JP2015050327A - Photoelectric conversion substrate and radiation detector - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態は、光電変換基板および放射線検出器に関する。 Embodiments described herein relate generally to a photoelectric conversion substrate and a radiation detector.
新世代の放射線診断用検出器として、アクティブマトリックスを用いた放射線検出器が開発されている。放射線検出器は、照射された放射線を検出し、放射線撮影像、あるいはリアルタイムの放射線画像をデジタル信号として出力する。この場合、放射線検出器は、シンチレータにより放射線を蛍光、すなわち可視光に変換し、アモルファスシリコン（a−Si）フォトダイオード、あるいはＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの光電変換素子により蛍光を信号電荷に変換することで画像を取得する。 As a new generation detector for radiation diagnosis, a radiation detector using an active matrix has been developed. The radiation detector detects the irradiated radiation and outputs a radiographic image or a real-time radiation image as a digital signal. In this case, the radiation detector converts the radiation into fluorescence, that is, visible light by a scintillator, and converts the fluorescence into signal charge by a photoelectric conversion element such as an amorphous silicon (a-Si) photodiode or CCD (Charge Coupled Device). To get an image.
放射線検出器に設けられる光電変換基板には、光電変換素子とそれに接続された薄膜トランジスタとが、マトリクス状に複数組配置されている。そして、制御回路と増幅・変換回路とが、フレキシブルプリント基板を介して矩形状の光電変換基板の一辺の側にそれぞれ接続されている。
ここで、光電変換素子と薄膜トランジスタを有する光電変換部の数は数千個となっており、制御回路と増幅・変換回路への配線数もそれぞれ数千ラインとなる。
そして、光電変換基板を製造する際に、有効画素エリアの外側で制御回路と増幅・変換回路への配線が断線する場合がある。
有効画素エリアの外側で制御回路と増幅・変換回路への配線が断線すると、光電変換基板に設けられた光電変換部が良品となっていても、光電変換基板が不良品となり歩留まりが低下することになる。
On the photoelectric conversion substrate provided in the radiation detector, a plurality of sets of photoelectric conversion elements and thin film transistors connected to the photoelectric conversion elements are arranged in a matrix. The control circuit and the amplification / conversion circuit are respectively connected to one side of the rectangular photoelectric conversion substrate via the flexible printed circuit board.
Here, the number of photoelectric conversion units having photoelectric conversion elements and thin film transistors is several thousand, and the number of wirings to the control circuit and the amplification / conversion circuit is several thousand lines, respectively.
When the photoelectric conversion substrate is manufactured, the wiring to the control circuit and the amplification / conversion circuit may be disconnected outside the effective pixel area.
If the wiring to the control circuit and the amplification / conversion circuit is disconnected outside the effective pixel area, even if the photoelectric conversion part provided on the photoelectric conversion substrate is a non-defective product, the photoelectric conversion substrate becomes defective and the yield decreases. become.
本発明が解決しようとする課題は、歩留まりを向上させることができる光電変換基板および放射線検出器を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide a photoelectric conversion substrate and a radiation detector capable of improving the yield.
実施形態に係る光電変換基板は、基板と、前記基板の表面に所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられ、第１の方向に延びる第１の配線と、前記複数の第１の配線の両端のそれぞれに設けられた第１の配線パッドと、前記基板の表面に所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられ、前記第１の方向と交差する第２の方向に延びる第２の配線と、前記複数の第２の配線の両端のそれぞれに設けられた第２の配線パッドと、前記複数の第１の配線と、前記複数の第２の配線と、により画された複数の領域のそれぞれに設けられ、光電変換素子とスイッチング素子とを有する光電変換部と、を備えている。 The photoelectric conversion substrate according to the embodiment includes a substrate, a plurality of first wirings provided in parallel to each other at a predetermined interval on the surface of the substrate, and a first wiring extending in a first direction, and the plurality of first wirings A first wiring pad provided at each of both ends and a second wiring provided in parallel to each other at a predetermined interval on the surface of the substrate and extending in a second direction intersecting the first direction And a plurality of regions defined by the second wiring pads provided at both ends of the plurality of second wirings, the plurality of first wirings, and the plurality of second wirings, respectively. And a photoelectric conversion unit that is provided in each of the photoelectric conversion units and includes a photoelectric conversion element and a switching element.
