JP2014236060A - Cooling system, cooling method, and substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cooling system which stabilizes cooling performance and stably supplies a gaseous cooling medium without providing a large size buffer tank.SOLUTION: A cooling system 100 cools a cooling object by using a gaseous cooling medium in a device having the cooling object. The cooling system 100 includes: a circulation line 11 in which the gaseous cooling medium circulates; a cooling line 17 which is connected with the circulation line 11 and supplies the cooling medium to the cooling object; a compressor 12 which is provided at the circulation line 11, compresses the cooling medium, and circulates the cooling medium; and a cooling mechanism 14 which is provided at the circulation line 11 and cools the cooling medium supplied to the cooling line 17 to a predetermined temperature.

Description

本発明は、冷却対象を有する装置おいて、冷却対象を気体状の冷却媒体により冷却する冷却システムおよび冷却方法、ならびに冷却システムを用いた基板処理装置に関する。   The present invention relates to a cooling system and a cooling method for cooling an object to be cooled with a gaseous cooling medium in an apparatus having the object to be cooled, and a substrate processing apparatus using the cooling system.

ＦＰＤや太陽電池等の基板の製造過程においては、所定の膜を成膜する成膜処理やドライエッチング処理が存在する。このような成膜処理やドライエッチング処理を行う場合、基板が所定の温度になるように温度制御を行う必要があり、そのために基板載置台にヒーターおよび冷却媒体流路を設けてヒーターによる加熱および冷却媒体による冷却により基板の温度制御を行っている（例えば特許文献１）。   In the process of manufacturing a substrate such as an FPD or a solar cell, there are a film forming process for forming a predetermined film and a dry etching process. When performing such film formation processing or dry etching processing, it is necessary to control the temperature so that the substrate has a predetermined temperature. For this purpose, a heater and a cooling medium flow path are provided on the substrate mounting table, and heating with the heater is performed. The temperature of the substrate is controlled by cooling with a cooling medium (for example, Patent Document 1).

冷却のための冷却媒体としては液体状のものおよび気体状のものを用いることができるが、気体状の冷却媒体を用いる場合には、通常、工場設備等の一括供給ラインからの窒素ガスを使用する。   Liquid and gaseous cooling media can be used for cooling, but when gaseous cooling media are used, nitrogen gas from a batch supply line such as factory equipment is usually used. To do.

一方、このような成膜処理やドライエッチング処理を効率的に行うための装置として、複数の処理部（処理チャンバ）を備えたマルチチャンバ型処理装置が知られている（例えば特許文献２）。このようなマルチチャンバ型処理装置では、処理チャンバごとに、基板載置台の温度制御を行っており、気体状の冷却媒体として工場設備等の一括供給ラインからの窒素ガスを使用する場合には、一括供給ラインから各処理チャンバに窒素ガスが供給される。   On the other hand, a multi-chamber processing apparatus including a plurality of processing units (processing chambers) is known as an apparatus for efficiently performing such film formation processing and dry etching processing (for example, Patent Document 2). In such a multi-chamber type processing apparatus, the temperature of the substrate mounting table is controlled for each processing chamber, and when nitrogen gas from a batch supply line such as factory equipment is used as a gaseous cooling medium, Nitrogen gas is supplied from the batch supply line to each processing chamber.

特開２０１１−１９０５１９号公報JP 2011-190519 A 特開平１１−３１２７２７号公報JP 11-31727 A

しかし、気体状の冷却媒体として工場設備等の一括供給ラインの窒素ガスを使用する場合、他の装置の使用状況などにより流量が変動し、安定した冷却能力を得ることが困難である。また、コンプレッサ等で気体冷媒を循環させる場合、装置側の使用状況の変化により負荷変動が起きると、運転状態が不安定になり供給能力が変動してしまうおそれがある。これを解消するためには設備側に大型のバッファタンクを設ける必要があり設備負担が大きくなってしまい、さらに、バッファタンクを設置するスペースを確保できない工場では、供給能力の変動を解消することができないという問題も生じてしまう。   However, when nitrogen gas in a batch supply line of factory equipment or the like is used as a gaseous cooling medium, the flow rate varies depending on the usage status of other devices, and it is difficult to obtain a stable cooling capacity. Further, when the gas refrigerant is circulated by a compressor or the like, if the load fluctuates due to a change in the usage state on the apparatus side, the operation state may become unstable and the supply capacity may fluctuate. In order to solve this problem, it is necessary to install a large buffer tank on the facility side, which increases the burden on the facility. Furthermore, in a factory where it is not possible to secure a space for installing the buffer tank, it is possible to eliminate fluctuations in supply capacity. The problem of being unable to do so also arises.

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、冷却能力が安定し、かつ大型のバッファタンクを設けることなく気体状の冷却媒体を安定して供給することができる冷却システムおよび冷却方法、ならびにそのような冷却システムを用いた基板処理装置を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, a cooling system and a cooling method capable of stably supplying a gaseous cooling medium without providing a large buffer tank with a stable cooling capacity, It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus using such a cooling system.

上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、冷却対象を有する装置において、冷却対象を気体状の冷却媒体により冷却する冷却システムであって、気体状の冷却媒体が循環する循環ラインと、前記循環ラインに接続され、前記冷却対象に前記冷却媒体を供給する冷却ラインと、前記循環ラインに設けられ、前記冷却媒体を圧縮し循環させるコンプレッサと、前記循環ラインに設けられ、前記冷却ラインに供給される前記冷却媒体を所定温度に冷却する冷却機構とを具備することを特徴とする冷却システムを提供する。   In order to solve the above problems, according to a first aspect of the present invention, in a device having a cooling target, a cooling system that cools the cooling target with a gaseous cooling medium, in which the gaseous cooling medium circulates. A cooling line connected to the circulation line and supplying the cooling medium to the object to be cooled; a compressor provided in the circulation line for compressing and circulating the cooling medium; and provided in the circulation line, the cooling line And a cooling mechanism for cooling the cooling medium supplied to the line to a predetermined temperature.

上記第１の観点において、前記冷却ラインに接続され、前記冷却対象をバイパスするバイパスラインと、前記冷却媒体の流路を前記冷却対象と前記バイパスラインとで切り替える切替機構とを具備してもよい。この場合に、前記バイパスラインの前記冷却媒体の流量を調節して前記バイパスラインのコンダクタンスを前記冷却対象のコンダクタンスに合わせる流量調節機構を具備してもよい。   The first aspect may include a bypass line connected to the cooling line and bypassing the cooling target, and a switching mechanism that switches a flow path of the cooling medium between the cooling target and the bypass line. . In this case, a flow rate adjusting mechanism that adjusts the flow rate of the cooling medium in the bypass line to adjust the conductance of the bypass line to the conductance of the cooling target may be provided.

