JP2014220319A

JP2014220319A - 実装構造

Info

Publication number: JP2014220319A
Application number: JP2013097376A
Authority: JP
Inventors: 北森　宣匡; Norimasa Kitamori; 宣匡北森; 恭治俊成; Kyoji Toshinari; 笹畑　昭弘; Akihiro Sasahata; 昭弘笹畑
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2013-05-07
Filing date: 2013-05-07
Publication date: 2014-11-20

Abstract

【課題】基板とヒートシンクとの間に半導体装置を安定して固定配置することができ、コンパクトな構成の実装構造を提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴ４と基板２との間に弾性部材６を配置することにより、ＭＯＳＦＥＴ４をヒートシンク３に対して弾性部材６により直上から押圧することができるので、基板２とヒートシンク３との間に弾性部材６の弾性力によりＭＯＳＦＥＴ４を安定して固定配置することができると共に、実装構造のコンパクト化を図ることができる。したがって、その間隔が固定部材５により固定された基板２とヒートシンク３との間にＭＯＳＦＥＴ４を安定して固定配置することができ、コンパクトな構成の実装構造を提供することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、ヒートシンクに伝熱可能に配置された半導体装置を基板とヒートシンクとの間に固定配置して基板に実装する実装構造に関する。

従来、パワーＭＯＳＦＥＴ等の発熱を伴う半導体チップ５００ａが樹脂でモールドされたパッケージとして構成されている半導体装置５００は、例えば図３に示すようにして基板（図示省略）に実装される（例えば特許文献１参照）。すなわち、半導体装置５００は、銅やアルミ、鉄等の熱伝導性に優れた材料から成るヒートシンク５０１の一面にねじ５０２を用いて固定配置されている。また、半導体装置５００から導出されたリード端子５０３は、半導体装置５００の上方に配置された基板のスルーホールに挿通されてはんだにより接続されている。

また、半導体装置５００とヒートシンク５０１との間には、熱伝導性に優れたグリスやシート材等の介在部材５０４が配置されている。したがって、半導体チップ５００ａから発生する熱は介在部材５０４を伝ってヒートシンク５０１から外部へ放熱される。なお、図３は従来の実装構造を示す図である。

ところで、図３の実装構造では、半導体装置５００がねじ５０２によりヒートシンク５０１に固定される位置が、半導体装置５００を直上からヒートシンク５０１に押さえつける位置からずれているため、次のような問題が生じるおそれがある。すなわち、ねじ５０２が締め付けられたときに半導体装置５００がヒートシンク５０１から浮いてしまいヒートシンク５０１による放熱効率が低下するおそれがある。また、ねじ５０１が緩むことにより半導体装置５００が位置ずれするおそれもある。また、ヒートサイクル時にねじが緩み、半導体装置とヒートシンクとの間の熱抵抗が大きくなって放熱性が悪くなり、半導体装置５００の内部温度が耐熱温度を超えて半導体装置５００が破損するおそれもある。

そこで、特許文献１では、ねじ５０２を用いずに、半導体装置５００を板状のばね部材の弾性力によりヒートシンク５０１に対して直上から押圧することにより、半導体装置５００をヒートシンク５０１に固定配置する実装構造が提案されている。

特開２００１−３３２６７０号公報（段落０００２〜０００７，００２０〜００２３、図１，３など）

ところが、ばね部材により半導体装置５００がヒートシンク５０１に固定配置される場合、ばね部材を支持するための構造をヒートシンク５０１に形成する必要があり、ヒートシンク５０１が大型化するという問題があった。

この発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、基板とヒートシンクとの間に半導体装置を安定して固定配置することができ、コンパクトな構成の実装構造を提供することを目的とする。

上記した目的を達成するために、本発明の実装構造は、ヒートシンクに伝熱可能に配置された半導体装置を基板と前記ヒートシンクとの間に固定配置して前記基板に実装する実装構造において、前記半導体装置が配置された面が前記基板に対向配置された前記ヒートシンクと前記基板とを所定間隔をあけて固定する固定部と、前記基板と前記半導体装置との間に圧縮された状態で配置され、前記半導体装置をその弾性力により前記ヒートシンク側に押圧して固定する弾性部材とを備えることを特徴としている。

