JP2015032783A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】計測光による下層重ねマークの検出が容易でかつ重ねズレ計測精度を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】デバイス形成領域と合わせマーク形成領域を有する半導体基板上に層間絶縁膜3を形成する工程と、層間絶縁膜3のデバイス形成領域に第1デバイスパターンを形成すると同時に合わせマーク形成領域に第1重ねマークパターン3bを形成する工程と、層間絶縁膜3上の全面に被加工対象層、第1ハードマスク層、第1シリコン膜6aを順次形成する工程と、合わせマーク形成領域に形成された第1シリコン膜6aを除去する工程と、除去工程の後、全面に第1シリコン酸化膜6bを形成する工程と、第1シリコン酸化膜6b上のデバイス形成領域に第2デバイスパターン7aを形成すると同時に合わせマーク形成領域に第2重ねマークパターン7bを形成する工程とを有する。
【選択図】図5
【解決手段】デバイス形成領域と合わせマーク形成領域を有する半導体基板上に層間絶縁膜3を形成する工程と、層間絶縁膜3のデバイス形成領域に第1デバイスパターンを形成すると同時に合わせマーク形成領域に第1重ねマークパターン3bを形成する工程と、層間絶縁膜3上の全面に被加工対象層、第1ハードマスク層、第1シリコン膜6aを順次形成する工程と、合わせマーク形成領域に形成された第1シリコン膜6aを除去する工程と、除去工程の後、全面に第1シリコン酸化膜6bを形成する工程と、第1シリコン酸化膜6b上のデバイス形成領域に第2デバイスパターン7aを形成すると同時に合わせマーク形成領域に第2重ねマークパターン7bを形成する工程とを有する。
【選択図】図5
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
半導体基板上に半導体装置を製造するために、先に形成された下層の回路パターンに上層の回路パターンを位置合わせして形成するリソグラフィ工程が必要である。
ここで、リソグラフィ工程は、以下のように実施される。
まず、下層の回路パターンが形成された半導体基板上に感光性のホトレジスト膜を形成する。その後、半導体基板を露光装置にセットし、上層回路パターンが形成されているホトマスクを介してホトレジストを露光する。
次に、現像装置で現像し、上層回路パターンを形成する。次に、上層回路パターンが形成されたホトレジストパターンと先に形成されている下層回路パターンとの位置が整合しているか否かを検査する。検査結果が許容範囲であれば次の工程に移行し、許容範囲でなければ、リソグラフィ工程が再実施される。
上記の各工程の内、露光工程においては下層の回路パターンの位置を特定して上層回路パターンの露光位置を決めるために、下層の回路パターンに露光位置合わせマークパターンを形成しておく必要がある。また、検査工程においても、下層回路パターンと上層の回路パターンとの位置ズレを計測するための重ねマークパターンを各々の回路パターンに配置しておく必要がある。露光位置合わせマークパターンの検出、あるいは重ねマークパターンの検出には可視波長領域の計測光が用いられる。
例えば、特開2011−9259号公報(特許文献1)には露光位置合わせマークパターンの構成例が開示されており、特開2010−272629号公報(特許文献2)には重ねマークパタ−ンの構成例が開示されている。
上記従来技術では、リソグラフィでホトレジストパターンを形成した後、ホトレジストパターンをマスクとするドライエッチング法により被加工対象層を加工する。被加工対象層が比較的薄い場合、すなわち被加工対象層の下に位置する下層重ねマークと被加工対象層の上に位置する上層重ねマーク用ホトレジストパターンとの距離が短い場合には、特許文献2に開示された重ねマークを適用して位置ズレの計測を容易に行うことができる。
しかしながら、半導体装置の微細化要求に伴い、加工のマスクとしてカーボン膜やシリコン膜がハードマスクとして用いられるようになってきた。また、DRAM(Dynamic Random Access Memory)を構成するキャパシタのように厚い絶縁膜にシリンダーホールを形成する場合には、厚い絶縁膜に加えて上記のハードマスクを形成することが必要となってきた。上記カーボン膜やシリコン膜は、透明な絶縁膜と異なり可視光の光透過率を減少させる。厚い絶縁膜の上に光透過率の低いハードマスクをさらに重ねているので、特許文献2に開示されたような重ねマークパターンを用いても、計測光が下層重ねマークを検出できない問題が顕在化してきた。同様に、露光位置合わせマークパターンの検出も困難となっている。
本発明は、計測光による下層重ねマークの検出が容易でかつ重ねズレ計測精度を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、
デバイス形成領域と合わせマーク形成領域を有する半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の前記デバイス形成領域に第1デバイスパターンを形成すると同時に前記合わせマーク形成領域に第1重ねマークパターンを形成する工程と、
前記層間絶縁膜上の全面に被加工対象層、第1ハードマスク層、第1シリコン膜を順次形成する工程と、
前記合わせマーク形成領域に形成された前記第1シリコン膜を除去する工程と、
