JP2014227454A - Phosphor, and phosphor-containing composition and light-emitting device using the phosphor, and illuminating device and image display device using the light-emitting device - Google Patents

Phosphor, and phosphor-containing composition and light-emitting device using the phosphor, and illuminating device and image display device using the light-emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP2014227454A
JP2014227454A JP2013107146A JP2013107146A JP2014227454A JP 2014227454 A JP2014227454 A JP 2014227454A JP 2013107146 A JP2013107146 A JP 2013107146A JP 2013107146 A JP2013107146 A JP 2013107146A JP 2014227454 A JP2014227454 A JP 2014227454A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
light
emitting device
formula
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013107146A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6094377B2 (en
Inventor
文孝 吉村
Fumitaka Yoshimura
文孝 吉村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Chemical Corp filed Critical Mitsubishi Chemical Corp
Priority to JP2013107146A priority Critical patent/JP6094377B2/en
Publication of JP2014227454A publication Critical patent/JP2014227454A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6094377B2 publication Critical patent/JP6094377B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a phosphor which is a red phosphor having high light-emission intensity and excellent color rendering properties, has a stable crystal structure including, particularly, Sr, and has high internal quantum efficiency; a phosphor-containing composition and a light-emitting device each using the phosphor; and an image display device and an illuminating device each using the light-emitting device.SOLUTION: The phosphor includes a crystal phase having a composition represented by formula [1]: (A,M)DENO. In the formula [1], A represents an alkaline earth metal element containing Sr and Ca as essential components; M represents an activation element; D represents a trivalent metal element containing Al as an essential component; E represents a tetravalent metal element containing Si as an essential component, and a ratio of the Sr occupied in total A elements is 50 mol% or more; x represents a number satisfying 0.0001≤x≤0.20; and b, c, d and e respectively represents a number satisfying 0.8≤b≤1.2, 0.8≤c≤1.2, 1.00<b/c≤1.25, 2.5≤d≤3.3, and 0<e≤0.20.

Description

本発明は、赤色系の蛍光を発する蛍光体、及びその蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置に関する。   The present invention relates to a phosphor emitting red fluorescence, a phosphor-containing composition and a light-emitting device using the phosphor, and an image display device and an illumination device using the light-emitting device.

CaSiAlN3に代表される母体結晶構造を有する蛍光体(以下、CASN蛍光体と称する場合がある。)は、希土類元素付活サイアロン蛍光体よりも長波長に発光し、かつ高い輝度を有する赤色蛍光体として知られている(特許文献1及び2参照)。
特許文献1には、CASN蛍光体において種々の組成が検討されており、酸素添加量を調整してNの一部をOで置き換えた組成の無機化合物が開示されている。
A phosphor having a host crystal structure represented by CaSiAlN3 (hereinafter sometimes referred to as CASN phosphor) is a red phosphor that emits light at a longer wavelength than a rare earth element-activated sialon phosphor and has a high luminance. (See Patent Documents 1 and 2).
Patent Document 1 discusses various compositions of CASN phosphors, and discloses an inorganic compound having a composition in which part of N is replaced with O by adjusting the amount of oxygen added.

特許文献2には、高輝度の赤色発光を示す窒化物または酸窒化物を母体とする蛍光体が開示されている。   Patent Document 2 discloses a phosphor based on a nitride or oxynitride that exhibits high-luminance red light emission.

特開2005−336253号公報JP 2005-336253 A 特開2007−291352号公報JP 2007-291352 A

しかしながら、本発明者らの検討では、特許文献1及び2に開示されているCASN蛍光体は、内部量子効率が低く発光強度としては不十分であることが分かった。
特に、本発明者らの検討では、Caの一部をSrで置換したCSAN蛍光体については、安定な構造を有し、結晶性の高い結晶相を作製することが困難であり、このため発光強度に優れた赤色蛍光体が得られていないことが明らかとなった。これは、CaよりもSrの方が結晶構造内に取り込まれにくいことによると考えられる。
However, as a result of the study by the present inventors, it has been found that the CASN phosphors disclosed in Patent Documents 1 and 2 have low internal quantum efficiency and insufficient light emission intensity.
In particular, according to the study by the present inventors, it is difficult to produce a crystalline phase having a stable structure and high crystallinity for a CSAN phosphor in which a part of Ca is substituted with Sr. It became clear that a red phosphor excellent in strength was not obtained. This is thought to be due to the fact that Sr is less likely to be incorporated into the crystal structure than Ca.

本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、発光強度が高く演色性に優れた赤色蛍光体であって、特にSrを含む安定な結晶構造を有し、内部量子効率の高い蛍光体を提供することにある。加えて、この蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置と、この発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is a red phosphor having high emission intensity and excellent color rendering properties, particularly having a stable crystal structure containing Sr and having an internal quantum structure. The object is to provide a highly efficient phosphor. In addition, another object is to provide a phosphor-containing composition and a light-emitting device using the phosphor, and an image display device and an illumination device using the light-emitting device.

本発明者等は上記課題に鑑み、Caの一部をSrで置換したCASN蛍光体について詳細に検討した。その結果、Si−Nの一部をAl−Oで置換することによって、安定的にSrを結晶構造中に取り込むことが可能となり、その結果、内部量子効率の高い蛍光体が得られることを見出し、本発明を完成させた。また、本発明者等は、前記蛍光体が、表示装置、照明装置等の用途に好適に使用できることを見出し、本発明を完成させた。   In view of the above problems, the present inventors have studied in detail a CASN phosphor in which a part of Ca is substituted with Sr. As a result, by substituting a part of Si—N with Al—O, it becomes possible to stably incorporate Sr into the crystal structure, and as a result, a phosphor with high internal quantum efficiency can be obtained. The present invention has been completed. Further, the present inventors have found that the phosphor can be suitably used for applications such as a display device and a lighting device, and have completed the present invention.

本発明の要旨は次の(1)〜(9)に存する。
(1)下記式[1]:(A1−x,M)De [1]
(式[1]中、AはSrおよびCaを必須とするアルカリ土類金属元素を示し、Mは付活元素を示し、DはAlを必須とする3価の金属元素を示し、EはSiを必須とする4価の金属元素を示し、A元素全体に占めるSrの割合が50モル%以上であり、xは0.0001≦x≦0.20を満たす数を示し、b、c、d及びeは、それぞれ、
0.8≦b≦1.2
0.8≦c≦1.2
1.00<b/c≦1.25
2.5≦d≦3.3
0<e≦0.20
を満たす数を示す。)
で表される組成を有する結晶相を含むことを特徴とする蛍光体。
(2)前記式[1]において、b、cが、1.02≦b/c≦1.13を満たす数を示す、(1)に記載の蛍光体。
(3)前記式[1]において、eが、0<e≦0.07を満たす数を示す、(1)または(2)に記載の蛍光体。
(4)前記式[1]においてA元素全体に占めるSrの割合が70モル%以上であって、前記結晶相の格子定数から算出した単位格子体積(V)が288.4×10pm以上である、(1)〜(3)のいずれか1項に記載の蛍光体。
(5)前記式[1]においてA元素全体に占めるSrの割合が80モル%以上であって、前記結晶相の格子定数から算出した単位格子体積(V)が289.4×10pm以上である、(1)〜(3)のいずれか1項に記載の蛍光体。
(6)前記式[1]においてA元素全体に占めるSrの割合が90モル%以上であって、前記結晶相の格子定数から算出した単位格子体積(V)が290.8×10pm以上である、(1)〜(3)のいずれか1項に記載の蛍光体。
(7)(1)〜(6)のいずれか1項に記載の蛍光体を液体媒体中に分散させてなることを特徴とする蛍光体含有組成物。
(8)第1の発光体(励起光源)と、当該第1の発光体からの光を可視光に変換して、可視光を発し得る第2の発光体とを有する発光装置であって、該第2の発光体が(1)〜(6)のいずれか1項に記載の蛍光体を含有することを特徴とする発光装置。
(9)(8)に記載の発光装置を備えることを特徴とする照明装置または画像表示装置。
The gist of the present invention resides in the following (1) to (9).
(1) The following formula [1]: (A 1-x , M x ) D b E c N d O e [1]
(In the formula [1], A represents an alkaline earth metal element essential for Sr and Ca, M represents an activator element, D represents a trivalent metal element essential for Al, and E represents Si. Is a tetravalent metal element, the proportion of Sr in the entire A element is 50 mol% or more, x is a number satisfying 0.0001 ≦ x ≦ 0.20, and b, c, d And e are respectively
0.8 ≦ b ≦ 1.2
0.8 ≦ c ≦ 1.2
1.00 <b / c ≦ 1.25
2.5 ≦ d ≦ 3.3
0 <e ≦ 0.20
Indicates the number that satisfies )
A phosphor comprising a crystal phase having a composition represented by:
(2) The phosphor according to (1), wherein b and c in Formula [1] indicate numbers satisfying 1.02 ≦ b / c ≦ 1.13.
(3) The phosphor according to (1) or (2), wherein, in the formula [1], e represents a number satisfying 0 <e ≦ 0.07.
(4) In the above formula [1], the proportion of Sr in the entire element A is 70 mol% or more, and the unit cell volume (V) calculated from the lattice constant of the crystal phase is 288.4 × 10 6 pm 3. The phosphor according to any one of (1) to (3), which is described above.
(5) In the above formula [1], the proportion of Sr in the entire A element is 80 mol% or more, and the unit cell volume (V) calculated from the lattice constant of the crystal phase is 289.4 × 10 6 pm 3. The phosphor according to any one of (1) to (3), which is described above.
(6) In the above formula [1], the proportion of Sr in the entire element A is 90 mol% or more, and the unit cell volume (V) calculated from the lattice constant of the crystal phase is 290.8 × 10 6 pm 3. The phosphor according to any one of (1) to (3), which is described above.
(7) A phosphor-containing composition obtained by dispersing the phosphor according to any one of (1) to (6) in a liquid medium.
(8) A light-emitting device including a first light emitter (excitation light source) and a second light emitter that can emit visible light by converting light from the first light emitter into visible light, A light-emitting device, wherein the second light-emitting body contains the phosphor according to any one of (1) to (6).
(9) An illumination device or an image display device comprising the light-emitting device according to (8).

本発明によれば、内部量子効率を向上させて、発光強度が高く演色性に優れた赤色蛍光体を提供することができる。
また、本発明の蛍光体を用いれば、高効率、及び高演色性の発光装置、画像表示装置、照明装置を提供することができる。
According to the present invention, it is possible to improve the internal quantum efficiency and provide a red phosphor having high emission intensity and excellent color rendering.
In addition, by using the phosphor of the present invention, it is possible to provide a light emitting device, an image display device, and a lighting device with high efficiency and high color rendering properties.

本発明の半導体発光装置の一実施例を示す模式的斜視図である。It is a typical perspective view which shows one Example of the semiconductor light-emitting device of this invention. 図2(a)は、本発明の砲弾型発光装置の一実施例を示す模式的断面図であり、図2(b)は、本発明の表面実装型発光装置の一実施例を示す模式的断面図である。FIG. 2A is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a bullet-type light emitting device of the present invention, and FIG. 2B is a schematic view showing an embodiment of the surface-mounted light-emitting device of the present invention. It is sectional drawing. 本発明の照明装置の一実施例を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows one Example of the illuminating device of this invention. 実施例2、3、5、比較例1、2の蛍光体のXRDパターンである。It is an XRD pattern of the phosphors of Examples 2, 3, and 5 and Comparative Examples 1 and 2. 実施例及び比較例の蛍光体のAl−Oの置換量の変化に伴う単位格子体積Vの変化を表したグラフである。It is the graph showing the change of the unit cell volume V accompanying the change of the substitution amount of Al-O of the fluorescent substance of an Example and a comparative example. 実施例2、4、6、比較例2の蛍光体の発光スペクトルである。実施例2の蛍光体の励起スペクトル、及び発光スペクトルである。It is an emission spectrum of the phosphors of Examples 2, 4, 6 and Comparative Example 2. It is the excitation spectrum of the fluorescent substance of Example 2, and an emission spectrum. 実施例7、8、比較例3の蛍光体のXRDパターンである。It is an XRD pattern of the phosphors of Examples 7 and 8 and Comparative Example 3. 実施例7、8、比較例3の蛍光体の発光スペクトルである。It is an emission spectrum of the phosphors of Examples 7 and 8 and Comparative Example 3.

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載され
る数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
また、本明細書中の蛍光体の組成式において、各組成式の区切りは読点(、)で区切って表わす。また、カンマ(,)で区切って複数の元素を列記する場合には、列記された元素のうち一種又は二種以上を任意の組み合わせ及び組成で含有していてもよいことを示している。例えば、「(Ca,Sr,Ba)Al:Eu」という組成式は、「CaAl:Eu」と、「SrAl:Eu」と、「BaAl:Eu」と、「Ca1−xSrAl:Eu」と、「Sr1−xBaAl:Eu」と、「Ca1−xBaAl:Eu」と、「Ca1−x−ySrBaAl:Eu」とを全て包括的に示しているものとする(但し、前記式中、0<x<1、0<y<1、0<x+y<1)。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention.
In the present specification, a numerical range represented by using “to” means a range including numerical values described before and after “to” as a lower limit value and an upper limit value.
Further, in the phosphor composition formula in this specification, each composition formula is delimited by a punctuation mark (,). In addition, when a plurality of elements are listed separated by commas (,), one or two or more of the listed elements may be included in any combination and composition. For example, the composition formula “(Ca, Sr, Ba) Al 2 O 4 : Eu” has “CaAl 2 O 4 : Eu”, “SrAl 2 O 4 : Eu”, and “BaAl 2 O 4 : Eu”. “Ca 1−x Sr x Al 2 O 4 : Eu”, “Sr 1−x Ba x Al 2 O 4 : Eu”, “Ca 1−x Ba x Al 2 O 4 : Eu”, "Ca 1-x-y Sr x Ba y Al 2 O 4: Eu " and all assumed to generically indicated (in the above formula, 0 <x <1,0 <y <1,0 <X + y <1).

[1.蛍光体]
<蛍光体の組成>
本発明の蛍光体は、下記式[1]:(A1−x,M)De [1]
(式[1]中、AはSrおよびCaを必須とするアルカリ土類金属元素を示し、Mは付活元素を示し、DはAlを必須とする3価の金属元素を示し、EはSiを必須とする4価の金属元素を示し、A元素全体に占めるSrの割合が50モル%以上であり、xは0.0001≦x≦0.20を満たす数を示し、b、c、d及びeは、それぞれ、0.8≦b≦1.2、0.8≦c≦1.2、1.00<b/c≦1.25、2.5≦d≦3.3、0<e≦0.20を満たす数を示す。)
で表される組成を有する結晶相を含むことに特徴を有するものである。
[1. Phosphor]
<Composition of phosphor>
The phosphor of the present invention has the following formula [1]: (A 1-x , M x ) D b E c N d O e [1]
(In the formula [1], A represents an alkaline earth metal element essential for Sr and Ca, M represents an activator element, D represents a trivalent metal element essential for Al, and E represents Si. Is a tetravalent metal element, the proportion of Sr in the entire A element is 50 mol% or more, x is a number satisfying 0.0001 ≦ x ≦ 0.20, and b, c, d And e are 0.8 ≦ b ≦ 1.2, 0.8 ≦ c ≦ 1.2, 1.00 <b / c ≦ 1.25, 2.5 ≦ d ≦ 3.3, and 0 <, respectively. Indicates a number that satisfies e ≦ 0.20.)
It has the characteristics in including the crystal phase which has a composition represented by these.

上記のとおり、前記式[1]において、「A」は、ストロンチウム(Sr)およびカルシウム(Ca)を必須とするアルカリ土類金属元素を示す。また、A元素全体に対するSrの割合が50モル%以上であり、70モル%以上であることが好ましく、80モル%以上であることがより好ましく、85モル%以上がより好ましく、87.5モル%以上がさらに好ましく、90モル%以上が特に好ましい。A元素全体に対するSrの割合が上記の範囲であると、フラックス効果により粒成長の促進が期待でき、結晶性の高い粒子が得られやすい点で好ましい。   As described above, in the formula [1], “A” represents an alkaline earth metal element essentially containing strontium (Sr) and calcium (Ca). In addition, the ratio of Sr to the entire element A is 50 mol% or more, preferably 70 mol% or more, more preferably 80 mol% or more, more preferably 85 mol% or more, and 87.5 mol. % Or more is more preferable, and 90 mol% or more is particularly preferable. When the ratio of Sr to the entire element A is in the above range, it is preferable in that the growth of grains can be expected by the flux effect, and particles with high crystallinity are easily obtained.

さらに、A元素は、SrおよびCa以外に、バリウム(Ba)、マグネシウム(Mg)等のアルカリ土類金属元素を含んでいても良い。
前記式[1]において、「M」は付活元素を示す。付活元素としては、ユーロピウム(Eu)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、セリウム(Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホロミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)及びイッテルビウム(Yb)を含むことが好ましく、少なくともEuを含むことがより好ましい。さらに、Euに加えて、Ce、Pr、Sm、Tb及びYbよりなる群から選ばれる少なくとも1種の金属元素を含んでいてもよく、発光量子効率の点でCeがより好ましい。
Furthermore, the A element may contain alkaline earth metal elements such as barium (Ba) and magnesium (Mg) in addition to Sr and Ca.
In the above formula [1], “M” represents an activating element. Activating elements include europium (Eu), chromium (Cr), manganese (Mn), iron (Fe), cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium (Nd), samarium (Sm), terbium (Tb) , Dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er), thulium (Tm) and ytterbium (Yb), and more preferably at least Eu. Furthermore, in addition to Eu, it may contain at least one metal element selected from the group consisting of Ce, Pr, Sm, Tb, and Yb, and Ce is more preferable in terms of light emission quantum efficiency.

付活元素全体に対するユーロピウム(Eu)の割合は、50モル%以上が好ましく、70モル%以上がより好ましく、90モル%以上が特に好ましい。
前記式[1]において、「D」は、Alを必須とする3価の金属元素を示す。D元素は、得られる蛍光体の特性に影響を与えない範囲内で、ホウ素(B)、ガリウム(Ga)等を含有していてもよい。D元素全体に対するAlの占める割合は、50モル%以上が好ましく、70モル%以上がより好ましく、90モル%以上が特に好ましい。D元素全体に対するAlの占める割合が少なすぎると不純物が生成され、目的の組成の蛍光体を得るのが困難となる傾向がある。
The proportion of europium (Eu) with respect to the entire activation element is preferably 50 mol% or more, more preferably 70 mol% or more, and particularly preferably 90 mol% or more.
In the formula [1], “D” represents a trivalent metal element in which Al is essential. The element D may contain boron (B), gallium (Ga), or the like within a range that does not affect the properties of the obtained phosphor. The proportion of Al to the entire D element is preferably 50 mol% or more, more preferably 70 mol% or more, and particularly preferably 90 mol% or more. If the ratio of Al to the entire D element is too small, impurities are generated, and it tends to be difficult to obtain a phosphor having the desired composition.