このように構成された発明では、伝熱可能に半導体装置が配置された面が基板に対向配置されたヒートシンクと基板とが固定部により所定間隔をあけて固定される。また、固定部により所定間隔をあけて固定配置されたヒートシンクと基板との間に配置された半導体装置と基板との間に弾性部材が圧縮された状態で配置され、弾性部材の弾性力により半導体装置がヒートシンク側に押圧されて固定される。

したがって、従来のねじを用いた実装構造と比較すると、ねじの締め付けによる半導体装置のヒートシンクからの浮きや、ねじの緩みによる半導体装置の位置ずれ等が生じるおそれがなく、半導体装置をヒートシンクに対して弾性部材により直上から押圧することができるので、基板とヒートシンクとの間に弾性部材の弾性力により半導体装置を安定して固定配置することができる。そのため、半導体装置とヒートシンクとの間の熱抵抗が増大するのを抑制することができるので、放熱特性が良好な放熱構造を実現することができる。

また、従来のばね部材を用いた実装構造と比較すると、ばね部材を支持する構造をヒートシンクに形成する必要がなく、半導体装置と基板との間に弾性部材を配置するだけで半導体装置を固定することができるので、実装構造のコンパクト化を図ることができる。したがって、基板とヒートシンクとの間に半導体装置を安定して固定配置することができ、コンパクトな構成の実装構造を提供することができる。

また、前記半導体装置の前記基板との対向面の全面に渡って前記弾性部材が配置されているとよい。

このようにすれば、半導体装置の基板との対向面を全面に渡って弾性部材の弾性力によりヒートシンクに対して押圧することができるので、良好な放熱構造を実現しつつ半導体装置を確実にヒートシンクに対して固定することができる。なお、この場合、弾性部材のサイズを、半導体装置の平面視形状とほぼ同一の大きさとすることにより、良好な放熱構造を保ちつつ実装構造が大型化するのを抑制することができる。

また、前記半導体装置と前記ヒートシンクとの間に弾性を有する放熱シートが配置されていてもよい。

このように構成すると、基板側に配置される弾性部材と、ヒートシンク側に配置される弾性を有する放熱シートとにより半導体装置を挟持して確実に固定することができる。したがって、半導体装置のヒートシンクからの放熱性を放熱シートにより担保しつつ、さらに安定して半導体装置を基板およびヒートシンク間に固定配置することができる。

また、前記弾性部材は放熱材料により形成されていてもよい。

このようにすると、ヒートシンクによる放熱に加え、放熱材料により形成された弾性部材により基板側からも放熱可能になるので、半導体装置のジャンクション温度をより低減させることができ、半導体装置の寿命向上を図ることができる。この場合、半導体装置の基板との対向面の全面に渡って放熱材料により形成された弾性部材が配置されることにより、さらに良好な放熱特性を有する放熱構造を実現することができる。

また、前記弾性部材は断熱材料により形成されていてもよい。

このように構成すると、半導体装置の輻射熱により基板が加熱されるのを断熱材料により形成された弾性部材により抑制することができるので、半導体装置の輻射熱が基板に搭載された他の部品等に影響を与えるのを抑制することができ、基板を備える電源モジュール等の信頼性の向上を図ることができる。

また、前記弾性部材が粘着性を有しているとよい。

このようにすれば、弾性部材を基板や半導体装置に貼り付けることができるので、組み立ての際に弾性部材を基板や半導体装置に貼り付けることにより、実装構造の組み立てを容易に行うことができる。

また、前記半導体装置の側面から導出され前記基板に向かう方向に屈曲するリード端子が前記基板のスルーホールに挿通されてはんだにより接続されていてもよい。

ところで、図３に示す従来の実装構造では、半導体装置５００と基板とは、リード端子５０３が基板のスルーホールに挿通されてはんだで固定されているだけである。したがって、リード端子５０３と基板とのはんだによる接続部分に大きな熱応力が生じることで、はんだにクラック等の不具合が生じるおそれがあり、半導体装置５００と基板との接続信頼性が低いという問題がある。

