Ｗ」を設定しているので、Ｓｔｅｐ１の間は最大８００Ｗの出力で制御される。さらに「マイクロ波出力ランプレート５０Ｗ／ｓｅｃ」もかかっているので、Ｓｔｅｐ１の早いうちにマイクロ波出力がランプアップする（図４参照）。
これは基板がまだ温まっていないときに急激な温度上昇を加えると、基板にスリット（基板内部の割れ）など発生するので、緩やかに加熱することにより、基板内部の割れを防止するという効果を期待している。
In the conventional method, there is a difference between the set temperature and the actual substrate temperature. Therefore, the temperature control in the control unit increases the microwave output value rapidly in order to eliminate the difference, and finally increases the maximum microwave power source output to 2000 W. However, in the case of Step 1 of the present invention, since “microwave output value 800 W” is set in the recipe, the output is controlled at a maximum of 800 W during Step 1. Furthermore, since “microwave output ramp rate 50 W / sec” is also applied, the microwave output ramps up early in Step 1 (see FIG. 4).
This is because if a sudden temperature rise is applied when the substrate is not yet warmed, a slit (crack inside the substrate) will occur in the substrate, so it is expected to prevent cracking inside the substrate by heating gently. doing.
Ｓｔｅｐ２で「マイクロ波出力値１５００Ｗ」を設定している。これは、いま処理している基板のデバイスがマイクロ波出力１５００Ｗ以上印加されるとデバイス不良が発生してしまうため、マイクロ波電源の出力を制限する設定である。
設定温度はＳｔｅｐ１から引き続き「設定温度４００℃、温度ランプレート６０℃／ｓｅｃ」となっているので、マイクロ波出力最大１５００Ｗ以内で基板温度を４００℃にするように制御をする。
Ｓｔｅｐ２の途中で基板温度が設定温度の４００℃に近くなると、温度調節器はマイクロ波出力を下げ、基板温度を設定温度に保とうと制御する。
In Step 2, “microwave output value 1500 W” is set. This is a setting that limits the output of the microwave power source because a device failure occurs when a device of the substrate being processed is applied with a microwave output of 1500 W or more.
Since the set temperature has been “set temperature 400 ° C., temperature ramp rate 60 ° C./sec” since Step 1, the substrate temperature is controlled to 400 ° C. within a maximum microwave output of 1500 W.
When the substrate temperature is close to the set temperature of 400 ° C. during Step 2, the temperature controller controls to lower the microwave output and keep the substrate temperature at the set temperature.
Ｓｔｅｐ３で「マイクロ波出力値１５００Ｗ、マイクロ波出力ランプレート１００Ｗ／ｓｅｃ」が設定されているが、基板温度を設定温度に保つために必要なマイクロ波出力が１５００Ｗ以下のため、温度調節器の制御どおりの出力となっている。 In step 3, “Microwave output value 1500W, microwave output ramp rate 100W / sec” is set, but since the microwave output necessary to keep the substrate temperature at the set temperature is 1500W or less, the temperature controller is controlled. The output is as expected.
Ｓｔｅｐ４は「温度制御フラグ＝ＯＦＦ」とし、マイクロ波出力を０Ｗにして基板を冷却している。 In Step 4, “temperature control flag = OFF” is set, the microwave output is set to 0 W, and the substrate is cooled.
上記のレシピは説明のために一例として挙げたが、デバイス不良が生じるマイクロ波出力は、デバイスの種類や、マイクロ波加熱処理を行う工程により異なる。そのため本発明ではレシピで設定できるようにした。
従来のヒータ炉などの温度制御において、たとえばハード的な制約により温度制御ＰＩＤ（Proportional Integral Derivative）出力の最大値をヒータ容量の９５％で制限するといったやり方は行われている。しかしこれはハード的な制約であり、装置固有のパラメータとして設定される。
本発明では、レシピで出力制限値を設定することで、処理する基板の種類毎に出力制限値を変化させる、さらには処理レシピの中で動的に制限値を変化させることが可能となる。
Although the above recipe is given as an example for the purpose of explanation, the microwave output at which a device failure occurs varies depending on the type of device and the step of performing the microwave heat treatment. Therefore, in the present invention, it can be set by a recipe.
In temperature control of a conventional heater furnace or the like, for example, a method of limiting the maximum value of temperature control PID (Proportional Integral Derivative) output to 95% of the heater capacity due to hardware restrictions is performed. However, this is a hardware restriction and is set as a parameter unique to the apparatus.
In the present invention, by setting the output limit value in the recipe, the output limit value can be changed for each type of substrate to be processed, and further, the limit value can be dynamically changed in the processing recipe.