前記式[1]において、「E」は、Siを必須とする4価の金属元素を示す。E元素は
、得られる蛍光体の特性に影響を与えない範囲内で、ゲルマニウム(Ge)等を含有していてもよい。E元素全体に対するSiの占める割合は、50モル%以上が好ましく、70モル%以上がより好ましく、90モル%以上が特に好ましい。E元素全体に対するSiの占める割合が少なすぎると不純物が生成され、目的の組成の蛍光体を得るのが困難となる傾向がある。
In the above formula [1], “E” represents a tetravalent metal element in which Si is essential. The element E may contain germanium (Ge) or the like within a range that does not affect the properties of the obtained phosphor. The proportion of Si to the entire E element is preferably 50 mol% or more, more preferably 70 mol% or more, and particularly preferably 90 mol% or more. If the ratio of Si to the entire E element is too small, impurities are generated, and it tends to be difficult to obtain a phosphor having the target composition.

前記式[1]において、「N」は、窒素である。N元素は、窒素を主成分としていればよく、得られる蛍光体の特性に影響を与えない範囲内で、フッ素(F)、塩素(Cl)等を含有していてもよい。
前記式[1]において、「O」は、酸素を示す。O元素は、酸素を主成分としていればよく、得られる蛍光体の特性に影響を与えない範囲内で、F、Cl等を含有していてもよい。
In the formula [1], “N” is nitrogen. The N element only needs to contain nitrogen as a main component, and may contain fluorine (F), chlorine (Cl), or the like within a range that does not affect the characteristics of the obtained phosphor.
In the formula [1], “O” represents oxygen. The O element only needs to contain oxygen as a main component, and may contain F, Cl, or the like within a range that does not affect the characteristics of the obtained phosphor.

また、本発明の蛍光体は、上述したA、M、D、E、NおよびOの各構成元素の他に、本発明の効果に影響を与えない範囲内で不可避的に混入してしまう元素、例えば不純物元素などを含んでいてもよい。
前記式[1]において、「x」は付活元素(M元素)のモル比を示す。xは、0.0001≦x≦0.20を満たす数であり、好ましくは0.001以上、より好ましくは0.003以上、さらに好ましくは0.005以上、さらに好ましくは0.007以上であり、また、好ましくは0.02以下、より好ましくは0.015以下、特に好ましくは0.012以下である。
Further, the phosphor of the present invention is inevitably mixed within the range that does not affect the effects of the present invention, in addition to the above-described constituent elements of A, M, D, E, N, and O. For example, an impurity element may be included.
In said Formula [1], "x" shows the molar ratio of an activation element (M element). x is a number satisfying 0.0001 ≦ x ≦ 0.20, preferably 0.001 or more, more preferably 0.003 or more, further preferably 0.005 or more, and further preferably 0.007 or more. Moreover, it is preferably 0.02 or less, more preferably 0.015 or less, and particularly preferably 0.012 or less.

xの値が大きすぎると濃度消光が起こって輝度が低下する傾向にあり、小さすぎると吸収効率が低下する傾向にあり、それに伴い、輝度が低下する傾向にある。
前記式[1]において、「b」はD元素(Alを必須とする3価の金属元素)のモル比を示す。「b」は、0.8≦b≦1.2を満たす数であり、好ましくは0.85以上、より好ましくは0.90以上、特に好ましくは0.95以上であり、また、好ましくは1.15以下、より好ましくは1.10以下、さらに好ましくは1.08以下、特に好ましくは1.05以下である。
If the value of x is too large, concentration quenching tends to occur and the luminance tends to decrease. If it is too small, the absorption efficiency tends to decrease, and accordingly, the luminance tends to decrease.
In the formula [1], “b” represents the molar ratio of the D element (a trivalent metal element in which Al is essential). “B” is a number satisfying 0.8 ≦ b ≦ 1.2, preferably 0.85 or more, more preferably 0.90 or more, particularly preferably 0.95 or more, and preferably 1 .15 or less, more preferably 1.10 or less, further preferably 1.08 or less, and particularly preferably 1.05 or less.

「b」のモル比と、次に述べる「c」のモルを本発明の範囲とする、即ちAlとSiの割合を特定の範囲とすることで格子体積を調整することができ、Sr元素を確実に固溶させ、前記した効果を奏する蛍光体を得ることができる。
前記式[1]において、「c」はE元素(Siを必須とする4価の金属元素)のモル比を示す。「c」は、0.8≦c≦1.2を満たす数であり、好ましくは0.85以上、より好ましくは0.90以上、さらに好ましくは0.92以上、特に好ましくは0.94以上であり、また、好ましくは1.10以下、より好ましくは1.05以下、特に好ましくは1.03以下である。
The lattice volume can be adjusted by setting the molar ratio of “b” and the mole of “c” described below within the scope of the present invention, that is, the ratio of Al and Si within a specific range. It is possible to obtain a phosphor that is surely solid-solved and exhibits the effects described above.
In the above formula [1], “c” represents the molar ratio of the E element (a tetravalent metal element in which Si is essential). “C” is a number satisfying 0.8 ≦ c ≦ 1.2, preferably 0.85 or more, more preferably 0.90 or more, still more preferably 0.92 or more, and particularly preferably 0.94 or more. Moreover, it is preferably 1.10 or less, more preferably 1.05 or less, and particularly preferably 1.03 or less.

また、「b/c」は、Siに対するAlの量であり、本発明の蛍光体においては、1.00<b/c≦1.25を満たす数となる。従来のCASN蛍光体の基本となる結晶構造においては、b/c=1となっているが、本発明の蛍光体においては、Si−Nの一部をAl−Oで置換した結晶構造を有するため、b/cが1を超えることを特徴とする。さらに、b/cは、好ましくは1.02以上、より好ましくは1.04以上であり、また、好ましくは1.22以下、より好ましくは1.17以下、特に好ましくは1.13以下である。   “B / c” is the amount of Al with respect to Si, and in the phosphor of the present invention, the number satisfies 1.00 <b / c ≦ 1.25. In the basic crystal structure of the conventional CASN phosphor, b / c = 1, but the phosphor of the present invention has a crystal structure in which a part of Si—N is substituted with Al—O. For this reason, b / c exceeds 1. Further, b / c is preferably 1.02 or more, more preferably 1.04 or more, preferably 1.22 or less, more preferably 1.17 or less, and particularly preferably 1.13 or less. .

上記のとおり、本発明の蛍光体において、「b」のモル比と「c」のモル比を上記範囲とする、即ちb、c、b/cの数を上記範囲とすることにより、結晶構造を構成する骨格の大きさを調整し、Sr元素を確実に固溶させ、前記した効果を奏する蛍光体を得ること
ができる。
As described above, in the phosphor of the present invention, the molar ratio of “b” and the molar ratio of “c” are within the above range, that is, the number of b, c, b / c is within the above range, The phosphor constituting the above-described effects can be obtained by adjusting the size of the skeleton constituting the Sr and securely dissolving the Sr element.

前記式[1]において、「d」はN元素(窒素)のモル比を示す。「d」は、2.5≦d≦3.3を満たす数であり、好ましくは2.7以上、より好ましくは2.8以上、特に好ましくは2.9以上であり、また、好ましくは3.15以下、より好ましくは3.10以下、特に好ましくは3.05以下である。   In said Formula [1], "d" shows the molar ratio of N element (nitrogen). “D” is a number satisfying 2.5 ≦ d ≦ 3.3, preferably 2.7 or more, more preferably 2.8 or more, particularly preferably 2.9 or more, and preferably 3 .15 or less, more preferably 3.10 or less, and particularly preferably 3.05 or less.

前記式[1]において、「e」はO元素(酸素)のモル比を示す。「e」は、0<d≦0.20を満たす数であり、好ましくは0.01以上、より好ましくは0.02以上であり、また、好ましくは0.10以下、より好ましくは1.08以下、特に好ましくは0.07以下である。
また、「e」はN元素に対するO元素の置換量である。D元素とE元素、N元素とO元素では価数が異なるため、それぞれ単純な置き換えは全体の価数が中性とならないため不可能である。よって、Si−NをAl−Oで置き換えることで、全体の電荷バランスを維持しつつ元素の置換を実施し得る。
In said Formula [1], "e" shows the molar ratio of O element (oxygen). “E” is a number satisfying 0 <d ≦ 0.20, preferably 0.01 or more, more preferably 0.02 or more, and preferably 0.10 or less, more preferably 1.08. Hereinafter, it is particularly preferably 0.07 or less.
“E” is the amount of substitution of the O element with respect to the N element. Since the valence is different between the D element and the E element, and the N element and the O element, simple replacement is impossible because the overall valence does not become neutral. Therefore, by replacing Si—N with Al—O, element replacement can be performed while maintaining the overall charge balance.

結晶構造を維持するために全体の電荷バランスが合っていることが望ましく、バランスを合わせるために格子欠陥を導入していてもよい。ただし、この欠陥はエネルギー失活の原因となり、量子効率を低下させることがあるため、全体の電荷バランスが合っている上で、結晶構造内における欠陥量は少ないことが好ましい。   In order to maintain the crystal structure, it is desirable that the overall charge balance be in agreement, and lattice defects may be introduced to achieve the balance. However, since this defect causes energy deactivation and may reduce the quantum efficiency, it is preferable that the amount of defects in the crystal structure is small while the overall charge balance is matched.

<蛍光体の特性>
(結晶相の構造)
本発明の蛍光体は、CaAlSiNと同様の結晶構造、すなわち結晶相の空間群がCmc2に分類される結晶構造を有するものである。空間群は、電子回折、又は収束電子回折により一義的に求めることができる。
<Characteristics of phosphor>
(Crystal phase structure)
The phosphor of the present invention has a crystal structure similar to CaAlSiN 3 , that is, a crystal structure in which the space group of crystal phases is classified as Cmc2 1 . The space group can be uniquely determined by electron diffraction or convergent electron diffraction.

結晶相の格子定数(pm)は、a軸が、通常9.79以上、好ましくは9.80以上、より好ましくは9.805以上であり、さらに好ましくは9.81以上、特に好ましくは9.815以上であり、通常9.84以下、好ましく9.835以下、より好ましくは9.83以下、特に好ましくは9.825以下である。また、b軸が、通常5.70以上、好ましくは5.71以上、より好ましくは5.72以上、特に好ましくは5.73以上であり、通常5.78以下、好ましくは5.77以下、より好ましくは5.76以下である。さらにc軸が、通常5.10以上、好ましくは5.12以上、より好ましくは5.13以上、特に好ましくは5.135以上であり、通常5.18以下、好ましくは5.175以下、より好ましくは5.17以下である。   As for the lattice constant (pm) of the crystal phase, the a-axis is usually 9.79 or more, preferably 9.80 or more, more preferably 9.805 or more, still more preferably 9.81 or more, particularly preferably 9. It is 815 or more, usually 9.84 or less, preferably 9.835 or less, more preferably 9.83 or less, and particularly preferably 9.825 or less. Further, the b-axis is usually 5.70 or more, preferably 5.71 or more, more preferably 5.72 or more, particularly preferably 5.73 or more, usually 5.78 or less, preferably 5.77 or less, More preferably, it is 5.76 or less. Furthermore, the c-axis is usually 5.10 or more, preferably 5.12 or more, more preferably 5.13 or more, particularly preferably 5.135 or more, usually 5.18 or less, preferably 5.175 or less, more Preferably it is 5.17 or less.

本発明の蛍光体において、結晶構造中のSi−Nを一定の割合でAl−Oに置き換えることによって、結晶構造における格子間隔が大きくなって単位格子体積(V)が大きくなる傾向がある。これは、SiとAlのイオン半径、およびそれぞれの元素とNもしくはO間の結合エネルギーの違いによるものである。   In the phosphor of the present invention, by replacing Si—N in the crystal structure with Al—O at a certain ratio, the lattice spacing in the crystal structure tends to increase and the unit cell volume (V) tends to increase. This is due to the difference in ionic radii of Si and Al and the binding energy between each element and N or O.

本発明の蛍光体中の結晶相の格子定数から算出した単位格子体積(V)は、通常、286.2×10pm以上であって、293.0×10pm以下であることが好ましい。特に、A元素全体に占めるSrの割合が70モル%以上の場合には、単位格子体積(V)が288.4×10pm以上であることがより好ましく、289.0×10pm以上であることがさらに好ましい。また、A元素全体に占めるSrの割合が80モル%以上の場合には、単位格子体積(V)が289.4×10pm以上であることがより好ましく、289.6×10pm以上であることがさらに好ましく、289.8×10pm以上であることが特に好ましい。さらに、A元素全体に占めるSrの割合が
90モル%以上の場合には、単位格子体積(V)が290.8×10pm以上であることがより好ましく、291.0×10pm以上であることがさらに好ましく、291.2×10pm以上であることがさらに好ましく、291.4×10pm以上であることがさらに好ましい。
The unit cell volume (V) calculated from the lattice constant of the crystal phase in the phosphor of the present invention is usually 286.2 × 10 6 pm 3 or more and 293.0 × 10 6 pm 3 or less. Is preferred. In particular, when the proportion of Sr in the entire element A is 70 mol% or more, the unit cell volume (V) is more preferably 288.4 × 10 6 pm 3 or more, and 289.0 × 10 6 pm. More preferably, it is 3 or more. Further, when the ratio of Sr in the whole of element A is 80 mol% or more, the unit cell volume (V) is more preferably 289.4 × 10 6 pm 3 or more, and 289.6 × 10 6 pm. still more preferably 3 or more, and particularly preferably 289.8 × 10 6 pm 3 or more. Furthermore, when the ratio of Sr in the entire element A is 90 mol% or more, the unit cell volume (V) is more preferably 290.8 × 10 6 pm 3 or more, and 291.0 × 10 6 pm 3 or more is more preferable, 291.2 × 10 6 pm 3 or more is more preferable, and 291.4 × 10 6 pm 3 or more is more preferable.

格子体積が上記の範囲にあると、Srが結晶構造中に安定的に導入され、本発明の蛍光体の内部量子効率を向上することが可能となる。これは、本発明の蛍光体がSiO結晶(鉱物名sinoite)と類似の骨格を有する結晶構造を有するためである。つまり、Si−O−Nで形成される骨格の空間にCaやSrなどのアルカリ土類金属元素(A元素)が侵入型元素として取り込まれた結晶である。なお、SiとAlは不規則的に分布(ディスオーダー)した状態でSiN結晶のSi位置を占める。このため、比較的イオン半径の大きいSrが骨格の空間に入る場合には、この空間が大きくSrが侵入しやすいサイズであることが好ましいと考えられる。よって、骨格のSi−Nの一部をAl−Oで置換して、格子体積を上記の範囲とすることによって、Srが結晶構造中に安定的に導入できるものと考えられる。 When the lattice volume is in the above range, Sr is stably introduced into the crystal structure, and the internal quantum efficiency of the phosphor of the present invention can be improved. This is because the phosphor of the present invention has a crystal structure having a skeleton similar to that of the Si 2 N 2 O crystal (mineral name sonoite). That is, it is a crystal in which an alkaline earth metal element (A element) such as Ca or Sr is incorporated as an interstitial element in a skeletal space formed of Si—O—N. Si and Al occupy the Si position of the SiN 2 O 2 crystal in an irregularly distributed (disordered) state. For this reason, when Sr having a relatively large ion radius enters the space of the skeleton, it is considered preferable that the space is large and Sr easily enters. Therefore, it is considered that Sr can be stably introduced into the crystal structure by substituting a part of the skeleton Si—N with Al—O and adjusting the lattice volume to the above range.

Sr金属の沸点は1382℃なので、焼成温度では蒸発が進むことから“(遊離した)Srは飛び”易くなる。一方、結晶格子に入ったSrは飛びにくく、Srの入り方によって飛び易さが変化する。結晶格子内の骨格の空間(サイト)がSrのサイズに対して小さくなく、十分な大きさが実現できればSrは飛びにくくなり、欠陥の生成が抑制されて結晶性のよい結晶蛍光体が成長し、優れた発光特性を発現することが期待できる。   Since the boiling point of the Sr metal is 1382 ° C., evaporation proceeds at the firing temperature, so that “(free) Sr jumps” easily. On the other hand, Sr entering the crystal lattice is difficult to fly, and the flying ease changes depending on how Sr enters. If the space (site) of the skeleton in the crystal lattice is not small with respect to the size of Sr and a sufficient size can be realized, Sr becomes difficult to fly, the generation of defects is suppressed, and a crystalline phosphor with good crystallinity grows. It can be expected to exhibit excellent light emission characteristics.

(発光ピーク波長)
本発明の蛍光体は、波長455nmの光で励起した場合における発光スペクトルを測定した際の発光ピーク波長λpが、通常600nm以上、好ましくは610nm以上、より好ましくは615nm以上、また、通常680nm以下、好ましくは650nm以下、より好ましくは630nm以下の波長範囲に発光ピークを有する。即ち、赤色の発光色を有するものである。
(Peak emission wavelength)
The phosphor of the present invention has an emission peak wavelength λp of 600 nm or more, preferably 610 nm or more, more preferably 615 nm or more, and usually 680 nm or less, when measuring an emission spectrum when excited with light having a wavelength of 455 nm. Preferably, it has an emission peak in a wavelength range of 650 nm or less, more preferably 630 nm or less. That is, it has a red emission color.

(CIE色度座標)
本発明の蛍光体のCIE色度座標のx値は、通常0.590以上、好ましくは0.595以上、より好ましくは0.600以上であり、通常0.650以下、好ましくは0.640以下、より好ましくは0.638以下である。また、本発明の蛍光体のCIE色度座標のy値は、通常0.360以上、好ましくは0.370以上であり、通常0.420以下、好ましくは0.400以下である。
(CIE chromaticity coordinates)
The x value of the CIE chromaticity coordinate of the phosphor of the present invention is usually 0.590 or more, preferably 0.595 or more, more preferably 0.600 or more, and usually 0.650 or less, preferably 0.640 or less. More preferably, it is 0.638 or less. The y value of the CIE chromaticity coordinates of the phosphor of the present invention is usually 0.360 or more, preferably 0.370 or more, and usually 0.420 or less, preferably 0.400 or less.