前記除去工程の後、全面に第1シリコン酸化膜を形成する工程と、
前記第1シリコン酸化膜上の前記デバイス形成領域に第2デバイスパターンを形成すると同時に前記合わせマーク形成領域に第2重ねマークパターンを形成する工程と、
前記第1重ねマークまで透過する計測光を上面から照射し前記第2重ねマークパターンと前記第1重ねマークパターンとの重ねズレを計測する工程と、を有することを特徴とする。
デバイス形成領域と合わせマーク形成領域を有する半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の前記デバイス形成領域に第1デバイスパターンを形成すると同時に前記合わせマーク形成領域に第1重ねマークパターンを形成する工程と、
前記層間絶縁膜上の全面に被加工対象層、第1ハードマスク層、第1シリコン膜を順次形成する工程と、
前記合わせマーク形成領域に形成された前記第1シリコン膜を除去する工程と、
前記除去工程の後、全面に第1シリコン酸化膜を形成する工程と、
前記第1シリコン酸化膜上の前記デバイス形成領域に第2デバイスパターンを形成すると同時に前記合わせマーク形成領域に第2重ねマークパターンを形成する工程と、
前記第1重ねマークまで透過する計測光を上面から照射し前記第2重ねマークパターンと前記第1重ねマークパターンとの重ねズレを計測する工程と、を有することを特徴とする。
本発明の他の態様に係る半導体装置の製造方法は、
デバイス形成領域と合わせマーク形成領域を有する半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の前記デバイス形成領域に第1デバイスパターンを形成すると同時に前記合わせマーク形成領域に第1重ねマークパターンを形成する工程と、
前記層間絶縁膜上の全面に被加工対象層、第1ハードマスク層、シリコン膜とシリコン酸化膜から成る第2ハードマスク層を順次形成する工程と、
前記シリコン酸化膜上の前記デバイス形成領域に第2デバイスパターンを形成すると同時に前記合わせマーク形成領域に第2重ねマークパターンを形成する工程と、
前記第1重ねマークまで透過する計測光を上面から照射し前記第2重ねマークパターンと前記第1重ねマークパターンとの重ねズレを計測する工程と、を有し、
前記シリコン膜は10nm以下の膜厚まで薄膜化されていることを特徴とする。
デバイス形成領域と合わせマーク形成領域を有する半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の前記デバイス形成領域に第1デバイスパターンを形成すると同時に前記合わせマーク形成領域に第1重ねマークパターンを形成する工程と、
前記層間絶縁膜上の全面に被加工対象層、第1ハードマスク層、シリコン膜とシリコン酸化膜から成る第2ハードマスク層を順次形成する工程と、
前記シリコン酸化膜上の前記デバイス形成領域に第2デバイスパターンを形成すると同時に前記合わせマーク形成領域に第2重ねマークパターンを形成する工程と、
前記第1重ねマークまで透過する計測光を上面から照射し前記第2重ねマークパターンと前記第1重ねマークパターンとの重ねズレを計測する工程と、を有し、
前記シリコン膜は10nm以下の膜厚まで薄膜化されていることを特徴とする。
本発明によれば、計測光による下層重ねマークの検出が容易になり、かつ重ねズレ計測精度を向上させることができる。
(実験検討例)
本発明の実施形態を説明する前に、本願発明者が実施した実験検討例について図1から図3を用いて説明する。
本発明の実施形態を説明する前に、本願発明者が実施した実験検討例について図1から図3を用いて説明する。
本実験例では、DRAMのキャパシタ形成工程を想定し、半導体基板上の層間絶縁膜にコンタクトプラグを形成し、その後コンタクトプラグの平面位置に合わせてシリンダーホールパターンを形成する例について検討した。DRAMにおいては、直径が小さく深さが深いためシリンダーホールの形成は最も困難なホール形成工程となっている。この困難さを解消するためにダブルパターニング法を検討した。ダブルパターニング法を実施するために複雑なハードマスク構成が必要となる。
最初に、図1を参照する。図1(a)は、デバイス形成領域の一部を抜き出した平面図である。図1(b)は、合わせマーク形成領域の一部を抜き出した平面図である。合わせマーク形成領域は、半導体チップの周囲に位置するスクライブ線領域に該当する。図1(c)は図1(a)のA−A’線における断面図、図1(d)は図1(b)のA−A’線における断面図を各々示している。
また、図1(g)は、図1(d)の第1重ねマークパターンの拡大断面図である。なお、合わせマーク形成領域内には、第1重ねマークパターンと同時に、露光位置合わせマークパターンも別の位置に形成されるが、説明の便宜上、ここでは省略している。
(第1デバイスパターンおよび第1重ねマークパターン形成工程)
図1(a)に示すように、半導体基板1上にシリコン酸化膜からなる厚さが200nmの層間絶縁膜3を形成した。なお、半導体基板1には、容量拡散層やビット線拡散層を有するトランジスタなどの能動素子が形成されたものを用いた。リソグラフィとドライエッチング法を用い、層間絶縁膜3の所定の位置に直径W1が50nmのコンタクトホール3aを形成した。この時、同時に図1(b)に示したように、合わせマーク形成領域に、外側の1辺の幅W2が1000nmとなる矩形の溝で構成される第1重ねマークパターン3bを形成した。ここで、第1重ねマークパターン3bの幅W3は300nmとした。
