以下、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
Hereinafter, a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings used in the following description are schematic, and the dimensional ratios and the like on the drawings do not necessarily match the actual ones.
また、実施形態等の説明において、既に説明した構成と同一若しくは類似する構成については、同一の符号を付して説明を省略することがある。
＜実施形態＞
以下、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置について、図１乃至図６を参照しながら以下に説明する。
In the description of the embodiments and the like, components that are the same as or similar to those already described may be assigned the same reference numerals and descriptions thereof may be omitted.
<Embodiment>
Hereinafter, a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6.
実施形態に係る弾性表面波装置１は、図１乃至図４に示すような構成であり、複数の接続導体層５ｃを有する配線基板５と、第１の絶縁層４ａを介して配線基板５の上面側に配線基板５との間に空間Ｓを形成するように配置された、第１の素子基板２ａと、第１の素子基板２ａに設けられた第１の機能体２ｂと、第１の機能体２ｂから第１の素子基板２ａ
の外周側に延びる第１の配線パターン２ｃと、第１の配線パターン２ｃに電気的に接続された第１の素子パッド２ｄとからなる第１の電子素子２と、第２の絶縁層４ｂを介して配線基板５の下面側に配線基板５との間に空間Ｓを形成するように配置された、第１の素子基板２ａの外周よりも内側に位置する第２の素子基板３ａと、第２の素子基板３ａに設けられた第２の機能体３ｂと、第２の機能体３ｂから第２の素子基板３ａの外周側に延びる第２の配線パターン３ｃと、第２の配線パターン３ｃに電気的に接続された第２の素子パッド３ｄとからなる第２の電子素子３と、第２の素子基板３ａの第２の機能体３ｂが設けられた主面３ａａと反対側の主面３ａｂおよび側面３ａｃを覆うように第２の素子基板３ａの外周部に設けられた封止樹脂層６とを備え、第１の絶縁層４ａは、第１の素子パッド２ｄに接続される第１の接続導体４ａ１が設けられており、第２の絶縁層４ｂは、第２の素子パッド３ｄに接続される第２の接続導体４ｂ１が設けられており、封止樹脂層６は、一端が接続導体層５ｃに電気的に接続される複数の内部貫通導体６ａが第２の素子基板３ａの外周部に位置するように設けられており、第１の配線パターン２ｃは、第１の接続導体４ａ１に対応する位置に設けられた接続導体層５ｃを介して内部貫通導体６ａに電気的に接続され、第２の配線パターン３ｃは、第２の接続導体４ｂ１に対応する位置に設けられた接続導体層５ｃを介して内部貫通導体６ａに電気的に接続されている。
The surface acoustic wave device 1 according to the embodiment has a configuration as shown in FIGS. 1 to 4, and includes a wiring board 5 having a plurality of connection conductor layers 5c and a wiring board 5 via a first insulating layer 4a. A first element substrate 2a, a first functional body 2b provided on the first element substrate 2a, and a first functional substrate 2a disposed on the upper surface side so as to form a space S with the wiring substrate 5; From the functional body 2b to the first element substrate 2a
A first electronic element 2 comprising a first wiring pattern 2c extending to the outer peripheral side of the first wiring pattern 2 and a first element pad 2d electrically connected to the first wiring pattern 2c, and a second insulating layer 4b. A second element substrate 3a located on the inner side of the outer periphery of the first element substrate 2a, which is arranged so as to form a space S between the lower surface side of the wiring substrate 5 and the wiring substrate 5; A second functional body 3b provided on the second element substrate 3a, a second wiring pattern 3c extending from the second functional body 3b to the outer peripheral side of the second element substrate 3a, and a second wiring pattern 3c. Main surface 3ab opposite to main surface 3aa on which second electronic element 3 including second element pad 3d electrically connected and second functional body 3b of second element substrate 3a are provided. And a seal provided on the outer periphery of the second element substrate 3a so as to cover the side surface 3ac The first insulating layer 4a is provided with a first connection conductor 4a1 connected to the first element pad 2d, and the second insulating layer 4b is a second element pad. A second connection conductor 4b1 connected to 3d is provided, and the sealing resin layer 6 includes a plurality of internal through conductors 6a whose one ends are electrically connected to the connection conductor layer 5c. The first wiring pattern 2c is electrically connected to the internal through conductor 6a via a connection conductor layer 5c provided at a position corresponding to the first connection conductor 4a1. The connected second wiring pattern 3c is electrically connected to the internal through conductor 6a via a connection conductor layer 5c provided at a position corresponding to the second connection conductor 4b1.
図１は、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の外観を示す概略斜視図であり、図１（ａ）は、弾性表面波装置１の外観を上面１ａ側から見た斜視図であり、図１（ｂ）は、弾性表面波装置１の外観を下面１ｂ側から見た斜視図である。また、図１（ｃ）は、弾性表面波装置１の平面図であり、第１の素子基板２ａ、第２の素子基板３ａおよび内部貫通導体６ａの弾性表面波装置１での位置関係を示している。図２は、図１（ｃ）に示す弾性表面波装置１のＡ−Ａ線における断面図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing an appearance of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1A is a perspective view of the appearance of the surface acoustic wave device 1 as viewed from the upper surface 1a side. FIG. 1B is a perspective view of the appearance of the surface acoustic wave device 1 as viewed from the lower surface 1b side. FIG. 1C is a plan view of the surface acoustic wave device 1, and shows the positional relationship of the first element substrate 2a, the second element substrate 3a, and the internal through conductor 6a in the surface acoustic wave device 1. ing. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of the surface acoustic wave device 1 shown in FIG.
なお、弾性表面波装置１は、いずれの方向を上方もしくは下方としてもよいが、説明の便宜上、直交座標系ＸＹＺを定義するとともに、Ｚ方向の正側を上方として、上面もしくは下面の語を用いるものとする。
The surface acoustic wave device 1 may have either direction upward or downward, but for convenience of explanation, the orthogonal coordinate system XYZ is defined, and the positive side in the Z direction is upward and the word “upper surface” or “lower surface” is used. Shall.
弾性表面波装置１は、図１に示すように、例えば、概ね直方体状に形成されており、その下面１ｂには、複数の外部端子１２が適宜な形状および適宜な数で設けられており、複数の外部端子１２がその下面１ｂから露出している。複数の外部端子１２の数、位置および役割等は、弾性表面波装置１の内部の構成等に応じて適宜に設定されてよい。例えば、複数の外部端子１２は四角形状で設けられているが、円形状で設けられていてもよい。また、外部接続端子１２を設けない構成であってもよい。なお、本実施形態では、４つの外部端子１２が弾性表面波装置１の下面１ｂの４隅に設けられている場合を例示している。なお、弾性表面波装置１の上面１ａと第１の素子基板２ａの上面２ａａとは同じ面であり、弾性表面波装置１の下面１ｂと封止樹脂層６の下面とは同じ面である。
As shown in FIG. 1, the surface acoustic wave device 1 is formed in, for example, a substantially rectangular parallelepiped shape, and a plurality of external terminals 12 are provided in an appropriate shape and an appropriate number on the lower surface 1 b. A plurality of external terminals 12 are exposed from the lower surface 1b. The number, position, role, and the like of the plurality of external terminals 12 may be appropriately set according to the internal configuration of the surface acoustic wave device 1. For example, the plurality of external terminals 12 are provided in a square shape, but may be provided in a circular shape. Moreover, the structure which does not provide the external connection terminal 12 may be sufficient. In the present embodiment, the case where the four external terminals 12 are provided at the four corners of the lower surface 1b of the surface acoustic wave device 1 is illustrated. The upper surface 1a of the surface acoustic wave device 1 and the upper surface 2aa of the first element substrate 2a are the same surface, and the lower surface 1b of the surface acoustic wave device 1 and the lower surface of the sealing resin layer 6 are the same surface.
また、弾性表面波装置１は、厚みが、例えば、０．４（ｍｍ）〜１．５（ｍｍ）であり、また、１辺の長さが、例えば、０．５（ｍｍ）〜２（ｍｍ）である。なお、弾性表面波装置１の厚みおよび１辺の長さは適宜な厚みおよび長さとすることができる。
The surface acoustic wave device 1 has a thickness of, for example, 0.4 (mm) to 1.5 (mm), and a side length of, for example, 0.5 (mm) to 2 ( mm). The thickness and the length of one side of the surface acoustic wave device 1 can be set to an appropriate thickness and length.
弾性表面波装置１は、実装基板（図示せず）に対して下面１ｂが対向して配置され、外部接続端子１２と実装基板に設けられた接続パッド（図示せず）とがはんだバンプ等を介して電気的に接合されることによって実装基板上に実装される。
In the surface acoustic wave device 1, the lower surface 1b is arranged to face a mounting substrate (not shown), and the external connection terminals 12 and connection pads (not shown) provided on the mounting substrate serve as solder bumps or the like. It is mounted on a mounting board by being electrically joined via.
そして、弾性表面波装置１は、例えば、複数の外部端子１２のいずれかを介して信号が入力され、入力された信号に所定の処理を施して複数の外部端子１２のいずれかから信号を出力する。
The surface acoustic wave device 1 receives, for example, a signal from any of the plurality of external terminals 12, performs a predetermined process on the input signal, and outputs a signal from any of the plurality of external terminals 12. To do.
弾性表面波装置１は、図１に示すように、下面１ｂ側から、封止樹脂層６と、第２の電子素子３と、第２の絶縁層４ｂと、配線基板５と、第１の絶縁層４ａと、第１の電子素子２とを有している。また、弾性表面波装置１は、図２に示すように、第１の素子基板２ａの第１の機能体２ｂが配線基板５の上面５ａａとの間に空間Ｓを形成するように、また、第２の素子基板３ａの第２の機能体３ｂが配線基板５の下面５ａｂとの間に空間Ｓを形成するように配置されている。
As shown in FIG. 1, the surface acoustic wave device 1 includes a sealing resin layer 6, a second electronic element 3, a second insulating layer 4 b, a wiring substrate 5, and a first substrate from the lower surface 1 b side. It has an insulating layer 4 a and a first electronic element 2. In addition, as shown in FIG. 2, the surface acoustic wave device 1 is formed so that the first functional body 2b of the first element substrate 2a forms a space S between the upper surface 5aa of the wiring substrate 5 and The second functional body 3b of the second element substrate 3a is disposed so as to form a space S between the lower surface 5ab of the wiring substrate 5.
第１の電子素子２は、図２に示すように、第１の素子基板２ａと、第１の素子基板２ａの下面２ａｂ（配線基板５の上面５ａａとの対向面）に設けられた第１の機能体２ｂと、第１の機能体２ｂから第１の素子基板２ａの外周側に延びる第１の配線パターン２ｃと、第１の配線パターン２ｃに電気的に接続された第１の素子パッド２ｄとからなる。そして、第１の素子基板２ａは、第１の絶縁層４ａを介して配線基板５の上面５ａａ側に配線基板５の上面５ａａとの間に空間Ｓを形成するように対向して配置されている。また、第１の電子素子２は、この他、第１の素子基板２ａの上面２ａａを覆う電極および／または保護層等の適宜な部材を有していてもよい。
As shown in FIG. 2, the first electronic element 2 includes a first element substrate 2a and a first surface provided on a lower surface 2ab of the first element substrate 2a (a surface facing the upper surface 5aa of the wiring substrate 5). Functional body 2b, a first wiring pattern 2c extending from the first functional body 2b to the outer peripheral side of the first element substrate 2a, and a first element pad electrically connected to the first wiring pattern 2c 2d. The first element substrate 2a is arranged on the upper surface 5aa side of the wiring substrate 5 via the first insulating layer 4a so as to face the upper surface 5aa of the wiring substrate 5 so as to form a space S. Yes. In addition, the first electronic element 2 may have an appropriate member such as an electrode and / or a protective layer that covers the upper surface 2aa of the first element substrate 2a.
一方、第２の電子素子３は、図２に示すように、第２の素子基板３ａと、第２の素子基板３ａの上面３ａａ（配線基板５の下面５ａｂとの対向面）に設けられた第２の機能体３ｂと、第２の機能体３ｂから第２の素子基板３ａの外周側に延びる第２の配線パターン３ｃと、第２の配線パターン３ｃに電気的に接続された第２の素子パッド３ｄとからなる。そして、第２の素子基板３ａは、第２の絶縁層４ｂを介して配線基板５の下面５ａｂ側に配線基板５の下面５ａｂとの間に空間Ｓを形成するように対向して配置されている。すなわち、第２の素子基板３ａは、配線基板５を間に介して第１の素子基板２ａに対向して配置されている。
On the other hand, as shown in FIG. 2, the second electronic element 3 is provided on the second element substrate 3a and the upper surface 3aa of the second element substrate 3a (the surface facing the lower surface 5ab of the wiring substrate 5). The second functional body 3b, the second wiring pattern 3c extending from the second functional body 3b to the outer peripheral side of the second element substrate 3a, and the second electrically connected to the second wiring pattern 3c It consists of an element pad 3d. The second element substrate 3a is disposed opposite to the lower surface 5ab of the wiring substrate 5 via the second insulating layer 4b so as to form a space S between the lower surface 5ab of the wiring substrate 5 and the second element substrate 3a. Yes. That is, the second element substrate 3a is disposed to face the first element substrate 2a with the wiring substrate 5 interposed therebetween.
また、第２の素子基板３ａは、外形寸法が第１の素子基板２ａの外形寸法よりも小さく、第１の素子基板２ａの外周よりも内側に位置するように設けられている。
The second element substrate 3a is provided so that the outer dimension is smaller than the outer dimension of the first element substrate 2a and is located inside the outer periphery of the first element substrate 2a.
第１の素子基板２ａと配線基板５との間には、図２に示すように、第１の絶縁層４ａが設けられており、第１の絶縁層４ａは、第１の素子パッド２ｄの少なくとも一部を露出するように設けられている。そして、第１の絶縁層４ａは、図２に示すように、第１の機能体２ｂを囲むように第１の素子基板２ａと配線基板５との間に設けられている。第１の絶縁層４ａには、第１の接続導体４ａ１が設けられている。そして、この第１の接続導体４ａ１は、第１の絶縁層４ａから露出した第１の素子パッド２ｄ上に設けられており、第１の素子パッド２ｄに電気的に接続されている。このように、第１の接続導体４ａ１は、第１の素子パッド２ｄと配線基板５との間に介在してこれらを電気的に接合するものである。
As shown in FIG. 2, a first insulating layer 4a is provided between the first element substrate 2a and the wiring substrate 5, and the first insulating layer 4a is formed on the first element pad 2d. It is provided so that at least a part is exposed. As shown in FIG. 2, the first insulating layer 4a is provided between the first element substrate 2a and the wiring substrate 5 so as to surround the first functional body 2b. A first connection conductor 4a1 is provided on the first insulating layer 4a. The first connection conductor 4a1 is provided on the first element pad 2d exposed from the first insulating layer 4a, and is electrically connected to the first element pad 2d. As described above, the first connection conductor 4a1 is interposed between the first element pad 2d and the wiring board 5 to electrically join them.
また、第２の素子基板３ａと配線基板５との間には、図２に示すように、第２の絶縁層４ｂが設けられており、第２の絶縁層４ｂは、第２の素子パッド３ｄの少なくも一部を露出するように設けられている。そして、第２の絶縁層４ｂは、図２に示すように、第２の機能体３ｂを囲むように第２の素子基板３ａと配線基板５との間に設けられている。第２の絶縁層４ｂには、第２の接続導体４ｂ１が設けられている。そして、この第２の接続導体４ｂ１は、第２の絶縁層４ｂから露出した第２の素子パッド３ｄ上に設けられており、第２の接続導体４ｂ１は第２の素子パッド３ｄに電気的に接続されている。このように、第２の接続導体４ｂ１は、第２の素子パッド３ｄと配線基板５との間に介在してこれらを電気的に接合するものである。また、第１の接続導体４ａ１および第２の接続導体４ｂ１は、例えば、Ａｇペースト等の導電性の材料からなる。
Further, as shown in FIG. 2, a second insulating layer 4b is provided between the second element substrate 3a and the wiring substrate 5, and the second insulating layer 4b is a second element pad. It is provided so that at least a part of 3d is exposed. As shown in FIG. 2, the second insulating layer 4b is provided between the second element substrate 3a and the wiring substrate 5 so as to surround the second functional body 3b. A second connection conductor 4b1 is provided on the second insulating layer 4b. The second connection conductor 4b1 is provided on the second element pad 3d exposed from the second insulating layer 4b, and the second connection conductor 4b1 is electrically connected to the second element pad 3d. It is connected. As described above, the second connection conductor 4b1 is interposed between the second element pad 3d and the wiring board 5 to electrically join them. The first connection conductor 4a1 and the second connection conductor 4b1 are made of a conductive material such as Ag paste, for example.
このように、第１の接続導体４ａ１は、第１の素子パッド２ｄ上に形成された第１の絶
縁層４ａの開口部を埋めるように設けられている。また、第２の接続導体４ｂ１は、第２の素子パッド３ｄ上に形成された第２の絶縁層４ｂの開口部を埋めるように設けられている。すなわち、第１の接続導体４ａ１は、第１の絶縁層４から露出した第１の素子パッド２ｄに設けられ、第２の接続導体４ｂ１は、第２の絶縁層４ｂから露出した第２の素子パッド３ｄ上に設けられている。
Thus, the first connection conductor 4a1 is provided so as to fill the opening of the first insulating layer 4a formed on the first element pad 2d. The second connection conductor 4b1 is provided so as to fill the opening of the second insulating layer 4b formed on the second element pad 3d. That is, the first connecting conductor 4a1 is provided on the first element pad 2d exposed from the first insulating layer 4, and the second connecting conductor 4b1 is the second element exposed from the second insulating layer 4b. It is provided on the pad 3d.