前記冷却機構は、前記コンプレッサの後段に設けられた後段クーラーを有する構成とすることができ、また、前記冷却機構は、前記コンプレッサの前段に設けられた前段クーラーを有する構成であってもよい。また、前記冷却媒体としては窒素ガスを用いることができる。   The cooling mechanism may be configured to have a rear cooler provided at the rear stage of the compressor, and the cooling mechanism may be configured to include a front stage cooler provided at the front stage of the compressor. Further, nitrogen gas can be used as the cooling medium.

本発明の第２の観点では、冷却対象を有する装置において、冷却対象を気体状の冷却媒体により冷却する冷却方法であって、コンプレッサにより循環ライン内に気体状の冷却媒体を循環させ、冷却機構により所定の温度に冷却した前記冷却媒体を前記循環ラインに接続された冷却ラインに流して、前記冷却対象に前記冷却媒体を供給することにより冷却対象を冷却することを特徴とする冷却方法を提供する。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a cooling method for cooling an object to be cooled by a gaseous cooling medium in an apparatus having the object to be cooled, wherein the gaseous cooling medium is circulated in a circulation line by a compressor, and a cooling mechanism is provided. A cooling method is provided in which the cooling medium is cooled to a predetermined temperature by flowing the cooling medium to a cooling line connected to the circulation line and supplying the cooling medium to the cooling object. To do.

上記第１の観点および第２の観点において、前記冷却対象および前記冷却ラインを複数有し、複数の前記冷却ラインは、各々並列に前記循環ラインに接続されていることが好ましい。また、前記冷却対象として、マルチチャンバ型基板処理装置の基板処理部にそれぞれ設けられた基板載置台を適用することができる。   In the first aspect and the second aspect, it is preferable that a plurality of the cooling objects and the cooling lines are provided, and the plurality of cooling lines are connected to the circulation line in parallel. In addition, a substrate mounting table provided in each of the substrate processing units of the multi-chamber type substrate processing apparatus can be applied as the cooling target.

上記第２の観点において、前記冷却対象をバイパスするバイパスラインを前記冷却ラインに接続して設け、冷却を行わない冷却対象について、切替機構により冷却媒体の流路を前記バイパスラインに切り替えるようにしてもよい。この場合、前記バイパスラインに前記冷却媒体を流す際に、前記バイパスラインのコンダクタンスを前記冷却対象のコンダクタンスに合わせるように、前記バイパスラインにおける前記冷却媒体の流量を調節してもよい。   In the second aspect, a bypass line that bypasses the cooling target is connected to the cooling line, and the cooling medium flow path is switched to the bypass line by a switching mechanism for the cooling target that is not cooled. Also good. In this case, when the cooling medium flows through the bypass line, the flow rate of the cooling medium in the bypass line may be adjusted so that the conductance of the bypass line matches the conductance of the cooling target.

本発明の第３の観点では、複数の基板処理部を有し、前記基板処理部により所定の基板処理を行う基板処理装置であって、各基板処理部は、基板を載置する基板載置台と、前記基板載置台に載置された基板に対して所定の処理を行う処理機構とを有し、前記基板処理装置は、前記複数の基板処理部の各基板載置台に気体状の冷却媒体を供給して冷却する冷却システムを具備し、前記冷却システムは、前記冷却媒体が循環する循環ラインと、前記循環ラインに接続され、複数の前記基板処理部の前記基板載置台にそれぞれ前記冷却媒体を供給する複数の冷却ラインと、前記循環ラインに設けられ、前記冷却媒体を圧縮し循環させるコンプレッサと、前記循環ラインに設けられ、前記冷却ラインに供給される前記冷却媒体を所定温度に冷却する冷却機構とを有することを特徴とする基板処理装置を提供する。   According to a third aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus having a plurality of substrate processing units and performing a predetermined substrate processing by the substrate processing unit, wherein each substrate processing unit mounts a substrate. And a processing mechanism for performing a predetermined process on the substrate placed on the substrate mounting table, wherein the substrate processing apparatus includes a gaseous cooling medium on each substrate mounting table of the plurality of substrate processing units. The cooling system is connected to the circulation line through which the cooling medium circulates, and the cooling medium is respectively connected to the substrate mounting table of the plurality of substrate processing units. A plurality of cooling lines that supply the cooling medium, a compressor that is provided in the circulation line and compresses and circulates the cooling medium, and is provided in the circulation line and cools the cooling medium that is supplied to the cooling line to a predetermined temperature. cold To provide a substrate processing apparatus characterized by having a mechanism.

本発明によれば、メインの循環ラインを設け、この循環ラインにコンプレッサにより気体状の冷却媒体を循環させ、冷却機構により所定の温度に冷却した冷却媒体を循環ラインに設けられた冷却ラインに流して冷却対象に冷却媒体を供給することにより冷却対象を冷却するので、従来のように、工場設備等の一括供給ラインの窒素ガスを使用する場合とは異なり、他の装置の使用状況により気体状の冷却媒体の流量不足が生じるおそれがなく、設備側に大型のバッファタンクを設けなくても、安定して気体状の冷却媒体を供給することができる。   According to the present invention, a main circulation line is provided, a gaseous cooling medium is circulated in the circulation line by a compressor, and the cooling medium cooled to a predetermined temperature by the cooling mechanism is caused to flow to the cooling line provided in the circulation line. The cooling target is cooled by supplying the cooling medium to the cooling target, and unlike conventional cases where nitrogen gas is used in the batch supply line of factory equipment, etc. There is no possibility that the flow rate of the cooling medium will be insufficient, and the gaseous cooling medium can be stably supplied without providing a large buffer tank on the facility side.

本発明の一実施形態に係る冷却システムを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cooling system which concerns on one Embodiment of this invention. 冷却システムで冷却される基板載置台を有する成膜処理部の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the film-forming process part which has a substrate mounting base cooled with a cooling system. 図１の冷却システムの変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the cooling system of FIG.

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る冷却システムを示す模式図である。
本実施形態の冷却システム１００は、基板に対して成膜処理を行うマルチチャンバ型成膜処理装置に搭載された複数の成膜処理部に、個別的に気体状の冷却媒体である窒素ガス（Ｎ２ガス）を供給するものである。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram showing a cooling system according to an embodiment of the present invention.
The cooling system 100 according to the present embodiment has a plurality of film forming units mounted on a multi-chamber type film forming apparatus that performs a film forming process on a substrate. N 2 gas).

