JP2015028973A - 配線板および配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】めっきにより導体層の厚み増加とフィルドビアの形成が同時になされるにあたり肩減りが生じることなく良好にめっきが施された配線板およびその製造方法を提供すること。【解決手段】配線板１には，第１導体層（内層パターン１０）と第２導体層（外層パターン３０）との導通をとるフィルドビア４０が形成されている。第２導体層は，導体箔（銅箔層２３）とめっき層３５とを含んでいる。フィルドビアの箇所には，層間絶縁層２０および導体箔に穴２２が形成されている。穴における導体箔の開口径Ｄ２は，層間絶縁層の導体箔側の面の開口径Ｄ１より小さい。めっき層は，穴を充填しているとともに、無電解めっき層（給電層３６）と電気めっき層（電気銅めっき層３７）とを含んでいる。無電解めっき層は、導体箔における穴の周縁部（突出部２５）を覆っている。【選択図】図２

Description

本発明は，フィルドビア用の穴内および導体箔上に良好にめっきを施す技術に関するものである。

従来より，セミアディティブプロセスによる配線板の製造方法として，下記特許文献１に記載されているものが知られている。特許文献１に記載の製造方法では，まず，「内層パターン１１１」を有している「回路基板１１０」に，銅箔付絶縁樹脂フィルムをラミネートしている。これにより，回路基板１１０に「絶縁層１２１」および「極薄銅箔１３１」を形成している（同文献の図９（ｂ））。次に，絶縁層１２１および極薄銅箔１３１の所定位置にレーザ加工をして孔をあけ，「ビア用孔１２２」を形成している（同文献の図９（ｃ））。ビア用孔１２２の孔底には下層である「内層パターン１１１」が露出している。続いて，無電解銅めっきによりビア用孔１２２内および極薄銅箔１３１上に「めっき下地導電層１４１」を形成している（同文献の図９（ｅ））。その後，めっきレジストとしての「レジストパターン１５１」を形成している（同文献の図１０（ｆ））。それから，めっき下地導電層１４１を電極として電気銅めっきを行うことにより，「フィルドビア１３２」及び「導体層１３３」を形成している（同文献の図１０（ｇ））。その後，レジストパターン１５１を除去するとともに，レジストパターン１５１の除去により露出しためっき下地導電層１４１およびその下の極薄銅箔１３１をエッチングにより除去している。これにより，絶縁層１２１上に「配線層１３３ａ」を形成している（同文献の図１０（ｈ））。

特開２００５−２５１８９４号公報

しかしながら上記の方法で製造した配線板には，次のような問題点があった。すなわち，上記の製造方法における電気銅めっきを行う工程では，極薄銅箔１３１を銅めっきで被覆して厚みのある導体層１３３をつくることと，ビア用孔１２２を銅めっきで充填してフィルドビア１３２とすることが同時になされる。そのため，出来上がる導体層１３３の表面形状には，ビア用孔１２２の形状が反映されて，図１６に示すように凹部１５０が形成されてしまうことがあった。すなわち導体層１３３におけるフィルドビア１３２の箇所の表面が窪んでしまうことがあった。この凹部１５０の凹み量Ｈは，１８μｍ程度にも達する。なお図１６には，内層パターン１１１，めっき下地導電層１４１，極薄銅箔１３１も図示している。

このように導体層１３３に凹部１５０ができてしまう現象を，肩減り（又はリセス（recess））と称する。肩減りが生じると，次のような問題が生じ得る。すなわち，導体層１３３におけるフィルドビア１３２の箇所の平坦性が悪いため，その箇所に対してさらにビアを積み重ねても接続信頼性の高いビアとならないのである。

本発明は，前記した従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものである。すなわちその課題とするところは，めっきにより導体層の厚み増加とフィルドビアの形成が同時になされるにあたり肩減りが生じることなく良好にめっきが施された配線板およびその製造方法を提供することにある。

この課題の解決を目的としてなされた本発明の配線板は，導体層と絶縁層とを積層してなるとともに，内層導体層である第１導体層とそれより上層である第２導体層との導通をとるフィルドビアが形成されている配線板において，第２導体層が，第１導体層と第２導体層との間に位置する層間絶縁層の表面上に位置する導体箔と，導体箔上に形成されているめっき層とを含んでおり，フィルドビアの箇所には，層間絶縁層および導体箔に，第１導体層に達する穴が形成されており，穴における導体箔の開口径は，層間絶縁層の導体箔側の面の開口径より小さく、めっき層は，導体箔上のみならず穴の中にも及んで形成されて穴を充填しているとともに、導体箔上および穴内に形成されており，導体箔における穴の周縁部を覆っている無電解めっき層と，無電解めっき層上に形成されている電気めっき層とを含んでいることを特徴とする。