第１の絶縁層４ａは、第１の機能体２ｂと配線基板５との間に空間Ｓを形成するために、第１の素子基板２ａと配線基板５との間に、第１の機能体２ｂを囲むように設けられている。したがって、第１の素子基板２ａと配線基板５とを対向して配置した際に、第１の絶縁層４ａが設けられていない領域が空間Ｓとなる。
The first insulating layer 4a includes a first functional body between the first element substrate 2a and the wiring board 5 in order to form a space S between the first functional body 2b and the wiring board 5. It is provided so as to surround 2b. Therefore, when the first element substrate 2a and the wiring substrate 5 are disposed to face each other, a region where the first insulating layer 4a is not provided becomes the space S.
また、第１の絶縁層４ｂは、第２の機能体３ｂと配線基板５との間に空間Ｓを形成するために、第２の素子基板３ａと配線基板５との間に、第２の機能体３ｂを囲むように設けられている。したがって、第２の素子基板３ａと配線基板５とを対向して配置した際に、第２の絶縁層４ｂが設けられていない領域が空間Ｓとなる。
In addition, the first insulating layer 4b includes a second insulating layer 4b between the second element substrate 3a and the wiring substrate 5 in order to form a space S between the second functional body 3b and the wiring substrate 5. It is provided so as to surround the functional body 3b. Therefore, when the second element substrate 3a and the wiring substrate 5 are disposed to face each other, a region where the second insulating layer 4b is not provided becomes the space S.
したがって、第１の絶縁層４ａは、第１の機能体２ｂと配線基板５との間に空間Ｓを確保するとともに第１の絶縁層４ａで囲まれた第１の機能体２ｂを保護、気密封止することができる。また、第２の絶縁層４ｂは、第２の機能体３ｂと配線基板５との間に空間Ｓを確保するとともに第２の絶縁層４ｂで囲まれた第２の機能体３ｂを保護、気密封止することができる。第１の絶縁層４ａおよび第２の絶縁層４ｂは、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂ上に振動のための空間Ｓを確保するとともに、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂを気密封止するために、厚みが、例えば、５（μｍ）〜１０（μｍ）である。なお、第１の絶縁層４ａおよび第２の絶縁層４ｂの厚みは、互いに異なって設けられていてもよい。
Therefore, the first insulating layer 4a secures the space S between the first functional body 2b and the wiring board 5 and protects the first functional body 2b surrounded by the first insulating layer 4a. It can be hermetically sealed. The second insulating layer 4b secures a space S between the second functional body 3b and the wiring board 5, and protects the second functional body 3b surrounded by the second insulating layer 4b. It can be hermetically sealed. The first insulating layer 4a and the second insulating layer 4b secure a space S for vibration on the first functional body 2b and the second functional body 3b, and the first functional body 2b and the second functional layer 2b. In order to hermetically seal the functional body 3b, the thickness is, for example, 5 (μm) to 10 (μm). The first insulating layer 4a and the second insulating layer 4b may have different thicknesses.
このように、第１の絶縁層４ａおよび第２の絶縁層４ｂは、耐久性に優れた弾性表面波装置１を得るために、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂを囲むように第１の素子基板２ａと配線基板５との間および第２の素子基板３ａと配線基板５との間に設けられている。また、第１の絶縁層４ａおよび第２の絶縁層４ｂは、例えば、感光性ポリイミド樹脂等の樹脂材料からなる。
Thus, in order to obtain the surface acoustic wave device 1 having excellent durability, the first insulating layer 4a and the second insulating layer 4b surround the first functional body 2b and the second functional body 3b. Are provided between the first element substrate 2 a and the wiring substrate 5 and between the second element substrate 3 a and the wiring substrate 5. Moreover, the 1st insulating layer 4a and the 2nd insulating layer 4b consist of resin materials, such as a photosensitive polyimide resin, for example.
ここで、第１の電子素子２と第２の電子素子３について以下に説明する。
Here, the first electronic element 2 and the second electronic element 3 will be described below.
第１の電子素子２および第２の電子素子３は、例えば、弾性表面波素子等であり、本実施形態では、弾性表面波素子（ＳＷＡ素子）の場合を例示している。
The first electronic element 2 and the second electronic element 3 are, for example, surface acoustic wave elements or the like, and in this embodiment, the case of a surface acoustic wave element (SWA element) is illustrated.
第１の電子素子２の第１の素子基板２ａおよび第２の電子素子３の第２の素子基板３ａは、圧電基板であり、図１に示すように、例えば、概ね薄型の直方体形状に形成されている。第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａは、例えば、タンタル酸リチウム単結晶またはニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板により構成されている。第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａの形状は適宜に設定されてよいが、例えば、矩形状である。また、第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａの大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは、０．２（ｍｍ）〜０．５（ｍｍ）、1辺の長さは
、０．５（ｍｍ）〜２（ｍｍ）である。
The first element substrate 2a of the first electronic element 2 and the second element substrate 3a of the second electronic element 3 are piezoelectric substrates, and are formed in, for example, a generally thin rectangular parallelepiped shape as shown in FIG. Has been. The first element substrate 2a and the second element substrate 3a are made of a single crystal substrate having piezoelectricity, such as a lithium tantalate single crystal or a lithium niobate single crystal. The shapes of the first element substrate 2a and the second element substrate 3a may be set as appropriate, but are, for example, rectangular. In addition, the sizes of the first element substrate 2a and the second element substrate 3a may be appropriately set. For example, the thickness is 0.2 (mm) to 0.5 (mm), The length is 0.5 (mm) to 2 (mm).
また、第１の素子基板２ａの１辺の長さは、第２の素子基板３ａの１辺の長さよりも大きくなるように設定されている。すなわち、第２の素子基板３ａの１辺の長さは、平面視にて第２の素子基板３ａの外周が第１の素子基板２ａの外周よりも内側に位置するように設定される。
Further, the length of one side of the first element substrate 2a is set to be larger than the length of one side of the second element substrate 3a. That is, the length of one side of the second element substrate 3a is set so that the outer periphery of the second element substrate 3a is positioned inside the outer periphery of the first element substrate 2a in plan view.
第１の機能体２ｂは第１の素子基板２ａの下面２ａｂに設けられ、第２の機能体３ｂは第２の素子基板３ａの上面３ａａに設けられており、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂはＳＡＷ共振子である。
The first functional body 2b is provided on the lower surface 2ab of the first element substrate 2a, and the second functional body 3b is provided on the upper surface 3aa of the second element substrate 3a. The second functional body 3b is a SAW resonator.
本実施形態では、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂがラダー型弾性表面波フィルタまたは２重モード型弾性表面波フィルタで構成されている場合を例示している。２重モード型弾性表面波フィルタは分波器の受信フィルタ２０であり、ラダー型弾性表面波フィルタは分波器の送信フィルタ３０であり、これらのフィルタは異なる通過帯域周波数を有しており、受信フィルタ２０の通過帯域周波数は、送信フィルタ３０の通過帯域周波数よりも大きい。すなわち、弾性表面波装置１は、異なる周波数を通過させるフィルタ特性を有している。したがって、弾性表面波装置１は、送信信号や受信信号と言った異なる周波数の信号を分波するアンテナ分波器として携帯電話端末等に用いることができる。
In this embodiment, the case where the 1st functional body 2b and the 2nd functional body 3b are comprised with the ladder type surface acoustic wave filter or the double mode type | mold surface acoustic wave filter is illustrated. The dual mode type surface acoustic wave filter is a receiving filter 20 of a duplexer, the ladder type surface acoustic wave filter is a transmission filter 30 of a duplexer, and these filters have different passband frequencies, The pass band frequency of the reception filter 20 is larger than the pass band frequency of the transmission filter 30. That is, the surface acoustic wave device 1 has filter characteristics that allow different frequencies to pass. Therefore, the surface acoustic wave device 1 can be used for a mobile phone terminal or the like as an antenna duplexer that demultiplexes signals of different frequencies such as transmission signals and reception signals.
図３は、２重モード型弾性表面波フィルタを示しており、図４は、ラダー型弾性表面波フィルタを示している。本実施形態では、例えば、受信フィルタ２０が２重モード型弾性表面波フィルタで構成され、送信フィルタ３０がラダー型弾性表面波フィルタで構成されている。すなわち、弾性表面波装置１は、第１の電子素子２および第２の電子素子３の一方が受信フィルタ２０であり、他方が送信フィルタ３０である。以下の説明では、２重モード型弾性表面波フィルタを受信フィルタ２０とし、ラダー型弾性表面波フィルタを送信フィルタ３０とする。
FIG. 3 shows a dual mode type surface acoustic wave filter, and FIG. 4 shows a ladder type surface acoustic wave filter. In the present embodiment, for example, the reception filter 20 is configured by a dual mode type surface acoustic wave filter, and the transmission filter 30 is configured by a ladder type surface acoustic wave filter. That is, in the surface acoustic wave device 1, one of the first electronic element 2 and the second electronic element 3 is the reception filter 20, and the other is the transmission filter 30. In the following description, the dual mode surface acoustic wave filter is referred to as the reception filter 20, and the ladder type surface acoustic wave filter is referred to as the transmission filter 30.
受信フィルタ２０は、図３に示すように、例えば、ＩＤＴ（InterDigital transducer
）２０ａおよび２つのＩＤＴ２０ｂと２つの反射器２０ｃとを有しており、ＩＤＴ２０ａおよびＩＤＴ２ｂは弾性表面波の伝播方向に隣り合うように配置されている。また、反射器２０ｃは、外側に位置するＩＤＴ２０ｂに隣り合うように、すなわち、ＩＤＴ２０ｂを両側から挟みこむように配置されている。また、図３に示すように、２つのＩＤＴ２０ｂの各々の一方の櫛歯電極は相互に電気的に接続されている。
As shown in FIG. 3, the reception filter 20 is, for example, an IDT (InterDigital transducer).
) 20a and two IDTs 20b and two reflectors 20c, and the IDTs 20a and IDT2b are arranged adjacent to each other in the propagation direction of the surface acoustic wave. Further, the reflector 20c is arranged so as to be adjacent to the IDT 20b located outside, that is, so as to sandwich the IDT 20b from both sides. Further, as shown in FIG. 3, one comb-tooth electrode of each of the two IDTs 20b is electrically connected to each other.
また、ＩＤＴ２０ａは、図３に示すように、互いに噛み合うように(複数の電極指２０
ａａが互いに交互するように)配置された１対の櫛歯電極を有している。ＩＤＴ２０ａの
各櫛歯電極は、バスバー２０ａｂと、バスバー２０ａｂからバスバー２０ａｂの長手方向に直交する方向に延びる複数の電極指２０ａａとを有している。複数の電極指２０ａａのピッチは概ね一定である。実際には、ＩＤＴ２０ａは、これより多くの電極指２０ａａを有する複数対の櫛歯電極が設けられていてもよい。
Further, as shown in FIG. 3, the IDT 20a is engaged with each other (a plurality of electrode fingers 20).
It has a pair of comb electrodes arranged so that aa are alternately arranged. Each comb electrode of the IDT 20a includes a bus bar 20ab and a plurality of electrode fingers 20aa extending from the bus bar 20ab in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the bus bar 20ab. The pitch of the plurality of electrode fingers 20aa is substantially constant. In practice, the IDT 20a may be provided with a plurality of pairs of comb electrodes having more electrode fingers 20aa.
また、ＩＤＴ２０ｂは、図３に示すように、互いに噛み合うように(複数の電極指２０
ｂａが互いに交互するように)配置された１対の櫛歯電極を有している。ＩＤＴ２０ｂの
各櫛歯電極は、バスバー２０ｂｂと、バスバー２０ｂｂからバスバー２０ｂｂの長手方向に直交する方向に延びる複数の電極指２０ｂａとを有している。複数の電極指２０ｂａのピッチは概ね一定である。実際には、ＩＤＴ２０ｂは、これより多くの電極指２０ｂａを有する複数対の櫛歯電極が設けられていてもよい。
Further, as shown in FIG. 3, the IDT 20b is configured to mesh with each other (a plurality of electrode fingers 20).
It has a pair of comb electrodes arranged so that ba alternates with each other. Each comb electrode of the IDT 20b includes a bus bar 20bb and a plurality of electrode fingers 20ba extending from the bus bar 20bb in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the bus bar 20bb. The pitch of the plurality of electrode fingers 20ba is substantially constant. Actually, the IDT 20b may be provided with a plurality of pairs of comb-tooth electrodes having more electrode fingers 20ba.
反射器２０ｃは、図３に示すように、ＩＤＴ２０ｂを両側から挟むように設けられており、１対のバスバー２０ｃｂと、１対のバスバー２０ｃｂ間において延びる複数の電極指２０ｃａとを有している。複数の電極指２０ｃａのピッチは概ね一定であるとともに、ＩＤＴ２０ａおよびＩＤＴ２０ｂの複数の電極指２０ａａおよび２０ｂａのピッチと概ね同一である。
As shown in FIG. 3, the reflector 20c is provided so as to sandwich the IDT 20b from both sides, and has a pair of bus bars 20cb and a plurality of electrode fingers 20ca extending between the pair of bus bars 20cb. . The pitch of the plurality of electrode fingers 20ca is substantially constant, and is substantially the same as the pitch of the plurality of electrode fingers 20aa and 20ba of the IDT 20a and IDT 20b.
図３に示すように、ＩＤＴ２０ａの櫛歯電極のバスバー２０ａｂに入力された電気信号
は、ＳＡＷ（弾性表面波）に変換されて、複数の電極指２０ａａおよび２０ｂａに直交する方向に伝搬する。そして、このＳＡＷ（弾性表面波）は、再度電気信号に変換されてＩＤＴ２０ｂの櫛歯電極のバスバー２０ｂｂから出力される。この過程において、電気信号は、通過帯域外の周波数成分が減衰される。通過帯域は、複数の電極指２０ａａのピッチを概ね半波長とするＳＡＷ（弾性表面波）の周波数帯に相当する。なお、受信フィルタ２０は、所望される特性に応じてＩＤＴ２０ａａのピッチ等の設計が最適化される。例えば、ＩＤＴ２０ａのピッチを狭くすると通過帯域周波数が高くなる。
As shown in FIG. 3, an electric signal input to the comb bar electrode bus bar 20ab of the IDT 20a is converted into SAW (surface acoustic wave) and propagates in a direction orthogonal to the plurality of electrode fingers 20aa and 20ba. The SAW (surface acoustic wave) is converted again into an electric signal and output from the comb bar electrode bus bar 20bb of the IDT 20b. In this process, the frequency component outside the pass band of the electrical signal is attenuated. The pass band corresponds to a SAW (surface acoustic wave) frequency band in which the pitch of the plurality of electrode fingers 20aa is approximately a half wavelength. The reception filter 20 is optimized in design such as the pitch of the IDT 20aa according to desired characteristics. For example, when the pitch of the IDT 20a is narrowed, the passband frequency is increased.
送信フィルタ３０は、図４に示すように、ＩＤＴ３０ａと２つの反射器３０ｂとからなるＳＡＷ共振子３０Ａを有しており、反射器３０ｂはＩＤＴ３０ａを両側から挟みこむように配置されている。ラダー型弾性表面波フィルタは、図３に示すように、複数個のＳＡＷ共振子３０Ａが梯子型（ラダー型）に接続されて構成されている。本実施形態では、５つのＳＡＷ共振子３０Ａが接続されている場合を例示している。
As shown in FIG. 4, the transmission filter 30 includes a SAW resonator 30A including an IDT 30a and two reflectors 30b. The reflector 30b is disposed so as to sandwich the IDT 30a from both sides. As shown in FIG. 3, the ladder type surface acoustic wave filter is configured by connecting a plurality of SAW resonators 30A in a ladder type (ladder type). In the present embodiment, the case where five SAW resonators 30A are connected is illustrated.
また、ＩＤＴ３０ａは、図４に示すように、互いに噛み合うように(複数の電極指３０
ａａが互いに交互するように)配置された１対の櫛歯電極を有している。ＩＤＴ３０ａの
各櫛歯電極は、バスバー３０ａｂと、バスバー３０ａｂからバスバー３０ａｂの長手方向に直交する方向に延びる複数の電極指３０ａａとを有している。複数の電極指３０ａａのピッチは概ね一定である。実際には、ＩＤＴ３０ａは、これより多くの電極指３０ａａを有する複数対の櫛歯電極が設けられていてもよい。
Further, as shown in FIG. 4, the IDT 30a is engaged with each other (a plurality of electrode fingers 30).
It has a pair of comb electrodes arranged so that aa are alternately arranged. Each comb electrode of the IDT 30a includes a bus bar 30ab and a plurality of electrode fingers 30aa extending from the bus bar 30ab in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the bus bar 30ab. The pitch of the plurality of electrode fingers 30aa is substantially constant. Actually, the IDT 30a may be provided with a plurality of pairs of comb electrodes having more electrode fingers 30aa.
