JP2014512704A5 - モデルに基づく、研磨のためのスペクトルライブラリの生成 - Google Patents
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Claims (21)
- 基準スペクトルのライブラリを生成する方法であって、
複数の層を有する層スタックに対する光学モデルを記憶することと、
前記複数の層からの第1の層の1つまたは複数の屈折率関数のセットおよび1つまたは複数の消衰係数関数のセットを識別するユーザ入力を受け取ることと、1つまたは複数の屈折率関数の前記セットが複数の異なる屈折率関数を含み、あるいは1つまたは複数の消衰係数関数の前記セットが複数の異なる消衰係数関数を含み、
屈折率関数の前記セットからの1つの屈折率関数と消衰係数関数の前記セットからの1つの消衰係数関数とのそれぞれの組合せに対して、前記屈折率関数、前記消衰係数関数、および前記第1の層の第1の厚さに基づいて、前記光学モデルを使用して基準スペクトルを計算して、複数の基準スペクトルを生成することと
を含む、方法。 - 基準スペクトルのライブラリを生成するためのコンピュータプログラムであって、前記コンピュータプログラムがコンピュータ可読媒体内で実施され、且つプロセッサに:
複数の層を有する層スタックに対する光学モデルを記憶させ、
前記複数の層からの第1の層の1つまたは複数の屈折率関数のセットおよび1つまたは複数の消衰係数関数のセットを識別するユーザ入力を受け取らせ、ここで1つまたは複数の屈折率関数の前記セットが複数の異なる屈折率関数を含み、あるいは1つまたは複数の消衰係数関数の前記セットが複数の異なる消衰係数関数を含み、
屈折率関数の前記セットからの1つの屈折率関数と消衰係数関数の前記セットからの1つの消衰係数関数とのそれぞれの組合せに対して、前記屈折率関数、前記消衰係数関数、および前記第1の層の第1の厚さに基づいて、前記光学モデルを使用して基準スペクトルを計算させ、複数の基準スペクトルを生成させる
指示を含む、コンピュータプログラム。 - 1つまたは複数の屈折率関数の前記セットが、複数の異なる屈折率関数を含む、請求項2に記載のコンピュータプログラム。
- 前記複数の異なる屈折率関数を識別するユーザ入力を受け取らせる指示が、前記屈折率関数の第1の係数に対する第1の複数の異なる第1の値を識別するユーザ入力を受け取らせる指示を含む、請求項3に記載のコンピュータプログラム。
- 前記複数の異なる屈折率関数を識別するユーザ入力を受け取らせる指示が、前記屈折率関数の第2の係数に対する第2の複数の異なる第2の値を識別するユーザ入力を受け取らせる指示を含む、請求項4に記載のコンピュータプログラム。
- 1つまたは複数の消衰係数関数の前記セットが、複数の異なる消衰係数関数を含む、請求項2に記載のコンピュータプログラム。
- 屈折率関数の前記セットからの1つの屈折率関数と、消衰係数関数の前記セットからの1つの消衰係数関数と、前記複数の異なる厚さ値からの1つの厚さ値とのそれぞれの組合せに対して、前記光学モデルを使用して基準スペクトルを計算する指示をさらに含む、請求項2に記載のコンピュータプログラム。
- 基準スペクトルのライブラリを生成する方法であって、
複数の層を有する層スタックに対する光学モデルを記憶することと、
屈折率関数の第1の係数に対する第1の複数の異なる第1の値を識別するユーザ入力を受け取ることと、
前記複数の異なる値からのそれぞれの第1の値に対する屈折率関数を計算して、複数の屈折率関数を生成することと、
前記複数の屈折率関数からの各屈折率関数に対して、前記屈折率関数、消衰係数関数、および前記第1の層の第1の厚さに基づいて、前記光学モデルを使用して基準スペクトルを計算して、複数の基準スペクトルを生成することと
を含む、方法。 - 基準スペクトルのライブラリを生成するためのコンピュータプログラムであって、前記コンピュータプログラムがコンピュータ可読媒体内で実施され、且つプロセッサに:
複数の層を有する層スタックに対する光学モデルを記憶させ、
屈折率関数の第1の係数に対する第1の複数の異なる第1の値を識別するユーザ入力を受け取らせ、
前記複数の異なる値からのそれぞれの第1の値に対する屈折率関数を計算して、複数の屈折率関数を生成させ、
前記複数の屈折率関数からの各屈折率関数に対して、前記屈折率関数、消衰係数関数、および前記第1の層の第1の厚さに基づいて、前記光学モデルを使用して基準スペクトルを計算させ、複数の基準スペクトルを生成させる
指示を含む、コンピュータプログラム。 - 基準スペクトルのライブラリを生成する方法であって、
基板上の、第1の誘電体層を含む第1のスタックの層の反射率を表す第1のスペクトルを受け取ることと、
前記基板上の、前記第1の誘電体層、および前記第1のスタック内にない第2の誘電体層を含む第2のスタックの層の反射率を表す第2のスペクトルを受け取ることと、
前記基板上の前記第1のスタックまたは前記第2のスタックの少なくとも1つに対する複数の異なる寄与百分率を識別するユーザ入力を受け取ることと、
前記複数の異なる寄与百分率からの各寄与百分率に対して、前記第1のスペクトル、前記第2のスペクトル、および前記寄与百分率から基準スペクトルを計算することと
を含む、方法。 - 基準スペクトルのライブラリを生成するためのコンピュータプログラムであって、前記コンピュータプログラムがコンピュータ可読媒体内で実施され、且つプロセッサに:
基板上の、第1の誘電体層を含む第1のスタックの層の反射率を表す第1のスペクトルを受け取らせ、
前記基板上の、前記第1の誘電体層、および前記第1のスタック内にない第2の誘電体層を含む第2のスタックの層の反射率を表す第2のスペクトルを受け取らせ、
前記基板上の前記第1のスタックまたは前記第2のスタックの少なくとも1つに対する複数の異なる寄与百分率を識別するユーザ入力を受け取らせ、
前記複数の異なる寄与百分率からの各寄与百分率に対して、前記第1のスペクトル、前記第2のスペクトル、および前記寄与百分率から基準スペクトルを計算させる
指示を含む、コンピュータプログラム。 - 前記底層のスペクトルがケイ素または金属のスペクトルである、請求項13に記載のコンピュータプログラム。
- 前記基板上の金属層の反射率を表す第3のスペクトルを受け取らせ、
前記金属層に対する複数の異なる金属寄与百分率を識別するユーザ入力を受け取らせ、