本発明の配線板では，フィルドビア用の穴における導体箔の開口径は，層間絶縁層の導体箔側の面の開口径より小さい。言い換えれば，導体箔における穴の周縁部が，層間絶縁層の導体箔側の面の開口周縁よりも内側に突き出た突出部となっている。そのため，導体箔上にめっき層を形成するとともにめっき層で穴を充填するにあたり，導体箔の突出部を起点としてめっきが成長する。よって，穴における導体箔の開口径と層間絶縁層の導体箔側の面の開口径とが同じであるものに比して，第２導体層のフィルドビアの箇所の表面が凹みにくい。従って，肩減りの発生を防ぐことができる。

また本発明の配線板では，導体箔の突出部が，めっき層のうち穴に充填されている部分（フィルド部）と，層間絶縁層上に位置する第２導体層との境界の機械的な強度を向上させる。そのため，フィルドビアによる導通の信頼性を向上させることができる。

さらに本発明の配線板では，導体箔の突出部は無電解めっき層で覆われている。そのため、無電解めっき層上に電気めっき層を形成するにあたり、この突出部を覆う無電解めっき層から好適に電気めっきが成長する。よって、第２導電層のフィルドビアの箇所の表面が凹むのを確実に抑制することができる。

ここで本発明の配線板では，第２導体層におけるフィルドビアの箇所の表面の凹み量は３μｍ以下であることが望ましい。凹み量が３μｍ以下であれば，その部分に対してさらにビアを積み重ねるにあたり平坦性を良好に保つことができるからである。

また本発明の配線板では，穴における導体箔の開口の周縁端の，層間絶縁層の導体箔側の面の開口の周縁の肩部からの内向きの突出量が，３μｍ以上８μｍ以下であることが望ましい。言い換えれば，導体箔の突出部の突出量が３μｍ以上８μｍ以下であることが望ましい。突出量が３μm未満であると，穴の中心の上方まで十分にめっきを施すことができず肩減りが生じるおそれがあるからである。また突出量が８μmを超えると，層間絶縁層の穴をめっきで充填し切る前に導体箔の穴がめっきで塞がれてしまい，穴にボイドができるおそれがあるからである。

また本発明の配線板では，穴における層間絶縁層の導体箔側の面の開口径は７５μｍを超えないことが望ましい。７５μｍを超えてしまうと、銅箔層に突出部があったとしても、穴の中心の上方まで十分にめっきを施すことができず肩減りが生じるおそれがあるからである。

また本発明は，導体層と絶縁層とを積層してなるとともに，内層導体層である第１導体層とそれより上層である第２導体層との導通をとるフィルドビアが形成されている配線板の製造方法において，第１導体層とその上の層間絶縁層とを有し，層間絶縁層上に，第２導体層の一部となる導体箔が積層されている状態の配線板を準備する準備工程と，準備工程で準備した配線板における導体箔側の面に対しレーザ光を照射することにより，層間絶縁層および導体箔に，第１導体層を露出させる穴を形成する穴開け工程と，穴開け工程後の配線板における導体箔側の面にめっきを施すことにより，導体箔とめっき層との２層である第２導体層を形成するとともに，穴をめっき金属で充填してフィルドビアとするめっき工程とを有し，穴開け工程では，形成される穴における導体箔の開口径を，層間絶縁層の導体箔側の面の開口径より小さくし，めっき工程では，無電解めっきにより導体箔上および穴内に無電解めっき層を形成して，無電解めっき層により導体箔における穴の周縁部を覆うとともに，電気めっきにより無電解めっき層上に電気めっき層を形成して，無電解めっき層および電気めっき層からなるめっき層を形成することを特徴とする配線板の製造方法にも及ぶ。

この配線板の製造方法における穴開け工程では，導体箔における穴の周縁部が層間絶縁層の導体箔側の面の開口周縁よりも内側に突き出た突出部となるように，穴を開ける。そのためめっき工程では，この導体箔の突出部を起点にめっきが成長する。しかもめっき工程では、導体箔の突出部を無電解めっき層で覆った後に、無電解めっき層上に電気めっき層を形成する。そのため、この突出部を覆う無電解めっき層から好適に電気めっきが成長する。よって，第２導体層のフィルドビアの箇所の表面が凹みにくい。従って，肩減りの発生を防ぐことができる。