反射器３０ｂは、図４に示すように、ＩＤＴ３０ａを両側から挟むように設けられており、１対のバスバー３０ｂｂと、１対のバスバー３０ｂｂ間において延びる複数の電極指３０ｂａとを有している。複数の電極指３０ｂａのピッチは概ね一定であるとともに、ＩＤＴ３０ａの複数の電極指３０ａａのピッチと概ね同一である。
As shown in FIG. 4, the reflector 30b is provided so as to sandwich the IDT 30a from both sides, and includes a pair of bus bars 30bb and a plurality of electrode fingers 30ba extending between the pair of bus bars 30bb. . The pitch of the plurality of electrode fingers 30ba is substantially constant and is substantially the same as the pitch of the plurality of electrode fingers 30aa of the IDT 30a.
ＳＡＷ共振子３０Ａ１の櫛歯電極の一方のバスバー３０ａｂに入力された電気信号は、ＳＡＷ（弾性表面波）に変換されて、複数の電極指３０ａａに直交する方向に伝搬する。そして、このＳＡＷ（弾性表面波）は、再度電気信号に変換されてＳＡＷ共振子３０Ａ１の櫛歯電極の他方のバスバー３０ａｂから出力される。ＳＡＷ共振子３０Ａ１のバスバー３０ａｂから出力された電気信号は、同様に、ＳＡＷ共振子３０Ａ２の一方のバスバー３０ａｂに入力されて、他方のバスバー３０ａｂから出力される。また、ＳＡＷ共振子３０Ａ３も同様に、ＳＡＷ共振子３０Ａ３の一方のバスバー３０ａｂに入力されて、他方のバスバー３０ａｂから出力される。
An electric signal input to one bus bar 30ab of the comb electrode of the SAW resonator 30A1 is converted into SAW (surface acoustic wave) and propagates in a direction orthogonal to the plurality of electrode fingers 30aa. Then, this SAW (surface acoustic wave) is again converted into an electric signal and output from the other bus bar 30ab of the comb electrode of the SAW resonator 30A1. Similarly, the electrical signal output from the bus bar 30ab of the SAW resonator 30A1 is input to one bus bar 30ab of the SAW resonator 30A2 and output from the other bus bar 30ab. Similarly, the SAW resonator 30A3 is input to one bus bar 30ab of the SAW resonator 30A3 and output from the other bus bar 30ab.
また、送信フィルタ３０は、図４に示すように、直列のＳＡＷ共振子３０Ａ１、ＳＡＷ共振子３０Ａ２およびＳＡＷ共振子３０Ａ３の共振周波数と並列のＳＡＷ共振子３０Ａ４およびＳＡＷ共振子３０Ａ５の***振周波数とを一致させるように組み合わせることでバンドパスフィルタとしての特性を得ることができる。
Further, as shown in FIG. 4, the transmission filter 30 has a resonance frequency of the SAW resonator 30A1, the SAW resonator 30A2 and the SAW resonator 30A3 in series and an anti-resonance frequency of the SAW resonator 30A4 and the SAW resonator 30A5 in parallel. By combining them so as to match, characteristics as a bandpass filter can be obtained.
この過程において、電気信号は、通過帯域外の周波数成分が減衰される。通過帯域周波数は、複数の電極指３０ａａのピッチを概ね半波長とするＳＡＷ（弾性表面波）の周波数帯に相当する。なお、送信フィルタ３０は、所望される特性に応じてＩＤＴ３０ａのピッチ等の設計が最適化される。
In this process, the frequency component outside the pass band of the electrical signal is attenuated. The passband frequency corresponds to a SAW (surface acoustic wave) frequency band in which the pitch of the plurality of electrode fingers 30aa is approximately a half wavelength. The transmission filter 30 is optimized in design such as the pitch of the IDT 30a according to desired characteristics.
第１の素子基板２ａには、第１の機能体２ｂから延出される第１の配線パターン２ｃが設けられている。第１の配線パターン２ｃは、第１の機能体２ｂから第１の素子基板２ａの外周側に延びるように設けられている。また、第２の素子基板３ａには、図２に示すように、第２の機能体３ｂから延出される第２の配線パターン３ｃが設けられている。第２の配線パターン３ｃは、第２の機能体３ｂから第２の素子基板３ａの外周側に延びるよう
に設けられている。第１の配線パターン２ｃおよび第２の配線パターン３ｃは、ＳＡＷ共振子の電極への電気信号の入出力の経路となる。
The first element substrate 2a is provided with a first wiring pattern 2c extending from the first functional body 2b. The first wiring pattern 2c is provided so as to extend from the first functional body 2b to the outer peripheral side of the first element substrate 2a. Further, as shown in FIG. 2, the second element substrate 3a is provided with a second wiring pattern 3c extending from the second functional body 3b. The second wiring pattern 3c is provided so as to extend from the second functional body 3b to the outer peripheral side of the second element substrate 3a. The first wiring pattern 2c and the second wiring pattern 3c serve as input / output paths of electric signals to the electrodes of the SAW resonator.
そして、第１の素子パッド２ｄは、第１の配線パターン２ｃ上に設けられており、第１の配線パターン２ｃに電気的に接続されている。また、第２の素子パッド３ｄは、第２の配線パターン３ｃ上に設けられており、第２の配線パターン３ｃに電気的に接続されている。すなわち、第１の配線パターン２ｃは、第１の機能体２ｂと第１の素子パッド２ｄとを電気的に接続しており、第２の配線パターン３ｃは、第２の機能体３ｂと第２の素子パッド３ｄとを電気的に接続している。
The first element pad 2d is provided on the first wiring pattern 2c and is electrically connected to the first wiring pattern 2c. The second element pad 3d is provided on the second wiring pattern 3c and is electrically connected to the second wiring pattern 3c. That is, the first wiring pattern 2c electrically connects the first functional body 2b and the first element pad 2d, and the second wiring pattern 3c includes the second functional body 3b and the second functional body 2b. The element pad 3d is electrically connected.
例えば、第１の電子素子２が、受信フィルタ２０であるとすると、第１の配線パターン配線２ｃは、バスバー２０ａｂと第１の素子パッド２ｄとを電気的に接続している。そして、第１の配線パターン２ｃは、第１の機能体２ｂ（受信フィルタ２０）から第１の素子基板２ａの外周側に延びている。また、第１の素子基板２ａには、ＩＤＴ２０ｂ同士を接続する中間配線が設けられている。
For example, assuming that the first electronic element 2 is the reception filter 20, the first wiring pattern wiring 2c electrically connects the bus bar 20ab and the first element pad 2d. The first wiring pattern 2c extends from the first functional body 2b (reception filter 20) to the outer peripheral side of the first element substrate 2a. The first element substrate 2a is provided with an intermediate wiring that connects the IDTs 20b.
また、例えば、第２の電子素子が、送信フィルタ３０であるとすると、第２の配線パターン配線３ｃは、バスバー３０ａｂと第２の素子パッド３ｄとを電気的に接続している。そして、第２の配線パターン３ｃは、第２の機能体３ｂ（送信フィルタ３０）から第２の素子基板３ａの外周側に延びている。また、第２の素子基板３ａには、ＩＤＴ３０ａ同士を接続する中間配線が設けられている。
For example, if the second electronic element is the transmission filter 30, the second wiring pattern wiring 3c electrically connects the bus bar 30ab and the second element pad 3d. The second wiring pattern 3c extends from the second functional body 3b (transmission filter 30) to the outer peripheral side of the second element substrate 3a. Further, the second element substrate 3a is provided with an intermediate wiring for connecting the IDTs 30a.
また、第１の配線パターン２ｃおよび第２の配線パターン３ｃは、外周側に直線状に、または、曲線状に延びていてもよいし、屈曲していてもよい。また、第１の配線パターン２ｃおよび第２の配線パターン３ｃは、一定の幅で延びていてもよいし、徐々に幅が変化していてもよいし、段階的に幅が変化していてもよい。したがって、第１の配線パターン２ｃおよび第２の配線パターン３ｃは、第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａに設けられた第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂの配置または第１の素子パッド２ｄおよび第２の素子パッド３ｄの配置等に応じて適宜に設定される。
Further, the first wiring pattern 2c and the second wiring pattern 3c may extend linearly or curvedly on the outer peripheral side, or may be bent. The first wiring pattern 2c and the second wiring pattern 3c may extend with a constant width, may gradually change in width, or may change in width step by step. Good. Therefore, the first wiring pattern 2c and the second wiring pattern 3c are arranged in the arrangement of the first functional body 2b and the second functional body 3b provided on the first element substrate 2a and the second element substrate 3a. It is set appropriately according to the arrangement of the first element pad 2d and the second element pad 3d.
第１の素子パッド２ｄは、例えば、ＩＤＴ２０ａに電力を供給するためのものであり、第１の配線パターン２ｃと電気的に接続するように、第１の配線パターン２ｃ上に設けられている。また、第２の素子パッド３ｄは、例えば、ＩＤＴ３０ａに電力を供給するためのものであり、第２の配線パターン３ｃと電気的に接続するように、第２の配線パターン３ｃ上に設けられている。
The first element pad 2d is for supplying power to the IDT 20a, for example, and is provided on the first wiring pattern 2c so as to be electrically connected to the first wiring pattern 2c. The second element pad 3d is, for example, for supplying power to the IDT 30a, and is provided on the second wiring pattern 3c so as to be electrically connected to the second wiring pattern 3c. Yes.
また、第１の素子パッド２ｄは、第１の素子基板２ａの下面２ａｂの周辺部に設けられており、第２の素子パッド３ｄは、第２の素子基板３ａの上面３ａａの周辺部に設けられている。なお、第１の素子パッド２ｄおよび第２の素子パッド３ｄの大きさは、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂの構成等に応じて適宜設定される。
The first element pad 2d is provided in the peripheral portion of the lower surface 2ab of the first element substrate 2a, and the second element pad 3d is provided in the peripheral portion of the upper surface 3aa of the second element substrate 3a. It has been. The sizes of the first element pad 2d and the second element pad 3d are appropriately set according to the configuration of the first functional body 2b and the second functional body 3b.
第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃは、例えば、同一の材料によって形成することができる。また、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃは、同時に形成することができる。
The first functional body 2b and the first wiring pattern 2c can be formed of the same material, for example. Further, the first functional body 2b and the first wiring pattern 2c can be formed simultaneously.
同様に、第２の機能体３ｂおよび第２の配線パターン３ｃは、例えば、同一の材料によって形成することができる。また、第２の機能体３ｂおよび第２の配線パターン３ｃは、同時に形成することができる。
Similarly, the second functional body 3b and the second wiring pattern 3c can be formed of the same material, for example. The second functional body 3b and the second wiring pattern 3c can be formed simultaneously.
第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃは、いずれも、ＡｌまたはＡｌ合金（
例えば、Ａｌ−Ｃｕ系またはＡｌ−Ｔｉ系）、ＣｕまたはＣｕ合金（例えば、Ｃｕ−Ｍｇ系、Ｃｕ−Ｔｉ系またはＣｕ−Ｒｄ系）、ＡｇまたはＡｇ合金（例えば、Ａｇ−Ｍｇ系、Ａｇ−Ｔｉ系またはＡｇ−Ｒｄ系）等の金属材料で形成することができる。また、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃは、一部は異なる材料によって形成されていてもよい。
The first functional body 2b and the first wiring pattern 2c are both Al or Al alloy (
For example, Al-Cu system or Al-Ti system, Cu or Cu alloy (for example, Cu-Mg system, Cu-Ti system or Cu-Rd system), Ag or Ag alloy (for example, Ag-Mg system, Ag--) Ti-based or Ag-Rd-based) or other metal material can be used. Moreover, the first functional body 2b and the first wiring pattern 2c may be partially formed of different materials.
第２の機能体３ｂおよび第２の配線パターン３ｃは、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃと同様な材料でもって形成することができる。
The second functional body 3b and the second wiring pattern 3c can be formed of the same material as that of the first functional body 2b and the first wiring pattern 2c.
また、第１の素子パッド２ｄおよび第２の素子パッド３ｄは、例えば、ＡｌまたはＡｌ合金（例えば、Ａｌ−Ｃｕ系またはＡｌ−Ｔｉ系）、ＣｕまたはＣｕ合金（例えば、Ｃｕ−Ｍｇ系、Ｃｕ−Ｔｉ系またはＣｕ−Ｒｄ系）、ＡｇまたはＡｇ合金（例えば、Ａｇ−Ｍｇ系、Ａｇ−Ｔｉ系またはＡｇ−Ｒｄ系）等の金属材料で形成することができる。
The first element pad 2d and the second element pad 3d are made of, for example, Al or Al alloy (for example, Al—Cu type or Al—Ti type), Cu or Cu alloy (for example, Cu—Mg type, Cu, etc.). -Ti-based or Cu-Rd-based), Ag or Ag alloy (for example, Ag-Mg-based, Ag-Ti-based, or Ag-Rd-based) can be used.
また、第１の素子パッド２ｄは、対応する第１の接続導体４ａ１との接合性の向上を目的として、表面にめっき層を形成することが好ましい。同様に、第２の素パッド３ｄは、対応する第２の接続導体４ｂ１との接合性の向上等を目的として、表面にめっき層を形成することが好ましい。めっき層は、例えば、第１の素子パッド２ｄおよび第２の素子パッド３ｄの表面にクロムめっき、ニッケルめっきおよびその上から金めっきメッキを施すことで形成される。
The first element pad 2d is preferably formed with a plating layer on the surface for the purpose of improving the bonding property with the corresponding first connection conductor 4a1. Similarly, it is preferable to form a plating layer on the surface of the second raw pad 3d for the purpose of improving the bonding property with the corresponding second connection conductor 4b1. The plating layer is formed, for example, by performing chromium plating, nickel plating, and gold plating on the surface of the first element pad 2d and the second element pad 3d.
また、弾性表面波装置１は、図２に示すように、第１の素子基板２ａの第１の機能体２ｂを覆うように保護膜２ｅが設けられ、第２の素子基板３ａの第２の機能体３ｂを覆うように保護膜３ｅが設けられている。保護膜２ｅおよび保護膜３ｅは、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂの酸化防止等に寄与するものである。また、保護膜２ｅおよび保護膜３ｅは、例えば、ＩＤＴ２０ａ、ＩＤＴ２０ｂおよび反射器２０ｃの電極指間またはＩＤＴ３０ａおよび反射器３０ｂの電極指間に導電性の異物が付着することによって発生する短絡を抑制することができる。
As shown in FIG. 2, the surface acoustic wave device 1 is provided with a protective film 2e so as to cover the first functional body 2b of the first element substrate 2a, and the second element substrate 3a has a second A protective film 3e is provided so as to cover the functional body 3b. The protective film 2e and the protective film 3e contribute to the prevention of oxidation of the first functional body 2b and the second functional body 3b. Moreover, the protective film 2e and the protective film 3e suppress the short circuit which generate | occur | produces, for example when a conductive foreign material adheres between the electrode fingers of IDT20a, IDT20b, and the reflector 20c, or between the electrode fingers of IDT30a and the reflector 30b. be able to.
保護膜２ｅおよび保護膜３ｅは、例えば、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、窒化珪素またはシリコン等の絶縁材料からなる。保護膜２ｅおよび保護膜３ｅの厚みは、例えば、８（ｎｍ）〜１５（ｎｍ）である。また、保護膜２ｅおよび保護膜３ｅの厚みは互いに異なって設けられていてもよい。
The protective film 2e and the protective film 3e are made of an insulating material such as silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, silicon nitride, or silicon. The thickness of the protective film 2e and the protective film 3e is, for example, 8 (nm) to 15 (nm). Further, the protective film 2e and the protective film 3e may be provided with different thicknesses.
保護膜２ｅは、第１の素子基板２ａの下面２ａｂの概ね全面にわたって設けて、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃを覆い、第１の素子パッド２ｄが形成される領域のみを露出させるように設けられている。
The protective film 2e is provided over substantially the entire lower surface 2ab of the first element substrate 2a, covers the first functional body 2b and the first wiring pattern 2c, and covers only the region where the first element pad 2d is formed. It is provided to be exposed.
また、保護膜３ｅは、第２の素子基板３ａの上面３ａａの概ね全面にわたって設けて、第２の機能体３ｂおよび第２の配線パターン３ｃを覆い、第２の素子パッド３ｄが形成される領域のみを露出させるように設けられている。
The protective film 3e is provided over substantially the entire upper surface 3aa of the second element substrate 3a, covers the second functional body 3b and the second wiring pattern 3c, and is a region where the second element pad 3d is formed. It is provided to expose only.
すなわち、保護膜２ｅは、第１の素子パッド２ｄが設けられる領域を除いて、第１の素子基板２ａの下面２ａｂの概ね全面にわたって設けられている。また、保護膜３ｅは、第２の素子パッド３ｄが設けられる領域を除いて、第２の素子基板３ａの上面３ａａの概ね全面にわたって設けられている。
That is, the protective film 2e is provided over almost the entire lower surface 2ab of the first element substrate 2a except for the region where the first element pads 2d are provided. The protective film 3e is provided over almost the entire upper surface 3aa of the second element substrate 3a except for the region where the second element pads 3d are provided.