なお、前記制御部であるコントローラは、基板１１を処理する処理レシピを実行する処理を行い。更に、コントローラは、前記電力の上昇レートを設定する。また、コントローラは、電力の上昇レートに対応した最大電力を設定する。
更に、コントローラは、処理レシピの第１ステップで最大電力を第１最大電力に設定し、処理レシピの第２ステップで第１最大電力よりも高い第２最大電力に設定する等の多種多様の処理・制御を行う。
In addition, the controller which is the said control part performs the process which performs the process recipe which processes the board | substrate 11. FIG. Further, the controller sets the rate of increase of the power. Further, the controller sets the maximum power corresponding to the power increase rate.
Furthermore, the controller sets a maximum power to the first maximum power in the first step of the processing recipe, and sets a second maximum power higher than the first maximum power in the second step of the processing recipe.・ Control.
次に、マイクロ波加熱において、処理室１０内の基板の温度を放射温度計で測定する場合の被測定物である基板の放射率と放射温度計に入力された放射率の相違による温度誤差を回避するため、基板の放射率を容易に測定する方法について説明する。 Next, in microwave heating, the temperature error due to the difference between the emissivity of the substrate as the object to be measured and the emissivity input to the radiation thermometer when the temperature of the substrate in the processing chamber 10 is measured with the radiation thermometer. In order to avoid this, a method for easily measuring the emissivity of the substrate will be described.
図７に一般的な処理室構成を示す。導波管２０３を処理室２０１上部に固定し、固定位置よりマイクロ波を導入する。回転可能なサセプタ２０７に乗せた基板２０４にマイクロ波を照射する。基板２０４は、反射板を兼ねるサセプタ２０７から一定の距離を保つため、石英ピン２０５によって、支えられ、一定速度で回転している。マイクロ波導入口は、概略、基板２０４のセンター（Ｃ）とエッジ部（Ｅ）の間の位置の上方に設けられる。
基板４は、ゲートバルブ２０６を開放し、被処理基板２０４は、図示しない搬送ロボットにより、搬送ポジションにあるサセプタ２０７の石英ピン２０５上に搬送・設置される。
FIG. 7 shows a general processing chamber configuration. The waveguide 203 is fixed to the upper part of the processing chamber 201, and microwaves are introduced from a fixed position. A substrate 204 placed on a rotatable susceptor 207 is irradiated with microwaves. The substrate 204 is supported by the quartz pins 205 and is rotated at a constant speed in order to maintain a certain distance from the susceptor 207 that also serves as a reflector. The microwave inlet is generally provided above the position between the center (C) and the edge portion (E) of the substrate 204.
The substrate 4 opens the gate valve 206, and the substrate 204 to be processed is transferred and installed on the quartz pin 205 of the susceptor 207 at the transfer position by a transfer robot (not shown).
その後、ゲートバルブ２０６を閉め、サセプタ２０７を処理位置まで上昇させる。必要に応じて、処理室２０１内部は、一旦真空引きされ、窒素に置換され、大気圧状態に戻される。サセプタ２０７は、回転し、マイクロ波の照射を開始するが、照射直後は、低電力のマイクロ波を導入し、徐々にその電力を増し、所望の電力にて一定時間保持する。
その後、マイクロ波の照射を停止し、前記の逆のシーケンスにより、処理済基板２０４を処理室２０１より搬出する。基板２０４の温度は、処理室上部蓋に設けられた放射温度計２０９により、測定する。マイクロ波が照射されている時は、常時、計測を行う。この時、基板の放射率が正しくないと正確な温度を得ることができない。基板の放射率を求める方法として、基板２０４に熱電対（ＴＣ）を貼り付けた治具を処理室内に入れ、ＴＣの出力する温度と放射温度計２０９の温度が一致するように放射率を設定する方法が一般的である。
Thereafter, the gate valve 206 is closed and the susceptor 207 is raised to the processing position. If necessary, the inside of the processing chamber 201 is once evacuated, replaced with nitrogen, and returned to the atmospheric pressure state. The susceptor 207 rotates and starts microwave irradiation. Immediately after the irradiation, a low-power microwave is introduced, and the power is gradually increased and held at a desired power for a certain time.
Thereafter, the microwave irradiation is stopped, and the processed substrate 204 is unloaded from the processing chamber 201 in the reverse sequence. The temperature of the substrate 204 is measured by a radiation thermometer 209 provided on the upper lid of the processing chamber. Measurement is always performed when microwaves are being applied. At this time, an accurate temperature cannot be obtained unless the emissivity of the substrate is correct. As a method of obtaining the emissivity of the substrate, a jig having a thermocouple (TC) attached to the substrate 204 is placed in the processing chamber, and the emissivity is set so that the temperature output from the TC matches the temperature of the radiation thermometer 209. The method to do is common.