この冷却システム１００は、メインの循環ライン１１と、循環ライン１１に設けられたコンプレッサ１２と、循環ライン１１におけるコンプレッサ１２の前後に設けられた前段クーラー１３および後段クーラー１４と、循環ライン１１にＮ２ガスを供給するガス供給ライン１５と、循環ライン１１からＮ２ガスを排出するガス排出ライン１６と、複数の成膜処理部２１に対応して設けられ、各々並列に循環ライン１１に接続された冷却ライン１７と、冷却対象をバイパスするバイパスライン１８と、制御部１９とを有する。 The cooling system 100 includes a main circulation line 11, a compressor 12 provided in the circulation line 11, front and rear coolers 13 and 14 provided before and after the compressor 12 in the circulation line 11, and N in the circulation line 11. a gas supply line 15 for supplying 2 gas, a gas discharge line 16 for discharging the N 2 gas from the circulation line 11, provided corresponding to the plurality of film deposition unit 21, each connected to a circulation line 11 in parallel A cooling line 17, a bypass line 18 that bypasses the object to be cooled, and a control unit 19.

メインの循環ライン１１は、気体状の冷却媒体であるＮ２ガスが循環される。循環ライン１１は、各成膜処理部２１にＮ２ガスを供給する供給口２８を有する後段クーラー１４下流側の前半部１１ａと、各成膜処理部２１からＮ２ガスが排出される排出口２９を有する後半部１１ｂとを有している。 In the main circulation line 11, N 2 gas which is a gaseous cooling medium is circulated. The circulation line 11 includes a front half part 11a on the downstream side of the rear-stage cooler 14 having a supply port 28 for supplying N 2 gas to each film forming unit 21, and an exhaust port through which the N 2 gas is discharged from each film forming unit 21. 29 and the latter half part 11b.

コンプレッサ１２は循環ライン１１のＮ２ガスを昇圧して循環ライン１１中を循環させるためのものである。また、前段クーラー１３は、各成膜処理部２１内で熱交換することにより温度が上昇したＮ２ガスを冷却するためのものであり、コンプレッサ１２に高温のＮ２ガスが導入されることを防止する機能を有している。また、後段クーラー１４は、コンプレッサ１２により圧縮されて温度が上昇したＮ２ガスを所定温度に冷却するものであり、各成膜処理部２１に供給されるＮ２ガスを所定の温度に調整する機能を有する。前段クーラー１３および後段クーラー１４は、冷却水等の冷却媒体が流れる屈曲したパイプを内蔵しており、供給されたＮ２ガスが冷却媒体により冷却される。 The compressor 12 is for increasing the pressure of the N 2 gas in the circulation line 11 and circulating it in the circulation line 11. Further, the pre-cooler 13 is for cooling the N 2 gas whose temperature has been increased by heat exchange in each film forming processing unit 21, and that the high-temperature N 2 gas is introduced into the compressor 12. It has a function to prevent. Further, the rear-stage cooler 14 cools the N 2 gas compressed by the compressor 12 to a predetermined temperature, and adjusts the N 2 gas supplied to each film forming unit 21 to a predetermined temperature. It has a function. The front-stage cooler 13 and the rear-stage cooler 14 incorporate a bent pipe through which a cooling medium such as cooling water flows, and the supplied N 2 gas is cooled by the cooling medium.

各成膜処理部２１に対応する冷却ライン１７は循環ライン１１に接続されている。具体的には、冷却ライン１７は、循環ライン１１の前段部１１ａの供給口２８から成膜処理部２１内の冷却対象である基板載置台（後述）にＮ２ガスを供給する供給部１７ａと、その基板載置台から循環ライン１１の後段部１１ｂの排出口２９へＮ２ガスを排出する排出部１７ｂと、基板載置台内のガス流路１７ｃとを有する。供給部１７ａには供給口２８側から順に流量調節のためのニードルバルブ２２と開閉バルブ２３が設けられている。また排出部１７ｂには開閉バルブ２４が設けられている。 The cooling line 17 corresponding to each film forming unit 21 is connected to the circulation line 11. Specifically, the cooling line 17 includes a supply unit 17 a that supplies N 2 gas from a supply port 28 of the front stage unit 11 a of the circulation line 11 to a substrate mounting table (described later) in the film forming unit 21. , A discharge portion 17b for discharging N 2 gas from the substrate mounting table to the discharge port 29 of the rear stage portion 11b of the circulation line 11, and a gas flow path 17c in the substrate mounting table. The supply portion 17a is provided with a needle valve 22 and an opening / closing valve 23 for adjusting the flow rate in order from the supply port 28 side. The discharge portion 17b is provided with an opening / closing valve 24.

バイパスライン１８は、冷却ライン１７の供給部１７ａと排出部１７ｂとを繋ぐように設けられ、冷却対象である基板載置台をバイパスするように設けられている。バイパスライン１８には、冷却ライン１７の供給部１７ａ側から順に開閉バルブ２５と流量調節のためのニードルバルブ２６とが設けられている。   The bypass line 18 is provided so as to connect the supply unit 17 a and the discharge unit 17 b of the cooling line 17, and is provided so as to bypass the substrate mounting table to be cooled. The bypass line 18 is provided with an open / close valve 25 and a needle valve 26 for adjusting the flow rate in order from the supply part 17a side of the cooling line 17.

バイパスライン１８は、対応する成膜処理部２１において基板載置台の冷却を行う場合には使用されず、対応する成膜処理部２１で基板載置台の冷却を行わない場合に使用される。すなわち、対応する成膜処理部２１で基板載置台の冷却を行う場合には、開閉バルブ２３および２４を開成し、開閉バルブ２５を閉成してＮ２ガスがガス流路１７ｃに流れるようにされ、対応する成膜処理部で基板載置台の冷却を行わない場合には、開閉バルブ２３および２４を閉成し、開閉バルブ２５を開成してバイパスライン１８にＮ２ガスが流れるようにされる。このとき、ニードルバルブ２６によりバイパスライン１８の流量を調節し、バイパスライン１８を流れた場合のコンダクタンスを、基板載置台内のガス流路１７ｃを流れた場合のコンダクタンスに合わせることができるようになっている。コンダクタンスの制御は、流量計によりＮ２ガスの流量を測定し、その値に基づいて行ってもよいし、コンプレッサ１２の回転数に基づいて行ってもよい。 The bypass line 18 is not used when the substrate mounting table is cooled in the corresponding film forming processing unit 21, and is used when the substrate forming table is not cooled in the corresponding film forming processing unit 21. That is, when the substrate deposition table is cooled by the corresponding film formation processing unit 21, the opening / closing valves 23 and 24 are opened, the opening / closing valve 25 is closed, and the N 2 gas flows into the gas flow path 17c. If the substrate mounting table is not cooled in the corresponding film formation processing unit, the open / close valves 23 and 24 are closed, the open / close valve 25 is opened, and N 2 gas flows through the bypass line 18. The At this time, the flow rate of the bypass line 18 is adjusted by the needle valve 26, and the conductance when flowing through the bypass line 18 can be matched with the conductance when flowing through the gas flow path 17c in the substrate mounting table. ing. The conductance may be controlled based on the flow rate of N 2 gas measured by a flow meter and based on the measured value, or based on the rotational speed of the compressor 12.

