JP2014206905A - Writing device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To fully utilize entire memory, while eliminating retention failure generated due to instantaneous power interruption etc., in non-volatile memory such as flash memory.SOLUTION: Flash memory is divided into a plurality of records consisting of a data region for storing data and a management region for storing management data showing a state of the data region. A CPU of an on-vehicle device selects an object record according to a predetermined order and stores data in the object record. The CPU specifies the object record and a final record in which the data is finally written, on the basis of the data stored in each record and the order (S305), rewrites the same data on the final record (S315) and stores dummy data in the object record (S320), when power supply is started.

Description

本発明は、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリへのデータの書き込みを行う書き込み装置に関する。   The present invention relates to a writing device for writing data to a nonvolatile memory such as a flash memory.

データの書き換えが可能な不揮発性メモリの一例としてフラッシュメモリが知られているが、このフラッシュメモリでは、一般的に、２バイト程度の記憶領域毎にデータの書き込みや読み出しが行われると共に、数キロバイトの記憶領域（ブロック）毎にデータの消去が行われる。   A flash memory is known as an example of a non-volatile memory capable of rewriting data. In general, in this flash memory, data is written to and read from each storage area of about 2 bytes, and several kilobytes are used. Data is erased for each storage area (block).

ここで、フラッシュメモリへのデータの書き込み中に電源の瞬断等が発生し、データの書き込みが完了しない場合が想定される。このような場合、メモリセルに蓄えられた電荷が不足し、本来の保証期間にわたりデータを保持できないリテンション不良が生じる可能性がある。   Here, it is assumed that a power interruption occurs during the writing of data to the flash memory and the data writing is not completed. In such a case, the charge stored in the memory cell is insufficient, and there is a possibility that a retention failure that cannot retain data over the original guarantee period may occur.

データ書き込み時にリテンション不良が生じた場合、その電荷によっては、該データ書き込み後の一定期間は記憶領域から正常にデータが読み出されるため、メモリセルに蓄えられた電荷が十分かどうか、すなわちリテンション不良の有無を判別することができない。このため、例えば、メモリセルに蓄えられている電荷を測定し、測定結果に基づきリテンション不良の有無を判定するといった対策が考えられるが、このような測定を行うとなると、ハードウェア構成が大規模化すると考えられる。   If a retention failure occurs during data writing, depending on the charge, data is normally read from the storage area for a certain period after the data is written, so whether the charge stored in the memory cell is sufficient, that is, the retention failure The presence or absence cannot be determined. For this reason, for example, measures such as measuring the charge stored in the memory cell and determining the presence or absence of retention failure based on the measurement result can be considered. However, when such measurement is performed, the hardware configuration becomes large-scale. It is thought that.

これに対し、特許文献１では、フラッシュメモリの書き込み処理が瞬断により中断すると、電力供給再開時に、瞬断発生の直前に書き込みがなされた記憶領域に再度同一データを書き込むことが記載されている。これにより、瞬断によりデータの書き込みが中断した可能性のある記憶領域のメモリセルに十分な電荷を注入し、リテンション不良を解消することができる。   On the other hand, Patent Document 1 describes that when the flash memory writing process is interrupted due to a momentary interruption, the same data is written again to the storage area that was written immediately before the occurrence of the momentary interruption when the power supply is resumed. . Accordingly, sufficient charge can be injected into the memory cell in the storage area where data writing may be interrupted due to a momentary interruption, and the retention failure can be eliminated.

特開２０１０−９７３８６号公報JP 2010-97386 A

特許文献１に記載の方法では、データ書き込み中の瞬断を検出するための処理が新たに必要となり、該処理を行うため、フラッシュメモリに、保存されている各データの有効／無効情報を保存するチェック領域を設けることが必要となる。そして、データの書き込みの度に、対応するチェック領域に保存されている有効／無効情報が更新され、電力供給開始時に、チェック領域に保存されている有効／無効情報に基づき、データの書き込み中に瞬断が生じたか否かが判定される。   In the method described in Patent Document 1, a process for detecting an instantaneous interruption during data writing is newly required, and in order to perform the process, the validity / invalidity information of each saved data is stored in the flash memory. It is necessary to provide a check area. Each time data is written, the valid / invalid information stored in the corresponding check area is updated, and at the start of power supply, the data is being written based on the valid / invalid information stored in the check area. It is determined whether an instantaneous interruption has occurred.

このため、チェック領域に保存されている有効／無効情報を更新するタイミングで電源瞬断等が発生しデータの書き込みが完了せず、該チェック領域にてリテンション不良が発生した場合には、該有効／無効情報を本来の保証期間にわたり保持することができなくなる。このため、該チェック領域に対応するデータの信頼性を確保することができなくなる。   For this reason, if a power failure occurs at the timing of updating the valid / invalid information stored in the check area and data writing is not completed and a retention failure occurs in the check area, the valid information / Invalid information cannot be retained for the original warranty period. For this reason, the reliability of data corresponding to the check area cannot be ensured.

これに対し、電力供給開始の度に、最後に書き込みがなされた記憶領域に対し、該有効／無効情報を上書きするという対策が考えられる。これにより、データ書き込み中に瞬断等が生じ、リテンション不良が生じている可能性のある記憶領域のメモリセルに十分な電荷を注入することができ、電荷測定するためのハードウェアを用いることなくリテンション不良を解消することができる。   On the other hand, a measure to overwrite the valid / invalid information with respect to the storage area written last is considered every time the power supply is started. As a result, it is possible to inject sufficient charges into the memory cells in the storage area in which a momentary interruption or the like occurs during data writing and a retention failure may occur, without using hardware for charge measurement. Retention failure can be eliminated.