図1(a)に示すように、半導体基板1上にシリコン酸化膜からなる厚さが200nmの層間絶縁膜3を形成した。なお、半導体基板1には、容量拡散層やビット線拡散層を有するトランジスタなどの能動素子が形成されたものを用いた。リソグラフィとドライエッチング法を用い、層間絶縁膜3の所定の位置に直径W1が50nmのコンタクトホール3aを形成した。この時、同時に図1(b)に示したように、合わせマーク形成領域に、外側の1辺の幅W2が1000nmとなる矩形の溝で構成される第1重ねマークパターン3bを形成した。ここで、第1重ねマークパターン3bの幅W3は300nmとした。
次に、コンタクトホール3aが埋設されるように、タングステン膜などからなる厚さ40nmの導電膜11aを全面に形成した。この時、コンタクトホール3aは導電膜11aで埋設されるが、幅が300nmの第1重ねマークパターン3bは埋設されない。
次に、ドライエッチングを用いたエッチバック法により層間絶縁膜3の上面に形成された導電膜11aを除去した。これにより、コンタクトホール3aは導電膜11aで埋設されコンタクトプラグ11からなる第1デバイスパターン11が形成される。また、第1重ねマークパターン3bの側壁には導電膜11aからなるサイドウォールが形成され、導電膜11aの段差3cが残存する。
シリコン酸化膜などの絶縁膜は透明であるため可視光からなる計測光を透過するが、導電膜11aは、計測光を反射することに加え段差3cを有しているので、上面から計測光を照射すると反射光強度に分布が生じる。この分布を計測することにより第1重ねマークパターン3bを検出することができる。
(被加工対象層形成工程)
次に、図2を参照する。デバイス形成領域に第1デバイスパターン11を、合わせマーク形成領域に第1重ねマークパターン3bを、各々形成した半導体基板1上に被加工対象層4を形成した。ここで、被加工対象層は半導体装置を構成する部材となる。
次に、図2を参照する。デバイス形成領域に第1デバイスパターン11を、合わせマーク形成領域に第1重ねマークパターン3bを、各々形成した半導体基板1上に被加工対象層4を形成した。ここで、被加工対象層は半導体装置を構成する部材となる。
図2(c)、(d)に示すように、第1デバイスパターン11、第1重ねマークパターン3bおよび層間絶縁膜3の上面を覆うように、厚さ50nmの第1シリコン窒化膜4a、厚さ1300nmの第1シリコン酸化膜4bおよび厚さ100nmの第2シリコン窒化膜4cを順次形成した。ここで、第1シリコン窒化膜4a、第1シリコン酸化膜4bおよび第2シリコン窒化膜4cが被加工対象層4となる。
(第1ハードマスク層形成工程)
次に、図2(c)、(d)に示すように、被加工対象層4上に、厚さ30nmの第2シリコン酸化膜5a、厚さ600nmの第1シリコン膜5bおよび厚さ250nmの第3シリコン酸化膜5cを順次形成することにより、第2シリコン酸化膜5a、第1シリコン膜5b、第3シリコン酸化膜5cからなる第1ハードマスク層5を形成した。ここで、第1ハードマスク層5は被加工対象層4を加工するためのマスクとなる。
次に、図2(c)、(d)に示すように、被加工対象層4上に、厚さ30nmの第2シリコン酸化膜5a、厚さ600nmの第1シリコン膜5bおよび厚さ250nmの第3シリコン酸化膜5cを順次形成することにより、第2シリコン酸化膜5a、第1シリコン膜5b、第3シリコン酸化膜5cからなる第1ハードマスク層5を形成した。ここで、第1ハードマスク層5は被加工対象層4を加工するためのマスクとなる。
(第2ハードマスク層形成工程)
次に、図2(c)、(d)に示すように、第1ハードマスク層5を覆うように、厚さ60nmの第2シリコン膜6a、厚さ60nmの第4シリコン酸化膜6bを順次形成することにより、第4シリコン酸化膜6b、第2シリコン膜6aからなる第2ハードマスク層6を形成した。ここで、第2ハードマスク層6は、ダブルパターニング法を用いて第1ハードマスク層5を加工するためのマスクとなる。
次に、図2(c)、(d)に示すように、第1ハードマスク層5を覆うように、厚さ60nmの第2シリコン膜6a、厚さ60nmの第4シリコン酸化膜6bを順次形成することにより、第4シリコン酸化膜6b、第2シリコン膜6aからなる第2ハードマスク層6を形成した。ここで、第2ハードマスク層6は、ダブルパターニング法を用いて第1ハードマスク層5を加工するためのマスクとなる。
(第1ホトレジストパターン形成工程)
次に、図2(c)、(d)に示すように、リソグラフィ法を用いて第1ホトレジストパターン7を形成した。これにより、デバイス形成領域には第2デバイスパターン7aが形成され、合わせマーク形成領域には第2重ねマーク7bが形成される。
次に、図2(c)、(d)に示すように、リソグラフィ法を用いて第1ホトレジストパターン7を形成した。これにより、デバイス形成領域には第2デバイスパターン7aが形成され、合わせマーク形成領域には第2重ねマーク7bが形成される。
図2(a)は、第1ホトレジストパターン7を形成した段階の図2(c)に対応する平面図を示している。また、図2(b)は、図2(d)に対応する平面図を示している。
図2(a)に示すように、デバイス形成領域に形成される第1デバイスパターン7aは、Y方向に延在する直線パターンで形成される。また、合わせマーク形成領域に形成される第2重ねマークパターン7bは、平面視において、矩形の第1重ねマークパターン3bの内側に配置される矩形のパターンで形成される。
