JP2015067523A

JP2015067523A - ガラス基板の製造方法及びガラス基板製造装置

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Publication number: JP2015067523A
Application number: JP2013205492A
Authority: JP
Inventors: 雅弥杉野; Masaya Sugino
Original assignee: Avanstrate Inc; Avanstrate Asia Pte Ltd
Current assignee: Avanstrate Inc; Avanstrate Asia Pte Ltd
Priority date: 2013-09-30
Filing date: 2013-09-30
Publication date: 2015-04-13

Abstract

【課題】品質がよく、ガラス組成変動が少ないガラス基板を安定して製造する。
【解決手段】少なくともアルミニウム源を含むガラス原料を熔解して１５２０〜１６２０℃の熔融ガラスとする熔解工程を有し、アルミニウム源としては、少なくとも酸化アルミニウムを含む。酸化アルミニウムは、平均粒径が５０〜２００μｍであり、かつ、粒径が３８μｍ以下の粒子の割合が１５％以下である。
【選択図】図２

Description

本発明は、ガラス基板の製造方法及びガラス基板製造装置に関する。

液晶ディスプレイに代表されるフラットパネルディスプレイ用のガラス基板は、ガラス中の泡数が少ないことが求められている。そのため、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板を製造する際には、清澄剤を用いて化学的に清澄を行っている。

また、ＴＦＴ劣化防止の観点から、ＴＦＴを搭載するフラットパネルディスプレイ用ガラス基板は、アルカリ金属を含有しないことが求められている。そのため、他の用途の建築用、カバーガラス用などのアルカリガラスと比較して、ＴＦＴを搭載するフラットパネルディスプレイ用ガラスは熔融温度を１００℃以上高くする必要があった。

しかし、熔融温度を高くしすぎると、熔解工程で清澄剤が還元されてしまい、清澄工程において酸素を放出して脱泡を促進する清澄剤として働く清澄剤が十分に残存していないという問題があった。他方、熔融温度を低くしすぎるとガラス原料を十分に熔解することができず、泡の発生及びガラスの均質性が低下するという問題があった。

上述した問題を解決するために、熔解工程の後にガラスを冷却し、低温で保持して清澄剤を酸化させ、その後、ガラスを加熱することで酸素を発生させ、清澄効果を得る技術が開示されている（特許文献１）。

特表２０１１−５０２９３４

しかし、特許文献１の技術では、エネルギー効率が悪く、かつ装置構成も複雑なため、低コストで泡や脈理の少ないガラス基板を安定して製造することが難しかった。また、近年のフラットディスプレイの高精細化に伴い、フラットディスプレイ用ガラス基板にも、より高い品質が求められている。中でも、ガラス中の泡、脈理に対する要求は益々厳しくなってきている。さらに、ガラス基板ごとのガラス組成及び品質のバラツキが小さいことも求められている。

そこで、本発明では、品質がよく、ガラス組成変動が少ないガラス基板を安定して製造することができるガラス基板製造方法及びガラス基板製造装置を提供することを目的とする。

[１]少なくともアルミニウム源を含むガラス原料を熔解して１５２０〜１６２０℃の熔融ガラスとする熔解工程と、熔融ガラスに含まれる清澄剤を用いて熔融ガラスの清澄を行う清澄工程と、を有し、アルミニウム源としては、少なくとも酸化アルミニウムを含み、酸化アルミニウムは、平均粒径が５０〜２００μｍであり、かつ、粒径が３８μｍ以下の粒子の割合が１５％以下であるガラス基板の製造方法。

[２]ガラス基板は、アルカリ金属酸化物の含有量（ただし、アルカリ金属酸化物の含有量は、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏのうち含有する成分の合計）は、０〜０．８質量％である、[１]記載のガラス基板の製造方法。

[３]ガラス基板は、ＳｉＯ_２５０〜７０質量％、Ｂ_２Ｏ_３０〜１５質量％、Ａｌ_２Ｏ_３１０〜２５質量％、ＭｇＯ０〜１０質量％、ＣａＯ０〜２０質量％、ＳｒＯ０〜２０質量％、ＢａＯ０〜１５質量％、ＲＯ５〜２０質量％（ただしＲＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯのうち含有する成分の合計）、を含有する、[１]又は[２]に記載のガラス基板の製造方法。