しかしながら、フラッシュメモリの更新頻度によっては、電源投入の度に、リテンション不良が生じていない同一の記憶領域に対して繰り返し上書きが行われる可能性がある。同一の記憶領域に対して上書きが繰り返された場合、一部のメモリセルだけが繰り返し使用される。メモリ全体が満遍なく使用されていないにも関わらず、一部のメモリセルだけが繰り返し使用され、メモリセルあるいは制御回路が使用限度に達することで、そのフラッシュメモリは寿命に達したことになる。これは、メモリ全体を満遍なく使用した場合に比べて寿命が短くなっていることを意味する。   However, depending on the update frequency of the flash memory, every time the power is turned on, the same storage area where no retention failure has occurred may be repeatedly overwritten. When overwriting is repeated for the same storage area, only some memory cells are repeatedly used. Despite the fact that the entire memory is not evenly used, only some of the memory cells are repeatedly used, and the flash memory has reached the end of its life when the memory cell or control circuit reaches the usage limit. This means that the lifetime is shorter than when the entire memory is used evenly.

本願発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、電源の瞬断等により生じたリテンション不良を解消しつつ、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリ全体を満遍なく使用できる書き込み装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a writing device that can uniformly use the entire nonvolatile memory such as a flash memory while eliminating a retention failure caused by a momentary power interruption or the like. And

上記課題に鑑みてなされた請求項１に係る書き込み装置は、予め定められた記憶単位領域毎にデータの書き込みを行うことが可能な不揮発性メモリを制御する管理手段と、予め定められた規則に従い、不揮発性メモリにおけるデータの書き込みがなされていない１または複数の記憶単位領域を、データの書き込みを行う書き込み領域として設定する設定手段と、管理手段を介して、設定手段により設定された書き込み領域に新規データを書き込む書き込み手段と、を備える。   The writing device according to claim 1 made in view of the above-described problem is in accordance with a management means for controlling a nonvolatile memory capable of writing data for each predetermined storage unit area, and a predetermined rule. A setting unit that sets one or a plurality of storage unit areas in which data is not written in the nonvolatile memory as a writing area for writing data, and a writing area set by the setting unit via the management unit Writing means for writing new data.

また、該書き込み装置は、自装置への電力供給が開始されると、管理手段を介して不揮発性メモリから読み出したデータと規則とに基づき、該電力供給が開始されるまでに、管理手段により最後にデータが書き込まれた記憶単位領域である最終記憶単位領域を特定する特定手段と、特定手段により最終記憶単位領域が特定されると、管理手段を介して、該最終記憶単位領域に対し、該最終記憶単位領域に保存されているデータを書き込む上書き手段と、を備える。   In addition, when the power supply to the writing device is started, the writing device starts the power supply based on the data read from the nonvolatile memory through the management device and the rule until the power supply is started. The specifying means for specifying the final storage unit area that is the storage unit area in which the data has been written last, and when the final storage unit area is specified by the specifying means, with respect to the final storage unit area via the management means, Overwriting means for writing data stored in the final storage unit area.

そして、書き込み手段は、上書き手段によるデータ書き込みに続いて、設定手段により設定された前記書き込み領域に前記新規データを書き込む。
このような構成によれば、自装置への電力供給開始時に、最後にデータの書き込みがなされた最終記憶単位領域に同一データが書き込まれる。このため、仮に、最終記憶単位領域へのデータの書き込み中に、例えば、電源の瞬断等による電力供給の停止や、ノイズにより生じたＣＰＵのリセット等により書き込みが中断し、最終記憶単位領域にてリテンション不良が生じていたとしても、これを解消することができる。 Then, following the data writing by the overwriting means, the writing means writes the new data in the writing area set by the setting means.
According to such a configuration, at the start of power supply to the own device, the same data is written into the final storage unit area where data was last written. For this reason, for example, during the writing of data to the final storage unit area, the writing is interrupted due to, for example, the stop of power supply due to a momentary power interruption or the reset of the CPU caused by noise, etc. Even if a retention failure occurs, this can be solved.

また、電力供給開始時に新たな記憶単位領域にデータが書き込まれるため、次回の電力供給開始時に最終記憶単位領域として特定される記憶単位領域を変更することができ、不揮発性メモリの同一の記憶領域への上書きが繰り返されることを回避できる。   In addition, since data is written to a new storage unit area at the start of power supply, the storage unit area specified as the final storage unit area at the start of next power supply can be changed, and the same storage area of the nonvolatile memory It is possible to avoid repeated overwriting.

これにより、各記憶領域の書き込み頻度の偏りを抑えることができ、各記憶領域に対し、満遍なくデータ書き込みを行うことが可能となる。このため、データ書き込みが殆どなされていない記憶領域が存在するにも関らず、寿命に達することを防ぐことができる。   As a result, the uneven writing frequency of each storage area can be suppressed, and data can be uniformly written to each storage area. For this reason, it is possible to prevent reaching the end of life even though there is a storage area where data is hardly written.

したがって、請求項１に係る書き込み装置によれば、電源の瞬断等により生じたリテンション不良を解消しつつ、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリ全体を満遍なく使用することができる。   Therefore, according to the writing device of the first aspect, the entire nonvolatile memory such as the flash memory can be used evenly while eliminating the retention failure caused by the instantaneous power interruption.

なお、請求項２に記載されているように、不揮発性メモリとは、複数の記憶単位領域から構成されるブロック毎に保存されているデータを消去することができるフラッシュメモリであり、管理手段は、不揮発性メモリのブロック毎にデータを消去する制御を行っても良い。   In addition, as described in claim 2, the non-volatile memory is a flash memory capable of erasing data stored for each block composed of a plurality of storage unit areas, and the management means Control for erasing data may be performed for each block of the nonvolatile memory.