この場合には、保護膜２ｅは、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃに覆うように設けられて、第１の素子パッド２ｄの形成領域が周知のフォトリソグラフィー法等を用いて露出された後、第１の素子パッド２ｄは、保護膜２ｅから露出している第１の配
線パターン２ｃ上に設けられる。同様に、保護膜３ｅは、第２の機能体３ｂおよび第２の配線パターン３ｃに覆うように設けられて、第２の素子パッド３ｄの形成領域が周知のフォトリソグラフィー法等を用いて露出された後、第２の素子パッド３ｄは、保護膜３ｅから露出している第２の配線パターン２ｃ上に設けられる。なお、弾性表面波装置１は、保護膜２ｅおよび保護膜３ｅを設けていない構成であってもよい。
In this case, the protective film 2e is provided so as to cover the first functional body 2b and the first wiring pattern 2c, and the formation region of the first element pad 2d is formed using a known photolithography method or the like. After the exposure, the first element pad 2d is provided on the first wiring pattern 2c exposed from the protective film 2e. Similarly, the protective film 3e is provided so as to cover the second functional body 3b and the second wiring pattern 3c, and the formation region of the second element pad 3d is exposed using a known photolithography method or the like. After that, the second element pad 3d is provided on the second wiring pattern 2c exposed from the protective film 3e. The surface acoustic wave device 1 may have a configuration in which the protective film 2e and the protective film 3e are not provided.
ここで、配線基板５について以下に説明する。
Here, the wiring board 5 will be described below.
配線基板５は、第１の絶縁層４ａを介して第１に素子基板２ａに対向するように配置されているとともに第２の絶縁層４ｂを介して第２の素子基板３ａに対向するように配置されている。また、配線基板５は、図２に示すように、第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａと電気的な接続するための複数の接続導体層５ｃを有している。接続導体層５ｃは、図２に示すように、配線基板５の上下面を貫通する貫通導体５ｃ３と貫通導体５ｃ３の上面に設けられた導体層５ｃ１および貫通導体５ｃ３の下面に設けられた導体層５ｃ２から構成されている。
The wiring substrate 5 is disposed so as to first face the element substrate 2a via the first insulating layer 4a, and so as to face the second element substrate 3a via the second insulating layer 4b. Has been placed. Further, as shown in FIG. 2, the wiring board 5 includes a plurality of connection conductor layers 5c for electrical connection with the first element substrate 2a and the second element substrate 3a. As shown in FIG. 2, the connection conductor layer 5c includes a through conductor 5c3 that penetrates the upper and lower surfaces of the wiring board 5, a conductor layer 5c1 provided on the upper surface of the through conductor 5c3, and a conductor layer provided on the lower surface of the through conductor 5c3. 5c2.
このように、配線基板５は、絶縁体５ａと、絶縁体５ａを上下方向に貫通する貫通導体５ｃ３と、貫通導体５ｃ３の上面に形成された導体層５ｃ１と、貫通導体５ｃ３の下面に形成された導体層５ｃ２とを有している。さらに、配線基板５は、絶縁体５ａの下面５ａｂに形成された導体層５ｃ２に接続端子パッド５ｄが設けられている。
Thus, the wiring board 5 is formed on the insulator 5a, the through conductor 5c3 penetrating the insulator 5a in the vertical direction, the conductor layer 5c1 formed on the top surface of the through conductor 5c3, and the bottom surface of the through conductor 5c3. Conductor layer 5c2. Furthermore, the wiring board 5 is provided with connection terminal pads 5d on the conductor layer 5c2 formed on the lower surface 5ab of the insulator 5a.
接続導体層５ｃの導体層５ｃ１は、第１の接続導体４ａ１に電気的に接続され、導体層５ｃ２は、第２の接続導体４ｂ１に電気的に接続される。
The conductor layer 5c1 of the connection conductor layer 5c is electrically connected to the first connection conductor 4a1, and the conductor layer 5c2 is electrically connected to the second connection conductor 4b1.
配線基板５の絶縁体５ａは、図１に示すように、例えば、概ね薄型の直方体状に形成されている。また、絶縁体５ａは、例えば、樹脂、セラミックおよび／またはアモルファス状態の無機材料を含んで形成されている。絶縁体５ａは、単一の材料からなるものであってもよいし、基材に樹脂を含浸させた基板のように複合材料からなるものであってもよい。また、絶縁体５ａは、剛性の優れた繊維層を樹脂の内部に設けたものであってもよい。
As shown in FIG. 1, the insulator 5a of the wiring board 5 is formed in, for example, a generally thin rectangular parallelepiped shape. The insulator 5a is formed including, for example, a resin, a ceramic, and / or an amorphous inorganic material. The insulator 5a may be made of a single material, or may be made of a composite material such as a substrate in which a base material is impregnated with a resin. Further, the insulator 5a may be one in which a fiber layer having excellent rigidity is provided inside the resin.
また、配線基板５では、絶縁体５ａは、具体的には、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体またはガラスセラミック焼結体等のセラミック材料が用いられる。あるいは、配線基板５では、絶縁体５ａは、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、エポキシ樹脂またはポリフェニレンエーテル樹脂等の有機樹脂材料が用いられる。さらに、セラミックまたはガラス等の無機材料をエポキシ樹脂等の有機樹脂材料に混合させてなる複合材料を用いることもできる。
Moreover, in the wiring board 5, the insulator 5a specifically includes an aluminum oxide sintered body, an aluminum nitride sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, a glass ceramic sintered body, or the like. These ceramic materials are used. Alternatively, in the wiring board 5, the insulator 5a is made of an organic resin material such as polyimide resin, cyanate resin, epoxy resin, or polyphenylene ether resin. Furthermore, a composite material obtained by mixing an inorganic material such as ceramic or glass with an organic resin material such as an epoxy resin can also be used.
導体層５ｃ１および導体層５ｃ２は、例えば、銅、タングステンまたはモリブデン等の金属材料で形成されている。また、貫通導体５ｃ３は、同様に、例えば、銅、タングステンまたはモリブデン等の金属材料で形成されている。
The conductor layer 5c1 and the conductor layer 5c2 are made of a metal material such as copper, tungsten, or molybdenum, for example. Similarly, the through conductor 5c3 is formed of a metal material such as copper, tungsten, or molybdenum.
配線基板５は、一般的な配線基板の製造方法と同様でよく、配線基板６の製造方法の一例を以下に示す。
The wiring board 5 may be the same as a general wiring board manufacturing method, and an example of the manufacturing method of the wiring board 6 is shown below.
配線基板５は、まず、絶縁体５ａは、下面５ａｂに周知のフォトリソグラフィー法等を用いて導体層５ｃ２が形成される。そして、この絶縁体５ａは、上面５ａａからレーザー加工またはドリル加工等を用いて絶縁体５ａを貫通する貫通孔が導体層５ｃ２上に形成される。次に、絶縁体５ａは、上面５ａａに銅等の金属材料を設けた後に、周知のフォトリソグラフィー法等を用いて、貫通孔に貫通導体５ｃ３が形成されるとともに上面５ａａに導体層５ｃ１が形成される。このような製造工程を経ることによって、配線基板５が得ら
れる。
In the wiring substrate 5, first, the insulator 5a is formed with the conductor layer 5c2 on the lower surface 5ab by using a well-known photolithography method or the like. And as for this insulator 5a, the through-hole which penetrates the insulator 5a is formed on the conductor layer 5c2 from the upper surface 5aa using laser processing or drilling. Next, after the insulator 5a is provided with a metal material such as copper on the upper surface 5aa, the through conductor 5c3 is formed in the through hole and the conductor layer 5c1 is formed on the upper surface 5aa by using a well-known photolithography method or the like. Is done. The wiring board 5 is obtained through such a manufacturing process.
封止樹脂層６は、図２に示すように、第２の素子基板３ａの下面３ａｂ（第２の機能体３ｂが設けられた主面と反対側の主面）および側面３ａｃを覆うように設けられている。すなわち、封止樹脂層６は、第２の素子基板２ａの下面３ａｂを覆うとともに第２の素子基板２の側面３ａｃを覆うように設けられている。このように、封止樹脂層６は、第２の機能体３ｂが設けられた主面を除いた領域を覆って第２の素子基板３ａを囲むように第２の素子基板３ａの外周部に設けられている。
As shown in FIG. 2, the sealing resin layer 6 covers the lower surface 3ab (the main surface opposite to the main surface on which the second functional body 3b is provided) and the side surface 3ac of the second element substrate 3a. Is provided. That is, the sealing resin layer 6 is provided so as to cover the lower surface 3ab of the second element substrate 2a and the side surface 3ac of the second element substrate 2. Thus, the sealing resin layer 6 covers the region excluding the main surface provided with the second functional body 3b and surrounds the second element substrate 3a on the outer peripheral portion of the second element substrate 3a. Is provided.
このように、封止樹脂層６は、第２の素子基板３ａの外周部に設けられており、その封止樹脂層６には、複数の内部貫通導体６ａが第２の素子基板３ａの外周部に位置するように設けられている。そして、内部貫通導体６ａは、一端が配線基板５の接続導体層５ｃに電気的に接続され、他端が外部端子１２に接続されている。なお、本実施形態の場合は、図１（ｃ）に示すように、４つの内部貫通導体６ａが第２の素子基板３ａの周囲に設けられている場合を例示している。そして、第１の配線パターン２ｃは、第１の接続導体４ａ１および接続導体層５ｃを介して内部貫通導体６ａに電気的に接続されている。
As described above, the sealing resin layer 6 is provided on the outer peripheral portion of the second element substrate 3a, and a plurality of internal through conductors 6a are provided on the outer periphery of the second element substrate 3a. It is provided so that it may be located in a part. One end of the internal through conductor 6 a is electrically connected to the connection conductor layer 5 c of the wiring substrate 5, and the other end is connected to the external terminal 12. In the case of the present embodiment, as shown in FIG. 1C, the case where four internal through conductors 6a are provided around the second element substrate 3a is illustrated. The first wiring pattern 2c is electrically connected to the internal through conductor 6a via the first connection conductor 4a1 and the connection conductor layer 5c.
また、弾性表面波装置１は、平面視にて第１の素子基板２ａに重なるように内部貫通導体６ａが設けられており、配線基板５が内部貫通導体６ａを介して電子機器等の実装基板に電気的に接続される。このように、弾性表面波装置１は、実装基板との接続部が第１の素子基板２ａの外周の内側に位置するように設けられており、この接続部が第１の素子基板２ａの外周よりも外側に位置することがないので、小型化することができる。
In addition, the surface acoustic wave device 1 is provided with an internal through conductor 6a so as to overlap the first element substrate 2a in a plan view, and the wiring board 5 is mounted on a mounting board such as an electronic device via the internal through conductor 6a. Is electrically connected. As described above, the surface acoustic wave device 1 is provided so that the connection portion with the mounting substrate is located inside the outer periphery of the first element substrate 2a, and this connection portion is the outer periphery of the first element substrate 2a. Since it is not located outside, it can be reduced in size.
そして、第２の配線パターン３ｃは、第２の接続導体４ｂ１および接続導体層５ｃを介して内部貫通導体６ａに電気的に接続されている。封止樹脂層６の厚みは、例えば、０．３（ｍｍ）〜０．４（ｍｍ）である。また、封止樹脂層６は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料からなる。
The second wiring pattern 3c is electrically connected to the internal through conductor 6a via the second connection conductor 4b1 and the connection conductor layer 5c. The thickness of the sealing resin layer 6 is, for example, 0.3 (mm) to 0.4 (mm). The sealing resin layer 6 is made of a resin material such as an epoxy resin, for example.
また、図２に示すように、接続導体層５ｃと内部貫通導体６ａとの間には接続端子パッド５ｄが設けられており、この接続端子パッド５ｄは、内部貫通導体６ａとの電気的接続を確実にするために設けられている。また、接続端子パッド５ｄを設けていない構成であってもよい。
Further, as shown in FIG. 2, a connection terminal pad 5d is provided between the connection conductor layer 5c and the internal through conductor 6a, and the connection terminal pad 5d provides electrical connection with the internal through conductor 6a. Provided to ensure. Moreover, the structure which does not provide the connection terminal pad 5d may be sufficient.
このように、弾性表面波装置１は、図１および図２に示すように、第１の素子基板２、第１の絶縁層４ａ、配線基板５および封止樹脂層６の外周側面が同一平面内に位置するように設けられる。これによって、弾性表面波装置１は、外周側面が揃っているので、電子機器等の実装基板上に実装する際に実装の精度が向上して、より高密度の実装が可能になる。
As described above, in the surface acoustic wave device 1, as shown in FIGS. 1 and 2, the outer peripheral side surfaces of the first element substrate 2, the first insulating layer 4 a, the wiring substrate 5, and the sealing resin layer 6 are the same plane. It is provided so that it may be located inside. As a result, the surface acoustic wave device 1 has a uniform outer peripheral side surface, so that mounting accuracy is improved when mounting on a mounting substrate such as an electronic device, and higher-density mounting becomes possible.
弾性表面波装置１では、配線基板５の上面５ａａ側に第１の電子素子２が設けられ、配線基板５の下面５ａｂ側に第２の電子素子３が設けられており、そして、第１の電子素子２および第２の電子素子３が配線基板５を挟んで上面５ａａ側および下面５ａｂ側に配置されているので、第１の電子素子２および第２の電子素子３の信号が互いに干渉しにくくなり、アイソレーション特性を向上させることができる。すなわち、弾性表面波装置１は、第１の素子基板２ａと第２の素子基板３ａとが配線基板５を介して対向して配置されており、受信フィルタ２０および送信フィルタ３０の一方が第１の素子基板２ａに設けられ、他方が第２の素子基板３ａに設けられているので、受信信号と送信信号とが互いに干渉しにくくなり、アイソレーション特性を向上させることができる。
In the surface acoustic wave device 1, the first electronic element 2 is provided on the upper surface 5aa side of the wiring board 5, the second electronic element 3 is provided on the lower surface 5ab side of the wiring board 5, and the first electronic element 2 is provided. Since the electronic element 2 and the second electronic element 3 are arranged on the upper surface 5aa side and the lower surface 5ab side with the wiring board 5 interposed therebetween, the signals of the first electronic element 2 and the second electronic element 3 interfere with each other. It becomes difficult to improve the isolation characteristics. That is, in the surface acoustic wave device 1, the first element substrate 2a and the second element substrate 3a are arranged to face each other with the wiring substrate 5 therebetween, and one of the reception filter 20 and the transmission filter 30 is the first. Since the other element substrate 2a is provided on the second element substrate 3a, the reception signal and the transmission signal are less likely to interfere with each other, and the isolation characteristics can be improved.
また、弾性表面波装置１では、第１の電子素子２が第１の素子基板２ａに設けられ、第
２の電子素子３が第２の素子基板３ａに設けられており、第１の電子素子２および第２の電子素子３が互いに異なる第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａにそれぞれ設けられているので、第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａの寸法を小さくすることができる。これによって、弾性表面波装置１は、高密度実装への対応が容易となる。
In the surface acoustic wave device 1, the first electronic element 2 is provided on the first element substrate 2 a, the second electronic element 3 is provided on the second element substrate 3 a, and the first electronic element 2 and the second electronic element 3 are provided on the first element substrate 2a and the second element substrate 3a, which are different from each other, respectively, the dimensions of the first element substrate 2a and the second element substrate 3a are reduced. be able to. As a result, the surface acoustic wave device 1 can easily cope with high-density mounting.
また、弾性表面波装置１では、配線基板５を挟んで第１の電子素子２と第２の電子素子３とが対向する構成を有しており、各々にフィルタ機能を持たせることでデュプレクサとすることができる。そして、弾性表面波装置１は、第１の電子素子２と配線基板５とを空間Ｓを介して、そして、第２の電子素子３と配線基板５とを空間Ｓを介して対向して配置されており、第１の電子素子２と第２の電子素子３とを縦方向に配置する構成にすることで小型化にすることができる。
Further, the surface acoustic wave device 1 has a configuration in which the first electronic element 2 and the second electronic element 3 face each other with the wiring board 5 interposed therebetween, and each of which has a filter function, can do. In the surface acoustic wave device 1, the first electronic element 2 and the wiring board 5 are arranged to face each other through the space S, and the second electronic element 3 and the wiring board 5 are arranged to face each other through the space S. Therefore, the first electronic element 2 and the second electronic element 3 can be downsized by arranging them in the vertical direction.
また、弾性表面波装置１では、第１の電子素子２を受信フィルタ２０で構成して、第２の電子素子３を送信フィルタ３０で構成することが好ましい。送信フィルタ３０は受信フィルタ２０よりも発熱性が高いため、弾性表面波装置１は、第２の電子素子３を送信フィルタ３０とすることによって、第２の電子素子２を囲むように設けられた封止樹脂層６を介して、第２の電子素子３で発生した熱を効果的に放熱することができる。これによって、弾性表面波装置１は、第２の電子素子３の送信フィルタ３０の放熱性を向上させることができる。このような構成にすることによって、弾性表面波装置１は、安定した電気性能を得ることができる。
In the surface acoustic wave device 1, it is preferable that the first electronic element 2 is constituted by the reception filter 20 and the second electronic element 3 is constituted by the transmission filter 30. Since the transmission filter 30 is more exothermic than the reception filter 20, the surface acoustic wave device 1 is provided so as to surround the second electronic element 2 by using the second electronic element 3 as the transmission filter 30. The heat generated in the second electronic element 3 can be effectively dissipated through the sealing resin layer 6. Thereby, the surface acoustic wave device 1 can improve the heat dissipation of the transmission filter 30 of the second electronic element 3. By adopting such a configuration, the surface acoustic wave device 1 can obtain stable electrical performance.