しかし、この方法は、ＴＣ付き基板の準備、計測機器の準備、装置の一旦停止、ＴＣ線を処理室の外まで導出する等、非定常な作業などの煩わしさに加え、ＴＣ線とマイクロ波の相互作用（ＴＣ線がアンテナとなりノイズが多くなる）によって、計測温度に影響がでるなど正確さや利便性に問題がある。 However, in this method, in addition to troublesome operations such as unsteady operations such as preparation of a substrate with TC, preparation of measuring equipment, temporary stop of the apparatus, and extraction of the TC line to the outside of the processing chamber, TC line and microwave There is a problem in accuracy and convenience, such as the measurement temperature being affected by the interaction (TC wire becomes an antenna and noise increases).
処理室内に被加熱物（基板２０４）が存在する場合において、温度と放射熱量の関係は、次式で与えられる。
同様に、物体２の温度をＴ２、放射率をε２、表面積をＡ２、熱放射エネルギーをＱ２とする。なおσは、ステファンボルツマン定数である。
両辺をＡ１で割ることにより、電力Ｐについての次式が導き出される。
Similarly, the temperature of the object 2 is T 2 , the emissivity is ε 2 , the surface area is A 2 , and the thermal radiation energy is Q 2 . Note that σ is a Stefan Boltzmann constant.
Dividing both sides by A 1 yields the following equation for power P:
従って、処理室温度Ｔ２、処理室・被加熱物体の面積比（Ａ１／Ａ２）は、既知または、容易に計測可能であり、また、投入マイクロ波電力も既知であるため、処理室内壁の放射率ε２が分かれば、基板の放射率ε１が求められることとなる。
図３は、実際に計測された温度とマイクロ波電力の特性線であり、その傾きは、
となる。
Accordingly, the processing chamber temperature T 2 and the area ratio (A 1 / A 2 ) between the processing chamber and the heated object are known or easily measurable, and the input microwave power is also known. If the emissivity ε 2 of the wall is known, the emissivity ε 1 of the substrate can be obtained.
FIG. 3 is a characteristic line of actually measured temperature and microwave power, and its slope is
It becomes.
従って、グラフより次式（数４）によって傾きを求め、この値が数３と同じになるので、ε１、ε２のいずれかが既知であれば、他方が求められることとなる。
第１ステップとして、基板と同一形状で、放射率が既知である物体、例えば、基板表面に黒体を塗布したもの、ＳｉＣを母体とするものなどが考えられるが、例えば、黒体の物体が放射率＝１の物体を処理室に入れ、マイクロ波電力−温度特性線を求めれば、これより、処理室の放射率ε２が求められる。第２ステップとして、実基板を処理室に導入して、同様の特性を求めれば、今度は処理室のε２が分かっているため、実基板の放射率ε１が求められる。但し、この時、放射温度計の放射率設定が１であるとすれば、式のＴ１の温度は、１／４√ε１倍した数値に補正しておくことが必要となる。 As the first step, an object having the same shape as the substrate and having a known emissivity, for example, a substrate coated with a black body, a substrate having SiC as a base, etc. can be considered. If an object with emissivity = 1 is put in the processing chamber and the microwave power-temperature characteristic line is obtained, the emissivity ε 2 of the processing chamber can be obtained from this. As a second step, if a real substrate is introduced into the processing chamber and the same characteristics are obtained, then the emissivity ε 1 of the actual substrate is obtained because ε 2 of the processing chamber is known. However, this time, if the emissivity setting of the radiation thermometer 1, the temperature of the formula T 1, it is necessary to keep correct the 1/4 √ε 1 times the numerical value.
＜本実施形態に係る効果＞
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
<Effects according to this embodiment>
According to the present embodiment, one or more effects shown below are produced.
（ａ）基板の放射率を求めることにより、基板の正確な放射率と温度の計測を行うことが可能となる。 (A) By determining the emissivity of the substrate, it is possible to accurately measure the emissivity and temperature of the substrate.
（ｂ）また、簡易な方法であるため、定常に近い頻度で放射率の計測ができ、測定温度の補正が可能となる。 (B) Moreover, since it is a simple method, the emissivity can be measured with a frequency close to a steady state, and the measurement temperature can be corrected.
