JP2015004601A - 偏芯測定装置、偏芯測定方法およびレンズの製造方法 - Google Patents

偏芯測定装置、偏芯測定方法およびレンズの製造方法 Download PDF

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劉 志強
Zhiqiang Liu
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Abstract

【課題】光学系における二つの光学面の近軸焦点もしくは曲率中心の位置が互いに近い場
合であっても、これら二つの光学面の偏芯量を精度良く測定することができる偏芯測定装
置および偏芯測定方法を提供する。
【解決手段】偏芯測定装置1は、第1および第2光学面5a,6aにおいて反射された反
射測定光の位置情報、および第1および第2光学面5a,6aを透過した透過測定光の位
置情報に基づいて、第1および第2光学面5a,6aの偏芯量をそれぞれ算出する演算処
理部60を備えて構成される。
【選択図】図1

Description

本発明は、光学系を構成する複数の光学素子のうちの二つの光学面の光学系の光軸に対
する偏芯量をそれぞれ測定する偏芯測定装置および偏芯測定方法に関する。また、この偏
芯測定装置を用いたレンズの製造方法に関する。
従来の偏芯測定装置として、光源から射出された光(照明光)をフォーカスレンズ系に
よって測定対象物である光学素子の測定対象面の近軸曲率中心位置に集光させ、測定対象
面において反射した光(測定光)をフォーカスレンズ系を介して集光レンズにより光位置
センサー(PSD:Position Sensitive Detector)に集光させる構成の装置が知られている
。このような偏芯測定装置では、測定対象面を光軸中心に回転させ、光位置センサーによ
って検出した測定光(スポット像)の振れ量から測定光の角度振れを検出し、測定対象物
の偏芯量を算出するように構成されている。また、従来の偏芯測定装置として、照明光を
フォーカスレンズ系によって測定対象面の近軸焦点位置に集光させ、測定対象面において
反射して平行光となった測定光を集光レンズによって光位置センサーに集光させる構成の
装置も知られている(例えば、特許文献1を参照)。
特開2000‐205998号公報
ところで、測定対象が複数のレンズからなるレンズ系の場合に、照明光は、当該レンズ
系を構成するそれぞれのレンズの光学面において反射される。そのため、例えば、それら
のうちの二つの光学面の近軸焦点もしくは曲率中心の位置が互いに近い場合には、二つの
光学面からの反射光が重なった状態で光位置センサーにおいて検出されるため、二つの光
学面の偏芯量を精度良く測定することが難しいという問題があった。
本発明はこのような課題に鑑みたものであり、光学系における二つの光学面の近軸焦点
もしくは曲率中心の位置が互いに近い場合であっても、これら二つの光学面の偏芯量を精
度良く測定することができる偏芯測定装置および偏芯測定方法を提供することを目的とす
る。また、この偏芯測定装置を用いたレンズの製造方法を提供することを目的とする。
このような目的を達成するため、本発明に係る偏芯測定装置は、光軸上に沿って複数の
光学素子が並んで構成される光学系において、前記複数の光学素子のうちの二つの光学面
の近軸焦点位置もしくは曲率中心位置が近くに位置する構成において、前記二つの光学面
の前記光軸に対する偏芯量をそれぞれ測定する偏芯測定装置であって、照明光を前記二つ
の光学面の一方の前記近軸焦点位置もしくは前記曲率中心位置に集光するように前記二つ
の光学面に照射する照明部と、前記照明光が照射された前記二つの光学面において反射さ
れた反射光を所定の第1集光面に集光する第1集光部と、前記第1集光面に集光された前
記反射光を検出する第1検出部と、前記照明光が照射された前記二つの光学面を透過した
透過光を所定の第2集光面に集光する第2集光部と、前記第2集光面に集光された前記透
過光を検出する第2検出部と、前記第1検出部により検出された前記第1集光面における
前記反射光の位置情報、および前記第2検出部により検出された前記第2集光面における
前記透過光の位置情報に基づいて、前記二つの光学面の前記偏芯量をそれぞれ算出する算
出部とを備えて構成される。
