JP2015023117A - 固体撮像素子および撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 画素にダミーゲートを有する固体撮像素子において、蓄積した電荷を電圧に変換するときの変換利得を向上させる。【解決手段】 固体撮像素子は、受光量に応じた量の電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域で蓄積された電荷を検出する電荷検出部と、電荷蓄積領域に蓄積された電荷を電荷検出部に転送するための転送電極と、隣り合う画素間を分離する画素分離部と、画素分離部の上面側に配置され、電気的に切り離された浮遊電極と、を備える。また、画素分離部の下面側のうち、浮遊電極と対向する領域の少なくとも一部に電荷検出部の拡散領域が形成されている。【選択図】 図4
Description
本発明は、固体撮像素子および撮像装置に関する。
従来から、例えば、隣り合う画素との間でゲートのパターニングを合致させるため、ダミーゲートを形成した固体撮像素子が知られている(例えば、特許文献1参照)。
ところで、従来のダミーゲートを有する固体撮像素子では、素子分離帯を隔ててダミーゲートとシリコン基板との間に寄生容量が形成されることがある。上述の寄生容量が生じると、蓄積した電荷を電圧に変換するときの変換利得が低下し、固体撮像素子の撮像感度も低下させる。よって、上述の寄生容量は、固体撮像素子の撮像感度を低下させる原因の一つとなる。
本件開示の固体撮像素子および撮像装置は、画素にダミーゲートを有する固体撮像素子において、蓄積した電荷を電圧に変換するときの変換利得を向上させる技術を提供することを目的とする。
一つの観点による固体撮像素子は、受光量に応じた量の電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域で蓄積された電荷を検出する電荷検出部と、電荷蓄積領域に蓄積された電荷を電荷検出部に転送するための転送電極と、隣り合う画素間を分離する画素分離部と、画素分離部の上面側に配置され、電気的に切り離された浮遊電極と、を備える。また、画素分離部の下面側のうち、浮遊電極と対向する領域の少なくとも一部に電荷検出部の拡散領域が形成されている。
一つの観点による撮像装置は、上述した一つの観点の固体撮像素子を備える。
本件開示の固体撮像素子および撮像装置は、画素にダミーゲートを有する固体撮像素子において、蓄積した電荷を電圧に変換するときの変換利得を向上させることができる。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。
<一の実施形態での固体撮像素子の説明>
図1は、一の実施形態での固体撮像素子の構成例を示す図である。一の実施形態での固体撮像素子11は、例えば、シリコン基板上にCMOS(相補性金属酸化膜半導体)プロセスを使用して形成されたXYアドレス型の固体撮像素子である。
図1は、一の実施形態での固体撮像素子の構成例を示す図である。一の実施形態での固体撮像素子11は、例えば、シリコン基板上にCMOS(相補性金属酸化膜半導体)プロセスを使用して形成されたXYアドレス型の固体撮像素子である。
固体撮像素子11は、画素部12と、垂直走査部13と、水平走査部14とを有している。画素部12は、入射光を電気信号に変換する複数の画素PXを有している。画素部12の画素PXは、受光面上で行方向(X方向)および列方向(Y方向)にマトリクス状に配置されている。図1に示す画素部12では、列方向(Y方向)に並ぶ4画素(例えば、図1中で破線で囲った4画素)を1組として、増幅トランジスタAMP、選択トランジスタSEL、リセットトランジスタRSTの3つのトランジスタが4画素間で共用されている(いわゆる1.75Tr構成)。なお、図1では画素PXの配列を簡略化して示すが、実際の固体撮像素子11の受光面には、さらに多数の画素PXが行方向および列方向に配列されることはいうまでもない。
垂直走査部13は、例えば撮像装置の制御部からの指示信号を受けて、画素部12、水平走査部14に対して各種の制御信号を供給する。垂直走査部13には、行方向(X方向)に延在する複数の水平信号線HLが接続されている。垂直走査部13は、水平信号線を介して各画素PXに制御信号を供給する。なお、画素PXに供給される制御信号は、固体撮像素子11の外部(例えば、撮像装置の制御部など)で生成されるものであってもよい。
水平走査部14には、列方向(Y方向)に延在する複数の垂直信号線VLが接続されている。水平走査部14は、垂直信号線VLを介して画素PXの出力信号を読み出す。なお、水平走査部14は、相関二重サンプリング回路や、A/D変換回路などを有するものであってもよい。