ここで上記した配線板の製造方法におけるめっき工程では，第２導電層の表面が平らになるようにめっき層を形成することが望ましい。このようにすれば、めっき層を形成した後にめっき層の表面を平らにするためのエッチングを行う必要がないからである。

ここで上記した配線板の製造方法における穴開け工程では，レーザ光の照射を一度だけ行うことにより穴を形成することが望ましい。層間絶縁層は導体箔よりも溶け易い。そのため，ワンショットのレーザ光で穴を形成すれば，導体箔に開いた穴の開口径は，層間絶縁層に開いた穴の導体箔側の面の開口径よりも小さくなる。すなわち，所望の形状の穴を好適に形成することができる。

本発明によれば，めっきにより導体層の厚み増加とフィルドビアの形成が同時になされるにあたり肩減りが生じることなく良好にめっきが施された配線板およびその製造方法が提供されている。

実施の形態に係る配線板の断面図である。 図１のＡ部分の拡大図である。 実施の形態で出発材として用いる両面銅箔層付き基材の断面図である。 図３に続く工程を示す図であり，レーザ加工によりスルーホールを形成した状態の断面図である。 図４に続く工程を示す図であり，無電解銅めっきにより給電層を形成した状態の断面図である。 図５に続く工程を示す図であり，レジストパターンを形成した状態の断面図である。 図６に続く工程を示す図であり，電気銅めっきを施した状態の断面図である。 図７に続く工程を示す図であり，レジストパターンの除去およびエッチングをした状態の断面図である。 図８に続く工程を示す図であり，片面銅箔層付きフィルムをラミネートした状態の断面図である。 図９に続く工程を示す図であり，レーザ加工により穴を形成した状態の断面図である。 図１０のＢ部分の拡大図である。 図１０に続く工程を示す図であり，無電解銅めっきにより給電層を形成した状態の断面図である。 図１２のＣ部分の拡大図である。 図１２に続く工程を示す図であり，レジストパターンを形成した状態の断面図である。 図１４に続く工程を示す図であり，電気銅めっきを施した状態の断面図である。 従来技術に係る配線板におけるフィルドビアの箇所を示す断面図である。

以下，本発明を具体化した実施の形態について，添付図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は，本形態に係る配線板１を示す断面図である。図１に示すように，本形態に係る配線板１は，絶縁層２，２０，２１と導体パターン１０，１１，３０，３１とを積層してなるものである。

詳細には配線板１は，コア絶縁層２を備えている。コア絶縁層２の第１主面２ａ（図１中における上側の面）には，パターニングされた導体パターン（内層パターン，第１導体層に相当）１０が形成されている。また，コア絶縁層２の第２主面２ｂ（図１中における下側の面）には，パターニングされた導体パターン（内層パターン，第１導体層に相当）１１が形成されている。また配線板１には，内層パターン１０と内層パターン１１との導通をとる充填スルーホール１３が設けられている。

内層パターン１０および内層パターン１１はそれぞれ，コア絶縁層２上に積層された銅箔層３と，銅箔層３を被覆する銅めっきからなるめっき層１５とを含んでいる。めっき層１５は，無電解銅めっきにより形成された給電層（下地層）１６と，電気銅めっきにより給電層１６上に形成された電気銅めっき層１７とを含んでいる。まためっき層１５は，コア絶縁層２および銅箔層３を貫通しているスルーホール７０を充填している。すなわちスルーホール７０内は，給電層１６と電気銅めっき層１７とで充填されている。これにより配線板１には充填スルーホール１３が形成されている。

内層パターン１０上には層間絶縁層２０が積層されており，同様に内層パターン１１上には層間絶縁層２１が積層されている。層間絶縁層２０の表面２０ａには導体パターン（外層パターン）３０が形成されており，同様に層間絶縁層２１の表面２１ａには，導体パターン（外層パターン）３１が形成されている。この外層パターン３０，３１が，第２導体層に相当する。

外層パターン３０および外層パターン３１はそれぞれ，層間絶縁層２０，２１上に積層された銅箔層（導体箔に相当）２３と，銅箔層２３を被覆する銅めっきからなるめっき層３５とを含んでいる。めっき層３５は，無電解銅めっきにより形成された給電層（下地層）３６と，電気銅めっきにより給電層３６上に形成された電気銅めっき層３７とを含んでいる。給電層３６が無電解めっき層に相当し、電気銅めっき層３７が電気めっき層に相当する。

まためっき層３５は，層間絶縁層２０，２１とその上の銅箔層２３とに形成されている穴２２を充填している。すなわち穴２２内は，給電層３６と電気銅めっき層３７とで充填されている。これにより配線板１には，内層パターン１０と外層パターン３０との導通をとるフィルドビア４０，および内層パターン１１と外層パターン３１との導通をとるフィルドビア４１が形成されている。

