JP2014531706A - 光電子デバイスパッケージ、アレイ及び製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
12 第1の光電子デバイスパッケージ
14 第2の光電子デバイスパッケージ
16 第3の光電子デバイスパッケージ
20 デバイス構造
30 ロールフィルムセグメント
30 デバイス構造
50 デバイス
52 デバイス
54 デバイス
56 デバイス
110 第1のバリア層
111 背面シート
120 第1の電極層
121 カソード
130 電気活性層
131 電気活性領域
132 ギャップ
135 第2の電極層
140 金属
141 アノードバスライン
142 アノードグリッド
150 基材
151 TCO層
152 クロスウェブ領域
160 バリア層
170 接着剤層
180 エッジシールゾーン
190 露出層
200 電気活性領域
202 光電子デバイスパッケージ
204 第1の導電性タブ
206 アノードバスライン
208 第2の導電性タブ
210 カソード
212 透明エッジシールゾーン
213 電気活性領域
214 アレイ
216 光電子デバイスパッケージ
218 光電子デバイスパッケージ
220 光電子デバイスパッケージ
222 光電子デバイスパッケージ
302 電気接続
312 透明エッジシールゾーン
313 電気活性領域
314 アレイ
316 パッケージ
318 パッケージ
320 パッケージ
322 パッケージ
404 電気接続
408 電気接続
412 透明エッジシールゾーン
413 電気活性領域
414 アレイ
416 パッケージ
418 パッケージ
420 パッケージ
422 パッケージ
Claims (25)
- 光電子デバイスパッケージであって、
光電子デバイスパッケージの幾何学的に平行な部分である第1の縁部及び第2の縁部に沿って透明領域を画成しているエッジシールゾーンと、
幾何学的に平行な縁部でありかつ光電子デバイスパッケージの第1の縁部及び第2の縁部に対して実質的に直角方向を向いている第3の縁部及び第4の縁部に沿って不透明領域を画成しているエッジシールゾーンと
を備えており、
エッジシールゾーンの透明な第1及び第2の縁部の少なくとも一方は1以上の隣接光電子デバイスパッケージと重なるように構成され、
エッジシールゾーンの不透明な第3及び第4の縁部は、複数の接点を介して光電子デバイスのアノード及びカソードを外部電源に接続するように構成された導電層を備えている、光電子デバイスパッケージ。 - エッジシールゾーンの不透明部分を通過してカソード、アノード及びアノードバスラインが延在している、請求項1記載の光電子デバイスパッケージ。
- アノードは長手方向に向いたアノードバスラインとして構成されている、請求項1記載の光電子デバイスパッケージ。
- アノード及びエッジシールゾーンの不透明部分内の導電層は、アノードをカソードから電気的に隔絶するように構成されている、請求項1記載の光電子デバイスパッケージ。
- カソード及びアノードはエッジシールゾーンの不透明部分を通って延在し、導電層は電気活性層上に直接配置され、アノードとエッジシールゾーンの不透明部分内の導電層の間にアノードをカソードから電気的に隔絶するように構成させた電気絶縁層が配置される、請求項4記載の光電子デバイスパッケージ。
- カソードはエッジシールゾーンの不透明部分を通って延在し、導電層は電気活性層上に直接配置され、アノードが、エッジシールゾーンの透明部分内の電気活性領域からある距離だけ離間してこれによりアノードをカソードから電気的に隔絶するように構成されたアノードバスラインとして構成される、請求項4記載の光電子デバイスパッケージ。
- 1以上の列に配置された複数の光電子デバイスパッケージを備えるアレイであって、各々の光電子デバイスパッケージが光電子デバイスを囲繞していて、
光電子デバイスパッケージの幾何学的に平行な部分である第1の縁部及び第2の縁部に沿って透明領域を画成しているエッジシールゾーンと、
幾何学的に平行な縁部でありかつ光電子デバイスパッケージの第1の縁部及び第2の縁部に対して実質的に直角な方向を向いている第3の縁部及び第4の縁部に沿って不透明領域を画成しているエッジシールゾーンと
を備えていて、エッジシールゾーンの透明な第1及び第2の縁部の少なくとも一方は1以上の隣接光電子デバイスパッケージと重なるように構成されており、エッジシールゾーンの不透明な第3及び第4の縁部は、複数の接点を介して光電子デバイスのアノード及びカソードを外部電源に接続するように構成された導電層を備えており、各光電子デバイスパッケージは1以上の隣接光電子デバイスパッケージと重なっている、アレイ。 - 複数の光電子デバイスパッケージの各々は単一のピクセルを備える、請求項7記載のアレイ。
- 複数の光電子デバイスパッケージは連続又は不連続発光領域のいずれかを形成するように構成されている、請求項7記載のアレイ。
- アレイ内の各光電子デバイスパッケージのエッジシールゾーンの透明部分の少なくとも一部分は隣接パッケージの電気活性領域に重なっている、請求項7記載のアレイ。
- 各パッケージのエッジシールゾーンの透明部分のエッジは平行に整列している、請求項7記載のアレイ。
- エッジシールゾーンの不透明部分は複数の接点を介して光電子デバイスのアノード及びカソードを外部電源に接続するように構成された導電層を備える、請求項7記載のアレイ。
- カソード及びアノードはエッジシールゾーンの不透明部分を通って延在している、請求項7記載のアレイ。
- アノードは、エッジシールゾーンの透明部分に対して実質的に平行な方向を向いたアノードバスラインとして構成されている、請求項7記載のアレイ。
- アノード及びエッジシールゾーンの不透明部分内の導電層はアノードをカソードから電気的に隔絶するように構成されている、請求項7記載のアレイ。
- カソード及びアノードはエッジシールゾーンの不透明部分を通って延在し、導電層は電気活性層上に直接配置され、アノードとエッジシールゾーンの不透明部分内の導電層の間にアノードをカソードから電気的に絶縁するように構成させた電気絶縁層が配置されている、請求項15記載のアレイ。
- カソードはエッジシールゾーンの不透明部分を通って延在し、導電層は電気活性層上に直接配置され、アノードが、エッジシールゾーンの透明部分内の電気活性領域からある距離だけ離間してこれによりアノードをカソードから電気的に隔絶するように構成されたアノードバスラインとして構成される、請求項15記載のアレイ。
- 各光電子デバイスはOLEDである、請求項7記載のアレイ。
- 各光電子デバイスは光起電力デバイスである、請求項7記載のアレイ。
- 連続照明領域を形成するOLED発光アレイであって、OLED発光アレイが複数のパッケージを備えていて、各パッケージが光電子デバイスを囲繞しているとともに、1以上の列に配置されており、
各パッケージは電気活性領域と透明部分及び不透明部分を画成するエッジシールゾーンとを備えており、不透明部分は複数の端子を介して光電子デバイスを外部電源に接続するように構成された導電層を備えており、
各パッケージのエッジシールゾーンの透明部分は隣接パッケージの電気活性領域と重なっており、
列内の各隣接パッケージの電気活性領域は列内の隣接パッケージのエッジシールゾーンの不透明部分と重なっており、