しかしながら、リード端子が基板のスルーホールに挿通されてはんだにより接続される場合には、本発明によれば、はんだによるリード端子と基板との接続部分に生じる熱応力が弾性部材により緩和されるので、半導体装置と基板との接続信頼性を向上することができる。

また、図３の実装構造では、半導体装置５００がまずヒートシンク５０１にねじ５０２により固定された後に、半導体装置５００のリード端子５０３が基板のスルーホールに挿通されてはんだにより固定される。したがって、半導体装置５００にヒートシンク５０１が取り付けられた状態でリード端子５０３を基板のスルーホールに挿通する作業に手間がかかるので、製造コストが増大するという問題がある。

また、半導体装置５００がばね部材によりヒートシンク５０１に固定される従来の実装構造では、半導体装置５００のリード端子５０３が基板のスルーホールに挿通された状態で、ヒートシンク５０１に支持されたばね部材により半導体装置５００を固定する必要があるので、特に複数の半導体装置５００が隣接配置されている場合に組み立てづらいという問題がある。

しかしながら、リード端子が基板のスルーホールに挿通されてはんだにより接続される場合には、本発明によれば、基板と半導体装置との間に弾性部材が介在した状態で、基板のスルーホールにリード端子を挿通した後に、ヒートシンクで基板との間に半導体装置を挟み込んで固定部で基板およびヒートシンクを所定間隔あけて固定するだけで半導体装置を固定することができる。したがって、組み立てが容易であり、製造工数や製造コストの低減を図ることができる。

また、前記基板は、前記ヒートシンクとの対向面に立設して実装された中継基板を備え、前記半導体装置の側面から導出されたリード端子が前記中継基板のスルーホールに挿通されてはんだにより接続されていてもよい。

このように構成しても、上記した効果と同様の効果を奏することができる実用的な構成の実装構造を提供することができる。

本発明によれば、固定部により基板およびヒートシンクが所定間隔に固定されていることを利用し、半導体装置をヒートシンクに対して弾性部材により直上から押圧することができるので、基板とヒートシンクとの間に弾性部材の弾性力により半導体装置を安定して固定配置することができる。また、半導体装置と基板との間に弾性部材を配置するだけで半導体装置を固定することができるので、実装構造のコンパクト化を図ることができる。したがって、基板とヒートシンクとの間に半導体装置を安定して固定配置することができ、コンパクトな構成の実装構造を提供することができる。

本発明の一実施形態にかかる実装構造を備える電源モジュールを示す図である。本発明の他の実施形態にかかる実装構造を備える電源モジュールを示す図である。従来の実装構造を示す図である。

＜一実施形態＞
本発明の一実施形態について図１を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態にかかる実装構造を備える電源モジュールを示す図である。

図１に示すように、電源モジュール１は、プリント基板等の複合基板や樹脂基板、アルミナ基板などの一般的な基板により構成される基板２と、銅やアルミ、鉄等の熱伝導性に優れた材料により形成されたヒートシンク３と、ヒートシンク３に伝熱可能に配置されたパワーＭＯＳＦＥＴ４（電界効果トランジスタ）（本発明の「半導体装置」に相当）とを備えている。なお、ＭＯＳＦＥＴ４は、基板２とヒートシンク３との間に固定配置されている。また、ＭＯＳＦＥＴ４は、電界効果トランジスタを形成する半導体素子（半導体チップ）が樹脂によりパッケージされて形成されている。

また、ヒートシンク３は、ＭＯＳＦＥＴ４が配置された面が基板２に対向配置されており、基板２とヒートシンク３とは固定部５により所定間隔をあけて固定されている。固定部５は、例えば金属により形成された六角柱等の柱状体５ａと、柱状体５ａを基板２およびヒートシンク３に固定するねじ５ｂとを備えている。柱状体５ａは、基板２およびヒートシンク３間に配置され、柱状体５ａの長さにより基板２とヒートシンク３との間隔が決定される。また、基板２およびヒートシンク３それぞれを貫通するねじ５ｂが、柱状体５ａの両端面にその軸方向に形成されているねじ穴５ｃに螺合することにより、柱状体５ａが基板２とヒートシンク３との間に固定配置される。