(励起波長)
本発明の蛍光体は、通常300nm以上、好ましくは330nm以上、より好ましくは360nm以上、また、通常500nm以下、好ましくは480nm以下、より好ましくは460nm以下の波長範囲に励起ピークを有する。即ち、紫外から青色領域の光で励起される。
(Excitation wavelength)
The phosphor of the present invention has an excitation peak in a wavelength range of usually 300 nm or more, preferably 330 nm or more, more preferably 360 nm or more, and usually 500 nm or less, preferably 480 nm or less, more preferably 460 nm or less. That is, it is excited by light in the ultraviolet to blue region.

(温度消光特性(発光強度維持率))
本発明の蛍光体は、温度特性にも優れるものである。具体的には、波長455nmにピークを有する光を照射した場合における25℃での発光スペクトル図中の発光ピーク強度値に対する100℃での発光スペクトル図中の発光ピーク強度値の割合が、通常55%以上であり、好ましくは60%以上であり、より好ましくは65%以上、さらに好ましくは70%以上、さらに好ましくは80%以上、特に好ましくは90%以上、である。また、通常の蛍光体は温度上昇と共に発光強度が低下するので、該割合が100%を越えることは考えられにくいが、何らかの理由により100%を超えることがあっても良い。ただし
150%を超えるようであれば、温度変化により色ずれを起こす傾向となる。
(Temperature extinction characteristics (emission intensity maintenance rate))
The phosphor of the present invention also has excellent temperature characteristics. Specifically, the ratio of the emission peak intensity value in the emission spectrum diagram at 100 ° C. to the emission peak intensity value in the emission spectrum diagram at 25 ° C. when light having a peak at a wavelength of 455 nm is normally 55 % Or more, preferably 60% or more, more preferably 65% or more, still more preferably 70% or more, still more preferably 80% or more, and particularly preferably 90% or more. Further, since the emission intensity of ordinary phosphors decreases with increasing temperature, it is unlikely that the ratio exceeds 100%, but it may exceed 100% for some reason. However, if it exceeds 150%, the color shift tends to occur due to a temperature change.

(量子効率)
本発明の蛍光体の外部量子効率(η)は、通常60%以上、好ましくは65%以上、更に好ましくは70%以上、さらに好ましくは75%以上、特に好ましくは80%以上である。外部量子効率は高いほど好ましく、外部量子効率が低くなると発光効率が低下する傾向がある。
(Quantum efficiency)
The external quantum efficiency (η o ) of the phosphor of the present invention is usually 60% or more, preferably 65% or more, more preferably 70% or more, further preferably 75% or more, and particularly preferably 80% or more. The higher the external quantum efficiency, the better. The lower the external quantum efficiency, the lower the light emission efficiency.

本発明の蛍光体の内部量子効率(η)は、通常80%以上、好ましくは85%以上、更に好ましくは88%以上、さらに好ましくは90%以上、特に好ましくは92%以上である。特に結晶構造内における格子欠陥が少ないことが望ましく、その場合には90%以上、より好ましくは92%以上、特に好ましくは95%以上という非常に高い内部量子効率を有する蛍光体を得ることができる。欠陥は構成している元素すべてにあてはまるが、特にアルカリ金属元素、さらに好ましくはSr元素の欠損が結晶構造内に欠陥を生じやすいため、これらの元素を適切に結晶格子内に留めておくことで、非常に高い内部量子効率を有する蛍光体を得ることができる。ここで、内部量子効率とは、蛍光体が吸収した励起光の光子数に対する発光した光子数の比率を意味する。よって、内部量子効率は高いほど好ましく、内部量子効率が低くなると発光効率や発光強度が低下する傾向がある。
上記した蛍光体の各特性は、実施例の項に記載の測定方法により求めることができる。
The internal quantum efficiency (η i ) of the phosphor of the present invention is usually 80% or more, preferably 85% or more, more preferably 88% or more, further preferably 90% or more, and particularly preferably 92% or more. In particular, it is desirable that the number of lattice defects in the crystal structure is small. In that case, a phosphor having a very high internal quantum efficiency of 90% or more, more preferably 92% or more, and particularly preferably 95% or more can be obtained. . Defects apply to all constituent elements, but defects of alkali metal elements, more preferably Sr elements, tend to cause defects in the crystal structure, so that these elements should be kept in the crystal lattice appropriately. A phosphor having a very high internal quantum efficiency can be obtained. Here, the internal quantum efficiency means the ratio of the number of photons emitted to the number of photons of excitation light absorbed by the phosphor. Therefore, the higher the internal quantum efficiency, the better. The lower the internal quantum efficiency, the lower the light emission efficiency and the light emission intensity.
Each characteristic of the phosphor described above can be obtained by the measurement method described in the section of the examples.

[2.蛍光体の製造方法]
本発明の蛍光体は、各蛍光体原料を、前記式[1]で表される結晶相の組成となるように秤量して蛍光体原料混合物を調整し、得られた蛍光体原料混合物を焼成することにより製造することができる。
[2. Method for producing phosphor]
In the phosphor of the present invention, each phosphor material is weighed so as to have the composition of the crystal phase represented by the formula [1] to prepare a phosphor material mixture, and the obtained phosphor material mixture is fired. Can be manufactured.

蛍光体原料としては、金属化合物、金属などを用いる。例えば、上記式[1]で表わされる結晶相の組成を有する蛍光体を製造する場合、A元素の原料(以下適宜「A源」という)、D元素の原料(以下適宜「D源」という)、E元素の原料(以下適宜「E源」という)、N元素の原料(以下適宜「N源」という)、O元素の原料(以下適宜「O源」という)、M元素の原料(以下適宜「M源」という)から必要な組み合わせを混合し(混合工程)、得られた混合物を焼成し(焼成工程)、得られた焼成物を、必要に応じて、解砕・粉砕や洗浄する(後処理工程)ことにより製造することができる。   As the phosphor material, a metal compound, a metal, or the like is used. For example, when producing a phosphor having the composition of the crystal phase represented by the above formula [1], a raw material of element A (hereinafter referred to as “A source” as appropriate), a raw material of element D (hereinafter referred to as “D source” as appropriate) , E element source (hereinafter referred to as “E source” as appropriate), N element source (hereinafter referred to as “N source” as appropriate), O element source (hereinafter referred to as “O source” as appropriate), M element source (hereinafter referred to as appropriate) The necessary combination is mixed from “M source” (mixing step), the resulting mixture is fired (firing step), and the obtained fired product is crushed, ground or washed as necessary ( (A post-processing step).

(蛍光体原料)
使用される蛍光体原料としては、公知のものを用いることができる。
上記M源のうち、Eu源の具体例としては、Eu23、Eu2(SO43、Eu2(C2
43・10H2O、EuF2、EuF3、EuCl2、EuCl3、Eu(NO33・6H2O、EuN、EuNH等が挙げられる。中でも窒化物、酸化物又はハロゲン化物が好ましく、より好ましくはEuNである。また、使用するEu源の純度はより高い方が好ましく、通常、98%以上、好ましくは99%以上、特に好ましくは99.5%以上である。
(Phosphor raw material)
Known phosphor materials can be used as the phosphor material used.
Among the M sources, specific examples of the Eu source include Eu 2 O 3 , Eu 2 (SO 4 ) 3 , Eu 2 (C 2
O 4 ) 3 · 10H 2 O, EuF 2 , EuF 3 , EuCl 2 , EuCl 3 , Eu (NO 3 ) 3 · 6H 2 O, EuN, EuNH and the like. Of these, nitride, oxide or halide is preferable, and EuN is more preferable. Further, the purity of the Eu source to be used is preferably higher, and is usually 98% or more, preferably 99% or more, and particularly preferably 99.5% or more.

また、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYb等のその他の付活元素の原料の具体例としては、Eu源の具体例として挙げた各化合物において、EuをそれぞれMn、Ce、Pr、Nd、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbに置き換えた化合物が挙げられる。
上記A源としてのSr源の具体例としては、SrO、Sr(OH)2・8H2O、SrCO3、Sr(NO32、SrSO4、Sr(C24)・H2O、Sr(OCOCH32・0
.5H2O、SrF2、SrCl2、Sr32、SrNH等が挙げられる。中でも、Sr32が好ましい。
In addition, as specific examples of raw materials of other activating elements such as Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, and Yb, in each compound mentioned as a specific example of Eu source, Examples include compounds in which Eu is replaced with Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, and Yb, respectively.
Specific examples of the Sr source as the A source include SrO, Sr (OH) 2 .8H 2 O, SrCO 3 , Sr (NO 3 ) 2 , SrSO 4 , Sr (C 2 O 4 ) · H 2 O, Sr (OCOCH 3) 2 · 0
. 5H 2 O, SrF 2 , SrCl 2 , Sr 3 N 2 , SrNH and the like can be mentioned. Of these, Sr 3 N 2 is preferable.

上記A源としてのCa源の具体例としては、CaO、Ca(OH)2、CaCO3、Ca(NO32・4H2O、CaSO4・2H2O、Ca(C24)・H2O、Ca(OCOCH32・H2O、CaF2、CaCl2、Ca32、CaNH等が挙げられる。中でも、Ca32が好ましい。
上記A源としてのBaの具体例としては、BaO、Ba(OH)2・8H2O、BaCO3、Ba(NO32、BaSO4、Ba(C24)、Ba(OCOCH32、BaF2、B
aCl2、Ba32、BaNH等が挙げられる。このうちBa32が好ましい。
Specific examples of the Ca source as the A source include CaO, Ca (OH) 2 , CaCO 3 , Ca (NO 3 ) 2 .4H 2 O, CaSO 4 .2H 2 O, Ca (C 2 O 4 ). H 2 O, Ca (OCOCH 3 ) 2 · H 2 O, CaF 2, CaCl 2, Ca 3 N 2, CaNH and the like. Among these, Ca 3 N 2 is preferable.
Specific examples of Ba as the A source include BaO, Ba (OH) 2 .8H 2 O, BaCO 3 , Ba (NO 3 ) 2 , BaSO 4 , Ba (C 2 O 4 ), Ba (OCOCH 3 ). 2 , BaF 2 , B
Examples include aCl 2 , Ba 3 N 2 and BaNH. Of these, Ba 3 N 2 is preferred.

上記A源としてのMg源の具体例としては、MgO、Mg(OH)2、塩基性炭酸マグ
ネシウム(mMgCO3・Mg(OH)2・nH2O)、Mg(NO32・6H2O、MgSO4、Mg(C24)・2H2O、Mg(OCOCH32・4H2O、MgF2、MgCl2
、Mg32、MgNH等が挙げられる。中でも、Mg32が好ましい。
上記D源としてのAl源の具体例としては、Al、AlNを用いるのが好ましい。中でも特に好ましくはAlNを用いるのが好ましい。また、AlNとして、反応性の点から、粒径が小さく、発光効率の点から純度の高いものが好ましい。
Specific examples of the Mg source as the A source include MgO, Mg (OH) 2 , basic magnesium carbonate (mMgCO 3 .Mg (OH) 2 .nH 2 O), Mg (NO 3 ) 2 .6H 2 O. , MgSO 4 , Mg (C 2 O 4 ) · 2H 2 O, Mg (OCOCH 3 ) 2 · 4H 2 O, MgF 2 , MgCl 2
Mg 3 N 2 , MgNH and the like. Of these, Mg 3 N 2 is preferable.
As specific examples of the Al source as the D source, Al 2 O 3 and AlN are preferably used. Of these, AlN is particularly preferably used. Moreover, as AlN, the thing with a small particle size from a reactive point and a high purity from the point of luminous efficiency is preferable.

上記E源としてのSi源の具体例としては、SiO2又はSi34を用いるのが好まし
い。また、反応中にSiO2となる化合物を用いることもできる。このような化合物とし
ては、具体的には、SiO2、H4SiO4、Si(OCOCH34等が挙げられる。また
、Si34として、反応性の点から、粒径が小さく、発光効率の点から純度の高いものが好ましい。さらに、発光効率の点からはα−Si34よりもβ−Si34の方が好ましく、特に不純物である炭素元素の含有割合が少ないものの方が好ましい。Si34の炭素元素の含有割合は、少なければ少ないほど好ましいが、通常0.001重量%以上含有され、通常0.3重量%以下、好ましくは0.1重量%以下、より好ましくは0.05重量%以下である。
As a specific example of the Si source as the E source, it is preferable to use SiO 2 or Si 3 N 4 . A compound that becomes SiO 2 during the reaction can also be used. Specific examples of such a compound include SiO 2 , H 4 SiO 4 , Si (OCOCH 3 ) 4 and the like. Further, as Si 3 N 4 , one having a small particle diameter and high purity from the viewpoint of light emission efficiency is preferable from the viewpoint of reactivity. Furthermore, from the viewpoint of light emission efficiency, β-Si 3 N 4 is more preferable than α-Si 3 N 4 , and in particular, one having a small content of carbon element as an impurity is preferable. The content ratio of the carbon element of Si 3 N 4 is preferably as small as possible, but is usually 0.001% by weight or more, usually 0.3% by weight or less, preferably 0.1% by weight or less, more preferably 0 0.05% by weight or less.

なお、前記式[1]におけるO源(酸素)やN源(窒素)は、A源(Sr源、Ca源)、D源(Al源)、E源(Si源)、Eu源から供給されてもよいし、焼成雰囲気から供給されてもよい。また、各原料には、不可避的不純物が含まれていてもよい。
前記式[1]におけるA源(Sr源、Ca源)、D源(Al源)、E源(Si源)、Eu源、O源(酸素)、N源(窒素)は焼成時に生じる原子の欠損や元素自体の高温時の揮発のしやすさを考慮し、特定の元素源のみを化学量論比よりも過剰に加えることもできる。この場合、特に高温時に揮発しやすいアルカリ土類源やSi源を過剰に添加することが好ましく。中でもアルカリ土類源を過剰に添加するとよい。焼成時に揮発しやすい元素を供給する元素を過剰に添加することで、欠陥が少なく量子効率の高い蛍光体を得ることができる。
The O source (oxygen) and N source (nitrogen) in the formula [1] are supplied from an A source (Sr source, Ca source), a D source (Al source), an E source (Si source), and an Eu source. It may be supplied from a firing atmosphere. Each raw material may contain inevitable impurities.
The A source (Sr source, Ca source), D source (Al source), E source (Si source), Eu source, O source (oxygen), and N source (nitrogen) in the formula [1] are atoms generated during firing. Considering the easiness of vacancies of defects and the element itself at high temperatures, it is possible to add only a specific element source in excess of the stoichiometric ratio. In this case, it is preferable to add an excessive amount of an alkaline earth source or Si source that easily volatilizes at a high temperature. Of these, an alkaline earth source may be added in excess. By adding an excessive amount of an element that supplies an element that easily volatilizes during firing, a phosphor with few defects and high quantum efficiency can be obtained.

(混合工程)
目的組成が得られるように蛍光体原料を秤量し、ボールミル等を用いて十分混合し、蛍光体原料混合物を得る(混合工程)。
上記混合手法としては、特に限定はされないが、具体的には、下記(A)及び(B)の手法が挙げられる。
(Mixing process)
The phosphor raw materials are weighed so as to obtain the target composition, and sufficiently mixed using a ball mill or the like to obtain a phosphor raw material mixture (mixing step).
Although it does not specifically limit as said mixing method, Specifically, the method of following (A) and (B) is mentioned.

(A)例えばハンマーミル、ロールミル、ボールミル、ジェットミル等の乾式粉砕機、又は、乳鉢と乳棒等を用いる粉砕と、例えばリボンブレンダー、V型ブレンダー、ヘンシェルミキサー等の混合機、又は、乳鉢と乳棒を用いる混合とを組み合わせ、前述の蛍光体原料を粉砕混合する乾式混合法。
(B)前述の蛍光体原料に水等の溶媒又は分散媒を加え、例えば粉砕機、乳鉢と乳棒、又は蒸発皿と撹拌棒等を用いて混合し、溶液又はスラリーの状態とした上で、噴霧乾燥、加熱乾燥、又は自然乾燥等により乾燥させる湿式混合法。
蛍光体原料の混合は、上記湿式混合法又は乾式混合法のいずれでもよいが、水分による蛍光体原料の汚染を避けるために、乾式混合法や非水溶性溶媒を使った湿式混合法がより好ましい。
(A) Dry pulverizer such as hammer mill, roll mill, ball mill, jet mill, etc., or pulverization using mortar and pestle, and mixer such as ribbon blender, V-type blender, Henschel mixer, or mortar and pestle And a dry mixing method in which the above phosphor raw materials are pulverized and mixed.
(B) A solvent or dispersion medium such as water is added to the phosphor material described above, and mixed using, for example, a pulverizer, a mortar and a pestle, or an evaporating dish and a stirring rod, to obtain a solution or slurry. A wet mixing method in which drying is performed by spray drying, heat drying, or natural drying.
The mixing of the phosphor raw material may be either the wet mixing method or the dry mixing method, but in order to avoid contamination of the phosphor raw material with moisture, a dry mixing method or a wet mixing method using a water-insoluble solvent is more preferable. .

(焼成工程)
続いて、混合工程で得られた蛍光体原料混合物を焼成する(焼成工程)。上述の蛍光体原料混合物を、必要に応じて乾燥後、坩堝等の容器内に充填し、焼成炉、加圧炉等を用いて焼成を行なう。
(Baking process)
Subsequently, the phosphor material mixture obtained in the mixing step is fired (firing step). The above-mentioned phosphor raw material mixture is dried as necessary and then filled in a container such as a crucible and fired using a firing furnace, a pressure furnace or the like.

本発明者らの検討により、本発明の蛍光体を製造する場合、焼成工程において、炉内の圧力が0.2MPa以上、200MPa以下である条件下で上述の蛍光体原料混合物を焼成することが好ましいことがわかった。焼成工程における好ましい諸条件を以下に述べる。
焼成工程で用いる焼成容器(坩堝など)の材質としては、アルミナ、石英、窒化ホウ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素、マグネシウム、ムライト等のセラミックス、白金、モリブデン、タングステン、タンタル、ニオブ、イリジウム、ロジウム等の金属、あるいは、それらを主成分とする合金、カーボン等が挙げられる。
According to the study by the present inventors, when the phosphor of the present invention is produced, the above phosphor raw material mixture can be fired in the firing step under the condition that the pressure in the furnace is 0.2 MPa or more and 200 MPa or less. It turned out to be preferable. Preferred conditions in the firing step are described below.
As a material of the firing container (such as a crucible) used in the firing process, ceramics such as alumina, quartz, boron nitride, silicon carbide, silicon nitride, magnesium, mullite, platinum, molybdenum, tungsten, tantalum, niobium, iridium, rhodium, etc. Examples thereof include metals, alloys containing them as main components, and carbon.

