JP2014517506A - Iv族またはiv−iv族材料上のiii−v族材料に関する界面電荷を予防する核形成層を有する半導体構造 - Google Patents
Iv族またはiv−iv族材料上のiii−v族材料に関する界面電荷を予防する核形成層を有する半導体構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014517506A JP2014517506A JP2014506412A JP2014506412A JP2014517506A JP 2014517506 A JP2014517506 A JP 2014517506A JP 2014506412 A JP2014506412 A JP 2014506412A JP 2014506412 A JP2014506412 A JP 2014506412A JP 2014517506 A JP2014517506 A JP 2014517506A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- group
- iii
- semiconductor structure
- nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 162
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 title claims abstract description 55
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 47
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 150000001463 antimony compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 14
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims description 15
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical compound [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940058905 antimony compound for treatment of leishmaniasis and trypanosomiasis Drugs 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 109
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 21
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 InAsSb Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000756 V alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02378—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02458—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02543—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02549—Antimonides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
ある実施形態では、前記核形成層が、AlNであることを特徴とする。
ある実施形態では、前記核形成層は、0.6以上のAlxを有する(すなわち、60%アルミニウム含有)AlxGa1-xNである。
ある実施形態では、前記核形成層の上のIII-V族材料のV族元素は、窒素以外の元素であることを特徴とする。
ある実施形態では、半導体構造体は、IV族材料またはIV-IV族材料と、前記IV族材料またはIV-IV族材料の表面の上のIII-V族材料の第1の層であって、前記第1の層のV族材料が窒素であることを特徴とする第1の層と、前記第1の層上に配置されたIII-V族材料の第2の層であって、前記第2の層のV族材料が窒素以外の元素であることを特徴とする第2の層と、を有することを特徴とする。
図1を参照すると、IV族またはIV-IV族材料を有する半導体構造10が示され、ここでは例えば、単一の結晶シリコン、ゲルマニウムまたはSiCの層または基板12;IV族またはIV-IV族材料の表面上のウルツ鉱結晶構造を有する60%以上のアルミニウムコンテンツを有するIII族窒化物またはAlNの核形成層14;および、核形成層14上の非窒化物III-V族材料(例えば、GaAsのようなヒ化物、InPのようなリン化物、InSbのようなアンチモン化合物、並びに、AlGaAsおよびGaAsPのようなIII-V族合金を包含する材料)の層16であり、ここで、核形成層14およびIII-V族材料の層16が異なる材料であって、異なる結晶構造を有する。ここで例えば、基板は(111)の結晶方位を有する。ここで、核形成層14はウルツ鉱結晶構造を有し、核形成層14上のIII-V族材料は、例えば、閃亜鉛鉱結晶構造を有するアンチモン化合物(例えばInSb)、ヒ化物(例えばGaAs)、リン化物(例えばInP)のような非窒化物)を有する。
Claims (26)
- IV族材料またはIV-IV族材料と、
前記IV族材料またはIV-IV族材料の表面の上のIII-V族材料の核形成層と、
前記核形成層上のIII-V族材料の層と、
を有し、
前記核形成層およびIII-V族材料の層が、異なる結晶構造であることを特徴とする半導体構造体。 - 前記IV族材料またはIV-IV族材料が、Si、Ge、SiGeまたはSiCであることを特徴とする請求項1に記載の半導体構造体。
- 前記核形成層が、60%以上のアルミニウム含有III族窒化物またはAlNであることを特徴とする請求項1に記載の半導体構造体。
- 前記IV族材料またはIV-IV族材料が、Si、Ge、SiGeまたはSiCであることを特徴とする請求項3に記載の半導体構造体。
- 前記核形成層が、60%以上のアルミニウム含有III族窒化物またはAlNであることを特徴とする請求項4に記載の半導体構造体。
- 前記核形成層の上のIII-V族材料のV族元素は、窒素以外の元素であることを特徴とする請求項3に記載の半導体構造体。
- 前記核形成層の上のIII-V族材料のV族元素は、窒素以外の元素であることを特徴とする請求項5に記載の半導体構造体。
- 前記核形成層の上のIII-V族材料のV族元素は、窒素以外の元素であり、かかるIII-V族材料の層は核形成層と接触して配置されることを特徴とする請求項3に記載の半導体構造体。
- 前記核形成層の上のIII-V族材料のV族元素は、窒素以外の元素であり、かかるIII-V族材料の層は核形成層と接触して配置されることを特徴とする請求項5に記載の半導体構造体。
- IV族材料またはIV-IV族材料と、
前記IV族材料またはIV-IV族材料の表面の上のIII-V族材料の第1の層であって、前記第1の層のV族材料が窒素であることを特徴とする第1の層と、
前記第1の層上に配置されたIII-V族材料の第2の層であって、前記第2の層のV族材料が窒素以外の元素であることを特徴とする第2の層と、
を有することを特徴とする半導体構造体。 - 前記第1の層が60%以上のアルミニウム含有III族窒化物またはAlNであり、前記第2の層がヒ化物、リン化物、アンチモン化合物またはそれらの合金を包含する材料であることを特徴とする請求項10に記載の半導体構造体。
- 前記第1の層が60%以上のアルミニウム含有III族窒化物またはAlNであり、前記第2の層がGaAs、InPまたはInSb、またはそれらの合金を包含する材料であることを特徴とする請求項10に記載の半導体構造体。
