JP2014224038A - 圧電セラミックス及びこれを用いた圧電デバイス - Google Patents
圧電セラミックス及びこれを用いた圧電デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014224038A JP2014224038A JP2014089159A JP2014089159A JP2014224038A JP 2014224038 A JP2014224038 A JP 2014224038A JP 2014089159 A JP2014089159 A JP 2014089159A JP 2014089159 A JP2014089159 A JP 2014089159A JP 2014224038 A JP2014224038 A JP 2014224038A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- amount
- displacement
- piezoelectric ceramic
- carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8542—Alkali metal based oxides, e.g. lithium, sodium or potassium niobates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/09—Forming piezoelectric or electrostrictive materials
- H10N30/093—Forming inorganic materials
- H10N30/097—Forming inorganic materials by sintering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【課題】圧電セラミックスの変位量を向上させるものであり、また環境の観点からPbを使用しない圧電セラミックスおよびこれを用いた圧電デバイスを提供する。【解決手段】ニオブ酸カリウムナトリウムを主成分とするものであり、焼成後の炭素量が、55〜1240質量ppm含むものである圧電セラミックス。前記ニオブ酸カリウムナトリウムは、式(1)で表される組成物である圧電セラミックス。(K1−x−y−w−vNaxLiyBawSrv)m(Nb1−z−uTazZru)O3(1)(x、y、z、w、v、u、mは、0.4<x≰0.7、0.02≰y≰0.11、0.5≰x+y<0.75、0<z≰0.28、0<w≰0.02、0.02≰v≰0.1、0.02≰u≰0.11、0.95≰m<1.2)【選択図】図1
Description
本発明は、ニオブ酸カリウムナトリウムを含む圧電セラミックスおよびこれを用いた圧電デバイスに関する。
この種の圧電セラミックスは、セラミック共振子、セラミックフィルタ、圧電変位量素子、圧電ブザー、圧電トランスあるいは超音波振動子等々の圧電デバイスに広く応用されている。
従来、圧電セラミックスの材料として、優れた圧電特性を有する、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)が多く用いられている。しかし、チタン酸ジルコン酸鉛は、鉛を多く含んでいるため、地球環境に及ぼす影響が問題となっている。そこで、チタン酸ジルコン酸鉛に代替えする材料が数多く開発されている。鉛を全く含有しない圧電材料としては、例えばチタン酸バリウム(BaTiO3)あるいはビスマス層状強誘電体などが知られている。しかしながら、鉛を含まない材料系は、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)系のように大きな変位量を得られないとされている。
例えば、鉛を含まない材料として、特許文献1(特許第4674405号)では、チタン酸ナトリウムビスマスと、チタン酸バリウムと、ニオブ酸ナトリウムとを含む3成分系の材料であり、低公害化、対環境性および生態学的見地からも優れた圧電特性を有する圧電磁器して提案されている。
また、非鉛圧電材料の中でも比較的変位特性が高いとされている、ニオブ酸カリウムナトリウムを主成分とする圧電セラミックスとして、特許文献2(特開2009−049335号)に、一般式(KxNa1−x)NbO3(0<x<1)で表されるペロブスカイト構造の圧電薄膜が提案されている。