また、本発明に係る偏芯測定方法は、光軸上に沿って複数の光学素子が並んで構成され
る光学系において、前記複数の光学素子のうちの二つの光学面の近軸焦点位置もしくは曲
率中心位置が近くに位置する構成において、前記二つの光学面の前記光軸に対する偏芯量
をそれぞれ測定する偏芯測定方法であって、照明光を前記二つの光学面の一方の前記近軸
焦点位置もしくは前記曲率中心位置に集光するように前記二つの光学面に照射する照明工
程と、前記照明光が照射された前記二つの光学面において反射された反射光を所定の第1
集光面に集光する第1集光工程と、前記第1集光面に集光された前記反射光を検出する第
1検出工程と、前記照明光が照射された前記二つの光学面を透過した透過光を所定の第2
集光面に集光する第2集光工程と、前記第2集光面に集光された前記透過光を検出する第
2検出工程と、前記第1検出工程において検出された前記第1集光面における前記反射光
の位置情報、および前記第2検出工程において検出された前記第2集光面における前記透
過光の位置情報に基づいて、前記二つの光学面の前記偏芯量をそれぞれ算出する算出工程
とを備えて構成される。
また、本発明に係るレンズの製造方法は、上記構成の偏芯測定装置を用いて被検レンズ
系の光軸に対する偏芯量を算出する算出工程と、前記偏芯量の算出結果に基づいて、前記
偏芯量が許容値内となるように前記被検レンズ系の偏芯調整を行う調整工程とを備えて構
成される。
本発明によれば、光学系における二つの光学面の近軸焦点もしくは曲率中心の位置が互
いに近い場合であっても、これら二つの光学面の偏芯量を精度良く測定することができる
本実施形態の偏芯測定装置の構成図である。 本実施形態の偏芯測定方法を示すフローチャートである。 第1および第2光学面における互いの偏芯が異なる場合における照明光および反射光について説明する光線図である。 第1および第2光学面の偏芯が同じ場合における照明光および反射光について説明する光線図である。 第1および第2光学面の偏芯量を算出する演算処理について説明するためのモデルケースを示す図である。 本実施形態のレンズの製造方法を示すフローチャートである。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。本実施形態に係る偏芯測定
装置1は、図1に示すように、測定対象物であるレンズ系を構成する第1レンズ5の光学
面5a(以下、第1光学面5aと称する)および第2レンズ6の光学面6a(以下、第2
光学面6aと称する)に照明光を照射する照明光学系10と、第1光学面5aおよび第2
光学面6aからの反射光を第1集光面31上に集光させる第1集光光学系20と、第1集
光面31に集光された集光光(スポット光)の第1集光面31上の位置を検出する第1光
位置センサー30と、第1光学面5aおよび第2光学面6aを透過した透過光を第2集光
面51上に集光させる第2集光光学系40と、第2集光面51に集光された集光光(スポ
ット光)の第2集光面51上の位置を検出する第2光位置センサー50と、第1光位置セ
ンサー30からの検出信号および第2光位置センサー50からの検出信号に基づいて第1
および第2レンズ5,6の偏芯量をそれぞれ算出する演算処理部60とを有して構成され
る。
測定対象である第1および第2レンズ5,6は、その光軸が照明光学系10の光軸(レ
ンズ系の光軸)と重なるように配置され、高精度の回転台(図示せず)上に載置されてい
る。この回転台により第1および第2レンズ5,6はレンズの光軸を中心に回転可能とな
っている。そのため、第1および第2レンズ5,6の第1および第2光学面5a,6aの
近軸焦点および曲率中心は、照明光学系10の光軸上に位置することになる。
なお、第1および第2レンズ5,6は、図1では第1および第2光学面5a,6aだけ
を図示しているが、実際には第1および第2光学面5a,6aの反対側の光学面も有して
いる。そのため、第1光学面5aに照射された照明光は、第1光学面5aに入射する時お
よび反対側の光学面から射出する時にそれぞれ屈折され、第2レンズ6の光学面6aに入
射する。従って、実際にはレンズの屈折を考えて光線追跡の計算を行い、偏芯測定が行わ
れる。しかしながら、以下においては、説明の容易化のため、第1および第2レンズ5,
6における一方の光学面5a,6aだけを取り出して原理説明を行う。また、以下におい