焼成温度は、圧力など、その他の条件によっても異なるが、通常1300℃以上、2100℃以下の温度範囲で焼成を行なうことができる。焼成工程における最高到達温度としては、通常1300℃以上、好ましくは1400℃以上、より好ましくは1500℃以上、より好ましくは1600℃以上であり、また、通常2100℃以下、好ましくは2000℃以下、より好ましくは1900℃以下である。焼成温度が高すぎると窒素が飛んで母体結晶に欠陥を生成し着色する傾向にあり、低すぎると固相反応の進行が遅くなる傾向にある。   Although the firing temperature varies depending on other conditions such as pressure, firing can usually be performed in a temperature range of 1300 ° C. or higher and 2100 ° C. or lower. The highest temperature achieved in the firing step is usually 1300 ° C. or higher, preferably 1400 ° C. or higher, more preferably 1500 ° C. or higher, more preferably 1600 ° C. or higher, and usually 2100 ° C. or lower, preferably 2000 ° C. or lower. Preferably it is 1900 degrees C or less. If the calcination temperature is too high, the nitrogen will fly and tend to produce defects in the base crystal and color, while if too low, the progress of the solid phase reaction will tend to be slow.

焼成工程における昇温速度は、通常2℃/分以上、好ましくは5℃/分以上、より好ましくは10℃/分以上であり、また、通常30℃/分以下、好ましくは25℃/分以下である。昇温速度がこの範囲を下回ると、焼成時間が長くなる可能性がある。また、昇温速度がこの範囲を上回ると、焼成装置、容器等が破損する場合がある。
焼成工程における焼成雰囲気は、本発明の蛍光体が得られる限り任意であるが、窒素含有雰囲気とすることが好ましい。具体的には、窒素雰囲気、水素含有窒素雰囲気等が挙げられ、中でも窒素雰囲気が好ましい。なお、焼成雰囲気の酸素含有量は、通常10ppm以下、好ましくは5ppm以下にするとよい。
The heating rate in the firing step is usually 2 ° C./min or more, preferably 5 ° C./min or more, more preferably 10 ° C./min or more, and usually 30 ° C./min or less, preferably 25 ° C./min or less. It is. If the rate of temperature rise is below this range, the firing time may be long. In addition, if the rate of temperature rise exceeds this range, the firing device, container, etc. may be damaged.
The firing atmosphere in the firing step is arbitrary as long as the phosphor of the present invention is obtained, but is preferably a nitrogen-containing atmosphere. Specific examples include a nitrogen atmosphere and a hydrogen-containing nitrogen atmosphere, and a nitrogen atmosphere is particularly preferable. The oxygen content in the firing atmosphere is usually 10 ppm or less, preferably 5 ppm or less.

焼成時間は、焼成時の温度や圧力等によっても異なるが、通常10分間以上、好ましくは30分間以上、また、通常24時間以下、好ましくは12時間以下である。焼成時間が短すぎると粒生成と粒成長を促すことができないため、特性のよい蛍光体を得ることができず、焼成時間が長すぎると構成している元素の揮発が促されるため、原子欠損により結晶構造内に欠陥が誘発され特性のよい蛍光体を得ることができない。   The firing time varies depending on the firing temperature, pressure, etc., but is usually 10 minutes or longer, preferably 30 minutes or longer, and usually 24 hours or shorter, preferably 12 hours or shorter. If the firing time is too short, grain formation and grain growth cannot be promoted, so that a phosphor with good characteristics cannot be obtained. If the firing time is too long, volatilization of the constituent elements is promoted, so atomic deficiency As a result, defects are induced in the crystal structure, and a phosphor having good characteristics cannot be obtained.

焼成工程における圧力は、焼成温度等によっても異なるが、通常0.2MPa以上、好ましくは0.4MPa以上であり、また、通常200MPa以下、好ましくは190MPa以下である。圧力が高すぎると、副生物が多くなる傾向にあり、圧力が低すぎると得られた蛍光体が分解したり、着色したりする可能性があるので、圧力の調整が重要である。構成している元素、特にアルカリ土類金属元素の揮発を抑え、欠陥が生じるのを抑える場合は0.8MPa以上が好ましく、さらに10MPa以上が好ましく、さらに50MPa以上が好ましく、さらに100MPa以上が好ましく、特に150MPaが好ましい。また、吸収効率の高い蛍光体を得たい場合は10MPa以下が好ましく、さらに5MPa以下が好ましく、さらに3MPa以下が好ましく、特に1.0MPa以下が好ましい。   The pressure in the firing step varies depending on the firing temperature and the like, but is usually 0.2 MPa or more, preferably 0.4 MPa or more, and usually 200 MPa or less, preferably 190 MPa or less. If the pressure is too high, by-products tend to increase, and if the pressure is too low, the obtained phosphor may be decomposed or colored, so adjustment of the pressure is important. In the case of suppressing the volatilization of constituent elements, particularly alkaline earth metal elements, and suppressing the occurrence of defects, 0.8 MPa or more is preferable, more preferably 10 MPa or more, further preferably 50 MPa or more, and further preferably 100 MPa or more, 150 MPa is particularly preferable. When it is desired to obtain a phosphor with high absorption efficiency, it is preferably 10 MPa or less, more preferably 5 MPa or less, further preferably 3 MPa or less, and particularly preferably 1.0 MPa or less.

なお、焼成工程は、必要に応じて、複数回繰り返し行なってもよい。その際は、一回目の焼成と、二回目の焼成とで、焼成条件を同一にしてもよいし、異なるものにしてもよい。
蛍光体生成時に原子が均一に拡散し、内部量子効率の高い蛍光体を焼成する場合や数μmの大きな粒子を得る場合は、繰り返し焼成が有効となる。この場合の第一の焼成工程の最高到達温度は第二の焼成工程での最高温度よりも低いことが好ましい。
第一の焼成工程で(Sr,Ca)SiNなどの別の相を焼成しておき、第二の焼成工
程で目的の結晶相を得ることも、構成している元素の拡散が進みやすくなるため有効である。
In addition, you may repeat a baking process in multiple times as needed. In that case, the firing conditions may be the same or different between the first firing and the second firing.
When the phosphor is uniformly diffused during the production of the phosphor and the phosphor having a high internal quantum efficiency is fired or when obtaining a large particle of several μm, repeated firing is effective. In this case, the highest temperature reached in the first baking step is preferably lower than the maximum temperature in the second baking step.
In the first firing step, another phase such as (Sr, Ca) SiN 2 is fired, and the target crystal phase is obtained in the second firing step. Therefore, it is effective.

(後処理工程)
得られる焼成物は、粒状又は塊状となる。これを解砕、粉砕及び/又は分級操作を組み合わせて所定のサイズの粉末にする。ここでは、D50が約30μm以下になるように処理するとよい。
具体的な処理の例としては、合成物を目開き45μm程度の篩分級処理し、篩を通過した粉末を次工程に回す方法、或いは合成物をボールミルや振動ミル、ジェットミル等の一般的な粉砕機を使用して所定の粒度に粉砕する方法が挙げられる。後者の方法において、過度の粉砕は、光を散乱しやすい微粒子を生成するだけでなく、粒子表面に結晶欠陥を生成し、発光効率の低下を引き起こす可能性がある。
(Post-processing process)
The obtained fired product is granular or massive. This is pulverized, pulverized and / or classified into a powder of a predetermined size. Here, it is preferable to process as D 50 is less than about 30 [mu] m.
Specific examples of the treatment include a method of subjecting the synthesized product to sieve classification with an opening of about 45 μm, and passing the powder that has passed through the sieve to the next step, or the synthesized product to a general method such as a ball mill, a vibration mill, or a jet mill. The method of grind | pulverizing to a predetermined particle size using a grinder is mentioned. In the latter method, excessive pulverization not only generates fine particles that easily scatter light, but also generates crystal defects on the particle surface, which may cause a decrease in luminous efficiency.

また、必要に応じて、蛍光体(焼成物)を洗浄する工程を設けてもよい。洗浄工程後は、蛍光体を付着水分がなくなるまで乾燥させて、使用に供する。さらに、必要に応じて、凝集をほぐすために分散・分級処理を行ってもよい。   Moreover, you may provide the process of wash | cleaning fluorescent substance (baked material) as needed. After the cleaning step, the phosphor is dried until it has no adhering moisture and is used. Further, if necessary, dispersion / classification treatment may be performed to loosen the aggregation.

[3.蛍光体の用途]
本発明の蛍光体は、蛍光体を使用する任意の用途に用いることができる。また、本発明の蛍光体を単独で使用することも可能であるが、2種以上併用したり、本発明の蛍光体とその他の蛍光体とを併用したりした、任意の組み合わせの蛍光体混合物として用いることも可能である。
[3. Use of phosphor]
The phosphor of the present invention can be used for any application using the phosphor. In addition, the phosphor of the present invention can be used alone, but two or more kinds of phosphors can be used together, or a phosphor mixture of any combination using the phosphor of the present invention and other phosphors in combination. Can also be used.

本発明の蛍光体は、公知の液体媒体(例えば、シリコーン系化合物等)と混合して、蛍光体含有組成物として用いることもできる。
発光装置の発光色としては紫色や、白色に制限されず、蛍光体の組み合わせや含有量を適宜選択することにより、電球色(暖かみのある白色)やパステルカラー等、任意の色に発光する発光装置を製造することができる。こうして得られた発光装置を、画像表示装置の発光部(特に液晶用バックライトなど)や照明装置として使用することができる。
The phosphor of the present invention can be used as a phosphor-containing composition by mixing with a known liquid medium (for example, a silicone compound).
The emission color of the light-emitting device is not limited to purple or white, but by appropriately selecting the combination and content of phosphors, light emission that emits light in any color, such as light bulb color (warm white) or pastel color The device can be manufactured. The light-emitting device thus obtained can be used as a light-emitting portion (particularly a liquid crystal backlight) or an illumination device of an image display device.

[4.蛍光体含有組成物]
本発明の蛍光体は、液体媒体と混合して用いることもできる。特に、本発明の蛍光体を発光装置等の用途に使用する場合には、これを液体媒体中に分散させた形態で用いることが好ましい。本発明の蛍光体を液体媒体中に分散させたものを、適宜「本発明の蛍光体含有組成物」と呼ぶものとする。
[4. Phosphor-containing composition]
The phosphor of the present invention can be used by mixing with a liquid medium. In particular, when the phosphor of the present invention is used for applications such as a light emitting device, it is preferably used in a form dispersed in a liquid medium. The phosphor of the present invention dispersed in a liquid medium will be referred to as “the phosphor-containing composition of the present invention” as appropriate.

(蛍光体)
上記蛍光体含有組成物に含有させる本発明の蛍光体の種類に制限は無く、任意に選択することができる。また、蛍光体含有組成物に含有させる本発明の蛍光体は、1種のみであってもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。更に、蛍光体含有組成物には、本発明の効果を著しく損なわない限り、本発明の蛍光体以外の蛍光体を含有させてもよい。
(Phosphor)
There is no restriction | limiting in the kind of fluorescent substance of this invention contained in the said fluorescent substance containing composition, It can select arbitrarily. Moreover, the fluorescent substance of this invention contained in a fluorescent substance containing composition may be only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio. Furthermore, the phosphor-containing composition may contain a phosphor other than the phosphor of the present invention as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.

(液体媒体)
蛍光体含有組成物に用いられる液体媒体の種類は特に限定されず、通常、半導体発光素子を覆ってモールディングすることのできる硬化性材料を用いることができる。硬化性材料とは、流体状の材料であって、何らかの硬化処理を施すことにより硬化する材料のことをいう。ここで、流体状とは、例えば液状又はゲル状のことをいう。硬化性材料は、固体発光素子から発せられた光を蛍光体へ導く役割を担保するものであれば、具体的な種類に制限は無い。また、硬化性材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。したがって、硬化性材料としては、無機系材料及び有機系材料並びに両者の混合物のいずれを用いることも可能である。
(Liquid medium)
The kind of liquid medium used for the phosphor-containing composition is not particularly limited, and a curable material that can be molded over the semiconductor light emitting element can be used. The curable material is a fluid material that is cured by performing some kind of curing treatment. Here, the fluid state means, for example, a liquid state or a gel state. The curable material is not particularly limited as long as it secures the role of guiding the light emitted from the solid light emitting element to the phosphor. Moreover, only 1 type may be used for a curable material and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio. Therefore, as the curable material, any of inorganic materials, organic materials, and mixtures thereof can be used.

無機系材料としては、例えば、金属アルコキシド、セラミック前駆体ポリマー若しくは金属アルコキシドを含有する溶液をゾル−ゲル法により加水分解重合して成る溶液、またはこれらの組み合わせを固化した無機系材料(例えばシロキサン結合を有する無機系材料)等を挙げることができる。
一方、有機系材料としては、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等が挙げられる。具体例を挙げると、ポリ(メタ)アクリル酸メチル等の(メタ)アクリル樹脂;ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体等のスチレン樹脂;ポリカーボネート樹脂;ポリエステル樹脂;フェノキシ樹脂;ブチラール樹脂;ポリビニルアルコール;エチルセルロース、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート等のセルロース系樹脂;エポキシ樹脂;フェノール樹脂;シリコーン樹脂等が挙げられる。
As the inorganic material, for example, a solution obtained by hydrolytic polymerization of a solution containing a metal alkoxide, a ceramic precursor polymer or a metal alkoxide by a sol-gel method, or a combination thereof is solidified (for example, a siloxane bond). Inorganic materials having
On the other hand, examples of the organic material include a thermosetting resin and a photocurable resin. Specific examples include (meth) acrylic resins such as poly (meth) acrylic acid methyl; styrene resins such as polystyrene and styrene-acrylonitrile copolymers; polycarbonate resins; polyester resins; phenoxy resins; butyral resins; Cellulose resins such as cellulose acetate and cellulose acetate butyrate; epoxy resins; phenol resins; silicone resins and the like.

これら硬化性材料の中では、半導体発光素子からの発光に対して劣化が少なく、耐アルカリ性、耐酸性、耐熱性にも優れる珪素含有化合物を使用することが好ましい。珪素含有化合物とは分子中に珪素原子を有する化合物をいい、ポリオルガノシロキサン等の有機材料(シリコーン系化合物)、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素等の無機材料、及びホウケイ酸塩、ホスホケイ酸塩、アルカリケイ酸塩等のガラス材料を挙げることができる。中でも、透明性、接着性、ハンドリングの容易さ、機械的、熱的応力の緩和特性に優れる等の点から、シリコーン系材料が好ましい。   Among these curable materials, it is preferable to use a silicon-containing compound that is less deteriorated with respect to light emitted from the semiconductor light-emitting element and is excellent in alkali resistance, acid resistance, and heat resistance. The silicon-containing compound is a compound having a silicon atom in the molecule, organic materials such as polyorganosiloxane (silicone compound), inorganic materials such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, borosilicate, phosphosilicate Examples thereof include glass materials such as salts and alkali silicates. Among these, silicone materials are preferable from the viewpoints of transparency, adhesion, ease of handling, and excellent mechanical and thermal stress relaxation characteristics.

シリコーン系材料とは、通常、シロキサン結合を主鎖とする有機重合体をいい、例えば、縮合型、付加型、改良ゾルゲル型、光硬化型等のシリコーン系材料を用いることができる。
これらのシリコーン系材料は単独で使用してもよいし、混合することにより硬化阻害が起きなければ複数のシリコーン系材料を混合して用いてもよい。
The silicone-based material usually refers to an organic polymer having a siloxane bond as a main chain, and for example, condensation-type, addition-type, improved sol-gel type, photo-curing type silicone-based materials can be used.
These silicone materials may be used alone, or a mixture of a plurality of silicone materials may be used if curing inhibition does not occur when mixed.

(液体媒体及び蛍光体の含有率)
液体媒体の含有率は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、本発明の蛍光体含有組成物全体に対して、通常25質量%以上、好ましくは40質量%以上であり、また、通常99質量%以下、好ましくは95質量%以下、より好ましくは80質量%以下である。液体媒体の量が多い場合には特段の問題は起こらないが、半導体発光装置とした場合に所望の色度座標、演色指数、発光効率等を得るには、通常、上記のような配合比率で液体媒体を用いることが望ましい。一方、液体媒体が少な過ぎると流動性が低下し取り扱い難くなる可能性がある。
(Content of liquid medium and phosphor)
The content of the liquid medium is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 25% by mass or more, preferably 40% by mass or more, based on the entire phosphor-containing composition of the present invention. Usually, it is 99 mass% or less, Preferably it is 95 mass% or less, More preferably, it is 80 mass% or less. When the amount of the liquid medium is large, no particular problem occurs. However, in order to obtain a desired chromaticity coordinate, color rendering index, luminous efficiency, etc. in the case of a semiconductor light emitting device, it is usually at a blending ratio as described above. It is desirable to use a liquid medium. On the other hand, when there is too little liquid medium, fluidity | liquidity falls and it may become difficult to handle.

液体媒体は、本発明の蛍光体含有組成物において、主にバインダーとしての役割を有する。液体媒体は、一種を単独で用いてもよいが、二種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。例えば、耐熱性や耐光性等を向上させることを目的として珪素含有化合物を使用する場合は、当該珪素含有化合物の耐久性を損なわない程度に、エポキシ樹脂など他の熱硬化性樹脂を含有してもよい。この場合、他の熱硬化性樹脂の含有量は、バイン
ダーである液体媒体全量に対して、通常25質量%以下、好ましくは10質量%以下とすることが望ましい。
The liquid medium mainly serves as a binder in the phosphor-containing composition of the present invention. The liquid medium may be used alone or in combination of two or more in any combination and ratio. For example, when using a silicon-containing compound for the purpose of improving heat resistance, light resistance, etc., other thermosetting resins such as an epoxy resin are contained so as not to impair the durability of the silicon-containing compound. Also good. In this case, the content of the other thermosetting resin is usually 25% by mass or less, preferably 10% by mass or less, based on the total amount of the liquid medium as the binder.