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
本実施の形態に係る放射線検出器は、Ｘ線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてＸ線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「Ｘ線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。
Hereinafter, embodiments will be illustrated with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and detailed description is abbreviate | omitted suitably.
The radiation detector according to the present embodiment can be applied to various types of radiation such as γ rays in addition to X-rays. Here, as an example, a case of X-rays as a representative example of radiation will be described as an example. Therefore, by replacing “X-ray” in the following embodiments with “other radiation”, the present invention can be applied to other radiation.
また、以下に例示をするＸ線検出器１は、放射線画像であるＸ線画像を検出するＸ線平面センサである。また、Ｘ線平面センサには、大きく分けて直接変換方式と間接変換方式があるが、Ｘ線検出器１は、間接変換方式のＸ線平面センサである。
なお、間接変換方式は、Ｘ線をシンチレータにより蛍光（可視光）に変換し、蛍光をフォトダイオードなどの光電変換素子により信号電荷に変換し、信号電荷を蓄積キャパシタに導く方式である。
また、放射線検出器であるＸ線検出器１は、例えば、一般医療用途などに用いることができるが、光電変換基板（アレイ基板）を有するものであれば用途に限定はない。
Moreover, the
The indirect conversion method is a method in which X-rays are converted into fluorescence (visible light) by a scintillator, fluorescence is converted into signal charges by a photoelectric conversion element such as a photodiode, and the signal charges are guided to a storage capacitor.
Moreover, although the
図１は、本実施の形態に係るＸ線検出器１を例示するための模式斜視図である。
なお、図１は、本実施の形態に係る光電変換基板２を備えたＸ線検出器１を例示するための模式斜視図である。
図２は、Ｘ線検出器１のブロック図である。
図３は、Ｘ線検出器１の回路図である。
図４は、光電変換部２ｂの回路図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view for illustrating an
FIG. 1 is a schematic perspective view for illustrating an
FIG. 2 is a block diagram of the
FIG. 3 is a circuit diagram of the
FIG. 4 is a circuit diagram of the
図１に示すように、Ｘ線検出器１には、光電変換基板２、信号処理部３、画像伝送部４、およびシンチレータ５が設けられている。
光電変換基板２は、シンチレータ５によりＸ線から変換された蛍光（可視光）を電気信号に変換する。
光電変換基板２は、基板２ａ、光電変換部２ｂ、制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１（第１の配線の一例に相当する）、データライン（又はシグナルライン）２ｃ２（第２の配線の一例に相当する）、およびバイアスライン２ｃ３（第３の配線の一例に相当する）を有する。
As shown in FIG. 1, the
The
The
基板２ａは、平面形状が矩形の板状体とすることができる。基板２ａは、例えば、ガラスなどから形成されている。
光電変換部２ｂは、基板２ａの一方の表面に複数設けられている。
光電変換部２ｂは、平面形状が矩形を呈し、複数の制御ライン２ｃ１と複数のデータライン２ｃ２とにより画された複数の領域のそれぞれに設けられている。複数の光電変換部２ｂは、マトリクス状に並べられている。
なお、１つの光電変換部２ｂは、１つの画素（pixel）に対応する。
The
A plurality of
The
One
複数の光電変換部２ｂのそれぞれには、光電変換素子２ｂ１と、スイッチング素子２ｂ２とが設けられている。
光電変換素子２ｂ１は、例えば、フォトダイオードなどとすることができる。
スイッチング素子２ｂ２は、蛍光が光電変換素子２ｂ１に入射することで生じた電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。スイッチング素子２ｂ２は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（Ｐ−Ｓｉ）などの半導体材料を含むものとすることができる。
スイッチング素子２ｂ２は、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）とすることができる。
Each of the plurality of
The photoelectric conversion element 2b1 can be, for example, a photodiode.
The switching element 2b2 performs switching between accumulation and emission of electric charges generated when fluorescence enters the photoelectric conversion element 2b1. The switching element 2b2 can include a semiconductor material such as amorphous silicon (a-Si) or polysilicon (P-Si).
The switching element 2b2 can be a thin film transistor (TFT), for example.