こうすることにより、電源の瞬断等により生じたリテンション不良を解消しつつ、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリ全体を満遍なく使用することができる。   In this way, the entire nonvolatile memory such as a flash memory can be used evenly while eliminating a retention failure caused by an instantaneous power interruption.

車載装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of a vehicle-mounted apparatus. レコードやブロックの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of a record or a block. 電源の瞬断時におけるリテンション不良の発生や、電力供給開始時におけるデータの上書き及びダミーデータの書き込みを示す図である。It is a figure which shows generation | occurrence | production of the retention defect at the time of the power supply interruption, the overwrite of the data at the time of an electric power supply start, and writing of dummy data. 電源投入処理についてのフローチャートである。It is a flowchart about a power-on process.

以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、本発明の実施の形態は、下記の実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採りうる。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The embodiment of the present invention is not limited to the following embodiment, and can take various forms as long as they belong to the technical scope of the present invention.

［構成の説明］
本実施形態の車載装置１０は、当該装置を統括制御するためのＣＰＵ１１，ＲＯＭ１５，ＲＡＭ１３，Ｉ／Ｏ１２を備えると共に、該ＣＰＵ１１からアクセスされるフラッシュメモリ１６と、フラッシュメモリ１６を制御するコントローラ１４と、電源回路１７を備える（図１参照）。 [Description of configuration]
The in-vehicle device 10 of the present embodiment includes a CPU 11, ROM 15, RAM 13, and I / O 12 for overall control of the device, a flash memory 16 accessed from the CPU 11, and a controller 14 for controlling the flash memory 16. And a power supply circuit 17 (see FIG. 1).

電源回路１７は、自車両に搭載されたバッテリから電力供給を受け、ＣＰＵ１１，ＲＯＭ１５，ＲＡＭ１３，Ｉ／Ｏ１２，フラッシュメモリ１６，コントローラ１４等、車載装置１０の各部位に電力を供給する。   The power supply circuit 17 receives power supply from a battery mounted on the host vehicle, and supplies power to each part of the in-vehicle device 10 such as the CPU 11, ROM 15, RAM 13, I / O 12, flash memory 16, controller 14, and the like.

また、ＲＯＭ１５には、ＣＰＵ１１により実行されるプログラムが保存されており、該プログラムとして、フラッシュメモリ１６を制御するためのフラッシュメモリドライバや、各種アプリケーションが保存されている。   The ROM 15 stores a program executed by the CPU 11, and a flash memory driver for controlling the flash memory 16 and various applications are stored as the program.

また、フラッシュメモリ１６は、一例として２バイトの記憶領域（記憶単位領域）毎にデータの書き込みや読み出しが行われると共に、数キロバイトの記憶領域からなるブロック１〜ｎが複数設けられており、ブロック１００毎に一括してデータの消去が行われる。   The flash memory 16 has, for example, data writing and reading for each 2-byte storage area (storage unit area) and a plurality of blocks 1 to n each having a storage area of several kilobytes. Data is erased in batches every 100.

そして、ＣＰＵ１１は、フラッシュメモリドライバに従い動作することで、コントローラ１４を制御し、フラッシュメモリ１６に対するデータの書き込み及び読み出しや、ブロック１００に保存されているデータの消去を行う。   The CPU 11 operates in accordance with the flash memory driver to control the controller 14 to write and read data to the flash memory 16 and erase data stored in the block 100.

［フラッシュメモリについて］
次に、車載装置１０におけるフラッシュメモリ１６の管理方法について説明する。
フラッシュメモリ１６は、初期状態では、各記憶単位領域を構成するメモリセルに電荷が蓄えられておらず、１が表現された状態となっており、各記憶単位領域には例えば０ｘＦＦＦＦ（初期データ）が保存された状態となっている。そして、記憶単位領域にデータを書き込む際には、該データにおける０であるビットに対応するメモリセルに電荷が注入され、保持されている値を１から０に変更することで、該記憶単位領域にデータが保存される。 [About flash memory]
Next, a method for managing the flash memory 16 in the in-vehicle device 10 will be described.
In the initial state, the flash memory 16 is in a state in which no charge is stored in the memory cells constituting each storage unit area, and 1 is expressed. For example, 0xFFFF (initial data) is stored in each storage unit area. Is in a saved state. When data is written to the storage unit area, charges are injected into the memory cell corresponding to the bit that is 0 in the data, and the held value is changed from 1 to 0, whereby the storage unit area The data is saved in

このため、データが保存されている（初期状態でない）記憶単位領域にデータを上書きした場合、メモリセルに保持された値を１から０に変更することはできるが、０から１に変更することはできず、データの上書きには制限が加えられる。   For this reason, when data is overwritten in a storage unit area in which data is stored (not in an initial state), the value held in the memory cell can be changed from 1 to 0, but it must be changed from 0 to 1. Cannot be overwritten, and there are restrictions on overwriting data.

したがって、一旦記憶単位領域にデータを書き込むと、該記憶単位領域を含むブロック１００全体のデータを消去し、ブロック１００における全ての記憶単位領域のメモリセルを初期状態にした後でなければ、自由にデータを書き込むことができない。   Therefore, once the data is written in the storage unit area, the data of the entire block 100 including the storage unit area is erased, and the memory cells in all the storage unit areas in the block 100 are not in the initial state. Cannot write data.