図２は，図１に示すＡ部分の拡大図である。図２に示すように，穴２２における層間絶縁層２０の銅箔層２３側の面２０ａの開口径Ｄ１は，銅箔層２３の開口径Ｄ２よりも大きい。なお開口径Ｄ１は、７５μｍ以下である。そして，穴２２における銅箔層２３の開口の周縁端２４は，層間絶縁層２０の銅箔層２３側の面２０ａの開口の周縁の肩部２９の内側（穴２２の径方向内側）に位置している。すなわち，銅箔層２３には，層間絶縁層２０の開口の周縁の肩部２９から内向きに突き出た突出部２５が設けられている。この突出部２５は，銅箔層２３の開口の周縁端２４の全域にわたって設けられている。すなわち，銅箔層２３の穴２２の周縁部は突出部２５となっている。この突出部２５の突出量Ｌは３μｍ以上８μｍ以下である。またこの突出部２５は，めっき層３５（詳細には給電層３６）に覆われている。

外層パターン３０におけるフィルドビア４０の箇所は，ランド４５となっている。このランド４５は，外層パターン３０のさらに上層として導体パターンを設けた場合にその導体パターンと外層パターン３０との導通をとるビアを接続する部分である。このランド４５の主面（図２中の上側の面）４５ａは，ほとんど平坦であり，大きく凹んでいるところがない。穴２２の中心の真上の部分であっても凹み量は３μｍ以下である。

なお層間絶縁層２１側の構成も，層間絶縁層２０側の構成と同じである。すなわち，層間絶縁層２１上の銅箔層２３にも突出部２５があり，外層パターン３１におけるフィルドビア４１の箇所の表面の凹み量は３μｍ以下となっている。以下の説明では，層間絶縁層２１側の構成の符号をかっこ書きにして，層間絶縁層２０側の説明とともにまとめて行うことがある。

次に，本形態の配線板１の製造過程を説明する。配線板１の製造過程は，次の１．〜１３．の各ステップからなる。以下順に説明する。
１． 両面銅箔層付き基材６０の準備
２． スルーホール７０の形成
３． 給電層１６の形成
４． レジストパターン８０の形成
５． スルーホール７０の充填
６． レジストパターン８０の除去およびエッチング
７． 片面銅箔層付きフィルム９０のラミネート
８． 穴２２の形成
９． 給電層３６の形成
１０．レジストパターン１００の形成
１１．穴２２の充填
１２．レジストパターン１００の除去およびエッチング
１３．更なる上層の形成等

（１．両面銅箔層付き基材６０の準備）
本形態で出発材として使用する両面銅箔層付き基材６０は，図３に示すように，コア絶縁層２と，コア絶縁層２の第１主面２ａ及び第２主面２ｂを覆う銅箔層３とを備えたものである。

（２．スルーホール７０の形成）
次に図４に示すように，両面銅箔層付き基材６０に対してレーザ光を照射するレーザ加工を行う。これにより，両面銅箔層付き基材６０を板厚方向に貫通するスルーホール７０を形成する。レーザ光の照射は，コア絶縁層２の第１主面２ａ側と第２主面２ｂ側の両方から行う。すなわち，第１主面２ａ側からレーザ光を照射して形成した孔７０ａと，孔７０ａと連通するように第２主面２ｂ側からレーザ光を照射して形成した孔７０ｂとからなるものが，スルーホール７０である。このようにしてレーザ加工によりスルーホール７０の形成を行うと，第１主面２ａ側から形成した孔７０ａの側壁面は，光源側である図４中の上側に開いた斜面となる。また，第２主面２ｂ側から形成した孔７０ｂの側壁面は，光源側である図４中の下側に開いた斜面となる。

（３．給電層１６の形成）
次に図５に示すように，無電解銅めっきを行うことにより，スルーホール７０内および銅箔層３上に銅めっきからなる給電層１６を形成する。なお給電層１６は，スルーホール７０を埋め尽くすほど膜厚の厚いものではない。

（４．レジストパターン８０の形成）
次に図６に示すように，給電層１６が形成された両面銅箔層付き基材６０の表裏の表面上に，レジストパターン８０を形成する。レジストパターン８０は，内層パターン１０，１１（図１参照）の形成予定箇所を覆わず，それ以外の箇所を覆うように形成する。内層パターン１０，１１の形成予定箇所には，スルーホール７０が設けられている箇所が含まれる。レジストパターン８０の形成は，例えばドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）をラミネートしたあと露光および現像する方法など，公知の方法により行えばよい。