従来、圧電セラミックスの材料として、優れた圧電特性を有する、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)が多く用いられている。しかし、チタン酸ジルコン酸鉛は、鉛を多く含んでいるため、地球環境に及ぼす影響が問題となっている。そこで、チタン酸ジルコン酸鉛に代替えする材料が数多く開発されている。鉛を全く含有しない圧電材料としては、例えばチタン酸バリウム(BaTiO3)あるいはビスマス層状強誘電体などが知られている。しかしながら、鉛を含まない材料系は、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)系のように大きな変位量を得られないとされている。
例えば、鉛を含まない材料として、特許文献1(特許第4674405号)では、チタン酸ナトリウムビスマスと、チタン酸バリウムと、ニオブ酸ナトリウムとを含む3成分系の材料であり、低公害化、対環境性および生態学的見地からも優れた圧電特性を有する圧電磁器して提案されている。
また、非鉛圧電材料の中でも比較的変位特性が高いとされている、ニオブ酸カリウムナトリウムを主成分とする圧電セラミックスとして、特許文献2(特開2009−049335号)に、一般式(KxNa1−x)NbO3(0<x<1)で表されるペロブスカイト構造の圧電薄膜が提案されている。
しかしながら、鉛を全く含有しない圧電材料や、現状のニオブ酸カリウムナトリウムを主成分とする圧電セラミックスでは、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)のように大きな変位量を得ることができなかった。
本発明は、このような問題に鑑みなされたものであり、圧電セラミックスの変位量を向上させるものである。また環境の観点からPbを使用しない圧電セラミックスおよびこれを用いた圧電デバイスを提供するものである。
本発明は、このような問題に鑑みなされたものであり、圧電セラミックスの変位量を向上させるものである。また環境の観点からPbを使用しない圧電セラミックスおよびこれを用いた圧電デバイスを提供するものである。
本発明に係わる圧電セラミックスは、ニオブ酸カリウムナトリウムを主成分とし、焼成後の炭素量が、55質量ppm以上1240質量ppm以下の範囲にあることを特徴とする。
本発明者らは、圧電セラミックスに含まれる焼成後の炭素量を所定量にすることにより、ニオブ酸カリウムナトリウムを主成分とする圧電セラミックスは、素体が柔らかくなるため、弾性定数が高くなり、変位量が向上することを見出した。
圧電セラミックスに含まれる焼成後の炭素量は、圧電体の原料である炭酸塩、アルコキシド、有機バインダ等、に含まれる炭素成分に由来するものであるが、上記の所望の範囲にするために、必要に応じ、添加物として炭素粉末等を0.1〜1.5質量%添加してもよい。
また、前記圧電セラミックス中に含まれるニオブ酸カリウムナトリウム含有量は、83モル%以上96モル%以下含有することが好ましい。残部の成分としては、タンタル酸リチウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸ストロンチウムのいづれか1種とすることで、より高い圧電特性を得ることが可能となる。
更に、前記ニオブ酸カリウムナトリウムを主成分とする圧電セラミックスは、下記式(1)で表される組成物である。
(K1−x−y−w−vNaxLiyBawSrv)m(Nb1−z−uTazZru)O3 (1)
(ただし式中のx、y、z、w、v、u、mは、0.4<x≦0.7、0.02≦y≦0.11、0.5≦x+y<0.75、0<z≦0.28、0<w≦0.02、0.02≦v≦0.1、0.02≦u≦0.11、0.95≦m<1.2、を満たす。)
前述の組成範囲にすることにより、圧電特性を満足することが可能となる。
(K1−x−y−w−vNaxLiyBawSrv)m(Nb1−z−uTazZru)O3 (1)
(ただし式中のx、y、z、w、v、u、mは、0.4<x≦0.7、0.02≦y≦0.11、0.5≦x+y<0.75、0<z≦0.28、0<w≦0.02、0.02≦v≦0.1、0.02≦u≦0.11、0.95≦m<1.2、を満たす。)
前述の組成範囲にすることにより、圧電特性を満足することが可能となる。
上記圧電セラミックスは、セラミック共振子、セラミックフィルタ、圧電変位素子、圧電ブザー、圧電トランスあるいは超音波振動子等々の圧電デバイスに広く応用される。
本発明の圧電セラミックスによれば、ニオブ酸カリウムナトリウムを主成分とする圧電セラミックスのため、環境に優しく、従来のニオブ酸カリウムナトリウムでは得られなかった変位量を得ることができる。ニオブ酸カリウムナトリウムを主成分とする圧電セラミックスの組成を所望の組成範囲にすることで、圧電特性をより向上させることが可能となる。本発明により、優れた圧電特性を有する圧電セラミックスを用いた圧電デバイスが得られる。
