JP2015006017A - 電力変換装置 - Google Patents
電力変換装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015006017A JP2015006017A JP2013128126A JP2013128126A JP2015006017A JP 2015006017 A JP2015006017 A JP 2015006017A JP 2013128126 A JP2013128126 A JP 2013128126A JP 2013128126 A JP2013128126 A JP 2013128126A JP 2015006017 A JP2015006017 A JP 2015006017A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor bar
- switching element
- conductor
- conversion device
- link capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
【課題】電力変換装置本体の主体部をなすSiC半導体の高温動作に伴う熱から、導体バーを介して前記SiC半導体に接続される直流リンクコンデンサへの熱的影響を軽減した簡易な構成の電力変換装置を提供する。【解決手段】直流リンクコンデンサに接続される一端部と、SiC半導体に接続される他端部との間に段差を形成した中間部を有し、前記直流リンクコンデンサと前記SiC半導体とを相互に接続して電流路を形成する導体バーにおける前記中間部に、該導体バーの電流通電方向に沿う複数条のスリット孔を並行に設け、前記導体バーを介して前記SiC半導体から前記直流リンクコンデンサに伝わる熱を低減する。【選択図】 図1
Description
本発明は、SiC半導体等のワイドバンドギャップ半導体からなり、電力変換装置本体の主体部を構成するスイッチング素子と、このスイッチング素子に接続される直流リンクコンデンサ等の回路部品を所定の筐体に収納して構成される電力変換装置に関する。
近時、Si半導体よりも低損失で高温動作可能なSiC(シリコンカーバイト)半導体からなるスイッチング素子を用いて、小型で高効率なインバータやコンバータ等の電力変換装置を構築することが種々試みられている。ちなみに前記Si半導体の動作可能温度は略150℃であるのに比較して前記SiC半導体の動作可能温度は略300℃である。従って周囲温度を50℃としたときの前記SiC半導体の上昇許容温度は、前記Si半導体の上昇許容温度の略2.5倍となる。これ故、例えば半導体素子の熱損失が同じである場合、SiC半導体からなるスイッチング素子を冷却する為の放熱器の体積を、Si半導体からなるスイッチング素子を冷却する場合の略1/2以下にすることができ、電力変換装置の小型化に大きく寄与する。
一方、この種のSiC半導体からなるスイッチング素子を用いて電力変換装置を構成する場合、該スイッチング素子の近傍に配置される直流リンクコンデンサ等の回路部品を前記スイッチング素子にて生じる高温の熱から保護することが必要である。このような熱対策として、例えば特許文献1には熱伝導性の高い銅基板を介して前記スイッチング素子をヒートシンクに搭載すると共に、前記銅基板との間に断熱部材を介して回路基板を設けることが開示される。更に前記特許文献1には前記スイッチング素子の周囲を遮熱板で囲むことによって該スイッチング素子から前記回路基板への熱放射を抑えることが開示される。
ところで電力変換装置は、例えば図4に要部概略構成を示すように、電力変換装置本体の主体部をなすスイッチング素子1はブロック状の放熱体2の一面に装着して所定の筐体(ケーシング)3に収納される。また前記電流変換装置本体の入出力部に設けられる大型のブロック体からなる直流リンクコンデンサ4は、例えば前記放熱体2の側部に配置されて直流電流路をなす導体バー5を介して前記スイッチング素子1に連結される。尚、図中6は前記スイッチング素子1をオン・オフ駆動する制御回路基板であり、この例では前記スイッチング素子1に対峙させて前記放熱体2の上方空間に設けられている。
このような配置構造の電力変換装置において前記スイッチング素子1と前記直流リンクコンデンサ4とを連結する前記導体バー5は、抵抗損失の小さい銅板製の、例えば図5に示すような鉤形状のものからなり、熱伝導性にも優れている。これ故、SiC半導体からなる前記スイッチング素子1に生じた高温の熱が前記導体バー5を介して前記直流リンクコンデンサ4に直接的に伝わることが否めない。すると前記直流リンクコンデンサ4が、前記スイッチング素子1から前記導体バー5を介して伝わった高温の熱によって損傷したり、或いはその寿命が大きく劣化する等の不具合を招来する。
