JP2015029014A - 太陽電池素子および太陽電池モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】太陽電池素子1は、表面2aおよび裏面2bを有する半導体基板2と、該半導体基板2の表面2aおよび裏面2bの少なくとも一方の上に配置されたバスバー電極3と、バスバー電極3に電気的に接続された、第1方向に延びる第1フィンガー電極4aおよび第2フィンガー電極4bとを備えている。また、太陽電池素子1において、第1フィンガー電極4aおよび第2フィンガー電極4bは、間隔を空けて隣り合うように半導体基板2のバスバー電極3が配置された面上に配置されており、前記第1方向と直交する第2方向における第1フィンガー電極4aの幅は、前記第2方向における第2フィンガー電極4bの幅よりも大きい。
【選択図】 図3
Description
(第1実施形態)
太陽電池素子1は、主として光を受ける主面である表面1aと、表面1aと対向する他の主面である裏面1bを有している。また、太陽電池素子1は、半導体基板2を有している。また、半導体基板2は、太陽電池素子1の表面1aに相当する表面2aと、太陽電池素子1の裏面1bに相当する裏面2bとを有している。
効率の向上に寄与する。反射防止膜9は、例えば、窒化シリコン膜、酸化チタン膜、酸化シリコン膜、もしくは酸化アルミニウム膜、またはそれらの積層膜からなる。また、反射防止膜9は半導体基板2の界面および粒界での少数キャリヤの再結合による変換効率の低下を低減する、パッシベーション膜としての効果も有することができる。
2を経由してバスバー電極3aに集電される。ここで、経路R1は、キャリヤe1が第2フィンガー電極4bを通ってバスバー電極3aに集電される経路である。また、経路R2は、キャリヤe1が第1フィンガー電極4aを通ってバスバー電極3aに集電される経路である。
される。また、本実施形態では、半導体基板2に形成されるフィンガー電極4の面積をほぼ変えずに、上述のようにフィンガー電極4の幅および配置を設定することで、曲線因子(F.F)の低下を低減することができる。なお、本実施形態では、幅が大きい第1フィ
ンガー電極4aによって、シャドウロスが増えて短絡電流(Isc)が若干低下しても、キャリヤの集電効率を高めることでIsc低下に伴う光電変換効率の下げ幅を小さくすることができる。
異が、10〜150μm程度あるようにすれば良い。
ことができる。
次に、太陽電池素子1の製造方法について説明する。
、pn接合を形成することができる。
vapor deposition)法、熱CVD法、蒸着法またはスパッタリング法などを用いて形成
される。例えば、窒化シリコン膜からなる反射防止膜9をPECVD法で形成する場合であれば、反応室内を500℃程度としてシラン(SiH4)とアンモニア(NH3)との混合ガスを窒素(N2)で希釈し、グロー放電分解でプラズマ化させて、窒化シリコン膜を堆積させることで形成される。反射防止膜9の厚みは、構成する材料によって適宜選択されて、適当な入射光に対して低反射条件を実現できるように設定される。例えば窒化シリコン膜で反射防止膜9を形成する場合、その屈折率は1.8〜2.3程度、厚み500〜1200Å程度であればよい。
完成する。
第2実施形態に係る太陽電池素子1Lは、図5に示すように、第1フィンガー電極4aおよび第2フィンガー電極4bの端部において、隣り合う第1フィンガー電極4aおよび第2フィンガー電極4bを電気的に接続する補助電極12をさらに備える点において、第1実施形態に係る太陽電池素子と相違する。
第3実施形態に係る太陽電池素子1Mは、図6(a)、図7に示すように、半導体基板2の表面1a側および裏面1b側の略全面に、パッシベーション層が形成されている点で上述の実施形態と相違する。パッシベーション層は、少数キャリヤの再結合を低減して太陽電池素子1の光電変換効率を向上させる役割を有している。
Deposition:原子層蒸着)法を用いることによって、半導体基板2の側面も含む全表面
に同時に形成することができる。