このような点を踏まえ、本実施形態では、一例として、以下のような規則に従いフラッシュメモリ１６へのデータの書き込みが行われる。
すなわち、各ブロック１００は、複数の記憶単位領域から構成されるレコード１〜ｎに区分される。このレコード１１０は、１または複数の記憶単位領域からなるデータ領域１１１と管理領域１１２を有し、データ領域１１１はデータを保存するために用いられ、管理領域１１２は、データ領域１１１の状態を示す管理データを保存するために用いられる（図２（ａ）参照）。 In view of such points, in the present embodiment, as an example, data is written to the flash memory 16 according to the following rules.
That is, each block 100 is divided into records 1 to n composed of a plurality of storage unit areas. This record 110 has a data area 111 composed of one or a plurality of storage unit areas and a management area 112. The data area 111 is used for storing data, and the management area 112 indicates the state of the data area 111. Used for storing management data (see FIG. 2A).

そして、レコード１１０の管理領域１１２（或いはデータ領域１１１）に初期データが保存されていれば、レコード１１０は、データ領域１１１にデータが書き込まれていない未使用状態と判別される。一方、管理領域１１２等に初期データ以外が保存されていれば、レコード１１０は、データ領域１１１にデータが書き込まれた使用状態と判別される。   If the initial data is stored in the management area 112 (or data area 111) of the record 110, the record 110 is determined to be in an unused state in which no data is written in the data area 111. On the other hand, if data other than the initial data is stored in the management area 112 or the like, the record 110 is determined as a use state in which data is written in the data area 111.

なお、データが保存されていない初期状態において各記憶単位領域が不定値となっているフラッシュメモリが用いられる場合も想定される。このような場合、フラッシュメモリのレジスタにアクセスし、レジスタの内容に基づき、管理領域１１２等が初期状態か否か判定し、判定結果により、レコード１１０が使用状態か否かを判別することが考えられる。   It is assumed that a flash memory in which each storage unit area has an indefinite value in an initial state where data is not saved is used. In such a case, it is considered to access the register of the flash memory, determine whether or not the management area 112 is in an initial state based on the contents of the register, and determine whether or not the record 110 is in use based on the determination result. It is done.

また、ＣＰＵ１１は、アドレスの若い順に、初期状態のブロック１〜ｎのうちのいずれかを、データの書き込みを行う対象ブロック１００として選択する（なお、アドレスが最大であるブロックｎの次には、アドレスが最小であるブロック１が選択される）。また、対象ブロック１００における未使用状態のレコード１１０のうち、アドレスの最も若いものを、書き込みを行うレコード１１０（対象レコード）として選択する。   Further, the CPU 11 selects one of the blocks 1 to n in the initial state in ascending order of the addresses as the target block 100 to which data is written (note that the block n having the largest address is next to the block n). Block 1 with the smallest address is selected). Further, among the records 110 in the unused state in the target block 100, the one with the smallest address is selected as the record 110 (target record) to be written.

無論、対象ブロック１００や対象レコード１１０の選択順序はこれに限定されることは無く、例えば、アドレスの大きいものから順に、対象ブロック１００や対象レコード１１０を選択しても良い。   Of course, the selection order of the target block 100 and the target record 110 is not limited to this. For example, the target block 100 and the target record 110 may be selected in descending order of address.

そして、ＣＰＵ１１は、対象レコード１１０のデータ領域１１１にデータを書き込んだ直後に、該対象レコード１１０の管理領域１１２に、該データ領域１１１に有効なデータが保存されている旨を示す管理データ（有効情報）を書き込む。   Then, immediately after the data is written in the data area 111 of the target record 110, the CPU 11 manages data (valid data indicating that valid data is stored in the data area 111 in the management area 112 of the target record 110). Information).

また、ＣＰＵ１１は、レコード１１０のデータ領域１１１に保存されているデータが不用となった場合には、該レコード１１０の管理領域１１２に、該データ領域１１１に無効なデータが保存されている旨を示す管理データ（無効情報）を上書きする（なお、有効情報が保存された管理領域１１２に無効情報の上書きが可能となるよう、これらの情報の値が設定されていることは言うまでも無い）。   In addition, when the data stored in the data area 111 of the record 110 becomes unnecessary, the CPU 11 indicates that invalid data is stored in the data area 111 in the management area 112 of the record 110. Management data (invalid information) to be overwritten (note that it is needless to say that these information values are set so that invalid information can be overwritten in the management area 112 in which valid information is stored) .

このため、対象ブロック１００の各レコード１１０は、アドレスの若いものから順番に使用状態となり、所定回数にわたりフラッシュメモリ１６への新規データの書き込みがなされると、対象ブロック１００の全レコード１１０が使用状態となる（図２（ｂ）参照）。   For this reason, the records 110 of the target block 100 are used in order from the smallest address, and when new data is written to the flash memory 16 for a predetermined number of times, all the records 110 of the target block 100 are used. (See FIG. 2B).

このとき、ＣＰＵ１１は、対象ブロック１００から、管理領域に無効情報が保存されているレコード１１０と、管理領域に有効情報が保存されているレコード１１０を特定すると共に、上述した順番に従い新たな対象ブロック１００を選択する。また、ＣＰＵ１１は、選択した新たな対象ブロック１００のデータを消去する。   At this time, the CPU 11 specifies, from the target block 100, the record 110 in which invalid information is stored in the management area and the record 110 in which valid information is stored in the management area, and a new target block in the order described above. Select 100. Further, the CPU 11 erases the data of the selected new target block 100.