[４]清澄剤は、少なくとも酸化錫を含む、[１]〜[３]の何れか１項に記載のガラス基板の製造方法。このとき、ガラス基板は、酸化錫を、０．０１〜０．５質量％含有していることが好ましい。さらに、ガラス基板は、酸化錫と酸化鉄を組み合わせて含有し、酸化錫を０．０１〜０．５質量％含有し、酸化鉄を０．０１〜０．１質量％含有する、ことが好ましい。

[５]ガラス基板は、歪点が６６０℃以上である、[１]〜[４]の何れか１項に記載のガラス基板の製造方法。このとき、歪点は、６９０℃以上である、ことが好ましい。

[６]ガラス基板は、熱収縮率が７５ｐｐｍ以下である、[１]〜[５]の何れか１項に記載のガラス基板の製造方法。

[７]ガラス基板は、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板である、[１]〜[６]の何れか１項に記載のガラス基板の製造方法。また、ガラス基板は、液晶ディスプレイ用ガラス基板又は有機ＥＬディスプレイ用ガラス基板である、ことが好ましい。さらに、ガラス基板は、低温ポリシリコン・ＴＦＴディスプレイ用ガラス基板である、ことが好ましい。

[８]少なくともアルミニウム源を含むガラス原料を熔解して１５２０〜１６２０℃の熔融ガラスとするための熔解槽と、熔融ガラスに含まれる清澄剤を用いて熔融ガラスの清澄を行う清澄槽と、を有し、アルミニウム源としては、少なくとも酸化アルミニウム含み、酸化アルミニウムは、平均粒径が５０〜２００μｍであり、かつ、粒径が３８μｍ以下の粒子の割合が１５％以下である、ガラス基板製造装置。

[９]ガラス基板は、[２]〜[３]、[５]〜[７]の何れか１項に記載のガラス基板である、[８]記載のガラス基板製造装置。

[１０]清澄剤は、少なくとも酸化錫を含む、[８]又は[９]に記載のガラス基板製造装置。このとき、ガラス基板は、酸化錫を、０．０１〜０．５質量％、含有していることが好ましい。さらに、ガラス基板は、酸化錫と酸化鉄を組み合わせて含有し、酸化錫を０．０１〜０．５質量％含有し、酸化鉄を０．０１〜０．１質量％含有する、ことが好ましい。

本発明のガラス基板の製造方法および製造装置によれば、品質がよく、ガラス組成変動が少ないガラス基板を安定して得ることができる。

本実施形態のガラス基板の製造方法の工程図である。本実施形態のガラス基板の製造方法のうち、熔解工程〜切断工程を行う装置を模式的に示す図である。

＜ガラス基板の製造方法＞
ガラス基板は、少なくともアルミニウム源を含むガラス原料を熔解した後に成形することによって製造される。ガラス基板は、例えば下記の工程を順に経て製造される。
（１）少なくともアルミニウム源、必要に応じて珪砂、ホウ素源、アルカリ土類金属源、アルカリ金属源、清澄剤を、目標とするガラス基板の組成となるようにガラス原料を調整する工程
（２）調整した原料と必要に応じて添加されるカレットとを、熔解槽内に投入して熔解することで熔融ガラスとする工程（熔解工程ＳＴ１）
（３）清澄槽の内壁と熔融ガラス液面とで形成された気相空間を有する清澄槽において、熔融ガラスの清澄を行う工程（清澄工程ＳＴ２）
（４）熔融ガラスを、オーバーフローダウンドロー法又はフロート法等の成形法によって所定の厚さを有するシートガラスに成形する工程（成形工程ＳＴ５）、
（５）シートガラスの徐冷を行う工程（徐冷工程ＳＴ６）
（６）シートガラスを所定の大きさに切断してガラス基板を得る工程（切断工程ＳＴ７）

（アルミニウム源）
アルミニウム源としては、例えば、酸化アルミニウム、アルミニウムの水酸化物などを用いることができる。酸化アルミニウムとしては、例えばＡｌ_２Ｏ_３を用いることができる。また、アルミニウムの水酸化物としては、Ａｌ（ＯＨ）_３を用いることができる。本実施形態では、アルミニウム源として、少なくとも酸化アルミニウムを用いる。水酸化物の量が多くなると、ガラス中の泡数が増加し、ガラス基板の歪点が低下するため、ガラス原料中にＡｌ（ＯＨ）_３を含有させる場合の含有量は、０〜５０％であることが好ましい。

