JP2014237555A - Method for producing fluorine-containing crystalline aluminosilicate - Google Patents

Method for producing fluorine-containing crystalline aluminosilicate Download PDF

Info

Publication number
JP2014237555A
JP2014237555A JP2013119791A JP2013119791A JP2014237555A JP 2014237555 A JP2014237555 A JP 2014237555A JP 2013119791 A JP2013119791 A JP 2013119791A JP 2013119791 A JP2013119791 A JP 2013119791A JP 2014237555 A JP2014237555 A JP 2014237555A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fluorine
crystalline aluminosilicate
gas
containing crystalline
producing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013119791A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
大野 博基
Hiromoto Ono
博基 大野
大井 敏夫
Toshio Oi
敏夫 大井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Union Showa KK
Original Assignee
Union Showa KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Union Showa KK filed Critical Union Showa KK
Priority to JP2013119791A priority Critical patent/JP2014237555A/en
Publication of JP2014237555A publication Critical patent/JP2014237555A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for inexpensively producing a fluorine-containing crystalline alumiosilicate by efficiently fluorinating a crystalline aluminosilicate by a simple method in which the specific surface area and pore diameter (distribution) are maintained at a fixed ratio and the resulting fluorine-containing crystalline alumiosilicate can be used as a specific adsorbent or a catalyst or the like.SOLUTION: There is provided a method for producing a fluorine-containing crystalline alumiosilicate in which the reaction is carried out at a reaction temperature of -10 to 230 °C by bringing a crystalline aluminosilicate into contact with a mixed gas containing at least one selected from a fluorinated gas and a fluorine gas and an inert gas under gas phase circulation.

Description

本発明は、フッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法に関する。特に、結晶性アルミノシリケートを原料として、結晶性アルミノシリケートを気相でフッ素系ガスと接触させることにより得られるフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate. In particular, the present invention relates to a method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate obtained by using crystalline aluminosilicate as a raw material and bringing the crystalline aluminosilicate into contact with a fluorine-based gas in a gas phase.

フッ素含有アルミノシリケートは、特殊な吸着剤や触媒として重要である。従来、種々のフッ素含有アルミノシリケートの製造方法や用途が知られている。
たとえば、ゼオライトを酸素含有ガス中でか焼し、フッ化アンモニウム水溶液に浸漬させ、酸フッ化物処理したゼオライトをか焼するフッ化アンモニウムによるゼオライト類の変性(特公平1−48206号公報)、か焼したゼオライトをフッ化アルミニウムと接触させ、この接触させたゼオライトをプロトン化した型に変換するゼオライトの処理方法(特開昭60−42221号公報)、フッ素化処理を施した結晶性アルミノシリケートに一酸化炭素還元能を有する金属または金属化合物を組み合わせた触媒と合成ガスとを接触させて炭化水素を製造する方法(特開昭60−155139号公報)、結晶性アルミノシリケートをフッ素含有化合物と接触処理し、酸素含有ガス気流中で300〜800℃にて焼成する方法(特開昭61−281014号公報)、Y型ゼオライトを脱アルミニウム処理し、さらにその表面をフッ素処理することにより、SiO2/Al23(モル比)が5.5〜20、フッ素含有率が0.1〜30重量%であるフッ素処理脱アルミニウムY型ゼオライトを得る方法(特開平1−257122号公報)、フッ素含有モルデナイトが約10:1から50:1の範囲のシリカとアルミナのモル比を有し、該モルデナイトがモルデナイトをフッ化水素水溶液に接触させたものをモノアルキル化ベンゼンの製造に使用する方法(特表2000−504691号公報)等が知られている。
Fluorine-containing aluminosilicate is important as a special adsorbent and catalyst. Conventionally, various fluorine-containing aluminosilicate production methods and applications are known.
For example, zeolite is calcined in an oxygen-containing gas, immersed in an aqueous ammonium fluoride solution, and the oxyfluoride-treated zeolite is calcined. Modification of zeolite with ammonium fluoride (Japanese Patent Publication No. 1-448206), A method for treating zeolite (Japanese Patent Laid-Open No. 60-42221) in which the calcined zeolite is brought into contact with aluminum fluoride and the contacted zeolite is converted into a protonated form, and a fluorinated crystalline aluminosilicate is applied. A method of producing a hydrocarbon by bringing a catalyst combined with a metal having a carbon monoxide reducing ability or a metal compound into contact with synthesis gas (JP-A-60-155139), contacting a crystalline aluminosilicate with a fluorine-containing compound A method of treating and firing at 300 to 800 ° C. in an oxygen-containing gas stream (Japanese Patent Laid-Open No. 61-28 014 JP), dealuminated Y-type zeolite, further by fluorination of the surface, SiO 2 / Al 2 O 3 ( molar ratio) is from 5.5 to 20, fluorine content 0.1 A method for obtaining a fluorinated dealuminated Y-type zeolite that is 30% by weight (JP-A-1-257122), the fluorine-containing mordenite having a silica to alumina molar ratio in the range of about 10: 1 to 50: 1; A method of using mordenite obtained by contacting mordenite with an aqueous hydrogen fluoride solution for producing monoalkylated benzene (Japanese Patent Publication No. 2000-504691) is known.

特公平1−48206号公報Japanese Examined Patent Publication No. 1-48206 特開昭60−42221号公報JP 60-42221 A 特開昭60−155139号公報JP-A-60-155139 特開昭61−281014号公報JP 61-281014 A 特開平1−257122号公報JP-A-1-257122 特表2000−504691号公報JP 2000-504691 gazette

上記のとおり、従来、フッ素含有アルミノシリケートの製造方法としては、フッ素源としてフッ化アンモニウム水溶液、フッ化水素水溶液やフッ化アルミニウム水溶液等を用いる液相法、およびフッ素源としてトリフロオロエタノ−ルやクロロトリフルオロメタン等を気相で接触させる気相法が知られている。特許文献1、特許文献3および特許文献5には、アルミノシリケートにフッ化アンモニウム水溶液を接触させる液相法が記載されている。特許文献2には、アルミノシリケートにフッ化アルミニウム水溶液を接触させる液相フッ素化法が記載されている。特許文献6には、モルデナイトにフッ化水素水溶液を接触させる方法が記載されている。液相法はフッ素源としてフッ素化合物の水溶液を使用するため、細孔の閉塞や比表面積の低下等、さらに再洗浄や再乾燥を必要とするなどの課題を有している。   As described above, conventionally, as a method for producing a fluorine-containing aluminosilicate, a liquid phase method using an ammonium fluoride aqueous solution, a hydrogen fluoride aqueous solution, an aluminum fluoride aqueous solution or the like as a fluorine source, and a trifluoroethanol as a fluorine source. A gas phase method in which chlorotrifluoromethane or the like is contacted in a gas phase is known. Patent Document 1, Patent Document 3 and Patent Document 5 describe a liquid phase method in which an ammonium fluoride aqueous solution is brought into contact with an aluminosilicate. Patent Document 2 describes a liquid phase fluorination method in which an aluminum fluoride aqueous solution is brought into contact with an aluminosilicate. Patent Document 6 describes a method of bringing a hydrogen fluoride aqueous solution into contact with mordenite. Since the liquid phase method uses an aqueous solution of a fluorine compound as a fluorine source, it has problems such as obstruction of pores and reduction of specific surface area, and further requires rewashing and redrying.

特許文献4には、ペンタフルオロベンゾニトリル、トリフルオロエタノ−ルなどの有機フッ素化合物と気相で接触させる気相法が記載されている。気相法は、通常、非常に大きな発熱を伴い、結果として表面破壊による比表面積の低下、細孔閉塞等が生じる等の課題を有している。   Patent Document 4 describes a gas phase method in which an organic fluorine compound such as pentafluorobenzonitrile or trifluoroethanol is contacted in a gas phase. The gas phase method usually involves extremely large heat generation, and as a result, there are problems such as a decrease in specific surface area due to surface destruction and pore clogging.