（ｃ）また、マイクロ波加熱することで、基板上に形成された高誘電率膜のみを改質させることができる。 (C) Moreover, only the high dielectric constant film formed on the substrate can be modified by microwave heating.
（ｄ）また、過大なマイクロ波の印加を抑制することができ、基板上に形成されたデバイスの不良発生や性能劣化を抑制することができる。 (D) In addition, application of an excessive microwave can be suppressed, and occurrence of defects and performance deterioration of a device formed on the substrate can be suppressed.
本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。上述の各実施形態では、基板に処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。 It goes without saying that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. In each of the above-described embodiments, the case where the substrate is processed has been described. However, the processing target may be a photomask, a printed wiring board, a liquid crystal panel, a compact disk, a magnetic disk, or the like.
＜本発明の好ましい態様＞
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
<Preferred embodiment of the present invention>
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be additionally described.
（付記１）
一態様によれば、
基板を収容する処理室と、
基板に所定の電力で電磁波を照射する電磁波照射部と、
前記電力の最大電力を制限する電磁波電力制限部と、
前記基板の温度を測定する温度測定部と、
前記基板を処理する際に、前記温度測定部で測定された基板の温度に基づいて前記電力と前記最大電力とを調整するコントローラと、
を有する基板処理装置が提供される。
(Appendix 1)
According to one aspect,
A processing chamber for accommodating the substrate;
An electromagnetic wave irradiation unit that irradiates the substrate with an electromagnetic wave with a predetermined power;
An electromagnetic wave power limiter for limiting the maximum power of the power;
A temperature measuring unit for measuring the temperature of the substrate;
A controller that adjusts the power and the maximum power based on the temperature of the substrate measured by the temperature measurement unit when processing the substrate;
A substrate processing apparatus is provided.
（付記２）
付記１の基板処理装置であって、好ましくは、
前記コントローラは、前記基板を処理する処理レシピを実行する。
(Appendix 2)
The substrate processing apparatus according to appendix 1, preferably,
The controller executes a processing recipe for processing the substrate.
（付記３）
付記１の基板処理装置であって、好ましくは、
前記コントローラは、前記電力の上昇レートを設定する。
(Appendix 3)
The substrate processing apparatus according to appendix 1, preferably,
The controller sets an increase rate of the power.
（付記４）
付記１と付記２のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記コントローラは、前記電力の上昇レートに対応した前記最大電力を設定する。
(Appendix 4)
The substrate processing apparatus according to any one of Appendix 1 and Appendix 2, preferably,
The controller sets the maximum power corresponding to the power increase rate.
（付記５）
付記１〜付記３のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記コントローラは、前記処理レシピの第１ステップで前記最大電力を第１最大電力に設定し、前記処理レシピの第２ステップで前記第１最大電力よりも高い第２最大電力に設定する。
(Appendix 5)
The substrate processing apparatus according to any one of supplementary notes 1 to 3, preferably,
The controller sets the maximum power to the first maximum power in the first step of the processing recipe, and sets the second maximum power higher than the first maximum power in the second step of the processing recipe.
（付記６）
他の態様によれば、
処理室に収容された基板に電磁波を照射する電磁波照射工程と、
前記基板の温度を測定する温度測定工程と、
前記基板の温度に基づいて前記基板に供給される電磁波の電力と最大電力を調整する電力調整工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
(Appendix 6)
According to another aspect,
An electromagnetic wave irradiation step of irradiating the substrate accommodated in the processing chamber with an electromagnetic wave;
A temperature measuring step for measuring the temperature of the substrate;
A power adjustment step of adjusting the power and maximum power of the electromagnetic wave supplied to the substrate based on the temperature of the substrate;
A method of manufacturing a semiconductor device having the above is provided.
（付記７）
付記６に記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記電力調整工程では、前記電力の上昇レートを設定する工程を有する。
(Appendix 7)
A method for manufacturing a semiconductor device according to appendix 6, preferably,
The power adjustment step includes a step of setting an increase rate of the power.
（付記８）
付記６に記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記電力調整工程では、前記電力の上昇レートに対応した前記最大電力を設定する。
(Appendix 8)
A method for manufacturing a semiconductor device according to appendix 6, preferably,
In the power adjustment step, the maximum power corresponding to the power increase rate is set.
（付記９）
付記６に記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記電力調整工程では、処理レシピの第１ステップで前記最大電力を第１最大電力に設定し、前記処理レシピの第２ステップで前記第１最大電力よりも高い第２最大電力に設定する。
(Appendix 9)
A method for manufacturing a semiconductor device according to appendix 6, preferably,
In the power adjustment step, the maximum power is set to the first maximum power in the first step of the processing recipe, and is set to the second maximum power higher than the first maximum power in the second step of the processing recipe.