（酸化アルミニウム）
酸化アルミニウムの平均粒径は、５０〜２００μｍであり、６０〜１５０μｍであることが好ましい。酸化アルミニウムの熔融温度は、熔解しにくいとされる珪砂などの他のガラス原料よりも高い。そのため、酸化アルミニウムの平均粒径が大きすぎると、熔解工程において酸化アルミニウムを十分に熔解することができない。そのため、熔融ガラスの均質化を図ることが困難となり、脈理が発生する虞がある。また、熔解されずに残存した酸化アルミニウムの未熔解物は、核となって泡を発生させる虞がある。さらに、酸化アルミニウムの平均粒径が大きすぎるとガラス原料を調整する際にも、ガラス原料を均等に混合することが難しくなるため、熔解ガラスを均質化することも難しくなる。

他方、酸化アルミニウムの平均粒径が小さすぎると、熔解槽においてガラス原料が飛散しやすくなる。ガラス原料が飛散すると、本来熔融ガラスになるべき原料の一部が熔解されずに、例えば、熔解槽外に排出されてしまう。ここで、ガラス原料の飛散量は一定ではなく、ガラス原料の投入位置、ガラス原料の投入量、ガス燃焼手段のガス量、熔解槽内の気圧等によって変化する。飛散量が変化すると、製造されたガラス基板の組成が、製造された時期によって変動してしまう。ガラス基板の組成が変動すると、ガラス基板の透過率や歪点などのガラス特性が変動してしまうので好ましくない。

特に、酸化アルミニウムは、ガラス基板の重要な特性である歪点や耐酸性に対し大きな影響をあたえる成分である。例えば、酸化アルミニウム量が少なくなると、歪点が急激に小さくなる。近年、ディスプレイの高精細化に伴い、ガラス基板の熱収縮率を小さくすることが求められている。さらに、ガラス基板ごとに熱収縮率が変動しないことが特に求められている。ガラス基板中の酸化アルミニウム含有量が変化すると、ガラス基板の歪点が変化してしまうので、製造した時期によってガラス基板ごとの熱収縮も変化してしまう虞がある。そのため、酸化アルミニウムの平均粒径が小さすぎることは好ましくない。これは、特に熱収縮率の変動に対する要求が厳しい、ＬＴＰＳ・ＴＦＴを搭載した液晶ディスプレイ又は有機ＥＬディスプレイで顕著となる問題である。そのため、熱収縮率の変動を低減できる本実施形態は、ＬＴＰＳ・ＴＦＴを搭載した液晶ディスプレイ又は有機ＥＬディスプレイに好適である。

また、本実施形態の酸化アルミニウムは、粒径が３８μｍ以下の粒子の割合が１５％以下であり、８％以下であることがより好ましい。これにより、酸化アルミニウムの飛散量を効果的に低減できるので、ガラス基板の組成及び透過率、歪点、熱収縮率などのガラス特性の変動を効果的に低減できる。

（清澄剤）
本実施形態では、清澄剤として少なくとも酸化錫を用いる。酸化錫としては、例えば、ＳｎＯ_２が挙げられる。本実施形態では、ガラス基板が酸化錫を０．０１〜０．５質量％含有するように原料調整することが好ましい。酸化錫の含有量が少なすぎると十分に清澄効果を得られないので、ガラス基板中の泡数が増加する。他方、酸化錫の含有量が多すぎると、酸化錫の揮発量が増加し、揮発した酸化錫が凝集して形成された酸化錫異物が熔融ガラス中に混入する虞が高まる。また、酸化錫による失透が生じやすくなる。
さらに、酸化錫異物の混入を抑制しつつ清澄効果を高める観点からは、ガラス基板が、酸化錫と酸化鉄と含有することが好ましく、酸化錫を０．０１〜０．５質量％含有し、酸化鉄を０．０１〜０．１質量％含有するように原料調整することが好ましい。

なお、環境負荷の観点から、Ｆ及びＣｌは実質的に含有しないことが好ましい。また、環境負荷の観点から、Ａｓ_２Ｏ_３、ＰｂＯ、Ｓｂ_２Ｏ_３も実質的に含まないことが好ましい。

（カレット）
カレットとは、ガラス基板の製造過程で排出されるガラス屑である。ガラス原料及びカレットの混合物１００質量％としたときに、カレットの添加量は、１０〜５０質量％であることが好ましい。カレットを添加することで、初期の熔融性を確保することができる。また、カレット添加量が多すぎると、清澄剤による清澄効果が十分に得られないため好ましくない。なお、カレットは、目標とするガラス基板の組成と同じ組成を有するものを用いることが好ましい。