また、光電変換素子２ｂ１において変換した信号電荷を蓄積する図示しない蓄積キャパシタを設けることができる。図示しない蓄積キャパシタは、例えば、平面形状が矩形を呈し、各スイッチング素子２ｂ２のそれぞれの下に設けることができる。ただし、光電変換素子２ｂ１の容量によっては、光電変換素子２ｂ１が蓄積キャパシタを兼ねることができる。 In addition, a storage capacitor (not shown) that stores the signal charge converted in the photoelectric conversion element 2b1 can be provided. For example, the storage capacitor (not shown) has a rectangular planar shape and can be provided under each switching element 2b2. However, depending on the capacitance of the photoelectric conversion element 2b1, the photoelectric conversion element 2b1 can also serve as a storage capacitor.
図３および図４に示すように、スイッチング素子２ｂ２は、ゲート電極２ｂ２ａ、ソース電極２ｂ２ｂ及びドレイン電極２ｂ２ｃを有している。スイッチング素子２ｂ２のゲート電極２ｂ２ａは、対応する制御ライン２ｃ１と電気的に接続される。スイッチング素子２ｂ２のソース電極２ｂ２ｂは、対応するデータライン２ｃ２と電気的に接続される。スイッチング素子２ｂ２のドレイン電極２ｂ２ｃは、対応する光電変換素子２ｂ１と電気的に接続される。また、光電変換素子２ｂ１は、対応するバイアスライン２ｃ３と電気的に接続される。 As shown in FIGS. 3 and 4, the switching element 2b2 includes a gate electrode 2b2a, a source electrode 2b2b, and a drain electrode 2b2c. The gate electrode 2b2a of the switching element 2b2 is electrically connected to the corresponding control line 2c1. The source electrode 2b2b of the switching element 2b2 is electrically connected to the corresponding data line 2c2. The drain electrode 2b2c of the switching element 2b2 is electrically connected to the corresponding photoelectric conversion element 2b1. The photoelectric conversion element 2b1 is electrically connected to the corresponding bias line 2c3.
制御ライン２ｃ１は、基板２ａの表面に所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられている。複数の制御ライン２ｃ１は、Ｘ方向（例えば、行方向）（第１の方向の一例に相当する）にそれぞれ延びている。
複数の制御ライン２ｃ１の両端には、配線パッド２ｄ１（第１の配線パッドの一例に相当する）がそれぞれ設けられている。複数の配線パッド２ｄ１は、矩形状の光電変換基板２の対向する辺のそれぞれの近傍に設けられている。複数の配線パッド２ｄ１には、フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線の一端がそれぞれ電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた制御回路３１とそれぞれ電気的に接続されている。
なお、フレキシブルプリント基板２ｅ１は、矩形状の光電変換基板２の一辺の側（片側）に設けられている。
A plurality of control lines 2c1 are provided in parallel to each other at a predetermined interval on the surface of the
At both ends of the plurality of control lines 2c1, wiring pads 2d1 (corresponding to an example of a first wiring pad) are provided. The plurality of wiring pads 2
The flexible printed board 2e1 is provided on one side (one side) of the rectangular
データライン２ｃ２は、基板２ａの表面に所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられている。複数のデータライン２ｃ２は、Ｘ方向に直交するＹ方向（例えば、列方向）（第２の方向の一例に相当する）にそれぞれ延びている。
複数のデータライン２ｃ２の両端には、配線パッド２ｄ２（第２の配線パッドの一例に相当する）がそれぞれ設けられている。複数の配線パッド２ｄ２は、矩形状の光電変換基板２の対向する辺のそれぞれの近傍に設けられている。複数の配線パッド２ｄ２には、フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線の一端がそれぞれ電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた増幅・変換回路３２とそれぞれ電気的に接続されている。
なお、フレキシブルプリント基板２ｅ２は、矩形状の光電変換基板２の一辺の側（片側）に設けられている。
A plurality of data lines 2c2 are provided in parallel to each other at a predetermined interval on the surface of the
At both ends of the plurality of data lines 2c2, wiring pads 2d2 (corresponding to an example of second wiring pads) are provided. The plurality of wiring pads 2d2 are provided in the vicinity of the opposing sides of the rectangular
The flexible printed board 2e2 is provided on one side (one side) of the rectangular
バイアスライン２ｃ３は、基板２ａの表面に所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられている。バイアスライン２ｃ３は、Ｘ方向に直交するＹ方向（例えば、列方向）に延びている。
複数のバイアスライン２ｃ３の両端は、接続ライン２ｃ３ａにそれぞれ電気的に接続されている。
複数の接続ライン２ｃ３ａは、矩形状の光電変換基板２の対向する辺のそれぞれの近傍に設けられている。複数の接続ライン２ｃ３ａは、Ｘ方向（例えば、行方向）にそれぞれ延びている。
複数の接続ライン２ｃ３ａには、配線パッド２ｄ３（第３の配線パッドの一例に相当する）がそれぞれ設けられている。複数の配線パッド２ｄ３は、信号処理部３に設けられたバイアス回路３３とそれぞれ電気的に接続されている。
制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、バイアスライン２ｃ３、および接続ライン２ｃ３ａは、アルミニウムやクロムなどの低電気抵抗金属を用いて形成することができる。
A plurality of bias lines 2c3 are provided in parallel to each other at a predetermined interval on the surface of the
Both ends of the plurality of bias lines 2c3 are electrically connected to the connection line 2c3a, respectively.