なお、循環ライン１１に不図示のコンダクタンスバルブを設けてもよい。   Note that a conductance valve (not shown) may be provided in the circulation line 11.

制御部１９は、コンピュータ（マイクロプロセッサ）を備えており、各構成部、例えば、コンプレッサ１２、前段クーラー１３、後段クーラー１４、ニードルバルブ２２，２６、開閉バルブ２３，２４，２５等を制御するようになっている。制御部１９は、マルチチャンバ型成膜処理装置の全体制御部（図示せず）の指令に基づいて所定の処理レシピを実行するようになっており、そのために必要な制御パラメータやレシピを記憶した記憶部や、入力手段およびディスプレイを備えている。   The control unit 19 includes a computer (microprocessor) and controls each component, for example, the compressor 12, the front cooler 13, the rear cooler 14, the needle valves 22, 26, the open / close valves 23, 24, 25, and the like. It has become. The control unit 19 is configured to execute a predetermined processing recipe based on a command from an overall control unit (not shown) of the multi-chamber type film forming apparatus, and stores control parameters and recipes necessary for that purpose. A storage unit, input means, and a display are provided.

マルチチャンバ型成膜処理装置は、多角形をなす共通の搬送室（図示せず）を有しており、複数の成膜処理部２１は、ゲートバルブ（図示せず）を介して搬送室に接続されている。そして、搬送室を真空状態に保ったまま、その中に設けられた搬送装置（図示せず）により、ゲートバルブを開放した状態で各成膜処理部２１に対する基板の搬入および搬出が行えるようになっている。基板には特に制限はないが、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）基板や太陽電池用基板等の矩形基板が例示される。   The multi-chamber type film forming apparatus has a common transfer chamber (not shown) having a polygonal shape, and a plurality of film forming units 21 are connected to the transfer chamber via gate valves (not shown). It is connected. Then, while the transfer chamber is kept in a vacuum state, a transfer device (not shown) provided therein can carry the substrate into and out of each film forming unit 21 with the gate valve opened. It has become. Although there is no restriction | limiting in particular in a board | substrate, Rectangular substrates, such as a flat panel display (FPD) board | substrate and a board | substrate for solar cells, are illustrated.

次に、成膜処理部２１の具体的な構成例について説明する。
図２は成膜処理部の一例を示す断面図である。成膜処理部２１は、複数の基板に対して一括して成膜処理を行うものであり、複数の基板を収容するチャンバ３１を有している。チャンバ３１内には、それぞれ基板Ｓを載置する複数の基板載置台３２を有している。これら基板載置台３２は、鉛直方向に沿って所定の間隔をおいて配置されている。基板載置台３２は支持部材３３によりチャンバ３１に支持されている。 Next, a specific configuration example of the film forming unit 21 will be described.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a film forming unit. The film formation processing unit 21 performs a film formation process on a plurality of substrates at a time, and includes a chamber 31 that accommodates the plurality of substrates. The chamber 31 has a plurality of substrate mounting tables 32 on which the substrates S are mounted. These substrate mounting tables 32 are arranged at predetermined intervals along the vertical direction. The substrate mounting table 32 is supported by the chamber 31 by a support member 33.

基板載置台３２は、平面形状が基板Ｓに対応する矩形状をなしている。基板載置台３２の内部には、基板載置台３２を冷却するための上述した冷却ライン１７のガス流路１７ｃと、基板載置台３２を加熱するためのヒーター３４が設けられている。   The substrate mounting table 32 has a rectangular shape corresponding to the substrate S in plan view. Inside the substrate mounting table 32, the above-described gas flow path 17 c of the cooling line 17 for cooling the substrate mounting table 32 and a heater 34 for heating the substrate mounting table 32 are provided.

冷却ライン１７の供給部１７ａおよび排出部１７ｂは、上方からチャンバ３１内に垂直に挿入されており、複数の基板載置台３２を挟んで対向するように設けられている。供給部１７ａおよび排出部１７ｂからは、それぞれ各基板載置台３２のガス流路１７ｃに接続される供給側接続配管１７ｄおよび排出側接続配管１７ｅが延びている。   The supply unit 17a and the discharge unit 17b of the cooling line 17 are vertically inserted into the chamber 31 from above, and are provided so as to face each other with the plurality of substrate platforms 32 interposed therebetween. A supply side connection pipe 17d and a discharge side connection pipe 17e connected to the gas flow path 17c of each substrate mounting table 32 extend from the supply part 17a and the discharge part 17b, respectively.

ヒーター３４はヒーター電源（図示せず）から給電されて発熱するようになっている。ヒーター電源への給電はヒーター制御部（図示せず）により制御される。   The heater 34 is supplied with power from a heater power source (not shown) and generates heat. Power supply to the heater power supply is controlled by a heater control unit (not shown).

そして、上述したマルチチャンバ型成膜処理装置の全体制御部からの指令に基づいて、冷却システム１００の制御部１９によりＮ２ガスの流量を制御するとともに、ヒーター制御部によりヒーター電源の出力を制御することによって、基板載置台３２の温度が制御される。 Based on a command from the overall control unit of the multi-chamber type film forming apparatus described above, the control unit 19 of the cooling system 100 controls the flow rate of N 2 gas, and the heater control unit controls the output of the heater power supply. By doing so, the temperature of the substrate mounting table 32 is controlled.

チャンバ３１の天壁にはガス導入口４１が形成されており、ガス導入口４１にはガス供給配管４２が接続されている。このガス供給配管４２には、成膜ガス供給系４３から成膜のために用いられる成膜ガスが供給され、成膜ガスはガス導入口４１を経てチャンバ３１内に導入される。成膜ガスとしては、成膜しようとする膜の材料を含む原料ガス、原料ガスと反応する反応ガス等を挙げることができる。   A gas inlet 41 is formed in the top wall of the chamber 31, and a gas supply pipe 42 is connected to the gas inlet 41. A film forming gas used for film formation is supplied from the film forming gas supply system 43 to the gas supply pipe 42, and the film forming gas is introduced into the chamber 31 through the gas inlet 41. Examples of the film forming gas include a source gas containing a material of a film to be formed, a reaction gas that reacts with the source gas, and the like.