蛍光体含有組成物中の蛍光体の含有率は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、本発明の蛍光体含有組成物全体に対して、通常1質量%以上、好ましくは5質量%以上、より好ましくは20質量%以上であり、通常75質量%以下、好ましくは60質量%以下である。また、蛍光体含有組成物中の蛍光体に占める本発明の蛍光体の割合についても任意であるが、通常30質量%以上、好ましくは50質量%以上であり、通常100質量%以下である。蛍光体含有組成物中の蛍光体含有量が多過ぎると蛍光体含有組成物の流動性が劣り、取り扱いにくくなることがあり、蛍光体含有量が少な過ぎると発光装置の発光の効率が低下する傾向にある。   Although the content rate of the fluorescent substance in a fluorescent substance containing composition is arbitrary unless the effect of this invention is impaired remarkably, it is 1 mass% or more normally with respect to the whole fluorescent substance containing composition of this invention, Preferably it is 5 It is at least mass%, more preferably at least 20 mass%, usually at most 75 mass%, preferably at most 60 mass%. The proportion of the phosphor of the present invention in the phosphor in the phosphor-containing composition is also arbitrary, but is usually 30% by mass or more, preferably 50% by mass or more, and usually 100% by mass or less. If the phosphor content in the phosphor-containing composition is too high, the flowability of the phosphor-containing composition may be inferior and difficult to handle, and if the phosphor content is too low, the light emission efficiency of the light-emitting device decreases. There is a tendency.

(その他の成分)
蛍光体含有組成物には、本発明の効果を著しく損なわない限り、蛍光体及び液体媒体以外に、その他の成分、例えば、屈折率調整のための金属酸化物や、拡散剤、フィラー、粘度調整剤、紫外線吸収剤等の添加剤を含有させても良い。その他の成分は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
(Other ingredients)
In the phosphor-containing composition, unless the effect of the present invention is significantly impaired, in addition to the phosphor and the liquid medium, other components such as metal oxide for adjusting the refractive index, diffusing agent, filler, viscosity adjustment You may contain additives, such as an agent and a ultraviolet absorber. Only 1 type may be used for another component and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

[5.発光装置]
本発明の発光装置は、第1の発光体(励起光源)と、当該第1の発光体からの光を可視光に変換して、可視光を発し得る第2の発光体とを有する発光装置であって、該第2の発光体として前述の[1.蛍光体]の項で記載した本発明の蛍光体を1種以上含む第1の蛍光体を含有するものである。
[5. Light emitting device]
A light-emitting device of the present invention includes a first light-emitting body (excitation light source) and a second light-emitting body that can emit visible light by converting light from the first light-emitting body into visible light. The above-mentioned [1. It contains a first phosphor containing one or more of the phosphors of the present invention described in the section [Phosphor].

本発明の発光装置に用いられる本発明の蛍光体の好ましい具体例としては、前述の[1.蛍光体]の欄に記載した本発明の蛍光体や、後述の[実施例]の欄の各実施例に用いた蛍光体が挙げられる。また、本発明の蛍光体は、何れか一種を単独で使用してもよく、二種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
本発明の発光装置は、第1の発光体(励起光源)を有し、且つ、第2の発光体として少なくとも本発明の蛍光体を使用している他は、その構成は制限されず、公知の装置構成を任意にとることが可能である。装置構成の具体例については後述する。
Preferable specific examples of the phosphor of the present invention used in the light emitting device of the present invention include [1. Examples thereof include the phosphor of the present invention described in the “Phosphor” column and the phosphors used in the respective Examples in the “Example” column described later. In addition, any one of the phosphors of the present invention may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
The light-emitting device of the present invention has a first light emitter (excitation light source), and at least the phosphor of the present invention is used as the second light emitter. It is possible to arbitrarily adopt the apparatus configuration. A specific example of the device configuration will be described later.

本発明の発光装置のうち、特に白色発光装置として、具体的には、第1の発光体として後述するような励起光源を用い、本発明の蛍光体の他、後述するような青色の蛍光を発する蛍光体(以下、適宜「青色蛍光体」という)、緑色の蛍光を発する蛍光体(以下、適宜「緑色蛍光体」という)、赤色の蛍光を発する蛍光体(以下、適宜「赤色蛍光体」という)、黄色の蛍光を発する蛍光体(以下、適宜「黄色蛍光体」という)等の公知の蛍光体を任意に組み合わせて使用し、公知の装置構成をとることにより得られる。
ここで、該白色発光装置の白色とは、JIS Z 8701により規定された、(黄みの)白、(緑みの)白、(青みの)白、(紫みの)白及び白の全てを含む意であり、このうち好ましくは白である。
Among the light emitting devices of the present invention, in particular, as a white light emitting device, specifically, an excitation light source as described later is used as the first light emitter, and in addition to the phosphor of the present invention, blue fluorescence as described later is emitted. Phosphor that emits light (hereinafter referred to as “blue phosphor” as appropriate), phosphor that emits green fluorescence (hereinafter referred to as “green phosphor” as appropriate), phosphor that emits red fluorescence (hereinafter referred to as “red phosphor” as appropriate) And a known phosphor such as a phosphor that emits yellow fluorescence (hereinafter referred to as “yellow phosphor” as appropriate) is used in any combination, and a known apparatus configuration is obtained.
Here, the white color of the white light emitting device means all of (yellowish) white, (greenish) white, (blueish) white, (purple) white and white defined by JIS Z 8701 Of these, white is preferred.

<発光装置の構成>
(第1の発光体)
本発明の発光装置における第1の発光体は、後述する第2の発光体を励起する光を発光するものである。
第1の発光体の発光ピーク波長は、後述する第2の発光体の吸収波長と重複するものであれば、特に制限されず、幅広い発光波長領域の発光体を使用することができる。通常は、紫外領域から青色領域までの発光波長を有する発光体が使用される。
<Configuration of light emitting device>
(First luminous body)
The 1st light-emitting body in the light-emitting device of this invention light-emits the light which excites the 2nd light-emitting body mentioned later.
The emission peak wavelength of the first illuminant is not particularly limited as long as it overlaps with the absorption wavelength of the second illuminant described later, and an illuminant having a wide emission wavelength region can be used. Usually, a light emitter having an emission wavelength from the ultraviolet region to the blue region is used.

第1の発光体の発光ピーク波長の具体的数値としては、通常300nm以上、好ましくは330nm以上、より好ましくは360nm以上、また、通常500nm以下、好ましくは480nm以下、より好ましくは460nm以下の発光ピーク波長を有する発光体を使用することが望ましい。   The specific value of the emission peak wavelength of the first illuminant is usually 300 nm or more, preferably 330 nm or more, more preferably 360 nm or more, and usually 500 nm or less, preferably 480 nm or less, more preferably 460 nm or less. It is desirable to use a light emitter having a wavelength.

第1の発光体としては、一般的には半導体発光素子が用いられ、具体的には発光ダイオード(LED)やレーザーダイオード(LD)等が使用できる。その他、第1の発光体として使用できる発光体としては、例えば、有機エレクトロルミネッセンス発光素子、無機エレクトロルミネッセンス発光素子等が挙げられる。但し、第1の発光体として使用できるものは本明細書に例示されるものに限られない。   As the first light emitter, a semiconductor light emitting element is generally used, and specifically, a light emitting diode (LED), a laser diode (LD), or the like can be used. In addition, as a light-emitting body which can be used as a 1st light-emitting body, an organic electroluminescent light emitting element, an inorganic electroluminescent light emitting element, etc. are mentioned, for example. However, what can be used as a 1st light-emitting body is not restricted to what is illustrated by this specification.

中でも、第1の発光体としては、GaN系化合物半導体を使用したGaN系LEDやLDが好ましい。なぜなら、GaN系LEDやLDは、この領域の光を発するSiC系LED等に比し、発光出力や外部量子効率が格段に大きく、前記蛍光体と組み合わせることによって、低電力で非常に明るい発光が得られるからである。例えば、20mAの電流負荷に対し、通常GaN系LEDやLDはSiC系の100倍以上の発光強度を有する。GaN系LEDやLDとしては、AlGaN発光層、GaN発光層又はInGaN発光層を有しているものが好ましい。中でも、発光強度が非常に高いことから、GaN系LEDとしては、InGaN発光層を有するものが特に好ましく、InGaN層とGaN層との多重量子井戸構造のものがさらに好ましい。 Among these, as the first light emitter, a GaN LED or LD using a GaN compound semiconductor is preferable. This is because GaN-based LEDs and LDs have significantly higher emission output and external quantum efficiency than SiC-based LEDs that emit light in this region, and emit very bright light with low power when combined with the phosphor. It is because it is obtained. For example, for a current load of 20 mA, GaN-based LEDs and LDs usually have a light emission intensity 100 times or more that of SiC-based. As the GaN-based LED and LD, those having an Al X Ga Y N light emitting layer, a GaN light emitting layer, or an In X Ga Y N light emitting layer are preferable. Among them, since the emission intensity is very high, the GaN-based LED is particularly preferably one having an In X Ga Y N light emitting layer, and more preferably a multiple quantum well structure having an In X Ga Y N layer and a GaN layer. preferable.

なお、上記においてX+Yの値は、通常0.8〜1.2の範囲の値である。GaN系LEDにおいて、これら発光層にZnやSiをドープしたものやドーパント無しのものが発光特性を調節するうえで好ましいものである。
GaN系LEDはこれら発光層、p層、n層、電極、及び基板を基本構成要素としたものであり、発光層をn型とp型のAlGaN層、GaN層、又はInGaN層などでサンドイッチにしたヘテロ構造を有しているものが、発光効率が高くて好ましく、更にヘテロ構造を量子井戸構造にしたものが、発光効率が更に高いため、より好ましい。
なお、第1の発光体は、1個のみを用いてもよく、2個以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
In the above, the value of X + Y is usually a value in the range of 0.8 to 1.2. In the GaN-based LED, those in which the light emitting layer is doped with Zn or Si or those without a dopant are preferable for adjusting the light emission characteristics.
A GaN-based LED has these light-emitting layer, p-layer, n-layer, electrode, and substrate as basic components, and the light-emitting layer is an n-type and p-type Al X Ga Y N layer, GaN layer, or In X Those having a heterostructure sandwiched between Ga Y N layers and the like are preferable because of high light emission efficiency, and those having a heterostructure having a quantum well structure are more preferable because of high light emission efficiency.
Note that only one first light emitter may be used, or two or more first light emitters may be used in any combination and ratio.

(第2の発光体)
本発明の発光装置における第2の発光体は、上述した第1の発光体からの光の照射によって可視光を発する発光体であり、第1の蛍光体として本発明の蛍光体を1種以上含有するとともに、その用途等に応じて適宜、後述する第2の蛍光体(青色蛍光体、緑色蛍光体、黄色蛍光体、橙色蛍光体、赤色蛍光体等)を含有する。また、例えば、第2の発光体は、第1及び第2の蛍光体を封止材料中に分散させて構成される。
(Second light emitter)
The second light emitter in the light emitting device of the present invention is a light emitter that emits visible light when irradiated with light from the first light emitter described above, and one or more phosphors of the present invention are used as the first phosphor. A second phosphor (a blue phosphor, a green phosphor, a yellow phosphor, an orange phosphor, a red phosphor, etc.), which will be described later, is contained as appropriate depending on the application. Further, for example, the second light emitter is configured by dispersing the first and second phosphors in a sealing material.

上記第2の発光体中に用いられる、本発明の蛍光体以外の蛍光体(即ち、第2の蛍光体)の組成には特に制限はないが、母体結晶となる、Y、YVO、ZnSiO、Yl512、SrSiO等に代表される金属酸化物、SrSi等に代表される金属窒化物、Ca(POCl等に代表されるリン酸塩及びZnS、SrS、CaS等に代表される硫化物、YS、LaS等に代表される酸硫化物等にCe、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb等の希土類金属のイオンやAg、Cu、Au、Al、Mn、Sb等の金属のイオンを付活元素又は共付活元素として組み合わせたものが挙げられる。
好ましい結晶母体の具体例を表1に示す。
The composition of the phosphor other than the phosphor of the present invention (that is, the second phosphor) used in the second light emitter is not particularly limited, but Y 2 O 3 , YVO to be a host crystal. 4 , metal oxides typified by Zn 2 SiO 4 , Y 3 A 15 O 12 , Sr 2 SiO 4, etc., Sr 2 Si 5 N 8, etc., Ca 5 (PO 4 ) 3 Cl Ce, Pr, Nd, Pm such as phosphates typified by ZnS, SrS, CaS, etc., oxysulfides typified by Y 2 O 2 S, La 2 O 2 S, etc. , Ions of rare earth metals such as Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and ions of metals such as Ag, Cu, Au, Al, Mn, Sb, etc. are combined as an activator element or a coactivator element. Can be mentioned.
Specific examples of preferred crystal matrixes are shown in Table 1.

Figure 2014227454
Figure 2014227454

但し、上記の母体結晶及び付活元素又は共付活元素は、元素組成には特に制限はなく、同族の元素と一部置き換えることもでき、得られた蛍光体は近紫外から可視領域の光を吸収して可視光を発するものであれば用いることが可能である。
具体的には、蛍光体として以下に挙げるものを用いることが可能であるが、これらはあくまでも例示であり、本発明で使用できる蛍光体はこれらに限られるものではない。なお、以下の例示では、前述の通り、構造の一部のみが異なる蛍光体を、適宜省略して示している。
However, the matrix crystal and the activator element or coactivator element are not particularly limited in element composition, and can be partially replaced with elements of the same family, and the obtained phosphor is light in the near ultraviolet to visible region. Any material that absorbs and emits visible light can be used.
Specifically, the following phosphors can be used, but these are merely examples, and phosphors that can be used in the present invention are not limited to these. In the following examples, as described above, phosphors that differ only in part of the structure are omitted as appropriate.

(第1の蛍光体)
本発明の発光装置における第2の発光体は、少なくとも上述の本発明の蛍光体を含む第1の蛍光体を含有する。本発明の蛍光体は、何れか1種を単独で使用してもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよく、所望の発光色となるよう、本発明の蛍光体の組成を適宜調整すればよい。
(First phosphor)
The 2nd light-emitting body in the light-emitting device of this invention contains the 1st fluorescent substance containing the fluorescent substance of the above-mentioned this invention at least. Any one of the phosphors of the present invention may be used alone, or two or more of them may be used in any combination and ratio, and the phosphor of the present invention may have a desired emission color. What is necessary is just to adjust a composition suitably.

(第2の蛍光体)
本発明の発光装置における第2の発光体は、その用途に応じて、上述の第1の蛍光体以外にも蛍光体(即ち、第2の蛍光体)を含有していてもよい。通常、これらの第2の蛍光体は、第2の発光体の発光の色調を調節するために使用されるため、第2の蛍光体としては第1の蛍光体とは異なる色の蛍光を発する蛍光体を使用することが多い。例えば、第1の蛍光体として赤色蛍光体を使用する場合、第2の蛍光体としては、青色蛍光体、緑色蛍光体、黄色蛍光体等の赤色蛍光体以外の蛍光体を用いるとよい。但し、第1の蛍光体と同色の蛍光体を第2の蛍光体として用いることも可能である。
(Second phosphor)
The second light emitter in the light emitting device of the present invention may contain a phosphor (that is, a second phosphor) in addition to the first phosphor described above, depending on the application. Usually, since these second phosphors are used to adjust the color tone of light emitted from the second light emitter, the second phosphor emits fluorescence having a color different from that of the first phosphor. Often phosphors are used. For example, when a red phosphor is used as the first phosphor, a phosphor other than a red phosphor such as a blue phosphor, a green phosphor, or a yellow phosphor may be used as the second phosphor. However, a phosphor having the same color as the first phosphor can be used as the second phosphor.

本発明の発光装置に使用される第2の蛍光体の質量メジアン径D50は、通常2μm以上、中でも5μm以上、また、通常30μm以下、中でも20μm以下の範囲であることが好ましい。質量メジアン径D50が小さ過ぎると、輝度が低下し、蛍光体粒子が凝集してしまう傾向がある。一方、質量メジアン径が大き過ぎると、塗布ムラやディスペンサー等の閉塞が生じる傾向がある。 Second phosphor mass median diameter D 50 that is used for the light emitting device of the present invention is usually 2μm or more and preferably 5μm or more, and usually 30μm or less is preferably in a range of inter alia 20μm or less. When the mass median diameter D 50 is too small, and the luminance decreases tends to phosphor particles tend to aggregate. On the other hand, when the mass median diameter is too large, there is a tendency for coating unevenness and blockage of a dispenser to occur.

(青色蛍光体)
本発明の蛍光体に加えて青色蛍光体を使用する場合、当該青色蛍光体は本発明の効果を著しく損なわない限り任意のものを使用することができる。この際、青色蛍光体の発光ピーク波長は、通常420nm以上、好ましくは430nm以上、より好ましくは440nm以上、また、通常490nm以下、好ましくは480nm以下、より好ましくは470nm以下、更に好ましくは460nm以下の波長範囲にあることが好適である。使用する青色蛍光体の発光ピーク波長がこの範囲にあると、本発明の蛍光体の励起帯と重なり、当該青色蛍光体からの青色光により、本発明の蛍光体を効率良く励起することができるからである。このような青色蛍光体として使用できる蛍光体を表2に示す。
(Blue phosphor)
When a blue phosphor is used in addition to the phosphor of the present invention, any blue phosphor can be used as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. At this time, the emission peak wavelength of the blue phosphor is usually 420 nm or more, preferably 430 nm or more, more preferably 440 nm or more, and usually 490 nm or less, preferably 480 nm or less, more preferably 470 nm or less, and further preferably 460 nm or less. It is preferable to be in the wavelength range. When the emission peak wavelength of the blue phosphor used is within this range, it overlaps with the excitation band of the phosphor of the present invention, and the phosphor of the present invention can be efficiently excited by the blue light from the blue phosphor. Because. Table 2 shows phosphors that can be used as such blue phosphors.