本発明に係る圧電セラミックスは、ニオブ酸カリウムナトリウムを主成分とし、焼成後の炭素量が、55質量ppm以上1240質量ppm以下含まれる。本発明者らは、ニオブ酸カリウムナトリウムを主成分とする、圧電セラミックスの焼成後の炭素量に着目し、これを制御することにより、変位量を高められることを見出したものである。
焼結後に含まれる炭素量の由来は、圧電体の原料である炭酸塩および有機バインダに含まれる炭素成分等である。また、焼成後の炭素量を上記範囲とするために、炭素粉末、ポリビニルアルコール溶液、エチルセルロース溶液、アクリル樹脂溶液等を圧電セラミックスの主組成に対し、樹脂中の炭素量として0.1〜1.5質量%含有している。また、炭素粉末を添加する場合は、圧電セラミックスの主組成に対し、0.1〜1.5質量%添加してもよい。
本発明に係る圧電セラミックスは、ニオブ酸カリウムナトリウムを主成分とする圧電セラミックスは、下記式(1)で表される組成物であることが好ましい。
(K1−x−y−w−vNaxLiyBawSrv)m(Nb1−z−uTazZru)O3 (1)
(ただし式中のx、y、z、w、v、u、mは、0.4<x≦0.7、0.02≦y≦0.11、0.5≦x+y<0.75、0<z≦0.28、0<w≦0.02、0.02≦v≦0.1、0.02≦u≦0.11、0.95≦m<1.2)
(K1−x−y−w−vNaxLiyBawSrv)m(Nb1−z−uTazZru)O3 (1)
(ただし式中のx、y、z、w、v、u、mは、0.4<x≦0.7、0.02≦y≦0.11、0.5≦x+y<0.75、0<z≦0.28、0<w≦0.02、0.02≦v≦0.1、0.02≦u≦0.11、0.95≦m<1.2)
式中のxは、0.4<x≦0.7、好ましくは0.45≦x≦0.65である。xはNaの量を表し、x、すなわちNa量を最適化することで変位量を大きくすることが可能である。
式中のyは、0.02≦y≦0.11、好ましくは0.04≦y≦0.08である。yはLiの量を表し、y、すなわちLi量を最適化することで誘電率を向上させるとともに変位量を大きくすることが可能となる。一方、y、すなわちLi量が前述の範囲を超えると、絶縁抵抗が低下して圧電特性を得ることができなくなる。
式中のzは、0<z≦0.28、好ましくは0.05≦z≦0.20である。zはTaの量を表し、z、すなわちTa量を最適化することで誘電率を向上させるとともに変位量を大きくすることが可能となる。一方、z、すなわちTa量が前述の範囲を超えると、キュリー温度が大きく低下し実用上使用できなくなる。
式中のwは、0<w≦0.02、好ましくは0.05≦w≦0.01である。wはBaの量を表し、w、すなわちBa量を最適化することで変位量を大きくすることが可能となるとともに、信頼性、特に耐湿性を向上させる。一方、w、すなわちBa量が前述の範囲を超えると、変位量が低下する。
式中のvは、0.02≦v≦0.1、好ましくは0.03≦w≦0.07である。vはSrの量を表し、v、すなわちSr量を最適化することで変位量を大きくすることが可能となるとともに、信頼性、特に耐熱衝撃を向上させる。一方、v、すなわちSr量が前述の範囲を超えると、変位量が低下する。
式中のuは、0.02≦u≦0.11、好ましくは0.03≦u≦0.07である。uはZrの量を表し、u、すなわちZr量を最適化することで変位量を大きくすることが可能となるとともに、信頼性、特に耐熱衝撃を向上させる。一方、u、すなわちZr量が前述の範囲を超えると、変位量が低下する。
式中のmは、0.95≦m<1.2、好ましくは0.97≦m≦1.05である。mはペロブスカイト構造のAサイト元素(K、Na、Li、Ba、Sr)とBサイト元素(Nb、Ta、Zr)の比を表し、m、すなわちAサイト元素とBサイト元素の比を最適化することで変位量を大きくすることが可能となるとともに、安定して圧電セラミックスを作製することが可能となる。一方、m、すなわちAサイト元素とBサイト元素の比が前述の範囲を超えると、変位量が低下する。
本発明に係る圧電セラミックスは正方晶から立方晶への相転移温度、キュリー温度は200℃以上とすることができるので、通常、室温領域で起こる斜方晶から正方晶への相転移による変位量の低下を抑制することができる
本発明に係る圧電デバイスは、たとえば以下のようにして製造できる。
まず、出発原料として、酸化物、または、焼成により酸化物に変わりうる化合物、例えば、炭酸塩、水酸化物、シュウ酸塩、硝酸塩、金属アルコキシド等の粉末、溶液を用意し、これらをボールミル等により湿式混合する。こうした出発原料粉末の平均粒径は0.5〜5μmであることが好ましい。