チャンバ３１の底側にはチャンバ３１内を排気するための排気口５１が設けられており、この排気口５１には排気配管５２が接続されている。排気配管５２には自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）５３と真空ポンプ５４が設けられており、自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）５３によりチャンバ３１内の圧力を制御しつつ真空ポンプ５４によりチャンバ３１内を排気して、その中が所定の真空度にされる。   An exhaust port 51 for exhausting the inside of the chamber 31 is provided on the bottom side of the chamber 31, and an exhaust pipe 52 is connected to the exhaust port 51. The exhaust pipe 52 is provided with an automatic pressure control valve (APC) 53 and a vacuum pump 54. The vacuum pump 54 evacuates the chamber 31 while controlling the pressure in the chamber 31 by the automatic pressure control valve (APC) 53. Then, the inside is made a predetermined degree of vacuum.

そして、チャンバ３１内を所定の真空度にした状態で、成膜ガス供給系４３からガス供給配管４２およびガス導入口４１を経て、チャンバ３１内に成膜ガス（例えば原料ガスおよび反応ガス）を導入して、温度制御されている基板載置台３２によって基板Ｓを所定温度にしつつ、基板Ｓ上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により所定の膜を成膜する。この際に、適宜のプラズマ生成手段により成膜ガスをプラズマ化してプラズマＣＶＤで成膜処理を行ってもよい。   Then, in a state where the inside of the chamber 31 is at a predetermined degree of vacuum, a film forming gas (for example, source gas and reaction gas) is supplied from the film forming gas supply system 43 to the chamber 31 through the gas supply pipe 42 and the gas inlet 41. Then, a predetermined film is formed on the substrate S by CVD (Chemical Vapor Deposition) while the substrate S is brought to a predetermined temperature by the temperature-controlled substrate mounting table 32. At this time, the film forming gas may be converted into plasma by an appropriate plasma generating means and the film forming process may be performed by plasma CVD.

以上のような成膜処理部２１で成膜処理を行う場合には、冷却システム１００から冷却媒体として供給されるＮ２ガスの温度と流量を制御するとともに、ヒーター３４へ供給する電流を制御して、基板載置台３２の温度制御を行いその上の基板Ｓの温度を所定温度にし、成膜ガス供給系４３から適宜の成膜ガスをチャンバ３１内に導入して基板Ｓ上に所定の膜を成膜する。例えば、基板載置台３２に供給されるＮ２ガスの温度を３０〜５０℃とし、基板載置台３２の温度を１５０〜２００℃に制御する。 When performing the film forming process in the film forming processing unit 21 as described above, the temperature and flow rate of the N 2 gas supplied as a cooling medium from the cooling system 100 are controlled, and the current supplied to the heater 34 is controlled. Then, the temperature of the substrate mounting table 32 is controlled to set the temperature of the substrate S thereon to a predetermined temperature, and an appropriate film forming gas is introduced into the chamber 31 from the film forming gas supply system 43 to form a predetermined film on the substrate S. Is deposited. For example, the temperature of the N 2 gas supplied to the substrate mounting table 32 is set to 30 to 50 ° C., and the temperature of the substrate mounting table 32 is controlled to 150 to 200 ° C.

このとき、冷却システム１００においては、コンプレッサ１２により冷却媒体であるＮ２ガスを所定流量でメインの循環ライン１１内で循環させ、コンプレッサ１２により圧縮されて温度が上昇したＮ２ガスを後段クーラー１４によって所定温度に冷却する。所定温度に冷却されたＮ２ガスは循環ライン１１の前半部１１ａの供給口２８から、複数の成膜処理部２１に対応する冷却ライン１７に取り入れられ、冷却に供された後のＮ２ガスは冷却ライン１７から排出口２９を経て循環ライン１１の後半部１１ｂに排出される。具体的には、前半部１１ａの供給口２８から、所定温度に冷却されたＮ２ガスが、冷却ライン１７の供給部１７ａに供給され、供給側接続配管１７ｄ（図２）を経て各成膜処理部２１の複数の基板載置台３２内に形成されたガス流路１７ｃに流れ、各基板載置台３２を冷却する。これにより、各基板載置台３２内のガス流路１７ｃを流れたＮ２ガスの温度は上昇し、温度が上昇したＮ２ガスは、排出側接続配管１７ｅを経て排出部１７ｂに至り、排出部１７ｂから排出口２９を経て循環ライン１１の後半部１１ｂに排出される。そして、後半部１１ｂを流れたＮ２ガスはコンプレッサ１２に戻る。 At this time, in the cooling system 100, the compressor 12 circulates the N 2 gas, which is a cooling medium, in the main circulation line 11 at a predetermined flow rate, and the N 2 gas that has been compressed by the compressor 12 and whose temperature has increased is a subsequent cooler 14. To cool to a predetermined temperature. N 2 gas cooled to a predetermined temperature from the supply port 28 of the front half portion 11a of the circulation line 11, incorporated into cooling line 17 corresponding to the plurality of film deposition unit 21, N 2 gas after being subjected to cooling Is discharged from the cooling line 17 through the discharge port 29 to the second half part 11 b of the circulation line 11. Specifically, N 2 gas cooled to a predetermined temperature is supplied from the supply port 28 of the first half part 11a to the supply part 17a of the cooling line 17, and each film is formed through the supply side connection pipe 17d (FIG. 2). The gas flows through the gas flow paths 17 c formed in the plurality of substrate platforms 32 of the processing unit 21, and each substrate platform 32 is cooled. Thus, the temperature of the N 2 gas flowing through the gas flow path 17c of the substrate mounting table 32 is raised, the N 2 gas temperature rises, reaches the discharge section 17b through the discharge side connecting pipe 17e, the discharge portion It is discharged from 17 b through the discharge port 29 to the second half 11 b of the circulation line 11. Then, the N 2 gas that has flowed through the second half 11 b returns to the compressor 12.

このとき、循環ライン１１の後半部１１ｂには温度が上昇したＮ２ガスが流れるので、それが直接コンプレッサ１２に戻るとコンプレッサ１２に悪影響を及ぼすおそれがある。そのため、コンプレッサ１２の前段に設けられた前段クーラー１３により温度が上昇したＮ２ガスを冷却してからコンプレッサ１２に供給する。ただし、コンプレッサ１２に供給されるＮ２ガスの温度がコンプレッサ１２において許容される温度であれば、前段クーラー１３は設ける必要はない。 At this time, since the N 2 gas whose temperature has increased flows in the second half 11 b of the circulation line 11, if it returns directly to the compressor 12, the compressor 12 may be adversely affected. Therefore, the N 2 gas whose temperature has risen is cooled by the front cooler 13 provided in the front stage of the compressor 12 and then supplied to the compressor 12. However, if the temperature of the N 2 gas supplied to the compressor 12 is an allowable temperature in the compressor 12, it is not necessary to provide the pre-cooler 13.