なお、柱状体５ａは、ねじ５ｂに替えて例えば溶接により基板２とヒートシンク３との間に固定配置されていてもよい。また、固定部５の構成は上記した構成に限定されるものではなく、基板２とヒートシンク３とを所定間隔あけて固定できる構成であれば、固定部５はどのように構成されていてもよい。

また、基板２とＭＯＳＦＥＴ４との間に弾性部材６が、ＭＯＳＦＥＴ４の基板２との対向面の全面に渡って配置されている。基板２とヒートシンク３とが所定間隔あけて固定部５により固定されているので、弾性部材６は、基板２とＭＯＳＦＥＴ４との間に圧縮された状態で配置される。したがって、ＭＯＳＦＥＴ４は、弾性部材６の弾性力によりヒートシンク３側に押圧されて固定される。また、図１に示すように、この実施形態では、ＭＯＳＦＥＴ４の基板２との対向面には段差が形成されており、弾性部材６のＭＯＳＦＥＴ４との対向面には、ＭＯＳＦＥＴ４の段差に係合可能に同様の形状の段差が設けられている。但し、弾性部材６の段差形状は必須ではなく、段差のない弾性部材６を用いることができる。すなわち、弾性部材６は弾性体であり、弾性部材６を押しつぶして使用することができるので、弾性部材６に段差を設けていなくても、弾性部材６を押しつぶすことによりＭＯＳＦＥＴ４の段差に沿って弾性部材６を配置させることも可能である。換言すると、弾性部材６の弾性力を利用して、弾性部材６を押しつぶすことにより弾性部材６をＭＯＳＦＥＴ４の段差に係合させることも可能である。

なお、弾性限界を超えない範囲で圧縮された状態で基板２とＭＯＳＦＥＴ４との間に弾性部材６が配置されるように、弾性部材６の厚みが決定され、基板２とヒートシンク４との間隔が固定部５により決定されている。

また、弾性部材６が、シリコンゴムやグラファイトを含有するゴムなどの放熱材料により形成されていると次のような効果を奏することができる。

すなわち、ヒートシンク３によるＭＯＳＦＥＴ４の放熱に加え、放熱材料により形成された弾性部材６により基板２側からも放熱可能になるので、ＭＯＳＦＥＴ４のジャンクション温度をより低減させることができ、ＭＯＳＦＥＴ４の寿命向上を図ることができる。この場合、ＭＯＳＦＥＴ４の基板２との対向面の全面に渡って放熱材料により形成された弾性部材６が配置されることにより、良好な放熱特性を有する放熱構造を実現することができる。

また、弾性部材６が、ポリスチレン系、ポリエチレン系、ウレタン系の断熱性を有する樹脂材料により形成されていると次のような効果を奏することができる。

すなわち、ＭＯＳＦＥＴ４の輻射熱により基板２が加熱されるのを断熱材料により形成された弾性部材６により抑制することができるので、ＭＯＳＦＥＴ４の輻射熱が基板２に搭載された他の部品等に影響を与えるのを抑制することができ、基板２を備える電源モジュール１の信頼性の向上を図ることができる。

また、弾性部材が粘着性を有していると次のような効果を奏することができる。

すなわち、弾性部材６を基板２やＭＯＳＦＥＴ４に貼り付けることができるので、組み立ての際に弾性部材６を基板２やＭＯＳＦＥＴ４に貼り付けることにより、電源モジュール１の組み立てを容易に行うことができる。

また、ＭＯＳＦＥＴ４とヒートシンク３との間に弾性を有する絶縁性の放熱シート７が配置されている。ＭＯＳＦＥＴ４は放熱シート７を介してヒートシンク３に伝熱可能に配置されている。なお、放熱シート７は、シリコンゴムやグラファイトを含有するゴムなどの放熱材料により形成されている。また、絶縁性の放熱シート７によりＭＯＳＦＥＴ４と金属性のヒートシンク３とが絶縁されている。

基板２には、ＭＯＳＦＥＴ４との接続用に、その内周面に導体８ａが設けられたスルーホール８が形成されている。そして、ＭＯＳＦＥＴ４の側面から導出され基板２に向う方向に屈曲するリード端子４ａが、基板２のスルーホール８に挿通されてはんだＨにより接続されている。