（製造工程・製造装置）
図２は、図１に示す熔解工程（ＳＴ１）〜切断工程（ＳＴ７）を行うガラス基板製造装置を模式的に示す図である。当該装置は、図２に示すように、主に熔解装置２００と、成形装置３００と、を有する。熔解装置２００は、熔解槽２０１と、清澄槽本体２０２と、攪拌槽２０３と、ガラス供給管２０４，２０５，２０６と、を主に有する。

熔解工程（ＳＴ１）では、熔解槽２０１内に供給されたガラス原料を、少なくとも電極を用いた通電加熱により熔解することで、熔融ガラスを得る。電極を用いた通電加熱の他に、図示されないバーナなどのガス燃焼手段も用いてガラス原料を熔解して熔融ガラスを得てもよい。なお、熔解工程における熔融ガラスの最高温度は１５２０〜１６２０℃であり、１５５０〜１６１０℃であることが好ましい。

清澄工程（ＳＴ２）は、清澄槽本体２０２、ガラス供給管２０４，２０５において行われる。清澄工程では、清澄剤の酸化還元反応によって脱泡及び熔融ガラスに残存する泡の吸収が行われる。なお、清澄工程における熔融ガラスの最高温度は熔解工程における熔融ガラスの最高温度よりも高く、１６１０〜１７００℃であることが好ましく、１６３０〜１６６０℃であることがより好ましい。

均質化工程（ＳＴ３）では、ガラス供給管２０５を通って供給された攪拌槽２０３内の熔融ガラスＭＧを、スターラ２０３ａを用いて攪拌することにより、ガラス成分の均質化を行う。なお、均質化工程における熔融ガラス温度は清澄工程における熔融ガラスの最高温度よりも低く、例えば、１４００〜１５００℃である。

供給工程（ＳＴ４）では、ガラス供給管２０６を通して熔融ガラスが成形装置３００に供給される。成形装置に供給されるときの熔融ガラス温度は、例えば、１１００℃〜１３５０℃である。

成形装置３００では、成形工程（ＳＴ５）及び徐冷工程（ＳＴ６）が行われる。
成形工程（ＳＴ５）では、熔融ガラスをシートガラスＧに成形する。本実施形態では、オーバーフローダウンドロー法を用いる。徐冷工程（ＳＴ６）では、成形されたシートガラスＧが、歪や熱収縮率の値が大きくならないように冷却される。

切断工程（ＳＴ７）では、切断装置４００において、成形装置３００から供給されたシートガラスＧを所定の長さに切断することで、ガラス基板を得る。なお、切断工程（ＳＴ７）は、必ずしも徐冷工程（ＳＴ６）の直後に設けられなくてもよい。例えば、短面の研削・研磨を行った後に切断工程（ＳＴ７）が設けられてもよい。

（ガラス基板）
本実施形態により製造されるガラス基板は、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板に好適に用いられる。例えば、アルカリ金属酸化物（Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、及びＫ_２Ｏ）を実質的に含有しない、あるいは、アルカリ金属酸化物の含有量（Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、及びＫ_２Ｏの合量）が、０．８質量％以下であるガラス組成を有することが、本実施形態の効果を効率よく発揮する点で好ましい。

ガラス基板は、ＳｉＯ_２５０〜７０質量％、Ｂ_２Ｏ_３０〜１８質量％、Ａｌ_２Ｏ_３１０〜２５質量％、ＭｇＯ０〜１０質量％、ＣａＯ０〜２０質量％、ＳｒＯ０〜２０質量％、ＢａＯ０〜１５質量％、ＲＯ５〜２０質量％（ただし、ＲＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯのうち含有する成分の合計）、を含有することが好ましい。

また、より高精細化が求められるガラス基板としては、例えば、ＳｉＯ_２５５〜７０質量％、Ｂ_２Ｏ_３０〜１５質量％、Ａｌ_２Ｏ_３１５〜２５質量％、ＭｇＯ０〜１０質量％、ＣａＯ０〜２０質量％、ＳｒＯ０〜１０質量％、ＢａＯ０〜１５質量％、ＲＯ７〜２０質量％（ただし、ＲＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯのうち含有する成分の合計）、を含有することが好ましい。