次いで、仮焼を行なう。仮焼は、700〜1100℃の温度で1〜5時間程度行なうことが好ましい。この仮焼は、大気中、または大気中よりも酸素分圧が高い雰囲気または純酸素雰囲気で行なう。
次いで、仮焼物をボールミル等を用いて湿式粉砕する。この時、溶媒として、水もしくはエチルアルコールなどのアルコール、アセトン、ヘキサン、トルエン等の有機溶媒、または水とエチルアルコールとの混合溶媒を用いることができる。湿式粉砕は、仮焼材料の平均粒径が、0.2〜2μm程度となるまで行なうことが好ましい。
湿式粉砕した粉を乾燥した後、粉末に有機バインダを添加して、プレス成形する。有機バインダとしては、ポリビニルアルコール、エチルセルロースなど、一般的に用いられる有機バインダを挙げることができる。
有機バインダを添加してプレス成形した後、脱バインダ処理を行なう。この脱バインダ処理は、300〜700℃の温度で、1〜5時間程度行なうことが好ましい。脱バインダ処理は、大気中、または大気中よりも酸素分圧が高い雰囲気または純酸素雰囲気で行なう。脱バインダ処理温度、時間、雰囲気を所望の条件にすることで、残留炭素量をコントロールすることができる。
脱バインダ処理を行なった後、好ましくは1000〜1250℃の温度で0.5〜5時間程度焼成する。焼成は、大気中、または大気中よりも酸素分圧が高い雰囲気または純酸素雰囲気で行なう。しかし、卑金属の内部電極と一緒に焼成する場合、および所望の特性を得るために、大気中よりも酸素分圧が低い雰囲気で焼成を行なうこともある。
なお、脱バインダ工程と焼成工程とは連続して行ってもよく、別々に行なっても良い。
このようにして焼成された焼成体は、研磨後両面に電極を形成する。研磨する厚みは任意であるが、0.1〜2mm程度にすると、後に行なう分極を行いやすい。また、電極形成方法、電極種とも任意である。電極形成方法としては、スパッタリング、蒸着、焼付け(スクリーン印刷後)が挙げられる。電極種としては、金、銀、銅、白金、ニッケル、アルミニウム等の金属が挙げられる。
電極を形成した焼成体に、室温〜150℃のシリコンオイル中にて、1〜10kV/mmの直流電圧を、5〜40分印加して分極を行うことで所望の圧電素子が完成する。
これまで圧電セラミックスの作製方法として固相法の一般的な工程で説明していたが、これ以外の方法として、スパッタ法、およびゾルーゲル法によって形成することも可能である。
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々な態様で実施し得ることはもちろんである。
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々な態様で実施し得ることはもちろんである。
次に、本発明の実施の形態をより具体化した実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
(実施例1〜5)
出発原料として炭酸リチウム(Li2CO3)粉末、炭酸ナトリウム(Na2CO3)粉末、炭酸カリウム(K2CO3)粉末、炭酸ストロンチウム(SrCO3)粉末、炭酸バリウム(BaCO3)粉末、酸化ニオブ(Nb2O5)粉末、酸化タンタル(Ta2O5)粉末、酸化ジルコニウム(ZrO2)粉末を準備し、下記の組成式になるように秤量、配合して、各配合物をボールミルにより湿式混合した。
(Na0.49K0.38Li0.06Sr0.06Ba0.01)1.16(Nb0.84Ta0.10Zr0.06)O3 (1)
出発原料として炭酸リチウム(Li2CO3)粉末、炭酸ナトリウム(Na2CO3)粉末、炭酸カリウム(K2CO3)粉末、炭酸ストロンチウム(SrCO3)粉末、炭酸バリウム(BaCO3)粉末、酸化ニオブ(Nb2O5)粉末、酸化タンタル(Ta2O5)粉末、酸化ジルコニウム(ZrO2)粉末を準備し、下記の組成式になるように秤量、配合して、各配合物をボールミルにより湿式混合した。
(Na0.49K0.38Li0.06Sr0.06Ba0.01)1.16(Nb0.84Ta0.10Zr0.06)O3 (1)
この出発原料を十分に混合したのち、800℃で2時間仮焼し、得られた仮焼物に水を加えてスラリーとし、ボールミルを用いて湿式粉砕した。この湿式粉砕は、仮焼物の平均粒径が1.0μm程度となるまで行なった。
スラリーを乾燥後、仮焼物の粉末に対してバインダとしてポリビニルアルコール10質量%を添加し、それと同時に炭素粉末(粒径5〜8μm)を仮焼物の粉末に対して0.1から1.5質量%添加した。これらの結果を表1に示した。これを40MPaの圧力で、直径17mm、厚み2.7mmの形状にプレス成形した。