以上のように、この実施形態では、伝熱可能にＭＯＳＦＥＴ４が配置された面が基板２に対向配置されたヒートシンク３と基板２とが固定部５により所定間隔をあけて固定される。また、固定部５により所定間隔をあけて固定配置されたヒートシンク３と基板２との間に配置されたＭＯＳＦＥＴ４と基板２との間に弾性部材６が圧縮された状態で配置され、弾性部材６の弾性力によりＭＯＳＦＥＴ４がヒートシンク３側に押圧されて固定される。

したがって、図３に示す従来のねじを用いた実装構造と比較すると、ねじの締め付けによるＭＯＳＦＥＴ４のヒートシンク３からの浮きや、ねじの緩みによるＭＯＳＦＥＴ４の位置ずれ、ヒートサイクル時にねじが緩むことによる、熱抵抗増大、放熱性の悪化、さらには耐熱温度を超えることによるＭＯＳＦＥＴ４の破損等が生じるおそれがなく、ＭＯＳＦＥＴ４をヒートシンク３に対して弾性部材６により直上から押圧することができるので、基板２とヒートシンク３との間に弾性部材６の弾性力によりＭＯＳＦＥＴ４を安定して固定配置することができる。そのため、ＭＯＳＦＥＴ４がヒートシンク３から浮き上がるのが防止されて、ＭＯＳＦＥＴ４とヒートシンク３との間の熱抵抗が増大するのを抑制することができるので、放熱特性が良好な放熱構造を実現することができる。

また、従来のばね部材を用いた実装構造と比較すると、ばね部材を支持する構造をヒートシンク３に形成する必要がなく、ＭＯＳＦＥＴ４と基板２との間に弾性部材６を配置するだけでＭＯＳＦＥＴ４を固定することができるので、実装構造のコンパクト化を図ることができる。したがって、基板２とヒートシンク３との間にＭＯＳＦＥＴ４を安定して固定配置することができ、コンパクトな構成の実装構造を備える電源モジュール１を提供することができる。

また、ＭＯＳＦＥＴ４の基板２との対向面の全面に渡って弾性部材６が配置されているので、ＭＯＳＦＥＴ４の基板２との対向面を全面に渡って弾性部材６の弾性力によりヒートシンク３に対して押圧することができる。したがって、良好な放熱構造を実現しつつＭＯＳＦＥＴ４を確実にヒートシンク３に対して固定することができる。なお、この場合、弾性部材６のサイズを、ＭＯＳＦＥＴ４の平面視形状とほぼ同一の大きさとすることにより、良好な放熱構造を保ちつつ実装構造が大型化するのを抑制することができる。

また、ＭＯＳＦＥＴ４とヒートシンク３との間に弾性を有する放熱シート７が配置されているので、基板２側に配置される弾性部材６と、ヒートシンク３側に配置される弾性を有する放熱シート７とによりＭＯＳＦＥＴ４を挟持して確実に固定することができる。したがって、ＭＯＳＦＥＴ４のヒートシンク３からの放熱性を放熱シート７により担保しつつ、さらに安定してＭＯＳＦＥＴ４を基板２とヒートシンク３との間に固定配置することができる。

また、ＭＯＳＦＥＴ４の側面から導出され基板２に向かう方向に屈曲するリード端子４ａが基板２のスルーホール８に挿通されてはんだＨにより接続されているが、はんだＨによるリード端子４ａと基板２との接続部分に生じる熱応力が弾性部材６により緩和されるので、ＭＯＳＦＥＴ４と基板２との接続信頼性を向上することができる。

また、例えば弾性部材６を基板２やＭＯＳＦＥＴ４に貼り付けることにより、基板２とＭＯＳＦＥＴ４との間に弾性部材６が介在した状態で、基板２のスルーホール８にリード端子４ａを挿通した後に、ヒートシンク３で基板２との間にＭＯＳＦＥＴ４を挟み込んで固定部５で基板２およびヒートシンク３を固定間隔あけて固定するだけでＭＯＳＦＥＴ４を固定することができる。したがって、電源モジュール１の組み立てが容易であり、製造工数や製造コストの低減を図ることができる。