The plurality of connection lines 2c3a are provided in the vicinity of the opposing sides of the rectangular
The plurality of connection lines 2c3a are each provided with a wiring pad 2d3 (corresponding to an example of a third wiring pad). The plurality of wiring pads 2d3 are electrically connected to the
The control line 2c1, the data line 2c2, the bias line 2c3, and the connection line 2c3a can be formed using a low electrical resistance metal such as aluminum or chromium.
信号処理部３は、基板２ａの光電変換部２ｂが設けられる側とは反対側に設けられている。
信号処理部３には、制御回路３１、増幅・変換回路３２、およびバイアス回路３３が設けられている。
図２に示すように、制御回路３１は、複数のゲートドライバ３１ａと行選択回路３１ｂとを有する。
The
The
As shown in FIG. 2, the
ゲートドライバ３１ａは、対応する制御ライン２ｃ１に制御信号Ｓ１を印加する。
行選択回路３１ｂは、Ｘ線画像の走査方向に従って、対応するゲートドライバ３１ａに外部からの制御信号Ｓ１を送る。
例えば、制御回路３１は、フレキシブルプリント基板２ｅ１と制御ライン２ｃ１とを介して、制御信号Ｓ１を各制御ライン２ｃ１毎に順次印加する。制御ライン２ｃ１に印加された制御信号Ｓ１によりスイッチング素子２ｂ２がオン状態となり、光電変換素子２ｂ１からの信号電荷（画像データ信号Ｓ２）が受信できるようになる。
The
The
For example, the
増幅・変換回路３２は、複数の積分増幅器３２ａと、複数のＡ／Ｄ変換器３２ｂを有する。
積分増幅器３２ａは、データライン２ｃ２と配線パッド２ｄ２とフレキシブルプリント基板２ｅ２とを介して、各光電変換素子２ｂ１からの画像データ信号Ｓ２を増幅し出力する。積分増幅器３２ａから出力された画像データ信号Ｓ２は、並列／直列変換されてＡ／Ｄ変換器３２ｂに入力される。
Ａ／Ｄ変換器３２ｂは、入力された画像データ信号Ｓ２（アナログ信号）をデジタル信号に変換する。
バイアス回路３３は、接続ライン２ｃ３ａとバイアスライン２ｃ３とを介して、光電変換素子２ｂ１にバイアス電圧を印加する。
The amplification /
The integrating
The A /
The
画像伝送部４は、配線４ａを介して、信号処理部３の増幅・変換回路３２と電気的に接続されている。なお、画像伝送部４は、信号処理部３と一体化されていてもよい。
画像伝送部４は、複数のＡ／Ｄ変換器３２ｂによりデジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２に基づいて、Ｘ線画像を合成する。合成されたＸ線画像のデータは、画像伝送部４から外部の機器に向けて出力される。
The
The
シンチレータ５は、光電変換素子２ｂ１の上に設けられ、入射するＸ線を蛍光すなわち可視光に変換する。シンチレータ５は、基板２ａ上の複数の光電変換部２ｂが設けられた領域（有効画素エリア６）を覆うように設けられている。
シンチレータ５は、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、あるいはヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）：タリウム（Ｔｌ）などを用いて形成することができる。この場合、真空蒸着法などを用いて、柱状結晶の集合体が形成されるようにすることができる。
The
The
また、シンチレータ５は、例えば、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）などを用いて形成することもできる。この場合、例えば、以下のようにしてシンチレータ５を形成することができる。
まず、酸硫化ガドリニウムからなる粒子をバインダ材と混合する。
次に、混合された材料を、ＣＦＲＰ（carbon-fiber-reinforced plastic）などからなる基板に塗布し、これを熱硬化させてシンチレータパネルを形成する。
The
First, particles made of gadolinium oxysulfide are mixed with a binder material.