ては、第1光学面5aの近軸焦点位置Fと第2光学面6aの近軸焦点位置F′がほぼ同じ
位置に位置する場合について説明する。
照明光学系10は、直線偏光(P偏光)を射出する光源11と、光源11から射出され
た照明光を平行光に変換するコリメータレンズ系12と、コリメータレンズ系12を透過
した照明光(平行光)を集光させるフォーカスレンズ系14と、フォーカスレンズ系14
によって集光された照明光が入射する位置に設けられた偏光ビームスプリッター13と、
偏光ビームスプリッター13を透過した照明光が入射する位置に設けられた1/4波長板
15とを有し、1/4波長板15を透過した照明光が第1および第2光学面5a,6aに
入射するように構成される。
フォーカスレンズ系14は、レンズ間隔を変化させることにより、照明光の集光点の位
置(集光位置)を照明光学系10の光軸(レンズ系の光軸)に沿って移動調整することが
可能に構成されている。偏光ビームスプリッター13は、光源11から射出された照明光
であるP偏光(振動方向が入射面内に含まれる直線偏光)を透過させ、P偏光と振動方向
が直交するS偏光を反射させる光学素子である。
光源11から射出された照明光(P偏光)は、コリメータレンズ系12を透過して平行
光となり、フォーカスレンズ系14によって集光され、偏光ビームスプリッター13に入
射する。このとき、フォーカスレンズ系14のレンズ間隔が調整され、第1光学面5aの
近軸焦点位置F(もしくは第2光学面6aの近軸焦点位置F′)に照明光が集光される。
偏光ビームスプリッター13を透過した照明光は、1/4波長板15を透過した後に第
1光学面5aに照射される。照明光が照射され第1光学面5aで反射した光(以下、第1
反射測定光と称する)は、照明光が近軸焦点位置Fに集光されているため平行光となり、
1/4波長板15を透過して偏光ビームスプリッター13に入射する。このとき、光源1
1から射出された照明光は、P偏光として偏光ビームスプリッター13を透過し、第1光
学面5aで反射して偏光ビームスプリッター13に戻るまでに、1/4波長板15を2回
通過するので、偏光ビームスプリッター13に入射する第1反射測定光はS偏光となる。
そのため、第1反射測定光は、偏光ビームスプリッター13で反射して第1集光光学系2
0に入射する。
照明光が照射され第1光学面5aを透過した光は、第2光学面6aに照射される。そし
て、第2光学面6aで反射した光(以下、第2反射測定光と称する)は、第1反射測定光
と同様に平行光となり、第1光学面5aを透過して第1反射測定光と重なった状態となり
、1/4波長板15を透過して偏光ビームスプリッター13に入射する。この第2反射測
定光においても1/4波長板15を2回通過しているのでS偏光となるため、第2反射測
定光は、偏光ビームスプリッター13で反射して第1集光光学系20に入射する。一方、
第1光学面5aを透過した光が照射され第2光学面6aを透過した光(以下、透過測定光
と称する)は、照明光が近軸焦点位置Fに集光されているため平行光となり、第2集光光
学系40に入射する。
第1集光光学系20は、偏光ビームスプリッター13で反射された第1および第2反射
測定光を第1集光面31上に集光させる第1集光レンズ21と、第1集光レンズ21と第
1集光面31の間に設けられた第1ハービング22と、第1ハービング22を反射測定光
の光軸に対して傾斜させる第1ハービング駆動装置23とを有して構成される。第1集光
レンズ21は、図1において1枚の光学レンズとして図示しているが、複数の光学レンズ
からなるレンズ系によって構成されてもよい。第1ハービング22は、光学ガラスを用い
た平行平板であり、入射した反射測定光を屈折させる光学素子である。第1ハービング駆
動装置23は、第1ハービング22の反射測定光の光軸に対しての傾きを制御して反射測
定光を屈折させる量を制御することにより、第1集光面31における反射測定光の集光位
置を変更させることが可能に構成されている。
偏光ビームスプリッター13で反射された第1および第2測定反射光(S偏光)は、第
1集光レンズ21および第1ハービング22を透過して第1光位置センサー30の検出部
に設けられた第1集光面31に集光される。
第1光位置センサー30は、第1集光光学系20(第1集光レンズ21)により第1集
