JP2015037272A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】 SAWデュプレクサにおけるアイソレーション特性を改善できる弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】 基板上に、アンテナポート201と、送信ポート204と、バランス受信出力ポート201,203を備えたSAWデュプレクサであって、送信側のアンテナホットの引き回し線に形成された送信ポートのGNDパターン205が、送信側のアンテナホットの引き回し線と受信側のアンテナホットの引き回し線207との間に配置され、受信側のアンテナホットの引き回し線207に形成されたバランス受信ポート202のGNDパターン208が、GNDパターン205と受信側のアンテナホットの引き回し線207とを隔てるように配置されている弾性表面波デバイスである。
【選択図】 図1
【解決手段】 基板上に、アンテナポート201と、送信ポート204と、バランス受信出力ポート201,203を備えたSAWデュプレクサであって、送信側のアンテナホットの引き回し線に形成された送信ポートのGNDパターン205が、送信側のアンテナホットの引き回し線と受信側のアンテナホットの引き回し線207との間に配置され、受信側のアンテナホットの引き回し線207に形成されたバランス受信ポート202のGNDパターン208が、GNDパターン205と受信側のアンテナホットの引き回し線207とを隔てるように配置されている弾性表面波デバイスである。
【選択図】 図1
Description
本発明は、弾性表面波(SAW: Surface Acoustic Wave)デバイスに係り、特に、SAWデュプレクサにおけるコモンモード・アイソレーション特性を改善できる弾性表面波デバイスに関する。
[従来の技術]
近年、携帯電話端末等の各種通信機器に用いられる弾性表面波(SAW)フィルタ、SAWデュプレクサがある。
特に、SAWデバイスの中では、入力ポートがアンバランス入力で、出力ポートがバランス出力となっている製品がある。この場合、出力ポートがバランス出力であるので、2つの出力ポートがプラスとマイナスのペアとなって信号を出力する。
近年、携帯電話端末等の各種通信機器に用いられる弾性表面波(SAW)フィルタ、SAWデュプレクサがある。
特に、SAWデバイスの中では、入力ポートがアンバランス入力で、出力ポートがバランス出力となっている製品がある。この場合、出力ポートがバランス出力であるので、2つの出力ポートがプラスとマイナスのペアとなって信号を出力する。
[従来のSAWフィルタ:図4]
従来のSAWフィルタについて図4を参照しながら説明する。図4は、従来のSAWフィルタの構成例を示す図である。
従来のSAWフィルタは、図4に示すように、圧電基板上に、入力ポート101と、バランス出力ポート102と、バランス出力ポート103と、櫛型電極(IDT:Inter-Digital Transducer)106,107,108と、反射器104,105と、グランド(GND)パターン109,110,111とが形成されている。
従来のSAWフィルタについて図4を参照しながら説明する。図4は、従来のSAWフィルタの構成例を示す図である。
従来のSAWフィルタは、図4に示すように、圧電基板上に、入力ポート101と、バランス出力ポート102と、バランス出力ポート103と、櫛型電極(IDT:Inter-Digital Transducer)106,107,108と、反射器104,105と、グランド(GND)パターン109,110,111とが形成されている。
入力ポート101は、IDT107の一端に接続し、その他端にはGNDパターン110が接続している。
バランス出力ポート102は、IDT106の一端に接続し、他端にはGNDパターン109が接続している。
バランス出力ポート103は、IDT108の一端に接続し、他端にはGNDパターン111が接続している。
反射器104は、IDT106の左外側に形成され、反射器105は、IDT108の右外側に形成されている。
バランス出力ポート102は、IDT106の一端に接続し、他端にはGNDパターン109が接続している。
バランス出力ポート103は、IDT108の一端に接続し、他端にはGNDパターン111が接続している。
反射器104は、IDT106の左外側に形成され、反射器105は、IDT108の右外側に形成されている。
[従来のSAWデュプレクサ:図5]
従来のSAWデュプレクサについて図5を参照しながら説明する。図5は、従来のSAWデュプレクサの構成例を示す図である。
従来のSAWデュプレクサは、図5に示すように、圧電基板上に、アンテナポート301と、バランス受信出力ポート302と、バランス受信出力ポート303と、送信ポート304とが形成され、各ポートには共振子のIDTに接続している。各IDTの両端には反射器が設けられている。