図2は、画素部12の画素の回路構成例を示す図である。図2では、列方向(Y方向)に並ぶ4画素を下から順にPX1〜PX4と称する。
画素PX1〜PX4は、フォトダイオードPDと転送トランジスタTXとを各画素でそれぞれ有している。図2において、画素PXnに対応するフォトダイオードPD、転送トランジスタTXは、それぞれフォトダイオードPDn、転送トランジスタTXnと表記する。また、画素PX1〜PX4は、リセットトランジスタRSTと、増幅トランジスタAMPと、選択トランジスタSELと、フローティングディフュージョン部FDとを、4画素でそれぞれ共有する。
フォトダイオードPD1〜PD4は、電荷蓄積領域の一例であって、入射した光の受光量に応じて光電変換により信号電荷を生成する。フォトダイオードPD1〜PD4は、受光量に応じた量の信号電荷を蓄積する。
転送トランジスタTX1〜TX4は、転送電極の一例であって、対応するフォトダイオードPD1〜PD4にソースが接続され、ドレインがフローティングディフュージョン部FDに接続されている。例えば、転送トランジスタTX1〜TX4は、それぞれゲートに印加される制御信号φTX1〜φTX4が高レベルの期間にオンし、対応するフォトダイオードPD1〜PD4に蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョン部FDに転送する。
フローティングディフュージョン部FDは、電荷検出部の一例であって、フォトダイオードPD1〜PD4から転送される電荷を蓄積する容量である。例えば、フローティングディフュージョン部FDには、半導体基板に不純物を導入して形成された拡散領域(21、22)による容量や、配線容量などが含まれる。フローティングディフュージョン部FDでは、フォトダイオードPD1〜PD4で蓄積された電荷が検出されて電圧値に変換される。
リセットトランジスタRSTは、ソースが増幅トランジスタAMPのゲートに接続され、ドレインが電源電圧VDDに接続されている。例えば、リセットトランジスタRSTは、ゲートに印加される制御信号φRSTが高レベルの期間にオンし、フローティングディフュージョン部FDの電荷をリセットする。
増幅トランジスタAMPは、ドレインが電源電圧VDDに接続され、ゲートがフローティングディフュージョン部FDに接続され、ソースが選択トランジスタSELのドレインに接続されている。これにより、増幅トランジスタAMPは、垂直信号線VLに接続された定電流源15を負荷とするソースフォロア回路を構成する。増幅トランジスタAMPは、フローティングディフュージョン部FDの電圧値に応じて、選択トランジスタSELを介して読み出し電流を出力する。
選択トランジスタSELは、ゲートに印加される制御信号φSELが高レベルの期間にオンし、増幅トランジスタAMPのソースを垂直信号線VLに接続する。
図3は、画素部12の受光面上での素子の配置例を示す図である。簡単のため、図3では、画素部12のうち画素PX1〜PX4の部分を示す。
フォトダイオードPD1〜PD4は、画素部12の受光面上で列方向(Y方向)に沿って配列されている。図3において、フォトダイオードPD1の右上側には転送トランジスタTX1のゲート電極(転送ゲート)TGが配置されており、フォトダイオードPD2の右下側には転送トランジスタTX2の転送ゲートTGが配置されている。同様に、フォトダイオードPD3の右上側には転送トランジスタTX3の転送ゲートTGが配置されており、フォトダイオードPD4の右下側には転送トランジスタTX4の転送ゲートTGが配置されている。
また、フォトダイオードPD1、PD2の間と、フォトダイオードPD3、PD4の間には、それぞれフローティングディフュージョン部FDの一部をなす拡散領域21、22が形成されている。図3において、拡散領域21は、フォトダイオードPD1、PD2に対して右寄りに位置しており、転送トランジスタTX1、TX2の各転送ゲートTGと接している。また、図3において、拡散領域22は、フォトダイオードPD3、PD4に対して右寄りに位置しており、転送トランジスタTX3、TX4の各転送ゲートTGと接している。なお、拡散領域21、22は電気的に接続されている。
また、画素部12の受光面には、リセットトランジスタRSTのゲート電極(リセットゲート)RGと、浮遊電極の一例であるダミーのゲート電極(ダミーゲート)DGとが配置されている。図3において、リセットゲートRGは、拡散領域22の右側に配置され、拡散領域22と接している。