そして、ＣＰＵ１１は、無効情報が保存されているレコード１１０が特定された場合には、有効情報が保存されているレコード１１０からデータを読み出し、新たな対象ブロック１００のレコード１１０に読み出したデータを書き込む。その後、ＣＰＵ１１は、新たな対象ブロック１００におけるアドレスが最も若い未使用状態のレコード１１０を対象レコード１１０として選択し、新規データの書き込みを行う。   When the record 110 storing invalid information is specified, the CPU 11 reads data from the record 110 storing valid information and writes the read data to the record 110 of the new target block 100. . Thereafter, the CPU 11 selects the unused record 110 having the smallest address in the new target block 100 as the target record 110, and writes new data.

一方、無効情報が保存されているレコード１１０が特定されなかった場合には、ＣＰＵ１１は、新たな対象ブロック１００におけるアドレスが最も若い未使用状態のレコード１１０を対象レコード１１０とする。   On the other hand, when the record 110 storing the invalid information is not specified, the CPU 11 sets the unused record 110 having the smallest address in the new target block 100 as the target record 110.

これにより、ブロック１〜ｎが循環的に使用され、フラッシュメモリ１６の各記憶領域に対し、偏り無く書き込みが行われる。
［動作の説明］
次に、本実施形態の車載装置１０の動作の概要について、図３を用いて説明する。 As a result, the blocks 1 to n are used cyclically, and writing is performed to each storage area of the flash memory 16 without any deviation.
[Description of operation]
Next, the outline | summary of operation | movement of the vehicle-mounted apparatus 10 of this embodiment is demonstrated using FIG.

車載装置１０の稼動中、ＣＰＵ１１は、適宜フラッシュメモリ１６に対するデータの書き込みや読み出しを行うが、例えば、電源の瞬断や、ノイズによるＣＰＵ１１のリセット等により、対象レコードの書き込み中に車載装置１０への電力供給が停止する可能性がある（Ｓ２００，Ｓ２０５）。   While the in-vehicle device 10 is in operation, the CPU 11 appropriately writes and reads data to and from the flash memory 16. For example, due to a momentary power interruption or a reset of the CPU 11 due to noise, etc. May be stopped (S200, S205).

既に述べたように、対象レコードは、データ領域，管理領域の順に書き込みが行われるが、管理領域への書き込みに失敗し、有効情報が保存されていないという場合であれば、データ領域に保存されているデータを無効とすれば良い。   As described above, the target record is written in the order of the data area and the management area. However, if writing to the management area fails and valid information is not saved, it is saved in the data area. It is sufficient to invalidate existing data.

しかし、管理領域に有効情報が保存されている場合であっても、メモリセルに蓄えられた電荷が不足しており、本来の保証期間にわたりデータを保持できないリテンション不良が生じている可能性がある。仮に、管理領域に保存されている有効情報が失われたら、データ領域のデータは使用できない。   However, even when valid information is stored in the management area, there is a possibility that the charge stored in the memory cell is insufficient, resulting in a retention failure that cannot hold data over the original warranty period. . If valid information stored in the management area is lost, the data in the data area cannot be used.

このため、ＣＰＵ１１は、自装置への電力供給開始時に、該電力供給開始時までの期間（換言すれば、前回の電力供給停止時までの期間）における最後の対象レコード（最終レコード）を特定する。そして、最終レコードの管理領域を構成する記憶単位領域を、該期間に最後に書き込みがなされた可能性がある記憶単位領域（最終記憶単位領域）とみなし、該管理領域に有効情報を書き込む（Ｓ２１０）。これにより、仮に、前回の電力供給の停止により該管理領域にてリテンション不良が生じていたとしても、これを解消することができる。   For this reason, the CPU 11 specifies the last target record (final record) in the period up to the start of power supply (in other words, the period up to the previous stop of power supply) at the start of power supply to the own device. . Then, the storage unit area constituting the management area of the last record is regarded as the storage unit area (final storage unit area) that may have been written last in the period, and valid information is written in the management area (S210). ). Thereby, even if a retention failure has occurred in the management area due to the previous stoppage of power supply, this can be eliminated.

なお、仮に管理領域が１の記憶単位領域から構成されている場合には、該記憶単位領域が最終記憶単位領域とみなされる。また、管理領域が複数の記憶単位領域から構成されている場合には、これらの記憶単位領域のうち、最後に書き込みがなされるものを最終記憶単位領域としても良いし、これらの記憶単位領域全てを最終記憶単位領域としても良い。   If the management area is composed of one storage unit area, the storage unit area is regarded as the final storage unit area. In addition, when the management area is composed of a plurality of storage unit areas, the last storage unit area of these storage unit areas may be used as the final storage unit area, or all of these storage unit areas May be used as the final storage unit area.

しかし、フラッシュメモリ１６への書き込み頻度が低く、対象レコードが殆ど変化しない場合には、電源投入のたびに同一の管理領域に上書きが行われる。
これに対し、同一の記憶単位領域への上書きが繰り返され、一部の記憶単位領域あるいは制御回路が使用限度に達し、データ書き込みが殆どなされていない記憶単位領域が存在するにも関らず、そのフラッシュメモリ１６は寿命に達したことになる。すなわち、メモリ全体を満遍なく使用した場合に比べて寿命が短くなっていることを意味する。 However, when the writing frequency to the flash memory 16 is low and the target record hardly changes, the same management area is overwritten each time the power is turned on.
On the other hand, overwriting to the same storage unit area is repeated, some of the storage unit areas or the control circuit reaches the use limit, and there is a storage unit area where data is hardly written, The flash memory 16 has reached the end of its life. That is, it means that the lifetime is shorter than when the entire memory is used evenly.