従来のSAWデュプレクサについて図5を参照しながら説明する。図5は、従来のSAWデュプレクサの構成例を示す図である。
従来のSAWデュプレクサは、図5に示すように、圧電基板上に、アンテナポート301と、バランス受信出力ポート302と、バランス受信出力ポート303と、送信ポート304とが形成され、各ポートには共振子のIDTに接続している。各IDTの両端には反射器が設けられている。
アンテナポート301は、送信側(送信フィルタ部分)と受信側(受信フィルタ部分)に分岐する。
受信側は、IDTの一端に接続し、そのIDTの他端がアンテナホットの引き回し線307に接続し、そのアンテナホットの引き回し線307の他端はバランス受信出力ポート側のIDTの一端に接続し、そのIDTの他端はGNDパターン309に接続している。
受信側は、IDTの一端に接続し、そのIDTの他端がアンテナホットの引き回し線307に接続し、そのアンテナホットの引き回し線307の他端はバランス受信出力ポート側のIDTの一端に接続し、そのIDTの他端はGNDパターン309に接続している。
バランス受信出力ポート側のIDTに隣接するIDTの一方の一端にバランス受信出力ポート302が接続し、そのIDTの他端にGNDパターン308が接続し、隣接するIDTの他方の一端にバランス受信出力ポート303が接続し、そのIDTの他端にGNDパターンが接続し、これらIDTの両端に反射器が設けられている。
また、アンテナポート301が分岐した送信側は、共振子が多段に接続されて、送信ポート304に接続している。
共振子の多段接続は、引き回し線が途中で分岐して共振子を介してGNDパターン305,306に接続している。
共振子の多段接続は、引き回し線が途中で分岐して共振子を介してGNDパターン305,306に接続している。
図5に示すSAWデュプレクサでは、入出力ポート間の直接結合(フィードスルー)による性能劣化を避けるために、入出力ポート間の距離を保ち、浮き若しくはGNDシールドを設け、容量結合や電磁結合を避けていた。
この場合では、SAWデュプレクサ入出力間でやりとりされるSAWエネルギー(音響エネルギー)でSAWデュプレクサの周波数特性が決定されて減衰の改善ができるものである。
この場合では、SAWデュプレクサ入出力間でやりとりされるSAWエネルギー(音響エネルギー)でSAWデュプレクサの周波数特性が決定されて減衰の改善ができるものである。
[従来のSAWデュプレクサの特性:図6]
従来のSAWデュプレクサの特性について図6を参照しながら説明する。図6は、従来のSAWデュプレクサの特性を示す図である。図6では、横軸が周波数で、縦軸が送信と受信の干渉の度合いを示しており、アイソレーション特性と呼ばれている。
従来のSAWデュプレクサの特性は、図6に示すように、一番目の矩形の凹部が受信バンドの規格を、二番目の矩形の凹部が送信バンドの規格を示しており、上下する波形が送信と受信の干渉の度合いを示している。
2つの矩形の凹部内に干渉が表れ、規格を満たしていないため、アイソレーション特性は十分とは言えない。
従来のSAWデュプレクサの特性について図6を参照しながら説明する。図6は、従来のSAWデュプレクサの特性を示す図である。図6では、横軸が周波数で、縦軸が送信と受信の干渉の度合いを示しており、アイソレーション特性と呼ばれている。
従来のSAWデュプレクサの特性は、図6に示すように、一番目の矩形の凹部が受信バンドの規格を、二番目の矩形の凹部が送信バンドの規格を示しており、上下する波形が送信と受信の干渉の度合いを示している。
2つの矩形の凹部内に干渉が表れ、規格を満たしていないため、アイソレーション特性は十分とは言えない。
[関連技術]
尚、関連する先行技術として、特開2010−239612号公報「デュプレクサの低域側フィルタ、デュプレクサの高域側フィルタ及びデュプレクサ」(日本電波工業株式会社)[特許文献1]、特開2010−178306号公報「デュプレクサの受信側フィルタ及びデュプレクサ」(日本電波工業株式会社)[特許文献2]がある。
尚、関連する先行技術として、特開2010−239612号公報「デュプレクサの低域側フィルタ、デュプレクサの高域側フィルタ及びデュプレクサ」(日本電波工業株式会社)[特許文献1]、特開2010−178306号公報「デュプレクサの受信側フィルタ及びデュプレクサ」(日本電波工業株式会社)[特許文献2]がある。
特許文献1には、入出力ポート及び低域側フィルタポートの少なくとも一方に近接する位置まで伸びて接地されるシールド電極を配置することが示されている。
特許文献2には、デュプレクサの受信側フィルタの周囲を囲むように、交差指状電極の接地電極側に接続されたシールド電極を配置することが示されている。
特許文献2には、デュプレクサの受信側フィルタの周囲を囲むように、交差指状電極の接地電極側に接続されたシールド電極を配置することが示されている。
しかしながら、従来のSAWデュプレクサでは、送信側のアンテナホットの引き回し線と受信側のアンテナホットの引き回し線との間のアイソレーションが十分ではないという問題点があった。