本発明は、上記のような従来技術に伴う問題、課題を解決しようとするものであって、結晶性アルミノシリケートを原料として、結晶性アルミノシリケートにフッ素化合物を気相状態下で接触させて、比表面積や細孔径(分布)を一定の割合で維持するフッ素含有結晶性アルミノシリケートを効率よく簡便に、かつ安価に製造することを課題としている。   The present invention seeks to solve the problems and problems associated with the prior art as described above, using crystalline aluminosilicate as a raw material, contacting the crystalline aluminosilicate with a fluorine compound under a gas phase state, An object is to efficiently and easily produce a fluorine-containing crystalline aluminosilicate that maintains a specific surface area and pore diameter (distribution) at a certain ratio.

結晶性アルミノシリケートをフッ素化合物と気相流通下で接触させてフッ素含有結晶性アルミノシリケートを製造する際、反応に伴う発熱や副生成物の一つであるフッ化水素等による結晶構造の破壊、閉塞等の課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、フッ素化合物ガス等を不活性ガスで希釈して使用し、また反応温度をより低くすることにより発熱を制御し、発熱を抑え、その結果、比表面積や細孔径(分布)を著しく低下させることなくフッ素含有結晶性アルミノシリケートを得ることができ、さらに空間速度(SV)を大きくする等により、より好適にフッ素含有結晶性アルミノシリケートを得ることができることを見出し、本発明を完成するに至った。   When producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate by contacting the crystalline aluminosilicate with a fluorine compound in a gas phase, the crystal structure is destroyed by heat generated by the reaction, hydrogen fluoride which is one of by-products, As a result of intensive investigations to solve problems such as clogging, dilute fluorine compound gas etc. with inert gas, and control the heat generation by lowering the reaction temperature to suppress the heat generation. Fluorine-containing crystalline aluminosilicate can be obtained without significantly reducing the specific surface area and pore diameter (distribution), and the fluorine-containing crystalline aluminosilicate can be obtained more suitably by increasing the space velocity (SV). As a result, the present invention has been completed.

具体的には、本発明は以下の[1]〜[12]に関する。
[1]結晶性アルミノシリケートに、フッ素化合物ガスおよびフッ素ガスから選ばれる少なくとも1種ならびに不活性ガスを含む混合ガスを気相流通下で接触させて、−10〜230℃の反応温度の範囲内で反応を行うことを特徴とするフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。
Specifically, the present invention relates to the following [1] to [12].
[1] A crystalline aluminosilicate is contacted with a mixed gas containing an inert gas and at least one selected from a fluorine compound gas and a fluorine gas under a gas phase flow, and the reaction temperature is within a range of −10 to 230 ° C. A method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate, wherein the reaction is carried out at

[2]前記の反応を0.01〜2MPaの圧力範囲内で行うことを特徴とする前記[1]に記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。
[3]不活性ガスが、窒素、ヘリウム、アルゴンおよびネオンから選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする前記[1]または[2]に記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。
[4]フッ素化合物が二フッ化カルボニルであることを特徴とする前記[1]〜[3]のいずれかに記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。
[2] The method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate according to [1], wherein the reaction is performed within a pressure range of 0.01 to 2 MPa.
[3] The method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate according to the above [1] or [2], wherein the inert gas is at least one selected from nitrogen, helium, argon and neon.
[4] The method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate according to any one of [1] to [3], wherein the fluorine compound is carbonyl difluoride.

[5]混合ガスにおけるフッ素化合物ガスおよびフッ素ガスから選ばれる少なくとも1種の濃度が0.09〜15vol%の範囲内であることを特徴とする前記[1]〜[4]のいずれかに記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。
[6]混合ガスを結晶性アルミノシリケートに接触させる空間速度(SV)が20〜5000Hr-1の範囲内であることを特徴とする前記[1]〜[5]のいずれかに記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。
[7]結晶性アルミノシリケートに混合ガスを接触させる前に、結晶性アルミノシリケートを不活性ガス流通下で、100〜550℃の温度範囲内で処理することを特徴とする前記[1]〜[6]のいずれかに記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。
[5] At least one concentration selected from a fluorine compound gas and a fluorine gas in the mixed gas is in the range of 0.09 to 15 vol%, and any one of the above [1] to [4] Of producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate.
[6] The fluorine-containing composition according to any one of [1] to [5], wherein a space velocity (SV) at which the mixed gas is brought into contact with the crystalline aluminosilicate is in the range of 20 to 5000 Hr −1. A method for producing crystalline aluminosilicate.
[7] The above-mentioned [1] to [1], wherein the crystalline aluminosilicate is treated within a temperature range of 100 to 550 ° C. under an inert gas flow before bringing the mixed gas into contact with the crystalline aluminosilicate. 6] The method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate according to any one of [6].

[8]結晶性アルミノシリケートのシリカ/アルミナ比がモル比で2以上であることを特徴とする前記[1]〜[7]のいずれかに記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。
[9]結晶性アルミノシリケートのシリカ/アルミナ比がモル比で5以上であることを特徴とする前記[1]〜[7]のいずれかに記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。
[8] The method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate according to any one of [1] to [7], wherein the crystalline aluminosilicate has a silica / alumina ratio of 2 or more in terms of molar ratio.
[9] The method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate according to any one of the above [1] to [7], wherein the crystalline aluminosilicate has a silica / alumina ratio of 5 or more in molar ratio.

[10]用いた結晶性アルミノシリケートの比表面積に対する得られたフッ素含有結晶性アルミノシリケートの比表面積の比率が30〜110%の範囲内であることを特徴とする前記[1]〜[9]のいずれかに記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。
[11]得られたフッ素含有結晶性アルミノシリケートの細孔分布をN2、用いた結晶性アルミノシリケートの細孔分布をN1としたとき、下記で定義される細孔分布変化率RNが±30%の範囲内であることを特徴とする前記[1]〜[10]のいずれかに記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。
[10] The above [1] to [9], wherein the ratio of the specific surface area of the obtained fluorine-containing crystalline aluminosilicate to the specific surface area of the crystalline aluminosilicate used is in the range of 30 to 110%. The manufacturing method of the fluorine-containing crystalline aluminosilicate in any one of.
[11] When the pore distribution of the obtained fluorine-containing crystalline aluminosilicate and N2, the pore distribution of the crystalline aluminosilicate used was N1, the pore distribution rate of change R N is ± 30 defined below %. The method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate according to any one of [1] to [10] above, wherein

Figure 2014237555
[12]得られたフッ素含有結晶性アルミノシリケートの重量をW2、用いた結晶性アルミノシリケートの重量をW1としたとき、下式で定義される重量変化率RWが±13%の範囲内であることを特徴とする前記[1]〜[11]のいずれかに記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。
Figure 2014237555
[12] weight of the obtained fluorine-containing crystalline aluminosilicate and W2, when the weight of the crystalline aluminosilicate used was W1, in the range weight change ratio R W defined by the following equation is ± 13% The method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate according to any one of the above [1] to [11].

Figure 2014237555
Figure 2014237555

本発明によれば、結晶性アルミノシリケートを簡便な方法で効率よくフッ素化して、比表面積や細孔径(分布)を一定の割合で維持するフッ素含有結晶性アルミノシリケートを安価に製造することができる。得られたフッ素含有結晶性アルミノシリケートは特殊な吸着剤や触媒等として使用することができる。   According to the present invention, a fluorine-containing crystalline aluminosilicate that efficiently fluorinates a crystalline aluminosilicate by a simple method and maintains a specific surface area and pore diameter (distribution) at a certain ratio can be produced at low cost. . The obtained fluorine-containing crystalline aluminosilicate can be used as a special adsorbent or catalyst.

以下、本発明の好ましい態様について詳しく説明する。
本発明は、結晶性アルミノシリケートに、フッ素化合物ガスおよびフッ素ガスから選ばれる少なくとも1種ならびに不活性ガスを含む混合ガスを気相流通下で接触させて、−10〜230℃の反応温度の範囲内で反応を行うことを特徴とするフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法である。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail.
In the present invention, a crystalline aluminosilicate is brought into contact with a mixed gas containing an inert gas and at least one selected from a fluorine compound gas and a fluorine gas under a gas phase flow, and a reaction temperature range of −10 to 230 ° C. It is the manufacturing method of the fluorine-containing crystalline aluminosilicate characterized by reacting in this.