このため、ＣＰＵ１１は、管理領域の上書きの後、対象レコードにダミーデータを書き込む（Ｓ２１５）。これにより、電力供給開始の度に新たな対象レコードにダミーデータの書き込みが行われ（Ｓ２２０，Ｓ２２５）、最終レコードとして特定されるレコードが変更される。   Therefore, after overwriting the management area, the CPU 11 writes dummy data in the target record (S215). As a result, the dummy data is written into a new target record each time power supply is started (S220, S225), and the record specified as the last record is changed.

したがって、電力供給開始の度に特定の管理領域が上書きされることが無く、各管理領域の書き込み頻度の偏りを抑えることで、一部の管理領域だけが使用限度に達することを防ぐことができ、フラッシュメモリ１６全体を満遍なく使用することが可能となる。   Therefore, a specific management area is not overwritten every time power supply is started, and it is possible to prevent only a part of the management area from reaching the usage limit by suppressing the uneven writing frequency of each management area. The entire flash memory 16 can be used evenly.

特に、本実施形態においては、自車両に搭載されたバッテリの劣化等により電力供給が不安定となり、瞬断が生じ易くなる車載装置１０において、電力供給開始時の管理領域の上書きやダミーデータの書き込みを行っている。このため、効果的にリテンション不良を防止しつつ、フラッシュメモリ１６全体を満遍なく使用することができる。   In particular, in the present embodiment, the power supply becomes unstable due to deterioration of the battery mounted on the host vehicle and the instantaneous interruption is likely to occur. I am writing. Therefore, the entire flash memory 16 can be used evenly while effectively preventing retention failure.

次に、電力供給開始時に最終レコードの管理領域の上書きや、ダミーデータの書き込みを行う電源投入処理について、図４に記載のフローチャートを用いて説明する。なお、本処理は、車載装置１０のＣＰＵ１１の起動時に実行される。   Next, a power-on process for overwriting the management area of the last record and writing dummy data at the start of power supply will be described with reference to the flowchart shown in FIG. This process is executed when the CPU 11 of the in-vehicle device 10 is activated.

Ｓ３００では、ＣＰＵ１１は、自装置への電力供給開始により当該ＣＰＵ１１が起動されたか否かを判定し、肯定判定が得られた場合には（Ｓ３００：Ｙｅｓ）、Ｓ３０５に処理を移行すると共に、否定判定が得られた場合には（Ｓ３００：Ｎｏ）、本処理を終了する。   In S300, the CPU 11 determines whether or not the CPU 11 is activated by starting power supply to the apparatus. If an affirmative determination is obtained (S300: Yes), the process proceeds to S305, and the determination is negative. If the determination is obtained (S300: No), this process ends.

Ｓ３０５では、ＣＰＵ１１は、各ブロックの先頭のレコードの管理領域に保存されているデータを読み出すと共に、読み出したデータと対象ブロックの選択順序とに基づき、対象ブロックを特定する。   In S305, the CPU 11 reads out data stored in the management area of the first record of each block, and identifies the target block based on the read data and the selection order of the target block.

そして、ＣＰＵ１１は、対象ブロックから対象レコードと最終レコードをサーチする。すなわち、ＣＰＵ１１は、対象ブロックにおけるアドレスの若いレコードから順に、管理領域に保存されているデータを読み出す。そして、最初に初期データが読み出された管理領域を含むレコードを対象レコードとして特定すると共に、該対象レコードの直前にデータを読み出したレコードを最終レコードとして特定する。   Then, the CPU 11 searches for the target record and the last record from the target block. That is, the CPU 11 reads data stored in the management area in order from the record with the smallest address in the target block. Then, the record including the management area from which the initial data is first read is specified as the target record, and the record from which the data is read immediately before the target record is specified as the final record.

なお、初期状態において各記憶単位領域が不定値となっているフラッシュメモリが用いられる場合も想定される。このような場合、フラッシュメモリのレジスタにアクセスし、レジスタの内容に基づき、対象ブロックにおけるアドレスの若いレコードから順に未使用状態か否かを判定しても良い。そして、最初に未使用状態と判定されたレコードを対象レコードとして特定すると共に、この直前に該判定がなされたレコードを最終レコードとして特定しても良い。   It is assumed that a flash memory in which each storage unit area is an indefinite value in the initial state is used. In such a case, the flash memory register may be accessed, and based on the contents of the register, it may be determined whether or not the unused state is in order from the record with the smallest address in the target block. Then, the record first determined to be unused may be specified as the target record, and the record that has been determined immediately before this may be specified as the last record.

続くＳ３１０では、ＣＰＵ１１は、対象レコード等のサーチに成功すると（Ｓ３１０：Ｙｅｓ）、Ｓ３１５に処理を移行し、失敗した場合には（Ｓ３１０：Ｎｏ）、本処理を終了する。   In S310, when the CPU 11 succeeds in searching for the target record (S310: Yes), the process proceeds to S315. When the search is unsuccessful (S310: No), the process ends.

Ｓ３１５では、ＣＰＵ１１は、最終レコードの管理領域からデータを読み出すと共に、読み出したデータを該管理領域に上書きし、Ｓ３２０に処理を移行する。
Ｓ３２０では、ＣＰＵ１１は、対象レコードのデータ領域にダミーデータを書き込み、その後、該対象レコードの管理領域に無効情報を書き込むと共に、新たな対象レコードを設定し、本処理を終了する。 In S315, the CPU 11 reads data from the management area of the last record, overwrites the read data in the management area, and proceeds to S320.
In S320, the CPU 11 writes dummy data in the data area of the target record, then writes invalid information in the management area of the target record, sets a new target record, and ends this process.