- IV族材料またはIV-IV族材料と、
前記IV族材料またはIV-IV族材料の表面の上のIII-V族材料の第1の層と、
前記第1の層上に配置されたIII-V族材料の第2の層と、
を有し、
前記第1の層と第2の層とが、異なる結晶構造であることを特徴とする半導体構造体。 - 前記第1の層がV族元素の窒素を有し、前記第2の層が窒素以外のV族元素を有することを特徴とする請求項13に記載の半導体構造体。
- 前記第1の層がウルツ鉱結晶構造を有し、第2の層が閃亜鉛鉱結晶構造を有することを特徴とする請求項13に記載の半導体構造体。
- 前記第2の層が前記第1の層と接触することを特徴とする請求項15に記載の半導体構造体。
- 前記第1の層が窒化物であり、前記第2の層がヒ化物、リン化物、アンチモン化合物またはそれらの合金を包含する材料であることを特徴とする請求項15に記載の半導体構造体。
- 前記第1の層が60%以上のアルミニウム含有III族窒化物またはAlNであり、前記第2の層がGaAs、InPまたはInSb、またはそれらの合金を包含する材料であることを特徴とする請求項17に記載の半導体構造体。
- 前記第1の層が窒化物であり、前記第2の層がヒ化物、リン化物、アンチモン化合物またはそれらの合金を包含する材料であることを特徴とする請求項16に記載の半導体構造体。
- 前記第1の層が60%以上のアルミニウム含有III族窒化物またはAlNであり、前記第2の層がGaAs、InPまたはInSb、またはそれらの合金を包含する材料であることを特徴とする請求項19に記載の半導体構造体。
- 前記核形成層がウルツ鉱結晶構造を有し、III-V族材料の層が閃亜鉛鉱結晶構造を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体構造体。
- 前記第1の層がウルツ鉱結晶構造を有し、第2の層が閃亜鉛鉱結晶構造を有することを特徴とする請求項10に記載の半導体構造体。
- 前記第1の層がウルツ鉱結晶構造を有し、第2の層が閃亜鉛鉱結晶構造を有することを特徴とする請求項13に記載の半導体構造体。
- 第1の層と第2の層との間に窒化物材料の層を包含することを特徴とする請求項21に記載の半導体構造体。
- 前記核形成層と前記III-V族材料の層との間に窒化物材料の層を包含することを特徴とする請求項1に記載の半導体構造体。
- IV族材料またはIV-IV族材料を有する半導体構造体を形成するための方法であって、
IV族材料またはIV-IV族材料の表面の上にIII-V族材料の第1の層を形成するステップであって、前記第1の層が、60%以上のアルミニウム含有III族窒化物またはAlNであり、窒素部分が、アルミニウム部分を形成する前に、IV族材料またはIV-IV族材料の上に形成されることを特徴とする、第1の層を形成するステップと、
前記第1の層の上にIII-V族材料の第2の層を形成するステップであって、前記第2の層のV族元素が窒素以外の元素であることを特徴とする、第2の層を形成するステップと、
を有することを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/088,813 US20120261721A1 (en) | 2011-04-18 | 2011-04-18 | Semiconductor structures having nucleation layer to prevent interfacial charge for column iii-v materials on column iv or column iv-iv materials |
US13/088,813 | 2011-04-18 | ||
PCT/US2012/028389 WO2012145089A1 (en) | 2011-04-18 | 2012-03-09 | Semiconductor structures having nucleation layer to prevent interfacial charge for column iii-v materials on column iv or column iv-iv materials |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014517506A true JP2014517506A (ja) | 2014-07-17 |
Family
ID=45992825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014506412A Ceased JP2014517506A (ja) | 2011-04-18 | 2012-03-09 | Iv族またはiv−iv族材料上のiii−v族材料に関する界面電荷を予防する核形成層を有する半導体構造 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20120261721A1 (ja) |
EP (1) | EP2700087A1 (ja) |
JP (1) | JP2014517506A (ja) |
KR (2) | KR20140048867A (ja) |
TW (1) | TWI472028B (ja) |
WO (1) | WO2012145089A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9508550B2 (en) * | 2015-04-28 | 2016-11-29 | International Business Machines Corporation | Preparation of low defect density of III-V on Si for device fabrication |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08335695A (ja) * | 1995-06-06 | 1996-12-17 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2001308381A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5130269A (en) * | 1988-04-27 | 1992-07-14 | Fujitsu Limited | Hetero-epitaxially grown compound semiconductor substrate and a method of growing the same |
WO2007049939A1 (en) * | 2005-10-29 | 2007-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US7498191B2 (en) * | 2006-05-22 | 2009-03-03 | Chien-Min Sung | Semiconductor-on-diamond devices and associated methods |
US7872252B2 (en) * | 2006-08-11 | 2011-01-18 | Cyrium Technologies Incorporated | Method of fabricating semiconductor devices on a group IV substrate with controlled interface properties and diffusion tails |
US7825432B2 (en) * | 2007-03-09 | 2010-11-02 | Cree, Inc. | Nitride semiconductor structures with interlayer structures |
US8362503B2 (en) * | 2007-03-09 | 2013-01-29 | Cree, Inc. | Thick nitride semiconductor structures with interlayer structures |