本発明で原料として用いられる結晶性アルミノシリケートは、天然系および合成系のゼオライトであって、一般にはモレキュラーシーブとして知られ、陽イオンを含有する多種多様な結晶性アルミノシリケートが含まれる。結晶性アルミノシリケートとしては、シリカ/アルミナ比が2以上5未満と比較的小さい、例えばモレキュラーシーブ4A(ユニオン昭和株式会社製、シリカ/アルミナ比:2.0)、5A(ユニオン昭和株式会社製、シリカ/アルミナ比:2.0)、XH−7S(ユニオン昭和株式会社製、シリカ/アルミナ比:2.0)、S−8P(ユニオン昭和株式会社製、シリカ/アルミナ比:2.5)や13X(ユニオン昭和株式会社製、シリカ/アルミナ比:2.5)等を例示することができる。一方、ゼオライト中のシリカ/アルミナ比は可変的であり、例えば、シリカ/アルミナ比の大きいゼオライトであるゼオライトZSM−5はそのシリカ/アルミナ比は最少で5であるが、合成時に添加されるアルミニウムやナトリウム成分量を変化させることによりシリカ/アルミナ比が500以上である結晶性アルミノシリケートを合成することも可能である。このようなシリカ/アルミナ比が5以上である結晶性アルミノシリケートとしては、例えば、ZSM−5(シリカ/アルミナ比:5〜500)、Hisiv−1000(UOP社製、シリカ/アルミナ比:約6)、Hisiv−3000(UOP社製、シリカ/アルミナ比:約480)等を例示することができる。なお、上記シリカ/アルミナ比はモル比である。シリカ/アルミナ比が2以上5未満では、水分や有機物を吸着するために好ましく用いられる。また、シリカ/アルミナ比が5以上では疎水性となる傾向があり、水分の吸着量が減って有機物を吸着し易くなる。   The crystalline aluminosilicate used as a raw material in the present invention is a natural or synthetic zeolite, generally known as a molecular sieve, and includes a wide variety of crystalline aluminosilicates containing cations. As the crystalline aluminosilicate, the silica / alumina ratio is relatively small as 2 or more and less than 5, for example, molecular sieve 4A (made by Union Showa Co., Ltd., silica / alumina ratio: 2.0), 5A (made by Union Showa Co., Ltd.) Silica / alumina ratio: 2.0), XH-7S (Union Showa Co., Ltd., silica / alumina ratio: 2.0), S-8P (Union Showa Co., Ltd., silica / alumina ratio: 2.5) and 13X (Union Showa Co., Ltd., silica / alumina ratio: 2.5) etc. can be illustrated. On the other hand, the silica / alumina ratio in the zeolite is variable. For example, zeolite ZSM-5, which is a zeolite with a large silica / alumina ratio, has a minimum silica / alumina ratio of 5, but is added at the time of synthesis. It is also possible to synthesize a crystalline aluminosilicate having a silica / alumina ratio of 500 or more by changing the amount of sodium component. Examples of the crystalline aluminosilicate having a silica / alumina ratio of 5 or more include, for example, ZSM-5 (silica / alumina ratio: 5 to 500), Hisiv-1000 (manufactured by UOP, silica / alumina ratio: about 6). ), Hisiv-3000 (manufactured by UOP, silica / alumina ratio: about 480), and the like. The silica / alumina ratio is a molar ratio. When the silica / alumina ratio is 2 or more and less than 5, it is preferably used for adsorbing moisture and organic substances. Further, when the silica / alumina ratio is 5 or more, it tends to be hydrophobic, so that the amount of moisture adsorbed is reduced and the organic matter is easily adsorbed.

これらの結晶性アルミノシリケートにフッ素化合物ガスおよびフッ素ガスから選ばれる少なくとも1種(以下、基質ともいう)ならびに不活性ガスを含む混合ガスを接触させるが、これらの結晶性アルミノシリケートは通常水分を含有するため、反応(接触)前に、その水分を除去する前処理を行うことが好ましい。例えば基質が二フッ化カルボニル(COF2)ガスの場合、二フッ化カルボニルは水と反応してフッ化水素(HF)を生成し、細孔の閉塞、破壊に伴う細孔径減少や比表面積の著しい低下をもたらすので、結晶性アルミノシリケートに含まれる水分は、極力、反応(接触)前に除去する必要がある。水分を除去する方法としては、例えば、結晶性アルミノシリケートを不活性ガスのみの流通下で処理温度100〜550℃の範囲内で加熱処理する方法が挙げられる。処理温度は、より好ましくは、200〜500℃の範囲がよい。100℃より低い温度では、水分除去に時間を要し、550℃より高い温度では、細孔破壊が起こり好ましくない。不活性ガスとしては、安価な窒素が好ましく、ヘリウム、ネオンやアルゴンでもよい。処理時間は、ガス量や温度によって適宣、選択できるが、好ましくは1〜5時間がよい。 These crystalline aluminosilicates are contacted with a mixed gas containing at least one selected from a fluorine compound gas and a fluorine gas (hereinafter also referred to as a substrate) and an inert gas, but these crystalline aluminosilicates usually contain moisture. Therefore, it is preferable to perform a pretreatment to remove the moisture before the reaction (contact). For example, when the substrate is carbonyl difluoride (COF 2 ) gas, the carbonyl difluoride reacts with water to produce hydrogen fluoride (HF), resulting in pore diameter reduction and specific surface area due to pore clogging and destruction. Since it brings about a remarkable reduction, it is necessary to remove the water contained in the crystalline aluminosilicate as much as possible before the reaction (contact). As a method for removing moisture, for example, a method in which crystalline aluminosilicate is heat-treated at a treatment temperature of 100 to 550 ° C. under a flow of only an inert gas can be mentioned. The treatment temperature is more preferably in the range of 200 to 500 ° C. If the temperature is lower than 100 ° C., it takes time to remove the moisture. If the temperature is higher than 550 ° C., pore destruction occurs, which is not preferable. As the inert gas, inexpensive nitrogen is preferable, and helium, neon, or argon may be used. The treatment time can be appropriately selected depending on the gas amount and temperature, but preferably 1 to 5 hours.

このようにして適宜脱水分処理された結晶性アルミノシリケートに前記基質および不活性ガスを含む混合ガスを接触させる。接触させる方法には特に制限はないが、以下のような方法が挙げられる。   The mixed gas containing the substrate and the inert gas is brought into contact with the crystalline aluminosilicate that has been appropriately dehydrated in this manner. Although there is no restriction | limiting in particular in the method to contact, The following methods are mentioned.

結晶性アルミノシリケートは、例えば、反応器に充填される。反応器は固定床が好ましく、ガス流はダウンフロー、アップフローのどちらも選択できるが、好ましくはダウンフローである。反応器内部を所定温度に調整するため、例えば反応器を恒温槽に入れる。反応器は例えば2つの入口を備えている。まず反応器入口の一方より不活性ガスが反応器内に導入され、不活性ガス流通下で反応器に充填された結晶性アルミノシリケートは反応保持温度(t)に到達する。   The crystalline aluminosilicate is charged into a reactor, for example. The reactor is preferably a fixed bed, and the gas flow can be either downflow or upflow, but preferably downflow. In order to adjust the inside of the reactor to a predetermined temperature, for example, the reactor is placed in a thermostatic bath. The reactor has for example two inlets. First, an inert gas is introduced into the reactor from one of the reactor inlets, and the crystalline aluminosilicate charged in the reactor reaches the reaction holding temperature (t) under the inert gas flow.