(合わせマークの位置ズレ計測工程)
次に、半導体基板1を重ねズレ計測装置(図示せず)にセットし、上面から計測光を照射することにより、第2重ねマークパターン7bと第1重ねマークパターン3bとの重ねズレを計測する。しかし、本実験検討例では、下層に位置する第1重ねマークパターン3bを検出できない問題が発生した。
次に、半導体基板1を重ねズレ計測装置(図示せず)にセットし、上面から計測光を照射することにより、第2重ねマークパターン7bと第1重ねマークパターン3bとの重ねズレを計測する。しかし、本実験検討例では、下層に位置する第1重ねマークパターン3bを検出できない問題が発生した。
第1重ねマークパターン3bの検出には、第2ハードマスク層6、第1ハードマスク層5、被加工対象層4を透過した計測光(波長500〜1000nm)が第1重ねマーク3bまで到達し、かつ反射光が第2ハードマスク層6の上方まで出射して図示しない光検出器に到達する必要がある。
しかし、被加工対象層4に微細パターンを形成する上で必要な膜厚を有する複数の材料からなる第1ハードマスク層5および第2ハードマスク層6が被加工対象層4上に形成されているため計測光の透過量が不十分となってしまう。特に、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜を高選択でドライエッチングすることが可能なシリコン膜をハードマスクとして用いると計測光の透過が不十分となる問題が顕在化することが発明者の検討で明らかとなった。
図3は、図2(c)、(d)の構造において、計測光の透過率に対する第2ハードマスク層6を構成する第2シリコン膜6aの膜厚依存性を発明者が調べた結果である。この結果から、第2シリコン膜6aを所定の膜厚60nmで構成した場合、透過率は1.8%となっており、第1重ねマークパターン3bの検出は困難であった。第2シリコン膜6aの膜厚を薄くするにしたがって透過率は増加し、10nm以下で3.1%となった。3.1%の透過率では第1重ねマークパターン3bの検出が可能であることが明らかとなった。
すなわち、ハードマスクを構成するシリコン膜の膜厚を調整することにより透過率を制御できることがわかった。この結果は、第1ハードマスク層5を構成する第1シリコン膜5bの膜厚を減少させても透過率を増加できることを示唆しているが、第1ハードマスク層5は被加工対象層4の加工に必要な膜厚で構成されているために薄くすることができない。また、厚さ600nmの第1シリコン膜5bを全面に形成した後、合わせマーク形成領域に形成された第1シリコン膜5bを部分的にエッチバックして例えば300nm程度に薄膜化したとすると、デバイス形成領域との間に300nm程度の段差が生じてしまい、デフォーカスによって第2重ねマークパターン7bの形成が困難となってしまう。
本発明は、上記実験検討例の問題点を解決するものであり、計測光による下層重ねマークの検出が容易で、かつ重ねズレ計測精度を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
本発明によれば、合わせマーク形成領域に形成された第2シリコン膜6aを除去することにより、重ねズレ計測時に計測光が第1重ねマークパターン3bまで充分到達するようになり、従来、問題であった計測光が下層の第1重ねマークパターン3bまで届かず重ねズレ計測精度が低下するという問題を回避することができる。
以下、図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
(本発明の第1の実施形態)
上記実験検討例の結果に基づき、本発明の第1の実施形態では、第2ハードマスク層6を構成する第2シリコン膜6aを第1ハードマスク層5上に形成した後、合わせマーク形成領域に形成された第2シリコン膜6aを除去する、もしくは10nm以下の膜厚まで薄膜化する方法を採用する。
上記実験検討例の結果に基づき、本発明の第1の実施形態では、第2ハードマスク層6を構成する第2シリコン膜6aを第1ハードマスク層5上に形成した後、合わせマーク形成領域に形成された第2シリコン膜6aを除去する、もしくは10nm以下の膜厚まで薄膜化する方法を採用する。
すなわち、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、デバイス形成領域と合わせマーク形成領域を有する半導体基板1上に層間絶縁膜3を形成する工程と、前記層間絶縁膜3の前記デバイス形成領域に第1デバイスパターン11を形成すると同時に前記合わせマーク形成領域に第1重ねマークパターン3bを形成する工程と、全面に被加工対象層4、第1ハードマスク層5、第2シリコン膜6aを順次形成する工程と、前記合わせマーク形成領域に形成された前記第2シリコン膜6aを除去する工程と、前記除去工程の後、全面に第4シリコン酸化膜6bを形成する工程と、前記第4シリコン酸化膜6b上の前記デバイス形成領域に第2デバイスパターン7aを形成すると同時に前記合わせマーク形成領域に第2重ねマークパターン7bを形成する工程と、前記第1重ねマークパターン3bまで透過する計測光を上面から照射し、前記第2重ねマークパターン7bと前記第1重ねマークパターン3bとの重ねズレを計測する工程と、を有する構成となる。
以下、本発明の第1の実施形態について詳細に説明する。