（５．スルーホール７０の充填）
次に図７に示すように，給電層１６を利用した電気銅めっきを行うことにより，側壁面を給電層１６で覆われたスルーホール７０内を銅めっきで充填するとともに，表面を給電層１６で覆われた銅箔層３をさらに銅めっきで被覆する。この電気銅めっきにより形成される部分が，電気銅めっき層１７である。これにより，給電層１６と電気銅めっき層１７とからなるめっき層１５でスルーホール７０が充填され，充填スルーホール１３が形成される。またこの電気銅めっきにより，コア絶縁層２の両主面２ａ，２ｂにある銅箔層３上に，めっき層１５が形成される。

（６．レジストパターン８０の除去およびエッチング）
次に図８に示すように，レジストパターン８０を除去する。レジストパターン８０の除去は，剥離，燃焼，又は溶解などの公知の方法により行えばよい。このレジストパターン８０の除去により，給電層１６の一部が再び露出する。その後，この露出した給電層１６と，その下層に位置する銅箔層３とをエッチングにより除去する。これにより，コア絶縁層２の第１主面２ａ上には内層パターン１０が形成されるとともに，コア配線板の第２主面２ｂ上には内層パターン１１が形成される。

内層パターン１０，１１は，銅箔層３およびめっき層１５とからなっている。内層パターン１０と内層パターン１１との導通は，充填スルーホール１３によりとられている。内層パターン１０，１１が形成された図８に示す状態の配線板を以後，「コア配線板８５」と称する。

なおこの工程で行うエッチングは，内層パターン１０，１１に比して薄い給電層１６および銅箔層３のみを溶かすエッチングである。そのため，レジストパターン８０を剥離した後の配線板をエッチング剤に浸漬する時間は，給電層１６および銅箔層３が溶け切る程度の短時間である。このエッチングにより，内層パターン１０，１１ではない箇所においてコア絶縁層２が露出した図８のコア配線板８５が形成される。

（７．片面銅箔層付きフィルム９０のラミネート）
次に，コア配線板８５の表裏の表面を粗面化するとともに，図９に示すように，コア配線板８５の表裏の表面上に片面銅箔層付きフィルム９０をラミネートする。片面銅箔層付きフィルム９０は，未硬化の熱硬化性樹脂である樹脂層９１と銅箔層２３とからなっている。片面銅箔層付きフィルム９０は，銅箔層２３が外側になるようにコア配線板８５にラミネートする。片面銅箔層付きフィルム９０をラミネートした後，片面銅箔層付きフィルム９０を高温で加熱する。これにより，熱硬化性樹脂である樹脂層９１を硬化させる。硬化した樹脂層９１は，層間絶縁層２０，２１となる。

（８．穴２２の形成）
次に，ハーフエッチングにより銅箔層２３の厚さを薄くする。これは，次に行うレーザ加工において穴２２を形成し易くするためである。ハーフエッチングの後，図１０に示すようにレーザ加工により穴２２を形成する。レーザ加工では，銅箔層２３に対して穴２２の輪郭となる箇所にレーザ光を照射する。レーザとしては，ＣＯ_２レーザ（炭酸ガスレーザ）を好適に使用できる。これにより，内層パターン１０（１１）に達する穴２２を形成する。穴２２の底には，内層パターン１０（１１）の層間絶縁層２０（２１）側の面が露出する。このようなレーザ加工により穴２２の形成を行うと，層間絶縁層２０（２１）における穴２２の側壁面は，光源側に開いた斜面となる。

穴２２の形成のためのレーザ光の照射は，一回（１ショット）のみ行う。すなわち，１ショットで層間絶縁層２０（２１）と銅箔層２３とに穴２２が形成されるような強いエネルギーのレーザ光を照射する。ここで，層間絶縁層２０（２１）は熱硬化性樹脂からなる層であり，銅箔層２３は銅からなる層である。よって，レーザ光のエネルギーを受けたときには，層間絶縁層２０（２１）の方が銅箔層２３よりもよく溶ける。

そのため図１１に示すように，穴２２における層間絶縁層２０（２１）の銅箔層２３側の面２０ａ（２１ａ）の開口径Ｄ１は，銅箔層２３の開口径Ｄ２よりも大きくなる。また，銅箔層２３の開口の周縁端２４は，層間絶縁層２０（２１）の銅箔層２３側の面２０ａ（２１ａ）の開口の周縁の肩部２９に比して径方向内側に位置することになる。すなわち銅箔層２３には，層間絶縁層２０（２１）の開口の周縁の肩部２９から内向きに突き出した突出部２５が，開口の周縁端２４の全周にわたって形成されることになる。