ちなみに前記導体バー5の断面積を小さくして熱伝導抵抗を大きくし、前記スイッチング素子1からの熱が前記直流リンクコンデンサ4に伝わり難くすることが考えられる。しかし前記導体バー5の断面積を小さくすると該導体バー5の抵抗損失が大きくなり、これに伴って前記導体バー5自体に発熱が生じる。そしてこの熱が前記直流リンクコンデンサ4に伝わると言う新たな問題が発生する。
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、その目的は、電力変換装置本体の主体部をなすスイッチング素子(SiC半導体)の高温動作に伴う熱から、導体バーを介して前記スイッチング素子に接続される直流リンクコンデンサへの熱的影響を軽減することのできる簡易な構成の電力変換装置を提供することにある。
上述した目的を達成するべく本発明に係る電力変換装置は、
ブロック状の放熱体の一面に装着されたワイドバンドギャップ半導体、例えばSiC半導体からなり、電力変換装置本体の主体部をなすスイッチング素子と、
一端部に設けられた接続端子を前記放熱体における前記スイッチング素子の装着面と直交する向きに向けて該放熱体の側部に配置され、前記スイッチング素子を装着した前記放熱体と共に所定の筐体に組み込まれる、例えばブロック形状をなす直流リンクコンデンサ等の回路部品と、
この回路部品の前記接続端子と前記スイッチング素子の電極とを相互に接続して設けられて前記接続端子と前記電極との間の直流電流路を形成する板状の導体バーとを具備したものであって、
前記導体バーは、前記回路部品の接続端子に接続される一端部と、前記スイッチング素子の電極に接続される他端部との間に、前記接続端子と前記電極との間に形成される段差に跨る中間部を有し、この中間部に該導体バーの電流通電方向に沿う複数条のスリット孔を並行に備えることを特徴としている。
ブロック状の放熱体の一面に装着されたワイドバンドギャップ半導体、例えばSiC半導体からなり、電力変換装置本体の主体部をなすスイッチング素子と、
一端部に設けられた接続端子を前記放熱体における前記スイッチング素子の装着面と直交する向きに向けて該放熱体の側部に配置され、前記スイッチング素子を装着した前記放熱体と共に所定の筐体に組み込まれる、例えばブロック形状をなす直流リンクコンデンサ等の回路部品と、
この回路部品の前記接続端子と前記スイッチング素子の電極とを相互に接続して設けられて前記接続端子と前記電極との間の直流電流路を形成する板状の導体バーとを具備したものであって、
前記導体バーは、前記回路部品の接続端子に接続される一端部と、前記スイッチング素子の電極に接続される他端部との間に、前記接続端子と前記電極との間に形成される段差に跨る中間部を有し、この中間部に該導体バーの電流通電方向に沿う複数条のスリット孔を並行に備えることを特徴としている。
ちなみに前記導体バーは、例えばその両端部を互いに逆向きに曲折して該両端部を並行に延在させた鉤形状の導体板からなり、前記スイッチング素子と前記回路部品との間の直流電流路を形成する。この導体板は、例えば抵抗損失が小さく、熱伝導性の良い銅製のものからなる。好ましくは前記導体バーは、その中間部に設けられた前記スリット孔に沿って該前記導体バーの一部を切り起こして形成された放熱フィンを一体に備えたものからなる。
尚、前記導体バーを、例えば櫛刃状に複数のスリット溝を平行に形成した導体ブロックと、この導体ブロックにおける前記スリット溝の延在方向の両端部に互いに逆向きにそれぞれ接合一体化されて前記回路部品の接続端子および前記スイッチング素子の電極のそれぞれに対する接続部を形成する一対の導体板とを備えた構造体として構成することもできる。
上記構成の電力変換装置によれば、前記導体バーの中間部に複数条のスリット孔が形成されているので、該導体バーの中間部の断面積がその両端部よりも小さくなり、該中間部での抵抗損失が大きくなる。しかし前記導体バーにおける中間部の表面積は、前記スリット孔の壁面が加わる分、多くなる。また前記導体バーでの抵抗損失は前記スイッチング素子のスイッチング動作に伴う高周波成分が支配的であり、いわゆる導体の表皮効果により高周波電流の通電領域は前記導体バーの表面近傍に集中する。これ故、前記導体バーにおける中間部の断面積減少による抵抗損失の増加よりも、むしろ該中間部の表面積増加による抵抗損失の低減が上回るので全体としての抵抗損失(導体損失)が低下する。
しかも前記導体バーの表面積が増加することで放熱面積が増え、これに伴って該導体バーの放熱量が増加する。この結果、前記スイッチング素子の高温動作時に該スイッチング素子から前記導体バーを介して前記回路部品(直流リンクコンデンサ)に伝わる熱が減少し、その熱的影響を簡易にして効果的に低減することが可能となる。従って前記スイッチング素子に接続された回路部品(直流リンクコンデンサ)に熱的影響を与えることなく前記スイッチング素子を高温動作させることが可能となる。故に高温動作可能なスイッチング素子を用いる利点を効果的に活かして、電源変換装置の小型化を図ることが可能となる等の効果が奏せられる。