また、アルカリ金属酸化物は、ガラスから溶出してＴＦＴの特性を劣化させる虞のある成分であることから、液晶ディスプレイ用ガラス基板や有機ＥＬディスプレイ用ガラス基板として適用する場合には、含有量が制限される。アルカリ金属酸化物は、熔融ガラスの粘度を下げる効果があるため、アルカリ金属酸化物の含有量が制限された（例えば、０．８質量％以下の）ガラスは、アルカリ金属酸化物の含有量が制限されないガラス（例えば、０．８質量％超の）と比較して、熔融ガラスの粘度が高くなる。ここで、高温域の熔融ガラス粘度が高くなると、原料を十分に熔解するために熔解工程における熔融温度を高くする必要がある。しかし、熔解工程における熔融ガラス温度を上昇させると、熔解工程において清澄剤が還元してしまい清澄工程において清澄効果を十分に得られず、ガラス基板中の泡数が増加するという問題が顕著となる。つまり、アルカリ金属酸化物の含有量が０．８質量％以下のガラス基板を製造する場合には、熔解温度を過剰に上昇させずに未熔解物の発生を抑制できる本実施形態がより好適となる。

また、アルカリ金属酸化物は、ガラス中に敢えて特定量含有させることによって、ＴＦＴの特性の劣化を招くことなしに、ガラスの塩基性度を高め、価数変動する金属の酸化を容易にして、清澄性を発揮させることが可能である。また、アルカリ金属酸化物は熔融ガラス粘度を低下させ、熔融温度を低下させることができる。そこで、ガラス基板は、アルカリ金属酸化物を０．１〜０．８質量％含有することが好ましく、０．２〜０．５質量％含有することがより好ましい。なお、Ｌｉ_２Ｏ，Ｎａ_２Ｏは実質的に含有させずに、上記成分中でも、最もガラスから溶出してＴＦＴの特性劣化を生じ難いＫ_２Ｏを含有させることが好ましい。Ｋ_２Ｏの含有量は、０〜０．１質量％であることが好ましく、０．１〜０．４質量％がより好ましい。

ガラス基板の歪点は、６６０℃以上であることが好ましい。また、熱収縮率を小さくできるという観点からは、６８０℃以上であることが好ましく、６９０℃以上であることがより好ましい。歪点を６８０℃以上とすることで、ガラス基板の熱収縮率の絶対値を小さくすることができる。これにより、ガラス基板の熱収縮率の変動も低減できる。歪点は、例えば、ビーム曲げ法により粘度を測定する粘度計を用いて測定される。

ガラス基板の熱収縮率は、例えば、７５ｐｐｍ以下であることが好ましい。このような低い熱収縮率を有するガラス基板は、熱安定性が高く、特に、ＬＴＰＳ・ＴＦＴが形成されるガラス基板として好ましい。また、徐冷工程ＳＴ６のみにおいて熱収縮低減処理を行う場合には、製造設備の巨大化及びコストを抑制するために、熱収縮率は１０〜７０ｐｐｍであることが好ましい。特に、徐冷工程の時間が制限されるオーバーフローダウンドロー法を用いる際には、熱収縮率は、１５〜７０ｐｐｍであることが好ましい。なお、本明細書における熱収縮率は、常温から１０℃／分で昇温し、５５０℃で１時間保持し、その後、１０℃／分で常温まで降温し、再び１０℃／分で昇温し、５５０℃で１時間保持し、１０℃／分で常温まで降温した後のガラス基板の収縮量を用いて、以下の式にて求めるものとする。
熱収縮率（ｐｐｍ）＝｛熱処理前後のガラスの収縮量／熱処理前のガラスの長さ｝×１０^６

ガラス基板は、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板に好適である。フラットパネルディスプレイとしては、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等が挙げられる。中でも、熱収縮のバラつきを小さくできる点で、液晶ディスプレイ又は有機ＥＬディスプレイに好適である。また、本実施形態のガラス基板は、太陽電池用ガラス基板、カバーガラス、磁気ディスク用ガラス基板などにも適用できる。

ガラス基板を構成するガラスは、ガラス粘度がｌｏｇη＝２．５のときのガラス温度が、１５５０℃〜１６８０℃であると熔解温度が高くなる傾向にあるため、本実施形態が好適となり、１５７０℃〜１６８０℃の範囲であると本実施形態がより好適となり、１５９０℃〜１６８０℃の範囲であると本実施形態がさらに好適となる。