Next, the mixed material is applied to a substrate made of CFRP (carbon-fiber-reinforced plastic) or the like and thermally cured to form a scintillator panel.
次に、カッターホイールなどを用いて、熱硬化させた材料に溝部を形成する。この際、複数の光電変換部２ｂごとに四角柱状のシンチレータ５が設けられるように、マトリクス状の溝部を形成することができる。溝部には、大気（空気）、あるいは酸化防止用の窒素ガスなどの不活性ガスが満たされるようにすることができる。また、溝部が真空状態となるようにしてもよい。
シンチレータ５が設けられた基板（シンチレータパネル）は、光電変換部２ｂが設けられた光電変換基板２に貼り合わされる。
Next, a groove part is formed in the heat-cured material using a cutter wheel or the like. At this time, a matrix-like groove portion can be formed so that the quadrangular
The substrate (scintillator panel) provided with the
その他、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために、シンチレータ５の表面側（Ｘ線の入射面側）を覆うように図示しない反射層を設けることができる。
また、空気中に含まれる水蒸気により、シンチレータ５と図示しない反射層の特性が劣化するのを抑制するために、シンチレータ５と図示しない反射層を覆う図示しない防湿体を設けることができる。
In addition, a reflection layer (not shown) can be provided so as to cover the surface side (X-ray incident surface side) of the
Moreover, in order to suppress the deterioration of the characteristics of the
ここで、肺の部分を撮影する医療用のＸ線検出器を例に挙げると、光電変換基板２に設けられる光電変換部２ｂの数は数千個となる。
そのため、前述した制御ライン２ｃ１やデータライン２ｃ２の数もそれぞれ数千ラインとなる。
この様な光電変換基板２を製造する際に、有効画素エリア６の外側で制御ライン２ｃ１やデータライン２ｃ２が断線する場合がある。
Here, taking as an example a medical X-ray detector for imaging a lung portion, the number of
Therefore, the number of the control lines 2c1 and the data lines 2c2 described above is also several thousand lines.
When manufacturing such a
図５は、比較例に係るＸ線検出器１０１の回路図である。
図５に示すように、光電変換基板１０２を製造する際に、有効画素エリア６の外側で制御ライン２ｃ１やデータライン２ｃ２が断線する場合がある。
例えば、Ａ部において制御ライン２ｃ１が断線したり、Ｂ部においてデータライン２ｃ２が断線したりする場合がある。
有効画素エリア６の外側において、制御ライン２ｃ１が断線したり、データライン２ｃ２が断線したりすれば、光電変換部２ｂが良品となっていても、光電変換基板１０２が不良品となり歩留まりが低下することになる。
特に、光電変換部２ｂの数、すなわち画素数が増加すると不良品の数が増加するおそれがある。
FIG. 5 is a circuit diagram of the
As shown in FIG. 5, when manufacturing the
For example, the control line 2c1 may be disconnected in the A part, or the data line 2c2 may be disconnected in the B part.