光面31に集光された第1および第2反射測定光(スポット像)を検出する。第1光位置
センサー30は、第1集光面31に集光された反射測定光の位置(重心位置)を検出可能
であり、その検出信号を演算処理部60へ出力する。
第2集光光学系40は、第1光学面5aおよび第2光学面6aを透過した透過測定光を
第2集光面51上に集光させる第2集光レンズ41を有して構成される。第2集光レンズ
41は、上記第1集光レンズ21と同様に、複数の光学レンズからなるレンズ系によって
構成されてもよい。第1光学面5aおよび第2光学面6aを透過した透過測定光は、第2
集光レンズ41により第2光位置センサー50の検出部に設けられた第2集光面51に集
光される。
第2光位置センサー50は、第2集光光学系40(第2集光レンズ41)により第2集
光面51に集光された透過測定光(スポット像)を検出する。第2光位置センサー50は
、第2集光面51に集光された透過測定光の位置(重心位置)を検出可能であり、その検
出信号を演算処理部60へ出力する。
演算処理部60は、第1光位置センサー30により検出された第1集光面31における
反射測定光の位置情報、および、第2光位置センサー50により検出された第2集光面5
1における透過測定光の位置情報に基づいて、後述する計算処理を行い、第1光学面5a
および第2光学面6aの偏芯量(光学系の光軸に対する偏芯量)をそれぞれ算出するよう
に構成されている。第1および第2光学面5a,6aの偏芯測定を行うときには、不図示
の回転台に載置された第1および第2レンズ5,6を回転させる。そうすると、第1光位
置センサー30において第1集光面31における反射測定光のリサージュ(軌跡)が検出
され、そのリサージュ半径を上記反射測定光の位置情報として用いる。また、第2光位置
センサー50において第2集光面51における透過測定光のリサージュが検出され、その
リサージュ半径を上記透過測定光の位置情報として用いる。
以上のように構成される偏芯測定装置1を用いた偏芯測定方法について、図2のフロー
チャートを参照しながら説明する。まず、照明光学系10により測定対象の第1光学面5
aおよび第2光学面6aに照明光を照射する(ステップS101)。この照明工程におい
て、フォーカスレンズ系14のレンズ間隔を駆動調整し、照明光が第1光学面5aの近軸
焦点位置F(もしくは第2光学面6aの近軸焦点位置F′)に集光するように照明光を照
射する。このような状態において、光源11から射出された照明光は、コリメータレンズ
系12を透過して平行光となり、フォーカスレンズ系14によって近軸焦点位置Fに向け
て集光され、偏光ビームスプリッター13および1/4波長板15を透過して第1光学面
5aおよび第2光学面6aに照射される。
例えば、図3に示すように、第1および第2光学面5a,6aにおける互いの偏芯(光
学系の光軸(照明光の光軸)に対して傾斜)が異なる場合には、第1光学面5aに照射さ
れた照明光の一部は第1光学面5aにおいて光軸A方向(図3において左方に傾いた方向
)に反射され、その反射光(第1測定反射光)は偏光ビームスプリッター13で反射され
て第1集光光学系20に入射する。また、第2光学面6aに照射された照明光の一部は第
2光学面6aにおいて上記光軸Aと異なる光軸B方向(図3において右方に傾いた方向)
に反射され、その反射光(第2反射測定光)は偏光ビームスプリッター13で反射されて
第1集光光学系20に入射する。
なお、図4に示すように、第1および第2光学面5a,6aが互いに同じ方向に偏芯し
、その偏芯量が同じ場合には、第1光学面5aにおいて反射された第1測定反射光は、光
軸A′方向(図3において左方に傾いた方向)に進み、偏光ビームスプリッター13で反
射されて第1集光光学系20に入射する。また、第2光学面6aにおいて反射された第2
測定反射光は、上記光軸A′と平行な光軸B′方向に進み、偏光ビームスプリッター13
で反射されて第1集光光学系20に入射する。なお、光軸A′と光軸B′の距離は、第1
光学面5aと第2光学面6aの距離に関連するものである。このように第1および第2光
学面5a,6aが同じように偏芯する場合であっても、それぞれの光学面で反射される光
の方向は異なり、反射偏芯は変化する。
次に、第1集光光学系20により第1光学面5aで反射した第1反射測定光および第2