弾性表面波装置１は、図２に示すように、１層からなる配線基板５で構成されているが、図５に示すように、絶縁体５ａと絶縁体５ｂとからなる２層配線基板５Ａで構成されていてもよい。また、図５では、弾性表面波装置１Ａが、絶縁体５ａと絶縁体５ｂ７とからなる２層配線基板５Ａで構成されている場合を例示している。なお、弾性表面波装置１Ａは、配線基板５Ａの構成が弾性表面波装置１とは異なっている。
As shown in FIG. 2, the surface acoustic wave device 1 is composed of a wiring substrate 5 consisting of one layer, but as shown in FIG. 5, a two-layer wiring substrate 5A consisting of an insulator 5a and an insulator 5b. It may be comprised. FIG. 5 illustrates a case where the surface acoustic wave device 1 </ b> A includes a two-layer wiring board 5 </ b> A composed of an insulator 5 a and an insulator 5 b <b> 7. The surface acoustic wave device 1A is different from the surface acoustic wave device 1 in the configuration of the wiring board 5A.
配線基板５Ａは、図５（ｂ）に示すように、絶縁体５ａ上に、絶縁体５ｂと、絶縁体５ｂの上面５ｂａに形成された導体層５ｃ４と、絶縁体５ｂを上下方向に貫通する貫通導体５ｃ５とを有している。また、導体層５ｃ１と導体層５ｃ４とは、貫通導体５ｃ５を介して電気的に接合されている。接続導体層５ｃは、貫通導体５ｃ５と貫通導体５ｃ５の上面の導体層５ｃ４と貫通導体５ｃ５の下面の導体層５ｃ１とで構成されている。なお、配線基板５Ａの材料等の構成は配線基板５と同様な構成にすることができる。
As shown in FIG. 5B, the wiring board 5A penetrates the insulator 5a, the insulator 5b, the conductor layer 5c4 formed on the upper surface 5ba of the insulator 5b, and the insulator 5b in the vertical direction. And a through conductor 5c5. The conductor layer 5c1 and the conductor layer 5c4 are electrically joined through the through conductor 5c5. The connection conductor layer 5c includes a through conductor 5c5, a conductor layer 5c4 on the top surface of the through conductor 5c5, and a conductor layer 5c1 on the bottom surface of the through conductor 5c5. Note that the material and the like of the wiring board 5A can be the same as that of the wiring board 5.
このように、弾性表面波装置１Ａは、絶縁体５ａと絶縁体５ｂとからなる２層線基板５Ａ、すなわち、いわゆる多層配線基板で構成されているが、さらに、３層以上からなる絶縁体を積層する多層配線基板で構成されていてもよい。
As described above, the surface acoustic wave device 1A is composed of the two-layer wiring board 5A composed of the insulator 5a and the insulator 5b, that is, a so-called multilayer wiring board. You may be comprised with the multilayer wiring board to laminate | stack.
また、２層配線基板５Ａは、絶縁体５ａおよび絶縁体５ｂが、例えば、ガラス繊維からなる基材に有機樹脂を含浸硬化させた絶縁体上に銅箔をパターン化した導体層を形成して、絶縁体と導体層とを交互に積層させたものであってもよい。絶縁体５ａと絶縁体５ｂとからなる２層配線基板５Ａは、例えば、ビルドアップ法を用いて、絶縁体５ａと絶縁体５ｂとを積層して製造される。
Further, the two-layer wiring board 5A is formed by forming a conductor layer in which a copper foil is patterned on an insulator in which an insulator 5a and an insulator 5b are impregnated and cured with an organic resin on a base material made of glass fiber, for example. Alternatively, an insulator and a conductor layer may be alternately laminated. The two-layer wiring board 5A composed of the insulator 5a and the insulator 5b is manufactured by stacking the insulator 5a and the insulator 5b by using, for example, a build-up method.
また、２層配線基板５Ａは、絶縁体５ａおよび絶縁体５ｂが、例えば、支持基板（コア基板）に絶縁体（絶縁層）と導体層とを積層して、さらに、ビルドアップ方式で絶縁体（絶縁層）と導体層とを積層した後に、支持基板（コア基板）を取り除く、いわゆるコアレス基板の構成を有するものであってもよい。なお、ビルドアップ方式によって積層される絶縁体の積層数は、弾性表面波装置１の内部の構成等に応じて適宜に設定することができる。コアレス基板を採用することによって、２層配線基板５Ａは、絶縁体５ａおよび絶縁
体６ａが薄型になり、さらに全体として薄型のものにすることができる。
In addition, the two-layer wiring board 5A includes an insulator 5a and an insulator 5b in which, for example, an insulator (insulating layer) and a conductor layer are laminated on a support substrate (core substrate), and the insulator is further formed by a build-up method. It may have a structure of a so-called coreless substrate in which the support substrate (core substrate) is removed after laminating the (insulating layer) and the conductor layer. The number of insulators stacked by the build-up method can be appropriately set according to the internal configuration of the surface acoustic wave device 1 and the like. By adopting the coreless substrate, the two-layer wiring substrate 5A can be made thin as the insulator 5a and the insulator 6a and further thin as a whole.
弾性表面波装置１Ａは、図６に示すように、２層配線基板５Ａを用いることによって、絶縁体５ａの上面５ａａに回路パターン８を設けることができる。
As shown in FIG. 6, the surface acoustic wave device 1A can provide the circuit pattern 8 on the upper surface 5aa of the insulator 5a by using the two-layer wiring board 5A.
ここで、回路パターン８の一例について図６を参照しながら説明する。
Here, an example of the circuit pattern 8 will be described with reference to FIG.
回路パターン８は、図６に示すように、絶縁体５ａの上面５ａａに設けられている。すなわち、回路パターン８は、絶縁体５ａと絶縁体５ｂとの間に設けられている。回路パターン８は、図６に示すように、絶縁体５ａ上に導体層５ｃ１と同時に形成されており、導体層５ｃ１に電気的に接続されている。すなわち、回路パターン８は、絶縁体５ａ上の同一平面上に導体層５ｃ１から連続して設けられており、貫通導体５ｃ５および導体層５ｃ４を介して第１の電子素子２の第１の素子パッド２ａに電気的に接続されている。また、回路パターンは、貫通導体５ａ３および導体層５ｃ２を介して第２の電子素子３の第２の素子パッド３ｄに電気的に接続されている。
As shown in FIG. 6, the circuit pattern 8 is provided on the upper surface 5aa of the insulator 5a. That is, the circuit pattern 8 is provided between the insulator 5a and the insulator 5b. As shown in FIG. 6, the circuit pattern 8 is formed on the insulator 5a at the same time as the conductor layer 5c1, and is electrically connected to the conductor layer 5c1. In other words, the circuit pattern 8 is provided continuously from the conductor layer 5c1 on the same plane on the insulator 5a, and the first element pad of the first electronic element 2 via the through conductor 5c5 and the conductor layer 5c4. 2a is electrically connected. The circuit pattern is electrically connected to the second element pad 3d of the second electronic element 3 through the through conductor 5a3 and the conductor layer 5c2.
また、回路パターン８は、例えば、容量パターン８ａであり、また、スパイラル線路状のインダクタパターン８ｂである。そして、インダクタパターン８ｂはインダクタを形成するものであり、容量パターン８ａは容量を形成するものである。
The circuit pattern 8 is, for example, a capacitance pattern 8a and a spiral line-shaped inductor pattern 8b. The inductor pattern 8b forms an inductor, and the capacitor pattern 8a forms a capacitor.
弾性表面波装置１Ａは、第１の電子素子２と第２の電子素子３とに組み合わせて周辺回路を構成する場合には、周辺回路が、例えば、インダクタ用のインダクタ素子、容量用の容量素子または抵抗用の抵抗素子等の組み合わせで構成される。周辺回路は、例えば、整合素子またはＬＣフィルタ等である。
When the surface acoustic wave device 1A is configured by combining the first electronic element 2 and the second electronic element 3 with a peripheral circuit, the peripheral circuit includes, for example, an inductor element for an inductor and a capacitive element for a capacitor. Or it is comprised by the combination of the resistive element for resistance, etc. The peripheral circuit is, for example, a matching element or an LC filter.
回路パターン８は、例えば、絶縁体５ａの下面５ａｂに容量パターン８ａと対向するようにＧＮＤパターン８Ａを形成して、このＧＮＤパターン８Ａと容量パターン８ａとの間で容量を形成することができる。
In the circuit pattern 8, for example, a GND pattern 8A can be formed on the lower surface 5ab of the insulator 5a so as to face the capacitance pattern 8a, and a capacitance can be formed between the GND pattern 8A and the capacitance pattern 8a.
このように、弾性表面波装置１Ａは、例えば、絶縁体５ａ上に回路パターン８でインダクタと容量とからなるＬＣフィルタを構成することができるので、このＬＣフィルタを周辺回路として第１の機能体２ｂと第２の機能体３ｂとに組み合わせて設けることができる。また、回路パターン８は、容量パターン８ａまたはインダクタパターン８ｂに限らず、例えば、抵抗パターン等が絶縁体５ａの上面５ａａに設けられていてもよい。
As described above, the surface acoustic wave device 1A can form, for example, an LC filter including an inductor and a capacitor with the circuit pattern 8 on the insulator 5a. Therefore, the first functional body using the LC filter as a peripheral circuit. 2b and the second functional body 3b can be provided in combination. Further, the circuit pattern 8 is not limited to the capacitance pattern 8a or the inductor pattern 8b. For example, a resistance pattern or the like may be provided on the upper surface 5aa of the insulator 5a.
したがって、弾性表面波装置１Ａは、回路パターン８が絶縁体５ａと絶縁体５ｂとの間の同一平面上に設けられて容量またはインダクタを形成しているので、外付け部品としてのコンデンサやインダクタが不要となる。したがって、弾性表面波装置１Ａは、大型化が抑制され、小型化、薄型化にすることができる。また、回路パターン８は、絶縁体５ａと絶縁体５ｂとの間に内蔵するように設けられているので、弾性表面波装置１Ａは、回路パターン８を設ける前と同様に平面方向（ＸＹ面）の大きさが維持されるので、基板寸法の大型化が抑制される。
Therefore, in the surface acoustic wave device 1A, the circuit pattern 8 is provided on the same plane between the insulator 5a and the insulator 5b to form a capacitor or an inductor. It becomes unnecessary. Therefore, the surface acoustic wave device 1 </ b> A can be prevented from being increased in size, and can be reduced in size and thickness. Further, since the circuit pattern 8 is provided so as to be built in between the insulator 5a and the insulator 5b, the surface acoustic wave device 1A is in the plane direction (XY plane) as before the circuit pattern 8 is provided. Therefore, the increase in the substrate size is suppressed.
また、弾性表面波装置１Ａは、２層配線基板５Ａを用いることによって、絶縁体５ａと絶縁体５ｂとの間に回路パターン８を設けることができるので、回路パターン８の設計の自由度が高くなる。
In addition, the surface acoustic wave device 1A can provide the circuit pattern 8 between the insulator 5a and the insulator 5b by using the two-layer wiring board 5A, so that the degree of freedom in designing the circuit pattern 8 is high. Become.
また、弾性表面波装置１Ａは、外付け部品を使用する場合に比べて、弾性表面波装置１Ａの内部に容量またはインダクタ等を形成することができるので配線長が短くなり、不要な容量成分あるいは不要なインダクタ成分の発生を抑制することができる。このように、
弾性表面波装置１Ａは、小型化、薄型化することができるとともに高性能化することができる。
In addition, the surface acoustic wave device 1A can form a capacitor, an inductor, or the like inside the surface acoustic wave device 1A as compared with the case where an external component is used. Generation of unnecessary inductor components can be suppressed. in this way,
The surface acoustic wave device 1A can be reduced in size and thickness, and can be improved in performance.
また、２層配線基板５Ａの製造方法は、一般的な２層配線基板の製造方法と同様であり、２層配線基板５Ａの製造方法の一例を以下に示す。
The manufacturing method of the two-layer wiring board 5A is the same as the manufacturing method of a general two-layer wiring board, and an example of the manufacturing method of the two-layer wiring board 5A is shown below.
上述の絶縁体５ａ上に絶縁体５ｂを積層した後に、同様にして、貫通導体５ｃ５および導体層５ｃ４が形成される。これによって、絶縁体５ａ上に絶縁体５ｂが積層された２層配線基板５Ａが製造される。
After laminating the insulator 5b on the insulator 5a, the through conductor 5c5 and the conductor layer 5c4 are formed in the same manner. Thus, a two-layer wiring board 5A in which the insulator 5b is laminated on the insulator 5a is manufactured.
上述したように、絶縁体５ａは、導体層５ｃ１が絶縁体５ａの上面５ａａに形成され、貫通導体５ｃ３が絶縁体５ａを上下方向に貫通して形成され、導体層５ｃ２が絶縁体５ａの下面５ａｂに形成されて、貫通導体５ｃ３と電気的に接続されている。このように、導体層５ｃ１および導体層５ｃ２が貫通導体５ｃ３の上下面に設けられることになる。
As described above, in the insulator 5a, the conductor layer 5c1 is formed on the upper surface 5aa of the insulator 5a, the through conductor 5c3 is formed through the insulator 5a in the vertical direction, and the conductor layer 5c2 is formed on the lower surface of the insulator 5a. 5ab and is electrically connected to the through conductor 5c3. Thus, the conductor layer 5c1 and the conductor layer 5c2 are provided on the upper and lower surfaces of the through conductor 5c3.
そして、絶縁体５ｂは、導体層５ｃ４が絶縁体５ｂの上面５ｂａに形成され、貫通導体５ｃ５が絶縁体５ｂを上下方向に貫通して形成されている。このように、導体層５ｃ４および導体層５ｃ１が貫通導体５ｃ５の上下面に設けられることになる。このようにして、絶縁体５ａと絶縁体５ｂとからなる２層配線基板５Ａを製造することができる。
In the insulator 5b, the conductor layer 5c4 is formed on the upper surface 5ba of the insulator 5b, and the through conductor 5c5 is formed so as to penetrate the insulator 5b in the vertical direction. Thus, the conductor layer 5c4 and the conductor layer 5c1 are provided on the upper and lower surfaces of the through conductor 5c5. In this way, a two-layer wiring board 5A composed of the insulator 5a and the insulator 5b can be manufactured.
弾性表面波装置１は、図７に示すように、配線基板５の上面（主面）５ａａ上にグランド電位パターン５ａｄが設けられている。また、弾性表面波装置１Ａは、図７に示すように、配線基板５Ａの上面（主面）５ｂａ上にグランド電位パターン５ｂｄが設けられている。すなわち、グランド電位パターン５ａｄは、第１の機能体２ｂと対向するように配線基板５の上面（主面）５ａａに設けられおり、同様に、グランド電位パターン５ｂｄは、第１の機能体２ｂと対向するように配線基板５Ａの上面（主面）５ｂａ上に設けられている。
In the surface acoustic wave device 1, a ground potential pattern 5ad is provided on the upper surface (main surface) 5aa of the wiring board 5, as shown in FIG. In the surface acoustic wave device 1A, as shown in FIG. 7, a ground potential pattern 5bd is provided on the upper surface (main surface) 5ba of the wiring board 5A. That is, the ground potential pattern 5ad is provided on the upper surface (main surface) 5aa of the wiring board 5 so as to face the first functional body 2b. Similarly, the ground potential pattern 5bd is connected to the first functional body 2b. It is provided on the upper surface (main surface) 5ba of the wiring board 5A so as to face each other.
グランド電位パターン５ａｄ（５ｂｄ）は、シールド効果を持たせるために、グランド電位に保持されており、配線基板５の上面５ａａ（５ｂａ）の導体層５ｃ１（５ｃ４）等を除いた領域にベタパターンで設けられている。また、グランド電位パターン５ａｄ（５ｂｄ）は、より効果的なシールド効果を得るために、配線基板の上面５ａａ（５ｂａ）の広い領域に設けることが好ましい。
The ground potential pattern 5ad (5bd) is held at the ground potential in order to provide a shielding effect. The ground potential pattern 5ad (5bd) is a solid pattern in a region excluding the conductor layers 5c1 (5c4) and the like on the upper surface 5aa (5ba) of the wiring board 5. Is provided. The ground potential pattern 5ad (5bd) is preferably provided in a wide area on the upper surface 5aa (5ba) of the wiring board in order to obtain a more effective shielding effect.
このように、第１の電子素子２と第２の電子素子３との間の配線基板５（５Ａ）にグランド電位パターン５ａｄ（５ｂｄ）が設けられているので、グランド電位パターンのシールド効果によって、弾性表面波装置１（１Ａ）は、第１の電子素子２および第２の電子素子３の信号が互いに干渉しにくくなり、アイソレーション特性をさらに向上させることができる。
As described above, since the ground potential pattern 5ad (5bd) is provided on the wiring substrate 5 (5A) between the first electronic element 2 and the second electronic element 3, due to the shielding effect of the ground potential pattern, In the surface acoustic wave device 1 (1A), the signals of the first electronic element 2 and the second electronic element 3 are less likely to interfere with each other, and the isolation characteristics can be further improved.