If the control line 2c1 is disconnected or the data line 2c2 is disconnected outside the
In particular, when the number of
そこで、本実施の形態に係る光電変換基板２においては、複数の制御ライン２ｃ１は、その両端に配線パッド２ｄ１をそれぞれ有するようにしている。そして、複数の配線パッド２ｄ１は、矩形状の光電変換基板２の対向する辺のそれぞれの近傍に設けるようにしている。
また、複数のデータライン２ｃ２は、その両端に配線パッド２ｄ２をそれぞれ有するようにしている。そして、複数の配線パッド２ｄ２は、矩形状の光電変換基板２の対向する辺のそれぞれの近傍に設けるようにしている。
Therefore, in the
The plurality of data lines 2c2 have wiring pads 2d2 at both ends thereof. The plurality of wiring pads 2d2 are provided in the vicinity of the opposing sides of the rectangular
この様にすれば、光電変換基板２の一方の辺側で断線が発生したとしても、他方の辺側において制御回路３１や増幅・変換回路３２との電気的な接続を行うことができる。
そのため、光電変換基板２の歩留まりを向上させることができ、ひいてはＸ線検出器１の歩留まりを向上させることができる。
In this way, even if disconnection occurs on one side of the
Therefore, the yield of the
ここで、図３に例示をしたように、制御回路３１と増幅・変換回路３２は、矩形状の光電変換基板２の一方の側にそれぞれ設けられている。
そのため、光電変換基板２の一方の辺側で断線が発生し、他方の辺側において電気的な接続を行うことになった場合でも、制御回路３１の配置と増幅・変換回路３２の配置を極力動かさないで済むようにすることが好ましい。
Here, as illustrated in FIG. 3, the
Therefore, even when disconnection occurs on one side of the
制御回路３１の配置と増幅・変換回路３２の配置を極力動かさないで済むようにするためには、基板２ａの平面形状と、複数の配線パッド２ｄ１の配置と、複数の配線パッド２ｄ２の配置とが、基板２ａの中心に対してそれぞれ点対称（２回対称）となっていればよい。
基板２ａの平面形状と、複数の配線パッド２ｄ１の配置と、複数の配線パッド２ｄ２の配置とが、基板２ａの中心に対してそれぞれ点対称となっていれば、光電変換基板２を１８０°回転させたとしても制御回路３１の配置と増幅・変換回路３２の配置を動かさなくて済む。
In order not to move the arrangement of the
If the planar shape of the
この場合、基板２ａの平面形状は、正偶数角形、円、楕円、平行四辺形、菱形などとすることができる。
ただし、製造の容易さやスペース効率などを考慮すると、基板２ａの平面形状は、矩形（正方形や長方形など）とすることが好ましい。
In this case, the planar shape of the
However, considering the ease of manufacture and space efficiency, the planar shape of the
また、複数の光電変換部２ｂを含む有効画素エリア６の平面形状は、有効画素エリア６の中心に対して点対称となっており、且つ、有効画素エリア６の中心が平面視において基板２ａの中心と重なっていることが好ましい。
この様にすれば、光電変換基板２を１８０°回転させたとしてもシンチレータ５に対する有効画素エリア６の位置が変わらないようにすることができる。
In addition, the planar shape of the
In this way, the position of the
図６は、光電変換基板２を例示するための模式図である。
図６に示すように、基板２ａの平面形状は、正方形となっている。
また、基板２ａの中心２ａ１に対して、Ｘ１側における配線パッド２ｄ１は、Ｘ２側における配線パッド２ｄ１と点対称の位置にある。
また、基板２ａの中心２ａ１に対して、Ｙ１側における配線パッド２ｄ２は、Ｙ２側における配線パッド２ｄ２と点対称の位置にある。
そのため、光電変換基板２を１８０°回転させたとしても制御回路３１の配置と増幅・変換回路３２の配置を動かさなくて済む。
FIG. 6 is a schematic diagram for illustrating the
As shown in FIG. 6, the planar shape of the
Further, the wiring pad 2d1 on the X1 side is point-symmetric with the wiring pad 2d1 on the X2 side with respect to the center 2a1 of the
Further, the wiring pad 2d2 on the Y1 side is point-symmetric with the wiring pad 2d2 on the Y2 side with respect to the center 2a1 of the
Therefore, even if the
また、有効画素エリア６の平面形状は、有効画素エリア６の中心６ａに対して点対称となる正方形となっている。有効画素エリア６の中心６ａが平面視において基板２ａの中心２ａ１と重なっている。
この様にすれば、光電変換基板２を１８０°回転させたとしてもシンチレータ５に対する有効画素エリア６の位置が変わらないようにすることができる。
The planar shape of the
In this way, the position of the
また、バイアスライン２ｃ３の両端側に電気的に接続される複数の配線パッド２ｄ３の配置が、基板２ａの中心２ａ１に対して点対称となっていることが好ましい。
この様にすれば、光電変換基板２を１８０°回転させたとしてもバイアス回路３３の配置を動かさなくて済む。
The arrangement of the plurality of wiring pads 2d3 that are electrically connected to both ends of the bias line 2c3 is preferably point-symmetric with respect to the center 2a1 of the
In this way, even if the
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。 As mentioned above, although several embodiment of this invention was illustrated, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, changes, and the like can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and equivalents thereof. Further, the above-described embodiments can be implemented in combination with each other.