以下、図面を参照して本発明の一実施形態に係る電力変換装置について説明する。
この電力変換装置は、図4に示したように電力変換装置本体の主体部をなすスイッチング素子1を、ブロック状の放熱体2の一面に装着して所定の筐体3に収納して構成される。尚、前記放熱体2は、前記スイッチング素子1の装着面とは反対側の面に複数の放熱フィン(図示せず)を備えてその放熱効率を、ひいては前記スイッチング素子1に対する冷却効率を高めたものである。
ちなみに前記スイッチング素子1は、SiC半導体等のワイドバンドギャップ半導体からなるIGBTである。前記電力変換装置本体は、例えば複数(6個)のスイッチング素子1を2個ずつ直列接続した3組のハーフブリッジ回路を並列に設け、各ハーフブリッジ回路毎に所定の位相差で前記ハーフブリッジ回路を構成する上アーム側および下アーム側のスイッチング素子1を交互にオン・オフするように構成される。
また図4に示すように前記放熱体2の側部には、一端部に接続端子を設けたブロック状の直流リンクコンデンサ(回路部品)4が設けられる。そして前記直流リンクコンデンサ4は、直流電流路をなす銅製の導体バー5を介して前記スイッチング素子1の電極に接続される。具体的には前記直流リンクコンデンサ4の正極端子は導体バー5を介して上アーム側の前記スイッチング素子(IGBT)1の各コレクタにそれぞれ接続される。また前記直流リンクコンデンサ4の負極端子は、別の導体バー5を介して下アーム側の前記スイッチング素子(IGBT)1の各エミッタにそれぞれ接続される。
ここでこの実施形態に係る電力変換装置が特徴とするところは、前記スイッチング素子1と前記直流リンクコンデンサ4とを連結して、該スイッチング素子1と直流リンクコンデンサ4との間の直流電流路を形成する前記導体バー5の中間部5cに、例えば図1および図2にそれぞれ示すように複数条のスリット孔7を平行に設けた点にある。特にこれらのスリット孔7を、該導体バー5の電流通電方向、具体的には該導体バー5の長手方向に沿わせて平行に設けたことを特徴としている。
図1に示す導体バー5は、銅製の短冊状の導板体の両端部、即ち、その一端部5aと他端部5bとを互いに逆向きに曲折し、これらの一端部5aおよび他端部5bをそれぞれ中間部5cから所定の長さに亘って並行に延在させた鉤形の形状を有する。また前記中間部5cがなす前記一端部5aと他端部5bとの間の段差の高さHは、前述した如く前記筐体3に収納される前記スイッチング素子1の電極(IGBTのコレクタまたはエミッタ)の高さ位置と、前記直流リンクコンデンサ4の一端部に設けられた接続端子の高さ位置との差に相当するように定められる。そしてこの導体バー5は、例えば一端部5aを前記直流リンクコンデンサ4の接続端子に接続し、他端部5bを前記スイッチング素子1の電極に接続して設けられることで、これらの間の直流電流路を形成する。
また前記導体バー5における前記中間部5cには、例えば図1に示すように該導体バー5の電流通電方向(長手方向)に沿って前記スリット孔7が複数条に亘って並行に設けられている。これらのスリット孔7は、例えばプレス加工によって前記導体板の一部をスリット状に打ち抜くことで形成される。尚、例えば図2に示すように前記導体板の一部を一方向に折り曲げプレス加工して前記スリット孔7を形成すると共に、折り曲げられた部位を前記スリット孔7に沿う放熱フィン8として形成するようにしても良い。
このようにして前記導体バー5の電流通電方向(長手方向)に沿って複数条のスリット孔7を前記中間部5cに設けた場合、該スリット孔7を形成した分だけ該中間部5cにおける電流の通路断面積が減少する。具体的には幅50mm、厚さ2mmの導体板に、幅1mmのスリット孔7を25列形成した場合、これらのスリット孔7を形成した中間部5cの断面積は1/2となる。そしてこの中間部5cの熱抵抗は2倍に増大する。
しかしその反面、前記中間部5cの単位長あたりの表面積は、該中間部5cの主面の面積が前記スリット孔7の形成に伴って1/2に減少するものの、複数のスリット孔7の各壁面の面積が加わるので、前記一端部5aおよび前記他端部5bの単位長あたりの表面積の1.5倍に増大する。特に図2に示すように前記スリット孔7に加えて前記放熱フィン8を設けた場合には、その表面積は該放熱フィン8の表面積も加わるので略2倍に増大する。
従って上記構成の前記導体バー5によれば、該導体バー5における中間部5cの表面積を増大させることで、例えばSiC半導体からなる前記スイッチング素子1を高温動作させた場合でも、該スイッチング素子1から伝わる高温の熱を前記導体バー5にて効果的に放出し、前記直流リンクコンデンサ4に伝わる熱の温度を低下させることが可能となる。特に図4に矢印で示すように前記筐体3の内部に空気を通流させて前記導体バー5等を冷却するように構成した場合、その効果が大きく発揮される。これ故、前記スイッチング素子1からの高温の熱が前記導体バー5を介して前記直流リンクコンデンサ4に伝わることがなくなり、高温の熱による直流リンクコンデンサ4の特性劣化等の不具合の発生を効果的に防ぐことが可能となる。特に前記放熱フィン8を一体に備えた場合、より一層の効果を期待することが可能となる。