本発明の第1の実施形態ではダブルパターニング法を用いて第1ハードマスク層5の加工を行う。1回のリソグラフィで形成する単一パターニングでは、微細なホールパターンを形成することが困難となっている。したがって、より解像性に優れる直線パターンを各々垂直となる方向で上下に組み合わせることにより高精度のホールパターン形成が可能となる。一般的に、リソグラフィの解像限界が30nm以下の微細加工領域ではダブルパターニング法が用いられている。
前述の実験検討例にしたがって、図2(c)、(d)に示す厚さ60nmの第2シリコン膜6aを形成する工程までを実施する。なお、被加工対象層4を構成する第1シリコン窒化膜4a、第1シリコン酸化膜4bおよび第2シリコン窒化膜4c、第1ハードマスク層5を構成する第2シリコン酸化膜5a、第1シリコン膜5b、第3シリコン酸化膜5c、および第2シリコン膜6aはいずれもCVD法を用いて形成することができる。
その後、図4(c)、(d)に示すように、デバイス形成領域を、図示しないマスク膜で覆い、合わせマーク形成領域に第2シリコン膜6aの上面を露出させる。
次に、塩素含有プラズマを用いたドライエッチング法により上面が露出している第2シリコン膜6aを除去する。その後、マスク膜を除去する。
これにより、合わせマーク形成領域には第3シリコン酸化膜5cの上面が露出し、デバイス形成領域にのみ第2シリコン膜6aが残存する。なお、この段階でデバイス形成領域と合わせマーク形成領域の間には60nmの段差が発生するが、この段差は低いので後述のリソグラフィの実施における障害にはならない。
次に、図4(c)、(d)に示すように、全面に厚さ60nmの第4シリコン酸化膜6bをCVD法により形成する。これにより、デバイス形成領域では、第2シリコン膜6a上に第4シリコン酸化膜6bが積層された第2ハードマスク層6が形成される。一方、合わせマーク形成領域では、第2シリコン膜6aが消滅しているので第4シリコン酸化膜6bはダブルパターニング用のハードマスクとしては機能しなくなるが、デバイス構成には関係のない領域なので問題はない。
(第1パターン形成工程)
第2ハードマスク層6の形成工程に引き続きダブルパターニング工程の内の第1パターン形成工程を実施する。
第2ハードマスク層6の形成工程に引き続きダブルパターニング工程の内の第1パターン形成工程を実施する。
図2(a)、(b)に示した平面図にしたがって、図5(c)、(d)に示すように、デバイス形成領域にY方向に延在する直線パターンからなる第1ホトレジストパターン7aを第1リソグラフィ工程により形成する。
同時に、合わせマーク形成領域に、平面視において、矩形の第1重ねマークパターン3bの内側に位置する矩形の第1ホトレジストパターン7bとして第2重ねマークパターン7bを形成した。第1ホトレジストパターン7は、ホトレジスト単層膜に他、ホトレジストの下にシリコン含有ホトレジストや反射防止膜(塗布膜)などが形成された多層膜であっても良い。後述の第2ホトレジストパターン8も同様である。
次に、第1ホトレジストパターン7bとしての第2重ねマークパターン7bが形成された半導体基板1を重ねズレ計測装置(図示せず)にセットし、第2重ねマークパターン7bと第1重ねマークパターン3bとの重ねズレを計測する。
本第1の実施形態では、合わせマーク形成領域に形成された第2シリコン膜6aを予め除去している。これにより、半導体基板1の上面から入射させた計測光を第1重ねマークパターン3bまで到達させると共に、その反射光を半導体基板1から出射させ第1重ねマークパターン3bを検出することが可能となるで。この結果、第2重ねマークパターン7bと第1重ねマークパターン3bとの重ねズレが許容範囲内に収まっていることが確認された。
次に、図6(c)、(d)に示すように、第1ホトレジストパターン7a、7bをマスクとしてフッ素含有プラズマを用いたドライエッチング法により第4シリコン酸化膜6bをエッチングし、第1ホトレジストパターン7a、7bを第4シリコン酸化膜6bに転写する。これにより、デバイス形成領域には第2シリコン膜6aの上面の一部が露出する。その後、第1ホトレジストパターン7a、7bを除去した。
次に、第4シリコン酸化膜6bをマスクとして、上面が露出している第2シリコン膜6aを塩素含有プラズマを用いたドライエッチング法により選択的に除去した。これにより、デバイスパターン形成領域には、第1ハードマスク層5上において、Y方向に延在し、第2シリコン膜6aと第4シリコン酸化膜6bの積層膜からなる第1パターンが形成される。また、隣接する第1パターンの間にはY方向に延在する溝6cが形成され、溝6cの底面には第3シリコン酸化膜5cの上面が露出する。
(第2パターン形成工程)
次に、第1パターン形成工程に引き続き、ダブルパターニング工程を構成する第2パターン形成工程を実施する。図7(a)、(b)に示した平面図にしたがって、図7(e)、(f)に示すように、デバイス形成領域にX方向に延在する直線パターンからなる第2ホトレジストパターン8aを第2リソグラフィ工程により形成する。
次に、第1パターン形成工程に引き続き、ダブルパターニング工程を構成する第2パターン形成工程を実施する。図7(a)、(b)に示した平面図にしたがって、図7(e)、(f)に示すように、デバイス形成領域にX方向に延在する直線パターンからなる第2ホトレジストパターン8aを第2リソグラフィ工程により形成する。