すなわち、弾性表面波装置１（１Ａ）は、第１の素子基板２ａと第２の素子基板３ａとがグランド電位パターン５ａｄ（５ｂｄ）が設けられた配線基板５を介して対向して配置されており、受信フィルタ２０および送信フィルタ３０の一方が第１の素子基板２ａに設けられ、他方が第２の素子基板３ａに設けられているので、受信信号と送信信号とが互いに干渉しにくくなり、アイソレーション特性をさらに向上させることができる。
That is, in the surface acoustic wave device 1 (1A), the first element substrate 2a and the second element substrate 3a are arranged to face each other via the wiring substrate 5 provided with the ground potential pattern 5ad (5bd). Since one of the reception filter 20 and the transmission filter 30 is provided on the first element substrate 2a and the other is provided on the second element substrate 3a, the reception signal and the transmission signal are less likely to interfere with each other. Isolation characteristics can be further improved.
また、グランド電位パターン５ａｄ（５ｂｄ）は、配線基板５（５Ａ）の下面５ａｂに設けられていてもよい。すなわち、グランド電位パターン５ａｄ（５ｂｄ）は、第２の機能体３ｂと対向するように配線基板５（５Ａ）の下面５ａｂに設けられていてもよい。
The ground potential pattern 5ad (5bd) may be provided on the lower surface 5ab of the wiring board 5 (5A). That is, the ground potential pattern 5ad (5bd) may be provided on the lower surface 5ab of the wiring board 5 (5A) so as to face the second functional body 3b.
ここで、弾性表面波装置１の製造方法について以下に説明する。
Here, a manufacturing method of the surface acoustic wave device 1 will be described below.
まず、第１の電子素子２および第２の電子素子３の製造方法について以下に説明する。図８では、第１の電子素子２の製造方法を例にして説明する。なお、第２の電子素子３は、第１の電子素子２と同様の製造方法で製造することができる。
First, the manufacturing method of the 1st electronic element 2 and the 2nd electronic element 3 is demonstrated below. In FIG. 8, the manufacturing method of the first electronic element 2 will be described as an example. The second electronic element 3 can be manufactured by the same manufacturing method as that for the first electronic element 2.
図８（ａ）〜図８（ｄ）は、第１の電子素子２の製造方法を説明する図であり、図２に示す第１の電子素子２に対応する断面図である。なお、図８では、第１の素子基板２ａの下面２ａｂを上側にして示している。
FIG. 8A to FIG. 8D are views for explaining a manufacturing method of the first electronic element 2 and are cross-sectional views corresponding to the first electronic element 2 shown in FIG. In FIG. 8, the lower surface 2ab of the first element substrate 2a is shown on the upper side.
また、第１の電子素子２の製造工程は、図８（ａ）〜図８（ｄ）では、１つの弾性表面波装置１（１Ａ）の第１の素子基板２ａに対応する部分のみを図示している。また、分割によって複数の第１の電子素子２が得られる素子母基板２Ａを用いて第１の電子素子２ａを製造する場合にも、同様な製造工程が適用される。したがって、図８（ａ）〜図８（ｄ）の各製造工程を経ることによって、図１５および図１６に示すように、素子母基板２Ａには複数の第１の電子素子２を設けることができ、また、素子母基板３Ａには複数の第２の電子素子３を設けることができる。
8A to 8D, only the part corresponding to the first element substrate 2a of one surface acoustic wave device 1 (1A) is shown in FIG. 8A to FIG. 8D. Show. A similar manufacturing process is also applied when the first electronic element 2a is manufactured using the element mother board 2A from which a plurality of first electronic elements 2 are obtained by division. 8A to 8D, a plurality of first electronic elements 2 can be provided on the element mother board 2A as shown in FIGS. 15 and 16. In addition, a plurality of second electronic elements 3 can be provided on the element mother board 3A.
第１の電子素子２は、図７に示すように、図８（ａ）〜図８（ｄ）の各工程を経ることによって、第１の素子基板２ａの圧電基板の下面２ａｂ上に、第１の機能体２ｂ、第１の配線パターン２ｃ、第１の素子パッド２ｄおよび保護膜２ｅが形成される。
As shown in FIG. 7, the first electronic element 2 is formed on the lower surface 2ab of the piezoelectric substrate of the first element substrate 2a by going through the steps of FIGS. 8A to 8D. One functional body 2b, a first wiring pattern 2c, a first element pad 2d, and a protective film 2e are formed.
第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃの形成においては、具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の薄膜形成
法を用いて、図８（ａ）に示すように、第１の素子基板２ａの下面２ａｂ上に金属層が形成される。次に、この金属層に対して周知のフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングが行われる。このパターニングにより、図８（ｂ）に示すように、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃが第１の素子基板２ａ上に形成される。第１の機能体２ｂは、例えば、ＩＤＴ２０ａおよび反射器２０ｂ（ＳＡＷ共振子）であり、これらが第１の素子基板２ａ上に形成されることになる。
Specifically, in the formation of the first functional body 2b and the first wiring pattern 2c, first, a thin film forming method such as sputtering, vapor deposition, or CVD (Chemical Vapor Deposition) is used, as shown in FIG. ), A metal layer is formed on the lower surface 2ab of the first element substrate 2a. Next, this metal layer is patterned using a known photolithography method or the like. By this patterning, as shown in FIG. 8B, the first functional body 2b and the first wiring pattern 2c are formed on the first element substrate 2a. The first functional body 2b is, for example, an IDT 20a and a reflector 20b (SAW resonator), and these are formed on the first element substrate 2a.
さらに、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃが第１の素子基板２ａ上に形成されると、図８（ｃ）に示すように、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ等の薄膜形成法を用いて、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃを覆うように第１の素子基板２ａ上に保護膜２ｅが形成される。そして、この保護膜２ｅに対して周知のフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングが行われる。このパターンニングにより、第１の配線パターン２ｃ上に第１の素子パッド２ｄが設けられる開口部が形成される。
Further, when the first functional body 2b and the first wiring pattern 2c are formed on the first element substrate 2a, as shown in FIG. 8C, thin film formation such as sputtering, vapor deposition or CVD is performed. Using a method, a protective film 2e is formed on the first element substrate 2a so as to cover the first functional body 2b and the first wiring pattern 2c. Then, the protective film 2e is patterned using a known photolithography method or the like. By this patterning, an opening in which the first element pad 2d is provided is formed on the first wiring pattern 2c.
そして、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ等の薄膜形成法を用いて、保護膜２ｅを覆うように第１の素子基板２ａ上に金属層が形成される。そして、この金属層に対して周知のフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングが行われる。このパターンニングにより、図８（ｄ）に示すように、第１の素子パッド２ｄが第１の配線パターン２ｃ上に形成される。
Then, a metal layer is formed on the first element substrate 2a so as to cover the protective film 2e by using a thin film forming method such as sputtering, vapor deposition, or CVD. Then, patterning is performed on the metal layer using a known photolithography method or the like. By this patterning, as shown in FIG. 8D, the first element pad 2d is formed on the first wiring pattern 2c.
このようにして、図８（ａ）〜図８（ｄ）の各製造工程を経ることによって、第１の電子素子２が製造される。また、同様にして、図８（ａ）〜図８（ｄ）の各製造工程を経ることによって、第２の電子素子３が製造される。
In this way, the first electronic device 2 is manufactured through the manufacturing steps shown in FIGS. 8A to 8D. Similarly, the second electronic element 3 is manufactured through the manufacturing steps shown in FIGS. 8A to 8D.
次に、配線基板５Ａの製造方法について以下に説明する。図９では、配線基板５Ａの製造方法を例にして説明する。なお、配線基板５は、配線基板５Ａと同様の製造方法で製造
することができる。図９では、第１の絶縁層４ａが配線基板５Ａに設けられる場合を例示している。
Next, a method for manufacturing the wiring board 5A will be described below. In FIG. 9, a manufacturing method of the wiring board 5A will be described as an example. The wiring board 5 can be manufactured by the same manufacturing method as the wiring board 5A. FIG. 9 illustrates the case where the first insulating layer 4a is provided on the wiring board 5A.
図９（ａ）〜図９（ｅ）は、配線基板５Ａの製造方法を説明する図であり、図９に示す配線基板５Ａに対応する断面図である。
FIG. 9A to FIG. 9E are views for explaining a method of manufacturing the wiring board 5A, and are cross-sectional views corresponding to the wiring board 5A shown in FIG.
また、配線基板５Ａの製造工程は、図９（ａ）〜図９（ｅ）では、１つの弾性表面波装置１Ａの配線基板５Ａに対応する部分のみを図示している。また、分割によって複数の配線基板５Ａが得られる配線母基板５ＡＡを用いて配線基板５Ａを製造する場合にも、同様な製造工程が適用される。したがって、図９（ａ）〜図９（ｅ）の各製造工程を経ることによって、図１８に示すように、配線母基板５ＡＡには複数の配線基板５Ａを設けることができる。
9A to 9E show only a portion corresponding to the wiring substrate 5A of one surface acoustic wave device 1A. A similar manufacturing process is also applied when manufacturing the wiring board 5A using the wiring mother board 5AA from which a plurality of wiring boards 5A are obtained by division. 9A to 9E, the wiring mother board 5AA can be provided with a plurality of wiring boards 5A as shown in FIG.
まず、図９（ａ）に示すように、絶縁体５ａと絶縁体５ｂとからなる２層配線基板５Ａを準備する。２層配線基板５Ａは、例えば、ビルドアップ法を用いて、絶縁体５ａと絶縁体５ｂとを積層して製造される。
First, as shown in FIG. 9A, a two-layer wiring board 5A composed of an insulator 5a and an insulator 5b is prepared. The two-layer wiring board 5A is manufactured by laminating the insulator 5a and the insulator 5b by using, for example, a build-up method.
次に、図９（ｂ）に示すように、例えば、導体層５ｃ４を覆うように、絶縁体５ｂの上面５ｂａに亘って絶縁材料が形成される。なお、第１の絶縁層４はこの絶縁材料で構成される。絶縁材料（第１の絶縁層４）は、例えば、塗布法、印刷法、蒸着法またはＣＶＤ等の薄膜形成法を用いて形成される。
Next, as shown in FIG. 9B, for example, an insulating material is formed over the upper surface 5ba of the insulator 5b so as to cover the conductor layer 5c4. The first insulating layer 4 is made of this insulating material. The insulating material (first insulating layer 4) is formed using, for example, a coating method, a printing method, a vapor deposition method, or a thin film forming method such as CVD.
図９（ｃ）に示すように、絶縁体５ｂ上に絶縁材料が設けられると、この絶縁材料に対して、周知のフォトリソグラフィー等を用いてパターニングが行われ、パターニングされた絶縁材料が絶縁体５ｂ上に形成される。図９（ｃ）に示すように、このパターニングは、第１の接続導体４ａ１の形成領域が露出するように行なわれ、導体層５ｃ４上の絶縁材料に開口部が形成される。このようにして、第１の絶縁層４ａが絶縁体５ｂの上面５ｂａに導体層５ｃ４上に開口部を有して形成される。
As shown in FIG. 9C, when an insulating material is provided on the insulator 5b, the insulating material is patterned using a known photolithography or the like, and the patterned insulating material is the insulator. 5b is formed. As shown in FIG. 9C, this patterning is performed so that the formation region of the first connection conductor 4a1 is exposed, and an opening is formed in the insulating material on the conductor layer 5c4. In this way, the first insulating layer 4a is formed on the upper surface 5ba of the insulator 5b with the opening on the conductor layer 5c4.
第１の接続導体４ａ１は、例えば、Ａｇペーストであり、図９（ｄ）に示すように、第１の絶縁層４ａから露出している導体層５ｃ４上に形成される。すなわち、第１の接続導体４ａ１は、導体層５ｃ４上の第１の絶縁層４ａの開口部を埋めるように設けられる。また、第１の接続導体４ａ１は、例えば、印刷法またはディスペンス法等を用いて導体層５ｃ４上に形成される。
The first connection conductor 4a1 is, for example, Ag paste, and is formed on the conductor layer 5c4 exposed from the first insulating layer 4a, as shown in FIG. 9D. That is, the first connection conductor 4a1 is provided so as to fill the opening of the first insulating layer 4a on the conductor layer 5c4. The first connection conductor 4a1 is formed on the conductor layer 5c4 using, for example, a printing method or a dispensing method.
ここで、絶縁体５ｂ上の第１の絶縁層４ａの形成についての一例を以下に示す。
Here, an example of the formation of the first insulating layer 4a on the insulator 5b is shown below.
第１の絶縁層４ａは、例えば、ソルダーレジストであり、絶縁体５ｂ上にソルダーレジストが印刷法を用いて形成される。そして、ソルダーレジストは、例えば、８０（℃）で２０〜３０（分）の加熱処理を行なって仮乾燥される。次に、ソルダーレジストは、ネガフィルムを介して紫外線が照射されて、第１の絶縁層４ａを設けるべき領域のみが硬化される。さらに、ソルダーレジストは、未硬化領域がアルカリ水溶液等で除去され、例えば、１５０（℃）で６０（分）の加熱処理を行なって本硬化される。そして、パターニングされたソルダーレジストが絶縁体５ｂ上に設けられる。このようにして、２層配線基板５Ａの絶縁体５ｂ上に第１の絶縁層４ａが設けられる。また、第１の絶縁層４ａは、ソルダーレジストの他に、例えば、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂等の材料からなる。
The first insulating layer 4a is, for example, a solder resist, and the solder resist is formed on the insulator 5b by using a printing method. And a soldering resist is temporarily dried, for example by heat-processing for 20-30 (min) at 80 (degreeC). Next, the solder resist is irradiated with ultraviolet rays through a negative film, and only the region where the first insulating layer 4a is to be provided is cured. Furthermore, the uncured region of the solder resist is removed with an alkaline aqueous solution or the like, and is subjected to a heat treatment at 150 (° C.) for 60 (minutes), for example, and finally cured. Then, a patterned solder resist is provided on the insulator 5b. In this way, the first insulating layer 4a is provided on the insulator 5b of the two-layer wiring board 5A. The first insulating layer 4a is made of a material such as an epoxy resin or a polyimide resin in addition to the solder resist.
接着材層７は、図９（ｅ）に示すように、第１の接続導体４ａ１が設けられている領域を除いて第１の絶縁層４ａ上に形成される。接着材層７は、例えば、エポキシ系樹脂等の絶縁性の材料からなり、例えば、印刷法またはフォトリソグラフィー法等を用いて第１の
絶縁層４ａ上に形成される。接着材層７は、第１の素子基板２ａに設けてもよい。また、第１の絶縁層４ａは接着機能を有する材料を用いることができ、これによって、接着材層７を省くことができる。
As shown in FIG. 9E, the adhesive layer 7 is formed on the first insulating layer 4a except for the region where the first connection conductor 4a1 is provided. The adhesive layer 7 is made of an insulating material such as an epoxy resin, for example, and is formed on the first insulating layer 4a by using, for example, a printing method or a photolithography method. The adhesive layer 7 may be provided on the first element substrate 2a. Further, the first insulating layer 4a can be made of a material having an adhesive function, whereby the adhesive layer 7 can be omitted.
ここで、配線基板５Ａと第１の素子基板２ａとの接合および配線基板５Ａと第２の素子基板３ａとの接合について、図１０〜図１３を参照しながら以下に説明する。なお、図１０〜図１３では、接着材層７は省略して示している。なお、図１０〜図１３では、１つの弾性表面波装置１Ａに対応する部分のみを示している。
Here, the bonding between the wiring substrate 5A and the first element substrate 2a and the bonding between the wiring substrate 5A and the second element substrate 3a will be described below with reference to FIGS. 10 to 13, the adhesive layer 7 is omitted. 10 to 13 show only a portion corresponding to one surface acoustic wave device 1A.
図１０に示すように、第１の素子基板２ａは配線基板５Ａの上面５ｂａ側に対向して配置され、第２の素子基板３ａは配線基板５Ａの下面５ａｂ側に対向して配置される。第１の素子基板２ａと配線基板５Ａとの間には、第１の絶縁層４ａによって空間Ｓが形成される。また、第２の素子基板３ａと配線基板５Ａとの間には、第２の絶縁層４ｂによって空間Ｓが形成される。
As shown in FIG. 10, the first element substrate 2a is disposed to face the upper surface 5ba side of the wiring substrate 5A, and the second element substrate 3a is disposed to face the lower surface 5ab side of the wiring substrate 5A. A space S is formed by the first insulating layer 4a between the first element substrate 2a and the wiring substrate 5A. Further, a space S is formed by the second insulating layer 4b between the second element substrate 3a and the wiring substrate 5A.
図１１（ａ）に示すように、第１の素子基板２ａと配線基板５Ａとは、第１の絶縁層４ａ上の接着材層７を介して接合され、第２の素子基板３ａと配線基板５Ａとは、第２の絶縁層４ｂ上の接着材層７を介して接合される。この場合に、第１の素子基板２ａの第１の素子パッド２ｄと第１の絶縁体４ａの第１の接続導体４ａ１とが対向して接合されて電気的な接合が得られる。また、第２の素子基板３ａの第２の素子パッド３ｄと第２の絶縁層４ｂの第２の接続導体４ｂ１とが対向して接合されて電気的な接合が得られる。すなわち、第１の素子基板２ａの第１の素子パッド２ｄと配線基板５Ａの導体層５ｃ４とが第１の接続導体４ａ１を介して電気的に接合される。また、第２の素子基板３ａの第２の素子パッド３ｄと配線基板５Ａの導体層５ｃ２とが第２の接続導体４ｂ１を介して電気的に接合される。
As shown in FIG. 11A, the first element substrate 2a and the wiring substrate 5A are joined via the adhesive layer 7 on the first insulating layer 4a, and the second element substrate 3a and the wiring substrate are joined. 5A is bonded via the adhesive layer 7 on the second insulating layer 4b. In this case, the first element pad 2d of the first element substrate 2a and the first connection conductor 4a1 of the first insulator 4a are bonded to face each other to obtain an electric bond. In addition, the second element pad 3d of the second element substrate 3a and the second connection conductor 4b1 of the second insulating layer 4b are bonded to face each other to obtain an electric bond. That is, the first element pad 2d of the first element substrate 2a and the conductor layer 5c4 of the wiring substrate 5A are electrically joined via the first connection conductor 4a1. In addition, the second element pad 3d of the second element substrate 3a and the conductor layer 5c2 of the wiring substrate 5A are electrically joined through the second connection conductor 4b1.