特に、SAWデュプレクサのコモンモード・アイソレーション(Com−ISO)特性は、減衰との直接相関がなく、確実に改善できる手法が確立されていないものである。
特に、SAWデュプレクサのコモンモード・アイソレーション(Com−ISO)特性は、減衰との直接相関がなく、確実に改善できる手法が確立されていないものである。
尚、特許文献1では、その図26で送信のホットラインと受信のホットラインとの間にGNDパターンのシールドが形成されているが、そのGNDパターンだけではシールド効果が十分なものではない。
また、特許文献2でも、送信のホットラインと受信のホットラインとの間におけるシールド効果を十分なものにすることは示されていない。
また、特許文献2でも、送信のホットラインと受信のホットラインとの間におけるシールド効果を十分なものにすることは示されていない。
本発明は上記実情に鑑みて為されたもので、SAWデュプレクサにおけるアイソレーション特性を改善できる弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。
上記従来例の問題点を解決するための本発明は、基板上に、アンテナポートと、送信ポートと、受信ポートを備え、送信ポート又は受信ポートのいずれか一方がバランスポートであり、他方がアンバランスポートである弾性表面波デュプレクサの弾性表面波デバイスであって、バランスポートが、バランスポート用の、共振子、引き回し線、共振子を介してアンテナポートに接続されており、アンバランスポートが、アンバランスポート用の、共振子、引き回し線、共振子を介してアンテナポートに接続されており、アンバランスポート用の引き回し線に第1のグランドパターンが形成され、バランスポート用の引き回し線に第2のグランドパターンが形成され、第1のグランドパターンが、アンバランスポートの引き回し線とバランスポートの引き回し線の間に配置され、第2のグランドパターンが、第1のグランドパターンとバランスポート用の引き回し線とを隔てるように配置されていることを特徴とする。
本発明は、上記弾性表面波デバイスにおいて、第2のグランドパターンが、第1のグランドパターンよりアンテナポート側に延びて形成されていることを特徴とする。
本発明は、上記弾性表面波デバイスにおいて、第1のグランドパターンと第2のグランドパターンの近接する距離を25マイクロメータ以下とし、第1のグランドパターンと第2のグランドパターンとが接続されないことを特徴とする。
本発明は、上記弾性表面波デバイスにおいて、アンバランスポートとアンテナポートが多段のラダー型フィルタで接続されていることを特徴とする。
本発明は、上記弾性表面波デバイスにおいて、アンバランスポートを送信ポートで構成し、バランスポートを2つのバランス受信出力ポートで構成し、2つのバランス受信出力ポートの内、送信ポート側に形成されたバランス受信出力ポートが共振子を介して接続するグランドパターンを第2のグランドパターンとしたことを特徴とする。
本発明は、上記弾性表面波デバイスにおいて、アンテナポートとバランスポート用の引き回し線との間に形成される共振子を直列に接続して多重化したことを特徴とする。
本発明は、上記弾性表面波デバイスにおいて、基板を圧電基板としたことを特徴とする。
本発明は、上記弾性表面波デバイスにおいて、基板を非圧電基板とし、当該基板上に圧電性の材料を積層したことを特徴とする。
本発明によれば、基板上に、アンテナポートと、送信ポートと、受信ポートを備え、送信ポート又は受信ポートのいずれか一方がバランスポートであり、他方がアンバランスポートである弾性表面波デュプレクサであって、バランスポートが、バランスポート用の、共振子、引き回し線、共振子を介してアンテナポートに接続されており、アンバランスポートが、アンバランスポート用の、共振子、引き回し線、共振子を介してアンテナポートに接続されており、アンバランスポート用の引き回し線に第1のグランドパターンが形成され、バランスポート用の引き回し線に第2のグランドパターンが形成され、第1のグランドパターンが、アンバランスポートの引き回し線とバランスポートの引き回し線の間に配置され、第2のグランドパターンが、第1のグランドパターンとバランスポート用の引き回し線とを隔てるように配置されている弾性表面波デバイスとしているので、バランスポート用の引き回し線とアンバランスポート用の引き回し線とのアイソレーション特性を改善でき、十分なシールド効果を得ることができる効果がある。
本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
[実施の形態の概要]