光学面6aで反射した第2反射測定光を第1光位置センサー30の第1集光面31に集光
する(ステップS102)。この第1集光工程において、偏光ビームスプリッター13で
反射した第1および第2反射測定光は、第1集光レンズ21により集光され、第1ハービ
ング22を通過した後に第1光位置センサー30の第1集光面31に集光される。このと
き、第1および第2光学面5a,6aが偏芯している場合には、第1集光面31において
、第1反射測定光(第1光学面5aで反射した光)が集光する位置と、第2反射測定光(
第2光学面6aで反射した光)が集光する位置とが異なる。
そして、第1光位置センサー30により第1集光面31に集光された第1反射測定光お
よび第2反射測定光(スポット像)を検出する(ステップS103)。この第1検出工程
において、第1光位置センサー30は、第1集光面31における第1および第2反射測定
光の位置(重心位置)を検出し、その検出信号を演算処理部60へ出力する。このとき、
不図示の回転台により第1および第2レンズ5,6が回転駆動され、第1光位置センサー
30において第1集光面31における第1および第2反射測定光(スポット重心)のリサ
ージュ(軌跡)が検出される。また、第1ハービング駆動装置23を駆動して第1ハービ
ング22の測定光軸に対する傾きを制御して第1および第2反射測定光を屈折させる量を
制御することにより、第1光位置センサー30の第1集光面31における第1および第2
反射測定光の集光位置を変更させる。これにより第1および第2反射測定光の光量比(強
度比)を検出し、その検出信号を演算処理部60へ出力する。
一方、照明光学系10により第1光学面5aに照射された照明光の一部は第1光学面5
aを透過し、その際に第1光学面5aによって屈折され、その透過光が第2光学面6aに
入射する。そして、その透過光の一部は第2光学面6aを透過し、その際に第2光学面6
aによって屈折され、その透過光(透過測定光)は第2集光光学系40に入射する。ここ
で、例えば、図4に示すように、第1および第2光学面5a,6aが互いに同じ方向に偏
芯し、その偏芯量が同じ場合には、第1光学面5aにおいて屈折される方向と、第2光学
面6aにおいて屈折される方向とが同じ方向となり、透過偏芯は変化しない。一方、図3
に示すように、第1および第2光学面5a,6aにおける互いの偏芯(光学系の光軸(照
明光の光軸)に対して傾斜)が異なる場合には、第1光学面5aにおいて屈折される方向
と、第2光学面6aにおいて屈折される方向とが異なる方向となり、透過偏芯は変化する
次に、第2集光光学系40により第1および第2光学面5a,6aを透過した透過測定
光を第2光位置センサー50の第2集光面51に集光する(ステップS104)。この第
2集光工程において、第1および第2光学面5a,6aを透過した透過測定光は、第2集
光レンズ41により集光され、第2光位置センサー50の第2集光面51に集光される。
そして、第2光位置センサー50により第2集光面51に集光された透過測定光(スポ
ット像)を検出する(ステップS105)。この第2検出工程において、第2光位置セン
サー50は、第2集光面51における透過測定光の位置(重心位置)を検出し、その検出
信号を演算処理部60へ出力する。このとき、不図示の回転台により第1および第2レン
ズ5,6が回転駆動され、第2光位置センサー50において第2集光面51における透過
測定光(スポット重心)のリサージュ(軌跡)が検出される。
第1光位置センサー30からの検出信号および第2光位置センサー50からの検出信号
が演算処理部60に入力されると、ステップS106の測定工程において、演算処理部6
0は、第1光位置センサー30により検出された第1および第2反射測定光のリサージュ
の半径を測定し、そのリサージュの半径に基づいて第1および第2光学面5a,6aの反
射偏芯量を求める。また、演算処理部60は、第2光位置センサー50により検出された
透過測定光のリサージュの半径を測定し、そのリサージュの半径に基づいて第1および第
2光学面5a,6aの透過偏芯量を求める。そして、演算処理部60は、求めた反射偏芯
量および透過偏芯量、並びに、上述の第1検出工程において検出した第1および第2反射
測定光の光量比に基づいて、後述する演算処理を行って第1光学面5aの偏芯量および第