Figure 2014227454
Figure 2014227454

以上の中でも、青色蛍光体としては、(Ca,Sr,Ba)MgAl1017:Eu、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO(Cl,F):Eu、(Ba,Ca,Mg,Sr)SiO:Eu、(Ba,Ca,Sr)MgSiO8:Euが好ましく、(Ba,Sr)MgAl1017:Eu、(Ca,Sr,Ba)10(PO(Cl,F):Eu、BaMgSi:Euがより好ましく、Sr10(POCl:Eu、BaMgAl1017:Euが特に好ましい。 Among these, as the blue phosphor, (Ca, Sr, Ba) MgAl 10 O 17 : Eu, (Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO 4 ) 6 (Cl, F) 2 : Eu, (Ba , Ca, Mg, Sr) 2 SiO 4 : Eu, (Ba, Ca, Sr) 3 MgSi 2 O 8: Eu are preferred, and (Ba, Sr) MgAl 10 O 17 : Eu, (Ca, Sr, Ba) 10 ( PO 4 ) 6 (Cl, F) 2 : Eu and Ba 3 MgSi 2 O 8 : Eu are more preferable, and Sr 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu and BaMgAl 10 O 17 : Eu are particularly preferable.

(緑色蛍光体)
本発明の蛍光体に加えて緑色蛍光体を使用する場合、当該緑色蛍光体は本発明の効果を著しく損なわない限り任意のものを使用することができる。この際、緑色蛍光体の発光ピーク波長は、通常500nmより大きく、中でも510nm以上、更には515nm以上、また、通常550nm以下、中でも542nm以下、更には535nm以下の範囲であることが好ましい。この発光ピーク波長が短過ぎると青味を帯びる傾向がある一方で、長過ぎると黄味を帯びる傾向があり、何れも緑色光としての特性が低下する場合がある。このような緑色蛍光体として利用できる蛍光体を表3に示す。
(Green phosphor)
When a green phosphor is used in addition to the phosphor of the present invention, any green phosphor can be used as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. At this time, the emission peak wavelength of the green phosphor is usually larger than 500 nm, preferably 510 nm or more, more preferably 515 nm or more, and usually 550 nm or less, especially 542 nm or less, and further preferably 535 nm or less. If this emission peak wavelength is too short, it tends to be bluish, while if it is too long, it tends to be yellowish, and the characteristics as green light may deteriorate. Table 3 shows phosphors that can be used as such green phosphors.

Figure 2014227454
Figure 2014227454

以上の中でも、緑色蛍光体としては、Y(Al,Ga)12:Tb、CaSc:Ce、Ca(Sc,Mg)Si12:Ce、(Sr,Ba)SiO:Eu、(Si,Al)(O,N):Eu(β−sialon)、(Ba,Sr)Si12:N:Eu、SrGa:Eu、BaMgAl1017:Eu,Mnが好ましい。 Among these, as the green phosphor, Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Tb, CaSc 2 O 4 : Ce, Ca 3 (Sc, Mg) 2 Si 3 O 12 : Ce, (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu, (Si, Al) 6 (O, N) 8 : Eu (β-sialon), (Ba, Sr) 3 Si 6 O 12 : N 2 : Eu, SrGa 2 S 4 : Eu, BaMgAl 10 O 17 : Eu, Mn is preferred.

得られる発光装置を照明装置に用いる場合には、Y(Al,Ga)12:Tb、CaSc:CeCa(Sc,Mg)Si12:Ce、(Sr,Ba)SiO:Eu、(Si,Al)(O,N):Eu(β−sialon)、(Ba,Sr)Si12:Euが好ましい。
また、得られる発光装置を画像表示装置に用いる場合には、(Sr,Ba)SiO:Eu、(Si,Al)(O,N):Eu(β−sialon)、(Ba,Sr)Si12:Eu、SrGa:Eu、BaMgAl1017:Eu,Mnが好ましい。
When the obtained light-emitting device is used for a lighting device, Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Tb, CaSc 2 O 4 : CeCa 3 (Sc, Mg) 2 Si 3 O 12 : Ce, (Sr, Ba ) 2 SiO 4 : Eu, (Si, Al) 6 (O, N) 8 : Eu (β-sialon), (Ba, Sr) 3 Si 6 O 12 N 2 : Eu are preferable.
When the obtained light emitting device is used for an image display device, (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu, (Si, Al) 6 (O, N) 8 : Eu (β-sialon), (Ba, Sr) 3 Si 6 O 12 N 2 : Eu, SrGa 2 S 4 : Eu, and BaMgAl 10 O 17 : Eu, Mn are preferable.

(黄色蛍光体)
本発明の蛍光体に加えて黄色蛍光体を使用する場合、当該黄色蛍光体は本発明の効果を著しく損なわない限り任意のものを使用することができる。この際、黄色蛍光体の発光ピーク波長は、通常530nm以上、好ましくは540nm以上、より好ましくは550nm以上、また、通常620nm以下、好ましくは600nm以下、より好ましくは580nm以下の波長範囲にあることが好適である。このような黄色蛍光体として利用できる蛍
光体を表4に示す。
(Yellow phosphor)
When a yellow phosphor is used in addition to the phosphor of the present invention, any yellow phosphor can be used as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. At this time, the emission peak wavelength of the yellow phosphor is usually in the wavelength range of 530 nm or more, preferably 540 nm or more, more preferably 550 nm or more, and usually 620 nm or less, preferably 600 nm or less, more preferably 580 nm or less. Is preferred. Table 4 shows phosphors that can be used as such yellow phosphors.

Figure 2014227454
Figure 2014227454

以上の中でも、黄色蛍光体としては、YAl12:Ce、(Y,Gd)l512:Ce、(Sr,Ca,Ba,Mg)SiO:Eu、(Ca,Sr)Si:Euが好ましい。 More in even, as the yellow phosphor, Y 3 Al 5 O 12: Ce, (Y, Gd) 3 A l5 O 12: Ce, (Sr, Ca, Ba, Mg) 2 SiO 4: Eu, (Ca, Sr) Si 2 N 2 O 2 : Eu is preferred.

(橙色ないし赤色蛍光体)
本発明の蛍光体に加えて橙色ないし赤色蛍光体を使用する場合、当該橙色ないし赤色蛍光体は本発明の効果を著しく損なわない限り任意のものを使用することができる。この際、橙色ないし赤色蛍光体の発光ピーク波長は、通常570nm以上、好ましくは580nm以上、より好ましくは585nm以上、また、通常780nm以下、好ましくは700nm以下、より好ましくは680nm以下の波長範囲にあることが好適である。このような橙色ないし赤色蛍光体として使用できる蛍光体を表5に示す。
(Orange to red phosphor)
When an orange or red phosphor is used in addition to the phosphor of the present invention, any orange or red phosphor can be used as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. At this time, the emission peak wavelength of the orange to red phosphor is usually in the wavelength range of 570 nm or more, preferably 580 nm or more, more preferably 585 nm or more, and usually 780 nm or less, preferably 700 nm or less, more preferably 680 nm or less. Is preferred. Table 5 shows phosphors that can be used as such orange to red phosphors.

Figure 2014227454
Figure 2014227454

以上の中でも、赤色蛍光体としては、(Ca,Sr,Ba)Si(N,O):Eu、(Ca,Sr,Ba)Si(N,O):Eu、(Ca,Sr,Ba)AlSi(N,O):Eu、(Sr,Ba)SiO:Eu、(Ca,Sr)S:Eu、(La,Y)S:Eu、Eu(ジベンゾイルメタン)3・1,10−フェナントロリン錯体等のβ−ジケトン系Eu錯体、カルボン酸系Eu錯体、KSiF:Mnが好ましく、(Ca,Sr,Ba)Si(N,O):Eu、(Sr,Ca)AlSi(N,O):Eu、(La,Y)S:Eu、KSiF:Mnがより好ましい。 Among these, as red phosphors, (Ca, Sr, Ba) 2 Si 5 (N, O) 8 : Eu, (Ca, Sr, Ba) Si (N, O) 2 : Eu, (Ca, Sr , Ba) AlSi (N, O) 3 : Eu, (Sr, Ba) 3 SiO 5 : Eu, (Ca, Sr) S: Eu, (La, Y) 2 O 2 S: Eu, Eu (dibenzoylmethane) ) Β-diketone Eu complex such as 3,1,10-phenanthroline complex, carboxylic acid Eu complex, K 2 SiF 6 : Mn is preferred, (Ca, Sr, Ba) 2 Si 5 (N, O) 8 : Eu, (Sr, Ca) AlSi (N, O): Eu, (La, Y) 2 O 2 S: Eu, and K 2 SiF 6 : Mn are more preferable.

また、橙色蛍光体としては、(Sr,Ba)SiO:Eu、(Sr,Ba)SiO:Eu、(Ca,Sr,Ba)Si(N,O):Eu、(Ca,Sr,Ba)AlSi(N,O):Ceが好ましい。 As the orange phosphor, (Sr, Ba) 3 SiO 5 : Eu, (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu, (Ca, Sr, Ba) 2 Si 5 (N, O) 8 : Eu, ( Ca, Sr, Ba) AlSi (N, O) 3 : Ce is preferred.

[6.発光装置の実施形態]
<発光装置の実施形態>
以下、本発明の発光装置について、具体的な実施の形態を挙げて、より詳細に説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において任意に変形して実施することができる。
[6. Embodiment of Light Emitting Device]
<Embodiment of Light Emitting Device>
Hereinafter, the light-emitting device of the present invention will be described in more detail with reference to specific embodiments. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and does not depart from the gist of the present invention. It can be implemented with arbitrary modifications.

本発明の発光装置の一例における、励起光源となる第1の発光体と、蛍光体を有する蛍光体含有部として構成された第2の発光体との位置関係を示す模式的斜視図を図1に示す。図1中の符号1は蛍光体含有部(第2の発光体)、符号2は励起光源(第1の発光体)としての面発光型GaN系LD、符号3は基板を表す。相互に接触した状態をつくるために、励起光源(LD)2と蛍光体含有部1(第2の発光体)とそれぞれ別個に作製し、それらの面同士を接着剤やその他の手段によって接触させてもよいし、励起光源(LD)2の発光面上に蛍光体含有部1(第2の発光体)を製膜(成型)させてもよい。これらの結果、励起光源(LD)2と蛍光体含有部1(第2の発光体)とを接触した状態とすることができる。   FIG. 1 is a schematic perspective view showing a positional relationship between a first light emitter serving as an excitation light source and a second light emitter configured as a phosphor containing portion having a phosphor in an example of the light emitting device of the present invention. Shown in 1, reference numeral 1 denotes a phosphor-containing portion (second light emitter), reference numeral 2 denotes a surface-emitting GaN-based LD as an excitation light source (first light emitter), and reference numeral 3 denotes a substrate. In order to create a state in which they are in contact with each other, the excitation light source (LD) 2 and the phosphor-containing portion 1 (second light emitter) are separately manufactured, and their surfaces are brought into contact with each other by an adhesive or other means. Alternatively, the phosphor-containing portion 1 (second light emitter) may be formed (molded) on the light emitting surface of the excitation light source (LD) 2. As a result, the excitation light source (LD) 2 and the phosphor-containing part 1 (second light emitter) can be brought into contact with each other.

このような装置構成をとった場合には、励起光源(第1の発光体)からの光が蛍光体含有部(第2の発光体)の膜面で反射されて外にしみ出るという光量損失を避けることができるので、装置全体の発光効率を良くすることができる。
図2(a)は、一般的に砲弾型と言われる形態の発光装置の代表例であり、励起光源(第1の発光体)と蛍光体含有部(第2の発光体)とを有する発光装置の一実施例を示す模式的断面図である。該発光装置4において、符号5はマウントリード、符号6はインナーリード、符号7は励起光源(第1の発光体)、符号8は蛍光体含有部、符号9は導電性ワイヤ、符号10はモールド部材をそれぞれ指す。
When such an apparatus configuration is employed, the light loss is such that light from the excitation light source (first light emitter) is reflected by the film surface of the phosphor-containing portion (second light emitter) and oozes out. Therefore, the light emission efficiency of the entire device can be improved.
FIG. 2A is a typical example of a light emitting device of a form generally referred to as a shell type, and has a light emission having an excitation light source (first light emitter) and a phosphor-containing portion (second light emitter). It is typical sectional drawing which shows one Example of an apparatus. In the light emitting device 4, reference numeral 5 is a mount lead, reference numeral 6 is an inner lead, reference numeral 7 is an excitation light source (first light emitter), reference numeral 8 is a phosphor-containing portion, reference numeral 9 is a conductive wire, and reference numeral 10 is a mold. Each member is indicated.

また、図2(b)は、表面実装型と言われる形態の発光装置の代表例であり、励起光源(第1の発光体)と蛍光体含有部(第2の発光体)とを有する発光装置の一実施例を示す模式的断面図である。図中、符号22は励起光源(第1の発光体)、符号23は蛍光体含有部(第2の発光体)、符号24はフレーム、符号25は導電性ワイヤ、符号26及び符号27は電極をそれぞれ指す。   FIG. 2B is a representative example of a light-emitting device in a form called a surface-mount type, and light emission having an excitation light source (first light emitter) and a phosphor-containing portion (second light emitter). It is typical sectional drawing which shows one Example of an apparatus. In the figure, reference numeral 22 is an excitation light source (first light emitter), reference numeral 23 is a phosphor-containing portion (second light emitter), reference numeral 24 is a frame, reference numeral 25 is a conductive wire, reference numerals 26 and 27 are electrodes. Respectively.

<発光装置の用途>
本発明の発光装置の用途は特に制限されず、通常の発光装置が用いられる各種の分野に使用することが可能であるが、演色性が高い、及び色再現範囲が広いことから、中でも照明装置や画像表示装置の光源として、とりわけ好適に用いられる。
<Applications of light emitting device>
The use of the light-emitting device of the present invention is not particularly limited, and can be used in various fields in which ordinary light-emitting devices are used. However, since the color rendering property is high and the color reproduction range is wide, the illumination device is particularly preferable. And as a light source for image display devices.

(照明装置)
本発明の発光装置を照明装置に適用する場合には、前述のような発光装置を公知の照明装置に適宜組み込んで用いればよい。例えば、図3に示されるような、前述の発光装置4を組み込んだ面発光照明装置11を挙げることができる。
図3は、本発明の照明装置の一実施形態を模式的に示す断面図である。この図3に示すように、該面発光照明装置は、内面を白色の平滑面等の光不透過性とした方形の保持ケース12の底面に、多数の発光装置13(前述の発光装置4に相当)を、その外側に発光装置13の駆動のための電源及び回路等(図示せず。)を設けて配置し、保持ケース12の蓋部に相当する箇所に、乳白色としたアクリル板等の拡散板14を発光の均一化のために
固定してなる。
(Lighting device)
When the light-emitting device of the present invention is applied to a lighting device, the above-described light-emitting device may be appropriately incorporated into a known lighting device. For example, a surface emitting illumination device 11 incorporating the above-described light emitting device 4 as shown in FIG. 3 can be cited.
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing one embodiment of the illumination device of the present invention. As shown in FIG. 3, the surface-emitting illumination device has a large number of light-emitting devices 13 (on the light-emitting device 4 described above) on the bottom surface of a rectangular holding case 12 whose inner surface is light-opaque such as a white smooth surface. Is provided with a power source and a circuit (not shown) for driving the light-emitting device 13 on the outside, and a milky white acrylic plate or the like is provided at a position corresponding to the lid portion of the holding case 12. The diffusion plate 14 is fixed for uniform light emission.

そして、面発光照明装置11を駆動して、発光装置13の励起光源(第1の発光体)に電圧を印加することにより光を発光させ、その発光の一部を、蛍光体含有部(第2の発光体)としての蛍光体含有樹脂部における前記蛍光体が吸収し、可視光を発光し、一方、蛍光体に吸収されなかった青色光等との混色により演色性の高い発光が得られ、この光が拡散板14を透過して、図面上方に出射され、保持ケース12の拡散板14面内において均一な明るさの照明光が得られることとなる。   Then, the surface-emitting illumination device 11 is driven to emit light by applying a voltage to the excitation light source (first light emitter) of the light-emitting device 13, and a part of the light emission is converted to the phosphor-containing portion (first The phosphor in the phosphor-containing resin part as the second phosphor) absorbs and emits visible light, while light emission with high color rendering is obtained by color mixing with blue light or the like not absorbed by the phosphor. The light passes through the diffusion plate 14 and is emitted upward in the drawing, and illumination light with uniform brightness is obtained within the surface of the diffusion plate 14 of the holding case 12.

(画像表示装置)
本発明の発光装置を画像表示装置の光源として用いる場合には、その画像表示装置の具体的構成に制限は無いが、カラーフィルターとともに用いることが好ましい。例えば、画像表示装置として、カラー液晶表示素子を利用したカラー画像表示装置とする場合は、上記発光装置をバックライトとし、液晶を利用した光シャッターと赤、緑、青の画素を有するカラーフィルターとを組み合わせることにより画像表示装置を形成することができる。
(Image display device)
When the light emitting device of the present invention is used as a light source of an image display device, the specific configuration of the image display device is not limited, but it is preferably used together with a color filter. For example, when the image display device is a color image display device using color liquid crystal display elements, the light emitting device is used as a backlight, a light shutter using liquid crystal, and a color filter having red, green, and blue pixels; By combining these, an image display device can be formed.

以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り以下の実施例に限定されるものではない。
なお、下記の実施例における各種の製造条件や評価結果の値は、本発明の実施態様における上限または下限の好ましい値としての意味をもつものであり、好ましい範囲は、前記上限または下限の値と下記実施例の値または実施例同士の値との組合せで規定される範囲であってもよい。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited to a following example, unless the summary is exceeded.
In addition, the values of various production conditions and evaluation results in the following examples have meanings as preferable values of the upper limit or the lower limit in the embodiment of the present invention, and the preferable range is the value of the upper limit or the lower limit. It may be a range defined by a combination of values of the following examples or values of the examples.

[蛍光体の特性測定・評価方法]
各実施例及び比較例において、蛍光体粒子の各種の特性測定・評価は、特に断りの無い限り、以下の手法で行った。
[Measurement and evaluation method of phosphor characteristics]
In each Example and Comparative Example, various characteristics measurement / evaluation of the phosphor particles were performed by the following method unless otherwise specified.

<発光スペクトル>
励起光源として150Wキセノンランプを備え、スペクトル測定装置としてマルチチャンネルCCD検出器C7041(浜松フォトニクス社製)を備える蛍光測定装置(日本分光社製)を用いて測定した。
<Emission spectrum>
Measurement was performed using a fluorescence measuring apparatus (manufactured by JASCO Corporation) equipped with a 150 W xenon lamp as an excitation light source and a multichannel CCD detector C7041 (manufactured by Hamamatsu Photonics) as a spectrum measuring apparatus.