各パッケージの透明エッジは直線状のアノードバスラインに沿って整列している、OLED発光アレイ。 - ロールツーロール(R2R)製造技術を用いて光電子デバイスパッケージを製造する方法であって、
基材材料のセグメントを位置決めする工程と、
基材材料上に透明導電性酸化物(TCO)の層を堆積する工程と、
基材材料上にクロスウェブ領域を形成する工程と、
複数の電気活性層ストライプを画成するように透明導電性酸化物(TCO)上で離間した一連の不連続ストライプの形に電気活性層を堆積する工程であって、少なくとも2つの平行な長手方向エッジ上で電気活性層と基材の周囲の間にギャップを残すことを含む電気活性層の堆積工程と、
複数の電気活性層ストライプの各々の上で複数の連続ストライプの形に金属層を堆積し、これにより複数のカソード層ストライプ及びアノードバスラインを画成する工程と、
複数のアノードバスラインを画成するように透明導電性酸化物(TCO)上で複数の連続ストライプの形にアノード層を堆積する工程であって、複数のアノードバスラインとカソード層ストライプの各々の間にギャップを残すことを含むアノード層の堆積工程と、
アノード及びカソード層の最上部の上に透明バリア層を堆積する工程であって、バリア層はカソード層ストライプとアノード層ストライプの各々の一部分を露出するように構成されているバリア層の堆積工程と、
個々の光電子デバイスパッケージを形成させるように切除する工程と
を含む方法。 - 基材材料上にクロスウェブ領域を形成する工程は、透明導電性酸化物(TCO)の一部分を選択的に除去する工程を含む、請求項21記載の方法。
- 基材材料上にクロスウェブ領域を形成する工程は、透明導電性酸化物(TCO)の一部分を絶縁層で選択的に覆う工程を含む、請求項21記載の方法。
- ロールツーロール(R2R)製造技術を用いて光電子デバイスパッケージを製造する方法であって、
基材材料のセグメントを位置決めする工程と、
基材材料上に透明導電性酸化物(TCO)の層を堆積する工程と、
複数のアノードバスラインを画成するように透明導電性酸化物(TCO)上に離間した一連の連続ストライプの形で導電層を堆積する工程であって、少なくとも2つの平行な長手方向エッジ上で導電層と基材の周囲の間にギャップを残す工程を含んだ導電層の堆積工程と、
複数のアノードバスラインの各々の上に離間した一連の連続ストライプの形に絶縁層を堆積する工程と、
電気活性層ストライプを画成するように複数のアノードバスライン同士の間に連続ストライプの形で電気活性層を堆積させる工程と、
カソード層ストライプを画成するように電気活性層ストライプ上に連続ストライプの形で金属カソード層を堆積させる工程と、
電気活性層ストライプの最上部の上に透明バリア層を堆積する工程と、
個々の光電子デバイスパッケージを形成させるように切除する工程と、
を含む方法。 - 透明導電性酸化物(TCO)の層の堆積工程、導電層の堆積工程、絶縁層の堆積工程、絶縁層の堆積工程、電気活性層の堆積工程、金属カソード層の堆積工程並びに透明バリア層の堆積工程は、連続ストライプ様の幾何学配置により構成されている、請求項24記載の光電子デバイスパッケージの製造方法。
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CN104656996B (zh) * | 2015-03-03 | 2017-08-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控单元、触控基板及其制作方法和柔性触控显示装置 |
US9882173B2 (en) | 2015-03-31 | 2018-01-30 | Industrial Technology Research Institute | Methods for fabricating an organic electro-luminescence device |
US9991478B2 (en) | 2015-03-31 | 2018-06-05 | Industrial Technology Research Institute | Methods for fabricating an organic electro-luminescence device and flexible electric device |
US9887359B2 (en) | 2015-03-31 | 2018-02-06 | Industrial Technology Research Institute | Organic electro-luminescence device and fabricating method thereof |
US9923022B2 (en) | 2016-07-01 | 2018-03-20 | International Business Machines Corporation | Array of optoelectronic structures and fabrication thereof |
US9960302B1 (en) | 2016-10-18 | 2018-05-01 | Tesla, Inc. | Cascaded photovoltaic structures with interdigitated back contacts |
US10937915B2 (en) | 2016-10-28 | 2021-03-02 | Tesla, Inc. | Obscuring, color matching, and camouflaging solar panels |
ES2887981T3 (es) | 2017-03-01 | 2021-12-29 | Tesla Inc | Sistema y procedimiento de embalaje de tejas de tejado fotovoltaicas |
US10381973B2 (en) | 2017-05-17 | 2019-08-13 | Tesla, Inc. | Uniformly and directionally colored photovoltaic modules |
US10985688B2 (en) | 2017-06-05 | 2021-04-20 | Tesla, Inc. | Sidelap interconnect for photovoltaic roofing modules |
US10734938B2 (en) | 2017-07-21 | 2020-08-04 | Tesla, Inc. | Packaging for solar roof tiles |
US10857764B2 (en) | 2017-07-25 | 2020-12-08 | Tesla, Inc. | Method for improving adhesion between glass cover and encapsulant for solar roof tiles |
US10978990B2 (en) | 2017-09-28 | 2021-04-13 | Tesla, Inc. | Glass cover with optical-filtering coating for managing color of a solar roof tile |
US10454409B2 (en) | 2018-02-02 | 2019-10-22 | Tesla, Inc. | Non-flat solar roof tiles |