１ Ｘ線検出器、２ 光電変換基板、２ａ 基板、２ａ１ 中心、２ｂ 光電変換部、２ｂ１ 光電変換素子、２ｂ２ スイッチング素子、２ｃ１ 制御ライン、２ｃ２ データライン、２ｃ３ バイアスライン、２ｄ１ 配線パッド、２ｄ２ 配線パッド、２ｄ３ 配線パッド、２ｃ３ａ 接続ライン、２ｅ１ フレキシブルプリント基板、２ｅ２ フレキシブルプリント基板、３ 信号処理部、４ 画像伝送部、５ シンチレータ、６ 有効画素エリア、６ａ 中心、３１ 制御回路、３１ａ ゲートドライバ、３１ｂ 行選択回路、３２ 増幅・変換回路、３２ａ 積分増幅器、３２ｂ Ａ／Ｄ変換器、３３ バイアス回路、Ｓ１ 制御信号、Ｓ２ 画像データ信号 1 X-ray detector, 2 photoelectric conversion substrate, 2a substrate, 2a1 center, 2b photoelectric conversion unit, 2b1 photoelectric conversion device, 2b2 switching device, 2c1 control line, 2c2 data line, 2c3 bias line, 2d1 wiring pad, 2d2 wiring pad 2d3 wiring pad, 2c3a connection line, 2e1 flexible printed circuit board, 2e2 flexible printed circuit board, 3 signal processing unit, 4 image transmission unit, 5 scintillator, 6 effective pixel area, 6a center, 31 control circuit, 31a gate driver, 31b row Selection circuit, 32 amplification / conversion circuit, 32a integration amplifier, 32b A / D converter, 33 bias circuit, S1 control signal, S2 image data signal
Claims (5)
前記基板の表面に所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられ、第１の方向に延びる第１の配線と、
前記複数の第１の配線の両端のそれぞれに設けられた第１の配線パッドと、
前記基板の表面に所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられ、前記第１の方向と交差する第２の方向に延びる第２の配線と、
前記複数の第２の配線の両端のそれぞれに設けられた第２の配線パッドと、
前記複数の第１の配線と、前記複数の第２の配線と、により画された複数の領域のそれぞれに設けられ、光電変換素子とスイッチング素子とを有する光電変換部と、
を備えた光電変換基板。 A substrate,
A plurality of first wirings provided in parallel to each other at a predetermined interval on the surface of the substrate, and extending in a first direction;
A first wiring pad provided at each of both ends of the plurality of first wirings;
A plurality of second wirings provided in parallel to each other at a predetermined interval on the surface of the substrate, and extending in a second direction intersecting the first direction;
A second wiring pad provided at each of both ends of the plurality of second wirings;
A photoelectric conversion unit provided in each of a plurality of regions defined by the plurality of first wirings and the plurality of second wirings, and having a photoelectric conversion element and a switching element;
A photoelectric conversion substrate comprising:
前記複数の第１の配線パッドの配置は、前記基板の中心に対して点対称となっており、
前記複数の第２の配線パッドの配置は、前記基板の中心に対して点対称となっている請求項１記載の光電変換基板。 The substrate has a planar shape that is point-symmetric with respect to the center of the substrate,
The arrangement of the plurality of first wiring pads is point-symmetric with respect to the center of the substrate,
The photoelectric conversion substrate according to claim 1, wherein the arrangement of the plurality of second wiring pads is point-symmetric with respect to the center of the substrate.
前記複数の第３の配線の両端側にそれぞれ設けられた第３の配線パッドと、
をさらに備え、
前記複数の第３の配線パッドの配置は、前記基板の中心に対して点対称となっている請求項１〜３のいずれか１つに記載の光電変換基板。 A third wiring provided in parallel to each other at a predetermined interval on the surface of the substrate, and extending in the second direction;
A third wiring pad provided on each of both end sides of the plurality of third wirings;
Further comprising
The photoelectric conversion substrate according to claim 1, wherein the arrangement of the plurality of third wiring pads is point-symmetric with respect to the center of the substrate.
前記光電変換基板の上に設けられたシンチレータと、
を備えた放射線検出器。 The photoelectric conversion substrate according to any one of claims 1 to 4,
A scintillator provided on the photoelectric conversion substrate;
Radiation detector equipped with.
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| JP2013181125A JP2015050327A (en) | 2013-09-02 | 2013-09-02 | Photoelectric conversion substrate and radiation detector |
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Citations (5)
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-
2013
- 2013-09-02 JP JP2013181125A patent/JP2015050327A/en active Pending
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