具体的には、励起光源からの光を焦点距離が10cmである回折格子分光器に通し、波長455nmの励起光のみを光ファイバーを通じて蛍光体に照射した。励起光の照射により蛍光体から発生した光を焦点距離が25cmである回折格子分光器により分光し、300nm以上800nm以下の波長範囲においてスペクトル測定装置により各波長の発光強度を測定し、パーソナルコンピュータによる感度補正等の信号処理を経て発光スペクトルを得た。なお、測定時には、受光側分光器のスリット幅を1nmに設定して測定を行った。
また、発光ピーク波長(以下、「ピーク波長」と称することがある。)および発光ピーク半値幅は、得られた発光スペクトルから読み取った。
Specifically, the light from the excitation light source was passed through a diffraction grating spectrometer having a focal length of 10 cm, and only the excitation light having a wavelength of 455 nm was irradiated to the phosphor through the optical fiber. The light generated from the phosphor by the irradiation of the excitation light is dispersed by a diffraction grating spectroscope having a focal length of 25 cm, the emission intensity of each wavelength is measured by a spectrum measuring device in a wavelength range of 300 nm to 800 nm, and a personal computer is used. An emission spectrum was obtained through signal processing such as sensitivity correction. During the measurement, the slit width of the light-receiving side spectroscope was set to 1 nm and the measurement was performed.
Further, the emission peak wavelength (hereinafter sometimes referred to as “peak wavelength”) and the emission peak half width were read from the obtained emission spectrum.

<色度座標>
x、y表色系(CIE 1931表色系)の色度座標は、上述の方法で得られた発光スペクトルの360nm〜800nmの波長領域のデータから、JIS Z8724に準じた方法で、JIS Z8701で規定されるXYZ表色系における色度座標CIExとCIEyとして算出した。
<Chromaticity coordinates>
The chromaticity coordinate of the x, y color system (CIE 1931 color system) is a method according to JIS Z8724 from the data of the wavelength region of 360 nm to 800 nm of the emission spectrum obtained by the above method. The chromaticity coordinates CIEx and CIEy in the prescribed XYZ color system were calculated.

<粉末X線回折>
粉末X線回折装置X’Pert(PANalytical社製)にて精密測定した。測定条件は以下の通りである。また、測定データについては、データ処理用ソフトX’Pert High Score(PANalytical社製)を用い、ベンディングフィルターを5として自動バックグラウンド処理を実施した。
<Powder X-ray diffraction>
Precision measurement was performed with a powder X-ray diffractometer X′Pert (manufactured by PANalytical). The measurement conditions are as follows. For the measurement data, automatic background processing was performed using data processing software X'Pert High Score (manufactured by PANalytical) with a bending filter of 5.

CuKα管球使用
X線出力=45KV,40mA
発散スリット=1/4°,X線ミラー
検出器=半導体アレイ検出器X’Celerator使用
Niフィルター使用
走査範囲 2θ=10°〜65°
読み込み幅=0.05°
計数時間=33秒
CuKα tube used X-ray output = 45KV, 40mA
Divergent slit = 1/4 °, X-ray mirror Detector = Semiconductor array detector X'Celerator
Using Ni filter Scanning range 2θ = 10 ° ~ 65 °
Reading width = 0.05 °
Counting time = 33 seconds

<格子定数精密化>
格子定数は、各実施例および比較例の粉末X線回折測定データより、Si、Al、N、およびOから構成される骨格構造を有し、その空隙にCaサイトが存在するという結晶構造を持つ蛍光体の一種であるCaSiAlNと同じ結晶構造、つまり空間群がCmc2(Intarnational Tables for Crystallography,No.36)に分類される結晶構造に起因したピークを抽出し、データ処理用ソフ
トX’Pert Plus(PANalytical社製)を用いて精密化することによ
り求めた。
<Lattice constant refinement>
From the powder X-ray diffraction measurement data of each Example and Comparative Example, the lattice constant has a skeletal structure composed of Si, Al, N, and O, and has a crystal structure in which Ca sites exist in the voids. The same crystal structure as CaSiAlN 3 which is a kind of phosphor, that is, a peak due to a crystal structure whose space group is classified as Cmc2 1 (International Tables for Crystallography, No. 36), is extracted, and data processing software X'Pert It calculated | required by refine | purifying using Plus (made by PANalytical).

<量子効率>
内部量子効率ηを求めるに際し、まず、測定対象となる蛍光体サンプル(例えば蛍光体の粉末等)を、測定精度が保たれるように、十分に表面を平滑にしてセルに詰め、積分球等の集光装置に取り付けた。
該集光装置に、蛍光体サンプルを励起するための発光源として、Xeランプを取り付けた。また、発光源の発光ピーク波長が455nmの単色光となるように、フィルターやモノクロメーター(回折格子分光器)等を用いて調整を行なった。
<Quantum efficiency>
When calculating the internal quantum efficiency η i , first, a phosphor sample (for example, a phosphor powder) to be measured is packed in a cell with a sufficiently smooth surface so that measurement accuracy is maintained, and an integrating sphere And attached to a condensing device.
An Xe lamp was attached to the condensing device as an emission source for exciting the phosphor sample. In addition, adjustment was performed using a filter, a monochromator (diffraction grating spectrometer), or the like so that the emission peak wavelength of the emission source was monochromatic light of 455 nm.

この発光ピーク波長が調整された発光源からの光を、測定対象の蛍光体サンプルに照射し、発光(蛍光)及び反射光を含むスペクトルを分光測定装置(大塚電子株式会社製 MCPD7000)で測定した。   The phosphor sample to be measured was irradiated with light from the light emission source whose emission peak wavelength was adjusted, and a spectrum including light emission (fluorescence) and reflected light was measured with a spectrometer (MCPD7000 manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.). .

<吸収効率α
吸収効率αは、蛍光体サンプルによって吸収された励起光のフォトン数Nabsを、励起光の全フォトン数Nで割った値として算出した。
具体的な算出手順は以下の通りである。
まず、後者の励起光の全フォトン数Nを、次のようにして求めた。
すなわち、励起光に対してほぼ100%の反射率Rを持つ物質、例えばLabsphere製「Spectralon」(455nmの励起光に対して98%の反射率Rを持つ)等の白色反射板を測定対象として、蛍光体サンプルと同様の配置で上述の集光装置に取り付け、該分光測定装置を用いて反射スペクトルを測定した(この反射スペクトルを以下「Iref(λ)」とする)。
<Absorption efficiency α q >
The absorption efficiency α q was calculated as a value obtained by dividing the number of photons N abs of excitation light absorbed by the phosphor sample by the total number of photons N of excitation light.
The specific calculation procedure is as follows.
First, the total photon number N of the latter excitation light was obtained as follows.
That is, a white reflector such as a “Spectralon” manufactured by Labsphere (having a reflectivity R of 98% for 455 nm excitation light) such as a material having a reflectivity R of almost 100% with respect to the excitation light is measured. The sample was attached to the above-described light collecting device in the same arrangement as the phosphor sample, and the reflection spectrum was measured using the spectrometer (this reflection spectrum is hereinafter referred to as “I ref (λ)”).

この反射スペクトルIref(λ)から、下記(式I)で表わされる数値を求めた。なお、下記(式I)の積分区間は、440nm〜470nmとした。下記(式I)で表わされる数値は、励起光の全フォトン数Nに比例する。 From this reflection spectrum I ref (λ), a numerical value represented by the following (formula I) was obtained. The integration interval of the following (formula I) was set to 440 nm to 470 nm. The numerical value represented by the following (formula I) is proportional to the total photon number N of the excitation light.

Figure 2014227454
Figure 2014227454

また、吸収効率αの測定対象となる蛍光体サンプルを集光装置に取り付けたときの反射スペクトルI(λ)から、下記(式II)で表わされる数値を求めた。なお、上記(式II)の積分区間は、440nm〜470nmとした。下記(式II)で求められる数値は、蛍光体サンプルによって吸収された励起光のフォトン数Nabsに比例する。 Moreover, the numerical value represented by the following (formula II) was calculated | required from the reflection spectrum I ((lambda)) when the fluorescent substance sample used as the measuring object of absorption efficiency (alpha) q was attached to the condensing apparatus. Note that the integration interval of the above (formula II) was 440 nm to 470 nm. The numerical value obtained by the following (formula II) is proportional to the number of photons Nabs of the excitation light absorbed by the phosphor sample.

Figure 2014227454
Figure 2014227454

以上より、吸収効率αを次の式により算出した。
(数3)
吸収効率α = Nabs/N =(式II)/(式I)
From the above, the absorption efficiency α q was calculated by the following equation.
(Equation 3)
Absorption efficiency α q = N abs / N = (Formula II) / (Formula I)

<内部量子効率η
内部量子効率ηは、蛍光現象に由来するフォトンの数NPLを、蛍光体サンプルが吸収したフォトンの数Nabsで割った値として算出した。
<Internal quantum efficiency η i >
The internal quantum efficiency η i was calculated as a value obtained by dividing the number of photons N PL derived from the fluorescence phenomenon by the number of photons N abs absorbed by the phosphor sample.

上記のI(λ)から、下記式(III)で表わされる数値を求めた。なお、(式III)の積分区間の下限は、471nm〜780nmとした。下記(式III)で求められる数値は、
蛍光現象に由来するフォトンの数NPLに比例する。
A numerical value represented by the following formula (III) was determined from the above I (λ). In addition, the lower limit of the integration section of (Formula III) was set to 471 nm to 780 nm. The numerical value calculated by the following (formula III) is
The number of photons derived from the fluorescence phenomenon is proportional to NPL .

Figure 2014227454
Figure 2014227454

以上より、内部量子効率ηを次の式により算出した。
(数5)
η = (式III)/(式II)
From the above, the internal quantum efficiency η i was calculated by the following equation.
(Equation 5)
η i = (Formula III) / (Formula II)

[比較例1]
蛍光体原料として、Sr(セラック社製)、Ca(セラック社製)、EuN(太平洋セメント社製)、Si(宇部興産社製)、AlN(トクヤマ社製)を用いて、次のとおり蛍光体を調製した。
[Comparative Example 1]
As phosphor materials, Sr 3 N 2 (manufactured by Shellac), Ca 3 N 2 (manufactured by Shellac), EuN (manufactured by Taiheiyo Cement), Si 3 N 4 (manufactured by Ube Industries), AlN (manufactured by Tokuyama) A phosphor was prepared as follows.

上記原料を、表6に示す各仕込み組成と各重量となるように電子天秤で秤量し、アルミナ乳鉢に入れ、均一になるまで粉砕及び混合した。これらの操作は、Nガスで満たしたグローブボックス中で行った。 The above raw materials were weighed with an electronic balance so as to have each charged composition and each weight shown in Table 6, placed in an alumina mortar, and ground and mixed until uniform. These operations were performed in a glove box filled with N 2 gas.

得られた原料混合粉末から約1.5gを秤量し、坩堝にそのまま充填した。この坩堝を、抵抗加熱式真空加圧雰囲気熱処理炉(富士電波工業社製)内に置いた。次いで、5×10−3Pa以下まで減圧した後、室温から800℃まで昇温速度20℃/分で真空加熱した。800℃に達したところで、その温度で維持して炉内圧力が0.85MPaになるまで高純度窒素ガス(99.9995%)を30分間導入した。高純度窒素ガスの導入後、炉内圧力を0.85MPaに保持しながら、さらに、昇温速度20℃/分で1200℃ま
で昇温した。1200℃で5分間保持する間に熱電対から放射温度計に換えた後、さらに昇温速度20℃/分で1750℃まで加熱し、1750℃に達したところで8時間維持した。焼成後1200℃まで降温速度20℃/分で冷却し、次いで放冷した。その後、生成物を解砕し、比較例1の蛍光体を得た。
About 1.5 g of the obtained raw material mixed powder was weighed and filled in a crucible as it was. This crucible was placed in a resistance heating type vacuum pressure atmosphere heat treatment furnace (manufactured by Fuji Denpa Kogyo Co., Ltd.). Then, after reducing the pressure to 5 × 10 −3 Pa or less, vacuum heating was performed from room temperature to 800 ° C. at a heating rate of 20 ° C./min. When the temperature reached 800 ° C., high-purity nitrogen gas (99.9995%) was introduced for 30 minutes until the pressure in the furnace reached 0.85 MPa. After the introduction of the high purity nitrogen gas, the temperature was further increased to 1200 ° C. at a temperature increase rate of 20 ° C./min while maintaining the furnace pressure at 0.85 MPa. The temperature was changed from a thermocouple to a radiation thermometer while maintaining at 1200 ° C. for 5 minutes, and further heated to 1750 ° C. at a heating rate of 20 ° C./min, and maintained at 1750 ° C. for 8 hours. After firing, the mixture was cooled to 1200 ° C. at a temperature lowering rate of 20 ° C./min, and then allowed to cool. Thereafter, the product was crushed to obtain the phosphor of Comparative Example 1.

[実施例1〜6、比較例2]
蛍光体原料として、Sr(セラック社製)、Ca(セラック社製)、EuN(太平洋セメント社製)、Si(宇部興産社製)、AlN(トクヤマ社製)、SiO(龍森社製)を用いて、次のとおり蛍光体を調製した。
上記原料を、表6に示す各仕込み組成と各重量となるように電子天秤で秤量し、アルミナ乳鉢に入れ、均一になるまで粉砕及び混合した。これらの操作は、Nガスで満たしたグローブボックス中で行った。
[Examples 1 to 6, Comparative Example 2]
As phosphor materials, Sr 3 N 2 (manufactured by Shellac), Ca 3 N 2 (manufactured by Shellac), EuN (manufactured by Taiheiyo Cement), Si 3 N 4 (manufactured by Ube Industries), AlN (manufactured by Tokuyama) , SiO 2 (manufactured by Tatsumori) was used to prepare a phosphor as follows.
The above raw materials were weighed with an electronic balance so as to have each charged composition and each weight shown in Table 6, placed in an alumina mortar, and ground and mixed until uniform. These operations were performed in a glove box filled with N 2 gas.

得られた原料混合粉末から約1.5gを秤量し、坩堝にそのまま充填した。比較例1と同様に1200℃で5分間保持する間に熱電対から放射温度計に換えた後、昇温速度20℃/分で1600℃まで加熱した。1600℃に達したところで2時間維持し、さらに引き続いて20℃/分で1750℃まで加熱し、その温度で2時間維持したこと以外は比較例1と同様にして実施例1〜6、比較例2の蛍光体を得た。   About 1.5 g of the obtained raw material mixed powder was weighed and filled in a crucible as it was. As in Comparative Example 1, the thermocouple was changed to a radiation thermometer while being held at 1200 ° C. for 5 minutes, and then heated to 1600 ° C. at a temperature rising rate of 20 ° C./min. When the temperature reached 1600 ° C., the temperature was maintained for 2 hours, and subsequently heated to 1750 ° C. at 20 ° C./min, and the temperature was maintained for 2 hours. 2 phosphors were obtained.

Figure 2014227454
Figure 2014227454

実施例1〜6、および比較例1、2で得られた蛍光体について、上記した方法により各種特性評価を行った。その結果を表7、8及び図4〜6に示す。
なお、比較例1はAl−Oを全く置換していない蛍光体、実施例1〜6、比較例2は任
意の割合で格子内のSi−NをAl−Oで置換した蛍光体である。
Various characteristics of the phosphors obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2 were evaluated by the methods described above. The results are shown in Tables 7 and 8 and FIGS.
Comparative Example 1 is a phosphor in which Al—O is not substituted at all. Examples 1 to 6 and Comparative Example 2 are phosphors in which Si—N in the lattice is substituted with Al—O at an arbitrary ratio.

Figure 2014227454
Figure 2014227454

Figure 2014227454
Figure 2014227454

実施例1〜3、5、比較例1、2の蛍光体の粉末X線回折パターンを図4に示す。
実施例1〜6、比較例1、2の蛍光体の粉末X線回折パターンを解析したところ、すべての蛍光体は図4に示したように結晶系が斜方晶であり、空間群がCmc2を有する結晶相が主相として生成したことを確認した。また、比較例1、実施例1については28°付近にピークを有する前記結晶相以外の結晶相が、比較例2の蛍光体については32.5°付近にピークを有する前記結晶相以外の結晶相が不純物相として確認された。特定の組成範囲において、目的とする結晶相が得られやすく、各種特性も改善されることが示唆される。
The powder X-ray diffraction patterns of the phosphors of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 are shown in FIG.
When the powder X-ray diffraction patterns of the phosphors of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2 were analyzed, all the phosphors had an orthorhombic crystal system as shown in FIG. 4, and the space group was Cmc2. It was confirmed that a crystal phase having 1 was formed as a main phase. Further, in Comparative Example 1 and Example 1, a crystal phase other than the crystal phase having a peak near 28 ° has a crystal phase other than the crystal phase having a peak in the vicinity of 32.5 ° for the phosphor of Comparative Example 2. The phase was identified as an impurity phase. It is suggested that the target crystal phase is easily obtained and various properties are improved in a specific composition range.

表7は実施例1〜6、比較例1、2の蛍光体について粉末X線回折パターンをもとに格子定数を精密化し、単位格子体積を算出した値であり、図5は得られた単位格子体積の値をAl−O置換量に対してプロットした図である。結晶構造中のSi−NのペアをAl−Oのペアで置換していくにつれて、単位格子体積が増加することが確認された。したがって、本実施例で得られた蛍光体では確実にAl−O置換し、単位格子体積を任意に調整することが可能となった。   Table 7 shows values obtained by refining the lattice constant based on the powder X-ray diffraction patterns and calculating the unit cell volume for the phosphors of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2, and FIG. 5 shows the obtained units. It is the figure which plotted the value of the lattice volume with respect to Al-O substitution amount. It was confirmed that the unit cell volume increased as the Si—N pair in the crystal structure was replaced with the Al—O pair. Therefore, the phosphor obtained in this example can be surely substituted with Al—O and the unit cell volume can be arbitrarily adjusted.