次いで成形体を、大気中において、500℃、1時間の脱バインダ処理を行い、これに連続して1150℃、2時間の焼成を行なって、圧電体試料を得た。
この原試料について、アルキメデス法により、空気中の質量、水中の質量から計算で求めた。また、炭素・硫黄分析装置(堀場製作所製EMIJ520)を用いて炭素量を測定した。この分析装置は、高周波加熱による酸素気流中で原試料を燃焼させ、赤外線吸収により炭素量を測定するものである。これらの結果を表1に示した。
次に、上述した原試料を、厚さ2mmに研磨したのち、両主面に銀(Ag)を蒸着させ、さらにシリコンオイル中にて、150℃、30分、7.5kV/mmの電界を印加することで分極処理を施して、図1に示したような変位量測定用試料とした。
上記変位量測定用試料を変位量の測定には、図2に示したような渦電流による変位量測定装置を用いた。この変位量測定装置は、図1に示す一対の電極11,12の間に試料13を挟み、直流電圧(2kV/mm)を印加した場合の試料13の変位量を変位量センサ14により検出し、変位量検出器15によりその変位量を求めるものである。それらの結果を表1に示す。なお、表1に示した変位量は、測定値を試料の厚さで割り100を掛けた値(測定値/試料の厚さ×100)である。
さらに、上述した原試料を、縦2mm、横4mm、厚み0.4mmに加工し、これを抗折強度の測定用試料とした。この抗折強度測定試料について、日本工業規格JISR1601に準拠した抗折強度試験、デジタル荷重試験機を用いて行なった。この結果も表1に示した。
(比較例1)
実施例1において、バインダを添加するときに、炭素粉末を加えなかった以外は、実施例1と同様の条件で原試料、変位量測定用試料および抗折強度測定試料を作製し、密度、焼成後の炭素量、変位量および抗折強度を測定した。これらの結果も表1に示した。
実施例1において、バインダを添加するときに、炭素粉末を加えなかった以外は、実施例1と同様の条件で原試料、変位量測定用試料および抗折強度測定試料を作製し、密度、焼成後の炭素量、変位量および抗折強度を測定した。これらの結果も表1に示した。
(比較例2)
実施例1において、バインダを添加するときに、炭素粉末の添加量を2質量%にした以外は、実施例1と同様の条件で原試料、変位量測定用試料および抗折強度測定試料を作製し、密度、焼成後の炭素量、変位量および抗折強度を測定した。これらの結果も表1に示した。
実施例1において、バインダを添加するときに、炭素粉末の添加量を2質量%にした以外は、実施例1と同様の条件で原試料、変位量測定用試料および抗折強度測定試料を作製し、密度、焼成後の炭素量、変位量および抗折強度を測定した。これらの結果も表1に示した。
これらの結果から、比較例1に示したように、圧電セラミックスの焼成後の炭素量が35質量ppmであると、抗折強度は120MPaと良好ではあるが、変位量が低下する。
比較例2ように、焼成後の炭素量が1729質量ppmであると、抗折強度と密度も低下する。また分極ができないため、圧電変位量を測定することが不可能である。
これらに対して、実施例1〜5のように、焼成後の炭素量が55質量ppm〜1240質量ppmである場合、変位量が0.111ppm〜0.121ppmと十分に大きく、また抗折強度も100MPa〜112MPaと高くなることが確認された。
1 圧電基板
2、3 電極
1a、1b 対向面
11、12 電極
13 試料
14 変位センサ
15 変位検出器
2、3 電極
1a、1b 対向面
11、12 電極
13 試料
14 変位センサ
15 変位検出器
Claims (3)
- ニオブ酸カリウムナトリウムを主成分とし、焼成後の炭素量が、55質量ppm以上1240質量ppm以下である、圧電セラミックス。
- 前記ニオブ酸カリウムナトリウムは、下記式(1)で表される組成物であることを特徴とする、請求項1記載の圧電セラミックス。
(K1−x−y−w−vNaxLiyBawSrv)m(Nb1−z−uTazZru)O3 (1)
(ただし式中のx、y、z、w、v、u、mは、0.4<x≦0.7、0.02≦y≦0.11、0.5≦x+y<0.75、0<z≦0.28、0<w≦0.02、0.02≦v≦0.1、0.02≦u≦0.11、0.95≦m<1.2を満たす。) - 請求項1又は請求項2記載の圧電セラミックスを用いた、圧電デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/893,930 US20140339458A1 (en) | 2013-05-14 | 2013-05-14 | Piezoelectric ceramic and piezoelectric device containing the same |