配線基板５Ａと第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａとは、例えば、加圧しながら１５０（℃）で６０(分)の加熱硬化によって接合される。第１の接続導体４ａ１および第２の接続導体４ｂ１による電気的な接合および接着材層７による接合は、例えば、加圧しながら１５０（℃）で６０(分)の加熱処理で同時に行なわれる。なお、加圧および加熱処理の条件は、配線基板５と第１の素子基板２ａおよび第３の素子基板３ａとの構成等を考慮して適宜設定される。
The wiring substrate 5A, the first element substrate 2a, and the second element substrate 3a are bonded together by, for example, heat curing at 150 (° C.) for 60 (min) while applying pressure. The electrical joining by the first connecting conductor 4a1 and the second connecting conductor 4b1 and the joining by the adhesive layer 7 are simultaneously performed by, for example, a heat treatment of 150 (° C.) and 60 (min) while applying pressure. Note that the conditions of the pressurization and heat treatment are appropriately set in consideration of the configuration of the wiring substrate 5, the first element substrate 2a, and the third element substrate 3a.
このようにして、配線基板５Ａの上面５ｂａ側に第１の電子素子２が、そして、配線基板５Ａの下面５ａｂ側に第２の電子素子３が接合される。
In this way, the first electronic element 2 is bonded to the upper surface 5ba side of the wiring board 5A, and the second electronic element 3 is bonded to the lower surface 5ab side of the wiring board 5A.
配線基板５Ａと第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａとを貼り合わせて接合することによって、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂを収容する空間Ｓが配線基板５Ａの上面５ｂａ側および下面５ａｂ側にそれぞれ形成される。
The wiring substrate 5A, the first element substrate 2a, and the second element substrate 3a are bonded and bonded to each other so that the space S that accommodates the first functional body 2b and the second functional body 3b becomes the wiring substrate 5A. They are formed on the upper surface 5ba side and the lower surface 5ab side, respectively.
次に、図１１（ｂ）に示すように、第２の素子基板３ａは四辺の外周部を切断線Ｌに沿って切断される。すなわち、第２の素子基板３ａは、図１（ｃ）に示すように、外周が第１の素子基板２ａの外周よりも内側に位置するように四辺の外周部が切断される。これによって、第２の素子基板３ａは、第１の素子基板２ａよりも小さくなり、第１の素子基板２ａの外周よりも内側に位置するように配置される。また、第２の素子基板３ａを切断する切断線Ｌの位置は、第２の素子基板３ａに設けられる第２の配線パターン３ｃの配置構成等によって適宜設定される。
Next, as shown in FIG. 11 (b), the second element substrate 3 a is cut along the cutting line L at the outer periphery of the four sides. That is, as shown in FIG. 1C, the outer periphery of the four sides of the second element substrate 3a is cut so that the outer periphery is located inside the outer periphery of the first element substrate 2a. As a result, the second element substrate 3a is smaller than the first element substrate 2a, and is disposed so as to be located inside the outer periphery of the first element substrate 2a. Further, the position of the cutting line L for cutting the second element substrate 3a is appropriately set depending on the arrangement configuration of the second wiring pattern 3c provided on the second element substrate 3a.
また、第２の素子基板３ａを切断する前に、第１の素子基板２ａの上面２ａａおよび第２の素子基板３ａの下面３ａｂの少なくともいずれか一方を、バックグラインドホイール
等を用いて削ることによって、第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａの素子基板厚みを薄くすることができる。これによって、弾性表面波装置１は、より薄型にすることができる。また、第２の素子基板３ａを切断後に、第１の素子基板２ａの上面２ａａおよび第２の素子基板３ａの下面３ａｂの少なくともいずれか一方を削ってもよい。
Further, before cutting the second element substrate 3a, at least one of the upper surface 2aa of the first element substrate 2a and the lower surface 3ab of the second element substrate 3a is shaved using a back grind wheel or the like. The element substrate thickness of the first element substrate 2a and the second element substrate 3a can be reduced. Thereby, the surface acoustic wave device 1 can be made thinner. Further, after cutting the second element substrate 3a, at least one of the upper surface 2aa of the first element substrate 2a and the lower surface 3ab of the second element substrate 3a may be shaved.
第２の素子基板３ａを切断した後、周知のフォトリソグラフィー法等を用いることによって、接続端子パッド５ｄが配線基板５Ａの導体層５ｃ２の下部に形成される。なお、接続端子パッド５ｄを形成しない構成であってもよい。
After cutting the second element substrate 3a, a connection terminal pad 5d is formed below the conductor layer 5c2 of the wiring substrate 5A by using a known photolithography method or the like. The connection terminal pad 5d may not be formed.
次に、図１２（ａ）に示すように、封止樹脂層６が第２の素子基板３ａの下面３ａｂおよび側面３ａｃを覆うように設けられる。封止樹脂層６は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料であり、例えば、エポキシ樹脂をシート状に加工して、第２の素子基板３ａにシート状のエポキシ樹脂を加圧して設けられる。また、封止樹脂層６は、例えば、第２の素子基板３ａに感光性樹脂を塗布または印刷して、周知のフォトリソグラフィー法等を用いて形成してもよい。
Next, as shown in FIG. 12A, the sealing resin layer 6 is provided so as to cover the lower surface 3ab and the side surface 3ac of the second element substrate 3a. The sealing resin layer 6 is, for example, a resin material such as an epoxy resin. For example, the sealing resin layer 6 is formed by processing an epoxy resin into a sheet shape and pressurizing the sheet-shaped epoxy resin on the second element substrate 3a. Further, the sealing resin layer 6 may be formed by applying or printing a photosensitive resin on the second element substrate 3a and using a well-known photolithography method or the like.
そして、図１２（ｂ）に示すように、封止樹脂層６は、第２の素子基板３ａの外周部に、レーザー加工法またはドリル加工法等を用いて、内部貫通導体６ａを設けるための貫通孔が設けられる。また、貫通孔は、接続端子パッド５ｄに対応する位置に封止樹脂層６を貫通して設けられる。
And as shown in FIG.12 (b), the sealing resin layer 6 is for providing the internal through-conductor 6a in the outer peripheral part of the 2nd element substrate 3a using a laser processing method or a drill processing method. A through hole is provided. The through hole is provided through the sealing resin layer 6 at a position corresponding to the connection terminal pad 5d.
次に、図１３（ａ）に示すように、内部貫通導体６ａが貫通孔内に設けられる。内部貫通導体６ａは、例えば、Ａｇペーストであり、印刷法等を用いて貫通孔内に設けられる。
Next, as shown in FIG. 13A, the internal through conductor 6a is provided in the through hole. The internal through conductor 6a is, for example, Ag paste and is provided in the through hole using a printing method or the like.
そして、図１３（ｂ）に示すように、周知のフォトリソグラフィー法等を用いて、外部端子１２が内部貫通導体６ａに形成される。これによって、弾性表面波装置１Ａを得ることができる。
And as shown in FIG.13 (b), the external terminal 12 is formed in the internal penetration conductor 6a using a well-known photolithographic method. Thereby, the surface acoustic wave device 1A can be obtained.
上述では、第１の絶縁層４ａが配線基板５Ａに設けられる場合について説明したが、第１の絶縁層４ａは第１の素子基板２ａに設けられていてもよい。図１４を参照しながら説明する。
Although the case where the first insulating layer 4a is provided on the wiring substrate 5A has been described above, the first insulating layer 4a may be provided on the first element substrate 2a. This will be described with reference to FIG.
図１４（ｂ）までは、上述したように、図８の製造工程を経ることによって製造される。
Up to FIG. 14B is manufactured through the manufacturing process of FIG. 8, as described above.
次に、絶縁材料が、保護膜２ｅを覆うように、第１の素子基板２ａの下面２ａｂに亘って設けられる。なお、第１の絶縁層４ａはこの絶縁材料で構成される。絶縁材料（第１の絶縁層４）は、例えば、塗布法、印刷法、蒸着法またはＣＶＤ等の薄膜形成法を用いて形成される。
Next, an insulating material is provided over the lower surface 2ab of the first element substrate 2a so as to cover the protective film 2e. The first insulating layer 4a is made of this insulating material. The insulating material (first insulating layer 4) is formed using, for example, a coating method, a printing method, a vapor deposition method, or a thin film forming method such as CVD.
保護膜２ｅおよび第１の素子パッド２ｄが形成された第１の素子基板２ａ上に絶縁材料が設けられると、この絶縁材料に対して、周知のフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングが行われ、パターニングされた絶縁材料が第１の素子基板２ａ上に形成される。このパターニングは、図１４（ｃ）に示すように、第１の素子パッド２ｄ上の第１の接続導体４ａ１の形成領域が露出するように行なわれ、第１の素子パッド２ｄ上の絶縁材料に開口部が形成される。このようにして、第１の絶縁層４ａは、第１の素子基板２ａの下面２ａｂの第１の素子パッド２ｄ上に開口部を有して形成される。
When an insulating material is provided on the first element substrate 2a on which the protective film 2e and the first element pad 2d are formed, the insulating material is patterned using a known photolithography method or the like, A patterned insulating material is formed on the first element substrate 2a. As shown in FIG. 14C, this patterning is performed so that the formation region of the first connection conductor 4a1 on the first element pad 2d is exposed, and an insulating material on the first element pad 2d is formed. An opening is formed. In this way, the first insulating layer 4a is formed with an opening on the first element pad 2d on the lower surface 2ab of the first element substrate 2a.
第１の接続導体４ａ１は、例えば、Ａｇペーストであり、図１４（ｄ）に示すように、第１の絶縁層４ａから露出している第１の素子パッド２ｄ上に形成される。すなわち、第
１の接続導体４ａ１は、第１の素子パッド２ｄ上の第１の絶縁層４ａの開口部を埋めるように設けられる。また、第１の接続導体４ａ１は、例えば、印刷法またはディスペンス法等を用いて第１の素子パッド２ｄ上に形成される。
The first connection conductor 4a1 is, for example, Ag paste, and is formed on the first element pad 2d exposed from the first insulating layer 4a as shown in FIG. That is, the first connection conductor 4a1 is provided so as to fill the opening of the first insulating layer 4a on the first element pad 2d. The first connection conductor 4a1 is formed on the first element pad 2d using, for example, a printing method or a dispensing method.
ここで、第１の素子基板２ａ上の第１の絶縁層４ａの形成についての一例を以下に示す。
Here, an example of the formation of the first insulating layer 4a on the first element substrate 2a is shown below.
第１の絶縁層４ａは、例えば、感光性樹脂であり、第１の素子パッド２ｄおよび保護膜２ｅが形成された第１の素子基板２ａ上に、感光性樹脂により構成された感光性樹脂フィルムを貼り付けて設けられる。次に、周知のフォトリソグラフィー法等を用いて、感光性樹脂フィルムは、フォトマスクを介して紫外線が照射される。そして、感光性樹脂フィルムは、第１の絶縁層４ａを設けるべき領域のみに感光性樹脂が形成されるように露光される。これによって、パターニングされた感光性樹脂が第１の素子基板２ａ上に設けられる。このようにして、第１の絶縁層４ａが第１の素子基板２ａ上に設けられる。
The first insulating layer 4a is, for example, a photosensitive resin, and a photosensitive resin film made of a photosensitive resin on the first element substrate 2a on which the first element pads 2d and the protective film 2e are formed. Is provided. Next, the photosensitive resin film is irradiated with ultraviolet rays through a photomask using a known photolithography method or the like. Then, the photosensitive resin film is exposed so that the photosensitive resin is formed only in the region where the first insulating layer 4a is to be provided. Thus, the patterned photosensitive resin is provided on the first element substrate 2a. In this way, the first insulating layer 4a is provided on the first element substrate 2a.
また、第１の絶縁層４ａは、液状の感光性樹脂、例えば、感光性ポリイミド樹脂等を素子基板２ａ上にスピンコート法等を用いて塗布して、同様にして、周知のフォトリソグラフィー法等を用いて形成してもよい。また、感光性樹脂は、例えば、ウレタンアクリレート系樹脂、ポリエステルアクリレート系樹脂またはエポキシアクリレート系樹脂等である。
The first insulating layer 4a is formed by applying a liquid photosensitive resin such as a photosensitive polyimide resin on the element substrate 2a using a spin coat method or the like, and similarly, using a well-known photolithography method or the like. You may form using. The photosensitive resin is, for example, a urethane acrylate resin, a polyester acrylate resin, an epoxy acrylate resin, or the like.
接着材層７は、図１４（ｅ）に示すように、第１の接続導体４ａ１が設けられている領域を除いて第１の絶縁層４ａ上に形成される。接着材層７は、例えば、エポキシ系樹脂等の絶縁性の材料からなり、例えば、印刷法またはフォトリソグラフィー法等を用いて第１の絶縁層４ａ上に形成される。接着材層７は、第１の素子基板２ａに設けてもよい。また、第１の絶縁層４ａは接着機能を有する材料を用いることができ、これによって、接着材層７を省くことができる。
As shown in FIG. 14E, the adhesive layer 7 is formed on the first insulating layer 4a except for the region where the first connection conductor 4a1 is provided. The adhesive layer 7 is made of an insulating material such as an epoxy resin, for example, and is formed on the first insulating layer 4a by using, for example, a printing method or a photolithography method. The adhesive layer 7 may be provided on the first element substrate 2a. Further, the first insulating layer 4a can be made of a material having an adhesive function, whereby the adhesive layer 7 can be omitted.
このようにして、図１４（ａ）〜図１４（ｅ）の各製造工程を経ることによって、第１の素子基板２ａに第１の絶縁層４ａが設けられる。また、同様にして、図１４（ａ）〜図１４（ｅ）の各製造工程を経ることによって、第２の素子基板３ａに第２の絶縁層４ｂを設けることができる。
In this way, the first insulating layer 4a is provided on the first element substrate 2a through the manufacturing steps of FIGS. 14A to 14E. Similarly, the second insulating layer 4b can be provided on the second element substrate 3a by going through the manufacturing steps shown in FIGS. 14A to 14E.
図１５（ａ）に示すように、第１の素子基板２ａは配線基板５Ａの上面５ｂａ側に対向して配置され、第２の素子基板３ａは配線基板５Ａの下面５ａｂ側に対向して配置される。第１の素子基板２ａと配線基板５Ａとの間には、第１の絶縁層４ａによって空間Ｓが形成される。また、第２の素子基板３ａと配線基板５Ａとの間には、第２の絶縁層４ｂによって空間Ｓが形成される。
As shown in FIG. 15A, the first element substrate 2a is disposed to face the upper surface 5ba side of the wiring substrate 5A, and the second element substrate 3a is disposed to face the lower surface 5ab side of the wiring substrate 5A. Is done. A space S is formed by the first insulating layer 4a between the first element substrate 2a and the wiring substrate 5A. Further, a space S is formed by the second insulating layer 4b between the second element substrate 3a and the wiring substrate 5A.
図１５（ｂ）に示すように、第１の素子基板２ａと配線基板５Ａとは、第１の絶縁層４ａ上の接着材層７を介して接合され、第２の素子基板３ａと配線基板５Ａとは、第２の絶縁層４ｂ上の接着材層７を介して接合される。この場合に、配線基板５Ａの導体層５ｃ４と第１の絶縁体４ａの第１の接続導体４ａ１とが対向して接合されて電気的な接合が得られる。また、配線基板５Ａの導体層５ｃ２と第２の絶縁層４ｂの第２の接続導体４ｂ１とが対向して接合されて電気的な接合が得られる。
As shown in FIG. 15B, the first element substrate 2a and the wiring substrate 5A are bonded via the adhesive layer 7 on the first insulating layer 4a, and the second element substrate 3a and the wiring substrate are bonded. 5A is bonded via the adhesive layer 7 on the second insulating layer 4b. In this case, the conductor layer 5c4 of the wiring board 5A and the first connection conductor 4a1 of the first insulator 4a are joined to face each other, so that electrical connection is obtained. In addition, the conductor layer 5c2 of the wiring board 5A and the second connection conductor 4b1 of the second insulating layer 4b are bonded to face each other to obtain an electrical connection.
すなわち、第１の素子基板２ａの第１の素子パッド２ｄと配線基板５Ａの導体層５ｃ４とが第１の接続導体４ａ１を介して電気的に接合される。また、第２の素子基板３ａの第２の素子パッド３ｄと配線基板５Ａの導体層５ｃ２とが第２の接続導体４ｂ１を介して電気的に接合される。
That is, the first element pad 2d of the first element substrate 2a and the conductor layer 5c4 of the wiring substrate 5A are electrically joined via the first connection conductor 4a1. In addition, the second element pad 3d of the second element substrate 3a and the conductor layer 5c2 of the wiring substrate 5A are electrically joined through the second connection conductor 4b1.