一方、前記導体バー5において発熱を伴う抵抗損失の殆どは、前記スイッチング素子1のスイッチング動作に起因する高周波成分(高周波電流)によるものである。そして前記スイッチング素子1のスイッチング動作に伴う上記高周波電流は、いわゆる表皮効果によって前記導体バー5の表面近傍の導体領域に集中して流れる。これ故、前記スリット孔7を設けた前記導体バー5の中間部5cにおいては、その断面積の減少に伴って抵抗損失が多少増大するものの、それにも増して上述したようにその表面積の増大に伴う抵抗損失の低減効果が上回る。この結果、前記高周波電流に対する前記導体バー5の全体的な抵抗損失を減少させることができ、該導体バー5での抵抗損失による発熱を抑えることが可能となる。
従って前述した導体バー5での放熱効果と相俟って該導体バー5自体の発熱を抑えることが可能となる。故に当該導体バー5を介して前記スイッチング素子1と前記直流リンクコンデンサ4とを接続した場合であっても、高温動作する前記スイッチング素子1からの前記直流リンクコンデンサ4の熱的影響を大幅に低減することが可能となる。しかも前記導体バー5の中間部5cに前記スリット孔7を設けるだけの簡易な構成にて、前述した熱的影響の問題を解消することができ、その実用的利点が多大である。
更には前記スイッチング素子1から前記導体バー5を介する前記直流リンクコンデンサ4への熱流を抑制することができるので、前記スイッチング素子1が高温動作する場合でも前記直流リンクコンデンサ4の温度上昇を抑えることができる。従ってSiC半導体からなる前記スイッチング素子1の高温動作による特徴を有効に活かして、電力変換装置の高効率化や小型化を図ることができる等の多大なる効果が奏せられる。
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。例えば前記導体バー5を、図3に示すように櫛刃状に複数のスリット溝11を平行に形成した導体ブロック12と、この導体ブロック12における前記スリット溝11の延在方向の両端部に互いに逆向きにそれぞれ接合一体化した一対の導体板13,14とにより構成することも可能である。この場合、前記導体ブロック12が前記導体バー5の前述した中間部5cに相当し、前記導体板13,14が前記直流リンクコンデンサ4および前記スイッチング素子1のそれぞれに対する接続部(一端部5aおよび他端部5b)を形成することになる。
また前記導体バー5の厚みや幅、更にはその長さについては電力変換装置の仕様に応じて、特に前記スイッチング素子1の動作温度や前記直流リンクコンデンサ4の耐熱温度、更には前記スイッチング素子1と前記直流リンクコンデンサ4との間で流れる電流容量等に応じて定めれば良いものである。また前記一端部5aおよび他端部5bの接続部としての機能を損なわない範囲で、前記スリット孔7を該一端部5aおよび他端部5bの途中まで伸ばして形成することも勿論可能である。
またここではSiC半導体からなるスイッチング素子1を用いる場合を例に説明したが、その他のワイドバンドギャップ半導体やSi半導体からなるスイッチング素子1を用いる場合にも本発明を同様に適用することが可能である。その他、本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
1 スイッチング素子(SiC半導体)
2 放熱体
3 筐体(ケーシング)
4 直流リンクコンデンサ(回路部品)
5 導体バー
6 制御回路基板
7 スリット孔
8 放熱フィン
2 放熱体
3 筐体(ケーシング)
4 直流リンクコンデンサ(回路部品)
5 導体バー
6 制御回路基板
7 スリット孔
8 放熱フィン
Claims (6)
- ブロック状の放熱体の一面に装着されたワイドバンドギャップ半導体からなり、電力変換装置本体の主体部をなすスイッチング素子と、
一端部に設けられた接続端子を前記放熱体における前記スイッチング素子の装着面と直交する向きに向けて該放熱体の側部に配置され、前記スイッチング素子を装着した前記放熱体と共に所定の筐体に組み込まれる回路部品と、
この回路部品の前記接続端子と前記スイッチング素子の電極とを相互に接続して設けられて前記接続端子と前記電極との間の電流路を形成する板状の導体バーとを具備し、
前記導体バーは、前記回路部品の接続端子に接続される一端部と、前記スイッチング素子の電極に接続される他端部との間に、前記接続端子と前記電極との間に形成される段差に跨る中間部を有し、この中間部に該導体バーの電流通電方向に沿う複数条のスリット孔を並行に備えることを特徴とする電力変換装置。 - 前記スイッチング素子はSiC半導体であって、前記回路部品はブロック形状をなす直流リンクコンデンサである請求項1に記載の電力変換装置。