循環ライン１１内を流れるＮ２ガスを入れ替える場合は、ガス排出ライン１６からＮ２ガスを排出した後、ガス供給ライン１５から新しいＮ２ガスを供給する。また、Ｎ２ガスの入れ替え以外でも、循環ライン１１から僅かにＮ２ガスがリークした場合等には、ガス供給ライン１５から循環ライン１１にＮ２ガスを補充することができる。 When replacing the N 2 gas flowing in the circulation line 11, new N 2 gas is supplied from the gas supply line 15 after the N 2 gas is discharged from the gas discharge line 16. Also, other than the replacement of N 2 gas, the like if slightly N 2 gas from the circulation line 11 is leaked, it is possible to replenish the N 2 gas into the circulation line 11 from the gas supply line 15.

以上のように、本実施形態によれば、メインの循環ライン１１を有する冷却システム１００を、一つのマルチチャンバ型成膜処理装置に対応して設け、この循環ライン１１に気体状の冷却媒体であるＮ２ガスをコンプレッサ１２により循環させるとともに、コンプレッサ１２の後段に設けられた後段クーラー１４によりＮ２ガスの温度を所定温度に冷却した後に、その冷却されたＮ２ガスを各成膜処理部２１の基板載置台３２に供給する。このため、従来のように、工場設備等の一括供給ラインの窒素ガスを使用する場合とは異なり、他の装置の使用状況により窒素ガスの流量不足が生じるおそれがなく、設備側に大型のバッファタンクを設けなくても、安定して気体状の冷却媒体であるＮ２ガスを供給することができる。例えば工場設備等の一括供給ラインから冷却媒体としてＮ２ガスの供給を受ける場合、他の装置の運転状況の影響を受けてＮ２ガスの流量が１０％低下してしまうと、成膜処理部２１での冷却能力が１０％低下し、基板載置台３２の温度を所望の温度に保つことができなくなるが、本実施形態の場合にはそのような変動がなく安定してＮ２ガスを供給することができる。 As described above, according to the present embodiment, the cooling system 100 having the main circulation line 11 is provided corresponding to one multi-chamber type film forming apparatus, and the circulation line 11 is filled with a gaseous cooling medium. A certain N 2 gas is circulated by the compressor 12, and the temperature of the N 2 gas is cooled to a predetermined temperature by a rear cooler 14 provided at the rear stage of the compressor 12, and then the cooled N 2 gas is supplied to each film forming processing unit. 21 to the substrate mounting table 32. For this reason, unlike the conventional case of using nitrogen gas in a batch supply line of factory equipment or the like, there is no risk of a shortage of nitrogen gas flow depending on the usage status of other devices, and a large buffer is installed on the facility side. Even without providing a tank, it is possible to stably supply N 2 gas which is a gaseous cooling medium. For example, when N 2 gas is supplied as a cooling medium from a batch supply line of factory equipment or the like, if the flow rate of N 2 gas decreases by 10% due to the influence of operating conditions of other apparatuses, the film forming processing unit The cooling capacity at 21 is reduced by 10%, and the temperature of the substrate mounting table 32 cannot be maintained at a desired temperature. However, in the case of this embodiment, the N 2 gas is stably supplied without such fluctuation. can do.

また、複数の成膜処理部２１にそれぞれＮ２ガスを供給する冷却ライン１７を各々並列に循環ライン１１に接続しているため、各成膜処理部２１の冷却対象である基板載置台３２にほぼ同じ温度のＮ２ガスを供給することができ、複数の成膜処理部２１の基板載置台３２を温度を均一に冷却することができる。また、バイパスライン１８を設け、開閉バルブ２３，２４，２５を操作することにより、冷却が必要のない成膜処理部２１においてはＮ２ガスをバイパスライン１８に流すことができ、制御部１９によって処理レシピに基づいて、処理ステップごとに複数の成膜処理部２１における基板載置台２３の冷却の有無を切り替えることができる。このとき、流量制御用のニードルバルブ２６により流量調節して、バイパスライン１８を流れた場合のコンダクタンスを、冷却ライン１７（基板載置台内のガス流路１７ｃ）を流れた場合のコンダクタンスに合わせることにより、Ｎ２ガスを供給している他の成膜処理部２１への影響を最小限に抑えることができる。バイパスラインを用いない場合には、冷却媒体であるＮ２ガスを供給する成膜処理部の数が変動した場合、冷却能力が変動したり、コンプレッサの回転数が変動したりし、これらを抑制するためにはバッファタンクが必要であるが、このようなバイパスラインを設けることによりバッファタンクが不要となる。 In addition, since the cooling lines 17 that supply N 2 gas to the plurality of film forming units 21 are respectively connected in parallel to the circulation line 11, the substrate mounting table 32 that is the cooling target of each film forming unit 21 is provided. N 2 gas having substantially the same temperature can be supplied, and the temperature of the substrate mounting tables 32 of the plurality of film forming units 21 can be cooled uniformly. Further, by providing the bypass line 18 and operating the on-off valves 23, 24, and 25, the N 2 gas can be caused to flow to the bypass line 18 in the film forming unit 21 that does not require cooling. Based on the processing recipe, the presence or absence of cooling of the substrate platform 23 in the plurality of film forming units 21 can be switched for each processing step. At this time, the flow rate is adjusted by the needle valve 26 for flow rate control, and the conductance when flowing through the bypass line 18 is matched with the conductance when flowing through the cooling line 17 (gas flow path 17c in the substrate mounting table). Thus, it is possible to minimize the influence on the other film forming processing unit 21 that supplies the N 2 gas. When the bypass line is not used, if the number of film forming units that supply N 2 gas, which is a cooling medium, fluctuates, the cooling capacity fluctuates and the rotation speed of the compressor fluctuates. In order to achieve this, a buffer tank is required, but by providing such a bypass line, the buffer tank becomes unnecessary.