また、図3において、ダミーゲートDGは、拡散領域21の右側に配置され、拡散領域21と接している。ダミーゲートDGは、例えば、半導体装置の製造工程において回路間でゲートのパターニングを合致させる目的などで形成される。ダミーゲートDGは、例えば制御信号の配線等との接続を有しておらず、回路からは電気的に切り離された状態にある。そのため、ダミーゲートDGは、通常の半導体装置の電極としては使用されない。なお、一の実施形態の例では、ダミーゲートDGは、拡散領域21を隔てて、転送ゲートTGと対向して配置されている。
図4は、図3のA−A’断面の一例を示す図である。なお、以下に示す断面図では、配線、光学フィルタ、マイクロレンズ等の図示はいずれも省略している。
図4において、n型の基板SUBの受光面側(図中上側)には、p型のPウェル23が形成されている。そして、Pウェル23には、フォトダイオードPD、n+型の拡散領域21が形成されている。また、基板SUBの受光面の上には、転送ゲートTG、ダミーゲートDG、画素分離部ISが形成されている。
フォトダイオードPDは、信号電荷を蓄積するためのn型の半導体領域24と、半導体領域24の受光面側を覆うp型の表面P層25とを有している。また、転送ゲートTGは、フォトダイオードPDと拡散領域21との間に形成されている。また、ダミーゲートDGは、拡散領域21および画素分離部ISの上面側に跨って配置されている。
画素分離部ISは、互いに隣り合う画素間を絶縁して分離するための素子分離帯である。例えば、一の実施形態での画素分離部ISは、LOCOS(local oxidation of silicon)法で形成される。
また、一の実施形態での拡散領域21は、画素分離部ISの下面側まで潜り込むように形成されている。拡散領域21は、画素分離部ISの下面側のうち、ダミーゲートDGと対向する領域を部分的に覆っている。図4の例では、画素分離部ISのバーズビークの部分(26)が覆われる範囲まで、画素分離部ISの下面側に拡散領域21が形成されている。したがって、ダミーゲートDGと拡散領域21とは、画素分離部ISを挟み込むように形成されている。
図5は、図3のB−B’断面の一例を示す図である。図5に示す構成例は、ダミーゲートDGの代わりにリセットゲートRGが形成されている点と、拡散領域21の代わりに拡散領域22が形成されている点を除いて、図4の構成例と共通する。そのため、図5において、図4と同じ要素には同一の符号を付して重複説明は省略する。
以下、一の実施形態の固体撮像素子11の作用効果を述べる。
ここで、比較例として、画素分離部ISの上面側にダミーゲートDGが形成され、画素分離部ISの下面側には拡散領域21がない画素(図6)を考える。図6に示す比較例の場合には、画素分離部ISを隔ててダミーゲートDGと基板SUBとの間に寄生容量が形成されることがある。特に、画素分離部ISがLOCOS法で形成される場合、画素分離部ISのバーズビークの部分(26)に寄生容量が生じやすい。
ところで、固体撮像素子において、蓄積した電荷を電圧に変換するときの増幅トランジスタAMPによる変換利得は、フローティングディフュージョン部FDの容量が小さいほど大きくなる。上述の変換利得が低下すると、固体撮像素子の撮像感度も低下することとなる。
フローティングディフュージョン部FDの容量は、拡散領域(21、22)のサイズや不純物濃度で決まる容量と、配線容量と、各種の寄生容量を含む。そのため、図6に示す比較例によると、画素分離部ISの部分に形成される寄生容量の分、増幅トランジスタAMPによる変換利得も低下する。例えば、画素のサイズが小さい固体撮像素子では拡散領域のサイズも小さくなるため、比較例の構成で生じうる寄生容量が変換利得に対して与える影響も大きくなる。
一方、一の実施形態の固体撮像素子11では、図4に示すように、上面側にダミーゲートDGが形成されている画素分離部ISの下面側に、拡散領域21が形成されており、ダミーゲートDGと拡散領域21とが画素分離部ISを挟み込むように形成されている。そのため、一の実施形態の構成では、画素分離部ISの部分に形成される寄生容量は拡散領域21によって取り除かれる。よって、画素にダミーゲートを有する固体撮像素子において、図6に示す比較例と比べて、増幅トランジスタAMPによる変換利得を向上させることができる。
また、図7は、図3のA−A’断面の別の例を示す図である。図7の構成例において、図4の構成例と同じ要素には同一の符号を付して重複説明は省略する。また、図7の構成例に対応するB−B’断面の構成例については、図4と図5の関係と同様であるので図示および詳細な説明は省略する。