同時に、合わせマーク形成領域に、平面視において、矩形の第1重ねマークパターン3bの内側に位置する矩形の第2ホトレジストパターン8bからなる第3重ねマークパターン8bを形成する。なお、X方向はY方向に垂直な方向となる。そして、第2ホトレジストパターン8aが第2パターンとなる。
次に、第2ホトレジストパターン8bとして第3重ねマークパターン8bが形成された半導体基板1を重ねズレ計測装置(図示せず)にセットし、第3重ねマークパターン8bと第1重ねマークパターン3bとの重ねズレを計測する。
第1パターン形成工程と同様に、本第1の実施形態では、合わせマーク形成領域に形成された第2シリコン膜6aを予め除去しているので、第1重ねマークパターン3bを検出することが可能である。この結果、第3重ねマークパターン8bと第1重ねマークパターン3bとの重ねズレが許容範囲内に収まっていることが確認された。
図7(a)、(b)に示すように、Y方向に延在する第2ハードマスク層6(6a)からなる第1パターンが形成されたデバイス形成領域上に、X方向に延在する第2ホトレジストパターン(第2パターン)8aを形成することにより、矩形の開口10(10a、10b、10c、10d)が形成される。
矩形の開口10の底面には第1ハードマスク層5を構成する第3シリコン酸化膜5cの上面が露出している。すなわち、矩形の開口10は、Y方向を第2ホトレジストパターン8aからなる第2パターンで区画され、X方向を第2ハードマスク6からなる第1パターンで区画されている。
(第1ハードマスク層加工工程)
次に、図8(e)、(f)に示すように、第2ハードマスク層6からなる第1パターンおよび第2ホトレジストパターン8aからなる第2パターンをマスクとして、第1ハードマスク層5をエッチングする。
次に、図8(e)、(f)に示すように、第2ハードマスク層6からなる第1パターンおよび第2ホトレジストパターン8aからなる第2パターンをマスクとして、第1ハードマスク層5をエッチングする。
まず、開口10内に露出している第3シリコン酸化膜5cをフッ素含有プラズマを用いたドライエッチング法によりエッチングする。これにより、開口10のパターンが第3シリコン酸化膜5cに転写され、底面に第2シリコン膜5bの上面が露出するホールが形成される。このエッチングにより、第2ホトレジストパターン8aおよび第4シリコン酸化膜6bもエッチングされて消滅する。そして、第4シリコン酸化膜6bの下に位置していた第2シリコン膜6aの上面が露出する。
次に、第3シリコン酸化膜5cをマスクとして、ホール底面に露出している第1シリコン膜5bを塩素含有プラズマを用いたドライエッチング法によりエッチングする。これにより、第3シリコン酸化膜5cに形成されていたホールが第1シリコン膜5bに転写される。このエッチングにより、ホール底面には第2シリコン酸化膜5aの上面が露出する。また、第2シリコン膜6aはエッチングされて消滅する。
次に、ホール底面に露出している第2シリコン酸化膜5aをフッ素含有プラズマを用いたドライエッチング法によりエッチングする。これにより、ホール底面には第2シリコン窒化膜4cの上面が露出する。また、第3シリコン酸化膜5cはエッチングされて消滅し、図8(e)、(f)に示す第1ハードマスク層5が得られる。
(被加工層加工工程)
次に、図9(e)、(f)に示すように、第1シリコン膜5bおよび第2シリコン酸化膜5aからなる第1ハードマスク層5をマスクとして、被加工対象層4をエッチングする。
次に、図9(e)、(f)に示すように、第1シリコン膜5bおよび第2シリコン酸化膜5aからなる第1ハードマスク層5をマスクとして、被加工対象層4をエッチングする。
第1ハードマスク層5をマスクとして、フッ素含有プラズマを用いたドライエッチング法により第2シリコン窒化膜4c、第1シリコン酸化膜4b、第1シリコン窒化膜4aを順次エッチングし、ホール12を形成する。ホール12の底面には第1デバイスパターン11としてのコンタクトプラグの上面が露出する。
以下、ホール12の内面に、第1デバイスパターン11としてのコンタクトプラグ11に接続する下部電極(図示せず)、下部電極の表面を覆う容量絶縁膜(図示せず)、容量絶縁膜の表面を覆う上部電極(図示せず)を形成してDRAMを構成するキャパシタを製造する。
上記第1の実施形態では、ダブルパターニングに用いられる第2シリコン膜6aの内、合わせマーク形成領域に形成された第2シリコン膜6aを除去している。これにより、重ねずれ計測時に計測光が第1重ねマークパターンまで充分到達するようになり、従来、問題であった計測光が下層の第1重ねマークパターンまで届かず重ねずれ計測精度が低下するという問題を回避することができる。
(本発明の第2の実施形態)
次に、図10、図11を参照して、本発明の第2の実施形態について説明する。
次に、図10、図11を参照して、本発明の第2の実施形態について説明する。
本発明の第2の実施形態として、上記第1の実施形態の第1ハードマスク層5の構成に加えて、第1シリコン膜5bと第3シリコン酸化膜5cの間に計測光透過率を高めるシリコン窒化膜5dを挿入する構成について説明する。
図10(c)、(d)に示すように、第2の実施形態の構成では、第1ハードマスク層5の途中にシリコン窒化膜5dが挿入されている。すなわち、上記第1の実施形態では、被加工対象層4上に、厚さ30nmの第2シリコン酸化膜5a、厚さ600nmの第1シリコン膜5bおよび厚さ250nmの第3シリコン酸化膜5cからなる3層膜を第1ハードマスク層5としていた。