本発明の実施の形態に係る弾性表面波デバイスは、基板上に、アンテナポートと、送信ポートと、受信ポートを備え、送信ポート又は受信ポートのいずれか一方がバランスポートであり、他方がアンバランスポートである弾性表面波デュプレクサであって、バランスポートが、バランスポート用の、共振子、引き回し線、共振子を介してアンテナポートに接続され、アンバランスポートが、アンバランスポート用の、共振子、引き回し線、共振子を介してアンテナポートに接続され、アンバランスポート用の引き回し線に形成された第1のグランドパターンが、アンバランスポートの引き回し線とバランスポートの引き回し線の間に配置され、バランスポート用の引き回し線に形成された第2のグランドパターンが、第1のグランドパターンとバランスポート用の引き回し線とを隔てるように配置されているものであり、バランスポート用の引き回し線とアンバランスポート用の引き回し線とのアイソレーション特性を改善でき、十分なシールド効果を得ることができる。
[実施の形態の概要]
本発明の実施の形態に係る弾性表面波デバイスは、基板上に、アンテナポートと、送信ポートと、受信ポートを備え、送信ポート又は受信ポートのいずれか一方がバランスポートであり、他方がアンバランスポートである弾性表面波デュプレクサであって、バランスポートが、バランスポート用の、共振子、引き回し線、共振子を介してアンテナポートに接続され、アンバランスポートが、アンバランスポート用の、共振子、引き回し線、共振子を介してアンテナポートに接続され、アンバランスポート用の引き回し線に形成された第1のグランドパターンが、アンバランスポートの引き回し線とバランスポートの引き回し線の間に配置され、バランスポート用の引き回し線に形成された第2のグランドパターンが、第1のグランドパターンとバランスポート用の引き回し線とを隔てるように配置されているものであり、バランスポート用の引き回し線とアンバランスポート用の引き回し線とのアイソレーション特性を改善でき、十分なシールド効果を得ることができる。
[本デュプレクサ:図1]
本発明の実施の形態に係る弾性表面波デバイス(本デバイス)について図1を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る弾性表面波デバイスのSAWデュプレクサの構成例を示す図である。
図1に示すSAWデュプレクサ(本デュプレクサ)は、圧電基板上に、アンテナポート201と、バランス受信出力ポート202と、バランス受信出力ポート203と、送信ポート204とが形成され、各ポートには共振子(SAW共振子)のIDTに接続している。
本発明の実施の形態に係る弾性表面波デバイス(本デバイス)について図1を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る弾性表面波デバイスのSAWデュプレクサの構成例を示す図である。
図1に示すSAWデュプレクサ(本デュプレクサ)は、圧電基板上に、アンテナポート201と、バランス受信出力ポート202と、バランス受信出力ポート203と、送信ポート204とが形成され、各ポートには共振子(SAW共振子)のIDTに接続している。
また、各IDTの両端には反射器が設けられている。
尚、アンテナポート201と送信ポート204は、アンバランスポートである。
図1では、受信ポートをバランスポートとし、送信ポートをアンバランスポートとしたが、送信ポートをバランスポートとし、受信ポートをアンバランスポートとしてもよい。
尚、アンテナポート201と送信ポート204は、アンバランスポートである。
図1では、受信ポートをバランスポートとし、送信ポートをアンバランスポートとしたが、送信ポートをバランスポートとし、受信ポートをアンバランスポートとしてもよい。
アンテナポート201は、送信側(送信フィルタ部分)と受信側(受信フィルタ部分)に分岐する。
受信側は、アンテナポート側で受信用(バランスポート用)のIDTの一端に接続し、そのIDTの他端がアンテナホットの引き回し線(バランスポート用のアンテナホットの引き回し線)207に接続し、そのアンテナホットの引き回し線207の他端はバランス受信出力ポート側(バランスポート用)のIDTの一端に接続し、そのIDTの他端はGNDパターン209に接続している。
受信側は、アンテナポート側で受信用(バランスポート用)のIDTの一端に接続し、そのIDTの他端がアンテナホットの引き回し線(バランスポート用のアンテナホットの引き回し線)207に接続し、そのアンテナホットの引き回し線207の他端はバランス受信出力ポート側(バランスポート用)のIDTの一端に接続し、そのIDTの他端はGNDパターン209に接続している。
バランス受信出力ポート側のIDTに隣接して横方向に配置された2つのIDTの内、一方のIDTの一端にバランス受信出力ポート202が接続し、そのIDTの他端に本実施の形態の特徴部分である受信ポートのGNDパターン(バランス受信ポートのGND引き回しパターン)208が接続している。
また、バランス受信出力ポート側のIDTに隣接して横方向に配置された2つのIDTの内、他方のIDTの一端にバランス受信出力ポート203が接続し、そのIDTの他端にGNDパターンが接続している。
そして、これら横方向に配列されたIDTの両端に反射器が設けられている。