その後、上述したように、図１１〜図１３の製造工程を経ることによって、弾性表面波装置１Ａを製造することができる。
Thereafter, as described above, the surface acoustic wave device 1A can be manufactured through the manufacturing steps of FIGS.
ここで、素子母基板２Ａと素子母基板３Ａと配線母基板５ＡＡとを用いて、弾性表面波装置１Ａを製造する製造方法について説明する。
Here, a manufacturing method for manufacturing the surface acoustic wave device 1A using the element mother board 2A, the element mother board 3A, and the wiring mother board 5AA will be described.
素子母基板２Ａは、図１６に示すように、複数の第１の電子素子２が設けられている。したがって、素子母基板２Ａは、複数の第１の電子素子２が設けられた集合体であり、複数の第１の電子素子２が縦横に並ぶように設けられている。また、図１６では、素子母基板２Ａの複数の第１の電子素子２の１つを拡大した断面図を示している。なお、図１６では、素子母基板２Ａは、平面視の形状が円形状であるが、これに限らず、四角形状であってもよく、形状は適宜設定される。素子母基板２Ａは、平面視の形状が円形状の場合には、直径が、例えば、７０（ｍｍ）〜１３０（ｍｍ）である。
The element mother board 2A is provided with a plurality of first electronic elements 2 as shown in FIG. Therefore, the element mother board 2A is an aggregate in which a plurality of first electronic elements 2 are provided, and the plurality of first electronic elements 2 are provided so as to be arranged vertically and horizontally. FIG. 16 shows an enlarged cross-sectional view of one of the plurality of first electronic elements 2 on the element mother board 2A. In FIG. 16, the element mother board 2 </ b> A has a circular shape in plan view, but is not limited thereto, and may be a square shape, and the shape is appropriately set. The element mother board 2A has a diameter of, for example, 70 (mm) to 130 (mm) when the shape in plan view is circular.
また、素子母基板３Ａは、図１７に示すように、複数の第２の電子素子３が設けられている。したがって、素子母基板３Ａは、複数の第２の電子素子３が設けられた集合体であり、複数の第２の電子素子３が縦横に並ぶように設けられている。また、図１７では、素子母基板３Ａの複数の第２の電子素子３の１つを拡大した断面図を示している。なお、図１７では、素子母基板３Ａは、平面視の形状が円形状であるが、これに限らず、四角形状であってもよく、形状は適宜設定される。素子母基板３Ａは、平面視の形状が円形状の場合には、直径が、例えば、７０（ｍｍ）〜１３０（ｍｍ）である。図１７では、第２の素子基板３ａは切断線Ｌに沿って切断させる前の状態を示している。
Further, as shown in FIG. 17, the element mother board 3 </ b> A is provided with a plurality of second electronic elements 3. Therefore, the element mother board 3A is an aggregate in which a plurality of second electronic elements 3 are provided, and the plurality of second electronic elements 3 are provided so as to be arranged vertically and horizontally. FIG. 17 shows an enlarged cross-sectional view of one of the plurality of second electronic elements 3 on the element mother board 3A. In FIG. 17, the element mother board 3 </ b> A has a circular shape in plan view, but is not limited thereto, and may be a square shape, and the shape is appropriately set. When the planar shape of the element mother board 3A is circular, the diameter is, for example, 70 (mm) to 130 (mm). FIG. 17 shows a state before the second element substrate 3a is cut along the cutting line L.
上述したように、第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａを対象にして、上述の図８（ａ）〜図８（ｄ）の各製造工程を行うことによって、素子母基板２Ａは、複数の第１の電子素子２が設けられ、素子母基板３Ａは、複数の第２の電子素子３が設けられる。これによって、素子母基板２Ａは複数の第１の電子素子２の集合体となり、素子母基板３Ａは複数の第２の電子素子３の集合体となる。なお、ここでは、第１の素子基板２ａは、複数の第１の電子素子２を設けることが可能な大きさを有しており、第２の素子基板３ａは、複数の第２の電子素子３を設けることが可能な大きさを有している。
As described above, the element mother substrate 2A is obtained by performing the manufacturing steps shown in FIGS. 8A to 8D for the first element substrate 2a and the second element substrate 3a. A plurality of first electronic elements 2 are provided, and a plurality of second electronic elements 3 are provided on the element mother board 3A. Thus, the element mother board 2A becomes an aggregate of the plurality of first electronic elements 2, and the element mother board 3A becomes an aggregate of the plurality of second electronic elements 3. Here, the first element substrate 2a has such a size that a plurality of first electronic elements 2 can be provided, and the second element substrate 3a has a plurality of second electronic elements. 3 can be provided.
また、配線母基板５ＡＡは、図１８に示すように、複数の配線基板５Ａが設けられている。したがって、配線母基板６Ａは、複数の配線基板５Ａが設けられた集合体であり、複数の配線基５Ａが縦横に並ぶように配置されている。また、図１８では、配線母基板３Ａの複数の配線基板５Ａの１つを拡大した断面図を示している。なお、図１８では、配線母基板５ＡＡは、平面視の形状が四角形状であるが、これに限らず、円形状であってもよく、形状は適宜設定される。配線母基板５ＡＡは、平面視の形状が四角形状の場合には、一辺の長さが、例えば、１００（ｍｍ）〜１５０（ｍｍ）である。
In addition, the wiring mother board 5AA is provided with a plurality of wiring boards 5A as shown in FIG. Therefore, the wiring mother board 6A is an assembly provided with a plurality of wiring boards 5A, and the plurality of wiring bases 5A are arranged in rows and columns. FIG. 18 shows an enlarged cross-sectional view of one of the plurality of wiring boards 5A of the wiring mother board 3A. In FIG. 18, the wiring motherboard 5AA has a square shape in plan view, but is not limited thereto, and may be a circular shape, and the shape is appropriately set. The wiring mother board 5AA has a side length of, for example, 100 (mm) to 150 (mm) when the shape in plan view is a square shape.
配線母基板５ＡＡと素子母基板２Ａと素子母基板３Ａとは、上述した製造方法と同様にして、図１９（ａ）に示すように、貼合基板１ＡＡは、配線母基板５ＡＡの上面側に素子母基板２Ａが接合され、下面側に素子母基板３Ａが接合されている。すなわち、素子母基板２Ａと配線母基板５ＡＡとは、第１の絶縁層４ａ上の接着材層７を介して接合され、素子母基板３Ａと配線基板５Ａとは、第２の絶縁層４ｂ上の接着材層７を介して接合される。この場合に、第１の素子基板２ａの第１の素子パッド２ｄと第１の絶縁体４ａの第１の接続導体４ａ１とが対向して接合されて電気的な接合が得られる。また、第２の素子基板３ａの第２の素子パッド３ｄと第２の接続導体４ｂ１とが対向して接合されて電気的な接合が得られる。
As shown in FIG. 19A, the wiring mother board 5AA, the element mother board 2A, and the element mother board 3A are formed on the upper surface side of the wiring mother board 5AA as shown in FIG. The element mother board 2A is bonded, and the element mother board 3A is bonded to the lower surface side. That is, the element mother board 2A and the wiring mother board 5AA are joined via the adhesive layer 7 on the first insulating layer 4a, and the element mother board 3A and the wiring board 5A are on the second insulating layer 4b. Are bonded via the adhesive layer 7. In this case, the first element pad 2d of the first element substrate 2a and the first connection conductor 4a1 of the first insulator 4a are bonded to face each other to obtain an electric bond. In addition, the second element pad 3d of the second element substrate 3a and the second connection conductor 4b1 are bonded to face each other to obtain an electrical connection.
そして、貼合基板１ＡＡは、図１１〜図１３の製造工程を経ることによって、図１９（ｂ）に示すような、複数の弾性表面波装置１Ａが設けられた集合体を得ることができる。また、図１９（ｂ）では、貼合基板１ＡＡに設けられた複数の弾性表面波装置１Ａの３つを拡大した断面図を示している。
And bonded substrate 1AA can obtain the aggregate | assembly with which several surface acoustic wave apparatuses 1A as shown in FIG.19 (b) were provided by passing through the manufacturing process of FIGS. 11-13. Moreover, in FIG.19 (b), sectional drawing which expanded three of several surface acoustic wave apparatuses 1A provided in bonding board | substrate 1AA is shown.
したがって、貼合基板１Ａは、図１９（ｂ）に示すように、複数の弾性表面波装置１Ａが設けられた集合体であり、複数の弾性表面波装置１が縦横に配置されている。また、貼合基板１ＡＡは、図１９（ｂ）に示すように、貼合基板１ＡＡから弾性表面波装置１を個片化するための切断ライン９が弾性表面波装置１ＡＡの形状に合わせて設けられている。すなわち、図１９では、貼合基板１Ａは、素子母基板２Ａおよび素子母基板３Ａよりも一回り大きい配線母基板５ＡＡに切断ライン９が設けられた場合を例示している。
Therefore, as shown in FIG. 19B, the bonded substrate 1A is an assembly provided with a plurality of surface acoustic wave devices 1A, and the plurality of surface acoustic wave devices 1 are arranged vertically and horizontally. Moreover, as shown in FIG.19 (b), the bonding substrate 1AA is provided with the cutting line 9 for separating the surface acoustic wave device 1 from the bonding substrate 1AA according to the shape of the surface acoustic wave device 1AA. It has been. That is, in FIG. 19, the bonding substrate 1A illustrates the case where the cutting line 9 is provided on the wiring mother board 5AA that is slightly larger than the element mother board 2A and the element mother board 3A.
また、貼合基板１ＡＡは、配線母基板５ＡＡよりも一回り大きい素子母基板２Ａおよび素子母基板３Ａを設けて、素子母基板２Ａまたは素子母基板３Ａに切断ライン９を設けてもよい。また、切断ライン９は、素子母基板２Ａ、素子母基板３Ａまたは配線母基板Ａ５ＡＡの大きさ等を考慮して、素子母基板２Ａ、素子母基板３Ａまたは配線母基板５ＡＡに適宜設けられる。また、貼合基板１ＡＡの切断方法は、これに限らない。
Moreover, bonding substrate 1AA may provide element mother board 2A and element mother board 3A which are slightly larger than wiring mother board 5AA, and may provide cutting line 9 on element mother board 2A or element mother board 3A. The cutting line 9 is appropriately provided on the element mother board 2A, the element mother board 3A, or the wiring mother board 5AA in consideration of the size of the element mother board 2A, the element mother board 3A, or the wiring mother board A5AA. Moreover, the cutting method of bonding board | substrate 1AA is not restricted to this.
切断方法は、例えば、仮想の切断ラインの始点および終点を示すマーカーを素子母基板２Ａ、素子母基板３Ａまたは配線母基板５ＡＡに設けて、それらのマーカーに合わせて、例えば、ダイシング装置のダイシングブレード等を用いて貼合基板１ＡＡを切断する方法であってもよい。なお、ダイシングブレードの厚みは適宜選択される。また、貼合基板１ＡＡの切断方法は、貼合基板１ＡＡの大きさ等を考慮して周知の技術を適宜選択することができる。
In the cutting method, for example, markers indicating the start and end points of a virtual cutting line are provided on the element mother board 2A, the element mother board 3A or the wiring mother board 5AA, and, for example, a dicing blade of a dicing apparatus is aligned with these markers. Etc. may be used to cut the bonded substrate 1AA. The thickness of the dicing blade is selected as appropriate. Moreover, the cutting method of bonding board | substrate 1AA can select suitably a well-known technique in consideration of the magnitude | size etc. of bonding board | substrate 1AA.
そして、貼合基板１ＡＡは、図１９（ｂ）に示すように、破線で示している切断ライン９に沿って切断されて、複数の弾性表面波装置１がそれぞれ個片化される。すなわち、貼合基板１ＡＡを切断することによって、個々の弾性表面波電装置１Ａが貼合基板１ＡＡから分離される。例えば、図１９（ｂ）に示すように、３つ並んでいる弾性表面波装置１Ａは、切断ライン９に沿って切断することによって貼合基板１ＡＡから個片化されて、３つの弾性表面波装置１Ａを得ることができる。なお、貼合基板１ＡＡの切断は、例えば、ダイシング装置等を用いて行なわれる。
And as shown in FIG.19 (b), bonding board | substrate 1AA is cut | disconnected along the cutting line 9 shown with the broken line, and the several surface acoustic wave apparatus 1 is each separated. That is, by cutting the bonded substrate 1AA, the individual surface acoustic wave devices 1A are separated from the bonded substrate 1AA. For example, as shown in FIG. 19B, three surface acoustic wave devices 1 </ b> A arranged side by side are cut into pieces from the bonded substrate 1 </ b> AA by cutting along the cutting line 9, and three surface acoustic waves are obtained. Device 1A can be obtained. In addition, cutting | disconnection of 1 AAA of bonding substrates is performed using a dicing apparatus etc., for example.
貼合基板１ＡＡから弾性表面波装置１を製造する場合には、一度に大量の弾性表面波装置１を製造することができるので、弾性表面波装置１Ａの生産性が向上する。すなわち、貼合基板１ＡＡは、個々の弾性表面波装置１Ａを一度に大量に製造することができるため、切断工程の生産性の効率の向上に伴い弾性表面波装置１の生産性を向上させる。
When the surface acoustic wave device 1 is manufactured from the bonded substrate 1AA, a large amount of the surface acoustic wave device 1 can be manufactured at a time, so that the productivity of the surface acoustic wave device 1A is improved. That is, since the bonded substrate 1AA can manufacture a large number of individual surface acoustic wave devices 1A at a time, the productivity of the surface acoustic wave device 1 is improved as the productivity of the cutting process increases.
素子母基板２Ａ、素子母基板３Ａおよび配線母基板５ＡＡの大きさは、貼合基板１ＡＡから得られる弾性表面波装置１Ａの数、すなわち、貼合基板１ＡＡからの弾性表面波装置１Ａの取数を考慮してそれぞれ設定される。
The size of the element mother board 2A, element mother board 3A, and wiring mother board 5AA is the number of surface acoustic wave devices 1A obtained from the bonded substrate 1AA, that is, the number of surface acoustic wave devices 1A from the bonded substrate 1AA. Is set in consideration of each.
また、貼合基板１ＡＡにおいて、貼合わされた素子母基板２Ａと素子母基板３Ａと配線母基板５ＡＡとが同時に切断されるので、弾性表面波装置１Ａは、外周側面が同一平面内に位置することになる。このように、弾性表面波装置１Ａの側面（ＸＺ面およびＹＺ面）が同一平面内に位置することになる。したがって、弾性表面波装置１Ａは、それぞれの外周側面を同一平面内に位置させることができるので、弾性表面波装置１Ａを電子機器の実装基板上に実装する際に、実装の精度が向上して、より高密度の実装が可能になる。
In addition, since the bonded element mother board 2A, element mother board 3A, and wiring mother board 5AA are simultaneously cut in the bonded substrate 1AA, the surface acoustic wave device 1A has an outer peripheral side surface located in the same plane. become. Thus, the side surfaces (XZ plane and YZ plane) of the surface acoustic wave device 1A are located in the same plane. Therefore, since the surface acoustic wave device 1A can position the outer peripheral side surfaces in the same plane, the mounting accuracy is improved when the surface acoustic wave device 1A is mounted on the mounting substrate of the electronic device. Higher density mounting becomes possible.
また、貼合基板１ＡＡは、切断する場合、素子母基板２Ａ側から切断しても、封止樹脂
層６側から切断してもよい。また、素子母基板２Ａ側および封止樹脂層６側から同時に切断してもよい。切断方法は、貼合基板１ＡＡの大きさ等を考慮して適宜設定される。
Moreover, bonding substrate 1AA may be cut | disconnected from the element mother board | substrate 2A side, or may be cut | disconnected from the sealing resin layer 6 side, when cut | disconnecting. Moreover, you may cut | disconnect simultaneously from the element mother board | substrate 2A side and the sealing resin layer 6 side. The cutting method is appropriately set in consideration of the size of the bonded substrate 1AA and the like.
本発明は、上述した実施の形態に特に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更および改良が可能である。
The present invention is not particularly limited to the above-described embodiments, and various changes and improvements can be made within the scope of the present invention.
弾性表面波装置は、ＳＡＷ素子に限定されない。すなわち、電子素子は、ＳＡＷ素子に限定されない。電子素子は、弾性波を利用しないものであってもよい。また、圧電薄膜共振器等のＳＡＷ以外の弾性波を利用するものであってもよい。
The surface acoustic wave device is not limited to a SAW element. That is, the electronic element is not limited to a SAW element. The electronic element may not use an elastic wave. Moreover, you may utilize elastic waves other than SAW, such as a piezoelectric thin film resonator.
また、配線基板は、電子素子と実装基板とを仲介するものに限定されない。配線基板は、例えば、携帯機器等の電子機器のマザーボード（メインボード、主基板）として機能するものであってもよい。また、配線基板は、複数の電子素子が実装されるものであってもよい。
Further, the wiring board is not limited to the one that mediates the electronic element and the mounting board. The wiring board may function as a mother board (main board, main board) of an electronic device such as a portable device, for example. The wiring board may be one on which a plurality of electronic elements are mounted.
また、機能体は、導体により形成されたものであってもよいし、半導体によって形成されたものであってもよい。
Further, the functional body may be formed of a conductor or may be formed of a semiconductor.