図7の構成例では、画素分離部ISの下側全域に、反転層の形成を防止するシールド層としてのp型の不純物領域27が形成されている。そして、図7の構成例では、p型の不純物領域27の下側に拡散領域21が形成されている。
図7の構成例では、図4の構成例と同様に、画素分離部ISの部分に形成される寄生容量は拡散領域21によって取り除かれる。よって、画素にダミーゲートを有する固体撮像素子において、図6に示す比較例と比べて、増幅トランジスタAMPによる変換利得を向上させることができる。また、図7の構成例では、画素分離部ISの下側のうち、拡散領域21で覆われていない部分がシールド層(27)で覆われているので、隣り合う画素との間にチャネルが形成されにくくなる。
また、図8は、図3のA−A’断面のさらに別の例を示す図である。図8の構成例において、図4の構成例と同じ要素には同一の符号を付して重複説明は省略する。また、図8の構成例に対応するB−B’断面の構成例については、図4と図5の関係と同様であるので図示および詳細な説明は省略する。
図8は、画素分離部ISの下面側のうち、ダミーゲートDGと対向する領域よりも広い範囲まで拡散領域21を形成した例である。図8の構成例においても、図4の構成例と同様に、画素分離部ISの部分に形成される寄生容量は拡散領域21によって取り除かれる。よって、画素にダミーゲートを有する固体撮像素子において、図6に示す比較例と比べて増幅トランジスタAMPによる変換利得を向上させることができる。
<撮像装置の構成例の説明>
図9は、撮像装置の一例である電子カメラの構成例を示す図である。
図9は、撮像装置の一例である電子カメラの構成例を示す図である。
電子カメラ31は、撮像光学系32と、上述した一の実施形態の固体撮像素子11と、画像処理部33と、モニタ34と、記録I/F35と、制御部36と、操作部37とを有している。ここで、固体撮像素子11、画像処理部33、操作部37はそれぞれ制御部36と接続されている。
撮像光学系32は、例えばズームレンズやフォーカスレンズを含む複数のレンズで構成されている。なお、簡単のため、図9では撮像光学系32を1枚のレンズで図示する。
固体撮像素子11は、撮像光学系32を通過した光束による被写体の結像を撮像する。固体撮像素子11の出力は画像処理部33に接続されている。
電子カメラ31の撮影モードにおいて、固体撮像素子11は、操作部37の入力に応じて、不揮発性の記憶媒体(38)への記録を伴う記録用静止画像や動画像を撮影する。また、固体撮像素子11は、記録用静止画像の撮影待機時にも所定間隔ごとに観測用の画像(スルー画像)を連続的に撮影する。時系列に取得されたスルー画像のデータ(あるいは上記の動画像のデータ)は、モニタ34での動画表示や制御部36による各種の演算処理に使用される。なお、動画撮影時に、電子カメラ31はスルー画像を記録するようにしてもよい。
画像処理部33は、固体撮像素子11から入力される画像信号に対して画像処理(例えば、色補間処理、階調変換処理、輪郭強調処理、ホワイトバランス調整など)を行う。なお、画像処理部33には、モニタ34および記録I/F35が接続される。
モニタ34は、各種の画像を表示する表示デバイスである。例えば、モニタ34は、制御部36の制御により、撮影モード下でのスルー画像の動画表示(ビューファインダ表示)を行う。
記録I/F35は、不揮発性の記憶媒体38を接続するためのコネクタを有している。そして、記録I/F35は、コネクタに接続された記憶媒体38に対してデータの書き込み/読み込みを実行する。記憶媒体38は、例えば、ハードディスクや半導体メモリを内蔵したメモリカードなどである。
制御部36は、電子カメラ31の動作を統括的に制御するプロセッサである。操作部37は、記録用静止画像の取得指示(例えばレリーズ釦の全押し操作)をユーザから受け付ける。
図8に示す電子カメラは、上述した一の実施形態の固体撮像素子11を用いるので、画素にダミーゲートを有していても、増幅トランジスタAMPによる変換利得を向上させることができ、良好な撮像感度を得ることができる。
<実施形態の補足事項>
(1)一の実施形態では、リセットトランジスタRST、増幅トランジスタAMP、選択トランジスタSELを4画素で共有する1.75Tr構成の固体撮像素子での例を説明した。しかし、本発明の固体撮像素子は、一の実施形態の構成に限定されない。すなわち、画素にダミーゲートを有する固体撮像素子であれば、例えば、リセットトランジスタRST、増幅トランジスタAMP、選択トランジスタSELを各画素に有する固体撮像素子にも本発明の構成を適用できる。また、画素にダミーゲートを有する固体撮像素子であれば、例えば、リセットトランジスタRST、増幅トランジスタAMP、選択トランジスタSELを2画素で共有する2.5Tr構成の固体撮像素子にも本発明の構成を適用できる。