US13/893,930 | 2013-05-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014224038A true JP2014224038A (ja) | 2014-12-04 |
Family
ID=51895053
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014089159A Pending JP2014224038A (ja) | 2013-05-14 | 2014-04-23 | 圧電セラミックス及びこれを用いた圧電デバイス |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140339458A1 (ja) |
JP (1) | JP2014224038A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113557612A (zh) * | 2019-03-13 | 2021-10-26 | 京瓷株式会社 | 压电陶瓷组合物 |
JP7415696B2 (ja) | 2020-03-16 | 2024-01-17 | Tdk株式会社 | 圧電組成物および電子部品 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5418725B2 (ja) * | 2011-04-15 | 2014-02-19 | 株式会社村田製作所 | 圧電体薄膜素子 |
JP6531394B2 (ja) * | 2014-03-03 | 2019-06-19 | Tdk株式会社 | 複合圧電磁器および圧電素子 |
CN108017390B (zh) * | 2017-12-11 | 2021-02-23 | 宁波大学 | 基于稀土掺杂的无铅铁电光致色变材料及其制备方法和应用 |
CN112500160A (zh) * | 2019-09-16 | 2021-03-16 | 桐乡清锋科技有限公司 | 一种用于压电雾化片的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及制作工艺 |
DE102021201568A1 (de) | 2021-02-18 | 2022-08-18 | Taniobis Gmbh | Alkaliniobat für piezoelektrische Anwendungen |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009049355A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-03-05 | Hitachi Cable Ltd | 圧電薄膜素子 |
JP4674405B2 (ja) * | 2000-11-21 | 2011-04-20 | Tdk株式会社 | 圧電磁器 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE20023051U1 (de) * | 1999-12-16 | 2003-01-09 | Epcos Ag | Piezoelektrisches Bauelement |
JP4028508B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2007-12-26 | Tdk株式会社 | 積層セラミック素子の製造方法 |
JP4926389B2 (ja) * | 2004-06-17 | 2012-05-09 | 株式会社豊田中央研究所 | 結晶配向セラミックス、及びその製造方法 |
JP4878133B2 (ja) * | 2004-09-13 | 2012-02-15 | 株式会社デンソー | 圧電アクチュエータ |
JP4541985B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2010-09-08 | 株式会社デンソー | 多結晶体の製造方法 |
TW200705481A (en) * | 2005-04-28 | 2007-02-01 | Tdk Corp | Method of production of multilayer ceramic electronic device |
JP2007258280A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Tdk Corp | 積層型圧電素子 |