＜他の実施形態＞
本発明の他の実施形態について図２を参照して説明する。図２は本発明の他の実施形態にかかる実装構造を備える電源モジュールを示す図である。この実施形態が上記した実施形態と異なる点は、基板２が、ヒートシンク３との対向面に実装された中継基板１０を備える点である。基板２にはコネクタ９が設けられており、中継基板１０は、コネクタ９に嵌挿されることにより基板２のヒートシンク３との対向面に立設して実装される。

また、中継基板１０には、ＭＯＳＦＥＴ４との接続用に、その内周面に導体１１ａが設けられたスルーホール１１が形成されている。そして、ＭＯＳＦＥＴ４の側面から導出されたリード端子４ａが、中継基板１０のスルーホール１１に挿通されてはんだＨにより接続されている。その他の構成は上記した実施形態と同様の構成であるため、その構成の説明は同一符号を付すことにより省略する。

この実施形態でも、上記した実施形態と同様の効果を奏することができ、実用的な構成の実装構造を備える電源モジュール１を提供することができる。

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、例えば、本発明の半導体装置を構成する半導体素子は上記した例に限らず、パワーＭＯＳＦＥＴやバイポーラトランジスタ等の半導体素子が樹脂によりパッケージされて形成される三端子レギュレータ、整流ダイオード、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、サイリスタ、ゲートターンオフサイリスタ（ＧＴＯ）、トライアック等、発熱を伴う所謂パワー半導体素子により半導体装置が形成されていればよい。

また、半導体装置（ＭＯＳＦＥＴ４）の形状は上記した例に限らず、基板との対向面に段差が形成されていなくてもよい。また、弾性部材は、少なくとも半導体装置を形成する半導体素子が内蔵された部分を押圧できるように、基板と半導体装置との間に配置されていればよく、弾性部材のサイズおよび形状は、少なくとも当該部分を押圧できるように構成すればよい。

また、半導体装置はヒートシンクに直接接触配置されてもよいが、上記したように、間に絶縁性の放熱シート等を介在させることにより、ヒートシンクと半導体装置とが絶縁されているのが望ましい。

また、ヒートシンクの形状は上記した例に限らず、ヒートシンクの半導体装置が配置された側と反対側の面が、板状または棒状のフィンが形成された剣山状や蛇腹状に形成されていてもよい。このようにすると、ヒートシンクによる放熱効果をさらに向上することができる。

そして、ヒートシンクに伝熱可能に配置された半導体装置を基板とヒートシンクとの間に固定配置して基板に実装する実装構造に本発明を広く適用することができる。

２基板
３ヒートシンク
４ＭＯＳＦＥＴ（半導体装置）
４ａリード端子
５固定部
６弾性部材
７放熱シート
８，１１スルーホール
１０中継基板
Ｈはんだ

Claims

ヒートシンクに伝熱可能に配置された半導体装置を基板と前記ヒートシンクとの間に固定配置して前記基板に実装する実装構造において、
前記半導体装置が配置された面が前記基板に対向配置された前記ヒートシンクと前記基板とを所定間隔をあけて固定する固定部と、
前記基板と前記半導体装置との間に圧縮された状態で配置され、前記半導体装置をその弾性力により前記ヒートシンク側に押圧して固定する弾性部材と
を備えることを特徴とする実装構造。
前記半導体装置の前記基板との対向面の全面に渡って前記弾性部材が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の実装構造。
前記半導体装置と前記ヒートシンクとの間に弾性を有する放熱シートが配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の実装構造。
前記弾性部材は放熱材料により形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の実装構造。
前記弾性部材は断熱材料により形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の実装構造。
前記弾性部材が粘着性を有していることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の実装構造。
前記半導体装置の側面から導出され前記基板に向かう方向に屈曲するリード端子が前記基板のスルーホールに挿通されてはんだにより接続されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の実装構造。
前記基板は、前記ヒートシンクとの対向面に立設して実装された中継基板を備え、
前記半導体装置の側面から導出されたリード端子が前記中継基板のスルーホールに挿通されてはんだにより接続されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の実装構造。