US10862420B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-12-08 | Tesla, Inc. | Inter-tile support for solar roof tiles |
US11190128B2 (en) | 2018-02-27 | 2021-11-30 | Tesla, Inc. | Parallel-connected solar roof tile modules |
US11431279B2 (en) | 2018-07-02 | 2022-08-30 | Tesla, Inc. | Solar roof tile with a uniform appearance |
US11082005B2 (en) | 2018-07-31 | 2021-08-03 | Tesla, Inc. | External electrical contact for solar roof tiles |
US11245354B2 (en) | 2018-07-31 | 2022-02-08 | Tesla, Inc. | Solar roof tile spacer with embedded circuitry |
US11245355B2 (en) | 2018-09-04 | 2022-02-08 | Tesla, Inc. | Solar roof tile module |
US11581843B2 (en) | 2018-09-14 | 2023-02-14 | Tesla, Inc. | Solar roof tile free of back encapsulant layer |
US11431280B2 (en) | 2019-08-06 | 2022-08-30 | Tesla, Inc. | System and method for improving color appearance of solar roofs |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007294137A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 照明装置 |
US20110074281A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | General Electric Company | Monolithic parallel interconnect structure |
US20110186866A1 (en) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | General Electric Company | Optoelectronic device array |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7015640B2 (en) | 2002-09-11 | 2006-03-21 | General Electric Company | Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same |
JP2004251981A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-09 | Seiko Epson Corp | 複合型表示装置 |
KR100620849B1 (ko) | 2004-03-23 | 2006-09-13 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 |
DE102004024461A1 (de) | 2004-05-14 | 2005-12-01 | Konarka Technologies, Inc., Lowell | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit zumindest einer aktiven organischen Schicht |
US20060091794A1 (en) | 2004-11-04 | 2006-05-04 | Eastman Kodak Company | Passive matrix OLED display having increased size |
JPWO2007034647A1 (ja) | 2005-09-20 | 2009-03-19 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
KR101209040B1 (ko) | 2005-11-18 | 2012-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR100994118B1 (ko) | 2009-01-13 | 2010-11-15 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP2010282879A (ja) | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器 |
-
2011
- 2011-08-30 US US13/221,023 patent/US8674377B2/en active Active
-
2012
- 2012-07-26 WO PCT/US2012/048218 patent/WO2013032605A2/en active Application Filing
- 2012-07-26 EP EP12751166.5A patent/EP2761685B1/en active Active
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- 2012-08-24 TW TW101130882A patent/TWI556485B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007294137A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 照明装置 |
US20110074281A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | General Electric Company | Monolithic parallel interconnect structure |
US20110186866A1 (en) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | General Electric Company | Optoelectronic device array |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI556485B (zh) | 2016-11-01 |
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