JP5572998B2 (ja) * | 2009-05-22 | 2014-08-20 | Tdk株式会社 | 圧電磁器組成物及び圧電素子 |
JP5071503B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2012-11-14 | 日立電線株式会社 | 圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイス |
-
2013
- 2013-05-14 US US13/893,930 patent/US20140339458A1/en not_active Abandoned
-
2014
- 2014-04-23 JP JP2014089159A patent/JP2014224038A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4674405B2 (ja) * | 2000-11-21 | 2011-04-20 | Tdk株式会社 | 圧電磁器 |
JP2009049355A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-03-05 | Hitachi Cable Ltd | 圧電薄膜素子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113557612A (zh) * | 2019-03-13 | 2021-10-26 | 京瓷株式会社 | 压电陶瓷组合物 |
JP7415696B2 (ja) | 2020-03-16 | 2024-01-17 | Tdk株式会社 | 圧電組成物および電子部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140339458A1 (en) | 2014-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5217997B2 (ja) | 圧電磁器、振動子及び超音波モータ | |
JP4510966B2 (ja) | 圧電体セラミックス | |
JP2014224038A (ja) | 圧電セラミックス及びこれを用いた圧電デバイス | |
JP3874229B2 (ja) | 圧電セラミックスおよびこれを用いた圧電デバイス | |
JP4513948B2 (ja) | 圧電磁器およびその製造方法 | |
JP5929640B2 (ja) | 圧電磁器および圧電素子 | |
JP6822214B2 (ja) | 圧電組成物及び圧電素子 | |
JP6801513B2 (ja) | 圧電組成物及び圧電素子 | |
JP4524558B2 (ja) | 圧電磁器およびその製造方法 | |
JP2008156172A (ja) | 無鉛圧電磁器組成物 | |
JP2011195359A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP4995412B2 (ja) | 圧電磁器組成物及びこれを用いた圧電素子 | |
JP4140796B2 (ja) | 圧電セラミックス | |
JP2007055867A (ja) | 圧電磁器組成物 | |
JP2007055864A (ja) | 圧電磁器組成物 | |
JP2000272962A (ja) | 圧電体磁器組成物 | |
JP2009012997A (ja) | 無鉛圧電磁器組成物 | |
JP2014069988A (ja) | 圧電磁器およびそれを用いた圧電素子 | |
JP2008056549A (ja) | 無鉛圧電磁器組成物 | |
JP2010076958A (ja) | 圧電セラミックス、及びその製造方法 | |
JP6105777B2 (ja) | 圧電磁器およびそれを用いた圧電素子 | |
JP5894222B2 (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
JP2001048641A (ja) | 圧電磁器組成物 | |
JP4370135B2 (ja) | 圧電磁器組成物 | |
JP2012072027A (ja) | 圧電セラミックスおよび圧電素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170822 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180327 |