これに対し、本第2の実施形態では、厚さ30nmの第2シリコン酸化膜5a、厚さ600nmの第1シリコン膜5b、厚さ60nmの第3シリコン窒化膜5dおよび厚さ250nmの第3シリコン酸化膜5cからなる4層膜を第1ハードマスク層5として用いる。
尚、合わせマーク形成領域の第2シリコン膜6aを除去する工程は、上記第1の実施形態と同じである。
上記第1の実施形態では、第1ハードマスク層5に、屈折率が3.9の第1シリコン膜5b上に屈折率が1.4の第3シリコン酸化膜5cを積層する構成を用いている。光学分野では周知のように、屈折率の小さい物質側から屈折率の大きい物質側に光(可視光)を入射させると、屈折率の大きい物質表面での反射率が大きくなる。両物質の屈折率の差が大きい程反射率が増大する。反射率が大きくなると当然のことながら透過率は減少する。逆に言えば、両物質の屈折率の差を小さくすれば反射率を低減させ、透過率を増大させることができる。
そこで、第2の実施形態では、第1シリコン膜5bと第3シリコン酸化膜5cとの間に屈折率が2.0の第3シリコン窒化膜5dを介在させる構成としている。すなわち、第1シリコン膜5b上に、第3シリコン酸化膜5cよりも屈折率の大きな物質を配置する構成としている。屈折率が3.9の第1シリコン膜5b上に屈折率が1.4の第3シリコン酸化膜5cを積層した場合の第1シリコン膜5b表面の反射率は約21%となる。また、第3シリコン酸化膜5cに代えて屈折率が2.0の第3シリコン窒化膜5dを積層した場合の第1シリコン膜5b表面の反射率は約10%となる。
したがって、第3シリコン窒化膜5dを第1シリコン膜5bの上面に接触させる構成の方が反射率を半減させることができる。
上記の知見に基づき、図10(d)に示した全体構成の透過率に対する第3シリコン窒化膜5dの膜厚依存性を図11に示している。
図11に示すように、シリコン窒化膜の膜厚が50〜60nmの範囲で透過率は約3.8%となっており、上記第1の実施形態で説明した第3シリコン窒化膜5dを介在させない場合に比べて全体の透過率を約25%増加させることができる。これにより、第1重ねマークパターン3bの検出がより容易化され、重ねズレ計測精度をさらに向上させることができる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
1 半導体基板
3 層間絶縁膜
3b 第1重ねマークパターン
4 被加工対象層
4a 第1シリコン窒化膜
4b 第1シリコン酸化膜
4c 第2シリコン窒化膜
5a 第2シリコン酸化膜
5b 第1シリコン膜第
5c 第3シリコン酸化膜
5d シリコン窒化膜
5 第1ハードマスク層
6a 第2シリコン膜、
6b 第4シリコン酸化膜
6c溝
6 第2ハードマスク層
7a 第1デバイスパターン
7b 第2重ねマークパターン
8a 第2ホトレジストパターン
8b 第3重ねマークパターン
10 開口
11 第1デバイスパターン
12 ホール
3 層間絶縁膜
3b 第1重ねマークパターン
4 被加工対象層
4a 第1シリコン窒化膜
4b 第1シリコン酸化膜
4c 第2シリコン窒化膜
5a 第2シリコン酸化膜
5b 第1シリコン膜第
5c 第3シリコン酸化膜
5d シリコン窒化膜
5 第1ハードマスク層
6a 第2シリコン膜、
6b 第4シリコン酸化膜
6c溝
6 第2ハードマスク層
7a 第1デバイスパターン
7b 第2重ねマークパターン
8a 第2ホトレジストパターン
8b 第3重ねマークパターン
10 開口
11 第1デバイスパターン
12 ホール
Claims (14)
- デバイス形成領域と合わせマーク形成領域を有する半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の前記デバイス形成領域に第1デバイスパターンを形成すると同時に前記合わせマーク形成領域に第1重ねマークパターンを形成する工程と、
前記層間絶縁膜上の全面に被加工対象層、第1ハードマスク層、第1シリコン膜を順次形成する工程と、
前記合わせマーク形成領域に形成された前記第1シリコン膜を除去する工程と、
前記除去工程の後、全面に第1シリコン酸化膜を形成する工程と、
前記第1シリコン酸化膜上の前記デバイス形成領域に第2デバイスパターンを形成すると同時に前記合わせマーク形成領域に第2重ねマークパターンを形成する工程と、
前記第1重ねマークまで透過する計測光を上面から照射し前記第2重ねマークパターンと前記第1重ねマークパターンとの重ねズレを計測する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記除去工程は、
前記デバイス形成領域をマスク膜で覆い、
前記合わせマーク形成領域において、前記第1シリコン膜の上面を露出させ、
ドライエッチングにより上面が露出している前記第1シリコン膜を除去し、
その後、前記マスク膜を除去することにより行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1シリコン酸化膜の形成工程後、
前記デバイス形成領域では、前記第1シリコン膜上に前記第1シリコン酸化膜が積層された第2ハードマスク層が形成されてダブルパターニング用のハードマスクとして機能し、
前記合わせマーク形成領域では、前記第1シリコン酸化膜のみが残り前記ダブルパターニング用のハードマスクとしては機能しないことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2デバイスパターンは、第1の方向に延在する直線パターンで形成され、