（実施例１）
酸化アルミニウムの平均粒径及び粒径が３８μｍ以下の粒子の割合を変化させ、飛散量を測定した。平均粒径及び粒径が３８μｍ以下の粒子の割合を変化させた各酸化アルミニウム試料１０ｇを高さ４０ｃｍの位置から直径９０ｍｍの受け皿に向かって落下させた。このとき、受け皿に乗った試料を計測し、受け皿に乗らなかった試料を飛散量として算出した。その結果、酸化アルミニウムの平均粒径を５０μｍ以上とし、粒径が３８μｍ以下の粒子の割合を１５％以下とすることで、飛散量を３％以下に抑えられることがわかった。

（実施例２）
ＳｉＯ_２６０質量％、Ａｌ_２Ｏ_３１９．５質量％、Ｂ_２Ｏ_３１０質量％、ＣａＯ５．３質量％、ＳｒＯ５質量％、ＳｎＯ_２０．１５質量％、Ｆｅ_２Ｏ_３０．０５質量％を含有するガラス組成となるように調合されたガラス原料を、熔解槽で１５８０℃（＝Ｔ３）にて熔融した後、清澄槽においてさらに１６５０℃まで昇温させて一定時間保持した。この後、攪拌、オーバーフローダウンドロー法による成形、徐冷、切断を行い、１０日間連続して液晶ディスプレイ用ガラス基板を製造した。
このとき、酸化アルミニウムの平均粒径は８５μｍであり、粒径が３８μｍ以下の粒子の割合が３．５％であった。

（実施例３）
酸化アルミニウムの平均粒径は５５μｍであり、粒径が３８μｍ以下の粒子の割合が９．６％である以外は実施例２と同様の方法で液晶ディスプレイ用ガラス基板を製造した。

実施例２及び実施例３で製造したガラス基板の組成を検査したところ、Ａｌ_２Ｏ_３含有量の変動を３％以下に抑えることができていた。なお、Ａｌ_２Ｏ_３の変動量とは、目標Ａｌ_２Ｏ_３含有量からの変動量を示すものとする。つまり、本発明がガラス基板のＡｌ_２Ｏ_３含有量の変動、ひいてはガラス基板の歪点及び熱収縮率の変動を抑制できることが明らかである。
また、ＳｉＯ_２６１質量％、Ａｌ_２Ｏ_３１９．５質量％、Ｂ_２Ｏ_３１０質量％、ＣａＯ９質量％、ＳｎＯ_２０．３質量％、アルカリ金属酸化物（Ｌｉ_２Ｏ，Ｎａ_２Ｏ，Ｋ_２Ｏの合計量）０．２質量％を有するガラス基板（歪点７００℃）の製造においても、上記と同様の結果が得られた。

２００熔解装置
２０１熔解槽
２０２清澄槽
２０３攪拌槽
３００成形装置

Claims

少なくともアルミニウム源を含むガラス原料を熔解して１５２０〜１６２０℃の熔融ガラスとする熔解工程と、
前記熔融ガラスに含まれる清澄剤を用いて熔融ガラスの清澄を行う清澄工程と、を有し、
前記アルミニウム源としては、少なくとも酸化アルミニウムを含み、
前記酸化アルミニウムは、平均粒径が５０〜２００μｍであり、かつ、粒径が３８μｍ以下の粒子の割合が１５％以下である、ガラス基板の製造方法。
前記ガラス基板は、アルカリ金属酸化物の含有量（ただし、アルカリ金属酸化物の含有量は、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏのうち含有する成分の合計）は、０〜０．８質量％である、請求項１記載のガラス基板製造方法。
前記ガラス基板は、ＳｉＯ_２５０〜７０質量％、Ｂ_２Ｏ_３０〜１５質量％、Ａｌ_２Ｏ_３１０〜２５質量％、ＭｇＯ０〜１０質量％、ＣａＯ０〜２０質量％、ＳｒＯ０〜２０質量％、ＢａＯ０〜１５質量％、ＲＯ５〜２０質量％（ただしＲＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯのうち含有する成分の合計）、を含有する、請求項１又は２に記載のガラス基板の製造方法。
前記清澄剤は、少なくとも酸化錫を含む、請求項１〜３の何れか１項に記載のガラス基板の製造方法。
少なくともアルミニウム源を含むガラス原料を熔解して１５２０〜１６２０℃の熔融ガラスとするための熔解槽と、
前記熔融ガラスに含まれる清澄剤を用いて熔融ガラスの清澄を行う清澄槽と、を有し、
前記アルミニウム源としては、少なくとも酸化アルミニウム含み、
前記酸化アルミニウムは、平均粒径が５０〜２００μｍであり、かつ、粒径が３８μｍ以下の粒子の割合が１５％以下である、ガラス基板製造装置。