（付記１０）
更に他の態様によれば、
処理室に収容された基板に電磁波を照射する電磁波照射手順と、
前記基板の温度を測定する温度測定手順と、
前記基板の温度に基づいて前記基板に供給される電磁波の電力と最大電力を調整する電力調整手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
(Appendix 10)
According to yet another aspect,
An electromagnetic wave irradiation procedure for irradiating the substrate accommodated in the processing chamber with an electromagnetic wave;
A temperature measurement procedure for measuring the temperature of the substrate;
A power adjustment procedure for adjusting the power and maximum power of the electromagnetic wave supplied to the substrate based on the temperature of the substrate;
A program for causing a computer to execute is provided.
（付記１１）
更に他の態様によれば、
処理室に収容された基板に電磁波を照射する電磁波照射手順と、
前記基板の温度を測定する温度測定手順と、
前記基板の温度に基づいて前記基板に供給される電磁波の電力と最大電力を調整する電力調整手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが記録された記録媒体が提供される。
(Appendix 11)
According to yet another aspect,
An electromagnetic wave irradiation procedure for irradiating the substrate accommodated in the processing chamber with an electromagnetic wave;
A temperature measurement procedure for measuring the temperature of the substrate;
A power adjustment procedure for adjusting the power and maximum power of the electromagnetic wave supplied to the substrate based on the temperature of the substrate;
A recording medium on which a program for causing a computer to execute is recorded is provided.
１０…処理室
１１…ウェハ
１３…基板支持ピン
１８…処理容器
１９…マイクロ波供給部
２０…マイクロ波発生部
２１…導波路
２２…導波口
５０…ガス供給部
５２…ガス供給管
５３…開閉バルブ
５４…流量制御装置
５５…ガス供給源
６０…ガス排出部
６２…ガス排出管
６３…圧力調整バルブ
６４…真空ポンプ
７１…ウェハ搬送口
７２…ゲートバルブ
７３…ゲートバルブ駆動部
８０…制御部
１００…基板処理装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Processing chamber 11 ... Wafer 13 ... Substrate support pin 18 ... Processing container 19 ... Microwave supply part 20 ... Microwave generation part 21 ... Waveguide 22 ... Waveguide port 50 ... Gas supply part 52 ... Gas supply pipe 53 ... Opening and closing Valve 54 ... Flow rate control device 55 ... Gas supply source 60 ... Gas discharge part 62 ... Gas discharge pipe 63 ... Pressure adjustment valve 64 ... Vacuum pump 71 ... Wafer transfer port 72 ... Gate valve 73 ... Gate valve drive part 80 ... Control part 100 ... Substrate processing equipment
Claims (3)
基板に所定の電力で電磁波を照射する電磁波照射部と、
前記電力の最大電力を制限する電磁波電力制限部と、
前記基板の温度を測定する温度測定部と、
前記基板を処理する際に、前記温度測定部で測定された基板の温度に基づいて前記電力と前記最大電力とを調整するコントローラと、
を有する基板処理装置。 A processing chamber for accommodating the substrate;
An electromagnetic wave irradiation unit that irradiates the substrate with an electromagnetic wave with a predetermined power;
An electromagnetic wave power limiter for limiting the maximum power of the power;
A temperature measuring unit for measuring the temperature of the substrate;
A controller that adjusts the power and the maximum power based on the temperature of the substrate measured by the temperature measurement unit when processing the substrate;
A substrate processing apparatus.
前記基板の温度を測定する温度測定工程と、
前記基板の温度に基づいて前記基板に供給される電磁波の電力と最大電力を調整する電力調整工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 An electromagnetic wave irradiation step of irradiating the substrate accommodated in the processing chamber with an electromagnetic wave;
A temperature measuring step for measuring the temperature of the substrate;
A power adjustment step of adjusting the power and maximum power of the electromagnetic wave supplied to the substrate based on the temperature of the substrate;
A method for manufacturing a semiconductor device comprising:
前記基板の温度を測定する温度測定手順と、
前記基板の温度に基づいて前記基板に供給される電磁波の電力と最大電力を調整する電力調整手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム。 An electromagnetic wave irradiation procedure for irradiating the substrate accommodated in the processing chamber with an electromagnetic wave;
A temperature measurement procedure for measuring the temperature of the substrate;
A power adjustment procedure for adjusting the power and maximum power of the electromagnetic wave supplied to the substrate based on the temperature of the substrate;
A program that causes a computer to execute.
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