表8は、実施例1〜6、および比較例1、2の蛍光体の発光ピーク波長、CIE色度座標、発光ピーク半値幅、および比較例1の内部量子効率を100とした場合の各々の相対的な内部量子効率の割合を示したものである。表8からAl−Oの置換により単位格子体積を大きくすることで、課題であった内部量子効率の改善ができることが確認された。これは組成内のSi−NをAl−Oに任意の割合で置換することで、単位格子の大きさをコントロールすることが可能となり、より目的としている結晶相ができやすい組成を見つけ出したこと、ならびに最適な安定構造を構築することができたためであると考えられる。また、比較例2では比較例1よりも内部量子効率が数パーセント低下した。これは目的とするAl−O置換量に対してすべてが固溶置換されなかったことで、不純物相が生成したことによるものであることが示唆される。したがって、Al−O置換量には最適な範囲があることも明確になった。   Table 8 shows the emission peak wavelengths, CIE chromaticity coordinates, emission peak half widths of the phosphors of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2, and the internal quantum efficiency of Comparative Example 1 as 100. It shows the ratio of relative internal quantum efficiency. From Table 8, it was confirmed that the internal quantum efficiency, which was a problem, can be improved by increasing the unit cell volume by substitution of Al—O. It was possible to control the unit cell size by substituting Si—N in the composition with Al—O at an arbitrary ratio, and found a composition in which a target crystal phase was easily formed. It is thought that this is because an optimal stable structure could be constructed. In Comparative Example 2, the internal quantum efficiency decreased by several percent compared to Comparative Example 1. It is suggested that this is due to the generation of the impurity phase because not all of the target Al—O substitution amount was replaced by solid solution. Therefore, it became clear that there is an optimum range for the Al—O substitution amount.

図6は実施例2、4、6、及び比較例2の蛍光体の発光スペクトルである。いずれの実施例の蛍光体も目的としている結晶相からの発光が確認できた。さらに、表8に示すように内部量子効率が改善されたことで発光強度が高く演色性に優れた蛍光体を提供することが可能となった。
[実施例7、8、比較例3]
蛍光体原料として、Sr(セラック社製)、Ca(セラック社製)、EuN(太平洋セメント社製)、Si(宇部興産社製)、AlN(トクヤマ社製)、SiO(龍森社製)を用いて、次のとおり蛍光体を調製した。
6 shows emission spectra of the phosphors of Examples 2, 4, 6 and Comparative Example 2. FIG. It was confirmed that the phosphors of any of the examples emitted light from the intended crystal phase. Furthermore, as shown in Table 8, it was possible to provide a phosphor having high emission intensity and excellent color rendering properties by improving the internal quantum efficiency.
[Examples 7 and 8, Comparative Example 3]
As phosphor materials, Sr 3 N 2 (manufactured by Shellac), Ca 3 N 2 (manufactured by Shellac), EuN (manufactured by Taiheiyo Cement), Si 3 N 4 (manufactured by Ube Industries), AlN (manufactured by Tokuyama) , SiO 2 (manufactured by Tatsumori) was used to prepare a phosphor as follows.

上記原料を、表9に示す各仕込み組成となるように電子天秤で秤量し、さらに、Srを表9に示す重量で過剰に加えた原料を、アルミナ乳鉢に入れ、均一になるまで粉砕及び混合した。それぞれ、Sr源が仕込み組成に対して0.077g過剰となるようにした。これらの操作は、Nガスで満たしたグローブボックス中で行った。
得られた原料混合粉末を坩堝にそのまま充填した。この坩堝を、抵抗加熱式真空加圧雰囲気熱処理炉(富士電波工業社製)内に置き、比較例1と同様にして実施例7、8、比較例3の蛍光体を得た。
The above raw materials are weighed with an electronic balance so as to have each charged composition shown in Table 9, and further, the raw material added excessively with Sr 3 N 2 in the weight shown in Table 9 is put into an alumina mortar until uniform. Milled and mixed. In each case, the Sr source was adjusted to an excess of 0.077 g with respect to the charged composition. These operations were performed in a glove box filled with N 2 gas.
The obtained raw material mixed powder was filled in a crucible as it was. This crucible was placed in a resistance heating type vacuum pressure atmosphere heat treatment furnace (manufactured by Fuji Denpa Kogyo Co., Ltd.), and phosphors of Examples 7 and 8 and Comparative Example 3 were obtained in the same manner as Comparative Example 1.

Figure 2014227454
Figure 2014227454

得られた蛍光体について、上記した方法により各種特性評価を行った。その結果を表10及び図7に示す。
なお、比較例1はAl−Oを全く置換せず、Srを過剰に入れていない蛍光体、
実施例7、8、及び比較例3は任意の割合で格子内のSi−NをAl−Oで置換し、原料秤量の行程時にSrを過剰に加えて焼成した蛍光体である。
Various characteristics of the obtained phosphor were evaluated by the methods described above. The results are shown in Table 10 and FIG.
In Comparative Example 1, a phosphor in which Al—O is not substituted at all and Sr 3 N 2 is not excessively added,
Examples 7 and 8 and Comparative Example 3 are phosphors in which Si—N in the lattice is replaced with Al—O at an arbitrary ratio, and Sr 3 N 2 is added excessively during the raw material weighing process, followed by firing.

Figure 2014227454
Figure 2014227454

実施例7、8、及び比較例3の蛍光体の粉末X線回折パターンを図7に示す。実施例7、8、及び比較例3の蛍光体の粉末X線回折パターンを解析したところ、すべての蛍光体は図7に示したように斜方晶であり、空間群がCmc2を有する結晶相が主相として生成したことを確認された。
表10は、実施例7、8、および比較例1、3の蛍光体の発光ピーク波長、CIE色度座標、発光ピーク半値幅、および比較例1の内部量子効率を100とした場合の相対的な内部量子効率の割合を示したものである。実施例7、8についてはAl−O置換に加え、焼成時にSr源であるSrを過剰に加えることで課題であった内部量子効率をさらに改善できることが確認された。
The powder X-ray diffraction patterns of the phosphors of Examples 7 and 8 and Comparative Example 3 are shown in FIG. When the powder X-ray diffraction patterns of the phosphors of Examples 7 and 8 and Comparative Example 3 were analyzed, all the phosphors were orthorhombic as shown in FIG. 7, and crystals having a space group of Cmc2 1 It was confirmed that the phase formed as the main phase.
Table 10 shows the relative emission when the emission peak wavelengths, CIE chromaticity coordinates, emission peak half-widths of the phosphors of Examples 7 and 8 and Comparative Examples 1 and 3 are set to 100, and the internal quantum efficiency of Comparative Example 1 is 100. The ratio of internal quantum efficiency is shown. In Examples 7 and 8, it was confirmed that the internal quantum efficiency, which was a problem, could be further improved by adding excessive Sr 3 N 2 as a Sr source during firing in addition to Al—O substitution.

これは組成内のSi−NをAl−Oに任意の割合で置換することで、単位格子の大きさ
をコントロールすることが可能となったことに加え、焼成時にSr源であるSrを過剰に加えたことで、焼成時に揮発してしまうアルカリ土類金属の揮発を抑制することが可能となり、より目的としている結晶相ができやすい組成を見つけだすこと、ならびに最適な安定構造を構築することができたためであると考えられる。
This is because, by replacing Si—N in the composition with Al—O at an arbitrary ratio, the size of the unit cell can be controlled, and Sr 3 N 2 which is an Sr source at the time of firing. It is possible to suppress the volatilization of alkaline earth metal that volatilizes during firing by adding an excessive amount, and to find a composition that makes it easier to form the target crystal phase, and to construct an optimal stable structure It is thought that it was because it was possible.

また、図8は実施例7、8及び比較例3の蛍光体の発光スペクトルである。いずれの実施例の蛍光体も目的としている結晶相からの発光が確認できた。さらに、表10に示すように内部量子効率が改善されたことで発光強度が高く演色性に優れた蛍光体の生成が可能となった。   FIG. 8 shows emission spectra of the phosphors of Examples 7 and 8 and Comparative Example 3. It was confirmed that the phosphors of any of the examples emitted light from the intended crystal phase. Furthermore, as shown in Table 10, the improvement of the internal quantum efficiency made it possible to produce a phosphor with high emission intensity and excellent color rendering.

本発明の蛍光体は、光を用いる任意の分野において用いることができ、例えば屋内及び屋外用の照明などのほか、携帯電話、家庭用電化製品、屋外設置用ディスプレイ等の各種電子機器の画像表示装置などに好適に用いることができる。   The phosphor of the present invention can be used in any field where light is used. For example, in addition to indoor and outdoor lighting, image display of various electronic devices such as mobile phones, household appliances, and outdoor installation displays. It can be suitably used for an apparatus or the like.

1 蛍光体含有部(第2の発光体)
2 励起光源(第1の発光体)(LD)
3 基板
4 発光装置
5 マウントリード
6 インナーリード
7 励起光源(第1の発光体)
8 蛍光体含有部
9 導電性ワイヤ
10 モールド部材
11 面発光照明装置
12 保持ケース
13 発光装置
14 拡散板
22 励起光源(第1の発光体)
23 蛍光体含有部(第2の発光体)
24 フレーム
25 導電性ワイヤ
26 電極
27 電極
1 Phosphor-containing part (second light emitter)
2 Excitation light source (first light emitter) (LD)
3 Substrate 4 Light-emitting device 5 Mount lead 6 Inner lead 7 Excitation light source (first light emitter)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 8 Fluorescent substance containing part 9 Conductive wire 10 Mold member 11 Surface light-emitting illuminating device 12 Holding case 13 Light-emitting device 14 Diffusing plate 22 Excitation light source (1st light-emitting body)
23 Phosphor-containing part (second light emitter)
24 frame 25 conductive wire 26 electrode 27 electrode

Claims (9)

下記式[1]:
(A1−x,M)De [1]
(式[1]中、AはSrおよびCaを必須とするアルカリ土類金属元素を示し、Mは付活元素を示し、DはAlを必須とする3価の金属元素を示し、EはSiを必須とする4価の金属元素を示し、A元素全体に占めるSrの割合が50モル%以上であり、xは0.0001≦x≦0.20を満たす数を示し、b、c、d及びeは、それぞれ、
0.8≦b≦1.2
0.8≦c≦1.2
1.00<b/c≦1.25
2.5≦d≦3.3
0<e≦0.20
を満たす数を示す。)
で表される組成を有する結晶相を含むことを特徴とする蛍光体。
The following formula [1]:
(A 1-x , M x ) D b E c N d O e [1]
(In the formula [1], A represents an alkaline earth metal element essential for Sr and Ca, M represents an activator element, D represents a trivalent metal element essential for Al, and E represents Si. Is a tetravalent metal element, the proportion of Sr in the entire A element is 50 mol% or more, x is a number satisfying 0.0001 ≦ x ≦ 0.20, and b, c, d And e are respectively
0.8 ≦ b ≦ 1.2
0.8 ≦ c ≦ 1.2
1.00 <b / c ≦ 1.25
2.5 ≦ d ≦ 3.3
0 <e ≦ 0.20
Indicates the number that satisfies )
A phosphor comprising a crystal phase having a composition represented by:
前記式[1]において、b、cが、1.02≦b/c≦1.13を満たす数を示す、請求項1に記載の蛍光体。   The phosphor according to claim 1, wherein in the formula [1], b and c represent numbers satisfying 1.02 ≦ b / c ≦ 1.13. 前記式[1]において、eが、0<e≦0.07を満たす数を示す、請求項1または2に記載の蛍光体。   3. The phosphor according to claim 1, wherein in the formula [1], e represents a number satisfying 0 <e ≦ 0.07. 前記式[1]においてA元素全体に占めるSrの割合が70モル%以上であって、前記結晶相の格子定数から算出した単位格子体積(V)が288.4×10pm以上である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の蛍光体。 In the formula [1], the proportion of Sr in the entire element A is 70 mol% or more, and the unit cell volume (V) calculated from the lattice constant of the crystal phase is 288.4 × 10 6 pm 3 or more. The phosphor according to any one of claims 1 to 3. 前記式[1]においてA元素全体に占めるSrの割合が80モル%以上であって、前記結晶相の格子定数から算出した単位格子体積(V)が289.4×10pm以上である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の蛍光体。 In the formula [1], the proportion of Sr in the entire element A is 80 mol% or more, and the unit cell volume (V) calculated from the lattice constant of the crystal phase is 289.4 × 10 6 pm 3 or more. The phosphor according to any one of claims 1 to 3. 前記式[1]においてA元素全体に占めるSrの割合が90モル%以上であって、前記結晶相の格子定数から算出した単位格子体積(V)が290.8×10pm以上である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の蛍光体。 In the formula [1], the proportion of Sr in the entire element A is 90 mol% or more, and the unit cell volume (V) calculated from the lattice constant of the crystal phase is 290.8 × 10 6 pm 3 or more. The phosphor according to any one of claims 1 to 3. 請求項1〜6のいずれか1項に記載の蛍光体を液体媒体中に分散させてなることを特徴とする蛍光体含有組成物。   A phosphor-containing composition comprising the phosphor according to any one of claims 1 to 6 dispersed in a liquid medium. 第1の発光体(励起光源)と、当該第1の発光体からの光を可視光に変換して、可視光を発し得る第2の発光体とを有する発光装置であって、該第2の発光体が請求項1〜6のいずれか1項に記載の蛍光体を含有することを特徴とする発光装置。   A light emitting device having a first light emitter (excitation light source) and a second light emitter capable of emitting visible light by converting light from the first light emitter, the second light emitter. A light emitting device comprising: the phosphor according to claim 1. 請求項8に記載の発光装置を備えることを特徴とする照明装置または画像表示装置。   An illuminating device or an image display device comprising the light emitting device according to claim 8.
JP2013107146A 2013-05-21 2013-05-21 Phosphor, phosphor-containing composition and light emitting device using the phosphor, and illumination device and image display device using the light emitting device Active JP6094377B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013107146A JP6094377B2 (en) 2013-05-21 2013-05-21 Phosphor, phosphor-containing composition and light emitting device using the phosphor, and illumination device and image display device using the light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013107146A JP6094377B2 (en) 2013-05-21 2013-05-21 Phosphor, phosphor-containing composition and light emitting device using the phosphor, and illumination device and image display device using the light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014227454A true JP2014227454A (en) 2014-12-08
JP6094377B2 JP6094377B2 (en) 2017-03-15

Family

ID=52127630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013107146A Active JP6094377B2 (en) 2013-05-21 2013-05-21 Phosphor, phosphor-containing composition and light emitting device using the phosphor, and illumination device and image display device using the light emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6094377B2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016122722A (en) * 2014-12-25 2016-07-07 京セラ株式会社 Photosynthesis promotion light source
JPWO2015002139A1 (en) * 2013-07-03 2017-02-23 デンカ株式会社 Phosphor and light emitting device
JP2020056048A (en) * 2016-08-25 2020-04-09 日亜化学工業株式会社 Production method of nitride phosphor
US10947451B2 (en) 2016-08-25 2021-03-16 Nichia Corporation Nitride fluorescent material, method of producing nitride fluorescent material and light emitting device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006008721A (en) * 2003-11-26 2006-01-12 National Institute For Materials Science Phosphor and luminous equipment using phosphor
JP2006274265A (en) * 2005-03-09 2006-10-12 Philips Lumileds Lightng Co Llc Lighting system containing radiation source and fluorophore
JP2007291352A (en) * 2006-03-27 2007-11-08 Mitsubishi Chemicals Corp Phosphor and light emitting device using the same
JP2012077288A (en) * 2010-09-30 2012-04-19 Chi Mei Corp Phosphor and light emitting device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006008721A (en) * 2003-11-26 2006-01-12 National Institute For Materials Science Phosphor and luminous equipment using phosphor
JP2006274265A (en) * 2005-03-09 2006-10-12 Philips Lumileds Lightng Co Llc Lighting system containing radiation source and fluorophore
JP2007291352A (en) * 2006-03-27 2007-11-08 Mitsubishi Chemicals Corp Phosphor and light emitting device using the same
JP2012077288A (en) * 2010-09-30 2012-04-19 Chi Mei Corp Phosphor and light emitting device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2015002139A1 (en) * 2013-07-03 2017-02-23 デンカ株式会社 Phosphor and light emitting device
JP2016122722A (en) * 2014-12-25 2016-07-07 京セラ株式会社 Photosynthesis promotion light source
JP2020056048A (en) * 2016-08-25 2020-04-09 日亜化学工業株式会社 Production method of nitride phosphor
US10947451B2 (en) 2016-08-25 2021-03-16 Nichia Corporation Nitride fluorescent material, method of producing nitride fluorescent material and light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
JP6094377B2 (en) 2017-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5847908B2 (en) Oxycarbonitride phosphor and light emitting device using the same
JP5779651B2 (en) Silicon Carbidonitride-based phosphor and light emitting device using the same
JP5643424B2 (en) Carbonitride phosphor and light emitting device using the same
JP4930649B1 (en) Halophosphate phosphor and white light emitting device
WO2011105571A1 (en) Halophosphate phosphor and white light emitting device
JP5092667B2 (en) Light emitting device
JP2013045896A (en) Light-emitting device
JP2010121068A (en) Fluorophor and fluorophor-containing composition, and light-emitting device, illuminating device and image-displaying device each using the composition
JP2009030042A (en) Phosphor, method for producing phosphor, phosphor-containing composition, and light-emitting device
WO2016063965A1 (en) Phosphor, light-emitting device, lighting device, and image display device
JP6094377B2 (en) Phosphor, phosphor-containing composition and light emitting device using the phosphor, and illumination device and image display device using the light emitting device
WO2016076380A1 (en) Phosphor, light-emitting device, illumination device, and image display device
JP2010196049A (en) Phosphor and method for producing the same, phosphor-containing composition, and light-emitting device, image display device and lighting device using the phosphor
JP2011256340A (en) Phosphor, phosphor-containing composition using the phosphor, light emitting device, image display device and lighting device
JP2013144794A (en) Oxynitride-based phosphor and light-emitting device using the same
JP5471021B2 (en) Phosphor and phosphor manufacturing method, phosphor-containing composition, light emitting device, illumination device, and image display device
JP2013249466A (en) Oxynitride-based phosphor and light-emitting device using the same
JP2013185011A (en) Method for manufacturing phosphor, and phosphor obtained by the method
JP2015000953A (en) Oxynitride-based fluorescent material and light-emitting device using the same
WO2013108782A1 (en) Oxynitride-based phosphor and light emitting device using same
JP2015183084A (en) Fluorescent material for violet ray excitation, composition containing fluorescent material and light-emitting device using the fluorescent material and lightening apparatus and picture display unit using the light-emitting device
JP2013214718A (en) Oxynitride-based fluorescent material, and light-emitting device using the same
JP2013227527A (en) Phosphor and light emitting device using the same
JP2012201759A (en) Nitride-based phosphor, illuminating device made by using the same and method for producing nitride-based phosphor
JP2013122048A (en) Oxynitride-based phosphor and light-emitting device using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151208

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160727

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160816

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161017

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161101

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161212

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170117

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170130

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6094377

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350