不活性ガスとしては、窒素、ヘリウム、アルゴンおよびネオンから選ばれる少なくとも1種が好ましい。
反応器内の結晶性アルミノシリケートが不活性ガス流通下で反応温度に到達した後、反応器入口のもう一方より基質が導入され、反応器入口部で不活性ガスと混合されて混合ガスが生成する。すなわち、混合ガスは、フッ素化合物ガスおよびフッ素ガスから選ばれる少なくとも1種が不活性ガスで希釈されて生成されるガスである。この混合ガスが反応器内を流通して、反応器に充填された結晶性アルミノシリケートと接触して、フッ素化反応が行われる。
The inert gas is preferably at least one selected from nitrogen, helium, argon and neon.
After the crystalline aluminosilicate in the reactor reaches the reaction temperature under inert gas flow, the substrate is introduced from the other side of the reactor inlet and mixed with the inert gas at the reactor inlet to produce a mixed gas To do. That is, the mixed gas is a gas generated by diluting at least one selected from a fluorine compound gas and a fluorine gas with an inert gas. This mixed gas flows through the reactor and comes into contact with the crystalline aluminosilicate charged in the reactor to perform the fluorination reaction.

この反応により発熱が生じ、その発熱に基づく温度上昇の分だけ反応器内の温度が反応保持温度(t)より高くなることがある。本発明において、反応温度とは「反応保持温度(t)+最高発熱温度(Δt)」を意味する。   This reaction generates heat, and the temperature in the reactor may become higher than the reaction holding temperature (t) by the amount of temperature increase based on the heat generation. In the present invention, the reaction temperature means “reaction holding temperature (t) + maximum exothermic temperature (Δt)”.

反応温度は−10〜230℃が好ましい。−10℃より低い温度では、反応器を冷却するための設備費が大きくなり、コスト高になるので好ましくない。230℃より高い温度では部分的にフッ素化が進行し、細孔閉塞、比表面積が著しく低下する等の理由により好ましくない。より好ましくは、−10〜180℃である。   The reaction temperature is preferably −10 to 230 ° C. A temperature lower than −10 ° C. is not preferable because the equipment cost for cooling the reactor increases and the cost increases. When the temperature is higher than 230 ° C., fluorination partially proceeds, which is not preferable because of pore blockage and a significant decrease in specific surface area. More preferably, it is −10 to 180 ° C.

混合ガスに含まれる基質はフッ素化合物ガスおよびフッ素ガスから選ばれる少なくとも1種である。フッ素化合物としては、−20℃でガス状のフッ素化合物が好ましく、例えば二フッ化カルボニルおよび三フッ化窒素を挙げることができる。フッ素化合物ガスとして2種類以上を併用することもできる。前記基質としては、特に二フッ化カルボニルガスおよびフッ素ガスから選ばれる少なくとも1種が好ましい。二フッ化カルボニルは反応性に優れており、低温領域でも反応が進むために反応を制御し易く好ましい。   The substrate contained in the mixed gas is at least one selected from a fluorine compound gas and a fluorine gas. The fluorine compound is preferably a gaseous fluorine compound at −20 ° C., and examples thereof include carbonyl difluoride and nitrogen trifluoride. Two or more kinds of fluorine compound gases can be used in combination. The substrate is preferably at least one selected from carbonyl difluoride gas and fluorine gas. Carbonyl difluoride is excellent in reactivity, and the reaction proceeds even in a low temperature region, so that the reaction is easy to control and is preferable.

混合ガスにおける基質の濃度は0.09〜15vol%の範囲内が好ましく、より好ましくは0.15〜13vol%の範囲内である。0.09vol%より低いと、発熱を抑えるためにはよいが、一方でフッ素化の進行が遅い。15vol%より高いと、急激な発熱に伴う結晶性アルミノシリケートの細孔閉塞、破壊や比表面積の低下を招くことがある。   The concentration of the substrate in the mixed gas is preferably in the range of 0.09 to 15 vol%, more preferably in the range of 0.15 to 13 vol%. When it is lower than 0.09 vol%, it is good for suppressing heat generation, but on the other hand, the progress of fluorination is slow. When it is higher than 15 vol%, pores of the crystalline aluminosilicate accompanying rapid heat generation, breakage, or reduction in specific surface area may be caused.

混合ガスを結晶性アルミノシリケートに接触させる空間速度(SV)は20〜5000Hr-1の範囲内が好ましい。より好ましくは、100〜3000Hr-1の範囲内である。20Hr-1より小さいと、フッ素化に時間を要し、発熱制御が困難になることがある。5000Hr-1より大きいと、発熱制御はしやすいが、圧力が上昇する等の問題が生ずることがある。 The space velocity (SV) at which the mixed gas is brought into contact with the crystalline aluminosilicate is preferably in the range of 20 to 5000 Hr- 1 . More preferably, it is in the range of 100 to 3000 Hr −1 . If it is less than 20 Hr −1 , it takes time for fluorination, and heat generation control may be difficult. If it is greater than 5000 Hr −1 , heat generation control is easy, but problems such as an increase in pressure may occur.

反応器中の結晶性アルミノシリケートと混合ガスとを接触させ、反応を行うときの圧力は、0.01〜2MPaの範囲内であることが好ましい。より好ましくは、0.01〜1MPaの範囲内である。2MPaより高い圧力では、発熱制御が困難となり、また装置耐圧等の問題があり、経済的でない場合がある。0.01MPaより低い圧力では、フッ素化反応が進行しにくいことがある。   The pressure at which the crystalline aluminosilicate in the reactor is brought into contact with the mixed gas to carry out the reaction is preferably in the range of 0.01 to 2 MPa. More preferably, it is in the range of 0.01 to 1 MPa. When the pressure is higher than 2 MPa, it is difficult to control the heat generation, and there are problems such as device breakdown voltage, which may not be economical. At a pressure lower than 0.01 MPa, the fluorination reaction may not proceed easily.

このような条件下で目的物であるフッ素含有結晶性アルミノシリケートが得られる。得られたフッ素含有結晶性アルミノシリケートは以下のような物性を有することが好ましい。本発明のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法によれば、以下の物性を有するフッ素含有結晶性アルミノシリケートを効率よく簡便に、安価に製造することができる。   Under such conditions, the target fluorine-containing crystalline aluminosilicate can be obtained. The obtained fluorine-containing crystalline aluminosilicate preferably has the following physical properties. According to the method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate of the present invention, a fluorine-containing crystalline aluminosilicate having the following physical properties can be produced efficiently and simply at low cost.

用いる結晶性アルミノシリケートの比表面積に対する得られたフッ素含有結晶性アルミノシリケートの比表面積の比率、すなわち結晶性アルミノシリケートの比表面積をS1(m2/g)、フッ素含有結晶性アルミノシリケートの比表面積をS2(m2/g)としたとき、下記式で定義される比表面積率RSが30〜110%の範囲内であることが好ましい。より好ましくは、60〜105%である。 Ratio of the specific surface area of the obtained fluorine-containing crystalline aluminosilicate to the specific surface area of the crystalline aluminosilicate used, that is, the specific surface area of the crystalline aluminosilicate is S1 (m 2 / g), the specific surface area of the fluorine-containing crystalline aluminosilicate Is S2 (m 2 / g), the specific surface area ratio R S defined by the following formula is preferably in the range of 30 to 110%. More preferably, it is 60 to 105%.

Figure 2014237555
比表面積の低下は前述の如き、急激な発熱に伴う細孔閉塞、細孔破壊等が原因であり、比表面積が低下して、前記比率(S2/S1)が30%未満になると本来の目的である吸着性能が失われる場合がある。一方、前記比率(S2/S1)が110%より高くなると、本来の目的である吸着性能が失われることがある。
Figure 2014237555
The decrease in the specific surface area is caused by pore clogging or pore breakage due to rapid heat generation as described above. When the specific surface area decreases and the ratio (S2 / S1) is less than 30%, the original purpose is reached. The adsorption performance that is may be lost. On the other hand, if the ratio (S2 / S1) is higher than 110%, the original adsorption performance may be lost.

もう一つの重要な物性として、細孔分布がある。得られたフッ素含有結晶性アルミノシリケートの細孔分布をN2(nm)、用いる結晶性アルミノシリケートの細孔分布をN1(nm)としたとき、下記式で定義される細孔分布変化率RNが±30%の範囲内の細孔分布を有することが好ましい。より好ましくは、±20%である。 Another important physical property is pore distribution. When the pore distribution of the obtained fluorine-containing crystalline aluminosilicate is N2 (nm) and the pore distribution of the crystalline aluminosilicate used is N1 (nm), the pore distribution change rate R N defined by the following formula: Preferably has a pore distribution in the range of ± 30%. More preferably, it is ± 20%.