この突出部２５の突出量（層間絶縁層２０（２１）の開口の周縁の肩部２９からの突出量）Ｌは，３μｍ以上８μｍ以下が望ましい。突出量Ｌが３μm未満であると，後述する電気銅めっきにおいて穴２２の中心の上方の箇所に窪みができるのを十分に防ぐことができないからである。また，突出量Ｌが８μmを超えると，後述する電気銅めっきにおいて層間絶縁層２０（２１）の穴２２内に銅めっきが充填されるよりも前に，銅箔層２３の穴２２が銅めっきで塞がってしまい，層間絶縁層２０（２１）の穴２２にボイドができるおそれがあるからである。

さらには、穴２２における層間絶縁層２０（２１）の銅箔層２３側の面２０ａ（２１ａ）の開口径Ｄ１は，７５μｍを超えないことが望ましい。７５μｍを超えてしまうと、突出部２５を有していたとしても、後述する電気銅めっきにおいて穴２２の中心の上方の箇所に窪みができるのを十分に防ぐことができないからである。そのため，この工程で照射するレーザ光には，突出部２５の突出量Ｌおよび穴２２の開口径Ｄ１が上記の範囲になるようなエネルギーに調整したものを使う。

なお，配線板１の製造過程においてこの突出部２５を取り除くことは好ましくない。取り除く過程で銅箔のカスが配線板に残り，そのカスが後の工程でめっき浴中に浮遊して移動し，ショートの原因となるおそれがあるからである。また通常，レーザ光の照射は強さを変えた２ショットで行われていた。つまり，１ショット目で銅箔層に孔をあけ，２ショット目で層間絶縁層に孔をあけていた。なお穴２２の形成後には，デスミアを行うことにより穴２２の形成時に出た残渣を溶かして除去する。

（９．給電層３６の形成）
続いて表面粗化処理を行い，その後図１２に示すように，無電解銅めっきを行うことにより，穴２２内および銅箔層２３上に銅めっきからなる給電層３６を形成する。なお給電層３６は，穴２２を埋め尽くすほど膜厚の厚いものではない。これにより，図１３に示すように銅箔層２３の突出部２５は，給電層３６に被覆される。

（１０．レジストパターン１００の形成）
次に図１４に示すように，給電層３６が形成されたコア配線板８５の表裏の表面上に，レジストパターン１００を形成する。レジストパターン１００は，外層パターン３０，３１（図１参照）の形成予定箇所を覆わず，それ以外の箇所を覆うように形成する。外層パターン３０，３１の形成予定箇所には，穴２２が設けられている箇所が含まれる。レジストパターン１００の形成は，レジストパターン８０と同様，公知の方法により行えばよい。

（１１．穴２２の充填）
次に図１５に示すように，給電層３６を利用した電気銅めっきを行うことにより，側壁面が給電層３６で覆われている穴２２内を銅めっきで充填するとともに，表面が給電層３６で覆われている銅箔層２３をさらに銅めっきで被覆する。この電気銅めっきにより形成される部分が，電気銅めっき層３７である。これにより，給電層３６と電気銅めっき層３７とからなるめっき層３５で穴２２が充填され，フィルドビア４０，４１が形成される。またこの電気銅めっきにより，銅箔層２３上に，めっき層３５が形成される。なお、電気銅めっき層３７は、その表面が平らになるように形成される。そのため、めっき層３５の形成後に、めっき層３５の表面を平らにする目的でハーフエッチングを行う必要はない。

この電気銅めっきにおいては，給電層３６を起点としてめっきが成長（析出）する。従って当然，給電層３６における突出部２５を覆っている箇所からもめっきが成長する。そのため，穴開け工程で突出部２５を形成しない従来の製造方法（図１６参照）に比して，穴２２の径方向中心位置の上方まで十分にめっきを施すことができる。すなわち，従来の製造方法では図１６に示したように導体層１３３におけるフィルドビア１３２の箇所の表面が大きく窪むことがあった。これに対して本製造方法によれば，めっき層３５におけるフィルドビア４０，４１の箇所の表面がそれほど大きく窪むことはない。