また、バランス受信出力ポート側のIDTに隣接して横方向に配置された2つのIDTの内、他方のIDTの一端にバランス受信出力ポート203が接続し、そのIDTの他端にGNDパターンが接続している。
そして、これら横方向に配列されたIDTの両端に反射器が設けられている。
また、アンテナポート201が分岐した送信側は、共振子が多段に接続されて、送信ポート204に接続している。
共振子の多段接続は、送信側(アンバランスポート用)のアンテナホットの引き回し線が途中で分岐して、共振子を介して送信ポートのGNDパターン205,206に接続する多段のラダー型フィルタとなっている。
送信ポートのGNDパターン205は、送信側のアンテナホットの引き回し線と受信側のアンテナホットの引き回し線207との間(内側)に形成され、送信ポートのGNDパターン206は、送信ポートのアンテナホットの引き回し線に対してGNDパターン205とは反対側(外側)に形成されている。
また、多段接続された共振子の両端には、反射器が設けられている。
共振子の多段接続は、送信側(アンバランスポート用)のアンテナホットの引き回し線が途中で分岐して、共振子を介して送信ポートのGNDパターン205,206に接続する多段のラダー型フィルタとなっている。
送信ポートのGNDパターン205は、送信側のアンテナホットの引き回し線と受信側のアンテナホットの引き回し線207との間(内側)に形成され、送信ポートのGNDパターン206は、送信ポートのアンテナホットの引き回し線に対してGNDパターン205とは反対側(外側)に形成されている。
また、多段接続された共振子の両端には、反射器が設けられている。
[バランス受信ポートのGND引き回しパターン]
本デュプレクサにおいて、バランス受信ポートのGND引き回しパターン(受信ポートのGNDパターン)208は、アンテナホットの引き回し線207と送信ポートのGNDパターン205とを隔てるように形成(配置)されている。
具体的には、GNDパターン208は、アンテナホットの引き回し線207に沿って(平行に)、送信ポートのGNDパターン205の端部よりアンテナポート201側まで延びて形成されている。
本デュプレクサにおいて、バランス受信ポートのGND引き回しパターン(受信ポートのGNDパターン)208は、アンテナホットの引き回し線207と送信ポートのGNDパターン205とを隔てるように形成(配置)されている。
具体的には、GNDパターン208は、アンテナホットの引き回し線207に沿って(平行に)、送信ポートのGNDパターン205の端部よりアンテナポート201側まで延びて形成されている。
受信側のアンテナホットの引き回し線207に近い方に配置された、送信ポートのGNDパターン205と受信ポートのGNDパターン208との最短の距離aは、シールド効果を得るためには、25μm(マイクロメータ)以下であって、送信ポートのGNDパターン205と受信ポートのGNDパターン208が接続していない(非接続[距離a=0を含まない])ことが望ましい。
尚、請求項では、送信ポートのGNDパターン205は、第1のグランドパターンであり、受信ポートのGNDパターン208が第2のグランドパターンである。
尚、請求項では、送信ポートのGNDパターン205は、第1のグランドパターンであり、受信ポートのGNDパターン208が第2のグランドパターンである。
[本デュプレクサの特性:図2]
本デュプレクサの特性について図2を参照しながら説明する。図2は、本デュプレクサの特性を示す図である。図2では、横軸が周波数で、縦軸がアイソレーション特性である。
本デュプレクサの特性は、図2に示すように、一番目の矩形の凹部が受信バンドを、二番目の矩形の凹部が送信バンドを示しており、上下する波形が送信と受信の干渉の度合いを示している。
図6と比較すると、周波数1920〜1980MHzと2110〜2170MHz付近のコモンモード・アイソレーションが約6dB改善している。
そして、2つの矩形の凹部内に干渉が表れず、規格を満たしているため、アイソレーション特性は改善されている。
本デュプレクサの特性について図2を参照しながら説明する。図2は、本デュプレクサの特性を示す図である。図2では、横軸が周波数で、縦軸がアイソレーション特性である。
本デュプレクサの特性は、図2に示すように、一番目の矩形の凹部が受信バンドを、二番目の矩形の凹部が送信バンドを示しており、上下する波形が送信と受信の干渉の度合いを示している。
図6と比較すると、周波数1920〜1980MHzと2110〜2170MHz付近のコモンモード・アイソレーションが約6dB改善している。
そして、2つの矩形の凹部内に干渉が表れず、規格を満たしているため、アイソレーション特性は改善されている。
[本デュプレクサの効果]
本デュプレクサによれば、受信側のアンテナホットの引き回し線207と送信側のアンテナホットの引き回し線との間に、送信ポートのGNDパターン205と受信ポートのGNDパターン208の2つのGNDパターンが形成されているので、送信側のアンテナホットの引き回し線と受信側のアンテナホットの引き回し線207との間のアイソレーションを十分なものにすることができ、SAWデバイスの高性能化が実現できる効果がある。