Figure 2014237555
細孔分布の低下も前述の如き、急激な発熱に伴う細孔閉塞、細孔破壊等が原因であり、細孔分布が低下して、細孔分布変化率RNが−30%より低くなると本来の目的である吸着性能が失われてしまう場合がある。一方、細孔分布変化率RNが30%より高くなると、本来の目的である吸着性能が失われることがある。
Figure 2014237555
Reduction in pore distribution be such as described above, the pore occlusion caused by rapid heating, the pore destruction is caused by pore distribution is decreased, the pore distribution rate of change R N is lower than -30% In some cases, the original adsorption performance may be lost. On the other hand, when the pore distribution rate of change R N is higher than 30%, the adsorption performance which is the original purpose is lost.

得られたフッ素含有結晶性アルミノシリケートの重量、重量変化率も重要である。
得られたフッ素含有結晶性アルミノシリケートの重量をW2、用いた結晶性アルミノシリケートの重量をW1としたとき、下記式で定義される重量変化率RWが±13%の範囲内であることが好ましい。より好ましくは、±10%である。
The weight and rate of weight change of the obtained fluorine-containing crystalline aluminosilicate are also important.
The weight of the obtained fluorine-containing crystalline aluminosilicate and W2, when the weight of the crystalline aluminosilicate using W1, have a weight change rate R W defined by the following formula is within a range of ± 13% preferable. More preferably, it is ± 10%.

Figure 2014237555
重量、重量変化率は前記の比表面積や細孔分布に関連があり、重量変化率がプラスに大きい場合は、フッ素化が過剰に進行し比表面積の低下や細孔閉塞、破壊が進んで、上記のように本来の目的である吸着性能が失われることがある。重量変化率がマイナスに大きい場合は、例えば結晶中のシリカがSiF4等として飛散しているなどが考えられる。
Figure 2014237555
Weight and rate of weight change are related to the specific surface area and pore distribution described above, and when the rate of weight change is positively large, fluorination proceeds excessively, leading to a decrease in specific surface area, pore clogging, and destruction, As described above, the adsorption performance which is the original purpose may be lost. When the weight change rate is negatively large, for example, silica in the crystal may be scattered as SiF 4 or the like.

このようにして得られたフッ素含有結晶性アルミノシリケートは、特殊な吸着剤として、また、異性化反応等の触媒として重要である。   The fluorine-containing crystalline aluminosilicate thus obtained is important as a special adsorbent and as a catalyst for isomerization reaction and the like.

以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
[実施例1]
(前処理工程)
内部に温度測定用の熱電対管および熱電対を備え、反応器入口を2つ有する外径25.4mmφ(内径22.1mm)、長さ150mmのSUS製反応器に、モレキュラーシーブ5A(ユニオン昭和(株)製、シリカ/アルミナ比:2.0(モル比)、比表面積:844.8m2/g、細孔分布:0.56nm)を20ml(14.6g)充填して、窒素ガス流通下で、温度400℃で3時間保持した。その後、窒素流通下で室温まで冷却した。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not limited only to these Examples.
[Example 1]
(Pretreatment process)
A SUS reactor with an outer diameter of 25.4 mmφ (inner diameter 22.1 mm) and a length of 150 mm, which has two thermocouple tubes and thermocouples for temperature measurement inside, and a molecular sieve 5A (Union Showa) 20 ml (14.6 g) of silica / alumina ratio: 2.0 (molar ratio), specific surface area: 844.8 m 2 / g, pore distribution: 0.56 nm) manufactured by Co., Ltd., and nitrogen gas flow And held at a temperature of 400 ° C. for 3 hours. Then, it cooled to room temperature under nitrogen circulation.

(フッ素化工程)
反応器内の温度を均一に保つため反応器を恒温槽に入れた。反応器入口の一方より窒素ガスを409.2ml/minの流速で流しながら反応器内の温度を30℃に保持した(反応保持温度(t):30℃)。その後、反応器入口のもう一方より二フッ化カルボニルガスを3.3ml/minの流速で供給した。反応器入口部で窒素ガスと二フッ化カルボニルガスとが混合して、混合ガス(二フッ化カルボニルガス濃度:0.8vol%)が生成された。この混合ガスが反応器内を流通し、反応器内に充填されたモレキュラーシーブ5Aと接触した。混合ガスを結晶性アルミノシリケートに接触させる空間速度(SV)は1238Hr-1であった。反応器内の圧力は0.13MPaであった。二フッ化カルボニルガスの導入直後より反応に伴う発熱が熱電対により観測された。最高発熱温度Δtは約45℃であり、Δtに達した後発熱は終息方向に向かった。反応開始2時間後に二フッ化カルボニルガスの供給を停止し、窒素ガスのみの供給を1時間継続した後、ガスの供給を停止した。反応器内に充填されたモレキュラーシーブ5Aがフッ素化されて生成されたフッ素含有モレキュラーシーブ5Aを反応器から取り出した。以下の物性、重量変化を測定した。結果を表1に示す。
(Fluorination process)
In order to keep the temperature inside the reactor uniform, the reactor was placed in a thermostatic bath. The temperature inside the reactor was maintained at 30 ° C. while flowing nitrogen gas from one side of the reactor at a flow rate of 409.2 ml / min (reaction holding temperature (t): 30 ° C.). Thereafter, carbonyl difluoride gas was supplied at a flow rate of 3.3 ml / min from the other side of the reactor inlet. Nitrogen gas and carbonyl difluoride gas were mixed at the inlet of the reactor to produce a mixed gas (carbonyl difluoride gas concentration: 0.8 vol%). This mixed gas circulated in the reactor and contacted the molecular sieve 5A filled in the reactor. The space velocity (SV) at which the mixed gas was brought into contact with the crystalline aluminosilicate was 1238 Hr −1 . The pressure in the reactor was 0.13 MPa. An exotherm accompanying the reaction was observed with a thermocouple immediately after the introduction of carbonyl difluoride gas. The maximum exothermic temperature Δt was about 45 ° C., and after reaching Δt, the exotherm headed toward the end. After 2 hours from the start of the reaction, the supply of carbonyl difluoride gas was stopped, the supply of only nitrogen gas was continued for 1 hour, and then the supply of gas was stopped. The fluorine-containing molecular sieve 5A produced by fluorination of the molecular sieve 5A charged in the reactor was taken out of the reactor. The following physical properties and weight changes were measured. The results are shown in Table 1.

(物性値)
比表面積(m2/g)及び細孔分布(nm)は、日本ベル(株)製、BELSORP−maxにて測定を実施した。
結晶性アルミノシリケートの比表面積をS1、フッ素含有結晶性アルミノシリケートの比表面積をS2とし、下記式で定義される比表面積率RSを算出した。
(Physical property value)
The specific surface area (m 2 / g) and pore distribution (nm) were measured by BELSORP-max manufactured by Nippon Bell Co., Ltd.
The specific surface area ratio R S defined by the following formula was calculated with S1 as the specific surface area of the crystalline aluminosilicate and S2 as the specific surface area of the fluorine-containing crystalline aluminosilicate.

Figure 2014237555
結晶性アルミノシリケートの細孔分布をN1、フッ素含有結晶性アルミノシリケートの細孔分布をN2とし、下記式で定義される細孔分布変化率RNを算出した。
Figure 2014237555
The pore distribution of the crystalline aluminosilicate N1, the pore distribution of the fluorine-containing crystalline aluminosilicate and N2, was calculated pore distribution rate of change R N is defined by the following equation.

Figure 2014237555
結晶性アルミノシリケートの重量W1およびフッ素含有結晶性アルミノシリケートの重量W2を測定し、下記式で定義される重量変化率RWを算出した。
Figure 2014237555
The crystalline aluminosilicate weight W1 and weight W2 of the fluorine-containing crystalline aluminosilicate silicate was measured to calculate the weight change ratio R W defined by the following equation.