なお、ＣＰＵ１１は、ダミーデータに替えて、例えば、自装置のリセット回数や、リセットの発生時刻や、自車両の走行距離等のデータ等を対象レコードに書き込んでも良い。こうすることにより、有用な情報をフラッシュメモリ１６に保存しつつ、特定のレコードの管理領域が繰り返し上書きされることを防ぐことができ、フラッシュメモリ１６の記憶領域全体を偏り無く使用することができる。   Note that the CPU 11 may write, for example, data such as the number of resets of the own device, the occurrence time of the reset, the travel distance of the host vehicle, and the like in the target record instead of the dummy data. In this way, while storing useful information in the flash memory 16, it is possible to prevent the management area of a specific record from being overwritten repeatedly, and the entire storage area of the flash memory 16 can be used evenly. .

［他の実施形態］
（１）本実施形態の車載装置１０は、フラッシュメモリ１６を構成する各ブロック１００をレコードに区分し、レコード単位でデータの書き込みを行う構成となっているが、フラッシュメモリ１６へのデータの書き込みの規則は、これに限定されることは無い。 [Other Embodiments]
(1) The in-vehicle device 10 of the present embodiment is configured to divide each block 100 constituting the flash memory 16 into records and write data in units of records, but writing data to the flash memory 16 This rule is not limited to this.

具体的には、例えば、フラッシュメモリ１６における未使用状態の各記憶単位領域を、アドレスの若いものから順に（或いは、アドレスの大きいものから順に）選択し、選択した記憶単位領域を書き込み領域として、データを書き込む構成としても良い。   Specifically, for example, each storage unit area in the unused state in the flash memory 16 is selected in ascending order of address (or in descending order of address), and the selected storage unit area is used as a writing area. A configuration for writing data may be employed.

このような場合であっても、電力供給開始時に各記憶単位領域に保存されているデータを読み出し、該データに基づき、電力供給開始までに最後にデータが書き込まれた最終記憶単位領域を特定することができる。   Even in such a case, the data stored in each storage unit area is read at the start of power supply, and the last storage unit area in which data was last written before the start of power supply is specified based on the data. be able to.

このほかにも、フラッシュメモリのレジスタにアクセスし、レジスタの内容に基づき各記憶単位領域が初期状態か否かを判定することで、最後にデータが書き込まれた最終記憶単位領域を特定することができる。   In addition to this, it is possible to specify the last storage unit area in which data was last written by accessing the register of the flash memory and determining whether each storage unit area is in the initial state based on the contents of the register. it can.

そして、最終記憶単位領域から読み出されものと同一のデータを最終記憶単位領域に書き込むと共に、各記憶単位領域の選択順序に基づき、最終記憶単位領域の次に選択される記憶単位領域を特定し、該記憶単位領域にダミーデータ等を書き込むことができる。   Then, the same data read from the final storage unit area is written into the final storage unit area, and the storage unit area selected next to the final storage unit area is specified based on the selection order of each storage unit area. Dummy data or the like can be written in the storage unit area.

これにより、最終記憶単位領域におけるリテンション不良を解消すると共に、電力供給開始の度に特定の記憶単位領域に上書きがなされることが無く、フラッシュメモリ１６の記憶領域全体を偏り無く使用することができる。   As a result, the retention failure in the final storage unit area is eliminated, and the specific storage unit area is not overwritten every time the power supply is started, and the entire storage area of the flash memory 16 can be used without bias. .

無論、複数の記憶単位領域からなる記憶領域毎に、同様にして書き込み領域を選択する構成とし、電力供給開始時に、最後にデータが書き込まれた記憶領域を特定して上書きを行うと共に、該記憶領域の次に選択される記憶領域にダミーデータ等を書き込んでも良い。このような場合であっても、同様の効果を得ることができる。   Of course, it is configured that the write area is selected in the same manner for each storage area composed of a plurality of storage unit areas, and at the start of power supply, the storage area where data was last written is specified and overwritten, and the storage is performed. Dummy data or the like may be written in a storage area selected next to the area. Even in such a case, the same effect can be obtained.

（２）また、本実施形態では、車載装置１０におけるフラッシュメモリ１６の書き換えを例に挙げて説明を行った。しかしながら、携帯端末等の各種電子装置においても、本実施形態と同様にして、電力供給開始時にフラッシュメモリの上書きやダミーデータ等の書き込みを行うことで、同様の効果を得ることができる。   (2) In the present embodiment, the rewriting of the flash memory 16 in the in-vehicle device 10 has been described as an example. However, in various electronic devices such as portable terminals, similar effects can be obtained by overwriting the flash memory or writing dummy data or the like at the start of power supply, as in the present embodiment.

（３）また、本実施形態の車載装置１０は、フラッシュメモリ１６を備えているが、フラッシュメモリ１６に替えて、強誘電体メモリや、磁気抵抗メモリ等といった、他の不揮発性メモリを備えていても良い。このような場合であっても、同様の効果を得ることができる。   (3) The in-vehicle device 10 of the present embodiment includes the flash memory 16, but includes other nonvolatile memories such as a ferroelectric memory and a magnetoresistive memory instead of the flash memory 16. May be. Even in such a case, the same effect can be obtained.

［特許請求の範囲との対応］
上記実施形態の説明で用いた用語と、特許請求の範囲の記載に用いた用語との対応を示す。 [Correspondence with Claims]
The correspondence between the terms used in the description of the above embodiment and the terms used in the description of the claims is shown.

車載装置１０が書き込み装置に、コントローラ１４が管理手段に相当する。
また、電源投入処理のＳ３０５が特定手段，設定手段に、Ｓ３１５が上書き手段に、Ｓ３２０が設定手段，書き込み手段に相当する。 The in-vehicle device 10 corresponds to a writing device, and the controller 14 corresponds to a management unit.
Further, S305 of the power-on process corresponds to the specifying means and setting means, S315 corresponds to the overwriting means, and S320 corresponds to the setting means and writing means.