前記複数の異なる寄与からの各寄与百分率に対して、および前記複数の異なる金属寄与百分率からの各金属寄与百分率に対して、前記第1のスペクトル、前記第2のスペクトル、前記第3のスペクトル、前記寄与百分率、および前記金属寄与百分率から基準スペクトルを計算させる
指示をさらに含む、請求項12に記載のコンピュータプログラム。 - 前記底層のスペクトルが、前記金属層の前記金属のスペクトルである、請求項16に記載のコンピュータプログラム。
- 基準スペクトルのライブラリを生成する方法であって、
基板上の、第1の層を含む第1の層スタックの反射率を表す第1のスペクトルを受け取ることと、
前記基板上の、前記第1のスタック内にない第2の層を含む第2の層スタックの反射率を表す第2のスペクトルを受け取ることと、
前記基板上の、前記第1のスタックおよび前記第2のスタック内にない第3の層を含む第3の層スタックの反射率を表す第3のスペクトルを受け取ることと、
前記第1のスタックに対する第1の複数の異なる寄与百分率および前記第2のスタックに対する第2の複数の異なる寄与百分率を識別するユーザ入力を受け取ることと、
前記第1の複数の異なる寄与百分率からのそれぞれの第1の寄与百分率および前記第2の複数の異なる寄与百分率からのそれぞれの第2の寄与百分率に対して、前記第1のスペクトル、前記第2のスペクトル、前記第3のスペクトル、前記第1の寄与百分率、および前記第2の寄与百分率から基準スペクトルを計算することと
を含む、方法。 - 基準スペクトルのライブラリを生成するためのコンピュータプログラムであって、前記コンピュータプログラムがコンピュータ可読媒体内で実施され、且つプロセッサに:
基板上の、第1の層を含む第1の層スタックの反射率を表す第1のスペクトルを受け取らせ、
前記基板上の、前記第1のスタック内にない第2の層を含む第2の層スタックの反射率を表す第2のスペクトルを受け取らせ、
前記基板上の、前記第1のスタックおよび前記第2のスタック内にない第3の層を含む第3の層スタックの反射率を表す第3のスペクトルを受け取らせ、
前記第1のスタックに対する第1の複数の異なる寄与百分率および前記第2のスタックに対する第2の複数の異なる寄与百分率を識別するユーザ入力を受け取らせ、
前記第1の複数の異なる寄与百分率からのそれぞれの第1の寄与百分率および前記第2の複数の異なる寄与百分率からのそれぞれの第2の寄与百分率に対して、前記第1のスペクトル、前記第2のスペクトル、前記第3のスペクトル、前記第1の寄与百分率、および前記第2の寄与百分率から基準スペクトルを計算させる
指示を含む、コンピュータプログラム。 - 研磨を制御する方法であって、
請求項1、9、11または18に記載の方法によって基準スペクトルのライブラリを生成することと、
基板を研磨することと、
研磨中に前記基板から光スペクトルのシーケンスを測定することと、
前記スペクトルのシーケンスのうちの各測定スペクトルに対して、最良に整合する基準スペクトルを発見して、最良に整合する基準スペクトルのシーケンスを生成することと、
前記最良に整合する基準スペクトルのシーケンスに基づいて、研磨終点または研磨速度の調整の少なくとも1つを決定することと
を含む、方法。 - 研磨を制御するためのコンピュータプログラムであって、前記コンピュータプログラムがコンピュータ可読媒体内で実施され、且つプロセッサに:
請求項2、10、12または19に記載のコンピュータプログラムの指示によって基準スペクトルのライブラリを生成させ、
研磨中に前記基板から光スペクトルのシーケンスの測定を受け取らせ、
前記スペクトルのシーケンスのうちの各測定スペクトルに対して、最良に整合する基準スペクトルを発見して、最良に整合する基準スペクトルのシーケンスを生成させ、
前記最良に整合する基準スペクトルのシーケンスに基づいて、研磨終点または研磨速度の調整の少なくとも1つを決定させる
指示を含む、コンピュータプログラム。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/096,714 | 2011-04-28 | ||
US13/096,714 US8942842B2 (en) | 2011-04-28 | 2011-04-28 | Varying optical coefficients to generate spectra for polishing control |
US13/096,777 | 2011-04-28 | ||
US13/096,777 US20120278028A1 (en) | 2011-04-28 | 2011-04-28 | Generating model based spectra library for polishing |
PCT/US2012/033677 WO2012148716A2 (en) | 2011-04-28 | 2012-04-13 | Varying coefficients and functions for polishing control |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014512704A JP2014512704A (ja) | 2014-05-22 |
JP2014512704A5 true JP2014512704A5 (ja) | 2015-09-03 |
JP6030636B2 JP6030636B2 (ja) | 2016-11-24 |
Family
ID=47072999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014508401A Active JP6030636B2 (ja) | 2011-04-28 | 2012-04-13 | モデルに基づく、研磨のためのスペクトルライブラリの生成 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6030636B2 (ja) |
KR (1) | KR101981814B1 (ja) |
TW (1) | TWI574787B (ja) |