Figure 2014237555
Figure 2014237555

[実施例2]
モレキュラーシーブ5Aの替わりにモレキュラーシーブ13X(ユニオン昭和(株)製、シリカ/アルミナ比:2.5(モル比)、比表面積:957.2m2/g、細孔分布:0.64nm)を使用した以外、実施例1に記載の(前処理工程)、(フッ素化工程)を同様な操作、条件にて実施し、フッ素含有モレキュラーシーブ13Xを得た。実施例1と同様に物性、重量変化を測定した。結果を表1に示す。
[Example 2]
Instead of molecular sieve 5A, molecular sieve 13X (manufactured by Union Showa Co., Ltd., silica / alumina ratio: 2.5 (molar ratio), specific surface area: 957.2 m 2 / g, pore distribution: 0.64 nm) is used. Except for the above, the (pretreatment step) and (fluorination step) described in Example 1 were carried out under the same operations and conditions to obtain a fluorine-containing molecular sieve 13X. The physical properties and weight changes were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

[実施例3]
モレキュラーシーブ5Aの替わりにモレキュラーシーブAW−500(ユニオン昭和(株)製、シリカ/アルミナ比:4.0(モル比)、比表面積:577.83m2/g、細孔分布:0.54nm)を使用した以外、実施例1に記載の(前処理工程)、(フッ素化工程)を同様な操作、条件にて実施し、フッ素含有モレキュラーシーブAW−500を得た。実施例1と同様に物性、重量変化を測定した。結果を表1に示す。
[Example 3]
Molecular sieve AW-500 (manufactured by Union Showa Co., Ltd., silica / alumina ratio: 4.0 (molar ratio), specific surface area: 577.83 m 2 / g, pore distribution: 0.54 nm) instead of molecular sieve 5A (Pretreatment step) and (Fluorination step) described in Example 1 were carried out under the same operations and conditions, except that a fluorine-containing molecular sieve AW-500 was obtained. The physical properties and weight changes were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

[実施例4]
モレキュラーシーブ5Aの替わりにモレキュラーシーブXH−7S(ユニオン昭和(株)製、シリカ/アルミナ比:2.0(モル比)、比表面積:24.34m2/g、細孔分布:0.81nm)を使用した以外、実施例1に記載の(前処理工程)、(フッ素化工程)を同様な操作、条件にて実施し、フッ素含有モレキュラーシーブXH−7Sを得た。実施例1と同様に物性、重量変化を測定した。結果を表1に示す。
[Example 4]
Instead of molecular sieve 5A, molecular sieve XH-7S (manufactured by Union Showa Co., Ltd., silica / alumina ratio: 2.0 (molar ratio), specific surface area: 24.34 m 2 / g, pore distribution: 0.81 nm) (Pretreatment step) and (Fluorination step) described in Example 1 were carried out under the same operations and conditions, except that Fluorine-containing molecular sieve XH-7S was obtained. The physical properties and weight changes were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

[実施例5]
モレキュラーシーブ5Aの替わりにモレキュラーシーブS−8P(ユニオン昭和(株)製、シリカ/アルミナ比:2.5(モル比)、比表面積:1080.1m2/g、細孔分布:0.69nm)を使用した以外、実施例1に記載の(前処理工程)、(フッ素化工程)を同様な操作、条件にて実施し、フッ素含有モレキュラーシーブS−8Pを得た。実施例1と同様に物性、重量変化を測定した。結果を表1に示す。
[Example 5]
Instead of molecular sieve 5A, molecular sieve S-8P (manufactured by Union Showa Co., Ltd., silica / alumina ratio: 2.5 (molar ratio), specific surface area: 1080.1 m 2 / g, pore distribution: 0.69 nm) (Pretreatment step) and (Fluorination step) described in Example 1 were carried out under the same operations and conditions, except that Fluorine-containing molecular sieve S-8P was obtained. The physical properties and weight changes were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

[実施例6]
モレキュラーシーブ5Aの替わりにモレキュラーシーブHisiv−1000(UOP(株)製、シリカ/アルミナ比:約6(モル比)、比表面積:637.5m2/g、細孔分布:0.74nm)を使用した以外、実施例1に記載の(前処理工程)、(フッ素化工程)を同様な操作、条件にて実施し、フッ素含有モレキュラーシーブHisiv−1000を得た。実施例1と同様に物性、重量変化を測定した。結果を表1に示す。
[Example 6]
In place of molecular sieve 5A, molecular sieve Hisiv-1000 (manufactured by UOP, silica / alumina ratio: about 6 (molar ratio), specific surface area: 637.5 m 2 / g, pore distribution: 0.74 nm) is used. Except for the above, the (pretreatment step) and (fluorination step) described in Example 1 were carried out under the same operations and conditions to obtain a fluorine-containing molecular sieve Hisiv-1000. The physical properties and weight changes were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

[実施例7]
モレキュラーシーブ5Aの替わりにモレキュラーシーブHisiv−3000(UOP(株)製、シリカ/アルミナ比:約480(モル比)、比表面積:520.5m2/g、細孔分布:0.51nm)を使用した以外、実施例1に記載の(前処理工程)、(フッ素化工程)を同様な操作、条件にて実施し、フッ素含有モレキュラーシーブHisiv−3000を得た。実施例1と同様に物性、重量変化を測定した。結果を表1に示す。
[Example 7]
Instead of molecular sieve 5A, molecular sieve Hisiv-3000 (manufactured by UOP, silica / alumina ratio: about 480 (molar ratio), specific surface area: 520.5 m 2 / g, pore distribution: 0.51 nm) is used. Except for the above, the (pretreatment step) and (fluorination step) described in Example 1 were carried out under the same operations and conditions to obtain a fluorine-containing molecular sieve Hisiv-3000. The physical properties and weight changes were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

[比較例1]
(前処理工程)
内部に温度測定用の熱電対管および熱電対を備え、反応器入口を2つ有する外径25.4mmφ(内径22.1mm)、長さ150mmのSUS製反応器に、モレキュラーシーブ5A(ユニオン昭和(株)製、シリカ/アルミナ比:2.0(モル比)、比表面積:844.8m2/g、細孔分布:0.56nm)を20ml(14.6g)充填して、窒素ガス流通下で、温度400℃で3時間保持した。その後、窒素流通下で室温まで冷却した。
[Comparative Example 1]
(Pretreatment process)
A SUS reactor with an outer diameter of 25.4 mmφ (inner diameter 22.1 mm) and a length of 150 mm, which has two thermocouple tubes and thermocouples for temperature measurement inside, and a molecular sieve 5A (Union Showa) 20 ml (14.6 g) of silica / alumina ratio: 2.0 (molar ratio), specific surface area: 844.8 m 2 / g, pore distribution: 0.56 nm) manufactured by Co., Ltd., and nitrogen gas flow And held at a temperature of 400 ° C. for 3 hours. Then, it cooled to room temperature under nitrogen circulation.