より詳細には，めっき層３５におけるフィルドビア４０，４１の箇所の表面の凹み量を，３μｍ以下に収めることができる。この箇所はランド４５（図２参照）となる箇所である。なお従来の製造方法で形成される凹部１５０（図１６参照）の凹み量Ｈは，１８μｍ程度であった。このような大きな窪みができてしまうと例えば次のような問題が生じる。すなわち，その窪みのある箇所（凹部１５０を含む箇所）をランドとして，さらに上層として設けた導体パターンとの導通をとるビアを接続しようとしても良好に接続できないのである。これに対して本製造方法によれば，ランド４５となる箇所の凹み量が３μｍ以下である。そのため，その箇所（すなわちフィルドビア４０（４１）の箇所）の真上にさらにビアを接続する場合であっても，良好な接続信頼性および平坦性で接続することができるのである。また本製造方法によれば，銅箔層２３に突出部２５が形成されている分，必要なめっき量が少なくて済む。そのため，めっき時間を短縮することができる。

但しこの電気銅めっきは，層間絶縁層２０（２１）の穴２２が銅めっきで充填されるより前に，銅箔層２３の穴２２が銅めっきで塞がってしまうことのないように行う必要がある。そのため，必要に応じて逆電解をかけて，付き過ぎた銅めっきをとる操作をしている。このような操作をしながら銅めっきを施すことにより，層間絶縁層２０（２１）の穴２２に空洞を残したまま銅箔層２３の穴２２が塞がれてしまうことのないようにしている。

（１２．レジストパターン１００の除去およびエッチング）
次に図１に示すように，レジストパターン１００を除去する。レジストパターン１００の除去は，前述のレジストパターン８０の除去と同様，公知の方法により行えばよい。このレジストパターン８０の除去により，給電層３６の一部が再び露出する。その後，この露出した給電層３６と，その下層に位置する銅箔層２３とをエッチングにより除去する。これにより，層間絶縁層２０の表面２０ａ上に，ランド４５を含む外層パターン３０が形成される。また，層間絶縁層２１の表面２１ａ上に，ランド４５を含む外層パターン３１が形成される。

外層パターン３０，３１は，銅箔層２３およびめっき層３５とからなっている。外層パターン３０と内層パターン１０との導通は，フィルドビア４０によりとられている。また外層パターン３１と内層パターン１１との導通は，フィルドビア４１によりとられている。外層パターン３０，３１が形成された図１に示す状態の配線板を，「配線板１」と称する。

なおこの工程で行うエッチングは，外層パターン３０，３１に比して薄い給電層３６および銅箔層２３のみを溶かすエッチングである。そのため，レジストパターン１００を剥離した後の配線板をエッチング剤に浸漬する時間は，前述の工程６におけるエッチングと同様，給電層３６および銅箔層２３が溶け切る程度の短時間である。このエッチングにより，外層パターン３０，３１ではない箇所において層間絶縁層２０，２１が露出した図１の配線板１が形成される。

（１３．更なる上層の形成等）
このあと必要に応じて，さらに上層としての導体パターンを形成する。導体パターンを形成する場合には，前述の工程７〜１２を行えばよい。この方法を用いれば，何層でも追加的に導体パターンを形成することができる。導体パターンの形成を終えたら，最終工程として，保護絶縁層（ソルダーレジスト層）を形成するとともに，ニッケル金めっきやＯＳＰ（プリフラックス）などの表面処理を行う。そして電気特性テストにより各部の絶縁性等をチェックすれば，製品としての配線板の完成である。

以上詳細に説明したように本形態の配線板１では，フィルドビア４０（４１）用の穴２２における導体箔２３の開口径Ｄ２（図２）は，層間絶縁層２０（２１）の導体箔２３側の面の開口径Ｄ１（図２）より小さい。言い換えれば，導体箔２３における穴２２の周縁部が，層間絶縁層２０（２１）の導体箔２３側の面２０ａ（２１ａ）の開口の周縁の肩部２９から内向きに突き出た突出部２５となっている。そのため，導体箔２３上にめっき層３５を形成するとともにめっき層３５で穴を充填するにあたり，導体箔２３の突出部２５を起点としてめっきが成長する。よって，穴２２における導体箔２３の開口径Ｄ２と層間絶縁層２０（２１）の導体箔２３側の面２０ａ（２１ａ）の開口径Ｄ１とを同じとした場合に比して，外層パターン３０（３１）のフィルドビア４０（４１）の箇所の表面が凹みにくい。従って，肩減りの発生を防ぐことができる。

また本形態では，銅箔層２３の突出部２５が芯材として機能するため，めっき層３５のうち穴２２に充填されている部分（フィルド部４８，図２参照）と，層間絶縁層２０（２１）上に位置する外層パターン３０（３１）との境界の機械的な強度が，突出部２５のないものと比べて強くなっている。そのため，フィルドビア４０（４１）による導通の信頼性が向上している。