WO (1) | WO2012148716A2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9375824B2 (en) * | 2013-11-27 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Adjustment of polishing rates during substrate polishing with predictive filters |
US9352440B2 (en) * | 2014-04-30 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Serial feature tracking for endpoint detection |
US9573243B2 (en) * | 2014-11-04 | 2017-02-21 | Headway Technologies, Inc. | Method for adaptive feedback controlled polishing |
TWI784719B (zh) * | 2016-08-26 | 2022-11-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 獲得代表在基板上的層的厚度的測量的方法,及量測系統和電腦程式產品 |
US11951587B2 (en) * | 2018-09-26 | 2024-04-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Zone-based CMP target control |
TWI809389B (zh) * | 2020-06-08 | 2023-07-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於在拋光相鄰導電層的堆疊期間的輪廓控制的系統、方法及電腦程式產品 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW374050B (en) * | 1997-10-31 | 1999-11-11 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for modeling substrate reflectivity during chemical mechanical polishing |
US6242136B1 (en) * | 1999-02-12 | 2001-06-05 | Corning Incorporated | Vacuum ultraviolet transmitting silicon oxyfluoride lithography glass |
US6491569B2 (en) * | 2001-04-19 | 2002-12-10 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for using optical reflection data to obtain a continuous predictive signal during CMP |
IL145699A (en) * | 2001-09-30 | 2006-12-10 | Nova Measuring Instr Ltd | Method of thin film characterization |
JP3865637B2 (ja) * | 2002-01-15 | 2007-01-10 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体デバイスの製造方法 |
KR101521414B1 (ko) * | 2005-08-22 | 2015-05-19 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 화학적 기계적 폴리싱의 스펙트럼 기반 모니터링을 위한 장치 및 방법 |
JP5534672B2 (ja) * | 2005-08-22 | 2014-07-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学機械的研磨のスペクトルに基づく監視のための装置および方法 |
US7495781B2 (en) * | 2006-07-10 | 2009-02-24 | Tokyo Electron Limited | Optimizing selected variables of an optical metrology model |
US20090275265A1 (en) * | 2008-05-02 | 2009-11-05 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection in chemical mechanical polishing using multiple spectra |
JP5774482B2 (ja) * | 2008-10-27 | 2015-09-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 処理中の基板の分光モニタリングにおける適合度 |
US8295967B2 (en) * | 2008-11-07 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Endpoint control of multiple-wafer chemical mechanical polishing |
-
2012
- 2012-04-13 KR KR1020137031251A patent/KR101981814B1/ko active IP Right Grant
- 2012-04-13 JP JP2014508401A patent/JP6030636B2/ja active Active
- 2012-04-13 WO PCT/US2012/033677 patent/WO2012148716A2/en active Application Filing
- 2012-04-19 TW TW101113982A patent/TWI574787B/zh active
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