JP2015013761A - 炭化珪素単結晶基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
発明者らは、結晶品質の良好な炭化珪素単結晶の製造方法について鋭意検討の結果、以下の知見を得て本発明を見出した。
まず、本実施の形態に係る炭化珪素単結晶基板の構成について図1〜図3を参照して説明する。
Claims (6)
- 主面を有しかつ炭化珪素からなる種結晶と、炭化珪素原料とを準備する工程と、
前記炭化珪素原料内の任意の2点間における温度勾配を30℃/cm以下に維持しつつ前記炭化珪素原料を昇華させることにより、前記主面上に炭化珪素単結晶を成長させる工程とを備え、
前記種結晶の前記主面は、{0001}面または{0001}面から10°以下オフした面であり、かつ前記主面における螺旋転位密度が20/cm2以上である、炭化珪素単結晶基板の製造方法。 - 前記主面における螺旋転位密度は100000/cm2以下である、請求項1に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
- 前記炭化珪素単結晶を成長させる工程において、前記炭化珪素原料の表面と、前記炭化珪素原料の前記表面と対向する前記炭化珪素単結晶の成長表面との間における温度勾配は、5℃/cm以上である、請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
- 前記種結晶の前記主面の最大寸法は80mm以上であり、かつ前記炭化珪素単結晶を前記主面と平行な面でスライスした切断面の最大寸法は100mm以上であり、
前記炭化珪素単結晶の前記切断面の最大寸法は、前記種結晶の前記主面の最大寸法よりも大きい、請求項1〜3のいずれか1項に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。 - 主面を備え、
前記主面の最大寸法は100mm以上であり、
前記主面内の任意の1cm離れた2点間における{0001}面方位差は35秒以下である、炭化珪素単結晶基板。 - 前記主面における螺旋転位密度は、20/cm2以上100000/cm2以下である、請求項5に記載の炭化珪素単結晶基板。
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