前記第2重ねマークパターンは、平面視において、前記第1重ねマークパターンの内側に位置する矩形のパターンで形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記除去工程において、前記合わせマーク形成領域に形成された前記第1シリコン膜を予め除去することにより、前記半導体基板の上面から入射させた前記計測光を前記第1重ねマークパターンまで到達させると共に、その反射光を前記半導体基板から出射させて前記第1重ねマークパターンを検出することにより、前記第2重ねマークパターンと前記第1重ねマークパターンとの前記重ねズレが許容範囲内であるか否かを検査することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記デバイスパターン形成領域において、前記第1ハードマスク上に、前記第1の方向に延在し、かつ前記第1シリコン膜と前記第1シリコン酸化膜の積層膜からなる第1パターンを形成する工程を、さらに有することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1パターンを形成する工程の後に、前記デバイスパターン形成領域に前記第1の方向に垂直な第2の方向に延在する直線パターンからなる第2パターンを形成する工程を、さらに有することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1パターン及び前記第2パターンをマスクとして、前記第1ハードマスク層をエッチングすることにより前記第1ハードマスク層を加工する工程を、さらに有することを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記加工された第1ハードマスク層をマスクとして、前記被加工対象層をエッチングすることにより前記被加工対象層を加工する工程を、さらに有することを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1ハードマスク層は、前記被加工対象層上に第2シリコン酸化膜、第2シリコン膜及び第3シリコン酸化膜の順に形成された3層膜で構成されていることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1ハードマスク層は、前記被加工対象層上に第2シリコン酸化膜、第2シリコン膜、シリコン窒化膜及び第3シリコン酸化膜の順に形成された4層膜で構成されていることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコン窒化膜は、前記第3シリコン酸化膜よりも屈折率が大きいことを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- デバイス形成領域と合わせマーク形成領域を有する半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の前記デバイス形成領域に第1デバイスパターンを形成すると同時に前記合わせマーク形成領域に第1重ねマークパターンを形成する工程と、
前記層間絶縁膜上の全面に被加工対象層、第1ハードマスク層、シリコン膜とシリコン酸化膜から成る第2ハードマスク層を順次形成する工程と、
前記シリコン酸化膜上の前記デバイス形成領域に第2デバイスパターンを形成すると同時に前記合わせマーク形成領域に第2重ねマークパターンを形成する工程と、
前記第1重ねマークまで透過する計測光を上面から照射し前記第2重ねマークパターンと前記第1重ねマークパターンとの重ねズレを計測する工程と、を有し、
前記シリコン膜は10nm以下の膜厚まで薄膜化されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記計測光の透過率は、前記第2ハードマスク層を構成する前記シリコン膜の膜厚を調整することにより制御されることを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013163365A JP2015032783A (ja) | 2013-08-06 | 2013-08-06 | 半導体装置の製造方法 |
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JP2020112755A (ja) * | 2019-01-16 | 2020-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | ハードマスク及び半導体デバイスの製造方法 |
-
2013
- 2013-08-06 JP JP2013163365A patent/JP2015032783A/ja active Pending
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JP7310146B2 (ja) | 2019-01-16 | 2023-07-19 | 東京エレクトロン株式会社 | ハードマスク付き半導体デバイスの製造用の基板及び半導体デバイスの製造方法 |
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