去するとともに、半導体基板2に吸着したアルミ原料のうち、原子層レベルで吸着した成分以外を除去する(工程2)。
1のフィンガー電極4の構造と同様の理由によって、光電変換効率の低下を低減することができる。このとき、第1裏面フィンガー電極20aの幅は、例えば300〜400μm程度、第2裏面フィンガー電極20bの幅は、例えば100〜250μm程度であればよい。
本発明の実施形態に係る太陽電池モジュール21は、図8に示すように、複数の太陽電池素子1を有する太陽電池パネル23と、該太陽電池パネル23の外周部に配置されたフレーム24を有する。太陽電池モジュール21は、図8(a)に示す、主として光を受ける面である第1面21aおよび、図8(b)に示す、該第1面の裏面に相当する第2面21bを有する。そして、太陽電池モジュール21は、図1(b)に示すように、第2面21bに端子箱25を有している。また、端子箱25には、太陽電池モジュール21の発生した電力を外部回路に供給するための出力ケーブル26が配されている。
れる。ここで、ガラスとしては、例えば、白板ガラス、強化ガラス、倍強化ガラス、熱線反射ガラスなどが用いられる。また、樹脂であれば、ポリカーボネート樹脂などの合成樹脂が用いられる。透光性基板31は、厚さ3〜5mm程度であればよい。
1a:表面
1b:裏面
2 :半導体基板
2a:表面
2b:裏面
3 :バスバー電極
4 :フィンガー電極
4a:第1フィンガー電極
4b:第2フィンガー電極
5 :裏面集電電極
6 :接続電極
7 :一導電型領域
8 :逆導電型層
9 :反射防止膜
10 : BSF領域
12 :補助電極
13 :表面側導電ペースト
14 :裏面側第1導電ペースト
15 :裏面側第2導電ペースト
17 :第1パッシベーション層
18 :第2パッシベーション層
20 :裏面フィンガー電極
20a:第1裏面フィンガー電極
20b:第2裏面フィンガー電極
21 :太陽電池モジュール
21a:第1面
21b:第2面
22 :接続部材
23 :太陽電池パネル
24 :フレーム
25 :端子箱
31 :透光性基板
32 :表面側充填材
33 :裏面側充填材
34 :裏面材
35 :横方向配線
36 :外部導出配線
D1、D2:断線部
R1〜R4:経路
Claims (5)
- 表面および裏面を有する半導体基板と、
該半導体基板の表面および裏面の少なくとも一方の上に配置されたバスバー電極と、
前記バスバー電極に電気的に接続された、第1方向に延びる第1フィンガー電極および第2フィンガー電極とを備え、
前記第1フィンガー電極および前記第2フィンガー電極は、間隔を空けて隣り合うように前記半導体基板の前記バスバー電極が配置された面上に配置されており、
前記第1方向と直交する第2方向における前記第1フィンガー電極の幅は、前記第2方向における前記第2フィンガー電極の幅よりも大きい、太陽電池素子。 - 前記第1フィンガー電極および前記第2フィンガー電極は、複数配置されているとともに、前記第2方向に沿って前記間隔を空けて交互に配置されている、請求項1に記載の太陽電池素子。
- 前記第1フィンガー電極および前記第2フィンガー電極の端部において、隣り合う前記第1フィンガー電極および前記第2フィンガー電極を、電気的に接続する補助電極をさらに備え、
前記第1方向における前記補助電極の幅は、前記第1方向における前記バスバー電極の幅よりも小さい、請求項1または請求項2に記載の太陽電池素子。 - 前記第1フィンガー電極の幅は、110〜200μmであり、前記第2フィンガー電極の幅は、50〜100μmである、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の太陽電池素子。
- 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の太陽電池素子を複数有しており、
隣り合う前記太陽電池素子同士を接続導体で電気的に接続してなる太陽電池モジュール。
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