2光学面6aの偏芯量をそれぞれ算出し、処理を終了する。
この演算処理について図5に示すモデルケースを用いて説明する。このモデルケースに
おいては、第1面の曲率半径がR1、第2面の曲率半径がR2であり、第1面と第2面は
中心間隔(光学系の光軸上の距離)がtである。そして、第2面の第1面と反対側の屈折
率がn1、第1面と第2面の間の屈折率がn2、第1面の第2面と反対側の屈折率がn3
であり、第1面の物理的な偏芯量がs1、第2面の物理的な偏芯量がs2である。このよ
うな第1面および第2面において、上述の偏芯測定装置1を用いて第2面、第1面の順に
照明光を照射したときに測定される透過偏芯量transmission〔rad〕は下記の数式1のよ
うに表すことができる。
一方、図5に示す第1面および第2面において、上述の偏芯測定装置1を用いて測定さ
れる反射偏芯量reflective〔rad〕は、偏芯測定装置1において検出される第1面および
第2面で反射された光の光量比r(光の強度比)も用いて、下記の数式2のように表すこ
とができる。なお、光量比rは、第1面で反射された光の光量を、第2面で反射された光
の光量で除した(割り算した)値である。
上記数式1および数式2を整理すると、下記の数式3に示すようになる。そして、この
数式3から下記の数式4に示すように第1面および第2面の物理的な偏芯量がs1,s2
をそれぞれ算出することができる。
このように偏芯測定装置1では、第1および第2光学面5a,6aの反射偏芯量を測定
するとともに、第1および第2光学面5a,6aでそれぞれ反射された第1および第2反
射測定光の光量比を測定し、さらに第1および第2光学面5a,6aの透過偏芯量を測定
するように構成されている。そして、測定した反射偏芯量、第1および第2反射測定光の
光量比および透過偏芯量に基づいて、上記数式1〜3を用いて第1および第2光学面5a
,6aの偏芯量をそれぞれ算出するように構成されている。そのため、第1および第2光
学面5a,6aの近軸焦点もしくは曲率中心の位置が互いに近い場合であっても、第1お
よび第2光学面5a,6aの偏芯量を精度良く測定することができる。
次に、複数のレンズ部品を有するレンズ(レンズ系)の製造方法について、図6に示す
フローチャートを参照しながら説明する。まず、レンズ鏡筒内に複数のレンズ部品を配置
して、レンズ系を組み立てる(ステップS201)。次に、組み立てたレンズ系の偏芯量
を、上述した図1に示す偏芯測定装置1を用いて測定する(ステップS202)。そして
、偏芯量の測定結果に基づいて、当該偏芯量が許容値内となるようにレンズ系の偏芯調整
を行う(ステップS203)。
このような製造方法によれば、上述した偏芯測定装置1を用いて、正確な偏芯量を測定
することができるので、レンズ(レンズ系)の製造品質を向上させることができる。なお
、単レンズの場合にも、同様の製造を行うことができる。すなわち、レンズについては、
複数のレンズ部品からなるレンズ系でも、単レンズでもよい。
なお、上述の実施形態において、照明光学系10により照明光が第1光学面5aの近軸
焦点位置F(もしくは第2光学面6aの近軸焦点位置F′に集光するように照射されて偏
芯測定が行われているが、第1もしくは第2光学面5a,6aの曲率中心に集光するよう
に照明光を照射して偏芯測定を行うように構成してもよい。
また、上述の実施形態において、第1集光工程および第1検出工程(ステップS102
,103)と、第2集光工程および第2検出工程(ステップS104,105)との順番
を入れ替えて(逆にして)もよい。すなわち、透過測定光を検出し、それから反射測定光
を検出するようにしてもよい。また、透過測定光および反射測定光の検出を略同時におこ
なうようにしてもよい。
また、上述の実施形態において、第1ハービング22の測定光軸に対する傾きを制御し
て反射測定光を屈折させる量を制御することにより、第1光位置センサー30の第1集光
面31における反射測定光の集光位置を変更させることが可能に構成されているが、これ
に限られるものではない。例えば、第1ハービング22に代えてリズレープリズム系やミ
ラー等の光学素子を備える構成、もしくは第1光位置センサー30を測定光軸に対して移
動させる構成としてもよく、このような構成により第1集光面31における反射測定光の