- 前記導体バーは、その両端部を互いに逆向きに曲折して該両端部を並行に延在させた鉤形状の導体板からなり、前記スイッチング素子と前記回路部品との間に直流電流路を形成するものである請求項1に記載の電力変換装置。
- 前記導体バーは、その中間部に設けられた前記スリット孔に沿う放熱フィンを一体に備えたものである請求項1に記載の電力変換装置。
- 前記放熱フィンは、前記導体バーの一部を切り起こして形成されたものである請求項4に記載の電力変換装置。
- 前記導体バーは、櫛刃状に複数のスリット溝を平行に形成した導体ブロックと、この導体ブロックにおける前記スリット溝の延在方向の両端部に互いに逆向きにそれぞれ接合一体化されて前記回路部品の接続端子および前記スイッチング素子の電極のそれぞれに対する接続部を形成する一対の導体板とからなる請求項1に記載の電力変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013128126A JP2015006017A (ja) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | 電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013128126A JP2015006017A (ja) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | 電力変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015006017A true JP2015006017A (ja) | 2015-01-08 |
Family
ID=52301508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013128126A Pending JP2015006017A (ja) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | 電力変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015006017A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019169638A (ja) * | 2018-03-23 | 2019-10-03 | 新電元工業株式会社 | 発熱部品の実装構造 |
WO2020095614A1 (ja) * | 2018-11-05 | 2020-05-14 | 富士電機株式会社 | リードフレーム配線構造及び半導体モジュール |
JP2020089052A (ja) * | 2018-11-26 | 2020-06-04 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP2021118665A (ja) * | 2020-01-29 | 2021-08-10 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54171754U (ja) * | 1978-05-24 | 1979-12-04 | ||
JPS5739441U (ja) * | 1980-08-19 | 1982-03-03 | ||
JPS57125555U (ja) * | 1981-01-29 | 1982-08-05 | ||
JPH0541396U (ja) * | 1991-10-30 | 1993-06-01 | 東洋電機製造株式会社 | インバータ装置 |
JPH05218252A (ja) * | 1992-02-06 | 1993-08-27 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2010187504A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Mitsubishi Electric Corp | インバータ装置 |
-
2013
- 2013-06-19 JP JP2013128126A patent/JP2015006017A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54171754U (ja) * | 1978-05-24 | 1979-12-04 | ||
JPS5739441U (ja) * | 1980-08-19 | 1982-03-03 | ||
JPS57125555U (ja) * | 1981-01-29 | 1982-08-05 | ||