(フッ素化工程)
反応器内の温度を均一に保つため反応器を恒温槽に入れた。反応器入口の一方より窒素ガスを300ml/minの流速で流しながら反応器内の温度を170℃に保持した(反応保持温度(t):170℃)。その後、反応器入口のもう一方より二フッ化カルボニルガスを20.8ml/minの流速で供給した。反応器入口部で窒素ガスと二フッ化カルボニルガスとが混合して、混合ガス(二フッ化カルボニルガス濃度:6.48vol%)が生成された。この混合ガスが反応器内を流通し、反応器内に充填されたモレキュラーシーブ5Aと接触した。混合ガスを結晶性アルミノシリケートに接触させる空間速度(SV)はSV=962Hr-1であった。反応器内の圧力は0.10MPaであった。二フッ化カルボニルガスの導入直後より反応に伴う発熱が熱電対により観測された。最高発熱温度Δtは69.2℃であり、Δtに達した後発熱は終息方向に向かった。反応開始2時間後に二フッ化カルボニルガスの供給を停止し、窒素ガスのみの供給を1時間継続した後、室温まで冷却した。反応器内に充填されたモレキュラーシーブ5Aがフッ素化されて生成されたフッ素含有モレキュラーシーブ5Aを反応器から取り出した。実施例1と同様に物性、重量変化を測定した。結果を表1に示す。
(Fluorination process)
In order to keep the temperature inside the reactor uniform, the reactor was placed in a thermostatic bath. The temperature inside the reactor was maintained at 170 ° C. while flowing nitrogen gas from one side of the reactor at a flow rate of 300 ml / min (reaction holding temperature (t): 170 ° C.). Thereafter, carbonyl difluoride gas was supplied from the other inlet of the reactor at a flow rate of 20.8 ml / min. Nitrogen gas and carbonyl difluoride gas were mixed at the inlet of the reactor to produce a mixed gas (carbonyl difluoride gas concentration: 6.48 vol%). This mixed gas circulated in the reactor and contacted the molecular sieve 5A filled in the reactor. The space velocity (SV) at which the mixed gas was brought into contact with the crystalline aluminosilicate was SV = 962Hr −1 . The pressure in the reactor was 0.10 MPa. An exotherm accompanying the reaction was observed with a thermocouple immediately after the introduction of carbonyl difluoride gas. The maximum exothermic temperature Δt was 69.2 ° C., and after reaching Δt, the exotherm headed toward the end. The supply of carbonyl difluoride gas was stopped 2 hours after the start of the reaction, and the supply of only nitrogen gas was continued for 1 hour, and then cooled to room temperature. The fluorine-containing molecular sieve 5A produced by fluorination of the molecular sieve 5A charged in the reactor was taken out of the reactor. The physical properties and weight changes were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

[比較例2]
(前処理工程)
内部に温度測定用の熱電対管および熱電対を備え、反応器入口を2つ有する外径25.4mmφ(内径22.1mm)、長さ150mmのSUS製反応器に、モレキュラーシーブ13X(ユニオン昭和(株)製、シリカ/アルミナ比:2.5(モル比)、比表面積:957.2m2/g、細孔分布:0.64nm)を20ml充填して、窒素ガス流通下で、温度300℃で3時間保持した。その後、窒素流通下で室温まで冷却した。
[Comparative Example 2]
(Pretreatment process)
A molecular sieve 13X (Union Showa) was added to a SUS reactor having an outer diameter of 25.4 mmφ (inner diameter 22.1 mm) and a length of 150 mm, which is equipped with a thermocouple tube and thermocouple for temperature measurement, and has two reactor inlets. 20 ml of silica / alumina ratio: 2.5 (molar ratio), specific surface area: 957.2 m 2 / g, pore distribution: 0.64 nm, manufactured by Co., Ltd., and a temperature of 300 under nitrogen gas flow. Hold at 3 ° C. for 3 hours. Then, it cooled to room temperature under nitrogen circulation.

(フッ素化工程)
反応器内の温度を均一に保つため反応器を恒温槽に入れた。反応器入口の一方より窒素ガスを409.2ml/minの流速で流しながら反応器内の温度を160℃に保持した(反応保持温度(t):160℃)。その後、反応器入口のもう一方より二フッ化カルボニルガスを1.7ml/minの流速で供給した。反応器入口部で窒素ガスと二フッ化カルボニルガスとが混合して、混合ガス(二フッ化カルボニルガス濃度:0.41vol%)が生成された。この混合ガスが反応器内を流通し、反応器内に充填されたモレキュラーシーブ13Xと接触した。混合ガスを結晶性アルミノシリケートに接触させる空間速度(SV)はSV=1233Hr-1であった。反応器内の圧力は0.13MPaであった。二フッ化カルボニルガスの導入直後より反応に伴う発熱が熱電対により観測された。最高発熱温度Δtは81.0℃であり、Δtに達した後発熱は終息方向に向かった。反応開始4時間後に二フッ化カルボニルガスの供給を停止し、窒素ガスのみの供給を2時間継続した後、室温まで冷却した。反応器内に充填されたモレキュラーシーブ13Xがフッ素化されて生成されたフッ素含有モレキュラーシーブ13Xを反応器から取り出した。実施例1と同様に物性、重量変化を測定した。結果を表1に示す。
(Fluorination process)
In order to keep the temperature inside the reactor uniform, the reactor was placed in a thermostatic bath. The temperature in the reactor was maintained at 160 ° C. while flowing nitrogen gas from one side of the reactor at a flow rate of 409.2 ml / min (reaction holding temperature (t): 160 ° C.). Thereafter, carbonyl difluoride gas was supplied at a flow rate of 1.7 ml / min from the other side of the reactor inlet. Nitrogen gas and carbonyl difluoride gas were mixed at the inlet of the reactor to produce a mixed gas (carbonyl difluoride gas concentration: 0.41 vol%). This mixed gas circulated in the reactor and contacted the molecular sieve 13X filled in the reactor. The space velocity (SV) at which the mixed gas was brought into contact with the crystalline aluminosilicate was SV = 1233Hr −1 . The pressure in the reactor was 0.13 MPa. An exotherm accompanying the reaction was observed with a thermocouple immediately after the introduction of carbonyl difluoride gas. The maximum exothermic temperature Δt was 81.0 ° C., and after reaching Δt, the exotherm went to the end. The supply of carbonyl difluoride gas was stopped 4 hours after the start of the reaction, and the supply of only nitrogen gas was continued for 2 hours, and then cooled to room temperature. The fluorine-containing molecular sieve 13X produced by fluorination of the molecular sieve 13X charged in the reactor was taken out of the reactor. The physical properties and weight changes were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

[実施例8]
(前処理工程)
内部に温度測定用の熱電対管および熱電対を備え、反応器入口を2つ有する外径25.4mmφ(内径22.1mm)、長さ150mmのSUS製反応器に、モレキュラーシーブHisiv−3000(UOP(株)製、シリカ/アルミナ比:約480(モル比)、比表面積:520.5m2/g、細孔分布:0.51nm)を20ml充填して、窒素ガス流通下で、温度350℃で3時間保持した。その後、窒素流通下で室温まで冷却した。
[Example 8]
(Pretreatment process)
A SUS reactor having an outer diameter of 25.4 mmφ (inner diameter: 22.1 mm) and a length of 150 mm, which is provided with a thermocouple tube and a thermocouple for temperature measurement inside and having two reactor inlets, is connected to a molecular sieve Hisiv-3000 ( UOP Co., Ltd., silica / alumina ratio: about 480 (molar ratio), specific surface area: 520.5 m 2 / g, pore distribution: 0.51 nm) is filled with 20 ml, and the temperature is 350 under nitrogen gas flow. Hold at 3 ° C. for 3 hours. Then, it cooled to room temperature under nitrogen circulation.

(フッ素化工程)
反応器内の温度を均一に保つため反応器を恒温槽に入れた。反応器入口の一方より窒素ガスを409.2ml/minの流速で流しながら反応器内の温度を80℃に保持した(反応保持温度(t):80℃)。その後、反応器入口のもう一方よりフッ素ガスを1.13ml/minの流速で供給した。反応器入口部で窒素ガスとフッ素ガスとが混合して、混合ガス(フッ素ガス濃度:0.275vol%)が生成された。この混合ガスが反応器内を流通し、反応器内に充填されたモレキュラーシーブHisiv−3000と接触した。混合ガスを結晶性アルミノシリケートに接触させる空間速度(SV)は1231Hr-1であった。反応器内の圧力は0.13MPaであった。フッ素ガスの導入直後より反応に伴う発熱が熱電対により観測された。最高発熱温度Δtは8.6℃であり、Δtに達した後発熱は終息方向に向かった。反応開始3時間後にフッ素ガスの供給を停止し、窒素ガスのみの供給を2時間継続した後、室温まで冷却した。反応器内に充填されたモレキュラーシーブHisiv−3000がフッ素化されて生成されたフッ素含有モレキュラーシーブHisiv−3000を反応器から取り出した。実施例1と同様に物性、重量変化を測定した。結果を表1に示す。
(Fluorination process)
In order to keep the temperature inside the reactor uniform, the reactor was placed in a thermostatic bath. The temperature in the reactor was maintained at 80 ° C. while flowing nitrogen gas from one side of the reactor at a flow rate of 409.2 ml / min (reaction holding temperature (t): 80 ° C.). Thereafter, fluorine gas was supplied at a flow rate of 1.13 ml / min from the other side of the reactor inlet. Nitrogen gas and fluorine gas were mixed at the reactor inlet, and a mixed gas (fluorine gas concentration: 0.275 vol%) was produced. This mixed gas circulated in the reactor and contacted the molecular sieve Hisiv-3000 filled in the reactor. The space velocity (SV) at which the mixed gas was brought into contact with the crystalline aluminosilicate was 1231Hr- 1 . The pressure in the reactor was 0.13 MPa. The heat generated by the reaction was observed with a thermocouple immediately after the introduction of fluorine gas. The maximum exothermic temperature Δt was 8.6 ° C., and after reaching Δt, the exotherm turned toward the end. The supply of fluorine gas was stopped 3 hours after the start of the reaction, and the supply of only nitrogen gas was continued for 2 hours, and then cooled to room temperature. The fluorine-containing molecular sieve Hisiv-3000 produced by fluorination of the molecular sieve Hisiv-3000 charged in the reactor was taken out of the reactor. The physical properties and weight changes were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