例えば、マルチチャンバ型成膜処理装置が５台の成膜処理部２１を有する構成の場合、バイパスラインを用いずに一つの成膜処理部２１に対応する冷却ライン１７を閉じると、冷却媒体であるＮ２ガスを４台の成膜処理部２１に供給することになり、成膜処理部１台当たりの冷却能力が１．２５倍に変動してしまう。また、このような負荷変動によりコンプレッサ１２の運転が不安定になって回転数が変動する場合があり、例えば１０％変動した場合、それにともなってＮ２ガスの流量（＝冷却能力）も変動してしまう。これに対して、バイパスライン１８を設け、Ｎ２ガスがバイパスライン１８を流れた際のコンダクタンスが、ガス流路１７ｃを流れた際のコンダクタンスと同等となるように、ニードルバルブ２６によりバイパスライン１８の流量を調節することにより、負荷変動を小さくすることができる。このため、一部の成膜処理部２１に冷却媒体であるＮ２ガスを供給しない場合であっても、バッファタンクを用いることなく安定した運転を確保することができ、冷却能力の変動は生じない。 For example, when the multi-chamber type film forming apparatus has five film forming processing units 21, if the cooling line 17 corresponding to one film forming processing unit 21 is closed without using the bypass line, the cooling medium is used. A certain N 2 gas is supplied to four film forming units 21, and the cooling capacity per one film forming unit varies by 1.25 times. In addition, the operation of the compressor 12 may become unstable due to such load fluctuations and the rotation speed may fluctuate. For example, when fluctuating by 10%, the flow rate of N 2 gas (= cooling capacity) fluctuates accordingly. End up. On the other hand, the bypass line 18 is provided, and the needle valve 26 bypasses the bypass line 18 so that the conductance when the N 2 gas flows through the bypass line 18 is equal to the conductance when the N 2 gas flows through the gas flow path 17c. The load fluctuation can be reduced by adjusting the flow rate. For this reason, even when N 2 gas as a cooling medium is not supplied to some of the film forming units 21, stable operation can be ensured without using a buffer tank, and fluctuations in cooling capacity occur. Absent.

なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、全ての冷却ライン１７を各々並列に循環ライン１１に接続した例を示したが、例えば、図３に示すように、最後段の成膜処理部２１の冷却ライン１７（またはバイパスライン１８）が、循環ライン１１の一部を構成するように構成してもよい。   The present invention can be variously modified without being limited to the above embodiment. For example, in the above-described embodiment, an example in which all the cooling lines 17 are connected to the circulation line 11 in parallel is shown, but for example, as shown in FIG. 3, the cooling line 17 ( Alternatively, the bypass line 18) may be configured to constitute a part of the circulation line 11.

また、上記実施形態では、本発明の冷却システムをマルチチャンバ型成膜処理装置に適用したが、これに限らず、基板載置台の冷却に気体状の冷却媒体を使用可能であれば、ドライエッチング装置等の他の基板処理装置に適用することができる。また、成膜処理部として複数の基板を一括して処理するものを例示したが、枚葉式のものであってもよい。さらに、基板処理装置に限らず、気体状の冷却媒体により冷却可能な冷却対象を有する装置であれば適用可能である。   In the above embodiment, the cooling system of the present invention is applied to the multi-chamber type film forming apparatus. However, the present invention is not limited to this, and dry etching can be used as long as a gaseous cooling medium can be used for cooling the substrate mounting table. The present invention can be applied to other substrate processing apparatuses such as an apparatus. Further, although the film processing unit illustrated as one that processes a plurality of substrates at once, a single wafer type may be used. Furthermore, the present invention is not limited to the substrate processing apparatus, and can be applied to any apparatus having a cooling target that can be cooled by a gaseous cooling medium.

また、上記実施形態では、冷却対象である成膜処理部を複数設けた場合について示したが、冷却対象は一つであってもよい。また、上記実施形態では、気体状の冷却媒体としてＮ２ガスを用いた例を示したが、Ａｒガス等の他のガスを用いることもできる。さらに、上記実施形態では、コンプレッサの前段および後段にクーラーを設けたが、冷却対象に所望の温度の冷却媒体を供給できればこれに限るものではない。 In the above-described embodiment, a case where a plurality of film formation processing units that are cooling targets is provided has been described, but the number of cooling targets may be one. In the above embodiment, an example of using the N 2 gas as a gaseous cooling medium, it is also possible to use another gas such as Ar gas. Furthermore, in the said embodiment, although the cooler was provided in the front | former stage and back | latter stage of the compressor, if the cooling medium of desired temperature can be supplied to cooling object, it will not restrict to this.

１１；循環ライン
１１ａ；前半部
１１ｂ；後半部
１２；コンプレッサ
１３；前段クーラー
１４；後段クーラー
１５；ガス供給ライン
１６；ガス排出ライン
１７；冷却ライン
１７ａ；供給部
１７ｂ；排出部
１７ｃ；ガス流路
１８；バイパスライン
１９；制御部
２１；成膜処理部
２２，２６；ニードルバルブ
２３，２４，２５；開閉バルブ
２８；供給口
２９；排出口
１００；冷却システム 11; Circulation line 11a; First half part 11b; Second half part 12; Compressor 13; Front stage cooler 14; Rear stage cooler 15; Gas supply line 16; Gas discharge line 17; Cooling line 17a; Supply part 17b; 18; Bypass line 19; Control unit 21; Deposition processing unit 22, 26; Needle valve 23, 24, 25; Open / close valve 28; Supply port 29;

Claims (20)