集光位置を変更させることを可能に構成してもよい。
1 偏芯測定装置
5 第1レンズ(光学素子)
5a 第1光学面
6 第2レンズ(光学素子)
6a 第2光学面
10 照明光学系(照明部)
20 第1集光光学系(第1集光部)
30 第1光位置センサー(第1検出部)
31 第1集光面
40 第2集光光学系(第2集光部)
50 第2光位置センサー(第2検出部)
51 第2集光面
60 演算処理部(算出部)

Claims (4)

  1. 光軸上に沿って複数の光学素子が並んで構成される光学系において、前記複数の光学素
    子のうちの二つの光学面の近軸焦点位置もしくは曲率中心位置が近くに位置する構成にお
    いて、前記二つの光学面の前記光軸に対する偏芯量をそれぞれ測定する偏芯測定装置であ
    って、
    照明光を前記二つの光学面の一方の前記近軸焦点位置もしくは前記曲率中心位置に集光
    するように前記二つの光学面に照射する照明部と、
    前記照明光が照射された前記二つの光学面において反射された反射光を所定の第1集光
    面に集光する第1集光部と、
    前記第1集光面に集光された前記反射光を検出する第1検出部と、
    前記照明光が照射された前記二つの光学面を透過した透過光を所定の第2集光面に集光
    する第2集光部と、
    前記第2集光面に集光された前記透過光を検出する第2検出部と、
    前記第1検出部により検出された前記第1集光面における前記反射光の位置情報、およ
    び前記第2検出部により検出された前記第2集光面における前記透過光の位置情報に基づ
    いて、前記二つの光学面の前記偏芯量をそれぞれ算出する算出部とを備えて構成されるこ
    とを特徴とする偏芯測定装置。
  2. 前記算出部は、前記反射光の位置情報に基づいて前記二つの光学面の反射偏芯量を求め
    、前記透過光の位置情報に基づいて前記二つの光学面の透過偏芯量を求め、前記反射光の
    位置情報に基づいて前記二つの光学面のそれぞれにおいて反射された光の光量比を求め、
    前記反射偏芯量、前記透過偏芯量および前記光量比を用いて前記二つの光学面の前記偏芯
    量をそれぞれ算出するように構成されることを特徴とする請求項1に記載の偏芯測定装置
  3. 光軸上に沿って複数の光学素子が並んで構成される光学系において、前記複数の光学素
    子のうちの二つの光学面の近軸焦点位置もしくは曲率中心位置が近くに位置する構成にお
    いて、前記二つの光学面の前記光軸に対する偏芯量をそれぞれ測定する偏芯測定方法であ
    って、
    照明光を前記二つの光学面の一方の前記近軸焦点位置もしくは前記曲率中心位置に集光
    するように前記二つの光学面に照射する照明工程と、
    前記照明光が照射された前記二つの光学面において反射された反射光を所定の第1集光
    面に集光する第1集光工程と、
    前記第1集光面に集光された前記反射光を検出する第1検出工程と、
    前記照明光が照射された前記二つの光学面を透過した透過光を所定の第2集光面に集光
    する第2集光工程と、
    前記第2集光面に集光された前記透過光を検出する第2検出工程と、
    前記第1検出工程において検出された前記第1集光面における前記反射光の位置情報、
    および前記第2検出工程において検出された前記第2集光面における前記透過光の位置情
    報に基づいて、前記二つの光学面の前記偏芯量をそれぞれ算出する算出工程とを備えるこ
    とを特徴とする偏芯測定方法。
  4. 請求項1または2に記載の偏芯測定装置を用いて被検レンズ系の光軸に対する偏芯量を
    算出する算出工程と、
    前記偏芯量の算出結果に基づいて、前記偏芯量が許容値内となるように前記被検レンズ
    系の偏芯調整を行う調整工程とを備えることを特徴とするレンズの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105403151A (zh) * 2015-12-11 2016-03-16 杭州志达光电有限公司 干涉及投影一体化非球面偏心检测仪及其检测方法

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