JPH0541396U (ja) * | 1991-10-30 | 1993-06-01 | 東洋電機製造株式会社 | インバータ装置 |
JPH05218252A (ja) * | 1992-02-06 | 1993-08-27 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2010187504A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Mitsubishi Electric Corp | インバータ装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019169638A (ja) * | 2018-03-23 | 2019-10-03 | 新電元工業株式会社 | 発熱部品の実装構造 |
WO2020095614A1 (ja) * | 2018-11-05 | 2020-05-14 | 富士電機株式会社 | リードフレーム配線構造及び半導体モジュール |
JPWO2020095614A1 (ja) * | 2018-11-05 | 2021-04-30 | 富士電機株式会社 | リードフレーム配線構造及び半導体モジュール |
US11302612B2 (en) | 2018-11-05 | 2022-04-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | Lead frame wiring structure and semiconductor module |
JP2020089052A (ja) * | 2018-11-26 | 2020-06-04 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP2021118665A (ja) * | 2020-01-29 | 2021-08-10 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP7255506B2 (ja) | 2020-01-29 | 2023-04-11 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6230660B2 (ja) | 電力用半導体モジュール | |
JP5269259B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP2014049516A (ja) | シャント抵抗器の冷却構造及びそれを用いたインバータ装置 | |
JP5182274B2 (ja) | パワー半導体装置 | |
JP2015135895A (ja) | 半導体モジュール | |
KR100620913B1 (ko) | 열전 모듈 | |
JP5851599B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP2015006017A (ja) | 電力変換装置 | |
JP4270864B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP6213562B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6740959B2 (ja) | 回路装置 | |
JP5717922B1 (ja) | 電力変換装置 | |
JP4794822B2 (ja) | パワー半導体装置 | |
JP5925328B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP6503650B2 (ja) | 電力変換装置の冷却構造 | |
WO2017179264A1 (ja) | 半導体装置の放熱構造 | |
JP6402813B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6540587B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP3226512U (ja) | 放熱機能付きパワー制御器 | |
KR102413991B1 (ko) | Pcb 일체형 고속 스위칭 전력변환 장치 | |
JP2017022209A (ja) | 半導体モジュール | |
JP2015015807A (ja) | 半導体装置 | |
CN117063365A (zh) | 断路装置 | |
KR101543106B1 (ko) | 열전소자모듈 | |
JP2005166983A (ja) | 半導体装置の実装構造 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161220 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170704 |