１０…車載装置、１１…ＣＰＵ、１２…Ｉ／Ｏ、１３…ＲＡＭ、１４…コントローラ、１５…ＲＯＭ、１６…フラッシュメモリ、１７…電源回路、１００…ブロック、１１０…レコード、１１１…データ領域、１１２…管理領域。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... In-vehicle apparatus, 11 ... CPU, 12 ... I / O, 13 ... RAM, 14 ... Controller, 15 ... ROM, 16 ... Flash memory, 17 ... Power supply circuit, 100 ... Block, 110 ... Record, 111 ... Data area, 112: Management area.

Claims (5)

予め定められた記憶単位領域毎にデータの書き込みを行うことが可能な不揮発性メモリを制御する管理手段（１４）と、
予め定められた規則に従い、前記不揮発性メモリにおけるデータの書き込みがなされていない１または複数の前記記憶単位領域を、データの書き込みを行う書き込み領域として設定する設定手段（Ｓ３０５，Ｓ３２０）と、
前記管理手段を介して、前記設定手段により設定された前記書き込み領域に新規データを書き込む書き込み手段（Ｓ３２０）と、
自装置への電力供給が開始されると、前記管理手段を介して前記不揮発性メモリから読み出したデータと前記規則とに基づき、該電力供給が開始されるまでに、前記管理手段により最後にデータが書き込まれた前記記憶単位領域である最終記憶単位領域を特定する特定手段（Ｓ３０５）と、
前記特定手段により前記最終記憶単位領域が特定されると、前記管理手段を介して、該最終記憶単位領域に対し、該最終記憶単位領域に保存されているデータを書き込む上書き手段（Ｓ３１５）と、
を備え、
前記書き込み手段は、前記上書き手段によるデータ書き込みに続いて、前記設定手段により設定された前記書き込み領域に前記新規データを書き込むこと、
を特徴とする書き込み装置（１０）。 A management means (14) for controlling a nonvolatile memory capable of writing data for each predetermined storage unit area;
In accordance with a predetermined rule, setting means (S305, S320) for setting one or a plurality of the storage unit areas where data is not written in the nonvolatile memory as a writing area where data is written,
A writing means (S320) for writing new data to the writing area set by the setting means via the management means;
When power supply to the device starts, the management means finally outputs data based on the data read from the nonvolatile memory via the management means and the rules until the power supply is started. Specifying means (S305) for specifying a final storage unit area that is the storage unit area in which is written,
When the final storage unit area is specified by the specifying means, overwriting means (S315) for writing the data stored in the final storage unit area to the final storage unit area via the management means;
With
The writing means writes the new data in the writing area set by the setting means, following the data writing by the overwriting means;
A writing device (10) characterized by: 請求項１に記載の書き込み装置において、
前記不揮発性メモリとは、複数の前記記憶単位領域から構成されるブロック（１００）毎に保存されているデータを消去することができるフラッシュメモリ（１６）であり、
前記管理手段は、前記不揮発性メモリの前記ブロック毎にデータを消去する制御を行うこと、
を特徴とする書き込み装置。 The writing device according to claim 1.
The nonvolatile memory is a flash memory (16) capable of erasing data stored for each block (100) composed of a plurality of the storage unit areas,
The management means performs control to erase data for each block of the nonvolatile memory;
A writing device. 請求項２に記載の書き込み装置において、
前記設定手段は、データを保存するためのデータ領域（１１１）と、該データ領域の状態を示す管理データが保存される管理領域（１１２）とを有し、１または複数の前記記憶単位領域から構成される記憶領域をレコード（１１０）とし、前記規則に従い、データの書き込みがなされていないいずれかの前記レコードを、前記書き込み領域として設定し、
前記書き込み手段は、前記管理手段を介して、前記書き込み領域である前記レコードの前記データ領域に前記新規データを書き込むと共に、該レコードの前記管理領域に、該データ領域にデータが保存されていることを示す前記管理データを書き込み、
前記特定手段は、前記電力供給が開始されると、前記管理手段を介して前記不揮発性メモリから読み出したデータと前記規則とに基づき、該電力供給が開始されるまでに、前記書き込み手段により最後に前記新規データが書き込まれた前記レコードを特定すると共に、該レコードを構成する前記記憶単位領域を前記最終記憶単位領域として特定すること、
を特徴とする書き込み装置。 The writing device according to claim 2.
The setting means has a data area (111) for storing data, and a management area (112) for storing management data indicating the state of the data area, from one or a plurality of the storage unit areas The storage area to be configured is a record (110), and according to the rule, any record to which data is not written is set as the write area,
The writing means writes the new data in the data area of the record that is the writing area via the management means, and data is stored in the data area in the management area of the record Write the management data indicating
When the power supply is started, the specifying means, based on the data read from the nonvolatile memory via the management means and the rules, until the power supply is started by the writing means. Specifying the record in which the new data has been written to, and specifying the storage unit area constituting the record as the final storage unit area,
A writing device. 請求項１から請求項３のうちのいずれか１項に記載の書き込み装置において、
前記書き込み手段は、前記電力供給が開始されると、前記新規データとしてダミーデータを書き込むこと、
を特徴とする書き込み装置。 The writing device according to any one of claims 1 to 3,
The writing means writes dummy data as the new data when the power supply is started,
A writing device. 請求項１から請求項４のうちのいずれか１項に記載の書き込み装置において、
前記書き込み装置は、車両に搭載されていること、
を特徴とする書き込み装置。 The writing device according to any one of claims 1 to 4,
The writing device is mounted on a vehicle;
A writing device.

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