本デュプレクサによれば、受信側のアンテナホットの引き回し線207と送信側のアンテナホットの引き回し線との間に、送信ポートのGNDパターン205と受信ポートのGNDパターン208の2つのGNDパターンが形成されているので、送信側のアンテナホットの引き回し線と受信側のアンテナホットの引き回し線207との間のアイソレーションを十分なものにすることができ、SAWデバイスの高性能化が実現できる効果がある。
本デュプレクサでは、送信ポート、受信ポートの内、どちらか片方のみがバランス出力となって、もう片方はアンバランス出力であり、アンバランス出力ポートのGNDパターンからバランス出力ポートのホットの引き回し線にGNDシールド(バランス受信ポートのGND引き回しパターン)を設けている。この構成により、SAWデュプレクサのCom−ISOを改善できる。
[応用例:図3]
次に、本デュプレクサの応用例について図3を参照しながら説明する。図3は、応用例のSAWデュプレクサの構成例を示す図である。
応用例のSAWデュプレクサは、図3に示すように、アンテナポート201とバランス受信出力ポート202,203との間にあるSAW共振子を多重化した例である。
その他の構成は、図1に示した構成と同様である。
次に、本デュプレクサの応用例について図3を参照しながら説明する。図3は、応用例のSAWデュプレクサの構成例を示す図である。
応用例のSAWデュプレクサは、図3に示すように、アンテナポート201とバランス受信出力ポート202,203との間にあるSAW共振子を多重化した例である。
その他の構成は、図1に示した構成と同様である。
具体的には、受信フィルタ部分において、アンテナポート201と受信側のアンテナホットの引き回し線207と間に、共振子210と共振子211とを直列に接続(縦接続)して多重化したものである。
尚、共振子210及び共振子211の各々の両端には反射器が設けられている。
図3の例では、多重化した共振子が2つの場合を示したが、3つ以上であってもよい。
このように、共振子を多重化することで、耐電力性を高めることができる効果がある。
尚、共振子210及び共振子211の各々の両端には反射器が設けられている。
図3の例では、多重化した共振子が2つの場合を示したが、3つ以上であってもよい。
このように、共振子を多重化することで、耐電力性を高めることができる効果がある。
[その他]
本デュプレクサ及び応用例において、圧電基板は、水晶、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)等で形成されている。
また、非圧電性基板の上に、水晶、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)等の圧電性を有する材料が1層以上の薄膜又は厚膜により形成(積層)されている基板を用いてもよい。
本デュプレクサ及び応用例において、圧電基板は、水晶、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)等で形成されている。
また、非圧電性基板の上に、水晶、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)等の圧電性を有する材料が1層以上の薄膜又は厚膜により形成(積層)されている基板を用いてもよい。
本デュプレクサ及び応用例を一部に含むモジュールに用いてもよい。
この場合、本デュプレクサ及び応用例のデュプレクサの前後にSAW共振子や、圧電薄膜(FBAR:Film Bulk Acoustic Resonator)共振子、LCフィルタ等の各種付加回路等を設けるようにしてもよい。
この場合、本デュプレクサ及び応用例のデュプレクサの前後にSAW共振子や、圧電薄膜(FBAR:Film Bulk Acoustic Resonator)共振子、LCフィルタ等の各種付加回路等を設けるようにしてもよい。
本発明は、SAWデュプレクサにおけるアイソレーション特性を改善できる弾性表面波デバイスに好適である。
101...入力ポート、 102,103...バランス出力ポート、 104,105...反射器、 106,107,108...IDT、 201,301...アンテナポート、 202,203,302,303...バランス受信出力ポート、 204,304...送信ポート、 205,206,205,306...送信ポートのGNDパターン、207...アンテナホットの引き回し線、 208...バランス受信ポートのGND引き回しパターン(受信ポートのGNDパターン)、 209,308,309...GNDパターン
Claims (8)
- 基板上に、アンテナポートと、送信ポートと、受信ポートを備え、前記送信ポート又は前記受信ポートのいずれか一方がバランスポートであり、他方がアンバランスポートである弾性表面波デュプレクサであって、