WO2010118529A1 (en) * | 2009-04-17 | 2010-10-21 | Arise Technologies Corporation | Base structure for iii-v semiconductor devices on group iv substrates and method of fabrication thereof |
US8183086B2 (en) * | 2009-06-16 | 2012-05-22 | Chien-Min Sung | Diamond GaN devices and associated methods |
-
2011
- 2011-04-18 US US13/088,813 patent/US20120261721A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-03-09 WO PCT/US2012/028389 patent/WO2012145089A1/en active Application Filing
- 2012-03-09 EP EP12715756.8A patent/EP2700087A1/en not_active Withdrawn
- 2012-03-09 KR KR1020137027905A patent/KR20140048867A/ko active Application Filing
- 2012-03-09 JP JP2014506412A patent/JP2014517506A/ja not_active Ceased
- 2012-03-09 KR KR1020157036954A patent/KR20160006251A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-03-20 TW TW101109520A patent/TWI472028B/zh not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-02-21 US US13/773,415 patent/US20130161699A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08335695A (ja) * | 1995-06-06 | 1996-12-17 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2001308381A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201306251A (zh) | 2013-02-01 |
US20130161699A1 (en) | 2013-06-27 |
EP2700087A1 (en) | 2014-02-26 |
WO2012145089A1 (en) | 2012-10-26 |
TWI472028B (zh) | 2015-02-01 |
US20120261721A1 (en) | 2012-10-18 |
KR20140048867A (ko) | 2014-04-24 |
KR20160006251A (ko) | 2016-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10388522B2 (en) | Selective epitaxy using epitaxy-prevention layers | |
JP4095066B2 (ja) | 窒化ガリウムベース半導体の半導体構造 | |
US20100044719A1 (en) | III-V Compound Semiconductor Epitaxy Using Lateral Overgrowth | |
JP2010021583A (ja) | 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス | |
US8975165B2 (en) | III-V semiconductor structures with diminished pit defects and methods for forming the same | |
TWI663635B (zh) | 使用離子植入之使高電阻率氮化物緩衝層的半導體材料生長 | |
US20160079370A1 (en) | Semiconductor device, semiconductor wafer, and semiconductor device manufacturing method | |
JP5460751B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI345309B (en) | Compound semiconductor epitaxial substrate and method for production thereof | |
JP2014517506A (ja) | Iv族またはiv−iv族材料上のiii−v族材料に関する界面電荷を予防する核形成層を有する半導体構造 | |
JP3547320B2 (ja) | GaN系化合物半導体装置 | |
US9287122B2 (en) | Method for growing epitaxies of a chemical compound semiconductor | |
JP3728093B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2005136162A (ja) | 化合物半導体素子の製造方法 | |
TWI844049B (zh) | 具有包含氮化鋁銦的阻障層的半導體結構及其生長方法 | |
JP5059205B2 (ja) | ウェーハ及び結晶成長方法 | |
JP3592922B2 (ja) | 化合物半導体基板 | |
US10665752B2 (en) | Air void structures for semiconductor fabrication | |
JP2007235062A (ja) | エピタキシャルウェハ及び電子デバイス並びにiii−v族化合物半導体結晶の気相エピタキシャル成長法 | |
WO2011105066A1 (ja) | 半導体基板、半導体デバイスおよび半導体基板の製造方法 | |
CN116936630A (zh) | 一种晶体管外延结构及防止晶体管tgv刻蚀过度的方法 | |
JPH11204437A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2000077516A (ja) | 半導体装置 | |
JP2006216667A (ja) | 半導体ウェハ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150302 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150714 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151014 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160616 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161014 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20161025 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161129 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170529 |
|
A045 | Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045 Effective date: 20170922 |