なお，本実施の形態は単なる例示にすぎず，本発明を何ら限定するものではない。したがって本発明は当然に，その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良，変形が可能である。例えば，穴２２の形成方法は，レーザ加工であればよく，ＣＯ_２レーザ以外のレーザによるものであってもよい。また，導体箔としては銅箔以外の金属箔であってもよい。また，めっきの種類は銅めっき以外の金属めっきであってもよい。またコア絶縁層２の両主面２ａ，２ｂ上の銅箔層３に，突出部を形成してもよい。

１…配線板
２…コア絶縁層
１０…内層パターン（第１導体層）
１１…内層パターン（第１導体層）
２０…層間絶縁層
２０ａ…表面
２１…層間絶縁層
２１ａ…表面
２２…穴
２３…銅箔層（導体箔）
２４…周縁端
２５…突出部
２９…肩部
３０…外層パターン（第２導体層）
３１…外層パターン（第２導体層）
３５…めっき層
３６…給電層（無電解めっき層）
３７…電気銅めっき層（電気めっき層）
４０…フィルドビア
４１…フィルドビア

Claims (7)

1. 導体層と絶縁層とを積層してなるとともに，内層導体層である第１導体層とそれより上層である第２導体層との導通をとるフィルドビアが形成されている配線板において，
   前記第２導体層が，
   前記第１導体層と前記第２導体層との間に位置する層間絶縁層の表面上に位置する導体箔と，
   前記導体箔上に形成されているめっき層とを含んでおり，
   前記フィルドビアの箇所には，前記層間絶縁層および前記導体箔に，前記第１導体層に達する穴が形成されており，
   前記穴における前記導体箔の開口径は，前記層間絶縁層の前記導体箔側の面の開口径より小さく，
   前記めっき層は，
   前記導体箔上のみならず前記穴の中にも及んで形成されて前記穴を充填しているとともに，
   前記導体箔上および前記穴内に形成されており，前記導体箔における前記穴の周縁部を覆っている無電解めっき層と，
   前記無電解めっき層上に形成されている電気めっき層とを含んでいることを特徴とする配線板。
2. 請求項１に記載の配線板であって，
   前記第２導体層における前記フィルドビアの箇所の表面の凹み量は３μｍ以下であることを特徴とする配線板。
3. 請求項１又は請求項２に記載の配線板であって，
   前記穴における前記導体箔の開口の周縁端の，前記層間絶縁層の前記導体箔側の面の開口の周縁の肩部からの内向きの突出量は，３μｍ以上８μｍ以下であることを特徴とする配線板。
4. 請求項１から請求項３までのいずれかに記載の配線板であって，
   前記穴における前記層間絶縁層の前記導体箔側の面の開口径は７５μｍを超えないことを特徴とする配線板。
5. 導体層と絶縁層とを積層してなるとともに，内層導体層である第１導体層とそれより上層である第２導体層との導通をとるフィルドビアが形成されている配線板の製造方法において，
   前記第１導体層とその上の層間絶縁層とを有し，前記層間絶縁層上に，前記第２導体層の一部となる導体箔が積層されている状態の配線板を準備する準備工程と，
   前記準備工程で準備した配線板における前記導体箔側の面に対しレーザ光を照射することにより，前記層間絶縁層および前記導体箔に，前記第１導体層を露出させる穴を形成する穴開け工程と，
   前記穴開け工程後の配線板における前記導体箔側の面にめっきを施すことにより，
   前記導体箔とめっき層との２層である前記第２導体層を形成するとともに，
   前記穴をめっき金属で充填して前記フィルドビアとするめっき工程とを有し，
   前記穴開け工程では，形成される穴における前記導体箔の開口径を，前記層間絶縁層の前記導体箔側の面の開口径より小さくし，
   前記めっき工程では，
   無電解めっきにより前記導体箔上および前記穴内に無電解めっき層を形成して，前記無電解めっき層により前記導体箔における前記穴の周縁部を覆うとともに，
   電気めっきにより前記無電解めっき層上に電気めっき層を形成して，前記無電解めっき層および前記電気めっき層からなる前記めっき層を形成することを特徴とする配線板の製造方法。
6. 請求項５に記載の配線板の製造方法であって，
   前記めっき工程では，前記第２導電層の表面が平らになるように前記めっき層を形成することを特徴とする配線板の製造方法。
7. 請求項５又は請求項６に記載の配線板の製造方法であって，
   前記穴開け工程では，前記レーザ光の照射を一度だけ行うことにより前記穴を形成することを特徴とする配線板の製造方法。

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