冷却対象を有する装置において、冷却対象を気体状の冷却媒体により冷却する冷却システムであって、
気体状の冷却媒体が循環する循環ラインと、
前記循環ラインに接続され、前記冷却対象に前記冷却媒体を供給する冷却ラインと、
前記循環ラインに設けられ、前記冷却媒体を圧縮し循環させるコンプレッサと、
前記循環ラインに設けられ、前記冷却ラインに供給される前記冷却媒体を所定温度に冷却する冷却機構と
を具備することを特徴とする冷却システム。 In a device having a cooling target, a cooling system that cools the cooling target with a gaseous cooling medium,
A circulation line through which a gaseous cooling medium circulates;
A cooling line connected to the circulation line and supplying the cooling medium to the object to be cooled;
A compressor provided in the circulation line for compressing and circulating the cooling medium;
A cooling system, comprising a cooling mechanism provided in the circulation line and configured to cool the cooling medium supplied to the cooling line to a predetermined temperature. 前記冷却対象および前記冷却ラインを複数有し、複数の前記冷却ラインは、各々並列に前記循環ラインに接続されていることを特徴とする請求項１に記載の冷却システム。   The cooling system according to claim 1, wherein a plurality of the cooling objects and the cooling lines are provided, and the plurality of cooling lines are connected to the circulation line in parallel. 前記冷却対象は、マルチチャンバ型基板処理装置の基板処理部にそれぞれ設けられた基板載置台であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の冷却システム。   The cooling system according to claim 1, wherein the object to be cooled is a substrate mounting table provided in a substrate processing unit of a multi-chamber type substrate processing apparatus. 前記冷却ラインに接続され、前記冷却対象をバイパスするバイパスラインと、前記冷却媒体の流路を前記冷却対象と前記バイパスラインとで切り替える切替機構とを具備することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の冷却システム。   2. The apparatus according to claim 1, further comprising a bypass line connected to the cooling line and bypassing the cooling target, and a switching mechanism that switches a flow path of the cooling medium between the cooling target and the bypass line. Item 4. The cooling system according to any one of items 3. 前記バイパスラインの前記冷却媒体の流量を調節して前記バイパスラインのコンダクタンスを前記冷却対象のコンダクタンスに合わせる流量調節機構を具備することを特徴とする請求項４に記載の冷却システム。   5. The cooling system according to claim 4, further comprising a flow rate adjusting mechanism that adjusts a flow rate of the cooling medium in the bypass line to adjust a conductance of the bypass line to a conductance of the cooling target. 前記冷却機構は、前記コンプレッサの後段に設けられた後段クーラーを有することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の冷却システム。   The cooling system according to any one of claims 1 to 5, wherein the cooling mechanism includes a rear-stage cooler provided in a rear stage of the compressor. 前記冷却機構は、前記コンプレッサの前段に設けられた前段クーラーを有することを特徴とする請求項６に記載の冷却システム。   The cooling system according to claim 6, wherein the cooling mechanism includes a front cooler provided in a front stage of the compressor. 前記冷却媒体は窒素ガスであることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の冷却システム。   The cooling system according to any one of claims 1 to 7, wherein the cooling medium is nitrogen gas. 冷却対象を有する装置において、冷却対象を気体状の冷却媒体により冷却する冷却方法であって、
コンプレッサにより循環ライン内に気体状の冷却媒体を循環させ、
冷却機構により所定の温度に冷却した前記冷却媒体を前記循環ラインに接続された冷却ラインに流して、前記冷却対象に前記冷却媒体を供給することにより冷却対象を冷却することを特徴とする冷却方法。 In a device having a cooling target, a cooling method for cooling the cooling target with a gaseous cooling medium,
Circulate the gaseous cooling medium in the circulation line by the compressor,
A cooling method for cooling a cooling target by flowing the cooling medium cooled to a predetermined temperature by a cooling mechanism to a cooling line connected to the circulation line and supplying the cooling medium to the cooling target. . 前記冷却対象および前記冷却ラインを複数有し、複数の前記冷却ラインは、各々並列に前記循環ラインに接続されていることを特徴とする請求項９に記載の冷却方法。   The cooling method according to claim 9, wherein the cooling object includes a plurality of the cooling objects and the cooling lines, and the plurality of cooling lines are connected to the circulation line in parallel. 前記冷却対象は、マルチチャンバ型基板処理装置の基板処理部にそれぞれ設けられた基板載置台であることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の冷却方法。   The cooling method according to claim 9 or 10, wherein the object to be cooled is a substrate mounting table provided in a substrate processing unit of a multi-chamber type substrate processing apparatus. 前記冷却対象をバイパスするバイパスラインを前記冷却ラインに接続して設け、冷却を行わない冷却対象について、切替機構により冷却媒体の流路を前記バイパスラインに切り替えることを特徴とする請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載の冷却方法。   10. A bypass line that bypasses the cooling target is connected to the cooling line, and a cooling medium flow path is switched to the bypass line by a switching mechanism for a cooling target that is not cooled. Item 12. The cooling method according to any one of Items 11. 前記バイパスラインに前記冷却媒体を流す際に、前記バイパスラインのコンダクタンスを前記冷却対象のコンダクタンスに合わせるように、前記バイパスラインにおける前記冷却媒体の流量を調節することを特徴とする請求項１２に記載の冷却方法。   The flow rate of the cooling medium in the bypass line is adjusted so that the conductance of the bypass line matches the conductance of the cooling target when the cooling medium flows through the bypass line. Cooling method. 複数の基板処理部を有し、前記基板処理部により所定の基板処理を行う基板処理装置であって、
各基板処理部は、基板を載置する基板載置台と、前記基板載置台に載置された基板に対して所定の処理を行う処理機構とを有し、
前記基板処理装置は、前記複数の基板処理部の各基板載置台に気体状の冷却媒体を供給して冷却する冷却システムを具備し、
前記冷却システムは、
前記冷却媒体が循環する循環ラインと、
前記循環ラインに接続され、複数の前記基板処理部の前記基板載置台にそれぞれ前記冷却媒体を供給する複数の冷却ラインと、
前記循環ラインに設けられ、前記冷却媒体を圧縮し循環させるコンプレッサと、
前記循環ラインに設けられ、前記冷却ラインに供給される前記冷却媒体を所定温度に冷却する冷却機構と
を有することを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus having a plurality of substrate processing units and performing predetermined substrate processing by the substrate processing unit,
Each substrate processing unit has a substrate mounting table for mounting a substrate, and a processing mechanism for performing a predetermined process on the substrate mounted on the substrate mounting table,
The substrate processing apparatus includes a cooling system that supplies and cools a gaseous cooling medium to each substrate mounting table of the plurality of substrate processing units,
The cooling system includes:
A circulation line through which the cooling medium circulates;
A plurality of cooling lines connected to the circulation line and respectively supplying the cooling medium to the substrate mounting tables of the plurality of substrate processing units;
A compressor provided in the circulation line for compressing and circulating the cooling medium;
A substrate processing apparatus, comprising: a cooling mechanism that is provided in the circulation line and cools the cooling medium supplied to the cooling line to a predetermined temperature. 複数の前記冷却ラインは、各々並列に前記循環ラインに接続されていることを特徴とする請求項１４の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 14, wherein the plurality of cooling lines are connected to the circulation line in parallel. 前記冷却ラインに接続され、前記基板載置台をバイパスするバイパスラインと、前記冷却媒体の流路を前記基板載置台と前記バイパスラインとで切り替える切替機構とを具備することを特徴とする請求項１４または請求項１５に記載の基板処理装置。   15. A bypass line connected to the cooling line and bypassing the substrate mounting table, and a switching mechanism for switching a flow path of the cooling medium between the substrate mounting table and the bypass line. Or the substrate processing apparatus of Claim 15. 前記バイパスラインの前記冷却媒体の流量を調節して前記バイパスラインのコンダクタンスを前記基板載置台のコンダクタンスに合わせる流量調節機構を具備することを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 16, further comprising a flow rate adjusting mechanism that adjusts a flow rate of the cooling medium in the bypass line to adjust a conductance of the bypass line to a conductance of the substrate mounting table. 前記冷却機構は、前記コンプレッサの後段に設けられた後段クーラーを有することを特徴とする請求項１４から請求項１７のいずれか１項に記載の基板処理装置。   18. The substrate processing apparatus according to claim 14, wherein the cooling mechanism includes a rear-stage cooler provided at a rear stage of the compressor. 前記冷却機構は、前記コンプレッサの前段に設けられた前段クーラーを有することを特徴とする請求項１８に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 18, wherein the cooling mechanism includes a front cooler provided at a front stage of the compressor. 前記冷却媒体は窒素ガスであることを特徴とする請求項１４から請求項１９のいずれか１項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 14, wherein the cooling medium is nitrogen gas.
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