(1)一の実施形態では、リセットトランジスタRST、増幅トランジスタAMP、選択トランジスタSELを4画素で共有する1.75Tr構成の固体撮像素子での例を説明した。しかし、本発明の固体撮像素子は、一の実施形態の構成に限定されない。すなわち、画素にダミーゲートを有する固体撮像素子であれば、例えば、リセットトランジスタRST、増幅トランジスタAMP、選択トランジスタSELを各画素に有する固体撮像素子にも本発明の構成を適用できる。また、画素にダミーゲートを有する固体撮像素子であれば、例えば、リセットトランジスタRST、増幅トランジスタAMP、選択トランジスタSELを2画素で共有する2.5Tr構成の固体撮像素子にも本発明の構成を適用できる。
(2)一の実施形態では、リセットトランジスタRSTのダミーゲートに本発明の構成を適用する例を説明した。しかし、本発明の構成は、リセットトランジスタRSTのダミーゲートに限定されるものではなく、画素内に配置される種々のダミーゲートに適用することが可能である。
(3)一の実施形態では、画素分離部ISがLOCOS法で形成される例を説明した。しかし、本発明の画素分離部は、一の実施形態の構成に限定されず、例えばSTI(shallow trench isolation)法で形成されるものであってもよい。
(4)一の実施形態の固体撮像素子11の説明で示した半導体の導電型はあくまで一例にすぎず、適宜変更することができる。
(5)図8に示した実施形態では、撮像装置の一例としてレンズ一体型の電子カメラの構成例を説明した。しかし、例えば、カメラボディに交換レンズを装着するレンズ交換型の電子カメラにも本発明を適用できる。また、本発明の撮像装置は、例えば、カメラモジュールを有する電子機器(例えば、スマートフォン、携帯電話、タブレット型コンピュータなど)に実装されるものであってもよい。
以上の詳細な説明により、実施形態の特徴点および利点は明らかになるであろう。これは、特許請求の範囲が、その精神および権利範囲を逸脱しない範囲で前述のような実施形態の特徴点および利点にまで及ぶことを意図するものである。また、当該技術分野において通常の知識を有する者であれば、あらゆる改良および変更に容易に想到できるはずである。したがって、発明性を有する実施形態の範囲を前述したものに限定する意図はなく、実施形態に開示された範囲に含まれる適当な改良物および均等物に拠ることも可能である。
11…固体撮像素子、12…画素部、21,22…拡散領域、24…半導体領域、27…不純物領域、31…電子カメラ、PX…画素、PD…フォトダイオード、FD…フローティングディフュージョン部、TX…転送トランジスタ、DG…ダミーゲート、IS…画素分離部
Claims (5)
- 受光量に応じた量の電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、
前記電荷蓄積領域で蓄積された電荷を検出する電荷検出部と、
前記電荷蓄積領域に蓄積された電荷を前記電荷検出部に転送するための転送電極と、
隣り合う画素間を分離する画素分離部と、
前記画素分離部の上面側に配置され、電気的に切り離された浮遊電極と、を備え、
前記画素分離部の下面側のうち、前記浮遊電極と対向する領域の少なくとも一部に前記電荷検出部の拡散領域が形成されていることを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項1に記載の固体撮像素子において、
前記浮遊電極は、前記電荷検出部を隔てて前記転送電極と対向して配置されることを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項1または請求項2に記載の固体撮像素子において、
前記電荷検出部の拡散領域は、第1導電型であって、
前記画素分離部の下面側に、前記第1導電型と異なる第2導電型の不純物領域が形成されていることを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の固体撮像素子において、
前記画素分離部は、LOCOS(Local oxidation of silicon)法で形成され、
前記電荷検出部の拡散領域は、前記画素分離部のバーズビークの部分を含むように形成されていることを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の固体撮像素子を備えることを特徴とする撮像装置。
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