前記バランスポートが、バランスポート用の、共振子、引き回し線、共振子を介して前記アンテナポートに接続されており、
前記アンバランスポートが、アンバランスポート用の、共振子、引き回し線、共振子を介して前記アンテナポートに接続されており、
前記アンバランスポート用の引き回し線に第1のグランドパターンが形成され、
前記バランスポート用の引き回し線に第2のグランドパターンが形成され、
前記第1のグランドパターンが、前記アンバランスポート用の引き回し線と前記バランスポート用の引き回し線の間に配置され、
前記第2のグランドパターンが、前記第1のグランドパターンと前記バランスポート用の引き回し線と間を隔てるように配置されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 第2のグランドパターンが、第1のグランドパターンよりアンテナポート側に延びて形成されていることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波デバイス。
- 第1のグランドパターンと第2のグランドパターンの近接する距離を25マイクロメータ以下とし、前記第1のグランドパターンと前記第2のグランドパターンとが接続されないことを特徴とする請求項1又は2記載の弾性表面波デバイス。
- アンバランスポートとアンテナポートが多段のラダー型フィルタで接続されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の弾性表面波デバイス。
- アンバランスポートを送信ポートで構成し、
バランスポートを2つのバランス受信出力ポートで構成し、
前記2つのバランス受信出力ポートの内、送信ポート側に形成されたバランス受信出力ポートが共振子を介して接続するグランドパターンを第2のグランドパターンとしたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか記載の弾性表面波デバイス。 - アンテナポートとバランスポート用の引き回し線との間に形成される共振子を直列に接続して多重化したことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか記載の弾性表面波デバイス。
- 基板を圧電基板としたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか記載の弾性表面波デバイス。
- 基板を非圧電基板とし、当該基板上に圧電性の材料を積層したことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか記載の弾性表面波デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013168775A JP2015037272A (ja) | 2013-08-15 | 2013-08-15 | 弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013168775A JP2015037272A (ja) | 2013-08-15 | 2013-08-15 | 弾性表面波デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015037272A true JP2015037272A (ja) | 2015-02-23 |
Family
ID=52687569
Family Applications (1)
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JP2013168775A Pending JP2015037272A (ja) | 2013-08-15 | 2013-08-15 | 弾性表面波デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2015037272A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11108379B2 (en) * | 2018-09-05 | 2021-08-31 | Resonant Inc. | High isolation surface acoustic wave duplexer |
-
2013
- 2013-08-15 JP JP2013168775A patent/JP2015037272A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11108379B2 (en) * | 2018-09-05 | 2021-08-31 | Resonant Inc. | High isolation surface acoustic wave duplexer |
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