Figure 2014237555
Figure 2014237555

Claims (12)

結晶性アルミノシリケートに、フッ素化合物ガスおよびフッ素ガスから選ばれる少なくとも1種ならびに不活性ガスを含む混合ガスを気相流通下で接触させて、−10〜230℃の反応温度の範囲内で反応を行うことを特徴とするフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。   A crystalline aluminosilicate is brought into contact with a mixed gas containing at least one selected from a fluorine compound gas and a fluorine gas and an inert gas under a gas phase flow, and the reaction is performed within a reaction temperature range of −10 to 230 ° C. A process for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate, characterized in that it is performed. 前記の反応を0.01〜2MPaの圧力範囲内で行うことを特徴とする請求項1に記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。   The method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate according to claim 1, wherein the reaction is performed within a pressure range of 0.01 to 2 MPa. 不活性ガスが、窒素、ヘリウム、アルゴンおよびネオンから選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1または2に記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。   The method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate according to claim 1 or 2, wherein the inert gas is at least one selected from nitrogen, helium, argon and neon. フッ素化合物が二フッ化カルボニルであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。   The method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate according to any one of claims 1 to 3, wherein the fluorine compound is carbonyl difluoride. 混合ガスにおけるフッ素化合物ガスおよびフッ素ガスから選ばれる少なくとも1種の濃度が0.09〜15vol%の範囲内であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。   The fluorine-containing crystalline alumino according to any one of claims 1 to 4, wherein the concentration of at least one selected from a fluorine compound gas and a fluorine gas in the mixed gas is within a range of 0.09 to 15 vol%. Manufacturing method of silicate. 混合ガスを結晶性アルミノシリケートに接触させる空間速度(SV)が20〜5000Hr-1の範囲内であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。 6. The fluorine-containing crystalline aluminosilicate according to claim 1, wherein a space velocity (SV) at which the mixed gas is brought into contact with the crystalline aluminosilicate is in the range of 20 to 5000 Hr −1. Method. 結晶性アルミノシリケートに混合ガスを接触させる前に、結晶性アルミノシリケートを不活性ガス流通下で、100〜550℃の温度範囲内で処理することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。   The crystalline aluminosilicate is treated in a temperature range of 100 to 550 ° C. under an inert gas flow before bringing the mixed gas into contact with the crystalline aluminosilicate. The manufacturing method of the fluorine-containing crystalline aluminosilicate of description. 結晶性アルミノシリケートのシリカ/アルミナ比がモル比で2以上であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。   The method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate according to any one of claims 1 to 7, wherein the silica / alumina ratio of the crystalline aluminosilicate is 2 or more in molar ratio. 結晶性アルミノシリケートのシリカ/アルミナ比がモル比で5以上であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。   The method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate according to any one of claims 1 to 7, wherein the silica / alumina ratio of the crystalline aluminosilicate is 5 or more in molar ratio. 用いた結晶性アルミノシリケートの比表面積に対する得られたフッ素含有結晶性アルミノシリケートの比表面積の比率が30〜110%の範囲内であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。   The ratio of the specific surface area of the obtained fluorine-containing crystalline aluminosilicate to the specific surface area of the crystalline aluminosilicate used is in the range of 30 to 110%, according to any one of claims 1 to 9 A method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate. 得られたフッ素含有結晶性アルミノシリケートの細孔分布をN2、用いた結晶性アルミノシリケートの細孔分布をN1としたとき、下記で定義される細孔分布変化率RNが±30%の範囲内であることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。
Figure 2014237555
The resulting fluorine-containing crystalline aluminosilicate pore distribution of silicate N2, when the crystalline aluminosilicate pore distribution N1 silicate using, pore distribution rate of change R N in the range of ± 30% as defined below The method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate according to any one of claims 1 to 10, wherein
Figure 2014237555
得られたフッ素含有結晶性アルミノシリケートの重量をW2、用いた結晶性アルミノシリケートの重量をW1としたとき、下式で定義される重量変化率RWが±13%の範囲内であることを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載のフッ素含有結晶性アルミノシリケートの製造方法。
Figure 2014237555
The weight of the obtained fluorine-containing crystalline aluminosilicate and W2, when the weight of the crystalline aluminosilicate used was W1, the weight change ratio R W which is defined by the following formula is within a range of ± 13% The method for producing a fluorine-containing crystalline aluminosilicate according to any one of claims 1 to 11.
Figure 2014237555
JP2013119791A 2013-06-06 2013-06-06 Method for producing fluorine-containing crystalline aluminosilicate Pending JP2014237555A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013119791A JP2014237555A (en) 2013-06-06 2013-06-06 Method for producing fluorine-containing crystalline aluminosilicate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013119791A JP2014237555A (en) 2013-06-06 2013-06-06 Method for producing fluorine-containing crystalline aluminosilicate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014237555A true JP2014237555A (en) 2014-12-18

Family

ID=52135091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013119791A Pending JP2014237555A (en) 2013-06-06 2013-06-06 Method for producing fluorine-containing crystalline aluminosilicate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014237555A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021015129A1 (en) * 2019-07-25 2021-01-28 東ソー株式会社 Hydrophobic zeolite, method for producing same and use of same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021015129A1 (en) * 2019-07-25 2021-01-28 東ソー株式会社 Hydrophobic zeolite, method for producing same and use of same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI816959B (en) Purification method of hexafluorobutadiene
EP3337778B1 (en) Methods for removing acidic impurities from halogenated propenes
JP2014237555A (en) Method for producing fluorine-containing crystalline aluminosilicate
JP5929588B2 (en) Method for purifying fluorinated hydrocarbon compounds
WO2014185321A1 (en) Purification method for dichloromethane, and production method for difluoromethane using said purification method
JP6380764B2 (en) Method for purifying fluorinated hydrocarbon compounds
TWI791907B (en) Production method of perfluorocycloolefin compound
CN107074700A (en) The manufacture method of fluomethane
JP5495642B2 (en) Method for purifying carbonyl difluoride
JP4666874B2 (en) Purification and production method of pentafluoroethane and use thereof
JP7321989B2 (en) Method for dehydrating fluorine-containing hydrocarbon compound
US10703696B2 (en) Method for isomerizing organic compound, and method for producing isomer of organic compound
KR102074832B1 (en) Method for refining of high purity tetrafluoromethane
WO2022069434A1 (en) A process for the purification of fluorinated olefins in gas phase
CN114040903A (en) Process for producing alkane
JP2014144941A (en) Method of producing vinyl chloride monomer
JP2005336164A (en) Method for purification of 1, 1-dichloroethane and process for production of 1, 1-difluoroethane using the method
JP2015086185A (en) Method of producing methylacetylene
JP2005053805A (en) Method for producing pentafluoroethane and use thereof